Взаимодействие экситонов и носителей заряда в электрическом поле поверхностной акустической волны в GaAs/AlAs сверхрешетках второго рода тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Гуляев, Дмитрий Владимирович

• Гуляев, Дмитрий Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Гуляев, Дмитрий Владимирович

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Обзор литературных данных

§ 1.1. Влияние электрического поля поверхностной акустической волны на транспортные и рекомбинационные свойства СаАг и низкоразмерных систем на его основе

§ 1.2. Энергетическая структура и рекомбинационные свойства сверхрешеток 6аАз/А1Аз второго рода, выращенных на (100)-

ориентированной поверхности СаАэ

§ 1.3. Энергетическая структура и рельеф гете-рограниц сверхрешеток СаАэ/А1Аэ второго рода, выращенных на (311)А-

ориентированной поверхности СаАэ

ГЛАВА 2. Методические вопросы исследования

§ 2.1. Исследуемые образцы. Методики их изготовления и контроля

§ 2.2. Методика регистрации стационарной фото-

лкминесценции

§ 2.3. Регистрация кинетики и спектров нестационарной фотолюминесценции

§ 2.4. Методика приложения электрического поля к исследуемому образцу с помощью поверхностной акустической волны

ГЛАВА 3. Влияние электрического поля на фотолюминесценцию (100)-ориентированных сверхрешеток СаАз/А1Аз второго рода

§ 3.1. Влияние электрического поля на стационарную фотолюминесценцию экситонов в (100)-ориентированных сверхрешетках

6аАз/А1Аз второго рода

§ 3.2. Влияние электрического поля на кинетику фотолюминесценции Х2 экситонов в (100)-ориентированных сверхрешетках СаАэ/А1Аэ

второго рода

§ 3.3. Влияние электрического поля на кинетику фотолкминесценции Хху экситонов в (100)-ориентированных СаАз/А1Аз сверхрешетках

второго рода

§ 3.4. Механизм возрастания интенсивности фотолюминесценции свободных экситонов в

электрическом поле

§ 3.5. Механизм ускорения кинетики фотолюминесценции экситонов в электрическом поле

ГЛАВА 4. Влияние электрического поля на стационарную фотолюминесценцию и кинетику фотолюминесценции сверхрешеток СаАз/А1Аз второго рода, выращенных

на (311)А-ориентированной поверхности СаАэ

§ 4.1. Спектры стационарной фотолюминесценции

сверхрешеток 6аАз/А1Аз второго рода, выращенных на (311)А-ориентированной по-

верхности СаАэ

§ 4.2. Влияние электрического поля на стационарную фотолюминесценцию (311) А-

ориентированных структур

§ 4.3. Влияние электрического поля на кинетику фотолюминесценции (311)А-ориентированных

структур. Параметры рельефа гетерограниц (311) А-ориентированных структур

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Взаимодействие экситонов и носителей заряда в электрическом поле поверхностной акустической волны в GaAs/AlAs сверхрешетках второго рода»

ВВЕДЕНИЕ

Одной из фундаментальных проблем физики полупроводников является проблема взаимодействия экситонов с электрическим полем. В зависимости от напряженности электрического поля диссоциация экситонов проходит по различным механизмам - термоэлектронной, туннельной или ударной ионизации [1] . В последнее время данная проблема, помимо фундаментальной значимости, начинает приобретать практическое значение [2] . Это связано с тем, что в низкоразмерных гетероэпитаксиальных структурах, которые лежат в основе всей современной оптоэлектроники [3-4], наблюдается увеличение энергии связи экситона, приводящее в широкозонных материалах к сосуществованию экситонов с носителями заряда даже при комнатной температуре и в сильных электрических полях [5].

Описание процессов взаимодействия экситонов с электрическим полем в полупроводниках осложняется тем, что зачастую реальная величина и распределение напряженности электрического поля в исследуемой структуре неизвестны, поскольку в окрестностях дефектов происходит повышение напряженности поля и, как следствие, возможен пробой образца. Одним из альтернативных способов приложения электрического поля к структуре является использование поверхностных акустических волн (ПАВ). Использование ПАВ в качестве источника переменного электрического поля перспективно, поскольку позволяет исследовать взаимодействие экситонов с электрическим полем в широких интервалах напряженности без создания макроскопических токов в исследуемой структуре, что выгодно отличает этот способ от приложения постоянного электрического поля. Кроме того, в последнее время электрическое поле ПАВ, имеющее те же пространственные и временные характеристики, что и сама акустическая волна, стало активно использоваться для модификации оптических и

транспортных свойств низкоразмерных структур [6-21]. В электрическом поле ПАВ наблюдается тушение фотолюминесценции (ФЛ) эксито-нов вследствие их диссоциации с последующим захватом электронов и дырок в максимумы и минимумы потенциала бегущей акустической волны [6] . Разделение электронов и дырок вызывает кардинальное увеличение времени жизни неравновесных носителей заряда [16] и дает возможность создания на основе ПАВ динамических низкоразмерных объектов [18] . В то же время, к началу данной работы физика процесса, лежащего в основе наблюдаемых эффектов [6-21], не была исследована, а именно, не был установлен механизм диссоциации экси-тонов под действием переменного электрического поля ПАВ.

Целью диссертационной работы являлось экспериментальное исследование механизмов взаимодействия экситонов с электрическим полем, генерируемым поверхностной акустической волной.

В качестве объекта исследования были выбраны сверхрешетки (СР) 6аАз/А1Аз второго рода с большим временем жизни неравновесных носителей заряда, что позволило исследовать влияние электрического поля ПАВ не только на стационарную ФЛ экситонов, но и на кинетику ФЛ экситонов, и решить, таким образом, необходимые для достижения поставленной цели задачи:

1. Исследовать стационарную ФЛ экситонов под действием электрического поля ПАВ и изучить ее зависимости от напряженности электрического поля ПАВ, параметров структуры, интенсивности возбуждения и температуры.

2. Исследовать кинетические характеристики нестационарной ФЛ экситонов под действием электрического поля ПАВ при различных параметрах структуры, напрямую из эксперимента определив постоянные времени процессов и выявить механизм ионизации экситонов.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы.

Первая глава является обзорной. В этой главе приводится обзор литературных данных по влиянию переменного электрического поля, генерируемого ПАВ на энергетический спектр и рекомбинацию неравновесных носителей заряда в объемных полупроводниках и низкоразмерных структурах. Во втором параграфе приводятся данные по энергетическому спектру и ФЛ сверхрешеток 6аАэ/А1Аз второго рода, являющихся основным объектом исследований в данной работе. Помимо этого, в третьем параграфе проводится обзор литературных данных по рельефу гетерограниц и энергетической структуре сверхрешеток баАз/МАэ второго рода, выращенных на (311) А-ориентированной поверхности СаАэ, поскольку методика, основанная на обнаруженном и изложенным в главе 3 данной диссертации влиянии ПАВ на спектры и кинетику ФЛ экситонов, позволяет оценить рельеф гетерограниц исследуемой структуры.

Во второй главе рассмотрены методические вопросы исследования. Описаны условия получения исследованных в работе образцов -сверхрешеток СаАэ/А1Аэ второго рода. Здесь же приведено описание экспериментальных установок, использованных для регистрации спектров стационарной и нестационарной ФЛ, кинетики ФЛ. Рассматривается методика приложения электрического поля ПАВ к исследуемым образцам, а измерения спектров стационарной и нестационарной ФЛ в этом поле.

Третья глава посвящена результатам исследования влияния электрического поля стоячей ПАВ на стационарную ФЛ и кинетику ФЛ структур СаАз/А1Аз второго рода, выращенных на (100)-ориентированной поверхности ваАэ. Показано, что стационарная ФЛ экситонов затухает в электрическом поле ПАВ. Исследуются зависимости степени тушения стационарной ФЛ экситонов в электрическом поле ПАВ от частоты ПАВ, интенсивности лазерного возбуждения, температуры измерений. Анализируются различные механизмы иониза-

ции экситонов, способные объяснить полученные результаты. Сообщается об экспериментальном обнаружении в кривых затухания низкотемпературной ФЛ сверхрешеток СаАэ/А1Аз второго рода кратковременного возгорания ФЛ свободных экситонов под действием электрического поля ПАВ, достаточно быстро сменяющегося ускорением кинетики затухания ФЛ экситонов. Рассматриваются зависимости этих эффектов от длительности импульса ПАВ, времени задержки между лазерным импульсом и импульсом ПАВ, температуры измерений, симметрии нижнего электронного состояния и легирования образцов. Определены механизмы, обуславливающие возрастание интенсивности ФЛ свободных экситонов и ускорение кинетики ФЛ всех типов экситонных переходов в электрическом поле ПАВ. Представлена математическая модель процесса рекомбинации, объясняющая наблюдаемое поведение кинетики ФЛ в электрическом поле ПАВ.

В четвертой главе приводятся результаты изучения влияния электрического поля ПАВ на стационарную ФЛ и кинетику ФЛ экситонов в сверхрешетках СаАэ/А1Аз второго рода, выращенных на (311)А-ориентированных подложках. Сообщается об экспериментальном обнаружении анизотропии эффектов, наблюдаемых под действием электрического поля в стационарной ФЛ и кинетике ФЛ (311) А-ориентированных структур. Показано, что анизотропия наблюдаемых эффектов связана с анизотропным рельефом гетерограниц (311)А-структур. На основе полученных экспериментальных данных определены характерные параметры рельефа гетерограниц (311)А-ориентированных сверхрешеток СаАз/А1Аз.

В заключении диссертации сформулированы основные результаты и выводы работы и указан личный вклад автора.

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. Формирование экситонов из носителей заряда, высвобождаемых импульсом продольного электрического поля с уровней широких

квантовых ям, образованных шероховатостями гетерограниц двумерных структур, вызывает возгорание нестационарной ФЛ экситонов.

2. Переход экситонов из локализованного в свободное состояние в двумерных структурах при их соударении с носителями заряда, ускоренными в продольном электрическом поле, приводит к захвату экситонов на центры безызлучательной рекомбинации и, как следствие к ускорению кинетики ФЛ свободных и локализованных экситонов.

3. Доминирующим механизмом ионизации экситонов при нерезонансном возбуждении в электрическом поле ПАВ напряженностью до 12 kB/см, приложенном к сверхрешеткам GaAs/AlAs второго рода, является ударная ионизация экситонов свободными носителями заряда, описываемая соотношением Таунсенда-Шокли.

4. Анизотропия эффектов, наблюдаемых в кинетике нестационарной ФЛ и стационарной ФЛ (311)А-структур под действием электрического поля, обусловлена модуляцией толщины слоев в направлении [011], создающей энергетические барьеры для носителей заряда и экситонов и, следовательно, препятствующей их взаимодействию.

Новизна полученных результатов. Основные результаты и выводы работы получены впервые. Впервые исследовано влияние электрического поля, генерируемого стоячей ПАВ, на стационарную ФЛ и кинетику ФЛ экситонов. Установлено, что электрическое поле ПАВ способно инициировать различные процессы взаимодействия экситонов и свободных носителей заряда, при этом доминирование того или иного процесса зависит от начальной кинетической энергии экситонов и носителей заряда.

1. Обнаружено, что в случае взаимодействия термализованных экситонов с электрическим полем наблюдается первоначальное возгорание нестационарной ФЛ свободных экситонов при неизменной ФЛ локализованных экситонов с последующим ускорением кинетики затухания ФЛ сначала локализованных, а затем свободных экситонов. Про-

демонстрирована 100% анизотропия этих эффектов в CP GaAs/AlAs, выращенных на (311)А-поверхности GaAs, в которых движение эксито-нов в направлении [011] ограничено модуляцией толщины слоев GaAs в данном направлении. Построена математическая модель, объясняющая наблюдаемые эффекты возгорания ФЛ свободных экситонов и последующего ускорения кинетики затухания ФЛ свободных и локализованных экситонов. Установлено, что причиной возгорания ФЛ является формирование экситонов из носителей заряда, выбрасываемых электрическим полем ПАВ с уровней широких квантовых ям, образованных шероховатостями гетерограниц. Показано, что ускорение кинетики экси-тонной ФЛ вызвано увеличением захвата экситонов на центры безыз-лучательной рекомбинации вследствие делокализации экситонов при соударении с носителями заряда.

2. Обнаружено, что в случае взаимодействия горячих экситонов с электрическим полем стоячей ПАВ, несмотря на то, что носители заряда остаются в точке фотогенерации, наблюдается тушение стационарной ФЛ структур. Показано, что в (311) А-сверхрешетках GaAs/AlAs, в которых только горячие электроны в слоях AlAs, не локализованы в направлении [011], анизотропия тушения стационарной ФЛ экситонов под действием электрического поля ПАВ составляет не более 20%. Построена математическая модель тушения стационарной ФЛ экситонов в электрическом поле стоячей ПАВ, учитывающая как ударную ионизацию экситонов носителями заряда, так и захват на центры безызлучательной рекомбинации.

Практическая важность результатов работы заключается в следующем:

1. Экспериментально установлены механизмы взаимодействия экситонов с переменным электрическим полем, модифицирующие такие важные для оптоэлектронных приборов характеристики, как интенсивность стационарной ФЛ и время затухания ФЛ. Полученные данные

важны и могут использоваться при конструировании приборов на основе экситонных переходов.

2. Разработан новый спектральный метод оценки формы рельефа гетерограниц двумерных структур, основанный на модификации кинетики нестационарной ФЛ в результате взаимодействия экситонов с носителями заряда, выбрасываемыми электрическим полем с уровней широких квантовых ям, образованных шероховатостями гетерограниц. Определены характерные параметры рельефа гетерограниц сверхрешеток GaAs/AlAs, выращенных на (311)A-ориентированной поверхности GaAs.

Апробация работы. Результаты, полученные в данной работе, докладывались на

1. VI, VII, VIII и X Российских конференциях по физике полупроводников (Санкт-Петербург, 2003; Москва, 2005; Екатеринбург, 2007; Нижний Новгород, 2011);

2. IX Международной конференции по физике и технологии тонких пленок (Украина, 2003);

3. 22 международной конференции по дефектам в полупроводниках (Дания, 2003);

4. Пятой всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт Петербург, 2003);

5. 20 общей конференции отделения твердого EPS (Чехия, 2004);

6. Международной конференции по сверхрешеткам, наноструктурам и наноприборам (Мексика, 2004);

7. 9 конференции по оптике экситонов в ограниченных системах (Великобритания, 2005);

8. 14 Международной конференции по динамике неравновесных носителей в полупроводниках (США, 2005);

9. VII международной конференции "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы" (Ульяновск, 2006);

10. 28, 29 и 31 Международных конференциях по физике полупроводников (Австрия, 2006; Бразилия, 2008; Швейцария, 2012);

11. Международной школе для молодых ученых "Nanostructure materials, applied optics and photonics" в рамках работы 16 Международного симпозиума "NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY" (Владивосток, 2008);

12. Международной конференции по формированию полупроводниковых поверхностей (Германия, 2009);

13. XIV Международному симпозиуму по люминесцентной спектроскопии (Чехия, 2010);

14. 16 всероссийской научной конференции студентов физиков и молодых ученых (Волгоград, 2010);

15. XII международной школы-семинара по люминесценции и лазерной физике (Хужир, 2012);

16. XIII Международной молодежной конференции по люминесценции и лазерной физике (бухта Песчаная, 2012) .

Результаты работы также докладывались и обсуждались на семинарах ИФП СО РАН.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 7 статей в реферируемых научных журналах [22А-26А, 4 ЗА-4 4А], а также тезисы докладов в трудах различных конференций [27А-42А,45А-49А].

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Гуляев, Дмитрий Владимирович

Основные результаты и выводы диссертационной работы состоят в следующем:

1. Проведено экспериментальное исследование механизмов взаимодействия экситонов с электрическим полем, генерируемым стоячей ПАВ, в сверхрешетках СаАз/А1Аз второго рода. Установлено, что механизм взаимодействия экситонов с электрическим полем ПАВ, определяется кинетической энергией экситонов и носителей заряда на момент приложения электрического ПОЛЯ.

2. Обнаружено, что в случае термализованных экситонов и носителей заряда электрическое поле приводит сначала к возгоранию интенсивности ФЛ свободных экситонов с последующим ускорением кинетики ФЛ сначала локализованных, а затем свободных экситонов. Показано, что наблюдаемые эффекты доминируют в кинетике ФЛ сверхрешеток 6аАз/А1Аз второго рода с Хху нижним электронным состоянием. Установлено, все наблюдаемые изменения в кинетике экситонной

ФЛ связаны с двумя конкурирующими механизмами с участием носителей заряда, выбрасываемых электрическим полем с уровней широких квантовых ям, образованных шероховатостями гетерограниц. Во-первых, формирование экситонов из носителей заряда приводит к возгоранию нестационарной ФЛ свободных экситонов. Во-вторых, захват экситонов на центры безызлучательной рекомбинации вследствие делокализации экситонов при соударении с носителями заряда вызывает ускорение кинетики ФЛ свободных и локализованных экситонов. Построена математическая модель, описывающая поведение кинетики нестационарной ФЛ экситонов в электрическом поле. Определена длина свободного пробега электронов в исследуемых структурах.

3. Показано, что в случае горячих экситонов и носителей заряда электрическое поле стоячей ПАВ вызывает тушение стационарной ФЛ структур, при этом степень тушения ФЛ зависит от мощности лазерного возбуждения, температуры и концентрации центров безызлучательной рекомбинации в образце. Построена математическая модель, описывающая тушение стационарной ФЛ экситонов в электрическом поле стоячей ПАВ, учитывающая как ионизацию экситонов, так и захват на центры безызлучательной рекомбинации. Показано, что наблюдаемые в эксперименте зависимости степени тушения ФЛ от напряженности электрического поля и интенсивности лазерного возбуждения указывают на ударную ионизацию экситонов горячими носителями заряда, описываемую соотношением Таунсенда-Шокли, как доминирующий механизм взаимодействия экситонов с электрическим полем.

4. Проведено исследование взаимодействия экситонов с электрическим полем ПАВ в сверхрешетках 6аАз/А1Аз, выращенных на (311)А-ориентированной поверхности СаАэ. Обнаружена анизотропия эффектов, связанных с влиянием электрического поля ПАВ, достигающая 100% для термализованных экситонов в кинетике нестационарной ФЛ и не превышающая 20% для горячих экситонов в стационарной ФЛ.

Показано, что и в том, и в другом случае анизотропия появляется вследствие модуляции толщины слоев структуры в направлении [011], создающей энергетические барьеры для носителей заряда и эксито-нов, и, следовательно, препятствующей их движению в этом направлении. Различная степень анизотропии этих эффектов в кинетике ФЛ и стационарной ФЛ объяснена возможностью переноса в электрическом поле вдоль направлении [011] только горячих электронов, тогда как термализованные экситоны и носители заряда остаются локализованными. Проведена оценка характерных параметров рельефа гетерогра-ниц исследованных (311) A-структур GaAs/AlAs, удовлетворяющих полученным значениям анизотропии: латеральные размеры микроканавок в направлении [011] как на прямой, так и на обратной гетерограницах (311) А- структур превышают 5 нм; модуляция толщины слоев AlAs составляет от 0,8 до 1,2 нм.

Диссертационная работа выполнена в Институте физики полупроводников им. A.B. Ржанова Сибирского Отделения РАН. Личный вклад автора состоит в подготовке и проведении экспериментов, анализе полученных данных, разработке модели и проведении расчетов.

Автор выражает искреннюю признательность научному руководителю К.С. Журавлеву - за постоянное руководство и помощь при выполнении работы, А.И. Торопову, А.К Бакарову и А.К. Калагину - за возможность исследования выращенных ими на (100)-ориентированных подложках GaAs сверхрешеток GaAs/AlAs второго рода, В.В. Преображенскому - за предоставление структур, выращенных на (311)A-ориентированных подложках GaAs, A.M. Гилинскому - за разработанную им методику измерения стационарной ФЛ и кинетики ФЛ полупроводниковых структур под действием ПАВ, а так же за многократную помощь при проведении экспериментов, В.А. Цареву - за предоставление исходных шаблонов для встречно-штырьевых преобразователей и определение параметров ПАВ, Т.И. Григорьевой - за отжиг и проведение литографии кристаллов ниобата лития, В.И. Ободникову - за анализ структур методом масс-спектрометрии вторичных ионов, А.К. Гутаковскому - за предоставленные данные по просвечивающей электронной микроскопии структур, а так же коллегам по лаборатории молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5 ИФП СО РАН за постоянное сотрудничество. Кроме этого, автор искренне благодарит всех коллег по своей работе в Институте физики полупроводников, благодаря постоянному плодотворному взаимодействию с которыми только и могла состояться эта работа.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В настоящей работе было проведено экспериментальное исследование влияния электрического поля поверхностной акустической волны на фотолюминесценцию и кинетику фотолюминесценции сверхрешетках СаАз/А1Аз второго рода, выращенных на (100)- и (311)А-ориентированных подложках СаАэ. Изучены зависимости стационарной ФЛ сверхрешеток под действием электрического поля ПАВ от частоты ПАВ, напряженности электрического поля и интенсивности лазерного возбуждения, температуры измерений. Исследована кинетика ФЛ сверхрешеток в электрическом поле ПАВ при разной длительности импульса ПАВ, а так же времени задержки между лазерным импульсом и импульсом ПАВ, температуры измерений и легирования образцов. Проведено моделирование стационарной ФЛ и кинетики фотолюминесценции экситонов в электрическом поле ПАВ.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Гуляев, Дмитрий Владимирович, 2013 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

[1] Klingshirn Claus F. Semiconductor Optics. Fourth Edition /

Claus F. Klingshirn // Springer-Verlay Heidelberg. - 2001. -849 p.

[2] Grosso G. Excitonic switches operating at around 100 К / G.

Grosso, J. Graves, A.T. Hammack, A.A. High, L.V. Butov, M. Hanson, A.C. Gossard // Nature Photonics - 2009 - Vol. 3. -P. 577-580.

[3] Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетерострук-

тур/ Ж.И. Алферов // ФТП. - 1998. - Т. 32. - С. 3-18.

[4] Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры.: Перевод с

английского / под редакцией JI. Ченга и К. Плога // М: Мир. -1989. - 584 с.

[5] Beaur L. Exciton radiative properties in nonpolar homoepi-

taxial Zn0/(Zn,Mg)0 quantum wells / L. Beaur, T. Bretagnon, B. Gil, A. Kavokin, T. Guillet, C. Brimont, D. Tainoff, M. Teisseire, and J.-M. Chauveau // Phys. Rev. B. -2011. - Vol. 84. - P. 165312-1-8.

[6] Zhuravlev K.S. Effect of surface acoustic waves on low-

temperature photoluminescence of GaAs / K.S. Zhuravlev, D.V. Petrov, Yu.B. Bolkhovityanov, and N.S. Rudaja // Appl. Phys. Lett. - 1997. - Vol. 70, №25. - P. 3389-3391.

[7] Santos P. V. Spatially resolved photoluminescence in GaAs

surface acoustic wave structures / P. V. Santos, M. Ramsteiner, and F. Jungnickel // Appl. Phys. Lett. - 1998. -Vol. 72, № 17. P. 2099-2101.

[8] Rocke C. Exciton ionization in a quantum well studied by sur-

face acoustic waves / C. Rocke, A. O. Govorov, and A. Wix-

forth, G. Bo.hm and G. Weimann // Phys. Rev. B. - 1998. -Vol. 57, № 12. - P. 6850-6853.

[9] Rocke C. Acoustically Driven Storage of Light in a Quantum

Well / C. Rocke, S. Zimmermann, A. Wixforth, and J. P. Kot-thaus, G. Böhm and G. Weimann // Phys. Rev. Lett. - 1997. -Vol. 78, № 21. - P. 4099-4102.

[10] Volk S. Conversion of bound excitons to free excitons by surface acoustic waves / S. Volk, A. Wixforth, D. Reuter, A. D. Wieck, and J. Ebbecke. // Phys. Rev. B. - 2009. - Vol. 80. - P. 165307-1-5.

[11] Nelson D. Impact ionization of excitons in an electric field in GaN / D. Nelson, B. Gil, M. A. Jacobson, V. D. Kagan, N. Grandjean, B. Beaumont, J. Massies, and P. Gibart // J. Phys.: Condens. Matter. - 2001. - Vol. 13. - P. 7043-7052.

[12] Pedros J. Exciton impact-ionization dynamics modulated by surface acoustic waves in GaN / J. Pedros, Y. Takagaki, T. Ive, M. Ramsteiner, 0. Brandt, U. Jahn, K. H. Ploog, and F. Calle. // Phys. Rev. B. - 2007. - Vol. 75. - P. 115305-1-8.

[13] Takagaki Y. Photoluminescence of GaAs under surface acoustic wave propagation in high magnetic fields / Y. Takagaki, E. Wiebicke, H.J. Zhu, R. Hey, M. Ramsteiner, K.H. Ploog. // Microelectronic Engineering. - 2002. - Vol. 63. - P. 205209.

[14] Takagaki Y. Suppression of the photoluminescence quenching due to surface acoustic waves in high magnetic fields / Y. Takagaki, E. Wiebicke, H.J. Zhu, R. Hey, M. Ramsteiner and K.H. Ploog // Semicond. Sei. Technol. - 2002. - Vol. 17. -P. 161-165.

[15] Garcia-Cristobal A. Spatiotemporal carrier dynamics in quantum wells under surface acoustic waves / A. Garcia-Cristobal

and A. Cantarero, F. Alsina and P.V. Santos // Phys. Rev. B. - 2004. - Vol. 69. - P. 205301-1-13.

[16] Alsina F. Surface-acoustic-wave-induced carrier transport in quantum wires / F. Alsina, P.V. Santos, H.-P. Schonherr, W. Seidel, and K.H. Ploog, R. Notzel // Phys. Rev. B. - 2002. -Vol. 66. - P. 165330-1-8.

[17] Alsina F. Real-time dynamics of the acoustically induced carrier transport in GaAs quantum wires / F. Alsina, P.V. Santos, H.-P. Schonherr, R. Notzel, and K.H. Ploog // Phys. Rev. B. - 2003. - Vol. 67. - P. 161305(R)-1-4.

[18] Sogawa Tetsuomi. Spatially modulated photoluminescence properties in dynamically strained GaAs/AlAs quantum wells by surface acoustic wave / Tetsuomi Sogawa, Haruki Sanada, Hi-deki Gotoh, Hiroshi Yamaguchi, and Paulo V. Santos // Appl. Phys. Lett. - 2012. - Vol. 100. - P. 162109-1-4.

[19] Alsina F. Dynamic carrier distribution in quantum wells modulated by surface acoustic waves / F. Alsina, P. V. Santos, and R. Hey, A. Garcia-Cristo.bal and A. Cantarero // Phys. Rev. B. - 2001. - Vol. 64. - P. 041304-1-4.

[20] Sogawa T. Dynamic band-structure modulation of quantum wells by surface acoustic waves / T. Sogawa, P.V. Santos, S. K. Zhang, S. Eshlaghi, A. D. Wieck, and K.H. Ploog // Phys. Rev. B. - 2001. - Vol. 63. - P. 121307-1-4.

[21] Santos P.V. Band mixing and ambipolar transport by surface acoustic waves in GaAs quantum wells / P.V. Santos, F. Alsina, J.A.H. Stotz, and R. Hey, S. Eshlaghi and A. D. Wieck // Phys. Rev. B. - 2004. - Vol. 69. - P. 155318-1-11.

[22A] Gulyaev D.V. Interaction of excitons with carriers accelerated by the electric field of a surface acoustic wave in type II GaAs/AlAs superlattices / D.V. Gulyaev,

K.S. Zhuravlev // Phys. Rev. B. - 2012. - Vol. 86. - P. 165323-1-8.

[23A] Гуляев Д.В. Механизм воздействия электрического поля поверхностной акустической волны на кинетику низкотемпературной фотолкминесцендии GaAs/AlAs-сверхрешёток второго рода / Д.В. Гуляев и К.С. Журавлев // ФТП. - 2007. - Т.41, № 2. -

C. 211-216.

[24А] Gulyaev D.V. Influence of electrical field on the photoluminescence of 8-doped type II GaAs/AiAs super lattices /

D.V. Gulyaev, A.M. Gilinsky, A.I. Toropov, A.K. Bakarov, A.V. Tsarev, K.S. Zhuravlev // Physica B: Physics of Condensed Matter. - 2003. - Vol. 340-342C. - P. 1086-1089.

[25A] Gulyaev D.V. Photoluminescence kinetics of type II GaAs/AlAs superlattices under the influence of an electric field / D.V. Gulyaev, A.K. Bakarov, A.V. Tsarev, K.S. Zhuravlev // Proceeding of forth Asia-Pacific Conference Fundamental Problems of Opto - and Microelectronics. - September 13-16, 2004. - P. 294-297. [26A] Gulyaev D.V. Effect of an electric field on photoluminescence kinetics of type II GaAs/AlAs superlattices / D.V. Gulyaev, A.I. Toropov, and K.S. Zhuravlev // Proceedings of the 28th International Conference on the Physics of Semiconductors. - 2007. - Vol. 893. - P. 421-422. [27A] Гуляев Д.В. Влияние электрического поля поверхностной акустической волны на фотолюминесценцию GaAs/AlAs сверхрешеток второго рода / Д.В. Гуляев, A.M. Гилинский, А.К. Сулайманов, А.И. Торопов, А.К. Бакаров, А.В. Царев, К.С. Журавлев. // Тезисы VI Российской конференции по физике полупроводников (Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003). - С. 286.

[28А] Сулайманов А.К. Рекомбинация экситонов в GaAs/AlAs сверхрешетках 11-го рода под действием поверхностной акустической волны / А.К. Сулайманов, Д.В. Гуляев, A.M. Гилинский, А.И. Торопов, К.С. Журавлев // Тезисы IX Международной конференции по физике и технологии тонких пленок (Украина, 1925 мая 2003). - С. 11.

[29А] Gulyaev D.V. Influence of electric field on the photoluminescence of S-doped type II GaAs/AlAs superlattices / D.V.Gulyaev, A.M.Gilinsky, A.I.Toropov, A.K.Bakarov, A.V.Tsarev, К.S.Zhuravlev // Abstract of 22th International Conference on Defects in Semiconductors (Aarhus, Denmark, July 28-August 1 2003). - P. PB108.

[30A] Гуляев Д.В. Влияние электрического поля акустической волны на кинетику фотолюминесценции GaAs/AlAs сверхрешеток второго рода / Д.В. Гуляев // Тезисы Пятой всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. (Санкт-Петербург 1-5 декабря 2003) . - С. 57.

[31А] Gulyaev D.V. Photoluminescence kinetics of type II GaAs/AlAs superlattices under the influence of an electric field / D.V. Gulyaev, A.K. Bakarov, A.V. Tsarev, K.S. Zhuravlev // Book of abstracts of 20th General Conference Condesed Matter Division EPS (Prague, Czech Republic, 19-23 July 2004). - P. 171.

[32A] Gulyaev D.V. Influence of an electric field on the photoluminescence kinetics of type II GaAs/AlAs superlattice / D.V. Gulyaev, A.I. Toropov, A.K. Bakarov, A.V. Tsarev, K.S. Zhuravlev // Program and Abstracts. The International Conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices (Cancun, Mexico,19-23 July 2004) - P. 101.

[ЗЗА] Гуляев Д.В. Влияние электрического поля поверхностной акустической волны на кинетику фотолюминесценции GaAs/AlAs сверхрешеток второго рода / Д.В. Гуляев, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, К.С. Журавлев // Тезисы VII Российской конференции по физике полупроводников (Москва, 18-23 сентября 2005). -

C. 176.

[34А] Gulyaev D.V. Effect of an electric field on the photoluminescence kinetics of undoped and 8-doped type II GaAs/AlAs superlattices / D.V. Gulyaev, A.K. Bakarov, A.V. Tsarev and K.S. Zhuravlev // Abstracts of OECS9 and ICSCE2, School of Physics and Austronomy (England, University of Southampton, 5-10 September 2005) - P. 121.

[35A] Gulyaev D.V. Influence of an Electric Field on the Photoluminescence Kinetics of Type II GaAs/AlAs Superlattices /

D.V. Gulyaev, A.K. Bakarov, A.V. Tsarev, K.S. Zhuravlev // 14th International Conference on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors (Chicago, USA, 24-29 July 2005). -P. 2.

[36A] Гуляев Д.В. Влияние электрического поля на кинетику фотолюминесценции GaAs/AlAs сверхрешеток второго рода / Д.В. Гуляев, А.И. Торопов, К.С. Журавлев // Труды VII международной конференции "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы" (Ульяновск, - 26-30 июня 2006). - С. 202.

[37А] Gulyaev D.V. Effect of an electric field on the photoluminescence kinetics of type II GaAs/AlAs superlattices / D.V. Gulyaev, A.I. Toropov and K.S. Zhuravlev // Abstract of 28th International Conference on the Physics of Semiconductors (Austria, Vena, July 24-28 2006). - P. TuA3j.l2

[38A] Gulyaev D.V. Увлечение экситонов свободными носителями заряда в электрическом поле в GaAs/AlAs сверхрешетках второго

рода / D.V. Gulyaev, К.S. Zhuravlev // 16 всероссийская научная конференция студентов физиков и молодых ученых (Волгоград, 22-29 апреля 2010). - С. 192.

[39А] Гуляев Д.В. Взаимодействие зкситонов и свободных носителей заряда, ускоренных электрическим полем стоячей акустической волны, в GaAs/AlAs сверхрешетках второго рода / Д.В. Гуляев, К.С. Журавлев // Тезисы докладов и лекций XII международной школы-семинара по люминесценции и лазерной физике (Россия, Хужир, 26-31 июля 2012). - С. 92.

[4OA] Гуляев Д.В. Взаимодействие носителей заряда и экситонов в электрическом поле поверхностной акустической волны в GaAs/AlAs сверхрешетках второго рода / Д.В. Гуляев, К.С. Журавлев // Тезисы X Российской конференции по физике полупроводников, "ПОЛУПРОВОДНИКИ-2011" (Нижний Новгород, 1923 сентября 2011). - С. 54.

[41А] Гуляев Д.В. Ударный Транспорт Экситонов в продольном электрическом поле поверхностной акустической волны / Д.В. Гуляев, К.С. Журавлев // Тезисы лекций и докладов XIII Международной молодежной конференции по люминесценции и лазерной физике (Иркутск, Бухта Песчаная, 16-22 июля 2012). - С. 58.

[42А] Gulyaev D. Impact transport of excitons in lateral electric field of surface acoustic wave / D. Gulyaev, K. Zhuravlev // 31st International Conference on the Physics of Semiconductors. Book of abstracts (Zurich, July 29th - August 3rd 2012). - P. 129.

[4ЗА] Gulyaev D. Heterointerface relief in the (311) A- oriented GaAs-AlAs superlattices / D. Gulyaev and K. Zhuravlev // Phys. Status Solidi C. - 2010. - Vol.7, i.2. - P. 272-275.

[44А] Гуляев Д.В. Форма рельефа гетерограниц в (311) А-ориентированных GaAs/AlAs структурах / Д.В. Гуляев и К.С. Журавлев // ФТП. -2010. - Т.44, № 3. - С. 358-366.

[45А] Гуляев Д.В. Влияние электрического поля поверхностной акустической волны на кинетику фотолюминесценции GaAs/AlAs сверхрешеток и квантовых проволок / Д.В. Гуляев, К.С. Журавлев // VIII Российская конференция по физике полупроводников, "ПОЛУПРОВОДНИКИ-2007" (Россия, Екатеринбург, 30 сентября - 5 октября 2007). - С. 151.

[46А] Gulyaev D.V. The influence of the acoustic wave electric field on the photoluminescence kinetics of type II GaAs/AlAs superlattices and quantum wires / D.V. Gulyaev, K.S. Zhurav-lev // Abstract of 29th International Conference on the Physics of Semiconductors (Brazil, Rio de Janeiro, 27 July -1 August 2008). - P. 514.

[47A] Gulyaev D.V. The effect of the surface acoustic wave electric field on the photoluminescence kinetics of type II GaAs/AlAs superlattices and quantum wires / D.V. Gulyaev, K.S. Zhuravlev // International school for young scientists "Nanostructure materials, applied optics and photonics" within the framework of the 16th international symposium "NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY" (Russia, Vladivostok, 15-19 July 2008). - P. 11.

[48A] Gulyaev D.V. Heterointerface relief in (311)A-oriented GaAs/AlAs superlattices / D.V. Gulyaev, K.S. Zhuravlev // International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces in Weimar (Germany, Weimar, 5-10 July 2009). -P. 278.

[49A] Gulyaev D.V. Estimation of the heterointerface relief of GaAs/AlAs structures using the electric field effects in the

photoluminescence kinetics / D.V. Gulyaev, K.S. Zhuravlev // Abstract book of XIV International Symposium on Luminescence Spectrometry (Czech Republic, Charles University in Prague, 3-16 July 2010). - P. 111.

[50] Поверхностные акустические волны / Под редакцией А. Олинера // Москва, Мир. - 1981. - 390 с.

[51] McFee Н. in Physical Acoustics / Ed. by W. Mason // Academic, New York. - 1966. - 4, Part A. - 1-47 p.

[52] Кравченко А.Ф. Физические основы функциональной электроники./ А.Ф. Кравченко // Новосибирск. НГУ. - 2000. - 444 с.

[53] Zhang S.K. Photoluminescence modulation by high-frequency lateral electric fields in quantum wells / S.K. Zhang, P.V. Santos, and R. Hey // Appl. Phys. Lett. - 2001. - Vol. 78. -P. 1559-1562.

[54] von Plessen G. Exciton ionization induced by an electric field in a strongly coupled GaAs/AlxGai_xAs superlattice / G. von Plessen, T. Meier, M. Koch, J. Feldmann, P. Thomas, S. W. Koch, and E.O. Gobeli, K.W. Goossen, J.M. Kuo, and R.F. Kopf. // Phys. Rev. B. - 1996. - Vol. 53, № 20. - P. 1368813693.

[55] Miller D.A.B. Electric field dependence of optical absorption near the band gap of quantum-well structures / D. A. B. Miller, D. S. Chemla, Т. C. Damen, A. C. Gossard, W.Wiegmann, Т. H. Wood, and C. A. Burrus // Phys. Rev. B. -1985. - Vol. 32. - P. 1043-1060.

[56] Etchegoin P. Optics of multiple quantum wells uniaxially stressed along the growth axis / P. Etchegoin, A. Fainstein, A. A. Sirenko B. Koopmans, B. Richards, P. V. Santos, M. Cardona, K. Totenmeyer, and K. Eberl // Phys. Rev. B. -1997. - Vol. 53, № 21. - P. 13662-13671.

[57] Alsina F. Spatial-dispersion-induced acoustic anisotropy in semiconductor structures / F. Alsina, P. V. Santos, and R. Hey // Phys. Rev. B. - 2002. - Vol. 65. - P. 193301-1-4.

[58] Finkman E. Optical properties and band structure of short-period GaAs/AlAs superlattices / E. Finkman, M. D. Sturge, M. -H. Meynadier, R. E. Nahory, M. C. Tamargo, D. M. Hwang and C. C. Chang // J. Lumin. - 1987. - Vol.39. - P. 57-74.

[59] Moore K.J. Short-period GaAs-AlAs superlattices: Optical properties and electronic structure / K.J. Moore, G. Duggan, P. Dawson, and C. T. Foxon // Phys. Rev. B. - 1988. -Vol.38. - P. 5535-5542.

[60] Sham L.J. Theory of electronic structure in superlattices / L.J. Sham and Yan-Ten Lu // J. Lumin. - 1989. - Vol. 44. -P. 207-221.

[61] van Kesteren H. W. Order of the X conduction-band valleys in type-II GaAs/AlAs quantum wells / H. W. van Kesteren, E. C. Cosman, P. Dawson, K. J. Moore, and C. T. Foxon // Phys. Rev. B. - 1989. - Vol. 39. - P. 13426-13433.

[62] Deveaud B. Femtosecond-luminescence study of electron transfer in type-II GaAs/AlAs superlattices: Intervalley scattering versus state mixing / B. Deveaud, F. Cliirot, A. Regreny, R. Planel, and J. M. Gerard // Phys. Rev. B. - 1994. - Vol. 49. - P. 13560-13563.

[63] Feldmann J. Subpicosecond real-space charge transfer in type-II GaAs/AlAs superlattices / J. Feldmann, R. Sattmann, E. 0. Gubel, J. Kuhl, J. Hebling, K. Ploog, R. Muralidharan, P. Dawson and C. T. Foxon // Phys. Rev. Lett. - 1989. - Vol. 62. - P. 1892-1895.

[64] Feldmann J. Experimental study of the Gamma -X electron transfer in type-II (A1,Ga)As/AlAs superlattices and multi-

ple-quantum-well structures / Feldmann, J. Nunnenkamp, G. Peter, E. Gqbel, J. Kuhl and K. Ploog, P. Dawson and С. T. Foxon // Phys. Rev. B. - 1990. - Vol. 42. - P. 5809-5821.

[65] Masaaki Nakayama. Excitonic processes in GaAs/AlAs type-II superlattices / Nakayama Masaaki // Journal of Luminescence. - 2000. - Vol. 87-89. - P. 15-19.

[66] Scalbert D. Nature of the lowest electron states in short period GaAs-AlAs superlattices of type II / D. Scalbert, J. Cernogora and C. Benoit ala Guillaume M. Maaref and F. F. Charfi R. Planel // Solid State Communications. - 1989. -Vol. 70. - P. 945-949.

[67] Корбутяк Д.В. Температурная зависимость спектров фотолюминесценции короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs / Д.В. Корбутяк, А.И. Берча, JI.A. Демчина, В.Г. Литовченко, А.В Трощенко // ФТТ. - 1992. - Т. 34. - С. 3350-3356.

[68] Duggan G. Exciton binding energy in type-II GaAs-(Al,Ga)As quantum-well heterostructures / G. Duggan and H. I. Ralph // Phys. Rev. B. - 1987. - Vol. 35. - P. 4152-4154.

[69] Chomotte A. Exciton Binding Energy in Small-Period GaAs/Ga(i_ x)AlxAs Superlattices / A. Chomotte, B. Lambert, B. Deveaud, F. Clerot, A. Regreny and G. Bastard // EuroPhys. Lett. -1987. - Vol. 4. - P. 461-466.

[70] Tsuchiya T. A quantum Monte Carlo study on excitonic molecules in type-II superlattices / T. Tsuchiya, S. Katayama // Physica B. - 1998. - Vol. 249-251. - P. 612-616.

[71] Gilliland G.D. Direct measurement of heavy-hole exciton transport in type-II GaAs/AlAs superlattices / G.D. Gilliland, A. Antonelli, D. J. Wolford, К. K. Bajaj, J. Klem, and J. A. Bradley // Phys. Rev. Lett. - 1993. - Vol. 71. - P. 3717-3720.

[72] Ihin J. Effects of the layer thickness on the electronic character in GaAs-AlAs superlattices / J. Ihm. // Appl. Phys. Lett. - 1987. - Vol. 50. - P. 1068-1070.

[73] Krivorotov I.N. Exciton transport and nonradiative decay in semiconductor nanostructures / I.N. Krivorotov, T. Chang, G.D. Gilliland, L.P. Fu, K.K. Bajaj, D.J. Wolford // Phys. Rev. B. - 1998. - Vol. 58. - P. 10687-10691.

[74] Герловин И.Я. • Температурная делокализация возбуждений в GaAs/AlAs-сверхрешетках типа II / И. Я. Герловин, Ю.К. Долгих, Ю.П. Ефимов, И. В. Игнатьев, Е.Е. Новицкая, В. В. Овсянкин // ФТТ. - 1998. - Т. 40. - С. 1140-1147.

[75] Klein M.V. Exponential distribution of the radiative decay rates induced by alloy scattering in an indirect-gap semiconductor / M.V. Klein, M. D. Sturge and E. Cohen // Phys. Rev. B. - 1982. - Vol. 25. - P. 4331-4333.

[76] Minami F. Localized indirect excitons in a short-period GaAs/AlAs superlattice / F. Minami, K. Hirata, K. Era, T. Yao, and Y. Masumoto // Phys. Rev. B. - 1987. - Vol. 36. -P. 2875-2878.

[77] Wilson B.A. Radiative recombination mechanisms in staggered-alignment (GaAs) / (AlAs) heterostructures / B.A. Wilson, Carl E. Bonner, R. C. Spitzer, R. Fischer, P. Dawson, K. J. Moore, С. T. Foxon, G. W. 't Hooft // Phys. Rev. B. - 1989. - Vol. 40. - P. 1825-1835.

[78] Wilson B.A. Recombination mechanisms in type II (GaAs/AlAs) heterostructures / B.A. Wilson, Carl E. Bonner, R.C. Spitzer, P. Dawson, K.J. Moore, and C.T. Foxon // J. Vac. Sci. Technol. B. - 1988. - Vol. 6. - P. 1156-1160.

[79] Braginsky L.S. Kinetics of exciton photoluminescence in type-II semiconductor superlattices / L.S. Braginsky, M.Yu.

Zaharov, A.M. Gilinsky, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, and K.S. Zhuravlev // Phys. Rev. B. - 2001. - Vol. 63. - P. 195305-195315.

[80] Журавлев К.С. Донорно-акцепторная рекомбинация в GaAs/AlAs-сверхрешетках II типа / К. С. Журавлев, С. С. Чипкин, A.M. Гилинский, Т.С. Шамирзаев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, М.А. Путято // ФТТ. - 1998. - Т. 44. - С. 1734-1979.

[81] Решина И.И. Донорно-акцепторная рекомбинация в короткопери-одных сверхрешетках GaAs/AlAs, легированных кремнием / И.И.Решина, Р.Планель // ФТП. - 1998. - Т. 32. - С. 839-842.

[82] Gulyaev D.V. Donor-acceptor recombination in -doped type II GaAs/AlAs superlattices / D. V. Gulyaev, A. M. Gilinsky, A. I. Toropov, A. K. Bakarov and K. S. Zhuravlev // Physica B. - 200. - Vol. 308-310. - P. 785-787.

[83] Dean P.J. Interimpurity recombination in semiconductors. В книге .-Progress in Solid State Chemistry / P.J.Dean // Pergamon Press, New York. - 1973. - Vol. 8. - P.1-126.

[84] Notzel R. Direct synthesis of corrugated superlattices on non-(100)-oriented surfaces / R. Notzel, N.N. Ledentsov, L.A. Daweritz, M. Hohenstein, K. Ploog. // Phys. Rev. Lett. - 1997. - Vol. 67. - P. 3812-3815.

[85] Notzel R. Semiconductor quantum-wire structures directly grown on high-index surfaces / R. Notzel, N.N. Ledentsov, L.A. Daweritz, K. Ploog and M. Hohenstein // Phys. Rev. B. -1992. - Vol. 45. - P. 3507-3515.

[86] Notzel R. Confined excitons in corrugated GaAs/AlAs super-lattices / R. Notzel, N. N. Ledentsov, and K. Ploog // Phys. Rev. B. - 1993. - Vol. 47. - P. 1299-1304.

[87] Trends in Nanotechnology Research, Chapter 7, Interface reconstruction in GaAs/AlAs ultrathin superlattices grown on (311) and (001) surfaces edited by E.V. Dirote / M.D. Efre-mov, V.A Volodin, V.V Preobrazhenski, B.R Semyagin, V.A. Sachkov, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, I.P. Soshnikov, D. Litvinov, A. Rosenauer and D. Gerthsen // Nova Science Publishers, New York, ISBN: 1-59454-091-8. - 2004. - P. 145172.

[88] Володин В.А. Наблюдение локализации LO фононов в квантовых проволоках GaAs на фасетированной поверхности (311)А / В.А. Володин, М.Д. Ефремов, В.Я. Принц, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин // Письма в ЖЭТФ. - 1996. - Т. 63, № 12. - С. 942946.

[89] Володин В.А. Расщепление поперечных оптических фононных мод, локализованных в квантовых проволоках GaAs на фасетированной поверхности (311)А / В.А. Володин, М.Д. Ефремов, В.Я. Принц, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, А.О. Говоров. // Письма в ЖЭТФ. - 1997. - Т. 66, № 1. - С. 45-48.

[90] Любас Г.А. Влияние гофрировки гетерограниц на поляризационную анизотропию фотолюминесценции от (311)A GaAs/AlAs сверхрешеток с коротким периодом / Г.А. Любас, В.В. Болотов // Письма в ЖЭТФ. - 2000. - Т. 72, № 4. - С. 294-299.

[91] Любас Г.А. Фотолюминесценция и структура гетерограниц (311)А и (311)В ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs / Г.А. Любас, Н.Н. Леденцов, Д. Литвинов, Д. Гертцен, И.П. Сошников, В.М. Устинов // Письма в ЖЭТФ. - 2002. - Т. 75, № 4. - С. 211-216.

[92] Володин В.А. Исследование методом комбинационного рассеяния света расщепления поперечных оптических фононов в сверхрешетках GaAs/AlAs, выращенных на поверхностях (311) / В.А.

Володин, М.Д. Ефремов, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Болотов, В.А. Сачков // ФТП. - 2000. - Т. 34, № 1. - С. 62-66.

[93] Любас Г.А. Структура гетерограниц и фотолюминесцентные свойства GaAs/AlAs сверхрешеток, выращенных на (311) А- и (311)В-ориентированных поверхностях: сравнительный анализ / Г. А. Любас, Н.Н. Леденцов, Д. Литвинов, Б.Р. Семягин, И.П. Сошников, В.М. Устинов, В.В. Болотов, D. Gerthsen // ФТП. - 2002.

- Т. 36, № 8. - С. 959-963.

[94] Володин В.А. Дихроизм пропускания света массивом квантовых проволок GaAs, самоформирующихся на нанофасетированной поверхности (311)А / В.А. Володин, М.Д. Ефремов, Р.С. Матвиенко, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, Н.Н. Леденцов, И.П. Сошников, Д. Литвинов, А. Розенауэр, Д. Герцен // ФТТ. -2005. - Т. 47, № 2. - С. 354-356.

[95] Papadakis S.J. Confinement symmetry, mobility anisotropy, and metallic behavior in (311)A GaAs two-dimensional holes / S.J. Papadakis, E.P. De Poortere, M. Shayegan // Phys. Rev. B. - 2000 - Vol. 62, № 23. - P. 15375-15378.

[96] Prinz V.Ya. Высокотемпературная анизотропия проводимости сверхрешеток GaAs квантовых проволок, выращенных на фасети-рованных поверхностях (311) / V.Ya. Prinz, I.A. Panaev, V.V. Preobrazhensky, and B.R. Semyagin // Письма в ЖЭТФ. - 1994.

- Т. 60, № 3. - С. 209-212.

[97] Panaev I.A. Transport properties of A1As/GaAs multilayer structures grown on (311)A GaAs substrates / I.A. Panaev, V. Ya. Prinz, A. B. Vorob'ev, V.V. Preobrazhensky, and B. R. Semyagin // Inst. Phys. Conf. Ser. - 1997. - T. 155. - C. 113-116.

[98] Vorob'ev A.B. Interface corrugation in GaAs/AlAs (311)A su-perlattices/ A.B. Vorob'ev, A.K. Gutakovsky, V.Ya. Prinz, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato // Appl. Phys. Lett. -2000. - Vol. 77. - P. 2976-2978.

[99] Hsu Y. Molecular beam epitaxial GaAs/AlAs superlattices in the (311) orientation / Y. Hsu, W.I. Wang, T.S. Kuan // Phys. Rev. B. - 1994. - Vol. 50, № 7. - P. 4973-4975.

[100] Geelhaar L. Step structure of the GaAs (113)A studied by scanning tunneling microscopy. Step structure on GaAs (113)A studied by scanning tunneling microscopy / L. Geelhaar, J. Marquez, K. Jacobi // Phys. Rev. B. - 1999. - Vol. 60, № 23.

- P. 15890-15895.

[101] Wu C.-C. Impurity-limited mobility of semiconducting thin wires in n-type gallium arsenide / C.-C. Wu, C.-J. Lin // J. Appl. Phys. - 1998. - Vol. 83, № 3. - P. 1390-1395.

[102] Bajaj K.K., Use of excitons in materials cahacterization of semiconductor systems / K.K. Bajaj // Material Science and Engineering B. - 2001. - Vol. 79. - P. 203-243.

[103] Braginsky L. Interband light absorption at a rough interface / L.S. Braginsky // Physica E. - 1999. - Vol. 5. - P. 142-152.

[104] Singh J. Theory of photoluminescence line shape due to interfacial quality in quantum well structures / Jasprit Singh, K.K. Bajaj, S. Chaudhuru // Appl. Phys. Lett. - 1984.

- Vol. 44. - P. 805-807.

[105] Pavesi L. Photoluminescence of AlGaAs alloys / Lorenzo Pavesi, Mario Guzzi // J. Appl. Phys. - 1994. - Vol. 75, № 10. - P. 4779-4842.

[106] Preobrazhenskii V.V. Control of parameters during GaAs molecular-beam epitaxy at low growth temperature / V.V. Preo-

brazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin // Semiconductors. - 2002. - Vol. 36. - P. 837-840.

[107] Zhuravlev K.S. Photoluminescence of high-quality AlGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy / K.S. Zhuravlev, A.I. Toropov, T.S. Shamirzaev, A.K. Bakarov // Appl. Phys. Lett. - 2000. - Vol. 76, № 9. - P. 1131-1133.

[108] Журавлев К.С. Излучательная рекомбинация в эпитаксиальном p-GaAs с примесными комплексами. Диссертация на соискание степени кандидата физ.-мат. наук. / Новосибирск. - 1991. -161 с.

[109] Шамирзаев Т.С. Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксиальном GaAs. Диссертация на соискание степени кандидата физ.-мат. наук. / Новосибирск. - 1998. - 158 с.

[110] Лебедева В.В. Техника оптической спектроскопии. Учебное пособие / В.В. Лебедева // Москва. Издательство московского университета. - 1977. - 384 с.

[111] Перцев А.Н. Одноэлектронные характеристики ФЭУ и их применение. / А.Н. Перцев , А.Н. Писаревский // М. : Атомиздат. -1971. - 210 с.

[112] Ветохин С.С. Одноэлектронные фотоприемники / Ветохин С.С., Гулаков И.Р., Перцев А.Н., Резников И.В. // М.: Энергоатом-издат. - 1986. - 160 с.

[113] Candy В.Н. Photon counting circuits / В.Н. Candy // Rev. Sci. Instrum. - 1985. - Vol. 56, № 2. - P. 194-200.

[114] Kinoshita S. Subnanosecond fluorescence-lifetime measuring system using single photon counting method with mode-locked laser excitation / S. Kinoshita, H. Ohta, T. Kushida // Rev. Sci. Instrum. - 1981. - Vol. 52, № 4. - P. 572-575.

[115] Yamazaki I. Microchannel-plate photomultiplier applicability to the time-correlated photon counting method / I. Yamazaki, N. Tamai, H. Kume, H. Tsuchiya, K. Oba // Rev. Sci. Instrum. - 1985. - Vol. 56, № 6. - P. 1187-1194.

[116] Volk T. Lithium Niobate. Defects, Photorefraction and Ferroelectric Switching / T. Volk, M. Wohlecke // B.: Springer. - 2008. - 250 p.

[117] Максименко В.А. Фотоиндуцированные процессы в кристаллах ниобата лития / В.А. Максименко, А.В. Сюй, Ю.М. Карпец // М.: ФИЗМАТЛИТ. - 2008. - 96 с.

[118] Чернышова Т.И. Проектирование фильтров на поверхностно-акустических волнах: Учебно-методическое пособие / Т.И. Чернышова, Н.Г. Чернышов // Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. унта. - 2008. - 60 с.

[119] ГОСТ-11141-84. ДЕТАЛИ ОПТИЧЕСКИЕ. Классы чистоты поверхностей. Методы контроля.

[120] Кузьминов Ю.С. Электрооптический и нелинейнооптический кристалл ниобата лития / Ю.С. Кузьминов // М.: "Наука". - 1987.

- 264 с.

[121] Физические величины. Справочное издание / Под редакцией И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова // Москва, Энергоатомиздат.

- 1991. - 1232 с.

[122] Properties of Aluminium Gallium Arsenide. DATAREVIEWS SERIES No. 7 / edited by Sadao Adachi // London: INSPEC. -1993. - 325 p.

[123] Балышева О.Л. Материалы для акустоэлектронных устройств. Учебное пособие. / О.Л. Балышева // Санкт-Петербург, ГОУ ВПО "Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения". - 2005. 50 с.

[124] Gilinsky A.M. Photoluminescence of 5-doped GaAs/AlAs type-II / A.M. Gilinsky, A.K. Sulaimanov, D.V. Gulyaev, L.S. Braginsky, A.I. Toropov, A.K. Bakarov, K.S. Zhuravlev // Physics of Low-Dimensional Structures. - 2002. - Vol.1/2. -P. 281-292.

[125] Piermarocchi C. Exciton formation rates in GaAs/AlxGai-xAs quantum wells / C. Piermarocchi, F. Tassone, V. Savona, and A. Quattropani, P. Schwendimann // Phys. Rev. B. - 1997. -Vol. 55. - P. 1333-1336.

[126] Kagan V.D. Conditions for validity of the Townsend-Shockley impact-ionization law in semiconductors / V.D. Kagan // Sov. Phys. JETP. - 1988. - Vol. 67. - P. 145-150.

[127] Jakobson M.A. Impact ionization of free and bound Excitons by free carriers in an electric filed in CdS. Investigation by Optival methods / M.A. Jakobson, V.D. Kagan, R. Katilus, G.O. Muller // Phys. Stat. Sol. (b) . - 1990. - Vol. 161. -P. 395-404.

[128] Zachau M. Relaxation of excitons in thin quantum wells / M. Zachau, J. Kash, and W. T. Masselink // Phys. Rev. B. -1991. - Vol. 44. - P. 8403-8406.

[129] Ashkinadze B.M. Electron-assisted exciton transfer and long-lived electrons and holes in GaAs/AlxGai-^As quantum wells / B.M. Ashkinadze, E. Tsidilkovski, E. Linder, E. Cohen, Arza Ron, L. N. PfeiOer // Phys. Rev. B. - 1996. -Vol. 54. - P. 8728-8736.

[130] Lee S.T. Photoluminescence study of silicon donors in n-type modulation-doped GaAs/AlAs quantum wells / S. T. Lee, A. Petrou, M. Dutta, J. Pamulapati, P. G. Newman, and L. P. Fu // Phys. Rev. B. - 1995. - Vol. 51. - P. 1942-1945.

[131] Einevoll G.T. Effective bond-orbital model for shallow acceptors in GaAs-AlxGai_xAs quantum wells and superlattices / G.T. Einevoll, Yia-Chung Chang // Phys. Rev. В. - 1990. -Vol. 41. - P. 1447-1460.

[132] Sulaimanov A.К. Decay rates of exciton and phonon-assisted recombination in asymmetric GaAs/AlAs type II superlattices / A.K. Sulaimanov, L.S. Braginsky, A.M. Gilinsky, A.I. Toro-pov, A.K. Bakarov, K.S. Zhuravlev // Applied Surface Science. - 2003. - Vol. 216. - P. 625-629.

[133] Bechstedt F. Semiconductor Surfacesand Interfaces. Their Atomic and Electronic Structures. Phys. Research, vol. 5 / F. Bechstedt and R. Enderlein // Akademie-Verlag, Berlin. -1988. - 441 p.

[134] Pedrs J. Exciton impact-ionization dynamics modulated by surface acoustic waves in GaN / J. Pedrs, Y. Takagaki, T. Ive, M. Ramsteiner, 0. Brandt, U. Jahn, K. H. Ploog, and F. Calle // Phys. Rev. В. - 2007. - Vol. 75. - P. 115305-1-8.

[135] Bludau W. Impact ionization of excitons in GaAs / W. Bludau and E. Wagner // Phys. Rev. В. - 1976. - Vol. 13. - P. 54105414.

[136] Jouanin С. Optical anisotropy of (311) superlattices / C. Jouanin, A. Hallaoui and D. Bertho // Phys. Rev. B. -1994. - Vol. 50. - P. 1645-1648.

[137] Белоусов M.В. Оптическая анизотропия сверхрешеток GaAs/AlAs, выращенных вдоль направления [113] / М.В. Белоусов, В. Л. Берковиц, А.О. Гусев, E.J1. Ивченко, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, А.И. Несвижский // ФТТ. - 1994. - Т. 36. - С. 1098-1105.

[138] Contreras-Solorio D.A. Electronic structure of (311) AlAs-GaAs superlattices / D.A. Contreras-Solorio, V.R. Velasco

and F. Garsia-Monoliner. // Phys. Rev. B. - 1993. - Vol. 47. - P. 4651-4654.

[139] Leitenstorfer A. Femtosecond Carrier Dynamics in GaAs Far from Equilibrium / A. Leitenstorfer, C. Fiirst, A. Laubereau, W. Kaiser, G. Trânkle, and G. Weimann // Phys. Rev. Lett. -1996. - Vol. 76. - P. 1545-1548.

[140] Blom P.W. Selective exciton formation in thin GaAs/AlxGax_ *As quantum wells / P.W. Blom, P.J. van Hall, C.Smit, J.P. Cuypers, and J.H. Wolter // Phys. Rev. Lett. - 1993. - Vol. 71. - P. 3878-3881.

[141] Schulz P. A. Electron tunneling through indirect single barriers / P.A. Schulz // Phys. Rev. B. - 1991. -Vol. 44. - P. 8323-8326.