Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Кибис, Олег Васильевич

• Кибис, Олег Васильевич
• доктор физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Кибис, Олег Васильевич

Список основных обозначений

Введение

1 Низкоразмерные полупроводниковые системы и электрон-фононное взаимодействие (аналитический обзор)

1.1 Квазидвумерные электронные системы с асимметричным квантующим потенциалом в магнитном поле

1.2 Углеродные нанотрубки.

1.3 Коллективное взаимодействие электронов с акустическими фононами в многодолинных полупроводниках

1.4 Локализация электронов при взаимодействии с акустическими фононами.

1.5 Квазиодномерные электронные системы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах»

Актуальность темы. Быстрое развитие полупроводниковой наноэлектроники привело к интенсивному исследованию полупроводниковых структур, в которых классическое поступательное движение электрона возможно только по одной или двум пространственным координатам (т. н. низкоразмерные системы). Такая взаимосвязь объясняется тем, что основные характеристики наноэлектрон-ных приборов определяются электронными процессами в области пространства размером несколько нанометров, где движение носителей заряда ограничено по одной или двум пространственным координатам на расстояниях порядка длины волны де Бройля. Поэтому дальнейший прогресс наноэлектроники находится в прямой связи с исследованием физических свойств низкоразмерных систем как основы для создания наноэлектронных приборов с новыми функциональными возможностями. Наряду с получением результатов, которые могут быть непосредственно использованы в наноэлектронике, исследование таких систем привело к открытию большого числа качественно новых явлений, имеющих общефизическое значение [1-3]. Следствием первостепенной важности этих открытий с точки зрения фундаментальной науки является тот факт, что за последние пятнадцать лет Нобелевская премия по физике дважды (в 1985 и 1998 годах) присуждалась за работы в области физики низкоразмерных полупроводниковых систем. Таким образом, изучение свойств таких систем представляет собой актуальную задачу, расположенную на стыке прикладных и фундаментальных исследований.

Характерной особенностью низкоразмерных систем являются многообразие и сложность реализующегося в них энергетического спектра носителей заряда. В связи с этим большое число теоретических и экспериментальных работ посвящено изучению сложной структуры энергетического спектра в различных низкоразмерных системах и анализу влияния этой сложной структуры на их физические свойства [1]. Однако к моменту начала работы над диссертацией во многих важных случаях оставался не исследован вопрос о том, каким образом сложная структура энергетического спектра влияет на процессы взаимодействия носителей заряда с акустическими фоно-нами, в немалой степени определяющие физические свойства низкоразмерных полупроводниковых систем и наноэлектронных приборов на их основе.

Весьма интересным объектом, привлекающим к себе пристальное внимание теоретиков и экспериментаторов, являются квазидвумерные структуры с асимметричным квантующим потенциалом в параллельном плоскости структуры магнитном поле. Ранее проведенные исследования [4] показали, что в таких системах имеет место одновременное нарушение симметрии относительно инверсии координат и симметрии относительно обращения времени, приводящее к появлению асимметричного энергетического спектра электронов и связанным с ним необычным кинетическим эффектам [5-7]. При этом, однако, оставался не исследован вопрос о том, какое влияние оказывает асимметричная структура энергетического спектра на процессы электрон-фононного взаимодействия.

Предметом интенсивных исследований являются физические свойства углеродных нанотрубок с хиральной симметрией (трубок диаметром около нанометра, расположение атомов в которых обладает симметрией винтовой линии) [8]. Параметром, определяющим основные физические свойства нанотрубки, является ее хиральность, в зависимости от величины которой структура энергетического спектра электронов меняется в диапазоне от металла до полупроводника, что определяет интерес к нанотрубке с точки зрения ее возможных применений в полупроводниковой наноэлектронике [9]. Несмотря на обилие публикаций по данной тематике оставался не исследован вопрос о том, как скажутся на процессах электрон-фононного взаимодействия особенности структуры энергетического спектра, обусловленные хиральной симметрией нанотрубки.

Ранее проведенные исследования [10] показали, что взаимодействие электронов с акустическими фононами в многодолинных полупроводниках может, в принципе, приводить к снятию долинного вырождения. Однако условия реализации долинного расщепления в трехмерных кристаллах оказались настолько трудновыполнимыми, что в германии и кремнии этот эффект не удается обнаружить и поныне. Возможность же реализации данного эффекта в квазидвумерных системах со сложной многодолинной структурой энергетического спектра не была проанализирована.

Процесс упругой локальной деформации кристалла полем электрона и стационарной локализации электрона вблизи этой деформации впервые рассматривался в классической работе [11]. Такое состояние поляронного типа, обусловленное взаимодействием электрона с акустическими фононами, было названо конденсоном. Проведенный в этой же работе анализ показал, что возникновение конденсонов в двухмерных и трехмерных полупроводниковых системах невозможно. Однако при проведении этого анализа предполагалось наличие параболического закона дисперсии носителей заряда е(к) ос к2, тогда как в настоящее время известны квазидвумерные полупроводниковые системы со сложной непараболической структурой энергетического спектра [12]. Возможность возникновения конденсонов в таких квазидвумерных системах оставалась не исследована.

Одной из основных характеристик наноэлектронных приборов является их быстродействие, которое ограничивается процессами рассеяния носителей заряда на дефектах кристаллической решетки и фононах. В связи с этим важной прикладной задачей физики низкоразмерных систем является подавление этих процессов рассеяния. Ранее проведенные исследования [13] показали, что в квазиодномерных системах можно добиться существенного ослабления рассеяния на заряженных примесях и оптических фононах. Однако возможные механизмы подавления электронного рассеяния на акустических фононах в таких системах, основанные на целенаправленном изменении структуры энергетического спектра носителей заряда, остались не изучены.

Очерченный выше круг нерешенных проблем позволяет сформулировать цель работы: теоретическое исследование процессов взаимодействия носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах со сложной структурой энергетического спектра.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, шести глав и заключения.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Кибис, Олег Васильевич

Основные результаты диссертационной работы состоят в следующем:

1) Показано, что в квазидвумерных системах с асимметричным квантующим потенциалом при наличии магнитного поля возникает различное взаимодействие электронов с акустическими фононами, имеющими взаимно противоположные направления волнового вектора. Эта пространственная асимметрия электрон-фононного взаимодействия приводит к таким новым кинетическим явлениям, как возникновение электродвижущей силы в стоячей акустической волне и появление электродвижущей силы при пространственно-однородном нагреве системы. Проведенный теоретический анализ согласуется с результатами экспериментов, в которых предсказанный эффект был впоследствии обнаружен;

2) Исследовано влияние магнитного поля на энергетический спектр нанотрубки с хиральной симметрией. Показано, что в такой системе имеет место асимметрия энергетического спектра электронов относительно инверсии волнового вектора. Благодаря этому в нанотрубке, также как и в ранее рассмотренных квазидвумерных системах с асимметричным квантующим потенциалом, появляются эффект пространственной асимметрии электрон-фононного взаимодействия и обусловленные им новые термомагнитные кинетические явления. Эти явления приводят к возникновению квадратичного по току слагаемого в вольт-амперной характеристике и, как следствие, к появлению у нанотрубки диодных свойств;

3) Изучено влияние взаимодействия электронов с акустическими фононами на структуру уровней Ландау в квазидвумерных системах. Показано, что электрон-фононное взаимодействие приводит к снятию вырождения уровня Ландау по моменту импульса и появлению тонкой структуры энергетического спектра. Следствиями этого являются расщепление пика циклотронного резонанса и сдвиг резонансной циклотронной частоты при малой концентрации электронов на уровне Ландау. Проведенный теоретический анализ находится в согласии с результатами известных экспериментов, где наблюдались указанные аномалии;

4) Исследовано влияние электрон-фононного взаимодействия на устойчивость долинного вырождения в квазидвумерных слоях многодолинных полупроводников при наличии магнитного поля. Показано, что благодаря дельта-образной особенности в плотности состояний на уровне Ферми при заполнении уровней Ландау, многодолинное вырождение становится неустойчивым относительно спонтанной деформации квазидвумерного слоя, обусловленной многофононными процессами. Показано, что эта неустойчивость приводит к изменению периода осцилляций кинетических эффектов, определяемому прохождением уровня Ферми через уровни Ландау расщепившихся долин. Анализ влияния электрон-фононного взаимодействия на период осцилляций Шубникова - де Гааза согласуется с результатами известных экспериментов, где наблюдалось аномальное уменьшение периода этих осцилляций;

5) Исследованы электрон-фононные состояния конденсонного типа в квазидвумерных системах с непараболическим энергетическим спектром носителей заряда е(к) ос к4. Показано, что при таком энергетическом спектре уже сколь угодно слабое взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами приводит к образованию конденсона большого радиуса. Изучены условия возникновения этого спектра в квазидвумерных слоях дырочных полупроводников при использовании в качестве управляемого параметра статической упругой деформации. Получены выражения для спектра дырочных подзон, анализ которых показывает, что указанная непараболичность может появляться при наличии упругих деформаций того же порядка, что и возникающие в гетероструктурах из-за несоответствия периодов кристаллических решеток гетерослоев;

6) Проанализированы возможные механизмы подавления электронного рассеяния на акустических фононах в различных квазиодномерных системах. Показано, что перемешивание состояний различных энергетических зон трехмерного полупроводника с помощью магнитного поля может приводить к обращению в нуль эффективной константы деформационного потенциала, определяющей взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в квазиодномерных подзонах Ландау. В сверхрешетке, помещенной в направленное вдоль ее оси магнитное поле, можно добиться подавления однофонон-ных процессов электронного рассеяния благодаря непараболической структуре квазиодномерного спектра носителей заряда в такой системе, делающей невозможным одновременное выполнение законов сохранения энергии и квазиимпульса во внутризонном рассеянии. В квантовых нитях взаимодействие электронов с трехмерными фононами зависит от конфигурации нити, в связи с чем ослабление электронного рассеяния может быть достигнуто в проводниках нелинейной конфигурации.

Из 34 публикаций [14-47], легших в основу данной диссертации, 13 работ опубликованы соискателем с соавторами.

Работа [46] написана в соавторстве с канд. физ.-мат. наук Погосо-вым А. Г., канд. физ.-мат. наук Буданцевым М. В., Dr. Maude D. К. и Dr. Portal J. С. Экспериментальные результаты, содержащиеся в этой публикации, получены соавторами соискателя, а соискателю принадлежит разработка теории применительно к конкретным условиям эксперимента.

Работы [21,22,27,28], на основе которых написан §6.1, опубликованы соискателем в соавторстве с канд. физ.-мат. наук Энти-ным М. В. Содержащаяся в этих работах идея о возможности подавления электрон-фононного взаимодействия при перемешивании состояний различных энергетических зон квантующим потенциалом была предложена Энтиным М. В. Вклад соискателя в эти работы заключается в формулировании условий реализации этой идеи, нахождении полупроводниковой системы, для которой эти условия могут быть выполнены и в проведении основного объема теоретических выкладок.

Во всех остальных работах, написанных с соавторами, соискателю принадлежат основополагающая идея и основные расчеты.

Соискатель глубоко признателен канд. физ.-мат. наук Погосову А. Г. за обсуждения экспериментальных аспектов эффекта пространственной асимметрии электрон-фононного взаимодействия, канд. физ.-мат. наук Романову Д. А. за обсуждения особенностей энергетического спектра электронов в нанотрубках с хиральной симметрией и канд. физ.-мат. наук Энтину М. В. за обсуждения проблемы подавления электрон-фононного взаимодействия.

Заключение

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Кибис, Олег Васильевич, 1999 год

1. Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем. — Москва: Мир, 1985. 416 с.

2. Квантовый эффект Холла. — М.: Мир, 1989. 408 с.

3. Beenakker С. W. J., van Houten H. Quantum transport in semicinductor nanostructures. — Solid State Physics, 1991, v.44, p.1-228.

4. Горбацевич A. A., Капаев В. В., Коиаев Ю. В. Асимметричные наноструктуры в магнитном поле. — Письма в ЖЭТФ, 1993, т.57, вып.9, с.565-569.

5. Алещенко Ю. А., Воронова И. Д., Гришечкина С. П. и др. Индуцированный магнитным полем фотогальванический эффект в асимметричной системе квантовых ям. — Письма в ЖЭТФ, 1993, т.58, вып.5, с.377-380.

6. Омельяновский О. Е., Цебро В. И., Кадушкин В. И. Фотогальванический эффект в системе трех квантовых ям в сильном магнитном поле. — Письма в ЖЭТФ, 1996, т.63, вып.З, с.197-202.

7. Горбацевич А. А., Капаев В. В., Копаев Ю. В. и др. Асимметричное по полю поперечное магнитосопротивление в немагнитной квантоворазмерной структуре. — Письма в ЖЭТФ, 1998, т.68, вып.5, с.380-385.

8. Iijima S. Helical microtubules of graphitic carbon. — Nature, 1991, v.354, p.56-58.

9. Елецкий А. В. Углеродные нанотрубки. — УФН, 1997, т.167, вып.9, с.945-972.

10. Кочелап В. А., Соколов В. Н., Венгалис В. Ю. Фазовые переходы в полупроводниках с деформационным электрон-фононным взаимодействием. — Киев: Наукова думка, 1984. 180 с.

11. Дейген М. Ф., Пекар С. И. О состоянии электрона проводимости в идеальном гомеополярном кристалле. — ЖЭТФ, 1951, т.21, вып.7, с.803-808.

12. Чаплик А. В., Шварцман JI. Д. Кинетические эффекты в раз-мерноквантованных слоях дырочных полупроводников. -— Поверхность, 1982, вып.2, с.73-79.

13. Sakaki H. Scattering suppression and high mobility effect of size quantized electrons in ultrafine semiconductor wires structures. — Jap. J. Appl. Phys., 1980, v.19, p.L735-L738.

14. Кибис О. В., Шадрин В. С. Фазовый переход в инверсионных n-каналах кремния. — ФТТ, 1985, т.27, вып.6, с.1878-1881.

15. Кибис О. В., Шварцман Л. Д. Изменение структуры энергетических подзон квантовой пленки при деформации. — Поверхность, 1985, вып.7, с.119-123.

16. Кибис О. В., Шадрин В. С. Парадокс долинного вырождения в инверсионных каналах кремния. — Тез. докл. XII Совещания по теории полупроводников, Ташкент, 30 сентября 3 октября 1985, ч.2, с.19-20.

17. Кибис О. В. Влияние электрон-фононного взаимодействия на циклотронный резонанс в квантовых гетероструктурах. — Тез.докл. IV Всесоюзн. конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах, Минск, 27-29 мая 1986, ч.1, с.171-172.

18. Кибис О. В., Шадрин В. С. Взаимодействие квазидвумерного электронного газа с кристаллической решеткой в квантующем магнитном поле. — ФТП, 1987, т.21, вып.1, с.185-188.

19. Кибис О. В., Шадрин В. С. Авто локализованные состояния в двумерном дырочном газе. — Тез. докл. XIII Всесоюзн. Совещания по теории полупроводников, Ереван, 10-12 ноября 1987, с.156.

20. Кибис О. В. Влияние деформации на энергетический спектр валентной зоны в двумерных полупроводниковых системах. — ФТП, 1989, т.23, вып.5, с.820-825.

21. Кибис О. В., Энтин М. В. Подавление взаимодействия электронов с акустическими волнами в квантующем магнитном поле.

22. Тез. докл. XIV Всесоюзн. конф. по акустоэлектронике и физической акустике твердого тела, Кишинев, 13-15 июня 1989, ч.1, с.88-90.

23. Kibis О. V., Entin M. V. The suppression of the electron-acoustic phonon interaction in quantum wells. — Proc. II Intern. Symp. on surface waves in solids and layered structures, Bulgaria, Varna, September 14-19, 1989, v.l, p.92-93.

24. Kibis О. V. Electron-electron interaction in a spiral quantum wire.

25. Phys. Lett. A, 1992, v.166, p.393-394.

26. Кибис О. В. Электрон-электронное взаимодействие в спиралеобразных квантовых проволоках. — Тез. докл. XV Пекаров-ского совещания по теории полупроводников, Львов, 14-18 сентября 1992, с.70.

27. Кибис О. В. Биэлектронные состояния в спиралеобразном одномерном проводнике. — ФТТ, 1992, т.34, вып. 11, с.3511-3514.

28. Romanov D. A., Kibis О. V. Magneto controlled quantum states in helicoidal tubules. — Phys. Lett. A, 1993, v.178, p.335-337.

29. Entin M. V., Kibis О. V. A theory of the suppression of the electron-phonon interaction. — Lectures of the XXIX Winter School of Theoretical Physics, New York, Plenum Press, 1994, p.243-250.

30. Кибис О. В., Энтин М. В. Подавление электрон-фононного взаимодействия в квантующем магнитном поле. — ФТП, 1994, т.28, вып.4, с.584-593.

31. Кибис О. В., Романов Д. А. Электрон-фотонное взаимодействие в фуллереновых трубках со спиральной симметрией. — ФТТ, 1995, т.37, вып.1, с.127-129.

32. Кибис О. В. Образование конденсонов в квазидвумерных слоях дырочных полупроводников. — ФТП, 1995, т.29, вып.1, с.125-132.

33. Кибис О. В. Влияние квантующего магнитного поля на энергетический спектр электронов в квазидвумерных слоях многодолинных полупроводников. — ФТП, 1995, т.29, вып.2, с.259-270.

34. Кибис О. В. Подавление электрон-фононного взаимодействия в квантовых нитях сложной конфигурации. — Тез. докл. II Российской конф. по физике полупроводников, Зеленогорск, 26 февраля 1 марта 1996, т.1, с.99.

35. Кибис О. В. Подавление электрон-фононного взаимодействия в свехрешетках в квантующем магнитном поле. — Тез. докл. II Российской конф. по физике полупроводников, Зеленогорск, 26 февраля 1 марта 1996, т.2, с.51.

36. Kibis О. V., Romanov D. A. Fullerene bucky tubes in strong magnetic and electric fields. — Abstr. I Korea-Russia Intern. Symp. on science and technology, Korea, Ulsan, September 29 -October 3, 1997, p.160.

37. Кибис О. В. Исчезновение электрон-фононного взаимодействия в узкозонных кристаллах. — Изв. ВУЗов (сер. Физика), 1997, т.40, вып.8, с.78-82.

38. Кибис О. В. Эффект анизотропной передачи импульса в низкоразмерных электронных системах в магнитном поле. — Письма в ЖЭТФ, 1997, т.66, вып.8, с.551-555.

39. Kibis О. V. Possible new quantum macroscopic effect in low-dimensional structures: The appearance of an electromotive force in a standing acoustic wave. — Phys. Lett. A, 1998, v.237, p.292-296.

40. Кибис О. В. Исчезновение электрон-фононного взаимодействия в сверхрешетках в квантующем магнитном поле. — ФТП, 1998, т.32, вып.6, с.730-732.

41. Kibis О. V. New quantum electron transport phenomena in low-dimensional systems in a magnetic field. — Phys. Lett. A, 1998, v.244, p.432-436.

42. Kibis О. V. New physical effects in MOS-structures. — Proc. IV Intern. Conf. on actual problems of electronic instrument, Russia, Novosibirsk, September 23-26, 1998, v.4, p.53-57.

43. Kibis О. V. Asymmetry of elementary interactions in 2D systems in a magnetic field. — Physica B, 1998, v.256-258, p.449-451.

44. Кибис О. В. Новые эффекты электрон-фононного взаимодействия в квазидвумерных структурах в магнитном поле. — ЖЭТФ, 1999, т.115, вып.З, с.959-969.

45. Kibis О. V. Anisotropic electron-phonon interaction in silicon inversion layers in magnetic field. — Proc. Ill Russian-Korean Intern. Symp. on science and technology, Novosibirsk, June 2225, 1999, v.2, p.568-571.

46. Кибис О. В. Влияние конфигурации квантовой проволоки на электрон-фононное взаимодействие. — ФТП, 1999, т.33, вып.10, с.1232-1234.

47. Kibis О. V. Anomalous thermo-EMF in asymmetrical quantum well in magnetic field. — Phys. Low-Dim. Struct., 1999, v.9/10, p.143-147.

48. Погосов А. Г., Буданцев M. В., Кибис О. В., Maude D. К., Portal J. С. Новый квантовый термомагнитный эффект в двумерном электронном газе. — Тез. докл. IV Российской конф. по физике полупроводников, Новосибирск, 25-29 октября 1999, с.111.

49. Кибис О. В. Гигантская анизотропия электрон-фононного взаимодействия в асимметричной квантовой яме в магнитном поле. — Тез. докл. IV Российской конф. по физике полупроводников, Новосибирск, 25-29 октября 1999, с.171.

50. Огрин Ю. Ф., Луцкий В. Н., Елинсон М. И. О наблюдении квантовых размерных эффектов в тонких пленках висмута. — Письма в ЖЭТФ, 1966, т.З, вып.З, с.114-118.

51. Луцкий В. Н., Корнеев Д. Н., Елинсон М. И. О наблюдении квантовых размерных эффектов в пленках висмута методом туннельной спектроскопии. — Письма в ЖЭТФ, 1966, т.4, вып.7, с.267-270.

52. Fowler А. В., Fang F. F., Howard W. Е., Stiles P. J. Magneto-oscillatory conductance in silicon surfaces. — Phys. Rev. Lett., 1966, v.19, p.901-903.

53. Cho A. Twenty years of molecular beam epitaxy. — J. Crystal Growth, 1995, v.150, p.1-6.

54. Кульбачинский В. А. Двумерные, одномерные, нульмерные структуры и сверхрешетки. — Москва: МГУ, 1998. 163 с.

55. Демиховский В. Я. Квантовые ямы, нити, точки. Что это такое? — Соросовский образовательный журнал, 1997, вып.5, с.80-86.

56. Stern F., Howard W. Е. Properties of semiconductor surface inversion layers in the electric quantum limit. — Phys. Rev., 1967, v.163, p.816-835.

57. Tsui D. С. Effect of a parallel magnetic field on surface quantization. — Sol. State Commun., 1971, v.9, p.1789-1792.

58. Stern F. Iteration metods for calculating self-consistent fields in semiconductor inversion layers. — J. Comput. Phys., 1970, v.6, p.56-67.

59. Uemura Y., Matsumoto Y. An analysis for anomalous galvano-magnetic effects in surface inversion layer of semiconductors. — J. Jap. Soc. Appl. Phys. Suppl., 1971, v.40, p.205-213.

60. Uemura Y. Quantum galvano-magnetic phenomena in M.O.S. inversion layers. — Proc. 12th Intern. Conf. Phys. Semicond., Stuttgart, 1974, edited by M. H. Pilkuhn, p.665-674.

61. Tansal S. A., Fowler А. В., Cotelessa R. F. Anomalous magnetoconductance in silicon surfaces. — Phys. Rev., 1969, v.178, p.1326-1327.

62. Фалько В. И. Выпрямляющие свойства 2D инверсионных слоев в параллельном магнитном поле. — ФТТ, 1989, т.31, вып.4, с.29-32.

63. Ando Т. Electron-electron interaction and electronic properties of space charge layers on semiconductor surfaces. — Surf. Sci., 1978, v.73, p.1-18.

64. Ando T. Subband structure and inter-subband absorption in an accumulation layer in strong magnetic field. — J. Phys. Soc. Jap., 1978, v.44, p.475-481.

65. Ando T. Subband structure of an accumulation layer under strong magnetic field. — J. Phys. Soc. Jap., 1975, v.39, p.411-417.

66. Kamgar A., Kneschaurek P., Beinvogl W., Koch J. F. Spectroscopy of space charge layers on n-type Si. — Proc. 12th Intern. Conf. Phys. Semicond., Stuttgart, 1974, edited by M. H. Pulkuhn, p.709-713.

67. Beinvogl W., Kamgar A., Koch J. F. Influence of a magnetic field on electron subband in a surface space-charge layers. — Phys. Rev. B, 1976, v.14, p.4274-4280.

68. Магарилл JI. И., Энтин М. В. Фотогальванический эффект в пленках. — ФТТ, 1979, т.21, вып.5, с.1280-1286.

69. Магарилл Л. И., Энтин М. В. Фотогальванический эффект в размерно-квантованной системе. — Поверхность, 1982, вып.1, с.74-78.

70. Альперович В. Л., Белиничер В. И., Новиков В. Н., Терехов А. С. Поверхностный фотогальванический эффект в твердых телах. — ЖЭТФ, 1981, т.80, вып.6, с.2298-2312.

71. Елецкий А. В., Смирнов Б. М. Фуллерены. — УФН, 1993, т.163, вып.2, с.33-60.

72. Елецкий А. В., Смирнов Б. М. Фуллерены и структуры углерода. — УФН, 1995, т.165, вып.9, с.977-1002.

73. Guo Т., Nikolaev P., Rinzler A. G. et al. Self-assembly of tubular fullerenes. — J. Phys. Chem., 1995, v.99, No.27, p.10694-10697.

74. Hsu W. K., Hare J. P., Terrones M. et al. Condensed-phase nanotubes. — Nature, 1995, v.377, p.687.

75. Tsang S. C., Harris P. J. F., Green M. L. H. Thinning and opening of carbon nanotubes by oxidation using carbon-dioxide. — Nature, 1993, v.362, p.520-522.

76. Ebbesen T. W., Ajayan P. M., Hiura H., Tanigaki K. Purification of nanotubes. — Nature, 1994, v.367, p.519-519.

77. Ball P. Materials science — the perfect nanotube. — Nature, 1996, v.382, p.207-208.

78. Bulusheva L. G., Okotrub A. V., Romanov D. A., Tomanek D. Electronic structure of carbon nanotubes. — Phys. Low-Dim. Struct., 1998, v.3/4, p.107-134.

79. Charlier J.-C., Lambin Ph. Electronic structure of carbon nanotubes with chiral symmetry. — Phys. Rev. B, 1998, v.57, No.24, p.R15037-R15038.

80. Bulusheva L. G., Okotrub A. V., Romanov D. A., Tomanek D. Electronic structure of (n, 0) zigzag carbon nanotubes: Cluster and crystal approach. — J. Phys. Chem., 1998, v.102, No.6, p.975-981.

81. Mintimire J. W., Robertson D. H., White C. T. Properties of fullerene nanotubules. — J. Phys. Chem. Solids, 1993, v.54, No.12, p.1835-1840.

82. Saito R., Fujita M., Dresselhaus G., Dresselhaus M. S. Electronic-structure of chiral graphene tubules. — Appl. Phys. Lett., 1992, v.60, No.18, p.2204-2206.

83. Charlier J. C., Michenaud J. P. Energetics of multilayered carbon tubules. — Phys. Rev. Lett., 1993, v.70, No.12, p.1858-1861.

84. White C. T., Robertson D. H., Mintmire J. W. Helical and rotational symmetries of nanoscale graphitic tubules. — Phys. Rev. B, 1993, v.47, No.9, p.5485-5488.

85. Hamada N., Sawada S., Oshiyama A. New one-dimensional conductors — graphitic microtubules. — Phys. Rev. Lett., 1992, v.68, No.10, p.1579-1581.

86. Mintmire J. W., Dunlap B. I., White C. T. Are fullerene tubules metallic. — Phys. Rev. Lett., 1992, v.68, No.5, p.631-634.

87. Harigaya K. From C-60 to a fullerene tube — systematic analysis of lattice and electronic-structures by the extended SU-Schrieffer-Heeger model. — Phys. Rev. B, 1992, v.45, No.20, p.12071-12076.

88. Saito R., Dresselhaus G., Dresselhaus M. S. Tunneling conductance of connected carbon nanotubes. — Phys. Rev. B, 1996, v.53, No.4, p.2044-2050.

89. Chico L., Crespi V. H., Benedict L. X. et al. Pure carbon nanoscale devices — nanotube heterojunctions. — Phys. Rev. Lett., 1996, v.76, No.6, p.971-974.

90. Langer L. et al. Quantum transport in multiwalled carbon nanotubes. — Phys. Rev. Lett., 1996, v.76, p.479-482.

91. Dai H., Wong E. W., Lieber C. M. Probing electrical transport in nanomaterials: Conductivity of individual carbon nanotubes. — Science, 1996, v.272, p.523-526.

92. Ebbesen T. W. et al. Electrical conductivity of individual carbon nanotubes. — Nature, 1996, v.382, p.54-56.

93. Tans S. J. et al. Individual single-wall carbon nanotubes as quantum wires. — Nature, 1997, v.386, p.474-477.

94. Bockrath M. et al. Single-electron transport in ropes of carbon nanotubes. — Science, 1997, v.275, p.1922-1925.

95. Bachtold A. et al. Contacting carbon nanotubes selectively with low-ohmic contacts for four-probe electric measurements. — Appl. Phys. Lett., 1998, v.73, p.274-276.

96. Franc S., Poncharal P., Wang Z. L., Heer W. A. Carbon nanotube quantum resistors. — Science, 1998, v.280, p.1744-1746.

97. Tans S. J., Vershueren A. R. M., Dekker C. Room-temperature transistor based on a single carbon nanotube. — Nature, 1998, v.393, p.49-52.

98. Кочелап В. А., Пипа В. И., Писковой В. Н., Соколов В. Н. О возможности многозначного равновесного распределения носителей тока в многодолинных полупроводниках. — Письма в ЖЭТФ, 1971, т.13, вып. 12, с.710-713.

99. Кочелап В. А., Пипа В. И., Писковой В. Н., Соколов В. Н. Теория многозначного равновесного распределения носителей тока в многодолинных полупроводниках. — ЖЭТФ, 1971, т.61, вып.6, с.2504-2513.

100. Кочелап В. А., Соколов В. Н. Фазовый переход в многодолинных полупроводниках в магнитном поле. — ЖЭТФ, 1973, т.65, вып.2, с.823-833.

101. Кочелап В. А., Соколов В. Н. К теории фазовых переходов в многодолинных полупроводниках. — УФЖ, 1974, т.19, вып.2, с.186-195.

102. Кочелап В. А., Соколов В. Н. Электронные и звуковые флуктуации при фазовом переходе в многодолинных полупроводниках.

103. УФЖ, 1974, т.19, вып.9, с.1409-1421.

104. Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Теория упругости. — М.: Наука, 1987. 248 с.

105. Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Статистическая физика, ч.1. — М.: Наука, 1976. 583 с.

106. Нокс Р., Голд А. Симметрия в твердом теле. — М.: Наука, 1970.- 424 с.

107. Новикова С. И., Шелимова Л. И., Абрикосов Н. X. и др. Анизотропия электросопротивления теллурида германия. — ФТТ, 1973, т.15, вып.11, с.3407-3409.

108. Грузинов Б. Ф., Константинов П. Н., Мойжес Б. Я. и др. Кинетические эффекты в кубической и ромбоэдрической фазах. — ФТП, 1976, т.10, вып.З, с.497-503.

109. Венгалис Б. Ю. О 7-фазе GeTe. — ФТТ, 1978, т.20, вып.12, с.3621-3626.

110. Vengalis В., Valatska К. Phase segregation in tellurium-saturated GeTe. — Phys. Stat. Sol. B, 1983, v.177, No.2, p.471-476.

111. Burka J. R., Houston В., Savage H. T. The Fermi surface of tin telluride; Shubnicov de Haas effect (discussion). — J. Phys. Soc. Jap. Suppl., 1966, v.21, p.384-390.

112. Ландау Л. Д. О движении электрона в кристаллической решетке. Собр. тр., т.1. — М.: Наука. 515 с.

113. Пекар С. И. Исследования по электронной теории кристаллов.1. М.: АН СССР, 1951. 100 с.

114. Борн М., Хуан Кунь. Динамическая теория кристаллических решеток. — М.: Изд-во иностранной литературы, 1958. 488 с.

115. Давыдов А. С. Теория твердого тела. — М.: Наука, 1976. -640 с.

116. Рашба Э. И. Теория сильного взаимодействия электронных возбуждений с колебаниями решетки в молекулярных кристаллах.

117. Оптика и спектроскопия, 1957, т.2, вып.1, с.88-98.

118. Кукушкин Л. С. Состояния конденсонного типа в сильном магнитном поле. — Письма в ЖЭТФ, 1968, т.7, вып.7, с.251-253.

119. Кукушкин Л. С. Электрон-фононные состояния в гомеополяр-ных кристаллах, вызванные сильным магнитным полем. — ЖЭТФ, 1969, т.57, вып.З, с.1224-1230.

120. Левинсон И. Б. Связанные состояния электрона и фонона в сильном магнитном поле. — Письма в ЖЭТФ, 1970, т.12, вып.10, с.496-499.

121. Левинсон И. Б., Рашба Э. И. Связанные состояния электрона и фонона в сильном магнитном поле, обусловленные нелинейным электрон-фононным взаимодействием. — ЖЭТФ, 1972, т.62, вып.4, с.1502-1512.

122. Левинсон И. Б., Рашба Э. И. Пороговые явления и связанные состояния в поляронной проблеме. — УФН, 1973, т.111, вып.4, с.683-718.

123. Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. — М.: Наука, 1989. 768 с.

124. Шик А. Я. Квантовые нити. — Соросовский образовательный журнал, 1997, вып.5, с.87-92.

125. Thorns S., Mclntyre I., Beaumont S. P. et al. Fabrication of quantum wires in GaAs/AlGaAs heterolayers. — J. Vac. Sci. Technol. B, 1988, v.6, No.l, p.127-130.

126. Kohl M., Heitmann D., Ploog K., Grambow P. One-dimensional magnetoexcitons in GaAs/AlxGaixAs quantum wires. — Phys. Rev. Lett., 1989, v.63, No.19, p.2124-2127.

127. Notomi M., Naganuma M., Nishida T. et al. Clear energy-level shift in ultranarrow InGaAs/InP quantum-well wires fabricated by reverse mesa chemical etching. — Appl. Phys. Lett., 1991, v.58, No.7, p.720-722.

128. Weiner J. S., West K., Pfeiffer L. N. et al. Electron-gas in semiconductor multiple quantum wires — spatially indirect optical-transitions. — Phys. Rev. Lett., 1989, v.63, No.15, p.1641-1644.

129. Reed M. A., Randall J. N., Aggarwal R. J. et al. Observation of discrete electronic states in a zero-dimensional semiconductor nanostructure. — Phys. Rev. Lett., 1988, v.60, No.6, p.535-537.

130. Kash K., Craighead H. G., Scherer A. et al. Optical spectroscopy of ultrasmall structures etched from quantum wells. — Appl. Phys. Lett., 1986, v.49, No.16, p.1043-1045.

131. Gershoni D., Temkin H., Dolan G. J. et al. Effects of two-dimensional confinement on the optical-properties of InGaAs/InP quantum wire structures. — Appl. Phys. Lett., 1988, v.53, No.11, p.995-997.

132. Thornton T. J., Ahmed H., Andrews D. et al. One-dimensional conduction in the 2D electron-gas of a GaAs-AlGaAs heterojunction. — Phys. Rev. Lett., 1986, v.56, No.11, p.1198-1201.

133. Zheng H. Z., Tsui D. C., Wei H. P., Weimann G. Gate-controlled transport in narrow GaAs / AlxGa\-xAs heterostructures. — Phys. Rev. B, 1986, v.34, No.8, p.5635-5638.

134. Timp G., Behringer R., Chang A. M. et al. Quantum transport in an electron-wave guide. — Phys. Rev. Lett., 1987, v.59, No.6, p.732-735.

135. Hirayama Y., Saku T. Conductance characteristics of ballistic one-dimensional channels controlled by a gate electrode. — Appl. Phys. Lett., 1989, v.54, No.25, p.2556-2558.

136. Eugster C. C., Alamo del J. A. and Rooks M. J. Transport in novel gated quantum wires: The impact of wire length. — Jap. J. Appl. Phys., 1990, v.29, No.12, p.L2257-L2260.

137. Fowler A. B., Harstein A. and Webb R. A. Conductance in restricted-dimensionality accumulation layers. — Phys. Rev. Lett., 1982, v.48, No.3, p.196-199.

138. Nakata S., Yamada S., Hirayama Y. et al. — Fabrication of quantum wires by Ga focused-ion-beam implantation and their transport properties. — Jap. J. Appl. Phys., 1990, v.29, No.l, p.48-52.

139. Hirayama Y., Tarucha S., Suzuki Y. and Okamoto H. Fabrication of GaAs quantum-well-wire structure by Ga focused-ion-beam implantation and its optical properties. — Phys. Rev. B., 1987, v.37, No.5, p.2774-2777.

140. Notzel R., Ledentsov N. N., Daweritz L. and Ploog K. Semiconductor quantum-wire structures directly grown on highindex surfaces. — Phys. Rev. B, 1992, v.45, No.7, p.3507-3515.

141. Miller M. S., Weman H., Pryor C. E. et al. Serpentine superlattices quantum wire arrays of (Al,Ga)As grown on vicinal GaAs substrate. — Phys. Rev. Lett., 1992, v.68, p.3464-3467.

142. Bloch J., Bockelmann U., Laruelle F. Dimensionality transition in GaAs/GaAlAs quantum wire arrays. — Europhys. Lett., 1994, v.28, p.501-506.

143. Miller M. S., Pryor C. E., Weman H. et al. Serpentine superlattice: Concept and first results. — J. Cryst. Growth, 1991, v.lll, p.323-327.

144. Weman H., Miller M. S., Pryor C. E. et al. Optical properties of quantum-wire arrays in (Al,Ga)As serpentine-superlatticê structures. — Phys. Rev. B, 1993, v.48, No.ll, p.8047-8060.

145. Van Wees B. J., Vanhouten H., Beenakker C. W. J. et al. Quantized conductance of point contacts in a two-dimensional electron-gas. — Phys. Rev. Lett., 1988, v.60, No.9, p.848-850.

146. Wharam D. A., Thornton T. J., Newbury R. et al. One-dimensional transport and the quantization of the ballistic resistance. — J. Phys. C, 1988, v.21, No.8, p.L209-L214.

147. Arakawa Y. and Sakaki H. Multidimensional quantum well laser and temperature dependence of its threshold current. — Appl. Phys. Lett., 1982, v.40, p.939.

148. Kapon E., Hwang D. M., Bhat R. Stimulated-emission in semiconductor quantum wire heterostructures. — Phys. Rev. Lett., 1989, v.63, No.4, p.430-433.

149. Perug-fei Yuh and Wang K. L. One-dimensional transport in quantum well wire high electron mobility transistor. — Appl. Phys. Lett., 1986, v.49, No.25, p.1738-1741.

150. Галицкий В. M., Карнаков Б. M., Коган В. И. Задачи по квантовой механике. — М.: Наука, 1981. с.18, 152.

151. Бонч-Бруевич В. JL, Калашников С. Г. Физика полупроводников. — М.: Наука, 1990. — 688 с.

152. Энтин М. В. Новые варианты фотогальванического эффекта.

153. Тез. докл. X Совещания по теории полупроводников, Новосибирск, 1980, ч.2, с.190.

154. Абрикосов А. А. Основы теории металлов. — М.: Наука, 1987.- 520 с.

155. Смирнов В. И. Курс высшей математики, т.2. — М.: Наука, 1967. 656 с.

156. Баранский П. И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника. Справочник. — Киев: Наукова думка, 1975. 704 с.

157. Физические величины. Справочник (под ред. Григорьева И. С., Мейлихова Б. 3.). — М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.

158. Гусев Г. М., Квон 3. Д., Лубышев Д. И., Мигаль В. П., Пого-сов А. Г. Квантовый перенос в 8-легированных слоях GaAs. — ФТП, 1991, т.25, вып.4, с.601-607.

159. Blokh M. D., Entin M. V. The photoexcited flow of nonequilibrium phonons along a crystal surface. — Phys. Stat. Sol. A, 1984, v.126, p.487-493.

160. Bachtold A., Strunk С., Salvetat J.-P. et al. Aharonov-Bohm oscillations in carbon nanotubes. — Nature, 1999, v.397, p.673-675.

161. Блох M. Д., Магарилл JI. И., Энтин М. В. Теория явлений переноса в сильном электрическом поле для кристаллов без центра инверсии. — ФТП, 1978, т.12, вып.2, с.249-257.

162. Kubo R., Miyake S. F., Hashitsume N. Quantum theory of galvanomagnetic effect at extremaly strong magnetic field. — Sol. State Phys., 1965, v.17, p.269-364.

163. Muro K., Mori S., Narita S. et al. Cyclotron resonance of two-dimensional electrons in AlxGa\^xAs/GaAs heterojunctions. — Surf. Sei., 1984, v.142, p.394-399.

164. Narita S., Muro K., Mori S. et al. Anomalous cyclotron resonance of 2D electrons in AlxGa\-xAs / GaAs hetero junctions. — Lecture Notes in Physics, 1983, v.177, p.194-198.

165. Schlesinger Z., Hwang J. С. M., Allen S. J. et al. Infrared studies of the GaAs/(GaAl)As two-dimensional electron gas. — Surf. Sei., 1984, v.142, p.423-426.

166. Schlesinger Z., Allen S. J., Hwang J. С. M. et al. Cyclotron resonance in two dimensional. — Phys. Rev. В., 1984, v.30, No.l, p.435-437.

167. Stern F., Howard W. E. Properties of semiconductor surface inversion layers in the electric quantum limit. — Phys. Rev., 1967, v.163, No.3, p.816-835.

168. Ашкрофт H., Мермин H. Физика твердого тела, т.1. — М.: Мир, 1979. 400 с.

169. Займан Дж. Принципы теории твердого тела. —М.: Мир, 1966. 416 с.

170. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. — М.: Наука, 1978. 792 с.

171. Lakhany A. A., Stiles P. J. Shubnikov de Haas oscillations in n-type inversion layers on (110) and (111) surfaces of Si. — Phys. Lett. A, 1975, v.51, No.2, p.117-118.

172. Neugebauer Т., von Klitzing K., Landwehr G., Dorda G. Surface quantum oscillations in (110) and (111) n-type silicon inversion layers. — Sol. State Commun., 1975, v.17, No.3, p.295-300.

173. Neugebauer Т., von Klitzing K., Landwehr G., Dorda G. Quantum oscillations in (110) and (111) n-channel MOSFETs. — Surf. Sci., 1976, v.58, p.261-262.

174. Tsui D. C., Kaminsky G. Valley degeneracy of electrons in acumulation and inversion layers on (111) Si surfaces. — Sol. State Commun., 1976, v.20, No.l, p.93-95.

175. Dorda G., Gesch H., Eisele I. Valley degeneracy and mobility anisotropy under mechanical stress on (111) silicon inversion layers. — Sol. State Commun., 1976, v.20, No.4, p.429-432.

176. Tsui D. С., Kaminsky G. Si inversion layers with a six-fold valley degeneracy. — Surf. Sci., 1980, v.98, p.400-406.

177. Kelly M. J., Falicov L. M. Electronic structure of inversion layers in many-valley semiconductors. — Phys. Rev. Lett., 1976, v.37, No.15, p.1021-1024.

178. Kelly M. J., Falicov L. M. Stress and temperature dependence of the electronic propersties of n-type sislicon inversion layers. — J. Phys. C, 1977, v.10, No.23, p.4735-4752.

179. Kelly M. J., Falicov L. M. Applied stresses, cyclotron resonance and charge-density-waves in silicon inversion layers. — Sol. State Commun., 1977, v.22, No.7, p.447-450.

180. Kelly M. J., Falicov L. M. Electronic ground state of inversion layers in many-valley semiconductors. — Phys. Rev. B, 1977, v.15, No.4, p.1974-1982.

181. Kelly M. J., Falicov L. M. Optical properties of charge-density-wave ground states for inversion layers in many-valley semiconductors. — Phys. Rev. B, 1977, v.15, No.4, p.1983-1987.

182. Vinter В., Owerhauser A. W. Resolution of Shubnicov de Haas paradoxes in Si inversion layers. — Phys. Rev. Lett., 1980, v.44, No.l, p.47-50.

183. Tsui D. C., Kaminsky G. Observation of sixfold valley degeneracy in electron inversion layers on Si (111)- — Phys. Rev. Lett., 1979, v.42, No.9, p.595-597.

184. Гусев Г. M., Заварицкий Н. В., Квон 3. Д., Юргенс А. А. О долинном вырождении двумерных электронов у поверхности111. кремния. — Письма в ЖЭТФ, 1984, т.40, вып.7, с.275-278.

185. Ohkawa F. J., Uemura Y. Hartree approximation for the electronic structure of a p-channel inversion layer of silicon M.O.S. — Prog. Theor. Phys. Suppl., 1975, No.57, p.164-175.

186. Bangert E., Landwehr G. Self-consistent calculations of electric subbands in p-type silicon inversion layers. — Surf. Sci., 1976, v.58,p.138-140.

187. Braido D. A., Sham L. J. Effective masses of holes at GaAs — AlGaAs heterojunctions. — Phys. Rev. B, 1985, v.31, No.2, p.888-892.

188. Ekenberg U., Altarelli M. Calculation of hole subbands at the GaAs AlxGa\xAs interface. — Phys. Rev. B, 1984, v.30, No.6, p.3569-3572.

189. Ando T. Hole subband at GaAs/AlGaAs heterojunctions and quantum wells. — J. Phys. Soc. Jap., 1985, v.54, No.4, p.1528-1536.

190. Altarelli M., Ekenberg U., Fasolino A. Calculations of hole subbands in semiconductor quantum wells and superlattices. — Phys. Rev. B, 1985, v.32, No.8, p.5138-5143.

191. Недорезов С. С. Пространственное квантование в полупроводниковых пленках. — ФТТ, 1970, т.12, вып.8, с.2269-2276.

192. Shvartsman L. D. Subband structure and kinetic characteristics of thin films of gapless semiconductors. — Sol. State Commun., 1983, v.46, No.11, p.787-790.

193. Шварцман JI. Д. Размерноквантованные полупроводниковые структуры со сложным законом дисперсии. — Дисс. . канд. физ.-мат. наук. Новосибирск, 1984.

194. Матулис А., Пирагас А. Превращение тяжелых дырок в легкие в полупроводниковой пленке. — ФТП, 1975, т.9, вып.11, с.2202-2205.

195. Дьяконов М. И., Хаецкий А. В. Размерное квантование дырок в полупроводнике со сложной валентной зоной и носителей в бесщелевом полупроводнике. — ЖЭТФ, 1982, т.82, вып.5, с.1584-1590.

196. Luttinger J. М., Kohn W. Motion of electrons and holes in perturbed periodic fields. — Phys. Rev., 1955, v.97, No.4, p.869-883.

197. Luttinger J. M. Quantum theory of cyclotron resonance in semiconductors: General theory. — Phys. Rev., 1956, v.102, No.4, p.1030-1041.

198. Вир Г. Л., Пикус Г. Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. — М.: Наука, 1972. 584 с.

199. Тхорик Ю. А. Генезис деформаций и деформационные эффекты в гетероэпитаксиальных пленках. — Полупроводниковая техника и микроэлектроника, 1979, вып.30, с.3-24.

200. Мильвидский М. Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. — М.: Наука, 1986. -144 с.

201. Мильвидский М. Г., Освенский В. Б. Закономерности дефекто-образования в гетероэпитаксиальных структурах соединений

202. AIHBV для оптоэлектроники. — Кристаллография, 1977, No.2, с.431-447.

203. Векуа В. JI., Джиоев Р. И., Захарченя Б. П. и др. Определение знака ^-фактора и обнаружение деформации эпитаксиальных пленок при поперечном эффекте оптической ориентации в полупроводниках. — ЖЭТФ, 1974, т.66, вып.5, с.1790-1796.

204. Арсентьев И. Н., Берт Н. А., Конников С. Г., Уманский В. Е. Определение упругих напряжений в гетероструктурах методом широкорасходящегося пучка рентгеновских лучей. — ФТП, 1980, т.14, вып.1, с.96-100.

205. Берт Н. А., Гореленок А. Т., Дзигасов А. Г. и др. Определение упругих напряжений и величин несоответствия параметров решеток в гетероструктурах InGaAsP—InP по поляризации люминесценции. — ФТП, 1982, т.16, вып.1, с.60-67.

206. Osborn G. С. Strained-layer super lattices from lattice mismatched materials. — J. Appl. Phys., 1982, v.53, No.3, p.1586-1589.

207. Osborn G. C. InxGa\^xAs — InyGa\yAs strained-layer superlattices: A proposal for useful, new electronic materials. — Phys. Rev. B, 1983, v.27, No.8, p.5126-5128.

208. Кейси X., Паниш M. Лазеры на гетероструктурах. Т.2: Материалы. Рабочие характеристики. — М.: Наука, 1972. 584 с.

209. Sanders G. D., Chang Y. С. Effects of uniaxial stress on the electronic and optical properties of GaAs — AlxGa\^xAs quantum wells. — Phys. Rev. B, 1985, v.32, No.6, p.4282-4285.

210. Andreani L. С., Bassani F., Pasquarello A. Hole subbands in strained GaAs GaixAlxAs quantum wells — exact Sslution of the effective-mass equation. — Phys. Rev. B, 1987, v.36, No.11, p.5887-5894.

211. Platero G., Altarelli M. Electronic-structure of superlattices and quantum wells under uniaxial-stress. — Phys. Rev. B, 1987, v.36, No.12, p.6591-6595.

212. Schirber J. E., Fritz I. J., Dawson L. R. Light-hole conduction in InGaAs/GaAs strained-layer superlattices. — Appl. Phys. Lett., 1985, v.46, No.2, p.187-189.

213. Поляроны (сб. статей под ред. Фирсова Ю. А.) — М.: Наука, 1975. 424 с.

214. Берча Д. М., Хархалис JI. Ю., Берча А. И., Шнайдер М. Низкоэнергетическая непараболичность и конденсонные состояния в кристаллах /п45е3. — ФТП, 1997, т.31, вып.11, с.1299-1303.

215. Bercha D.M., Kharkhalis L. Y., Bercha A. I., Sznajder M. Band-structure and condensons states in crystals. — Phys. Stat. Sol. B, 1997, v.203, No.2, p.427-440.

216. Цидильковский И. M. Электроны и дырки в полупроводниках. — М.: Наука, 1972. 640 с.

217. Цидильковский И. М. Зонная структура полупроводников. — М.: Наука, 1978. 328 с.

218. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел, т.1. — М.: Мир, 1983. 336 с.- 225

219. Ансельм А. И. Введение в теорию полупроводников. — М.: Наука, 1978. 616 с.

220. Фейнман Р., Лейтон Р., Сэндс М. Фейнмановские лекции по физике, т.т. 8-9. — М.: Мир, 1978. 528 с.

221. Ploog К., Hauser М., Fisher A. Fundamental studies and device application of ¿-dopiilg in GaAs layers and in AlxGai-xAs / GaAs heterostructures. — Appl. Phys. A, 1988, v.45, p.233-244.

222. Schubert E. F. Delta-doping of III-V compound semiconductors: fundamental and device applications. — J. Vac. Sci. Technol. A, 1990, v.8, No.3, p.2980-2996.