Арсенид галлия: Радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат технических наук Потапов, Александр Иванович
- Специальность ВАК РФ01.04.10
- Количество страниц 106
Оглавление диссертации кандидат технических наук Потапов, Александр Иванович
ВВЕДЕНИЕ 3 1 .ДЕТЕКТОРЫ ЯДЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ литературный обзор).
1 Л. Полупроводниковые детекторы ядерного излучения
1.1.1. Характеристика СтаАв как материала для производства 1ШД
1.1.2. Арсенид галлиевые полупроводниковые детекторы
1.1.2.1. ППД на основе объемного (ЗаАа
1.1.2.2. ППД на основе эпитаксиального ОаАз
1.1.2.3. Радиационная стойкость ППД на основе (ЗаАБ 14 1.2. Радиационные эффекты в арсениде галлия
1.2.1. Электрофизические свойства
1.2.2. Спектр уровней радиационных дефектов
1.2.3. Время жизни носителей заряда
1.2.4. Взаимодействие радиационных дефектов и химических примесей
1.2.5. Влияние температуры облучения и положения уровня (квазиуровня) Ферми на эффективность компенсации и спектр радиационных дефектов
1.2.6. Термическая устойчивость радиационных дефектов 23 Выгоды
2. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, ОБЛУЧЕННОГО ЭЛЕКТРОНАМИ, ПРОТОНАМИ И БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ 29 2.1 Методика эксперимента
2.2. Электронное облучение
2.2.1. Электрофизические свойства
2.2.2. Отжиг радиационных дефектов
2.3. Протонное облучение
2.3.1. Электрофизические свойства
2.3.2. Электронное переключение в ОаАв, облученном протонами
2.3.3. Изохронный отжиг ОаАз, облученного протонами
2.3.4. Полуизолируюпдай ваАв <Сг>, облученный ионами Н+(Е=5МэВ)
2.4. Облучение быстрыми нейтронами
Выводы
Ж ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДЕТЕКТОРЫ ЯДЕРНЫХ ИЗЛУЧЕНИЙ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, КОМПЕНСИРОВАННОГО Сг
3.1 Методика эксперимента
3.2 Параметры ППД на основе Оа
§<Сг>
3.2.1. Шумовые характеристики ППД
3.2.2. Энергетическое разрешение ППД.
3.2.3. Эффективность сбора заряда
3.3. Радиационная стойкость структур (ЗаАа<Сг>
3.4. Восстановление параметров облученных ППД (ОаАз<Сг>) при изохронном отжиге
3.5. Испытания структур на пучке Выводы
Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика полупроводников», 01.04.10 шифр ВАК
Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия1999 год, доктор физико-математических наук Пешев, Владимир Викторович
Полупроводниковые детекторы ионизирующих излучений на арсениде галлия2005 год, доктор физико-математических наук Воробьев, Александр Павлович
Радиационно-физические процессы и ядерное легирование нитрида галлия2011 год, кандидат физико-математических наук Корулин, Александр Викторович
Особенности образования и отжига радиационных дефектов в n-GaN(Si) и p-GaN(Mg) при воздействии различного вида излучения2014 год, кандидат наук Ермаков, Виктор Сергеевич
Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами2007 год, кандидат физико-математических наук Каменская, Ирина Валентиновна
Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.