Арсенид галлия: Радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат технических наук Потапов, Александр Иванович

  • Потапов, Александр Иванович
  • кандидат технических науккандидат технических наук
  • 1999, Томск
  • Специальность ВАК РФ01.04.10
  • Количество страниц 106
Потапов, Александр Иванович. Арсенид галлия: Радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: дис. кандидат технических наук: 01.04.10 - Физика полупроводников. Томск. 1999. 106 с.

Оглавление диссертации кандидат технических наук Потапов, Александр Иванович

ВВЕДЕНИЕ 3 1 .ДЕТЕКТОРЫ ЯДЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ литературный обзор).

1 Л. Полупроводниковые детекторы ядерного излучения

1.1.1. Характеристика СтаАв как материала для производства 1ШД

1.1.2. Арсенид галлиевые полупроводниковые детекторы

1.1.2.1. ППД на основе объемного (ЗаАа

1.1.2.2. ППД на основе эпитаксиального ОаАз

1.1.2.3. Радиационная стойкость ППД на основе (ЗаАБ 14 1.2. Радиационные эффекты в арсениде галлия

1.2.1. Электрофизические свойства

1.2.2. Спектр уровней радиационных дефектов

1.2.3. Время жизни носителей заряда

1.2.4. Взаимодействие радиационных дефектов и химических примесей

1.2.5. Влияние температуры облучения и положения уровня (квазиуровня) Ферми на эффективность компенсации и спектр радиационных дефектов

1.2.6. Термическая устойчивость радиационных дефектов 23 Выгоды

2. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, ОБЛУЧЕННОГО ЭЛЕКТРОНАМИ, ПРОТОНАМИ И БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ 29 2.1 Методика эксперимента

2.2. Электронное облучение

2.2.1. Электрофизические свойства

2.2.2. Отжиг радиационных дефектов

2.3. Протонное облучение

2.3.1. Электрофизические свойства

2.3.2. Электронное переключение в ОаАв, облученном протонами

2.3.3. Изохронный отжиг ОаАз, облученного протонами

2.3.4. Полуизолируюпдай ваАв <Сг>, облученный ионами Н+(Е=5МэВ)

2.4. Облучение быстрыми нейтронами

Выводы

Ж ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДЕТЕКТОРЫ ЯДЕРНЫХ ИЗЛУЧЕНИЙ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, КОМПЕНСИРОВАННОГО Сг

3.1 Методика эксперимента

3.2 Параметры ППД на основе Оа

§<Сг>

3.2.1. Шумовые характеристики ППД

3.2.2. Энергетическое разрешение ППД.

3.2.3. Эффективность сбора заряда

3.3. Радиационная стойкость структур (ЗаАа<Сг>

3.4. Восстановление параметров облученных ППД (ОаАз<Сг>) при изохронном отжиге

3.5. Испытания структур на пучке Выводы

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика полупроводников», 01.04.10 шифр ВАК

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.