Диэлектрическая дисперсия, старение и усталость тонких пленок титаната свинца и цирконата-титаната свинца тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Смирнов, Алексей Леонидович

• Смирнов, Алексей Леонидович
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Смирнов, Алексей Леонидович

Введение.

Глава 1. Перовскитовые сегнетоэлектрические пленки.

1.1. Сегнетоэлектрические перовскиты: PbTiOs и Pb(TixZr1.x)03.

1.2. Характер сегнетоэлектричества в тонком слое.

1.3. Существующие методы получения тонких пленок.

1.4. Старение и усталость сегнетоэлектрических материалов.

1.5 Применение тонких сегнетоэлектрических пленок.

Глава 2. Синтез пленок РЬТЮ3 и Pb(Zro.5Tio.5)03.

2.1. Получение тонких пленок титаната свинца при помощи магнетронного распыления.

2.2. Получение пленок цирконата-титаната свинца и титаната свинца золь-гель методом.

Глава 3. Диэлектрические свойства тонких пленок РЬТЮзи Pb(Zro.sTio.5)03.

3.1. Исследования диэлектрических свойств методами импедансной спектроскопии.

3.2. Температурные и частотные зависимости б'и е" для пленок РЬТЮз, полученных при помощи магнетронного напыления.

3.3. Температурно-частотные зависимости е'и е"для пленок РЪ(2го{Гц^Оз полученных с помощью золь-гель метода.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Диэлектрическая дисперсия, старение и усталость тонких пленок титаната свинца и цирконата-титаната свинца»

Актуальность темы.

Несколько десятилетий продолжается интенсивное изучение тонких сегнетоэлектрических пленок. Это объясняется как многочисленными установленными, так и потенциальными преимуществами пленок по сравнению с объемными материалами: прежде всего миниатюризацией устройств, уменьшением управляющих полей, высокой стабильностью свойств, хорошей интеграцией с полупроводниковыми материалами, традиционно используемыми в электронике, и т.п. В связи с этим актуальным остается вопрос, связанный с оптимизацией технологий получения тонких пленок с высокими сегнетоэлектрическими свойствами.

Многочисленные преимущества пленок титаната свинца и цирконата-титаната свинца, включая большое значение переключаемой поляризации, позволяют отнести их к наиболее перспективным материалам в частности для создания устройств энергонезависимой памяти с большой емкостью. При этом существует ещё множество проблем, сдерживающее широкое коммерческое внедрение подобных устройств. Таковыми являются, процессы старения и усталости (ухудшение свойств со временем и уменьшение переключаемого заряда при многократно повторяющемся переключении). К настоящему времени предложен целый ряд возможных механизмов усталости в тонких пленках. В то же время ясное понимание причин проявления процессов старения и усталости в сегнетоэлектрических материалах и, в частности, в кислородосодержащих пленках со структурой перовскита, таких как титанат свинца и цирконат-титанат свинца все еще отсутствует, что также делает актуальным изучение процессов переключения и диэлектрических характеристик данных материалов.

Тема диссертационной работы поддержана грантом RUXO-010-VZ-06 «Нелинейные явления в наноразмерных твердотельных структурах при воздействии внешних полей» по совместной программе CRDF и Минобразования «Фундаментальные исследования и высшее образование» (2006-2007), грантом 2007-3-1.3-07-01 ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы» по теме: «Твердотельные наноструктуры для электронной и оптической техники нового поколения», грантом Российского фонда фундаментальных исследований N 04-02-16433-а, (2004-2006 гг.).

Целью настоящей работы является: экспериментальное исследование частотных и температурных свойств тонких пленок титаната свинца и цирконата-титаната свинца и их стабильности под действием внешнего переменного электрического поля. В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие основные задачи:

• получение пленок титаната свинца и цирконата-титаната свинца методами - магнетронного напыления и золь-гель технологией.

• анализ фазового состава и микроструктуры поверхности образцов, полученных пленок для подбора наилучшего режима оксидирования.

• исследование методом импедансной спектроскопии особенностей поведения диэлектрической проницаемости и потерь, в широком частотном и температурном диапазоне.

• определение характера переключения поляризации в тонких пленках титаната свинца и цирконата-титаната свинца.

• изучение процесса усталости в указанных пленках под действием внешнего переменного поля.

Объект и методики исследования. Объектом исследования являлись тонкие пленки титаната свинца и цирконата- титаната свинца толщиной от 0,2 до 1 мкм на различных подложках. Фазовый состав и преимущественная ориентация кристаллитов в пленках контролировались методом рентгенофазового анализа на приборе ДРОН-ЗМ. Расшифровка полученных дифрактограмм выполнена с использованием базы данных Powder Diffraction File (PDF-2). Структурные параметры пленок титаната свинца выявлялись с помощью атомно-силовой и электронной микроскопии на приборах Femtoscan-001-Online и Scanning Electron Microscope JEOL JSM-6380LV, соответственно. Диэлектрические измерения проводились при помощи импедансметра Solartron Analitical 1260 с диэлектрическим интерфейсом 1296. Исследования зависимостей в сильных полях проводились с помощью специально сконструированной установки.

Научная новизна. Все основные результаты данной работы являются новыми.

• проведено всестороннее исследование свойств пленок титаната свинца и цирконата-титаната свинца, включающее фазовый анализ, диэлектрические спектры, переключение поляризации во внешнем поле, явление усталости;

• определен характер диэлектрической дисперсии для пленок титаната свинца и цирконата-титаната свинца, полученных различными методами;

• обнаружена аномалия в частотной зависимости диэлектрической проницаемости, природа которой связывается с колебаниями доменных границ в тонких пленках;

• проведено сравнение явления усталости для пленок титаната свинца и цирконата-титаната свинца, исследовано влияние на процессы усталости для указанных пленок температуры и амплитуды внешнего поля;

• исследованы частотные зависимости коэрцитивного поля и внутреннего поля смещения тонких пленок титаната свинца и цирконата-титаната свинца.

Практическая ценность работы определяется возможностью использования полученных результатов для оптимизации технологии изготовления и улучшения основных рабочих характеристик устройств памяти на тонких сегнетоэлектрических пленках.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Доменная природа аномалии диэлектрической проницаемости в пленках титаната свинца в районе 14 МГц.

2. Доменная природа явления усталости в тонких сегнетоэлектрических пленках титаната свинца. Влияние внутреннего поля смещения в пленках на процессы усталости.

3. Отсутствие влияния температуры и существенное влияние амплитуды переключающего поля на процессы усталости в тонких сегнетоэлектрических пленках.

4. Определяющая роль подложки в формировании внутреннего поля смещения в тонких сегнетоэлектрических пленках.

5. Линейный характер частотных зависимостей коэрцитивного поля и внутреннего поля смещения.

Апробация работы. Основные результаты работы представлены на 11-ой Международной конференции по сегнетоэлектричеству (Бразилия /Аргентина, 2005); XVII-ой Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Пенза, 2005); 8-ой Европейской конференции по применению полярных диэлектриков ■ (Мец, Франция, 2006); 9-ом Международном Симпозиуме по доменам в ферроиках, микро- и наноскопическим структурам (Дрезден, Германия, 2006); 10-ой Еврофизической конференции по дефектам в диэлектриках (Милан, Италия,

2006); Международной научно-технической школе-конференции «МОЛОДЫЕ УЧЕНЫЕ - 2006» (МОСКВА, 2006); 19-ом Международном Симпозиуме по интегрированным сегнетоэлектрикам (Бордо, Франция,

2007); 11-ой Европейской конференции по сегнетоэлектричеству, (Блед, Словения, 2007).

Публикации и вклад автора. Настоящая работа выполнена на кафедре экспериментальной физики Воронежского госуниверситета в соответствии с планом научно-исследовательских работ кафедры. Все включенные в диссертацию данные получены лично автором или при его непосредственном участии. Автором обоснован выбор метода и объекта исследования, получены все основные экспериментальные результаты, проведены анализ и интерпретация полученных данных. Обсуждение полученных результатов проводилось совместно с научным руководителем д.ф.-м.н., проф. Сидоркиным А.С. и к.ф.-м.н. доц. Нестеренко Л.П.

По теме диссертации опубликовано 22 работы, в том числе 8 статей в реферируемых изданиях и тезисы 14 докладов на международных и российских научно-технических конференциях, симпозиумах, семинарах.

Объём и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы, включающего 103 наименований. Работа содержит 132 страницы машинописного текста, 56 рисунков, 2 таблицы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Смирнов, Алексей Леонидович

Заключение.

1. В широком частотном диапазоне исследована дисперсия диэлектрической проницаемости в тонких пленках титаната свинца и цирконата-титаната свинца. Указанная дисперсия наблюдается как в сегнетоэлектрической, так и в параэлектрической области. Для всех температур величина диэлектрической проницаемости уменьшается с увеличением частоты, что указывает на релаксационный характер дисперсии. С ростом частоты наблюдается замедление в изменении диэлектрической постоянной.

2. Экспериментально обнаружена аномалия в частотных зависимостях действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости на частоте 14 MHz, исчезающая при переходе из сегнетоэлектрической фазы в парафазу, наличие которой связывается с колебаниями доменных границ.

3. С ростом частоты внешнего переменного поля наблюдается рост коэрцитивного поля и внутреннего поля смещения в пленках титаната свинца и цирконата-титаната свинца, скорость которого зависит от температуры.

4. Экспериментально исследовано явление усталости тонких сегнетоэлектрических пленок титаната свинца и цирконата-титаната свинца (изменение поляризации в зависимости от количества циклов переключения во внешнем поле). Определены пороговые значения циклов переключения для исследуемых пленок: Ю10 -10й для титаната свинца и 109 - Ю10 для ЦТС.

5. Показано, что изменение температуры не оказывает существенного влияния на пороговое значение числа циклов переключения, при котором наблюдается резкое уменьшение переключаемой поляризации. В то же время увеличение напряженности внешнего поля приводит к заметному уменьшению порогового значения числа циклов переключения.

6. В процессе усталости наблюдается увеличение значений коэрцитивного поля и внутреннего поля смещения. Установлено, что изменение внутреннего поля с ростом количества циклов переключения происходит более интенсивно по сравнению с коэрцитивным полем. Отсутствие изменения фазового состава образцов указывает на нехимическую природу процессов усталости. ч

Отсутствие аномалии в частотной зависимости s(f) в области частот 10°- 10' Гц, имеющей доменное происхождение, указывает на доменную природу наблюдаемого явления усталости.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Смирнов, Алексей Леонидович, 2007 год

1. Смоленский Г.А. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайник, Р.Е. Пасынков, М.С. Шур. Ленинград : Наука, 1971. - 476 с.

2. Иона Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы / Ф. Иона, Д. Ширане ; перевод с англ. JI.A. Фейгина; под ред. J1.A. Шувалова. М. : Мир, 1965. - 555 с.

3. Лайнс М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Гласс ; перевод с англ. под ред. В.В. Леманова, Г.А. Смоленского. М. : Мир, 1981.-282 с.

4. Power Diffraction File. U.S.A. : International Centre for Diffraction Data, 1977.

5. Струков Б.А. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах / Б.А. Струков, А.П. Леванюк. М.: Наука, 1995. - 304 с.

6. Дудкевич В.П. Физика сегнетоэлектрических пленок / В.П. Дудкевич, Е.Т. Фесенко. Ростов : Изд-во Ростов, ун-та, 1979. - 192 с.

7. Фесенко Е.Г. Семейство перовскита и сегнетоэлектричество / Е.Г. Фесенко. М.: Атомиздат, 1972. - 228 с.

8. Damjanovic D. Ferroelectric, dielectric and piezoelectric properties of ferroelectric thin films and ceramics / D. Damjanovic // Reports on Progress in Physics. 1998. - V. 61. - P. 1267-1324.

9. Желудев И.С. Основы сегнетоэлектричества / И.С. Желудев. М. : Атомиздат, 1973. - 472 с.

10. Сонин А.С. Введение в сегнетоэлектричество / А.С. Сонин, Б.А. Струков. М.: Высшая школа, 1970. - 272 с.

11. Холоденко Л.П. Термодинамическая теория сегнетоэлектриков типа титаната бария / Л.П. Холоденко. Рига : Зинатне, 1972. - 227 с.

12. Барфут Дж. Полярные диэлектрики и их применения / Дж. Барфут, Дж. Тейлор; перевод с англ. под ред. Л.А. Шувалова. М.: Мир, 1981. - с.526

13. Барфут Дж. Полярные диэлектрики и их применения / Дж. Барфут, Дж. Тейлор; перевод с англ. под ред. Л.А. Шувалова. М.: Мир, 1981. - с.526

14. Stemmer S. Atomistic structure of 90° domain walls in ferroelectric PbTi03 thin films / S. Stemmer, S.K. Streiffer, F. Ernst, M. Ruhle // Philosophical Magazine A. 1995. - V. 71. - P. 713-724.

15. Yang J.-K. Effect of grain size of Pb(Zr0.4Tio.6)03 sol-gel derived thin films on the ferroelectric properties / J.-K. Yang, W.S. Kim, H.-H. Park //Applied Surface Science. 2001. - V. 169-170. - P. 544-548.

16. Вендик O.T. Корреляционные эффекты в сегнетоэлектрическом тонкопленочном конденсаторе / О.Т.' Вендик, С.П. Зубко, Л.Т. Тер-Мартиросян // Физика твёрдого тела. 1996. - Т. 38, № 12. - С. 36543665.

17. Березинский В.Л. Разрушение дальнего порядка в одномерных и двумерных системах с непрерывной группой симметрии / В.Л. Березинский // Журнал экспериментальной и теоретической физики. -1970. Т. 59, вып. 3 (9). - С. 907-910.

18. Waser R. Dielectric analysis of integrated ceramic thin film capacitors / R. Waser // Integrated Ferroelectrics. 1997. - V. 15. - P. 39-43.

19. Tomashpolski Y.Y. Ferroelectric vacuum deposits of complex oxide type structure / Y.Y. Tomashpolski, M.A. Sevostianov, M.V. Pentegova, L.A. Srokina, Y.N. Venevtsev // Ferroelectrics. 1974. - V. 7, № 1-4. - P. 257-258.

20. Децик B.H. Кинетика начальной стадии фазового перехода первого рода в тонких плёнках / В.Н. Децик, Е.Ю. Каптелов, С.А. Кукушкин и др. // Физика твёрдого тела. 1997. - Т. 39, № 1. - С. 121-126.

21. Томашпольский Ю.Я. Пленочные сегнетоэлектрики / Ю.Я. Томашпольский. М.: Радио и связь, 1984. - 192 с.

22. Tagantsev А.К. Mechanisms of polarization switching in ferroelectric thin films / A.K. Tagantsev //Ferroelectrics. 1996. - V. 184, N.l-4. - P. 399./79-[407]/77.

23. Tagantsev A.K. Identification of passive layer in ferroelectric thin films / A.K. Tagantsev, M. Landivar, E. Colla, N. Setter // Journal of Applied Physics. -1995. V. 78, №4. - P. 2623-2630.

24. Фридкин B.M. Сегнетоэлектрики-полупроводники / B.M. Фридкин. M. : Наука, 1976.-408 с.

25. Xu Y. Ferroelectric thin films prepared by sol-gel processing / Y. Xu, J.D. Mackenzie // Integrated Ferroelectrics. 1992. - V. 1, № 1. - P. 17-42.

26. Tandon R.P. Fabrication and characterization of copper contain lead titanate films prepared by sol-gel method / R.P. Tandon, V. Raman, K. Alay Arora, V.K. Hans // Ferroelectrics. 1994. - V. 152. - P. 449-504.

27. Vest R.W. PbTi03 films from metallo-organic precursors / R.W. Vest, J. Xu // The 6-th IEEE International Symposium on Application of Ferroelectrics : abstracts, Bethlehem, USA, June, 1986. P. 374-380.

28. Funakubo H. Film thickness dependence of dielectric property and crystal structure of РЬТЮз film prepared on Pt/SiCVSi substrate by metal organic chemical vapor deposition / H. Funakubo, T. Hioki, M. Otsu, K. Shinozaki, N.

29. Mizutani // Japanese Journal of Applied Physics. 1993. - V. 32. - P. 41754178.

30. Sheppard L.M. Advances in processing of ferroelectric thin films / L.M. Sheppard // Ceramic Bulletin. 1992. - V. 71, № 1. - P. 85-95.

31. Щеглов П.А. Получение сегнетоэлектрических пленок ВаТЮз и PbTi03 модифицированным золь-гель методом / П.А. Щеглов, С.А. Меньших, Л.Ф. Рыбакова, Ю.Я. Томашпольский // Неорганические материалы. -2000. Т. 36, № 4. - С. 470-475.

32. Meng X.J. Highly oriented PbZro.3Tio.7O3 thin film on LaNi03-coated Si substrate derived from a chemical solution technique / X.J. Meng, Z.X. Ma, J.L. Sun, L.X. Bo, H.J. Ye, S.L. Guo, J.H. Chu // Thin Solid Films. 2000. -№372.-P. 271-275.

33. Meng X.J. Dependence of texture development on thickness of single-annealed-layer in sol-gel derived PZT thin films / X.J. Meng, J.G. Cheng, J.L. Sun, J. Tan, H.J. Ye, J.H. Chu // Thin Solid Films. 2000. - № 368. - P. 2225.

34. Турова Н.Я. Оксидные материалы на основе алкоголятов металлов / Н.Я. Турова, М.И. Яновская // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1983. - Т. 19, № 5. - С. 693-706.

35. Swartz S.L. Static and dynamic properties of ferroelectric thin film memories / S.L. Swartz, U.E. Wood // Condensed Matter News. 1992. - V. 1, № 5. - P. 4-11.

36. Kostsov E.G. Ferroelectric films: peculiarities in their application to construction of new generations of memory devices / E.G. Kostsov // Ferroelectrics. 1995. - V. 167. - P. 169-176.

37. Багинский И.JI. Тонкие сегнетоэлектрические пленки компоненты элементов динамической памяти / И.Л. Багинский, Э.Г. Косцов // Микроэлектроника. - 1997. - Т. 26, № 4. - С. 278-286.

38. Сидоркин А.С. Получение и свойства тонких сегнетоэлектрических пленок титаната свинца / А.С. Сидоркин, А.С. Сигов, О.Б. Яценко // Физика твердого тела. 2000. - Т. 42, вып. 4. - С. 727-732.

39. Окуяма М. Выращивание текстурированных тонких пленок PbTi03 на подложке SiCVSi / М. Окуяма, А. Фуйисава, Н. Исака, И. Хамакава // Автометрия. 1991. - № 4. - С. 91-97.

40. Сидоркин А.С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах / А.С. Сидоркин. М.; Физматлит, 2000. - 240 с.

41. Окуяма М. Выращивание текстурированных тонких пленок РЬТЮз на подложке S1O2/S1 / М. Окуяма, А. Фуйисава, Н. Исака, Й. Хамакава // Автометрия. 1991. - № 4. - С. 91-97.

42. Николаев В.И. Синтез пленок PbTi03 раздельным испарением металлов / В.И. Николаев, О.Ю. Ваганова // Неорганические материалы. 1997. - Т. 33,№5.-С. 858-859.

43. Matthew Dawber. A model for fatigue in ferroelectric perovskite thin films. / Matthew Dawber, J.F. Scott// Applied Physics Letters. 2000 - v.76 №8. - p. 1060.

44. O. Auciello. A Review of composition structure property relationship for PZT-based heterostructure capasitors. / O. Auciello. K.R. Bellur, R. Dat, K.D. Gifford, Al. Kingon et. A1 // Integrated Feiroelectrics 1995 - v.6 - p. 173.

45. L. Pintilie. Polarization fatigue and frequency-dependent recovery in Pb(ZrTi)03 epitaxial thin films with SrRu03 electrodes./ L. Pintilie, I. Vrejoiu, D. Hesse, M. Alexe // Applied Physics Letters 2006 - v.88 -p. 102908

46. J. Cross. Characterization of PZT capasitors with SrRu03 elecrodes. / J. Cross. M. Fujiki, M. Tsukada, У. Kotaka, and Y. Goto // Integrated Ferroelectrics 1998 - v.21 - p.263.

47. R. A. Lipeles. Characterization of PZT films fatigue at low frequency/ R. A. Lipeles. B. A. Morgan, and M. S. Leung, // Proceedings of the 3 rd International Symposium on Integrated Ferroelectrics, ISIF-91, Colorado Springs, CO-1991-p. 368.

48. I. Yoo and S. Desu. Mechanism of fatigue in ferroelectric thin films. // Physica Status Solidi 1992 - A 133 -p.565.

49. M. Dawber. A model for fatigue in ferroelectric perovskite thin films. / M. Dawber and J. F. Scott // Applied Physics Letters 2000 - v.76 - p. 1060.

50. T. Mihara. Electronic Conduction Characteristics of Sol-Gel Ferroelectric Pb(Zro.4Tio.6)03 Thin-Film Capacitors. / T. Mihara. H. Watanabe, and C. A. p. d. Araujo, // Jpn. Journal of Applied Physics 1994 - v.33 Part 1 - p. 5664.

51. J.S. Lee Analysis of grain-boundary effects on the electrical properties of Pb(ZrTi)03 thin film. / J.S. Lee, S.K. Joo // Applied Physics Letter 2002 - v. 81-is. 14.-p. 2602.

52. E. Paton. A Critical study of defect migration and ferroelectric fatigue in lead zirconate - titanate thin film capacitors under extreme temperatures. / E. Paton. M. Brazier, S. Mansour, and A. Bement. // Integrated Ferroelectrics -1997-v.18-p.29.

53. P. K. Larsen. Ferroelectric properties and fatigue of Pb(ZrTi)03 thin films of varying thinkness: blocking layer model. / P. K. Larsen. G. J. M. Dormans, D. J. Taylor, and P. J. v. Veldhoven. // Journal of Applied Physics 1994 -v.76. -p.2405.

54. A. K. Tagantsev. Mechanisms of Polarization Switching in Ferroelectric Thin Films // Ferroelectrics 1996 - v.79 - p. 184.

55. Y. Masuda. The Influence of Various Upper Electrodes on Fatigue Properties of Perovskite Pb(Zr,Ti)03 Thin Films / Y. Masuda and T. Nozaka // Jpn. Journal of Applied Physics 2003 - v.42 part.l №9B - p. 5941.

56. J. F. M. Cillessen. Thickness Dependence of Switching Voltage in All-oxide Ferroelectric Thin-Film Capacitors Prepared by Pulsed Laser Deposition. / J. F. M. Cillessen, M. W. J. Prins, and R. W. Wolf // Journal of Applied Physics 1997-v. 81-p. 2777.

57. S. B. Majumder. Optical and Microstructural Characterization of sol-gel derived Ce-doped PZT thin films / S. B. Majumder. Y. N. Mohapatra, and D. C. Agrawal // Applied Physics Letters 1997 - v.70 - p. 138.

58. К. Aoki and Y. Fukuda. Characterization of a Sol-Gel Derived Pb(Zr, 77)03 Thin-Film Capacitor with Polycrystalline SrRu03 Electrodes.// Jpn. Journal of Applied Physics 1997 - v. 36 Part 2 - p.L690.

59. D. F. Ryder. Sol-Gel Processing of Nb-doped Pb(Zr,Ti)03 Thin Films for Ferroelelctric Memory Applications / D. F. Ryder, Jr. and N. K. Raman// Journal of Electron. Materials 1992 - v.21 - p. 971.

60. E.L. Colla. Direct observation of inversely polarized frozen nanodomains in fatigued ferroelectric memory capacitors. / E.L. Colla, I. Stolichnov, P.E. Bradely, N. Setter // Applied Physics Letter 2003 - v. 82 is. 10 - p. 1604.

61. S. L. Miller. Device Modeling of Ferroelectric Capacitors / S. L. Miller, R. D. Nasby, J. R. Schwank, M. S. Rogers, and P. V. Dressendorfer. // Journal of Applied Physics 1990 - v.68 -p. 6463.

62. C. J. Brennan. A physical model for the electrical hysteresis of thin-film ferroelectric capacitors // Ferroelectrics 1992 - №132 - p.245.

63. A. K. Tagantsev. Identification of passive layer in ferroelectric thin films from . their switching parameters. / A. K. Tagantsev. M. Landivar, E. Colla, and N.

64. Setter.// Journal of Applied Physics 1995 - v. 78 - p.2623.

65. Swartz S.L. Static and dynamic properties of ferroelectric thin film memories / S.L. Swartz, U.E. Wood // Condensed Matter News. 1992. - V. 1, № 5. - P. 4-11.

66. J. F. Scott / C. A. P. d. Araujo, В. M. Melnick, L. D. McMillan, and R. Zuleeg// Journal of Applied Physics. -1991 v.70 - p. 382

67. J. Chen. Equivalent Parameters of Embedded PZT Elements for Concrete Structure Monitoring / J. Chen, M. P. Harmer, and D. M. Smyth, // Proceedings of the IEEE 8thInternational Symposium on Applications of Ferroelectrics, Piscataway NJ.- 1992. p. 111.

68. J. F. Scott / C. A. P. d. Araujo, В. M. Melnick, L. D. McMillan, and R. Zuleeg// Journal of Applied Physics. -1991 v.70 - p. 382.

69. Е. М. Griswold. Phase transformations in rapid thermal processed lead zirconate titanate / E. M. Griswold. M. Sayer, D. T. Amm, and I. D. Calder, Can. // J. Phys. 1991. - v. 69. - p.260.

70. R. Waser. Electronic Properties of Grain Boundaries in SrTi03 and ВаТЮЗ Ceramics // Journal American Ceramic Society 1991 -v. 74 - p. 1934.

71. Cyril Verdier. Fatigue studies in compensated bulk lead zirconate titanate. / Cyril Verdier, Finlay D. Morrison, Doru C. Lupasku, James F, Scott // Journal of Applied Physics. 2005 - v. 97 - 024107

72. P. Landauer. Electrostatic Considerations in ВаТЮЗ Domain Formation during Polarization Reversal / P. Landauer. // Journal of Applied Physics. -1957.-v.28.-p. 227.

73. Tagantsev A.K. Injection-controlled size effect on switching of ferroelectric thin films./ Tagantsev A.K. and Stolichnov I.A. // Applied Physics. Letters. -1999.-v. 74.-p. 1326.

74. M. Grossmann. Reversible and irreversible processes in donor-doped Pb(Zr,Ti)03 / D. Bolten, U. Bottger, T. Schneller, M. Grossmann, O. Lohse, and R. Waser // Applied Physics. Letters. 2000. - V.77. - pp. 3830-3832.

75. Окуяма M. Тонкие сегнетоэлектрические пленки РЬТЮз и ЦТСЛ и их применение / М. Окуяма, И. Хамакава // Автометрия. 1986. - №2. - С. 17-30.

76. Safari A. Ferroelectric ceramics: processing, properties & applications / A. Safari, R.K. Panda, V.F. Janas // Condensed Matter News. 1993. - V. 1, № 4. -P. 2-10.

77. Гольцман Б.М. Сегнетоэлектрические материалы для интегральных схем динамической памяти / Б.М. Гольцман, В.К. Ярмаркин //Журнал технической физики. 1999. - Т. 69, № 5. - С. 89-92.

78. Palkar V.R. Ferroelectric thin films of PbTi03 on silicon / V.R. Palkar, S.C. Purandare, R. Pinto // Journal of Physics D: Applied Physics. 1999. - V. 32. -P.R1-R18.

79. Sidorkin A.S. Synthesis and study of dielectric properties of PbTi03 thin films /A.S. Sidorkin, L.P. Nesterenko, I.A. Bocharova, V.A. Sidorkin, G.L. Smirnov // Ferroelectrics. 2003. - V. 286. - P. 335-342.

80. Сидоркин А.С. Сегнетоэлектрические пленки титаната свинца на монокристаллическом кремнии / А.С. Сидоркин, А.С. Сигов, A.M. Ховив, О.Б. Яценко, В.А. Логачева // Физика твердого тела. 2002. - Т. 44, № 4. - С. 745-749.

81. Сидоркин А.С. Диэлектрические свойства тонких пленок PbTi03 / А.С. Сидоркин, A.M. Солодуха, Л.П. Нестеренко, С.В. Рябцев, И.А. Бочарова, Г.Л. Смирнов // Физика твердого тела. 2004. - Т. 46, № 10. - С. 18411844.

82. Antony R. West. Characterization of Electrical Materials, Especially ferroelectrics, by impedance spectroscopy. / Antony R. West, Derek C.

83. Sinclair, Naohiro Hirose // Journal of Electroceramics 1997 - v.l - pp. 6571.

84. F. Kremer. Dielectric spectroscopy yesterday, today and tomorrow. // Journal of Non-crystalline Solids - 2002 - v. 305 - pp. 1-9.

85. О.Г. Вендик. Моделирование и расчет емкости планарного конденсатора, содержащего тонкий, слой сегнетоэлектрика. / О.Г. Вендик, С.П. Зубко, М.А. Никольский. // Журнал технической физики. -1999-т. 69 в. 4 с. 1

86. О.Г. Вендик. Учет нелинейности сегнетоэлектрического слоя в модели планарного конденсатора. / О.Г. Вендик, М.А. Никольский // Письма в Журнал технической физики. 2003 - т. 29 в. 5 - с. 20

87. A.M. Солодуха. Определение диэлектрических параметров керамики на основе дисперсии комплексного электрического модуля. / A.M. Солодуха, З.А. Либерман. // ВЕСТНИК ВГУ, Серия физика, математика. 2003 - №2 - с. 67 .

88. М.М. Некрасов. Исследование дисперсии диэлектрической проницаемости в сегнетоэлектриках типа титаната бария на сантиметровых волнах. / М.М. Некрасов, Ю.М. Поплавко // Известия академии наук СССР. Серия физическая. 1964 - т. 28 №4 - с. 714.

89. В.Н. Мурзин. Температурные исследования диэлектрической дисперсии поликристаллических ВаТЮз и SrTi03 в широком спектральном диапазоне. / В.Н. Мурзин, А.И. Демешина // Известия академии наук СССР. Серия физическая 1964 - т. 28 №4 - с. 695.

90. В.К. Ярмаркин. Диэлектрическая релаксация в тонкопленочных структурах металл-сегнетоэлектрик PZT металл. / В.К. Ярмаркин, С.П. Тесленко // Физика твердого тела. - 1998 - т. 40 №10 - с. 1915.

91. A.S. Sidorkin. Dispersion of dielectric permeability in polydomain ferroelectrics. / A.S. Sidorkin, A. S. Sigov // Вестник ВГУ, Серия физика, математика. 2002 - №1 - с. 52-58.

92. Даринский Б.М. Колебания доменных границ в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках с точечными дефектами. / Дариинский Б.М., Сидоркин

93. A.С., Косцов A.M.// Известия АН СССР, Серия физическая. 1991 - т.55 №3 - с.583-590.

94. ЮО.Томин В.Г. Диэлектрические свойства тонких кристаллов ТГС. / Томин

95. B.Г., Новик В.К., Селюк Б.В., Копуген В.А., Гаврилов Н.Д., Мелешина В.А.//Кристаллография.- 1974-т. 19.№>4-с. 809-814.

96. Горбунов В.В., Даринский Б.М. Изгиб доменной границы в поле наклонной дислокации в сегнетоэластике. // Известия АН СССР. Серия физическая. 1989 - т.53 №7 - с. 1292-1295

97. Смоленский А.Г. Физика сегнетоэлектрических явлений / А.Г. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайник, Р.Е. Пасынков, А.И. Соколов, Н.К. Юшин. J1.: Наука, 1985. - 396 с.

98. ЮЗ.Веневцев Ю.Н. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики семейства титаната бария / Ю.Н. Веневцев, Е.Д. Политова, С.А. Иванов. М. : Химия, 1985.-256 с.