Электрофизические свойства нанокомпозитов на основе SnO2: ZrO2 и SnO2 с добавлением многостенных углеродных нанотрубок тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Шматова, Юлия Васильевна

• Шматова, Юлия Васильевна
• кандидат технических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат технических наук Шматова, Юлия Васильевна

Введение

ГЛАВА 1. ПЛЁНКИ-НАНОКОМПОЗИТЫ НА ОСНОВЕ МЕТАЛЛООКСВДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ИХ

ФИЗИЧЕСКИЕ И ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА

1.1. Основные представления о свойствах материала Бп

1.2. Взаимодействие молекул различных газов с поверхностью металлооксидных полупроводников

1.2.1. Физические и химические процессы, протекающие на поверхности металлооксидных полупроводников

1.2.2. Газы-окислители и их взаимодействие с п - 8п

1.2.3. Газы-восстановители и их влияние на электрические свойства п - БпОг

1.2.4. Механизмы газовой чувствительности металооксидных полупроводников

1.2.5. Влияние размера зерна в поликристаллических пленках диоксида олова на механизм газовой чувствительности

1.3. Способы изготовления плёнок на основе металооксидных полупроводников

1.3.1. Гидролиз растворов хлорида олова

1.3.2. Метод ионно-плазменного распыления 31 1.3.3 Золь-гель метод

1.4. Влияние стабилизирующего изотермического отжига на параметры и свойства плёнок-нанокомпозитов

1.5. Влияние легирования на свойства плёнок-нанокомпозитов 36 1.6 Влияние введения нанотрубок на свойства БпОг 39 Выводы к первой главе

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТА 47 2.1. Подготовка подложек

2.2. Изготовление нанокомпозитов 8п02 : 2Ю2 методом ионно-лучевого напыления

2.3. Синтез композитов 8п02 с углеродными нанотрубоками

2.4.Структурный анализ

2.4.1. Рентгеновский микроанализ

2.4.2. Просвечивающая электронная микроскопия

2.4.3. Исследование морфологии плёнок-композитов

2.5. Измерение толщины плёнок

2.6. Исследование оптических свойств пленок - нанокомпозитов

2.7. Методы измерения электрических параметров плёнок

2.7.1. Измерение удельного сопротивления четырехзондовым методом

2.7.2. Измерение удельного сопротивления методом Ван-дер-Пау

2.7.3. Измерение электрических параметров плёнок с помощью эффекта Холла

2.8. Методика измерения газовой чувствительности плёнок-нанокомпозитов

Выводы ко второй главе

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ И ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК

НАНОКОМПОЗИТОВ 8п02 : гЮ

3.1. Структура и основные электрофизические параметры пленок

БпОг: ЪхОг

3.2. Стабилизирующий изотермический отжиг нанокомпозита ЭпОг: 2г

3.3. Исследование оптических свойств нанокомпозита 8п02: Zr

3.4. Исследование электрических параметров нанокомпозита 8п02: Zr

3.5. Исследование температурной зависимости поверхностного сопротивления нанокомпозита 8п02: ZrO

3.6. Газочувствительные свойства нанокомпозита 8п02: 88 Выводы к третьей главе

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ НА1ТОКОМ1ЮЗИТОВ 8пОо С

ДОБАВЛЕНИЕМ МНОГОСТЕННЫХ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК

4.1. Стабилизирующий изотермический отжиг нанокомпозитов

8ПС>2 : МУНГ

4.2. Исследование электрических параметров нанокомпозитов

БпОг :МУНТ

4.3. Исследование температурной зависимости поверхностного сопротивления нанокомпозита 8пОг : МУНТ

4.4. Газочувствительные свойства нанокомпозита 8п02 : МУНТ 114 Выводы к четвертой главе 124 ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ 126 Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электрофизические свойства нанокомпозитов на основе SnO2: ZrO2 и SnO2 с добавлением многостенных углеродных нанотрубок»

Актуальность темы. В современном мире человечество довольно часто сталкивается с проблемой контроля состояния окружающей среды. Проблема определения содержания в воздухе токсичных и взрывоопасных газов достаточно актуальна в различных областях нефтеперерабатывающей, нефтехимической и химической промышленностей, при производстве пластмасс и металлов, при добыче, транспортировке и использовании природного газа, при работе в шахтах. Для решения этой проблемы разработаны различные датчики токсичных газов.

Наиболее распространенными являются датчики на основе металлоок-сидных полупроводников таких как БпОг, ZtlO, Хт02 и других. Принцип действия металлооксидных датчиков обусловлен изменением их поверхностного электросопротивления при адсорбции молекул газа. Электросопротивление изменяется пропорционально концентрации контролируемого газа в воздухе. Величина газового отклика поликристаллической сенсорной пленки определяется долей поверхностных атомов, взаимодействующих с газом, относительно количества атомов в объеме зерна, поэтому с уменьшением размера зерен поликристалла повышается адсорбционная активность поверхностных состояний во взаимодействии пленок с газами, что приводит к увеличению чувствительности поликристаллической пленки к газам и к снижению рабочих температур сенсорных элементов.

Одним из способов уменьшения размеров зерна является использование многокомпозитных металлооксидов, которые не образуют между собой химических соединений. Например, ранее было показано, что в результате синтеза нанокомпозита, содержащего БпОг и 8102, удается изготовить пленки с размером зерна 3 5 нм и с высокими метрологическими характеристиками. В то же время не изучены возможности синтеза и улучшения газочувствительных свойств нанокомпозитов БпОз с другими оксидами, например ЪхОг

Увеличить количество атомов поверхности, взаимодействующих с газами, можно путем введения в матрицу БпОг одностенных и многостенных углеродных нанотрубок (МУНТ). Имеются научные публикации об успешном использовании композитов с одностенными нанотрубками для улучшения характеристик сенсорных слоев, но мало сведений о влиянии МУНТ на свойства чувствительного элемента датчика газа.

В работе рассмотрены условия синтеза новых перспективных наноком-позитов 8п02 : Zr02 и 8п02 : МУНТ. Такие материалы позволят увеличить величину газовой чувствительности, уменьшить рабочую температуру датчика на десятки градусов Цельсия, уменьшить потребляемую мощность в несколько раз.

Работа выполнялась в соответствии с планом Госбюджетных работ ГБ-04.34 «Исследование полупроводниковых материалов (81, А3В5 и др.), приборов и технологии их изготовления», номер гос. регистрации 0120.0412888 и ГБ-2010.34 «Физические основы технологии и проектирования полупроводниковых изделий микроэлектроники» номер гос. регистрации 01201052625 . Работа выполнена по программе грантов РФФИ-ГФЕН 07-02-92102 и РФФИ 08-02-99005 рофи.

Цель и задачи исследования Цель работы заключается в создании и исследовании новых нанокомпозитных материалов 8п02 : Zr02 и 8п02 : МУНТ для чувствительного слоя датчиков газов с оптимальными метрологическими параметрами. В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие задачи:

1. Оптимизировать режимы изготовления и состав нанокомпозитов 8п02 : Ъх02, синтезированных методом ионно-лучевого реактивного распыления, и 8п02 : МУНТ, изготовленных методом гидролиза хлорида олова.

2. Установить влияние изотермического стабилизирующего отжига и состава нанокомпозитов на электрофизические параметры пленок нанокомпозитов Бп02 : Ъх02 и 8п02 : МУНТ.

3. В зависимости от элементного состава пленок S11O2: Zr02 методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) и просвечивающей электронной микроскопией высокого разрешения (HRTEM) определить морфологию поверхности, размер и структуру зерен нанокомпозита.

4. Определить температурную зависимость величины газовой чувствительности пленок-нанокомпозитов Sn02 : Zr02, изготовленных методом ион-но-лучевого реактивного распыления, и Sn02: МУНТ, изготовленных гидролизом хлорида олова в зависимости от содержания Zr02 и МУНТ, соответственно.

В качестве объектов исследований были выбраны тонкие пленки нанокомпозита Sn02 : Zr02, с различным содержанием примеси циркония от 0,5 до 4,6 ат. %, изготовленные методом ионно-лучевого распыления, а также пленки, изготовленные с помощью гидролиза растворов хлоридов олова и добавлением МУНТ с содержанием от 0 до 6,9 % вес.

Научная новизна. Основные экспериментальные результаты, представленные в работе, получены впервые и заключаются в следущем:

1. В нанокомпозите на основе Sn02 с добавкой Zr02 размер зерен уменьшается от 40 до 10 нм при увеличении содержания примеси циркония от от 0,5 до 4,6 ат. %.

2. Уменьшение размера зерна в нанокомпозите Sn02 : Zr02 от 40 до 10 нм приводит к уменьшению температуры максимальной газовой чувствительности к парам этанола, ацетона и пропанола на несколько десятков градусов Цельсия.

3. Синтезирован композит Sn02: МУНТ с различным содержанием на-нотрубок. Показано, что при увеличении содержания МУНТ до 1,7 % вес. газовая чувствительность увеличивается в4^-9 раз по сравнению с чувствительностью пленок без добавления нанотрубок. Дальнейшее увеличение концентрации МУНТ не увеличивает газовую чувствительность пленки.

Практическая значимость работы. s

1. Разработанные методы синтеза нанокомпозитов Sn02 : Zr02, S11O2 • МУНТ могут быть использованы при изготовлении высокоэффективных датчиков газов.

2. Нанокомпозит, изготовленный добавлением МУНТ до 1,7 % вес. является перспективным материалом для газовой сенсорики.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. При синтезе композитов Sn02 : ZrÜ2 реактивным ионно-лучевым распылением образуются наноструктурированные пленки, размер зерна которых зависит от содержания Zr02 в Sn02 Увеличение содержания примеси циркония в нанокомпозите Sn02 : Zr02 от 0,5 до 4,6 ат. % приводит к уменьшению среднего размера зерна от 40 до 10 нм соответственно.

2. Температура максимальной газовой чувствительности у пленок-нанокомпозитов Sn02 : Zr02 по сравнению с чистой пленкой Sn02 уменьшается практически на несколько десятков градосов Цельсия с уменьшением размеров зерен от 40 до 10 нм.

3. Режимы синтеза нанокомпозитов Sn02: МУНТ методом гидролиза раствора солей олова, физические условия (температура, время) термообработок и кристаллизации пленок Sn02 с МУНТ концентрацией нанотрубок от 0 до 6,9 вес. % для стабилизации электрических параметров пленок.

4. Величина газовой чувствительности композита Sn02 с добавкой МУНТ увеличивается в 4 -ь 9 раз с увеличением концентрации нанотрубок до 1,7 % вес. по сравнению с чувствительностью плёнок без добавления нанотрубок. Дальнейшее увеличение концентрации МУНТ в Sn02 свыше 3,5 % вес. приводит к уменьшению чувствительности до значений, соответствующих чувствительности пленки Sn02 без добавления МУНТ.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и научно - технических семинарах: VIII Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, 2008); Первой международной научной конференции «Наноструктурные материалы» (Минск, 2008); 48

50 научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов, магистров и студентов ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет» (Воронеж, 2008-2010); IX Международной научной конференции «Химия твердого тела: монокристаллы, наномате-риалы, нанотехнологии» (Кисловодск, 2009); XII Международной научной конференции «Релаксационные явления в твердых телах» (Воронеж, 2010); X Международной научной конференции «Химия твердого тела: наноматериа-лы, нанотехнологии» (Кисловодск, 2010).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 19 научных работах, в том числе 3 — в изданиях, рекомендованных ВАК РФ.

В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата, лично соискателю принадлежат: [72-77] — исследование электро-физическихских и оптических свойств пленок-нанокомпозитов 8п-2г-0, [6667, 78-79] - исследование газочувствительных свойств пленок-нанокомпозитов на основе диоксида олова, [68-69] - анализ влияния состава пленок-нанокомпозитов 8п-Ег-0 на их электрофизические свойства, [70-71] - обоснование применения композита 8п-7г-0 в газовой сенсорике, [80] - исследование взаимодействия спеченных пленок 8п02 к различным газам, [81-82] — исследование релаксационных процессов металлооксидных пленок, [84-85] -исследование газовой чувствительности нанокомпозита на основе 8п02 и углеродных нанотрубок, [66-82, 84-85] - обсуждение полученных результатов и подготовка работ к печати.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы из 85 наименований. Основная часть работы изложена на 137 страницах, включает 76 рисунков и 7 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Шматова, Юлия Васильевна

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Апробирован способ изготовления пленок-нанокомпозитов Sn02 : Zr02 методом ионно-лучевого реактивного распыления составной металлической мишени в атмосфере аргона - кислорода. Установлено, что содержание примеси Zr в пленке нанокомпозита Sn02 : Zr02 вдоль подложки уменьшается от 4,6 ат. % до 0,5 ат. %. Исследованы оптические свойства пленок-нанокомпозитов Sn02 : Zr02, экспериментально оценена ширина запрещенной зоны.

2. Определены физические условия (температура, время) термообработок и кристаллизации пленок Sn02, с добавками циркония, для формирования нанокристаллической структуры и развитой поверхности, а также для стабилизации электрических параметров пленок.

3. С помощью атомно-силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения экспериментально показано, что при увеличении содержания примеси Zr от 0,5 ат. % до 4,6 ат. % в пленке Sn02 : Zr02 размер зерен поликристаллов уменьшается от 40 до 10 нм. Величина межплоскостных расстояний в кристаллической решетке отдельных зерен, измеренная с помощью программы Digital Micrograf на большом количестве объектов (более 50), после усреднения составляет 0.33 нм, что с удовлетворительной точностью соответствует межплоскостным расстояниям [001] и параметру кристаллической решетки с = 0.32 нм тетрагонального Sn02. Подтверждается монокристаллическая природа зерен Sn02. Отдельную кристаллическую фазу, соответствующую Zr02, на микрофотографиях обнаружить не удалось.

4. С помощью эффекта Холла методом Ван-дер-Пау найдены подвижность и концентрация свободных носителей заряда, удельное сопротивление для пленок-нанокомпозитов Sn02 : Zr02. Установлено, с ростом содержания примеси циркония концентрация электронов уменьшается почти на 4 порядка, а подвижность увеличивается почти в 9 раз. Определена дебаевская длина экранирования для пленок-нанокомпозитов с различным содержанием примеси циркония и установлены механизмы токопереноса в пленках в зависимости от размера зерна.

5. Исследование газовой чувствительности пленок БпОг, с добавками циркония, показало, что при взаимодействии газа (этанола, ацетона и пропанола) с поверхностью пленки на основе БпОг : Zr02 наибольшая чувствительность проявляется.к парам ацетона, а температура максимальной газовой чувствительности с ростом содержания циркония уменьшается на несколько десятков градусов Цельсия. Увеличение доли атомов на поверхности зерна приводит к увеличению активности поверхностных состояний и к снижению температуры максимальной газовой чувствительности, что в данной работе наблюдалось экспериментально.

6. Отработаны и оптимизированы технологические режимы изготовления пленок методом гидролиза водноспиртовых растворов хлорида олова с добавлением МУНТ с содержанием 0 6,9 % вес. Определены физические условия (температура, время) термообработок и кристаллизации пленок 8п02, с МУНТ для стабилизации электрических параметров пленок.

7. Концентрация свободных носителе заряда в пленках ЭпОг : МУНТ увеличивается на 2 порядка с ростом содержания нанотрубок в пленках, а подвижность электронов уменьшается в 5 раз по сравнению с пленками без добавления МУНТ.

8. Исследования газовой чувствительности пленок 8п02 : МУНТ показали, что повышение величины газовой чувствительности проявляется у пленок с содержанием нанотрубок в количестве до 1,72 % вес. к парам этилового спирта, изопропилового спирта и ацетона в 4 9 раз по сравнению с чувствительностью пленок без добавления МУНТ. Температура максимальной газовой чувствительности у пленок с добавлением нанотрубок лежит примерно в одном интервале.

Таким образом, исследованные нанокомпозиты могут быть использованы для повышения чувствительности сенсорных слоев к различным газам.

Автор выражает признательность и благодарность профессору С. И. Рембезе., профессору М. И. Горлову, доценту Т. В. Свистовой, за помощь в обработке результатов исследования, Б. Л. Агапову, А. Н. Ситникову и А. Ю. Воробьеву за помощь в изготовлении образцов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Шматова, Юлия Васильевна, 2011 год

1. The surface structure of Sn02 (110)(4xl) revealed by scanning tunneling microscopy /F.H. Jones // Surface Science — 1997—Vol.376.—P.367-373.

2. Сообщение о научно-технических работах в республике: Катализ. / А.Ф. Иоффе // Л.: НХТИ, 1930. - 53 с.

3. Адсорбция и катализ на неоднородных поверхностях / С.З. Рогин-ский // М.: АН СССР, 1948. 278 с.

4. Физико-химия поверхности полупроводников / Ф. Ф. Волькенштейн // М.: Наука, 1973. 400 с.

5. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемо-сорбции / Ф.Ф. Волькенштейн // М.: Наука, 1987. 432 с.

6. Реакции в твердых телах и на их поверхности / К. Хауффе // М.: Иностранная литература, 1963. 456 с.

7. Химическая физика поверхности твердого тела / С.Р. Моррисон // М.: Мир, 1982. 583 с.

8. Химические и физические свойства простых оксидов металлов / В.Б. Лазарев, В.В. Соболев, И.С. Шаплыгин // М.: Наука, 1983. 239 с.

9. Электропроводность окисных систем и пленочных структур / В.Б. Лазарев, В.Г. Красов, И.С. Шаплыгин // М.: Наука.-1978.- 168с.

10. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ / А.А. Самсонова// Справочник, М.: Наука, 1978.-390 с.

11. Полупроводниковые сенсоры для физико-химических исследований / И.А. Мясников, В.Я. Сухарев, Л.Ю. Куприянов, С.А. Завьялов // М.: Наука. 1991.

12. Поверхности и границы раздела полупроводников / Ф. Бехштедт, Р. Эндердайн // М.: Мир. 1990.

13. Surface processes in the detection of reducing gases with SnC>2 based devices /.D. Kohl // Sensor and Actuators. - 1989. - Vol. 18. - P.71 - 114.

14. Conduction model in gas-sensing Sn02 layers: grain-size effects and ambient atmosphere influence / N. Barsan // Sensor and Actuators.-1994.- Vol. В.- № 17.-P.241 -246.

15. Химия полупроводниковых наночастиц / Р.Ф. Хайрутдинов // Успехи химии.-1998.-т.67.-С. 125-139.

16. The role of noble metals in the chemistry of solid state gas sensors / D. Kohl // Sensors and Actuators, 1990.- V.B.- P.158-165.

17. Basic Aspects and Challenges of Semiconductor Gas Sensors / Y. Shi-mizu, M. Egashira // J. MRS Bulletin, 1999.- V.24.-№6.- P. 18-24.

18. Gas sensors based on metal oxide semiconductors / H.R. Hubner, E. Obermeier // Sensor and Actuators. 1989. - Vol. 17. - P.351 - 380.

19. Полупроводниковые датчики на основе металлооксидных полупроводников / А.И. Бутурлин, Г.А. Габузян, Н.А. Голованов, И.В. Баранен-ков, А.В. Евдокимов, М.Н. Муршудли, В.Г. Фадин, Ю.Д. Чистяков // Зарубежная электронная техника. 1983. - №10. - С. 3 - 38.

20. Characteristics of semiconductor gas sensors / P. K. Clifford, D.T. Tu-ma // Sensor and Actuators. 1982. - Vol. 3. - P.233 - 254.

21. Conduction model in gas-sensing Sn02 layers: grain-size effects and ambient atmosphere influence / N. Barsan // Sensor and Actuators-1994- Vol. В.- № 17.-P.241 246.

22. Relationship between gas sensitivity and microstructure of porous SnC>2 / C. Xu, J. Tamaki, N. Miura, N. Yamazoe // J. Electrochem. Soc. 1990-Vol.58.-№ 12.-P. 1143 -1148.

23. Grain size effects on gas sensitivity of porous Sn02 based elements / C. Xu, J. Tamaki, N. Miura, N. Yamazoe // Sensor and Actuators-1991. Vol. B.3.-P.147- 155.

24. Study on the sensing mechanism of tin oxide flammable gas ensor using the Hall effect / M. Ippommatsu, H. Ohnishi, H. Saski, T. Matsumoto-// J. Appl. Phys. 1991. - Vol. 69(12). - № 15. - P.8368 - 8374.

25. The tin dioxide gas sensor / J. Watson, K. Ihokura, G.S.V. Colest // Meas. Sci. Technol. -1993. -№ 4. P.717-719.

26. Hall effect measurement to calculate the conduction controlling semiconductor films of Sn02 / M.C. Horrillo, J. Gutierrez, L. Ares, J.I. Robla, I. Saya-go, J. Getino, J.A. Agapito // Sensor and Actuators-1994-Vol. A.- № 41-42-P.619 — 621.

27. Effect of Arsenic Segregation on the Electrical Properties of Grain Boundaries in Polycrystalline silicon / C.Y. Wong, C.R. Grovenor, P.E. Batson, P.A. Smith // J. Appl. Phys.- 1985.-V.57.-№2.-P.438-442.

28. Датчики / Г. M Виглеб // Мир, 1989. 196 с.

29. The tin dioxide gas sensor / J. Watson, K. Ihokura, G.S.V. Coles // Meas. Sci. Technol. -1993. -№ 4. P.711-719.

30. Sn02 based inflammable gas sensor / H. Ihokura // Ph. D. Thesis — 1983-P.52—57.

31. Gas sensors / H.Mitsudo // Ceramic 1980.-№ 15.-P. 339 - 345.

32. Технология полупроводниковых слоев двуокиси олова / Е.М. Панкратов, В.П Рюмин., Н.П. Щелкина // М.: Энергия, 1969 56 с.

33. Gas sensors based on metal oxide semiconductors / H.R. Hubner, E. Obermeier// Sensor and Actuators. 1989. - Vol. 17. - P.351 - 380.

34. Природа изменений физических свойств поликристаллических тонких пленок Sn02, вызванных термообработкой / А.И. Иващенко, И.В. Хо-рошун, Г.А. Киоссе и др. // Кристаллография.- 1997. т. 42. - №5. - С.901-905.

35. Influence of the annealing temperature of non-doped sintered, tin dioxide sensors on their sensitivity and response time to carbon monoxide / E. Bor-nand // Sensor and Actuators. 1983 - № 4.-P.613 - 620.

36. Influence of annealing on the phase composition, transmission and resistivity of Sn02 thin films / G. Beensh-Marchwicka, L. Krol-Stepniewska, A. Mi-siuk // Thin Solid Films.-1984.- V.l 13.-P.215 224.

37. Influence of annealing on the phase composition, transmission and resistivity of Sn02 thin films / G. Beensh-Marchwicka, L. Krol-Stepniewska, A. Mi-siuk// Thin Solid Films.-l984.- Vol.113.-P.215 224.

38. Defect chemistry of antimony doped Sn02 thin films / M. Rekas, Z. Szklarski // Bull. Polish Academy Sci. Chem.-1996.-Vol.44.-№ 3.-P.155-177.

39. Влияние адсорбции свободных атомов и радикалов на электрофизические свойства полупроводниковых окислов металлов / Э.Е. Гутман // Журн. физ. химии. 1984. - Т. LVIII. - Вып.4. - С. 801 - 821.

40. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках / В.Ф. Киселев // М.: Наука, 1970. 399 с.

41. Iijima S., Nature. V. 354, 1991, p. 56.

42. Химия и применение углеродных нанотрубок / Э.Г. Раков // Успехи химии, т.70, № 10, 2001, с.934-973.

43. Gas sensor application of carbon nanotubes, int. Journal of engineering and technology / M.Y. Faizah, A. Fakhrul-razi, R.M. Sider, A.G. Liew Abdulah // v.4,№ 1,2007, p. 106-113.

44. Sensing no 2 with individual suspended1 single walled carbon nanotubes, Sensors and1 actuators, b chemical / T. Heibling, R. Poirie, L. Durer et аГ// v. 132, is. 2, 2008, p. 491-497.

45. Наноматериалы и нанотехнологии в химических и биохимических сенсорах: возможности и области применения / С.Н. Штыков, Т.Ю. Русанова // РХЖ, т.11, № 2, 2008, с.92-100.

46. Sol-gel prepared SWNT Sn02 thin films for micromached gas sensor, nsti-nanotech, 2004, www nsti / J. Gong, Q. Chen // Org. Isbno 9728422-9-2, v.3,2004.

47. Новые направления физического материаловедения / И.В. Золотухин, Ю.Е. Калинин, О.В. Стогней // Воронеж.: ВГУ.- 2000.-360с.

48. Вакуумное нанесение тонких пленок / Б.С. Данилин // М .: Энергия, 1967.-312с.

49. Комбинированная методика измерения газовой чувствительности датчиков / С.И. Рембеза, Т.В. Свистова, Е.П. Новокрещенова // Датчик-97: Тез. докл. научн.-техн. конф.-Крым, Гурзуф, 1997 С. 428-429.

50. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур / В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович // М.: Радио и связь,1985.-284 с.

51. Инструкция к пользованию. Микроинтерферометр Линника МИИ-4. Л.: ЛОМО, 1978.-23 с.

52. Оптические свойства полупроводников / Ю.И. Уханов // М.: Наука, 1977.-366 с.

53. Оптические процессы в полупроводниках / Т. Панков // Пер. с англ.- М.: Мир, 1986.- 456 с.

54. Методы измерения основных параметров полупроводников / С.И. Рембеза // Воронеж.- 1989.- 224с.

55. Измерение параметров полупроводниковых материалов / Н.Ф. Ков-тонюк, Ю.А. Концевой // М.: Металлургия, 1972.-432 с.

56. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур/ В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович // М.: Радио и связь, 1985264 с.

57. The tin dioxide gas sensor / J. Watson, К. Ihokura, G.S.V. Colest // Meas. Sei. Technol. -1993. -№ 4. P.717-719.

58. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования / Е.В. Ку-чис // М.: Радио и связь.-1990.- 264с.

59. Металлооксидные нанокомпозиты для газовой сенсорики / С.И. Рембеза, Е.С. Рембеза, H.H. Кошелева Е.А. Тарасова, Ю.В. Шматова // Первая международная научной конференции «Наноструктурные материалы» (Минск 2008) с. 560-561.

60. Электрофизические свойства нанокомпозитов Sn-Zr-O / T.B. Свистова, Ю. В. Шматова // 48 научно-техническая конференция преподавателей,научных работников, аспирантов и студентов, Воронеж, 2008, каф. ППЭиНЭ.

61. Газочувствительные свойства пленок-нанокомпозитов Sn-Zr-O / С.И. Рембеза, Т.В. Свистова, Ю.В. Шматова // Межвузовский сборник науч- , ных трудов. Твердотельная электроника и наноэлектроника. 2009г с. 105.

62. Электрофизические и оптические свойства нанокомпозита Sn-Zr-O: / Ю.В. Шматова, С.И. Рембеза Т.В. Свистова, Ф.В. Макаренко, Е.С. Рембеза, H.H. Кошелева // Вестник ВГТУ том 5 №6 2009г, с. 159-162.

63. Электрофизические свойства нанокомпозитов Sn-Zr-O / Ю.В. Шматова, С.И. Рембеза, H.H. Кошелева // 49 научно-техническая конференция преподавателей и студентов ВГТУ «Микроэлектроника», Воронеж 20 -23 апреля 2009 (Воронеж, ВГТУ, 2009) с. 4.

64. Электрофизические свойства пленок Sn02 легированных Si и Zr / Ю.В. Шматова, Ф.В. Макаренко, С.И. Рембеза // IX Международная научная конференция «Химия твердого тела: монокристаллы, наноматериалы, нанотехнологии» (Кисловодск 2009) с. 372-373.

65. Газочувствительные свойства-нанокомпозита Sn-Zr-О / Ю.В: Шматова; С.И. Рембеза Т.В. Свистова, Н.Н. Кошелева, Е.С. Рембеза, Ганг Ксю // Вестник ВГТУ, том 6, №1, 20 Юг, с. 16-19.

66. Релаксации металлооксидных пленок при длительном хранении / С.И. Рембеза, Н.Н. Кошелева, Ю.В. Шматова // Релаксационные явления в твердых телах тез.докл.ХН Международной научной, конференции. Воронеж, 2010.С. 132-133.

67. Work functions and valence band states of pristine and Cs-intercalated single-walled carbon nanotube bundles / S. Suzuki, G. Bower, Y. Watanabe // Appl. Phys. Lett. 2000. v. 76. p. 4007-4009.