Исследование хемосорбционного взаимодействия при формировании приповерхностных легированных слоев в полупроводниках и пленок на их поверхности в технологических процессах диффузии и осаждения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, доктор технических наук Королев, Алексей Николаевич

• Королев, Алексей Николаевич
• доктор технических наук
• 1998

Оглавление диссертации доктор технических наук Королев, Алексей Николаевич

1. ВВЕДЕНИЕ

2. ТЕОРИЯ ХЕМОСОРБЦИОННОГО КОМПЛЕКСА ДЛЯ

ПОЛУПРОВОДНИКОВ

2.1. Современные представления теории хемосорбции

2.2.Стохастическая модель образования хемосорбционного комплекса

2.3.Квантовая модель связи в хемосорбционном комплексе

2.4.Квантовая модель поляризации хемосорбционного комплекса при его образовании ;

2.5.Релаксационная модель перегрева в окрестности хемосорбционного комплекса при его образовании

2.6.Выводы

3. ФОРМИРОВАНИЕ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ

ЛЕГИРОВАННЫХ СЛОЕВ ПРИ ГАЗОФАЗНОЙ ДИФФУЗИИ

ПРИМЕСИ

3.1.Механизм образования вакансии в окрестности гетерополярного хемосорбционного комплекса

3.2.Квантовая модель распада гетерополярного хемосорбционного комплекса

3.3.Кинетическая модель накопления примеси в окрестности гетерополярного хемосорбционного комплекса

3.4.Выводы

4. КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ ПЛЕНОК ПРИ ГАЗОФАЗНОМ

ОСАЖДЕНИИ КОНДЕНСАТА

4.1.Механизм активации адатома кондесата в окрестности гомеополярного хемосорбционного комплекса

4.2.Решеточная модель взаимодействия в системе "адатом конденсата - гомеополярный хемосорбционный комплекс"

4.3.Квантовая модель роста гомеополярного хемосорбционного комплекса

4.4.Вывод ы

5. АКТИВАЦИЯ ДИФФУЗИИ ПРИМЕСИ В

ПРИПОВЕРХНОСТНОМ СЛОЕ ПОЛУПРОВОДНИКА

ПОСТОЯННЫМ ЭЛЕКСТРИЧЕСКИМ ПОЛЕМ

5.1.Активация электрическим полем адсорбции примеси

5.2.Активация электрическим полем гетерогенной диссоциации молекул примеси

5.3.Квантовая модель образования гетерополярного хемосорбционного комплекса в электрическом поле

5.4.Нелинейная модель диффузии примеси в приповерхностном слое полупроводника в электрическом

5.5.Формирование приповерхностных легированных слоев в полупроводнике при воздействии электрического поля

5.6.Вывод ы

6. АКТИВАЦИЯ РОСТА ПЛЕНОК НА ПОВЕРХНОСТИ

ПОЛУПРОВОДНИКА УФ-ИЗЛУЧЕНИЕМ

6.1 .Механизм активации УФ-излучением гетерогенной диссоциации молекул конденсата

6.2. Динамическая модель образования гомеополярного хемосорбционного комплекса при воздействии излучения

6.3.Релаксационная модель формирования и роста пленки конденсата при воздействии излучения

6.4.0саждение диэлектрических покрытий на поверхность полупроводника при воздействии УФ-излучения

6.5.Выводы

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Королев, Алексей Николаевич

6.5. ВЫВОДЫ

1. Диссоциация многоатомных молекул конденсата в условиях воздействия излучения осуществляется по гомолитическому механизму, носит гетерогенный характер и заканчивается формированием гомеополярных хемосорбционных комплексов, состоящих из различных радикальных форм конденсата и поверхностных активных центров.

2. На примере разложения тетраэтоксисилана показано, что энергия активации диссоциации может быть снижена воздействием

УФ-излучения почти в 3 раза. Результаты расчета энергии активации диссоциации свидетельствуют о незначительной ее зависимости от длины волны излучения, что подтверждает предположение о преимущественном поглощении энергии излучения поверхностными активными центрами по сравнению с ее поглощением в газовой фазе. Наибольшее снижение энергии активации диссоциации наблюдается в коротковолновой части спектра излучения. Рассчитанные значения энергии активации диссоциации молекул тетраэтоксисилана при УФ-излучении сравнимы с данными по энергии активации пиролитического разложения тетраэтоксисилана, что адекватно снижению температуры в этом процессе на 200-600 градусов.

3. Элементарный акт образования гомеополярного хемосорбционного комплекса при воздействии излучения можно уподобить переходу ангармонического осциллятора из режима вынужденных колебаний с большей амлитудой в резким колебаний с меньшей амплитудой. Стационарная функция распределения осциллятора получается решением кинетического уравнения методом итераций с использованием эффективного гамильтониана, не содержащего явно времени.

4. Расчет кинетики роста пленки конденсата производился сеточно-характеристическим методом, примененным для решения гиперболического уравнения диффузии радикалов в адсорбционном слое подложки. Показано, что определенной однородностью пленка обладает только на начальной стадии ростового процесса; в дальнейшем она значительно уплотняется у поверхности подложки и остается практически неизменной на периферии. Подобная кинетика роста пленки может быть объяснена беззародышевой формой кристаллизации пленочной структуры по типу роста полимерных цепей, в которых начальными звеньями являются гомеополярные

-154хемосорбционные комплексы "радикал - активный центр". Возможно, что по подобному механизму растут пленки 5102 при диссоциации тетраэтоксисилана под воздействием УФ-излучения.

5. Анализ экспериментальных данных по кинетике осаждения диэлектрических покрытий при воздействии УФ-излучения показывает, что свыше 400°С увеличение температуры не влияет на скорость роста пленки 3102, поскольку в этом температурном интервале фотонная активация процесса превалирует над термической. Зависимость скорости роста пленки от времени носит квазилинейный характер, а изменение температуры подложи вызывает только сдвиг кинетической кривой по оси ординат при ее неизменном виде. Снижение температуры приводит к возрастанию концентрации дефектов во всем объеме пленки, и в частности в ее приповерхностном слое.

7. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основные теоретические и практические результаты диссертационной работы можно сформулировать следующим образом:

1. Построена теория химической связи в многоатомных поверхностных системах для полупроводников (теория хемосорбционного комплекса)

- предложено аналитическое описание элементарного акта перехода атома конденсата из адсорбированного состояния в хемосорбированное;

- получено выражение для константы скорости квазихимической реакции образования хемосорбционного комплекса;

- определена величина энергии связи в хемосорбционном комплексе как результат решения задачи Хартри-Фока;

- определена величина поляризации хемосорбционного комплекса в рамках задачи Хартри - Фока;

- сформулированы условия образования гомео - и гетерополярных хемосорбционных комплексов;

- предложено аналитическое описание эффекта "локального разогрева" окрестности хемосорбционного комплекса вследствие его образования;

2. Построена теория преддиффузионного состояния атомов примеси в приповерхностном слое полупроводников:

- предложен механизм образования вакансии в окрестности гетерополярного хемосорбционного комплекса;

- построена квантовая модель распада гетерополярного хемосорбционного комплекса с внедрением атома примеси в структуру полупроводника;

- предложено аналитическое описание эволюции накоплении примеси в окрестности гетерополярного хемосорбционного комплекса;

3. Построена количественная теория предростового состояния атомов конденсата на поверхности полупроводников;

- рассчитаны потенциал взаимодействия адатома конденсата с гомеонолярным хемосорбционным комплексом;

- построена квантовая модель образования и роста зародышей новой фазы на гомеополярном хемосорбционном комплексе;

- определено влияние постоянного электрического поля на адсорбцию примеси поверхностью, полупроводника: электрическое поле не только изменяет энергетические характеристики имеющихся центров адсорбции, но и создает новые центры, величина взаимодействия которых с полярными молекулами коденсата превышает нижнюю границу энергетического эффекта хемосорбции;

- предложен механизм гетерогенной диссоциации многоатомных полярных и не полярных молекул примеси в электрическом поле;

- разработана квантовая модель образования хемосорбционного комплекса в электричесом поле;

- построена нелинейная модель диффузии примеси в приповерхностном слое полупроводника при воздействии внешнего электрического поля: обнаружен эффект фронтальности распределения примеси по толщине приповерхностного слоя;

- определено влияние УФ-излучения на гетерогенную диссоциацию многоатомных молекул;

- разработана динамическая модель образования хемосорбционного комплекса при воздействии излучения;

- разработана концепция формирования пленки, справедливая при радикальном характере фотолиза молекул

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Королев, Алексей Николаевич, 1998 год

1. Теория хемосорбции /Под ред. Смита Дж. М.: Мир, 1983 -344 с.

2. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. -М.: Мир, 1980. 488 с.

3. Старк Дж. П. Диффузия в твердых телах. М.: Энергия, 1980. - 240 с.

4. Ху С. Атомная диффузия в полупроводниках. М.: Мир, 1975. - 410 с.

5. Жданов В.П. Элементарные физико-химические процессы на поверхности. Новосибирск: Наука, 1988. - 287 с.

6. Паташевский А.З., Покровский В.А. Флуктуационная теория фазовых переходов. М.: Наука, 1980. - 342 с.

7. Зи С.М. Физика полупроводников. В.2-х книгах. Кн. 2. М.: Мир, 1984. 426 с.

8. Джафаров Т.Д. Фотостимулированные атомные процессы в полупроводниках. М.: Энергоатомиздат, 1984. 136 с.

9. Вэндик О.Г., Горин Ю.Н., Попов В.Ф. Корпускулярно-фотонная технология. М.: Высшая школа, 1984. - 240 с.

10. Appelbaum J.A., Hamann D.R., Rev. Mod. Phys., 48, 4791976).

11. Lang N.D., Local Density Fotmalism and the Electronic

12. Structure oí Metal Surfaces, in Solid State Physics, Vol.28, ed. by Seitz F., Turnbull D., Ehrenreich H., Academic

13. Press, New York, 1973. p.225.

14. Langreth B.C., Perdew J.P., Phys., Rev., B.15, 28841977).

15. Lander J.J., Prog. Solid State Chem., 2, 26 (1965).-15914. Appelbaum J.A., Hamann D.H., Phys. Rev. Lett. 32, 225 (19T4).

16. Appelbaum J.A. Electronic Structure of Solid Surface, in Surface Physics of Materials, Vol. 1, eel. by Blakely J.M., Academic Press, New York, 1975, pp. 79-119.

17. Appelbaum J.A., Hamann D.H., Phys. Rev., B6, 2166 (1972).

18. Appelbaum J.A., Hamann D.R., Phys. Rev., B8, 1773 (1973).

19. Alldredge J.P., Kleinman L., Phys. Rev., B10, 559 (1974).

20. Schlüter M., Chelikowsky J.R., Louie S.G., Cohen М.1., Phys. Rev., B12, 4200 (1975).

21. Pandey K.C., Philips J.C., Phys. Rev., B13, 750 (1976).

22. Slater J.C., Koster G.F., Phys. Rev., 14, 1408 (1954).

23. Hirabayashii K., J. Phys. Soc. Jpn., 27, 1475 (1969).

24. Pandey K.C., Philips J.C., Phys. Rev., Lett., 32, 14331974).

25. Chadi D.J., Cohen M.L., Phys. Status Solidi (b), 68, 405,1975).

26. Hohenberg P.O., Kohn W., Phys. Rev., 136, B864 (1964).

27. Kohn W., Sham L.J., Phys. Rev., 140, A1133 (1965).

28. Слетер Дж. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел. М.: Мир, 1978. 427 с.

29. Von Laue М., Phys. Rev., 37, 53 (1931).

30. Cohen M.L., Heine V. The Pitting of Psedopotentials to Experimental Data and Their Subseguent Application, in Solid State Physics, Vol. 24, ed. by Ehrenreich H., Seitz P., Turnbull D., Academic Press, New York, 1970, p. 38.

31. Schlüter M., Chelikowsky J.R., Lowie S.G., Cohen M.L., Phys. Rev., Lett., 34, 1385 (1975).

32. Pandey K.C., Phys. Rev., B14, 1557 (1976).-16032. Appelbaum J.A., Hamann D.R., Phys. Rev., Lett., 31, 106 (19T3).

33. Appelbaum J.A., Baraff G.A., Hamann D.R., Phys. Rev., B11, 3822 (1975); 12, 5749 (1975).

34. Schiler R.E., Farnsworth H.F., J. Ghem. Phys., 30, 917 (1959).

35. Appelbaum J.A., Baraff G.A., Hamann D.R., Phys. Rev., Lett., 35, 729 (1975); Phys. Rev. B, 588 (1976).

36. Hohenberg P., Kohn W., Phys. Rev., 136, B864 (1964).

37. McWeeny R. In Molecular Orbitals in Chemistry, Physic and Biology, ed. by Lowdin P.O., Pullman В., Academic Press, New York, 1964.

38. Hartree D.R. The Calculation of Atomic Structure, John Wiley and Sons, London, 1957.

39. Slater J.C. Phys. Rev., 81, 385 (1951).

40. Koto W., Sham L.J. Phys. Rev., A140, 1133 (1965).

41. Schwarz. Theoret. Chim. Acta, 34, 225 (1974).

42. Глесстон С., Лейдлер К., Эйринг Ч. Теория абсолютных скоростей реакций. М.: ИЛ, 1948.

43. Туницкий H.H. Диффузия и случайные процессы. М.: Наука, 1970.

44. Камке Э. Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям. М„: Наука, 1971.

45. Дункан X., Лыгин В.И. Квантовая химия адсорбции на поверхности твердых тел. М.: Мир, 1980. - 290 с.

46. Волков Д.А., Фистуль В.И. Метод расчета энергии связи изовалентных и изоэлектронных примесей в тетраэдрических полупроводниках. //ФТП. 1993. - Т. 27, Вып. 3. - С. 431-437.-16147. Sichel J.M., Whitehead M.A. Theor. Ghim. Acta, 11, 220 (1968).

47. Debye P. Vortage über die Kineticsche Theorie der Materie und der Elektrizität В., 1914.

48. Тихонов A.H., Самарский A.A. Уравнения математической физики. М.: Наука, 1972. - 736 с.

49. Maxwell J.C. On the Dynamical Theory of Gases. Phylos. Trans. Roy. Soe., 1867, Vol. 157, P. 49-68.

50. Молекулярные постоянные неорганических соединений. Справочник. /Под ред. Кранова К.С. М.: Химия. - 1979. - 448 с.

51. Ерофеев P.C. Химическая связь и тепловое расширение веществ. //Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1991. - Т. 27, № 3. - С. 501-505.

52. Блохинцев Д.И. Квантовая механика. Лекции по избранным вопросам. М.: Атомиздат, 1981. - 287с.

53. Живодеров A.A., Вараксин А.Н. О квантовомеханическом определении энергии активации вакансионной диффузии в кристаллах. //Изв. вузов. Физика. 1988. - № 4. - С. /39 32 *

54. Schlögl F. Chemical Reaction Models for Nonequilibration Phose Transitions //Z. Phys. 1972. - V.253, $1. - P. 147-161.

55. Прокопьев Е.П. Возможные химические реакции для случая неравновесных фазовых переходов в атмосфере дефектов кремния. //ФизХОМ. 1992. - * 4. - С. 107.

56. Lennard Jones J.E. // Trans. Paradey Soc., 1932. V.28. P.333.

57. Kramers W.A., Wannier G.H. Phys. Rev., 60, 252, 263,-1621941 .

58. Хилл Т.Л. Статистическая механика. Изд -во иностр . лит., М., I960.

59. Вернов А.В., Лопаткин А.А. Вычисления термодинамических функций одномерной решеточной модели адсорбции матричным методом. //Коллоидный журнал. 1978. - Т.XL, Л I. - С. 18-24.

60. Steele W.A. The Interaction of Gases With Solid Surfaces, the International Encyclopedia of Phisleal Chemistry and Chemical Physics, Topic 14., vol.3.»Pergamon Press, 1974.

61. Bader R.F., Beddall P.M. J. Chem Phys., 1972, vol.56, p.3320.

62. Татевский B.M. Квантовая механика и химическое строение молекул. //ДАН СССР, 1991, т. 318, Ш, с.643-646.

63. Bathaei F.Z. Silicon device miniaturization and its effect on processing techniques //Semicond. Sci. and Technol. 1990.- V:5, №10. - P.1-10.

64. Hirose M. Future very-large-scale Integration technology. //Mater. Sci. and Eng. 1988. - v.1, JG-4.-P.213-220.

65. Сеченов Д.А. Исследование технологических процессов изготовления ВМС и их особенности, связанные с размерными эффектами. //Электронная техника. Сер. "Микроэлектроника". 1976, Вып.З, с.34-41.

66. Палиенко А.Н., Сеченов Д.А., Чистяков Ю.Д. Диффузия из газовой фазы под действием внешнего электрического поля. //Изв. АН СССР. Сер. неорган, матер. 1971. - Ш. -с.1253-1254.

67. Чистяков Ю.Д., Гришин В.М., Райнова Ю.П. Газоразрядная эпитаксия и диффузия в электрическом поле // Обзоры по

68. ЭТ. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1976. -Вып.5. - С.87.

69. Л.с. 1545843 СССР. Способ легирования полупроводниковых структур. /Сеченов Д.А., Котов В.П., Козлов В.М., Беспятов В.В., Петров В.В. 4419608; Приоритет 04.05.89.

70. Зи С.М. Физика полупроводников. В 2-х книгах. Кн.1 М.: Мир, 1984. - 456 с.

71. Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1970. 400 с.

72. Тимофеев Д.П. Кинетика адсорбции. М.: Изд-во ЛИ СССР, 1962. -252 с.

73. Волькенштейн Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников. -М.: Наука, 1973. 400 с.

74. Курс физической химии. Т. 1./Под ред. Герасимова Я.И. М.: Химия, 1964. - 624 с.

75. Блок Д., Зандерна А. Применение полевой ионной масспектроскопии при исследовании поверхности. //Методы анализа поверхностей. /Под ред. Задериьг А. М.: Мир, 1979. - С. 464-542.

76. Термодинамические свойства индивидуальных веществ, Справочник в 2-х т. /Под ред. Глушко В.П. М.: Изд-во АН СССР, 1962. - 1001 с.

77. Кантро Д., Брунауэр С., Коплэнд Л. Применение теории БЭТ к определению площади поверхности. / / В кн. А. Боонстры. Поверхностные свойства германия и кремния. -М.: Мир, 1970. С. 138-157.

78. Зенгуил Э. Физика поверхности. М.: Мир, 1990. - 536 с.

79. Стромберг А.Г., Семченко Э.П. Физическая химия. М.: Высш. шк., 1983. - 480 с.- 16480. Физическая энциклопедия. Т.1. /Под ред. А.Н.Прохорова. М.: Сов. энциклопедия, 1988. - 472 с.

80. Хенней Н. Химия твердого тела. М.: Мир, 1971. - 224 с.

81. Энергия разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону. М.: Наука, 1971. ■ 224 с.

82. Физико-химические свойства окислов. Справочник. /Под ред. Самсонова Г.В. • М.: Металлургия, 1978. 472 с.

83. Киселев Ф.В., Крылов О.Ф. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках. ■ М.: Наука, 1979. -236 с.

84. Герасимов В.В., Герасимова В.В., Самойлов А.Г. Энергия активации реакций при гетерогенном катализе. //Докл. РАН, 1992. Т. 322, N 4. - С. 744-748.

85. Агафонов А.И., Валиев К.А., Махвиладзе Т.М. Гашение и усиление хемосорбции нейтральных частиц электрическим полем на поверхности диэлектрика. / /Поверхность. Физика, химия, механика, 1991. N 5. - С. 35.

86. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. М.: ГИФ МЛ, 1961. -463 с.

87. Фикс В.Б. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках (электроперенос). М.: Наука, 1969. - 296 с.

88. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. -Л.: Наука, 1972. 384 с.

89. Абдуллаев Г.Б., Джафаров Т.Д. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах. М.: Атомиздат, 1980. - 280 с.

90. Левич В.Р. Физико-химическая гидродинамика. М.: Физматгиз, 1959. - 789 с.-16592. Гудмда Т. Применение интегральных методов в нелинейных задачах нестационарного теплообмена. //Проблемы теплообмена. М.: Атомиздат, 1967. С.41-66.

91. Калиничев А.И. Теория фронтальной динамики сорбции для произвольных выпуклых и вогнутых изотерм. //ИФЖ. 1978. Т. 34. М. - С. 667-672.

92. Peled A. Photodeposition and related photoassisted thin film processes //Thin Solid Films. 1992. V. 218. №1-2. P.1-320.

93. Klumpp A., Sigmund H. Deposition of hight quality S102 layers from TEOS by Eximer laser //Appl. Surf. Sei. 1989. V.36. P. 141-149.

94. Герасимов B.B., Герасимова B.B., Самойлов А.Г. Энергия активации реакций при гетерогенном катализе. //Доклады РАН. Сер. хим.- 1992. Т.322. М, . -С. 744-748.

95. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника: Справочник. Киев: Наук, думка, 1975. 703 с.

96. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Механика. М.: Наука. 1965. -217 с.

97. Дмитриев А.П. , Дьяконов М.И. Активационный и туннельный переходы между двумя режимами вынужденных колебаний ангармонического осциллятора. // ЖЭТФ, 1986. Т.90. Вып.4. - с.1430-1440.

98. Колесников n.M. Методы теории переноса в нелинейных средах. Минск, 1981. - 302 с.

99. Рогачев A.B., БУШ М.В., Харитонов В.В. Диффузионно -релаксационная модель формирования граничных слоев полимеров в адгезионных соединениях. //ИФЖ. 1982. Т.1. XLIII, №2. С. 612-619.

100. Поверхностные свойства твердых тел. Под ред. М. Грина. М.: 1972. 524с.

101. Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

102. Жорник А.И., Королев А.Н., Меленевский И.П. Некоторые особенности режима в сварочной ванне при сварке плавлением. -Тез.док. Обл. НТС "Упрочнение деталей машин и технологического инструмента сваркой и наплавкой". Ростов-на-Дону, 1974. -С.32-34.

103. Королев А.Н., Кричевский Г.Е. Математическое описание кинетики процесса фиксации красителя волокнистым материалом. Тез.док. Всесоюз. НТК "Современные методы отделки текстильных материалов". -Душанбе, 1980. -С.44-45.

104. Королев А.Н., Кричевский Г.Е. Обобщенное математическое описание процесса периодического крашения. -Изв.вузов. Химия и хим. тех-гия, 1980, №6. -С.52-56.

105. Реутский В.А., Олтаржевская Н.Д., Королев А.Н., Кричевский Г.Е. Исследование диффузии красителей в системе полимер-полимер и метод ее оценки. -Изв.вузов. Химия и хим. тех-гия, 1983, №7. -С.886-888.

106. Королев А.Н., Кричевский Г.Е. Кинетика процесса непрерывного крашения. -Изв.вузов. Химия и хим. тех-гия, 1983, №9. -С.1114-1117.

107. Королев А.Н., Кричевский Г.Е. Молекулярно-кинетический механизм массопереноса красителя в элементарных волокнах. -Изв.вузов. Химия и хим. тех-гия, 1986, №2 -С.916-919.

108. Королев А.Н., Милешко Л.П. Распределение температуры в анодных оксидных пленках. Тез.док. Всесоюз. НТК "Электрохимическая анодная обработка металлов". -Иваново, 1988. -С.201.

109. Зенкевич В.Н., Костюченко В.А., Милешко Л.П., Королев А.Н. Меднение в программном импульсном режиме. Тез.док. Зон. НТК "Прогрессивная технология изготовления печатных плат". -Пенза, 1989.-С.123.

110. Барсоков A.A., Цатурова И.А., Королев А.Н. Радиационные эффекты в микроэлектронике (на англ.). -Сб.докл. Между нар. НТК "Актуальные проблемыундаментальных наук". -М.:МГТУ, 1991. -С.97-100.

111. Королев А.Н. Температурные поля в растущих оксидных пленках. -УГежвузов, сб. стат. "Актуальные проблемы микроэлектроники". -Таганрог, ГРТУ, 1991. -С.64-70.

112. Коробок C.B., Королев А.Н., Милешко Л.П. Программные средства для моделирования на ПЭВМ физико-химических процессов технологии РЭА и ЗБИС (САПР СБИС-92)". -Славское, 1992. ЛьвГУ. -С. 146.

113. Петров В.В., Королев А.Н., Сеченов Д.А. Адсорбция примесного вещества поверхностью кремния в условиях термополевого легирования. -Гез.докл. Обл. НТК, посвящ. Дню Радио. -Ростов-на-Дону, 1993. -С.6-7.

114. Сеченов Д.А., Королев А.Н., Петров В.В., Котов В.Н. Диффузия тегирующей примеси в полупроводнике при воздействии внешнего электрического поля. -Тез.докл. Обл. НТК, посвящ. Дню Радио. -Ростов-на-Цону, 1993. -СЛ.

115. Королев А.Н., Сеченов Д.А., Петров В.В. Активация процесса диссоциации адсорбированных молекул примесного вещества на поверхности кремния при воздействии электрического поля. -Тез.докл. Обл. НТК, посвящ. Дню Радио. -Ростов-на-Дону, 1993. -С.7-8.

116. Милешко Л.П., Королев А.Н., Коробок C.B. Кинетика роста пленок при анодировании поверхностей металлов и полупроводников. -Тез.докл. IX Всесоюз. НТК "Химическая информатика". -Черноголовка, ИФАВ АН СССР, 1993.-С.141.

117. Королев А.Н., Коробок C.B., Милешко Л.П. Компьютерное моделирование процессов анодного окисления металлов и полупроводников. -Гез.докл. IX Всесоюз. НТК "Химическая информатика". -Черноголовка, ИФАВ АН СССР, 1993. -С.300.

118. Королев А.Н., Сеченов Д.А., Петров В.В. Нелинейная модель низкотемпературной диффузии примеси в полупроводниках при наличии постоянного электрического поля. -ФизХОМ, 1993, №5. -С. 100-106.

119. Петров В.В., Королев А.Н., Сеченов Д.А., Котов В.Н. Исследование активируемой электрическим полем диссоциации молекул, адсорбированных поверхностью кремния. -Сб.докл. Всеросс. конференции по эмиссионной электронике. -Москва, МИФИ, 1993. -С.64-66.

120. Сеченов Д.А., Королев А.Н., Петров В.В., Котов В.Н. Механизм процесса термополевого легирования кремния. -Сб. науч.трудов. -М.: МИЭТ, 1993. -С.82-92.

121. Петров В.В., Королев А.Н., Сеченов Д.А. Активация процесса адсорбции молекул примесного вещества на поверхности полупроводника электрическим полем. В кн. "Актуальные проблемы микроэлектроники" / Под ред. Д.А.Сеченова. -Таганрог, ТРТУ, 1993. -С.28-35.

122. Петров В.В., Котов В.Н., Сеченов Д.А., Королев А.Н. Термополевое легирование кремния бором, фосфором и мышьяком. -ФизХОМ, 1994, №2. -С.92-96.

123. Королев А.Н. К теории массопереноса вещества в нетермически активируемых процессах формирования полупроводниковых структур.

124. Гез.док. Всеросс. НТК с междунар. участ. "Актуальные проблемы гвердотельной электроники и микроэлектроники". -Таганрог, ТРТУ, 1994. -С.32.

125. Петров В.В., Королев А.Н. Исследование процесса термополевого легирования кремния. Тез.док. Всеросс. НТК с междунар. участ. "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники". -Таганрог, ТРТУ, 1994. -С.72.

126. Петров В.В., Королев А.Н., Котов В.Н. Вакуумный микрозазор -новый инструмент микроэлектронной технологии. -Тез.док. Всеросс. НТК с междунар. участ. "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники". -Таганрог, ТРТУ, 1994. -С.76.

127. Сеченов Д.А., Петров В.В., Королев А.Н., Котов В.Н. Микроэлектронные технологии в условиях вакуумного микрозазора. Тез.док. Всеросс. НТК с междунар. участ. "Вакуумная наука и техника". - Москва, МИЭМ, 1994.-С.66.

128. Королев А.Н., Сеченов Д.А., Петров В.В. Гетерогенное за-родышеобразование в вакуумном микрозазоре. Тез.док. Всеросс. НТК с междунар. участ. "Вакуумная наука и техника". -Москва, МИЭМ, 1994. -С.42.

129. Королев А.Н., Сеченов Д.А., Поляков В.В. Получение пленок 8Ю2 при гетерогенной диссоциации тетраэтоксисилана при УФ-облучении. ФизХОМ, №2,1995. -С93-100.

130. Королев А.Н., Сеченов Д.А., Петров В.В. Механизм внедрения примеси в приповерхностный слой полупроводника при диффузии. -ФизХОМ, №4,1995. -С 129-132.

131. Королев А.Н., Сеченов Д.А. Преддиффузионное состояние атомов примеси в приповерхностном слое полупроводника. Труды II Всеросс. НТК с междунар. участ. "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники". Дивноморское, ТРТУ, 1995.-С.10-12.

132. Сеченов Д.А., Петров В. В., Котов В.Н., Королев А.Н. Коэффициент диффузии примеси в приповерхностной области полупроводника при термополевом легировании. -Труды II Всеросс. НТК с междунар. участ.- 169

133. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники". Дивноморское, ТРТУ, 1995.-С.29.

134. Королев А.Н., Сеченов Д.А. Предростовое состояние атомов конденсата на поверхности полупроводника. -Труды III Всеросс. НТК с междунар. участ. "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники". Дивноморское, ТРТУ, 1995.-С.15-17.

135. Королев А.Н., Сеченов Д.А. Формирование поверхностных легированных слоев при газофазной диффузии примеси. Изв. вузов. Электроника, 1997 №3-4.-С.35-39.

136. Королев А.Н. Хемосорбционное взаимодейтсвие атомов фосфора с поверхностью (111) кремния. . Труды V Всероссийской НТК с международным участием «Актуальные проблемы твордотельной электроники и микроэлектроники», Дивноморское, 1998.-С.32-33