Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIIIBV и контактов металла/AIIIBV методом атомно-силовой микроскопии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Новиков, Вадим Александрович

• Новиков, Вадим Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Новиков, Вадим Александрович

Введение.

Глава 1. Контакт металл-полупроводник.

1.1 Контакт с ограниченной площадью.

1.2 Неоднородная граница раздела металл-полупроводник.

Глава 2 Методы исследования.

2.1 Атомно-силовая микроскопия.

2.2 Фрактальный подход к исследованию поверхности.

Глава 3. Исследование морфологии и электрофизических свойств поверхностей полупроводников.

3.1 Поверхность подложки п+-СаАз.

3.2 Поверхность эпитаксиального п-СаАэ.

3.2.1 Исходная поверхность п-ваАз.

3.2.2 Входная обработка поверхности п-СаАэ.

3.2.3 Поверхность п-ОаАэ после снятия диэлектрического покрытия

3.2.4 Поверхность п-ваАз после финишных химических обработок

3.3 Влияние стандартных технологических обработок на величину реальной площади поверхности эпитаксиального п-ОаАБ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIIIBV и контактов металла/AIIIBV методом атомно-силовой микроскопии»

Актуальность работы

Развитие микроэлектроники, произошедшее за последние десятилетия, привело к уменьшению латеральных размеров исполнительных элементов интегральных микросхем до нескольких десятков нанометров. Поэтому на современном этапе развития микроэлектроники резко повышаются требования к свойствам поверхности полупроводников, например, шероховатости поверхности, её чистоте, однородности распределения примеси и т.д. на достаточно больших площадях. Это связано с тем, что свойства поверхности определяют электрофизические характеристики границы раздела. Так, например, в работе [1] показано, что именно граница раздела металл-полупроводник определяет высоту барьера и показатель идеальности выпрямляющего контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки.

В условиях промышленного производства полупроводниковых приборов практически невозможно создать идеально гладкую поверхность полупроводника. Это связано с большим числом операций, применяемых в данном производстве: травление в кислотах и щелочах, нанесением фоторезистов, металлизации, диэлектриков и т.д. Все это может привести к изменению геометрии и электрофизических свойств границы раздела на локальном и интегральном уровнях. Поэтому целесообразно проводить исследования свойств поверхности полупроводника на различных стадиях технологического маршрута, для выяснения особенностей формирования границ раздела готовых приборов. Таким образом, можно найти ответ на те или иные отклонения электрофизических характеристик готовых приборов от расчетных.

Наиболее перспективным методом, как для исследований, так и экспресс анализов, является атомно-силовая микроскопия. Данная методика сочетает в себе высокое разрешение, присущее электронным и сканирующим туннельным микроскопам, и при этом не требует сложной подготовки образцов для исследования и обязательной электропроводности. При этом по сравнению с электронными микроскопами данная методика позволяет реконструировать 1 трехмерную топографию выбранного участка поверхности. Сочетание в одном приборе возможности измерения нескольких типов сил взаимодействия, АСМ позволяет с нанометровым разрешением измерять наряду с морфологией электрофизические и магнитные характеристики поверхности.

Цель работы

Целью данной работы является исследование морфологии и электронных свойств поверхности подложек n+-GaAs и эпитаксиальных пленок n-GaAs на разных стадиях стандартного технологического цикла создания диодов с барьером Шоттки, а также контактов метэлл/n-GaAs методом атомно-силовой микроскопии. Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

1. Исследовать влияние стандартных технологических операций на морфологию и распределение поверхностного потенциала подложек n+-GaAs и эпитаксиальных слоев n-GaAs.

2. С применением методов фрактальной геометрии определить влияние' способа обработки на фактическую площадь поверхности GaAs.

3. Изучить распределение контактной разности потенциала по поверхности субмикронных металлических пленок, нанесенных на GaAs.

4. Исследовать распределение 'поверхностного потенциала в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки.

Исследования выполнены на структурах, изготовленных в ОАО «НИИ полупроводниковых приборов», г.Томск.

Научная новизна

1. Экспериментально показано, что используемые при производстве полупроводниковых приборов стандартные технологические операции способны значительно изменить как величину, так и распределение работы выхода поверхности ОаАэ.

2. С применением методов фрактальной геометрии показано, что фактическая площадь поверхности п-ОаАэ, может увеличиваться от 2 до 48 раз по отношению к ее проекции на плоскость ХУ в зависимости от типа химической обработки.

3. Установлено, что величина и распределение поверхностного потенциала металлических пленок субмикронной толщины во многом определяется состоянием границы раздела металл-полупроводник.

4. Впервые проведены прямые измерения электрического поля контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки. На основе экспериментальных данных предложена феноменологическая модель распределения контактной разности потенциала контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки с учетом его периферийной области. Данная модель позволила объяснить наблюдаемые изменения распределения поверхностного потенциала контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки в зависимости от свойств поверхности и конструкции контакта.

5. Впервые с нанометровым разрешением визуализировано локальное распределение проводимости по площади и периферии контакта. Наблюдаемые различия в локальном токопрохождении через контакт обусловлены влиянием межзеренных границ и свойствами периферии контакта.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Используемые при производстве полупроводниковых приборов, стандартные технологические операции приводят к значительному изменению работы выхода п-ОаАз: каждый способ обработки поверхности характеризуется своим значением работы выхода ОаАв.

2. Реальная площадь поверхности ОаАэ после химических обработок во много раз превышает расчетную, определяемую как геометрическая проекция на плоскость ХУ: от 2 до 48, в зависимости от типа обработки.

3. Эффективная работа выхода пленок металла субмикронной толщины, нанесенных на полупроводник, определяемая из величины контактной разности потенциала, полученной методом зонда Кельвина, включает в себя дополнительный вклад, обусловленный свойствами границы раздела металл-полупроводник.

4. Впервые проведены прямые измерения электрического поля контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки методом зонда Кельвина. На основе полученных данных предложена феноменологическая модель распределения контактной разности потенциала контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки с учетом его периферийной области.

Практическая ценность

1. Методы атомно-силовой микроскопии можно эффективно использовать при разработке новых технологических процессов формирования контактов металл -полупроводник.

2. Результаты исследования контактной разности потенциалов и проводимости в структурах Ме/ОаАБ могут быть использованы при конструировании полупроводниковых приборов и модельных расчетах их характеристик.

При анализе электрических характеристик контактов металл-полупроводник, например, вольт-амперных, необходимо учитывать фактическую площадь границы раздела металл-полупроводник.

Публикации и апробация работы

Основные результаты работы докладывались на Международной конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии - Крымико» (г.Севастополь, 2009, 2010гг.), Международной конференции по физике полупроводников «Полупроводники 09» (г.Томск, 2009 г.), Международной научно-практической конференции «Актуальные проблемы радиофизики АПР

2010» (г.Томск, 2010 г.), Российской научно студенческой конференции «Физика твердого тела» (г.Томск, 2008, 2010), 11-ой Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (г.Санкт-Петербург, 2009 г.), 16-ой Всероссийской научной конференции студентов физиков и молодых ученых (г.Волгоград, 2010 г.).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 5 статей в научных рецензируемых журналах, входящих в перечень ВАК. Опубликовано 12 тезисов в материалах международных и российских конференций.

Структура и содержание работы

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения и 3 приложений. Содержит 56 рисунков, 35 формул и 8 таблиц, библиографический список включает 70 наименований — всего 133 страницы.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Новиков, Вадим Александрович

Основные результаты и выводы

В процессе исследования контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки методом атомно-силовой микроскопии было показано, что на картину распределения поверхностного потенциала значительное влияние оказывает геометрия контакта. Данное влияние хорошо согласуется с моделью ограниченного контакта, предложенной в работе [5].

1. Впервые проведены прямые исследования распределения электрического поля по периферии контакта с применением метода зонда Кельвина. На основе экспериментальных данных предложена физическая модель распределения электрических полей в реальных КМП с БШ. Модель, описывает следующие области:

• Область полупроводника вдали от периферии контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки. Величина КРП в данной области соответствует разности работ выхода зонда и поверхности полупроводника.

• Область металлизации1 вдали от границы КМП с БШ. Величина КРП в данной области зависит не только от разности работ выхода металл и зонда, но и от дополнительного вклада, обусловленного свойствами границы раздела КМП.

• Область ореола. Внутри данной области наблюдается линейное изменение КРП по мере приближения зонда к периферии КМП с БШ. Данное изменение поверхностного потенциала обусловлено наличием дополнительного электрического поля периферии контакта, которое зависит от величины изгиба поверхностных зон, концентрации легирующей примеси в полупроводнике, типа и толщины металлизации.

• Область плавного изменения КРП внутри контакта. Данная область также обусловлена наличием периферийного электрического поля. Величина КРП в данной области изменяется по экспоненциальному закону.

• Область резкого изменения поверхностного потенциала на периферии контакта, описывается Б-образной функцией Больцмана. В данной области сосредоточенна максимальная напряженность электрического поля. Ширина данной области зависит от величины механических напряжений и взаимодействия, электрических полей внутри контакта, описанных в пункте 4.

2. С применением атомно-силовой микроскопии показано, что наличие дополнительного электрического поля по периферии контакта приводит к неравномерной картине проводимости КМП с БШ. Экспериментально показано, что при малых напряжениях периферия контакта обладает наибольшей проводимостью. При увеличении напряжения наблюдается рост проводимости основной площади контакта. 1

3. Картина проводимости при большом увеличении является неоднородной. Неоднородность проводимости обусловлена структурой контакта, определяемой размерами и формой зерен и свойствами межзеренного пространства.

Заключение

В диссертации проведены исследования морфологии и электронных свойств поверхности подложки п+-ОаАБ и эпитаксиальных пленок п-ОаАБ,, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии. Определено влияние стандартных технологических операций на морфологию и распределение поверхностного потенциала полупроводников. Определены факторы, влияющие на величину работы выхода субмикронных металлических пленок, нанесенных на поверхность полупроводника. Проведены исследования распределения поверхностного потенциала контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки. В результате проделанной работы получены следующие основные результаты:

1. Экспериментально показано, что используемые при производстве полупроводниковых приборов стандартные технологические операции способны значительно изменить величину и распределение работы выхода ОаАэ.

2. На основе анализа топографии эпитаксиального п-СаАБ после ряда химических обработок показано, что фактическая площадь поверхности может быть намного (от 2 до 48 раз) больше площади ее проекции на плоскость ХУ. Данный факт необходимо учитывать при анализе экспериментальных данных, например, вольт-амперных характеристик диодов с барьером Шоттки.

3. Установлено, что величина и распределение поверхностного потенциала тонких (субмикронных) металлических пленок во многом определяется состоянием границы раздела металл-полупроводник. Экспериментально измеряемая контактная разность потенциалов отличается от расчетной на величину, связанную с зарядовым состоянием границы раздела.

4. Впервые проведены прямые измерения электрического поля контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки. На основе полученных данных предложена феноменологическая- модель распределения контактной разности потенциала контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки с учетом его периферийной области. Данная модель позволила объяснить наблюдаемые изменения распределения поверхностного потенциала контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки в зависимости от свойств поверхности и конструкции контакта.

Впервые с нанометровым разрешением визуализировано локальное распределение проводимости по площади и периферии контакта. Наблюдаемые различия в локальном токопрохождении через контакт обусловлены влиянием межзеренных границ и свойствами периферии контакта.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Новиков, Вадим Александрович, 2010 год

1. Shin Yih-Cheng, Callegari A., Muracami M., Wilkie E.L., Hovel H.J., ParesI

2. C.C., Childs K.D. Interfacial microstructute of tungsten silicide Schottky contacts to ntype GaAs. //J. Appl. Phys., 1988, v.64, №4, p.2113-2121

3. Божков В.Г., Зайцев С.Е. О представлении вольт-амперной характеристике идеального контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки. //Известия ВУЗов «Физика», 2005, №3, С.81-88

4. Rhoderick Е.Н., Williams R.H. //Metal-Semiconductor Contacts, 2nd ed. -Oxford: Clarendon, 1988

5. Божков В.Г., Зайцев С.Е. Модель тесного контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки. //Известия ВУЗов «Физика», 2005, №10, С.77-84

6. Мамедов Р.К. Контакты металл-полупроводник с электрическим полем пятен. Баку, БГУ, 2003, С.231

7. Marcus R.B., Haszko S.E., Murarka S.P., Irvin J.С. Scanning Electron Microscope Studies of Premature Breakdown Sites in GaAs IM PATT Testers. // J.Electrochem.Soc.: Solid-State Science and Technology. 1974, v.121, №5, p.692-699

8. Sermiento Sere. Influencia de la geometria en el voltaje de ruptura de la union metal-semiconductor. Ciencias tecnicas: Ing. Electr.autom. у comun., 1978, №2, p. 29-43

9. Бузанева E.B. Микроструктуры интегральной электроники. Москва, Сов.радио, 1990, С.304

10. Аскеров Ш.Г., Пашаев И.Г., Шаулова Э.Г. Влияние толщины пленки металла на свойства ДШ. //Спецэлектроника, сер. микроэлектроника, 1986, вып. 1(48), С.74-76

11. Glatzel Th., et al., Kelvin probe force microscopy on III-V semiconductors: theieffect of surface defects on the local work function. //Materials Science and Engineering, 2003, В102, P. 138-142

12. Валиев K.A., Пашинцев Ю.И., Петров Г.В. Применение контакта металл-1 полупроводник в электронике. Москва, Радио и связь, 1980, С.303

13. Гавриловец В.В., Бондаренко В.Б., Кудинов Ю.А., Кораблев В.В. Равновесное распределение мелкой примеси и потенциала в приповерхностной области полупроводника в модели полностью обедненного слоя. //ФТП, 2000, т.34, №4, С.455-458

14. Талонов В.И. Электроника, часть 1. Москва, Госиздательство, 1960, С.516

15. Гершинский А.Е., Ржанов А.В., Черепов Е.И. Образование пленок силицидов на кремнии. //Поверхность: физика, химия, механика, 1982, № 2, С.111-116.

16. Голдберг А.Ю, Поссе Е.А. Переходный процесс при непрерывном и ступенчатом нагревании GaAs поверхностьно-барьерных структур. //ЖТФ, 2001, №71, №9, С.61-65

17. Голубев Т.И., Судакова В.Н., Шредник В.Н. Температурные зависимости 1 работы выхода островков гафния, //ЖТФ,2000, т.70, №12, С.67- 72

18. Гольдберг Ю.А., Поссе Е.А., Царенков Б.В. Механизм протекания прямого тока в GaAs поверхностно-барьерных структурах. //ФТП, 1975, т.9, в.2, С.513-518

19. Губанов А.И. Теория выпрямляющего действия полупроводников. Москва,"Гостехиздат", 1956, 348 с.

20. Давыдов Б.И. О выпрямляющим действии полупроводников. Ж. Физика, 1939, №1, С.167-173

21. Бузанева Е.В., Стриха В.И., Шкавро А.Г. Физические процессы на границе Al-Si, определяющие стабильность и надежность диодов с барьером

22. Шотгки. //Труды П Всесоюзного научно-технического семинара "Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем", Часть 1, Москва, 1981, С.37-39I

23. Zhu Shiyang, Detavernier С., Van Meirhaedre R.L., Qu Xin-Ping, Ru Cuo-Ping,i

24. Cardon F., Li Bing-Zong. А ВЕЕМ stady Schottky barrier hight distributions of ultrathin CoSi2/nSi(100) formed by solid phase eppitaxy. //Semiconductors, Sci.,< and Technol., 2000, v.15, №4, p.349-356

25. Vdovenkova Т., Stricha V., Cardon F., Murhaeghe R.L.,Vanalme G. А ВЕЕМ studies of the PtSi/Si(100) interface electronic structure. //J. Electron Spectrosc. And Relat. Phonem, 1999,v.l05, №1, p.15-19

26. Ru Gu-ping, Qu Xin-ping, Zhu Shi-yang. Schottky contacts of ultrathin CoSi2/ nSi(lOO) formed by solid phase eppitaxy. //Chin. J. Semiconductor, 2000, v.21, №8, p.778-785

27. Zhu Shi-yang, Pu Guo-ping, Qu Xin-ping, Li Bing-xong. Schottky barrier characteristics of polycrystalline and epitaxial CoSi2-nSi(l 11) contacts formed by solid state reaction. //Chin. J. Semicond., 2001, v.22, №6, p.689-694

28. Characteristics of Schottky contact CoSi2/nSi. //Chin. J.Semiconductor, 2000, v.21,№5,p.473-479

29. Figueredo Domingo A., Zuracovski Mark P., Tlliott Scott S. Schottky barrier lowering ot gallum arsenide by submicron ohmic contacts. //Solid Stade Electron., 1986, v.29, №9, p.959-965

30. Barinov A., Casalis L., Grigoraffi L., Kiskinova M.,Au/GaN interface: Instial stages of formation and temperature-induced effects. //Phys. Rev., 2001, v.63, №8, p.30801-3086

31. Миронов B.Jl. Основы сканирующей зондовой микроскопии. М.: Техносфера, 2004, С. 144

32. Быков В.А. Приборы и методы сканирующей зондовой микроскопии для исследования и модификации поверхностей. Дисс.док.тех.наук, 2000, Государственный НИИ физических проблем им.Ф.В. Лукина, С.393

33. Rachel A Oliver Advances in AFM for the electrical characterization of semiconductors. Rep.Prog.Phys. 2008, 71, P. 1-37

34. Kuntze S.B., Ban D., Sergent E.H., et.al. Electrical scanning probe microscopy: investigating the inner workings of electronic and optoelectronic devices.

35. Nonnenmacher M., O'Boyle M.P., Wickramasinghe H.K. Kelvin probe force microscopy. Appl.Phys.Lett., 1991, 58(25), P.2921-2923

36. Bharat Bhushan Handbook of nanotechnology. Springer, 2004, P.1222

37. Leveque G., Girard P., Skouri E., Yarekha D. Measurements of electric potential ' in laser diode by Kelvin probe forcr Microscopy. // Appl.Surs. Science, 2000, 157, P.251-255

38. Jacobs H.O., Leuchtmann P., Homan O.J., Stemmer A. Resolution and contrast in Kelvin probe force microscopy. Appl.Phys., 1998, v.84, №3, P. 1168-1173

39. Girard P., Ramonda M., Sauel D. Electrical contrast observations and voltage measurements by Kelvin probe force gradient microscopy. //J.Vac.Sci.Technol. B, 2002, 20(4), P.1348-1355

40. Ладутенко K.C., Анкудинов A.B., Евтихиев В.П. К вопросу о точности количественных измерений локального поверхностного потенциала. //Письма в ЖТФ, 2010, т.36, вып.5, С.71-77

41. Doukkali A., Lendain S., Guasch С., Bonnet J. Surface potential of biased pn junction with Kelvin probe force microscopy: application to cross-section devices. //Appl.Sur.Sci., 2004, 235, P.50-512

42. Nazarov A.P., Thierry D. Scanning Kelvin probe study of metal/polymer interface. //Electrochimica Acta, 2004, 49, P.2955-2964117 Ii |

43. Atsushi Kikukawa, Sumio Hosaka, Ryo Imura. Silicon pn junction imaging and ,,1.!1

44. Appl.Phys.Lett., 1995, 66(25), P.3510-3512 1

45. By Yi Luo, Frederic Gustavo, et.al. Probing local electronic transport at the ) organic single-crystal/dielectric interface. //Adv.Mater., 2007, 19, P.2267-2273 |

46. Buh G.H., Chung H.J., Kim C.K. Imaging of a silicon pn junction under applied bias with scanning capacitance microscopy and Kelvin probe force microscopy. //Appl.Phys.Lett., 2000, 77(1), P.106-108

47. Gunter Benstetter, Roland Biberger, Dongping Liu. A review of advanced uiscanning probe microscopy analysis of functional films and semiconductor devices. //Thin Solid Films, 2009, 517, P.5100-5105 jf

48. Ratzke M., Vyvenko O., Yu X., Reif J. Scanning probe studies of electrical I activity at interfaces formed by silicon wafer direct bonding. //Phys.Stat.Sol. С, ( 2007, 4(8), P.2893-2897 |

49. Masamitsu Kaneko, Tatsuya Fujishima, Kentaro Chikamatsu. Direct observation of cross-sectional potential distribution in GaN-based MIS structures by Kelvinprobe force microscopy. //Phys.Stat.Sol. C, 2009, 6(S2), P.S968-S971

50. Ладутенко K.C., Анкудинов A.B., Евтихиев В.П. Прямое наблюдение утечек j неосновных носителей заряда в действующем лазерном диоде методом 1 сканирующей Кельвин-зонд-микроскопии. //Письма в ЖТФ, 2009, т.35, jit вып. 12, С.74-80 j'

51. Анкудинов А.В., Титков А.Н., Laiho R., Козлов В.А. Исследование1распределении потенциала в прямо смещенном кремниевом диоде методом электростатической силовой микроскопии. //ФТП, 2002, т.36, вып.9, С. 1138- | 1143

52. Kelvin probe force microscopy. //Diamond & Related Materials, 2006, 15, P.1378-1382

53. Анкудинов A.B., Котельников Е.Ю., Канцельсон А.А., Евтихиев В.П. Титков А.Н. Микроскопия электрических сил на сколах полупроводниковых лазерных диодов. //ФТП, 2001, т.35, вып.7, С.874-880

54. Вилисова М.Д., Гермогенов В.П., Казтаев О.Ж., Новиков В.А., Пономарев И.В., Титков А.Н. Исследование распределения электрического поля в детекторных структурах на GaAs методом Кельвин-зонд-микроскопии. //Письма в ЖТФ, 2010, т.36,' вып.9, С.95-101

55. Анкудинов А.В., Евтихиев В.П., Ладутенко К.С., Титков А.Н. Laiho R. Сканирующая кельвин-зонд-микроскопия утечек дырок из активной области работающего инжекционного полупроводникового лазерного диода. //ФТП, 2006, т.40, вып.8, С.1009-1016

56. Р. De Wolf, J. Snauwaert, Т. Clarysse, W. Vandervorst, and L. Hellemans Characterization of a point-contact on silicon using force microscopy-supported resistance measurements //Appl. Phys. Lett., 1995, 66 (12), P.1530-1532

57. J. J. Marchand and V. K. Truong Quantitative model for current-voltage characteristics of metal poin,t contacts on silicon rectifying junctions//J. Appl. Phys., 1983,54(12), P.7034-7040

58. Мандельброт Б.Б. Фрактальная геометрия природы / Б. Б. Мандельброт. -М.: Институт компьютерных исследований, 2002. — 656 с.

59. Family F. Dynamics of Fractal Surfaces / F. Family, T. Vicsek. Singapore: World Scientific, 1991. - 376 c.

60. Федер Е. Фракталы: Пер. с англ. /Е. Федер. М.: Мир, 1991.-254 с.

61. Коровкина Н.М. Развитие методов атомно-силовой микроскопии для, контроля электрических и электрофизических параметров объектов > микроэлектроники. //Диссертация на соискание ученой степени кан.тех.наук, ЛЭТИ, СПб., 2006

62. Панин A.B., Шугуров А.Р. Применение фрактального описания для анализа изображений в сканирующей зондовой микроскопии. //Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2003, №6, С.64-71

63. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М., Энергия, 1973, С.656

64. Периодическая таблица химических элементов |"http://environmentalcIiemistiy.com/vogi/periodic/.

65. Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Иванов В.Н. Радиационные эффекты в многослойных омических контактах Au-Ti-Al-Ti-n-GaN. ФТП, 2009, т.43, вып.7, С.904-908

66. Торхов H.A. Поверхностный потенциал контактов металл-полупроводник с барьеромШоттки. //Изв ВУЗов Физика Депонировано в ВИНИТИ № 334-В2008 от 18.04.08

67. Торхов H.A., Новиков В.А. Влияние периферии контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки на их электрофизические характеристики. //ФТП, 2011, том 45, выпуск 1 С.70-86

68. Исследование процессов металлизации и эпитаксии в обеспечение работ по интегральной схемотехникею тчет о НИР (заключ.): рук. Л.Г. Лаврентьева, И.В. Ивонин; исполн.: М.Д. Вилисова и др.. Томск, 1990. - 129 с. -Библиогр.: с.125-129. - № ГР 01900002644