Исследование структуры покрытия и морфологии контактирующей поверхности магнитоуправляемых контактов методом атомно-силовой микроскопии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.02, кандидат технических наук Гололобов, Геннадий Петрович

• Гололобов, Геннадий Петрович
• кандидат технических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат технических наук Гололобов, Геннадий Петрович

ВЕДЕНИЕ.

Глава 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1. Нанесение и исследование тонких контактных гальванопокрытий герконов.

1.1.1. Назначение и роль контактного гальванопокрытия.

1.1.2 Технологические особенности нанесения гальванопокрытия герконов и его контактные свойства.

1.1.3. Информативные параметры оценки качества поверхности гальванопокрытия.

1.2. Обоснование выбора метода исследования.

1.3. Атомно-силовая микроскопия, физико-технические основы и основные методики.

1.3.1. Силовое взаимодействие зонда и образца в АСМ.

1.3.2. Основные элементы, общий принцип работы АСМ и взаимодействия основных элементов.

1.3.3. Основные методы атомно-силовой микроскопии.

Постановка задачи.

1 Глава 2. МЕТОДЫ, УСЛОВИЯ ПРОВЕДЕНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ И

ПОДГОТОВКИ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ОБРАЗЦОВ.

2.1. Конструкция, возможности и особенности сканирующего зондового микроскопа "Смена".

2.2. Возможности программы управления и обработки изображения.

2.3. Система феноменологических характеристик поверхности.

2.4. Тестирование АСМ на образцах с известной геометрией.

2.5. Технология получения исследуемых гальванических покрытий

2.6. Методика исследования образцов.

2.7. Определение толщины. f 2.8. Оценка пористости гальванопокрытий по потенциалу коррозии в НС1.

2.9. Исследование элементного состава контактных покрытий герконов методом электронной оже-спектроскопии.

Выводы к главе 2.

Глава 3. ИССЛЕДОВАНИЕ МОРФОЛОГИЧЕСКИХ

ОСОБЕННОСТЕЙ ПОВЕРХНОСТИ ЖЕЛЕЗОНИКЕЛЕВОЙ ОСНОВЫ В ТЕХНОЛОГИИ НАНЕСЕНИЯ > ГАЛЬВАНОПОКРЫТИЙ.

3.1. Морфология поверхности после механического изготовления контактных площадок (штамповки).

3.2. Исследование микрорельефа поверхности основы при анодном растворении (электрохимической полировке).

Выводы к главе 3.

Глава 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ НАНЕСЕНИЯ ГАЛЬВАНОПОКРЫТИЙ МАЛЫХ ТОЛЩИН В ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТИРУЮЩИХ

ПОВЕРХНОСТЕЙ МК.

4.1. Структура контактного гальванопокрытия (технологические аспекты).

4.2. Эволюция формы и пространственного распределения островков по подложке в процессе электрохимической кристаллизации.

4.3. Ростовые закономерности формирования подслоя золота на поздних стадиях кристаллизации.

4.3.1. Режим стационарного электролиза.

4.3.2. Режим импульсного электролиза.

4.3.3. Роль микрорельефа поверхности подложки при электрохимическом осаждении подслоя золота.

4.4. Морфология контактирующей поверхности на заключительной технологической стадии формирования контактного покрытия.

4.5. Влияние условий осаждения на состояние поверхности гальванопокрытия.

4.6. Исследование влияния состояния контактирующей поверхности на параметры герконов.

Выводы к главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование структуры покрытия и морфологии контактирующей поверхности магнитоуправляемых контактов методом атомно-силовой микроскопии»

Актуальность работы. Магнитоуправляемые герметизированные контакты (герконы) по совокупности присущих им технических характеристик в настоящее время остаются перспективными элементами коммутационной техники, а в ряде случаев, особенно при коммутации маломощных цепей (ток до 10"9 А, напряжение до 10"6 В), герконам практически нет альтернативы. Технология изготовления новых ультраминиатюрных герконов не достаточно отработана и требует научной проработки физических основ процесса нанесения контактного покрытия. Работоспособность, надежность и эксплуатационный ресурс, а также основные причины отказов (залипание, незамыкание и увеличение переходного сопротивления) во многом определяют качество контактного покрытия герконов. Одной из причин повышения сопротивления является возникновение на контактирующей поверхности плохопроводящих пленок, в основном это окислы железа. Выход железа на поверхность из пермаллоя является следствием пористости покрытия. Поры уменьшают область контактирования и являются причиной коррозии. Нестабильности переходного сопротивления способствует шероховатость поверхности контактирования, из-за чего плохо прирабатывается площадка, через которую осуществляется прохождение тока.

Основным методом нанесения контактного покрытия является электрохимическая кристаллизация. Получение гальванопокрытий золота и рутения малых толщин (до 1 мкм) с требуемыми характеристиками при использовании шероховатых подложек в настоящее время остается сложной задачей.

За последние несколько десятилетий было проведено большое количество работ, которые в достаточной степени не решили проблемы, связанные с получением низкопористых покрытий с небольшой шероховатостью. Методы исследования, которые применялись ранее для изучения поверхности контактов (оптическая, растровая и просвечивающая электронная микроскопия), позволяют исследовать локальные дефекты покрытий с существенными ограничениями. Необходимо детальное исследование условий нанесения, влияющих на состояние контактирующей поверхности, а также применение количественно определяемых критериев оценки качества покрытия. Атомно-силовая микроскопия (АСМ), привлеченная в данной работе для исследования покрытий контакт-деталей, в сравнении с вышеперечисленными методами имеет ряд преимуществ, позволяет проводить количественную оценку поверхностной геометрии и в настоящее время занимает лидирующее место в исследовании поверхности твердого тела. Поэтому тема диссертации достаточно актуальна.

Целью диссертационной работы является экспериментальное исследование структуры контактного покрытия и морфологии поверхности контакт-деталей методом АСМ для совершенствования технологии изготовления новых ультраминиатюрных герконов. Достижение этой цели требует решения нескольких взаимосвязанных проблем основными из которых являются:

- разработка методики исследования образцов контактирующей поверхности после различных технологических операций методом АСМ; установление количественно определяемых критериев оценки, наиболее полно отражающих морфологические особенности, связанные с состоянием микрорельефа покрытия;

- исследование поверхности железоникелевой подложки после штамповки и электрохимической полировки, выявление общих особенностей растворения сплава;

- исследование процесса нанесения контактных гальванопокрытий золота и рутения малых толщин при использовании шероховатых подложек; определение влияния условий осаждения на морфологические особенности поверхности покрытия;

- исследование влияния состояния контактирующей поверхности на контактные свойства и эксплуатационно-технические характеристики герконов.

Научная новизна выполненных исследований заключается в том, что впервые:

1. Установлено, что при электрохимическом нанесении контактного гальванопокрытия местами преимущественного зарождения пор являются, образованные в процессе электрохимической полировки подложки, крупные (до 400 нм глубиной) ямки травления.

2. Получены количественные данные об изменении характеристик микрорельефа гальванопокрытия при переходе к импульсному режиму осаждения материала, что позволило обосновать выбор параметров режима.

3. Установлена взаимосвязь между состоянием поверхности контактного гальванопокрытия геркона и его эксплуатационно-техническими характеристиками (переходным сопротивлением и количеством коммутаций до первого отказа).

Научно-практическая ценность результатов работы заключается в следующем.

1. Разработана новая методика определения толщины и пористости покрытия с привлечением АСМ. Она позволяет провести более точное измерение в сравнении с методами, применяемыми в существующем технологическом процессе нанесения гальванопокрытий ультраминиатюрных магнитоуправляемых контактов.

2. Показано, что использование пернифера в качестве материала контакт-деталей наиболее предпочтительно, так как при электрополировке контактирующая поверхность образцов с основой из пернифера имеет менее выраженный рельеф в сравнении с образцами из пермаллоя.

3. Установлено значение критической (минимально возможной) толщины сплошной пленки при золочении контактирующей поверхности равное 120 150 нм.

4. Получены количественные данные о размерах и плотности расположения пор подслоя золота для различных режимов осаждения, что позволяет объективно оценить ход технологического процесса нанесения.

5. Выбраны условия и режим (параметры режима) осаждения способствующие получению контактного гальванопокрытия, с минимально возможными в условиях технологического процесса пористостью и шероховатостью, что в свою очередь улучшило эксплуатационно-технические характеристики ультраминиатюрного геркона.

Реализация результатов работы:

1. Результаты диссертационной работы использованы РЗМКП (г. Рязань) при совершенствовании технологии нанесения контактного гальванопокрытия нового ультраминиатюрного геркона МК-07101.

2. Результаты исследований использовались и используются в учебном процессе: лекционном курсе, разработке дипломных проектов.

Достоверность результатов подтверждается данными тестирования прибора на образцах с известной геометрией поверхности, повторяемостью полученных результатов при сканировании по различным направлениям, большим объемом статистических данных о состоянии поверхности исследуемых образцов. Соответствием экспериментальных результатов теории изменения микрорельефа поверхности при электрохимической кристаллизации, применением комплекса методов исследования.

Научные положения выносимые на защиту:

1. Методика определения параметров микрорельефа поверхности контактов герконов с помощью атомно-силового микроскопа, обеспечивающая количественную оценку шероховатости (1 нм -1 мкм), пористости (1% - 15 %) при минимальном размере диаметра пор до 1 мкм и толщины покрытия (10 нм - 1000 нм) с точностью порядка 10 %.

2. Морфология поверхности контакт-детали после электрохимической полировки в большей степени определяется структурным состоянием сплава и незначительно зависит от условий растворения (перепад высот для образца из пермаллоя составляет 480 нм, а для более совершенного по структуре пернифера - 290 нм).

3.Импульсный режим нанесения гальванопокрытия золота (период 1 мс, скважность 40 %, среднее значение плотности тока до 0,25 А/дм2, толщина 600 нм) в сравнении с непрерывным существенно (с 9 % до 5 %) уменьшает пористость покрытия, обеспечивает более узкий диапазон площади сечения пор (2-3 мкм в диаметре) и округление их формы.

4. Уменьшение шероховатости поверхности контактного гальванопокрытия (с 60 нм до 30 нм) значительно снижает переходное сопротивление герконов и повышает его стабильность в ходе коммутаций, а уменьшение пористости (с 11 % до 6 %) значительно (с 75 % до 95 %) увеличивает количество герконов, работающих без залипания контактов после 5-10 6 срабатываний.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на трех международных и российских научно-технических конференциях, в том числе:

- на Всероссийской межвузовской научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика - 2003". Зеленоград, 2003;

- Международной научно-технической конференции

Радиоэлектроника и энергетика". Москва, 2004;

- На первой международной научно-практической конференции "Магнитоуправляемые контакты (герконы) и изделия на их основе". Рязань, 2005.

По материалам диссертации опубликовано 9 работ, из них 2 — в рецензируемых изданиях РАН. Список публикаций приведен в конце диссертационной работы.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка используемой литературы из 61 наименования. Объем работы составляет 147 страниц машинописного текста, включая 58 рисунков и 5 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Вакуумная и плазменная электроника», Гололобов, Геннадий Петрович

Основные результаты опубликованы в следующих работах

1. Гололобов Г.П., Уточкин И.Г. Сканирующая зондовая микроскопия - современный метод изучения поверхности твердых тел // Межвузовский сборник научных трудов. "Электроника". Рязань, 2003. С. 71-78.

2. Вишняков Н.В., Уточкин И.Г., Гололобов Г.П. Атомно-силовая микроскопия как метод исследования неупорядоченных полупроводников // Межвузовский сборник научных трудов. "Физика полупроводников. Микроэлектроника. Радиоэлектронные устройства". Рязань, 2003. С. 10-14.

3. Гололобов Г.П., Закурдаев И.В. Формирование квантовых точек в системе Ge/Si в условиях электропереноса // Тез. докл. конференции "Микроэлектроника и информатика - 2003". М.: МИЭТ. С. 10.

4. Гололобов Г.П., Арефьев А.С., Трегулов В.Р., Уточкин И.Г., Киреева О.В. Исследование поверхностей магнитоуправляемых контактов методом атомно-силовой микроскопии // Вестник РГРТА. Рязань, 2003. Вып. 13. С. 66-69.

5. Арефьев А.С., Гололобов Г.П., Киреева О.В., Трегулов В.Р., Уточкин И.Г. Использование метода АСМ в технологии производства магнитоуправляемых контактов // Материалы электронной конференции "Электроника — 2003". М.: 2003, секция 3, 2 с. http://www.mocnit.miee.ru/conf.

6. Гололобов Г.П., Уточкин И.Г. Исследование технологических поверхностей магнитоуправляемых контактов методом атомно-силовой микроскопии // Тез. докл. конференции "Радиоэлектроника, электротехника и энергетика". М.: МЭИ, 2004. Т. 2, С. 46.

7. Гололобов Г.П., Арефьев А.С., Трегулов В.Р., Уточкин И.Г. Атомно-силовая микроскопия в исследовании условий совершенствования структуры гальванопокрытий контактных поверхностей. Депонировано в ВИМИ, № Д08949, 2004. 9 с.

8. Арефьев А.С., Гололобов Г.П., Трегулов В.Р. Исследование структуры покрытия и морфологии контактирующей поверхности миниатюрных герконов методом атомно-силовой микроскопии // Материалы первой международной научно-практической конференции "Магнитоуправляемые контакты (герконы) и изделия на их основе". Рязань, 11-14 октября, 2005. С. 43-44.

9. Гололобов Г.П., Зельцер И.А. Образование диссипативных структур при электрохимическом осаждении металлов. // Материалы первой международной научно-практической конференции "Магнитоуправляемые контакты (герконы) и изделия на их основе". Рязань, 11-14 октября, 2005. С. 45-49.

В заключении автор выражает уважение памяти ныне покойного своего первого научного руководителя профессора И.В.Закурдаева и признательность за выбор направления научных исследований. Автор хотел бы поблагодарить профессора В.Р.Трегулова за помощь в работе, обсуждение научных результатов и чуткое отношение, директора регионального центра зондовой микроскопии РГРТУ Н.В.Вишнякова и инженера центра ИГ. Уточкина за помощь в проведении АСМ-исследований, сотрудников Рязанского завода металлокерамических приборов В.М.Ермакова, А.Н.Быкова, О.Г.Локштанову за подготовку экспериментальных образцов и плодотворные дискуссии, а также коллектив кафедры "Промышленная электроника " РГРТУ за моральную поддержку и постоянное внимание к работе. Особую, искреннюю благодарность автор выражает профессору В.С.Гурову, взявшему на себя труд по руководству данной диссертационной работы на заключительном этапе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В работе с целью совершенствования технологии изготовления ультраминиатюрных магнитоуправляемых контактов, методом АСМ исследованы структура покрытия и морфология контактирующей поверхности на стадиях подготовки основы и нанесения гальванопокрытий.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Гололобов, Геннадий Петрович, 2006 год

1. Карабанов С.М., Быков А.Н. Опыт использования рутениевого гальванопокрытия в производстве герконов // Электронная промышленность, 2003, N.4, С.37-42.

2. Отчет по программе обеспечения качества герконов на этапе серийного производства: N 2.30, ПОК-2002, Рязань, РЗМКП,2002, 29с.

3. Abbot W.H. The role of electroplates in contact reliability // In Proc. of 49-th IEEE holm conferece on electrical contacts 2003, Septrmber 8-10, Washington. P. 150.

4. Попович B.A., Гамбург Ю.Д., Сердюченко H.A. и др. // Электрохимия, 1992, Т. 28, С.ЗЗЗ.

5. Трофимов В.И., Осадченко В.А. Рост и морфология тонких пленок. М.: Энергоатомиздат, 1993, 272с.

6. Поветкин В.В., Ковенский И.М. Структура электрохимических покрытий. М.: изд-во Металургия, 1989, 136с.

7. Yoshinobu Т., Iwasaki Н. Scaling analisis of chemical-vapordeposited tungsten films by atomic forse microscopy // Jnp. J. Appl. Phys, 1993, V.32, P. 1562-1564.

8. Руководство пользователя C3M Stand Alone "Смена''-MDT. М.-Гос. НИИ Физ.проблем, 2002.

9. Быков В.А. Приборы и методы сканирующей зондовой микроскопии для исследования и модификации поверхностей. Диссертация на соискание уч. степени д.т.н. - Москва -Гос. НИИ Физ.проблем, 2000 -393с.

10. Артюнов П.А., Толстихина A.JI. Феноменологическое описание характеристик поверхности, измеряемых методом атомно-силовой микроскопии // Кристаллография. 1998. Т.43, N3. С.524-534.

11. Данилов А.И. // Рос. хим. журнал (Журнал Рос. хим. о-ва им Менделеева Д.И.), том 37, вып.63, 1993.

12. Русанова М.Ю., Цирлина Г.А., Петрий О.А., Сафонова Т.Л., Васильев С.Ю. // Электрохимия, 2000, Т.36, С.517.

13. Гололобов Г.П., Уточкин И.Г. Сканирующая зондовая микроскопия -современный метод изучения поверхности твердых тел // Межвузовский сб. научных трудов. "Электроника". Рязань: РГРТА, 2003. С.71-78.

14. Бухарев А.А. Диагностика поверхности с помощью сканирующей туннельной микроскопии // Заводская лаборатория, том 60, N10, 1994, С.15-25.

15. Быков В.А., Лазарев М.И., Саунин С.А. Сканирующая зондовая микроскопия для науки и промышленности // Электроника: Наука, Технология, Бизнес, N5, 1997, С.7-14.

16. Hamaker Н.С. // Physica, 1937, V.4, Р.1058.

17. London F.//Z.Phys. Chem., 1930, V.B11, P.222.

18. Дерягин Б.В., Чураев H.B., Мулер В.М. Поверхностные силы. М.: Наука, 1985, 398с.

19. Лившиц Е.М. //ЖЭТФ, 1995, Т.29, С.94.

20. Hartman U. Theory of van der Waals microscopy // J. Vac. Sci. Technol.

21. B, 1991, V.9, N2, P.465-469.

22. Адамсон А. Физическая химия поверхностей. M.: Мир, 1979, 568с.

23. Woodward J.T., Zasadzinski J.A.N, and Hansma P.K. Precision height measurements of freeze fracture replicas using the scaning tunneling microscope // J. Vac. Sci. Technol. B, 1991, V.9, N2, P.1231-1235.

24. Israelachvili J.N. Intermolecular and surface forces. // London: Academic Press, 1985, 296p.

25. Yaminsky V.V. and Ninham B.W. The hydrophobic force: the lateral enhancement of subcritical fluctuation // Langmuir, 1993, V.9, P.3618.

26. Бухарев A.A., Овчинников Д.В. Диагностика поверхности с помощью сканирующей силовой микроскопии // Заводская лаборатория, 1997, N5,1. C.10-27.

27. Leveque G., Girard P., Belaidi S., Cohen G. Solal effects of air damping in noncontact resonant force microscopy // Rev. Sci. Instrum. V.68(ll), Nowember 1997.

28. Cho S.T., Najafi K., Wise K.D. "Internal stress compensation and scaling ultrasensitive silicon pressure sensor" IEEE TED, Vol 39, N4, 1993, P836-842.

29. Iwamoto A., Yoshinobu Т., Iwasaki H. Stable growth and kinetic rougheing and electroheming deposition // Phys. Lett., 1994, V.72, N25, P.4025-4028.

30. Yeh W.K., Chen M.Ch., Lin M.Sh. Effect of surfase pretreatment of submicron contact hole on selective tungsten chemical vapor deposition // J. Vac. Sci. Technol, 1996, V.B.14, N.l, P. 167-173.

31. Jorgensen J.F., Carnelro. K., Madsen L.L. The scaning tunneling microscope and surface characterization // Nanotechnology, 1998, V.4, P. 152-158

32. Schonenberger C., Alvarado S. F., Ortiz C. Scaning tunneling microscope as a tool to study surfase roughness of sputtered thin films // J. Appl. Phys., 1989, V.66, N.9, P.4258-4261.

33. Reiss G., Brucke H., Vancea J., Lechler R., Hastreiter E. Scaning tunneling microscopy on rough surface-quantitative image analysis // J. Appl. Phys., 1991, V.70, N.l P.523-525.

34. Tabet M. F., Feng S.W., Cox A. J., Urban F. K. Investigation of silver in the ionized cluster beam deposition technique // J. Phys. D: Appl. Phys., 1995, V.28, P.2365-2370.

35. Hegde R.I., Wayne M., Pauson M., Tobin Th.J. Surface topography of doped polisilicon // J. Vac. Sci. Technol., 1995, V.B.13, N.4, P.1434-1441.

36. Новицкий П.В., Зограф И.А. Оценка погрешностей результатов измерений. Л.: Энергоатомиздат. 1991, 304с.

37. Yoshinobu Т., Iwamoto A., Iwasaki Н. Scaling analysis of SiOdSi Interface roughness by ayomic forsemicroscopy // Jpn. Appl. Phys., 1994, V.33, P.383-387.

38. Артюнов П.А. Теория и применение алгоритмических измерений. М.: Энергоатомиздат, 1991, с.61.

39. Гололобов Г.П., Арефьев А.С., Трегулов В.Р., Уточкин И.Г., Киреева О.В. Исследование поверхностей магнитоуправляемых контактов методом атомно-силовой микроскопии. Рязань, 2003, Вестник РГРТА, Вып. 13, с.66-69.

40. Christensen Р.А. Chem. Soc. Rev., 1992, V.21, P. 197.

41. Садофьев С.Ю. Особенности формирования самоорганизующихся наноостровков при эпитаксии германия на профилированные кремниевые подложки в условиях электропереноса, Дисертация на соискание уч. степени к.ф.-м. наук. -РГРТА, Рязань, 2002. - 174с.

42. Galvanische Abscheidung der Platin-metalle galvanotechink. D.-88348 Bad Saulgan. 91, 2000, Heft N.2, P.349-356.

43. Terry Jones. // Metall Finishing. 2001, N.6, P.121-128.

44. Атлас оже-спектров химических элементов и их соединений / Ред. Танаев И.В., Моск.хим.-тенологич. ин-т., 1986, 200с. Деп. в ВИНИТИ 01.09.86, N6359-B.

45. Писаревская Е.Ю., Седова С.С. и др. Электрохимия, 1994, т.30, Вып.7, С. 918-927.

46. Фетисов Г.П., Кариман М.Г., Матюнин В.М. Материаловедение и технология металлов. М.: Высшая школа, 2000, 638 с.

47. Арзамасов Б.Н., Макарова В.И., Мухин Г.Г. и др. Материаловедение: учебник для вузов. М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2001, 648 с.

48. Федосеев В.Б. // Поверхность, 1990, Вып. 8, С.918-927.

49. Халдеев Г.В. // Успехи химии, 1994, т. 63, Вып. 12, С.1044.

50. Халдеев Г.В. Ингибирование растворения металлов. М.: Наука, 1993, 295с.

51. Груев И.Д., Матвеев Н.И., Сергеева Н.Г. Гальваническое серебрение, золочение и паладирование в производстве радиоэлектронной аппаратуры. М.: Радио и связь, 1981, 144с.

52. Варламов А.Г., Григорьев Ю.М., Шкадинский К.Г. // Поверхность, 1991,N.l, С.123.

53. Гамбург Ю.Д. Электрохимическая кристаллизация металлов и сплавов. М.: Янус-К, 1997, 384с.

54. Гнусин Н.П., Коварский Н.Я. Шероховатость электроосажденных поверхностей, Новосибирск, изд-во Наука, 1970, 236с.

55. Кругликов С.С., Коварский Н.Я. // Итоги науки и техники. Электрохимия. М.: ВИНИТИ, 1975, Т.10, С.106 -188.

56. Despich A.R., Popov K.I. // J. Appl. Electrochem., 1971,V.l, P.275.

57. Popov K.I., Maksimovich M.D., Ocokoljich B.M. // Surface Technology, 1980, V.l 1, P.99.

58. Puippe J. CI., Angerer H. // Surface Technology, 1978, V.6, P.287.

59. Полукаров Ю.М., Гранина B.B. // Итоги науки и техники. Элкектрохимия. М.: ВИНИТИ, 1985, Т.22, С.З.

60. Гололобов Г.П., Арефьев А.С., Трегулов В.Р., Уточкин И.Г. Атомно-силовая микроскопия в исследовании условий совершенствования структуры гальванопокрытий контактных поверхностей. Депонировано в ВИМИ, N Д08949, 2004, 9с.

61. Давыдов А.Д. // Электрохимия, 1991, Т.27, С.947.

62. Реализация основных теоретических и экспериментальных результатов заключается в следующем:

63. Результаты, представленные в диссертационной работе, позволили установить причину ограничения степени сглаживания поверхности контакт-детали при электрохимической полировке.

64. Способ определения толщины, основанный на использовании АСМ, дал возможность провести более точное измерение в сравнении с методами, применяемыми в существующем технологическом процессе.

65. Использование результатов данной работы позволило в итоге оптимизировать технологию нанесения тонких контактных покрытий толщиной до 1 мкм и тем самым повысить надежность герконов при их коммутации электрических цепей малой мощности.

66. Геннадия Петровича в учебном процессе.

67. Настоящим подтверждаем, что при проведении учебного процесса по специальности 2004 "Промышленная электроника" в Рязанской государственной радиотехнической академии использовались результаты кандидатской диссертации Гололобова Г.П.

68. Декан ФЭ, к.т.н. Доц., к.т.н.

69. Н.М. Верещагин Н.И. Шадрин