Характеризация наноструктурированных материалов микроэлектроники методами спектральной эллипсометрии и рефлектометрии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, кандидат наук Гайдукасов Рафаэль Алексеевич

• Гайдукасов Рафаэль Алексеевич
• кандидат наук
• 2025

Оглавление диссертации кандидат наук Гайдукасов Рафаэль Алексеевич

Список сокращений

Введение

Глава 1. Методы оптической диагностики структур микроэлектроники, основанные на интерференции и поляризации света

1.1 Оптические методы диагностики структур микроэлектроники

1.1.1 Метод спектральной эллипсометрии

1.1.2 Применение метода спектральной эллипсометрии к хиральным структурам

1.1.3 Метод рефлектометрии

1.2 Основы методов порометрии

1.2.1 Методы порометрии

1.2.2 Основы адсорбционной порометрии

1.2.3 Технологические процессы, основанные на адсорбции в порах диэлектриков с ультранизкой диэлектрической проницаемостью

1.3 Методы решения обратных задач в оптической диагностике материалов63

1.3.1 Обратная задача эллипсометрии и рефлектометрии

1.3.2 Метод регуляризации Тихонова

1.3.3 Машинное обучение для задач спектральной эллипсометрии и рефлектометрии

1.4 Выводы

Глава 2. Разработка и оптимизация методов регуляризации для решения обратной задачи эллипсометрической порометрии

2.1 Применение методов регуляризации к задаче эллипсометрической порометрии

2.2 Верификация метода

2.3 Измерительная установка

2.5 Результаты

2.6 Выводы

Глава 3. Реализация метода спектральной рефлектометрии для оптической in situ диагностики low-k диэлектриков в условиях плазмохимического криогенного травления

3.1 Реализация установки спектрального рефлектометра

3.2 Моделирование изобар адсорбции при криогенных температурах

3.3 Определение оптических характеристик подложки из кремния с помощью спектрального рефлектометра в условиях криогенного травления

3.4 Изобары адсорбции

3.5 Применение машинного обучения к решению обратной задачи рефлектометрии

3.6 Выводы

Глава 4. Исследование оптических свойств хиральных структур методом спектральной эллипсометрии

4.1 Разработка метода формирование массивов наноспиралей

4.2 Исследование оптических свойств массивов наноспиралей методом спектральной эллипсометрии

4.3 Выводы

Заключение

Список литературы

Список сокращений

- ALD - Atomic Layer Deposition (Атомно-слоевое осаждение)

- BET - Brunauer-Emmett-Teller (Метод Брунауэра-Эммета-Теллера)

- BFGS - Broyden-Fletcher-Goldfarb-Shanno (Алгоритм Бройдена-Флетчера-Гольдфарба-Шенно)

- CNN - Convolutional Neural Network (Свёрточная нейронная сеть)

- DL - Deep Learning (Глубокое обучение)

- EMA - Exponential Moving Average (Экспоненциальное скользящее среднее)

- FC - Fully Connected (Полносвязный, как правило, о слое нейросети)

- GCV - Generalized Cross-Validation (Обобщённая кросс-валидация)

- ML - Machine Learning (Машинное обучение)

- MLP - Multilayer Perceptron (Многослойный перцептрон)

- OAD - Oblique Angle Deposition (Напыление под углом)

- PSD - Pore Size Distribution (Распределение пор по размерам)

- RMSE - Root Mean Square Error (Среднеквадратичная ошибка)

- TSVD - Truncated Singular Value Decomposition (Усечённое сингулярное разложение)

- КДБ - Кремний, легированный бором

- КЭФ - Кремний, легированный фосфором

- ПАС - Позитрон-аннигиляционная спектроскопия (англ. PAS)

- СБИС - Сверхбольшая интегральная схема

- ТОЗМ - Теория объёмного заполнения микропор

- УБИС - Ультрабольшая интегральная схема

Введение

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Характеризация наноструктурированных материалов микроэлектроники методами спектральной эллипсометрии и рефлектометрии»

Актуальность работы

Уменьшение размеров интегральных схем и появление устройств на новых физических принципах делает актуальным исследование и внедрение новых материалов. В частности, речь идет о внедрение нанопористых диэлектриках с низкой диэлектрической проницаемостью (low-k) [1] для УБИС и метаматериалах с уникальными оптическими свойствами. Решение задач интеграции (внедрения) новых материалов требует развития методов их характеризации.

Нанопористые диэлектрики с низкой диэлектрической проницаемостью в системах металлизации УБИС помогают снизить энергопотребление и перекрестные помехи (cross-talks) [2], что важно для достижения высоких показателей производительности. С другой стороны, наличие пор значительно влияет на физические и химические свойства материалов: повышение пористости может негативно сказаться на механической прочности пленки, создавая сложности при интеграции пористых диэлектриков в металлизационные системы. Важными параметрами для анализа пористых диэлектриков являются распределение пор по размерам (pore size distribution -PSD), средний радиус пор и общая пористость образца. Методы, основанные на заполнении пор адсорбатом [3], широко используются для определения этих характеристик. Ужесточение проектных норм требует интеграции новых материалов с более точной передачей технологических размеров. Это ставит новые задачи перед методами наноструктурирования, создания материалов и барьерных систем. Одновременно с этим необходимо развивать методы определения параметров нанопористых диэлектриков, чтобы оптимизировать их структуру и улучшить интеграционные свойства.

Проблемы интеграции пористых диэлектриков были успешно решены в коммерческом массовом производстве передовых интегральных схем за рубежом для ИС с проектной нормой 45 нм, но дальнейшее масштабирование

требует решения новых задач, таких как создание новых перспективных методов травления с требуемыми прецизионными характеристиками и низкой привнесенной дефектностью [4]. Особенно активно развивается направление создания новых материалов [5] с альтернативной химической природой, что в будущем потребует разработки и исследования специальных методов травления. При изучении механизмов деградации широко используются различные методы мониторинга свойств пленок. Одним из ключевых аспектов является возможность их применения in situ, поскольку это позволяет не только ускорить процесс измерений, но и исключить влияние атмосферы при выполнении диагностики без разрыва вакуума.

Другим примером наноструктурированных материалов являются метаматериалы. Метаматериалы представляют собой искусственно созданные материалы [6], свойства которых определяются не только их химическим составом, но и структурой на нано- и микромасштабах. Создание метаматериалов с уникальными оптическими характеристиками открывает новые возможности для изучения механизмов взаимодействия света с веществом и их применения в различных областях, таких как лазерные технологии, фотоника и медицина. Одним из актуальных направлений является изучение хиральных метаматериалов, обладающих хиральным откликом [7], то есть способностью материала взаимодействовать с поляризованным светом таким образом, что его свойства зависят от «лево»-или «правоориентированной» структуры материала. Это позволяет создавать устройства с уникальными оптическими функциями, такими как фильтрация, разделение или манипуляция световыми волнами, что существенно расширяет функциональные возможности современных технологий.

Научная актуальность исследования методов обработки данных спектральной эллипсометрии и рефлектометрии определяется необходимостью глубокого понимания структурных и оптических свойств нанопористых диэлектрических материалов с низкой диэлектрической

проницаемостью, а также процессов адсорбции в условиях криогенного травления и понимания влияния травления на их микроструктуру. Исследование оптических характеристик хиральных метаматериалов, проявляющих свойства поляризационной асимметрии, расширяет научные представления в области физики наноструктур, что является важным шагом в развитии современного изучения материалов.

Прикладная актуальность работы связана с развитием возможности контроля технологических процессов микро- и наноэлектроники и характеризации новых материалов. Это обусловлено их способностью обеспечивать неразрушающий и точный in situ контроль параметров тонкопленочных систем. Возможности исследования степени заполнения пор in situ критически важны для понимания и оптимизации процесса криогенного травления, что позволяет обеспечить надежный контроль состояния материала. Оптимизация исследования параметров пористых пленок также является актуальным направлением для разработки новых материалов или подвергнутых обработке. Применение спектральной эллипсометрии и рефлектометрии позволяет определить распределение пор по размерам и вычислить их средний радиус пор. Полученные данные позволяют понять, как структура материала связана с его финальными свойствами -диэлектрическую проницаемость, механическую прочность, термостабильность, и на основе этого возможно целенаправленно оптимизировать технологические процессы для его создания.

Актуальность применения новых метаматериалов определяется их способностью управлять световыми процессами благодаря уникальной структуре. Хиральные метаматериалы показывают значительную оптическую асимметрию, что способствует созданию эффективных поляризаторов, фильтров и сенсоров. Практическое внедрение этих материалов особенно перспективно ввиду возможностей их недорогого массового производства.

Целью диссертационной работы является развитие эллипсометрических и рефлектометрических методов исследования наноструктурированных материалов передовых приборов микро и наноэлектроники, в том числе характеризации нанопористых диэлектриков с ультранизкой диэлектрической проницаемостью, диагностики процессов структурирования таких диэлектриков, методов характеризации хиральных структур для оптоэлектроники.

В работе были поставлены и решены следующие задачи:

1. Модификация установки спектральной эллипсометрии Woollam M2000X для реализации метода эллипсометрической порометрии и разработка специального программного обеспечения для её управления.

2. Разработка алгоритма обработки результатов измерений для получения основных параметров пористых плёнок пленок, применяемых в качестве диэлектрика в УБИС.

3. Создание и реализация конструкции спектрального рефлектометра с оптическим зондом для его интеграции в установку плазменного криогенного травления PlasmaLab Dual System 100 для оптимизации технологических процессов травления.

4. Разработка методики решения обратной задачи рефлектометрии в реальном времени с использованием метода оптимизации.

5. Разработка программного обеспечения на языке Python 3 с интеграцией свёрточных нейронных сетей для решения обратной задачи рефлектометрии.

6. Разработка и практическая реализация способа измерения хиральных характеристик массивов кобальтовых наноспиралей.

Научная новизна

1. Впервые для задачи порометрии при анализе характеристик пористых диэлектриков с низкой диэлектрической проницаемостью (low-k) применен метод регуляризации Тихонова, что обеспечило решение некорректно поставленной задачи определения распределения пор по размерам и низкую чувствительность к шуму в экспериментальных данных.

2. Спектральная рефлектометрия применена для исследования технологических процессов криогенного травления пористых диэлектриков, в результате чего были верифицированы расчетные методы определения заполнения пор сконденсированным плазмообразующим газом при температурах от -100°С до 0°С.

3. Мюллер-матричная спектральная эллипсометрия впервые применена для исследования характеристик структур массивов кобальтовых наноспиралей, что позволило установить их хиральные оптические свойства.

Теоретическая и практическая значимость

В диссертации усовершенствованы подходы к обработке результатов эллипсометрической порометрии, что позволит оценивать структурные особенности нанопористых диэлектриков. Особое внимание уделяется исследованию адсорбции плазмообразующих газов в порах, что способствует глубокому пониманию процессов, протекающих в условиях криогенного травления пористых диэлектриков. Анализ наноспиральных структур с хиральными оптическими свойствами методом спектральной эллипсометрии расширяет базу знаний в области оптики наноматериалов. Практическая значимость диссертационной работы заключается в развитии эллипсометрических и рефлектометрических методов исследования материалов микроэлектроники и технологических процессов их микроструктурирования. Результаты работы позволят производить

мониторинг параметров слоистых систем в реальном времени (in situ) и характеризацию структур с хиральным откликом.

Методология и методы исследования

Экспериментальное исследование проводилось на передовом технологическом оборудовании лабораторного и полукоммерческого уровня. Для исследования изменения толщины и показателя преломления использовалась спектральная эллипсометрия (Woollam M2000X). Метод эллипсометрической порометрии был использован для выявления пористости и анализа распределения размеров пор в изучаемых материалах. Измерение матрицы Мюллера осуществлялось при помощи спектрального эллипсометра (Woollam M2000X). Метаповерхности (наноколонны и наноспирали) наносились методом электронно-лучевого испарения под углом (Оргатория-9). Разработана установка спектральной рефлектометрии на основе спектрометра Ocean Optics HR4Pro, вольфрамового источника света BIM-6210 и Y-образного оптического волокна с осветительными и измерительными жилами. Исследование адсорбции газообразных продуктов и процессов травления при пониженных температурах проводилось в установке криогенного плазменного травления PlasmaLab Dual System 100 (Oxford Instruments, Великобритания). Морфологию и структуру полученных пленок изучали с помощью сканирующей электронной микроскопии (SUPRA-40).

Теоретические подходы включали в себя применение методов для решения некорректно поставленных задач, такие как методы регуляризации Тихонова и SVD разложение. Расчеты были реализованы с помощью интерпретационного языка программирования Python 3 c использованием библиотек Numpy, TensorFlow для реализации модели сверточных сетей и Sklearn.

Положения, выносимые на защиту

1. Применение метода регуляризации Тихонова для решения обратной задачи эллипсометрической порометрии для определения распределения пор по размерам для нанопористых образцов с низкой диэлектрической проницаемостью (low-k) позволяет находить устойчивое решение задачи и показывает низкую чувствительность к шуму в экспериментальных данных.

2. Метод спектральной рефлектометрии, реализованный с использованием применения методов оптимизации и методов машинного обучения в условиях криогенного травления, позволяет определять эффективный показатель преломления пористой пленки, ее толщину, степень заполнения пор адсорбатом, толщину адсорбированного слоя поверх пористого и показатель преломления подложки на длине волны 632,8 нм в реальном времени.

3. Измерения Мюллер-матричной эллипсометрии в стандартной конфигурации компенсатора-анализатора с ограниченным набором данных подтверждают, что спиральные наноструктуры, полученные методом электронно-лучевого испарения на вращающейся подложке, проявляют хиральные оптические свойства.

Достоверность

Обоснованность выводов диссертационного исследования гарантируется за счет применения основополагающих физических теорий и современных методов экспериментов, а также проверки данных с помощью независимых подходов. Методики эллипсометрии, эллипсометрической порометрии и рефлектометрии реализованы с использованием передового научно-технического и исследовательского оборудования. Результаты работы согласуются с данными литературы.

Личный вклад

Автор данной работы принимал непосредственное участие в постановке целей и задач исследований, а также лично выполнял все описанные в диссертации экспериментальные и теоретические исследования. Автором была лично предложена доработка установки спектральной эллипсометрии и сконструирован блок подачи азота с задаваемой степенью насыщенности парами адсорбата для проведения экспериментов по адсорбции на пористых образцах. Для управления блоком автором было разработано специальное программное обеспечение. Алгоритмы расчета распределения пор по размерам были реализованы автором на языке программирования Python 3. Установка спектральной рефлектометрии была разработана автором для использования в условиях криогенного травления на установке криогенного плазменного травления PlasmaLab Dual System 100 (Oxford Instruments, Великобритания). Для ее применения в условиях криогенного травления в реальном времени диссертантом был реализован алгоритм оптимизации Бройдена-Флетчера-Гольдфарба-Шанно (BFGS) и алгоритм, основанный на машинном обучении. Автор лично выполнял эллипсометрические измерения наноспиральных структур с хиральными свойствами и проводил обработку данных и анализ результатов по этому эксперименту. Наноспиральные структуры с хиральными свойствами были предложены и получены д.ф.-м.н. О.С. Трушиным (на тот момент ЯФ ФТИАН, г. Ярославль).

Апробация работы

Результаты исследований были доложены на всероссийских (5 докладов) и международных (10 докладов) конференциях, был сделан доклад на 1 научном форуме:

1. Gaydukasov R.A., Miakonkikh A.V. Application of laser reflectomery for study of adsorption of gases on porous low-k dielectrics during cryo etching.

International Conference on Modern Problems in the Physics of Surfaces and Nanostructures. Yaroslavl, 26-29 Aug 2019. Poster presentation.

2. Гайдукасов Р.А., Мяконьких А.В. Исследование адсорбции газов в пористых диэлектриках при помощи лазерного интерферометра при пониженных температурах. 62-ая Всероссийская научная конференция МФТИ. Москва, Долгопрудный, 18-23 ноября 2019. Устный доклад, секционный.

3. Гайдукасов Р.А., Мяконьких А.В., Руденко К.В. Применение метода регуляризации Тихонова к решению задач эллипсометрической порометрии. 63- яя Всероссийская научная конференция МФТИ. Москва, Долгопрудный, 23-29 ноября 2020. Устный доклад, секционный.

4. Гайдукасов Р.А., Клементе И.Э., Мяконьких А.В., Руденко К.В. Применение интерферометрии и эллипсометрии для прецизионных измерений толщин слоев в процессах плазменного осаждения и травления. 1 -ая всероссийская конференция с международным участием «Газоразрядная плазма и синтез наноструктур» (GDP-NANO 2020). Татарстан, Казань, 2-5 декабря 2020. Устный доклад.

5. Gaydukasov R.A., Miakonkikh A.V. Investigation of nanoporous low-k dielectrics by spectral ellipsometry. The 14th International Conference Micro- and Nanoelectronics - 2021 (ICMNE-2021). Zvenigorod, Moscow Region, 4-8 Oct 2021. Poster presentation.

6. Гайдукасов Р.А., Мяконьких А.В. Исследование нанопористых диэлектриков с помощью эллипсометрической порометрии. 64-ая Всероссийская научная конференция МФТИ. Москва, Долгопрудный, 29 ноября - 03 декабря 2021. Устный доклад, секционный.

7. Гайдукасов Р.А., Мяконьких А.В. Исследование пористых low-k диэлектриков с помощью спектральной эллипсометрии. Национальная научно-техническая конференция с международным участием

«Перспективные материалы и технологии» («ПМТ - 2022»). Москва, 11 апреля 2022. Устный доклад, секционный.

8. Гайдукасов Р.А. Исследование адсорбции в плёнках нанопористых low-k диэлектриков с помощью эллипсометрической порометрии. VII всероссийский молодежный научный форум; Наука будущего - Наука молодых. Новосибирск, 23-26 августа 2022; Устный доклад, секционный.

9. Гайдукасов Р.А., Мяконьких А.В. Исследование адсорбции газов в пористых low-k диэлектриках при помощи метода спектральной рефлектометрии. Национальная научно-техническая конференция с международным участием «Перспективные материалы и технологии» («ПМТ

- 2023»). Москва, 11 апреля 2023. Устный доклад, секционный.

10. Гайдукасов Р.А. Изотермы адсорбции газов в нанопористых low-k диэлектриках в условиях криогенного плазменного травления. IV Международная конференция Газоразрядная плазма и синтез наноструктур. Татарстан, Казань, 6-9 декабря 2023.

11. Трушин О.С., Фаттахов И.С., Попов А.А., Мазалецкий Л.А., Гайдукасов Р.А., Мяконьких А.В. Получение хиральной метаповерхности методом наклонного напыления. (ВИП-2023) XXVI Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью». Ярославль, 21

- 25 августа 2023.

12. Trushin O.S., Fattakhov I.S., Popov A.A., Mazaletsky L.A., Lomov A.A., Zakharov D.M., Gaydukasov R.A., Miakonkikh A.V., Shendrikova L.A. Controlled nanostructuring of magnetic films by oblique angle deposition. The 15th International Conference "Micro- and Nanoelectronics - 2023" (ICMNE-2023), Zvenigorod, Moscow Region.

13. Gaydukasov R., Miakonkikh A. Investigation of gas condensation in pores of nanoporous dielectrics in cryogenic etching conditions. The 15th

International Conference "Micro- and Nanoelectronics - 2023" (ICMNE-2023). Zvenigorod, Moscow Region, 2 - 6 octobre 2023.

14. Gaydukasov R., Miakonkikh A. Application of Machine Learning approach to spectral ellipsometry. The 15th International Conference "Micro- and Nanoelectronics - 2023" (ICMNE-2023), Zvenigorod, Moscow Region, 2 - 6 October 2023.

15. Gusev E., Avdeev S.P., Kislyak P., Sukhanov M., Gaydukasov R., Ren X., Chen D., Han L., Zhang W., Ageev O. Piezoelectric zinc oxide films and polysilicon on isolator structures for MOEMS. The 15th International Conference "Micro- and Nanoelectronics - 2023" (ICMNE-2023), Zvenigorod, Moscow Region, 2 - 6 October 2023.

16. Трушин О.С., Фаттахов И.С., Попов А.А., Мазалецкий Л.А., Гайдукасов Р.А., Мяконьких А.В. Киральные пленочные структуры на основе массивов кобальтовых наноспиралей, получаемые методом наклонного напыления. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (Фотоника 2023). Новосибирск, 04-08 сентября 2023.

Публикации

Материалы диссертации опубликованы в 10 печатных изданиях и журналах, зарегистрирована 1 программа ЭВМ. Из них в список собственный перечень журналов МФТИ входят 7 публикаций, индексируемых Web of Science и Scopus.

ОСНОВНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ АВТОРА ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ Собственный перечень журналов МФТИ

1. Гайдукасов Р.А., Мяконьких А.В., Руденко К.В. Применение метода регуляризации Тихонова в задачах эллипсометической порометрии low-k диэлектриков // Микроэлектроника. 2022. Т. 51. № 4. С. 243-254.

[перевод Gaidukasov R.A., Myakon'kikh A.V., Rudenko K.V. Application of the Tikhonov Regularization Method in Problems of Ellipsometic Porometry of Low-K Dielectrics // Russian Microelectronics. 2022. Т. 51, № 4. С. 199-209.].

2. Gaidukasov R.A., Miakonkikh A.V. Investigation of Gas Condensation in Pores of Nanoporous Dielectrics in Cryogenic Etching Conditions // Russian Microelectronics. 2023. Т. 52, № S1. С. S240-S245.

3. Гайдукасов Р.А., Мяконьких А.В. Применение спектральной эллипсометрии для диэлектрических, металлических и полупроводниковых пленок в технологии микроэлектроники // Микроэлектроника. 2024. Т. 53. № 1. С. 64-74. [перевод Gaidukasov R.A., Miakonkikh A.V. Application of Spectral Ellipsometry for Dielectric, Metal, and Semiconductor Films in Microelectronics Technology // Russian Microelectronics. 2024. Т. 53, № 1. С. 35-43.].

4. Трушин О.С., Фаттахов И.С., Попов А.А., Мазалецкий Л.А., Ломов А.А., Захаров Д.М., Гайдукасов Р.А., Мяконьких А.В., Шендрикова Л.А. Управление магнитной анизотропией и оптическими характеристиками наноструктурированных пленок кобальта методом наклонного напыления // Физика твердого тела. 2023. Т. 65. № 6. С. 996-1001. [перевод Trushin O.S., Fattakhov I.S., Popov A.A., Mazaletsky L.A., Lomov A.A., Zakharov D.M., Gaidukasov R.A., Miakonkikh A.V., & Shendrikova L.A. Tailoring magnetic anisotropy and optical characteristics of nanostructural Co films by oblique angle deposition // Physics of the Solid State. 2023. Т. 65, № 6. С. 953.].

5. Трушин О.С., Фаттахов И.С., Попов А.А., Мазалецкий Л.А., Гайдукасов Р.А., Мяконьких А.В. Киральные метаповерхности на основе массивов co наноспиралей, получаемые методом наклонного напыления // Физика твердого тела. 2024. Т. 66. № 7. С. 1062-1067. [перевод Trushin, O.S., Fattakhov, I.S., Popov, A.A., Mazaletsky, L.A., Gaidukasov, R.A., & Myakonkikh, A. V. Chiral Thin Film Structures Based on Arrays of Cobalt Nanohelices Obtained By Oblique Deposition // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2024. Т. 88, № 9. С.1501-1504.].

6. Miakonkikh, A.V., Chesnokov, Yu.V., Gaidukasov, RA., & Kuzmenko, V.O. Study of ALD-Deposited TaN Properties // Russian Microelectronics. 2024. Т. 53, № 6. С.625-633.

7. Gusev E.Yu., Klimin V.S., Avdeev S.P., Kislyak P.E., Gaidukasov R.A., Wang S., Wang Z., Ren X., Chen D., Han L., Zhang W., Ageev O.A. Terahertz all-dielectric metalens: design and fabrication features // Russian Microelectronics. 2023. Т. 52. № S1. С. S145-S150.

Другие публикации

8. Мяконьких А.В., Гайдукасов Р.А., Кузьменко В.О. Исследование методов анизотропного плазмохимического травления low-k слоев с защитой пористой структуры материала // Вестник Российского фонда фундаментальных исследований. 2023. № 2 (118). С. 88-94.

9. Гайдукасов Р.А., Мяконьких А.В. Программа для анализа в реальном времени данных спектральной рефлектометрии с использованием моделей машинного обучения для решения обратной задачи (SpRA Tool) // Свидетельство о регистрации программы для ЭВМ RU 2023687602, 18.12.2023. Заявка от 01.12.2023.

10. Гайдукасов Р.А., Мяконьких А.В. Исследование адсорбции газов в пористых low-k диэлектриках при помощи метода спектральной рефлектометрии // В сборнике: Перспективные материалы и технологии (ПМТ-2023). Сборник докладов Национальной научно-технической конференции с международным участием Института перспективных технологий и индустриального программирования РТУ МИРЭА. 2023. С. 355357.

11. Gaydukasov R., Miakonkikh A. Investigation of gas condensation in pores of nanoporous dielectrics in cryogenic etching conditions // Abstract book of the International conference Micro- and Nanoelectronics (ICMNE-2023). 2023. P.

Структура и объем работы

Диссертационная работа включает введение, четыре главы, заключение,

список работ, опубликованных по теме диссертации, список цитируемой литературы из 135 наименований и содержит 147 страниц, в том числе 63 рисунка и 6 таблиц.

Глава 1. Методы оптической диагностики структур микроэлектроники, основанные на интерференции и поляризации света

Микроэлектроника является фундаментальной областью современной технологии, обеспечивающей функционирование широкого спектра электронных устройств - от смартфонов и компьютеров до медицинского оборудования и аэрокосмических систем. С уменьшением топологического размера интегральных схем становится важным исследование и использование новых материалов, таких как нанопористые диэлектрики с низкой диэлектрической проницаемостью (low-k) [1]. Одновременно с появлением электронных устройств обработки информации на новых физических принципах (в том числе оптические интегральные схемы) становится актуальна задача разработки метаматериалов [6], обладающих уникальными оптическими свойствами.

Задача снижения RC-задержек, энергопотребления и перекрестных помех (cross talks) привела к необходимости внедрения в системах металлизации УБИС нанопористых диэлектриков с низкой диэлектрической проницаемостью [2], что важно для достижения высоких показателей производительности. С другой стороны, пористость существенно влияет на физические и химические характеристики материалов: увеличение пористости может привести к ухудшению механических свойств пленки [8], что затрудняет интеграцию пористых диэлектриков в системы металлизации. Важными параметрами для анализа пористых диэлектриков являются распределение пор по размерам (pore size distribution - PSD), средний радиус пор и общая пористость образца [9]. Методы, основанные на заполнении пор адсорбатом, такие как эллипсометрическая порометрия [10] и кварцевые микровесы с адсорбцией [3], широко используются для определения этих характеристик. Однако данные методы не чувствительны к закрытым порам,

что ограничивает их применимость. Ужесточающиеся проектные нормы требуют интеграции новых материалов с большей точностью передачи технологических размеров, что ставит новые задачи как перед методами наноструктурирования, создания новых материалов и барьерных систем, а также требует развития методов определения параметров нанопористых диэлектриков, что позволит оптимизировать их структуру и улучшить их интеграционные свойства.

Хотя проблемы интеграции пористых диэлектриков были успешно решены в коммерческом массовом производстве передовых интегральных схем за рубежом для ИС с проектной нормой 45 нм, дальнейшее масштабирование до 7 нм требует решения новых задач, таких как создание новых перспективных методов травления с требуемыми прецизионными характеристиками и низкой привнесенной дефектностью [11, 12, 13]. Особенно активно развивается направление создания новых материалов [5] с альтернативной химической природой, что в будущем потребует разработки и исследования специальных методов травления. При изучении механизмов деградации широко используются различные методы мониторинга свойств пленок. Одним из ключевых аспектов является возможность их применения in situ, поскольку это позволяет не только ускорить процесс измерений, но и исключить влияние атмосферы, проводя диагностику в условиях вакуума без вынесения образца на атмосферу [14].

Другим примером наноструктурированных материалов являются метаматериалы. Метаматериалы представляют собой искусственно созданные материалы [6], свойства которых определяются не только их химическим составом, но и структурой на нано- и микромасштабах. Создание метаматериалов с уникальными оптическими характеристиками открывает новые возможности для изучения механизмов взаимодействия света с веществом и их применения в различных областях, таких как лазерные технологии, фотоника и медицина. Одним из актуальных направлений

является изучение хиральных метаматериалов, обладающих хиральным откликом [7], то есть способностью материала взаимодействовать с поляризованным светом таким образом, что его свойства зависят от «лево»-или «правоориентированной» структуры материала. Это позволяет создавать устройства с уникальными оптическими функциями, такими как фильтрация, разделение или манипуляция световыми волнами, что существенно расширяет функциональные возможности современных технологий.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Гайдукасов Рафаэль Алексеевич, 2025 год

Список литературы

1. Volksen W., Miller R.D., Dubois G. Low Dielectric Constant Materials // Chemical Reviews. - 2009. - Т. 110. - № 1. - С. 56-110.

2. Shamiryan D. и др. Low-k dielectric materials // Materials Today. Elsevier BV, 2004. Т. 7, № 1. С. 34-39.

3. Rouessac V. и др. Three characterization techniques coupled with adsorption for studying the nanoporosity of supported films and membranes // Microporous and Mesoporous Materials. - 2008. - Т. 111. - № 1-3. - С. 417-428.

4. Rezvanov A. и др. Cryogenic etching of porous low-k dielectrics in CF3Br and CF4 plasmas // Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena. - 2017. -Т. 35. - № 2.

5. Rezvanov A. и др. Benzene bridged hybrid organosilicate films with improved stiffness and small pore size // Materials Chemistry and Physics. - 2022. - Т. 290. -С. 126571.

6. Yu N., Capasso F. Flat optics with designer metasurfaces // Nature Materials. -2014. - Т. 13. - № 2. - С. 139-150.

7. Kim J. и др. Chiroptical Metasurfaces: Principles, Classification, and Applications // Sensors. - 2021. - Т. 21. - № 13. - С. 4381.

8. Si L. и др. Mechanical Properties and Interface Characteristics of Nanoporous Low-kMaterials // ACS Appl. Mater. Interfaces. American Chemical Society (ACS), 2014. Т. 6, № 16. С. 13850-13858.

9. Rasadujjaman M. и др. A detailed ellipsometric porosimetry and positron annihilation spectroscopy study of porous organosilicate-glass films with various ratios of methyl terminal and ethylene bridging groups // Microporous and Mesoporous Materials. - 2020. - Т. 306. - С. 110434.

10. Vorotyntsev D., Vishnevskiy A. Characterization of Micro- and Mesoporous films with the Aid of Adsorption Ellipsometric Porosimetry Method // Problems of advanced micro- and nanoelectronic systems development. - 2021. - С. 140-147.

11. Miakonkikh A.V., Kuzmenko V.O., Rudenko K.V. Cryo Plasma Etching of Porous Low-k Dielectrics // High Energy Chemistry. - 2023. - Т. 57. - № S1. - С. S115-S118.

12. Rezvanov A.A. и др. Effect of terminal methyl group concentration on critical properties and plasma resistance of organosilicate low-k dielectrics // Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. - 2020. - Т. 38. - № 3.

13. Michalak D.J. и др. Porosity scaling strategies for low-k films // Journal of Materials Research. - 2015. - Т. 30. - № 22. - С. 3363-3385.

14. Shamiryan D. и др. Comparative study of SiOCH low-k films with varied porosity interacting with etching and cleaning plasma // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena. - 2002. - Т. 20. - № 5. - С. 1923-1928.

15. Tompkins, H G. A user's guide to ellipsometry. // New York: Academic Press. 1993. ISBN 0-12-603050-0

16. Fujiwara H., Collins R.W. Spectroscopic Ellipsometry for Photovoltaics. Volume 1. Fundamental Principles and Solar Cell Characterization-Springer

17. Azzam R.M.A., Bashara N.M. Ellipsometry and polarized light // North Holland Personal Library, Amsterdam. 1977

18. Gaidukasov R.A., Miakonkikh A.V. Application of Spectral Ellipsometry for Dielectric, Metal, and Semiconductor Films in Microelectronics Technology // Russian Microelectronics. - 2024. - T. 53. - № 1. - C. 35-43.

19. J.A. Woollam. CompleteEASE Software Manual for Spectroscopic Ellipsometer ver. 6

20. Cauchy L. Bull. Des. Sc. Math. 1830. V. 14(9)

21. Urbach F. The Long-Wavelength Edge of Photographic Sensitivity and of the Electronic Absorption of Solids // Physical Review. - 1953. - T. 92. - № 5. - C. 1324-1324.

22. Sellmeier W. Ueber die durch die Aetherschwingungen erregten Mitschwingungen der Koerpertheilchen und deren Rueckwirkung auf die ersteren, besonders zur Erklaerung der Dispersion und ihrer Anomalien; // Annalen der Physik. - 1872. - T. 223. - № 12. - C. 525-554.

23. Lee H.W. The Hartmann formula for the dispersion of glass // Transactions of the Optical Society. - 1926. - T. 28. - № 3. - C. 161-167.

24. Conrady, A. E. Applied Optics and Optical Design / A. E. Conrady. - New York : Dover Publications, 1985. - 528 p.

25. Briot M. Essai sur la théorie mathématique de la lumière // Paris, Mallet-Bachelier. Harvard University. 1864

26. Tuck C. Choy // Effective Medium Theory, Clarendon Press, 1999

27. XII. Colours in metal glasses and in metallic films // Philosophical Transactions of the Royal Society of London. Series A, Containing Papers of a Mathematical or Physical Character. - 1904. - T. 203. - № 359-371. - C. 385-420.

28. Bruggeman D.A.G. Berechnung verschiedener physikalischer Konstanten von heterogenen Substanzen. I. Dielektrizitätskonstanten und Leitfähigkeiten der Mischkörper aus isotropen Substanzen // Annalen der Physik. - 1935. - T. 416. - № 7. - C. 636-664.

29. Dolling G. h gp. Negative-index metamaterial at 780 nm wavelength // Optics Letters. - 2006. - T. 32. - № 1. - C. 53.

30. Ziolkowski R.W. Propagation in and scattering from a matched metamaterial having a zero index of refraction // Physical Review E. - 2004. - T. 70. - № 4.

31. Pimenov A., Loidl A. Experimental demonstration of artificial dielectrics with a high index of refraction // Physical Review B. - 2006. - T. 74. - № 19.

32. Rastgordani A., Ghattan Kashani Z. Robust design method for metasurface high-sensitivity sensors and absorbers // Journal of the Optical Society of America B. -2020. - T. 37. - № 7. - C. 2006.

33. Трушин О. и др. Наноструктурирование при наклонном напылении алюминия // Письма в журнал технической физики. - 2021. - Т. 47. - № 12. -С. 31.

34. Barranco A. и др. Perspectives on oblique angle deposition of thin films: From fundamentals to devices // Progress in Materials Science. - 2016. - Т. 76. - С. 59153.

35. Arwin H. и др. Chirality-induced polarization effects in the cuticle of scarab beetles: 100 years after Michelson // Philosophical Magazine. - 2012. - Т. 92. - № 12. - С. 1583-1599.

36. Mendoza-Galvan A. и др. Graded pitch profile for the helicoidal broadband reflector and left-handed circularly polarizing cuticle of the scarab beetle Chrysina chrysargyrea // Scientific Reports. - 2018. - Т. 8. - № 1.

37. Bouligand Y. Liquid crystals and biological morphogenesis: Ancient and new questions // Comptes Rendus. Chimie. - 2007. - Т. 11. - № 3. - С. 281-296.

38. О.П. Семенова. Матричная оптика ISBN 978-5-7944-3842-0

39. Goldstein D H 2010 Polarized Light (Boca Raton, FL: CRC Press)

40. Gil J.J., Bernabeu E. A Depolarization Criterion in Mueller Matrices // Optica Acta: International Journal of Optics. - 1985. - Т. 32. - № 3. - С. 259-261.

41. Chipman R.A. Depolarization index and the average degree of polarization // Applied Optics. - 2005. - Т. 44. - № 13. - С. 2490.

42. Group theory and polarisation algebra Shane R. Cloude 01 Jan 1986 - Optik (Elsevier) - Vol. 75, Iss: 1, pp 26-36

43. Arteaga O., Garcia-Caurel E., Ossikovski R. Anisotropy coefficients of a Mueller matrix // Journal of the Optical Society of America A. - 2011. - Т. 28. - № 4. - С. 548.

44. Arteaga O. Useful Mueller matrix symmetries for ellipsometry // Thin Solid Films. - 2014. - Т. 571. - С. 584-588.

45. Berreman D.W. Optics in Stratified and Anisotropic Media: 4*4-Matrix Formulation // Journal of the Optical Society of America. - 1972. - Т. 62. - № 4. -С. 502.

46. Tellegen B.D.H. The Gyrator, A new Electric Network Element // Philips Res. Rep., 1948, V. 3, P. 81-101.

47. Larsen G.K., Zhao Y. Extracting the anisotropic optical parameters of chiral plasmonic nanostructured thin films using generalized ellipsometry // Applied Physics Letters. - 2014. - Т. 105. - № 7.

48. Clemente I. и др. Nanometer-scale oxidation of Silicon surface by ICP plasma // Journal of Physics: Conference Series. - 2018. - Т. 1124. - С. 081038.

49. Dourdain S. и др. Determination of porosity of mesoporous silica thin films by quantitative X-ray reflectivity analysis and GISAXS // Thin Solid Films. - 2006. -Т. 495. - № 1-2. - С. 205-209.

50. Gaidukasov R.A., Miakonkikh A.V. Investigation of Gas Condensation in Pores of Nanoporous Dielectrics in Cryogenic Etching Conditions // Russian Microelectronics. - 2023. - Т. 52. - № S1. - С. S240-S245.

51. Orlikovskii A.A., Rudenko K.V. // Russian Microelectronics. - 2001. - T. 30. -№ 2. - C. 69-87.

52. Park J. h gp. A Review of Thin-film Thickness Measurements using Optical Methods // International Journal of Precision Engineering and Manufacturing. -2024. - T. 25. - № 8. - C. 1725-1737.

53. Warner A.W., Stockbridge C.D. Mass and Thermal Measurement With Resonating Crystalline Quartz // Vacuum Microbalance Techniques. Springer US, 1962. P.71-92.

54. J. Als-Nielsen, D. McMorrow, Elements of Modern X-ray Physics, John Wiley and Sons, Ltd, Chichester, England, 2001

55. Parratt L.G. Surface Studies of Solids by Total Reflection of X-Rays // Physical Review. - 1954. - T. 95. - № 2. - C. 359-369.

56. Grafutin V.I., Prokop'ev E.P. Positron annihilation spectroscopy in materials structure studies // Uspekhi Fizicheskih Nauk. - 2002. - T. 172. - № 1. - C. 67.

57. Gidley D.W., Peng H., Vallery R.S. Positron annihilation as a method to characterize porous materials // Annual Review of Materials Research. - 2006. - T. 36. - № 1. - C. 49-79.

58. Attallah A.G. h gp. Advanced setup for in situ positron annihilation lifetime measurements under variable gas atmospheres and humidity: From cryogenic to high temperatures // AIP Advances. - 2024. - T. 14. - № 10.

59. Baklanov M.R., Mogilnikov K.P., Vishnevskiy A.S. Challenges in porosity characterization of thin films: Cross-evaluation of different techniques // Journal of Vacuum Science & Technology A. - 2023. - T. 41. - № 5.

60. Galy T. h gp. Comparing methods for measuring thickness, refractive index, and porosity of mesoporous thin films // Microporous and Mesoporous Materials. -2020. - T. 291. - C. 109677.

61. Brunauer S. h gp. On a Theory of the van der Waals Adsorption of Gases // Journal of the American Chemical Society. - 1940. - T. 62. - № 7. - C. 1723-1732.

62. J. H. de Boer, "The Structure and Properties of Porous Materials," Butterworths, London, 1958

63. Langmuir I. THE ADSORPTION OF GASES ON PLANE SURFACES OF GLASS, MICA AND PLATINUM. // Journal of the American Chemical Society. -1918. - T. 40. - № 9. - C. 1361-1403.

64. Thomson W.T. // Phyl. Mag. 1871., V. 42. P. 448-452

65. Brunauer S., Emmett P.H., Teller E. Adsorption of Gases in Multimolecular Layers // Journal of the American Chemical Society. - 1938. - T. 60. - № 2. - C. 309-319.

66. Brunauer S., Skalny J., Bodor E. Adsorption on nonporous solids // Journal of Colloid and Interface Science. - 1969. - T. 30. - № 4. - C. 546-552.

67. Osterrieth J.W.M. h gp. How Reproducible are Surface Areas Calculated from the BET Equation? // Advanced Materials. - 2022. - T. 34. - № 27.

68. Rouquerol J., Llewellyn P., Rouquerol F. Is the bet equation applicable to microporous adsorbents? // Studies in Surface Science and Catalysis. - 2007. - С. 49-56.

69. Dubinin M.M. The Potential Theory of Adsorption of Gases and Vapors for Adsorbents with Energetically Nonuniform Surfaces. // Chemical Reviews. - 1960.

- Т. 60. - № 2. - С. 235-241.

70. Dubinin M.M., AstakhovV.A. Description of Adsorption Equilibria of Vapors on Zeolites over Wide Ranges of Temperature and Pressure // Advances in Chemistry. - 1971. - С. 69-85.

71. M. M. Dubinin and E. D. Zaverina, Zh. fiz. khimii23, 1129 (1949)

72. Everett D.H., Powl J.C. Adsorption in slit-like and cylindrical micropores in the henry's law region. A model for the microporosity of carbons // Journal of the Chemical Society, Faraday Transactions 1: Physical Chemistry in Condensed Phases. - 1976. - Т. 72. - № 0. - С. 619.

73. Dubinin M., Stoeckli H. Homogeneous and heterogeneous micropore structures in carbonaceous adsorbents // Journal of Colloid and Interface Science. - 1980. - Т. 75. - № 1. - С. 34-42.

74. Plavnik G.M., Dubinin M.M. Investigation of the porous structure of activated charcoals from sucrose by method of adsorption and small-angle scattering of x-rays // Bulletin of the Academy of Sciences, USSR Division of Chemical Science. - 1966.

- Т. 15. - № 4. - С. 597-605.

75. McEnaney B. Estimation of the dimensions of micropores in active carbons using the Dubinin-Radushkevich equation // Carbon. - 1987. - Т. 25. - № 1. - С. 69-75.

76. Bansal R.G., Donnet J.B., & Stoeckly F. (1988). Active Carbon. New York: Marcel Dekker.

77. Фенелонов В.Б. - Введение в физическую химию формирования супрамолекулярной структуры адсорбентов и катализаторов (2004, СО РАН)

78. Stoeckli H. A generalization of the Dubinin—Radushkevich equation for the filling of heterogeneous micropore systems // Journal of Colloid and Interface Science. - 1977. - Т. 59. - № 1. - С. 184-185.

79. Dubinin M. Inhomogeneous microporous structures of carbonaceous adsorbents // Carbon. - 1981. - Т. 19. - № 4. - С. 321-324.

80. Lastoskie C., Gubbins K.E., Quirke N. Pore size distribution analysis of microporous carbons: a density functional theory approach // The Journal of Physical Chemistry. - 1993. - Т. 97. - № 18. - С. 4786-4796.

81. Ravikovitch P.I. и др. Unified Approach to Pore Size Characterization of Microporous Carbonaceous Materials from N2, Ar, and CO2 Adsorption Isotherms // Langmuir. - 2000. - Т. 16. - № 5. - С. 2311-2320.

82. Pedreira O.V. и др. Metal reliability mechanisms in Ruthenium interconnects // 2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS). - 2020.

83. Rogozhin A. и др. Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of Ruthenium Films Using Ru(EtCp)2 Precursor // Coatings. - 2021. - Т. 11. - № 2. - С. 117.

84. Orlov A.A. и др. Dielectric Barrier in the Subtractive Process of Formation of a Copper Metallization System // Russian Microelectronics. - 2022. - Т. 51. - № 6. -С. 470-479.

85. Serov A.O. и др. Damage to OSG low-k films during IPVD deposition of the Ta barrier layer // Plasma Processes and Polymers. - 2022. - Т. 20. - № 4.

86. Leroy F. и др. Cryogenic etching processes applied to porous low-kmaterials using SF6/C4F8plasmas // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2015. - Т. 48.

- № 43. - С. 435202.

87. Zhang L. и др. Low Damage Cryogenic Etching of Porous Organosilicate Low-k Materials Using SF6/O2/SiF4 // ECS Journal of Solid State Science and Technology. - 2013. - Т. 2. - № 6. - С. N131-N139.

88. Gaidukasov R.A., Myakon'kikh A.V., Rudenko K.V. Application of the Tikhonov Regularization Method in Problems of Ellipsometic Porometry of Low-K Dielectrics // Russian Microelectronics. - 2022. - Т. 51. - № 4. - С. 199-209.

89. Okolo G.N. и др. Comparing the porosity and surface areas of coal as measured by gas adsorption, mercury intrusion and SAXS techniques // Fuel. - 2015. - Т. 141.

- С. 293-304.

90. Nocedal, Jorge, and Stephen J. Wright. "Numerical optimization" Second Edition (2006)

91. Поляк Б.Т. Введение в оптимизацию. 1983

92. Nelder J.A., Mead R. A Simplex Method for Function Minimization // The Computer Journal. - 1965. - Т. 7. - № 4. - С. 308-313.

93. Jellison G.E., Modine F.A. Optical functions of silicon at elevated temperatures // Journal of Applied Physics. - 1994. - Т. 76. - № 6. - С. 3758-3761.

94. Postava K. и др. Optical measurements of silicon wafer temperature // Applied Surface Science. - 2007. - Т. 254. - № 1. - С. 416-419.

95. Gretskov G., Epov M., Antonov E. Wave transforms of transient electromagnetic field in conductive earth // Russian Geology and Geophysics. - 2017. - Т. 58. - № 6. - С. 744-751.

96. Tikhonov A.N., Arsenin V.Y. Solution of Ill-posed Problems // Washington: Winston & Sons. 1977

97. Gruber, Marvin (1998). Improving Efficiency by Shrinkage: The James--Stein and Ridge Regression Estimators. CRC Press. p. 2. ISBN 978-0-8247-0156-7

98. sklearn.linear_model.Ridge [Электронный ресурс] // Scikit-learn 1.1.2 documentation. - URL: https://scikit-learn.org/stable/modules/generated/sklearn.linear_model.Ridge.html (дата обращения: 20.05.2025).

99. Golub G., Kahan W. Calculating the Singular Values and Pseudo-Inverse of a Matrix // Journal of the Society for Industrial and Applied Mathematics Series B Numerical Analysis. - 1965. - Т. 2. - № 2. - С. 205-224.

100. Hansen P.C., O'Leary D.P. The Use of the L-Curve in the Regularization of Discrete Ill-Posed Problems // SIAM Journal on Scientific Computing. - 1993. - Т. 14. - № 6. - С. 1487-1503.

101. Nakata S., Kitagawa T., Hosoda Y. Regularization Method by Rank Revealing QR Factorization and Its Optimization // Lecture Notes in Computer Science. -2001. - С. 608-615.

102. Halko N., Martinsson P.G., Tropp J.A. Finding Structure with Randomness: Probabilistic Algorithms for Constructing Approximate Matrix Decompositions // SIAM Review. - 2011. - Т. 53. - № 2. - С. 217-288.

103. Golub G.H., Heath M., Wahba G. Generalized Cross-Validation as a Method for Choosing a Good Ridge Parameter // Technometrics. - 1979. - Т. 21. - № 2. -С. 215-223.

104. Sarker I.H. Machine Learning: Algorithms, Real-World Applications and Research Directions // SN Computer Science. - 2021. - Т. 2. - № 3.

105. Lussier F. и др. Deep learning and artificial intelligence methods for Raman and surface-enhanced Raman scattering // TrAC Trends in Analytical Chemistry. -2020. - Т. 124. - С. 115796.

106. Enders A.A. и др. Functional Group Identification for FTIR Spectra Using Image-Based Machine Learning Models // Analytical Chemistry. - 2021. - Т. 93. -№ 28. - С. 9711-9718.

107. Park W.B. и др. Classification of crystal structure using a convolutional neural network // IUCrJ. - 2017. - Т. 4. - № 4. - С. 486-494.

108. Yanguas-Gil A., Elam J.W. Machine learning and atomic layer deposition: Predicting saturation times from reactor growth profiles using artificial neural networks // Journal of Vacuum Science & Technology A. - 2022. - Т. 40. - № 6.

109. Liu J. и др. Machine learning powered ellipsometry // Light: Science & Applications. - 2021. - Т. 10. - № 1.

110. Li Y. и др. Deep Learning for Rapid Analysis of Spectroscopic Ellipsometry Data // Advanced Photonics Research. - 2021. - Т. 2. - № 12.

111. Arunachalam A. и др. Machine learning approach to thickness prediction fromin situspectroscopic ellipsometry data for atomic layer deposition processes // Journal of Vacuum Science & Technology A. - 2021. - Т. 40. - № 1.

112. LeCun Y. и др. Backpropagation Applied to Handwritten Zip Code Recognition // Neural Computation. - 1989. - Т. 1. - № 4. - С. 541-551.

113. Ивахненко, А. Г. Кибернетические предсказывающие устройства / А. Г. Ивахненко, В. Г. Лапа. - Киев : Наукова думка, 1965. - 216 с.

114. Rina Dechter. Learning While Searching in Constraint-Satisfaction-Problems // Proceedings of the 5th National Conference on Artificial Intelligence. Philadelphia, PA, August 11-15, 1986. Volume 1: Science.

115. Tian S.I.P. и др. Rapid and Accurate Thin Film Thickness Extraction via UV-Vis and Machine Learning // 2020 47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). - 2020. - С. 0128-0132.

116. Simsek E. Determining optical constants of 2D materials with neural networks from multi-angle reflectometry data // Machine Learning: Science and Technology. - 2020. - Т. 1. - № 1. - С. 01LT01.

117. Tikhonov A.N., Arsenin V.Y. Solution of Ill-posed Problems // Washington: Winston & Sons. 1977, 10.1002/jcc.540130104

118. Savitzky A., Golay M.J.E. Smoothing and Differentiation of Data by Simplified Least Squares Procedures. // Analytical Chemistry. - 1964. - Т. 36. - № 8. - С. 1627-1639.

119. Автор Воскобойников Ю.Е. и др. Фильтрации сигналов и изображений: Фурье и вейвлет алгоритмы (с примерами в Mathcad)

120. Liu C. и др. Effect of terminal methyl groups concentration on properties of organosilicate glass low dielectric constant films // Japanese Journal of Applied Physics. - 2018. - Т. 57. - № 7S2. - С. 07MC01.

121. Чебышев П.Л. Полное собрание сочинений П.Л. Чебышева // Изд-во АН СССР. 1944-1951.

122. Rezvanov A.A., Gornev E.S., et. al. Adsorption isobars of fluorocarbon compounds selected for cryogenic plasma etching of low-k dielectrics // Электронная техника. серия 3: микроэлектроника. V(1). 2015.

123. NIST Chemistry WebBook [Электронный ресурс] // National Institute of Standards and Technology. - URL: https://webbook.nist.gov/chemistry/fluid/ (дата обращения: 20.05.2025)

124. PALIT S.R. Thermodynamic Interpretation of the Eotvos Constant // Nature. -1956. - Т. 177. - № 4521. - С. 1180-1180.

125. Herzinger C.M. и др. Ellipsometric determination of optical constants for silicon and thermally grown silicon dioxide via a multi-sample, multi-wavelength, multi-angle investigation // Journal of Applied Physics. - 1998. - Т. 83. - № 6. - С. 3323-3336.

126. Зи, С. М. Физика полупроводниковых приборов : в 2-х т. Т. 1 / С. М. Зи; пер. с англ. Б. Г. Владова, А. К. Жданова ; под ред. Р. А. Суриса. - Москва : Мир, 1984. - 456 с.

127. CompleteEASE Ellipsometry Software [Электронный ресурс] // J.A. Woollam Co. - URL: https://www.jawoollam.com/ellipsometry-software/completeease (дата обращения: 20.05.2025)

128. Hlubina P. и др. Spectral interferometry and reflectometry used to measure thin films // Applied Physics B. - 2008. - Т. 92. - № 2. - С. 203-207.

129. Rezvanov A. Adsorption Isobars of Fluorocarbon Compounds Selected for Cryogenic Plasma Etching of Low-K Dielectrics // 2015

130. Chen Y. и др. Physics-informed neural networks for inverse problems in nano-optics and metamaterials // Optics Express. - 2020. - Т. 28. - № 8. - С. 11618.

131. Chen C., Gu G.X. Physics-Informed Deep-Learning For Elasticity: Forward, Inverse, and Mixed Problems // Advanced Science. - 2023. - Т. 10. - № 18.

132. Братчиков Д.С., Гадыльшин К.Г. Решение многопараметрической обратной динамической задачи сейсмики для модели вязкоупругой среды на основе методов глубокого обучения // Interexpo GEO-Siberia. - 2023. - Т. 2. -№ 3.

133. Jagtap A.D. и др. Physics-informed neural networks for inverse problems in supersonic flows // Journal of Computational Physics. - 2022. - Т. 466. - С. 111402.

134. Halon 2402 [Электронный ресурс] // ChemBK Chemical Database. - URL: https://www.chembk.com/en/chem/Halon%202402 (дата обращения: 20.05.2025).

135. Trushin O.S. и др. Tailoring magnetic anisotropy and optical characteristics of nanostructural Co films by oblique angle deposition // Physics of the Solid State. -2023. - Т. 65. - № 6. - С. 953.