Когерентные эффекты в ультратонких пленках висмута тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Кулешова, Галина Васильевна

• Кулешова, Галина Васильевна
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Кулешова, Галина Васильевна

1.ВВЕДЕНИЕ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ.

1.1 Постановка задачи.

1.2 Зонная структура висмута.

1.3 Классический и квантовый эффект Холла.

1.4 Методы импульсного лазерного напыления.

2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ УСТАНОВКИ.

2.1 Установка лазерного напыления пленок и тестирование образцов.

2.2 Общие принципы сбора информации в режиме накопления сигнала и описание базовой автоматизационной программы.

3.РЕУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТА И ОБСУЖДЕНИЕ.

3.1 Измерение гальваномагнитных характеристик.

Классический эффект Холла в Bi пленках.

3.2 Измерение гальваномагнитных характеристик.

Квантовый эффект Холла в Bi пленках.

3.3 Классический эффект Холла и интерференционно-флуктационная модель его подавления.

3.4 Эффект Бома-Ааронова и мезоскопические осцилляции сопротивления в висмутовых пленках.

3.5 Эффект Джозефсона и квантование сопротивления мезоскопических объектов.

З.б.Обсуждение.

4.ВЫВОД Ы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Когерентные эффекты в ультратонких пленках висмута»

Интерес к системам пониженной размерности не угасал даже в период «бури и натиска» на ВТСП направлении. Успехи пленочной технологии в создании идеальных объектов (большие длины свободного пробега, сверхмалые толщины сплошных проводящих пленок квантоворазмерного масштаба и т.д.) с одной стороны, и достижения физической теории в понимании природы квантовых эффектов в хаотизированных и частично упорядоченных проводящих системах с другой стороны, породили при таком встречном движении особое, быстроразвивающееся направление в физике конденсированного состояния. Помимо фундаментальной значимости этого направления, здесь можно ожидать и определенного практического выхода. При этом, если исследования двумерных систем на основе полупроводников уже в настоящее время привели к созданию работоспособных приборов, таких как НЕМ-транзисторы с двумерным электронным газом [1], работающие в пикосекундной области, резонансные туннельные диоды на квантовых ямах и сверхрешетках [2], полупроводниковые лазеры на гетеропереходах [3], то в металлах (если оставить в стороне случай сверхпроводимости [4]) изучение размерных эффектов пока практически не вышло за рамки фундаментальных исследований [5].

Незадолго до начала представляемой ниже работы в Криогенном отделе ФИАН была поставлена серия экспериментов по исследованию электронной фотоэмиссии с поверхности висмутовых пленок в области квантующих толщин. [6]. Пленки изготавливались методом лазерного напыления из Bi мишени [7]. В дальнейшем без значительных изменений эта методика была использована и в представленной работе (подробное описание приведено в пункте 2.1).

E(px,py,L) n\rx>r,> ) 2m 2mv 2m L x

Рис.1 Схема возникновения размерного квантования в ультратонких проводящих пленках (верхняя часть рисунка). Правая часть рисунка: эффект изменения зонной картины полуметалла при утоньшении изготовленной из него пленки

В случае квантующих толщин длина волны де Бройля электрона на поверхности Ферми Яр становится соизмеримой с толщиной L, при этом граничные условия для волновой функции задаются отражением от внешней и внутренней (со стороны подложки) поверхности пленки. В случае зеркального отражения электронов, которое для простоты все время здесь и будет подразумеваться, движение квазичастиц поперек плоскости пленки плоскость XY) оказывается размерно заквантовано [8 - 13]. Параболоиды, описывающие закон дисперсии движения электронов в пленки, должны в таком случае отсчитываться от уровней размерного квантования поперечного движения Еп, энергия которых, как известно, зависит от толщины L подобно

2 2 2 уровням в потенциальной яме с бесконечными стенками Еп {L) = 71 v\n---L

2 mzL L рис.1, mz - поперечная эффективная масса носителя, п=1,2,3 - номер квантово-размерного уровня, h - постоянная Планка). Следовательно, по мере уменьшения толщины все электронные параболоиды «поедут» вверх по энергии E„(L—>0)—*со. В экспериментах [6] с помощью классического фотоэффекта действительно регистрировалось уменьшение работы выхода из пленок А = Е0 - Ер (Е0 - уровень вакуума), EF(L—>0)—>E] (ультраквантовый предел Ь<Лр) => А ~ Е0- Ej—^О (рис.2).

Как видно из рис. 2, наряду с достаточно резким, но небольшим по абсолютной величине (300 мэВ) сдвигом фотоэмиссионных спектров в ультраквантовой области (L = 7 нм), бросается в глаза значительный сдвиг спектров пленок, когда их толщина лежит в заведомо не квантовой области (L > 40 нм), при этом энергия первого уровня размерного квантования Ej(L=5hmJ составляет по оценкам не менее 300 мэВ [6].

Также, согласно подобным элементарным представлениям, в висмуте, как в полуметалле, по мере уменьшения толщины пленки параболоид зоны проводимости [14 - 16] не просто смещается вверх: валентная зона и зона проводимости должны разъезжаться так, что в ультраквантовом пределе сокращается перекрытие зон по энергии (рис.1, нижняя часть). Но именно это перекрытие «поставляет» в систему свободные носители заряда, и, следовательно, при толщинах, отвечающих нулевому перекрытию полуметалл должен стать диэлектриком, однако, четко такого перехода в Bi никто не видел [17].

Рис.2 Зависимость работы выхода А тонких пленок висмута относительно коллектора от толщины L пленок: ш - экспериментальные данные; — - уровень, соответствующий работе выхода массивного Bi (Ак —работа выхода углеродного коллектора)

1.1 Постановка задачи

Аномальное снижение работы выхода пленок висмута на больших по квантовым масштабам толщинах и особенно отсутствие каких-либо следов диэлектризации в ультраквантовом пределе подтолкнуло нас к исследованию гальваномагнитных характеристик, знание которых позволили бы вместе с подвижностью оценить концентрацию носителей в интересующей нас области толщин. Это и явилось фактической основой проведения представленной работы. Целью данной диссертационной работы является исследование особенностей гальваномагнитных характеристик висмутовых пленок в квантоворазмерной области толщин, в условиях, обеспечивающих проявление эффектов интерференции свободных носителей тока в этих системах, а также исследование роли подобных эффектов в физике ВТСП систем.

Предварительные электрофизические, фотоэлектрические и технологические исследования ультратонких квантоворазмерных пленок висмута привели к постановке ряда конкретных исследовательских задач. Таким образом, для достижения поставленной цели решались следующие задачи

1) создание базовой экспериментальной установки;

2) экспериментальное исследование гальваномагнитных характеристик ультратонких пленок висмута в квантующих и слабых магнитных полях;

3) определение концентрации свободных носителей в ультраквантовом пределе толщин в висмуте различными независимыми методами;

4) проведение электрофизических исследований пленок висмута непосредственно в ходе их напыления.

5) разработка адекватных моделей поведения свободных носителей в условиях размерного квантования с учетом воздействия эффектов квантовой интерференции носителей и флуктуационного разрушения такого воздействия;

6) исследование проявления эффектов макроскопической квантовой интерференции, характерных для сверхпроводящего состояния, в несверхпроводящих системах с нормальной проводимостью;

7) исследование возможного проявления аналогичных воздействий на свойства ВТСП систем.

Результаты, полученные в процессе решения сформулированных выше исследовательских задач (разделы 3.1-3.5), позволили охарактеризовать научную новизну работы, которая состоит в следующем;

1. Впервые проведены комплексные исследования сплошных ультратонких пленок Bi в диапазоне толщин вплоть до 5 нм. В этой области (L ~ 5 нм) зафиксировано отсутствие размерной диэлектризации, а также снижение на 4 порядка константы Холла. Столь существенное ослабление эффекта Холла в висмутовых пленках ранее не наблюдалось.

2. Предложена оригинальная модель, объясняющая существенное падение константы Холла в ультратонких пленках Bi на основе флуктуационного подавления интерференционных свойств свободных носителей заряда в магнитном поле. Модель объясняет ослабление эффекта Холла при практически неизменной трехмерной концентрации носителей, что отвечает наблюдению неизменной (примерно) удельной проводимости висмутовых пленок в диапазоне от микронных до нанометровых толщин.

3. Впервые на пленочных образцах Bi макроскопических масштабов обнаружен эффект мезоскопических осцилляций сопротивления в магнитном поле.

4. Предложена оригинальная модель, объясняющая увеличение вклада осциллирующей части сопротивления микрообласти пленки в общий сигнал, регистрируемый на макроскопических контактах образца, вызванного усилением мезоскопического эффекта Бома-Ааронова за счет концентрации тока в микрообласти.

5. Впервые в процессе роста пленочного образца обнаружен эффект квантования его проводимости.

6. Предложена оригинальная модель, объясняющая эффект квантования сопротивления на основе аналогии с нестационарным эффектом Джозефсона.

Научная и практическая значимость .

Научная значимость представленной работы обусловлена современным уровнем физического эксперимента, выполненного в ее рамках (работа в сильных магнитных полях на сверхпроводящем соленоиде, лазерное напыление висмутовых пленок и т.д., раздел 2.1), а также использованием оригинальных специально разработанных численных методов автоматического сбора и обработки полученных данных (различные цифровые алгоритмы подавления шума в реальном времени и Фурье-преобразование в условиях дрейфа фазы, имитационный численный эксперимент и т.д., раздел 2.2). В целом это позволило обнаружить в ультратонких проводящих пленках Bi некоторые ранее неизвестные эффекты и доказать их фундаментальную природу (разделы 3.1-3.5).

Для объяснения природы обнаруженных эффектов в работе предложен ряд простых конкретных физически значимых моделей: усиление мезоскопического эффекта Бома-Ааронова в условиях концентрации тока, модель флуктационно-интерференционного подавления классического эффекта Холла, модель квантования сопротивления, основанная на аналогии с нестационарным эффектом Джозефсона.

В заключительных разделах работы делается попытка продемонстрировать значимость предложенных модельных представлений для физики сверхпроводимости и ВТСП систем.

Практическая значимость данной работы обусловлена указанием фундаментального ограничения максимальной чувствительности датчика Холла на основе ультратонких полуметаллических пленок в рамках предложенной модели флуктуационно-интерференционного подавления классического эффекта Холла.

Значимым для практики физического эксперимента является также разработанный простой двухуровневый алгоритм, позволяющий производить Фурье-преобразования накопленных данных в условиях дрейфа фазы их общего аргумента. Разработан универсальный пакет программ автоматизации сбора и обработки данных, поступающих в ходе эксперимента. Накоплен большой практический опыт подавления шумового вклада в регистрируемый сигнал и выявление физически значимой информации при фоновой составляющей, превышающей полезный сигнал на несколько порядков.

Значимым для практики криогенного эксперимента является разработка простой универсальной устойчивой и автономно функционирующей цифровой системы стабилизации и управления рабочей температуры на основе широтно-импульсного преобразования сигнала уклонения температуры (раздел 2.1).

На основании результатов, полученных при выполнении представленной работы (разделы 3.1-3.5) на защиту выносятся следующие положения:

1. Обнаружено значительное (на 4 порядка) ослабление классического эффекта Холла в ультратонких пленках Bi. Проведенные электрофизические и технологические исследования показали, что в пленках Bi такое ослабление эффекта Холла не связано с их технологическим несовершенством, а вызвано действием фундаментальных механизмов.

2. Результаты измерений доказывают, что при уменьшении толщины пленок до значений, отвечающих ультраквантовому пределу, концентрация носителей остается практически неизменной и диэлектризации, вызываемаемой предполагаемым сокращением перекрытия зон при двумеризации Bi, не происходит. Исследования, проведенные с использованием различных методик, показали, что при уменьшении толщины пленок до значений, отвечающих ультраквантовому пределу, рост концентрации свободных носителей в висмуте отсутствует и поэтому снижение константы Холла в ультратонких пленках Bi не может быть оправдано ростом концентрации носителей.

3. Предложен механизм, позволяющий объяснить существенное ослабление эффекта Холла, наблюдавшегося в ультратонких пленках Bi, флуктуационным подавлением интерференционных свойств носителей в магнитном поле, наличию которых в классическом случае отвечает эффект Холла. При этом рост относительного вклада флуктуаций числа частиц сильно сказывается при снижении общего числа носителей, вызванного уменьшением толщины пленки.

4. Предложено объяснение аномального снижения работы выхода, наблюдавшегося в тонких пленках Bi. Предложены механизмы флуктационно-интерференционного подавления обменного вклада в энергию носителя и механизм размерного подавление длины туннелирования влияющий на положение уровня Ферми относительно положения уровня вакуума в простейшей зонной модели сильной связи. Рассмотрено возможное проявление обоих предложенных механизмов в сверхпроводящих свойствах металлов и ВТСП систем.

5. Обнаружены мезоскопические осцилляции сопротивления висмутовых пленок макроскопического размера в магнитном поле и эффект квантования сопротивления макроскопической пленки в ходе ее роста. На основе аналогии с бездиссипативными когерентными эффектами, присущими сверхпроводящим объектам, построены модели мезоскопических осцилляций сопротивления пленки в магнитном поле и квантования сопротивления в ходе ее роста.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Кулешова, Галина Васильевна

4. ВЫВОДЫ

1. Обнаружено значительное (на 4 порядка) ослабление классического эффекта Холла в ультратонких пленках висмута. Проведенные электрофизические и технологические исследования показали, что в пленках висмута такое ослабление эффекта Холла не связано с их технологическим несовершенством, а вызвано действием фундаментальных механизмов (разделы 2.1, 3.1, 3.3).

2. Результаты измерений доказывают, что при уменьшении толщины пленок до значений, отвечающих ультраквантовому пределу, концентрация носителей остается практически неизменной и диэлектризации, вызываемой предполагаемым сокращением перекрытия зон при двумеризации висмута, не происходит. Исследования, проведенные с использованием различных методик, показали, что при уменьшении толщины пленок до значений, отвечающих ультраквантовому пределу, рост концентрации свободных носителей в висмуте отсутствует и поэтому снижение константы Холла в ультратонких пленках висмута не может быть оправдано ростом концентрации носителей (разделы 3.1, 3.2).

3. Предложен механизм, позволяющий объяснить существенное ослабление эффекта Холла, наблюдавшегося в ультратонких пленках висмута, флуктуационным подавлением интерференционных свойств носителей в магнитном поле, наличию которых в классическом случае отвечает эффект Холла. При этом рост относительного вклада флуктуаций числа частиц сильно сказывается при снижении общего числа носителей, вызванного уменьшением толщины пленки (разделы 3.1, 3.3).

4. Предложено объяснение аномального снижения работы выхода, наблюдавшегося в тонких пленках висмута. Предложены механизмы флуктационно-интерференционного подавления обменного вклада в энергию носителя и механизм размерного подавление длины туннелирования влияющий на положение уровня Ферми относительно положения уровня вакуума в простейшей зонной модели сильной связи. Рассмотрено возможное проявление обоих предложенных механизмов в сверхпроводящих свойствах металлов и ВТСП систем (раздел 3.6).

5. Обнаружены мезоскопические осцилляции сопротивления висмутовых пленок макроскопического размера в магнитном поле и эффект квантования сопротивления макроскопической пленки в ходе ее роста. На основе аналогии с бездиссипативными когерентными эффектами, присущими сверхпроводящим объектам, построены модели мезоскопических осцилляций сопротивления пленки в магнитном поле и квантования сопротивления в ходе ее роста (разделы 3.4, 3.5).

В заключение я хочу выразить искреннюю благодарность за помощь в работе научному руководителю А.И. Головашкину, сотрудникам Криогенного отдела ФИАН A.M. Цховребову и J1.H. Жерихиной.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Кулешова, Галина Васильевна, 2006 год

1. Eatman L.F. И Physics today. October 1986 V.39. p.77

2. Beloushkin A.A., Ignatyev A.S., Karuzskii A.L. et al.// Superlattices and Microstructure. 1997, №1, V.22, p. 19

3. Boley J.-C. П La Recherche. September 1985. №169, p. 16

4. McDonald D.G. IIPhysics today. February 1981. V.34, p.37

5. C.L.Chein et al // Joirnal ofAppl. Physics, v.87, №.9 (2000), p.4659

6. Жерихин A.H. и др.// Поверхность, 2000, №6, c.79

7. Жерихин A.H. // Итоги науки и техники. Серия "Совр.пробл.лазерной физики". ВИНИТИ, Москва 1990

8. Frolich Н. // Physica, 1937, v.4, р.406

9. Косевич A.M., Лифшиц И.М. II ЖЭТФ, 1955, т.29 с.743

10. Лифшиц И.М., Косевич A.M. // Изв. АН СССР, Сер.физ. 1955 т. 19 с.395

11. Сандомирский В.Б. // Радиотехника и электроника. 1962, т.7, с. 1971;

12. Сандомирский В.Б. // ЖЭТФ. 1962, т.43 с. 2309

13. Недорезов С.С.// ЖЭТФ. 1966, т.51,с.868

14. Сандомирский В.Б. IIЖЭТФ. 1967, т.52, с.158

15. Луцкий В.Н. II Письма ЖЭТФ. 1965, т.2, с.221

16. Каганов М.И, Недорезов С.С., Рустамова A.M. И ФТТ. 1970, т. 12, с. 2277

17. Комник Ю.Ф.// Физика металлических пленок. Атомиздат, Москва 1979

18. Огрин Ю.Ф., Луцкий В.Н., Елинсон М.И. И Письма ЖЭТФ. 1966, т.З, с.114.

19. Огрин Ю.Ф., Луцкий В.Н., Шефталь Р.М, Арифова М.У., Елинсон М.И. // Радиотехника и электроника. 1967, т.12, с.748.

20. Романов А.А. // ФТП, 1969, т.З, с.1859;

21. Романов А.А. // ФТП, 1970, т.4, с. 904;

22. Beam W.R. II Electronics of Solids. McGraw-Hill, 1975, p.279

23. Эдельман B.C. 11 ЖЭТФ, 1973, т.64, c.1734

24. J. M. Luttinger // Phys. Rev. 119, 1153, 1960

25. Лифшиц Е.М., Питаевский Л.П. // Статистическая физика. 4.2. Теория конденсировал)юго состояния. Москва, «Наука», 1978

26. Брандт Н.Б., Чудинов С.М. // Электронная структура металлов. Изд. Московского Университета. 1973

27. А.Анималу // Квантовая теория кристаллических твердых тел. Москва, «Мир», 1981

28. Harrison W.A. II Phys.Rev. 118, 1190 (1960)

29. Pippard A.B // Rep. Prog. Phys., 23, 176, 1960

30. Заварицкий H.B. II ДАН СССР, 1952, т.82, c.229

31. Заварицкий H.B. И ДАН СССР, 1953, т.91, с.787;

32. Хухорева И.С. IIЖЭТФ, 1961, т.41, с.728;

33. Хухорева И.С. // ЖЭТФ, 1962, т.43,с.1173;

34. Toxen A.M. IIPhys. Rev., 1961, v.123, p.442;

35. Blumberg R.H., Seraphim D.P. II J. Appl. Phys., 1962, v.33, p.163;

36. Маньковский K.K., Пилипенко B.B., Комник Ю.Ф., Дмитренко И.М. // ЖЭТФ, 1970, т.59, с.740;

37. Гинзбург В.Л. НЖЭТФ, 1964, т.47, с.2318

38. Абрикосов А.А., Фальковский Л.А. IIЖЭТФ, 1962, т.43, с. 1089

39. Жерихина Л.Н., Жерихин А.Н., Кулешова Г.В., Осипова Н.А., Цховребов A.M.// Квантовый эффект Холла в ультратонких пленках висмута. Научная сессия МИФИ-2001, т.4, с.110.

40. А.И. Головашкин, А.Н. Жерихин, Л.Н. Жерихина, Г.В. Кулешова, A.M. Цховребов // Интерференционные эффекты в двумерных системах на основе ультратонких висмутовых пленок. . //«Поверхность», №10, стр.3-15, 2005

41. Хриплович И.Б. // Общая теория относительности. Институт компьютерных исследований. Москва 2002

42. Lewis H.Ryder // Quantum field theory. Cambridge University Press 1985

43. Гогадзе Г.А., Кулик И.О. // ФТТ, 1969, т.11, с.2182;

44. Гуревич Л.Э. Шик А .Я. II ЖЭТФ, 1968, т.54, с. 1873;

45. Недорезов С.С. II ЖЭТФ, 1969, т.57, с.907;

46. Фесенко Е.П., Луцкий В.Н. // ФТТ, 1970, т. 12, с.2392].

47. Луцкий В.Н. И Письма ЖЭТФ, 1965, т.2, с.391,

48. Луцкий В.Н., Кулик Л.А. II Письма в ЖЭТФ, 1968, т.8, с. 133].

49. Duggal V.P., Rup R., Tripathi P. // Appl., Phys. Lett, 1966, v.9, p.293]

50. Ziman J.M. II Principles of the theory of solids. Cambridge. At the University Press, 1964,

51. K.v.Klitzing // Festkorperprobleme XXI, 1981, p. 1;

52. Baraff G.A., Tsui D.C. // Physical Review B, 1981, v.24, N.4, p.2274

53. Prange R.E. // Physical Review B, 1981, v.23, N. 9, p.4802

54. Aoki H., Ando T. // Solid State Communications, 1981, v.38, p.1079

55. Laughlin R.B 11 Physical Review B, 1981, v.23, p.5632

56. Halperin B.I. Physical Review B, 1982, v.25, N 4, p.2185.

57. T.Ando, A.Fowler, F.Stern // Reviews of Modern Physics, Vol.54, N.2, April 1982

58. Girvin. S.M. // The Quantum Hall Effect. Lectures delivered at Ecole d'Ete Les Houches, July 1998, Indiana University, Bloomington, IN 47405]:.

59. В.Ф. Гантмахер // Электроны в неупорядочных средах. Москва, Физматлит, 2003

60. J.M. Ziman // Models of Disorder. The Theoretical physics of homogeneously disordered systems. Cambridge University Press, 1979]

61. Гапонов С.В., Лускин Б. М., Нестеров Б. А. и др. //Письма в ЖТФ, т.З, (1977) № 12, С. 573

62. E.V.Pechen, S.I.Krasnosvobodtsev, N.P.Shabanova, E.V.Ekimov, A.V.Varlashkin, V.S.Nozdrin, A.M.Tschovrebov and A.I.Golovashkin // Physica C, 235-240 (1994) p.2511-2512

63. Гинодман В.Б., Жерихина Л.Н., Цховребов A.M. и др. // Св/п св-ва пленок УВагСизО^.з- Материалы XXV Всесоюзного совещания по физике низких температур. Ленинград 1988.

64. Головашкин А.И., Екимов Е.В., Краснослободцев С.И. и др.//Письма ЖЭТФ, 47, с.157, 1988].

65. Афанасьев Ю.В., Крохин О.Н. // Газодинамическая теория воздействия излучения лазера на конденсированные среды. Труды ФИАН СССР, № 52 (1970), с. 118.

66. Немчинов И.В.// ПММ, т. 29, № 1 (1965), с. 134

67. Гончаренко А.Ф., Немчинов И.В., Хазинс В.М. // ПМТФ, №3 (1976) с.13

68. Талонов С.В., Салащенко Н.Н. // Электронная промышленность, №1 (1976) с.11.

69. Ахсахалян А. Д., Битюрин Ю. А., Гапонов С. В. и др. // ЖТФ, т.52 (1982) №8, с. 1584.

70. Зельдович Я. Б., Райзер Ю.П. //Физика ударных волн и высокотемпературных явлений.- М.: Наука (1966)],

71. Анисимов С. И., Имас Я. А., Романов Г. С., Ходыко Ю. В. // Действие излучения большой мощности на металлы. М.:Наука (1970)].

72. Гапонов С.В., Гудков А. А., Фраерман А. А. II ЖТФ, т. 52 (1982), №9, С.1843.

73. Райзер Ю. П. //ЖЭТФ т. 37 (1959) С. 1741].

74. Гапонов С. В., Клюенков Е. Б., Нестеров Б. А. и др. // Письма в ЖТФ т.5 (1979), №8, С. 472

75. Соболь Э.Н., Свиридов А.П., Баграташвили В.Н. и др. Сверхпроводимость: физика, химия, техника, 5, 128 (1992)].

76. E.V.Pechen, A.V.Varlashkin, A.I.Golovashkin. // Physica В, 284-288, 10251026 (2000).

77. Л.И.Слабкий // Методы и приборы предельных измерений в экспериментальной физике. Москва «Наука» 1973

78. Кайданов В.И., Регель А.Р. II ЖТФ, 1958, т.28, с.403;

79. Огрин Ю.Ф., Луцкий В.Н., Арифова М.У., Ковалев В.И., Сандомирский В.Б. Елинсон М.И. IIЖЭТФ, 1967, т.53, с.1218;

80. Le Traon J. У., Combet Н. А. И C.r. Acad. Sci. 1969, v.286, р.В502;

81. Иванов Г.А., Грабов В.М., Михайличенко Т.В. // ФТТ, 1973, т. 15, с.573;

82. Комник Ю.Ф., Андриевский В.В. // ФНТ, 1975, т.1, с. 104].

83. А.И. Головашкин, А.Н. Жерихин, JI.H. Жерихина, Г.В. Кулешова, А.М.Цховребов. // О наблюдении скрытых когерентных эффектов в хаотизированных системах. ЖЭТФ, 2004, том 126, вып.2, стр.415-426;

84. Головашкин А.И., Жерихин А.Н., Жерихина JI.H., Кулешова Г.В., Цховребов А.МII Аномалии фотоэмиссионных спектров квантоворазмерных объектов и модель сверхсильного электрон-фононного взаимодействия// КСФ, №12, 2004;

85. L.N.Zherikhina, A.I.Golovashkin, A.V.Gudenko, G,V.Kuleshova, A.M.Tskhovrebov, M.L.Norton. H-T phase diagram of high-Tc Ba-K-Bi-O, Physica C, 388-389,(2003)451-452];

86. А.И.Головашкин, А.Н.Жерихин, Л.Н.Жерихина, Г.В.Кулешова, А.М.Цховребов // Механизм подавление классического эффекта Холла в ультратонких пленках Bi, Труды XXXIII совещания по физике низких температур, 17-20 июня 2003 г., LI 11.

87. Beloushkin А.А., Ignatyev A.S., Karuzskii A.L. et al. //Superlattices and Microstructure. 1997, V.22, №1. P. 19

88. Головашкин А.И., Жерихин A.H., Жерихина Л.Н., Кулешова Г.В., Цховребов A.M. // Интерференционные эффекты в ультратонких пленках висмута II Научная сессия МИФИ-2002, т.4, стр. 100-101

89. Головашкин А.И., Жерихин А.Н., Жерихина Л.Н., Кулешова Г.В., Цховребов A.M. II Нестационарный эффект Джозефсона и квантование проводимости в мезоскопических объектах ИНаучная сессия МИФИ-2003, т.4, стр. 132-133

90. Головашкин А.И., Жерихин А.Н., Жерихина Л.Н., Кулешова Г.В., Цховребов A.M. // Размерные эффекты в ультраквантовом пределе и дробный эффект Холла IIНаучная сессия МИФИ-2002, т.4, стр.98-99

91. Reynolds W., Stilwell G.R. II Phys. Rev., 1952, v.88, p. 418;

92. Комник Ю.Ф., Бухштаб Е.И., Никитин Ю.В., Андриевский В.В. // ЖЭТФ, 1971, т.60, с.669

93. Комник Ю.Ф., Андриевский В.В. // ФНТ, 1975, т.1, с. 104

94. Asahami Hajime, Baba Shegeru, Kinbara Akira // J. Appl. Phys., 1977, v.48, p. 1294

95. Павлов Л.П. // Методы нзмерення параметров полупроводниковых материалов. Высшая Школа. Москва, 1987

96. Головашкин А.И., Жерихин А.Н., Жерихина Л.Н., Кулешова Г.В., Цховребов А.М // Плазменная граница пропускания в ультратонких пленках висмута IIНаучная сессия МИФИ-2004, т.4, с. 108.

97. Klitzing К. v., Dorda G., Pepper М. // Physical Revew Letters, 1980, v.45, p.494

98. DTorio M., Pudalov V.M., Semenchinsky S.G. II Phys.Rev. B46, 15992 (1992)

99. Tsui D.C., Gossard A.C. II Applied Physical Letters, 1981, v.38, p.550

100. Briggs A., Guldner Y., Vieren J.P., Voos M., Hirtz J.P., Rasegi M. // Physical Review B, 1983, v.27, N 10, p.6549

101. Mendez E.E., Chang L.L., Chang C.A., Alexander L.F. Esaki L. // Surface Science, 1984, v. 142, p. 215

102. Журкин Б.Г., Октябрьский C.P., Цховребов A.M. и др.// Тезисы IV Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах. Минск, 27-29 марта 1986

103. Кучис Е.В. // Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь, 1990

104. Aharonov Y., Bohm D. И Phys. Rev., 115, 484 (1959);

105. A.M.Tsvelik.// Quantum Field Theory in Condensed Matter Physics. Cambridge University Press, 1998]

106. А.И.Головашкин, Г.В. Кулешова, A.M. Цховребов, Г.Н.Измайлов// Интерференционные методы регистрации нестационарных вариаций метрики без переноса энергии IIКСФ, №11, 2002, стр.6-12;

107. A.I.Golovashkin, G.V.Kuleshova, A.M.Tshovrebov, G.N.Izmailov // Detection of weak GW by interference methods and problem invertibal calculation //GR-QC/0312113, dec. 2003;

108. A.I.Golovashkin, G.V.Kuleshova, A.M.Tshovrebov, G.N.Izmailov // Detection of weak GW and reverse calculation problem //Phys.lnterp. of Relativ. Theory, Bauman Moscow State Tech. Univ. 30.06-03.07 2003, p. 150-160 ;

109. A.I.Golovashkin, G.V.Kuleshova, A.M.Tshovrebov, G.N.Izmailov // Detection of Non-Stationary Variation of Metrics by Interference Methods// International Jornal of Modern Physics D, p.187-194, v. 13, №13, January 2004;

110. А.И.Головашкин, Л.Н.Жерихина, А.М.Цховребов, Кулешова Г.В. // Фундаментальные применения сверхпроводимости: квантовые интерферометры и принцип Маха II Тезисы 1-ой международной конференции «Фундаментальные проблемы ВТСП» стр.269, 2004 г.

111. Головашкин А.И., Жерихина Л.Н., Кулешова Г.В., Цховребов A.M. // Квантовые интерферометры и принцип Маха. Научная сессия МИФИ-2005, т.4, с. 150

112. Feyman R. Р. // International Journal of Theoretical Physics, v.21, N.6/7, 1982,

113. Feyman R. P. 11 Statistical Mechanics. W. A. Benjamin, Inc. Advanced Book Program Reading, Massachusetts, 1972

114. А.И.Головашкин, А.Н.Жерихин, Л.Н.Жерихина, Г.В.Кулешова, А.М.Цховребов// Интерферепционно-флуктационная модель подавления классического эффекта Холла/7 Научная сессия МИФИ-2003, т.4, стр. 134-135

115. D. R. Tilley, J. Tilley // Superfluidity and Superconductivity. Van Nostrand Reinhold Company. New York-Cineinnati-Toronto-London-Melbourne. 1974.,

116. Schwarzchild B. // Physics Today, January 1986, p.17.

117. Шарвин Д.Ю., Шарвин Ю.В. // Письма в ЖЭТФ. (1981), т.34, с.285

118. Hansem А.Е. // arXiv:cond-mat/9909246, 16 Sep. 1999,

119. Bergmann G. // Weak localization in thin films. Phys.Rep. 107, 1 (1984)]

120. Y.Imry // Introduction to mesoscopicphysics. Oxford. University press 2002

121. Costa-Kromer J.L. //Phys. Rev. Lett., v. 78, N26, 4990-4993, 1997];

122. Ааронов-Альтшулер, Л.С.Левитов, А.В.Шитов. // Функции Грина. Москва. Физматлит 2003.

123. R.Landauer // IBM J. Res. Dev. V.l, p. 223 (1957)].

124. А.И.Головашкин, А.Н.Жерихин, Л.Н.Жерихина, Г.В.Кулешова, А.М.Цховребов // Квантование сопротивления. Связь с нестационарным эффектом Дозефсона. //КСФ, 1 (2006)

125. Berglund C.N., Spicer W.E. //Phys. Rev A, 1964, v.136, N 4, pp.1030-1043.

126. Eden R.C. //Rev. Sci. Instr., 1970, v.41, N 2, pp. 252-258.

127. Удоев Ю.П. ЧПТЭ, 1971, №3, c.142-143.

128. А.И. Белкинд// Фотоэлектронная эмиссия из органических твердых тел. АН ЛатвССР, ФЭИ, Рига, "Зинатне", 1979.

129. H.Frohlich.// Phys.Rev., vol.79, 845 (1950)

130. Головашкин А.И., Жерихина Л.Н., Жерихин А.Н., Кулешова Г.В., Цховребов A.M. // Сверхсильное электронное взаимодействие в ВТСП. Научная сессия МИФИ-2005, т.4, с. 152

131. Л.А.Клинкова, В.И.Николайчик, Н.В.Барковский, В.К.Федотов // Тезисы 1-ой международной конференции «Фундаментальные проблемы ВТСП» стр.128, (2004)].

132. Результаты работы изложены в следующих публикациях:

133. А.И. Головашкин, А.Н. Жерихин, JI.H. Жерихина, Г.В. Кулешова, А.М.Цховребов. // О наблюдении скрытых когерентных эффектов в хаотизированных системах. ЖЭТФ, 2004, том 126, вып.2, стр.415-426;

134. L.N.Zherikhina, A.I.Golovashkin, A.V.Gudenko, G,V.Kuleshova, A.M.Tskhovrebov, M.L.Norton. H-T phase diagram of high-Tc Ba-K-Bi-O, Physica C, 388-389,(2003) 451-452

135. Головашкин A.M., Жерихин A.H., Жерихина JI.H., Кулешова Г.В., Цховребов A.M // Аномалии фотоэмиссионных спектров квантоворазмерных объектов и модель сверхсильного электрон-фононного взаимодействия // КСФ, №12, стр.42-51, 2004

136. А.И.Головашкин, А.Н.Жерихин, Л.Н.Жерихина, Г.В.Кулешова, А.М.Цховребов // Интерференционные эффекты в двумерных системах на основе ультратонких висмутовых пленок. //«Поверхность», №10, стр.3-15, 2005

137. А.И.Головашкин, А.Н.Жерихин, Л.Н.Жерихина, Г.В.Кулешова, А.М.Цховребов // Механизм подавление классического эффекта Холла в ультратонких пленках Bi, Труды XXXIII совещания по физике низких температур, 17-20 июня 2003 г., LI 11.

138. A.I.Golovashkin, G.V.Kuleshova, A.M.Tshovrebov, G.N.Izmailov // Detection of Non-Stationary Variation of Metrics by Interference Methods// International Jornal of Modern Physics D, p. 187-194, v. 13, №13, January 2004;

139. Головашкин А.Н, Жерихина Л.Н, Кулешова Г.В, Цховребов A.M., М.Л.Нортон, Магнитные свойства ВТСП-системы ВКВО в сверхпроводящемсостоянии. Роль флуктуации // Тезисы 1-ой международной конференции «Фундаментальные проблемы ВТСП» стр.113, 2004 г

140. Жерихина JI.H., Жерихин А.Н., Кулешова Г.В., Осипова Н.А., ЦховребовА.М.// Квантовый эффект Холла в ультратонких пленках висмута. Научная сессия МИФИ-2001, т.4, с.110.

141. Головашкин А.И., Жерихин А.Н., Жерихина JI.H., Кулешова Г.В., Цховребов A.M. // Интерференционные эффекты в ультратонких пленках висмута II Научная сессия МИФИ-2002, т.4, стр. 100-101

142. Головашкин А.И., Жерихин А.Н., Жерихина JI.H., Кулешова Г.В., Цховребов A.M. // Нестационарный эффект Джозефсона и квантование проводимости в мезоскопических объектах ПНаучная сессия МИФИ-2003, т.4, стр. 132-133

143. Головашкин А.И., Жерихин А.Н., Жерихина JI.H., Кулешова Г.В., Цховребов A.M. // Размерные эффекты в ультраквантовом пределе и дробный эффект Холла ПНаучная сессия МИФИ-2002, т.4, стр.98-99

144. Головашкин А.И., Жерихин А.Н., Жерихина JI.H., Кулешова Г.В., Цховребов А.М // Плазменная граница пропускания в ультратонких пленках висмута //Научная сессия МИФИ-2004, т.4, с. 108.

145. Головашкин А.И., Жерихин А.Н., Жерихина JI.H., Кулешова Г.В., Цховребов A.M. // Интерференционно-флуктационная модель подавления классического эффекта Холла II Научная сессия МИФИ-2003, т.4, стр. 134135

146. Головашкин А.И., Жерихина Л.Н., Жерихин А.Н., Кулешова Г.В., Цховребов A.M. // Сверхсильное электронное взаимодействие в ВТСП. Научная сессия МИФИ-2005, т.4, с. 152