Методы и средства прогнозирования и обеспечения стойкости сегнетоэлектрических запоминающих устройств к воздействию радиационных факторов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.05, кандидат технических наук Орлов, Андрей Александрович

• Орлов, Андрей Александрович
• кандидат технических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат технических наук Орлов, Андрей Александрович

СОДЕРЖАНИЕ

Введение

Глава 1 Исследование применяемости, технического уровня

и тенденций развития сегнетоэлектрических запоминающих

устройств (СЗУ) отечественного и иностранного производства

1.1 Анализ применяемости СЗУ в космической технике (КТ)

1.2 Принцип работы, материалы и технологии для изготовления СЗУ

1.3 Аналю схемотехники ячеек памяти СЗУ

1.4 Анализ схемотехники СЗУ

1.5 Обоснование и постановка основных задач исследований

Глава 2 Аналго доминирующих механизмов отказов СЗУ

вследствие радиационных эффектов

2.1 Доминирующие радиационные эффекты СЗУ

2.2 Доминирующие отказы периферийных узлов СЗУ

2.3 Анализ доминирующих механизмов сбоев и отказов ячейки СЗУ

2.4 Набор критериальных параметров для оценки стойкости СЗУ

2.5 Выводы

Глава 3 Методические и технические средства

экспериментальных исследований СЗУ

3.1 Методическое обеспечение проведения экспериментальных исследований СЗУ

3.2 Особенности применения имитационных методов

исследований СЗУ на радиационную стойкость

3.3 Технические средства экспериментальных

исследований СЗУ по эффектам мощности дозы

3.4 Технические средства экспериментальных

исследований СЗУ по дозовым эффектам

3.5 Технические средства экспериментальных

исследований СЗУ по одиночным эффектам

3.6 Выводы

2

Глава 4 Результаты экспериментальных исследований СЗУ

при воздействии ионизирующих излучений

4.1 Результаты экспериментальных исследований СЗУ

при воздействии импульсного ионизирующего излучения

4.2 Результаты экспериментальных исследований СЗУ

при воздействии стационарного ионизирующего излучения

4.3 Результаты экспериментальных исследований СЗУ по одиночным эффектам при воздействии отдельных

заряженных частиц

4.4 Рекомендации по обеспечению высокого уровня

радиационной стойкости СЗУ

4.5 Выводы

Заключение

Список литературы

Список сокращений

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Методы и средства прогнозирования и обеспечения стойкости сегнетоэлектрических запоминающих устройств к воздействию радиационных факторов»

Введение

Диссертация направлена на решение важной научно-технической задачи по развитию методов и средств прогнозирования1 и обеспечения радиационной стойкости сегнетоэлектрических запоминающих устройств (СЗУ), имеющей существенное значение для разработки перспективных высоконадежных электронных устройств вычислительной техники и систем управления космического и другого специального назначения, улучшения их функциональных и эксплуатационных характеристик.

Актуальность темы диссертации

Проблема создания современных и перспективных высокоинтеллектуальных систем космической техники (КТ), стойких к воздействию ионизирующего излучения (ИИ), является актуальной и может быть решена на основе применения радиационно-стойкой электронной компонентной базы (ЭКБ), важнейшими представителями которой являются микросхемы запоминающих устройств (ЗУ) [1-3].

На момент постановки задачи исследований достаточно хорошо изучено радиационное поведение интегральных микросхем ЗУ, выполненных по объемной КМОП технологии (на комплементарных транзисторах металл-окисел-полупроводник - МОП) [4-9]. Установлены основные эффекты и механизмы отказов этих ЗУ и определены предельные уровни их стойкости при воздействии различных радиационных факторов. Уровни бессбойной работы (УБР) КМОП ЗУ, выполненных по объемной технологии, при

8 9

импульсных ионизирующих воздействиях (ИИВ), составляет 10 -10 ед/с, а пороги дозовых отказов - 104-105ед [10]. Однако такие уровни стойкости являются недостаточными для обеспечения требований, предъявляемых к аппаратуре КТ [11].

1 В данной работе под понятием прогнозирование понимается предвидение технического

результата на основе расчетно-экспериментального моделирования радиационных

реакций СЗУ

Современные отечественные радиационно-стойкие микросхемы ЗУ, выполненные по технологии с диэлектрической изоляцией элементов (КНС -кремний на сапфире и КНИ — кремний на изоляторе), наряду с высокой стойкостью к ИИВ (до 1011 ед/с) характеризуются, как правило, относительно низкой дозовой стойкостью, сопоставимой со стойкостью КМОП ЗУ [12-16].

При применении традиционных ЗУ необходимо также учитывать существующие эксплуатационные ограничения: для ОЗУ (энергозависимость), для ПЗУ (большое время записи, ограниченное число циклов записи-считывания информации и небольшой срок сохранности информации). Итогом многолетнего развития схемотехники энергонезависимых ЗУ с электрическим стиранием информации являются перепрограммируемые ЗУ, сохраняющие данные при отключении напряжения питания (ФЛЭШ-ЗУ), однако радиационная стойкость накопителя и периферийных цепей этих ЗУ определяется, как правило, режимом стирания, и недостаточна для выполнения требований тактико-технических заданий (ТТЗ) при разработке изделий КТ [17].

Одна из перспективных технологий радиационно -стойких ЗУ основана на использовании эффекта спонтанной поляризации сегнетоэлектрических материалов и создании на их основе СЗУ или FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) [18]. Иностранные фирмы-изготовители рекламируют СЗУ как энергонезависимые оперативные запоминающие устройства (ОЗУ) с практически неограниченным числом циклов записи-считывания информации, высоким быстродействием и большим сроком сохранности данных, с низкой потребляемой мощностью и потенциально высокой радиационной стойкостью [18-25].

Результаты анализа применимости ЭКБ иностранного производства (ИП) при разработке изделий КТ, показывают устойчивую тенденцию роста применения СЗУ. СЗУ ИП с емкостью до 256 К широко применяются в изделиях КТ, системах связи и др. [26].

5

В то же время анализ имеющейся информации показал, что до настоящего времени исследования СЗУ в условиях воздействия радиационных факторов имеют частный характер и не систематизированы. Представленные в литературе материалы исследований и экспериментальные данные в основном сводятся к описанию наблюдаемых радиационных эффектов в сегнетоэлектриках и в примитивных структурах на их основе [27-30]. Отсутствуют достоверные экспериментальные данные о радиационной стойкости микросхем СЗУ. Практически не исследованы доминирующие эффекты и механизмы повреждения и отказов базовых элементов микросхем СЗУ при воздействии различных радиационных факторов и их зависимости от конструктивно-технологических особенностей, режимов и условий эксплуатации. Отсутствуют типовые методики испытаний и оценки радиационной стойкости СЗУ с использованием моделирующих установок и имитаторов. В частности, не обоснована возможность и не исследованы особенности и границы применимости имитационных испытаний с учетом специфики СЗУ.

Поэтому возникла актуальность решения научной задачи, заключающейся в необходимости развития существующих и разработки новых методов и средств прогнозирования и обеспечения радиационной стойкости СЗУ.

Состояние исследований по проблеме

Вопросам создания и развития микросхем сегнетоэлектрических ОЗУ посвящено значительное число работ, начиная с середины восьмидесятых годов [31, 32]. В 1991 г. в соответствии с государственным оборонным заказом в НПО «Адрон» проводилась НИР «Исследование и разработка энергонезависимых ЗУ с произвольной выборкой с использованием сегнетоэлектриков, устойчивых к СВВФ по группе ЗУ», шифр «Радиан». Предприятием была разработана рабочая конструкторская документация, но впоследствии работы из-за прекращения финансирования были

приостановлены. С этого времени и за рубежом регулярно публиковалась

б

информация о частных результатах проводимых исследований в данном направлении, однако ни конкретных описаний микросхем, ни данных по их радиационной стойкости так и не появилось [33-37].

Вопросам создания радиационно-стойких запоминающих устройств, выполненных по КМОП и КНС (КНИ) технологиям, посвящены многочисленные работы к.т.н. Машевича П.Р., Гуминова В.Н. (ОАО «Ангстрем»), д.т.н. Барбашова В.М., к.т.н. Герасимова Ю.М., к.т.н. Григорьева Н.Г. (НИЯУ МИФИ). Вопросам анализа, моделирования и разработки энергонезависимой памяти посвящены работы д.т.н. ШелепинаН.А (ОАО «НИИМЭ и Микрон»), к.т.н. СогоянаА.В., к.т.н. Севрюкова А.Н. (НИЯУ МИФИ).

Значимый вклад в развитие методических и технических средств контроля параметров ЗУ в процессе дистанционных радиационных испытаний сделан в работах к.т.н. Беляева В.В., к.т.н. Калашникова O.A. (НИЯУ МИФИ), к.т.н. ФигуроваВ.С. и Емельянова В.В. (ФГУП «НИИП»), что обеспечило повышение объема испытаний, увеличения их информативности и достоверности. В наибольшей степени вопросы расчетно-экспериментального моделирования, прогнозирования и разработки методик радиационных испытаний ЗУ развиты в трудах к.т.н. Улановой A.B., к.т.н. Яненко А.В, к.т.н. Васильева A.B., представляющих научную школу НИЯУ МИФИ.

Поскольку функционально СЗУ близки к традиционным ЗУ по основным блокам кристалла, за исключением конструкции ячеек памяти (ЯП), при рассмотрении вопросов оценки и прогнозирования их радиационной стойкости в общем случае может быть использован накопленный опыт радиационных исследований обычных ЗУ [10]. Однако при этом необходимо учитывать специфику радиационного поведения отдельных элементов СЗУ, функциональные и паразитные связи между ними, учитывая высокую степень интеграции. Оригинальные технологические и топологические решения СЗУ требуют развития

7

существующих методических и технических средств прогнозирования и оценки их радиационной стойкости

Таким образом, к началу диссертационной работы возникло противоречие между появлением и широким практическим использованием нового перспективного класса микросхем памяти - СЗУ и недостаточной изученностью их доминирующих радиационных эффектов и механизмов отказов, а также отсутствием методик и систематизированных результатов их радиационных испытаний. Возникла необходимость выявить наиболее радиационно-чувствительные элементы и функциональные блоки СЗУ, определить типовые уровни отказов и сбоев СЗУ по доминирующим радиационным эффектам при воздействиях различных радиационных факторов, а также разработать рекомендации по повышению их радиационной стойкости.

Целью диссертации является повышение эффективности существующих и разработка новых научно обоснованных методических и технических средств прогнозирования и обеспечения радиационной стойкости элементов и функциональных узлов СЗУ по доминирующим радиационным эффектам ИИ.

Достижение указанной цели стало возможным на основе решения комплекса научно-исследовательских и прикладных задач, включающих:

- анализ тенденций развития СЗУ и особенностей применения в изделиях КТ с заданными требованиями по радиационной стойкости;

- проведение комплекса теоретических и экспериментальных исследований доминирующих радиационных эффектов в СЗУ и их элементах в широких диапазонах изменения режимов работы и уровнях ИИ;

- развитие методических и технических средств испытаний СЗУ на стойкость к ИИВ, обеспечивающих выявление и диагностирование информационных сбоев в реальном времени непосредственно в процессе и после испытательного воздействия;

- получение и систематизацию экспериментальных данных по радиационной стойкости СЗУ, установление закономерностей их радиационного поведения и разработке рекомендаций по обеспечению радиационной стойкости СЗУ;

-разработку рекомендаций по выбору и применению радиационно-стойких СЗУ в аппаратуре КТ.

Научная новизна работы состоит в следующем:

- установлено, что реакция микросхем СЗУ на радиационные воздействия определяется суперпозицией откликов радиационно-стойкого накопителя информации, состоящего из ЯП на основе сегнетоэлектриков и стандартных периферийных элементов СЗУ, выполненных по объемной КМОП-технологии, и обуславливающих эффекты и закономерности радиационного поведения, характерные для КМОП технологии, определены наиболее критичные функциональные узлы, отвечающие за радиационный отклик микросхем СЗУ и экспериментально подтверждено, что радиационная стойкость СЗУ определяется не изменениями характеристик сегнетоэлектрика, а радиационно-индуцированной деградацией элементов периферии, что позволит разработчикам СЗУ провести мероприятия по повышению радиационной стойкости;

- развита схемотехническая модель сбоя сегнетоэлектрической ЯП при импульсном воздействии, позволяющая оценить уровень стойкости ЯП при воздействии различной формы, длительности и интенсивности ИИ в различные моменты временной диаграммы функционирования СЗУ; результаты моделирования позволили выявить критичный режим функционирования СЗУ и рассчитать вероятность возникновения сбоя в СЗУ при импульсном воздействии;

- развита физическая модель импульсной реакции накопителя СЗУ на воздействие импульсного рентгеновского излучения (ИРИ) с энергией в диапазоне 10...200кэВ, учитывающая радиационно-термические, термомеханические и пьезоэлектрические процессы, а также ионизационную

9

проводимость сегиетоэлектрика. На основе расчетного моделирования показано, что уровень поглощенной дозы в сегнетоэлектрике при воздействии ИРИ превышает равновесное значение в кремнии более, чем на порядок ю-за неоднородного энерговыделения в элементах СЗУ, при наличии в конструкции СЗУ материалов с большими атомными номерами (титанат-цирконат свинца, платина);

- научно обоснованы и методически сформулированы методики экспериментальных исследований СЗУ, развивающие существующие методы испытаний и контроля параметров и позволяющие выявлять наиболее радиационно-чувствительные элементы СЗУ, исследовать специфическое для СЗУ радиационное поведение и повышающие информативность исследований.

Практическая значимость работы:

- разработаны и апробированы методики экспериментальных исследований и испытаний микросхем СЗУ на моделирующих и имитирующих установках, обеспечивающие выявление специфических для СЗУ радиационных эффектов и повышающие информативность исследований;

- впервые проведены испытания более чем 10 типов микросхем СЗУ на стойкость к радиационному воздействию по всем основным видам эффектов (объемная ионизация, поглощенная доза, локальные радиационные эффекты при воздействии отдельных ядерных частиц (ОЯЧ));

- в ходе работы получены оригинальные результаты экспериментальных исследований СЗУ ведущих зарубежных изготовителей;

- результаты диссертации внедрены в ОАО «Ангстрем», ФГУП «ФНПЦ НИИИС имени Ю.Е.Седакова», ОАО «ЦНИИ «Комета», ОАО «ЭНПО СПЭЛС», филиале ФБУ «46 ЦНИИ Минобороны России» при разработке, методическом обеспечении, организации и проведении радиационных испытаний отечественных и зарубежных СЗУ, а также аппаратуры систем

управления на их основе - в частности в космических системах;

- результаты диссертационной работы вошли в отчетные материалы по НИР и составным частям ОКР («Вереница», «Вельвет», «Локомобилыцик», «Литературовед», «Лицей», «Личность-ку», «Дикарь», «Литтос-ку», «Лисичанск-ку», «Джут-ку»), выполненных по заказам Минобороны России и предприятий оборонного комплекса;

- полученные в диссертации результаты реализованы в нормативных документах: Минобороны России, в том числе в РД В 319.03.52 «Микросхемы интегральные и полупроводниковые приборы. Методы контроля радиационной стойкости на этапах разработки, производства и поставки. Общая методика лазерных имитационных испытаний в широком диапазоне уровней и длительностей импульсов специальных факторов, а также температуры среды», проекте РД госкорпорации «Росатом» «Методы оценки изделий микроэлектроники и наноэлектроники на радиационную стойкость к локальным радиационным эффектам при воздействии факторов ядерного взрыва», а также в более, чем 20 методиках и протоколах испытаний СЗУ.

Результаты, выносимые на защиту:

1. Физические модели прогнозирования функциональных сбоев и отказов микросхем СЗУ вследствие объемных ионизационных эффектов в широком диапазоне режимов и условий эксплуатации, отражающие приоритет реакций . периферийных устройств над реакциями сегнетоэлектрических ЯП и учитывающие вклады как функциональных элементов, так и паразитных структур;

2. Теоретически обоснованные и экспериментально подтверждённые результаты физического моделирования особенностей ионизационных эффектов в элементах накопителя СЗУ под действием ИРИ, включающего анализ вклада всех существенных процессов: радиационно-термических, термомеханических и пьезоэлектрических, а также ионизационной проводимости диэлектрика, показывающие, что при воздействии ИРИ

до уровня флюенса 1 кал/см, не обнаружено значительных бросков

и

напряжения, связанных с генерацией и распределением механических возмущений;

3. Методики экспериментальных радиационных исследований микросхем СЗУ, развивающие существующие методы испытаний и контроля параметров и обеспечивающие выявление специфических для СЗУ радиационных эффектов и повышающие информативность исследований;

4. Результаты экспериментальных исследований радиационного поведения и испытаний СЗУ ведущих зарубежных изготовителей по объемным и дозовым эффектам, а также по эффектам от отдельных ядерных частиц, подтверждающие обоснованность предложенных методических и технических средств моделирования и прогнозирования радиационного поведения СЗУ, обеспечивающие достоверной информацией разработчиков изделий КТ.

Апробация работы

Основные результаты диссертации докладывались на российских научных конференциях «Радиационная стойкость электронных систем» (Лыткарино, 2002-2010 гг.); научных сессиях МИФИ (Москва, 2001-2010 гг.); семинаре «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур», (г. Нижний Новгород, 2009-2011 гг.).

Публикации: Основные результаты диссертации опубликованы в 8 работах (в период с 2001 по 2011 гг.), в том числе 3 - в реферируемых журналах и 1 - без соавторов.

Объем и структура диссертации. Диссертация содержит 133 страницы, в том числе 45 рисунков, 35 таблиц, список литературы из 102 наименований и состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы.

Заключение диссертации по теме «Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления», Орлов, Андрей Александрович

4.5 Выводы:

В результате проведенных экспериментальных исследований были сделаны следующие выводы.

- получены оригинальные результаты, позволяющие проанализировать поведение параметров-критериев стойкости СЗУ при ионизирующем воздействии в широком диапазоне параметров воздействия и режимов работы СЗУ при воздействии;

- показана эффективность предложенных в гл. 3 методических и технических подходов по оценке и прогнозированию уровня стойкости БИС СЗУ. На основе применения методики селективного воздействия было показано различие уровней стойкости накопителя и периферии БИС СЗУ до 10 раз. Обосновано применение стандартных процедур калибровки, применяющихся в настоящее время для приведения параметров воздействия лазерных и рентгеновских источников к воздействию МУ и прописанных в НД по проведению испытаний изделий ЭКБ. Показана эффективность метода привязки момента импульсного воздействия к диаграмме функционирования БИС СЗУ.

- показано влияние типа и длительности алгоритмического тестирующего кода на показатели стойкости СЗУ, что может использоваться для локализации источника сбоя при воздействии.

Заключение

Основным результатом диссертации являлось решение актуальной научно-технической задачи по развитию методов и средств прогнозирования и обеспечения радиационной стойкости СЗУ, имеющей существенное значение для разработки перспективных высоконадежных электронных устройств вычислительной техники и систем управления космического и другого специального назначения, улучшения их функциональных и эксплуатационных характеристик.

Проведенный анализ имеющейся информации позволил:

- констатировать отсутствие на момент начала работы над диссертацией единой системы описания и анализа наблюдаемых радиационных эффектов в СЗУ;

- выявить противоречие между появлением и широким практическим использованием нового перспективного класса микросхем памяти - СЗУ и недостаточной изученностью их доминирующих радиационных эффектов и механизмов отказов, а также отсутствием методик и систематизированных результатов их радиационных испытаний. Возникла необходимость выявить наиболее радиационно-чувствительные элементы и функциональные блоки СЗУ, определить типовые уровни отказов и сбоев СЗУ по доминирующим радиационным эффектам при воздействиях различных радиационных факторов, а также разработать рекомендации по повышению их радиационной стойкости.

Основные научные результаты диссертации заключаются в следующем:

- подтверждено предположение, что радиационная стойкость современных СЗУ, вследствие объемных, поверхностных и локальных одиночных ионизационных эффектов в широком диапазоне уровней воздействия, определяется периферийными цепями и установлено экспериментально, что уровень радиационной стойкости СЗУ к ИИИ не выше, а к стационарному воздействию даже ниже, чем стойкость ОЗУ, выполненной по стандартной КМОП технологии. При воздействии ТЗЧ в

121

СЗУ возникают сбои, по своему проявлению и последствиям существенно отличающиеся от сбоев в БИС памяти типа ОЗУ или ПЗУ (ФЛЭШ, ППЗУ и т.п.);

- установлено, что возможны сбои с нарушением регенерации информации, сопровождающиеся потерей информации в выбранных ячейках. При этом сбои могут вызываться импульсами ионизирующего излучения относительно малой мощности, зависящей от разбаланса плеч дифференциального усилителя считывания и числа ячеек на внутренних разрядных шинах; при более мощных воздействиях возможно разрушение информации в невыбранных ячейках в случае их подключения к активным управляющим шинам;

- выявлены и исследованы особенности реакции накопителя СЗУ на воздействие импульсного рентгеновского излучения (ИРИ) с энергией в диапазоне 10.200кэВ и выделены несколько групп процессов, наиболее существенным образом влияющих на импульсную реакцию сегнетоэлектриков: радиационно -термические, термомеханические и пьезоэлектрические;

- установлено, что при воздействии ИРИ при флюенсе 1 кал/см нагрев сегнетоэлектрика составит ~70°С, а платиновых электродов - до 200°С. При флюенсе 2-3 кал/см2 температура в области платиновых электродов может превысить температуру Кюри сегнетоэлектрика, что потенциально способно привести к потере информации;

- установлено, что при воздействии ИРИ При флюенсе 1 кал/см амплитуда импульса напряжения на обкладках конденсатора составляет 0,3В. До уровня флюенса 10 кал/см2 амплитуда импульса напряжения не является критичной;

- показано, что уровень уровень поглощенной дозы в окрестности сегнетоэлектрического конденсатора возрастает по сравнению с равновесным случаем. При воздействии ИРИ величина эффекта усиления дозы в области локализации управляющего МОП-транзистора составляет от 2 до 5 раз в зависимости от расположения транзистора.

Основной практический результат работы заключается в следующем: -развиты методики экспериментальных исследований СЗУ с учетом особенностей их внутренней архитектуры и доминирующих радиационных эффектов, которые позволяют в процессе экспериментальных исследований обнаружить места возникновения сбоев или отказов;

- получены результаты сравнительных экспериментальных исследований СЗУ зарубежных изготовителей позволят разработчикам изделий КТ при заданных требованиях по стойкости достоверно проводить анализ выполнения требований ТТЗ с применением СЗУ.

Результаты диссертации внедрены в ОАО «Ангстрем», ФГУП «ФНПЦ НИИИС имени Ю.Е.Седакова», ОАО «ЦНИИ «Комета», ОАО «ЭНГО СПЭЛС», филиале ФБУ «46 ЦНИИ Минобороны России» при разработке, методическом обеспечении, организации и проведении радиационных испытаний отечественных и СЗУ ИП, а также аппаратуры систем управления на их основе - в частности в космических системах.

Результаты диссертационной работы вошли в отчетные материалы по НИР и составным частям ОКР («Вереница», «Вельвет», «Локомобилыцик», «Литературовед», «Лицей», «Личность -ку», «Дикарь», «Литтос-ку», «Лисичанск-ку», «Джут-ку»), выполненных по заказам Минобороны России и предприятий оборонного комплекса.

Полученные в диссертации результаты реализованы в нормативных документах: Минобороны России, в том числе в РД В 319.03.52 и руководящем документе госкорпорации «Росатом» «Методы оценки изделий микроэлектроники и наноэлектроники на радиационную стойкость к локальным радиационным эффектам при воздействии факторов ядерного взрыва», а также в более чем 20 методиках и протоколах испытаний СЗУ, предназначенных для комплектации средств космической техники.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Орлов, Андрей Александрович, 2012 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Рахманов А.А. Военно-техническая политика Минобороны России в области качества и надежности. «Петербургский журнал электроники», №3-4, 2004.

2. Аналитический отчет НИР «Оазис-2», 22ЦНИИИ Минобороны России, Мытищи, 2006.

3. Борисов Ю.И. Электронная промышленность России. Стратегия развития. Электроника: Наука. Технология. Бизнес. №8, 2006.

4. Мырова Л.О., Чепиженко А.З. Обеспечение стойкости аппаратуры связи к ионизирующим и электронным излучениям, М., Радио и связь, 1988, -296 с

5. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. - М.: Энергоатомиздат, 1989. -256 с.

6. Никифоров А.Ю., Телец В.А., Чумаков А.И. Радиационные эффекты в КМОП ИС. - М.: Радио и связь, 1994. - 164 с.

7. Radiation Design Handbook. European Space Agency. - ESTEC, Noordwijk, the Nederlands, 1993. - 444p.

8. Чумаков А.И. Действие космической радиации на интегральные схемы. - М.: Радио и связь, 2004. - 320 с.

9. Таперо К.И., Улимов В.Н., Членов А.М. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. - 304 с.

10. Яненко А.В. Методы исследования радиационных эффектов в интегральных схемах запоминающих устройств с использованием локального воздействия. Диссертация на соиск. уч. ст. к.т.н. -М.МИФИ, 2009. - 146 с.

11. Орлов А. А. Вопросы применения электрорадио изделий иностранного производства при использовании в аппаратуре военной и космической техники с заданными требованиями по радиационной стойкости// Научно-технический сборник «Военная электроника и электротехника».- Мытищи: 22 ЦНИИИ Минобороны России.- 2010.-С.209-216

12. Киргизова А.В. Прогнозирование эффектов функциональных сбоев в микросхемах запоминающих устройств на структурах «кремний-на-сапфире» при импульсных ионизирующих воздействиях. Диссертация на соиск. уч. ст. к.т.н. - М.:МИФИ, 2007. - 220 с.

13. Давыдов Г.Г. Прогнозирование дозовых эффектов в цифровых КМОП микросхемах на структурах «кремний-на-сапфире» при импульсном ионизирующем воздействии. Диссертация на соиск. уч. ст. к.т.н. -М.:МИФИ, 2009. - 153 с.

14. Радиационная стойкость электронных систем. «Стойкость-2006». Научно-технический сборник - М.: МИФИ-СПЭЛС, 2006. Вып.9. 267 с.

15. Баранов Ю.Л. Состояние и перспективы использования КНС-технологии / Зарубежная электронная техника. — 1989. - №11 (342). -С.19-33.

16. An advanced 0,5pm CMOS/SOI technology for practical ultrahigh-speed and low-power circuits / T. Ipposhi el al. // Proc. 1995 IEEE International SOI Conference, Oct. 1995, pp.46-47

17. Васильев А.Л. Методы и средства моделирования и оценки радиационной стойкости микросхем флэш памяти. Диссертация на соиск. уч. ст. к.т.н. - М.:МИФИ, 2010. - 141 с.

18. АН Sheikholeslami, MEMBER, IEEE, AND P. Glenn Gulak, SENIOR MEMBER, IEEE. A Survey of Circuit Innovations in Ferroelectric Random-Access Memories/ZPROCEEDINGS OF THE IEEE, 2000. - Vol. 88, № 5. -PP. 667-689

19. Philofsky E.M. FRAM-the ultimate memory, Int'l NonVolutile.//Memory Technology Conference, 1996. PP. 99-104

20. http://www.ramtron.com

21. Kenji Maruyama, Masao Kondo, Sushil K.Singh, Hiroshi Ishiwara. New Ferroelectric Material for Embedded FRAM LSIs. //Manuscript received. 2007. №5, PP. 502-507

22. Добрусенко С. Сегнетоэлектрические ОЗУ фирмы Ramtron International быстроразвивающаяся энергонезависимая память. // Электроника: Наука, Технология , Бизнес,. - 2003. - №4. - стр. 14-20

23. Вихарев Л. Перспективные технологии производства памяти. Современное состояние. // Компоненты и технологии. - 2006. - №12. -стр. 78-85

24. Зайцев И. Что же с памятью FRAM стало. // Компоненты и технологии. - 2004. - № 4. - стр. 60-64

25. Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства: Монография // под ред. Чл.-корр. РАН А.С. Сигова. - М.: Энергоатомиздат, 2011. - 175 с.

26. Ачкасов В.Н., Антимиров В.М. Машевич П.Р. Особенности реализации современных вычислительных комплексов для бортовых систем управления // Космонавтика и ракетостроение. - 2005. - №18. - С.45-51

27. Lee S.C., Teowee G., Schrimpf R.D., Birnie D.P., D.R. Uhlmann, and K.F. Galloway. Total dose radiation effects on Sol-Gel derived PZT thin films.// IEEE Trans. OnNucl. Sei. 1992. - Vol. 39. - № 6. - PP. 2036- 2043

28. Валеев A.C., Дягилев B.H., Львович A.A., и др. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства. Электронная промышленность, 1994, вып.6, с.75-79

29. R.E.Jones Jr., P.Zurcher, P.Chu, и др. Memory applications based on ferroelectric and high-permittivity dielectric thin films. Microelectronic Engineering, 1995, v.29, pp. 3-11

30. Валеев А., Воротилов К.. Сегнетоэлектрические пленки. Возможность интеграции с технологией ИС. Электроника: Наука, Технология, Бизнес, 1998, т. 3-4, стр. 75-78

31. Мухтеремов Д.Н., Пешиков Е.В. Физика и химия твердого тела, изд. НИФХИ им. Л .Я.Карпова, вып. 3, М., 1972

32. Пешиков Е.В. Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках. Ташкент, Изд-во «Фан», 1976, стр.140

33. Benedetto J. М., DeLancey W. М., Oldham Т. R., McGarrity J. M., Tipton C. W., M. Brassington and D. E. Fisch. Radiation Evaluation of Commercial Ferroelectric Nonvolatile// Memories, IEEE Trans. - 1991. - №38. PP 14101414

34. Messenger G.C. and Coppage F.N. Ferroelectric Memories: A Possible Answer to the Hardened Nonvolatile Question. //IEEE Trans. Nucl. Sci. -1988.-№35. - 1461-1466

35. Scott J. F., Araujo C.A., Meadows H.B., McMillan L.D. and A. Shawabkeh. Radiation Effects of Ferroelectric Thin-Film Memories: Retention Failure Mechanisms. // - 1989. - №66. - 1444-1453

36. Benedetto J.M., Moore R.A., McLean F.B., Brady P.S. and S. K. Dey. The Effect of Ionizing Radiation on Sol-Gel Ferroelectric PZT Capacitors. // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1990. -№37. - 1713-1717

37. Schwank J.R., Nasby R.D., Miller S.L., Rodgers M.S. and P. V. Dressendorfer. Total-Dose Radiation-Induced Degradation of Thin Film Ferroelectric Capacitors. // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1990 - №37. - 17031712

38. Воротилов K.A., Мухортов B.M., Сигов A.C., Романов А.А., Машевич П.Р. Формирование сегнетоэлектрических наноструктур для нового поколения устройств микро- и наноэлектроники // Наноматериалы и наноструктуры. - 2010. - №1. - стр. 45-53

39. Воротилов К.А., Сигов А.С. Сегнетоэлектрические запоминающие устройства: перспективные технологии и материалы. // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - №10. стр. 30-42

40. Зайцев И. FRAM или NV SRAM? Что выбрать? // Электронные компоненты. - 2004. - № 3. - стр. 26-28

41. Ashok К., Teverovsky A. Evaluation of Data Retention and Imprint Characteristics of FRAMs Under Environmental Stresses for NASA Applications. // Goddard Space Flight Center, Greenbelt, MD 20771

42. Sansoe Claudio and Tranchero Maurizio. Use of FRAM Memories in Spacecrafts. // Dipartimento di Elettronica. Italy. - PP. 215-230

43. Орлов A.A., Уланова A.B., Боруздина А.Б. Обеспечение радиационной стойкости микросхем энергонезависимых сегнетоэлектрических запоминающих устройств// «Спецтехника и связь».- 2011.- №4-5.- С. 5256

44. Th. Holbling, R. Waser. Simulation of the charge transport across grain boundaries in p-type SrTi03 ceramics under dc load: Debye relaxation and dc bias dependence of long-term conductivity. Journal of Applied , 2002, Volume 91, Issue 5, pp. 3037-3043

45. Бойченко Д.В. Моделирование радиационных отказов пьезопреобразователей механических величин на кремниевых, карбидкремниевых и диэлектрических структурах. Диссертация на соиск. уч. ст. к.т.н., Москва, МИФИ, 2009г.

46. Moore, R.A. Benedetto, J. Rod, B.J. Total dose effect on ferroelectric PZT capacitors used as non-volatile storage elements. IEEE Trans. Nucl. Sci, NS-40, Vol. 6, 1993, pp. 1591 - 1596

47. Holbert, K.E. Sankaranarayanan, S. McCready, S.S. Response of lead metaniobate acoustic emission sensors to gamma irradiation. IEEE Trans. Nucl. Sci, NS-52, Vol. 6, 2005, pp. 2583 - 2590

48. Borisenok, V.A.; Novitskii, E.Z.; Simakov, V.G.; Physical effects in pyroelectric pulsed ionizing radiation detectors Applications of Ferroelectrics, 1990., IEEE 7th International Symposium . 1990. pp. 378 -382

49. S. R. KIM and S. K. CHOI. Effects of Grain Size and Doping on Photovoltaic Current in (Pbl-xLax)Ti03 Ferroelectric Ceramics. Ferroelectric Letters, 31:63-72, 2004

50. A. Kholkin et. al. Transient photocurrents in lead zirconate titanate thin films. Applied Physics Letters, Volume 72, Issue 1, 1998, pp. 130-132

51. Diplom-Ingenieur Jtirgen Thomas Rickes aus Neuwied. Advanced Circuit Design of Gigabit-Density Ferroelectric Random-Access Memories //2002, pp. 1-150

52. R. WASER, R. HAGENBECK. Grain boundaries in dielectric and mixed-conducting ceramics. Acta mater. 48 (2000) 797-825

53. A. L. Kholkin, S. О. Iakovlev, and J. L. Baptista . Direct effect of illumination on ferroelectric properties of lead zirconate titanate thin films. Applied Physics Letters ~ September 24, 2001 ~ Volume 79, Issue 13, pp. 2055-2057

54. MLTada etal, Photoconducting properties of oxygen-deficient Bi4Ti012. Key Engineering Materials Vol. 301 (2006), pp.7-10

55. Новацкий В. Динамические задачи термоупругости. М.: Мир, 1970

56. Shusen Huang, Ни Tao, I-Kuan Lin, Xin Zhang. Development of double-cantilever infrared detectors: Fabrication, curvature control and demonstration of thermal detection. Sensors and Actuators A 145-146 (2008) 231-240

57. OCT 11.073.013-03. Часть 10. Микросхемы интегральные. Методы испытаний. Испытания на стойкость к воздействию специальных факторов и импульсную электрическую прочность.

58. ГОСТ РВ 20.57.415-98

59. Диянков B.C., Ковалев В.П., Кормилицын А.И. и др. Обзор экспериментальных установок ВНИИТФ для радиационных исследований //ФММ. Т.81. Вып.2. С.119-123. 1996.

60. Физика и техника импульсных источников ионизирующих излучений для исследования быстропротекающих процессов // Сб. научных трудов под ред. Макеева Н.Г.. Саров. 1996

61. Б.С.Ишханов, Л.С.Новиков, Г.Г.Соловьев, А.В.Спасский, В.И.Шведунов. Испытательно-ускорительная база НИИЯФ МГУ // Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-2001": тез. докл. - СПЭЛС, 2001. с. 229-230

62. Физика и техника импульсных источников ионизирующих излучений для исследования быстропротекающих процессов // Сб. научных трудов под ред. Макеева Н.Г.. Саров. 1996

63. Б.С.Ишханов, Л.С.Новиков, Г.Г.Соловьев, А.В.Спасский, В.И.Шведунов. Испытательно-ускорительная база НИИЯФ МГУ // Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-2001": тез. докл. - СПЭЛС, 2001. с. 229-230

64. Артамонов А.С., Демидов А.А., Калашников О.А., Никифоров А.Ю. и др. Методы радиационных исследований АЦП/ЦАП // XVII междунар. симпоз. по ядерной электронике, Варна, 15 - 21 сент. 1997 г.: - Дубна: ОИЯИ, 1998.-С. 75-80

65. Эльяш С.Л, Профе Л.П. Применение малогабаритного ускорителя АРСА для оперативного контроля показателей стойкости элементной базы к воздействию импульсного ионизирующего излучения // Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-2001": тез. докл. - СПЭЛС, 2001. с. 201-202

66. Основные положения концепции создания и внедрения имитационных методов оценки и прогнозирования радиационной стойкости lililí и ИС / А.Ю. Никифоров, В.А. Телец, А.И. Чумаков и др. // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных воздействий на РЭА. - 1994. -Вып. 3 - 4. С. 74 - 80

67. Имитационное экспериментальное моделирование для оценки и прогнозирования радиационной стойкости ИЭТ. / Е.Р. Аствацатурьян, А.Ю. Никифоров, А.И. Чумаков и др.//Вестник РАДТЕХ. —1991. — N2. -С. 44-47

68. Система имитационной оценки и прогнозирования показателей радиационной стойкости интегральных схем / М.И. Критенко, А.Ю. Никифоров, В.А. Телец и др. Радиационные процессы в электронике. -М., 1994. - С. 145 - 146

69. Dosier С.М., Brown D.B. The use of low-energy X-rays for device testing. A comparison with Co-60 radiation //IEEE Trans. On Nucl. Sc. - 1983. -vol.30.-No. 6-p.4382.

70. Артамонов A.C., Чумаков А.И. Рентгеновский имитатор «РЕИМ-2». // Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость -2002". - 2002 - вып.5. - с. 231-232.

71. Артамонов A.C., Чумаков А.И. Современные модели рентгеновских имитаторов // Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость -2005". - 2005 - вып.8. - с. 215-216.

72. I.N.Shvetsov-Shilovsky, "MOSFET Prediction in Space Environments", Proc. 20th International Conference on Microelectronics (MIEL'95), vol.1, Nis,Serbia, 12-14 September, 1995, p.183-188.

73. РД В 319.03.22-97. Микросхемы интегральные и полупроводниковые приборы. Методы контроля радиационной стойкости на этапах разработки, производства и поставки. Общие методики имитационных испытаний. М.: Изд-во 22ЦНИИИ Минобороны России, 1997. - 32 с.

74. А.И. Чумаков, A.B. Яненко, A.JI. Васильев, A.A. Печенкин, Д.В. Савченков, A.C. Тарараксин, P.P. Нигматуллин, A.A. Новиков //Методы оценки стойкости ЭКБ к локальным радиационным эффектам //В сб.: Электронная компонентная база космических систем. Мат. X науч.-техн. конф., т. 10. - М. : МНТОРЭС им. A.C. Попова, филиал ФГУП ТНПРКЦ "ЦСКБ-Прогресс"- "НПП "ОПТЕКС", 2011, с. 145-151.

75. А.И. Чумаков Взаимосвязь эквивалентных значений линейных потерь энергии тяжелых заряженных частиц и энергии сфокусированного лазерного излучения//Микроэлектроника, 2011, т. 40, № 3, с. 163-169.

76. Д.О. Кольцов, А.А. Печенкин Система автоматической фокусировки для лазерных имитаторов, предназначенных для исследования стойкости СБИС к воздействию ТЗЧ//В сб.: Радиационная стойкость электронных систем "Стойкостъ-2011". - М.: НИЯУ МИФИ, 2011, вып. 14, с. 179-181

77. А.И. Чумаков, А.В.Яненко Анализ методов испытаний ЭКБ на стойкость к воздействию ТЗЧ и ВЭП//В сб.: Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-2011". - М.: НИЯУ МИФИ, 2011, вып. 14, с. 175-176.

78. А.Б. Боруздина, А.В. Уланова, А.К. Лабкович Аппаратно-программный комплекс контроля деградации времени выборки микросхем памяти при дозовом воздействии //В сб.: Радиационная стойкость электронных систем "Стойкостъ-2011". - М.: НИЯУ МИФИ, 2011, вып. 14, с. 217-218

79. Калашников О.А., Никифоров А.Ю. Методика сертификации электронной компонентной базы бортовой космической аппаратуры по стойкости к дозовому воздействию //Спецтехника и связь, 2011, № 4-5, с. 32-38.

80. Согоян А.В., Артамонов А.С., Богданов Ю.И., Никифоров А.Ю. Метод испытаний интегральных схем на стойкость к дозовому воздействию на основе совместного применения гамма и рентгеновских источников //Спецтехника и связь, 2011, № 4-5, с. 39-44.

81. Егоров А.Н., Маврицкий О.Б., Чумаков А.И., Никифоров А.Ю., Телец В.А., Печенкин А.А., Яненко А.В., Кольцов Д.О., Савченков Д.В Лазерные имитаторы «пико» для испытаний электронной компонентной базы на стойкость к воздействию отдельных ядерных частиц //Спецтехника и связь, 2011, № 4-5, с. 8-13.

82. Тарараксин А.С., Савченков Д.В., Печенкин А.А. Автоматизация испытаний интегральных микросхем на стойкость к воздействию отдельных ядерных частиц с использованием аппаратно-программного комплекса National Instruments и технологий .NET

//Спецтехника и связь, 2011, № 4-5, с. 14-16.

83. http://www.ni.com

84. Ю.А. Ожегин, А.Ю. Никифоров, В.А. Телец, А.С. Пыхтина Особенности и перспективы развития системы обеспечения и контроля качества радиационных испытаний ЭКБ//В сб.: Электронная компонентная база космических систем. Мат. X науч.-техн. конф., т. 10. - М. : МНТОРЭС им. А.С. Попова, филиал ФГУП "ГНПРКЦ "ЦСКБ-Прогресс"- "НПП "ОПТЕКС", 2011, с. 138-144.

85. А.Ю. Никифоров Оценка радиационной стойкости электронной компонентной базы космических систем - мифы и реальность //В сб.: Электронная компонентная база космических систем. Мат. X науч.-техн. конф., т. 10. - М. : МНТОРЭС им. А.С. Попова, филиал ФГУП ТНПРКЦ "ЦСКБ-Прогресс"- "НПП "ОПТЕКС", 2011, с. 129-137.

86. А.Л. Васильев, А.Ю. Никифоров, А.Г. Петров, А.В. Уланова, А.В. Яненко Методические особенности радиационных испытаний микросхем памяти при воздействии импульсных и стационарных ионизирующих излучений/ЛХ Межотрасл. конф. по радиационной стойкости: сб. докл.: в 2 т. Т. 1 г. Снежинск: РФЯЦ-ВНИИТФ, 2011, с. 371-389.

87. Орлов А.А., Петров А.Г., Уланова АВ.Исследование характеристик сегнетоэлектрических ОЗУ (РКАМ) 256кБит при воздействии ионизирующих излучений Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-2010". - М.: МИФИ, 2010. - Вып. 13. - С.25-26

88. РД В 319.03.52 «Микросхемы интегральные и полупроводниковые приборы. Методы контроля радиационной стойкости на этапах разработки, производства и поставки. Общая методика лазерных имитационных испытаний в широком диапазоне уровней и длительностей импульсов специальных факторов, а также температуры среды» //. - М.: 22ЦНИИИ Минобороны России, 1997. - 53 с.

89. А.А. Печенкин. Лазерные методы оценки стойкости КМОП БИС к тиристорным эффектам при воздействии отдельных ядерных частиц. Дисс. насоиск ученой степени к.т.н. НИЯУ МИФИ. - 2012 г.

90. РД В 319.03.38-2004 Методы взаимного пересчета параметров моделей одиночных сбоев больших и сверхбольших интегральных схем при воздействии отдельных высокоэнергетичных тяжелых заряженных частиц галактических и солнечных космических лучей и протонов космического пространства //. - М.: 22ЦНИИИ Минобороны России, 2004. - 29 с.

91. РД В 319.03.31-1999 Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения Рациональные состав и последовательность испытаний на радиационную стойкость //. -М.:22ЦНИИИ Минобороны России, 1999. - 13 с.

92. ОСТ В 11 998-99. Микросхемы интегральные. Общие технические условия. - 22 ЦНИИИ МО, 1999, 138 с.

93. РД 319.03.24-97 Микросхемы интегральные. Методы испытаний и оценки стойкости больших и сверхбольших интегральных схем к одиночным сбоям от воздействия отдельных высокоэнергетичных тяжелых заряженных частиц и протонов космического пространства //. - М.: 22 ЦНИИИ МО, 1997. - 53 с.

131

94. ГОСТ РВ 20.39.305-98. КГВС «Мороз-6»

95. КСОТТ ГОСТ РВ 20 39.414.2-97. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Требования по стойкости к воздействию спецфакторов

96. РД В 319.03.58-2010 Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые. Методы испытаний и оценки стойкости интегральных схем и мощных МДП-транзисторов по эффектам отказов от воздействия отдельных высокоэнергетичных тяжелых заряженных частиц и протонов космического пространства.-22 ЦНИИИ Минобороны России.-2010.- С.44

97. А.Ю. Никифоров, М.Н. Стриханов, В.А. Телец, А.И. Чумаков

Опыт работы Испытательного центра ОАО "ЭНПО СПЭЛС" - НИИИЯУ МИФИ по реализации базовой технологии прогнозирования оценки и контроля радиационной стойкости изделий микроэлектроники /ЯХ Межотрасл. конф. по радиационной стойкости: сб. докл.: в 2 т. Т.1 г. Снежинск: РФЯЦ-ВНИИТФ, 2011, с. 27-31.

98. Никифоров А.Ю., Критенко М.И., Телец В.А., Герасимов В.Ф., Чумаков

A.И. Система радиационных испытаний БИС в процессе разработки, производства и поставки, в сб. «Радиационная стойкость электронных систем - Стойкость-98», СПЭЛС-НИИП, Москва, 1998 г., с.5-6.

99. Телец В.А., Никифоров А.Ю., Малюдин С.А., Подъяпольский С.Б. Контроль радиационной стойкости ИС в условиях прерывного, неритмичного, единичного и мелкосерийного производства. //«Радиационная стойкость электронных систем - Стойкость-98». - М.: МИФИ, 1998 вып. 1, С.7-8

100 Методы и средства технологического контроля и диагностирования радиационной стойкости изделий микроэлектроники / А.Ю.Никифоров,

B.А.Телец, С.А.Малюдин и др. // Микро- и наноэлектроника-98: Тез. докл. Всерос. научно-техн. конф. - Звенигород, 1998. Т. 2. С. 2-51

101 Критенко М.И., Марютин В.Н., Малюдин С.А. и др. Система контроля радиационной стойкости ИС при комплектовании важнейших объектов ВВТ, Научно-технический сб. "Радиационная стойкость электронных систем - Стойкость-99", СПЭЛС-НИИП, 1999, с.3-4

102 Научно-технический отчет (итоговый) по теме «Исследования и реализация в разработках и производстве высокоинтегрированной ЭКБ технологий прогнозирования, оценки, контроля и обеспечения радиационной стойкости для обеспечения боевой эффективности ВВТ» (шифр «Литтос-ку»), Государственный контракт от 05.06.2010 г. №6550, 2012

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ

АПК - аппаратно-программный комплекс;

БИС - большая интегральная схема;

ВПР - время потери работоспособности;

ЗУ - запоминающее устройство;

ЗУПВ - запоминающие устройства с произвольной выборкой;

ИИ - ионизируюшее излучение;

ИИИ - импульсное ионизирующее излучение;

ИРИ - импульсное рентгеновское излучение;

ИС - интегральная схема;

кмоп - комплементарная металл- окисел - полупроводник схема;

кни - технология кремний на изоляторе;

кнс - технология кремний на сапфире;

кт - космическая техника;

лпэ - линейные потери энергии;

МОП - структура металл-окисел-полупроводник;

МУ - моделирующая установка;

ОЗУ - оперативное запоминающее устройство;

ОС - одиночный сбой;

ояч - отдельные ядерные частицы;

ояч - отдельная ядерная частица;

ПЗУ - постоянное запоминающее устройство;

плис - программируемая логическая интегральная схема;

пми - программа методика испытаний;

пп - полупроводниковый прибор;

рд - руководящий документ;

РИ - рентгеновское излучение;

СБИС - сверхбольшая интегральная схема;

СЗУ - сегнетоэлектрическое запоминающее устройство;

СОЗУ - статическое оперативное запоминающее устройство;

тзч - тяжелая заряженная частица (ион);

ттз - тактико-технические задание;

тэ - тиристорный эффект;

УБР - уровень бессбойной работы;

УПО - уровень параметрического отказа;

УСИ - уровень сохранности информации;

УТЭ - уровень тиристорного эффекта;

УФО - уровень функционального отказа;

ФК - функциональный контроль;

ФСУ - фундаментальная система уравнений

ФТ - функциональный тест;

ЦТС - цирконат титанат свинца;

ЭРИ - элекгрорадиоизделия;

ЯП - ячейка памяти.