Прогнозирование дозовых эффектов в цифровых КМОП микросхемах на структурах "кремний-на-сапфире" при импульсном ионизирующем воздействии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.05, кандидат технических наук Давыдов, Георгий Георгиевич

• Давыдов, Георгий Георгиевич
• кандидат технических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат технических наук Давыдов, Георгий Георгиевич

Глава 1 Анализ проблемной ситуации в области развития ^

БИС на КНС структурах для радиационно-стойких систем

1.1. Области применения БИС на КНС структурах

1.2. Особенности радиационного поведения КМОП КНС БИС

Влияние условий и режимов эксплуатации на радиационное поведение

КНС БИС

1.4. Методы обеспечения и оценки дозовой стойкости КНС БИС при ИИВ

1.5. Постановка задач диссертации

Глава 2 Расчетно-экспериментальное моделирование ^ дозовых ионизационных эффектов в КНС БИС при ИИВ

2 | Основные механизмы дозовой деградации параметров радиационного поведения активных элементов КНС БИС

2.2. Особенности накопления и релаксации РИЗ

2.3. Численная модель релаксации РИЗ ^ Методика прогнозирования дозовой деградации параметров КНС БИС ^ при импульсном воздействии

2.5. Выводы

Развитие методических и технических средств

Глава 3. экспериментальных исследований КНС БИС на стойкость к дозовым воздействиям ^ Выбор источников ИИВ для экспериментального моделирования ^ эффектов дозы за импульс

3 2 Анализ применимости имитирующего воздействия к исследованиям деградации параметров КНС БИС ^ ^ Общая методика и автоматизированный комплекс для экспериментальных ^ исследований дозовой деградации КМОП КНС БИС при ИИВ

3.4 Исследования радиационного поведения КНС БИС на МУ и имитаторах

3.5. Выводы

Глава4 Методика неразрушающего контроля g. дозовой стойкости КМОП КНС БИС j Исследование разброса ^ радиационо-чувствительных параметров КНС БИС

4.2. Общая методика неразрушающего контроля стойкости КМОП КНС БИС

4.3. Исследование и статистический анализ эффективности методики РО ^ Оценка границ применимости методики РО для неразрушающего ^ контроля стойкости партий КНС ИС.

4.5. Выводы по главе

Глава 5 Прогнозирование и исследование стойкости КМОП КНС БИС ^ к дозовым воздействиям ^ Влияние термополевого режима функционирования ^ ^ ^ на дозовую стойкость КНС БИС Исследования влияния конструктивно-технологических особенностей ^ ^ на дозовую стойкость КНС БИС Прогнозирование стойкости КНС БИС в процессе длительной эксплуа- ^g тации или хранения Исследования дозовой стойкости экспериментальных образцов КМОП КНИ БИС

5.5. Выводы по главе

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Прогнозирование дозовых эффектов в цифровых КМОП микросхемах на структурах "кремний-на-сапфире" при импульсном ионизирующем воздействии»

Диссертация направлена на решение научно-технической задачи развития рас-четно-экспериментальных методов н технических средств прогнозирования дозовых отказов Комплементарных Метал-Окисел-Полупроводник (КМОП) больших интегральных схем (БИС) на структурах «кремний на сапфире» (КНС) при импульсном ионизирующем воздействии (ИИВ) с характеристиками, недостижимыми в лабораторных условиях. Прогнозирование дозовых отказов КМОП КНС БИС при импульсном воздействии имеет существенное значение при создании радиационно-сгойких элементов и устройств систем управления и вычислительной техники военного, космического и другого специального назначения, повышения их функциональных и эксплуатационных характеристик, а также эффективности применения.

Актуальность темы диссертации

Технические и эксплуатационные характеристики перспективных систем управления и вычислительной техники во многом обусловлены техническим уровнем входящих в их состав модулей и микросхем обработки цифровой информации.

Современные тактико-технические требования, предъявляемые к аппаратуре [1,2] и, соответственно, электронной компонентной базе (ЭКБ) систем управления (СУ) и вычислительной техники (ВТ) специального назначения [3] (военной, ракетно-космической техники, систем связи, аппаратуры физического эксперимента), определяют условия их эксплуатации при радиационных воздействиях. Наибольшим поражающим действиям по отношению к изделиям микроэлектроники (по энергетическому критерию) обладает ИИВ [4,5].

Заданные требования к ЭКБ по «выживанию» при предельных уровнях ИИВ в

12 13 II диапазоне 10 . 10 ед/с и сбоеустойчивоети не менее 10" ед/с, а в ряде случаев до 1 ^

1.5) 10 ** ед/с, являются практически недостижимыми для БИС на объемных (моно-и эпи-) кремниевых структурах, что обуславливает необходимость реализации таких БИС на структурах с диэлектрической изоляцией элементов (КСДИ), которые обеспечивают существенное снижение ионизационных токов и подавление паразитных связей между соседними элементами БИС при ИИВ [5]. Исторически первой и к настоящему времени наиболее широко использующейся отечественной КСДИ технологией является КНС технология [5-7].

Микросхемы на КНС-структурах реально обеспечивают указанные выше предельные уровни «выживания» и сбоеустойчивости при ИИВ по эффектам мощности дозы [6,7]. Однако особенности конструкции, в частности, наличие «нижней» дополнительной (по сравнению с традиционными КМОП-структурами) границы подза-творной кремниевой области и диэлектрической подложки в активных Метал-Окисел-Полупроводник транзисторах (МОПТ) определяет повышенную чувствительность КМОП/КНС-микросхем к дозовым эффектам как при импульсных, так и при стационарных радиационных воздействиях.

Необходимость создания КМОП КНС БИС с заданным уровнем стойкости к дозовым воздействиям, повышения их рабочих и эксплуатационных характеристик, а также эффективности применения определяет важность и актуальность научных задач исследования и моделирования закономерностей радиационного поведения КМОП КНС БИС и их элементов при дозовом воздействии, разработки эффективных методов расчетно-экспериментального прогнозирования сбоеустойчивости БИС в условиях запрета натурных облучательных опытов и ограниченных возможностей испытательных моделирующих установок (МУ). На решение указанных задач на основе создания и развития методов и средств расчетно-экспериментального моделирования цифровых КМОП КНС БИС при импульсных дозовых воздействиях и направлена диссертация.

Важность и актуальность темы диссертации отражена в «Основах политики Российской Федерации в области развития электронной компонентной базы на период 2010 года и дальнейшую перспективу», утвержденных Президентом Российской Федерации 12.04.02, в соответствии с которыми создание радиационпо-стойкой ЭКБ при ее разработке, производстве и применении в стратегически значимых системах отнесено к одной из приоритетных задач.

Состояние исследований по проблеме.

Вопросам создания и развития номенклатуры микросхем на КНС структурах посвящены многочисленные научные исследования и разработки, выполненные к.ф-м.н. Поляковым И.В. [127,128], д.т.н. Адониным A.C. [126] (ОАО «НПП «Сапфир»), Калининым A.B., к.т.н. Машевичем П.Р. [3], Романовым A.A. (ОАО «Ангстрем»), к.т.н. Герасимовым Ю.М., к.т.н. Григорьевым Н.Г. (МИФИ), д.т.н. Антимировым В.М. [1-3,21,22], Малковым В.И. (ФГУП «НПО Автоматики») и др. В трудах д.т.н.

Петросянца К.О. [129] и к.т.н. Харитонова И.А. (МИЭМ) [28] были разработаны методы электрического моделирования и предложены SPICE-модели активных элементов КНС БИС. Физические модели, методики и первые результаты имитационных испытаний КМОП КНС БИС были развиты в работах д.т.н. Никифорова А.Ю. [5,121,127,128], Скоробогатова П.К. [4] (МИФИ) и др. Эффективные методические и технические средства управления и тестирования КНС БИС в процессе радиационного эксперимента предложены д.т.н. Чумаковым А.И. [122], Яненко A.B. [123]. к.т.н. Калашниковым O.A. [124], к.т.н. Артамоновым A.C. [125] (МИФИ). Вопросам прогнозирования эффектов мощности дозы и обеспечения сбоеустойчивости КМОП КНС БИС запоминающих устройств при ИИВ с предельными уровнями посвящена диссертация к.т.н. Киргизовой A.B. [62].

Однако до сих пор остаются недостаточно проработанными важные вопросы моделирования и прогнозирования радиационного поведения КМОП КНС БИС при импульсных дозовых воздействиях. Практически во всех работах эффекты дозовые и мощности дозы ИИВ рассматривались независимо и без учета их взаимного влияния. В практике радиационных испытаний в соответствии с ГОСТ РВ 20 57.415 принято проводить раздельную оценку стойкости микросхем по двум указанным группам эффектов, в частности с независимым использованием лазерных и рентгеновских имитаторов. Поэтому специфика импульсного характера набора дозы в КМОП КНС БИС при ИИВ практически не исследована. Соответственно, не обоснован рациональный выбор источников лабораторных воздействий для дозовых испытаний КМОП КНС БИС, не проанализирована возможность использования для этого рентгеновских имитаторов.

На момент начала работы аппаратно-программные средства радиационного эксперимента не обеспечивали возможности полноценного автоматизированного управления, контроля и диагностирования работоспособности БИС в активных динамических режимах работы в реальном времени непосредственно в процессе и после дозового воздействия.

Задача обеспечения и повышения уровня дозовой стойкости отечественных КМОП КНС БИС в условиях присущих этому базису разброса и нестабильности эксплуатационных, в том числе, радиационных характеристик требует отработки технологического процесса производства и введения системы 100%-ого неразрушающего контроля стойкости готовых изделий по критическим параметрам. Следует отметить, что имеющиеся методики снижения засоренности производственных партий КМОП БИС потенциально нестойкими образцами, основанные на радиационно-термической отбраковке [46,47], оказались неэффективными для КМОП КНС БИС.

Таким образом, диссертация направлена на разрешение научного противоречия, которое заключается одновременно в необходимости и невозможности обеспечить достоверное прогнозирование дозовых эффектов в цифровых КМОП КНС микросхемах при ИИВ с предельными уровнями, оставаясь в рамках имеющихся методов и средств теоретического и экспериментального моделирования без их научно-технического развития.

Целью диссертации является развитие научных методов и разработка методических и технических средств прогнозирования дозовых эффектов в цифровых КМОП КНС БИС при импульсном ионизирующем воздействии с учетом характеристик ИИВ, а также режимов и условий работы микросхем в аппаратуре.

Указанная цель достигается решением в работе следующих задач:

- выявления, теоретического анализа, моделирования и экспериментальных исследований основных закономерностей радиационного поведения и доминирующих радиационных эффектов в КМОП КНС БИС и их элементах при стационарных и импульсных дозовых воздействиях;

- развития модели и основанного на ней расчетно-экспериментального моделирования дозовых эффектов в КМОП КНС БИС при импульсном характере набора дозы, обеспечивающей достоверность прогноза уровня стойкости при минимизации объема радиационных испытаний и затрат на их проведение;

- научно-обоснованного выбора источников дозовых воздействий и обоснованием возможности и границ применения рентгеновских имитаторов для испытаний КНС БИС;

- разработки новых и совершенствования существующих методических и технических средств испытаний КМОП КНС БИС на стойкость к дозовому воздействию, обеспечивающих гибкое управление, выявление и диагностирование параметров до-зовой стойкости в реальном времени в процессе и после воздействия;

- получения и систематизации оригинальных экспериментальных данных, устанавливающих общность радиационного поведения КМОП КНС БИС в широких диапазонах режимов работы и условий эксплуатации — электрического режима работы, уровней дозовых воздействий и сроков эксплуатации;

- разработки и внедрения методики неразрушающего контроля и прогнозирования дозовой стойкости КМОП КНС микросхем в процессе их производства, с учетом импульсного характера воздействия и адаптированной для различных вариантов конструктивного исполнения микросхем;

- исследования влияния схемно-технологической реализации на дозовую стойкость КМОП КНС БИС, разработки научно-обоснованных рекомендаций по повышению радиационной стойкости, анализа дозовой стойкости КМОП БИС при переходе производства с КНС на технологию «кремний-на-изоляторе» (КНИ).

Научная новизна работы:

В результате расчетно-экспериментального моделирования выявлены, описаны и систематизированы основные закономерности и доминирующие механизмы радиационного поведения КМОП КНС БИС и их базовых элементов при импульсных дозовых воздействиях:

1. Предложена численная модель дозового отклика КНС МОПТ и цифровых КМОП КНС БИС на их основе при импульсном характере набора дозы. Модель описывает релаксацию радиационио-индуцированного заряда (РИЗ) в приграничной области кремния с сапфировой подложкой после ИИВ; при этом учитывается распределение зарядовых состояний вблизи границы, электрический режим работы активного элемента, а также амплитудно-временные параметры воздействия.

2. Предложена методика прогнозирования уровня стойкости КМОП КНС БИС при импульсном наборе дозы при импульсном воздействии, в том числе с предельными уровнями, по результатам лабораторных испытаний с применением стационарных и импульсных источников ИИ. Полученные в ходе лабораторных испытаний данные экстраполируются в область требуемых параметров воздействия по результатам минимального (до 5% от общего объема испытаний) объема импульсных испытаний с приемлемой интенсивностью, проведенных для малой выборки КНС БИС.

3. Предложено использовать метод радиационно-стимулированного отжига для восстановления первоначального значения статического тока потребления КМОП КНС БИС. Научно обоснован методический подход неразрушающего контроля дозовой стойкости КМОП КНС БИС по критическому параметру - току потребления в статическом режиме. Выбраны, научно-обоснованы и экспериментально подтверждены режимы*облучения и отжига, обеспечивающие высокую достоверность прогноза и его неразрушающий характер.

Практическая значимость работы:

1. Предложена оригинальная методика, позволяющая прогнозировать отказ образца КМОП КНС БИС при заданном уровне дозового воздействия большой интенсивности по результатам контрольного лабораторного облучения этого образца ИИВ средней интенсивности и последующего отжига.

2. Предложена оригинальная методика неразрушающего контроля и прогнозирования дозовой стойкости КМОП КНС БИС по критическому параметру - току потребления в статическом режиме. Разработаны и развиты методические и технические средства неразрушающего контроля производственных партий КМОП КНС БИС по стойкости к дозовым воздействиям с учетом импульсного характера набора дозы и различных видов конструктивной реализации микросхем (на полиимидных носителях, на пластинах и в металлокерамических корпусах).

3. Получены оригинальные результаты экспериментальных исследований радиационного поведения для практически всех типов отечественных цифровых КМОП КНС БИС, созданных в последнее десятилетие на различных предприятиях (ОАО «Ангстрем», ОАО «НПП Сапфир», ФГУП «ФНПЦ НИИИС»). Результаты позволили верифицировать разработанные модельные представления и методические подходы, обосновать взаимную сходимость и адекватность различных видов испытаний и предложить рациональный состав дозовых испытаний, обеспечивающий сочетание высокой достоверности и технико-экономической эффективности.

4. Разработаны рекомендации по увеличению дозовой стойкости КМОП КНС БИС на основе рационального выбора их конструкции, топологии, а также параметров техпроцесса. Оптимальное соотношение стойкости и стабильности функционирования может быть достигнуто при толщине приборного слоя КНС структуры 0,3.0,4 мкм. Введение дополнительных проводящих слоев приводит к снижению тока потребления КНС БИС. Повышение уровня стойкости КНС БИС обеспечивается при выборе энергии имплантации бора 70 кэВ и дозе имплантации до 0,3 и свыше 0,6 мкКл/см .

5. Впервые установлено снижение максимальной величины радиационно-иидуцированных токовых утечек в КМОГ1 КНС БИС при эксплуатации или хранении микросхем в течение длительного времени. Впервые показано повышение уровня до-зовой стойкости КМОП КНС БИС в процессе длительной эксплуатации или хранении.

Впервые получены результаты исследований радиационного поведения СВЧ КНС БИС иностранного производства с ультратонким (0,1 мкм) приборным слоем иТ81®. Установлена близость основных закономерностей поведения иностранных и отечественных КНС БИС. Полученные результаты определяют потенциальную возможность использования предложенных методик для прогнозирования дозовой стойкости КНС БИС, изготовленных по технологии иТ81®.

Впервые получены оригинальные результаты сравнительных исследований до-зовых эффектов в КМОП БИС, выполненных по КНС и КНИ технологиям, показывающие близость основных закономерностей их радиационного поведения. Полученные результаты определяют потенциальную возможность использования предложенных методик для прогнозирования дозовой стойкости КНИ БИС и СБИС.

Результаты, выносимые иа защиту:

1. Модель релаксации РИЗ после дозового воздействия, учитывающая импульсный характер набора дозы, профиль распределения РИЗ вблизи границы приборного слоя и сапфировой подложки и электрический режим КНС структуры, и позволяющая прогнозировать ток потребления КНС БИС в произвольный момент времени после ИИВ.

2. Методика прогнозирования отказа образца КМОП КНС БИС при заданном уровне дозового воздействия большой интенсивности по результатам контрольного лабораторного облучения этого образца ИИВ средней интенсивности и последующего отжига.

3. Обобщенная методика 100%-го неразрушающего контроля КМОП КНС БИС по стойкости к дозовым воздействиям, позволяющая проводить разбраковку производственных партий КМОП КНС БИС по дозовой стойкости, минимизировать засоренность производственной партии заведомо нестойкими образцами и исключить их применение в ответственной аппаратуре.

4. Аппаратно-программный комплекс для радиационных испытаний КНС БИС, обеспечивающий гибкое управление, а также полноценный функциональный и параметрический контроль работоспособности БИС в реальном времени, в активных динамических режимах работы в процессе и после ионизирующего воздействия. Предложены меры, повышающие помехозащищенность сигнальных линий при проведении эксперимента на моделирующей установке.

5. Оригинальные результаты экспериментальных исследований радиационного поведения цифровых КМОП КНС БИС и тестовых структур с различными топологическими размерами, параметрами техпроцесса, в различных режимах и сроках эксплуатации, подтверждающие обоснованность предложенных методических и технических средств прогнозирования дозовой деградации параметров КНС БИС при импульсном ионизирующем воздействии.

Апробация работы.

Результаты диссертации внедрены в ОАО «НЛП Сапфир», ОАО «Ангстрем», ФГУП «ФНПЦ НИИИС», ОАО «ЭНПО СПЭЛС» при разработке и радиационных испытаниях большинства отечественных КМОП КНС БИС серий 1825, 1620. Результаты диссертации вошли в отчетные материалы по многочисленным НИР и ОКР («Врач», «Микроскоп», «Мурена», «Корвет», «Сапфир», «Мелисса», «Микология» и др.), выполняемых по заказам Минобороны РФ, Росатома, Роспрома, Роскосмоса и предприятий оборонного комплекса. Полученные в диссертации результаты реализованы в Нормативных документах Минобороны России (ОСТ В 11.073.013 часть 10), а также в более чем 25 программах-методиках и протоколах испытаний КМОП КНС БИС, согласованных с ФГУ «22 ЦНИИИ Минобороны России» в рамках Государственной Программы Вооружений.

Основные результаты диссертации докладывались на российских научных конференциях "Радиационная стойкость электронных систем" (Лыткарино, 2004-2008 гг.); научных сессиях МИФИ (Москва, 2005-2008 гг.); на научных конференциях "Электроника, микро- и наноэлектроника" (г.Кострома 2003 г., г.Н.Новгород 2004 г., г.Вологда 2005 г., г.Гатчина 2006 г.); на IV, V, VI и VII научно-практических семинарах «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (г.Н.Новгород, 2004, 2005, 2006, 2007 гг.).

Публикации: Основные результаты диссертации опубликованы в 15 работах (в период с 2004 по 2008 гг.), в том числе 1 без соавторов.

Объем и структура диссертации. Диссертация содержит 153 страницы, в том числе 100 рисунков, 18 таблиц, список литературы из 130 наименований и состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы и списка сокращений.

Заключение диссертации по теме «Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления», Давыдов, Георгий Георгиевич

5.5. Выводы

1. Представлены результаты экспериментальных исследований номенклатуры КНС БИС различного функционального назначения, показана нестабильность уровней стойкости и относительной величины разбросов тока потребления.

2. Установлено, что наиболее критичным режимом для БИС цифровой логики является статический режим при обеспечении на максимальном количестве выводов БИС уровня логической «1». Для КНС БИС ЗУ критичным режимом является хранение кода шахматы. Вместе с тем величина разброса тока потребления зачастую превышает различие тока при хранении различных кодов.

3. На основе проведенных исследований разработаны рекомендации по повышению дозовой стойкости КМОП КНС БИС. Оптимальное сочетание импульсной и дозовой стойкости достигается при толщине приборного слоя 0,4 мкм. Радиационно-индуцированные токи утечки снижаются в 2. 10 раз при введении дополнительных шунтирующих слоев в области стока-истока КНС МОПТ. Уменьшение разброса тока потребления КНС БИС происходит при дозе имплантации бора менее 0,3 мкКл/см и свыше 0,6 мкКл/см" при энергии имплантации 80кэВ.

4. Проведенные исследования дозовой стойкости КНС ИС на UTSi структурах показали, что наиболее чувствительным параметром дозовой стойкости является ток потребления в динамическом режиме.

5. Впервые показано качественное сходство радиационного поведения КНС и КНИ БИС, изготовленных по единым фотошаблонам. Показана сильная зависимость дозового поведения от потенциала общей подложки кристалла КНИ БИС.

Заключение

Основным результатом диссертации являлось решение актуальной научно-технической задачи моделирования дозовых эффектов в цифровых КМОП-микросхемах на структурах «кремний на сапфире» при импульсных ионизирующих воздействиях, имеющей существенное значение для создания новых и совершенствования существующих радиационно-стойких элементов и устройств систем управления и вычислительной техники военного, космического и другого специального назначения, повышения их функциональных и эксплуатационных характеристик, а также эффективности применения.

Проведенный обобщенный анализ проблемной ситуации позволил (а) констатировать отсутствие к началу диссертационной работы единого подхода к моделированию и оценке дозовых эффектов в КМОП КНС БИС при импульсном воздействии и (б) выявить научное противоречие, которое заключается одновременно в необходимости и невозможности обеспечить достоверное прогнозирование дозовых эффектов в цифровых КМОП КНС микросхемах при ИИВ большой интенсивности, оставаясь в рамках имеющихся методов и средств теоретического и экспериментального моделирования без их научно-технического развития.

Поэтому целью диссертации являлась разработка и развитие научно обоснованных методических и технических средств прогнозирования дозовых эффектов в цифровых КМОП КНС БИС при импульсных ионизирующих воздействиях с учетом реальных характеристик ИИВ, а также режимов и условий работы микросхем в аппаратуре.

Основные научные результаты диссертации заключаются в следующем:

1. Установлено, что доминирующим механизмом дозовых отказов цифровых

КМОП КНС БИС при уровнях доз до 200 тыс. ед. является накопление радиационноиндуцированного заряда на границе раздела 81 / А^Оз, образование связанных с этим токов утечки п-канальных МОП-транзисторов и сверхнормативное возрастание тока потребления КМОП КНС БИС в целом. Экспериментально установлено, что характерное время переноса в сапфире подложки составляет единицы наносекунд, что позволяет исключить данные механизмы из рассмотрения при моделировании дозового отклика КНС БИС при ИИВ. Установлен нелогарифмический характер релаксации радиационно-индуцированного заряда при временах порядка ~ 1с после импульсного воздействия; в области больших времен темпы релаксации принимают

137 логарифмический характер.

2. Предложена модель релаксации радиационно-индуцированного заряда в КНС структуре после дозового воздействия, учитывающая импульсный характер набора дозы, профиль распределения РИЗ вблизи границы приборного слоя и сапфировой подложки и электрический режим КНС структуры, и позволяющая прогнозировать уровень тока потребления КНС БИС в произвольный момент времени после ИИВ.

3. Разработана методика прогнозирования радиационного отклика КНС БИС на воздействие заданной интенсивности по результатам имитационных испытаний и минимального объема испытаний на моделирующих установках. Данные, полученные при имитирующем воздействии или воздействии средней интенсивности, экстраполируются в область требуемых уровней воздействия. Импульсное воздействие с максимальной интенсивностью служит для определения параметров экстраполяции. Точность прогноза зависит от интенсивности воздействия на этапе определения параметров экстраполяции и увеличивается при увеличении интенсивности тестового воздействия.

4. На основе эффекта радиационно-стимулированного отжига разработана методика и развиты технические средства сплошного неразрушающего контроля стойкости производственных партий КМОП КНС БИС по критерию тока потребления. Научно обоснованы и экспериментально подтверждены режимы облучения и отжига, обеспечивающие высокую достоверность прогноза и его неразрушающий характер. Разработана оригинальная методика, позволяющая прогнозировать отказ образца КМОП КНС БИС при заданном уровне дозового воздействия большой интенсивности по результатам контрольного лабораторного облучения этого образца малой дозой стационарного ИИ средней интенсивности.

5. Проанализированы и развиты методы повышения стойкости КМОП КНС БИС на основе рационального выбора толщины приборного слоя КНС структуры, введения дополнительных проводящих слоев в областях стока-истока, а также параметров имплантации бора на этапе легирования.

Основной практический результат диссертации заключается в разработке и развитии методических и технических средств неразрушающего контроля дозовой стойкости производственных партий КМОП КНС БИС различного конструктивного исполнения БИС (на полиимидных носителях, на пластинах и в металлокерамических корпусах). Методика РО является обязательным этапом технологического процесса производства КМОП КНС БИС в ФГУП «ФИПЦ НИИИС». В настоящее время оформляется патент на способ разбраковки КМОП микросхем на КНД структурах по стойкости к радиационному воздействию.

Частные практические результаты работы и их реализация:

1. Проведена адаптация оборудования радиационного эксперимента для сопряжения с различными источниками дозового воздействия, обеспечивающая снижение уровня помех и мониторинг критериального параметра непосредственно в процессе и после ИИВ.

2. Проведен комплекс экспериментальных исследований, направленных на повышение уровня стойкости производственных партий КМОП КНС БИС. Впервые для отечественных КНС БИС обоснован выбор толщины приборного слоя 0,4мкм, обеспечивающий наилучшее соотношение стойкости и стабильности функционирования.

3. Экспериментально установлено снижение величины статического тока потребления КНС БИС при введении дополнительных проводящих слоев силицида титана в области стоков и истоков МОП транзисторов. Отмечено снижение тока потребления модифицированных КНС БИС на порядок.

4. Экспериментально установлены зависимости темпов дозовой деградации тока потребления КНС БИС при изменении дозы и энергии ионов бора на этапе легирования. Наилучшие результаты были получены при энергии имплантации бора Л

70 кэВ и дозе имплантации до 0,3 и свыше 0,6 мкКл/см .

5. Проведена экспериментальная оценка изменения величины тока потребления КНС БИС в течение длительного времени эксплуатации или хранения. Показано снижение максимальной величины радиационно-индуцированных токовых утечек в КМОП КНС БИС при эксплуатации или хранении микросхем в течение длительного времени.

6. Проведены исследования дозовой деградации критериальных параметров стойкости СВЧ КНС ИС производства ф. Peregrine. Одним из основных механизмов параметрического отказа микросхемы являлось повышение тока потребления. Впервые получены оригинальные результаты сравнительных исследований дозовых эффектов в КНС и КНИ БИС, показывающие близость основных закономерностей их радиационного поведения и определяющие потенциальную возможность использования предложенных методик для прогнозирования дозовой стойкости КНИ БИС и СБИС.

Полученные в диссертации результаты реализованы в Нормативных документах Минобороны России (ОСТ В 11.073.013 часть 10), а также в более чем 25 программах-методиках и протоколах испытаний КМОП КНС БИС, согласованных с ФГУ «22 ЦНИИИ Минобороны России», созданных в рамках Государственной Программы Вооружений.

Результаты диссертации внедрены в ОАО «НПП «Сапфир», ОАО «Ангстрем» и ФГУП ФНПЦ «НИИИС», в том числе в ходе разработки и радиационных испытаний большинства отечественных КМОП КНС БИС серий 1825, 1620, 5511, а также аппаратуры систем управления на их основе.

Методика радиационной отбраковки является обязательным этапом технологического процесса производства КМОП КНС БИС в ФГУП «ФНПЦ НИИИС» и отработана на более чем десяти производственных партиях из более 1000 образцов БИС различной степени интеграции и функционального назначения, в том числе комплектующих аппаратуру ракетного комплекса «Искандер».

Таким образом, в ходе работы над диссертацией достигнута ее основная цель, а именно, разработаны и развиты научно обоснованные методические и технические средства прогнозирования дозовых эффектов в цифровых КМОП КНС БИС при ИИВ с учетом реальных характеристик воздействия, режимов и условий работы микросхем в аппаратуре.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Давыдов, Георгий Георгиевич, 2009 год

1. Антимиров В.М. Создание самоорганизующихся управляющих вычислительных комплексов для работы в экстремальных условиях в реальном времени: Диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук. -Екатеринбург: ФГУП «НПО Автоматики», 2006. — 255с

2. Антимиров В.М. Тенденции развития элементной базы и архитектуры перспективных ЦВС // Ракетно-космическая техника. сер. XI, 1987 - Вып. 4 - С. 3037.

3. Ачкасов В.Н., Антимиров В.М. Машевич П.Р. Особенности реализации современных вычислительных комплексов для бортовых систем управления // Космонавтика н ракетостроение.- 2005. №18. - С.45-51.

4. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных схемах. -М.: Энергоатомиздат, 1989.-256 с.

5. Никифоров А.Ю., Телец В.А., Чумаков А.И. Радиационные эффекты в КМОП ИС. М.: Радио и связь, 1994. - 164 с.

6. Баранов IO.JI. Состояние и перспективы использования КНС-технологии / Зарубежная электронная техника. 1989. - №11 (342). — С.19-33.

7. Holmes-Siedle A., Adams L. Handbook of Radiation Effects / Oxford University Press. 1993 C. 128-149

8. Hans J. Scheel. The development of crystal growth technology/ SCHEEL CONSULTING. CH-8808 Pfaeffikon SZ, Switzerland. 2003. p. 1-14

9. Hartmut S. Leipner, Reinhard Krause-Rehberg. Structure of imperfect solids. Crystal growth and defects.

10. J. P. Collinge, Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI.// Kluwer Academic Publishers. New York. - 1991.

11. S.S. Lau, S. Matteson, J.W. Mayer, P. Revesz, J. Gyulai, J. Roth, T.W. Sigmond, and T. Cass, Appl. Phys. Lett, Vol.34, p.76, 1979.

12. J. Amano and K. Carey, Appl. Phys. Lett., Vol.39, July 1980.

13. P.K. Vasudev and D.C. Mayer, in "Comparison of thin-film transistor and SOI technologies", Ed. by H.W. Lam and M.J. Thompson, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.33, p.35, 1984.

14. P.K. Vasudev, IEEE circuits and devices magasine, p. 17-19, July 98.

15. M.E. Roulet, P. Schwob, I. Golecki, and M.A. Nicolet, Electronics Letters, Vol.15, p.527, 1979.16. http://www.peregrine-semi.com/

16. Garcia G.A., Reedy R., Burgener M.L. High-Quality CMOS In Thin (100 nm) Silicon On Sapphire // IEEE Electron Device Letters. 1988. - Vol. 9. - P. 32.

17. Burgener M.L., Reedy R.E. (Peregrine Semiconductor Corp.) Minimum Charge FET Fabricated on an Ultrathin Silicon on Sapphire Wafer, US Patent No. 5, 416, 043, filed 1993 , 1995.

18. Low Cost UTSi Technology For RF Wireless Applications / M. Megahed at. al. // Proc. MTT-S Intern. Microwave Symp. -1998. P. 65.

19. Монография под ред. Сметанова А.Ю. Микроэлектроника бортовых вычислительных комплексов. Стратегия успеха. — М.: Логос, 2006. 192 с.

20. Антимиров В.М. Развитие архитектуры высоконадежных управляющих вычислительных систем // Проектирование и изготовление МЭА. Сер. 10. Микроэлектронные устройства: сб. науч. тр. / ЦНИИ Электроника. М., 1988 . -Вып. 2 (271). - С.7.

21. Антимиров В.М. Особенности построения магистрально-модульных вычислительных систем // Ракетно-космическая техника. 1990 - Вып. 1.- С. 5-11.

22. Отчет № 231-092/22.03.05 о патентно-технических исследованиях по НИР «Исследование и разработка БИС спецОЗУ на КНИ структурах» Шифр: «Защита», 2005

23. Boleky I.J. The Performance of Complementary MOS Transistors on Insulating Substrates.- RSA Review. 1970. - Vol. 31. - P. 372-395.

24. Farrington D. CMOS/SOS. Hewlett-Packard J. - 1977. - Vol. 28. - No. 8. - P.5-8.

25. Калинин A.B., Кожевников O.M., Старенький В.П., Чесноков В.П. Комплементарные МОП структуры на сапфире. — Электронная промышленность. -1976.-Вып. 4.-С. 39-42.

26. Харитонов И. А. Разработка и исследование схемотехнических моделей элементов радиационно-стойких МДП БИС: Диссертация на соискание ученой степени к-та техн. наук. М., 1998. - 155 с.

27. Современное состояние КНД-технологии, Москва, 9(340) 1989г.: Зарубежная электронная техника, 1989г. 100 с.

28. Уоллер JL КМОП схемы на сапфировых подложках, разрабатываемые фирмой Rockwell. Электроника. - 1979. - Т. 52. - № 12 (564) - С. 10-11.

29. S. Brown et al. AlInAs-GalnAs HEMT's utilizing low-temperature AlInAs buffers grown by MBE. IEEE Trans. On Electron Devices. - vol. 10. - №5. - 1989. - pp. 565568.

30. Buchaman. SOS devices radiation effects // IEEE transactions on Electron Devices. -vol.25. №8. - 1978. - pp.960-970.

31. Mark H. Somerville, Alexander Ernst, and Jesús A. del Alamo. Physical model for the Kink-effect in AlAs/InGaAs HEMT's. IEEE TRANS. On Electron Dev. vol. 47. -№. 5.-2000.-pp. 922-930.

32. Браунстейн P. Рост быстродествия КМОП схем на сапфировых подложках — Электроника. 1978. - Т. 51. - № 22 (548) - С. 106-108.

33. MOSFET SOI / Johannes Grad, . // Illinois Institute Of Technology May 02, 2002. Prepared for Prof. Saraniti ECE 575.

34. Першенков B.C., Попов В.Д., Шальнов A.B. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС. -М.:Энергоатомиздат, 1998. 245 с.

35. Leakage current phenomena in irradiated SOS devices / Srour J.B., Othmer S., Chen S.C. // IEEE transactions on Nuclear Science, 1977. V.24. - №6. - p.p.2119-2127.

36. Narai E., Megreivy D. Radiation Induced Leakage Currents in n-Channel Silicon-on-Sapphire MOST's . IEEE Trans. - 1977. - Vol. ED-24. -No. 11. - P. 1277-1284.

37. Peel J. et. al. Investigation of Radiation Effects and Hardening Procedures for CMOS/SIS. IEEE Trans. - 1975. - Vol. NS-22. - No. 12. - P. 2185-2189.

38. Neamen D., Buchana B. Silicon-Sapphire Interface Charge Trapping-Effects of Sapphire Type and Epi Growth Conditions. IEEE Trans. - 1976. - Vol. NS-23. - No. 12.-P. 1590-1593.

39. Peel J., Barry M., Green L. Effects of Defects and Impurities in Starting Material on Radiation Hardness of CMOS/SOS Devices. IEEE Trans. - 1976. - Vol. NS-23. - P. 1594-1598.

40. Волков С.А., Демьяненко M.A., Кольцов Б.Б., Луценко Г.Н., Овсюк В.Н. Избыточные токи утечки планарных р-п-переходов в слоях кремния на сапфире. — Препринт 10-86. Новосибирск. - 1986. - 51с.

41. Ionizing radiation effects in MOST devices and circuits. Ed. by T. P. Ma/Awiley-interscience publication. New York, 1989.-514p.

42. Srour J.R. et.al, Leakage current phenomena in irradiated SOS devices // IEEE Trans. Nucl. Science, vol. NS-24, №6, 1977, p.2119.

43. Linda F. Halle, Thomas C. Zietlow, Charles E. Barnes. JFET/SOS devices Part II: Gamma-radiation induced effects. - IEEE Trans. On electron devices. - vol.35. - No.3 -1988.-pp. 359-364.

44. Согоян А.В., "Прогнозирование стойкости КМОП ИС к совместному воздействию стационарного ионизирующего излучения и температуры", диссертация на соиск. уч. ст. к.т.н., М., МИФИ, 1997.

45. Nobuo Sasaki / Charge Pumping in SOS-MOS Transistors // IEEE Transaction on Electron Devices, vol.ED-28, No.l, 1981, pp.48-52.

46. Eugene R. Worley. On the Characteristic of the Deep-Depletion SOS Transistor / IEEE Transaction on Electron Devices, vol.ED-24, No.12, 1977, pp.1342-1345.

47. SOS Device Radiation Effects and Hardening // Bobby L.Buchanan, Donald A.Neamen, Walter M.Shedd // IEEE Transaction on Electron Devices, vol.ED-25, No.8, 1978, pp.959970.

48. A Charge-Conserving SOS MOSFET Model Including Radiation Effects for Circuit Simulation // R.Howes, W/Redman-White, K.G.Nichols, S.Bird, V.Robinson, P.J.Mole // RADECS 91, pp. 150-154.

49. Скоробогатов П.К. Расчетно-экспериментальное моделирование воздействия импульсных гамма и рентгеновских излучений на кремниевые 111111 и ИС: Диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук. Москва, 1999. - 401 с.

50. RA.Kjar, Kinoshita Transient Photocurrents in SOS structures, IEEE Trans.Nucl.Sci., NS-20N6, 1973, pp.315-318.

51. J.W.Harrity, IEEE Trans .Nucl.Sci., NS-17 No.6, 1970, pp.206.

52. Б.П.Адуев, Э.Д.Алукер, . В.Н.Швайко, «Радиационно-индуцированная проводимость кристаллов а-А120з», ФТТ, т.39,№11, 1997, стр.1995-1996.

53. Study of CMOS/SOS Technology Photocurrents / J.-D. Saussine., C. Verbeck, E. Feuilloley, A. Michez, G. Bordure // IEEE Transactions on Nuclear Science, vol.39, No.3. Part 1-2, 1992, pp 362-366

54. D.H.Phillips. Silicon-on-Sapphire Device Photoconduction Predictions / IEEE Trans.Nucl.Sci., NS-21 No.6, 1974, pp.217-220

55. Харитонов И. А. Разработка и исследование схемотехнических моделей элементов радиационно-стойких МДП БИС: Диссертация на соискание ученой степени к-та техн. наук. М., 1998. - 155 с.

56. А.В. Киргизова. Прогнозирование эффектов функциональных сбоев в микросхемах запоминающих устройств на структурах «кремний-на-сапфире» при импульсных ионизирующих воздействиях. Дисс. на соиск. уч. ст. к.т.н., М., МИФИ, 2007.

57. High Performance Silicon on Sapphire Technology. Ed. by Jason C. S. Woo / Final Report 1997-1998 for MICRO Project 97-208, University of California, Los Angeles, 1998.-4 p.

58. Яненко A.B. Средства Функционального контроля для радиационных испытаний БИС ОЗУ// Научная сессия МИФИ-99. Сб. научн. трудов. Т. 6 -М.:МИФИ, 1999. С.146-147.

59. Особенности контроля функционирования БИС в ходе радиационных испытаний / Калашников O.A., Никифоров А.Ю., Демидов A.A., Яненко A.B. // В сб.: Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-98». - М., 1998. Вып. 1.С. 111-112.

60. Диянков B.C., Ковалев В.П., Кормилицын А.И. и др. Обзор экспериментальных установок ВНИИТФ для радиационных исследований // ФММ. Т.81. Вып.2. С.119-123. 1996.

61. Физика и техника импульсных источников ионизирующих излучений для исследования быстропротекающих процессов // Сб. научных трудов под ред. Макеева Н.Г. Саров. 1996.

62. Б.С.Ишханов, Л.С.Новиков, Г.Г.Соловьев, А.В.Спасский, В.И.Шведунов. Испытательно-ускорительная база НИИЯФ МГУ // Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-2001": тез. докл. СПЭЛС, 2001. с. 229-230.

63. Артамонов A.C., Демидов A.A., Калашников O.A., Никифоров А.Ю. и др. Методы радиационных исследований А1Щ/ЦАП // XVII междунар. симпоз. по ядерной электронике, Варна, 15-21 сент. 1997 г.: Дубна: ОИЯИ, 1998. - С. 75 -80.

64. Линейные ускорители электронов сантиметрового диапазона длин волн // Сб. научных трудов под ред. Щедрина И.С. М:. Москва. 1991.

65. Имитационное экспериментальное моделирование для оценки и прогнозирования радиационной стойкости ИЭТ. / Е.Р. Аствацатурьян, А.Ю. Никифоров, А.И. Чумаков и др. // Вестник РАДТЕХ. -1991. N 2. -С. 44 - 47.

66. Система имитационной оценки и прогнозирования показателей радиационной стойкости интегральных схем / М.И. Критенко, А.Ю. Никифоров, В.А. Телец и др. Радиационные процессы в электронике. М., 1994. — С. 145 - 146.

67. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. -М.: Энергоатомиздат, 1989, -256 с.

68. Choice of Epitaxial Silicon Thickness for 1.5-pm CMOS SOS Circuits. / I. R. Evans // IEEE Trans, on El. Dev., vol.36, No. 1, 1989, pp 138-139.

69. P.S. Winokur, H.E. Boesch, Jr., J.M. McGanity, F.B. McLean, "Field-and Time-Dependent Radiation Effects in the Si02/Si Interface of Hardened MOS Capacitors," JEEE Trans. OnNS, 21 13 1977.

70. Latent Interface-Trap Buildup and Its Implications for Hardness Assurance, IEEE Trans. On NS, vol. 39, No. 6, 1992.

71. J. R. Schwank, P.S. Winokur, P.J. Mcwhorter, F.W. Sexton, P.V. Dressendorfer, D.C. Turpin. Physical Mechanisms Contributing To Device Rebound. // IEEE Trans. On NS, NS-31, 1434, 1984.

72. D.L. Griscom, "Diffusion of Radiolytic Molecular Hydrogen as a Mechanism for the Postirradiation Buildup of Interface States in S02/Si Structures," J. Appl. Phys. 58, 2524 (1985).

73. W. T. Anderson, A. Christou, F. A. Buot, J. Archer, G. Bechtel, H. Cooke, Y. C. Pao, M. Simons, E. W. Chase, "Reliability of Discrete MODFETs: Life Testing, Radiation Effects and ESD," PROC. IRPS, 54-59, 1988.

74. N.D. Stojadinovic. Failure physics of integrated circuits / Microelectr. Reliab. Vol. 23, No. 4, 1983, pp. 609-707.

75. N. Kristianpoller, A. Rehavi, A. Shmilevich, D. Weiss and R. Chen, "Radiation Effects in Pure and Doped A1203 Crystals", Nucl. Inst. Meth. Phys. Res. В141, 343-345 (1998).

76. Согоян A.B., Давыдов Г.Г. Тестовая структура для исследования радиационного поведения КНС МОПТ // Радиационная стойкость электронных систем. 2004. - Вып. 7. - С. 79-80.

77. Татаринцев A.B. Воздействие ионизирующих излучений и импульсных магнитных полей на поверхностные свойства полупроводников. Автореферат дисс. на соиск. научн. ст. д. т.н. М.: Воронежский государственный университет. -2006

78. Согоян A.B., Давыдов Г.Г., Киргизова A.B., Поляков И.В. Исследование радиационно-индуцированной проводимости в системе А1/А1203/А1 // Радиационная стойкость электронных систем. 2005. - Вып. 8. - С.51-52.

79. ОСТ В 11 073.013-2003 (ч.Ю) «Микросхемы интегральные. Методы испытаний на специальную стойкость и импульсную электрическую прочность», 2003 г., 22 ЦНИИИ МО, 27 с.

80. РД В 319.03.22-97. Мкросехмы интегральные и полупроводниковые приборы. Методы контроля радиационной стойкости на этапах разработки, производства и поставки. Общая методика имитационных испытаний. М:.22 ЦНИИИ МО. 1997. 33с.

81. Dosier C.M., Brown D.B. The use of low-energy X-rays for device testing. A comparison with Co-60 radiation //IEEE Trans. On Nucl. Sc. 1983. - vol.30. - No. 6 -p.4382.

82. Артамонов A.C., Чумаков А.И. Рентгеновский имитатор «РЕИМ-2». // Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-2002". 2002 - вып.5. -с. 231-232.

83. Артамонов A.C., Чумаков А.И. Современные модели рентгеновских имитаторов // Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-2005". -2005-вып.8.-с. 215-216.

84. Согоян A.B. Применение пакета GEANT4 для расчета поглощенных доз гамма-рентгеновского и электронного излучений // Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-2006". 2006 - вып.9. - с. 103-104.

85. I.N.Shvetsov-Shilovsky, "MOSFET Prediction in Space Environments", Proc. 20th International Conference on Microelectronics (MIEL'95), vol.1, Nis,Serbia, 12-14 September, 1995, p.183-188.

86. Артамонов A.C., Еремин H.B. Измерение энергетического спектра излучения рентгеновского имитатора "РЕИС-ИМ" // Радиационная стойкость электронных систем. 1998.-Вып. 1.-С. 107-109.

87. Артамонов A.C. Измерение пространственной неравномерности поляизлучения рентгеновского имитатора "РЕИС-ИМ" // Радиационная стойкость электронных систем. 1998.-Вып. 1.-С. 105-106.

88. Артамонов A.C. Измерение энергетического спектра излучения рентгеновского имитатора "РЕИС-ИМ" // Радиационная стойкость электронных систем. 1998. -Вып.1. - С. 107-108.

89. Б.В. Гнеденко. Курс теории вероятностей. М:. Наука. - 1998. - 448с.

90. Обзор результатов экспериментальных исследований радиационной стойкости КНС микросхем производства НИИИС / О.А.Калашников, А.Ю.Никифоров, С.Л.Малюгин, Г.Г.Давыдов и др. // Радиационная стойкость электронных систем. -2003.-Вып. 6.-С. 53-56.

91. Сравнительные результаты экспериментальных исследований радиационной стойкости КНС микросхем различных изготовителей / О.А.Калашников,

92. А.Ю.Никифоров, Г.Г.Давыдов' и др. // Радиационная стойкость электронных систем. 2003. - Вып. 6. - С. 57-58.

93. Согоян A.B., Давыдов Г.Г., Яшанин И.Б. Методика отбраковки КНС КМОП ИС по стойкости к дозовым воздействиям. // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов/ Под ред. В.Я. Стенина. М.:МИФИ. - 2004, с.286-289.

94. Давыдов Г.Г. Усовершенствованная методика разбраковки партий КМОП КНС ИС // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. научн. трудов. М.: МИФИ, 2005.-С. 216-218.

95. Гаскаров Д.В., Шаповалов В.И. Малая выборка. М.: «Статистика». 1978. -248с.

96. Богданов Ю.И., Руднев A.B. Основы прикладной статистики, уч. пособие. М.: МГИЭТ. -2001. 113с.

97. Jaim Nulman. Single anneal step process for forming titanium silicide on semiconductor wafer. US Patent 5043300, 1990.

98. D.B. Scott, R.A. Chapman R.A. Haken et al. Titanium disilicide contact resistivity and its impact on l-|am CMOS circuit performance. // IEEE Trans. On ED, ED-34, No. 3, 1987, pp.562-574.

99. Yuan Taur, J. Yan Chen Sun, L.K. Wang et al. Source-drain contact resistance in CMOS with self-aligned TiSi2. // IEEE Trans. On ED, ED-34, No. 3, 1987, pp. 575-580.

100. Радиационные исследования KHC ИС с шунтирующими слоями TiSi2 / Давыдов Г.Г., Ятманов А.П. // Радиационная стойкость электронных систем. -Вып. 8, Сб. научн. трудов. М.: -2005, с. 77-78.

101. Давыдов Г.Г., Пыжьянова В.Е. Изменение дозовой чувствительности КМОП КНС микросхем по критерию тока потребления в условиях хранения при повышенной температуре. // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. научн. трудов. М.: МИФИ, 2008. - С. 191-194.

102. Киргизова A.B. Влияние информационного кода на сбоеустойчивость КМОП КНС ОЗУ // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. научн. трудов. Т. 1. М.: МИФИ, 2004. - С. 321-325.

103. Исследование влияния информационного кода и напряжения питания на сбоеустойчивость КМОП КНС БИС ОЗУ / A.B. Киргизова, А.В.Янеико, А.Д. Кузьмин, А.Я. Дубовик и др. // Радиационная стойкость электронных систем. -2004.-Вып. 7.-С. 45-46.

104. Чумаков А.И. Методы и средства моделирования доминирующих радиационных эффектов в интегральных схемах при воздействии высокоэнергетичных ядерных частиц: Диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук. М., 1998. -270 с.

105. Яненко А.В. Средства Функционального контроля для радиационных испытаний БИС ОЗУ// Научная сессия МИФИ-99. Сб. научн. трудов. Т. 6 -М.:МИФИ, 1999. С.146-147.

106. Особенности контроля функционирования БИС в ходе радиационных испытаний / Калашников О.А., Никифоров А.Ю., Демидов А.А., Яненко А.В. // В сб.: Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-98». — М., 1998. Вып. 1.С. 111-112.

107. Система комплексного имитационного моделирования полупроводниковых приборов и интегральных схем СКИМ / А.С.Артамонов, В.Ф.Герасимов, А.Ю.Никифоров и др. // Электронная промышленность. -1996. - № 2. - С. 16-19.

108. Особенности технологии КНС третьего поколения и оценка радиационной стойкости БИС / А.С.Адонин, А.В.Беспалов, А.Ю.Никифоров и др. // В сб.: Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-98». М., 1998. Вып. 1. С. 21-22.

109. Nikiforov A.Y., Poljakov I.V. Test CMOS/SOS RAM for Transient Radiation Upset Comparative Research and Failure Analysis // IEEE Trans, on Nuclear Science. 1995. -Vol.NS-42. - No. 6. - pp. 2138-2142.

110. Nikiforov A.Y., Poljakov I.V. CMOS/SOS RAM Transient Radiation Upset and "Inversion" Effect Investigation // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1996. -Vol.NS-43. - No. 6. - pp. 2659-2664.

111. K.O. Петросянц, И.А. Харитонов. Модели МДП и биполярных транзисторов для схемотехнических расчетов БИС с учетом радиационного воздействия // Микроэлектроника. 1994. -Т.23. -Вып.1. - С.21-34.

112. Radiation effects in piezoelectric sensors / Boychenko D.V., Nikiforov A.Y., Skorobogatov P.K., Sogoyan A.V. // RADECS. 2007.