Микромеханические свойства полупроводников, облученных малыми дозами бета-частиц тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Дмитриевский, Александр Александрович

• Дмитриевский, Александр Александрович
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Дмитриевский, Александр Александрович

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ И ТЕОРЕТИЧЕСКИХ ПРЕДСТАВЛЕНИЙ О ВЛИЯНИИ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ

1.1. Радиационное дефектообразование

1.1.1. Генерация первичных радиационных дефектов

1.1.2. Квазихимические реакции в подсистеме структурных (собственных и радиационных) дефектов

1.1.3. Особенности накопления радиационных дефектов в

зависимости от типа и энергии заряженных частиц

1.2. Ионизирующее облучение как метод модификации физических

свойств кристаллов с различными типами химической связи

1.2.1. Модификация структуры и свойств твердых тел с молекулярным типом связи под действием ионизирующего облучения

1.2.2. Физические свойства ковалентных полупроводников, чувствительные к наличию радиационных дефектов

1.3. Роль дислокаций и фазовых превращений под индентором при

локальном нагружении поверхности кремния

1.3.1. Дислокационная структура при индентировании кремния (О роли дислокаций в процессе массопереноса при

индентировании кремния)

1.3.2. Фазовые превращения в кремнии при локальном нагружении

1.4. Количественные параметры облучения, а также воздействий нерадиационной природы, определяющие качественный характер и величину отклика материала

1.4.1. Особенности накопления радиационных дефектов при низкоинтенсивном облучении

1.4.2. Большие, умеренные и малые дозы облучения

1.4.3. Интерпретации малодозовых эффектов и возникающие при

этом противоречия

1.4.4. Влияние физических полей нерадиационной природы на

эффекты, индуцируемые ионизирующим облучением

1.4.5. Резонансные эффекты, индуцируемые слабыми магнитными

полями

1.5. Постановка цели и формулировка задач исследования

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТОВ

2.1. Исследуемые материалы, подготовка и контроль состояния образцов

перед экспериментами и в процессе тестирования

2.2. Характеристики внешних воздействий

2.2.1. Бета-облучение

2.2.2. Гамма-облучение

2.2.3. Магнитные поля

2.2.4. Комбинированное действие бета-облучения и электрического поля

2.2.5. Термические воздействия

2.3. Методы тестирования и рабочие характеристики оборудования

2.3.1. Механические характеристики

2.3.2. Электрические характеристики

2.3.3. Фазовые превращения в кремнии под индентором

ГЛАВА 3. ИЗМЕНЕНИЯ МЕХАНИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ, ИНДУЦИРУЕМЫЕ МАЛОДОЗОВЫМ НИЗКОИНТЕНСИВНЫМ

БЕТА-ОБЛУЧЕНИЕМ

3.1. Соотношение чувствительности электрических и механических характеристик кремния по отношению к малодозовому

низкоинтенсивному бета-облучению

3.2. Динамика изменений механических свойств (микротвердость, критический коэффициент интенсивности напряжений Кс, скорость установившейся ползучести) кремния, индуцируемых малодозовым низкоинтенсивным бета-облучением

3.3. Влияние интенсивности облучения, исходных характеристик (тип и концентрация легирующей примеси) материала и химического состава внешней атмосферы на кинетику изменений

микротвердости кремния

3.4. Изменения микротвердости бинарных полупроводников (ОаАэ и 2пБ), индуцируемые малодозовым низкоинтенсивным

потоком бета-частиц

3.5. Влияние малодозового низкоинтенсивного облучения на микротвердость фуллерита Сбо

Выводы:

ГЛАВА 4. АДГЕЗИОННЫЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЯ И МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СТРУКТУР А1Ы/8х В УСЛОВИЯХ

НИЗКОИНТЕНСИВНОГО БЕТА-ОБЛУЧЕНИЯ

4.1. Механические характеристики (твердость и критический коэффициент

интенсивности напряжений Кс) структур АГЫ/Б1 в условиях

5

малодозового бета-облучения

4.2. Влияние малодозового бета-облучения на отслаивание пленки A1N

от кремниевой подложки при царапании

4.3. Адгезионные свойства структур Cu/Si в условиях малодозового низкоинтенсивного бета-облучения

Выводы

ГЛАВА 5. МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ В УСЛОВИЯХ

КОМБИНИРОВАННОГО ДЕЙСТВИЯ НИЗКОИНТЕНСИВНЫХ

ФИЗИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ

5.1. Поочередное действие малодозового низкоинтенсивного облучения и импульсных магнитных полей на микротвердость монокристаллов фуллерита Сбо

5.2. Комбинированное действие малодозового низкоинтенсивного бета-облучения и магнитных полей на микротвердость

монокристаллов кремния

5.3. Влияние электрических полей на динамику бета-индуцированных изменений микротвердости Si

Выводы

ГЛАВА 6. ВЛИЯНИЕ МАЛОДОЗОВОГО БЕТА-ОБЛУЧЕНИЯ НА

ФАЗОВЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ КРЕМНИЯ ПОД ИНДЕНТОРОМ

6.1. Влияние малодозового бета-облучения на эффективность

образования фаз Si-III, Si-XII и a-Si при индентировании

6.2. In situ исследования фазовых превращений Si-I - Si-II под индентором

в условиях малодозового низкоинтенсивного бета-облучения

Выводы

ГЛАВА 7. МОДЕЛЬНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЙ ПОДСИСТЕМЫ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ИНДУЦИРУЕМЫХ МАЛОДОЗОВЫМ НИЗКОИНТЕНСИВНЫМ БЕТА-ОБЛУЧЕНИЕМ

7.1. Массоперенос при локальном деформировании кремния в условиях малодозового низкоинтенсивного бета-облучения

7.2. Связь концентрации электрически-активных точечных радиационных дефектов и микротвердости кремния в условиях малодозового низкоинтенсивного бета-облучения

7.3. «Размерные» особенности изменений твердости кремния,

индуцируемых малодозовым бета-облучением

7.4. Качественная модель внутрикристаллических квазихимических реакций в подсистеме точечных дефектов кремния с образованием комплекса

VI-О-С в условиях малодозового бета-облучения

7.5. Роль электрического и магнитного полей в процессе формирования комплексов вторичных радиационных дефектов, ответственных за бета-индуцированные изменения приповерхностных свойств

полупроводников

Выводы

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ

ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Микромеханические свойства полупроводников, облученных малыми дозами бета-частиц»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность работы. Микромеханические свойства полупроводников (ПП) и их чувствительность к действию различных физических полей имеют большое значение для технологии производства ПП техники и влияют на ее эксплуатационную стабильность. Развитие нанотехнологий в области создания микро- и наноэлектромеханических систем (МЭМС/НЭМС) актуализирует изучение механических свойств ПП в субмикронном и нанометровом масштабах [1]. Оказывая прямое влияние на функционал такого рода устройств, микромеханические свойства ПП (и особенно кремния) становятся не менее важными, чем электрические и фотооптические.

Несмотря на более чем полувековую историю исследований, закономерности и физические механизмы действия радиационных и электромагнитных полей на микромеханические свойства ПП остаются недостаточно изучеными. Условно эти воздействия и индуцируемые ими эффекты можно разбить на три класса, основываясь, например, в случае радиационных полей, на величине дозы облучения И или флюенса накапливаемых объектом: 1) малодозовые воздействия (МДВ); 2) среднедозовые воздействия и 3) воздействия больших доз. Несмотря на частое употребление в литературе и интуитивные представления об их отличиях, до сих пор не существует общепринятых критериев такого разделения этих воздействий. Кроме того, применительно к различным материалам и свойствам, границы между ними могут существенно смещаться и размываться.

Количественным критерием степени электромагнитного воздействия обычно служит отношение величины сообщаемой им энергии, нормированной на один атом Еа, к энергии теплового движения кТ или энергии квантовых процессов в атоме/молекуле/твердом теле. Для радиационных воздействий, влекущих изменение атомной структуры, в качестве критерия можно принять соотношение концентрации

исходных N0 и генерируемых облучением уУ1ГГ дефектов или количество смещений из узла решетки на один атом (с.н.а.). Для химически чистых материалов (для монокристаллического кремния N0 ~ 10|5-И016 см"3) и невысоких энергий бета-частиц (Е ~ 1 МэВ) к МДВ можно относить облучение с флюенсом Р < 1013-1014 см"2. Не менее важной характеристикой радиационных воздействий, от которой во многом зависит эффективность введения радиационных дефектов (РД), является интенсивность облучения I. Чем меньше /, тем больше интервал времени /|ГГ требуется для накопления заданного флюенса (.Г = Нт). Это усиливает роль диффузионных процессов и различных внутрикристаллических квазихимических реакций в дефектной подсистеме, что обуславливает возможность наблюдения качественно различных эффектов и приводит к кажущимся несоответствиям и противоречиям экспериментальных данных, полученных при одинаковых флюенсах, но разных интенсивностях облучения.

Лучше других изучены эффекты при средних флюенсах и интенсивностях воздействия. Для них типично монотонное нарастание отклика (изменение свойств) материала с ростом Р. Поведение материалов в области малых, а также очень больших Р и I изучено гораздо слабее. Оно характеризуется нетривиальными дозовыми зависимостями, которые могут иметь немонотонный характер, области с высокой и пониженной чувствительностью к обработке. Особенно ярко это проявляется в области малых флюенсов и низких интенсивностей, где могут наблюдаться так называемые «окна чувствительности» и инверсия знака эффекта [2,3], что обусловлено конкуренцией и многостадиностью альтернативных квазихимических реакций с участием не только первичных, но и вторичных РД. Качественно эти «аномалии» похожи на размерные эффекты в наномасштабной шкале характерных размеров структурных или морфологических единиц. В связи с этим, эффекты, индуцируемые МДВ, представляют большой интерес, как с принципиальной, так и с практической точки зрения. Они могут привести к существенному изменению характеристик

функциональных материалов, входящих в состав полупроводниковых приборов, магнитных носителей информации, многослойных покрытий, фотоприемников, датчиков и прецизионных механических устройств. Кроме того, изучение малодозовых воздействий на неорганические вещества может послужить первым шагом в создании более сложных моделей, описывающих отклики живых систем на МДВ [4].

Необходимо учитывать, что материалы могут испытывать МДВ как при целенаправленном радиационном воздействии (например, при радиационной полимеризации или деструкции, визуализации объектов методами электронной микроскопии, ионном травлении при подготовке поверхности к напылению, непосредственно в процессе магнетронного, ионного и электронно-лучевого напыления, и пр.), так и вследствие влияния естественных природных условий (действие космической радиации на элементы солнечных батарей и отдельных узлов оборудования искусственных спутников Земли, облучение элементов аппаратуры при использовании радиоактивных источников питания, радиационный фон Земли и др.). Возможность появления структурных нарушений приходится учитывать при исследовании (визуализации) микроструктуры с использованием зондирующих электронных пучков [5]. Следует также иметь в виду, что в отличие от эффектов, индуцируемых средними или большими дозами, отклик материала на МДВ может проявляться не сразу, а по прошествии латентного периода, лимитируемого процессами перестройки дефектной подсистемы.

Поскольку, характер индуцируемых МДВ изменений свойств может зависеть от элементного состава и типа химической связи, в качестве объектов исследования выбраны типичные представители нескольких классов ПП, имеющих чисто ковалентную, ионно-ковалентную, молекулярную связи (Si, GaAs, ZnS, фуллерит Сбо) и тонкопленочных структур на кремниевой основе (AIN/Si, Cu/Si), имеющие перспективы практического использования.

При изучении механизмов МДВ на механические и электрические свойства, структуру и фазовый состав приповерхностных слоев ПП (по крайней мере, на начальных этапах исследования) целесообразно использовать источники бета-частиц невысоких энергий (до 1 МэВ), имеющие два существенных преимущества. Во-первых, потоки таких электронов создают практически только одиночные первичные дефекты (пары Френкеля). Во-вторых, при бета-облучении энергии выбитых атомов недостаточны для образования каскада смещений, т.е. генерируемые первичные РД распределены сравнительно равномерно по поглощающему слою ПП. Поэтому для облучения образцов использовали источник на основе препарата

90у+908г

со средней

энергией бета-частиц 0,20 МэВ для 908г и 0,93 МэВ для 90У.

Необходимо отметить, что в реальных условиях эксплуатации различные устройства на основе ПП, как правило, испытывают одновременное воздействие полей различной природы. Следует признать практически полное отсутствие литературных данных о комбинированном (одновременном или поочередном) влиянии малодозового ионизирующего облучения и слабых электро-магнитных полей на свойства ПП. Между тем, эффективность протекания квазихимических реакций в подсистеме парамагнитных дефектов (многие РД парамагнитны) может контролироваться магнитными полями [6]. Наличие электрических полей может оказывать влияние уже на начальной стадии радиационного дефектообразования - на процесс разделения компонент пар Френкеля.

Все вышесказанное обуславливает актуальность выбранного направления исследований — формирование представлений о закономерностях и физических механизмах влияния малодозового, низкоинтенсивного бета-облучения на микромеханические свойства полупроводниковых кристаллов и очерчивает перспективы развития принципиально новых подходов к обработке материалов с целью модификации их приповерхностных свойств.

С учетом вышеизложенного, целью работы являлось установление закономерностей изменения микромеханических свойств полупроводниковых кристаллов в условиях индивидуального и комбинированного со слабыми магнитным и электрическим полями малодозового низкоинтенсивного бета-облучения.

В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие конкретные задачи:

1. Исследовать влияние малодозового 0 ^ 1013 см"2) бета-облучения (МДБО)

6 2 1

с интенсивностью I ~ 10 см" с" на комплекс микромеханических (микро- и нанотвердость, скорость установившейся ползучести, критический коэффициент интенсивности напряжений Кс и др.), адгезионных и электрических (удельная проводимость, постоянная Холла) характеристик монокристаллов кремния. Оценить взаимосвязь наблюдаемых изменений и соотношение чувствительности различных характеристик к действию МДБО.

2. Установить динамические особенности бета-индуцированных изменений приповерхностных свойств исследуемых материалов в зависимости от:

- параметров облучения (флюенс, плотность потока бета-частиц);

- исходных характеристик материалов (тип химической связи, элементный состав,

тип и концентрация легирующей примеси);

- внешних факторов нерадиационной природы (электрические и магнитные поля,

химический состав атмосферы).

3. Исследовать фазовые превращения при микромеханических испытаниях, в частности, распределение фазового состава в области отпечатков индентора, сформированных на характерных стадиях МДБО кремния, что позволит оценить роль фазовых превращений под индентором в процессе бета-индуцированного разупрочнения кремния.

4. Идентифицировать типы вторичных радиационных дефектов, ответственных за

изменения микротвердости кремния на разных стадиях облучения, используя данные, полученные независимыми взаимодополняющими методами (метод изохронного отжига и метод НЕСГУ - нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (DLTS - Deep-Level Transient Spectroscopy)).

5. Оценить характер распределения по глубине вторичных РД, ответственных за разупрочнение Si.

6. Разработать качественную модель последовательных внутрикристаллических квазихимических реакций в подсистеме вторичных РД кремния, протекающих в условиях малодозового низкоинтенсивного бета-облучения, ответственных за наблюдаемые эффекты.

Научная новизна результатов заключается в следующем:

Получены новые экспериментальные данные, свидетельствующие о том, что совокупность механических характеристик (микротвердость, скорость установившейся ползучести, критический коэффициент интенсивности напряжений и др.) проявляет большую чувствительность к преобразованиям дефектной подсистемы кремния,

13 2 6 2 1

индуцируемым малодозовым (F < 10 см") низкоинтенсивным (/ ~ 10 см" с") бета-облучением, чем такие электрические характеристики как удельная проводимость и постоянная Холла.

Обнаружено и исследовано влияние малодозового облучения бета-частицами в интервале флюенсов от 0 до 3х 1012 см"2 на микротвердость полупроводников с ковалентной, ионно-ковалентной и молекулярной кристаллическими решетками: Si, GaAs, ZnS, фуллерит Сбо- Полученные данные позволили впервые выявить общие и частные закономерности радиационного дефектообразования при малодозовом бета-облучении в полупроводниках, отличающихся элементным составом и типом межатомной связи.

Получены новые данные о влиянии МДБО на адгезионные свойства структур, состоящих из тонких 100 нм) пленок A1N или Си на кремниевой подложке. Показано, что облучение приводит к снижению энергии адгезии, не оказывая при этом заметного влияния на свойства пленки.

Обнаружено, что предварительное малодозовое бета-облучение приводит к уменьшению относительных объемных долей плотноупакованных фаз кремния (Si-II, Si-XII и Si-III), образующихся под индентором.

Впервые показано, что наблюдаемые в процессе малодозового бета-облучения немонотонные во времени (бимодальные) изменения свойств приповерхностных слоев (< 3 мкм) кремния являются следствием сложного многостадийного преобразования подсистемы точечных дефектов. Независимыми методами идентифицированы типы вторичных РД, ответственных за изменения микротвердости кремния на разных стадиях облучения, а именно - за первый пик разупрочнения отвечают комплексы F2-O-C, а за стадию повторного разупрочнения - комплексы V-0 (А-центры). Здесь V- вакансия, О и С - атомы кислорода и углерода, индексы s и i обозначают положение атомов в узлах кристаллической решетки и междоузельное расположение соответственно, а индекс 2 - определяет количество вакансий в комплексе.

Впервые проведено детальное in situ исследование изменений свойств монокристаллов кремния в условиях МДБО. Это позволило выявить ряд ранее неизвестных закономерностей, явлений и фактов, связанных с влиянием на динамику бета-индуцированных изменений механических свойств следующих факторов:

- параметров облучения (флюенса и интенсивности);

- типа и концентрации легирующей и фоновой примеси;

- физических полей нерадиационной природы (электрические и магнитные поля).

Предложена качественная модель последовательности внутрикристаллических

квазихимических реакций в подсистеме точечных (собственных и радиационных)

дефектов кремния, продуктом которых являются комплексы V2-0-C, учитывающая наличие альтернативных каналов реакций с участием атомов легирующей и фоновой примеси и возможность влияния на них внешних факторов нерадиационной природы.

На защиту выносятся следующие основные положения:

12 2 6 2 1

1. Малодозовое (F< 10 см" ) низкоинтенсивное (7~ 10 см" с' ) облучение бета-

частицами (с энергией Е > 200 кэВ, превышающей пороговую энергию дефектообразования) вызывает немонотонные во времени бимодальные изменения свойств монокристаллов кремния. При этом, микромеханические свойства (микротвердость, скорость установившейся ползучести, склонность к трещинообразованию при локальном нагружении) являются более чувствительными к облучению по сравнению с такими электрическими характеристиками как удельная проводимость и постоянная Холла, что связано с преимущественной модификацией тонких (единицы микрометров) приповерхностных слоев в условиях низкоинтенсивного бета-облучения.

2. Малодозовое низкоинтенсивное бета-облучение кремния вызывает уменьшение относительной объемной доли плотноупакованных фаз Si-II, Si-XII, Si-III и аморфной фазы a-Si, формируемых при локальном нагружении, а также уменьшение сил адгезии по отношению к тонким пленкам Си и A1N.

3. Уменьшение интенсивности облучения, увеличение концентрации легирующей примеси, наложение постоянного магнитного (с индукцией В = 0,28 Тл) или электрического (с напряженностью Е > 350 В/см, облучаемая поверхность находится вблизи положительно заряженного электрода) поля приводит к уменьшению скорости бета-индуцированного разупрочнения кремния. Изменение полярности электрического поля вызывает изменение знака его действия - приводит к ускорению бета-индуцированного разупрочнения кремния.

4. Полупроводниковые кристаллы, отличающиеся элементным составом и

типом химической связи, делятся на два класса по виду дозовых зависимостей микромеханических свойств. Для одних ^пБ, фуллерит Сво) характерны монотонные с насыщением, для других (81, ОаАэ) - бимодальные зависимости микромеханических свойств от длительности низкоинтенсивного бета-облучения.

5. Немонотонные бета-индуцированные изменения микротвердости кремния обусловлены многостадийным процессом преобразования подсистемы точечных дефектов. За первый пик разупрочнения кремния отвечают комплексы У2-0-С, за стадию повторного разупрочнения - А-центры.

6. Немонотонное изменение концентрации комплексов вторичных радиационных дефектов, ответственных за характерные стадии изменения приповерхностных свойств кремния под действием малодозового низкоинтенсивного бета-облучения, является результатом последовательности конкурирующих внутрикристаллических квазихимических реакций, модель которых (предложенная в работе) учитывает наличие нескольких альтернативных каналов реакций с участием атомов легирующей и фоновой примеси.

Научная и практическая ценность результатов работы

Научная ценность полученных результатов заключается в обнаружении ряда новых

13 2

физических эффектов влияния малодозового (Г < 10 см") низкоинтенсивного (I ~ 106 см"2с"') бета-облучения (со средней энергией электронов 0,20 МэВ для 908г и 0,93 МэВ для 90У) на физические свойства приповерхностных слоев полупроводниковых кристаллов, в выявлении многостадийности процесса бета-индуцированного разупрочнения кремния, а также в расширении имеющихся и формировании новых физических представлений о

природе немонотонных эффектов, индуцируемых малодозовыми низкоинтенсивными воздействиями, в реальных кристаллах;

- роли плотности потока заряженных частиц, а также внешних электрических и магнитных полей в процессе накопления вторичных РД;

- характере распределения вторичных РД, генерируемых в условиях МДБО, в приповерхностных слоях кремния.

Полученные результаты способствуют развитию единого подхода к исследованию малодозовых эффектов, специфика которых заключается в немонотонных (от дозы) изменениях приповерхностных свойств материалов под действием низкоинтенсивных радиационных полей, легко достижимых в лабораторных и заводских условиях.

Практическая ценность обусловлена возможностью оптимизации условий низкоинтенсивных воздействий, результатом которых будут значительные изменения (при необходимости кратковременные) приповерхностных свойств кристаллов. Таким образом, полученные результаты могут послужить физической основой для разработки новых технологий нетермического энергосберегающего управления релаксационными процессами и повышения радиационной стойкости материалов по отношению к низкоинтенсивному облучению.

Достоверность представленных в диссертации экспериментальных результатов определяется их хорошей воспроизводимостью, использованием современного высокотехнологичного оборудования и стандартных методик при тестировании свойств исследуемых материалов, непротиворечивостью данных, полученных с использованием различных взаимодополняющих современных методов исследования, а также качественным подобием результатов, описанных в диссертации и экспериментальных данных других исследователей, полученных в схожих условиях.

Апробация работы. Полученные результаты были представлены на Международных конференциях: «Актуальные проблемы прочности» (г. Тамбов - 2003, 2007, 2010, 2013, г. Витебск - 2004), Biennial International Workshop «Fullerenes and

Atomic Clusters» (St Petersburg - 2003, 2005, 2007), «Физика прочности и пластичности материалов» (г. Тольятти - 2003, Самара - 2009), «Фазовые превращения и прочность кристаллов» (г. Черноголовка - 2004, 2006, 2010), «Relaxation phenomena in solids» (Voronezh - 2004), «Фундаментальные проблемы физики» (г. Казань - 2005), «Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами» (г. Москва - 2006, 2007, 2009, 2010, 2011, 2012), «Взаимодействие ионов с поверхностью» (г. Звенигород - 2007, 2009, 2011), «Nanodesign, Technology and Computer Simulations» (Bayreuth, Germany - 2007, Minsk, Belarus - 2008), «E-MRS Spring Meeting» (Strasburg, France - 2009, 2012), «Слабые и сверхслабые поля и излучения в биологии и медицине» (г. Санкт-Петербург - 2009), а также Всероссийских конференциях: «Дефекты структуры и прочность кристаллов» (г. Черноголовка - 2002), симпозиум «Современная химическая физика» (г. Туапсе - 2002, 2003, 2004, 2007, 2008, 2009, 2010, 2011), «Прикладные аспекты химии высоких энергий» (г. Москва - 2004), «Петербургские чтения по проблемам прочности» (г. Санкт-Петербург - 2005, 2007, 2008, 2010, 2012), «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» (г. Воронеж -2006, 2008, 2010), «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (г. Казань - 2008, г. Новосибирск - 2012), конференция «Кремний - 2010» (г. Н-Новгород), «Кремний - 2011» (г. Москва), «Кремний - 2012» (г. Санкт-Петербург), «Фундаментальные и прикладные исследования, разработка и применение высоких технологий в промышленности» (г. Санкт-Петербург - 2011), Вторые Московские чтения по проблемам прочности материалов посвященные 80-летию со дня рождения академика РАН Ю.А. Осипьяна (г.Черноголовка - 2011), «Взаимодействие излучений с твердым телом» (г. Минск, Беларусь - 2011), «Материалы и структуры современной электроники» (г. Минск, Беларусь - 2012).

Экспериментальные результаты, составившие основу диссертации, были получены при финансовой поддержке РФФИ (№ 06-02-96321-р_центр_а,

№ 08-02-97512-р_центр_а, № 09-02-97541-р_центр_а) и ФЦП Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009 - 2013 годы (№ П892).

Публикации. По теме диссертации опубликованы 42 научные работы, в том числе 31 - в изданиях, рекомендованных ВАК РФ.

Личный вклад соискателя состоит в формулировке целей, постановке задач исследования, создании необходимых экспериментальных условий. В совместных работах, выполненных в соавторстве, автор лично участвовал в проведении экспериментальных исследований. Анализ и интерпретация полученных результатов, формулировка выводов и научных положений, выносимых на защиту, выполнены лично автором. Статьи по теме диссертации написаны автором после обсуждения с соавторами.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 7 глав, заключения, в котором сформулированы основные выводы, и списка цитируемой литературы, включающего 294 наименования. Общий объем диссертации составляет 292 страницы, включая 117 рисунков и 6 таблиц.

ГЛАВА 1

ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ И

ТЕОРЕТИЧЕСКИХ ПРЕДСТАВЛЕНИЙ О ВЛИЯНИИ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ

Физические свойства твердых тел определяются не только их элементным составом, типом химической связи и «внешними» условиями, например, температурой, но и во многом зависят от состояния подсистемы структурных дефектов. В ряде случаев это позволяет целенаправленно и в широких пределах изменять физические свойства функциональных материалов посредством контролируемой модификации дефектной подсистемы.

Обычно дефекты классифицируют по их размерности - нульмерные или точечные (вакансии, собственные междоузельные атомы, атомы примеси и их комплексы); одномерные или линейные (краевые, винтовые, смешанные дислокации); двумерные (границы зерен, двойниковые и межфазные границы и др.); трехмерные или объемные (поры, включения второй фазы и пр.). Кроме того, дефекты целесообразно разделить по способу их образования - химические (примесные атомы, вводимые в кристалл при его выращивании, при ионной имплантации или при диффузии с поверхности); термические (возникают в кристалле при повышенных температурах и могут быть стабилизированы закалкой); дефекты, возникающие в результате пластической деформации; наконец, радиационные дефекты, генерируемые в кристаллах под действием быстрых электронов, нейтронов, ионов и гамма-квантов.

Считается, что наиболее избирательным способом инженерии точечных дефектов является облучение кристаллов гамма-квантами и бета-частицами с энергиями ~ 1 МэВ.

Однако, даже в таких наиболее чистых, с точки зрения исходной дефектности, и наиболее изученных кристаллах, как кремний или германий, процесс формирования подсистемы радиационных дефектов достаточно сложен. Это связано с большим разнообразием альтернативных диффузионно-контролируемых квазихимических реакций между дефектами, в результате которых формируются относительно стабильные комплексы, от типа, концентрации и пространственного распределения которых, в конечном счете, зависят качественные и количественные изменения физических свойств материала.

1.1. Радиационное дефектообразование

Еще в 1946 году (до создания первых ядерных реакторов) Вигнер предсказал [1], что интенсивное облучение конструкционных материалов может привести к негативным изменениям их физических свойств. Последующие работы Бора и Вигнера, связанные с оценками возможных сроков службы материалов, используемых в ядерных реакторах, вызвали интерес многочисленных исследователей к вопросу о влиянии облучения на физические свойства твердых тел. Интенсивные исследования влияния облучения на свойства кремния и германия, проведенные в 50-х - 60-х годах XX столетия, позволили разделить явления, связанные с генерацией первичных дефектов, возникающих непосредственно под действием облучения, и последующие процессы перемещения дефектов в кристаллах и их взаимодействия друг с другом и с примесными атомами. Это привело к делению радиационных дефектов на первичные и вторичные.

1.1.1. Генерация первичных радиационных дефектов

Поскольку большинство работ, связанных с радиационным дефектообразованием было выполнено на монокристаллах кремния и германия, то эти же материалы в этом и последующих пунктах литературного обзора были выбраны в качестве основного

примера для описания современных представлений о процессах формирования первичных и вторичных радиационных дефектов.

Условием образования дефекта (механизм упругого смещения), согласно законам сохранения энергии и импульса, является передача регулярному атому (иону) кристаллической решетки энергии, превышающей некоторое пороговое значение Е& [8-14].

Еще в 1949 году Зейтц на основании довольно общих соображений предсказал значение Ей ~ 25 эВ для большой группы веществ, и первые измерения этой величины, казалось, подтвердили предсказанный результат. Он предполагал, что для расчета числа смещенных атомов, необходимо оценить величину энергии, требуемой для необратимого смещения атома из узла кристаллической решетки в какое-либо промежуточное положение.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Дмитриевский, Александр Александрович, 2013 год

Литература

1. Springer Handbook of Nanotechnology / Ed. Bharat Bhushan. Springer. -2010,- 1950 p.

2. Golan G., Rabinovich E., Inberg A., Oksman M., Rancoita P.G., Rattaggi M., Gartsman K., Seidman A., Croitoru N. Atomic force microscopy investigation of dislocation structures and deformation characteristics in neutron-irradiated silicon detectors, // Microelectronics Journal. - 2000. - №31. - P.937-944.

3. Tetelbaum D.I., Azov A.Yu., Kurilchik E.V., Bayankin V.Ya., Gilmutdinov F.Z. The long-range influence of the ion photon irradiation on the mechanical properties and on the composition of the permalloy-79 // Vacuum. - 2003. - №70. - P. 169-173.

4. Бурлакова Е.Б., Кондратов А.А., Мальцева Е.Л., Действие сверхмалых доз биологически активных веществ и низкоинтенсивных физических факторов // Химическая физика. - 2003. - Т.22. №2. - С.21-40.

5. Lof R.W., van Veenendaal М.А., Koopmans В., Jonkman H.T., Sawatzky G.A. Band gap, excitons, and coulomb interaction in solid Сбо // Phys. Rev. Lett. - 1992. - V.68. -P.3924-3929.

6. Зельдович Я.Б., Бучаченко Л.А., Франкевич Е.Л., Магнитно-спиновые эффекты в химии и молекулярной физике // УФН. - 1988. - Т.155. №1. - С.3-45.

7. Wigner Е.Р. // J. Appl. Phys. Theoretical physics in the metallurgical laboratory of Chicago. - 1946.-T.17.-C. 857.

8. Вавилов B.C., Действие излучений на полупроводники // М.: Государственное издательство физико-математической литературы. - 1963. - С. 264.

9. Вавилов B.C., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат. - 1969. - С.311.

10. Келли Б. Радиационное повреждение твердых тел / Под редакцией д-ра физ.-мат. наук Ю.А. Осипьяна. М.: Атомиздат. - 1970. - С. 183.

11. Клингер М.И., Лущик Ч.Б., Машовец Т.В., Холодарь Г.А., Шейнкман М.К., Эланго М.А. Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений // Успехи физических наук. - 1985. - Т. 147. № 3. - С. 523-558.

12. Винецкий В.Л., Калнин Ю.Х., Котомин Е.А., Овчинников A.A. Радиационно-стимулированная агрегатизация дефектов Френкеля в твердых телах // Успехи физических наук. - 1990. - Т. 160. № 10. - С. 1-33.

13. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках / Под ред. С.М. Рывкина. М.: Радио и связь. - 1981. - С. 230.

14. Сучкова Н.Ю., Динамика изменения механических свойств кремния, индуцированного низкоинтенсивным ß-облучением // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, Тамбов. - 2007.

15. Панов В.И., Смирнов Л.С. Влияние интенсивности облучения на процессы радиационных дефектов в кремнии // Физика и техника полупроводников. - 1973. -№ 7. - С. 346 - 348.

16. Витовский H.A., Мустафакулов Д., Чекмарева А.П. О величине пороговой энергии смещения атомов в полупроводниках // Физика и техника полупроводников. -1977.-Т. 11. №9.-С. 1747-1753.

17. Вавилов B.C. Природа и энергетический спектр радиационных нарушений в полупроводниках // Успехи физических наук. - 1964. - Т. 84. № 3. - С. 431 - 450.

18. Mukashev B.N., Kolodin L.G., Nussupov К.Н., Spitsyn A.V., Vavilov V.S., Study of primary and secondary radiation defects formation and annealing in p-type silicon // Radiution Effects. - 1980. - T.46. - C.79-84.

19. Litrico G., Zimbone M., Musumeci P., Calcagno L., Foti G., Ion track effect on point defect production in SiC // Radiation Effects and Defects in Solids. - 2011. - T. 166. № 7. - C.480^86.

20. Mazzoldi P., Mattei G., Mariazzi S., Brusa R.S., Radiation damage characterization in implanted silica // Radiation Effects & Defects in Solids. - 2009. - T. 164. №7-8. - C.417-423.

21. Walz F., Wakisaka T., Kronmuller H., Kinetics of carbon precipitation and resolution in low Si-content silicon iron // Phys. Stat. Sol. (a). - 2005. - T.202. №14. -C.2667-2678.

22. Neimash V., Kras'ko M., Kraitchinskii A., Voytovych V., Tishchenko V., Simoen E., Rafi J. M., Claeys C., Versluys J., De Gryse O., Clauws P., DLTS Studies of high-temperature electron irradiated Cz n-Si // Phys. Stat. Sol. (a). - 2004. - T.201. №3. -C.509-516.

23. Козлова О.Г. Рост и морфология кристаллов. - Издательство московского университета, 1972. - 303 с.

24. Wertheim G.K., Energy levels in electron-bombarded silicon // Phys. Rew. -1957. - T.105. - C.1730.

25. Wertheim G.K., Electron-bombardment damage in silicon // Phys. Rew. - 1968. -T.l 10. - C.1272.

26. Hill D.E., Electron bombardment of silicon // Phys. Rew. - 1959. - T.l 14. -C.1414.

27. Watkins G.D., Corbett J.W., Walker R.M., Spin resonance in electron irradiated silicon // J. Appl. Phys. - 1959. - T.30.- C.1198.

28. Bemski G., Feher G., Gere E., // Bull. Am. Phys. Soc. - 1958. - V.3. - P.135.

29. Bemski G., Paramagnetic resonance in electron irradiated silicon // J. Appl. Phys.

- 1959.-T.30.-C.1159.

30. Wertheim G.K., Buhcanan D. N. E., Electron-bombardment damage in oxygen-free silicon // J. Appl. Phys. - 1959. - T.30. - C.1232.

31. Watkins G.D., Corbett J.W., Defects in Irradiated silicon. I. Electron spin resonance of the Si-A center // Phys. Rew. - 1961. - Т. 121. № 4. - С. 1001.

32. Corbett J.W., Watkins G.D., Chrenco R.M., McDonald R.S., Defects in Irradiated silicon. II. Infrared absorption of the Si-A center // Phys. Rew. - 1961. - T.121. № 4. - C.1015.

33. Стась В.Ф., Антонова И.В., Неустроев Е.П., Попов В.П., Смирнов JI.C. Термоакцепторы в облученном кремнии // Физика и техника полупроводников. - 2000.

- Т.34. № 2. - С.162-167.

34. Brelot A., Charlemagne J. Irrad. Semicond. Ed. by J.W. Corbett, G.D. Watkins. // N. Y. - 1971. - P.161-167.

35. Вавилов B.C., Киселев. В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М. «Наука». - 1990. - С.212.

36. Watkins G.D., Corbett J.W., Defects in irradiated silicon: electron paramagnetic resonance and electron-nuclear double resonance of the Si-E center // Phys. Rew. - 1964. -V.134. - P.1359-1366.

37. Elkin E.L., Watkins G.D., Defects in irradiated silicon: electron paramagnetic resonance and electron-nuclear double resonance of the arsenic- and antimony-vacancy pairs // Phys. Rew. - 1968. - V.174. - P.881-897.

38. Svensson B.G. Energy levels, structure and properties of point defects induced by ion implantation and electron irradiation of c-Si // Properties of Crystalline Silicon. EMIS Datareviews Series № 20 Series Advisor: B.L. Weiss. - 1998. - P.763-772.

39. Pi X.D., Burrows C.P., Coleman P.G., Gwilliam R.M. Sealy B.J., Oxygen-related vacancy-type defects in ion-implanted silicon // J. Phys.: Condens. Matter. - 2003. - V.15. -P.2825-2833.

40. Конозенко И.Д., Семенюк А.К., Хирвич В.И. Радиационные эффекты в кремнии: «О природе радиационных дефектов в кремнии». Киев "Наукова Думка". -1974.-С.204.

41. Васильев А.В. О кинетике образования и отжига радиационных дефектов в кристаллах // Физика и техника полупроводников. - 1972. - Т.6. № 4. - С.603-608.

42. Lee Y.N., Corbett J.W., EPR study of defects in neutron-irradiated silicon: quenched-in alignment under (110)-uniaxial stress // Phys. Rew. - 1974. - V.9. №10. -P.4351-4361.

43. Lee Y.N., Corbett J.W., EPR studies of defects in electron-irradiated silicon: a triplet state of vacancy-oxygen complexes // Phys. Rew. - 1986. - V. 13. № 6. - P.2653-2665.

44. Brelot A., Charlemagne J. Irrad. Of Semicond. / Ed. By J.W. Corbett, G.D. Watkins. N.Y. - 1971. - P. 161 - 167.

45. Mooney P.M., Cheng L.J., Suli M., Gerson J.D., Corbett J.W., Defect energy levels in boron-doped silicon irradiated with 1-MeV electrons // Phys. Rew. - 1977. - V.15. №8. - P.3836-3843.

46. Kalma A.H., Corelli J.C., Photoconductivity studies of defects in silicon: divacancy-associated energy levels // Phys. Rew. - 1968. - V.173.№ 8. - P.734-745.

47. Lee Y.-H., Corbett J.W., Brower K.L., EPR of a carbon-oxygen-divacancy complex in irradiated silicon // Phys. Stat. sol. (a). - 1977/ - V.41. - P.637-647.

48. Берман Jl.С., Витовский Н.А., Ломасов В.Н., Ткаченко В.Н., О природе К-центра в кремнии // ФТП. - 1990. -Т.24. № 12. - С.2186-2190.

49. Trombetta J.M., Watkins G.D., Identification of an interstitial carbon- interstitial oxygen complex in silicon // Appl. Phys. Lett. - 1987. - V.51.№ 14. - P. 1103-1105.

50. Kimerling L.C., Asom M.T., Benton J.L., Drevinsky P.J., Caefer C.E., Interstitial defect reaction in silicon // Materials Science Forum. - 1989. - V.38-41. - P.141-150.

51. Mara Bruzzi, Radiation Damage in Silicon Detectors for High-Energy Physics Experiments // IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. - 2001. - V.48. № 4. -P.960-971.

52. Khirunenko L.I., Sosnin M.G., and Pomozov Yu.V., Murin L.I., Markevich V.P., Peaker A.R., Almeida L.M., Coutinho J., Torres V.J.В., Formation of interstitial carbon-interstitial oxygen complexes in silicon: Local vibrational mode spectroscopy and density functional theory // Phys. Rev. - 2008. - V.78. - P155-203.

53. Makarenko L.F., Korshunov F.P., Lastovski S.B., Murin L.I., Moll M., DLTS Studies of Carbon Related Complexes in Irradiated N- and P-Silicon в печати.

54. Svensson B.G. Properties of Crystalline Silicon. EMIS Datareviews Series № 20 // Series Advisor: B.L. Weiss. - 1998. - P.763.

55. Davis G., Lightstrom E.C., Newmant R.C., Oates A.S., Semicond. A model for radiation damage effects in carbon-doped crystalline silicon // Sci. Technol. - 1987. -V.2.-P.524.

56. Золотухин А.А., Коваленко А.К., Милевский JI.С. // ФТТ. - 1971. - Т.13. №10. - С.3119.

57. Медведева И.Ф., Макаренко Л.Ф., Макаревич В.П., Мурин Л.И. // Изв. АН БССР, Сер. Физ.-мат. Наук. - 1991.-Т.З. - С.19.

58. Берман Л.С., Жепко В.А., Ломасов В.Н., Ткаченко В.Н., О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования // ФТП. - 1989. - Т.23.№ 1. - С.2129.

59. Васильев А.В., Смагулова С.А., Смирнов JI.C., Отжиг дивакансий в кремнии, облученном быстрыми нейтронами // ФТП. - Т.20.№ 3. - С.561

60. Watkins G.D., Corbett J.W., Defects in irradiated silicon: Electron paramagnetic resonance of the divacancy, Phys.Rev., 138, A543 (1965).

61. Вавилов B.C., Кекелидзе Н.П., Смирнов JI.C. Действие излучений на полупроводники. М. «Наука». - 1998. - С. 192.

62. Пагава Т.А., Исследование рекомбинационных центров в облученных кристаллах p-Si // ФТП. - 2004. - Т.38.№ 6. - С.665-669.

63. Стельмах В.Ф., Толстых В.П., Цвирко JI.B., О возникновении пятивакансионного комплекса в кремнии // ФТП. - 1985. - Т.19. № 10. - С.1860.

64. Murin L.I., On the electrical activity of the Q-Oj complex in silicon // Phis.Stat.Sol.(a). - 1987. - V. 101. - P. 107.

65. Радиационная дозиметрия. / Под ред. Дж. Хайна, Г. Браунелла. М.: Издательство Иностранной литературы. - 1958. - С.758.

66. Adliene D., Cibulskaite I., Me'skinis VS., Low energy X-ray radiation impact on coated Si constructions // Radiation Physics and Chemistry. - 2010. - V.79. - P.l031-1038.

67. Gaubas E., "Ceponis Т., Uleckas A., Vaitkus J., Anneal dependent variations of recombination and generation lifetime in neutron irradiated MCZ Si // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. - 2010. - V.612. - P.563-565.

68. Misiuk A., Bak-Misiuk J., Jung W., Felba J., Wierzchowski W., Wieteska K., Prujszczyk M., Revealing the defects in electron-irradiated Czochralski silicon // Radiation Measurements. - 2010. - V.45. - P.624-627.

69. Capan I., Bak-Misiuk J., Pivac В., Dubcek P., Misiuk A., Bernstorff S., Romanowski P., Defects in silicon introduced by helium implantation and subsequent annealing // Radiation Physics and Chemistry. - 2011. - V.80. - P. 1099-110.

70. Van Renterghem W., A1 Mazouzi A., Van Dyck S., Influence of post irradiation annealing on the mechanical properties and defect structure of AISI 304 steel // Journal of Nuclear Materials.-2011. - V.413. - P.95-102.

71. Schrimpf R.D., Fleetwood D.M., Alles M.L., Reed R.A., Lucovsky G., Pantelides S.T., Radiation effects in new materials for nano-devices (invited) // Microelectronic Engineering. - 2011. - V.88. - P. 1259-1264.

72. Aydogan S., Serifoglu K., Turut A., The effect of electron irradiation on the electrical characteristics of the Aniline Blue/n-Si/Al device // Solid State Sciences. - 2011. -V.13. - P.1369-1374.

73. Allard Th., Balan E., Calas G., Fourdrin C., Morichon E., Sorieul S., Radiation-induced defects in clay minerals: A review // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. - 2012. - V.277. - P. 112-120.

74. Capan I., Janicki V., Jacimovic R., Pivac В., C-V and DLTS studies of radiation induced Si-SiC>2 interface defects. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research / в печати

75. Козловский В.В., Козлов В. А., Ломасов В.Н. Модифицирование полупроводников пучками протонов // Физика и техника полупроводников. - 2000. -Т.34. № 2. - С.129-147.

76. Козлов В.А., Козловский В.В. Легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении протонами и альфа-частицами // Физика и техника полупроводников. - 2001. - Т.35. № 7. - С.769-795.

77. Радиационная дозиметрия. / Под ред. Дж. Хайна, Г. Браунелла // М.: Издательство Иностранной литературы. - 1958. - С.758.

78. Черняев А.П. Взаимодействие ионизирующего излучения с веществом. М.:ФИЗМАТЛИТ. - 2004. - С.151.

79. Громов В.В. Электрический заряд в облученных материалах. М.: Энергоиздат. - 1982. - С.112.

80. Гуртовой В.Г., Шелег А.У., Влияние электронного и у-облучения на упругие характеристики кристаллов КТЮРО4 // Физика твердого тела. - 2009. - Т.51. №11. -С.2180-2182.

81. Bhat J.S., Patil A.S., Swami N., Mulimani B.G., Gayathri B.R., Deshpande N.G., Kim G.H., Seo M.S., Lee Y.P., Electron irradiation effects on electrical and optical properties of sol-gel prepared ZnO films // Journal of Applied Physics. - 2010. - V.108, 043513.

82. Yeritsyan H.N., Sahakyan A.A., Nikoghosyan S.K., Harutunyan V.V., Ohanyan S., Avagyan V.S., Sahakyan V.A., Movsisyan K.A., Effect of electron and ultraviolet radiations and temperature on n-Si conductivity // Journal of Spacecraft and Rockets. - 2011.

- V.48. №1. - P.34.

83. Kawauchi Т., Wilde M-, Fukutani K., Okano Т., Kishimoto Sh., Effect of electron irradiation dose on the performance of avalanche photodiode electron detectors // Journal of Applied Physics. - 2009. - V. 105. 014506.

84. Kroto H.W., Heath J.R., O'Brien S.C., Curl R.F. Smalley R.F., C60: Buckminsteriiillerene // Nature. - V.318. - P. 162.

85. Iwasa Y., Arima Т., Fleming R.M., Siegrist Т., Zhou O., Haddon R.C., Rothberfg L.J., Lyons K.B., Carter H.L., Hebard A.F., Tycko R., Dabbagh G., Kraewskii Y.Y., Thomas G.A., Yagi Т., New Phases of C60 Synthesized at High Pressure // Science. - 1994. - V.264.

- P.1570.

86. Rao A.M., Zhou P.K., Wang K.A., Hager G.T., Holden J.M., Wang Y„ Lee W.T., Bi X.X., Eklund P.C., Cornett D.C., Duncan M.A., Amster I.J. // Science. - 1993. -V.259. - P.955.

87. Tachibana M., Sakuma H., Kojima K., Photo-illumination hardening of C60

crystals // J. Appl. Phys. - 1997. - V.82. №9. - P.4253.

266

88. Макарова Т.Л., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Вуль А.Я., Фототрансформация пленок С60 в присутствии и в отсутствие кислорода // ФТТ. -1999. - Т.41. №3. - С.554.

89. Макарова Т.Д., Электрические и оптические свойства мономерных и полимеризованных фуллеренов // ФТП. - 2001. - Т.30. №3. С.257.

90. Mathew S., Satpati В., Joseph В., Dev В. N., Kesavamoorthy R., Two mega-electron volt proton-irradiation effects on fullerene films // Radiation effects and defects in solids. - 2007.-V. 162. №3-4. P.223.

91. Mikoushkin V.M., Bryzgalov V.V., Kashnikov K.V., Shnitov V.V., Gordeev Yu.S., Usachov D. Yu., Fedoseenko S.I., Adamchuk V.K., Vladimirov A.V., Fabrication of a system of equal carbon nanoclusters by ion bombardment of fullerite C60 film through a track filter, Fullerenes // Nanotubes, and Carbon Nanostructures. - 2006. - V.14. - P.473.

92. Foerster C.E., Lepienski C.M., Serbena F.C., Zawislak F.C., Ion irradiation hardening of C60 thin films // Thin Solid Films. - 1999. - V.340. - P.201.

93. Onoe J., Ito T., Kimura S-i, Time dependence of the electronic structure of an electron-beam-irradiated C60 film // J. Appl. Phys. - 2008. - V.104. №103. - P.706.

94. Шнитов B.B., Микушкин B.M., Брызгалов B.B., Гордеев Ю.С., Исследование степени, скотрости и механизмов электронно-стимулированной модификации фуллерита С60 // ФТТ. - 2002. - Т.44. №3. - С.428.

95. Makarets N., Prylutskyy Yu., Zaloyilo О., Gordeev Yu.S., Mikoushkin V.M., Shnitov V.V. Simulation of fullerite C60 polymerization under particle beam irradiation // Mol. Cryst. Liq. Cryst. - 2005. - V.426. - P.171.

96. Makarets N., Prylutskyy Yu., Mikoushkin V.M., Shnitov V.V. Gordeev Yu.S., Computer simulation of fullerite C60 modification by a swarm of secondary electrons generated by bombarding electrons in keV energy range, Fullerenes // Nanotubes, and Carbon Nanostructures. - 2006. - V.14. - P513.

97. Микушкин В.М., Шнитов В.В., Трансформация структуры фуллерита под действием электронных пучков // ФТТ. - 1997. - Т.39. №1. - С. 187.

98. Гордеев Ю.С., Микушкин В.М., Шнитов В.В., Спектры элементарных возбуждений фуллерита С60 и влияние на них электронного облучения // ФТТ. - 2000. - Т.42. №2. - С.371.

99. Елецкий А.В., Механические свойства углеродных наноструктур и материалов на их основе // УФН. - 2007. - Т.177. №3. - С.233.

100. Krasheninnikov A.V., Banhart F., Engineering of nanostructured carbon materials with electron or ion beams // Nature materials. - 2007. - V.6. - P.723.

101. Бржезинская M.M., Байтингер E.M., Шнитов В.В., Смирнов А.Б., Изучение начальных стадий дефектообразования углеродных нанотрубок под действием ионного облучения аргоном // ФТТ. - 2005. - Т.47. №4. - С.745.

102. Dharamvir К., Jeet К., Du Ch., Pan N., Jindal V.K., Structural modifications of multiwalled carbon nanotubes by swift heavy ions irradiation // Journal of Nano Research. -2010.-V.10.-P.l.

103. Kis A., Csanyi G., Salvetat J.-P., Lee Th-N., Couteau E., Kulik A. J., Benoit W., Brugger J., Forro L., Reinforcement of single-walled carbon nanotube bundles by intertube bridging // Nature materials. - 2004. - V.3. - P.l53.

104. Zobelli A., Gloter A., Ewels C.P., Colliex C., Shaping single walled nanotubes with an electron beam // Phys. Rew. - 2008. - V.77. - 045410.

105. Rauwald U., Shaver J., Klosterman D.A., Chen Zh., Silvera-Batista C., Schmidt H.K., Hauge R.H., Smalley R.E., Ziegler K.J., Electron-induced cutting of single-walled carbon nanotubes // Carbon. - 2009. - V.47. - P. 178.

106. Beuneu F., l'Huillier C., Salvetat J.-P., Bonard J.-M., Forro L., Modification of multiwall carbon nanotubes by electron irradiation: An ESR study // Phys. Rew. - 1999. -V.59. №8. - P.5945.

107. Diyakon L.V., Dmitrenko O.P., Kulish N.P., Prylutskyy Yu.I., Grabovskiy Yu.E., Belyy N.M., Alekseev S.A., Alekseev A.N., Sementsov Yu.I., Gavrylyuk N.A., Shlapatskaya V.V., Valkunas L.V., Ritter U., Scharff P., Radiation damage of isotactic polypropylene composites with multi-walled carbon nanotubes // Functional Materials. - 2008. - V.15. №2.-P. 169.

108. Вопросы радиационной технологии полупроводников / под ред. J1.C. Смирнова. Новосибирск «Наука». - 1980.

109. Козловский В.В., Кольченко Т.И., Ломако В.М., Мороз С.Е., Дефектообразование в n-InP при повышенных температурах облучения // ФТП. - 1991. - Т.25. №2. - С.267.

110. Козловский В.В., Кольченко Т.И., Ломако В.М., Эффективность введения электронных ловушек в арсениде галия при высокотемпературном облучении электронами // ФТП. - 1991. - Т.25. №7. - С.1169.

Ш.Козловский В.В., Кольченко Т.И., Васильев А.Э., Радиационное дефектоообразование в арсениде галия при высокотемпературном облучении протонами поверхности // Рентгеновские , синхронные и нейтронные исследования. -1999. - Т.5-6. - С.65.

112. Stein N.J., Gereth R., Introduction rates of electrically active defects in n- and p-tipe silicon by electron and neutron irradiation // J. Appl. Phys. - 1968. - V.39. №6. - P.2890.

113. Кузнецов H.B., Соловьев Г.Г., Радиационная стойкость кремния // М.: «Энергатомиздат». - 1989. - С.96.

114. Пагава Т.А., Исследование рекомбинационных центров в облученных

кристаллах p-Si // ФТП. - Т.38. №6. - С.665.

269

115. Панов В.И., Смирнов Л.С., Влияние интенсивности облучения на процессы радиационных дефектов в кремнии // Физика и техника полупроводников. - 1973. - Т.7. - С.346-348.

116. Банишев А.Ф., Голубев B.C., Кремнев А.Ю., Влияние внешней атмосферы и типа газа на генерацию дефектов и разрушение поверхности кремния при воздействии лазерных импульсов // ЖТФ. - 2004. - Т.74. №8. - С.81-85.

117. Шабанов В.Н., Шенгуров Д.В., Влияние атмосферы метана на температурную зависимость проводимости пленок поликристаллического кремния // Письма в ЖТФ. - 1998. - Т.24. №10. - С. 16-19.

118. Farber B.Ya., Orlov V.l., Nikitenko V.l., et. al. Mechanisms of energy dissipation during displacement- sensitive indentation in Ge single crystals at elevated temperatures // Phil. Mag. A. - 1998. - V.78. - P.671.

119. Golovin Yu.I., Tyurin A.I., Farber B.Ya. Time-depended characteristics of materials and micromechanisms of plastic deformation on a submicron scale by a new pulse indentation technique // Phil. Mag. A. 2002. - V.82. №10. - P. 1857.

120. Колмаков А.Г., Головин Ю.И., Терентьев В.Ф., Бакиров М.Б. Методы определения твердости металлических материалов. - Воронеж: Издательство Воронежского государственного технического университета, 2000. - 79 с.

121. Rabier J., Demenet J.L., On the nucleation of shuffle dislocations in Si // Phys. Stat. Sol. (a). - 2005. - V.202. - P.944.

122. Duesbery M.S., Joos B. // Phil. Mag. A. - 1996. - V.74. - P.253.

123. Алехин В.П., Терновский А.П., Структурные и кинетические особенности формоизменения материалов при микровдавливании (обзор) в «Новое в области испытаний на микротвердость», Ред. Коллегия: Хрущев М.М., Матвеевский P.M., Семенов А.П., Григорович В.К., Алехин В.П. // М.: «Наука». - 1974. - С.271.

124. Шпейзман В.В., Смирнов Б.И., Солнцева И.Ю., О движении дислокаций в монокристаллах кремния при комнатной температуре // Известия АН СССР. Серия Физическая. - 1987. - Т.51. №4. - С.768-773.

125. Акчурин М.Ш., Васев E.H., Михина Е.Ю., Регель В.Р., О роли массопереноса материала за счет премещений точечных дефектов в процессе микровдавливания // ФТТ. - 1988. - Т.ЗО. №3. - С.761.

126. Акчурин М.Ш., Галстян В.Г., Регель В.Р., Формирование нанокристаллическго состояния при действии состредоточенной нагрузки // ФТТ. -1995. - Т.37. №3. - С.845.

127. Инденбом B.J1. Межузельный (краудионный) механизм пластической деформации и разрушения // Письма в ЖЭТФ. - 1970. - Т. 12. - С. 526-528.

128. Инденбом B.JL, Орлов А.Н. Долговечность материала под нагрузкой и накопление повреждений // ФММ. - 1977. - Т. 43. № 3. - С. 469^192.

129. Рожанский В.Н., Сизова H.JL, Урусовская A.A. Краудионная пластичность Csl // ФТТ. - 1971. - Т. 13. № 2. - С. 411-415.

130. Головин Ю.И., Тюрин А.И., Недислокационная пластичность и ее роль в массопереносе и формировании отпечатка при динамическом индентировании // ФТТ. - 2000. - Т.42. №10. - С. 1818.

131. Golovin Yu.I., Tyurin А.I., Farber В.Ya., Time-depended characteristics of materials and micromechanisms of plastic deformation on a submicron scale by a new pulse indentation technique // Phil. Mag. - 2002. - V.82. №10. - P.1857-1864.

132. Головин Ю.И., Наноиндентирование и механические свойства твердых тел в субмикрообъемах, тонких приповерхностных слоях и пленках (Обзор) // ФТТ. - 2008. -Т.50. №12.-С.2113-2142.

133. Domnich V, Gogotsi Yu. and Dub S. Effect of phase transformation on the shape of the unloading curve in the nanoidentification of silicon // Appl. Phys. Lett. - 2000. - V.76. -P.2214-2216.

134. George A. Properties of Crystalline Silicon, ed. By Hull R. // INSPEC, the Instruction of electrical engineers London. - 1999. - P. 104.

135. Dominich V., Gogotsi Y. Phase transformations in silicon under contact loading // Rev. Adv. Mater. Sci. - 2002. - V.3. - P.l-36.

136. Щенников В.В., Попова С.В., Misiuk А., Термоэлектрические свойства кремния при высоком давлении в области перехода полупроводник-металл // Письма в ЖТФ. - 2003. - Т.29. №14. - С.57-65.

137. Ни J.Z., Merkle L.D., Menoni C.S., and Spain I.L. Crystal data for high-pressure phases of silicon // Phys. Rev. B. - 1986. - V.34. - P.4679-4684.

138. Yin M.T. and Cohen M L. Theory of static structural properties, crystal stability, and phase transformations: Application to Si and Ge // Phys. Rev. B. - 1982. -V.26. - P.5668.

139. Biswas R., Martin R.M., Needs R.J., Nielsen O.H. Complex tetrahedral structures of silicon and carbon under pressure // Phys. Rev. B. - 1984. - V.30. - P.3210-3213.

140. Pfrommer B.G., Cote M., Louie S.G., and Cohen M.L. Ab initio study of silicon in the R8 phase // Phys. Rev. B. 1997. - V.56. - P.6662-6668.

141. Piltz R.O., Maclean J.R., Clark S.J., Ackland G.J., Hatton, P.D. and Crain J. Structure and properties of silicon XII: A complex tetrahedrally bonded phase // Phys. Rev. B. - 1995. - V.52. - P.4072—4085.

142. Biswas R., Martin R.M., Needs R.J., Nielsen O.H. Stability and electronic properties of complex structures of silicon and carbon under pressure: Density-functional calculations // Phys. Rev. B. - 1987. - V.35. - P.9559-9568.

143. Gridneva I.V., Milman Yu.V., Trefilov V.I. Phase transition in diamond-structure crystals during hardness measurements // Phys. Stat. sol. (a). - 1972. - V.14. №177. -P.177-182.

144. Hebbache M., Mattesini M., Szefitel J., Pressure-induced structural sequence in silicon: Diamond to b-tin to Imma // Phys. Rev B. - 2001. - V.63. - P.205201.

145. Fujisawa N., Ruffell S., Bradby J.E., Williams J.S., Haberl B., Warren O.L., Understanding pressure-induced phase-transformation behavior in silicon through in situ electrical probing under cyclic loading conditions // J. Appl. Phys. - 2009. - V.105. -P.106111.

146. Ruffell S., Sears K., Bradby J. E., Williams J.S., Room temperature writing of electrically conductive and insulating zones in silicon by nanoindentation // Appl. Phys. Lett. - 2011. - V.98. - P.052105.

147. Kailer A., Gogotsi Y., Nickel K. Phase transformations of silicon caused by contact loading // J. Appl. Phys. - 1997. - V.81. №7. - P.3057-3063.

148. Ge D., Domnich V. and Gogotsi Yu. High-resolution transmission electron microscopy study of metastable silicon phases produced by nanoindentation // J. Appl. Phys. -2003. - V.93. - P.2418-2423.

149. Kamei T., Stradins P., Matsuda A. Effects of embedded crystallites in amorphous silicon on light-induced defect creation // Appl. Phys. Lett. - 2001. - V.78. №6. - P.715.

150. Domnich V, Gogotsi Yu. and Dub S. Effect of phase transformation on the shape of the unloading curve in the nanoidentification of silicon // Appl. Phys. Lett. - 2000. - V.76. -P.2214-2216.

151. Haberl B., Bradby J.E., Ruffel S., Williams J.S. Phase transformations induced by spherical indentation in ion-implanted amorphous silicon // J. Appl. Phys. - 2006. - V.100. -P.013520.

152. Ruffelll S., Bradby J.E, SWilliams J., Munoz-Paniagua D., Tadayyon S., Coatsworth L.L., Norton P.R., Nanoindentation-induced phase transformations in silicon at elevated temperatures // Nanotechnology. - 2009. - V.20. - P.135603.

153. Kiriyama Т., Harada H., Yan J., Finite element modeling of high-pressure deformation and phase transformation of silicon beneath a sharp indenter // Semicond. Sci. Technol. - 2009. - V.25. - P.025014.

154. Kim D-H., Hong W-E., Ro J-S., Lee S.H., Lee Ch-H., In-situ observation of phase transformation in amorphous silicon during Joule-heating induced crystallization process // Thin Solid Films. - 2011. - V.519. №16. - P.5516-5522.

155. Jian Sh-R., Mechanical deformation induced in Si and GaN under Berkovich nanoindentation // Nanoscale Research Letters. - 2007. - V.3. - P.6-13.

156. Ruffell S., Haberl В., Koenig S., Bradby J.E., Williams J.S., Annealing of nanoindentation-induced high pressure crystalline phases created in crystalline and amorphous silicon // J. Appl. Phys. - 2009. - V.105. - P.093513.

157. Козловский B.B., Кольченко Т.И., Ломако B.M., Мороз С.Е., Влияние интенсивности облучения и энергии частиц на эффективность образования глубоких центров n-InP // ФТП. - 1990. - V.24. №6. - Р. 1123-1126.

158. Кожевников В.И., Михнович В.В., Интерпритация зависимости скорости введения А-центров в n-кремнии от интенсивности облучения электронами // ФТП. -Т.15. №6. - С.1598-1600.

159. Болотов В.В., Васильев А.В., Смирнов Л.С., Об энергии миграции простейших дефектов в германии и кремнии // ФТП. - 1974. - Т.8. №3. - С.518-521.

160. Федина Л.И., О рекомбинации и взаимодействии точечных дефектов с поверхностью при кластеризации точечных дефектов в Si // ФТП. - 2001. - Т.35. №9. -С.1120-1127.

161. Xu Q., Heinisch H.L., Yoshiie Т., Effects of damage rate on deffect cluster formation in copper under low dose irradiation // Jornal of computer-aided materials design. -1999. - V.6. - P.215-223.

162. Svensson B.G., Lindstom J. L., Generation of divacancies in silicon by MeV electrons: Dose rate dependence and influence of Sn and P // J. Appl. Phys. - 1992. - V.72. №12. - P.5616-5621.

163. Hallen A., Fenyo D., Sundqvist U.R., Johnson R.E., SvenssonB.G., The influence of ion flux on defect production in MeV proton-irradiated silicon // J. Appl. Phys. - 1991. -V.70. №6. - P.3025-3029.

164. Leveque P., Hallen A., Pellegrino P., Svensson B.G., Privitera V., Dose-rate influence on the defect production in MeV proton-implanted float-zone and epitaxial n-type silicon // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. - 2002. - V.186. -P.375-379.

165. Svensson B.G., Jagadish C., Hallen A., Lalita J., Point defects in MeV ion-implanted silicon studied by deep level transient spectroscopy // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. - 1995. - V.106. - P. 183-190.

166. Lalita J., Keskitalo N., Hallen A., Jagadish C., Svensson B.G., Defect evolution in MeV ion- implanted silicon // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. - 1996. - V.120. - P.27-32.

167. Лугаков П.Ф., Лукьяница В.В., Влияние интенсивности облучения на скорость аннигиляции вакансий и междоузлий в кремнии // ФТП. - 1984. - Т. 18. №8. -С.345-347.

168. Чинков Е.П., Штанько В.Ф., Создание первичной дефектности в кристаллах фторида кальция различной предыстории при импульсном облучении электронами // ФТТ,- 1999.-Т.41.№3.-С.442-450.

169. Витовский Н.А., Машовец Т.В., Оганесян О.В., Влияние интенсивности электронного облучения на дефектообразование в антимониде индия // ФТП. - 1978. -Т.12. №11. - С.2143-2148.

170. Губская В.Н., Кучинский П.В., Ломако В.М., Образование и термическая стабильность радиационных дефектов в р-кремнии, облученном альфа-частицами // ФТП. - 1986. - Т.20. №6. - С.1055-1059.

171. Болотов В.В., Коротченко В.А., Мамонтов А.П., Ржанов А.В., Смирнов Л.С., Шаймеев С.С., Радиационные эффекты в полупроводниках при малых дозах облучения частицами // Физика и техника полупроводников. - 1980. - Т. 14. №6. - С.2257-2260.

172. Пагава Т.А., Башелейшвили З.В., Кутелия Э.Р., Майсурадзе Н.И., Изменение времени жизни неосновных носителей тока в процессах облучения и изохронного отжига в кристаллах p-Si // УФЖ. - 2003. - Т.48. №5. - С.435-438.

173. Shen D., Chen J., Zhao Q., Wang X., Investigation of interaction between defects in Si by means of monitoring defects fluxes // Applied Surface Science. - 1999. -V.148. -P.79-85.

174. Suezawa M., Electron-dose dependence of concentration of vacancy-oxygen pairs and divacancies in electron-irradiated n-type Si crystals // Physica. - V.340-342. - P.587-591.

175. Watkins G.D. Intrinsic defects in silicon // Materials science in semiconductor processing. - 2000. - V.3. - P.227-235.

176. Калинина E.B., Влияние облучения на свойства SiC и приборы на его основе // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т.41. №7. - С.769-805.

177. Птицина Н.Г., Виллоруи Дж., Дорман Л.И., Юччи Н., Тясто М.И., Естественные и техногенные низкочастотные магнитные поля как факторы, потенциально опасные для здоровья // Успехи физических наук. - 1998. - Т. 168. №7. -С.767-791.

178. Sagan L. Electric and magnetic fields: Invisible Risks? // Gordon & Breach Publ. - 1996.

179. Трещенкова Ю.А., Голощапов A.H., Бурлакова Е.Б., Действие малых доз фенозана на биохимические свойства лактатдегидрогеназы и микровязкость мембран микросом мозга мышей // Радиационная биология . Радиоэкология. - 2003. - Т.43. №3. -С. 320-323.

180. Егоров В.В., Аналогия биологического действия свехмалых химических и физических доз // Радиационная биология. Радиоэкология. - 2003. - Т.43. №3. -С.261-264.

181. Миль Е.М., Мышлякова О.В., Махонькова А.Д., Эффект дейтвия малых доз облучения и химических препаратов // Тезисы докладов XVI симпозиума «Современная химическая физика», Туапсе. - 2004.

182. Бурлакова Е.Б., Особенности действия сверхмалых доз биологически активных веществ и физических факторов низкой интенсивности, Российский химический журнал // Журнал Российского химического общества им. Д.И. Менделеева. - 1999. - Т.43. - С.3-11.

183. Вартанян J1.C., Гуревич С.М., Козаченко А.И., Наглер Л.Г., Лозовская Е.Л., Бурлакова Е.Б., Изменение скорости образования супероксидных радикалов и активности супероксиддисмутазыи глутатионпероксидазы в субклеточных органеллах печени мышей при низкоинтенсивном облучении в малых дозах // Биохимия. - 2000. -Т.74. №4. - С.522-526.

184. Трещенкова Ю.А., Голощапов А.Н., Бурлакова Е.Б., Действие малых доз фенозана на биохимические свойства лактатдегидрогеназы и микровязкость мембран микросом мозга мышей // Радиационная биология. Радиоэкология. - 2003. - Т.43. №3. -С.320-323.

185. Ерохин В.Н., Бурлакова Е.Б., Спонтанный лейкоз - модель для изучения эффктов малых и сверхмалых доз физических и физико-химическох воздействий на опухолевый процесс // Радиационная биология. Радиоэкология. - 2003. - Т.43. №2. -С.237-241.

186. Головин Ю.И., Иванова М.А., Лопатин Д.В., Николаев Р.К., Умрихин А.В., Влияние малодозового beta-облучения на проводимость монокристаллов С60 // Физика твердого тела. - 2004. - Т.46. №11.- С.2109-2110.

187. Aberg D., Hallen A., Svensson B.G., Low-dose ion implanted epitaxial 4H-SiC investigated by deep level transient spectroscopy // Physica. - 1999. - V.273-274. -P.672-676.

188. Leveque P., Hallen A., Pellegrino P., Svensson B.G., Privitera V., Dose-rate influence on the defect production in MeV proton-implanted float-zone and epitaxial n-type silicon // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. - 2002. - V.186. -P.375-379.

189. Jagadish C., Svensson B.G., Hauser N., Point defects in n-type silicon implanted with low doses of MeV boron and silicon ions // Semicond. Sci. Technol. - 1993. - V.8. -P.481-487.

190. Lalita J., Svensson B.G., Jagadish C., Hallen A., Annealing studies of point defect in low dose MeV ion implanted silicon // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. - 1997. - V. 127/128. - P.69-73.

191. Lalita J., Jagadish C., Svensson B.G., Silicon implanted with MeV 12C ions; temperature dependence of defect formation at low doses // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. - 1995. - V. 106. - P.237-241.

192. Makhkamov Sh., Tursunov N.A., Asurov M., Saidov R.P., Khakimov Z.M. Formation of radiation defects in silicon structures under low-intensity electron irradiation //

Semicond. Sci. Technol. - 2001. - V.16. - P.543-547.

278

193. Fujita S., Maeda K., Hyodo S. Dose-rate influence on the defect production in MeV proton-implanted float-zone and epitaxial n-type silicon // Physics of the Solid State (a). - 1988. -№ 109. - P.383-393.

194. Tetelbaum D.I., Kurilchik E.V., LatishevaN.D. Long-range effect at low-dose ion and electron irradiation of metals // Nuclear Instruments and Metods in Physics Research B. -1997. - V.127. №128. - P.153-156.

195. Golan G., Rabinovich E., Inberg A., Axelevitch A., Oksman M., Rosenwaks Y., Kozlovsky A., Rancoita P.G., Rattaggi M., Seidman A., Croitoru N. Dislocation structure investigation in neutron irradiated silicon detectors using AFM and microhardness measurements // Microelectronics Reliability. - 1999. - № 39. - P. 1497-1504.

196. Тетельбаум Д.И., Баянкин В.Я. Эффект дальнодействия // Природа. Физика. -2005.-№4.-С.9-17.

197. Golovin Yu.I. Low doses in physics of real crystals // Biophysics. - 2004. - V.49. № 1. - P.127-154.

198. Липсон А.Г., Саков Д.М., Савенко В.И., Саунин Е.И. Эффект пластифицирования и возбуждение электронной подсистемы в монокристалле LiF под действием ультраслабого потока термализованных нейтронов в режиме релаксации механических напряжений // Письма в ЖЭТФ. - 1999. - Т.70. №2. - С. 118-123.

199. Болотов В.В., Коротченко В.А., Мамонтов А.П., Ржанов А.В., Смирнов Л.С., Шаймеев С.С. Радиационные эффекты в полупроводниках при малых дозах облучения частицами // Физика и техника полупроводников. - 1980. - Т.14. - С.2257-2260.

200. Schmidt D.C., Svensson B.G., Barbot J.F., Blanchard С. Study on the evolution and nature of interstitial-type defects following proton and alfa partiicle implantation during low-dose proximity gettering of platinum // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. - 1999. - V. 155. - P.60-66.

201. Xu Q., Heinisch H.L., Yoshiie T. Effects of damage rate on deffect cluster formation in copper under low dose irradiation // Jornal of computer-aided materials design. -1999. - V.6. - P.215-223.

202. Пагава T.A., Башелейшвили 3.B., Кутелия Э.Р., Майсурадзе Н.И. Изменение времени жизни неосновных носителей тока в процессах облучения и изохронного отжига в кристаллах p-Si // УФЖ. - 2003. - Т.48. №5. - С.435-438.

203. Неустроев Е.П., Смагулова С.А., Антонова И.В., Сафронов J1.H., Формирование электрически активных центров в кремнии, облученном электронами, в интервале температур 400-700 С // ФТП. - Т.38. №7. - С.791-795.

204. Тетельбаум Д.И., Ежевский А.А., Михайлов А.Н., Экстремальная дозовая зависимость концентрации парамагнитных центров, обусловленных образованными связями в Si, при ионном облучении, как свидетельство наноструктурирования // ФТП.

- 2003. - Т.37. №11. - С.1380-1382.

205. Власенко Л.С., Власенко М.П., Козлов В.А., Козловский В.В., Регистрация парамагнитных центров рекомбинации в облученном протонами кремнии // ФТП. -1999. - Т.ЗЗ. №10. - С.1164-1167.

206. Nakamura S., Senoh М., Nagahama Sh., Iwasa N., Yamada Т., Matsushita Т., Kiyoku H., Sugimoto Y., Kozaki Т., Umemoto H., Sano M., Chocho K., Jpn // J. Appl. Phys.

- 1998.-V.37.-P.309.

207. Miskys C.R., Garrido J.A., Nebel C.E., Hermann M., Ambacher O., Eickhoff M., Stutzmann M., AIN/diamond heterojunction diodes // Appl. Phys. Lett. - 2003. -V.82.-P.290.

208. Yu M., Zhang J., Li D, Meng Q., Li W., Internal stress and adhesion of Cu film/Si prepared by both MEVVA and IBAD // Surface and coatings technology. - 2006. -V.201. - P.1243.

209. Tang Ya.-Sh., Chang Ya.-J., Chen K.-N., Wafer-level Cu-Cu bonding technology // Microelectronics Reliability. - 2012. - V.52. - P.312.

210. Marshal D.B., Evans A.G., Measurement of adherence of residually stressed thin films by indentation I. Mechanics of interface delamination // Appl. Phys. - 1984. -V.56. - P.2632.

211.Вакилов A.H., Мамонова M.B., Прудников В.В., Адгезия металлов и полупроводников в рамках диэлектрического формализма // ФТТ. - 1997. - Т.39. №6. - С.964.

212. Noel О., Awada Н., Castelein G., Brogly М., Schultz J., Force curve measurements with the AFM: application to the in situ determination of grafted silicon-wafer surface energies // The Journal of Adhesion. - 2006. - V.82. - P.649-669.

213. Anderson G.L., Stanley S.D., Young G.L., Brown R.A., Evans K.B., Wurth L.A., The effects of silicone contamination on bond performance of various bond systems // The Journal of Adhesion. - 2010. - V.86. - P. 1159-1177.

214. Jang В., Kim K.-S., Kim J.-H., Choi H.-Ju, Park H.-S., Lee H.-J., Rate-dependent adhesion between a spherical PDMS stamp and silicon substrate for a transfer-assembly process // The Journal of Adhesion. - 2011. - V.87. - P.744-754.

215. Наумов В.В., Бочкарев В.Ф., Бучин Э.Ю., Увеличение адгезии металлических пленок к кремнию с помощью ионной бомбардировки в процессе их роста, Журнал технической физики. - 2009. - Т.79. - С.7.

216. Акишин А.И. Космическое материаловедение. М: НИИЯФ МГУ. -2007. - С.209.

217. Варданян Р.А., Кравченко В.Я., Осипьян Ю.А., К вопросу о механизме фотопластического эффекта // Письма в ЖЭТФ. - 1984. - Т.40. №6. - С.248-250.

218. Вавилов B.C., Особенности физики широкозонных полупроводников и их практического применения // УФН. - 1994. - Т. 164. №3. - С.287-296.

219. Трунов M.JL, Биланич B.C., Дуб С.Н., Исследование фотопластического эффекта в стеклообразных полупроводниках методом циклического наноиндентирования // ФТТ. - 2008. - Т.50. №11.- С. 1978-1983.

220. Лемешко В.В., Макара В.А., Обуховский В.В., Стебленко Л.П., Робур Е.Г., Влияние электрического тока на скорость движения дислокаций в кристаллическом кремнии // ФТТ. - 1994. - Т.36. №9. - С.2618-2623.

221. Зуев Л.Б., Электрические поля и пластичность кристаллов // Соросовский образовательный журнал. - 1998. - Т.9. - С.92-95.

222. Троицкий O.A., Сташенко В.И., Новикова H.H., Электронные механизмы электропластической деформации металлов // Проблемы машиностроения и автоматизации. - 2009. - Т.1. - С.66-70.

223. Троицкий O.A., Электропластический эффект в процессах обработки металлов давлением // Металлургия машиностроения. - 2010. - Т.4. - С.44-48.

224. Альшиц В.И., Даринская Б.В., Колдаева М.В., Петржик Б.А., Электростимуляция магнито-пластичности и магнитоупрочнения в кристаллах // Письма в ЖЭТФ,. - 2008. - Т.88. №7-8. - С.500-507.

225. Макара В.А., Стебленко Л.П., Горидько Н.Я., Кравченко В.М., Коломиец А.Н., О влиянии постоянного магнитного поля на электропластический эффект в кристаллах кремния // ФТТ. - 2001. - Т.43. №3. - С.462-465.

226. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Колдаева М.В., Петржик Е.А., Магнитопластический эффект: основные свойства и физические механизмы // Кристаллография. - 2003. - Т.48. №5. - С.826-854.

227. Головин Ю.И., Магнитопластичность твердых тел // ФТТ. - 2004. - Т.46. №5. - С.769-803.

228. Бучаченко А.Л., О влиянии магнитного поля на механику немагнитных кристаллов: происхождение магнитопластического эффекта // ЖЭТФ. - 2006. - Т. 129. №5. - С.909-913.

229. Осипьян Ю.А., Моргунов Р.Б., Баскаков A.A., Орлов A.M., Скворцов A.A., Инкина E.H., Танимото И., Магниторезонансное упрочнение монокристаллов кремния // Письма в ЖЭТФ. - 2004. - Т.79. №3. - С. 158-162.

230. Скворцов A.A., Каризин A.B., Магнитопластичность и диффузия в монокристаллах кремния // ЖЭТФ,. - 2012. - Т.141. №1. - С.96-100.

231. Осипьян Ю.А., Головин Ю.И., Лопатин Д.В., Моргунов Р.Б., Николаев Р.К., Шмурак С.З., Влияние импульсного магнитного поля на микротвердость монокристаллов С60 // Письма в ЖЭТФ. - 1999. - Т.69. №2. - С.110.

232. Левин М.Н., Воздействие ионизирующих излучений и импульсных магнитных полей на систему кремний-двуокись кремния // Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук, Воронеж. - 1997.

233. Скворцов A.A., Орлов A.M., Фролов В.А., Гончар Л.И., Литвиненко О.В., Влияние магнитного поля на акустическую эмиссию в дислокационном кремнии при токовых воздействиях // Физика твердого тела. - 2000. - Т.42. №10. - С. 1814-1817.

234. Орлов A.M., Скворцов A.A., Соловьев A.A., Динамика поверхностных дислокационных ансамблей в кремнии при наличии механических и магнитных возмущений // Физика твердого тела. - 2000. - Т.45. №4. - С.613-617.

235. Орлов A.M., Соловьев A.A., Скворцов A.A., Поведение дислокаций в кремнии при наличии механических и магнитных возмущений // ЖЭТФ. - 2003. -Т.123. №3. - С.590-598.

236. Скворцов A.A., Орлов A.M., Соловьев A.A., Белов Д.И., Магнитоплаетический эффект в кремнии: поиск новых методов управления структурно-чувствительными свойствами элементарных полупроводников // Физика твердого тела. - 2009. - Т.51. №12. - С.2304-2308.

237. Бадылевич М.В., Иунин Ю.Л., Кведер В.В., Орлрв В.И., Осипьян Ю.А., Влияние магнитного поля на стартовые напряжения и подвижность индивидуальных дислокаций в кремнии // ЖЭТФ. - 2003. - Т. 124. №3. - С.664-669.

238. Boldyrev S.N., Mordkovich V.N., Omelyanovskaya N.M., Influence of in-situ photoexcitation on the radiation defect formation in electron irradiated silicon // Phys. Stat, sol. (a). - 1994.-V.43.-P.71.

239. Болдырев C.H., Мордкович B.H., Омельяновская H.M., Феликсова О.В., Ярыкин H.A., Влияние фотовозбуждения на эффективность дефектообразования при электронном облучении кремния // ФТП. - 1994. - Т.28. №10. - С.1826-1830.

240. Барабаненков М.Ю., Леонов A.B., Мордкович В.Н., Омельяновская Н.М., Влияние фотовозбуждения n-Si in situ при имплантации малых доз ионов на образование радиационных дефектов // ФТП. - 1999. - Т.ЗЗ. №5. - С.537-541.

241. Милевский Л.С., Гарнык B.C., Использование локального облучения для изучения радиационных свойств полупроводников // ФТП. - 1979. - Т. 13. №7. -С.1369-1374.

242. Бучаченко Л.А., Сагдеев Р.З., Салихов K.M. Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях. Новосибирск: Наука. - 1978. - С.296.

243. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Перекалина Т.М., Урусовская A.A., О движении дислокаций в кристаллах NaCl под действием постоянного магнитного поля // ФТТ. - 1987. - Т.29. №2. - С.467-470.

244. Молоцкий М.И., Возможный механизм магнитопластического эффекта // ФТТ, - 1991.-Т.ЗЗ. №10,-С.3112-3114.

245. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Влияние слабого магнитного поля на состояние структурных дефектов и пластичность ионных кристаллов // ЖЭТФ. - 1999.

- Т.115. №2. - С.605-624.

246. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Иванов В.Е., Жуликов С.Е., Дмитриевский A.A. Электронный парамагнитный резонанс в подсистеме структурных дефектов как фактор пластификации кристаллов NaCl // Письма в ЖЭТФ. - 1998. - Т.68. №5. -С.400-405.

247. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Иванов В.Е., Дмитриевский A.A., Радиочастотные спектры парамагнитного резонанса, детектируемые по смещению дислокаций в монокристаллах NaCl // ФТТ. - Т.41. №10. - С. 1779-1784.

248. Golovin Yu.I., Morgunov R.B., Dmitrievskii A.A., Influence of a weak magnetic field on spin-dependent relaxation of structural defects in diamagnetic crystals // Mat.Sci.Eng.

- 2000. - T.l 15. - C.345-347.

249. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Дмитриевский A.A., Электронный парамагнитный резонанс в короткоживущих дефектах как фактор селективного управления пластичностью кристаллов // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2000. - Т.2. №2. - С.345-349.

250. Головин Ю.И, Моргунов Р.Б., Иванов В.Е., Дмитриевский A.A., Эффекты разупрочнения кристаллов, вызванные изменением спиновых состояний структурных дефектов в условиях парамагнитного резонанса // ЖЭТФ. - 2000. - Т.116. №6. -С.123-135.

251. Головин Ю.И., Дмитриевский A.A., Лопатин Д.В. Спин-зависимые реакции между дефектами структуры в немагнитных твердых телах и их макроскопические проявления // Известия Академии Наук. Серия Физическая. - 2004. - Т. 68. №7. -С. 1009-1012.

252. Дмитриевский A.A., Квантовые явления в процессе релаксации подсистемы структурных дефектов ионных кристаллов в магнитном поле // Автореферат на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, Тамбов. - 2000.

253. Дмитриевский A.A., Ефремова Н.Ю., Ловцов А.Р., Гусева Д.Г., Соотношение чувствительности электрических и механических характеристик кремния к низкоинтенсивному бета-облучению // Вестник ТГУ (серия естественные и технические науки). -2013.-Т.18.№1.-С.130-132.

254. Головин Ю.И., Дмитриевский A.A., Сучкова Н.Ю., Динамика изменения микротвердости монокристаллов Si под действием слабого бета-облучения // Деформация и разрушение материалов. - 2005. - Т.1. - С.23-25.

255. Дмитриевский A.A., Сучкова Н.Ю., Толотаев М.Ю. Облучение кремния низкоинтенсивным потоком электронов при повышенных температурах // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования - 2008. - №11. - С.93-95.

256. Golovin Yu.I., Dmitrievskii A.A., Suchkova N.Yu., Relaxation phenomena in Si single crystal after beta-irradiation, The XXI International Conference on relaxation phenomena in solids, October 5-8, 2004, Voronezh.

257. Головин Ю.И., Дмитриевский A.A., Сучкова Н.Ю., Бадылевич М.В., Многостадийное радиационно-стимулированное изменение микротвердости монокристаллов Si, инициируемое малоинтенсивным бета-облучением // ФТТ. - 2005. -Т.47. №7.-С. 1237-1240.

258. Головин Ю.И., Дмитриевский A.A., Пушнин И.А., Сучкова Н.Ю., Обратимое изменение микротвердости кристаллов Si, вызванное малодозовым облучением электронами при комнатной температуре // ФТТ. - 2004. - Т.46. №10. -С.1790-1792.

259. Дмитриевский A.A., Ефремова Н.Ю., Занин А.П., Ловцов А.Р., Роль

скоростного фактора при тестировании твердости облученных бета-частицами

286

монокристаллов кремния // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2012. - Т.4. - С.81-83.

260. Дмитриевский A.A., Ефремова Н.Ю., Шуклинов A.B., Влияние низкоинтенсивного бета-излучения на склонность к образованию трещин при индентировании кремния // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2011. - Т.4. - С.63-64.

261. Дмитриевский A.A., Васюков В.М., Сучкова Н.Ю., Синегубов М.Ю., Шуклинов A.B., Столяров P.A., Исаева Е.Ю., Тихомирова К.В., Исследование влияния низкоинтенсивного бета-облучения на механизмы ползучести в кремнии // Вестник ТГУ (серия естественные и технические науки). - 2009. - Т. 14. №1. - С.34-38.

262. Дмитриевский A.A., Васюков В.М., Синегубов М.Ю., Шуклинов A.B., Столяров P.A., Исаева Е.Ю., Тихомирова К.В., Ползучесть материалов в наношкале и методы ее диагностики // Вестник ТГУ (серия естественные и технические науки). -2010. - Т.15. №1. - С.34-38.

263. Головин Ю.И., Дмитриевский A.A., Сучкова Н.Ю., Структура комплексов, ответственных за радиационно-стимулированное разупрочнение монокристаллов кремния // ФТТ. - 2006. - Т.48. №2. - С.262-265.

264. Головин Ю.И., Дмитриевский A.A., Эффекты влияния малых доз и интенсивностей радиационных и электромагнитных воздействий на свойства реальных кристаллов // Журнал функциональных материалов. - 2007. - Т.1. №1. - С. 11-20.

265. Головин Ю.И., Дмитриевский A.A., Сучкова Н.Ю., Влияние типа и концентрации легирующей примеси на динамику бета-индуцированного изменения микротвердости кремния // ФТТ. - 2008. - Т.50. №1. - С.26-28.

266. Дмитриевский A.A., Ефремова Н.Ю., Кувшинова A.A., Ловцов А.Р., Гусева

Д.Г., Влияние атмосферных газов на изменения микротвердости монокристаллов

кремния, индуцируемые бета-облучением, V Международная научная конференция

287

«Материалы и структуры современной электроники», 10-11 октября 2012 г., г. Минск, Белоруссия.

267. Головин Ю.И., Дмитриевский A.A., Сучкова Н.Ю., Толотаев М.Ю., Изменения микротвердости кремния, индуцируемые слабоинтенсивным потоком электронов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - Т.4. - С.34-36.

268. Головин Ю.И., Дмитриевский A.A., Кузьмицкая М.А., Пушнин И.А., Сучкова Н.Ю., Обратимое разупрочнение монокристаллов Si, ZnS, С60, стимулированное малодозовым (D < 1 cGy) бета-облучением при комнатной температуре // XLIII Международная конференция «Актуальныепроблемы прочности» 27 сентября - 1 октября 2004 года Витебск, Беларусь.

269. Головин Ю.И., Дмитриевский A.A., Николаев Р.К., Пушнин И.А., Обратимое разупрочнение монокристаллического фуллерита Сбо под действием ультраслабого ионизирующего облучения // ДАН. - 2002. - Т.385. №1. - С. 1-3.

270. Головин Ю.И., Дмитриевский A.A., Пушнин И.А., М.В. Павлов, Николаев Р.К., Инверсия знака радиационно-пластического эффекта в монокристаллах Сбо при фазовом переходе sc-fcc // ФТТ. - 2004. - Т.46. №3. - С.569-572.

271. Дмитриевский A.A., Пушнин И.А., Павлов М.В., Сучкова Н.Ю., Кузьмицкая М.А., Яковлев A.B., Титов Ю.Н., Николаев Р.К., Температура - рычаг управления радиационно-пластическим эффектом в монокристаллах Сбо- Материалы III Международной конференции «Микромеханизмы пластичности, разрушения и сопутствующих явлений» (MPFP) // Вестник ТГУ им. Г.Р. Державина. - 2003. - Т.8. №4. - С.668-670.

272. Дмитриевский A.A., Ефремова Н.Ю., Вихляева Е.М., Коренков В.В., Шуклинов A.B., Badylevich М., Fedorenko Y.G., Механические свойства структур

AIN/Si в условиях низкоинтенсивного бета-облучения // Известия РАН. Серия Физическая. - 2010. - Т.74. №2. - С.229-232.

273. Бадылевич М.В., Блохин И.В., Головин Ю.И., Дмитриевский A.A., Карцев C.B., Сучкова Н.Ю., Толотаев М.Ю., Немонотонные изменения концентрации радиационных дефектов донорного и акцепторного типов в кремнии, индуцируемые слабоинтенсивным бета-облучением // ФТП. - 2006. - Т.40. №12. - С. 1409-1411.

274. Васюков В.М., Дмитриевский A.A., Сучкова Н.Ю., Изменения микротвердости кремния, индуцированные низкоинтенсивным бета-облучением, в условиях действия слабых электрических полей // Вестник ТГУ (серия естественные и технические науки). - 2008. - Т.13. №1. - С.43-45.

275. Дмитриевский A.A., Ефремова Н.Ю., Косырев А.П., Коренков В.В., Шуклинов A.B., Badylevich M., Fedorenko Y.G. Электронная микроскопия и механические свойства структур AIN/Si // Вестник ТГУ (серия естественные и технические науки). - 2010. - Т.15. №1. - С.213-215.

276. Dmitrievskiy A.A., Golovin Yu.I., Lovtsov A.R., Efremova N.Yu., Korenkov V.V., Shuklinov A.V., Badylevich M., Reduction of A1N nano-foil adhesion to Si substrate by low-flux of beta-irradiation // E-MRS Spring Meeting 2012, 14 - 18 may 2012, Strasburg, France.

277. Дмитриевский A.A., Badilevich M.V., Ефремова Н.Ю., Ловцов A.P., Коренков В.В., Исаева Е.Ю., Гусева Д.Г., Адгезионные свойства структур AIN/Si в условиях низкоинтенсивного бета-облучения // Вестник ТГУ (серия естественные и технические науки). -2013.-Т.18.№1.-С.125-127.

278. Дмитриевский A.A., Ефремова Н.Ю., Ловцов А.Р., Исаева Е.Ю., Бадылевич М.В., Влияние низкоинтенсивного бета-облучения на физико-механические свойства тонких пленок на кремнии, IV Всероссийская конференция "Физические и физико-

химические основы ионной имплантации", 23 - 26 октября 2012, г. Новосибирск.

289

279. Дмитриевский А.А., Шуклинов А.В., Ловцов А.Р., Исаева Е.Ю., Бета-индуцироваиное уменьшение адгезии структур Cu/Si // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2013. - Т.5. - С.70-72.

280. Головин Ю.И., Дмитриевский А.А., Николаев Р.К., Пушнин И.А., Влияние ультраслабого ионизирующего облучения на магнитопластический эффект в монокристаллах фуллерита С6о // ФТТ. - 2003. - Т.45. №1. - С.187-190.

281. Головин Ю.И.; Дмитриевский А.А., Иванов В.Е., Сучкова Н.Ю., Толотаев М.Ю., Влияние слабых магнитных полей на динамику изменений микротвердости кремния, индуцируемых малоинтенсивным бета-облучением // ФТТ. - 2007. - Т.49. №5. - С.822-823.

282. Dmitrievskiy А.А., Suchkova N.Yu., Vasyukov V.M., Tolotaev M.Yu., Nonmonotonic changes of silicon microhardness, radiation-induced with low-flux of electrons // Proceedings of SPAS. «Nanodesign, Technology and Computer Simulations» - 2007. - V. 6597. P. 1148-1 - 1148-3.

283. Golovin Yu.I., Dmitrievskiy A.A., Efremova N.Yu., Vasyukov V.M., The combined influence of low-flux electrons irradiation and weak magnetic field on silicon microhardness // Proc. of SPIE. - 2009. - T.7377. №2. - C.9-14.

284. Дмитриевский A.A., Иванов B.E. Комбинированное действие слабых электрических, магнитных и радиационных полей на микротвердость Si // Вестник ТГУ (серия естественные и технические науки). -2007. - Т. 12. №1. -С.78-79.

285. Дмитриевский А.А., Головин Ю.И., Васюков В.М., Сучкова Н.Ю., Влияние электрических полей на динамику изменений микротвердости кремния, индуцируемых низкоинтенсивным бета-облучением // Известия РАН. Серия Физическая. - 2008. -Т.72. №7. - С.988-990.

286. Дмитриевский А.А., Ефремова Н.Ю., Головин Ю.И., Шуклинов А.В.,

Фазовые превращения под индентором в кремнии, облученном низкоинтенсивным

290

потоком бета-частиц // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2010. - Т.З. - С.62-65.

287. Сучкова Н.Ю., Дмитриевский A.A., Шуклинов A.B. Оценка роли фазовых превращений под индентором в изменении микротвердости кремния, индуцируемом низкоинтенсивным бета-облучением // Вестник ТГУ (серия естественные и технические науки). - 2009. - Т.14. №1. - С.32-34.

288. Косырев П.А., Дмитриевский A.A., Ефремова Н.Ю., Шуклинов A.B., Влияние отжига на фазовый состав кремния внутри отпечатка индентора // Вестник ТГУ (серия естественные и технические науки). - 2011. - Т.16. №1. - С.147-148.

289. Dmitrievskiy A.A., Golovin Yu.I., Efremova N.Yu., Shuklinov A.V., Vasyukov V.M., Badylevich M., Contribution of low-flux beta radiation induced point defects and phase transitions under indenter in microhardness of silicon, E-MRS Spring Meeting 2009, 8 - 12 may 2009, Strasburg, France.

290. Головин Ю.И., Дмитриевский A.A., Шуклинов A.B., Косырев П.А., Ловцов А.Р., Влияние низкоинтенсивного бета-облучения на фазовые превращения в кремнии при микроиндентировании // Известия ВУЗов. Серия Физика. - 2011. - Т.54.

^ №8. - С.73-76.

291. Дмитриевский A.A., Ефремова Н.Ю., Косырев П.А., Ловцов А.Р., Шуклинов A.B., Подавление эффективности фазовых превращений в кремнии при локальном нагружении посредством низкоинтенсивного бета-облучения // XLII Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, 29-31 мая 2012 г. Москва, Россия.

292. Дмитриевский A.A., Механические свойства кремния в условиях 1 низкоинтенсивных воздействий // Вестник ТГУ (серия естественные и технические

науки).-2009.-Т. 14. №6.-С. 1209-1216.

293. Дмитриевский A.A., Влияние малодозового бета-облучения на микромеханические свойства кремния // Деформация и разрушение материалов. - 2013. -№.11.-С.2-11.

294. Дмитриевский A.A., Закономерности изменения свойств монокристаллов кремния под действием малодозового бета-облучения // Известия ВУЗов. Серия Физика. - 2013. - №.8. - С.85-94.