Модели синтеза устройств ориентации полупроводниковых пластин в условиях воздействия встречных газовых потоков тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.16, кандидат технических наук Назина, Людмила Ивановна

• Назина, Людмила Ивановна
• кандидат технических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат технических наук Назина, Людмила Ивановна

ВВЕДЕНИЕ •

Глава 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ВОПРОСОВ ПРОЕКТИРОВАНИЯ УСТРОЙСТВ ДЛЯ ОРИЕНТИРОВАНИЯ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН В ПРОИЗВОДСТВЕ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

1Л. Тенденции развития оборудования для литографической обработки полупроводниковых пластин

1.2. Анализ конструкций существующих устройств ориентации

1.3. Теоретические предпосылки создания устройств ориентации

1.4. Цель и задачи исследования

Глава 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ДИНАМИЧЕСКИХ И КИНЕМАТИЧЕСКИХ

ХАРАКТЕРИСТИК ВРАЩЕНИЯ И ОРИЕНТИРОВАННОЙ ОСТАНОВКИ ПЛАСТИН НА ОСНОВНЫХ

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЯХ

ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА

2Л. Ориентирование полупроводниковых пластин на пневмовихревых центрифугах

2.2. Моделирование гидродинамических характеристик нестационарной несущей прослойки и динамики движения пластины на воздушной прослойке в условиях ее формирования неоднородно расположенными соплами

2.2.1. Математическая модель несущей воздушной прослойки

2.2.2. Моделирование вращения пластины на вихревой прослойке

2.3. Исследование влияния расходных и конструктивных параметров устройства на характеристики воздушной прослойки

2.4. Исследование точности ориентации пластин встречными воздушными струями

Глава 3. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОВЕДЕНИЯ ПЛАСТИН В УСТРОЙСТВЕ ОРИЕНТИРОВАНИЯ НА ВСПОМОГАТЕЛЬНЫХ ОПЕРАЦИЯХ ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА

3.1. Устройства ориентации на вспомогательных операциях

3.2. Определение условий бесконтакного зависания пластины на несущей воздушной прослойке

3.3. Моделирование поступательного движения пластины по наклонному пневмоконвейеру с неравномерным расположением сопел

3.4. Моделирование вращательного движения на позиции ориентации

Глава 4. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТОВ

4.1. Техника экспериментов

4.2. Методика экспериментов и обработки экспериментальных данных

Глава 5. ПРАКТИЧЕСКОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ ИССЛЕДОВАНИЯ

5.1. Методика инженерного расчета

5.1.1. Методика инженерного расчета устройства пневмовихревого центрифугирования с ориентированной остановкой пластин

5.1.2. Методика инженерного расчета устройства межоперационного транспортирования с ориентированной остановкой пластин

5.2. Примеры расчета

5.2.1. Пример расчета устройства пневмовихревого центрифугиро вания с ориентированной остановкой пластин

5.2.2 Пример расчета устройства межоперационного транспортиро вания с ориентированной остановкой пластин

5.3. Промышленное использование устройств ориентации

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Модели синтеза устройств ориентации полупроводниковых пластин в условиях воздействия встречных газовых потоков»

Перспективы дальнейшего роста производства изделий электронной техники обусловлены стремительным развитием таких областей применения полупроводниковых приборов, как: вычислительная техника; радиоэлектронная аппаратура для систем автоматизации; персональные средства связи; мультиин-формационные системы; электронное оборудование транспорта и др.

В мире микроэлектроника является одной из наиболее динамичных отраслей промышленности, что подтверждается ежегодным удвоением степени интеграции интегральных микросхем, значительной сменяемостью номенклатуры выпускаемых изделий. Приняв за критерий размер элемента, который позволяют получить процессы литографии, тенденцию развития отрасли можно охарактеризовать следующим рядом: 1980 г. - 1 мкм; 1990 г. - 0,7 мкм; 2000 г. - 0,25 мкм; 2010 г. - 0,01 мкм (для МДП-схем) [17].

Одна из специфических особенностей электронной техники состоит в том, что основой ее прогресса является развитие электронного машиностроения. Его технический уровень повышается параллельно с разработкой самих изделий, определяя совершенствование используемых технологических процессов. Отечественное электронное машиностроение прошло сложный путь от создания оборудования для выполнения отдельных операций технологического процесса до разработки и серийного выпуска комплексных высокопроизводительных прецизионных установок, автоматических линий и более сложных комплексов оборудования и систем [51]. Однако отставание по ряду направлений науки и технологии от уровня, достигнутого зарубежными производителями изделий электронной техники (ИЭТ), обусловило необходимость принятия Национальной программы развития электроники в России на 1992-2002 гг. В программе нашли отражение проблемы, связанные с выходом электронного машиностроения из сложной ситуации. В области микроэлектроники в программе отмечается необходимость в создании и развитии базовых субмикронных технологий производства сверх больших интегральных схем (СБИС). Общая стратегия развития технологии [32] основана на качественном переходе к формированию структур со все более малыми размерами от этапа 1,5+2 мкм, к технологиям уровней 0,3-Ю,5 мкм.

Одним из направлений развития микроэлектроники является расширение базовой субмикронной технологии в область использования пластин диаметром 200, 250 мм. Кроме того, перспективным является использование соединений АШВУ (арсенид галлия ваАБ, фосфит индия 1пР и др.), обладающих рядом преимуществ по электронно-физическим свойствам по сравнению с традиционным материалом микроэлектроники - кремнием 81. Однако эти соединения имеют крайне низкие показатели прочности, высокую хрупкость.

Основой промышленной технологии производства остается фотолитография, обладающая большей производительностью (50-И50 пластин/час) по сравнению с электронно-лучевой и рентгеновской (5-^20 пластин/час) [36].

Актуальность темы. Тенденции развития микроэлектроники определяют предъявление повышенных требований к разрабатываемому технологическому оборудованию для фотолитографического процесса. Повышение степени интеграции влечет за собой последовательное уменьшение элементов полупроводниковых структур от микронных до субмикронных размеров. Толщина линий топологического рисунка микросхем, получаемых после литографии, становится соизмеримой с размерами пылевых частиц, содержащихся в воздухе производственных помещений. Попадание частиц пыли на поверхность пластин приводит к перекрытию соседних линий и браку прибора. Поэтому важным показателем создаваемого оборудования становится уровень привносимой дефектности. Существующее технологическое оборудование, использующее механические системы для крепления и перемещения пластин в ходе их обработки, обладает существенным недостатком - служит источником пылеобразования. В связи с этим, следует признать перспективным использование устройств с эффектами несущей воздушной прослойки, позволяющей исключить постоянный механический контакт опорных поверхностей устройства и пластины, уменьшить истирание, деформации и загрязнения пластин.

При изготовлении ИЭТ используется планарная технология - создание сотен микросхем на поверхности полупроводниковой пластины. Кристалл с многослойной полупроводниковой структурой является результатом последовательного выполнения многократно повторяющихся операций (химическая и термическая обработка, микролитография). Последовательные топологические слои должны быть воспроизведены в заданных позициях относительно кристаллографических осей и друг друга. Для обеспечения совмещения последовательных слоев необходима ориентированная подача пластины на технологические и контрольные операции. С этой целью пластина снабжена базовым срезом, расположенным определенным образом относительно кристаллической решетки полупроводникового материала. Наличие в ходе фотолитографического процесса операций, сопровождающихся вращением пластины, например, при нанесении на нее слоя фоторезиста центрифугированием, вызывает нарушение ориентированного положения пластины, что приводит к необходимости использования устройств ориентации. Создание технологического оборудования, в котором технологическая обработка осуществляется без потери пластиной ориентированного положения, исключает использование дополнительного оборудования, снижает материальные и энергетические затраты, сокращает рабочий цикл изготовления прибора.

Диссертационная работа выполнена на кафедре технологии металлов и конструкционных материалов Воронежской государственной технологической академии (ВГТА) в рамках договора о научно - техническом сотрудничестве ВГТА и ОАО «Научно - исследовательский институт полупроводникового машиностроения» № 1 от 26 января 2000 г., а также в соответствии с программой работ Министерства образования Российской Федерации по теме «Теоретические основы синтеза автоматизированного оборудования с эффектами аэрогидродинамических несущих прослоек» (№ г.р. 01970001686).

Цель работы. На основе математического моделирования процесса движения полупроводниковой пластины теоретически обосновать возможность ориентации пластин на несущей прослойке встречными газовыми потоками, разработать модели для синтеза ориентирующих устройств на основных и вспомогательных операциях фотолитографического процесса, разработать алгоритмы и методики инженерного расчета устройств, отвечающих перспективным требованиям субмикронной технологии.

Для достижения поставленной цели сформулированы и решены следующие задачи: провести теоретическое и экспериментальное исследование процесса взаимодействия встречных потоков, образованных истечением газа из неоднородно расположенных отверстий, с полупроводниковой пластиной; разработать математические модели устройств, использующих встречные газовые потоки для управления процессом ориентации; провести экспериментальную проверку полученных математических моделей; на основе полученных моделей синтезировать конструкции устройств и определить их параметры; разработать методику инженерного расчета устройств ориентации; провести апробацию устройств в промышленных условиях.

Методы исследования. Основные задачи работы решались моделированием и анализом моделей с помощью математического аппарата теории гидродинамики течения вязкой несжимаемой жидкости с учетом динамики механической системы. Моделирование, обработка экспериментальных данных проводились при помощи ПЭВМ.

Научная новизна. Разработана математическая модель течения воздуха в несущей воздушной прослойке в условиях изменения гидродинамических характеристик подаваемого воздуха, а также в условиях формирования прослойки неоднородно расположенными вдоль несущей поверхности устройств отверстиями (с различным углом наклона и переменным межцентровым шагом).

Разработана математическая модель динамики движения пластин на несущей воздушной прослойке в условиях управления ее движением при помощи встречных воздушных струй.

Синтезирован ряд устройств, в которых технологическая обработка полупроводниковых пластин на этапе фотолитографии завершается ориентированной остановкой пластин по базовому срезу. Эти устройства используют эффекты несущей воздушной прослойки не только с целью уменьшения загрязнения и деформаций обрабатываемых пластин, но и для управления законом их движения посредством воздушных струй. Разработанные устройства защищены патентами РФ.

Практическая ценность. Теоретические и экспериментальные результаты диссертационной работы являются основой для синтеза устройств, которые могут быть использованы в субмикронной технологии формирования полупроводниковых структур в процессе фотолитографии. Технологическая обработка пластин в устройствах осуществляется без потери ими ориентированного относительно базового среза положения.

Апробация работы. Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Российском молодежном научном симпозиуме "Молодежь и проблемы информационного и экологического мониторинга" (г. Воронеж, 1996 г.), на Международной научно-технической конференции "Прогрессивные технологии и оборудование для пищевой промышленности" (г. Воронеж, 1997 г.), на XI Международной научной конференции "Математические методы в химии и технологиях" (г. Владимир, 1998 г.), на

Воронежской школе "Современные проблемы механики и прикладной математики" (г. Воронеж, 1998 г.), на научной конференции молодых ученых, аспирантов и студентов (г. Воронеж, 1998 г.), на 5-й Международной конференции "Пленки и покрытия '98" (г. Санкт-Петербург, 1998 г.), на III Всероссийской научно-технической конференции "Информационные технологии и системы" (г. Воронеж, 1999 г.), а также на отчетных научных конференциях Воронежской государственной технологической академии (1997 г., 1998 г., 1999 г.).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 18 печатных работ, в том числе 4 патента РФ, 6 статей.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, основных выводов, списка литературы и приложения. Материал изложен на 139 страницах, содержит 89 рисунков, список литературы из 117 наименований. Приложения помещены в конце работы.

Заключение диссертации по теме «Применение вычислительной техники, математического моделирования и математических методов в научных исследованиях (по отраслям наук)», Назина, Людмила Ивановна

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

1. Тенденции развития микроэлектроники направлены на стремительный рост степени интеграции до 64 Мбит и более, на уменьшение линейных размеров топологии до микронных и субмикронных размеров, на использование перспективных полупроводниковых материалов - соединений группы АШВУ, в частности, арсенида галлия, фосфита индия и др., имеющих невысокие прочностные характеристики, повышенную хрупкость по сравнением с традиционным материалом - кремнием. Использование в традиционном оборудовании для крепления, перемещения и ориентации пластин механических систем исчерпа ло свои возможности вследствие уменьшения процента выхода годных изделий из-за изломов и повреждений хрупких изделий.

Применение автоматического ориентирования полупроводниковых пластин по базовому срезу с использованием эффектов несущих воздушных прослоек позволяет уменьшить удельные нагрузки на пластины до 0,8-103 Па.

2. Применение устройств ориентированной остановки полупроводниковых пластин при их центрифугировании и транспортировании позволяет сократить длительность рабочего цикла обработки каждой пластины на этапе фотолитографии до 40 с.

3. Полученные математические модели позволяют описывать процесс ориентации пластин на несущей воздушной прослойке в условиях ее формирования неоднородно расположенными вдоль несущей поверхности воздухопод-водящими отверстиями (на основных технологических операциях - с переменным углом наклона, на вспомогательных - с переменным межцентровым шагом).

4. Математическое моделирование и практическая апробация полученных зависимостей позволили рекомендовать рациональную область значений для параметров устройства ориентации пластин при центрифугировании: радиус

3 3 сопел разгона - (0,2-0,3)-10" м; торможения - (0,3-0,4)-10" м; количество со

139 пел - 8-И2;. угол наклона сопел - (45-60)°; относительный радиус расположения сопел разгона - 0,53-0,63; торможения - 0,53-0,63; относительный радиус окружности основания конуса - 0,82-0,84, угол наклона образующей конической поверхности - (10-15)°; расход воздуха, подаваемый в пневмокамеры, должен подбираться таким образом, чтобы число Рейнольдса не превышало 5000.

5. Математическое моделирование и практическая апробация позволили рекомендовать рациональную область значений для параметров устройства ориентации пластин при их транспортировании: угол наклона устройства о

5-10)°; радиус сопел - (0,25-1,5)-10" м; угол наклона сопел - (30-60)°; длйну участка торможения - (0,25-0,50) м; расход воздуха подбирать с условием досо тижения высоты всплытия пластины - (0,3-0,6)-10" м.

6. Полученные математические модели и результаты исследований достаточно полно описывают процесс ориентации и являются основой для синтеза устройств ориентации полупроводниковых пластин по базовому срезу, отвечающих перспективным требованиям субмикронной технологии. Разработанная методика инженерного расчета устройств доведена до практического использования в качестве пакета прикладных программ.

7. Ожидаемая прибыль от использования разработанного программного обеспечения составит 50 тыс. руб.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Назина, Людмила Ивановна, 2000 год

1. Абрамов Г.В., Битюков В.К., Попов Г.В. Математическое моделирование процесса управления пневмовихревой центрифугой // Автоматизация проектирования и управления в технологических системах. Воронеж, 1990, -С. 79-82.

2. Абрамов Г.В. Повышение эффективности процесса фотолитографии полупроводниковых пластин на основе адаптивных пневмовихревых устройств. Дис. . канд. техн. наук: 05.13.01, 05.13.07. -Воронеж, 1991. 205 с.

3. Абрамов Г.В., Назина Л.И., Попов Г.В Исследование параметров вихревой воздушной прослойки в условиях дискретного поддува. // Материалы XXXVII отчетной научной конференции за 1998 год: В 2ч. / Воронеж, гос. технол. акад. Воронеж, 1999. - 4.2. С. 69.

4. Абрамов Г.В., Назина Л.И., Попов Г.В. К вопросу о расчете параметров ориентирующих наклонных пневмоконвейеров. // Материалы XXXVI отчетной научной конференции за 1997 год: В 2 ч. / Воронеж, гос. технол. акад. -Воронеж, 1998. 4.2.-С. 155-159.

5. Абрамов Г.В., Назина Л.И., Попов Г.В. Исследование точности ориентации пластин вихревой газовой прослойкой. // Математическое моделирование технологических систем. Выпуск 2. Сб. науч. тр. / Воронеж, гос. технол. акад. Воронеж, 1997. - С. 172-177.

6. Абрамов Г.В., Назина Л.И., Попов Г.В. Моделирование операции ориентирования плоских изделий типа тонкий сплошной диск при их транспортировании. // Современные проблемы механики и прикладной математики: Тезисы докладов школы. Воронеж, ВГУ, 1998. - С. 9.

7. Абрамов Г.В., Назина Л.И., Попов Г.В. Разработка устройств для ориентирования изделий типа тонкий сплошной диск. // Материалы XXXV отчетной научной конференции за 1996 год: В 2ч. / Воронеж, гос. технол. акад. -Воронеж, 1997,-4.2. С. 49.

8. Автоматизация технологического оборудования микроэлектроники / A.A. Сазонов, Р.В. Корнилов, Н.П. Кохан и др.; Под ред. A.A. Сазонова. М.: Высш. шк., 1991.-334 с.

9. Артоболевский И.И. Теория механизмов и машин. М.: Наука, 1988.-639 с.

10. А. с. 1381796 СССР, МКИ В 04 В 5/00 Центрифуга для нанесения фоторезиста на пластины / В.К. Битюков, В.И. Кочетов, Г.В. Попов.

11. А. с. 1441996 СССР, МКИ Н 01 L 21/00 Центрифуга для нанесения фоторезиста на пластины / В.К. Битюков, В.И. Кочетов, Г.В. Попов.

12. A.c. 15 98770 СССР, МКИ Н 01 L 21/312 Центрифуга для нанесения фоторезиста на пластины / Г. В. Абрамов, В.К. Битюков, В.И. Кочетов, Г.В. Попов.

13. А. с. 1618218 СССР, МКИ Н Ol L 21/312 Центрифуга для нанесения фоторезиста на пластины / Г. В. Абрамов, В.К. Битюков, В.И. Кочетов, Г.В. Попов.

14. А. с. 1740991 СССР, МКИ G 01 В 13/22 Способ контроля шероховатости поверхности изделия / В.К. Битюков, Ю.Н. Золотарев, В.Н. Колодеж-нов, Л.М. Сырицын (СССР). № 4684480/28; Заявл. 24.04.89; Опубл. 15.06.92, Бюл. № 22. - 3 е., ил.

15. A.c. 1775752 РФ, МКИ 5 Н 01 L 21/00. Способ ориентации полупроводниковых подложек по базовому срезу и устройство для его осуществления / Банный Л.М., Петкевич Г.А. (РФ). № 4739331 // БИ. - 1992. - № 42.

16. A.c. 485930 РФ, МКИ В 65 G 51/00. Устройство для ориентации круглых пластин с боковым проемом / Сигалов Э.Б., Тяпкин С.А. (РФ). № 1930689/27-11 //БИ. - 1975.-№ 36.

17. Бёрски Д. Рост сложности ИС превращает цифровые схемы в однокристальные системы // Электроника. 1993. - №11/12 - С. 21-26.

18. Битюков В.К. Научно теоретические основы межоперационного автоматического перемещения изделий электронной техники транспортными устройствами с воздушной прослойкой. Дис. . докт. техн. наук: 05.13.07. - Во--— ронеж, 1983.-299 с.

19. Битюков В.К. Пневматическое транспортирование штучных изделий // Механизация и автоматизация производства. 1971. - № 5. - С. 17-25.

20. Битюков В.К., Колодежнов В.Н., Кущев Б.И. Пневматические конвейеры. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1984. - 164 с.

21. Блинов И.Г., Кожитов Л.В. Оборудование полупроводникового производства. М.: Машиностроение, 1986. - 264 с.

22. Богданов Ю.И., Богданова H.A. Контроль неплоскостности полупроводниковых пластин в субмикронной технологии // Микроэлектроника. -1998. Том 27, № 1 - С. 28-34.

23. Боков Ю.С., Жильцов В.И., Мартынов В.В., Самсонов Н.С. Системный подход к созданию субмикронной технологии // Электронная промышленность. 1993. -№ 8. - С. 7-16.

24. Волчкевич Л.И. Автоматизация производства электронной техники. М. : Высшая школа, 1988. - 287 с.

25. Валиев К.А., Орликовский A.A. Технологии СБИС. Основные тенденции развития // Электроника: наука, технология, бизнес, 1996. № 5-6. - С. 3-11.

26. Двайт Г.Б. Таблицы интегралов и другие математические формулы. -М.: Наука, 1973.-228 с.

27. Жильцов В.И., Мартынов В.В. Базовая субмикронная технология -основа дальнейшего развития микроэлектроники // Электронная промышленность. 1993.-№ 11/12.-С. 15-21.

28. Запорожский В.П., Лапшинов Б.А. Обработка полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1988. - 284 с.

29. Иванов A.A. Проектирование систем автоматического манипулирования миниатюрными изделиями. М.: Машиностроение, 1981. - 271 с.

30. Иванов A.A., Малов А.Н. Перемещение изделий на воздушной прослойке с торможением встречным потоком // Известия ВУЗов. Машиностроение,- 1978.-№ 11 С. 98-102.

31. Измерение и контроль в микроэлектронике / Под. ред. А.А Сазонова. М.: Высшая школа, 1984. - 258 с.

32. Камке Э. Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям.: Пер. с нем. -М.: Наука, 1976. 576 с.

33. Колодежнов В.К. Гидромеханические и теплообменные процессы в системах с несущими прослойками при подаче и технологической обработке пищевых продуктов. Дис. . докт. техн. наук: 05.18.12. Москва, 1992. - 304 с.

34. Комаров A.C., Кравченко Л.Н., Кречмер A.M., Шаповал Л.Г. Возможности и ограничения арсенидо галлиевой технологии // Электронная промышленность. 1993. - № 9. - С. 25-29.

35. Константинеску В.Н. Газовая смазка. Перевод с румынского. М.: Машиностроение, 1968. - 709 с.

36. Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов Э.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1982.-240 с.

37. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике"для научных работников и инженеров. М.: Наука, 1978. - 832 с. ,

38. Кочетов В.И., Кущев Б.И., Попов Г.В. Влияние конструктивных ^параметров на кинематику пневмовихревых устройств технохимической обработки деталей типа тонкого сплошного диска // Известия ВУЗов. Машиностроение. 1989. №2-С. 121-124.

39. Кочетов В.И. Повышение эффективности процесса центрифугирования полупроводниковых пластин на базе устройств с вихревой газовой прослойкой. Дис. . канд. техн. наук: 05.13.07. Воронеж, 1989. -239 с.

40. Лапшина Е.В. Современное состояние GaAs технологии // Автоматизация и современные технологии. - 1992. - № 6 - С. 41-43.

41. Лойцянский Л.Г. Механика жидкости и газа. М.: Наука, 1978. -736 с.

42. Мальгин С.Н. Тенденции развития электронного машиностроения // Электронная промышленность. 1992. - № 5 - С. 2-6.

43. Малкжов Б.А, Маркова Т.И. Определение положений базового и маркировочного срезов на слитке GaAs // Микроэлектроника. 1998. - Том 27, № 1 - С. 58-62.

44. Моро У. Микролитография : В 2-х ч.Ч. 1 : Пер. с англ. М.: Мир, 1990.-605 с.

45. Нисков В.Я. Универсальная базовая технология создания биполярных БИС // Электронная промышленность. 1994. - № 4-5 - С. 11-18.

46. Норлинг Д. Как сохранить лидерство на рынке ИС объемом 200 млрд. долл.? // Электроника. 1993. -№11/12 - С. 10-11.

47. Основы теории точности механизмов / Н.Г. Бруевич, Е.А. Правбто-рова, В.И. Сергеев. М.: Наука, 1988. 238 с. !

48. Пат. 1-173631 Япония, МКИ 4 Н 01 L 21/68. Устройство ориентирования полупроводниковых пластин / Ohkura electric Со LTD. (Япония). № 62329987 // РЖ ИСМ. - 1990. - Вып. 129, № 10.

49. Пат. 1-276640 Япония, МКИ 4 Н 01 L 21/68. Способ совмещения полупроводниковых пластин / Fudjitsu LTD (Япония). № 63-103879 // РЖ ИСМ. - 1990. - Вып. 129, № 17.

50. Пат. 1-58658 Япония, МКИ 4 Н 01 L 21/68. Способ совмещения подложки / Фудзицу К.К. (Япония). № 59-182043 // РЖ ИСМ. - 1990. - Вып. 129, №16.

51. Пат. 1-59739 Япония, МКИ 4 И 01 L 21/68. Устройство для ориентации полупроводниковой подложки / К.К. Тосиба. (Япония). № 57-87313 // РЖ ИСМ,- 1990.-Вып. 129, № 16.

52. Пат. 2-24380 Япония, МКИ 5 Н 01 L 21/68. Устройство для бесконтактного определения положения пластины / Митака коки К.К. (Япония). № 60-214774 //РЖИСМ, - 1991.-Вып. 104, №7.

53. Пат. 2-46746 Япония, МКИ 5 Н 01 Ь 21/68. Способ определения положения фаски для ориентации ПП пластины / Бис^и. ЬТБ. (Япония). № 63197711 // РЖ ИСМ. - 1991. - Вып. 104 , № 4.

54. Пат. 3-30990 Япония, МКИ 5 Н 01 Ь 21/68. Механизм для позиционирования полупроводниковой пластины / К.К. Никон. (Япония). № 58-95190 //РЖИСМ, - 1992.-Вып. 104, № 11.

55. Пат. 3-34218 Япония, МКИ 5 Н 01 Ь 21/68. Устройство предварительного совмещения образца при обработке / Сокуэйся К.К. (Япония). № 18875 // РЖ ИСМ. - 1992. - Вып. 104 , № 13.

56. Пат. 3-43781 Япония, МКИ 5 Н 01 Ь 21/68. Устройство для ориентации подложек / Токё эрэкуторон Сагами К.К. (Япония). № 63-321659 // РЖ ИСМ. - 1992. - Вып. 104, № 19.

57. Пат. 3-54859 Япония, МКИ 5 Н 01 Ь 21/68. Устройство для позиционирования полупроводниковых пластин / Нитидэн кикай К.К. (Япония). № 59-112717//РЖ ИСМ. - 1993.-Вып. 104, №2.

58. Пат. 5-32904 Япония, МКИ 5 Н 01 Ь 21/68. Способ и устройство для упорядочивания положения полупроводниковых пластин / К.К. Тосиба. (Япония). -№ 57-199091 //РЖИСМ. 1995. -Вып. 104, № 16.

59. Пат. 5-41017 Япония, МКИ 5 Н 01 Ь 21/68, О 05 Б 3/12. Устройство для определения положения полупроводниковой пластины / К.К. Никон. (Япония). -№ 61-27914 // РЖ ИСМ. 1995. - Вып. 104, № 19.

60. Пат. 5-41527 Япония, МКИ 5 В 65 в 51/03, Н 01 Ь 21/68. Устройство для подачи изделий типа полупроводниковых пластин или магнитных дисков / К.К. Хитати сэйсакусе. (Япония). № 62-58836 // РЖ ИСМ. - 1995. - Вып. 35, № 19.

61. Пат. 5-48949 Япония, МКИ 5 Н 01 L 21/68, В 25 J 16/06 // В 65 G 47/88 л 47/90. Способ задания положения полупроводниковой пластины /Фудзи дэнки К.К. (Япония). № 62-164942 // РЖ ИСМ. - 1995. - Вып. 104 , № 22.

62. Пат. 5-52065 Япония, МКИ 5 Н 01 L 21/68. Устройство для позиционирования полупроводниковых пластин / Ниппон дэнки К.К. (Япония). № 62-279721 //РЖ ИСМ. - 1995. -Вып. 104, №24.

63. Пат. 56-34092 Япония, МКИ 3 И 01 L 21/68. Устройство для установки положения полупроводниковой пластины / К.К. Токё сэймицу. (Япония). № 52-6975 // РИ ИСМ. - 1985. - Вып. 129, № 22.

64. Пат. 58-24946 Япония, МКИ 4 Н 01 L 21/66, 21/68. Устройство для контроля полупроводниковых пластин / К.К. Токё сэймицу. (Япония). № 52131074 // РИ ИСМ. - 1989. - Вып. 122, № з.

65. Пат. 60-24032 Япония, МКИ 4 Н 01 L 21/68. Устройство точной ориентации пластин, содержащее механизм перемещения / Hitachi seisakusho К.К. (Япония). № 58-130841 // РИ ИСМ. - 1986. - Вып. 122, № 8.

66. Пат. 60-80241 Япония, МКИ 4 Н OI L 21/68, 21/302. Устройство позиционирования с приспособлениями для поворота и определения положения полупроводниковой подложки / Hitachi seisakusho К. К. (Япония). № 58186912 // РИ ИСМ. - 1987. - Вып. 129, № 3.

67. Пат. 60-85536 Япония, МКИ 4 Н 01 L 21/68, 21/66. Устройство для правильной ориентации полупроводниковых пластин, содержащее фотоэлектрические детекторы / Hitachi seisakusho К. К. (Япония). № 58-192406 // РИ ИСМ. - 1987. - Вып. 129, № 22.

68. Пат. 61-218142 Япония, МКИ 4 Н 01 L 21/68, В 65 G 47/29, В 65 D 51/02. Конвейер для транспортировки полупроводниковых пластин / Kokusai electric Со LTD. (Япония). № 60-58168 // РИ ИСМ. - 1988. - Вып. 129, № 11.

69. Пат. 61-222147 Япония, МКИ 4 Н 01 L 21/68. Механизм для выравнивания положения полупроводниковой пластины / Fujitsu LTD. (Япония). № 60-55391 // РИ ИСМ. - 1988. - Вып. 129, № 12.

70. Пат. 61-234544 Япония, МКИ 4 Н 01 L 21/68. Устройство для позиционирования полупроводниковых пластин / Daiichi seiki К.К. (Япония). № 60-77434 //РИ ИСМ, - 1988. -Вып. 129, № 13.

71. Пат. 61-268035 Япония, МКИ 4 И 01 L 21/68. Способ установки в требуемое положение плоскости ориентации пластин интегральных схем / Nissin electric Со LTD. (Япония). № 60-110964 // РИ ИСМ. - 1988. - Вып. 129, № 17.

72. Пат. 61-270843 Япония, МКИ 4 И 01 L 21/68. Устройство для совмещения полупроводниковой пластины / Mitsubishi electric CORP. (Япония). -№ 60-112611//РИИСМ, 1988.-Вып. 129, № 18.

73. Пат. 61-27906 Япония, МКИ 4 Н 01 L 21/68. Устройство для ориентации круглых пластин с плоским срезом / Фудзицу К.К. (Япония). № 56-25310//РИ ИСМ. - 1987.-Вып. 129, №6.

74. Пат. 62-11503 Япония, МКИ 4 Н 01 L 21/68. Устройство для фиксации положения полупроводниковых пластин / Ясуфудзи дэнки К.К. (Япония). -№ 57-69820 // РИ ИСМ. 1988. - Вып. 129, № 4.

75. Пат. 62-183137 Япония, МКИ 4 Н 01 L 21/68, G 05 D 3/00. Установка для позиционирования пластин / Hitachi LTD. (Япония). № 61-23764 // РИ ИСМ. - 1989. - Вып. 129, № 1.

76. Пат. 62-186545. Япония, МКИ 4 Н 01 L 21/68. Способ позиционирования ПП пластин / Nitto electric ind Со LTD. (Япония). № 61-29483 // РИ ИСМ. - 1989. - Вып. 129, № 2.

77. Пат. 62-49732 Япония, МКИ 4 Н 01 L 21/68. Устройство для ориентации полупроводниковых пластин / Мицубиси дэнки К.К. (Япония). № 58-165949//РИИСМ. - 1988.-Вып. 129, №20.

78. Пат. 62-62054 Япония, МКИ 4 Н 01 L 21/68. Устройство для предварительной ориентации полупроводниковых пластин / К.К. Хитати сэйсакусё (Япония). № 57-155809 // РИ ИСМ. - 1988. - Вып. 129 , № 24.

79. Пат. 63-133546 Япония, МКИ 4 Н 01 L 21/68. Устройство для позиционирования полупроводниковых пластин / Soni CORP. (Япония). № 61280103 //РИИСМ, - 1989.-Вып. 129, № 12.

80. Пат. 63-144538 Япония, МКИ 4 И 01 L 21/68. Устройство для позиционирования подложек / Toshiba Corp. (Япония). № 61-291568 // РИ ИСМ. -1989.-Вып. 129, № 13.

81. Пат. 63-217638 Япония, МКИ 4 Н 01 L 21/68, G 05 D 3/00. Способ совмещения пластин / Fudjitsu LTD. (Япония). № 62-51416 // РИ ИСМ. - 1989. -Вып. 129, № 17.

82. Пат. 63-23654 Япония, МКИ 4 Н 01 L 21/68. Устройство для позиционирования подложки / К.К. Мицутоё. (Япония). № 58-200556 // РИ ИСМ. -1989.-Вып. 129, №7.

83. Пат. 63-5901 Япония, МКИ 4 Н 01 L 21/68. Устройство для совмещения полупроводниковых пластин / К.К. Хитати сэйсакусё. (Япония). № 57226039 // РИ ИСМ. - 1989. - Вып. 129, № 2.

84. Пат. 63-70436 Япония, МКИ 4 И 01 L 21/68, G 05 D 3/12. Устройство для позиционирования пластин / Canon Inc. (Япония). № 61-212749 // РИ ИСМ. - 1989. - Вып. 129, № 9.

85. Пат. JP 5060260 Япония, МКИ 5 Н 01 L 21/68. Установка фиксации положения пластины круглой формы / К.К. Никон. (Япония). № 84 230634 // РЖ ИСМ. - 1996. - Вып. 104, № 3.

86. Пат. JP 6003825 Япония, МКИ 5 Н 01 L 21/68. Устройство точного позиционирования подложки / Мицубиси матэриару К.К. (Япония). № 6127232 //РЖИСМ. - 1996. -Вып. 104, № 17.

87. Пат. JP 6020938 Япония, МКИ 5 В 65 G 51/03. Устройство транспортировки полупроводниковых пластин, с помощью воздушной струи / Сони К. К. (Япония). № 59-161427 // РЖ ИСМ. - 1996. - Вып. 035, № 24.

88. Пат. WO 94/02395, МКИ 5 В 65 G 51/01, Н 01 L 21/00. Система транспортировки деталей, работающая на текучей среде / Minnesota mining and manufacturing company. (US). № PCT/US 93/06147 // РЖ ИСМ. - 1995. - Вып. 35, № 11.

89. Пат. 2098888 RU, МКИ 6 H01 L21/68. Устройство для ориентации пластин / Г.В. Абрамов, В.К. Битюков, Л.И. Назина, Г.В. Попов № 96114552/25; Заявлено 22.07.96; Опубл. 10.12.97, Бюл. № 34. - 4 е.: ил.

90. Пат. 2099815 RU, МКИ 6 Н01 L21/68. Устройство для ориентации пластин / Г.В. Абрамов, В.К. Битюков, Л.И. Назина, Попов Г.В. № 96117572/25; Заявлено 02.09.96; Опубл. 20.12.97, Бюл. № 35. - 3 е.: ил.

91. Пат. 2099816 RU, МКИ 6 Н01 L21/68. Устройство для ориентации пластин / Г.В. Абрамов, В.К. Битюков, Л.И. Назина, Г.В. Попов № 96117573/25; Заявлено 02.09.96; Опубл. 20.12.97, Бюл. № 35. - 3 е.: ил.

92. Пат. 2131155 RU, МКИ 6 Н01 L21/68. Устройство для ориентации пластин / Г.В. Абрамов, В.К. Битюков, Л.И. Назина, Г.В. Попов № 97120773/25; Заявлено 15.12.97; Опубл. 27.05.99, Бюл. №> 15. - 3 е.: ил.

93. Пожидаев В.Ф., Рабочий Г.М., Румянцев Б.П. О распределении давления газа по площади опорной поверхности перемещаемого бесконтактнымустройством груза // Известия ВУЗов. Машиностроение. 1985. - №10 - С. 108-112.

94. Попов Г.В. Теоретические основы синтеза технологического оборудования с аэродинамическими прослойками при автоматизации производства изделий микроэлектроники. Дис. . докт. техн. наук: 05.13.07, 05.27.07. Москва, 1994.-397 с.

95. Румшиский J1.3. Математическая обработка результатов эксперимента. М.: Наука, 1971. - 192 с.

96. Статистическая обработка результатов экспериментов на микроЭВМ и программируемых калькуляторах / А.А. Костылев, П.В. Миляев, Ю.Д. Дорский и др.: Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ие, 1991. 304 с.

97. Таруи Я. Основы технологии СБИС : Пер. с японского. М.: Радио и связь, 1985.-480 с.

98. Тойберт П. Оценка точности результатов измерений : Пер. с нем. -М. Энергоатомиздат, 1988. - 88 с.

99. Федотов Я.А. Вертикальная интеграция единственный реальный путь развития электроники // Электронная промышленность. - 1993. - № 11/12. -С. 48-57.

100. Шлихтинг Г. Теория пограничного слоя.: Пер. с нам. М.: Наука, 1974.-711 с.

101. Яблонский А.А., Никифорова В.М. Курс теоретической механики. Ч. 1. Статика. Кинематика. М.: Высш. школа, 1977. 368 с.

102. Яблонский А.А. Курс теоретической механики. Ч. 2. Динамика. М.: Высш. школа, 1977. 430 с.

103. Book of SEMI Standards, Materials, 1992, V. 5, Semiconductor Equipment and Material International, SEMI M9-90, Specifications for Polished Mono-crystalline Gallium Arsenide Slices. P. 131-149.

104. National Technology Roadmap for Semiconductors // Semiconductor Industry Association. San Jose. CA. USA. November. 1994.

105. Specification: GaAs Semi Insulating Material for Epi Materials, 1989. Interplastica International. Ltd. Cardiff. UK, 12 p.