Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Гагис, Галина Сергеевна

• Гагис, Галина Сергеевна
• кандидат физико-математических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Гагис, Галина Сергеевна

Введение

Глава 1. Технологии источников излучения спектрального диапазона

2-5 мкм (обзор).

§ 1.1 Области применения устройств инфракрасной оптоэлектроники.

Коммуникации.

Детекция веществ.

Преобразование энергии.

§ 1.2. Материалы для изготовления устройств спектрального диапазона 3-5мкм.

§ 1.3. Способы получения твёрдых растворов А3В5.

Молекулярно-лучевая эпитаксия.

Жидкофазная эпитаксия.

Газофазная эпитаксия из металлорганических соединений (ГФЭ

МОС).

§1.4. Гетероструктуры для среднего инфракрасного диапазона.

Лазерные гетероструктуры.

Свето диоды.

Фотодиоды.

Термофотоэлектрические (ТФЭ) преобразователи.

Выводы.

Глава 2. Модели описания и расчёта свойств полупроводниковых материалов.

§ 2.1. Расчёт физических свойств полупроводниковых материалов.

Ширина запрещённой зоны.

Показатель преломления.

Расчёт положения краёв зон.

§2.2 Расчёт зависимостей свойств твёрдых растворов от состава.

Модель образования многокомпонентных твёрдых растворов.55'

Интерполяционные формулы.

§ 2.3. Выбор материалов для приборов спектрального диапазона 3

Выводы.

Глава 3. Получения и исследования слоёв твёрдых растворов м спектрального диапазона 2.5 - 4 . ^

§3.1, Методика исследования полученных эпитаксиальных слоёв. ^

Определение НПР эпитаксиальных слоев. ^

Измерение состава эпитаксиальных слоёв. ^

Исследование фотолюминесценции полученных слоёв. ^

Измерение толщины полученных эпитаксиальных слоев.

§ 3.2. Получение полупроводниковых твёрдых растворов ^ ^ методом ЖФЭ.

Методика расчёта гетерогенных фазовых равновесий в твёрдых растворов А В. ^

Приготовление шихты.

Измерение температуры ликвидуса и критического переохлаясДе111ХЯ: системы по методу прямого визуального наблюдения: ^ и*".;;;;;;8б

Установка для эпитаксиального роста.

Особенности ЖФЭ материалов Са1пАзЗЬ, ГлАвРБЬ и

§3.3. Газофазная эпитаксия из металлорганических соединений (Г*®^ ^у мое)."

Установка для эпитаксиального роста. ^^

ГФЭ МОС твёрдых растворов А3В5 на установке А1Х200. ^ ^^

Общие особенности процесса ГФЭ МОС. ^

ГФЭ МОС твёрдых растворов ."*

ГФЭ МОС твёрдых растворов Оа1пАз8Ь. п

1 \ ^

ГФЭ МОС твёрдых растворов АПпАбЗЬ.

ГФЭ МОС твёрдых растворов 1пАэР8Ь.

§ 3.4. Приготовление подложек.-- —^¿>

Выводы.—

Глава 4. Люминесцентные характеристики твёрдых растворов А ^ » ^ излучающих в диапазоне 3-4 мкм.--—"" ^

§ 4.1. Твёрдые растворы Са/пАвРвЬ, изопериодичные с ваБЬ.- - ~ ~ " ' ^

§ 4.2. Температурные зависимости ФЛузкозонных материалов.-у

Выводы.^АЪ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм»

Актуальность темы:

Оптоэлектронные устройства для диапазона длин волн 1.6-5 мкм необходимы в таких областях науки и техники, как коммуникации и газовый анализ. В этот диапазон попадают линии поглощения многих токсичных и промышленных газов, окна прозрачности атмосферы и оптических волокон нового поколения на основе флюоридных стёкол. Перспективными материалами для изготовления таких устройств видятся з с полупроводниковые твёрдые растворы (ТР) А В , содержащие сурьму и изопериодичные с подложками ваЭЬ и ЬгАв. В настоящее время достаточно успешно изготавливаются оптоэлектронные приборы для спектрального диапазона 1.7 - 3.2 мкм. Диапазон 3.2 — 5 мкм остаётся проблемным. Это связано с физическими свойствами узкозонных материалов, в которых, во-первых, существенно возрастает роль безызлучательных процессов, во-вторых, к ним труднее подбирать барьерные слои, создающие достаточное ограничение для носителей заряда.

В настоящее время в качестве узкозонных активных областей устройств спектрального диапазона 3 — 5 мкм используются квантовые ямы Оа1пАз8Ь, изопериодичные с ОаБЬ; сверхрешётки чередующихся тонких напряжённых слоев бинарных соединений А18Ь, ГпАэ и тройных твёрдых растворов 1пОа8Ь, 1пАз8Ь; бинарное соединение 1пАб; и ГпАбЗЬ. Использование в качестве активных областей других типов материалов, таких как ОаЬгАзРБЬ, в настоящее время не рассматривалось.

Основная цель диссертационной работы заключалась в поиске, получении и о г исследовании новых типов материалов А В на основе пятерных твёрдых растворов СайгАэРБЬ, подходящих для изготовления оптоэлектронных устройств спектрального диапазона 3 — 5 мкм.

Для достижения поставленной цели в работе решались следующие задачи:

• Расчёт зависимостей состав-свойство для пятерных твёрдых растворов (ПТР) Оа1пАзР8Ь и АЮаЬгАэЗЬ;

• Получение и исследование ПТР Оа^АэРБЬ, изопериодичных с подложками ¡пАб и ОаБЬ;

• Исследование условий получения методом газофазной эпитаксии из I металлорганических соединений (ГФЭМОС) ТР для активных областей и ТР АПпАзЭЬ для ограничивающих слоёв источников излучения спектрального диапазона 3 — 5 мкм;

• Сравнение люминесцентных характеристик узкозонных материалов ГпАбЗЬ, Оа1пАз8Ь и Оа1пАзР8Ь, полученных на подложках ваБЬ и 1пАэ;

• Изготовление светоизлучающих структур на основе материалов Оа1пАзР8Ь, сравнение их излучательных характеристик с таковыми у структур на основе 1пАз8Ь. '

Научная новизна полученных в работе результатов состоит в следующем:

• При температурах от 4 до 300 К экспериментально исследованы люминесцентные характеристики материалов Оа1пАзР8Ь, изопериодичных с подложками 1пАз и ОаБЬ и излучающих в спектральном диапазоне длин волн 3 - 4.3 мкм;

• Исследованы условия получения методом ГФЭМОС изопериодичных с ЬгАэ ТР ЬгАйБЬ и Оа1пАз8Ь,' обладающих высокими излучательными характеристиками и подходящих для изготовления активных областей оптоэлектронных устройств для спектрального диапазона 3-4 мкм;

• Исследована электролюминесценция (ЭЛ) изопериодичных с СаБЬ твердых растворов ОаГоАэРЗЬ, излучающих при комнатной температуре на длине волны 4.3 мкм, проведено сравнение с ЭЛ 1пАз8Ь.

• У твёрдых растворов ЬгАз^Ь!^, Оа1х1пхАзу8Ь1у и Gai.xInxAsyPySbi.vz, изопериодичные с 1пАэ и имеющих составы 0.95 < х < 1; 0.77 < у < 0.97; 0 < г < 0.11 в диапазоне длин волн 3.4-4.3 мкм наблюдалась интенсивная фотолюминесценция (ФЛ) при комнатной температуре.

Основные научные положения, выносимые на защиту:

1. При жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) пятерных твёрдых растворов ОаГпАзРБЬ из растворов-расплавов на основе сурьмы на образцах с малыми величинами несоответствия параметра решётки (НПР) |/1| < 10"3 в некоторых случаях наблюдались массивы упорядоченных прямоугольных образований (микрокристаллитов) размерами от 1 мкм х 2 мкм до 4 мкм х 8 мкм, микрокристаллиты являлись твёрдыми растворами, состав которых существенно отличался от состава основной матрицы;

2. Твёрдые растворы Gai.xInyASyPzSbi.y-z изопериодичные с Оа8Ь, демонстрируют при 300 К интенсивную ФЛ на длинах волн 3 — 4.3 мкм, дифференциальная эффективность ЭЛ материалов Gaoo3bio.97Aso8iP005Sbo.14j изопериодичных с ОаЭЬ и излучающих на длине волны 4.3 мкм в 3 раза превосходит таковую у ГпАзЭЬ, изопериодичных с Оа8Ь и излучающих на той же длине волны;

3. Экспериментально показано, что величина спин-орбитального отщепления Оаоо4по9бАзо82Рооз8Ьо 15 при 15 К составляет 0.46 эВ и превышает величину его прямого энергетического зазора (0.34 эВ), что обеспечивает высокие излучательные характеристики данного твёрдого раствора; 4. При ГФЭМОС твёрдых растворов InAsPSb на подложках InAs (давление в реакторе 0.1 атм, температура 600 °С) зависимость содержания фосфора в твёрдой фазе от парциального давления фосфина в реакторе при фиксированных парциальных давлениях других веществ асимптотически приближается к горизонтальной прямой. Практическая ценность результатов работы состоит в том, что, в результате исследований:

• Рассчитаны зависимости* состав-свойство для твёрдых растворов AlGalnAsSb, GalnAsPSb, предложены возможные варианты гетероструктур для изготовления светоизлучающих устройств спектрального диапазона 3 4.5 мкм;

• Впервые получены методом ЖФЭ из растворов-расплавов на основе сурьмы твёрдые растворы GalnAsPSb, изопериодичные с GaSb и InAs, излучающие при 300 К на длинах волн 3 - 4.3 мкм;

• Проанализирована температурная зависимость спектров ФЛ TP GalnAsPSb, GalnAsSb, InAsSb излучающих на длинах волн 3 - 4.3 мкм и показано, что при* близких длинах волн излучения лучшими люминесцентными характеристиками обладают материалы, полученные на подложках InAs;

• Впервые на основе твёрдых растворов GalnAsPSb изготовлен p-i-n светодиод, излучающий на длине волны 4.3 мкм при комнатной температуре в квазинепрерывном режиме (1 кГц, коэффициент заполнения 50%, рабочий ток 300 мА), мощность излучения составляет 5 мВт, что превосходит типичные аналоги, излучающие на длине волны 4.25 мкм (менее 1 мВт в импульсном режиме).

• Определены особенности вхождения As в тройные твёрдые растворы InAsSb при использовании метода ГФЭМОС при соотношении потоков V/III 2.2 - 3.6 и 22; на основе этих данных исследованы условия получения на подложках- InAs качественных эпитаксиальных слоев GalnAsSb, излучающих на длинах волн 3.6 — 3.8 мкм при 300 К и AluIni.uAsySbi.y, имеющих составы 0.08 <и <0.11, 0.88 <у <0.92;

Апробация результатов работы. Материалы диссертации представлялись для обсуждения Российскому и международному научным сообществам на следующих конференциях, симпозиумах и семинарах:

• Второй всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, Россия, 4-8 декабря, 2000 г);

• 4-th Int. Conf. on Mid-infrared Optoelectronics. Materials&Devices (Montpellier, France, 1-4 April, 2001);

• International Conference on Physics of Condensed Systems (Dushanbe, Tajikistan, 11-12 October, 2001);

• 11-th Int. Conf. on Solid Films and Surfaces (Marseille, France, 8-12 July 2002);

• ой Украинской Научной Конференции по Физике Полупроводников (Одесса, Украина, 10-14 сентября 2002);

• Пятой всероссийской молодёжной конференции по физике' полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, Россия, 1-5 декабря 2003 г);

• Шестой всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, Россия, 6-10 декабря 2004 г);

• Seventh International Conference ' Mid-infrared Optoelectronic Materials and Devices (Lancaster, UK, 12-14 Sep. 2005);

• 8th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies - EXMATEC'06 (Cadiz, Spain, 14-17 May 2006);

• 33rd International Symposium on Compound Semiconductors.(Vancouver, Canada, 13-17 Aug. 2006);

• 15th International Workshop on Heterostructure Technology (Manchester, UK, 24 October 2006);

• Optoelectronics 2007: Quantum Sensing and Nanophotonic Devices IV, conference 6479. (22-25 January 2007);

• SIOE 2007 conference (Cardiff, Wales, 2 - 4 April 2007);

• 8-th International Conference Mid-infrared Optoelectronics: Materials and Devices (Bad Ischl, Austria, 14-16 May 2007);

• 13-th International Conference on Narrow Gap Semiconductors. (Univ. of Surrey, UK, 8-12 July 2007);

• Итоговом Семинаре по Физике и Астрономии по результатам конкурса грантов 2007 года для молодых учёных Санкт-Петербурга. (Санкт-Петербург, Россия, 29 ноября 2007);

• • Девятой; всероссийской,; молодёжной^ конференции по физике полупроводников' и- наноструктур, полупроводниковой, опто- и наноэлектронике' (Санкт-Петербург, Россия; 3 - 7 декабря 2007); .

•■•> Международном семинаре по опто- и наноэлектронике- (ФТИ им.: А. Ф.' Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия^ 27 октября^2008); " . • Симпозиуме "Полупроводниковые лазеры: физика и-технология" (Санкт-Петербург, Россия, 5-7 ноября 2008); /■ •

• • Десятой; всероссийской ? молодёжной i конференции; по< физике полупроводников; и наноструктур, полупроводниковой; опто- и наноэлектронике.(Санкт-Петербург, Россия, 1- 5 декабря 2008);

• Interaational Conference on "PHYSICS-2010" (ICP-2010) (Institute of'Physics, Baku, Azerbaijan, 30 June-2 Jule, 2010);

• 17th International Conference on Ternary and Multinary Compounds. (Institute of Physics, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijani 27-30 Sep.

2010).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 7 работах, библиографический список публикаций приведён.в конце диссертации в заключении.

Структура и объём диссертации. Диссертация состоит из введения, 4 глав и заключения; содержащего основные результаты, списка основных работ автора по теме диссертации, списка цитируемой литературы. Общий объём диссертации - 156 страниц, включая 66 рисунков и 20 таблиц. Список цитируемой; литературы содержит 132 наименования.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Гагис, Галина Сергеевна

Основные результаты диссертационной работы изложены в следующих трудах:

А1. В.И.Васильев, Г.С.Гагис, Е.А.Когновицкая, В.И.Кучинский, С.Н.Лосев, В.М.Смирнов. Получение эпитаксиальных слоев пятикомпонентных твердых растворов GalnPAsSb изопериодических с GaSb. Поверхность 3, 78-84 (2002).

А2. A.Krier, V.M.Smirnov, P.J.Batty, RJones, V.I.Vasil'ev, G.S.Gagis, V.I.Kuchinskii. Pentenary GalnAsPSb for mid-infrared light emitting diodes and lasers grown by liquid phase epitaxy. SPIE Proc. 6479. Lasers II, 647918 (8 pp) (2007). (Invited paper)

A3. V. M. Smirnov, P. J. Batty, R. Jones, A. Krier, V. I. Vasil'ev, G. S. Gagis and V. I. Kuchinskii. GalnAsPSb/GaSb heterostructures for mid-infrared light emitting diodes. Phys. Stat. Sol. (a) 204, No. 4, DOI 10. 1002/pssa.200674141, 2007, pp. 1047-1050.

A4. A.Krier, V.M.Smirnov, P.J.Batty, V.I.Vasil'ev, G.S.Gagis, V.I.Kuchinskii. Room temperature midinfrared electroluminescence from GalnAsSbP light emitting diodes. Appl. Phys. Lett., 90,211115 (3 pp) (2007).

A5. A.Krier, V.M.Smirnov, P.J.Batty, M.Yin, K.T.Lai, S.Rybchenko, S.K.Haywood, V.I.Vasil'ev, G.S.Gagis, and V.I.Kuchinskii. Midinfrared photoluminescence and compositional modulation in pentanary GalnAsPSb alloys grown by liquid phase epitaxy. Appl. Phys. Lett., 91, 082102 (3 pp) (2007). A6. G.S.Gagis, V.I.Vasil'ev, A.G.Deryagin, V.V.Dudelev, A.S.Maslov, R.V.Levin, B.V.Pushnyi, V.M.Smirnov, G.S.Sokolovskii, G.G.Zegrya and V.I.Kuchinskii. Novel materials GalnAsPSb/GaSb and GalnAsPSb/InAs. for room-temperature optoelectronic devices for a 3-5 мт wavelength range (GalnAsPSb/GaSb and GalnAsPSb/InAs for 3-5 мт). Semicond. Sci. Technol. 23, 125026 (6pp) (2008) A7. G.S.Gagis, V.I.Vasil'ev and N.N:Mursakulov. Growth and properties of pentanary solid solutions GalnAsPSb for 3-5 wavelength- range optoelectronic devices. Azerbaijan Journal of Physics, Series. En. 16, 399-402 (2010).

В заключение я хочу выразить глубокую благодарность за руководство и неоценимую поддержку при проведении работы моему научному руководителю Кучинскому Владимиру Ильичу, а так же другим сотрудникам ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН за помощь: В. И. Васильеву за консультации по вопросам эпитаксии, и помощь в проведении ЖФЭ, а так же за плодотворное обсуждение результатов работы, Р. В. Левину, Д. А. Кудряшову и Б. В. Пушному за консультации и помощь в проведении процессов ГФЭ МОС, А.Г. Дерягину, В. В. Дюделеву, С. А. Маслову за помощь и консультации в проведении люминесцентных исследований; Г.С. Соколовскому за помощь в составлении публикаций в зарубежных изданиях; С. Г. Конникову, за возможность исследования структурных свойств полученных образцов; М. В. Байдаковой, М. А. Яговкиной, М. В. Заморянской за получения рентгеновских кривых; Б. Я. Беру, Д. Ю. Казанцеву, Т.Б. Поповой, Я. В. Кузнецовой за измерения состава; С. И. Трошкову и В. М. Бусову, за исследования на электронном микроскопе; H. М. Шмидт, В. М. Смирнову за помощь в изготовлении и исследовании приборных структур; и руководителю лаборатории интегральной оптики на гетероструктурах Е. Л. Потрному за поддержку и доброжелательное отношение.

Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Гагис, Галина Сергеевна, 2010 год

1. Н.А. Gebbie, W.R. Harding, С. Hilsum, A.W. Pryce, V. Roberts, Atmospheric transmission in the 1 to 14 |xm region, Proc. Roy. Soc. A 206, 87 (1951).

2. B. L. Carter, E. Shaw, J. T. Olesberg, W. K. Chan, T.C. Hasenberg and M. E. Flatté. High detectivity InGaAsSb pin infrared photodetector for blood glucose sensing. Electron. Letters 36 (15),

3. E.K. Muller, J.L. Richards. Miscibility of III-V semiconductors studied by flash evaporation. J. Appl. Phys. 1964, v. 13 p. 1233.

4. A. Sasaki, M. Nishiuma and Y. Takeda. Energy Band Structure and Lattice Constant Chart of III-V Mixed Semiconductors and AlGaSb/AlGaAsSb Semiconductor Laser on GaSb Substrates. Jap. J. Appl. Phys. Vol.19. No. 9, September, 1980 pp. 1695 1702.

5. K. Shim, H. Rabitz. Electronic and structural properties of the pentanary alloy GaxInixPySbzAsi-y-z. J. Appl. Phys., 85 (11), 7705 7715 (1999)

6. A. G. Thompson and J. C, Woolley. Energy-gap variation in mixed III-V alloys. Canadian journal of physics, V 45 1967 pp. 255-261.

7. Литвак A. M., Чарыков H. А. Термодинамический расчёт зависимости ширины запрещённой зоны от состава многокомпонентных твёрдых растворов на основе соединений AIHBV. ФТП 24 (12) 2106 2110 (1990)

8. Vurgaftman, J. R. Meyer and L. R. Ram-Mohan. Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys. J. Appl. Phys. 2001 v 89-11 p. 5815-5875.

9. Н. В.' Зотова, И. Н. Яссиевич. Оже-рекомбинация в p-InAs и твёрдых растворах GaxIni.xAs. ФТП 1977 г. т. 11, с. 1882-1887.

10. P.S.Dutta, H.L.Bhat, V.Kumar. The physics and technology of gallium antimonide: An emerging optoelectronic material. J.Appl.Phys., 81 (9); 5821-5870 (1997)

11. T. Soma, J. Satoh and H. Matsuo. Thermal expansion coefficient of GaAs and InP: Solis State Communications, Vol. 42, No. 12, pp. 889-892, 1982.

12. P. Deus, U. Voland-and H. A. Schneider. Thermal expansion of GaP withim 20 to 300 K. Phys. Stat. Sol. (a) 80, pp. K29-K32 (1983)

13. P. W. Sparks and C. A. Swenson. Thermal Expansion from 2 to 40°K of Ge, Si, and Four III-V Compounds. Phys. Rev. 163, 779-790 (1967)

14. R. Margi, A. Zunger, H. Kroemer. GalnAsSb/GaSb ans GalnAsSb/InAs alloys as function of composition. J. Appl. Phys. 98, 043701 (9 pages) (2005)

15. M. A. Afromowitz. Refractive index of Gai-xAlxAs. Solid State Communications 15, 59-63 (1974).

16. S. Adachi. Model dielectric constants of GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb.

17. Phys. Rev. B, 35 (14), 7454-7463 (1987).

18. S. Adachi. Optical properties of AlxGabxAs alloys. Phys. Rev. B. 38 (17), 1234512352 (1988).

19. S. Adachi. Band gaps and refractive indicies of AlGaAsSb, GalnAsSb, and InPAsSb: Key properties for a variety of the 2-4 jum optoelectronic device applications. J. Appl. Phys. 61 (10), 4869-4876 (1987).

20. S. Adachi. Optical dispersion relations for GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb, AlxGaixAs, and Im.xGaxAsyPi.y. J. Appl. Phys. 66 (12) 6030-6040 (1989).

21. S. Adachi, H. Kato, A. Moki, K. Ohtsuka. Refractive index of (AlxGa]-x)o5lno5P quaternary alloys. J. Appl. Phys. 75 (1), 478-480 (1994).

22. Davey J. E., Pankey T. J. J. Epitaxial GaAs Films Deposited by Vacuum Evaporation. Appl. Phys., 1968, v. 39, p. 1941-1948.

23. Arthur J. R. J. Interaction »of Ga and As2 molecular beams with GaAs surfaces. Appl. Phys., 1968, v. 39, № 8, p. 4032-4034.

24. M. Grau, C. Lin, O. Dier, C. Lauer, and M.-C. Amann. Room-temperature operation of 3.26 fan. GaSb-based type-I lasers with quintenary AlGalnAsSb barriers. Appl. Phys. Lett. 87, p.241104 (3pp) (2005).

25. G. Zhang. Strained-layer InGaAs/GalnAsP/GalnP quantum well lasers grown by gas-source molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett. 62 (12), 1405-1407 (1993).

26. G. Zhang and A. Ovtchinnikov. Strain-compensated InGaAs/GaAsP/GalnAsP/GalnP quantum well lasers (X ~ 0.98 /mi) grown by gas-source molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett. 62 (14), 1644-1646 (1993).

27. S. J. Eglash and H. K. Choi. Efficient GalnAsSb/AlGaAsSb diode lasers emitting at 2 29 цт. Appl. Phys. Lett. 57 (13) p. 1292-1294 (1990)

28. C. Lin, M. Grau, O. Dier, and M.-C. Amann. Low threshold room-temperature continuous-wave operation of 2.24-3.04 ¡xm GalnAsSb/AlGaAsSb quantum-well lasers. Appl. Phys. Lett. v.84 (25) p. 5088-5090 (2004)

29. L. Shterengas, G. Kipshdze, T. Hosoda, J. Chen and G. Belenky. Diode lasers emitting at 3 цт with 300 mW of continuous-wave output power. Electron. Lett, v.45 (18) pp. 942-943.

30. Т. H. Данилова, Б. E. Журтанов, А. П. Закгейм, H. Д. Ильинская, А. Н. Именков, О. Н. Сараев, М. А. Сиповская, В. В. Шерстнёв, Ю. П. Яковлев. Мощные светодиоды, излучающие в области длин волн 1.9-2.1 мкм. ФТП, 33 (2), 239-242 (1999).

31. Н. Д. Стоянов, М. П. Михайлова, О. В. Андрейчук, К. Д. Моисеев, И А. Андреев, М. А. Афраилов, Ю. П. Яковлев. Фотодиоды на основе гетеропереходов II типа в системе GaSb/InGaAsSb для спектрального диапазона 1.5 4.8 мкм. ФТП 35 (4) 467-473 (2001).

32. Manasevit Н. М. Single-crystal gallium arsenide on insulating substrates. Appl. Phys. Lett., 1968, v. 12, № 4; зю 156-159.

33. Y. Seki, К. Tanoo, K. Iida, E. Ichiki. Properties of Epitaxial GaAs Layers from a Triethyl Gallium and Arsine System. J. Electrochem. Soc., 1975, v. 122, p. 1108 1112.

34. J. P. Duchemin, J. P. Hirtz, M. Razeghi, M. Bonnet and S. D. Hersee. GalnAs and • GalnAsP materials- growth by low. pressure MOCVD for microwave and optoelectronic applications. J. Cryst. Growth, 55, 64-73 (1981).

35. С. Caneau, А. К. Srivastava, J. L. Zyskind, J. W. Sulhoff, A. G. Dentai and M. A. Pollack, cw operation of GalnAsSb/AlGaAsSb lasers up to 190 K. Appl. Phys. Lett. 49 (2), 55 -57, (1986).

36. C. Caneau, J. L. Zyskind, J. W. Sulhoff, Т. E. Glover, J. Centanni, C. A. Burrus, A. G. Dentai, and M. A. Pollack. 2.2 fim GalnAsSb/AlGaAsSb injection lasers with low thresjold current density. Appl. Phys. Lett. 51 (10), 764-766,1987.

37. S. J. Eglash and-H. K. Choi. Efficient GalnAsSb/AlGaAsSb diode lasers emitting at 2.29 /inl. Appl. Phys. Lett. 57 (13) 1292-1294, 1990.

38. H. K. Choi and S. J. Eglash. Room-temperature cw operation at 2.2 fim of GalnAsSb/AlGaAsSb diode lasers grown by molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett. 59 (10), 1165-1166(1991).

39. H. K. Choi and S. J. Eglash. High-power multiple-quantum-well GalnAsSb/AlGaAsSb diode lasers emitting at 2.1 fim with low threshold current density. Appl. Phys. Lett. 61 (10), 1154-1156 (1992).

40. G. W. Turner, H. K. Choi, and M. J. Manfa. Ultralow-tjreshold (50 A/cm2) strained single-quantum well GalnAsSb/AlGaAsSb lasers emitting at 2.05 fim. Appl. Phys. Lett. 72 (8), 876-878 (1998).

41. S. J. Eglash and H. K. Choi. Efficient GalnAsSb/AlGaAsSb diode lasers emitting at 2.29 fim. Appl. Phys. Lett. 57 (13), 1292-1294 (1990).

42. H. K. Choi, G. W. Turner, and H. Q. Le. InAsSb/InAlAs strained quantum-well lasers wmittmg at 4.5 fim. Appl. Phys. Lett. 66 (26) 3543-3545 (1995).

43. J.I. Malin, C. L. Felix, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, J. F. Pinto, C.-H. Lin, P. C. Chang, S. J. Murry and S.-S. Pei. Type-II mid-IR lasers operating above room temperature. Electron. Lett. 32 (17), 1593-1595 (1996).

44. A. Wilk, BS Fraisse; P: Ghristol; G. Boissier. P: Grech; M. El'Gazouli, Y. Rouillard; A. N-.* Baranov; A\ Joullie;. MBE growth of InAs/InAsSb/InAlAsSb "W" quantum well5 laser diodes emitting near 3 цт. J. Cryst. Growth, 227-228, 586-590 (2001).

45. L. Shterengas, G. Kipshidze; T. Ho so da, J: Chen and G. Belenky. Diode lasers emitting at 3 /xm■ with:300 mW' of continuous-wave output power. Electron: Lett. 45 (18),.942-943 (2009).

46. C. A. Wang and H. K. Choi: GalnAsSb/AlGaAsSb multiple-quantum-well diode lascrs grown by organometallic vapor phase epitaxy. Appl. Phys. Lett. 70 (7), 802-804 (1997).,

47. Kobayashi, Y. Horikoshi. Japan; J. Appl. Phys., 19. L641 (1980).

48. H. Mani, A. Jolee, G. Boissier, E. Tournie, F. Pitard, A.-M. Joullie, C. Albert; Electron. Lett. 24,1542 (1988).

49. B. Lane, D. Wu, A. Rybowski, H. Yi; J. Diaz, and M. Razcghi. Compressively strained multiple quantum well InAsSb lasers emitting at 3.6 fim grown by metal-organic chemical vapor deposition. Appl. Phys. Lett. 70 (4), 443-445 (1997).

50. B. Lane, Z. Wu, A. Stein, J. Diaz, and M. Razeghi. InAsSb/InAsP strained-layer superlattice injection lasers operating at 4.0 цт grown by metal-organic chemical bapor deposition. Appl. Phys. Lett. 74,3438-3440 (1999).

51. В. Lane, М. Razeghi. High-power electrically injected mid-infrared interband lasers grown by LP-MOCVD. J. Ciyst. Growth, 221, 679-682 (2000);

52. A. Popov, V. Sherstnev, and Yu. Yakovlev. High power InAsSb/InAsSbP double heterostructure laser for continuous wave operation at 3.6 fim. Appl. Phys. Lett. 68 (20), 27902792 (1996).

53. A. A. Popov, V. V. Sherstnev, Y. P. Yakovlev, A. N. Baranov and C. Alibert. Powerful mid-infrared light emitting diodes for pollution monitoring. Electron. Lett. 33 (1), 8688 (1997).

54. Т. H. Данилова, Б. E. Журтанов, А. Л. Закгейм, H. Д. Ильинская, А. Н. Именков, О. Н. Сараев, М. А. Сиповская, В. В. Шерстнёв, Ю. П. Яковлев. Мощные светодиоды, излучающие в области длин волн 1.9-2.1 мкм. ФТП 33 (2), 239-242 (1999).

55. Е. А. Гребенщикова, Н'. В. Зотова, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, Ю. П. Яковлев. InAs/InAsSbP светоизлучающие структуры, выращенные методом газофазной эпитаксии. ЖТФ 2001 т. 71 вып. 9. с. 58-60

56. Т. Niedziela, R. Ciupa. Ultimate parameters of Ilgi.^Cd^Te and InAsi^Sb* n+-p photodiodes. Solid-State Electron. 45,41-46 (2001).

57. И. А. Андреев, E. В. Куницына, M. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев. Длинноволновые фотодиоды на основе твёрдых растворов Gai.xInxAsySbi.y с* составом вблизи границы области несмешиваемости. ФТП 33 (2), 249-253 (1999).

58. Н. Д. Стоянов, М. П. Михайлова, О. В. Андрейчук, К. Д. Моисеев, И. А. Андреев, М. А. Афраилов, Ю. П. Яковлев. Фотодиоды на основе гетеропереходов II типа в системе GaSb/InGaAsSb для спектрального диапазона 1.5 — 4.8 мкм. ФТП 35 (4), 467-473 (2001).

59. И. А. Андреев, Н. Д. Ильинская, Е. В. Куницина, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев. Высокоэффективные фотодиоды на основе GalnAsSb/GaAlAsSb для спектрального диапазона 0.9 — 2.55 мкм с большим диаметром чувствительной площадки. ФТП, 37 (8), 974-979 (2003).

60. S. Maimón and G. W. Wicks. nBn detector, an infrared detector with reduced dark current and higher operating temperature. Appl. Phys. Lett. 89, 151109 (3pp), 2006.

61. J. В. Rodriguez, E. Plis, G. Bishop, Y. D. Sharma; H. Kim, L. R. Dawson, and S. Krishna. nBn structure based-on InAs/GaSb type-II'strained layer superlattices. Appl. Phys. Lett. 91 043514 (2pp) (2007)

62. В. A-. Геворкян, В. M. Арутюнян, К. M. Гамбарян, А. О. Аракелян, И: А. Андреев, JI. В. Голубев; Ю. П. Яковлев. Термофотовольтаические преобразователи на-основе соединений арсенида индия. ЖТФ77 (3), 49-54 (2007).

63. К. Ishida, H. Tokunaga, H, Ohtani and T. Nishizawa. Data base for calculating-phase diagrams of III-V alloy semiconductors. J. Cryst. Growth. 98, 140-147 (1989).

64. Э. P. Рубцов, В. Ci Сорокин, В. В. Кузнецов. Прогнозирование свойств гетероструктур на. основе пятикомпонентных твёрдых растворов А3В5. Журнал Физической Химии,.71 (3)6 415-420.

65. Кузнецов, П.П. Москвин, В. С. Сорокин. Неравновесные явления- при, жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твёрдых растворов, М.: Металлургия, -1991.-175 с.

66. Пригожин И. Дефэй Р. Химическая термодинамика. Новосибирск: Наука. -1966. - 509 с.

67. Андреев В. М., Долгинов Л. М., Третьяков Д. Н. Жидкофазная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. — М.: Сов. Радио. — 1975. 392 с.

68. Паниш М. Б., Илегемс М. Материалы для оптоэлектроники: Сб. статей. М. Мир.-1976.-С. 39-92.

69. Яворский Б.М., Детлаф A.A. Справочник по физике: 4-е изд., испр. — М.: Наука. Физматлит, 1996. — 624 с. — ISBN 5-02-015158-0.

70. Абрамов A.B., Арсентьев И.Н., Мишурный В.А., Румянцев-В.Д., Третьяков Д.Н. Люминесцентные свойства и некоторые особенности выращивания из растворов-расплавов твердых растворов Ga4Ini-xP. Письма в ЖТФ, 2 (5), 204-207 (1976)

71. Берт Н. А., Васильев В. И., Конников С. Г., Кузнецов В. В., Москвин П. П., Соловьёв И. В., Сорокин В. С. Термодинамическое моделирование процессов роста всистеме

72. Ga-In-As-Sb. Тезисы- докладов УП конференции по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и плёнок, Новосибирск, 1986, т. 2, с. 77-78.

73. Shelton J.K., Knight J.R., Liquid-phase epitaxy of In(As, Sb) on GaSb substrates using antimony-rich melts. Sol. St. Electron., 1985. V. 28, p.p. 1166-1168.

74. Васильев В. И:, Кузнецов В. В., Мишурный В; А. Термодинамическиеособенности получения' GaxIni.xAsySbi.y и AlxGaixAsySbi.y. Тезисы докладов IV Всесоюзной конференции по термодинамике и материаловедению полупроводников. Москва, 1989, ч. 1, с. 162-163.

75. Васильев В. И., Кузнецов В. В., Мишурный В. А. Эпитаксия GaxIni.xAsySbi.y с использованием сурьмы в качестве растворителя. Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1990, т. 26, №1, с. 23-27.

76. D. Effer, P. J. Etter. Investigation into the apparent parity limit in GaSb. J. Phys. Chem. Sol. 25,451 (1964).

77. Van der Maulen Y. J. Growth properties of GaSb: The structure of the residual acceptor center. J. Phys. Chem. Sol., 1967, v. 28, p. 25.

78. Баграев H. Т., Баранов A. H., Воронина Т. И., Толпаров Ю. Н., Яковлев Ю. П. Подавление природных акцепторов в GaSb. Письма в ЖТФ, 1985, т. 11, в. 2, с. 117-121.

79. E.Tournie, F.Pitard, A.Joullie and R.Fourcade. High temperature liquid phase epitaxy of (100) oriented GalnAsSb near the miscibility gap boundary. J.Cryst.Growth 104 683-694(1990).

80. Д.Ахмедов, В.И.Васильев, Г.С.Гагис, В.В.Дюделев, В.И.Кучинский. Получение и свойства пятерных твёрдых растворов GalnAsPSb. Учёные записки Худжанского госуниверситета им. Академика Б. Гафурова (Таджикистан), том 4, 2008, сс. 16-22.

81. R. D. Dupis. Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD). Handbook of Thin Film Process Technology. 1996 IOP Publishing Ltd. pp. Bl.l :1- В 1.1:18.

82. M. J. Ludowise. Metalorganic chemical vapor deposition of III-V semiconductors. J. Appl. Phys. 58 (8), 1985, pp. R31-R38.

83. H. Seki and A. Koukitu. Thermodynamic analysis of metalorganic vapor phase epitaxy of III-V alloy semiconductors. J. Cryst. Growth 74 (1986) p. 172-180

84. Сорокин В. С. Методы формирования полупроводниковых сверхрешёток и квантово-размерных структур: Учеб. Пособие /ГЭТУ.-СПб., 1996. 68 с.

85. Gerald В. Stringfellow: Organometallic Vapor Phase Epitaxy: Theory and Practice

86. I.E.Berishev, F.De Anda, V.A.Mishournyi, J.Olvera, N.D.Ilyinskaya, V.I.Vasil'ev. H202:C406H6 (tartaric acid):H20 etching system for chemical polishing of GaSb. J.Electrochem.Soc.,1995,v.l42, N10, p.L189-L191.

87. T. H. Chiu, W. T. Tsang, S. N. G. Chu, J. Shah, and J. A. Ditzenberger. Molecular beam epitaxy of GaSb0.5As0.5 and AlxGal-xSbyAsl-y lattice matched to InP. Appl. Phys. Lett. 46,408 (1985)

88. D. O. Toginho Filho, I. F. L. Dias, E. Laureto, J. L. Duarte, S. A. Lourenço, L. C. Poças, S. S. Prabhu, and J. Klem. Quasi-donor-acceptor pair transitions in GaAsSb and AlGaAsSb on InP. J. Appl. Phys. 97, 123702 (2005)

89. Teiji Yamamoto, Makoto Kasu, SusumuNoda, and Akio Sasaki. Photoluminescent properties and optical absorption of AlAs/GaAs disordered superlattices. J. Appl. Phys. 68, 5318 (1990)