Оптическая спектроскопия водородных и углеродных центров в полупроводниках тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Лавров, Эдуард Владимирович

• Лавров, Эдуард Владимирович
• доктор физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Лавров, Эдуард Владимирович

Введение

Глава 1 Экспериментальные методы

1.1 Методики приготовления образцов.

1.1.1 Электронное облучение.

1.1.2 Протонная имплантация.

1.1.3 Гидрогенизация из плазмы.

1.2 Методики измерений

1.2.1 ИК поглощение

1.2.2 Комбинационное рассеяние света.

1.2.3 Электронный парамагнитный резонанс.

Часть I Углерод в кремнии

Введение к части I

Глава 2 Углеродные димеры в кремнии

2.1 Постановка задачи.

2.2 Cs-Ci.

2.2.1 Колебательные моды В формы Cs-Q.

2.2.2 Колебательные моды Л формы Cs-Q.

2.2.3 Сравнение с теорией.

2.2.4 Интенсивности спектральных линий

2.3 Cs-Cs

2.3.1 Основные свойства линий поглощения.

2.3.2 Идентификация линий поглощения.

2.3.3 Формирование Cs-Cs

2.3.4 Колебательные моды Cs-Cs.

2.3.5 Интенсивности спектральных линий

2.4 Выводы.

Глава 3 Центры углерод—примесь в кремнии

3.1 Постановка задачи.

3.2 Q-Sns.

3.2.1 Свойства линий поглощения.

3.2.2 Сравнение с теорией и идентификация линий поглощения

3.3 CsH+c.

3.3.1 Свойства линий поглощения.

3.3.2 Сравнение с теорией и идентификация колебательных мод.

3.4 Cs-H---H-Cs.

3.4.1 Общие свойства линий поглощения.

3.4.2 Одноосное сжатие.

3.4.3 Сравнение с теорией и идентификация колебательных мод.

3.4.4 Резонанс Ферми.

3.4.5 Интенсивности линий поглощения.

3.5 Выводы.

Часть II Водород в полупроводниках

Введение к части II

Глава 4 VnH т центры в Si

4.1 Постановка задачи.

4.2 Комбинационное рассеяние света на VnHm центрах.

4.2.1 Свойства линий рассеяния.

4.2.2 Идентификация наблюдаемых спектральных линий

4.2.3 Расчет наблюдаемых свойств спектральных линий

4.3 Выводы.

Глава 5 Водородные нанодиски (platelets) в Si и Ge

5.1 Постановка задачи.

5.2 Молекулярная структура и эволюция водородных нанодисков в Si и Ge.

5.3 Выводы.

Глава 6 Междоузельная молекула водорода в Si и GaAs

6.1 Постановка задачи.

6.2 Н2 в Si.Ill

6.3 Н2 в GaAs.

6.4 Выводы

Глава 7 Водород в ZnO

7.1 Постановка задачи.

7.2 Экспериментальные результаты.

7.2.1 Изотопические сдвиги.

7.2.2 Поляризационные зависимости

7.2.3 Температурные зависимости.

7.3 Микроскопические модели.

7.4 Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Оптическая спектроскопия водородных и углеродных центров в полупроводниках»

В начальных курсах, посвященных физике твердого тела, вводится понятие идеального кристалла, в котором каждый атом занимает определенное место. Это, однако, идеализация, весьма далекая от действительности. Идеальных кристаллов не существует.

Уже на ранних стадиях исследования твердых тел было установлено, что дефекты часто оказывают глубокое влияние на их физические свойства. Самые впечатляющие примеры такого влияния можно найти в физике полупроводников. Само существование полупроводниковой электроники основывается на возможности управлять как величиной, так и типом электропроводности с помощью введения малых добавок химических примесей, обладающих свойствами мелких доноров или акцепторов.

Изучение дефектов в полупроводниках стало поэтому областью активных научных исследований сразу же после того, как полупроводники выступили в качестве технологически важных материалов. Однако сейчас мы являемся свидетелями еще более резкого увеличения активности в области изучения дефектов. Для этого существует много причин. Развитие микроэлектроники, имеющее целью создание интегральных схем субмикронного масштаба, привело к значительному увеличению уязвимости устройств по отношению к нежелательным дефектам, создаваемым в процессе обработки материала.

В то же время, в связи с разработкой новых устройств и технологически х процессов, повысились требования к точности управления свойствами материала посредством введения желательных дефектов. В научном отношении появление таких методов и приборов для экспериментальных исследований как емкостная спектроскопия в различных вариантах; приборов с зарядовой связью, сделавших возможным оптические измерения с высокой чувствительностью и производительностью в видимой и ультрафиолетовой области спектра; лазеров на красителях, обеспечивающих возможность избирательного возбуждения, оптического наблюдения магнитного резонанса, и т.д., привело к значительному увеличению имеющейся совокупности экспериментальных данных. Наконец, благодаря огромному прогрессу в области компьютерной техники, а также появлению новых теоретических методов, стал возможным теоретический анализ сложной проблемы глубоких уровней, процессов формирования и распада дефектов, диффузии, максимально достижимых уровней легирования и т.д. Таким образом, сочетание экспериментальных достижений и глубокого теоретического анализа позволяет достигнуть значительного прогресса в понимании физических свойств дефектов в полупроводниках и, следовательно, в разработке новых полупроводниковых технологий.

Цели работы

Углерод и водород являются одними из наиболее распространенных примесей в полупроводниках, поэтому исследование свойств дефектных комплексов с участием этих атомов важно как с научной так и с практической точки зрения. Поэтому, основной целью данной работы являлось определение молекулярных структур и процессов формирования углеродных, водородных и углерод-водородных комплексов в полупроводниках.

Научная новизна работы

Научная новизна работы состоит прежде всего в том, что удалось решить ряд проблем физики дефектов, интересных не только для специалистов, но и для широкого физического сообщества. В первую очередь это касается обнаружения двух типов водородных нанодисков (platelets) в кремнии. Для решения этой задачи был предложен метод моделирования таких структур с помощью одного параметра — диэлектрической постоянной, характеризующей молекулярную структуру дефекта. Такой подход позволил обнаружить новый физический объект — двумерный газ молекулярного водорода. Другой важной задачей, решенной в диссертации, является проблема орто и пара состояний междоузельной молекулы водорода в кремнии. Наиболее важным результатом проделанной работы явилось обнаружение нового явления, состоящего в нестабильности основного состояния молекулы (пара-водород) по отношению к освещению видимым светом и отжигу при комнатной температуре.

Практическая значимость работы

Большинство полученных в данной работе результатов имеют практическое значение, поскольку понимание свойств дефектов в полупроводниках необходимо при разработке новых полупроводниковых технологий. В первую очередь это относится к исследованию молекулярных структур дефектов и процессов их формирования и распада.

На защиту выносятся

Являются новыми и выносятся на защиту следующие основные положения:

1. Методами инфракрасного (ИК) поглощения исследованы свойства углеродных димеров в кремнии. Обнаружены все колебательные переходы обоих известных метастабильных состояний Cs-Q. Показано, что захват вакансии переводит Cs-Ci в более стабильный димер, Cs-Cs, состоящий из двух соседних атомов углерода замещения. Дана методика определения концентраций Cs-Ci и Cs-Cs в диапазоне от 1015 до 1017 см~3 по интенсивностям соответствующих линий ИК поглощения.

2. Методами ИК поглощения обнаружены и идентифицированы следущие дефекты класса углерод-примесь в кремнии: углерод замещения-междоузельный водород; олово замещения-междоузельный углерод; два атома водорода, связанные на двух соседних атомах углерода замещения. Дана методика определения концентрации этих центров в диапазоне от 1015 до 1017 см~3 по интенсивностям соответствующих линий ИК поглощения.

3. В образцах кремния, имплантированных водородом, методами комбинационного рассеяния света идентифицированы центры класса вакансия-водород: VH, VH2, УгНб и VH4. Предложена методика расчета наблюдаемых свойств линий рассеяния центров VnHm с помощью тензора рассеяния одиночной связи Si-H.

4. Методами поляризационной спектроскопии комбинационного рассеяния света обнаружены два типа водородных нанодисков (platelets) в кремнии, формирующихся в образцах с высоким содержанием водорода: оптически "плотная" структура с е ~ 14 и структура с е ~ 1, где € есть диэлектрическая проницаемость нанодиска. Показано, что нанодиск с б ~ 1 содержит двумерный газ молекулярного водорода и образуется при температурах выше 100 °С из "плотного" нанодиска, предположительно состоящего из аггломератов Щ.

5. Методами комбинационного рассеяния света обнаружены орто (ядерный спин 1) и пара (ядерный спин 0) компоненты междоузель-ной молекулы водорода в кремнии. Показано, что пара состояние нестабильно по отношению к отжигу при комнатной температуре и освещению видимым светом. Предложена гипотеза различных скоростей диффузии молекулы в состояниях с различным ядерным спином, объясняющая все известные на данный момент экспериментальные факты.

6. Методами ИК поглощения обнаружены два новых водородных центра в ZnO. Показано, что один из них является водородом, расположенным на связи Zn-O, ориентированной вдоль оси с кристалла. Вторым дефектом является вакансия цинка, пассивированная двумя атомами водорода. Установлено, что формирование этих дефектов ведет к росту проводимости п-типа.

Апробация работы

Результаты, полученные в диссертации, представлялись на следующих конференциях и семинарах:

• Конференнция "International Conference on Defects in Semiconductors" (ICDS-18), Сендай, Япония, июль 1995.

• Конференнция "International Conference on Physics of Semiconductors" (ICPS-24), Иерусалим, Израиль, август 1998.

• Конференция "European Material Research Society Meeting", Страсс-бург, Франция, июнь 1998.

• Конференция " Workshop on Hydrogen in Semiconductors", Эксетер, Великобритания, апрель 1999.

• Конференция "Punktdefekt Tagung № 57", Штуттгарт, Германия, июнь 1999.

• Конференция u International Conference on Defects in Semiconductors" (ICDS-20), Беркли, США, июль 1999.

• Конференция "International Conference on Shallow-Level Centers in Semiconductors" (SLCS-9), Осака, Япония, сентябрь 2000.

• Конференция "Punktdefekt Tagung Ж2 39", Дрезден, Германия, февраль 2001.

• Семинар Иститута физики низких температур Дрезденского Университета, Дрезден, Германия, апрель 2001.

• Конференция "International Conference on Defects in Semiconductors'''' (ICDS-21), Гессен, Германия, июль 2001.

• Конференция "Punktdefekt Tagung № Дрезден, Германия, февраль 2002.

• Симпозиум " Frilhjahrstagung der Deutschen Physikalischen Gesellschaft", Регенсбург, Германия, март 2002.

• Конференция " Gordon Research Conference on Point and Line Defects in Semiconductors1'' США, Нью Гемпшир, июль 2002.

• Семинар теоретического отдела Института химической физики, Институт Макса Планка, Дрезден, Германия, август 2002.

• Симпозиум u Friihjahrstagung der Deutschen Physikalischen Gesellschaft", Дрезден, Германия, март 2003.

• Конференция "Punktdefekt Tagung № 41Дрезден, Германия, февраль 2003.

• Конференция " International Conference on Defects in Semiconductors" (ICDS-22), Орхус, Дания, июль-август 2003.

Структура и краткое содержание диссертации

Диссертация состоит из введения, главы, описывающей экспериментальные методики, двух частей, включающих в себя шесть оставшихся глав, заключения, приложения и списка литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Лавров, Эдуард Владимирович

7.4 Выводы

В данной главе исследовались колебательные свойства водородных дефектов в ZnO. Показано, что обработка образцов водородной плазмой приводит к появлению в спектрах поглощения линий 3611.3, 3349.6 и 3312.2 см-1. Линия 3611.3 см-1 была связана с дефектом, содержащим один атом водорода и обозначенным H-I. Предложена модель центра, состоящая из междоузельного атома водорода в конфигурации ВСц. Линии 3349.6 и 3312.2 см-1 связаны с дефектом, обозначенным H-II и содержащим две связи О-Н, одна из которых ориентирована близко к направлению с кристалла, а вторая — под углом 100° к оси с. Предложенная модель центра — вакансия цинка, пассивированная двумя атомами водорода, находится в хорошем согласии с теоретическими расчетами.

Полученные результаты подтвердили идею о том, что водород приводит к электронной проводимости ZnO [138] и позволили определить строение ответственных за это дефектов. В то же время, водород не может являться основным источником проводимости n-типа, поскольку все обнаруженные в работе центры формируются в процессе сознательного легирования. Тем не менее, не исключена возможность того, что в кристаллах, выращенных с использованием гидрофильных методов, водород является распространенной примесью. В этом случае, полученные нами результаты могут быть использованы для анализа водородных дефектов в этих материалах.

Заключение

В диссертации приведены результаты исследований свойств углеродных и водородных комплексов в полупроводниках методами оптической спектроскопии. Удалось решить ряд проблем, интересных не только для узкого круга специалистов, но и для широкой физической общественности. Среди многих, полученных впервые результатов, следует выделить обнаружение двух типов водородных нанодисков в кремнии. Для решения этой задачи был предложен метод моделирования таких структур с помощью одного параметра — диэлектрической постоянной, характеризующей молекулярную структуру дефекта. Такой подход позволил доказать существование двумерного газа молекулярного водорода в кремнии и проследить процесс его формирования.

Другой важной задачей, решенной в диссертации является проблема орто и пара состояний молекулы водорода в кремнии. Наиболее интересным результатом проделанной работы явилось обнаружение нового явления, состоящего в нестабильности основного состояния молекулы (пара-водород) по отношению к освещению видимым светом и отжигу при комнатной температуре.

В заключение я хочу выразить глубокую благодарность моим коллегам, прежде всего А. С. Каминскому, чье влияние определило мои научные интересы; моим соавторам В. Bech. Nielsen, L. Hoffmann, J. R. Byberg, R. Jones, B. Hourahine, J. Weber и С. G. Van de Walle без сотрудничества с которыми выполнение данной работы было бы невозможно; моим студентам F. Borrnert и М. Hiller за помощь при выполнении трудоемких измерений; Н.А. Ярыкину, А. Я. Шульману, R. Botha, S.K. Estre-icher, S. Knack, M. Stavola, J. Bollmann за полезные обсуждения полученных результатов; Т. П. Елагиной, В. П. Синису, P. Bomholt, В. Kohler, S. Behrendt, L. Lindstrom и R. Helbig за техническое содействие и помощь в приготовлении образцов; а также всем сотрудникам 172-й лаборатории ИРЭ РАН за оказанную помощь и поддержку. Отдельное спасибо моему коллеге, соавтору и директору J. Weber за мотивирование меня на написание диссертации и финансовые расходы, связанные с ее защитой.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Лавров, Эдуард Владимирович, 2004 год

1. G. Davies and R. C. Newman, Handbook on Semiconductors, edited by T. S. Moss (Elsevier Science, Amsterdam, 1994), Vol. 3b, 1557.

2. P. B. Griffin, P. M. Fahey, J. D. Plummer, and R. W. Dutton, Appl. Phys. Lett. 47, 319 (1985).

3. A. R. Bean, R. Newman, Solid State Commun. 8, 175 (1970).

4. G. D. Watkins and K. L. Brower, Phys. Rev. Lett. 36, 1329 (1976).

5. R. Wooley, E. C. Lightowlers, A. K. Tipping, M. Claybourn, and R. C. Newman, Mater. Sci. Forum 10-12, 929 (1986).

6. K. Thonke, A. Teschner, and R. Sauer, Solid State Commum. 61, 241 (1987).

7. L. W. Song and G. D. Watkins, Phys. Rev. В 42, 5759 (1990).

8. L. C. Kimerling, P. Blood, and W. M. Gibson, Inst. Phys. Conf. Ser. 46, 273 (1979).

9. G. D. Watkins, in Radiation Effects in Semiconductors, edited by M. Hulin (Dunod, Paris, 1965).

10. P. Leary, R. Jones, S. Oberg, and V. J. B. Torres, Phys. Rev. В 55, 2188 (1997).

11. P. Leary and R. Jones, Частное сообщение.

12. R. В. Capaz, A. Dal Pino, Jr., and J. D. Joannopoulos, Phys. Rev. В 58, 9845 (1998).

13. A. V. Yukhnevich and V. D. Tkachev, Sov. Phys. Solid State 8, 1004 (1966).

14. E. C. Lightowlers and A. N. Safonov, Mat. Sci. Forum 258-263, 617 (1997).

15. K. L. Brower, Phys. Rev. В 9, 2607 (1974).

16. A. R. Bean, R. C. Newman, and R. S. Smith, J. Phys. & Chem. Solids 31, 739 (1970).

17. К. Natarajan and Е. L. Heasell, Phys. Status Solidi (a) 28, 603 (1975).

18. G. E. Jellison, J. Appl. Phys. 53, 5715 (1982).

19. L. W. Song, X. D. Zhan, and G. D. Watkins, Phys. Rev. В 42, 5765 (1990).

20. К. P. O'Donnell, К. M. Lee, and G. D. Watkins, Physica В 116, 258 (1983).

21. J. R. Byberg, B. Bech Nielsen, M. Fanciulli, S. K. Estreicher, and P. A. Fedders, Phys. Rev. В 61, 12939 (2000).

22. J. W. Corbett, G. D. Watkins, R. M. Chrenko, and R. S. McDonald, Phys. Rev. 121, 1015 (1961).

23. J. Menendez and M. Cardona, Phys. Rev. В 29, 2051 (1984).

24. S. P. Chapell, M. Claybourn, R. C. Newman, and K. G. Barraclough, Semicond. Sci. Technol. 3, 1047 (1988).

25. R. C. Newman, in Imperfections in III/V Materials, Vol. 38 of Semiconductors and Semimetals, edited by E. R. Weber (Academic, Boston, 1993), p. 117.

26. В. Clerjaud and D. Cote, J. Phys.: Condens. Matter 4, 9919 (1992).

27. Y. Zohta, Y. Ohmura, M. Kanazawa, Japan. J. Appl. Phys. 10, 5321971).

28. Y. Ohmura, Y. Zohta, M. Kanazawa, Solid State Commun. 11, 2631972).

29. M. Levinshtein, S. Rumyantsev, and M. Shur, Handbook Series on Semiconductor Parameters, Vol. 1 (World Scientific, Singapore, 1996), P. 30.

30. E. V. Lavrov, L. Hoffmann, B. Bech Nielsen, Phys. Rev. В 60, 8081 (1999).

31. E. V. Lavrov, B. Bech Nielsen, J. R. Byberg, B. Hourahine, R. Jones, S. Oberg, and P. R. Briddon, Phys. Rev. В 62, 158 (2000).

32. Е. Bright Wilson, Jr., J.С. Decius, and Paul C. Cross, Molecular Vibrations (Dover, New York, 1980).

33. A. Endros, Phys. Rev. Lett. 63, 70 (1989).

34. Y. Zhou, R. Lushsinger, P. F. Meier, H. U. Suter, Dj. Marie, and S. K. Estreicher, Mater. Sci. Forum 196-201, 891 (1995).

35. C. Kaneta and H. Katayama-Yoshida, Mat. Sci. Forum 196-201, 897 (1995).

36. Y. Kamiura, M. Tsutsue, Y. Yamashita, and F. Hashimoto, J. Appl. Phys. 78, 4478 (1995).

37. A. N. Safonov, E. C. Lightowlers, G. Davies, P. Leary, R. Jones, and S. Oberg, Phys. Rev. Lett. 77, 4812 (1996).

38. Y. Kamiura, M. Hayashi, Y. Nishiyama, S. Ohyama, and Y. Yamashita, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 6579 (1997).

39. Y. Kamiura, N. Ishiga, and Y. Yamashita, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1419 (1997).

40. J. Gower, G. Davies, E. C. Lightowlers, and A. N. Safonov, Mater. Sci. Forum 258-263, 289 (1997).

41. A. N. Safonov and E. C. Lightowlers, Mater. Sci. Forum 258-263, 259 (1997).

42. P. Leary, R. Jones, S. Oberg, Phys. Rev. В 57, 3887 (1998).

43. A. N. Safonov and E. C. Lightowlers, Mater. Sci. Eng. В 58, 39 (1999).

44. В. Pajot, В. Clerjaud, and Z.-J. Xu, Phys. Rev. В 59, 7500 (1999).

45. L. Hoffmann, E. V. Lavrov, and B. Bech Nielsen, Mater. Sci. Eng. В 58, 167 (1999).

46. A. Brelot, IEEE Trans. Nuc. Sci. 19, 220 (1972).

47. A. Brelot, in: Radiation Damage and Defects in Semiconductors, ed. J.E. Whitehouse (Institute of Physics, London and Bristol, 1973). Conference Series No. 16, p. 191.

48. G. D. Watkins, Phys. Rev В 12, 4383 (1975).

49. G. G. Watkins, Solid State Commun. 17, 1205 (1975).

50. A. Nylandstet Larsen, J. J. Goubet, P. Mejholm, J. Sherman Christiri-sen, M. Fanciulli, H. P. Gunnlaugsson, G. Weyer, J. Wulf Petersen, A.

51. Resende, М. Kaukonen, R. Jones, S. Oberg, P. R. Briddon, B. G. Svens-son, J. L. Lindstrom, and S. Dannefaer, Phys. Rev. В 62, 4535 (2000).

52. M. Fanciulli and J. R. Byberg, Physica В 273-274, 524 (1999).

53. M. Fanciulli and J. R. Byberg, Phys. Rev. В 61, 2657 (2000).

54. X. D. Zhan and G. D. Watkins, Phys. Rev. В 47, 6363 (1993).

55. E. V. Lavrov, M. Fanciulli, M. Kaukonen, R. Jones, and P. R. Briddon, Phys. Rev. В 64, 125212 (2001).

56. E. V. Lavrov, L. Hoffmann, B. Bech Nielsen, B. Hourahine, R. Jones, S. Oberg, and P. R. Briddon, Phys. Rev. В 62, 12859 (2000).

57. A. A. Kaplyanskii, Opt. Spectrosc. 16, 329 (1964) Opt. Spectrosk. (USSR) 16, 602 (1964).

58. A. E. Hughes and W. A. Runciman, Proc. Phys. Soc. London 90, 827 (1967).

59. Л.Д. Ландау и E.M. Лифшиц. Теория упругости. Наука, Москва 1987.

60. J. D. Holbech, В. Bech Nielsen, R. Jones, P. Sitch, and S. Oberg, Phys. Rev. Lett. 71, 875 (1993).

61. E. Fermi, Z. Phys. 71, 250 (1931).

62. G. D. Watkins, W. B. Fowler, M. Stavola, G. G. DeLeo, and D. M. Kozuch, Phys. Rev. Lett. 64, 467 (1990).

63. J.-F. Zheng and M. Stavola, Phys. Rev. Lett. 76, 1154 (1996).

64. B. Bech Nielsen, K. Tanderup, M. Budde, K. Bonde Nielsen, J. L. Lindstrom, R. Jones, S. Oberg, B. Hourahine, and P. Briddon, Mater. Sci. Forum 258-263, 391 (1997).

65. L. Hoffmann, E. V. Lavrov, B. Bech Nielsen, B. Hourahine, R. Jones, S. Oberg, and P. R. Briddon, Phys. Rev. В 61, 16659 (2000).

66. M. Stavola, S. J. Pearton, J. Lopata, and W. C. Dautremont-Smith, Appl. Phys. Lett. 50, 1086 (1987).

67. K. Bergman, M. Stavola, S. J. Pearton, and J. Lopata, Phys. Rev. В 37, 2770 (1988).

68. J. I. Pankove and N. M. Johnson (1991): Semiconductors and Semimet-aIs. Hydrogen in Semiconductors. San Diego, Academic Press, V. 34.

69. S. J. Pearton, J. W. Corbett, and M. Stavola, Hydrogen in Crystalline Semiconductors (Springer-Verlag, Berlin, 1992).

70. H. J. Stein, Phys. Rev. Lett. 43, 1030 (1979).

71. R. B. Gel'fand, V. A. Gordeev, Y. V. Gorelkinskii, R. F. Konopleva, S. A. Kuten, A. V. Mudryi, N. N. Nevinnyi, Y. V. Obukhov, V. I. Rapoport, A. G. Ylyachin, and V. G. Firsov, Sov. Phys. Solid State 31,1376 (1990).

72. B. Holm, K. Bonde Nielsen, and B. Bech Nielsen, Phys. Rev. Lett. 66, 949 (1991).

73. M. Budde, B. Bech Nielsen, R. Jones, J. Goss, and S. Oberg, Phys. Rev. В 54, 5485 (1996).

74. J. Vetterhoffer, J. Wagner, and J. Weber, Phys. Rev. Lett. 77, 54091996).

75. K. Murakami, N. Fukata, S. Sasaki, K. Ishioka, M. Kitajima, S. Fu-jimura, J. Kikuchi, and Haneda, Phys. Rev. Lett. 77, 3161 (1996).

76. R. E. Pritchard, M. J. Ashwin, R. C. Newman, J. H. Tucker, E. C. Lightowlers, M. J. Binns, R. Falster, and S. A. McQuaid, Phys. Rev. В 56, 13118 (1997).

77. A. W. R. Leitch, V. Alex, and J. Weber, Phys. Rev. Lett. 81, 421 (1998).

78. B. Hourahine, R. Jones, S. Oberg, R. C. Newman, and P. R. Briddon, Phys. Rev. 57, 12666 (1998).

79. B. Bech Nielsen, L. Hoffmann, M. Budde, R. Jones, J. Goss, and S. Oberg, Mater. Sci. Forum 196-201, 933 (1995).

80. M. Budde, B. Bech Nielsen, P. Leary, J. Goss, R. Jones, P. R. Briddon, S. Oberg, and S. J. Breuer, Phys. Rev. В 57, 4397 (1998).

81. M. Bruel, Electron. Lett. 31, 1201 (1995).

82. M. Bruel, B. Aspar, A.-J. Auberton-Herve. Jpn. J. Appl. Phys. 36, 16361997).

83. C.C. Van de Walle and J. Neugebauer. Nature 423, 626 (2003).

84. V. A. Singh, C. Weigel, J. W. Corbett, and L. M. Roth, Phys. Stat. Sol. (b), 81, 637 (1977).

85. P. Deak, M. Heinrich, L. C. Snyder, and J. W. Corbett, Mater. Sci. Eng. В 4, 57 (1989).

86. H. Xu, Phys. Rev. В 46, 1403 (1992).

87. С. G. Van de Walle, Phys. Rev. В 49, 4579 (1994).

88. M. A. Roberson and S. K. Estreicher, Phys.Rev. В 49, 17040 (1994)

89. Y. K. Park, S. K. Estreicher, C. W. Myles, and P. A. Fedders, Phys. Rev. В 52, 1718 (1995).

90. В. Bech Nielsen and H. G. Grimmeiss, Phys. Rev. В 40, 12403 (1989).

91. W. M. Chen, О. O. Awadelkarim, B. Monemar, J. L. Lindstom, and G. S. Oehrlein, Phys. Rev. Lett. 64, 3042 (1990).

92. B. Bech Nielsen, L. Hoffmann, and M. Budde, Mater. Sci. Eng. В 36, 259 (1996).

93. P. Johannesen, J. R. Byberg, B. Bech Nielsen, P. Stallinga, and K. Bonde Nielsen, Mat. Sci. Forum 258-263, 515 (1997).

94. P. Stallinga, P. Johannesen, S. Herstr0m, K. Bonde Nielsen, and B. Bech Nielsen, Phys. Rev. 58, 3842 (1998).

95. M. Budde, Ph. D. Thesis, University of Arhus, Denmark (1998).

96. P. Johannesen, Ph. D. Thesis, University of Arhus, Denmark (2000).

97. J. Byberg, S. Herstr0m, and B. Bech Nielsen, не опубликовано.

98. В. Bech Nielsen et. aI, не опубликовано.

99. J.N. Heyman, J.W. Ager III, E.E. Haller, N.M. Johnson, J. Walker, C.M. Doland. Phys. Rev. В 45, 13363 (1992).

100. M. Cardona, in Light Scattering in Solids II, edited by M. Cardona and G. Giintherodt (Springer-Verlag, Berlin, 1982), 19-172.

101. R. S. Armstrong and R. J. H. Clark, J. Chem. Soc. Faraday Trans. 2 72, 11 (1976).

102. M. A. Hines, T. D. Harris, A. L. Harris, and Y. J. Chabal, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 64/65, 183 (1993).

103. N.M. Johnson, F. A. Ponce, R. A. Street, and R. J. Nemanich. Phys. Rev. B, 35, 4166 (1987).

104. S. Muto, S. Takeda, and M. Hirata. Philos. Mag. A 72, 1057 (1996).

105. J.R. Botha et al., Proc. Microsc. Soc. S. A. 27 (1997) 37.

106. C.G. Van de Walle, P.J.H. Denteneer, Y. BarYam, and S.T. Pantelides, Phys. Rev. В 39, 10791 (1989).

107. P. Deak, C.R. Ortiz, L.C. Snyder, and J.W. Corbett, Physica 170B, 223 (1991).

108. N.H. Nickel, G.B Anderson, N.M. Johnson, and J. Walker, Phys. Rev. В 62, 8012 (2000).

109. S.B. Zhang and W.B. Jackson, Phys. Rev. В 43, 12142 (1991).

110. S.K. Estreicher, K. Wells, P.A. Fedders, and Pablo Ordejon, J. Phys. Cond. Mat. 13, 6271 (2001).

111. C.M. Hartwig and J. Vitko, Jr., Phys. Rev. В 18, 3006 (1978).

112. C.E. Reed, J. Giergiel, J.C. Hemminger, and S. Ushioda, Phys. Rev. В 36, 4990 (1987).

113. P. Jakob and Y.J. Chabal, J. Chem. Phys. 95, 2897 (1991).

114. M. Born and E. Wolf, Principles of optics (Pergamon Press, 1964).

115. Y.-S. Kim and K.J. Chang, Phys. Rev. Lett. 86, 1773 (2001).

116. A. Mainwood and A.M. Stoneham, Physica В & С 116, 101 (1983).

117. J.W. Corbett, S.N. Sahu, T.S. Shi, and L. C. Snyder, Phys. Lett. A 93, 303 (1983).

118. R.E. Pritchard, M.J. Ashwin, J.H. Tucker, and R.C. Newman, Phys. Rev. В 57, 15048 (1998).

119. Y. Okamoto, M. Saito, and A. Oshiyama, Phys. Rev. В 56,10016 (1997).

120. C.G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 80, 2177 (1998).

121. Е.Е. Chen, М. Stavola, W.B. Fowler, and P. Walters, Phys. Rev. Lett. 88, 105507 (2002).

122. J.A. Zhou and M. Stavola, Phys. Rev. Lett. 83, 1351 (1999).

123. E.E. Chen, M. Stavola, W.B. Fowler, and J.A. Zhou, Phys. Rev. Lett. 88, 245503 (2002).

124. L. Pavesi and P. Giannozzi, Phys. Rev. В 46 (1992) 4621.

125. S. J. Breuer et al, Phys. Rev. В 53 (1996) 16289.

126. Л.Д. Ландау и E.M. Лифшиц. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. Наука, Москва 1989.

127. Y.L. Sandler, J. Phys. Chem. 58, 58 (1954).

128. C.M. Cunningham and H.L. Johnston, J. Am. Chem. Soc. 80, 2382 (1958).

129. I.F. Silvera and M. Nielsen, Phys. Rev. Lett. 37, 1275 (1976).

130. V. P. Markevich and M. Suezawa, J. Appl. Phys. 83 (1998) 2988.

131. M. Kitajima, K. Ishioka, K. Murakami, К Nakanoya, and T. Mori, Physica В 273-274, 192 (1999).

132. В. Hourahine, R. Jones, S. Oberg, and P.R. Briddon, Mater. Sci. Engr. В 58, 24 (1999).

133. В. P. Stoicheff. Can. J. Phys., 35, 730 (1957).

134. D.C. Look et aI, Solid State Comm. 105, 399 (1998).

135. M. Joseph, H. Tabata, and T. Kawai, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L1205 (1999).

136. D.C. Look, J.W. Hemsky, and J.R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 2552 (1999) and references therein.

137. C.G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 85, 1012 (2000).

138. Detlev M. Hofmann et al. Phys. Rev. Lett. 88, 045504 (2002).

139. S.F.J. Cox et al., Phys. Rev. Lett. 86, 2601 (2001).

140. F.G. Gartner and E. Mollwo, Phys. Status Solidi В 89, 381 (1978).

141. F.G. Gartner and E. Mollwo, Phys. Status Solidi В 90, 33 (1978).

142. G. Miiller and R. Helbig, J. Phys. Chem. Solids 32, 1971 (1971).

143. R. Helbig, J. Cryst. Growth 15, 25 (1972).

144. CRC Handbook of Chemistry and Physics 82nd edition, edited by David R. Lide (CRC Press LLC, 2001-2002) p. 9-77.

145. E.V. Lavrov, J. Weber, F. Borrnert, C.G. Van de Walle, and R. Helbig, Phys. Rev. В 66, 165205 (2002).

146. D. G. Thomas and J. J. Lander, J. Chem. Phys. 25, 1136 (1956).

147. A.F. Kohan, G. Ceder, D. Morgan, and C.G. Van de Walle, Phys. Rev. В 61, 15019 (2000).

148. E. Mollwo, Z. Phys. 138, 478 (1954).

149. T. Sekiguchi, N. Ohashi, and Y. Terada, Jpn. J. Appl. Phys. 36 L289 (1997).

150. J. Schneider and A. Rauber, Z. Naturforsch. Teil A 16, 712 (1961).

151. P. Wagner and R. Helbig, J. Phys. Chem. Solids 35, 327 (1974).

152. M. Schulz, Phys. Status Solidi (a) 27, K5 (1975).

153. B. Bech Nielsen, P. Johannesen, P. Stallinga, and K. Bonde Nielsen, Phys. Rev. Lett. 79, 1507 (1997).

154. S. Oberg, C.P. Ewels, R. Jones, T. Hallberg, J.L. Lindstrom, L. Murin, P.R. Briddon, Phys. Rev. Lett. 81, 2930 (1998).

155. E.V. Lavrov, L. Hoffmann, and B. Bech Nielsen, не опубликовано.

156. J. Coutinho, R. Jones, P.R. Briddon, and S. Oberg, Phys. Rev. В 62, 10824 (2000).1. Алфавитный указатель