Плазмохимический синтез и физико-химические свойства наноразмерного нитрида бора тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Милеев, Марк Александрович

• Милеев, Марк Александрович
• кандидат химических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат химических наук Милеев, Марк Александрович

Введение.

Глава 1. Литературы ый обзор.

1.1. Состояние проблемы.

1.2. Экспериментальные методы получения неуглеродных нанотрубок. а. Дуговой метод синтеза. б. Лазерный метод синтеза. в. Пиролитический метод синтеза. г. Реакции замещения. д. Другие методы.

1.2. Теоретические модели и компьютерное моделирование структуры и свойств наноразмерных частиц на основе бора. а. Наночастицы на основе бора. б. Модели нанотрубок, состоящих из атомов В, С, N.

1.3. Модели гибридных наноразмерных структур.

Глава 2. Методическая часть.

2.1. Методика электродугового синтеза наноразмерного нитрида бора.

2.1.2. Конструкционные особенности комбинированного электрода.

2.1.3. Характеристики процесса распыления.

2.2. Экспериментальные методы исследования полученных веществ.

2.2.1. Метод дифракции рентгеновских лучей.

2.2.2. Метод просвечивающей электронной микроскопии.

2.2.3. Электронографический метод.

2.2.4. Метод ИК спектроскопии.

2.2.5. Термогравиметрические измерения.

2.3. Теоретические методы определения параметров наночастиц.

Глава 3. Обсуждение результатов.

3.1. Экспериментальные исследования полученных веществ.

3.2. Теоретическое исследование структур нитрида бора.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Плазмохимический синтез и физико-химические свойства наноразмерного нитрида бора»

3.1. Экспериментальные исследования полученных веществ Актуальность работы. На сегодняшний день нанотехнология является широким междисциплинарным направлением, объединяющим интересы специалистов в области химии, физики, медицины, биологии, наук о Земле и других. Значительный научный интерес к изучению наноструктурных материалов вызван их специфическим строением и свойствами, заметно отличающимися от строения и свойств массивного (объемного) твердого тела. Материалы на основе наноструктурных частиц, в том числе наночастиц нитрида бора, являются перспективными объектами для создания новых полупроводников, сегнетоэлектриков, сверхпроводников. Наноструктуры нитрида бора, синтезированные различными авторами, имеют отличную друг от друга морфологию. Большинство работ посвящено синтезу BN нанотрубок [1-3], которые обладают интересными полупроводниковыми свойствами и могут применяться в наноэлектронике. Кроме того, нанотрубки нитрида бора обладают чрезвычайно высоким модулем Юнга и уникальными пьезоэлектрическими свойствами. Сообщается о возможности получения наноконусов [4], которые применяются в атомно-силовой микроскопии. Ряд работ посвящен получению полых фуллереноподобных частиц [5; 6].

Применение различных форм наноструктурного нитрида бора чрезвычайно разнообразно. При этом следует отметить, что и возможности традиционного применения нитрида бора в качестве материала для получения керамики, защитных и инструментальных покрытий также зависят от размера и морфологии частиц.

Широкое применение наноструктурных материалов в различных технологических процессах сдерживается низкой производительностью методов их получения. В связи с этим актуальной задачей в настоящее время является создание эффективных методов синтеза подобных структур. Эта задача тесно связана с исследованием процессов образования наночастиц и изучением их индивидуальных свойств различными физико-химическими методами.

Работа выполнена в соответствии с научным направлением Института химии растворов РАН "Химия и физикохимия растворов, теоретические основы химико-технологических процессов в жидких средах" по теме «Электрохимические процессы в конденсированных ионных средах» (№ госрегистрации 0120.0 602023).

Цели и задачи работы. Исходя из вышеизложенного, в работе были поставлены следующие задачи: модернизировать метод электродугового испарения реагентов для получения неуглеродных наноструктурных материалов; разработать технологическую цепочку (методику) получения наноструктурного нитрида бора на основе плазмохимического метода; синтезировать наноструктурный нитрид бора с применением разработанной методики, используя в качестве исходных реагентов недорогие и доступные вещества; определить химический состав, размерные и морфологические характеристики полученных наноматериалов с применением комплекса современных физико-химических методов исследований; с целью выяснения структурной организации полученного нитрида бора на молекулярном уровне провести квантовохимические расчеты.

Научная новизна. В работе предложен новый подход к использованию метода дугового испарения реагентом для синтеза неорганических наноструктурных соединений.

Впервые на основе плазмохимического метода с применением недорогих и доступных реагентов (меламина, мочевины, циануровой и борной кислот), допирующих углеродный анод, получены химические соединения, содержащие наноструктурные частицы карбонитрида и нитрида бора.

Применение контролируемого термического окисления позволило получить наноструктурный нитрид бора с остаточным содержанием углерода. Ранее такой подход для синтеза наночастиц карбонитрида и нитрида бора не применялся.

По результатам анализа электронно-микроскопических исследований впервые обнаружено, что сконденсировавшееся после дугового испарения вещество представляет собой смесь из сферических наночастиц и трубок наноразмерного диаметра.

С использованием программы GAUSSIAN-031 [7] методами Хартри-Фока HF и функционала электронной плотности DFT/BVWN проведено систематическое теоретическое исследование малых кластеров нитрида бора BXNX с постепенным наращиванием их размера (х=1-12, 15, 24, 30).

Впервые на основе квантовохимических расчетов сделан вывод о возможной олигомеризации нитрида бора, то есть можно ожидать одновременное сосуществование различных форм наночастиц; среди наноразмерных структур с числом атомов более 30 предпочтительно образование наночастиц каркасного типа.

Научная и практическая значимость. Практическим результатом работы является разработка и реализация методики получения наноструктурного нитрида бора. В результате работы: модернизирован метод

1 Автор выражает благодарность за помощь при проведении расчетов и предоставление пакета программ коллективу кафедры физики ИГХТУ и лично зав. каф. физики д.х.н., проф. Г. В. Гиричеву электродугового испарения реагентов; с использованием доступных азот- и борсодержащих соединений синтезирован наноструктурный нитрид бора; с применением комплекса современных физико-химических методов исследований определен химический состав, размерные и морфологические характеристики полученных наноматериалов; предложены наиболее вероятные пути процесса конденсации наночастиц; определены характеристики широкого набора вероятных наноструктур, показана их термодинамическая стабильность.

Полученные результаты могут стать исходным научным материалом для дальнейших систематических работ в области получения и исследования свойств неуглеродных и гибридных наноструктур.

Апробация работы. Основные результаты работы были представлены и обсуждены на научных конференциях различного уровня: XV Международной конференции по химической термодинамике в России (Москва, 2005); IV Международной научной конференции «Кинетика и механизм кристаллизации. Нанокристаллизация. Биокристаллизация» (Иваново, 2006); III школе-семинаре "Квантовохимические расчеты: структура и реакционная способность органических и неорганических молекул" (Иваново, 2007); XVI International Conference on Chemical Thermodynamics in Russia (Suzdal, 2007); II Международной научно-технической конференции «Электрохимические и электролитно-плазменные методы модификации металлических поверхностей» (Кострома, 2007); II Региональной конференции молодых ученых «Теоретическая и экспериментальная химия жидкофазных систем» (Иваново, 2007), II Международной конференции «Наноразмерные системы: строение, свойства, технологии» (НАНСИС-2007) (Украина, Киев, 2007).

Публикации. По теме диссертационной работы опубликовано 12 печатных работ, в том числе 2 статьи и 10 тезисов докладов в сборниках международных и отечественных научных конференций.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, 3 глав, заключения и списка литературы. Общий объем диссертации - 112 страниц, диссертация содержит 17 рисунков, 10 таблиц, 185 библиографических источника.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Милеев, Марк Александрович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬ ТА ТЫ И ВЫВОДЫ

• Предложен новый подход к использованию метода дугового испарения реагентом для синтеза неорганических наноструктурных соединений.

• Впервые на основе плазмохимического метода с применением недорогих и доступных реагентов, допирующих углеродный анод, получены наноразмерные частицы карбонитрида и нитрида бора.

• Доказана возможность удаления углерода из синтезированных наноструктур методом контролируемого окисления, приводящего к образованию наноразмерного нитрида бора с остаточным содержанием углерода.

• С использованием современных физико-химических методов исследований определен химический состав, размерные и морфологические характеристики полученных наноматериалов.

• Обнаружено, что сконденсировавшееся после дугового испарения вещество представляет собой смесь из сферических наночастиц и трубок наноразмерного диаметра.

• На базе собственных и литературных данных можно предположить, что кристаллическая решетка синтезированного вещества представляет собой решетку типа алмаза, в узлах которой расположены молекулы-оболочки Bi2N|2;

• Проведенные квантовохимические расчеты показали, что: а) имеет место олигомеризация нитрида бора, то есть можно ожидать одновременного сосуществования различных форм наночастиц; б) устойчивость наноразмерных частиц возрастает с увеличением числа атомов; в) среди наночастиц с числом атомов более 30 предпочтительно образование наноразмерных структур каркасного типа.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Милеев, Марк Александрович, 2007 год

1. Chopra N. G., Luyken R. J., Cherrey K. et al. // Science. 1995. V. 269. P. 966-967

2. Mickelson W., Aloni S, Han W.-Q. et al. // Science. 2003. V. 300. P. 467-469

3. Narita I., Oku T. // Solid State Commun. 2002. V. 122. P. 465-474

4. Bourgeois L., Bando Y., Shinozaki S. et al. // Acta Cryst. 1999. V. A55. P. 168-177

5. Oku Т., Hirano T, Kuno M. et al. // Sci. Eng. 2000. V. B74. P. 206-213

6. Xu L. Q., Peng Y. Y., Meng Z. Y. et al. // Chem. Mater. 2003. V.15. P. 2675-2680

7. Gaussian 03, Revision B.03, Frisch M. J., Trucks G. W., et al., and J. A. Pople, Gaussian, Inc., Pittsburgh PA, 2003.

8. Kroke E., Li Y.-L., Konetschny C. et al. // Mater. Sci. and Eng. 2000. V. 26. P. 1997-1999

9. Kawaguchi M., Bartlett N. // Fluorine-carbon and fluoride-carbon materials. Ed. T. Nakajima. New York: Marcel Dekker Inc. 1999. P. 187-238

10. Chen L. C., Wu С. Т., Wu J.-J. et al. // Int. J. Modern Phys. 2000. V. В14. P. 333-348

11. Bendeddouche A., Berjoan R., Beche E. et al. // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. P. 6147-6154

12. Badzian A., Badzian Т., Roy R. et al. // Thin Solid Films. 1999. V. 354. P. 148-153

13. Badzian A., Badzian Т., Roy R., et al. // Diam. Relat. Mater. 1998. V. 7. P. 1519-1525

14. Chen К. H., Wu J.-J., Wen C. Y. et al. // Thin Solid Films. 1999. V. 355-356. P. 205-209

15. Fainer N. I., Rumyantsev Yu. M., Kosinova M. L. et al. // Appl. Sur. Sci. 1997. V. 113-114. P. 614-617

16. Fainer N. I., Kosinova M. L., Rumyantsev Yu. M. et al. // J. de Phys. IV. France. 1999. V. 9. P. 758-769

17. Fainer N. I., Rumyantsev Yu. M., Kosinova M. L. et al. // Inorg. Materials. 1998. V. 34. P. 1053-1056

18. Yurjev G. S, Fainer N. I., Maximovskiy E. A. et al. // NIM A. 1998. V. 405. P. 466-469

19. Maximovski E. A., Yurjev G. S., Kosinova M. L. et al. // Mater. Sci. Forum. 1999. V. 321-324. P. 230-235

20. Fainer N. I., Kosinova M. L., Yurjev G. S. et al. // NIM A. 2000. V. 448. P. 294-298

21. Montasser K., Hattori S, Morita S. J. // Appl Phys. 1985. V. 58. P. 3185-3189

22. Schmolla W., Hartnagel H. L. // Solid State Electronics. 1983. V. 26. P. 931-939

23. Bath A, P. J. van der Put, Schoonman J. et al. // Appl. Surf. Sci. 1989. V. 39. P.135-140

24. Bath A, P. J. van der Put, Becht J. G. M. ct al. //J. Appl. Phys. 1991. V. 70. P. 4366-4370

25. Bath A, Baehr 0, Barrada M. et al. // Thin Solid Films. 1994. V. 241. P. 278-281

26. Baehr 0., Thevenin P., Bath A. et al. // Mater. Sci. and Eng. 1997. V. B46. P. 101-104

27. Boudiombo J, Baehr O., Boudrioua A. et al. // Ibid. 1997. V. B46. P. 96-98

28. Abdellaoui A., Bath A., Bouchikhi B. et al. // Ibid. 1997. V. B47. P. 257-262

29. Loeffier J., Konyashin I., Bill J. et al. // Diam. Rel. Mater. 1997. V. 6. P. 608-611

30. Phani A. R, Devi G. S, Roy S. et al. // Chem. Soc. Chem. Commun. 1993. V. 8. P.684-685

31. Tenne R., Margulis L., Genut M. et al. // Nature (London). 1992. V. 360. P. 444^50

32. Rubio A., Corkill J. L., Cohen M. L. // Phys. Rev. 1994. V. B49, P. 5081-5084

33. Blase X., Rubio A., Louie S. G. et al. // Eurphys. Lett. 1994. V. 28. P. 335-340

34. Miyamoto Y., Rubio A., Louie S. G. //Phys. Rev. 1994. V. B50.18360

35. Zettl A. // Adv. Mater. 1996. V. 8. P. 443-445

36. Saito R., Dresselhaus G., Dresselhaus M. S. Physical Properties of Carbon Nanotubes. Imperial College Press. London. 1998

37. Ивановский A. JI. Квантовая химия в материаловедении. Нанотубулярные формы вещества. // Изд-во УрО РАН. Екатеринбург. 1999

38. Harris P. J. F. Carbon Nanotubes and Related Structures: New Materials for the Twenty-First Century. // Cambridge University Press. Cambridge. 1999

39. Ebbesen T. W. // Phys. Today. 1996. V. 49. P. 26-35

40. Subramoney S. //Adv. Mater. 1998. V. 10. P. 1157-1160

41. Ивановский А. Л. // Успехи химии. 1999. Т. 68. С. 119-125

42. Раков Э. Г. // Успехи химии. 2000. Т. 69. С. 41-50

43. Tenne R., Zettl А. // Carbon Nanotubes. 2001. V. 80. P. 81

44. Science of Fullerenes and Carbon Nanotubes. (Eds Dresselhaus M. S., Dresselhaus G., Eklund P.). // Academic Press. San-Diego, CA. 1996 P. 965

45. Carbon Nanotubes. Preparation and Properties. (Ed. Ebbessen T. W.). // CRC Press. New York. 1996

46. The Science and Technology of Carbon Nanotubes. (Eds Tanaka K., Yamabe Т., Fuku K.). // Elsevier. Oxford. 1999

47. Ebbesen T. W. // Ann. Rev. Mater. 1994. V. 24. P. 235-240

48. Tenne R. // Adv. Mater. 1995. V. 1. P. 965-971

49. Елецкий А. В. //Успехи физ. наук. 1997. Т. 167. С. 945-950

50. Лозовик Ю. Е., Попов А. М. // Успехи физ. наук, 1997. Т. 167. С. 751-755

51. Nikolic A., Radmilovic V., Simicic М. et al. // Adv. Mater. Proc. 1998. V. 282. P. 83-89

52. Kepp О. M., Dyachkov P. N. // Chem. Phys. Rep. 1998. V. 17. P. 1179-1181

53. Coq B, Planteix J. M, Brotons V. //Appl. Catal. 1998. V. A178. P. 175-177

54. Terrones M., Hsu W. K., Kroto H. W. et al. // Fullerene Relat. Struct. 1999. V. 199, P. 198-203

55. Braun Т., Schubert A. P., Kostoff R. N. // Chem. Rev. 2000. V. 100. P. 23-29

56. Тарасов Б. П., Гольдшлегер Н. Ф., Моравский А. П. // Успехи химии. 2001. Т. 70. С. 149-151

57. Дьячков П. Н. // Журн. неорг. химии. 2001. Т. 46. С. 93-97

58. Раков Э. Г. // Успехи химии. 2001. Т. 70. С. 934-940

59. Tenne R. // Prog. Inorg. Chem. 2001. V. 50. P. 269-271

60. Cohen M. L. // Mater. Sci. Eng. C. 2001. V. 15. P. 1-9

61. Goldshleger N. F. //Fullerene Sci. Technol. 2001. V. 9. P. 255-259

62. Thostenson E. Т., Ren Z. F., Chou T. W. // Compos. Sci. Technol. 2001. V. 61. P. 1899-1902

63. Copra N. G, Luyken R. J, Cherrey K. et al. // Science. 1995. V. 269. P. 966-970

64. Loiseau A., Willaime F., Demoncy N. et al. // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 76. P. 4737-4740

65. Loiseau A., Willaime F., Demoncy N. et al. //Carbon. 1998. V. 36. P. 743-749

66. Saito Y., Maida M. // J. Phys. Chem. A. 1999. V. 103. P. 1291-1298

67. Saito Y., Maida M., Matsumoto T. // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V. 38. P. 159-162

68. Cumings J., Zettl A. // Chem. Phys. Lett. 2000. V. 316. P. 211-215

69. Schimizu Y., Moriyoshi Y., Komatsu S. et al. // Thin Solid Films. 1998. V. 316. P. 178-180

70. Golberg D., Bando Y., Eremets M. et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. P. 2045-2049

71. Yu D. P., Sun X. C., Lee C. S. et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 72. P.1966-1968

72. Lee R. S., Gavilett J, M. L. de la Chapelle et al. // Phys. Rev. B. 2001. V. 64. 121405

73. Golberg D., Bando Y., Kurashima K. et al. // Carbon. 1999. V. 37. P. 293-297

74. Vereshchagin V. I., Sergeev M. A., Semukhin B. S. et al. // Ref. Ind. Ceram. 2001. V. 41. P. 440^442

75. Terrones M., Benito A. M., C. Manteca-Diego et al. // Chem. Phys. Lett. 1996. V. 257. P. 576-579

76. Kohler-Redlich Ph., Terrones M., C. Manteca-Diego et al. // Chem. Phys. Lett. 1999. V.310. P. 459^162

77. Sen R., Satishkumar В. C., Govindaraj A. et al. // Chem. Phys. Lett. 1998. V. 287. P. 671-679

78. Satishkumar В. C., Govindaraj A., Harikumar K. R. et al. // Chem. Phys. Lett. 1999. V. 300. P. 473^479

79. Terrones M., Grobert N., Olivares J. et al. // Nature (London), 1997. V. 388. P. 52-56

80. Ma R. Z., Bando Y., Sato T. et al. // Chem. Mater. 2001. V. 13. P. 2965-2967

81. Ma R. Z., Bando Y., Sato T. // Chem. Phys. Lett. 2001. V. 337. P. 61-65

82. Han W., Bando Y., Kurashima K. et al. // Appl. Phys. Lett 1998. V. 73. P. 3085-3087

83. Han W., Bando Y., Kurashima K. et al. // Chem. Phys. Lett. 1999. V. 299. P.368-370

84. Golberg D., Bando Y., Han W. et al. // Chem. Phys. Lett. 1999. V. 308. P.337-340

85. Han W., Bando Y., Kurashima K. et al. //Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 1999. V. 38. P. L755-L757

86. Golberg D., Han W., Bando Y. et al. // J. Appl. Phys. 1999. V. 86. P. 2364-2367

87. Golberg D., Bando Y., Kurashima K. et al. // Chem. Phys. Lett. 2000. V. 323. P. 185-188

88. Golberg D., Bando Y, Bourgeois L. et al. // Carbon. 2000. V. 38. P. 2017-2021

89. Golberg D., Bando Y., Kurashima K. et al. // Diam. Relat. Mater. 2001. V. 10. P. 63-67

90. Golberg D., Bando Y., Kurashima K. et al. // Solid State Commun. 2000. V. 116. P. 1-7

91. Han W., Cumings J., Huang X. S. et al. // Chem. Phys. Lett. 2001. V. 346. P. 368-371

92. Stefan O, Bando Y., Loiseau A. et al. // Appl. Phys. A. 1998. V. 67. P. 107-111

93. Smith B. W., Monthioux M., Luzzi D. E. // Chem. Phys. Lett. 1999. V. 315. P. 31-35

94. Hirahara K., Suenaga K., Bandow S. et al. // Phys. Rev. Lett. 2000. V. 85. P. 5384-5387

95. Louchev O., Sato Y. //Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 194-199

96. Golberg D., Bando Y., Kurashima K. et al. // Scr. Mater. 2001. V. 44. P. 1561-1565

97. Golberg D., Bando Y, Bourgeois L. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. P. 1979-1982

98. Bando Y., Ogawa K, Golberg D. // Chem. Phys. Lett. 2001. V. 347. P. 349-351

99. Pham-Huu C., Keller N. Ehret G. et al. // J. Catal. 2001. V. 200. P. 400^03

100. Бартницкая Т. С., Олейник Г. С., Покропивный А. В. и др., // Письма в ЖЭТФ. 1999. Т. 69. С. 145-149

101. Terauchi М., Tanaka М., Suzuki К. et al. // Chem. Phys. Lett. 2000. V. 324. P.359-363

102. Bourgeois L., Bando Y., Sato T. J. //Phys. D. 2000. V. 33. P. 1902-1907

103. Бочвар Д. А., Гальперн E. Г. //Докл. АН СССР. 1973. Т. 209. С. 610-621

104. Корнилов М. Ю. // Доклады АН УССР, серия «Б». 1977. Т. 12. С. 1097-1112

105. Корнилов М. Ю. // Химия и жизнь. 1985. Т. 8. С. 22-29

106. Boustani I. //Inter. J. Quant. Chem. 1994. V. 52. P. 1081-1085

107. Boustani I. // Surf. Sci. 1997. V. 370. P. 355-359

108. Boustani I. //Phys. Rev. 1997. V. B55.16426

109. Boustani I., Quandt A. // Eur. Lett. 1997. V. 39. P. 527-533

110. Boustani I. J. // Solid State Chem. 1997. V. 133. P. 182-189

111. Boustani I., Quandt A. // Comput. Mater. Sci. 1998. V. 11. P. 132-135

112. Sabra M. К, Boustani I. // Eur. Lett. 1998. V. 42. P. 611-615

113. Boustani I., Quandt A„ Rubio A. J. // Solid State Chem. 2000. V. 154. P. 269-273

114. Boustani I., Rubio A., Alonso J. A. // Chem. Phys. Lett. 1999. V. 311. P. 21-29

115. Gindulyte A, Lipscomb W. N., Massa L. // Inorg. Chem. 1998. V. 37. P. 6544-6546

116. Ricca A., Bauschlicher C. W. // Chem. Phys. 1996. V. 208. P. 233-236

117. Gu F. L., Yang X., Tang A. C. et al. // J. Comput. Chem. 1998. V. 52. P. 1081-1085

118. Ивановский A. JL, Швейкин Г. П. Квантовая химия в материаловедении. Бор, его сплавы и соединения. // Изд-во «Екатеринбург». Екатеринбург. 1998

119. Запороцкова И. В. //Дис. канд. физ.-мат. наук. ВолгГУ. Волгоград. 1997

120. Yi J., Bernholc J. // Phys. Rev. B. 1993. V. 47. P. 1708-1711

121. Carroll D. L., Redlich P., Blase X. et al. // Phys. Rev. Lett. 1998. V. 81. P. 2332-2337

122. Blase X., Charlier J. C., A. de Vita et al. // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 83. P.5078-5081

123. Hernandez E., Ordejon P., Boustani I. et al. // J. Chem. Phys. 2000. V. 113. P. 3814-3817

124. Hsu W. K., Chu S. Y., Minoz-Picone E. et al. // Chem. Phys. Lett. 2000. V. 323. P. 572-575

125. Wang В. С., Tsai М. Н., Chou Y. М. // Synth. Met. 1997. V. 86. P.2379-2383

126. Vaccarini L., Groze C., Henrard L. et al. // Carbon. 2000. V. 38. P. 1681-1687

127. Overney G., Zhong W, Tomanek D. Z. // Phys. D. 1992. V. 27. P. 93-97

128. Yakobson В. I., Brabek C. J., Bernholc J. // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 76. P. 2511-2515

129. Treacy M. M., Ebbesen T. W., Gibson J. M. // Nature (London). 1996. V. 381. P. 678-681

130. Chopra N. G., Zettl A. // Solid State Commun. 1998. V. 105. P. 297-301

131. Barsoum M. W., Kangutkar P., Wang A. S. D. // Compos. Sci. Technol. 1992. V. 44. P. 257-263

132. Marotzke C. //Compos. Sci. Technol. 1994. V. 50. P. 393-397

133. Blase X., A. de Vita, Charlier J. C. et al. // Phys. Rev. Lett. 1998. V. 80. P. 1666-1669

134. Charlier J.C., Blase X., A. de Vita et al. // Appl. Phys. A. 1999. V. 68. P. 267-270

135. Jensen F„ Toftlund H. // Chem. Phys. Lett. 1993. V. 201. P. 89-96

136. Sun M.L., Slanina Z., Lee S.L. // Chem. Phys. Lett. 1995. V. 233. P. 279-283

137. Silaghi-Dumitrescu I., Lara-Ochoa F., Bishof P. et al. // J. Mol. Struct. (THEOCHEM). 1996. V. 367. P. 47-64

138. Fowler P. W., Heine Т., Mitchell D. et al. //J. Chem. Soc. Farday Trans. 1996. V. 92. P. 2197-2200

139. Seifert G., Fowler P. W., Mitchell D. et al. // Chem. Phys. Lett. 1997. V. 268. P. 352-358

140. Fowler P. W., Rogers К. M., Seifert G. et al. // Chem. Phys. Lett. 1999. V. 299. P. 359-367

141. Rogers К. M., Fowler P. W., Seifert G. // Chem. Phys. Lett. 2000. V. 332 N. 43. P. 250-255

142. Hirano Т., Oku Т., Suganuma K. Diam. // Relat. Struct. 2000. V. 9. P.625-631

143. Bettinger H. F., Dumitrica Т., Scuseria G. E. et al. // Phys. Rev. B. 2002. V. 65. P. 1406-1410

144. Sheichenko D. M., Pokropivny A. V., Pokropivny V. V. // Semiconductor Physics, QuantumElectronics & Optoelectronics. 2000. V. 3. N. 4. P. 545-549

145. Zandler M. E., Behram E. C., Arrasmith M. B. et al. // J. of Mol. Struc. (THEOCHEM). 1996. V. 362. P. 215-224

146. Wu H.-S., Cui X.-Y., Xu X.-H. // J. of Mol. Struc. (THEOCHEM). 2005. V. 717. P. 107-109

147. Miyamoto Y., Cohen M. L., Louie S. G. // Phys. Rev. B. 1995. V. 52. 14971

148. LaFemina J. P. //J. Phys. Chem. 1990. V. 94. P. 4346-4353

149. Miyamoto Y., Rubio A., Cohen M.L. et al. // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. P. 4976-4980

150. Rubio A., Miyamoto Y., Blase X. et al. // Phys. Rev. B. 1996. V. 53. P. 4023-4030

151. Blase X., Charlier J.C., A. de Vita et al. // Appl. Phys. A. 1999. V. 68. P. 293-297

152. Blase X. // Comput. Mater. Sci. 2000. V. 17. P. 107-111

153. Чернозатонский Л. А. //Хим. Физика. 1997. Т. 16. С. 78-83

154. Chernozatonskii L.A., Shimkus Ya. К., Stankevich I. V. // Phys. Lett. A. 1998. V. 240. P. 105-113

155. Chernozatonskii L.A., Gal'pern E. G., Stankevich I.V. et al. //Carbon. 1999. V. 37. P. 117-123

156. Blase X., Charlier J.C., A. de Vita et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 70. P. 197-199

157. Lammert P. E., Crespi V. H., Rubio A. // Phys. Rev. Lett. 2001. V. 87. P. 6402-6409

158. Hernandes E., Goze C., Bernier P. et al. // Appl. Phys. A. 1999. V. 68. P. 287-292

159. Jishi R. A., White С. Т., Mintmire J. W. // J. Phys. Chem. B. 1998. V. 102. P. 1568-1571

160. Tang С. C., Fan S. S., Li P. et al. // Mater. Lett. 2001. V. 51. P. 315-319

161. Ma R.Z, Bando Y, Sato T. et al. // Chem. Phys. Lett. 2001. V. 350. P. 434-437

162. Guo J. D., Zhi C. Y., Bai X.D. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 80. P.124-126

163. Nath M, Mukhopadhaya К., Rao С. N. R. // Chem. Phys. Lett. 2002. V. 352. P. 163-165

164. Кузьмин С. M., Боровков Н. Ю., Колкер А. М. и др. // ЖПХ, 2005. Т. 78. С. 566-571

165. Миркин JI. И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. //М. Физматиздат. 1961

166. Справочник констант элементарных процессов с участием атомов, ионов, электронов, фотонов. Егоров B.C., Толмачев В.А., Ключарев А.Н. и др., под ред. А. Г. Жиглинского // СПбГУ. 1994

167. Lovinger A. J, Gais R. Е. // Macromolecules. 1984. V. 17. Р. 1939-1943

168. Лукьянович В. М. Электронная микроскопия в физико-химических исследованиях. //М. Издательство Академии наук. 1960

169. Юинг Г. Инструментальные методы химического анализа. // М. Мир. 1989

170. Лебедева В. В. Техника оптической спектроскопии. // М. Издательство Московского университета. 1977

171. Зайдель А. Н., Островская Г. В., Островский Ю. И. Техника и практика спектроскопии. // М. Наука. 1976

172. Миркин Л. И. Рентгеноструктурный анализ. Индицирование электронограмм. // М. Наука. 1981

173. Powder diffraction file. Inorganic. Publication SMF-27 // Published by the JCPDS-International Center for Diffraction Data. Pennsylvania. 1977

174. Mirkarimi P. В., McCarty К. F., Medlin D. L. // Materials Science and Engeneering. 1997. V. R21. P. 47-100

175. Verwoerd W. S. // Thin Solid Films. 1997. V. 300. P. 78-83

176. Feldermann H, Ronning C., Hofsass H. et al., // J. Appl. Phys. 2001. V. 90. N7. P. 3248-3254

177. Han W.-Q., Mickelson W., Cumings J. et al. // Appl. Phys. Let. 2002. V. 81. N6. P. 1110-1112

178. Kurooka S., Ikeda Т., Suzuki M., et al. // Diamond and Related Materials 2003. V. 12. P. 1122-1126

179. Wang X., Xie Y., Guo Q. // Chem. Commun. 2003. V. 35. P. 2688-2689

180. Батсанов С. С., Блохин Г. Е., Дерибас А. А. // Журн. структ. хим. 1965. Т. 6. С. 227-232

181. Wang J. В., Zhong X. L., Zhang С. Y. et al. // J. Mater. Res. 2003. V. 18. P. 2774-2779.

182. Гавронская Т. Ю., Белоусов М. Б., Гомон Г. О. и др. // Тр. ВНИИМАШ. Ленинград. 1975. С. 26-30.

183. Brame E.G., Margrave J. L., Meloche V. W. // J. Inorg. Nucl. Chem. 1957. V. 5, P. 48-52.

184. Mutsukura N, Akita K. // Thin Solid Films. 1999. V. 349. P. 115-119

185. Покропивный В. В., Смоляр А. С., Покропивный А. В. // Физика твердого тела. 2007. Т. 49. Вып. 3. С. 562-568