Получение и анализ газочувствительных и фоточувствительных наноструктурированных слоев на основе халькогенидов и оксидов элементов IV группы тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Ахмеджанов, Анвар Толмасович

• Ахмеджанов, Анвар Толмасович
• кандидат технических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат технических наук Ахмеджанов, Анвар Толмасович

ВВЕДЕНИЕ

1. Газочувствительные и фоточувствительные поликристаллические структуры па основе халькогенидов и оксидов элементов 1Угруппы (обзор литературы)

1.1. Физико-химические свойства халькогенидов свинца

1.2. Модельные представления о контактных явлениях на границе «металл-полупроводник» и границах зерен

1.3. Физико-химические свойства SnC>

1.4. Электрические свойства диоксида олова

1.5. Физические основы работы адсорбционных газочувствительных датчиков на основе диоксида олова

1.6. Выводы

2. Основные методы и методики и исследования полупроводниковых структур

2.1. Измерения газочувствительности слоев SnC>2, полученных путем окисления на воздухе

2.2. Методика измерения толщины слоев

2.3. Методика проведения фазового анализа и исследования структурного совершенства пленок Sn02 и РЬХ

2.4. Методика измерения эффекта Холла

2.5. Методика измерения коэффициента термо-ЭДС 5Q

2.6. Методика измерения фотоэлектрических и вольт-амперных характеристик

2.7. Методика анализа топологии поверхности методом атомно- силовой микроскопии

2.8. Исследование структур методом низкочастотного ^ структурного внутреннего трения

2.9. Выводы

3. Получение и исследования газочувствительных слоев диоксида олова с управляемым значением и полярностью аналитического отклика

3.1 .Особенности получения газочувствительных слоев ^д диоксида олова с управляемым значением аналитического отклика

3.2. Анализ газочувствительных слоев диоксида олова

3.3. Модель формирования аналитического отклика

3.4. Анализ влияния отжига в динамическом вакууме на g j свойства диоксида олова

3.5. Технология изготовления газового датчика на основе Qn Sn

3.6. Эксплуатационные характеристики газового датчика

3.7. Выводы

4. Влияние состояния границы раздела металл-халькогенидов ^ свинца на фотоэлектрические свойства барьерных структур

4.1. Методика формирования структур металл- ^ полупроводник

4.2. Влияние состояния поверхности на вольт-амперные и фотоэлектрические характеристики структур In/РЬТе и 99 In/PbSe

4.2.1. Вольт-амперные характеристики контактов In- qq РЬТе У

4.2.2. Фотоэлектрические характеристики структур , In/PbTe и In/PbSe

4.3. Особенности границы раздела In/я-РЬТе и jq^ построение модели работы структуры

4.3.1. Определение параметров вольт-амперных jq^ характеристик

4.3.2. Расчет физических параметров, I Qg характеризующих границу раздела

4.3.3. Особенности вольт-амперных характеристик, j обусловленные наличием инверсного слоя

4.3.4. Анализ механизмов токопротекания через j j у контакт In/PbTe

4.4. Обнаружительная способность структур In/PbTe

4.5. Выводы

5. Получение и анализ наноструктурированных слоев салькогенида свинца

5.1. Физико-технологические особенности получения слоев

5.2. Термодинамический анализ процесса образования j ^ собственных оксидов РЬТе и SnTe при термическом окислении

5.3. Сравнение методик для характеризации наноструктуированных фоточувствительных слоев селенида 138 свинца

5.4. Исследование поверхности поликристаллических слоев j ^q селенида свинца методом туннельной микроскопии

5.5. Исследование топологии поверхности методом атомно-силовой микроскопии слоев

5.6. Исследование слоев РЬТе(С1) методом низкочастотного структурного внутреннего трения

5.7. Сканирующая электронная микроскопия j ^ поликристаллических слоев халькогенидов свинца

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение и анализ газочувствительных и фоточувствительных наноструктурированных слоев на основе халькогенидов и оксидов элементов IV группы»

Поликристаллические оксиды и халькогениды элементов 4 группы являются традиционными материалами для газочувствительных сенсоров (диоксид олова) и фотоприемников ИК-диапазона (халькогениды свинца)

В настоящее время проводятся интенсивные разработки по получению сенсорных устройств нового поколения на основе наноструктуированных материалов. Уменьшение размеров зерен приводит к возрастанию роли поверхности и межзеренных границ. Возникают принципиально новые свойства материалов, обусловленные так называемыми критическими размерами.

Фоточувствительность наблюдается только в нанокомпозиционных материалах, в которых в процессе сенсибилизации образуются собственные оксидные фазы, формирующие туннельно прозрачные межзеренные барьеры с высотой, зависящей от плотности поверхностных состояний концентрации носителей заряда и адсорбции газовых молекул из окружающей среды.

Таким образом работа приборов на основе как широкозонных металлооксидов (SnCb, и др.), так и узкозонных халькогенидов свинца с широкозонными межзеренными прослойками в значительной степени определяется процессами адсорбции-десорбции. До настоящего времени многие вопросы о механизмах газочувствителыюсти и фоточувствительности остаются дискуссионными, многочисленные модельные представления противоречат друг другу.

Некорректность многих предложенных моделей связана с игнорированием многовариантности решения задач обеспечения газочувствителыюсти и фоточувствительности и отсутствием развитых методик прямого анализа состава и свойств на поверхности анализируемых объектов. Из выше изложенного следует, что тема диссертационной работы, посвященная получению и анализу наноструюурированных композиционных слоев на основе халькогенидов и оксидов элементов IV группы для газочувствительных и фоточувствительных сенсоров нового поколения, является актуальной и представляет научный и практический интерес.

Целью данной диссертационной работы: являлась разработка комплекса методик для диагностики наноструктурированных объектов, развитие модельных представлений о механизме формирования сенсорных свойств и разработка новых приборов с более высокими техническими характеристиками (селективность, чувствительность, стабильность)

Научная новизна работы состоит в следующем:

Разработаны физические основы получения новых датчиков на основе газочувствительных слоев диоксида олова, обеспечивающих управление величиной и знаком аналитического сигнала при воздействии газов. Проведены экспериментальные исследования, реализующие эти данные.

Развиты модельные представления об изменении аналитического сигнала в газочувствительных слоях в зависимости от размеров зерен и концентрации носителей заряда. Разработана методика получения слоев диоксида олова в условиях низкого вакуума, позволяющая варьировать величиной и знаком аналитического отклика при воздействии паров изобутилового спирта.

Методами атомно-силовой микроскопии, электронной микроскопии, рентгеновского дифракционного анализа и методом внутреннего трения изучены особенности образования микро и нановыделений в поликристаллических слоях халькогенидов свинца, легированных хлором и висмутом.

Установлены закономерности изменения состава промежуточных оксидных фаз в пленках оксида свинца

Практическая значимость работы заключается в следующем:

Развиты модельные представления о газочувствительности металлооксидных пленок, обеспечивающих возможность целенаправленного управления газочувствительными свойствами, путем выбора параметров структур.

Получены макетные сенсорные образцы SnQ с разнополярным сигналом при воздействии парами изобутилового спирта, что предствляет интерес для схемотехнического решения по созданию приборов с высокой селективностью на данный детектируемый газ.

Разработаны технологические приемы варьирования составом оксидных фаз в поликристаллических слоях халькогенидов свинца и комплекс методик для эффективного контроля процессов изготовления фоточувствительных датчиков. Полученные результаты по этой части диссертационной работы внедрены в ОАО «РНИИ Электронстандарт».

Научные положения выносимые на защиту:

1. Получение диоксида олова методом термического вакуумного напыления олова с последующими режимами, низкотемпературного (483К) и высокотемпературного отжига(898К), обеспечивает управление значением и знаком газочувствительности путем вариации концентрации легирующей примеси.

2. Предложенная модель механизмов формирования газочувствительности, основанная на представлениях энергетического положения адсорбционных центров молекул газа-реагента относительно положения уровня Ферми в объеме зерна, адекватно описывает механизмы формирования аналитического отклика во всех видах сенсорных структур, в том числе и с «аномальным» знаком изменения сопротивления при воздействии газа-реагента, а также удовлетворительно согласуется с экспериментально установленными временными характеристиками восстановления сопротивления датчика после воздействия газа-реагента.

3. Термообработка в динамическом вакууме в течение 30 минут при 773К является эффективным технологическим приемом для повышения газочувствительности и газочувствительных свойств после деградации.

4. Методики на основе метода (сканирующей туннельной микроскопии, локальной туннельной спектроскопии и внутреннего трения) позволяют осуществлять анализ образования межзеренных диэлектрических прослоек, определять их толщину и энергетические параметры (ширину запрещенной зоны), а также оценивать состав нановыделений, образующихся в процессе сегрегации на поверхности зерен. Эта информация обеспечивает оптимизацию температурно-временных режимов для получения фоточувствительных слоев.

Апробация работы:

Материалы диссертационной работы докладывались на:

• II Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» С.-Петербург, ФТИ РАН 2000 г.

• Девятой международной конференции « Физика диэлектриков» (Диэлекгрики-2000), С.-Петербург, РПГУ им АИГерцена, 2000 г.

• 18 Совещании по температуроустойчивым функциональным покрытиям. Тула, ТПУ им. Л.Н. Толстого 2001 г.

• Всероссийской научной конференции «Физика полупроводников и полуметаллов» (ФПП-2002). РПГУ им. А.И. Герцена С.-Петербург, 2002 г.

• 1, 2, 5 Всероссийских молодежных научных конференциях по физике полупроводников и полупроводниковой огтто- и наноэлектронике, С.-Петербург. СПбГПУ, 1998-2003 гг.;

• 2,3,4,5,6,7 Научных молодежных школах по твердотельной электронике. С.-Петербург, СПбГЭТУ (ЛЭШ) в 1999-2004гг.

• Всероссийской конференции «Функциональные материалы и структуры для сенсорных устройств» Москва, 1999 г.

• а также на научно-технических конференциях проф-преподавательского состава СПбГЭТУ (ЛЭШ) и научно-технических семинарах в ИХС РАН, РГПУ им. А. И. Герцена и др.

Публикации:

Результаты диссертации опубликованы в 19 печатных работах, из них 2 научные статьи и тезисы к 17 докладам международных, всероссийских научно-технических конференциях, семинарах и школах. Структура и объем диссертации:

Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения, изложенных на 171 страницах, и включает 54 рисунков, 15 таблиц и список литературы из 144 наименований. В первой главе приведен литературный обзор по теме диссертации. Во второй главе рассмотрены основные методы и методики, использованные при исследованиях по теме диссертации.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Ахмеджанов, Анвар Толмасович

5.8 Выводы:

1. Разработан комплекс методик, позволяющих оценить структуру и состав зерен, а также геометрию их контактов.

2. Методом туннельной спектроскопии установлен характер изменения проводимости внутри зерен и на их границе.

3. На основе метода внутреннего трения разработана методика, обеспечивающая контроль состава нановыделений на поверхности зерен.

4. С помощью метода электронной микроскопии установлены режимы получения сетчатых структур фоточувствительных слоев на основе PbSe.

5. Разработанные технологические режимы получения и обработки слоев PbSe, а также методики контроля и диагностики внедрены в ОАО «РНИИ Электронстандарт».

156

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Экспериментально обнаружен эффект изменения знака газочувствительности по отношению к изобутиловому спирту при формировании сенсорных слоев методом термического вакуумного напыления в условиях низкого вакуума

2. Развиты модельные представления, объясняющие механизмы формирования аналитического отклика. Наблюдаемые экспериментальные зависимости качественно описываются системой квазихимических уравнений в предположении недостаточности, концентрации хемосорбированных молекул газа-сенсибилизатора (кислорода) для установления равновесия с объемом зерна При этом знак и величина аналитического отклика определяются энергетическим положением адсорбируемой молекулой детектируемого газа относительно уровня Ферми в объеме зерна Получены сенсорные слои с аналитическими откликами разного знака

3. Разработаны технологические режимы, обеспечивающие получение газочувствительных слоев на основе диоксида олова с заданными знаками аналитического отклика Сформулированы рекомендации по повышению селективности к детектируемому газу.

4. Измерены кинетические характеристики восстановления сопротивления датчиков после воздействия изобутилового спирта (с концентрацией ЮООррм). Установлено, что характеристические времена для чувствительных слоев с разным механизмом формирования аналитических откликов отличаются на порядок, что согласуется с предложенной моделью.

5. Показано, что термообработка в динамическом вакууме является эффективным технологическим приемом, обеспечивающим повышение газочувствительности и восстановление газочувствительных свойств после деградации. Оптимальное значение температуры термообработки 500 °С. При этом газочувствительность возрастает в несколько раз.

6. Предложена модель, объясняющая деградацию свойств из-за хемосорбции молекулами газа донорного типа (водяные пары, которые при рабочих температурах сенсора не десорбируются ). Установлено, что при хранении на воздухе деградация свойств происходит за 2-3 недели, восстановлеше свойств может быть проведено в течение 30 минут в динамическом вакууме при 500 °С. При более высоких температурах сказывается десорбция кислорода и ухудшение газочувствительных свойств.

7. Методом рентгенометрии установлено температурные закономерности образования оксидных фаз при окислении напыленных слоев олова в условиях низкою вакуума Научно обоснованы режимы низкотемпературного (210 °С), и высокотемпературного (625 °С) отжига.

8. Предложена модель формирующейся структуры, представляющая из себя комбинацию последовательно включенным слоев металла, диэлектрического слоя, состоящего из окисных фаз, образованного вследствие диффузии инверсного слоя халькогенида р-типа электропроводности и пленки халькогенида «-типа электропроводности. Показано, что в рамках предложенной модели результирующая вольт-амперная характеристика будет представлять из себя комбинацию, как минимум двух, последовательно включенных выпрямляющих структур с различными параметрами. Установлено, что образование промежуточных диэлектрических слоев на границе раздела металл - теллурид свинца происходит в результате даже кратковременного контакта поверхности пленки с атмосферой при комнатной температуре.

9. На снове анализа в рамках термоэмиссионной теории Бете экспериментальных вольт-амперных характеристик структур, изготовленных в различных технологических условиях (различные толщины окисленного слоя на поверхности пленки), определены высоты барьеров, коэффициенты идеальности ВАХ и плотности поверхностных состояний на границе раздела и установлены зависимости этих параметров от толщины окисленного слоя. Выполнена оценка толщины образующегося диэлектрического слоя, которая для структур различного типа варьируется от 40 до 80 нм.

10. Предложен комплекс методик для анализа наноструюурированных слоев халькогенидов свинца с тонкими диэлектрическими прослойками. Методики использованы при разработке технологических режимов сенсибилизации фоточувствительных слоев. М

11. Методом туннельной микроскопии и локальной туннельной спектроскопии \( оТ позволяет определить толщину межзеренных прослоек и энергетические параметры (ширины запрещенной зоны, образующегося потенциального барьера). Полученные экспериментальные результаты свидетельствуют о возникновении оксидной прослойки с шириной запрещенной зоны 2эВ, что по литературным данным соответствует оксиду свинца. Предложена методика контроля состава нановыделений на поверхности зерен на основе снятия температурных зависимостей внутреннего трения. Полученные результаты хорошо согласуются с данными ЭМ и сканирующей атомно-силовой микроскопии.

12. Предложен комплекс методик внедренных в РНИИ «Электронстандарт» (г.С.-Петербург) и использован при получении наноструктуированных фоторезистивных фоторезисторов на основе селенида свинца с фоточувствительностью более 50% и быстродействием 10 мкс.

159

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Ахмеджанов, Анвар Толмасович, 2006 год

1. Абрикосов Н.Х., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений A1.BVI. М.: Наука, 1975.

2. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. М.: Наука, 1968.

3. Зломанов В.П., Новоселова А.В. Р-Т-х диаграммы состояния систем металл-халькоген. М.: Наука, 1987.

4. Бестаев М.В., Ильин С.Ю., Мошников В.А. Современные полупроводниковые и жидкокристаллические устройства отображения информации. Владикавказ. Изд-во Сев.-Осетинского гос. ун-та,2000.

5. Сорокин B.C., Мошников В.А., Разбегаев В.Н. Инжекционные лазеры. СПб.: СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 1999

6. Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь, 1990.

7. Земел Дж.Н. Эпитаксиальные пленки халькогенидов свинца и родственных соединений. В кн. Поверхностные свойства твердых тел / Под ред. М. Грина, М.: Мир, 1972.

8. Holloway Н., Logothetis Е.М. Hight-mobility epitaxial layers of PbTe and Pb.xSnxTe prepared by post-growth annealing / J. of Appl. Phys. v. 42, № 11, 1971, p. 4522-4525.

9. Sloope B.W., Tiller C.O. Electrical properties of epitaxial Ge films deposited on (111) CaF2 substrares / J. of Appl. Phys. v.38, № 1, 1967, p. 140-148.

10. Ramey R.L., McLennian W.D. Charge-carrier mobility in polycrystalline semiconducting films based on bulk single-crystall theory / J. of Appl. Phys., v. 38, №9, 1967, p. 3491-3494.

11. Kamins T.I. Hall mobility in chemically deposited polycrystalline silicon. / J. of Apll. Phys. v. 42, № 11, 1971, p. 4357-4365.

12. Франкомб М.Ф., Джонсон Дж.Е. Получение и свойстваполупроводниковых пленок. В кн. Физика тонких пленок, Т.5 / Под общ. ред. Г. Хасса и Р. Э. Туна. М.: Мир, 1972.

13. Vaya P.R., Majhi J., Gopalam B.S.V., Dattarreyan C.D. Thickness Dependence of Hall Mobility of HWE Grown PbTe Films / Phys. stat. sol. (a) v. 87, 1985, p. 341-350.

14. Берченко H.H., Заридзе Д.Ш., Матвеенко A.B. Формирование барьеров Шоттки и гетероструктур в халькогенидах свинца и твердых растворах на их основе / Зарубежная Электронная Техника, 1979. № 4. С. 34-51.

15. Трофимов В.Т., Селиванов Ю.Г., Чижевский Е.Г. Фотопроводимость тонких эпитаксиальных слоев селенида свинца / ФТП, 1996, Т. 30, № 4, С. 755-763.

16. Walpole J.N., Nill K.W. Capacitance-Voltage Characteristics of Metal Barriers on p-РЬТе and p-InAs: Effects of the Inversion Layer / J. of Appl. Phys. 1971, v. 42, № 13, p. 5609-5617.

17. Гришина Т.А., Драбкин И.А., Костиков Ю.П., Матвеенко А.В., Протасова Н.Г., Саксеев Д.А. Оже-спектроскопическое исследование процессов на границе металл-полупроводник в системе In-Pbi.xSnxTe / Неорганические Материалы, 1982, Т. 18, № 10, С. 1709- 1713.

18. Гришина Т.А., Драбкин И.А., Костиков Ю.П., Матвеенко А.В., Саксеев Д.А. Взаимодействие термически напыленного In с РЬТе и РЬо,77$По,2зТе / Неорганические Материалы, 1987, Т. 23, № 11, С. 1839-1842.

19. Берченко Н.Н., Евстигнеев А.И., Ерохов В.Ю., Матвеенко А.В. Свойства поверхности узкозонных полупроводников и методы их защиты / Зарубежная Электронная Техника, 1981, № 3, С. 3-68.

20. Стриха В.И. Расчет вольт-амперной характеристики прижимного контакта металл-полупроводник с учетом пленки окисла / Радиотехника и Электроника, 1964, № 4, С. 681-687.

21. Стриха В.И., Бузанева Е.В., Радзиевский И.А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (физика, технология, применение) / Под ред. В.И. Стрихи. М.: Сов. Радио, 1974 с.

22. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник. М.: Радио и связь, 1982.

23. Физические величины: Справ. / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Михайлова. М.: Энергоатомиздат, 1991.

24. Гришина Т.А., Берченко Н.Н., Годердзишвили Г.И., Драбкин И.А., Матвеенко А.В., Мхеидзе Т.Д., Саксеев Д.А., Третьякова Е.А. Поверхностно-барьерные структуры с промежуточным слоем на Pbo,77Sno,23Te / ЖТФ, 1987, Т. 57, № 12, С. 2355-2390.

25. Акимов Б.А., Богданов B.A., Богоявленский B.A., Рябова Л.И., Штанов В.И. Свойства диодных структур на основе p-PbTe(Ga) / ФТП, 1997, Т. 31, № 12, С. 1431-1435.

26. Гришина Т.А. Изучение процессов формирования барьерных структур на основе Pbi.xSnxTe и исследование их электрических и фотоэлектрических характеристик: Автореф. дисс. канд. физ.-мат. наук / ЛЭТИ, Ленинград, 1989, 12 с.

27. Берченко Н.Н. Объемные и поверхностные несовершенства в узкощелевых полупроводниках AHBVI и A,vBv': Автореф. дисс. д-р физ.-мат. наук / Киев ИП АНУ, 1991, 33 с.

28. Hagstrom A.L., Fahlman A. The Interaction between Oxigen and Lead Chalcogenides at Room Temperature Studied by Photoelectron Spectroscopy / Application of Surface Science (1), 1978, p. 455-470.

29. Давыдов С.Ю., Мошников B.A., Томаев B.B. Полупроводниковые адсорбционные датчики Владикавказ: Изд-во Сев-Осетинского гос. ун-та. 1998

30. Вайнштейн В.М., Фистуль В.И. Широкозонные окисные полупроводники.//Итоги науки и техники. Серия: Электроника и ее применение. -1973. -Т.4, -С. 108-152.

31. Хансен М., Андерко Р. Структуры двойных сплавов.// М.: Металлургия, 1962.

32. Бурбулевичус Л.И., Вайнштейн В.М. Исследование структурных, электрических и оптических свойств пленок Sn02 и 1п203. // Известия АН СССР. Неорганические материалы. -1969. -Т.5 N 3. - С.551-554.

33. Кузнецов А. Я. Полупроводниковая двуокись олова // ФТТ. -1960. -Т.П.-N.1. -С.35-40.

34. Houston J.Е., Kohnke Е.Е. Optical Quenching of Photoconductivity in Single Crystal of Stannic Oxide // J. Appl. Phys. -1966. -V.37. -P.3083-3088.

35. Koch H. Zum optischen Verhalten halbleitender Zinndioxydschichen im nahen ultrarot bei Zimmertemperatur.// Phys. Stat. Sol. 1963. - N 3. -P.1619-1622.

36. Крёгер Ф. Химия несовершенных кристаллов.// М.: Иностр. лит-ра., -1969, 654с.

37. Бестаев М.В. Оксиды и халькогениды элементов 4 группы: получение исследование и применение. Автореферат дис. д. т.н. СПб.: СПбГЭТУ (ЛЭТИ), 1999.

38. Астафьева Л.В., Скорняков Г.П. Электрическая активность примесей в диоксиде олова// Н.М. 1981.- т.17, N 9.- С.1637-1643.

39. Madou M.J., Morrison S.R. Chemical sensing with solid state devces.-London: Academic, 1991.-556p.

40. Semiconductor sensors in physico-chemical studies/ Ed. L.Yu. Kupriyanov-Amsterdam: Elsevier, 1996.-400p.

41. Волькенштейн Ф.Ф.-Физико-химия поверхности полупроводников. -М.: Наука, 1973.-400с.

42. Weisz Р.В. Effects of electronic charge transfer between adsorbate and solid on chemisorpiton and catalysis//J.Chem. Phys.-1953.-Vol.21, №9.-P. 1531-1538.

43. Хауффе К. Реакции в твердых телах и на их поверхности. 4.1-М: ИЛ, 1962.-415с.

44. Geistlinger H. Electron theory of thin-film gas sensors// Sensors and Actuators B.-1993.-Vol.l7.-P.47-60.

45. Киселев В.Ф., Крылов O.B. Электронные явления в адсорбции катализе на полупроводниках и диэлектриках.- М: Наука , 1979.-234с.

46. Kirner U.,Schierbaum K.D.,Gopel W. Low and high temperature Ti02 oxygen sensors// Sensors and Actuators B.-1990.-Vol. 1.-P.103-107.

47. Gardner J.W. A non-linear diffusion-reaction model of electrical conduction in semiconductor gas sensors// Senors and ActuatorsB.-1990.-Voll.-P. 166-170.

48. Windischman H., Mark P. A model for operation of thim-film SnOx conductance-modulation carbon monoxide sensor // J. Electrochem. Soc.-1979.-Vol. 126, №4.-P.627-633/

49. Heiland G. Homogeneous semicoducting gas sensors// Sensors and Actuators.-1982.Vol.2.-P. 343-361.

50. Morrison S.R. Semiconductor gas sensors// Sensors and Actuators.-1982.Vol.2.-P.329-341.

51. Yamamoto N., Tonomura S., Matsuoka T. A study of a palladium-titanium oxide Schottky diode as a detector for gaseous compounds// Surface Sci.-1980.-Vol.92.-P.400-406.

52. Lampe U., Miller Y. Thim-film oxygen sensors made of reactive sputtered ZnO// Senors and ActuatorsB.-1989.-Vol8.-P.259-284.

53. Lundstrom I. Hydrogen sensitive MOS-structures. Part l:Principles and applications// Senors and ActuatorsB.-1981.-Vol. l-P.403-426.

54. Sanjines R., Lewi F., Demarne V. Some Aspect of the International of Oxygen with Polycristallin SnOx Thin Films // Senors and ActuatorsB.-1990,-Vol 1.-P.176-182

55. Watson J. A note on the electrical characterization of solid-state gas sensors // Senors and Actuators B.-1992.-Vol 8.-P.173-117.

56. Samson S., Fonstadt C.G. Defect structure and electronic levels in stannic oxide crystals // J.Appl. Phys.-1973.-Vol.44.-P.4618.

57. Ворошилов С.А. Формирование тонких пленок оксида олова методом реактивного распыления и исследование их газочувствительности : Дисс. к.ф.-м.н.-Саратов, СГУ 1998.

58. Sberveglieri G., Coccoli G., Bennusi P. Electrical studies on oxygen ionosorpiton at ambient pressure on Sn02 (In) thin films // Appl. Surf. Sci.-1989.-Vol.40.-P.169-174.

59. Interaction of tin oxide surface with 02, H2 О and H2 / N.Yamazoe, J. Fuchigami, M. Kishikawa, T. Seiyama// Surf. Sci.-1979.-Vol.86.-P.335-344.

60. Monte-Carlo caicuiation of the thermolization of atoms sputtered from the cathod of a sputtering discharge /G.M. Turner,I.S. Falconer, B.W.Jemet, D.R. McKenzie // J. Appl. Phys.-1989.-Vol.65,№ 9.-P.3671-3679.

61. Lantto V., Romppinen P Electrical studies on the reactions of CO with different oxygen species on Sn02 surfaces // Surf. Sci.-1987.-Vol. 192. №i.p.243-264.

62. Добровольский Ю.А., Калинников Г.В. Хемосорбция кислорода оксидными электродами на основе Sn02 в твердых электролитах. Электрохимия.-1992.-Т28, вып. 10.-С.1567-1575.

63. Сох D.F., Fryberger Т.В., Semancik S. Oxygen vacancies and defect electronics states on the Sn02 (110)-lxl surface // Phys. Rev.B.-1988. Vol.38.-P.2072-2083.

64. Egdell R.G., Eriksen S., Flavell W.R. Oxigen deficient Sn02 (110) and Ti02 (110): a comparative study by photoemission // Solid State Commun.-1986.-Vol.60.-P.835-838.

65. Egdell R.G., Eriksen S., Flavell W.R. A spectroscopic study of electron and ion beam reduction of Sn02 (110) // Surf. Sci.-1987.-Vol. 192. -P.265-274.

66. De Fresart E., Darville G., Gilles J.M. Influence of the surfsce reconsruction on the work function and surface conductance of (110) Sn02 //Appl. Surf. Sci.-1982.-Vol.l 1-12. -P.637-651.

67. Robertson J.Defect levels of Sn02 // Phys. Rev.- 1984.-Vol.30, №6.-P. 35203522.

68. Erickson J.W., Semancik S. Surface conductivity in Sn02 (110): effects of oxygen//// Surf. Sci. Lett.-1987.-Vol. 187. -P.L.658-L668

69. Shelef M. Nitric oxide: surface reactions and removal from auto eshaust Catal. Rev. Sci. Eng.-1975.-Vol 11,№ 1 .-P. 1-40.

70. Heiland G., Kohl D. Psisical and chemical aspects of oxidic semiconductor gas sensors. Chemical sensor technology. Vol. 1/ By ed. T. Seiyama.-Amsterdam: Elsevier, 1988.-P. 15-39.

71. Freberger T.B., Semancik S. Conductance response of Pd Sn02 (110) model gas sensors to H2 and 02 // Sensors and Actuators В.-1990.-Vol. 2.-P. 305-309.

72. Zemel J.N. Theoretical description of gas-film interaction on SnOx // Thim Solid Films.- 1988.-Vol. 163.-P. 139-202.

73. Chang S.C., Hicks D.B. Fundamentals and Applications of chemical sensors /By ed D. Schuetle, R. Hammerle- Washington: American Chemical Society, 1986.-P.58.

74. Temperature dependencies of sensitivity and surface chemical composition of Sn02 gas sensors / G. Gaggiotti, A. Galdikas, S. Kaciulis et. A1 // Sensors and Actuators B.-1995.-VoJ. 25, №l-3.-P.516-519.

75. Gopel W. Chemisorsorption and change transfer at ionic semiconductor surfaces //Progr. Surface Sci.-1985.-Vol.20-P. 9-103.

76. H.Mitsudo. Ceramics for gas and Humidity sensors. Part 1 // Ceramics.-1980.-Vol.l5.-P.339-345.

77. Tin dioxide gas sensor. Part 1.-Aspect of the surface chemistry revealed by electrical conductance variations /J.F. McAleer, P.T. Moseley, J.O.W. Norris, D.E. Williams//J.Chem. Soc.,Faraday Trans. 1.-1987.-Vol.83. P.1323-1346.

78. Study on the sensing mechanism of tin oxide flammable gas sensors using the Hall effect /М. Ippommatsu, H. Ohnishi, H. Sasaki, T. Matsumoto Appl. Phys.-1991.-Vol. 69, №12.- P.8368-8374.

79. Morrison S.R. Measurement of surface state energy levels of one-equivalent adsorbates on ZnO/Surface Sci.-1971.-Vol.27.-P.586-604

80. Ogawa H., Nishikawa M., Abe A. Hall measurement studies and electrical conductive model of tin oxide ultrafine particle films // Appl. Phys.-1982.-Vol. 53.-P.4448-4454.

81. Yamazoe N., Miura N. Some basic aspects of semiconductor gas sensors. In: Chemical Sensor Technology / Ed. S. Yamauchi Amsterdam: Elsevier ,1992.-Vol.4.-P. 19-41.

82. Cha K.H., Park H. C., Kim K.H. Effect of palladium doping and film thickness on the conductance of Sn02 thin films // Appl. Phys. Let.-2000.- Vol.76, №17.-P.2391-2393.

83. Kissine V.V., Sysoev V.V.,Voroshilov S.A. Individual and collective effects of oxygen and ethanol on the conductance of Sn02 thin films // Appl. Phys. Let.-2000.-Vol.21, № 2.-P.2391-2393.

84. Влияние адсорбции кислорода на проводимость тонких пленок оксида олова /В.В. Кисин, В.В. Сысоев, С.А. Ворошилов, В.В. Симаков// ФТП.-2000.-Т.34, вып.З. —С.314-317.

85. Kissine V.V., Sysoev V.V.,VoroshiIov S.A. Conductivity of SnC>2 thin films in the presence of surface absorbed spesied // Sensors and Actuators B. 2001.-Vol.79, №2-3.-P. 162-169.

86. Жабрев B.A. , Мошников B.A., Таиров Ю.М., Федотов A.A. Шилова O.A. Золь-гель-технология: Учеб. Пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2004

87. Бестаев М.В., Димитров Д.Ц., Ильин А.Ю. и др. Исследование структуры поверхности слоев диоксида олова для газовых сенсоров атомно-силовой микроскопией/ФТП, 1998, т.32, № 6, с.654-657

88. Ахмеджанов А.Т., Бестаев М.В. Управление адсорбционными характеристиками сенсоров на основе Sn02-X. II Научная молодежная школа «Поверхность и границы раздела структур микро-и наноэлектроники» С.Петербург, 2-4 ноября 1999, Тез. докл. с.29.

89. Ахмеджанов А.Т., Уткина Л.А. Получение и анализ газочувствительных покрытий на основе диоксида олова, сформированных методом пиролиза/ Молодежная научная конференция, С.-Петербург, 16-17 декабря 1999, Тез. докл. с. 21

90. Ахмеджанов А.Т. Природа аналитического отклика газочувствительных слоев Sn02. //2 всероссийская молодежная конференция по физикеполупроводников и полупроводниковой опто-и наноэлектронике. С.-Петербург, 4декабря-8декабря 2000, Тез. докл. с.90.

91. Ахмеджанов А.Т. Природа аналитического отклика газочувствительных слоев Sn02.// Молодежная научная конференция. С.-Петербург, 5-6 декабря 2000, Тез. докл. с.20.

92. Ахмеджанов А.Т., Бондоков Р.Ц., Мошников В.А. Управление значением и полярностью аналитического отклика газочувствительных слоев диоксида олова.// Известия СПбГЭТУ серия «Физика твердого тела и твердотельная электроника» 2000, вып.1, с.40-43.

93. Мясников И.А., Сухарев В.Я., Куприянов А.Ю. и др. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях/1. М.: Наука.-1991.

94. Ахмеджанов А.Т., Таболина Н.В. Влияние термообработки в динамическом вакууме на газочувствительность слоев диоксида олова // Тез. докл. 6-научной молодежной школы «Твердотельная электроника микро-нанотехнологии». С.Петербург, 17-18 мая 2003г., с. 15

95. Крылюк О.Н., Гаськов A.M., Зломанов В.П., акад. Новоселова А.В. Анализ состава эпитаксиальных пленок Pbo^Sno^Te на ВаБг методом ОЖЕэлектронной спектроскопии / Докл. АН СССР, Физическая Химия. 1986, Т. 287, №5, С. 1157-1160.

96. Ахмеджанов А.Т., Иошт М.А. Исследование барьерных структур In/РЬТе. // 5 всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто-и наноэлектронике. С.-Петербург, 1-5 декабря 2003, Тез. докл. с.46.

97. Александрова О.А., Ахмеджанов А.Т., Бондоков Р.Ц., Мошников В.А., Саунин И.В, Таиров Ю.М., Штанов В.И., Яшина J1.B. Исследование барьерных структур In/РЬТе с промежуточным диэлектрическим слоем.// ФТП , 2000, т.34, вып.12 стр.1420-1425.

98. Извозчиков В.А., Тимофеев О.А. Фотопроводящие окислы свинца в электронике. JL: Энергия, 1979.

99. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. М.: Мир, 1984.

100. Киес Р.Дж., Крузе П.В., Патли Э.Г. и др. Фотоприемники видимого и ИК диапазонов. / Под ред. Р.Дж.Киеса, М.: Радио и связь, 1985.

101. Бестаев М.В., Махин А.В., Мошников В.А., Томаев В.В. Способ приготовления шихты для получения твердых растворов халькогенидов свинца и олова парофазными методами. Патент РФ № 2155830 от 10.09.2002г. (СОГУ К.Л. Хетагурова)

102. Бестаев М.В., Горелик А.И., Мошников В. А.,Таиров Ю.М. Рентгеноспектральный микроанализ легированных кристаллов РЬТе и РЬо.8 Sno.2 Те // ФТП, 1997, т.31, №8, с. 980-982

103. Бестаев М.В., Гацоев К.А., Курбатов А.Л. и др. Инжекционные лазеры на основе монокристаллов соединений теллурид свинца -теллурид олова и селенид свинца-селенид-олова / Изв. ВУЗов Сев-Кавказс.регион. Естеств. науки. Физика 1997, №1, с.48-53

104. Медведев Ю.В., Берченко Н.Н. Особенности границы раздела твердых растворов на основе халькогенидов ртути с собственным оксидом. // ЖНХ -1993. -т.38. -№ 12. -с. 1940.

105. Олеск С.А. Оптические свойства и особенности зонной структуры селенида свинца и твердых растворов селенида свинца- селенида кадмия: Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. Л.: ЛЭТИ, 1990.

106. Неустроев Л.Н., Осипов В.В. Физические процессы фоточувствительности поликристаллических пленок халькогенидов свинца. // Микроэлектроника. -1988. -т.17. -№ 5. -С.399.

107. Бобченок Ю.Л., Гаврищук Е.М., Крупкин П.Л. Влияние ионной имплантации на структуру и оптические свойства бинарных полупроводниковых соединений. //Высокочистые вещества. -1994. -№ 4. -с.91.

108. Пашинкин А.С. Диаграммы парциальных давлений систем металл-теллур-кислород. //Изв. АН СССР. сер. Неорган, материалы. -1975. -11. -№ 9. -с.1650.

109. Новоселова А.В., Глазов В.М., Смирнова Н.А. Термодинамика и материаловедение полупроводников. -М.: -Металлургия, 1992.

110. Куликов И.С. Термодинамика оксидов. -М.: -Металлургия, 1986.

111. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справ. /Новоселова А.В., Лазарев и др. -М.:Наука, 1979.

112. Тананаева О.И. Изучение процесса окисления теллурида свинца. Дис.на соиск. уч.степ. к.ф.-м.н.

113. Тананаева О.И., Латыпова З.Х., Новоселова А.В. Исследование разрезов РЬТе-РЬТеОз и РЬТе04-РЬ0 системы РЬ-Те-О. // Изв. АН СССР, сер.Неорган. материалы -1977. -т.13. -№ 2. -с.386.

114. Берченко Н.Н., Медведев Ю.В., Костиков Ю.П. Фазовые равновесия в системах Pb-Sn-Te-O, Pb-Sn-Se-O, Pb-Te-Se-0//HeopraH. материалы. 1987. -т. 23.-№ 1.

115. Белащенко Д.К. Компьютерное моделирование структуры и свойств некристаллических оксидов. //Успехи химии -1997. -т.66. -№ 9. -с.811.

116. Бестаев М.В., Мошников В.А., Румянцева А.И., Взаимодействие Ag с ограненными монокристаллами Pbj.x SnxTe // ЖТФ, 1999, т.69, №4, с. 128-129

117. Пархутик В.П., Макушок Ю.Е., Борисов С.Ю., Берченко Н.Н. и др. Плазменное анодирование РЬ^пДе. Тез. докл. республ. конф. "Физика и химия поверхности и границ раздела узкощелевых полупроводников", Львов, 29-31 мая, 1990, с.72.

118. Термодинамические константы индивидуальных веществ: Справ. /Под ред.Глушко В.П. -М: Наука, 1982.

119. Kellog Н.Н., Basu S.K. Trans, metallurg. Soc. AIME, -1960. -v.218, -№ 1. p.70.

120. Ingraham T.R., Kellog H.H. Trans, metallurg. Soc. AIME -1963. -v.227. -№ 12. -p.1419.

121. Пашинкин A.C., Спивак M.M., Малкова A.C. Применение диаграмм парциальных давлений в металлургии. М.: -Металлургия, 1984. -160 с

122. Шелимова Л.Е., Томашик В.Н., Грыцив В.И. Диаграммы состояния полупроводниковых халькогенидов. -М.:Наука, 1991

123. Краткий химический справочник /Рабинович В.А., Хавин З.Я. -Химия. Лен.отд. -1977.

124. Левинский Ю.В. Р-Т-х диаграммы состояния двойных металлических систем. -М.: Металлургия, 1990.

125. Шелимова Л.Е. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении. -М.: Металлургия, 1991.

126. Краткий справочник по химии. Гороновский И.Т., Назаренко Ю.П., Некряч Е.Ф.-Киев:Наукова Думка, 1987.

127. Ахмеджанов А.Т., Дроздов А.В., Гришин С.Н., Мошников В.А., Румянцева А.И., Чеснокова Д.Б. Анализ структуры поликристаллических пленок халькогенидов свинца методом СТМ.// Всероссийская научная конференция

128. Физика полупроводников и полуметаллов» (ФПП-2002). С.-Петербург, РПГУ им.А.И. Герцена 4-6 февраля 2002, Тез. докл. Санкт-Петербург: Изд. РПГУ,2002с.95.

129. Рыков С.А. Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур/Под ред. А .Я. Шика. СПб.:Наука, 2000

130. Писаревский М.С. Влияние процессов фазообразования на фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок селенида свинца. Автореферат дис. к.анд.физ.-м. н.СПб.:СПбГЭТУ (ЛЭТИ), 2002.

131. Андреев Ю.Н., Бестаев М.В., Димитров Д.Ц. и др. Методика исследований субмикровыделений в поликристаллических материалах методом внутреннего трения // ФТП, 1997, т. 31, №7, с.81-83.