Получение и исследование свойств наноразмерных пленочных структур на основе аморфного кремния и его соединений тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Нефедов, Денис Владимирович

• Нефедов, Денис Владимирович
• кандидат технических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат технических наук Нефедов, Денис Владимирович

Введение.

1. Синтез и применение наноразмерных структур на основе аморфных полупроводников.

1.1. Методы синтеза наноразмерных структур.

1.2. Формирование наноразмерных структур на монокристаллических подложках и их применение в электронике.

1.3. Особенности аморфных полупроводников и их применение в электронике.

1.4. Выводы и постановка задачи.

2. Исследование влияния технологических параметров на условия СВЧ вакуумно-илазменной обработки.

2.1. Влияние геометрии реактора на равномерность и энергетическую эффективность СВЧ ВПО (гидродинамическое приближение).

2.2. Распространение электромагнитных волн в волноводе установки СВЧ ВПО с продольно намагниченной плазмой.

2.3. Циклотронное поглощение электромагнитных волн в плазме с магнитным полем.

2.4. Скорость и равномерность СВЧ ВПО.

2.5. Экспериментальные исследования равномерности и производительности СВЧ ВПО с ЭЦР.

2.6. Результаты экспериментальных исследований.

2.7. Анализ экспериментальных данных.

2.8. Выводы.

3. Исследование формирования нанокластеров на аморфных поверхностях с различной энергией связи на межфазной границе.

3.1. Формирование тонких пленок.

3.2. Исследование зависимости средней высоты нанокластеров кремния от времени осаждения на подложку со слабой энергией связи.

3.3. Исследование зависимости средней высоты микровыступов и их концентрации от количества циклов осаждения.

3.4. Влияние температуры на формирование кремниевых нанокристаллитов на некристаллических подложках в плазме СВЧ газового разряда низкого давления.

3.5. Исследование зависимости средней высоты нанокластеров от времени осаждения на подложку с сильной связью на межфазной границе.

3.6. Исследование зависимости средней высоты кластеров от времени осаждения на аморфный вЮ различного стехиометрического состава.

3.6. Выводы.

4. Получение и исследование пленок аморфного кремния и его соединенийЮО

4.1. Рентгеноструктурный анализ и ИК-спектроскопия пленки кремния.

4.2. Получение и исследование пленок аморфного кремния.

4.3. Проводимость в пленках аморфного кремния.

4.4. Получение и исследование пленок аморфного карбида и нитрида кремния различного стехиометрического состава.

4.5. Выводы.

5. Получение и исследование слоистых структур на основе нанокластеров кремния в матрице аморфного карбида кремния.

5.1. Исследование статических В АХ слоистых структур на основе аморфного Б^гСо,« и нанокластеров кремния.

5.2. Исследование динамических характеристик слоистых структур.

5.3. Исследование спектральных характеристик слоистых структур.

5.4. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение и исследование свойств наноразмерных пленочных структур на основе аморфного кремния и его соединений»

Актуальность темы. Современный научно-технический прогресс в значительной степени определяется развитием электроники, основой которой являются успехи фундаментальных наук, в первую очередь физики твердого тела и физики полупроводников. Последние достижения в этих областях связаны с физикой низкоразмерных структур [1]. На сегодняшний день физика низкоразмерных структур - актуальнейшая и наиболее динамично развивающаяся область современной физики твердого тела. Интерес к этой области связан как с принципиально новыми фундаментальными научными проблемами и физическими явлениями, так и с перспективами создания на основе уже открытых явлений совершенно новых квантовых устройств и систем с широкими функциональными возможностями для опто- и наноэлектроники, измерительной техники, информационных технологий нового поколения, средств связи и пр. [2].

В последнее время интенсивно развиваются технологии создания композитных материалов. Одним из основных ее достоинств является возможность использования принципиально новых подходов в создании искусственных сред - наноматериалов. Эти материалы проявляют уникальные свойства, существенно отличающиеся от свойств вещества в макроскопическом (объемном) состоянии. Особое место занимают материалы, содержащие наноразмерные частицы металлов и полупроводников — «квантовые точки» [3, 4, 5]. В этих образованиях, в отличие от массивных материалов, отсутствует широкая зонная структура и имеется структура минизон или набор дискретных электронных уровней. Дискретный спектр энергетических состояний наноструктур позволяет относить их к искусственным аналогам атомов, несмотря на то, что кластеры содержат большое число частиц. Изменяя размеры квантовых точек, их форму и состав с помощью контролируемых технологических приемов, можно получать аналоги многих природных элементов [6].

Особый интерес представляют системы в виде нанообъектов, заключенных в полупроводниковые матрицы. Наиболее многообещающим методом > формирования упорядоченных массивов КТ является метод, использующий явление самоорганизации на кристаллических поверхностях.

Движущей силой, вызывающей образование массива однородных напряженных островков на кристаллической поверхности, является релаксация упругих напряжений на краях граней и взаимодействие островков посредством напряжений, создаваемых ими в подложке [7, 8]. Релаксация на краях ступеней или граней может приводить к формированию упорядоченных массивов КТ в случаях роста как согласованных, так и рассогласованных по параметру решетки материалов [9]. Спонтанное формирование на кристаллических поверхностях различных упорядоченных структур, имеющих периодичность, намного большую параметра решетки является предметом интенсивных теоретических исследований. К другому классу самоорганизованных структур, подходящих для изготовления КТ, относят упорядоченные массивы сильно напряженных «островков» монослойной высоты, спонтанно образующихся в процессе суб-монослойного осаждения одного материала на другой, сильно рассогласованный с ним по параметру кристаллической решетки [10]. К сожалению, на сегодняшний день совершенно не изучены механизмы образования наноразмерных объектов на аморфных поверхностях.

Особые надежды возлагаются на аморфные гетероструктуры, на основе которых возможна реализация фотоэлектрических устройств, в частности элементов солнечной энергетики [11]. Неоспоримым преимуществом аморфных полупроводников является простота их получения и более дешевая технология, в совокупности с более широкой материальной базой и большими площадями нанесения [12]. Особое место среди аморфных материалов занимает аморфный гидрированный кремний и его соединения, прежде всего благодаря, все более широкому применению его в полупроводниковой электронике и солнечной энергетике [13].

Цель работы. Разработка методики получения с использованием СВЧ плазмы газового разряда низкого давления наноразмерных пленочных структур на основе аморфного кремния и его соединений и исследование их электрофизических свойств.

Основные задачи исследования:

1. Определение параметров технологического процесса, обеспечивающих наибольшую производительность и равномерность СВЧ плазменной обработки.

2. Получение кремниевых нанокластеров и исследование механизмов их образования на аморфных поверхностях с различной энергией связи на межфазной границе.

3. Получение полупроводниковых аморфных пленок кремния и его соединений и исследование их электрофизических свойств.

4. Получение и исследование слоистых структур на основе соединений аморфного кремния и нанокластеров кремния.

Методы исследования. Эксперименты по осаждению нанокластеров и тонких пленок кремния проводились на установке СВЧ вакуумно-плазменного осаждения. Измерение распределения индукции магнитного поля вдоль оси плазмотрона от окна ввода СВЧ энергии до каждого положения подложкодер-жателя осуществлялось с использованием прибора Ш1-8. Для определения размеров и поверхностной плотности нанокластеров применялся атомно-силовой микроскоп Р4-8РМ-МБТ. Толщина и показатель преломления полученных пленок измерялись на лазерном эллипсометрическом микроскопе ЛЭМ-2М. Для измерения оптических спектров поглощения и отражения использовался двухлучевой спектроанализатор, собранный на базе монохроматора МДР-23 и интегрирующей оптической сферы в диапазоне длин волн от 200 до 1200 нм. Структура полученных пленок определялась с помощью рентгеноструктурного анализа на установке ДРОН-4. Измерение спектральной зависимости фототока проводилось на спектрофотометре СФ-26.

Научная новизна работы:

1. Установлены закономерности влияния неоднородного внешнего магнитного поля, СВЧ мощности и расстояния между окном ввода СВЧ энергии и обрабатываемой пластиной на равномерность и производительность плазменной обработки. Полученные экспериментальные результаты и закономерности обоснованы в рамках решения диффузионного уравнения Фоккера-Планка с заданными граничными условиями.

2. Определены закономерности образования наноразмерных кластеров кремния в плазме СВЧ газового разряда на некристаллических подложках с различной энергией взаимодействия на межфазной границе. Предложена модель формирования нанокластеров из СВЧ плазмы газового разряда низкого давления на реальных поверхностях в условиях интенсивной низкоэнергетич-ной ионной бомбардировки.

3. Установлены закономерное™ влияния параметров процесса синтеза в вы-сокоионизованной плазме СВЧ газового разряда на оптическую ширину запрещенной зоны и характер спектральных зависимостей фототока в наноразмерных пленках аморфного гидрогенизированного кремния. Показано, что изменение оптической ширины запрещенной зоны гидрогенизированного кремния в зависимости от условий синтеза в СВЧ плазме может достигать 50%, что в 4-5 раз больше, чем ее изменение, которое наблюдалось при использовании других методов синтеза.

4. Определены характер и критичность влияния химического состава плазмы и параметров режима осаждения в высокоионизованной СВЧ плазме низкого давления на оптические свойства и ширину запрещенной зоны аморфных пленок карбида и нитрида кремния различного стехиометрического состава. Установлено, что для нитрида кремния, в отличие от карбида кремния, зависимость ширины запрещенной зоны от температуры и электрического смещения тем слабее, чем меньше содержание азота в твердом растворе нитрида кремния.

5. Установлены различия в механизмах переноса носителей заряда и особенностях пропускания света в однородных и слоистых с нанокластерами кремния пленочных структурах на основе карбида кремния. Показано, что в однородных структурах карбида кремния перенос носителей осуществляется по механизму токов, ограниченных пространственным зарядом, а в слоистых структурах с нанокластерами кремния, как по механизму токов, ограниченных пространственным зарядом, так и по механизму туннельного переноса носителей между электронными уровнями нанокристаллических кремниевых включений и зоной проводимости карбида кремния при приложении электрических полей порядка 10 В/мкм.

Практическая ценность работы:

1. Определены закономерности влияния технологических параметров режима СВЧ плазменной обработки в неоднородном магнитном поле на ее равномерность и производительность. Показано, что равномерность СВЧ плазменной обработки в диапазоне магнитных полей от 530 до 900 Гсхм не зависит от расположения подложки относительно окна ввода СВЧ энергии и величины мощности СВЧ излучения.

2. Разработаны методики синтеза пленок аморфного гидрогенизированного кремния с управляемой шириной запрещенной зоны, изменяющейся в интервале от 0,9 до 2,1 эВ в зависимости от условий осаждения.

3. Разработаны методики синтеза и управления размерами кремниевых на-нокластеров в диапазоне от 1,5 до 4 нм и поверхностной концентрацией до от 5'108 до 7*108см"2 на некристаллических подложках с различной энергией связи на границе раздела.

4. Разработаны методики синтеза наноразмерных пленок аморфного гидрогенизированного карбида и нитрида кремния с заданной в пределах их индивидуальных особенностей шириной запрещенной зоны, обеспеченной как изменением их стехиометрического состава, так и путем изменения параметров технологического процесса.

5. Разработана методика получения слоистых наноразмерных пленочных структур на основе аморфного карбида кремния с внедренными слоями кремниевых наноразмерных кластеров.

На защиту выносятся следующие положения:

1. В установке СВЧ плазменной обработки существует диапазон магнитных полей и расстояний между подложкой и окном ввода СВЧ энергии, в котором обеспечиваются устойчивый режим генерации плазмы, наибольшая производительность и равномерность плазменной обработки, определяемые параметром интегральной магнитной индукции.

2. Согласно экспериментальным результатам, формирование наноразмер-ных кластеров кремния с минимальным размером 1,5.4нм и концентрацией о 8 2 от 5*10 до 7* 10 см" на подложках со слабой энергией взаимодействия на межфазной границе может быть осуществлено с использованием СВЧ плазмы низкого давления при степени ее ионизации не менее 5-7%.

3. Изменение знака и величины ускоряющего потенциала на подложкодер-жателе, а также температуры подложки при получении пленок аморфного гид-рогенизированного кремния в СВЧ плазме приводит к изменению содержания в них водорода, что влечет изменение ширины запрещенной зоны и показателя преломления. Изменение ширины запрещенной зоны может достигать 50%, а показатель преломления с ростом температуры подложки увеличивается на 810%.

4. Увеличение доли содержания кремния в пленках аморфного нитрида и карбида кремния приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны, при этом рост температуры осаждения не оказывает влияния на ширину запрещенной зоны пленок карбида кремния, а для пленок нитрида кремния приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны на 5-8%. Пленки нитрида кремния с 20% содержанием кремния, полученные при отрицательном потенциале, имеют большую ширину запрещенной зоны, чем пленки того же состава, полученные при положительном ускоряющем потенциале.

5. Модифицирование аморфной пленочной структуры на основе карбида кремния путем введения в нее наноразмерных кластеров кремния приводит к появлению туннельного эффекта в механизме токопрохождения, кроме того, наличие в структуре нанокластеров кремния смещает максимум оптического поглощения в более коротковолновую область спектра, а значение оптического поглощения на 50% выше, чем для структур без кластеров.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на Международных научно-технических конференциях «Актуальные проблемы электронного, приборостроения» (Россия, Саратов, 2004, 2006); Международных научно-технических конференциях «Актуальные проблемы твердотельной электроники» (Россия, Таганрог, 2004, 2006); конференциях молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика» (Россия, Саратов, 2006, 2007); Первой Всероссийской школе-семинаре «Современные достижения бионаноскопии» (Россия, Москва, 2007), конкурсе молодых ученых им. И.В. Анисимкина (Россия, Москва, 2006), а также на научных семинарах Саратовского филиала Института радиотехники и электроники РАН.

Публикации. Материалы, отражающие основное содержание работы, изложены в 5 публикациях в изданиях, включенных в перечень периодических изданий ВАК РФ, и 6 публикациях в материалах конференций. Результаты работы отражены в отчетах по НИР, имеющих государственную регистрацию.

Структура и объем диссертации. Работа состоит из введения, пяти глав, заключения, списка использованной литературы из 82 наименований изложена на 141 странице, содержит 58 рисунков.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Нефедов, Денис Владимирович

Результаты работы могут быть использованы при разработке технологических процессов создания тонкопленочных полупроводниковых структур, для применения в производстве солнечных элементах и других оптоэлектронных устройствах. Кроме того, результаты работы могут быть использованы при разработке процессов получения наноразмерных структур, перспективных для применения в аморфных сверхрешетках.

Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Нефедов, Денис Владимирович, 2008 год

1. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике / отв. редактор A.J1. Асеев. Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004. 368 с.2. http://microsystems.ru/files/publ/601 .htm

2. Леденцов Н.Н. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры / Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев и др. // ФТП, 1998, т. 32, №4, С. 385-410.

3. Baron Т. Low pressure chemical vapor deposition growth of silicon quantum dots on insulator for nanoelectronics devices. / T. Baron, F. Martin, P. Mur et. al. // Appl. Surf. Sci. 2000. V. 164. P. 29-34.

4. Williamson A.J., Energy states in quantum dots. / A.J. Williamson // International journal of high speed electronics and systems. 2002. V. 12. № 1. P. 15-34.6. http ://www.scientific.ru/j ournal/onisch/onisch.html

5. Shchukin V.A. Multiexciton Spectroscopy of a Single Self-Assembled Quantum Dot / V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kopiev, D. Bimberg // Phys.Rev. Lett. 1995. V. 75. P. 2968.

6. Shchukin V.A. Direct formation of InGaAs/GaAs quantum' dots during submonolayer epitaxies from molecular beams / V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, M. Grundman, P.S. Kopiev // Surf. Sci. 1996. V. 352-354. P. 646.

7. Пчеляков О.П. Кремний-германиевые наноструктуры с квантовыми точками: механизмы образования и электрические свойства / О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитя-нов, А.В. Двуреченский // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 11. С. 1281-1299.

8. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур / Ж.И. Алферов//ФТП. 1998. Т. 32. №1. С. 3-18.

9. Чопра К. Тонкопленочные солнечные элементы: Пер. с англ. с сокращениями / К. Чопра, С. Дас. М.: Мир, 1986.435 с.

10. Хейванг В. Аморфные и поликристаллические полупроводники: Пер. с нем. / В. Хейванг, У. Биркхольц, Р. Айнцингер и др.; под ред. В. Хейванга. М.: Мир, 1987. 160 с.

11. Аморфные полупроводники и приборы на их основе: пер. с англ. / под ред. Й. Хамакавы. М.: Металлургия, 1986. 376 с.

12. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры / под ред. Л. Ченга, Л. Плога. М.: Мир, 1989. 582 с.

13. Кульбачинский В.А. Полупроводниковые квантовые точки / В.А. Кульбачин-ский // СОЖ. 2001. Т. 7. №4. С. 98-104.

14. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: пер. с англ. / под ред. Ж.И. Алферова, Ю.В. Шмарцева. М.: Мир, 1989. 582 с.

15. Ежовский Ю.К. Поверхностные наноструктуры перспективы синтеза и использования / Ю.К. Ежовский // СОЖ. 2000. Т. 6. №1. С. 56-63.

16. Белявский В.И. Физические основы полупроводниковых технологий / В.И. Белявский // СОЖ. 1998. №10. С. 92-98.

17. Suzuki К. Fabrication of SiN films at low temperature by RF biased coaxial-line microwave plasma CVD / K. Suzuki, K. Ninomiya, I. Nishimatsu, S. Okudaira // J.Vac.Sci.Technol. 1985. V. 3,4. P. 1025-1034.

18. Уолтер C.P., Леунг K.H. // Приборы для научных исследований. 1986, №8, С. 65-69.

19. Petit В. A Parametric Study of the Etching of Silicon in SF6 Microwave Multipolar Plasmas: Interpretation of Etching Mechanisms / B. Petit, J. Pelletier // Japan J. Appl. Phys. 1987. V. 26. №6. P. 825-834.

20. Sato N. Uniform plasma production by plane slotted antenna with magnets for electron cyclotron resonance / N. Sato, S. Lizuka, Y. Nakagawa, T. Tsukada // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. №13. P. 1469-1471.

21. Гуляев Ю.В. Микроволновое ЭЦР вакуумно-плазменное воздействие на конденсированные среды в микроэлектронике (физика процессов, оборудование, технология) / Ю.В. Гуляев, Р.К. Яфаров. // Зарубежная электронная техника. 1997. №1. С.77-117.

22. Бимберг Д. Спонтанное упорядочение полупроводниковых наноструктур / Д. Бимберг, И.П. Платова, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев // УФН. 1997. Т. 167. С. 552.

23. Оура К. Введение в физику поверхности / К. Оура, В.Г. Лифщиц, А.А. Сара-нин, А.В. Зотов; Ин-т автоматики и процессов упр. ДВО РАН. М.: Наука, 2006. 490 с.

24. Ustinov V. М. Effect of matrix on InAs self-organized quantum dots on InP substrate IV. M. Ustinov, E. R. Weber, S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber // Appl. Phys. Lett.1998. V. 72. Р.362-364.

25. Bodefeld M. С. Storage of electrons and holes in self-assembled InAs quantum dots / M. C. Bodefeld, R. J. Warburton, K. Karrai, J. P. Kotthaus // Appl. Phys. Lett. 1999. V.74. P. 1839-1841.

26. Schittenhelm P. Self-assembled Ge dots: Growth, characterization, ordering, and applications / P. Schittenhelm, C. Engel, F. Findeis, G. Abstreiter // J. Vac. Sci. Tech. 1998. В 16. P.1575-1581.

27. Bonadeo N. H. Coherent optical control of the quantum state of a single quantum dot /N. H. Bonadeo, J. Erland, D. Gammon, D. Park // Science. 1998. V. 282. P. 1473-1476.

28. Drexler H. Optical emission from a charge-tunable quantum ring / H. Drexler, D. Leonard, W. Hansen, J.P. Kotthaus // Phys. Rev. Lett. 1994. V. 73. P. 2252.

29. Lee H. Transport signatures of correlated disorder in a two-dimensional electron gas /Н. Lee, J.A. Johnson, J.S. Speck, P.M. Petroff// J. Vac. Sci. Technol. 2000. В 18. P. 2193.

30. Xie Q. Shell structure and electron-electron interaction in self-assembled InAs quantum dots / Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen, N.P. Kobayashi // Phys. Rev. Lett. 1995. V.75. P. 2542.

31. Cuadra L. Type II broken band heterostructure quantum dot to obtain a material for the intermediate band solar cell / L. Cuadra, A. Mart, A. Luque // Physica E. 2002. V. 14. P. 162-165.

32. Меден А. Физика и применение аморфных полупроводников: Пер. с англ. / А. Меден, М. Шо М.: Мир, 1991. 670 с.

33. Иоффе А.Ф. Некристаллические, аморфные и жидкие полупроводники. В. кн.: Иоффе А.Ф. Избранные труды. - Т.2. / А.Ф. Иоффе, А.Р. Регель. JL: Наука, 1975. 230 с.

34. Кудряшов С.А. Влияние геометрии реактора на параметры микрообработки в плазме СВЧ разряда с ЭЦР: Труды Всероссийской научно технической конф. «Микро- и наноэлектроника». / С.А. Кудряшов, Р.К. Яфаров. Звенигород. 1999. -С.17-18.

35. Лебедев И.В. Техника и приборы СВЧ./ И.В. Лебедев, под ред. академика Н.Д. Девяткова. М.: Высш. школа, 1970. 440 стр.

36. Гуляев Ю.В. Эффективность использования мощности в установках СВЧ -ВПО структур микроэлектроники. Препринт. / Ю.В. Гуляев, Р.К. Яфаров. М.: ИРЭ АН СССР. 1989. с. 14.

37. Тимофеев A.B. Циклотронные колебания плазмы в неоднородном магнитном поле/ A.B. Тимофеев //Успехи физических наук. 1973. Т. 110. Вып. 3. С. 329-355.

38. Сковорода A.A. Изучение циклотронного поглощения электромагнитных волн . в плазме в неоднородном магнитном поле / A.A. Сковорода, Б.Н. Швилкин. // ЖЭТФ. 1976. Т. 70. Вып. 5. С. 1779-1784.ч

39. Гуляев Ю.В. Равномерность СВЧ вакуумно-плазменной обработки с элек-тронно-цикпотронным резонансом в неоднородных внешних магнитных полях / Ю.В. Гуляев, И.Д. Черкасов, Р.К. Яфаров. // Доклады академии наук. 1997. Т. 353. №1. С. 40-43.

40. Былинкина H.H. Микротопография и автоэмиссионные свойства графитопо-добных углеродных пленок / H.H. Былинкина, С.П. Муштакова, В.А. Олейник и др. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. Вып. 6. С. 43-47.

41. Иевлев В.М. Структурные превращения в тонких пленках / В.М. Иевлев, Л.И. Трусов, В.А. Холмянский. М.: Металлургия, 1982. 248 с.

42. Грин М. Поверхностные свойства твердых тел / М. Грин, М. Дж. Ли. под ред. М. Грин. М.: Мир, 1972, с. 155-189.

43. Габович А.М., Пашицкий Э.А. ФТТ. 1976. Т. 18. С. 377-381.

44. Шерман А.Б., Трусов Л.И., Казакова Т.А., Балашова Е.В. Тезисы докладов II Всесоюзного симпозиума по активной поверхности твердых тел. Тарту Изд-во ИКАН СССР, 1977, С. 51-52.

45. Морохов И.Л. Ультрадисперсные металлические среды / И.Л. Морохов, Л.И. Трусов, С.П. Чижик. М.: Атомиздат, 1977. 289 с.

46. Шерман А.Б., Балашова Е.В., Добровольский A.A., Трусов Л.И. Письма ЖТФ, 1975. Т. 1, Вып. 25, С. 34-36.

47. Трусов Л.И., Чернов A.A. Кристаллография, 1979, Т. 24, Вып. 1, С. 11-17.

48. Дорфман В.Ф., Трусов Л.И. Кристаллография, 1969, т. 15, Вып. 1, С. 71-74.

49. Косевич В.М., Политик Л.С., Соколов Ю.В., Удовенко A.A. ФММ, 1975, Т. 39. С. 354-361.

50. Оура К. Введение в физику поверхности / К. Оура, В.Г. Лифщиц, A.A. Сара-нин, A.B. Зотов, М. Катаяма. Ин-т автоматики и процессов упр. ДВО РАН. М.: Наука, 2006.490 с.

51. Трусов Л.И. Островковые металлические пленки / Л.И. Трусов, В.А. Холмянский. М.: Металлургия, 1973. 321 с.

52. Гегузин Я.Е., Когановский Ю.С. УФН, 1978, Т. 125. С. 489-525.

53. Гегузин Я.Е., Кагановский Ю.С, Кибец В.И. и др. ФММ, 1975, т. 39 вып. 6 с.1205-1210.

54. Свелин P.A. Термодинамика твердого состояния / P.A. Свелин. М.: Металлургия, 1968.314 с.

55. Гегузин Я.Е. Поверхностная диффузия и растекание / Я.Е. Гегузин. М.: Наука, 1969,450 с.

56. PalmbergP.W., Rhodin TM.', ToddT. Appl. Phys. Letters, 1967, v. 10, p. 122-124.

57. Stirhnd D.J. AppL Phys. Lett., 1966, v. 8, p. 326-327.

58. Нефедов Д.В. Миграционное заращивание рельефа поверхности при формировании нанокристаллитов с использованием СВЧ газового разряда низкого давления / Д.В. Нефедов, Р.К. Яфаров. // ПЖТФ, 2007. Т. 33. Вып. 21. С. 78-84.

59. Нефедов Д.В. Влияние упругих взаимодействий на самоорганизацию кремниевых нанокристаллитов, полученных в плазме СВЧ газового разряда низкого давления / Д.В. Нефедов, Р.К. Яфаров. // Нелинейный мир. 2007. №5. Т.5. С. 314-315.

60. Нефедов Д.В. Влияние температуры на формирование кремниевых нанокристаллитов на некристаллических подложках в плазме СВЧ газового разряда низкого давления / Д.В. Нефедов, Р.К. Яфаров. // ПЖТФ. 2008. Т. 34. Вып. 2. С. 62-68.

61. Woll A.R. Self-organized quantum dots / A.R. Woll, P. Rugheimer, M.G. Lagally // International journal of high speed electronics and systems 2002. V. 12. № l.P. 45-78.

62. Нефедов Д.В. Влияние упругих взаимодействий на формирование кремниевых нанокристаллитов на некристаллических подложках в плазме СВЧ газового разряда низкого давления / Д.В. Нефедов, Р.К. Яфаров. // ПЖТФ. 2007. Т. 33. Вып. 7. С. 26-34.

63. Аморфный кремний и родственные материалы: Пер. с англ. / под ред. Х.Фрицше. М.: Мир, 1991. 544 с.

64. Физика гидрогенизированного аморфного кремния: Вып. 2. Электронныеи колебательные свойства: Пер. с англ. / под ред. Дж. Джоунопулос, Дж. Люков-ски. М.: Мир, 1988. 448 с.

65. Zanzucchi J. A new amorphous silicon-based alloy for electronic applications / J. Zanzucchi, C.R. Wronski, D.E. Carlson // J. Appl. Phys. 1977. V. 48. P. 5227.

66. Tauc J. Relations between the structure and the optical properties of glass and amorphous thin films of tellurite / J. Tauc, R. Grigorovici, A. Vancu // Phys. Stat. Sol. 1966. V. 15.P.627.

67. Карлсон Д. Солнечные батареи из аморфного кремния. —Аморфные полупроводники: Пер. с англ. / Д. Карлсон, К. Вронски, под ред. А. А. Андреева, В. А. Алексеева. М., Мир, 1982. 445 с.

68. Физика гидрогенизированного аморфного кремния: Вып. 1. Физические свойства, методы получения и применение: пер. с англ. / под ред. Дж.Джоунопулос, Дж. Люковски. М.: «Мир», 1987. 453 с.

69. Roedern В. Photoelectron Spectra of Hydrogenated Amorphous Silicon / B. von Roedern, L. Ley, M.Cardona // Phys. Rev. Lett. 1977. V. 39. P. 1576.

70. Голикова О.А. Особенности структуры пленок аморфного гидрированного кремния, осажденных методом разложения силана на постоянном токе в магнитном поле / О.А. Голикова, А.Н. Кузнецов, В.Х. Кудоярова, М.М. Казанин. // ФТП. 1997. Т.31. №7. С. 816-819.

71. Голикова О.А. Кристаллизация пленок аморфного гидрированного кремния, осажденных при различных условиях / О.А. Голикова, Е.В. Богданова, У.С. Бабаходжаев // ФТП. 2002. Т. 36. №10. С. 1259-1262.