Поперечный электроперенос в жидких металлах и полупроводниках тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат физико-математических наук Трунина, Ольга Евгеньевна

• Трунина, Ольга Евгеньевна
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Трунина, Ольга Евгеньевна

1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1 Гальваномагнитные явления в кристаллических и жидких металлах

1.1.1. Магнитосопротивление монокристаллов

1.1.2. Магнитосопротивление поликристаллов

1.1.3. Гальваномагнитные явления в жидких металлах

1.2 Модели электронной структуры и проводимости жидких металлов

1.2.1 Структура жидких металлов

1.2.2 Рассеяние электронов в жидких металлов

1.2.3 Электронная структура жидких металлов

1.2.4 Теории проводимости жидких металлов

1.3 Электроперенос примесей в металлах

1.3.1 Теоретические основы электропереноса

1.3.2 Особенности электропереноса в жидких металлах

1.3.3 Электроперенос в магнитном поле

1.4 Получение высокочистых веществ

1.4.1 Очистка жидких металлов электропереносом4:

1.4.2 Другие современные методы очистки 4:

1.5 Получение кремния для электронной промышленности и солнечной энергетики

1.5.1 Обзор методов получения поли- и монокристаллического кремния5'

1.5.2 Кремний для солнечной энергетики5!

1.6 Постановка задач6'

2. АППАРАТУРА И МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯб!

2.1 Химико-спектральный анализб!

2.2 Масс-спектрометрические методы анализа вещества7.

2.3 Контроль чистоты по относительному остаточному сопротивлению

2.4 Измерение электрофизических характеристик гетероструктур, ф выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

2.5 Рентгеноструктурный анализ

3. МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ ЖИДКИХ МЕТАЛЛОВ

3.1 Измерение электросопротивления жидкого галлия в поперечном магнитном поле

3.2 Электросопротивление жидкого галлия в магнитном поле и модель электронной структуры жидких металлов

4. ПОПЕРЕЧНЫЙ ЭЛЕКТРОПЕРЕНОС В МАГНИТНОМ ПОЛЕ

4.1 Изучение поперечного электропереноса в жидком галлии ф 4.2 Получение высокочистых веществ поперечным электропереносом в магнитном поле[

4.2.1. Очистка галлия

4.2.2. Очистка индия

4.3 Электроперенос примесей в жидком галлии

4.4 Электроперенос примесей в расплавленном кремнии

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Поперечный электроперенос в жидких металлах и полупроводниках»

Актуальность исследования. В настоящее время исследования в об-Ф ласти физики жидких металлов являются актуальными как в связи с ростом областей самостоятельного применения жидких металлов, так и в связи с поиском методов получения веществ с особыми физическими свойствами для современной микро- и наноэлектроники (высокочистых материалов, преци-* зионных сплавов и т.п.), атомной техники, солнечной энергетики. Исследования показали, что очистка физическими методами материалов в жидком состоянии представляет собой одно из наиболее удачных сочетаний себестоимости и качества получаемого высокочистого вещества. Интерес представляет также совместное воздействие электрических и магнитных полей на ф квазижидкие объекты наноэлектроники.

Однако отсутствует теория, описывающая воздействие внешнего магнитного поля на электропроводность жидких металлов. Существующие на настоящий момент теории электропроводности жидких металлов (Мотта, Губанова, Займана) не учитывают это влияние. Отчасти такое состояние объяс-^ няется отсутствием надежных экспериментальных данных об электросопротивлении жидких металлов в широком диапазоне величин магнитного поля.

Одной из наиболее важных и актуальных проблем мировой науки и техники также является получение дешевого кремния в промышленных объ-® емах для солнечной энергетики. Основную часть затрат при изготовлении фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) составляют расходы на кремний, который был и остается основным материалом ФЭП. Все существующие на сегодняшний момент технологии получения кремния для солнечной энергетики, включая хлоридную (Сименс-процесс), по сути своей являются лабораторными, с большими издержками, энергозатратами и низким выходом продукта, что принципиально определяется технологией и в ее рамках не может измениться.

Цель диссептациоииой работы - построение модели электронной структуры жидкого металла по полученным данным о его магнитосопротив-лении, выяснение механизмов поперечного электропереноса примесей в жидких металлах и полупроводниках и его применение для их очистки.

В работе решаются следующие задачи:

- исследование поведения электросопротивления жидкого галлия при изменении величины внешнего поперечного магнитного поля и создание теоретической модели электронной структуры жидких металлов;

- исследование поперечного электропереноса в жидком галлии в плоской ячейке и в капилляре и теоретическое описание данного явления;

- разработка принципов нового метода получения кремния для солнечной энергетики.

Методы исследования. В настоящей работе применялись различные теоретические и экспериментальные методы исследований. Комплексный подход обеспечил разностороннюю проверку полученных результатов. Содержание примесей в образцах контролировалось спектральными и масс-спектральными методами, путем измерения относительного остаточного сопротивления монокристаллов материалов и определения электрофизических характеристик гетероструктур, выращенных на их основе. Ориентация монокристаллов определялась по данным рентгеноструктурного анализа.

Научная новизна результатов диссертационной работы.

1. Впервые измерено магнитосопротивление жидкого галлия; показано, что зависимость его от индукции магнитного поля носит линейный характер.

2. Зависимость магнитосопротивления жидкого металла от индукции магнитного поля объяснена двухзонной моделью электронной структуры жидкого металла, основанной на модели двух полос проводимости для твердых тел и теории электропроводности Займана для жидких металлов.

3. Впервые экспериментально обнаружен и теоретически описан поперечный электроперенос примесей в жидком галлии в скрещенных электрическом и магнитном полях.

4. Получены соотношения для параметров поперечного электропереноса в магнитном поле и определены эффективные объемы примесей в галлии и кремнии.

5. Разработаны метод и устройство очистки жидких металлов и полупроводников в скрещенных электрическом и магнитном полях.

Защищаемые положения.

1. Линейное увеличение магнитосопротивления жидкого галлия в поперечном магнитном поле — (я) = 3.75-10-4 Тл"1 • В - 0.225 -КН обусловлено Р сложной электронной структурой жидкого металла.

2. Электронная структура жидкого галлия описывается электронной сферой Ферми радиусом кеР =1.654-108 см"1 и дырочной оболочкой радиусом кр =1.114«Ю* см-1 и толщиной М = 0.5-108 см-1.

3. Движение примесей в жидких металлах (на примере индия и галлия) в скрещенных электрическом и магнитном полях осуществляется в поперечном направлении.

Достоверность выводов диссертации обусловлена:

- соответствием результатов, полученных с помощью независимых методов экспериментального исследования; воспроизводимостью экспериментальных результатов;

- соответствием между теоретическими и экспериментальными результатами.

Практическая ценность диссертационной работы.

1. Предложен способ эффективной финишной очистки высокочистых материалов для микро- и наноэлектроники с помощью поперечного электропереноса в магнитном поле.

2. Предложено применять индий, полученный данным способом, для анализа микрообъектов различной природы (проводящие и непроводящие частицы размерами порядка нескольких микрометров, волокна, порошки и т.п.) методом вторично-ионной масс-спектрометрии.

3. Предложено использовать метод электропереноса в поперечном магнитном поле в качестве одного из этапов технологии получения дешевого кремния для солнечной энергетики.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы опубликованы в 13 работах и докладывались на 47-й студенческой научно-технической конференции РГРТА (Рязань, 2000 г.), XVII научном совещании «Высокочистые материалы с особыми физическими свойствами» (Суздаль, 2001 г.), Третьей Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологии получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний-2003») (Москва, 2003 г.), XVI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью» (ВИП-2003) (Звенигород, 2003 г.), Международной конференции «Возобновляемая энергетика 2003: состояние, проблемы, перспективы» (Санкт-Петербург, 2003 г.), 19-й Европейской конференции по фотоэлектричеству (19th European Photovoltaic Conference, Paris, France, 2004), 15-м Всемирном конгрессе по фотоэлектричеству (15th World Photovoltaic Congress, Shanghai, China, 2005).

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы (108 наименований) и приложения. Текст диссертации изложен на 190 страницах машинописного текста, содержит 14 таблиц и 58 рисунков.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Трунина, Ольга Евгеньевна

5. ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

Задачи, поставленные в данной диссертационной работе, были решены.

1. Измерено электросопротивление жидкого галлия в магнитном поле при Т= 300 К. Получена его зависимость от величины магнитного поля, квадратичная на начальном участке и затем переходящая в линейную.

2. Поведение электросопротивления жидкого галлия в магнитном поле описано с помощью двухзонной модели электронной структуры жидких металлов, основанной на модели двух полос проводимости для твердых тел и теории электропроводности Займана для жидких металлов.

3. Экспериментально установлено удаление примесей из жидких металлов (на примере индия и галлия) под действием поперечного электропереноса примесей в скрещенных электрическом и магнитных полях.

4. Разработан метод очистки индия и галлия с помощью поперечного электропереноса примесей, и получены образцы высокочистых материалов. Поперечный электроперенос в магнитном поле может использоваться как способ эффективной финишной очистки высокочистых материалов для микро- и наноэлектроники и других областей науки и техники.

5. Разработана методика подготовки микрообъектов различной природы (проводящие и непроводящие частицы размерами порядка нескольких микрометров, волокна, порошки и т.п.) с применением индия, полученного данным способом, для анализа методом вторично-ионной масс-спектрометрии.

6. Разработан способ очистки кремния, включающий электроперенос в поперечном магнитном поле, до уровня, соответствующего требованиям, предъявляемым к кремнию для фотоэлектрических преобразователей. Данный способ очистки может использоваться как один из этапов технологии получения дешевого кремния для фотоэлектрических преобразователей, включающей также карботермическое восстановление и направленную кристаллизацию.

Я выражаю искреннюю благодарность моему научному руководителю д. ф.-м. н. проф. Волкову Степану Степановичу за тактичное научное руководство и поощрение самостоятельности научных исследований.

Хотелось бы также поблагодарить кафедру электронной техники и технологии Рязанского государственного радиотехнического университета за предоставленную возможность научной работы.

Благодарю также моих соавторов (Трунина Е. Б., Карабанова С. М., Толстогузова А. Б., Китаеву Т. И.) за искренний интерес, проявленный к моим исследованиям, неоценимую помощь в научных и творческих изысканиях и разностороннее обсуждение проблем, коллективы предприятий ООО «Сан-сил», ОАО «НИТИ», ОАО РЗМКП, ГИРЕДМЕТ, ООО «МАКНиК», ООО «МАКНиТ» за участие в научных разработках. Отдельную благодарность хотелось бы выразить коллективу кафедры математического анализа Рязанского государственного университета им. С А. Есенина, а также сотрудникам компьютерной лаборатории физико-математического факультета Горбуновой Юлии Николаевне и Афанасовой Марине Михайловне за участие и поддержку.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Трунина, Ольга Евгеньевна, 2006 год

1. Вонсовский С. В. Магнетизм. М.: Наука, 1971.1032 с. с илл.

2. Шматько О. А., Усов В. Ю. Электрические и магнитные свойства металлов и сплавов. Киев: Наукова думка, 1987. 582 е., илл.

3. Кобус А., Тушинский Я. Датчики Холла и магниторезисторы: Пер. с польск. М.: Энергия, 1971.352 е., илл.

4. Капица П. Л. Изменение электропроводности в сильных магнитных полях. // Научные труды "Сильные магнитные поля". М.: Наука, 1988.С. 243 -301. (Proс. Roy. Soc. А, 1929. Vol. 123. Р. 292)

5. Капица П. Л. Электропроводность металлов и ее изменение в магнитном поле. // Научные труды "Сильные магнитные поля". М.: Наука, 1988. С. 313-318. (Metallwirtschaft. 1929. Н. 19. S. 443)

6. Капица П. Л. Измерение сопротивления металлов в магнитных полях. // Научные труды "Сильные магнитные поля". М.: Наука, 1988. С. 435 440. (Leipziger Vorträge. Magnetismus, Leipzig: S. Hirzel. S. 1)

7. Займан Дж. Принципы теории твердого тела: Пер. с англ. М.: Мир, 1974.472 с.

8. Крэкнелл А., Уонг К. Поверхность Ферми: Пер. с англ. М.: Атомиз-дат, 1978. 352 с.

9. Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела. Т. 1. Пер. с. англ. М.: Мир, 1979. 399 с.

10. Абрикосов А.А. Основы теории металлов. М.: Наука, 1987. 520 е., ил.

11. Дрейзин Ю.А., Дыхне A.M. ЖЭТФ, 1972, т. 63, с.424.

12. Алексеевский Н.Е., Гайдуков Ю.П. ЖЭТФ, 1958, т. 35, с. 554.

13. Каганова И.М., Каганов М.И. К теории гальваномагнитных явлений в поликристаллических металлах. // ФНТ, т. 31, вып. 3-4 (Март 2005), с. 382404.

14. Логвинов И.И., Цзян Ю.Н. Нелинейная проводимость компенсированного поликристаллического металла в сильном магнитном поле // ФНТ, т. 29, вып. 4 (Апрель 2003), с. 413-417.

15. Глазов В.М., Кольцов В.Б., Сиротюк С.В. Эффект Холла в расплавах полупроводников. Часть 1. Металлические расплавы. (Обзоры по электронной технике. Серия 6. Материалы. Выпуск 6 (1310).) М.: ЦНИИ «Электроника», 1987. 46 е., илл.

16. L.L. Campbell. Galvanomagnetic and thermomagnetic effects; the Hall and allied phenomena. London New-York: Longmans and Co, 1923. - 308 pp.

17. W. Gerlach. Die galvanomagnetischen und thermomagnetischen Effekte in Elektronenleitern. // Handb. der Phys., 1928, v. 13. S. 228 262.

18. I. A. Elridge. An application of the electron theory to the Hall effect. // Phys. Rev., 1923, v.21, pp. 131 142.

19. I. Kikoin, I. Fakidov. Halleffekt in flussige Metallen. // Z. f. Phys., 1931, Bd. 71, H. 5 -6, S. 393-402.

20. Кикоин И.К., Факидов И.Г. Влияние поперечного магнитного поля на сопротивление жидких металлов. // ЖЭТФ, 1933, Т. 3, № 1, с. 36 43.

21. Глазов В.М., Вобст М., Тимошенко В.И. Методы исследования свойств жидких металлов и полупроводников. М.: Металлургия, 1989. 384 с.

22. Магомедов А. М. Магнетосопротивление чистых металлов в твердой и жидкой фазе. // Письма в ЖЭТФ, 1980 г., том 32, вып. 4, с. 315 128.

23. Кикоин И.К., Факидов И.Г. Phys. Sowiet., 7, 507, 1935.

24. I. Е. Armstrong. Magnetoresistance of liquid sodium-potassium alloy. // Phys. Rev., 1935, 47,391 392.

25. Кувандыков O.K., Садыков С.А., Субханкулов И. // Изв. АН УзССР, серия физико-математических наук, № 5, 72, 1976.

26. Еланский Г.Н. Строение и свойства металлических расплавов. М.: Металлургия, 1991. 160 с.

27. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. M.-JL: Изд-во АН СССР, 1945. 592 с.

28. Фишер И. 3. Статистическая теория жидкостей. М.: Физматгиз, 1961. 280 с.

29. Яценко С. П. Галлий. Взаимодействие с металлами. М.: Наука, 1974. 220 с.

30. Яценко С.П. Индий. Свойства и применение. М.: Наука, 1987. 256 с.

31. Белащенко Д.К. Структура жидких и аморфных металлов. М.: Металлургия, 1985. 192 с.

32. Хейне В., Коэн М., Уэйр Д. Теория псевдопотенциала: Пер. с англ. М.: Мир, 1973.558 с.

33. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела: Пер. с англ. М.: Наука, 1978. 792 е., илл.

34. Физика металлов. Электроны. / Под ред. Дж. Займана: Пер. с англ. М.: Мир, 1972. 464 с.

35. Белащенко Д.К. Явления переноса в жидких металлах и полупроводниках. М.: Атомиздат, 1970.400 с.

36. Займан Дж. Модели беспорядка: Пер. с англ. М.: Мир, 1982. 592 с.

37. Островский О. И., Григорян В. А., Вишкарев А. Ф. Свойства металлических расплавов. М.: Металлургия, 1988. 304 с.

38. Фикс В.Б. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках. М.: Наука, 1969. 296 с.

39. Михайлов В. А., Богданова Д. Д. Электроперенос в жидких металлах. Новосибирск: Наука, 1974. 224 с.

40. Электроперенос и его приложения. / Под ред. В.А. Михайлова. Новосибирск: Наука, 1982.140 с.

41. Y. Adda, J. Filibert. La diffusion dans les solides. Saclay. T. 1 -2. France, 1966. 1268 p.

42. H. Wever. Elektro- und Thermotransport in Metallen. Leipzig: Johan ^ Ambrosius Barth, 1973.280 S.

43. J. N. Pratt, R. G. Sellors. Electrotransport in metals and alloys. Trans. Tech. SA (Riehen). Switzerland, 1973. 202 pp.

44. Фикс В.Б. О механизме подвижности ионов в металлах. // ФТТ, 1959, №1, с. 16-30.

45. Н. В. Huntington, A. R. Grone. Current-Induced Marker Motion in Gold Wires. // J. Phys. Chem. Solids, 1961, vol. 20, No 1 2, pp. 76 - 87.

46. C. Bosvieux, J. Friedel. Sur l'Electrolyse des Alliages Métalliques // J. Phys. Chem. Sol., 1962, v. 23, No 1 2, pp. 123 - 136.щ 49. R. Landauer, J. W. F. Woo. Driving force in electromigration. // Phys. Rev.

47. B, 1974, vol. 10, No 4, pp. 1266 1271.

48. R. S. Sorbello. A pseudopotential based theory of the driving forces for electromigration in metals. // J. Phys. Chem. Solids, 1973, vol. 34, pp. 937 950.

49. A. K. Das, R. Peierls. The force in electromigration. // J. Phys. C: Solid State Phys., Vol. 8,1975, pp. 3348 3352.

50. Белащенко Д. К. Исследование расплавов методом электропереноса. М.: Атомиздат, 1974. 88 с.

51. Ершов Г.С., Черняков В.А. Строение и свойства жидких металлов. • М.: Металлургия, 1982. 176 с.

52. R. A. Swalin. On the theory of self-diffusion in liquid metals. // Acta Metallurgies vol. 7, 1959, pp. 736 740.

53. Резибуа П., ДеЛенер M. Классическая кинетическая теория жидкостей и газов: Пер. с англ. / Под ред. Ю.Л. Климонтовича и А.И. Осипова. М.: Мир, 1980.424 с.

54. Харьков Е.И. Самодиффузия и вязкость простых жидкостей в рамках модели твердых сфер. 1. Самодиффузия и вязкость простых жидкостей при температуре плавления. // УФЖ, 1975, 22, № 6, с. 930 937.

55. M. Schimschak, J. Krug. Electromigration-driven shape evolution of two-dimensional voids. // J. Appl. Physics, 2000, vol. 87, pp. 695 -701.

56. J.P. Sethna. Electromigration and voids // Laboratory of Atomic and Solid State Physics (Cornell University). URL: http://www.lassp.cornell.edu/sethna/ pub.html#74

57. Закурдаев И.В., Садофьев С.Ю., Погосов A.O. Самоформирование системы высокоупорядоченных наноостровков германия при эпитаксии на профилированные кремниевые (111) подложки в условиях электропереноса // Письма в ЖЭТФ, 2002, т. 75, вып. 2, с. 100 102.

58. Ахкубеков А.А, Карамурзов Б.С. Связь параметров диффузии и электропереноса компонентов бинарных расплавов при контактном плавлении // ПЖТФ, 2002, т. 28, вып. 2, с. 60.

59. Закурдаев И.В. и др. Чистые материалы в электронной технике (новые методы очистки). (Обзоры по электронной технике. Серия 7. Технология, организация производства и оборудование. Выпуск 12 (754)). М.: ЦНИИ «Электроника». 1980. 52 с.

60. Девятых Г.Г., Еллиев Ю.Е. Введение в теорию глубокой очистки веществ. М.: Наука, 1981. 320 с.

61. Беляев А.И. Физико-химические основы очистки металлов и полупроводниковых материалов. -М.: Металлургия, 1973. 224 с.

62. Иванов В.Е. и др. Чистые и сверхчистые материалы. М.: Металлургия, 1965.264 с.

63. Степин Б.Д. и др. Методы получения особо чистых неорганических веществ. JL: Химия, 1969.480 с.

64. Яценко A.C. и др. Лазерные методы очистки материалов электронной техники. (Обзоры по электронной технике. Серия 6. Материалы. Выпуск 1 (1007).) М.: ЦНИИ «Электроника», 1984. 60 с.

65. Сахаров Б.А. и др. Металлургия и технология полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1972. 544 с.

66. Нашельский А .Я. Производство полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1989. 282 с.

67. A. Goetzberger. Solar Cell Materials and Technology: from the Past to the Future // Proceedings of the 17th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Munich, Germany, 22 26 October 2001, pp. 9 - 13.

68. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии: Пер. с англ. М.: Мир, 1984. 475 е., илл.

69. Н. A. Aulich, F.-W. Schilze, Silicon Feedstock for Photovoltaic Industry //tVi

70. Proceedings of the 17 European Photovoltaic Solar Energy Conference, Munich, Germany, 22 26 October 2001, pp. 65 - 68.

71. W. Koch, P. Woditsch, Solar Grade Silicon Feedstock Supply for PV Industry // Proceedings of the 17th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Munich, Germany, 22 26 October 2001, pp. 73 - 76.

72. E. Olsen, G. Hagen, An Electrochemical Route to Solar Grade Silicon // Proceedings of the 17th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Munich, Germany, 22 26 October 2001, pp. 69 - 72.

73. S. M. Karabanov, The Prospects of Photovoltaics Development in Russia // Technical Digest of the International PVSEC-12, Cheju, Korea, 2001, pp. 63 64.

74. Волков С.С. Первичные средства сбора информации. Атомно-эмиссионная спектроскопия. Эллипсометрия: Учеб. Пособие. Рязань, Рязанская государственная радиотехническая академия, 2003.48 с.

75. Юинг Г. Инструментальные методы химического анализа: Пер. с англ. М.: Мир, 1989. 608 е., илл.

76. Карякин А.В. Повышение чувствительности прямого спектрального анализа //В сб. «Успехи аналитической химии». М.: Наука, 1974. с. 17 27.

77. Золотов Ю.А. Исследования в области аналитической химии веществ высокой чистоты // В сб. «Успехи аналитической химии». М.: Наука, 1974. с. 3-16.

78. Черепин В.Т., Васильев М.А. Методы и приборы для анализа поверхности материалов: Справочник. Киев: Наукова думка, 1982. 400 е., илл.

79. Заикин В.Г. и др. Основы масс-спектрометрии органических соединений. М.: МАИК «Наука / Интерпериодика», 2001. 286 е., илл.

80. Токарев М Что такое масс-спектрометрия и зачем она нужна // Масс-спектрометрия для непрофессионалов MS for pedestrians. URL: http://www.textronica.com/basic/ms.htm

81. Волков C.C., Денисов А.Г., Толстогузов А.Б. Вторично-ионные масс-спектрометры. (Обзоры по электронной технике. Серия 7. Технология, организация производства и оборудование. Выпуск 9 (1283)). М.: ЦНИИ «Электроника». 1987. 61 с.

82. Волков С. С. и др. Сканирующий ионный микрозонд «Шиповник» для анализа материалов микроэлектроники // Электронная промышленность, 1990, № 10, с. 13-16.

83. Блатт Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах: Пер. с англ. М.: Мир, 1971.470 с.

84. Разработка, и изготовление установки для контроля чистоты металлов по остаточному сопротивлению: Отчет о НИР. Сибирское отделение АН СССР, Институт неорганической химии. Новосибирск: 1975. 51 с.

85. Белявский В. И. Физические основы полупроводниковой нанотехно-логии // NanoEnot NanoTechnology независимый сайт о нанотехнологиях. URL: http://nanoenot.pisem.net/ne/foppn.htm.

86. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетерострук-тур. // ФТП, 1998, т. 32, № 1, с. 3 18.

87. Зеегер К. Физика полупроводников: Пер. с англ. М.: Мир, 1977. 615 с.

88. Вайнштейн Б.К. Современная кристаллография (в четырех томах). Т.1. Симметрия кристаллов. Методы структурной кристаллографии. М.: Наука, 1979 г. 384 е., илл.

89. Миркин JI. И. Рентгеноструктурный анализ. Справочное руководство. Получение и измерение рентгенограмм. М.: Наука, 1976. 328 е., илл.

90. Половин Р.В., Демуцкий В.П. Основы магнитной гидродинамики. М.: Энергоиздат, 1987. 208 с.

91. Таблицы физических величин: Справочник / Под ред. И.К. Кикоина. М.: Атомиздат, 1976. 1008 с.

92. Верлань А.Ф., Сизиков B.C. Интегральные уравнения: методы, алгоритмы, программы. Справочное пособие. Киев: Наукова думка, 1986. 291 с.

93. Черепин В. Т. Ионный микрозондовый анализ. Киев: Наукова думка, 1992. 344 с.

94. Физические величины: Справочник. М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232с.

95. Девятых Г. Г. и др. Примесный состав образцов Выставки-коллекции веществ особой чистоты. III. Простые твердые вещества элементов 3-го и 4-го периодов системы Д.И. Менделеева // Высокочистые вещества, №2, 1991, с. 22-32.

96. Девятых Г. Г. и др. Примесный состав образцов Выставки-коллекции веществ особой чистоты. 5. Простые твердые вещества элементов 5-го периода системы Д.И. Менделеева // Высокочистые вещества, № 5 6, 1992, с. 12-24.

97. Девятых Г. Г. и др. Примесный состав образцов Выставки-коллекции веществ особой чистоты. 6. Простые твердые вещества элементов 6-го периода системы Д.И. Менделеева // Высокочистые вещества № 5 6, 1992, с. 25-47.

98. ЮО.Толстогузов А. Б., Китаева Т. И. Определение следов металлов в глубинных минералах Якутии методом вторично-ионной масс-спектрометрии // Журнал аналитической химии, 1998, Т. 53, №1, с.78

99. Трунин Е.Б. Способ очистки жидких металлов. АС(СССР) №1208819, приоритет от 1 июля 1983 г., зарегистрировано в Госреестре изобретений 1 октября 1985г.

100. Трунин Е.Б. Перенос примесей в жидких металлах при протекании тока в поперечном магнитном поле. // Высокочистые вещества, 1988, №1, с. 77 80.

101. Александров В.Н., Дукин В.В. // Физика низких температур. 1976, т.2, вып. 1, с. 105.

102. Яворский В.М., Детлаф А.А. Справочник по физике. М.: Наука, 1968. 940 с.

103. Зиновьев В.Е. Кинетические свойства материалов при высоких температурах: Справ, изд. М.: Металлургия, 1984. 200 с.

104. Глазов В.М., Чижевская С.Н., Глаголева Н.Н. Жидкие полупроводники. М.: Наука, 1967. 244 с.

105. Кожитов JI.B. и др. Жидкофазная эпитаксия кремния. М.: Металлургия, 1989. 200 с.