Приборы и методы пространственно-селективного травления диэлектрических и полупроводниковых оптических материалов направленным потоком внеэлектродной плазмы тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.01, доктор физико-математических наук Колпаков, Всеволод Анатольевич

  • Колпаков, Всеволод Анатольевич
  • доктор физико-математических наукдоктор физико-математических наук
  • 2010, Самара
  • Специальность ВАК РФ01.04.01
  • Количество страниц 278
Колпаков, Всеволод Анатольевич. Приборы и методы пространственно-селективного травления диэлектрических и полупроводниковых оптических материалов направленным потоком внеэлектродной плазмы: дис. доктор физико-математических наук: 01.04.01 - Приборы и методы экспериментальной физики. Самара. 2010. 278 с.

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Колпаков, Всеволод Анатольевич

ВВЕДЕНИЕ

Оглавление

ГЛАВА 1 ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ ФОРМИРОВАНИЯ НАПРАВЛЕННЫХ ПОТОКОВ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ВНЕЭЛЕК-ТРОДНОЙ ПЛАЗМЫ ВЫСОКОВОЛЬТНЫМ ГАЗОВЫМ РАЗРЯДОМ

1.1 Анализ приборов, формирующих низкотемпературную плазму высоковольтного газового разряда.

1.2 Исследование особенностей низкотемпературной внеэлектродной плазмы.

1.3 Модификация конструкции высоковольтного газоразрядного прибора

1.4 Новые приборы, формирующие направленные потоки низкотемпературной внеэлектродной плазмы.

1.4.1 Многолучевой генератор газоразрядной плазмы.

1.4.2 Фокусатор газоразрядной плазмы.

Выводы.

ГЛАВА 2 МЕТОДЫ ЭКСПРЕСС - КОНТРОЛЯ И ПОВЫШЕНИЯ ЧИСТОТЫ ПОВЕРХНОСТИ.

2.1 Трибометрический метод и устройство экспресс—контроля чистоты поверхности.

2.2 Исследование особенностей трибометрического взаимодействия диэлектрических подложек при экспресс-контроле степени чистоты их поверхности.

2.3 Анализ частиц внеэлектродной плазмы, взаимодействующих с поверхностью материала.

2.4 Исследование механизма очистки поверхности в направленном потоке внеэлектродной плазмы.

2.4.1 Механизм очистки.

2.4.2 Модель очистки. Основные выражения.

2.4.3 Экспериментальное исследование зависимости степени чистоты поверхности от физических параметров плазмы.

2.5 Методика трибометрического экспресс - контроля чистоты поверхности.

2.6 Методика финишной очистки поверхности во внеэлектродной плазме

Выводы.

ГЛАВА 3 ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМА АДГЕЗИИ В СТРУКТУРАХ МЕТАЛЛ - ДИЭЛЕКТРИК ПОСЛЕ БОМБАРДИРОВКИ ИХ ПОВЕРХНОСТИ ИОННО-ЭЛЕКТРОННЫМ ПОТОКОМ.

3.1 Механизм увеличения адгезии.

3.2 Модель адгезии. Основные выражения.

3.3 Экспериментальное исследование влияния на адгезию параметров бомбардировки ионно-электронным потоком.

3.4 Методика формирования маскирующих слоев повышенной адгезионной прочности.

Выводы.

ГЛАВА 4 ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ ПРОСТРАНСТВЕННО

СЕЛЕКТИВНОГО ТРАВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ

И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ ВО ВНЕЭЛЕКТРОДНОЙ

ПЛАЗМЕ.

4.1 Методика подготовки образцов для проведения эксперимента по травлению материалов во внеэлектродной плазме.

4.2 Механизмы плазмохимического и ионно-химического травления материалов во внеэлектродной плазме.

4.3 Аналитическое описание метода оценки скорости травления материалов.

4.4 Алгоритм и программный комплекс для определения значений параметров режимов травления.

4.5 Э кспериментальное исследование механизмов травления материалов во внеэлектродной плазме.

4.5.1 Исследование влияния температуры на скорость травления.

4.5.1.1 Метод определения температуры поверхности в области её взаимодействия с потоком низкотемпературной плазмы.

4.5.1.2 Экспериментальное исследование температурной зависимости скорости травления.

4.5.2 Эффект объемной модификации полимеров в направленном потоке низкотемпературной плазмы.

4.6 Анализ качества травления диэлектрических и полупроводниковых оптических материалов.

4.7 Методика формирования микрорельефа методом плазмохимического травления во внеэлектродной плазме.

4.8 Методика формирования микрорельефа методом и онно-химического травления во внеэлектродной плазме.

Выводы.

ГЛАВА 5 ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМА ДИФФУЗИИ АТОМОВ ПОЛУПРОВОДНИКА В ЖИДКОЙ ФАЗЕ МЕТАЛЛА ПРИ ОБЛУЧЕНИИ СТРУКТУРЫ АЛЮМИНИЙ-КРЕМНИЙ ПОТОКОМ ВНЕЭЛЕКТРОДНОЙ ПЛАЗМЫ.

5.1 Исследование механизма взаимодействия атомов полупроводника с потоком «вакансий» в расплаве при бомбардировке его поверхности частицами внеэлектродной плазмы.

5.2 Моделирование механизма аномальной растворимости атомов полупроводника в жидкой фазе металла.

5.2.1 Результаты решения системы уравнений диффузии методом прогонки

5.3 Экспериментальное исследование стимуляции диффузии кремния в расплаве алюминия.

5.4 Методика создания микрорельефа на основе применения каталитической маски, формируемой во внеэлектродной плазме.

Выводы.

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Приборы и методы экспериментальной физики», 01.04.01 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Приборы и методы пространственно-селективного травления диэлектрических и полупроводниковых оптических материалов направленным потоком внеэлектродной плазмы»

Диэлектрические и полупроводниковые материалы применяются во всех отраслях народного хозяйства. Формирование различного рода структур, включая оптических, на поверхности данных материалов осуществляется методами фотолитографии [1-3], литографии [4-6], на основе применения бихромированного желатина [7] и жидких фотополимеризующихся композиций [8], послойного наращивания фоторезиста [9], прямой абляции лазерным излучением [10,11], прямой лазерной записи с применением круговой записывающей лазерной системы [12], вакуумно-плазменного травления в высокочастотной (ВЧ) и сверхвысокочастотной (СВЧ) плазме [13,14].

Плазменное травление широко используется в микро-, наноэлектрони-ке [15,16], дифракционной оптике [17,18] и нанофотонике [19]. Развитие перечисленных отраслей определяется расширением спектра формируемых микро-, наноструктур, прецизионностью и высокой равномерностью вакуум-но-плазменной обработки широкоапертурных пластин. Возникают задачи увеличения аспектного отношения канавок получаемых структур [20-23].

Требуемое качество обеспечивается плазменными технологиями, ключевыми операциями которых являются [18] очистка поверхности и контроль степени её чистоты, создание маскирующих слоев, стойких в течение длительного периода времени к воздействию низкотемпературной плазмы, травление субстрата подложки, удаление маскирующего слоя.

Выполнение требований возможно за счет достижения прецизионной чистоты поверхности, повышенной адгезионной прочности маскирующих слоев к поверхности подложки, применения для анизотропного направленного) равномерного травления поверхности направленных по6 токов низкотемпературной плазмы, полного удаления маскирующих слоев после операции травления.

Прецизионная чистота поверхности подложек достигается методами ее финишной очистки и контроля. Существует широкий спектр методов и средств измерения чистоты поверхности [24-31]. Однако для проведения экспресс-контроля чистоты поверхности широкоформатных подложек, если требуется быстро и достоверно определить соответствие состояния контролируемой поверхности технологической чистоте, многие из существующих методов неприемлемы в связи со значительной их стоимостью и низкой производительностью. Предлагается применение в процессе измерения специальной технологической операции очистки поверхности зонда-индентора, а для калибровки параметров прибора - подложек с эталонным загрязнением поверхности. Кроме того, недостатками известных методов являются возможность проведения измерения только конкретного типа загрязнений на исследуемой поверхности, ее загрязнение в процессе контроля, нестабильность показаний приборов. Методы окунания, конденсации, изотопов, масс-спектроскопии вторичных ионов, электронная оже-спектроскопия (ЭОС), нейтронно-активационный анализ (НАА), спектроскопия обратного рассеяния Резерфорда (ОРР), растровая электронная микроскопия, электронная спектроскопия с целью химического анализа и т.д., обладая достаточной точностью контроля от 10"6 до Ю~10 г/см2 [29-31], являются аналитическими и не подходят для экспресс-контроля, применяемого при разработке и использовании новых методов финишной очистки поверхности подложек в низкотемпературной плазме, т.к. требуют значительных затрат времени и материальных ресурсов. Применение каждого из перечисленных методов не позволяет контролировать чистоту поверхности во всем интервале 10" 6-НО"10 г/см2, и, является оправданным только в конкретном его диапазоне, что и объясняет их многообразие. Вследствие этого, создание методов экспресс—контроля чистоты поверхности, отличающихся простой конструкцией применяемых приборов, малой длительностью проведения процесса измерения, не требующих применения специальных зондов и методов обработки их поверхности, отсутствием механических повреждений и изменений свойств поверхности исследуемой подложки, является актуальной проблемой.

Методы финишной очистки, обработки поверхности с целью увеличения адгезионной прочности напыляемых на нее тонких металлических пленок, также как и методы плазменного травления, основаны на использовании низкотемпературной плазмы, которая представляет собой широкоформатный плазменный поток с равномерным распределением частиц по его сечению. Движение частиц в потоке такой плазмы должно осуществляться в направлении нормали к поверхности обработки, то есть иметь анизотропный характер. В настоящее время методы плазменного травления и финишной очистки широко применяются для решения различного рода задач как современной оптики [4-23,32-41], так и микро- и наноэлек-троники [42,43]. В качестве активного компонента в данных методах используется низкотемпературная плазма, формируемая тлеющим, ВЧ, СВЧ и магнетронным разрядами [43,44].

Генерация широкоформатных потоков плазмы тлеющим разрядом осуществляется источниками с полым катодом и анодом [45-50]. В этом случае возникает проблема обеспечения подавления неустойчивости в разряде, приводящей к нарушению его однородности. В работах [45,46] данная задача решается путем использования в качестве плазменного катода системы разрядов с микрополыми катодами, что позволяет создавать устойчивые тлеющие разряды значительных объема и площади. Однородность плазмы достигается применением систем с магнитным полем или комбинированным магнитным и электростатическим удержанием быстрых электронов в широкоапертурном полом катоде, генерацией, эмитирующей ионы плазмы в анодной полости [47,48]. Однако в последнее время, с целью удовлетворения требований развития электроники, появляются масштабные плазменные источники обработки пластин метровых размеров, для которых проблема обеспечения однородности плазмы и травления материалов остается не решенной [51].

Создание однородного, стабильного широкоформатного потока плазмы в источниках ВЧ, СВЧ и магнетронного разрядов представляет собой также сложную задачу [52-57]. Так, например, с уменьшением давления газа в рабочей камере увеличивается влияние неоднородности магнитного поля соленоида, создающего условия электронного циклотронного резонанса (ЭЦР) СВЧ газового разряда [58] на параметры формируемой плазмы, что приводит, в свою очередь, к неоднородности обработки пластин большого диаметра. Авторы работ [59-62]- предлагают повысить однородность плазмы путем изменения геометрии и конструктивных параметров источников ВЧ и СВЧ разрядов. Отмечено, что радиальная локализация участка с максимальной плотностью плазмы имеет тенденцию смещения от центра с уменьшением высоты плазменной камеры и повышением давления, т.е. 9 область вакуумной камеры, в которой возбуждается разряд, влияет на однородность плазмы. Минимизация влияния на однородность плазмы перечисленных факторов осуществляется расширением плазменной камеры, применением направляющих камер специальной геометрической формы [55], одновременным использованием для возбуждения ВЧ поля двух катушек - пла-нарной и вертикальной [54], применением специально разработанных кольцевых антенн и конструкций магнитных систем [52,53].

В использовавшихся до последнего времени установках плазмохи-мического травления плазма генерируется газовым разрядом в межэлектродном пространстве. Повышение однородности при этом связано с увеличением конструктивной сложности, энергоемкости источников плазмы данного типа [63-67] и не устраняет для всех рассмотренных вакуумно-плазменных систем и разрядов, формирующих плазму, общих для них недостатков:

- явление уменьшения скорости травления с увеличением относительных размеров поверхности [68,69], в том числе за счет ионного затенения и затенения нейтралами, эффект микрозагрузки [70];

- необходимость оптимизации параметров системы (ВЧ-смещение, мощность, давление и др.) [70];

- взаимодействие плазмы со стенками реактора, что приводит к образованию дополнительного источника полимера и увеличивает тенденцию к остановке травления [70];

- влияние материала, геометрии и свойств поверхности подложки на параметры газовых разрядов [71-73];

- загрязнение поверхности обработки малоактивными или неактивными частицами плазмы [74-76], изменяющее характеристики ее травления;

- проявление эффекта полимеризации при травлении во фторуглеродных газах [77,78];

- зависимость параметров заряженных частиц от режимов работы газоразрядного устройства.

Приведенные недостатки усложняют технологические процессы финишной очистки поверхности и травления материалов, делают трудоемким процесс определения значений параметров оптимальных режимов, затрудняют получение широкоформатных потоков плазмы, обеспечивающих равномерные очистку и травление по всей поверхности подложки независимо от ее размеров, и в итоге повышают себестоимость конечного продукта. В связи с этим возникает проблема поиска новых генераторов плазмы, свободных от перечисленных недостатков. При взаимодействии низкотемпературной плазмы с поверхностью обрабатываемого материала в область травления должны поступать только отрицательно заряженные частицы фторуглеродных газов, улучшающих анизотропию травления подложки и исключающих процесс аккумулирования на ней продуктов разряда [79]. Плазма (потоки плазмы) должна быть направленной и генерируемой за пределами электродов газоразрядного устройства. Заряженные и химически активные частицы в ней не должны взаимодействовать с боковыми стенками рабочей камерь1 (локализация плазмы), параметры заряженных частиц не должны зависеть от режимов работы газоразрядного устройства и должны иметь равномерное распределение по сечению плазменного потока. Такими свойствами, как следует из ряда публикаций [80-83 ], обладают ионно-электронные пучки, генерируемые высоковольтным газовым разрядом во внеэлектродном пространстве, а также плазма, которая может быть сформирована данным разрядом.

Впервые высоковольтный газовый разряд был открыт в ин

11 ституте электросварки имени Е.О. Патона Академии наук УССР в 70-х годах прошлого столетия и успешно применен для сварки и в лазерной технике [84-86]. Позднее, в 1980-х годах авторы работ [81,82] расширили область его применения: разряд стал использоваться для пайки элементов полупроводниковых приборов. Тем не менее, в настоящее время отсутствуют реакторы, в которых направленные широкоформатные потоки низкотемпературной плазмы генерируются высоковольтным газовым разрядом за пределами электродного промежутка. Как следствие, отсутствуют и сведения о комплексных теоретических, экспериментальных исследованиях физических явлений, порождаемых этим классом объектов, в целях их применения для пространственно-селективного травления диэлектрических и полупроводниковых оптических материалов. Указанное доказывает актуальность данной диссертации, её целей и задач.

Цель и задачи работы. Целью настоящей работы является создание приборов и методов пространственно-селективного травления диэлектрических и полупроводниковых оптических материалов направленным потоком вне-электродной плазмы.

В соответствии с поставленной целью определены и основные задачи диссертации, а именно:

1. Теоретическое и экспериментальное исследование электрофизических характеристик высоковольтного газового разряда, физических основ его возникновения и самоподдержания;

2. Создание и апробирование газоразрядных приборов, формирующих направленные потоки внеэлектродной плазмы с заданным сечением.

3. Разработка методов оценивания величин изменения поверхностной кон

12 центрации загрязнений, адгезии тонких металлических пленок, скоростей травления материалов и температуры их поверхности при обработке вне-электродной плазмой; экспериментальное исследование зависимостей перечисленных величин от физических факторов (тока разряда, ускоряющего напряжения, длительности, температуры обработки) для ряда материалов (диоксид кремния, карбид кремния, алмазоподобные пленки и полимеры);

4. Разработка методов очистки и увеличения адгезионной прочности маскирующих слоев во внеэлектродной плазме на основе трибометрического экспресс - контроля чистоты поверхности подложек;

5. Создание методов пространственно-селективного травления диэлектрических и полупроводниковых оптических материалов направленным потоком внеэлектродной плазмы.

Научная новизна. При выполнении настоящей диссертационной работы впервые:

1. Построены модели взаимодействия частиц внеэлектродной плазмы с полимерами, гетероструктурами, атомно-молекулярными комплексами поверхности твердого тела, позволяющие оценить величины изменения поверхностной концентрации загрязнений, адгезии тонких металлических пленок, скорости плазмохимического и ионно-химического травления материалов, температуры их поверхности, высоты стравленного слоя полимера при обработке поверхности в плазме;

2. Предложен и апробирован новый класс газоразрядных приборов, формирующих направленные потоки внеэлектродной плазмы, для пространственно-селективного травления широкоформатных пластин диэлектрических и полупроводниковых оптических материалов;

3. Экспериментально исследованы зависимости величины изменения поверхностной концентрации загрязнений, адгезионной прочности тонких металлических пленок, скоростей травления диэлектрических и полупроводниковых оптических материалов (диоксида кремния, карбида кремния, алмазоподобных пленок и полимера) от физических параметров внеэлек-тродной плазмы;

4. Разработан прецизионный метод экспресс—контроля чистоты поверхности подложек, использующий для контроля чистоты коэффициент трения скольжения и позволяющий измерять чистоту поверхности в диапазоне 10"6 - Ю"10 г/см2, отличающийся простой конструкцией применяемого прибора, малой длительностью проведения процесса измерения (5-15 с), не требующий применения специальных зондов и методов обработки их поверхности, не приводящий к механическому повреждению и изменению свойств исследуемой поверхности;

5. Разработаны методы финишной очистки поверхности, формирования маскирующих слоев с повышенной адгезионной прочностью, плазмохими-ческого и ионно-химического травления материалов во внеэлектродной плазме, позволяющие осуществлять очистку поверхности до уровня 10"9 г/см2, формировать маскирующие металлические слои со значением адгезионной прочности 25 Н/мм и пространственно-селективное травление поверхности на широкоформатных пластинах;

6. Обнаружен и экспериментально подтвержден эффект экстракции химически неактивных частиц плазмы из области травления материала;

7. Обнаружен эффект увеличения адгезии тонких металлических пленок в структуре металл-диэлектрик после бомбардировки ее поверхности потоком заряженных частиц внеэлектродной плазмы, объясняемый диссоциа

14 цией молекул углеводородных загрязнений и образованием активных радикалов и химических соединений на поверхности раздела металл-диэлектрик;

8. Обнаружен эффект объемной модификации полимера, объясняющий с единой точки зрения кинетику травления полимерной матрицы и образования модифицированных слоев во внеэлектродной плазме;

9. Разработан метод формирования микрорельефа на поверхности полупроводниковых материалов на основе экспериментального исследования механизма их аномального растворения в расплаве при обработке структуры металл-полупроводник внеэлектродной плазмой.

Практическая ценность результатов работы определяется следующим:

- экспериментально доказана эффективность практического использования внеэлектродной плазмы для очистки поверхности подложек, увеличения адгезии тонких металлических пленок, пространственно-селективного травления диэлектрических и полупроводниковых оптических материалов, изготовления микроструктур с помощью применения каталитической маски, разработаны соответствующие методы, реализация которых отличается низкими себестоимостью и энергоемкостью;

- разработанные метод и прибор экспресс-контроля чистоты поверхности являются неразрушающими, свободны от недостатков, характерных существующим зарубежным и отечественным аналогам;

- уменьшены требования к технологическому процессу пространственноселективного травления в низкотемпературной плазме на основе снижения процентного содержания кислорода в плазме, загрязнения продуктами травления поверхности материала, требований к чистоте рабочих газов и

15 поверхности;

- показана возможность формирования микроструктур на пластинах большого диаметра (78 мм и более).

В целом, создание уникального класса приборов, теоретических основ и методов пространственно-селективного травления диэлектрических и полупроводниковых оптических материалов направленным потоком вне-электродной плазмы позволяет получить комплексные технологические решения проблемы мелкосерийного и серийного изготовления широкого спектра микроструктур на пластинах большой апертуры.

На защиту выносятся:

- класс газоразрядных приборов, формирующих направленные потоки низкотемпературной внеэлектродной плазмы; концепция формирования низкотемпературной плазмы в виде направленного потока активных частиц в области поверхности материала, включающая модели взаимодействия частиц внеэлектродной плазмы с полимерами, гетероструктурами, атомно-молекулярными комплексами поверхности твердого тела, позволяющие оценить величины изменения поверхностной концентрации загрязнений, адгезии тонких металлических пленок, скорости плазмохимического и ионно-химического травления материалов, температуры их поверхности и высоты стравленного слоя полимера; трибометрический метод неразрушающего экспресс-контроля чистоты поверхности подложек, использующий для контроля чистоты коэффициент трения скольжения;

- экспериментально установленные зависимости величин изменения поверхностной концентрации загрязнений, адгезионной прочности тонких металлических пленок, скоростей травления диоксида кремния, карбида кремния, алмазоподобных пленок и полимера от электрофизических параметров плазмы; экспериментально установленные закономерности влияния режимов очистки, формирования маскирующих слоев, травления на параметры тестовых микроструктур (высота микрорельефа, вертикальность стенок ступеньки микрорельефа, шероховатость) во внеэлектродной плазме; методы пространственно-селективного травления диэлектрических и полупроводниковых оптических материалов направленным потоком вне-электродной плазмы; экспериментальные результаты, подтверждающие эффект экстракции химически неактивных частиц из области травления; теория формирования металлизированных маскирующих слоев, отличающихся особой стойкостью к плазменному воздействию, включающая механизм увеличения их адгезии к поверхности диэлектрика в результате обработки внеэлектродной плазмой; теоретическое описание процесса плазмохимического травления полимера, включающее механизм образования под действием внеэлектродной плазмы модифицированного слоя в объеме полимерной матрицы, дополняющее известную концепцию К-слоя.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на следующих конференциях:

Всероссийская научно-техническая конференция с международным участием «Электроника и информатика-97», г. Москва (г. Зеленоград) (1997 г.); Международная научно-техническая конференция «Актуальные проблемы анализа и обеспечения надежности и качества приборов, устройств и систем», г. Пенза, (1997 г.); Международная конференция «Математическое моделирование», г. Самара, (2001 г.); II Международный симпозиум «Аэрокосмические приборные технологии», г. Санкт-Петербург (2002 г.); Международная конференция «Микро- и наноэлектроника

2003», г. Москва (г. Звенигород); Третья конференция научно-образовательных центров программы «Фундаментальное исследование и высшее образование», г. Москва (2003 г.); Конференция молодых ученых Научно-образовательного центра математических основ дифракционной оптики и обработки изображений, г. Самара, (11 июня 2003 г. 22-25 октября 2003 г.); Международная конференция «Микро- и наноэлектроника-2005», г. Москва (г. Звенигород); УН-ая Международная научно-техническая конференция «АВИА-2006», г. Киев (2006 г.); Всероссийская научно-техническая конференции «Методы создания, исследования материалов, приборов и экономические аспекты микроэлектроники», г. Пенза (2006 г.); Всероссийская научно-техническая конференции «Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций», г. Самара (2006 г.); Всероссийская научная конференция молодых ученых «Наука. Технологии. Инновации», г. Новосибирск (2006 г.); УШ-ая Международная научно-техническая конференция «АВИА-2007», г. Киев (2007 г.); Международная конференция «Микро- и наноэлектроника-2007», г. Москва (г. Звенигород); Научные семинары «Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники» Физико-технологического института РАН (ФТИАН), Московского государственного института электронной техники (МИЭТ), Самарского государственного аэрокосмического университета и Института систем обработки изображений РАН (2007-2010 г.г.).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 54 печатные работы, в том числе 1 монография и 8 патентов на изобретение. При этом 20 работ опубликовано в изданиях, рекомендованных Высшей аттестационной комиссией Российской Федерации для опубликования основных научных результатов диссертаций на соискание ученой степени доктора наук.

18

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав с краткими выводами, заключения, списка цитируемой литературы и приложения. Она изложена на 278 страницах машинописного текста и содержит 124 рисунка, 46 таблиц. В списке цитируемой литературы 262 наименования.

Похожие диссертационные работы по специальности «Приборы и методы экспериментальной физики», 01.04.01 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Приборы и методы экспериментальной физики», Колпаков, Всеволод Анатольевич

ВЫВОДЫ

1. При облучении структуры металл-полупроводник частицами внеэлектродной плазмы в жидком металле возникает эффект аномальной растворимости атомов полупроводника, определяемый потоком «вакансий», концентрацией которых можно управлять изменением режимов облучения поверхности расплава ионно-электронным потоком.

2. Изменение электрических параметров и длительности облучения ионно-электронным потоком расплава позволяет, как замедлять, так и ускорять процессы диффузии атомов полупроводника в жидком металле, то есть управлять высотой микрорельефа.

3. Разработан метод оценки процесса аномального растворения атомов полупроводника в жидкой фазе металла при облучении структуры алюминий - кремний ионно-электронным потоком, позволяющий оптимизировать процессы легирования поверхности кремния пленками алюминия и создания микрорельефа на поверхности кремния.

4. Разработан метод формирования микрорельефа во внеэлектродной плазме с применением каталитической маски, применимый при условии, что ширина штриха должна быть намного больше толщины каталитической маски.

5. С помощью разработанного метода на поверхности кремния сформирован тестовый микрорельеф с периодом зон Т = 12 мкм.

6. Даны рекомендации по использованию предлагаемого подхода при формировании микрорельефа на полупроводниковых материалах с соответствующим значением максимально возможной концентрации атомов материала в расплаве.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертации разработаны теоретические основы, приборы и методы, обеспечивающие системную реализацию последовательности технологических процессов пространственно-селективного травления диэлектрических и полупроводниковых оптических материалов направленным потоком внеэлектродной плазмы для создания микроструктур на широкоформатных пластинах.

Основными результатами работы являются следующие:

1. Теоретически и экспериментально доказана способность высоковольтного газового разряда формировать широкоформатные потоки низкотемпературной плазмы диаметром 78 мм и более вне электродов газоразрядного устройства в диапазоне ускоряющих напряжений 0,3-6 кВ.

2. Экспериментально подтверждено возникновение и самоподдержание высоковольтного газового разряда на прямолинейных участках силовых линий электрического поля осевой зоны отверстия анода, установлена высокая степень равномерности распределения заряженных частиц по сечению плазменного потока (не хуже 98%), что позволяет обеспечить анизотропное и равномерное травление материалов на больших площадях (4775 мм и более).

3. Создана модификация газоразрядного прибора, обеспечивающего за счет введения новых конструктивных элементов отсутствие паразитных микроразрядов и стабильность параметров плазменного потока в диапазоне токов разряда 0-140 мА и ускоряющих напряжений 0,3-5 кВ.

4. Разработаны и экспериментально апробированы многолучевой генератор и фокусатор газоразрядной плазмы, формирующие потоки низкотемпературной плазмы с заданными формой (круг, прямоугольник, Б-образная), определяемой одинаковой геометрией отверстий, выполненных в аноде, катоде, изоляции и направлением, соответствующим кривизне поверхностей электродов при токах разряда 100-2000 мА, ускоряющих напряжениях 0,3-1кВ.

5. Экспериментально доказана эффективность использования внеэлек-тродной плазмы для очистки поверхности диэлектрических подложек, увеличения адгезии тонких металлических пленок, плазмохимического, ионно-химического травления материалов, разработаны соответствующие методы, реализация которых отличается низкими себестоимостью и энергоемкостью, позволяет производить очистку поверхности до уровня

9 2

10'у г/см при длительности облучения / =10 секунд, токе разряда / =3 мА, ускоряющем напряжении £/= 1,2 кВ, достичь значения адгезионной л прочности 25 Н/мм при £ = 3 минут, / = 80 мА, £/= 4 кВ, обеспечить пространственно-селективное травление диэлектрических и полупроводниковых оптических материалов с максимальными значениями скоростей травления, достигаемыми при / = 80-140 мА, напряжении на электродах газоразрядного устройства - 0,8 и 2 кВ, температурах подложки - 360440 К, процентном содержании кислорода в плазме - 0,8-2 %, и неравномерностью травления по поверхности пластины не более 1%.

6. Разработаны трибометрический метод и прибор экспресс - контроля чистоты поверхности подложек, не требующие применения специальных зондов и методов обработки их поверхности. Оценка чистоты поверхности проводится, исходя из значения коэффициента трения скольжения, что расширило диапазон измеряемой степени чистоты поверхности подложек по сравнению с трибометром ИЧ-2 до 10"9 - Ю"10 г/см2 и сократило время измерения до 5 — 15 с.

7. Построены модели, связывающие величины остаточной концентрации органических загрязнений, адгезионной прочности, скоростей травления материалов, температуры их поверхности и высоты стравленного слоя полимера с физическими параметрами газоразрядного прибора (напряжение на электродах, ток разряда, время обработки), а также с параметрами самих процессов обработки (отношение потоков частиц, степень заполнения поверхности активными частицами, коэффициенты десорбции, прилипания и распыления). Экспериментально доказана достоверность построенных моделей.

8. Разработаны алгоритмы и программный комплекс, позволяющие в режиме диалога определить значения параметров режимов травления.

9. Разработан метод формирования микроструктур на поверхности полупроводниковых материалов на основе экспериментального исследования механизма их аномального растворения в расплаве при обработке структуры металл-полупроводник внеэлектродной плазмой, реализация которого позволяет изменением режимов облучения и топологии металлизированного слоя управлять параметрами микрорельефа.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Колпаков, Всеволод Анатольевич, 2010 год

1. Попов, В.В. Материалы и методы для создания плоских фокусирующих элементов Текст. / В.В. Попов // Компьютерная оптика. 1987. — №1. -С.160-163.

2. Stern, М.В. Binary Optics Fabrication Текст. / In the Book: Micro-Optics: Elements, systems and applications. Edited by Hans Peter Herzig. Taylor and Francis Ltd. London, 1997. pp. 53-86.

3. O'Shea, D.C. Diffractive Optics: Design, Fabrication and Test Текст. / D.C. О'Shea, T.J. Suleski, A.D. Kathman and D.W. Prather. SPIE Press. Washington, 2003.-237 p.

4. Handbook of Microlithography, Micromachining and Microfabrication: Volume 1: Microlithography Текст. / edited by P. Ray-Choudhury. SPIE Press. Washington, 1997. 765 p.

5. Unno, Noriyuki. Sub-100-nm three-dimensional nanoimprint lithography Текст. / Noriyuki Unno, Jun Taniguchi and Yoshiaki Ishii // J. Vac. Sci. and Technol. B. 2007. - Vol.25. - №6. - P. 2361-2364.

6. Ogino, Takumi. Sub-20-nm scratch nanolithography for Si using scanning probe microscopy Текст. / Takumi Ogino, Shinya Nishimura and Jun-ichi Shirakashi // Jap. J. Appl. Phys. Pt 1. 2007. - Vol.46. - №10A. - P. 69086910.

7. Голуб, M.A. Получение асферических волновых фронтов при помощи машинных голограмм Текст. / М.А. Голуб, Е.С. Живописцев, С.В. Карпе-ев, A.M. Прохоров, И.Н. Сисакян, В.А. Сойфер // ДАН СССР. 1980. -Т.253. - №5. - С.1104-1108.

8. Соловьев, B.C. Текст. / B.C. Соловьев, Ю.Б. Бойко // Компьютерная оптика. 1990. - №8. - С. 74-76.

9. Волков, А.В. Метод формирования дифракционного микрорельефа на основе послойного наращивания фоторезиста Текст. / А.В. Волков, Н.Л.

10. Казанский, О.Ю. Моисеев, В.А. Сойфер. // Компьютерная оптика. 1996. -№16. - С.12-14.

11. Полищук, А.Г. Методы формирования профиля поверхности дифракционных оптических элементов Текст. / А.Г. Полищук // Компьютерная оптика. 1998. -№16. - С.54-61.

12. Валиев, К.А. Исследование кинетики травления полиметилметакрилата в низкотемпературной плазме Текст. / К.А. Валиев, К.Я. Мокроусов, А.А. Орликовский // Поверхность. 1987. - №1. - С.53-57.

13. Rybakov, О.Ye. DOE manufacturing technology based on plasma etching Текст. / О.Ye. Rybakov, G.V. Usplenjev, A.V. Volkov // Proceeding of 5 International Workshop DIP 94. 1994. - P. 80-81.

14. Драгунов, В.П. Основы наноэлектроники Текст. / В.П. Драгунов, И.Г. Неизвестный, В.А. Гридчин. Новосибирск: НГТУ, 2004. - 496 с.

15. Методы компьютерной оптики Текст. / под ред. В.А.Сойфера. М.: Физматлит, 2003. - 688 с.

16. Дифракционная компьютерная оптика Текст. / под ред. В.А.Сойфера. -М.: Физматлит, 2007. 736 с.

17. Сойфер, В.А. Дифракционные оптические элементы в устройствах на-нофотоники Текст. / В.А. Сойфер, В.В. Котляр, JI.JI. Досколович // Компьютерная оптика. 2009. - Т.ЗЗ. - №4. - С.352-368.

18. Stern, Margaret В. Dry etching for coherent refractive microlens arrays Текст. / Margaret B. Stern, Theresa R. Jay // Optical Engineering. 1994. -Vol. 33. - №11. - P. 3547-3551.

19. Lima, O. Creating micro- and nanostructures on tubular and spherical surfaces Текст. / О. Lima, L. Tan, A. Goel, M. Negahban and Z. Li // J. Vac. Sci. and Technol. B. 2007. - Vol.25. - №6. - P. 2412-2418.

20. Перескокова, А.П. Применение трибометрического метода для контроля чистоты поверхности деталей и технологических сред Текст. / А.П. Перескокова, Л.В. Солодовникова, A.M. Акимова // Электронная техника.

21. Сер. 7, Технология, организация производства и оборудование. — 1979. -вып. 1.-С. 143-151.

22. Бородин, С.А. Исследование процесса растекания капли жидкости, наносимой на поверхность подложки Текст. / С.А. Бородин // Компьютерная оптика. 2006. - №28. - С. 66-69.

23. Бородин, С.А. Автоматизированное устройство для оценки степени чистоты подложки по динамическому состоянию капли жидкости, наносимой на ее поверхность Текст. / С.А. Бородин, А.В. Волков, H.JI. Казанский // Компьютерная оптика. 2006. - № 28. — С. 70-75.

24. Нефедов, В.И. Физические методы исследования поверхности твердых тел Текст. / В.И. Нефедов, В.Т. Черепнин. -М.: Наука, 1983. 257 с.

25. Вудрав, Д. Современные методы исследования поверхности Текст. / Д. Вудрав, Т. Делчар. Пер. с англ. М.: Мир, 1989. - 564 с.

26. Борисов, С.Ф. Межфазная граница газ-твердое тело: структура, модели, методы исследования Текст. / С.Ф. Борисов. Екатеринбург: Физмат-лит, 2001.-643 с.

27. Horn, Mark W. Comparison of etching tools for resist pattern transfer Текст. / Mark W. Horn, Mark A. Hartney, Roderick R. Kunz // Optical Engineering. 1993. - Vol. 32. - №10. - P. 2388-2394.

28. Fu, Yongqi. Investigation of diffractive-refractive microlens array fabricated by focused ion beam technology Текст. / Yongqi Fu, Bryan Kok Arm Ngoi // Optical Engineering. 2001. - Vol. 40. - №4. - P. 511-516.

29. Li, Chengde. Optical quality micromachining of glass with focused laser-produced metal plasma etching in the atmosphere Текст. / Chengde Li and Su-was Nikumb // Applied Optics. 2003. - Vol.42. - №13. - P. 2383-2387.

30. Орликовский, A.A. Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике. Часть 1. Реактивное ионное травление Текст. / А.А. Орликовский // Микроэлектроника. 1999. - Т.28. - №5. - С. 344-362.

31. Орликовский, А.А. Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике. Часть 2. Плазмохимические реакторы нового поколения и их применение в технологии микроэлектроники Текст. / А.А. Орликовский // Микроэлектроника. 1999. -Т.28. -№6. - С. 415-426.

32. Бурмаков, А.П. Неустойчивость процесса реактивного магнетронного распыления Текст. / А.П. Бурмаков, В.А. Зайков, А.А. Лабуда, В.Е. Черный // Журнал прикладной спектроскопии. 1996. - Т. 63. - №6. - С. 1049-1053.

33. Schoenbach, К.Н. Microhollow cathode discharges Текст. / К.Н. Schoen-bach, R. Verhappen, Т. Tessnow, F.E. Peterkin, W.W. Byszewski // Appl. Phys. Lett. 1996. - Vol.68. - №1. - P. 13-15.

34. Stark, Robert H. Direct current high-pressure glow discharges Текст. / Stark Robert H., Schoenbach Karl H // Appl. Phys. 1999. - Vol.85. - №4. - P. 20752080.

35. Гаврилов, H.B. Генерация однородной плазмы в тлеющем разряде с полым анодом и широкоапертурным полым катодом Текст. / Н.В. Гаврилов, Д.Р. Емлин, С.П. Никулин // Письма в ЖТФ. 1999. - Вып. 25. - №12. - С. 83-88.

36. Никулин, С.П. Генерация однородной плазмы в тлеющих разрядах низкого давления Текст. / С.П. Никулин, С.В. Кулешов // Журнал технической физики. 2000. - Вып. 70. - №4. - С. 18-23.

37. Визирь, А.В. Несамостоятельный тлеющий разряд с полым катодом для широкоапертурных ионных источников Текст. / А.В. Визирь, Е.М. Оке, П.М. Щанин, Г.Ю. Юшков // Журнал технической физики. 1997. -Вып. 67.-№6.-С. 27-31.

38. Pinnaduwage, Lai A. Enhanced electron attachment to highly excited molecules using a plasma mixing scheme Текст. / Pinnaduwage Lai A., Ding Weixing, McCorkle Dennis L // Appl. Phys. Lett. 1997. - Vol.71. - №25. - P. 3634-3636.

39. Пат. 5449977 США, МКИ H 01 J 37/00. Устройство и способ возбуждения плазмы с однородной плотностью потока Текст. / Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. - №326360; Заявл. 20.10.94; Опубл. 12.09.95. приор. 14.4.92, №4-098056 (Япония); НКИ 315/111.51.

40. Yasuyoshi, Yasaka. Control of process uniformity by using electron cyclotron resonance plasma produced by multiannular antenna Текст. / Yasaka Ya-suyoshi, Nakamura Tomokazu // Appl. Phys. Lett. 1996. - Vol.68. - №11. - P. 1476-1478.

41. Заявка 19726663 Германия, МПК H 05 H 1/46. Устройство для возбуждения однородных СВЧ волн в плазме Текст. / Sung-Spitzl Н. -№19726663.0; Заявл. 23.06.97; Опубл. 28.01.99.

42. Александров, К.В. Порог развития ионизационноперегревной неустойчивости в плазме безэлектродного СВЧ-разряда Текст. / К.В. Александров, Д.В. Бычков, Л.П. Грачев, И.И. Есаков // Журнал технической физики. 2008. - Т.78. - №7. - С.35-39.

43. Sittsworth, J.A. Reactor geometry and plasma uniformity in a planar inductively coupled radio frequency argon discharge Текст. / J.A. Sittsworth, A.E. Wendt // Plasma Sources Sci. and Technol. 1996. - Vol.5. - №3. - P. 429-435.

44. Yoko, Uedo. Role of peripheral vacuum regions in the control of the electron cyclotron resonance plasma uniformity Текст. / Uedo Yoko, Muta Hiroshi, Kawai Yoshinobu // Appl. Phys. Lett. 1999. - Vol.74. - №14. - P. 1972-1974.

45. Korzec, D. Scaling of microwave slot antenna (SLAN): a concept for efficient plasma generation Текст. / D. Korzec, F. Werner, R. Winter, J. Engemann // Plasma Sources Sci. and Technol. 1996. - Vol.5. - №2. - P. 216-234.

46. Stittsworth, J.A. Striations in a radio frequency planar inductively coupled plasma Текст. / J.A. Stittsworth, A.E. Wendt // IEEE Trans. Plasma Sci. -1996.-Vol.24.-№1.-P. 125-126.

47. Заявка 1739717 ЕПВ, МПК Н 01 J 37/32, Н 05 Н1/46. Плазменный генератор с наклонной антенной Текст. / Alter S. г. 1., Veronesi Paolo, Leonelli Cristina, Garuti Marco. №05425464.4; Заявл. 30.06.05; Опубл. 03.01.07.

48. Пат. 7175875 США, МПК В 05 D 3/06, Н 05 Н 1/24. Метод и устройство для плазменной обработки Текст. / Hitachi, Ltd., Nakano Hiroyuki, Nakata Toshihiko. -№10/075244; Заявл. 15.02.02; Опубл. 13.02.07; НПК 427/10.

49. Hyun-Ho, Doh. Effects of bias frequency on reactive ion etching lag in an electron cyclotron resonance plasma etching system Текст. / Doh Hyun-Ho, Yeon Chung-Kyu, Whang Ki-Woong // J. Vac. Sci. and Technol. A. 1997. -Vol.15. -№3.-Ptl. -P. 664-667.

50. Ковалевский, A.A. Исследование процесса изотропного плазмохимиче-ского травления пленок диоксида кремния Текст. / А.А. Ковалевский, B.C. Малышев, В.В. Цыбульский, В.М. Сорокин // Микроэлектроника. -2002. -Т.31. — №5. С.344-349.

51. Путря, М.Г. Плазменные методы формирования трехмерных структур УБИС Текст. / М.Г. Путря. М.: МИЭТ, 2005. - 128 с.

52. Woodworth, J.R. Effect of bumps on the wafer on ion distribution functions in high-density argon and argon-chlorine discharges Текст./ J.R. Woodworth, B.P. Aragon, T.W. Hamilton // Appl. Phys. Lett. 1997. - Vol.70. - №15. - P. 1947-1949.

53. Hebner, G.A. Influence of surface material on the boron chloride density in inductively coupled discharges Текст. / G.A. Hebner, M.G. Blain, T.W. Hamilton // J. Vac. Sci. and Technol. A. 1999. - Vol.17. - №6. - P. 3218-3224.

54. Koji, Miyata. CFX radical generation by plasma interaction with fluorocarbon films on the reactor wall Текст. / Miyata Koji, Hori Masaru, Goto Toshio // J. Vac. Sci. and Technol. A. 1996. - Vol.14. - №4. - P. 2083-2087.

55. Kenji, Komine. Residuals caused by the CF4 gas plasma etching process Текст. / Komine Kenji, Araki Nobusige, Noge Saturn, Ueno Hiroki, Hohkawa Kohji // Jap. J. Appl. Phys. 1996. - Vol.35. - №5b. - Pt.l. - P. 3010-3014.

56. McLane, G.F. Dry etching of germanium in magnetron enhanced SF6 plasmas Текст. / G.F. McLane, M. Dubey, M.C. Wood, K.E. Lynch // J. Vac. Sei. and Technol. B. 1997. Vol.15. - №4. - P. 990-992.

57. Stoffels, W.W. Polymerization of fluorocarbons in reactive ion etching plasmas Текст. / W.W. Stoffels, E. Stoffels, K.Tachibana // J. Vac. Sei. and Technol. A. 1998. - Vol.16. - №1. - P. 87-95.

58. Schwarzenbach, W. High mass positive ions and molecules in capacitively-coupled radio-frequency CF4 plasmas Текст. / W. Schwarzenbach, G. Cunge, J.P. Booth // J. Appl. Phys. 1999. - Vol.85. - №11. - P. 7562-7568.

59. Mieno, T. Generation and extinction characteristics of negative ions in pulse-time-modulated electron cyclotron resonance chlorine plasma Текст. / Т. Mieno, S. Samukawa // Plasma Sources Sei. and Technol. 1997. - Vol.6. -№3. - P. 398-404.

60. Комов, А.Н. Электронно-лучевая установка для пайки элементов полупроводниковых приборов Текст. / А.Н. Комов, А.И. Колпаков, Н.И. Бондарева, В.В. Захаренко // Приборы и техника эксперимента. 1984. - №5. - С. 218-220.

61. Вагнер, И.В. Текст. / И.В. Вагнер, Э.И. Болгов, В.Ф. Гракун, В.Л. Гох-вельд, В.А. Кудлай //Автоматическая сварка. — 1972. — №12. С.27.

62. Handle, S.K. Method for triggering high voltage vacuum discharges Текст. / S.K. Handle, F.R. Nordhage // J. Appl. Phys. 1997. - Vol.81. - №9. - P. 6473-6475.

63. Донко, 3. Высоковольтный разряд с полым катодом: применение в лазерной технике и моделирование движения электронов Текст. / 3. Донко, К. Рожа, Л. Шалаи // Физика плазмы. 1998. - Т.24. - №7. - С. 637-648.

64. Орликовский, A.A. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть I Текст. / A.A. Орликовский, К.В. Руденко // Микроэлектроника. 2001. - Т.30. - № 2. - С.85-105.

65. Орликовский, A.A. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть III Текст. / A.A. Орликовский, К.В. Руденко // Микроэлектроника. 2001. - Т.30. -№ 5. - С. 323-344.

66. Очкин, В.Н. Спектроскопия низкотемпературной плазмы Текст. / В.Н. Очкин. М.: Физматлит, 2006. - 471 с.

67. Руденко, К. В. Малоракурсная 2с1-томография пространственных неод-нородностей плазмы в технологических реакторах микроэлектроники Текст. / К.В. Руденко, A.B. Фадеев, A.A. Орликовский // Труды ФТИАН: Наука.-2005.-Т. 18.-С. 208-218.

68. Арцимович, Л.А. Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Текст. / Л.А. Арцимович, С.Ю. Лукьянов. М.: Наука, 1972.-224 с.

69. Магунов, А.Н. Теплообмен неравновесной плазмы с поверхностью Текст. / А.Н. Магунов. -М.: Физматлит, 2005. 312 с.

70. Черняев, В.H. Физико-химические процессы в технологии РЭА Текст. / В.Н. Черняев. М.: Высшая школа, 1987. - 376 с.

71. Матаре, Г. Электроника дефектов в полупроводниках Текст. / Г. Ма-таре. Под ред. С.А Медведева. М.: Мир, 1974. - 463 с.

72. Розанов, J1.H. Вакуумная техника Текст. / JI.H. Розанов. М.: Высшая школа, 2007. - 391 с.

73. E.Oks, A.Vizir, and G.Yushkov, Rev. Sci. Instrum. 69, 853 (1998).

74. Патент США US 3831052 A, 20.08.1974.

75. Патент РФ Плазменный электронный источник ленточного пучка Текст. / № 2231164, С1, МПК Кл. Н Ol J 37/077, 20.06.2004.

76. Кричевский, С.В. Разработка приборов анализа и повышения степени чистоты поверхности диоксида кремния Текст.: дисс. канд. техн. наук: 01.04.01: защищена 24.12.08: утв. 10.04.09 / Кричевский Сергей Васильевич. Самара, 2008. - 142с.

77. Полтавцев, Ю.Г. Технология обработки поверхности в микроэлектронике Текст. / Ю.Г. Полтавцев, A.C. Князев. Киев: Тэхника, 1990. - 192 с.

78. Дюваль, П. Высоковакуумное производство в микроэлектронной промышленности Текст. / П. Дюваль. М.: Мир, 1992. - 262с.

79. Хебда, М. Справочник по триботехнике Текст. В Зт. Т.1. Теоретические основы. / Под общ. ред. М. Хебды, A.B. Чичинадзе. М.: Машиностроение, 1989. - 400 с.

80. Крагельский, И.В. Основы расчетов на трение и износ. Текст. / И.В. Крагельский, М.Н. Добыч ин, B.C. Комбалов. М.: Машиностроение, 1977. - 526с.

81. B.А. Колпаков, А.И. Колпаков, C.B. Кричевский, H.A. Ивлиев // Компьютерная оптика. -2005. №28. - С.76-79.

82. Киреев, В.Ю. Ионно-стимулированное травление Текст. / В.Ю. Кире-ев, Д.А. Назаров, В.И. Кузнецов // Электронная обработка материалов.1986. №6. — С40-43.

83. Киреев, В.Ю. Электронно-стимулированное травление Текст. / В.Ю. Киреев, М.А. Кремеров // Электронная техника. Сер.З, Микроэлектроника. 1985. -В.151.-СЗ-12.

84. Броудай, И. Физические основы микротехнологии Текст. / И. Броудай, Дж. Мерей // Под ред. A.B. Шальнова. М.: Мир, 1985. - 496 с. (Brodie I., Muray J. The Physics of Microfabrication. N.Y., Plenum Press, 1982).

85. Spool, A.M. Studies of adhesion by secondary ion mass spectrometry Текст. / A.M. Spool // IBM J. Res. and Dev. 1994. - V.38. - №4. - P. 391411.

86. Sasaki, Minoru. Scanning force microscope technique for adhesion distribution measurement Текст. / Sasaki Minoru, Hane Kazuhiro, Okuma Shi-geru, Torii Akihiro // J. Vac. Sci. and Technol. B. 1995. - V.13. - №2. - P. 350-354.

87. Щербина, Г.И. Автоматизированный зонд для определения адгезионных свойств поверхности Текст. / Г.И. Щербина, Ю.П. Топоров, А.В. Акимов, И.Н. Алейникова // Приборы и техника эксперимента. 1999. -№3. - С. 143-145.

88. Wei, Chenyu. Adhesion and reinforcement in carbon nanotube polymer composite Текст. / Chenyu Wei // Appl. Phys. Lett. 2006. - V.88. - №9. - P. 093108/1-093108/3.

89. Дерягин, Б.В. Адгезия твердых тел Текст. / Б.В. Дерягин, Н.А. Кро-това, В.П. Смилга. М.: Наука, 1973. - 260 с.

90. Chopra, K.D. Thin Film Fenomena Текст. / K.D. Chopra. N. Y., Mc.Graw-Hill, 1969. -P.313.

91. Берштейн, В.А. О действии тлеющего разряда на поверхность стекла Текст. / В.А. Берштейн, В.П. Зайцева, В.В. Никитин, В.А. Жаров // Физика и химия обработки материалов. 1979. - №4. - С. 147-150.

92. Коваленко, В.В. Влияние способа подготовки поверхности стекла на адгезию к нему вакуумных конденсатов индия Текст. /В.В. Коваленко, Т.П. Упит // Физика и химия обработки материалов. 1983. — №6. - С.77-80.

93. Коваленко, В.В. Влияние плазмы тлеющего разряда на адгезию металлических конденсатов к диоксиду кремнию и материалам на его основе Текст. / В.В. Коваленко, С.А. Варченя // Физика и химия обработки материалов.- 1988.-№1.-С.63-68.

94. Курносов, А.И. Технология производства полупроводниковых приборов Текст. / А.И. Курносов, В.В. Юдин. М.: Высшая школа, 1974. - 400 с.

95. Грицина, В.Т. Малогабаритная прецизионная разрывная машина Текст. / В.Т. Грицина, Н.И. Поляков, Ю.Б. Полторацкий // Заводская лаборатория. 1973. - №2. - С.235-236.

96. Коптенко, В.М. Сравнение основных источников углеводородных загрязнений при вакуумном осаждении тонких пленок. Получение и свойства тонких пленок Текст. / В.М. Коптенко, Ю.Г. Кононенко // Сборник научных трудов. Киев: Наукова думка, 1982. - С.5-12.

97. Данилин, Б.С. Вакуумная техника в производстве интегральных схем Текст. / Б.С. Данилин. М.: Энергия, 1972. - 256 с.

98. Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы Текст. / У. Моро / Под ред. Р.Х. Тимерова. М.: Мир, 1990. - 4.2. - 632 с. (Wayne М. Moreau. Semiconductor Lithography. Principles, Practices, and Materials. N.Y. and London, Plenum Press, 1988).

99. Колпаков, А.И. Метод определения чистоты поверхности подложек Текст. / А.И. Колпаков // Электронная промышленность. 1993. - №4. -С.37-39.

100. Физико химические свойства элементов Текст. / Справочник под ред. Г.В. Самсонова. - Киев: Наукова думка, 1965. - 807 с.

101. Семм, Б.Ф. Физико-химические основы смачивания и растекания Текст. / Б.Ф. Семм, Ю.В. Горюнов. М.: Химия, 1976. - 232 с.

102. Волькенштейн, Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции Текст. / Ф.Ф. Волькенштейн. М.: Наука, 1987.-432 с.

103. Каракозов, Э.С. О кинетике процесса образования соединения при сварке в твердом состоянии однородных металлов Текст. /Э.С. Каракозов, Б.А. Карташкин, М.Х. Шоршонов // Физика и химия обработки материалов. 1968. - №3. - С.113-122.

104. Вятскин, А.Я. Торможение электронов в некоторых металлах и полупроводниках Текст. / А.Я. Вятскин, А.Ф. Махов // ЖТФ. 1958. - Т.28. - №4. - С.740-747.

105. Афанасьев, В.П. Потери энергии киловольтными электронами при простреле слоев твердого тела Текст. / В.П. Афанасьев, A.B. Лубенченко,

106. A.A. Рыжков // Поверхность. 1996. - №1. - С.6-17.

107. Дудко, Г.В. О возможных механизмах образования и распределение дефектов в кремнии и германии при электроннолучевом нагреве Текст. / Г.В. Дудко, М.А. Колегаев, Д.И. Чередниченко // Физика и химия обработки материалов. 1970. - №2. - С.25-29.

108. Solid state physics Текст. / Eds Seits F., Turnbull D. — London, Acad. Books Ltd., 1956. 468 pp.

109. Радиационно активируемые процессы в кремнии Текст. / Под ред. Ш.А. Вахидова. - Ташкент: Фан УзССР, 1977. - 170 с.

110. Полянин, А.Д. Справочник по линейным уравнениям математической физики Текст. / А.Д. Полянин. М.: Физматлит, 2001. - 576 с.

111. Физико химические свойства полупроводниковых веществ Текст.

112. V.D. Paranin, M.S. Polikarpov // Book of abstracts of international conference «Micro- and nanoelectronics 2007», Zvenigorod. - 2007. - P. 1-44.

113. Моро, У. Микролитография Текст. / У. Моро. 4.1: Пер с англ. - М.: Мир, 1990.-605 с.

114. Валиев, К.А. Механизм плазмохимического травления полимеров Текст. / К.А. Валиев, Т.М. Мхвиладзе, М.Е. Сарычев // Доклады АН СССР. 1985. - Т. 283. - №2. - С.366-369.

115. Киреев, В.Ю. Плазмохимическое и ионно-химическое травление микроструктур Текст. / В.Ю. Киреев, Б.С. Данилин, В.И. Кузнецов. М.: Радио и связь, 1983. - 126 с.

116. Flamm, D.L. Measurements and mechanisms of etchant production during the plasma oxidation of CF4 and С2Бб Текст. / D.L. Flamm // Solid State Tech-nol. — 1979. — V.22. — №4. P. 109-116.

117. Gerlach-Meyer, V. Ion enhanced gas-surface reactions: A kinetic model for the etching mechanism Текст. / V. Gerlach-Meyer // Surface Sci. 1981. -V.103. -№213. - P.524-534.

118. Браун, С. Элементарные процессы в плазме газового разряда Текст. / С. Браун. М.: Госатомиздат, 1961. - 323 с.

119. Yasunori, Ohtsu. Spatial structure of electrons and fluorine atoms in a CF4 RF magnetron plasma Текст. / Ohtsu Yasunori, Matsuo Hitoshi, Fujita Hiro-haru // Plasma Sources Sci. and Technol. 1996. - Vol.5. - №2. - P. 344-348.

120. Kouji, Kaga. Spatial structure of electronegative Ar/CF4 plasmas in capacitive RF discharges Текст. / Kaga Kouji, Kimura Takashi, Imaeda Takao, Ohe Kazuyuki // Jap. J. Appl. Phys. 2001. - Pt.l. - V.40. - №10. - P. 6115-6116.

121. Лукичев, В.Ф. Масштабирование скорости травления и подобие профилей при плазмохимическом травлении Текст. / В.Ф. Лукичев, В.А. Юн-кин // Микроэлектроника. 1998. - Т.27. - №3. - С. 229-239.

122. Coburn, J.W. Ion-surface interactions in plasma etching Текст. / J.W. Coburn, H.F. Winters, C.J. Chuang // J. Appl. Phys. 1977. - V.48. - № 8. - P. 3532-3540.

123. Harsberger, W.R. Spectroscopic analysis of RF plasmas Текст. / W.R. Harsberger, R.A. Porter // Solid State Technol. 1979. - V.22. - №4. - P.90-103.

124. Horiike, Y. Dry etching: an overview Текст. / Y .Horiike // Jap. Annual Reviews in Electronics, Computers and Telecommunicated Semiconductor Technologies. 1983. - V.8. -P. 55-72.

125. Poulsen, R.G. Importance of temperatura and temperature control in plasma etching Текст. / R.G. Poulsen, M. Brochu // Si Bricond Silicon. 1973. - Nj.

126. Тихонов, А.Н. Методы решения некорректных задач Текст. / А.Н. Тихонов, В .Я. Арсенин. М.: Наука, 1974. - 224 с.

127. Алифанов, О.М. Текст. / О.М. Алифанов // ИФЖ. 1983. - Т.45. -№5. - С.742-752.

128. Вабищевич, П.Н. Текст. / П.Н. Вабищевич, П.А. Пулатов // ИФЖ. -1986. Т.51. - №3. - С.470-474.

129. Алифанов, О.М. Обратные задачи теплообмена Текст. / О.М. Алифа-нов. -М.: Машиностроение, 1988. — 279 с.

130. Carslaw, H.S. Conduction of heat in solids Текст. / H.S. Carslaw, J.C. Jaeger. — Oxford: Clarendon Press, 1956. (Карслоу, Г. Теплопроводность твердых тел [Текст] / Г. Карслоу, Д. Егер. — М.: Наука, 1964).

131. Тихонов, А.Н. Уравнения математической физики Текст. / А.Н. Тихонов, A.A. Самарский. М.: Изд-во МГУ, 1999. - 798 с.

132. Диткин, В.А. Интегральные преобразования и операционное исчисление Текст. / В.А. Диткин, А.П. Прудников. М.: Наука, 1974. - 542 с.

133. Таблицы физических величин. Справочник Текст. / Под общ. ред. И.К. Кикоина. -М.: Атомиздат, 1976. -1008 с.

134. Малкович, Р.Ш. Текст. / Р.Ш. Малкович // Письма в ЖТФ. 2002. -Т.28. -Вып.21. -С.91-94.

135. Попов, BJEC Текст. / BJC Попов // Физика и химия обработки материалов. 1967. -№.4. -С.11-24.

136. Бартенев, ГМ. Релаксационные свойства полимеров Текст. / ГМ. Бартенев, АР. Бартенева.-М.: Химия, 1992. -384 с.

137. Миркин, ЛИ. Справочник по рентгеноструюурному анализу поликристаллов Текст. / ЛИ Миркин / Под ред. проф. ЯС. Уманскош. — М: Гос. изд-во физ.-мат. литературы, 1961.-863 с.

138. Френкель, ЯП Кинетическая теория жидкостей Текст./ ЯП Френкель. -Л: Наука, 1975. С. 380,381,390.

139. Френкель, ЯИ. Введение в теорию металлов Текст./ ЯИ Френкель. -Л: Нау-ка,1972.-250с.

140. Киреев, ПС. Физика полупроводников Текст. / ПС. Киреев. М: Высшая школа, 1975.- 584с.

141. Юдин, ВВ. Микролегарование кремния с помощью электронно-лучевого нагрева Текст./ВБ.Юдин//Элекфон.обрабогкаматериалов.-1977.- №3(33). С. 27-30.

142. Болтакс, Б Л Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках Текст. / Б.И Бол-такс.- Л: Наука, 1972. 379 с.

143. Вавилов, B.C. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках Текст. /B.C.Вавилов, АЕ.Киев, ОР.Ниязова. М: изд.Наука, 1981. - 368 с.

144. Валиев, КА Физические основы субмикронной литографии в микроэлектронике Текст. / К А Валиев, В А Раков. М: Радио и связь, 1984. - 350 с.

145. Справочник химика Текст. /М: Химия, 1966. Т.1. -1071 с.

146. Физический энциклопедический словарь Текст. / М.: Сов. энциклопедия, 1962. -Т.2.- 608 с.

147. Комов, АН Текст. / АН Комов, АЛ Колпаков, БД Рафаевич // Электронная техника. -1979. серия 7. - вып.5(96). - С.7-10.

148. Маслов, АА Технология и конструкции полупроводниковых приборов Текст. / А А Маслов. М: Энергия, 1970. - 296 с.

149. Тихонов, АН Уравнения математической физики Текст. / АН. Тихонов, АА Самарский. М: Наука, 1972. - 659 с.

150. Марчук, Г.И. Повышение точности решений разностных схем Текст. / Г И. Мар-чук, ВБ. Шайдуров. М: Наука, 1979.

151. Самарский, АА Теория разностных схем Текст. / АА Самарский. М: Наука,1977. ♦

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.