Разработка активных и пассивных материалов для приборов неразрушающего контроля узлов и агрегатов АЭС тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Мустафинов, Эдуард Николаевич

• Мустафинов, Эдуард Николаевич
• кандидат технических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат технических наук Мустафинов, Эдуард Николаевич

ВВЕДЕНИЕ

1 ЛИТЕРА ТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Применение многокомпонентных твердых растворов на основе АП,ВУ в оптоэлектронике и их физико-химические свойства.

1.2. Высокотемпературные пьезокерамические материалы Состояние проблемы.

1.3. Перспективы развития высокотемпературного материаловедения.

2 МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ОБРАЗЦОВ

2.1. МЕТОДИКА ПОЛУЧЕНИЯ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

2.1.1. Аппаратно-методические особенности получения многокомпонентных твердых растворов А1ПВУ на основе ГпАБ, ОаАБ, Са8Ь.

2.1.2. Химическая обработка исходных материалов

2.1.3. Температурно-временные режимы получения

2.1.4. Нанесение контактной сетки. 52 2.2. АППАРАТУРА, МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ОБРАЗЦОВ СПКМ.

2.2.1. Синтез (контроль и подготовка сырья, выбор оптимальных режимов синтеза).

2.2.2. Спекание. 56 Обычный метод. 56 Метод горячего прессования. 58 Сопоставление методов.

Экспериментальная установка.

2.2.3. Изготовление измерительных образцов.

2.2.4. Поляризация.

2.2.5. Методы исследования образцов СПКМ. 65 Определение плотности. 65 Рентгенографические исследования. 65 Микроструктурный анализ. 65 Определение электрических и механических характеристик.

3 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

3.1. Исследование электрофизических, термодинамических параметров и фазовых равновесий твердых растворов АКгаАв, ОаГпАБ, АЮаЭЬ, [пАбБЬ

3.1.1. Соединения Оа1п8Ь/1пА8, ГпАзЗМпАз.

3.1.2. Соединения ОаЬгАз/ОаАз, АЮаАв/ОаАз, АЮаЗМ^Ь, (ЗаЬгёЬ/СтаЗЬ.

3.2. Экспериментальные уравнения ликвидуса (Т С).

3.3. Коэффициенты распределения легирующих элементов.

3.4. Стабильность твердых растворов под облучением.

3.5. Спинодальная поверхность в условиях облучения.

3.6. Влияние скорости введения повреждений на метастабильность твердого раствора

4 СЕГНЕТОПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕМАТЕРИАЛЫ

4.1. Выбор направлений исследований, химической основы и рациональной технологии получения высокотемпературного пьезокерамического материала

4.2. Разработка состава и способа получения материала с экстремально высокой рабочей температурой.

4.3. Пути улучшения технологичности разработанного материала, повышения воспроизводимости его свойств, пьезочувствиельности.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬ ТА ТЫ И ВЫВОДЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка активных и пассивных материалов для приборов неразрушающего контроля узлов и агрегатов АЭС»

Важнейшей проблемой решения вопросов безопасности атомных станций является разработка надежных систем управления, контроля и диагностики параметров эксплуатируемых реакторов. Одними из основных элементов таких систем являются измерительные преобразователи. Характерные условия их работы в ядерных энергетических установках: высокая температура, давление и воздействие радиационных облучений - накладывают ограничения на применение многих из них, успешно работающих в других областях промышленности.

Оценку состояния активной зоны реактора проводят, регистрируя в теплоносителе концентрацию радиоактивных благородных газов, радионуклидов йода и продуктов их распада. Для измерения спектра гамма-излучения используют полупроводниковые структуры Ое(1л) или Ыа1(Т1). Эти детекторы требуют охлаждения до температуры жидкого азота и достаточно сложной и дорогостоящей электронной аппаратуры. Создание новых принимающих полупроводниковых структур возможно на основе твердых растворов соединений АШВУ (ОаАз, Оа8Ь

И 1ПА8).

В последнее время в связи с открытием новых пьезоэлектрических материалов резко возрос интерес к пьезоэлектрическим преобразователям и датчикам на их основе. Основные преимущества таких преобразователей: высокие чувствительность, жесткость, надежность и большой диапазон конструктивных возможностей. Кроме того, пьезоэлектрические преобразователи имеют сравнительно высокую радиационную стойкость. Так, пьезокерамика не изменяет своих свойств при

17 2 флюенсе нейтронов 10 нейтр./см , что значительно выше потоков, существующих в активной зоне реактора.

В связи с этим диссертационная работа, посвященная разработке физико-технических основ получения новых материалов для преобразователей контрольно-измерительных приборов, надежно работающих в сложных и ответственных условиях атомных электростанций (АЭС), является весьма актуальной и представляет практический интерес.

Целью настоящей работы является исследование технологических особенностей при разработке новых полупроводниковых и сегнетопье-зокерамических материалов, а также способов их получения для создания на их основе приборов текущей диагностики и неразрушающего контроля узлов и агрегатов АЭС, работающих в условиях радиации и термосиловых нагрузок.

Для реализации поставленной цели решались следующие задачи:

- экспериментальные исследования кинетики роста и свойств получаемых материалов;

- расчет термодинамических и электрофизических параметров полупроводниковых (ПП) материалов для гамма-спектрометров;

- разработка методики и аппаратуры получения высокоэффективных датчиков, фотоприемников и устройств для регистрации и измерения различных физических величин с точностями, превышающими в других методах;

- прогнозирование, поиск и создание новых высокотемпературных, радиационностойких сегнетопьезокерамических материалов (СПКМ) для датчиков, работающих до температур порядка 1000 °С

17 2 при флюенсе нейтронов порядка 710 нейтр./см ;

- разработка способов получения таких материалов с оптимальными характеристиками.

Научная новизна работы:

- проведен расчет термодинамических и электрофизических параметров ПП материалов для гамма-спектрометров;

- теоретически и экспериментально исследованы закономерности роста АЮаБЬССаБЬ), Са1пАз(ОаА8), Оа1п8Ь(Оа8Ь), ОаАз8Ь(1пА8), 1ПА88Ь(1ПА5);

- проведен термодинамический расчет фазовых равновесий в системах Оа-1п-8Ь, АЮа-БЬ, Оа-Гп-АБ;

- проведен анализ устойчивости твердых растворов АЮаБЬ, АЮаАБ, Оа1пАБ и ГпАбЗЬ к «критическим» условиям радиационного облучения;

- осуществлено моделирование высокотемпературных (ВТ) сегне-топьезокерамических материалов (СПКМ) и экспериментально получен новый материал с целевыми параметрами.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Разработанная термодинамическая модель описания фазовых равновесий на основе метода парной аппроксимации регулярных растворов для твердых и жидких фаз дает возможность определять состав исходных материалов для получения твердых растворов АЮаБЬСОаБЬ), Оа1пА8(СаА8), Оа1п8Ь(Оа8Ь), Оа1п8Ь(1пА8) с заданными свойствами.

2. Разработанный метод зонной плавки температурным градиентом (ЗПТГ) позволяет получать тройные твердые растворы

Оа1п8Ъ(<ла8Ь), Оа1п8Ь(1пА8), АЮа8Ъ((5а8Ь), Оа1пАБ(СаАз) с требуемым распределением компонентов и высоким кристаллическим совершенством.

3. Скорость роста эпитаксиальных слоев Оа1п8Ь-Оа8Ь, Оа1п8Ь-1пА8, АЮа8Ь-Оа8Ь и ОаГпАз-ОаАБ постоянного состава возрастает с увеличением толщины зоны (1)в кинетическом (0 < 1 < 50 мкм), достигает максимума в смешанном (50 < 1 < 100 мкм) и уменьшается за счет испарения летучих компонентов (8Ь, Аб) в диффузном (1 > 100 мкм) режимах.

4. Твердые растворы АЮаАБ, АЮа8Ь, СЫпАв, 1пАб8Ь устойчивы к «критическим» условиям радиационного облучения, а порядок безотказной работы данных гетеросистем существенно выше, чем у существующих соединений.

5. Установленные связи состав-структура-свойства позволяют надежно моделировать высокотемпературные СПКМ с повышенной механической прочностью.

6. Разработанный метод горячего формования заготовок позволяет оптимизировать электрофизические характеристики высокотемпературных СПКМ.

Практическое значение работы.

Разработан метод выращивания гетероструктур для высокочувствительных гамма-спектрометров.

Разработаны радиационностойкие сегнетопьезокерамические материалы для датчиков на их основе, работающие при температурах по

17 2 рядка 1000 °С и флюенсе нейтронов порядка 7-10 нейтр./см , а также способ их получения.

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на семинарах лаборатории физики полупроводников ВИ НГТУ, проблемной лаборатории микроэлектроники НГТУ, в НИИ атомного машиностроения; Третьей и Четвертой Всероссийских конференциях с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (г. Таганрог, 1996 и 1997 г.г.), VII Международном семинаре по физике сегнетоэлектриков-полупроводников 1МР8-7 (г. Ростов-на-Дону, 1996 г.), Международной научно-технической конференции «Современные проблемы машиностроения» (г. Севастополь, 1996 г.), 41 международном коллоквиуме по мехатро-нике (г. Ильменау, Германия, 1996 г.), Международной конференции по материалам ЮАМ-97 (г. Страссбург, Франция, 1997 г.).

Публикации и вклад автора.

По результатам исследований опубликовано 7 печатных работ, в которых изложены основные положения диссертации. Основные результаты получены автором самостоятельно.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, содержит 140 страниц машинописного текста, 29 иллюстраций, 6 таблиц. Библиография включает 124 наименования.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Мустафинов, Эдуард Николаевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТА ТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Разработана методика расчета термодинамических и электрофизических параметров полупроводниковых материалов для гамма-спектрометров.

2. Исследованы закономерности роста эпитаксиальных слоев твердых растворов Оа1п8Ь, ОаЬгАз на подложках СаАв, 1пАб и ваБЬ.

3. Разработаны методика и аппаратура получения высоко эффективных датчиков, фотоприемников и устройств для регистрации и измерения различных физических величин.

4. Рассчитаны термодинамические параметры МТР на основе соединения АИ1ВУ. Определены области термодинамической устойчивости исследуемых гетеросистем. Существование твердых растворов в этих областях подтверждено экспериментом.

5. На основании анализа библиографических данных сформулированы требования к СПКМ, предназначенным для работы в условиях АЭС.

6. Проведено моделирование ВТ СПКМ и выбраны химические основы, перспективные для создания ВТ СПКМ с целевыми характеристиками.

7. Разработан новый ВТ СПКМ, электрофизические параметры которого отвечают требованиям, предъявляемым к СПКМ, эксплуатируемым в качестве активных элементов измерительных преобразователей диагностической аппаратуры АЭС.

8. Разработаны метод для получения нового материала с оптимальными характеристиками, сочетающий твердофазный синтез, горячее формование заготовок и спекание без давления.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Мустафинов, Эдуард Николаевич, 2000 год

1. Аракелян Ф.О., Мустафинов Э.Н. О методике выбора площадок для строительства АЭС в сейсмических районах. // В кн. Атомные элек трические станции. Изд-во «Энергия», 1977 г. с. 59-65.

2. Оценка воздействия Ростовской АЭС на окружающую среду. Кол лектив авторов Ростовской АЭС под общей редакцией Мустафинова Э.Н. Изд-во «Харюв», 1992 г. 87 с.

3. Муравьев В.П., Мустафинов Э.Н. Башенная градирня. Авторское свидетельство СССР № 1191722, кл. F 28 С 1/00, 1981 г. Опубликовано в Б.И. 15.11.85 № 42. Приоритет с 29 июня 1983 г.

4. Алфимова Д.Л., Лунин Л.С., Мустафинов Э.Н. Влияние облучения и отжига на свойства пятикомпонентных гетероструктур соединений AmBv Материалы 8-го Межнационального совещания. Июнь 1998 г. Москва, с. 212-214.

5. Alphimova D.L., Lunin L.S., Mustaphinov E.N. High efficiency concentrator solar cells for mechatronick. 2-nd Polish-Germany Workshop for mechatronick. Ilmenau, Germany. May 1998, p. 39-40.

6. Alphimova D.L., Lunin L.S., Mustaphinov E.N. Efficience solar cells for mechatronick. 2-nd Polish-Germany Workshop. Werkrenge der mecha tronik. 1998, Ilmenau, Deutschland.

7. СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

8. Алферов Ж.И. Полупроводниковые гетерострукгуры. (Обзор) // ФТП. 1977,-Е. 11,№ 11. с. 2072-2083.

9. Долгинов Д.М., Елисеев П.Г., Исмаилов И. Инжекционные излуча-тельные приборы на основе многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов // Итоги науки и техники. Радиотехника. -М.; ВИНИТИ, 1980, т. 21, с. 3-115.

10. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитак-сиальных слоях полупроводников // М.; 1985, 159 с.

11. Лозовский В.Н. Зонная плавка градиентом температуры // М.; 1975, -240 с.

12. Васильев М.Г., Вигдорович В.Н., Селин A.A., Ханин В.А. Оценка положения фазовых границ «расплав-кристалл» в пятикомпонент-ных системах на примере системы Al-Ga-In-P-As // ЖФГ. 1983,т. 57, N10, с. 2434-2435.

13. Осинский В.И., Привалов В.И., Тихоненко О.Я. Оптоэлектронные структуры на многокомпонентных полупроводниках // Минск., Наука и техника, 1981, с. 208.

14. Фотоприемники и фотопреобразователи // Под ред. Акад. Алферова Ж.И., проф. Шмарцева Ю.В. -Л.; Наука. 1986, с. 37-63.

15. Романенко В.Н. Управление составом полупроводниковых слоев // М.; 1978,- 191 с.

16. Марина Л.И., Нашельский А.Я., Колесник Л.И. Полупроводниковые фосфиды AmBv и твердые растворы на их основе. // М.; 1974, -232 с.

17. Под редакцией Калдиса Э. Актуальные проблемы материаловедения. М. Мир, 1983, - 274 с.

18. Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М.; Наука, 1986, - 144 с.

19. Ondra Т., Ito R., Ogasawara N. Thermodinamic theory of 111-V semi conductor ternary solid solution // Jap. J Appl. Phys. 1986, v. 25, N 1, -p. 82-89.

20. Андреев B.M., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитак сия в технологии полупроводниковых приборов. М.; Советское ра дио, 1975,-328 с.

21. Joullie A., Gautier P. The Al-Ga-Sb ternary phase diagram and it s appli cation to solution growth // J. Cryst. Growth. 1979, v. 47, N 1,-p. 100-108.

22. Kozo O., Kazno N., Ytaro M. Experiments and calculation of the Al-Ga-Sb ternary phase diagram // J. Electroshem. Soc. 1979, v. 126, N 11,p. 1992-1997.

23. Дедекаев Т.Т., Крюков И.И., Лидейкис Т.П., Царенков Б.В., Яков лев Ю.П. Фазовая диаграмма Al-Ga-Sb для жидкой эпитаксии // ЖТФ. 1978, т. 48, № 3, с. 599-605.

24. Lendvay Е. Ternary AH1BV antimonides // Prog. Cryst. Growth and Charact. 1984 v. 8, N 4, p. 371-425.

25. Стрельченко С.С., Лебедев В.В. Соединения AmBv: Справочник. -М.; Металлургия, 1984, 144 с.

26. Tokuzo S., Takao Н., Akiza Т., Minoru Н. Highly efficient p-GaSb-n-GaixAlxSb photodiodes // Appl. Phys. Lett. 1978, v. 32, N 6,-p. 376-378.

27. Tokuzo S., Toshio M., Akizo T. p(Ga,Al)Sb/ Lightly doped n(In,Ga)Sb heterojunction photodiode // Jap. J. Appl. Phys. 1984, v. 23, N 5.-p. 658-659.

28. Корольков В.И., Михайлова М.П. Лавинные фотодиоды на основе твердых растворов полупроводниковых соединений AU1BV // ФТП. 1983, т. 17, №4, с. 569-582.

29. Радуцан С.И., Вернер В.Д. Руссу Е.В., Радуцан Г.И. Некоторые ас пекты применения фосфида индия в микроэлектронике.

30. В кн.: Полупроводниковые материалы и приборы. Кишинев: Штиница, 1987, с. 3-29.

31. Ананаев К., Атаджанов К., Беркелиев А., Мелебаев Д., Назаров Н. Фотопреобразователи на основе варизонных GaixAlxAs(Sb) струк тур //Солнечн. фотоэлектри. энерг. Ашхабад, 1983. - с. 256-263.

32. Долгинов С.Г., Ильин М.А., Михайлова Н.Г., Рашевская Е.П. Элек трические и оптические свойства твердых растворов GaxInixAsyPiy, легированных Те, Sn, Ge. // ФТП 978, 122,с. 343-346.

33. Крутоголовов Ю.К., Кунакин Ю.И., Мирзабаев М. Высокоэффек тивные каскадные фотогенераторы в системе In-Ga-As-P. Тез. докл. V Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах. 1990, т. 11, с. 135-136.

34. Уфимцев В.Б., Акчурин Р.Х. Фозико-химические основы жидко фазной эпитакссии. М.; Металлургия, 1983, - 222 с.

35. Shigenobu Y., Masayuki A., Osami W., Satoshi K., Tesuro S. Realibility of high redianse InGaAsP/InP LED s operating in the 1,2-1,3 nm wavelrngth // IEEE J/Quantum Electron. 1981, v. 17, N 2.-p. 167-173.

36. Кейси X., Паниш M. Лазеры на гетероструктурах. -М.; Мир, 1981, т. 1.

37. Вигдорович В.Н., Селин А.А., Ханин В.А. Анализ зависимости свойств от состава для пятикомпонентных твердых растворов // Изв. АН СССР. Неорган материалы. 1982, т. 18, № 10,-с. 1697-1699.

38. Аскарян Т.А. «Исследование гетеросисьтем на основе пятикомпо нентных твердых растворов AinBv» Диссерт. 1980, Новочеркасск, с. 112-187.

39. Лозовский В.Н., Лунин Л.С. «Пятикомпонентные твердые растворы соединеий AmBv». Ростов-на-Дону, 1992 г.

40. Kawanishi Н., Suziki Т. Liquid phase epitaxial growth of AlGa(iX) xIn(iX)AsyP(iy) pentanary on (100) GaAs substrate using two-phase solution technique. Appl. Phys. Lett., 1984, v. 45, N 5, p. 560-562.

41. Сысоев И.А. «Метод зонной перекристаллизации градиентом тем пературы в технологии оптоэлектронных приборов на основе много компонентных полупроводниковых соединений АШВУ» // Кандидатская диссертация. Новочеркасск, 1993, - 120 с.

42. Фесенко Е.Г., Данцигер А.Я., Разумовская О.Н. Новые высокоэф фективные пьезокерамические материалы. Ростов-на-Дону, Изд-во РГУ, 1983, -156 с.

43. Данцигер А.Я., Разумовская О.Н., Резниченко JI.A., Дудкина С.И. Высокоэффективные пьезокерамические материалы. Оптимизация поиска. Ростов-на-Дону, Изд-во "Пайк", 1995, - 96 с.

44. Данцигер А.Я., Разумовская О.Н., Резниченко JI.A. и др. Высоко эффективные пьезокерамические материалы. Справочник.- Ростов-на-Дону, Изд-во АО "Книга", 1994, 30 с.

45. Чернышков В.А. Физические свойства пьезокерамики метаниобата лития и твердых растворов на его основе. Автореферат кандидатсой диссертации. - Ростов-на-Дону, 1990, - 26 с.

46. Чернышков В.А., Бондаренко Е.И., Кудинов А.П., Крутько В.М., Биятенко Ю.Н., Резниченко JI.A. Поведение поликристаллического метаниобата лития при комбинированном воздействии высоких температур и статических давлений. В сб. материалов

47. Всесоюзного совещания "Диэлектрические материалы в экстремальных условиях". Черноголовка, 1990, т.2, с. 33-42.

48. Трофимов А.И. Пьезоэлектрические преобразователи статических нагрузок. М.: Машиностроение, 1979, 211 с.

49. Трофимов А.И. Ультразвуковые системы контроля искривлений технологических каналов ядерных реакторов. -М. Энергоатомиз-дат, 1994, 230 с.

50. Селин A.A., Ханин В.А., Вигдорович В.Н., Васильев M.JI. "Темп кристаллизации многокомпонентных твердых растворов соединений типа AmBv // Физическая химия. 1984 т. 27, № 3, с. 854-858.

51. Шевченко А.Г. Разработка физико-химических основ получениямногокомпонентных твердых растворов на основе ЫАз в поле температурного градиента. Кандидатская диссертация, Новочеркасск, 1996.

52. Алфимова Д.Л., Лунин Л.С., Мустафинов Э.Н. Влияние облучения и отжига на свойства пятикомпонентных гетероструктур соединений А1ИВУ. Материалы 8-го Межнационального совещания. Июнь 1998, г. Москва, с. 212-214.

53. Аскарян Т.А. "Исследование гетеросистем на основе пятикомпо нентных твердых растворов АШВУ". Кандидатская диссертация, 1980, Новочеркасск, с. 112-187.

54. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Аскарян Т.А. "Термодинамический анализ устойчивости пятикомпонентных твердых растворов соеди нений АШВУ "Неорганические Материаллы, 1989, т. 25, № 4,с. 540-546.

55. Лозовский В.Н., Лунин Л.С.,. Аскарян Т.А. Перспективные применения пятикомпонентных гетероструктур на основе соединений АШВУ в интегральной оптоэлектронике // Тезисы доклада XII Всесоюзной конференции по микроэлектроники Тбилиси. 1987, ч. 7,с. 45-46.

56. Лунин. Л.С., Шевченко А.Г. Технология получения многокомпонентных материалов электронной техники из жидкой фазы в поле температурного градиента // Тезисы докладов молодежной научно-технической конференции, Москва, 1994, с. 56.

57. Лунин Л.С. Шевченко А.Г. Получение и исследование многокомпонентных твердых растворов AmBv методом ЗПГТ для авиокос-мической техники // Тезисы докладов молодежной научно-технической конференции, Москва, 1995, ч. 3, с. 13.

58. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. Москва, "Металлургия", 1987 г.

59. Лунин Л.С., Овчинников В.А., Казаков В.В., Шевченко А.Г. Особенности локальной кристаллизационной очистки многокомпонентных полупроводников методом движущегося растворителя. // Тез. докл. 30 мая-1 июня Н.Новгород, с. 17-18, 1995 г.

60. Лунин Л.С., Шевченко А.Г. Применение метода возмущений для расчета фазовых равновесий в многокомпонентных твердых растворах // Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции с международным участием, Таганрог, 1994, ч.1, с. 13.

61. Alphimova D.L., Lunin L.S., Mustaphinov E.N. High efficiency concentrator solar cells for mechatronick. 2-nd Polish-Germany Workshop for mechatronick. Ilmenau, Germany. May 1998, p. 39-40.

62. Cauvin, R. and Martin, G., Radiation iduced solid solution destabilization in Al based alloys. In Solid-solid Phase Transformations, AIME, in press;

63. Лунин Л.С., Шевченко А.Г. Технология получения многокомпонентных материалов электронной техники из жидкой фазы в поле температурного градиента // Тезисы докладов молодежной научно-технической конференции, Москва, 1994, с. 56.

64. Лунин Л.С., Шевченко А.Г. Получение и исследование многокомпонентных твердых растворов АШВУ методом ЗПГТ для авиокос-мической техники // Тезисы докладов молодежной научно-технической конференции, Москва, 1995 , ч. 3, с. 13.

65. Лозовский В Н., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. Москва, "Металлургия", 1987 г.

66. Лунин Л.С., Овчинников В.А., Казаков В.В., Шевченко А.Г. Особенности локальной кристаллизационной очистки многокомпонентных полупроводников методом движущегося растворителя. // Тез. докл. 30 мая-1 июня Н.Новгород, с. 17-18, 1995 г.

67. Лунин Л.С., Шевченко А.Г. Применение метода возмущений для расчета фазовых равновесий в многокомпонентных твердых растворах // Тезисы докладов всероссийской научно-технической конференции с международным участием, Таганрог, 1994, ч.1, с. 13.

68. Alphimova D.L., Lunin L.S., Mustaphinov E.N. Efficience solar cells for mechatronick. 2-nd Polish-Germany Workshop. Werkrenge der mecha-tronik. 1998, Ilmenau, Deutschland.

69. Фесенко Е.Г. Семейство перовскита и сегнетоэлектричество. М.: Атомиздат, 1972, - 247 с.

70. Современная пьезоэлектрическая керамика /Проспект фирмы "Vernitron", США, 1982, РД-9247.

71. Резниченко Л.А. Фазовые переходы и физические свойства твердых растворов n-компонентных систем на основе ниобата натрия. // Кандидатская диссертация. Ростов-на-Дону. 1980 г. 300 с.

72. Зацаринный В.П. Прочность пьезокерамики. Ростов-на-Дону, РГУ, 1978, - 208 с.

73. Gratton M.F., Goodchild R., Juravel L., Woolley J. Electron. Mater. 8, 25, 1979.

74. Panish M., Hegems M. In Progress in Solid State Chemistry 1972.

75. Gratton M.F., Woolley J. Electrochen. Soc. 127, 55, 1980.

76. Takenada N., Inoue M., Shirafulji J., Inuishi J., Phis. D 1988.

77. Pessetto J., Stringfellow G. Cryst. Growth. 62, 1, 1983.

78. A.Marbeuf, J.C.Guillaume International Meeting on the Relationship Between Epitaxial Grewth Conditions and the Properties of Semiconductor Epitaxial Layers, Frans Aug 30.-Sept 1, 1982 Journal Physics 12, 43.

79. Cremaux B. International symposium on GaAs 1979.

80. Woolley J., Gillett S. Proc. Phys. Soc. 1959.

81. Woolley J., Thumes M., Thompson A. Physics 1969.

82. Antupas G., Moon R. Electrochem. Soc. 1974.

83. Stringfellow G., Greene P. Phys. Chem. Solids 1969.

84. Yan-Kuin Su. "Liquid-phase-epitaxial growth of ternary InAsSb" 1985.

85. Стрельченко С.С. Бондаро Г.В. Тестова Н.А. "Термодинамический анализ взаимодействия в системе InAsSbClH и получение эпитакси-альных слоев InAsSb" 1984.

86. Mohammed К., Carosso F. High-detectisity InAsSb/InAs ingrared (1,84,8) detectors, 1986.

87. Матвеев Б.А. Михайлова М.П. Слабодчиков H.H. Смирнов H.H. "Лавина умножения в р-п-переходе на основе InAsSb", 1979.

88. Kaufman L., Bernstein H. Computer Calculation of Phase Diagrams N.York 1970.

89. Bocquet J.L. Statistical models of solid solutions. Orsay. 1980 .

90. Haken H., Synergistics Berlin, Springer, 1978.

91. Landauer R. Stabilitiy in the disipative steady state. Physics Today, Nov 1978.

92. BARBU A. and ARDELL, A. J. Irradiation induced precipitation in NiSi alloys, Scripta Met., 9,1975, p. 125-35.

93. Wilkes P., Lioun K. Y. , Lott R.G. Comments on radiatin inducted phase instability, Rad. Eff, 29, 1979.

94. Bocquet J.L., Martin G. Irradiation induced precipitation a thermodynamical approach J. Nucl. Mat., 83,1973.

95. Okamoto P.R., Rehn L.E. Radiations induced segregations in binary and ternary alloys J.Nucl.Mat, 83, 1979.

96. Martin G., Radiations induced solute redistribution ,Phil. Mag., A38, 1973 .

97. Нолфи Ф.В. Фазовые превращения при облучении. Металлургия, Челябинск, 1989.

98. Балховитянов Ю.Б., Рудая Н.С., Юдаев В.И. "Влияние обработки поверхности подложки на начальные стадии образования пленок арсенида галлия" // Неорганические материалы 1993 том 29, № 1, с. 21-24.

99. Лунин Л.С., Казаков В.В., Сысоев И.А., Шевченко А.Г. Взаиморас творение А1 и Ga в атмосфере чистого водорода при ЗПГТ // Тезисы конференции второго Российского научно-технического семинара Москва 1994 с. 7-8.

100. Селин А.А., Ханин В. А., Вигдорович В.Н., Васильев М.Л." Темп кристаллизации многокомпонентных твердых растворов соедине ний типа A3BV // Физическая химия 1984 том 27 № 3 с. 854-858.

101. Шевченко А.Г. Разработка физико-химических основ получения многокомпонентных твердых растворов на основе InAs в поле тем пературного градиента. Кандидатская дис. Новочеркасск, 1996.

102. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин Пятикомпонентные твердые растворы соединений А3ВУ . Ростов-на-Дону 1992 .

103. Т.А. Аскарян "Исследование гетеросистем на основе пятикомпонентных твердых растворов AmBv" Кандидатская диссертация, 1980, Новочеркасск, с. 112-187.

104. Окадзаки К. Технология керамических диэлектриков. Пер. с Япон ского, М., "Энергия", 1976. 336 с.

105. Одеман Дж. Уплотнение сухих керамических порошков В сб. "Ке рамика" (Сб-к трудов 1 и П конференций британского и голландского керамических обществ). Пер. с англ., М., 1967, "Металлургия", с. 75-86.

106. Резниченко Л.А., Донскова Т.В., Разумовская О.Н., Комаров В.Д., Иванова Л.С., Шилкина Л.А., Алешин В.А. Спекание ниобатной пьезокерамики из тонко дисперсных поршков. Изв. АН СССР, сер.неорг.материалы, 1990, т.26, вып. 10, с. 2190-2193.

107. Lars Ramqvist, Powder Met., 9, 17, 1,1966.

108. Крупин A.B. Прокатка металлов в вакууме. М., "Металлургия", 1974,-242 с.

109. Разумовская О.Н., Комаров В.Д., Резниченко Л.А., Рудковская Л.М., Шилкина Л.А., Фесенко Е.Г. Получение высокоплотной сверхпроводящей керамики Y Ва Си О. В сб. "Проблемы ВТСП", ч. 11, Ростов-на-Дону, 1991, Изд. Ростовского госуниверситета,с. 3-31.

110. Клевцов А.Н., Резниченко Л.А., Зацаринный В.П. Получение вы сокопрочной сверхпроводящей керамики состава Y Ва Си О.1. Там же, с. 32-51.

111. Клевцов А.Н., Зацаринный В.П., Чернышков В.А. Прочность керамических материалов с высокотемпературной сверхпроводимостью.- Там же, с. 52-55.

112. Фесенко Е.Г., Бондаренко Е.И., Комаров В.Д., Клевцов А.Н., Смотраков В.Г. Обзор новых технологических приемов пьезокерамического производства. В сб. "Физика диэлектриков и полупроводников", - Волгоград, 196, с. 40-62.

113. Резниченко Л. А., Чернышков В.А., Комаров В.Д., Клевцов А.Н. Рост зерен и спекание метаниобата лития. Изв. РАН, сер. неорган, материалы, 1988, т.24, N 9, с. 1559-1565.

114. Будников П.П., Гинстлинг A.M. Реакции в смесях твердых ве ществ. М.: Стройиздат, 1971, -17 с.

115. Зацаринный В.П. Прочность пьезокерамики. Ростов-на-Дону, РГУ, 1978. - 208 с.

116. Кингери У Д. Введение в керамику. М.: Изд. литературы по строительству. Издание 2-е, 500 с.

117. Кайнарский И.С. Процессы технологии огнеупоров. М.: Металлургия, 1969, - 300 с.

118. Найдич Ю.В. Порошковая металлургия, 1964, N 1, с. 5-7.

119. Найдич Ю.В., Лавриненко И.А. Порошковая металлургия, 1967, N9, с. 32-35.

120. Красовский А.Я. Физические основы прочности, Киев: Наукова Думка, 1977, - 192 с.

121. Угрюмова М.А. Влияние стеклообразующих окислов на механическую прочность пьезокерамики ЦТС-19. В кн. Пьезо- и сегне-томатериалы и их применение, Материалы семинара. М.: МДНТП,1401972,-с. 19-23.

122. Клейне Р.З., Фрейденфельд Э.Ж. Некоторые закономерности модифицирования сегнетоэлектрических материалов стеклом. Там же, 1975, с. 95-97.