Разработка первичного измерительного преобразователя для определения спектральной плотности инфракрасного излучения в методах неразрушающего контроля изделий тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.11.13, кандидат технических наук Поляков, Евгений Владиславович

• Поляков, Евгений Владиславович
• кандидат технических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат технических наук Поляков, Евгений Владиславович

ВВЕДЕНИЕ

1. ОБЗОР И АНАЛИЗ ПРОБЛЕМЫ РЕГИСТРАЦИИ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРВИЧНЫХ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

1.1 Общая характеристика проблемы регистрации инфракрасного излучения

1.2 Краткий анализ материалов и устройств на их основе, использующихся для измерений в инфракрасной области и характеристика их свойств

1.3 Постановка задачи исследования и пути её решения

1.4 Выводы

2. ТЕОРЕТИКО-МЕТОДОЛОГИЧЕСКАЯ ОСНОВА ИЗУЧЕНИЯ МЕХАНИЗМА ФОРМИРОВАНИЯ ПРОВОДИМОСТИ В МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛАХ

2.1 Современные представления об узкозонных полупроводниках. Общая картина зонной структуры

2.2 Влияние легирования на строение кристаллической решётки полупроводников КРТ и СОТ

2.3 О механизме проводимости халькогенидов

2.4 Выводы

3. РАЗРАБОТКА ПЕРВИЧНОГО ИЗМЕРИТЕЛЬНОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ

ИК-ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ СПЛАВА Cdi.xSnxS 43 3.1 Разработка методики получения сплава Cdi.xSnxS и изучение его свойств

3.2 Разработка методики синтеза сульфидов олова и кадмия

3.3 Разработка методики синтеза сплава CdxSri].xS

3.4 Разработка методики получения тонких плёнок Cdj.xSnxS

3.5 Определение удельного электросопротивления тонкоплёночного Cd].xSnxS

3.6 Исследование влияния легирования сплава Cd]xSnxS на энергию активации тонких плёнок на его основе

3.7 Вывод математической модели электрофизических процессов в одноэлементном ПИП ИК-излучения на основе Cdi.xSnxS

3.8 Разработка конструкции первичного измерительного преобразователя широкого диапазона принимаемого излучения на основе сплава Cd|xSnxS

3.9 Выводы 68 4 РАЗРАБОТКА МИКРОПРОЦЕССОРНОЙ СИСТЕМЫ КОНТРОЛЯ СПЕКТРАЛЬНОЙ ПЛОТНОСТИ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПИП НА ОСНОВЕ CdNxSnxS

4.1 Определение основных характеристик ПИП

4.2 Выбор источника излучения для градуировки ПИП

4.3 Определение спектрального распределения чувствительности ПИП на основе сплава Cdi.xSnxS

4.4 Влияние ИК излучения на величину фототока тонкоплёночного Cd0)34Sn0)66S

4.5 Структурная схема микропроцессорной системы и алгоритм ее работы

4.6 Проверка адекватности математической модели электрофизическим процессам, протекающим в детекторе излучения

4.7 Анализ погрешностей результатов измерения

4.8 Анализ методической погрешности косвенных измерений

4.9 Выводы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка первичного измерительного преобразователя для определения спектральной плотности инфракрасного излучения в методах неразрушающего контроля изделий»

Инфракрасный диапазон спектра электромагнитных излучений особенно интересен тем, что молекулярные спектры различных веществ лежат в инфракрасной области, и молекулярная спектроскопия - это мощный инструмент исследования взаимодействия излучения с веществом и идентификации различных химических соединений - представляет собой по сути дела инфракрасную спектроскопию. Однако инфракрасная область спектра интересна ещё и тем, что основная доля теплового излучения различных объектов приходится на инфракрасный диапазон электромагнитного излучения. Это обстоятельство стимулировало развитие инфракрасной техники в области решения задач пассивного обнаружения и оптического измерения температуры объектов промышленности, медицине, научных исследованиях, военном деле.

Актуальность работы

Инфракрасная техника в последние годы получила широкое распространение во многих практических приложениях. Своим прогрессом она во многом обязана появлению новых материалов, чувствительных в инфракрасной (ИК) области спектра, и методик их изготовления. В первую очередь это относится к тонкопленочным технологиям с применением многокомпонентных соединений. Приборы ИК техники, использующие эти материалы в качестве активных элементов, служат для регистрации и преобразования излучения ИК диапазона в аналоговые или цифровые сигналы, легко поддающиеся компьютерной обработке. Реализованная в подобных устройствах обратная связь превращает их в удобные элементы управления различными техническими системами и механизмами.

Одно из основных мест в ряду узкозонных полупроводников, используемых для создания на их основе тонкопленочных первичных измерительных преобразователей (ПИП) ИК излучения, занимают соединения, включающие кадмий и серу. Анализ литературных источников показал, что основными недостатками таких преобразователей являются необходимость глубокого охлаждения при эксплуатации и узкий диапазон принимаемого излучения.

С целью расширения диапазона регистрируемого излучения за счёт создания ряда селективных ПИП, область чувствительности которых совокупно охватывает заданный диапазон, нами синтезирован твёрдый раствор, полученный легированием сульфида кадмия оловом. Исследование свойств этого сплава позволяет утверждать, что на его основе можно создавать неохлаждаемые селективные ПИП ИК излучения. По сравнению с традиционно используемыми материалами (в основном теллуридами свинца, кадмия и ртути), производство рассматриваемого материала отличается своей простотой и безопасностью. Использование других материалов не даёт высокой чувствительности к ИК излучению, что влечёт за собой необходимость глубокого охлаждения ПИП при эксплуатации. Поэтому проблема поиска новых дешёвых, технологичных, пригодных для использования в ИК области без глубокого охлаждения материалов является актуальной.

Цель работы

Разработка и внедрение в практику нового первичного измерительного преобразователя для определения спектральной плотности электромагнитного излучения ИК спектра, преимуществами которого являются расширение диапазона принимаемого излучения при помощи селективных ПИП, созданных на основе нового материала и не нуждающихся в охлаждении при эксплуатации.

Основные задачи работы

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи: провести информационный обзор и сравнительный анализ существующих полупроводниковых соединений, использующихся для создания чувствительных элементов первичных измерительных преобразователей ИК излучения; изучить структуру и свойства соединения Cd].xSn£ и теоретически обосновать возможность его использования в качестве чувствительного материала для ПИП электромагнитного излучения ИК спектра; математически описать процесс формирования проводимости в ПИП излучения; провести экспериментальные исследования и разработать методику синтеза тройного сплава CdixSnxS в качестве материала для ПИП, чувствительного к ИК излучению. разработать методику производства селективного ПИП ИК излучения; разработать устройство для измерения спектральной плотности ИК излучения, в котором в качестве чувствительного элемента используется ПИП, созданный на основе сплава Cdi.xSnxS; провести метрологическую оценку результатов измерения. Методы и методики исследования

Результаты исследования, включённые в диссертацию, базируются на теоретических основах физики полупроводников, полупроводниковых технологий, математическом моделировании, а также на экспериментальных исследованиях, проведённых на кафедре «Материалы и технология» ТГТУ.

Научная новизна диссертационной работы заключается в том, что на основе разработанной аналитической модели, описывающей электрофизические процессы, происходящие в структуре изучаемого материала, показана возможность создания селективного ПИП на основе сплава Cdi.xSnxS, который является новым материалом, ранее не использовавшимся в ИК области. В рамках исследования разработана конструкция ПИП широкого диапазона принимаемого излучения. Отличительной особенностью ПИП является использование ряда селективных преобразователей, область чувствительности которых совокупно охватывает заданный диапазон ИК излучения. Конструкция преобразователя подтверждена патентом на изобретение.

С целью создания ПИП для определения спектральной плотности ИК излучения в диссертационной работе проведены экспериментальные исследования, позволившие разработать методику синтеза и получения тонких плёнок сплава Cdi.xSnxS.

Разработана микропроцессорная система для определения спектральной плотности ИК излучения, использующая неохлаждаемый селективный ПИП на основе сплава Cdj.xSn^S, позволяющая определять спектральную плотность ИК излучения в диапазоне длин волн от 5 до 12,5 мкм с заданной дискретностью.

Проведено экспериментальное исследование системы измерения спектральной плотности ИК излучения с использованием ПИП ИК излучения на основе сплава Cdi.xSnxS. Результаты метрологических экспериментов показали корректность основных теоретических выводов, положенных в основу разработанного ПИП, который внедрён в промышленное производство.

Практическая ценность работы заключается в том, что на основе проведённых исследований создано устройство измерения спектральной плотности электромагнитного излучения ИК спектра, позволяющее расширить рабочий диапазон за счёт создания ряда селективных преобразователей, область чувствительности которых совокупно охватывает диапазон электромагнитного излучения в интервале от 5 до 12,5 мкм.

Результаты исследования могут быть рекомендованы для использования в научно-исследовательской деятельности и промышленности для бесконтактных неразрушающих методов контроля физических и технологических характеристик различных материалов.

Реализация результатов теоретических и практических исследований автора работы прошли промышленные испытания и внедрены на ОАО «Электроприбор» г. Тамбов. Также. они используются в научноисследовательской и учебной работе на кафедре «Материалы и технология» Тамбовского государственного технического университета.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на V научной конференции ТГТУ (Тамбов, 2000), международной научно-технической конференции «Новые материалы и технологии на рубеже веков» (Пенза, 2000), международной научно-практической конференции «Промышленные и бытовые отходы: проблемы хранения, захоронения, утилизации, контроля» (Пенза, 2000), научной конференции молодых учёных и аспирантов Адыгейского государственного университета (Майкоп, 2002).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 10 научных работ. Получен патент на изобретение.

Личный вклад автора

В работах, опубликованных в соавторстве, при непосредственном участи автора были получены основные теоретические и экспериментальные результаты, предложено аналитическое, алгоритмическое и метрологическое обеспечение разработанной микропроцессорной системы для определения спектральной плотности ИК излучения с использованием ПИП на основе сплава Cdi.xSnxS.

Структура работы. Диссертация содержит введение, 4 главы, заключение и приложения, изложенные на 115 страницах машинописного текста, 34 рисунках, 11 таблицах, список используемой литературы включает 103 наименования.

Заключение диссертации по теме «Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий», Поляков, Евгений Владиславович

Основные результаты диссертационного исследования заключаются в следующем:

1. Проведённый информационный анализ традиционно используемых узкозонных материалов и ПИП ИК излучения на их основе показал, что они обладают рядом серьёзных недостатков, к которым можно отнести узкий диапазон принимаемого излучения и необходимость глубокого охлаждения при эксплуатации. Разработка нового селективного неохлаждаемого ПИП для определения спектральной плотности ИК излучения позволит в значительной степени упростить устройство измерительной системы и повысить эффективность обнаружения электромагнитного излучения ИК спектра.

2. На основе аналитического описания электрофизических процессов, происходящих в структуре сплава Cdi.xSnxS при взаимодействии его с лучистыми потоками малой энергии обоснована, возможность создания селективного ПИП на основе сплава Cdi.xSnxS, который является новым материалом, ранее не использовавшимся в ИК области.

3. Разработана методика получения полупроводникового материала с регулируемой энергией активации на основе тройного сплава Cdi.xSnxS.

4. Проведены экспериментальные исследования, позволившие разработать методику синтеза сплава Cdj.xSnxS и получения тонкоплёночных чувствительных элементов ПИП для определения спектральной плотности ИК излучения.

5. В рамках исследования разработана конструкция ПИП широкого диапазона принимаемого излучения. Отличительной особенностью ПИП является использование ряда селективных преобразователей, область чувствительности которых совокупно охватывает заданный диапазон ИК излучения. Конструкция преобразователя подтверждена патентом на изобретение.

6. Разработана микропроцессорная система для определения спектральной плотности ИК излучения, использующая неохлаждаемый селективный ПИП на основе сплава Cdi.xSnxS, и позволяющая контролировать спектральную плотность ИК излучения в диапазоне длин волн от 5 до 12,5 мкм с заданной дискретностью.

7. Проведено экспериментальное исследование системы измерения спектральной плотности ИК излучения с использованием ПИП ИК излучения на основе сплава Cdi.xSnxS. Результаты метрологических экспериментов показали корректность основных теоретических выводов, положенных в основу разработанного ПИП, который внедрён в промышленное производство.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Поляков, Евгений Владиславович, 2005 год

1. Любченко, А.В. Физические основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектроники. Современные тенденции, новые материалы / А. В. Любченко, Е. А. Сальков, Ф. Ф. Сизов. Киев: Наукова думка, 1984. -256 с.

2. Фотопроводимость: сб. ст.; пер. с англ. / под ред. Ш.М. Когана. М.: Наука, 1967. - 156 с. - (Серия «Современные проблемы физики»)

3. Mead, С.А. W.G. Spitser, Phys / С.А. Mead . London: Rev. Let. 11,1961.- 358 p.

4. Moss, T.S. Photography in the Elements /T.S. Moss. London: Butterworth, 1952. - 125 c.

5. Бьюб, P. Фотопроводимость твёрдых тел / P. Бьюб. M.: Физика,1962.-60 с.

6. Сизов, Ф.Ф. Твердые растворы халькогенида свинца и олова и фотоприемники на их основе / Ф. Ф. Сизов // Зарубежная электронная техника.- 1977.- Т24. С. 12-18

7. Optical Sensors / V.T. Khryapov and or. // Optical Engineering. 1992. -N31 (4).- P. 678-684.

8. High-Performance 5 mm 640 x 480 HgCdTe-on Saphire Focal Plane Arrays / L.J. Kozlowski and or. // Ibid. 1994. - N 33 (1). - P. 54-63.

9. An Assessment of HgCdTe and GaAs / AlGaAlAs Technologies for LWIR Infrared Imagers / R.E. Wames and or. // PROC. SPIE., Infrared Detectors State of the Art. 1992. - N 1735. - P. 2-16.

10. Molecular Beam Epitaxy HgCdTe Infrared Photovoltaic Detectors / J.M. Arias and or. // Optical Engineering.- 1994.- N 33 (5).- P. 1422-1428.

11. Nakamura M. A 256 x 256 Element HgCdTe Hybrid IR FPA for 8-10 mm Band / T. Kanno and or. // PROC. SPIE. 1995.- N 2552. - P. 384-391.

12. Akiyama, A. 1024 x 1024 Infrared Charge Sweep Device Imager with PtSi Shottky-barrier Detectors / A. Akiyama, T. Sasaki // Optical Engineering.-1994.- N33(1).- P. 64-70.

13. Tsaur, B.Y. Long Wavelength Gex.Sil-x/Si Heterojunction Infrared Detectors and Focal Plane Arrays / B. Y. Tsaur, C.K. Chen, S.A. Marino // PROC. SPIE. 1991. - N 1540. - P. 580-595.

14. Low Cost Uncooled Microbolometer Imaging System for Dual Use / N. Butler and or.//Ibid.- 1995.- N 583-591. P. 625-635

15. Broad Band (8-10) mm Normal Incidence Pseudomorphic GexSix/Si Strained Layer Infrared Photodetector Operating Between 20 and 70 К / R. People and or. // Appl. phys. lett. 1992. - N 61(9). - P. 1122-1124.

16. Hole Intersubband Absorption in d-doped Multiple Si Layers / J.S. Park and or. //Ibid.-1991.- N58(10).- P. 1083 -1085.

17. GaAs Asymmetrically Doped n-i-p-i Superlattices for 10 mm Infrared Subband Detector and Modulator Applications / H.L. Vaghjiani and or. // J. Appl. Phys. 1994.- N 76(7). - P. 4407-4412.

18. High- Sensitivity Photoresistors Based on Homogeneous Pbi.xSnxTe : In Epitaxial Films / V.F. Chishko and or. // Infrared Physics. 1992. - N 33. - P. 197-201.

19. Rogalski, A. New Trends in Semiconductor Infrared Detectors / A. Rogalski //Optical Engineering. 1994.-N 33(5). - P. 1395-1412.

20. Мирошников, M.M. Теоретические основы оптико-электронных приборов/М.М. Мирошников.- Л.: Машиностроение, 1983. -215 с.

21. Ллойд, Дж. Системы тепловидения / Дж. Ллойд. М.: Мир, 1987.65 с.

22. Госсорг, Ж. Инфракрасная термография. Основы, техника, применение / Ж. Госсорг. М.: Мир, 1988. - 70 с.

23. Криксунов, JT.3. Тепловизоры: справочник /JI.3. Крискунов, Г.А. Падалко.- Киев: Техннса, 1987. 350 с.

24. Макаров, А.С. Введение в технику разработки и оценки сканирующих тепловизионных систем / А.С. Макаров, А.И. Омелаев, В.Л.Филиппов. Казань: Унипресс, 1998. - 120 с.

25. Ковалев, А.В. Тепловидение сегодня / А.В. Ковалев, В.Г. Федчишин, М.И. Щербаков // Специальная техника. 1999. - № 3. - С. 13 — 18; 1999.- №4.-С. 19-23.

26. Кощавцев, Н.Ф. Состояние и перспективы развития техники ночного видения / Н.Ф. Кощавцев, С.Ф. Федотова // Прикладная физика. -1999.- вып. 2.- С. 141 145.

27. Pengelley, R. In the heat of the night / R. Pengelley, M. Hewish // Jane's International Review. 2001. - Vol. 34, No. 10. - P. 49 - 57.

28. Ерофейчев, В.Г. Инфракрасные фокальные матрицы / В.Г. Ерофейчев // Оптический журнал. 1995. - № 2. - С. 12 - 20.

29. Особенности получения и обработки ИК-изображений в матричных фотоприемниках с координатной адресацией на основе халькогенидов свинца / Г.А. Агранов и др. // Оптический журнал. 1996. - № 9. - С. 53 - 57.

30. Певцев, Е. Матричные ИК-приемники для малогабаритных тепловизионных камер / Е. Певцев, В. Чернокнижии // Электронные компоненты.-2001.- №1.- С. 32-36; 2001.- №2. -С. 30-34; 2001.- № З.-С. 12-20.

31. Ушакова, М.Б. Тепловизоры на основе неохлаждаемых микроболометрических матриц: современное состояние зарубежного рынка и перспективы развития / М.Б. Ушакова. М.: ОНТИ ГУП "НПО "Орион", 2001.- 158 с.

32. More Application of Uncooled Microbolometer Sensor / T. Breen and or. // SPIE. 1998. - Vol. 3446. - P. 530 - 540.

33. Акимов, H.H. Резисторы, конденсаторы, трансформаторы, дроссели, коммутационные устройства РЭА: справочник / Н.Н. Акимов. -Минск: Беларусь, 1994. 591с.

34. Пат. 830993 SU, А, Н OIL 31/04. Фотоприёмное устройство / Рудяк В.М. и др.; заявитель и патентообладатель Калининский государственный ун-т. № 2863066/18-25; заявл. 16.11.79; опубл. 03.01.80, Бюл. № 18. - С. 235.

35. Пат. 1102438 SU, А, Н 01 L 31/00. Фотоприёмник и способ управления его чувствительностью/ Вилиам Бенч и др.; заявитель и патентообладатель Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе. — № 3466573/18-25; заявл. 01.06.82; опубл. 23.11.87, Бюл. №43. С. 88.

36. Пат. 1123069 SU, А, Н 01 L 31/00. Фотоприёмник на видимую область спектра / А.Н. Именков и др.; заявитель и патентообладатель Казахский государственный университет. №3487623/18-25; заявл. 03.09.84; опубл. 07.11.84, Бюл. №41. - С. 72.

37. Пат. 824839 SU, А, Н 01 L 33/00. Материал активного слоя для оптоэлектронных приборов / И.В. Лаварашвили и др.; заявитель и патентообладатель Лаварашвили И.В. № 2551999/18-25; заявл. 03.05.77; опубл. 13.12.79, Бюл. № 20. - С. 8.

38. Пат. 824837 SU, A, H01L 31/08. Фоторезистор на основе твёрдого раствора GaSexTe.x

39. Белл, Р.Дж. Введение в фурье-спектроскопию: пер. с англ. М.: Мир, 1975.-382 с.

40. Инфракрасная спектроскопия высокого разрешения: сб. ст. / под ред. Г.Н. Жижина. М.: Мир, 1972. - 352 с.

41. Дистанционный газовый анализ атмосферы при помощи пассивного Фурье-спектрометра / Дроздов М.С. и др. // Известия РАН, Сер.: Энергетика. 1997. - № 1. - С. 28-40.

42. Дистанционный газовый анализ атмосферы при помощи пассивного Фурье-спектрометра. Конструкция и тестовые испытания / С.Н. Горчаковский и др. . // Известия РАН, Сер.: Энергетика. 1999. - № 2. - С. 111-119.

43. Малогабаритный фурье-спектрометр для дистанционного анализа газовых сред / С.Н. Горчаковский и др. // Оптический журнал. 1998. - Т. 65, № 6. - С. 86-89.

44. Система сканирования интерферометра Майкельсона на основе линейного двигателя с постоянным магнитом / С.К. Дворук и др. // Приборы и техника эксперимента. -2001. № 3. - С. 146-150.

45. Система сканирования Фурье-спектрометра среднего разрешения / С.К. Дворук и др. // Приборы и техника эксперимента. 1999. - № 6. - С. 119-124.

46. Поляков, E.B. Исследование сульфида кадмия для регистрации электромагнитного излучения / Е.В. Поляков, Ю.А. Брусенцов, A.M. Минаев // V-ая научная конференция ТГТУ: крат. тез. докл.- Тамбов: ТГТУ, 2000.-С.118.

47. Поляков, Е.В. О возможности измерения гамма- и ультрафиолетового излучений при помощи пленочного сульфида кадмия / Е.В. Поляков, Ю.А. Брусенцов, A.M. Минаев // Труды ТГТУ: сб. науч. тр. молодых ученых и студентов.- Тамбов, 2000.- Вып. 5.- С.145-149.

48. Поляков, Е.В. Способ компенсации влияния темновых токов в детекторе ультрафиолетового и гамма- излучения на основе сульфида кадмия /

49. Е.В. Поляков, Ю.А. Брусенцов // Новые материалы и технологии на рубеже веков: сб. материалов Междунар. науч.- техн. конф.- Пенза, 2000.- Ч. 2.-С.152-153.

50. Поляков, Е.В. Использование сплава CdxSni.xS в детекторах электромагнитного излучения инфракрасного и видимого спектров / Е.В. Поляков, Ю.А. Брусенцов, A.M. Минаев // Вестник ТГТУ.- 2001.- Т. 7, № 1.-С. 101-103.

51. Получение полупроводниковых тонких плёнок сульфида олова методом вакуумного испарения / Е.В. Поляков и др. // Труды ТГТУ: сб. науч. статей молодых учёных и студентов.- Тамбов, 2001.- Вып. 9.- С. 156-158.

52. Поляков, Е.В. Сплав CdixSnxS для тонкоплёночных чувствительных элементов детектирования ИК- спектра / Е.В. Поляков, Ю.А. Брусенцов, A.M. Минаев //Труды ТГТУ: сб. науч. статей.- Тамбов, 2002.- Вып. 12.- С.71-72.

53. Поляков, Е.В. О механизме проводимости халькогенидов / Е.В. Поляков, Ю.А. Брусенцов, A.M. Минаев // Труды ТГТУ: сб. науч. статей молодых учёных и аспирантов.- Тамбов, 2003.- Вып. 13.- С.242-245.

54. Поляков, Е.В. Узкозонный детектор ИК-излучения на основе сплава Cd|.x SnxS / Е.В. Поляков, Ю.А. Брусенцов, A.M. Минаев // Вестник ТГТУ.-2003.- Т.9, №1. С.85-89.

55. Шефтель, И.Т. Терморезисторы / И.Т. Шефтель. М.: Наука, 1973.415 с.

56. Смит, Д. Полупроводники: пер. с англ. / Д. Смит; под ред. Н.А. Пенина. 2-е изд., перераб. и доп.- М.: Мир, 1982.- 558 с.

57. Самсонов, Г.В. Сульфиды / Г.В. Самсонов, С.В. Дроздова. М.: Металлургия, 1972. - 304 с.

58. Чижиков, Д.М. Кадмий /Д.М. Чижиков. М.: Наука, 1967. - 242 с.

59. Абрикосов, Н. X. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе / Н.Х. Абрикосов. М.: Наука, 1975. - 280 с.

60. Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики / под ред. Т. Коутса, Дж. Микина. М.: Мир, 1988. - 307 с.

61. Пат. 2189667 РФ, МПК 7Н 01 L 31/09, 31/115, G 01 Т 1/24 Первичный измерительный преобразователь ультрафиолетового и гамма-излучений, осуществляющий компенсацию погрешностей, вызванных влиянием темновых токов / Е.В. Поляков, Ю.А. Брусенцов, A.M. Минаев,

62. B.А. Пручкин; заявитель и патентообладатель Тамбовский гос. техн. ун-т. -№ 20001116410/28; заявл. 21.06.00; опубл. 21.09.02, Бюл. № 26 (И ч.).1. C.448-449.

63. Виноградов, Е.А. Комбинационное рассеяние света и оптические нормальные колебания кристаллической решетки Zni.xCdxSe / Е.А. Виноградов, Б.Н. Маврин, JI.K. Водопьянов // ЖЭТФ. 2004. - Т. 126, Вып.4(10). - С.866-873

64. Орге, J1. Введение в химию переходных металлов / Л. Орге. М.: Мир, 1964.-358 с.

65. Широкозонные полупроводники / Ю.Г.Шретер и др.. СПб.: Наука, 2001.- 125 с.

66. Халькогениды: сб. ст. / под ред. Г.В. Самсонова. Киев: Наук, думка, 1967 - 191 с.

67. Берри, Л. Тонкопленочная технология / Л. Берри, П. Холл.-М.: Энергия, 1972.- 120 с.

68. Третьяков, Ю.Д. Химия и технология твердофазных материалов / Ю.Д. Третьяков, У. Лепис. М.: Изд-во МГУ, 1985. - 256с.

69. Закиров, Ф.Г. Откачка и заварка в электровакуумном производстве / Ф.Г. Закиров, Е.А. Николаев. М.: Высшая школа, 1983. - 180 с.

70. Пасынков, В.В. Материалы электронной техники / В.В. Пасынков, B.C. Сорокин. СПб.: Издательство «Лань», 2001.- 368 с.

71. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов / С. Зи. М.: Мир, 1984.-Ч. 1.- 455 с.

72. Нашельский, А.Я. Технология спецматериалов электронной техники / А.Я. Нашельский. М.: Наука, 1993. - 320 с.

73. Получение пленок с требуемыми физико-химическими и оптическими характеристиками / Ш.А. Фурман и др. // Известия АН СССР. Сер.: Неорганические материалы. -1985. Т. 21, N 9. - С. 1575 - 1577.

74. Вакуумное оборудование тонкопленочной технологии производства изделий электронной техники / Н.В.Василенко и др. -Красноярск: Сиб. аэрокосм, акад., 1996. -Т.2.-416 с.

75. Технология тонких пленок: справочник / под ред. Л.Майселла, Р.Глэнга. М.: Наука, 1977. - 250 с.

76. Иевлев, В.М. Структурные превращения в тонких пленках / В.М. Иевлев, Л.И. Трусов, В.А. Холмянский. М.: Наука, 1975. - 150 с.

77. Жуковский, В.М. Формально-кинетический анализ твердофазных взаимодействий: изотермический метод / В.М. Жуковский, А.Я Нейман. -Свердловск: Наука, 1979. 145 с.

78. Жуковский, В.М. Термодинамика и кинетика реакций в твердых телах / В.М. Жуковский, А.Н. Петров. Свердловск: Наука, 1987. - 4.1-2. -160 с.

79. Гегузин, Я.Е. Физика спекания /Я.Е. Гегузин. М.: Наука, 1984.200 с.

80. Блатт, Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах / Ф. Блат. М.: Изд-во физ-мат литературы, 1971. - 150 с.

81. Блатт, Ф. Теория подвижности электронов в твердых телах / Ф. Блатт. М.: Изд-во физ-мат литературы, 1963. - 170 с.

82. Бонч-Бруевич, B.JI. Физика полупроводников / B.JI. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. М.: Наука, 1977. - 150 с.

83. Блатт, Фрэнк.Дж. Теория подвижности электронов в твердых телах / Фрэнк Дж. Блатт. М.: Изд-во физ-мат литературы, 1963. — 120 с.

84. Петровский, И.И. Электронная теория полупроводников. Введение в теорию / И.И. Петровский. Минск: Высшая школа, 1964. - 250 с.

85. Глинкин, Е.И. Схемотехника аналогово-цифровых преобразователей / Е.И. Глинкин. Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2001. - 160 с.

86. Анисимова, И.Д. Полупроводниковые фотоприемники / И.Д. Анисимова, И.М. Викулин. М.: Радиосвязь, 1984. - 350 с.

87. Хадсон, Р. Инфракрасные системы / Р. Хадсон; пер. с англ. Я.Б. Герчикова и др.; под ред. Н.В. Васильченко. М.: Мир, 1972. - 534 с.

88. Калабеков, Б.А. Цифровые устройства и микропроцессорные системы / Б.А. Калабеков, И.А. Мамзелев. М.: Радио и связь, 1987. - 400 с.

89. Герасимов, Б.И. Микропроцессорные аналитические приборы / Б.И. Герасимов. М.: Машиностроение, 1997. - 246 с.

90. Криксунов, JI.3. Справочник по основам инфракрасной техники / JI.3. Криксунов. М.: Сов. Радио, 1978. - 400 с.

91. Рего, К. Г. Метрологическая обработка результатов технических измерений : справ, пособие / К.Г. Рего. Киев: Техника, 1987.- 128 с.

92. Справочник инженера-метролога.- М.: Издательский дом «Додэка-XXI», 2002. 384 с.

93. Блатт, Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах. Ф. Блатт. - М.: Изд-во физ-мат. литературы, 1971.-255 с.

94. Блатт, Ф. Дж. Теория подвижности электронов в твердых телах / Ф. Дж. Блатт. М.: Изд-во физ-мат литературы, 1963. — 180 с.

95. Бонч-Бруевич, B.JI. Физика полупроводников / B.JI. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. М.: Наука, 1977. -350 с.

96. Чернышов, В.Н. Анализ и синтез измерительных систем / В.Н. Чернышов и др. Тамбов.: ТГТУ, 1995. - 234 с.

97. Чернышова, Т.И. Методы и средства неразрушающего контроля теплофизических свойств материалов / Т.И. Чернышова, В.Н. Чернышов. -М.: Машиностроение, 2001. 240 с.

98. Схемотехника измерительно-вычислительных систем / под ред. Н.И. Глинкина. Тамбов: Изд-во ТГТУ, 2000. - 80 с.

99. Герасимов, Б.И. Микропроцессоры в приборостроении / Б.И. Герасимов, Е.И. Глинкин. М.: Машиностроение, 1997. - 72 с.