Структура и свойства нанокомпозитов Ge, GaAs, ZnSe, ZnS:(Cu,Mn,Cl) в матрицах пористого оксида алюминия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, доктор наук Валеев Ришат Галеевич

• Валеев Ришат Галеевич
• доктор наук
• 2026

Оглавление диссертации доктор наук Валеев Ришат Галеевич

Введение

Глава 1. Обзор литературы

1.1. Полупроводники изоэлектронного ряда германия

1.2. Электролюминофоры на основе легированного сульфида цинка

1.3. Пористый оксид алюминия как основа для синтеза наноструктур и композитов

1.4. Заключение к главе

Глава 2. Материалы и методы исследований

2.1. Метод термического напыления и установки для его реализации

2.2. Методы исследования

Глава 3. Синтез матриц-подложек пористого оксида алюминия

3.1. Пленки пористого оксида алюминия для получения полупроводниковых наноструктур и нанокомпозитов

3.2. О масштабируемости морфологической структуры пленок пористого анодного оксида алюминия

3.3. Синтез и свойства пленок пористого оксида алюминия на стеклянных подложках

3.4. Выводы по главе

Глава 4. Формирование полупроводниковых (Ое, GaAs, ZnS, ZnSe) наноструктур и композитов в матрицах пористого оксида алюминия: структура и свойства

4.1. Наноструктуры и нанокомпозиты германия

4.2. Наноструктуры и нанокомпозиты арсенида галлия

4.3. Наноструктуры и нанокомпозиты селенида цинка

4.4. Наноструктуры и нанокомпозиты сульфида цинка

4.5. Выводы по главе

Глава 5. Формирование светоизлучающих наноструктур и композитов ZnS:(Cu,Mn,Cl) в матрицах пористого оксида алюминия: структура и свойства

5.1. Нанокомпозиты ZnS:Cu (5 ат.%), полученные методом испарения смесей порошков ZnS и С^

5.2. Нанокомпозиты ZnS:(Cu, Мп), полученные одновременным испарением порошков ZnS, CuS и MnS из отдельных испарительных источников

5.3. Нанокомпозиты ZnS:(Cu,Cl) и ZnS:(Cu,Mn,Cl), полученные испарением порошков ZnS, ^а, MnS

5.4. Выводы по главе

Глава 6. Получение лабораторных образцов (прототипов) светоизлучающих устройств на основе нанокомпозитов ZnS:Cu@ПОА: электролюминесцентные свойства

6.1. Технология изготовления прототипов

6.2. Электролюминесценция прототипов

6.3. Выводы по главе

Заключение

Список сокращений и условных обозначений

Список публикаций по теме диссертации

Список литературы

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы исследования

Современное материаловедение уделяет значительное внимание решению проблем по разработке и исследованию новых материалов с заданными уникальными функциональными свойствами для различных областей технологии и инженерии. Имеющиеся классические подходы, хорошо работающие в микро- (1-100 мкм) и нано- (10-100 нм) масштабах, уже не позволяют решать стоящие перед технологами и разработчиками технических устройств задачи, вследствие возрастающих требований к быстродействию, энергопотреблению (в части использования в электронных компонентах) и эффективности (в части использования в электрохимических приложениях) конечных устройств. Одним из способов, позволяющих решить эти проблемы, является разработка и внедрение новых методов, связанных с получением наноструктурных и нанокомпозитных материалов, сформированных с использованием химически и электрически инертных пористых матриц [1].

Фундаментальной научной проблемой, связанной с дальнейшим развитием технологий, является исследование процессов и установление механизмов формирования массивов пространственно-упорядоченных структур, физически изолированных друг от друга в пространстве [2, 3], с использованием различных методов физического анализа. Также большое значение имеет наличие точной информации о структуре, электронных и оптических свойствах, напрямую связанных как с условиями получения материалов, так и со структурой и морфологией подложек. Например, массивы люминесцентных полупроводниковых нитей, сформированные в вертикально-ориентированных порах анодного оксида алюминия, могут выступать в качестве отдельных излучателей света, или, наоборот, в качестве детектирующих элементов излучения. В первом случае когерентное сложение излучения от отдельных идентичных наноструктур приведет к существенному увеличения интенсивности излучаемого света. Во втором случае может быть достигнуто сверхвысокое пространственное разрешение принимаемого оптического сигнала.

Указанные выше массивы наноструктур и нанокомпозиты на их основе могут быть получены с помощью предлагаемого в настоящей работе вакуумно-термического метода осаждения материалов на матрицы анодного пористого оксида алюминия. В отличие от химических и электрохимических способов, использование термического напыления в условиях высокого и сверхвысокого вакуума позволит получать чистые материалы без примесей химических элементов прекурсоров. Точный ex situ контроль структуры (фазовое состояние, параметры локальной атомной структуры, толщина и морфология наноструктур и нанокомпозитов) и свойств (электропроводность, параметры оптического поглощения, ширина

запрещенной зоны) позволят контролировать и оперативно менять режимы и условия получения образцов на стадии их формирования.

Германий (Ge) и соединения его изоэлектронного ряда (GaAs, ZnSe, CuBr), а также сульфид цинка (ZnS) как чистом виде, так и легированный различными ионами - активаторами люминесценции, — давно и успешно изучаются в различных их формах: от объемных кристаллов и тонких пленок до наноструктур различной морфологии (квантовые точки, нанонити и т.п.). Тем не менее, будущее развитие этих материалов напрямую связано с увеличением стабильности их свойств, упрощением методов синтеза, а также с разработкой новых методов получения наноструктур с заданными электрофизическими, оптическими свойствами. Таким образом, в настоящей работе предложена новая универсальная методика получения наноматериалов, основанная на использовании матриц оксида алюминия с заданной пористостью в качестве подложек для осаждения методами физического напыления. Проведение исследований структуры и функциональных свойств полученных материалов позволило установить физические механизмы формирования во взаимосвязи со структурой и морфологией пористых подложек, что необходимо для синтеза наноструктур и нанокомпозитов диэлектрических, полупроводниковых и металлических материалов с контролируемыми размерами, морфологией, поверхностной анизотропией и, при необходимости, с высокой степенью упорядочения в инертной матрице. Созданные с использованием предлагаемого метода наноматериалы, обладающие уникальными функциональными свойствами, могут найти применение для формирования устройств нано- и микроэлектроники.

Степень разработанности темы исследования

Исследования пористого оксида алюминия начались еще в 1930-х годах: в работах Руммеля и Баумана данный материал получил широкое распространение как защитное, декоративное, изоляционное покрытие. Однако в 1990-х годах, когда Масуда с соавторами показали возможность создания высокоупорядоченной гексагональной пористой структуры оксида алюминия с хорошо контролируемыми параметрами пор (диаметр и расстояние между центрами) методом двухстадийного анодного окисления, началось его широкое применение в нанотехнологиях. Дальнейшие исследования показали, что данный материал обладает перспективами для создания на его основе газо- и жидкостных мембран, причем в зависимости от модификации их поверхности они могут быть использованы как для разделения фракций газов с различным размером молекул (молекулярные сита), так и в системах очистки газов и жидкостей, в катализе. Также получило развитие их применение в качестве шаблонов и матриц при создании широкого спектра диэлектрических, полупроводниковых и металлических наноструктур: наноточек, нанонитей, нанотрубок и т.п.

Использование сравнительно простого метода синтеза пористого оксида алюминия (ПОА) анодированием алюминиевой основы в слабых растворах различных кислот с возможностью контроля пористой структуры (упорядочение, фиксированные диаметр пор и расстояние между их центрами) привело к тому, что в мире появилось большое количество научных групп, специализирующихся на использовании ПОА в целях получения указанных выше материалов, обладающих уникальными свойствами. Материаловедческими сообществами многих стран проводятся специализированные конференции и симпозиумы, на которых представляются результаты научных исследований в данной области.

Наиболее подробные и актуальные сведения о способах получения и областях применения пористого анодного оксида алюминия представлены в обзорах Томпсона (1997), Жани (2013) и Манзура (2023). Среди отечественных коллективов, активно работающих как в области развития методик синтеза, так и разработок новых материалов на основе ПОА, в том числе мембранных, сенсорных, магнитных, фотонных применений, можно отметить группы А. А. Елисеева и К. С. Напольского (Факультет наук о материалах МГУ им. М. В. Ломоносова), Е. Н. Муратовой (Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»), научные группы в Саратовском государственном техническом университете, Томском политехническом университете, ближайшем зарубежье - коллектив исследователей под руководством Н. И. Мухурова из ГНПО «Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника» Академии наук Беларуси (лаборатория микро- и наносенсорики).

Как показал анализ литературы, отсутствие полной информации о влиянии условий вакуумно-термического осаждения, параметров пористой структуры оксида алюминия на процессы синтеза не позволяет сделать обобщённый вывод о возможных механизмах формирования наноструктур полупроводников, в частности иозоэлектронного ряда германия (Ge, GaAs, ZnSe), ZnS, в том числе легированных Си, Mn и О. Не установлена связь между структурой, локальным атомным и электронным строением, функциональными свойствами (оптическое поглощение, ширина запрещенной зоны, фото- и электролюминесценция) полупроводниковых наноструктур и нанокомпозитов на их основе и условиями формирования, морфологией поверхности ПОА. С методической точки зрения остается неясным фактор масштабируемости метода анодного окисления алюминия для получения пористых матриц различного размера, но обладающих при этом одинаковыми параметрами пористой структуры. Кроме того, существуют проблемы получения пленок ПОА на носителях-подложках из диэлектрических материалов и прозрачных проводников. Решение указанных выше задач открывает перспективу для создания на их основе функциональных элементов оптоэлектроники (светоизлучающих устройств, фотодетекторов и т.п.), обладающих повышенными

светотехническими характеристиками (высокая интенсивность излучения и низкое энергопотребление) свойствами.

Работы по изучению структуры и свойств пленок полупроводниковых соединений изоэлектронного ряда германия в зависимости от структурного (аморфное, кристаллическое, наокристаллическое) состояния проводились с начала 2000-х годов и получили дальнейшее развитие с появлением опыта синтеза матриц пористого оксида алюминия. За последние 15 лет разработаны и отработаны основные методики и подходы, позволяющие синтезировать пленки пористого оксида алюминия с упорядоченной структурой пор и диаметрами от 25 до 500 нм, созданы или модернизированы установки вакуумно-термического нанесения полупроводниковых и металлических материалов, в частности, Ge, GaAs, ZnSe, ZnS, ZnS:(Cu,Mn,Cl). В связи с этим, были выбраны оригинальные направления использования указанных материалов для создания на их основе электролюминесцентных источников света, а для получения достоверных данных о структуре, электрофизических и оптических свойствах, характеристик генерации света был использован широкий спектр современных методик и оборудования, в том числе установок класса «Мегасайенс».

Цель диссертационной работы: установить физические основы механизмов формирования наноструктур и нанокомпозитов полупроводников изоэлектронного ряда германия ^е, GaAs, ZnSe), сульфида цинка (чистого и легированного ионами-активаторами Mn, И)) в матрицах пористого оксида алюминия и определить влияние условий получения на структуру, локальное атомное и электронное строение, функциональные свойства (оптическое поглощение, ширина запрещенной зоны, фото- и электролюминесценция).

В связи с этим необходимо было решить следующие задачи:

1. Формирование матриц оксида алюминия с различной пористой структурой, в том числе на прозрачных диэлектрических и проводящих подложках, исследование морфологии их поверхности, определение возможности масштабирования метода синтеза.

2. Разработка вакуумно-термических методик формирования наноструктур и нанокомпозитов полупроводников изоэлектронного ряда германия (ве, GaAs, ZnSe), ZnS (чистого и легированного ионами-активаторами Mn, И)) на матрицах анодного оксида алюминия с заданной пористой структурой.

3. Выявление влияния параметров пористой структуры матрицы (расстояния между центрами пор, диаметр пор), условий осаждения наноструктур и нанокомпозитов на их морфологию, химический и фазовый состав, локальную атомную и электронную структуру.

4. Установление связи между строением наноструктур и нанокомпозитов и их функциональными свойствами (оптическое поглощение, ширина запрещенной зоны, фото- и электролюминесценция).

5. Создание и исследование электролюминесценции прототипов светоизлучающих устройств, созданных на базе разработанных нанокомпозитов.

Предмет исследования

Предметом настоящего исследования является влияние условий формирования наноструктур и нанокомпозитов полупроводников изоэлектронного ряда германия ^е, GaAs, ZnSe), сульфида цинка, в том числе легированного ионами-активаторами Mn, О),

полученных вакуумно-термическим осаждением на матрицы пористого оксида алюминия, на структуру, локальное атомное и электронное строение, функциональные свойства (оптическое поглощение, ширина запрещенной зоны, фото- и электролюминесценция).

Объекты и методология исследования

Объектами исследований являлись наноструктуры и нанокомпозиты, полученные на матрицах пористого оксида алюминия:

- образцы наноструктур и нанокомпозитов германия, арсенида галлия, сульфида и селенида цинка, полученные осаждением на матрицы пористого оксида алюминия и «гладкую» поверхность поликристаллического оксида алюминия;

- образцы нанокомпозитов сульфида цинка, легированные различными концентрациями атомов активаторов люминесценции (меди и марганца), а также солегированные хлором, полученные осаждением на матрицы пористого оксида алюминия и «гладкую» поверхность поликристаллического оксида алюминия и кварца;

- лабораторные образцы (прототипы) электролюминесцентных светоизлучающих устройств, изготовленные на базе нанокомпозитов сульфида цинка, легированного медью.

Для синтеза матриц пористого оксида алюминия использованы подходы одно- и двухстадийного окисления в растворах серной, щавелевой и фосфорной кислот при различных напряжениях анодирования. Осаждение полупроводников проводилось методами вакуумно-термического напыления, в том числе в условиях сверхвысокого вакуума. Для исследования структуры, морфологии, электрофизических и оптических свойств, использовались следующие методы:

- рентгеновская дифракция;

- сканирующая электронная микроскопия (СЭМ);

- атомно-силовая микроскопия (АСМ);

- анализ протяженной тонкой структуры спектров рентгеновского поглощения (EXAFS) и ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения (XANES);

- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС);

- спектроскопия комбинационного рассеяния (СКР);

- УФ/ВИД спектроскопия;

- фотолюминесцентная спектроскопия.

Научная новизна

1. Впервые доказана и количественно обоснована масштабируемость метода двухстадийного анодирования в электрохимических ячейках «прижимного» типа. Установлено, что увеличение площади анодируемой поверхности не приводит к статистически значимому изменению ключевых параметров пористой структуры (среднее расстояние между порами, диаметр пор, параметр локального гексагонального порядка ув). Это позволяет получать шаблоны с воспроизводимой упорядоченной наноструктурой для задач, требующих больших площадей.

2. Разработаны оригинальные методики формирования наноструктур и нанокомпозитов полупроводников изоэлектронного ряда германия ^е, GaAs, ZnSe), чистого и легированного ионами-активаторами ZnS на основе матриц пористого оксида алюминия. Предложены эффективные методики управления составом и структурой наноструктур и нанокомпозитов, связанные с параметрами пористой структуры матриц и условиями их термического осаждения.

3. Впервые показано, что наноструктуры Ge, GaAs, ZnSe и ZnS, сформированные в пористой матрице, имеют параметры локальной атомной структуры (значения координационных чисел и длин связей) ближе к кристаллографическим эталонам и лучшую стехиометрию по сравнению с пленками, осажденными на гладкие подложки. Это свидетельствует о существенной роли ограниченного объема пор в интенсификации процессов упорядоченной конденсации компонентов бинарных соединений.

4. Впервые получены новые экспериментальные данные о расположении легирующих атомов меди и марганца (до 10 ат.%) в локальной атомной структуре наноструктур и нанопокрытий сульфида цинка, полученных методом термического соосаждения сульфида цинка, сульфидов и хлоридов меди и марганца на матрицы пористого оксида алюминия. Показано, что легирующие атомы образуют в структуре основного материала сульфиды и хлориды, а не просто замещают катионы в кристаллической решетке, что вносит основной вклад в люминесцентные свойства нанокомпозитов. Большое влияние на интенсивность излучения также оказывают эффекты усиления люминесценции нанопористой матрицей. Благодаря наличию эффектов размерного ограничения электронно-дырочных пар (экситонов), а также эффектов диэлектрического усиления экситонов, в зависимости от размеров пор матрицы, происходят изменения значения ширины запрещенной зоны. Всё вышеперечисленное приводит к сдвигам длины волны фото- и электролюминесценции (в «зеленую» и «красную» области длин волн для меди и марганца, соответственно), а присутствие хлора приводит к увеличению интенсивности излучения.

5. На основе разработанных нанокомпозитов созданы и испытаны прототипы электролюминесцентных светоизлучающих устройств. Показана управляемость генерационными характеристиками: интенсивность свечения закономерно возрастает с увеличением напряжения и частоты возбуждающего поля. Полученные устройства демонстрируют комплекс функциональных свойств, возникающих на основе синергетического эффекта от сочетания активного легированного полупроводника и наноструктурированной диэлектрической матрицы.

Практическая значимость результатов работы

В настоящей работе разработана новая универсальная методика получения наноматериалов, основанная на использовании матриц оксида алюминия с заданной пористостью в качестве подложек для осаждения методом термического напыления. Данный подход позволяет получать наноструктуры и нанокомпозиты диэлектрических, полупроводниковых и металлических материалов с контролируемыми размерами, морфологией, поверхностной анизотропией и, при необходимости, с высокой степенью упорядочения в инертной матрице. Это позволяет создавать наноматериалы, обладающие уникальными функциональными свойствами, которые могут найти применение для формирования устройств нано- и микроэлектроники.

В работе получены нанокомпозиты ZnS(Cu,Mn:Cl)@Al2O3, успешно опробованные в качестве рабочих слоев в прототипах электролюминесцентных светоизлучающих устройств. При этом наличие матрицы пористого оксида алюминия приводит к увеличению интенсивности свечения по сравнению с традиционными подходами с использованием пленок на гладких подложках не только за счет собственной люминесценции материала люминофора (в том числе легированного ионами примеси), но и усиления за счет рассеяния света на нанопористой среде подложки.

Настоящая работа имеет важное прикладное значение и связана с одной из критических технологий Российской Федерации — «Нанотехнологии и наноматериалы». Часть проведенных исследований выполнена в рамках Федеральных целевых программ «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы» и «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы» и легла в основу государственных контрактов № 02.740.11.0543 «Разработка основ технологических процессов формирования пространственно-упорядоченных массивов полупроводниковых наноструктур контролируемого состава для высокоэффективных источников света, элементов солнечных батарей и детекторов излучения со сверхвысоким пространственным разрешением», №16.513.11.3043 «Формирование пространственно-упорядоченных/коррелированных массивов полупроводниковых наногетероструктур на основе

германия и соединений его изоэлектронного ряда с контролируемой шириной запрещенной зоны для перспективных элементов наноэлектроники и нанофотоники». Выполненные разработки прошли стадию проблемно-ориентированных поисковых исследований и подготовлены технические задания на выполнение опытно-конструкторских работ.

На указанные выше разработки получено 3 патента РФ. Их перечень представлен в Списке публикаций автора по теме диссертационной работы (А65-А67).

Положения, выносимые на защиту

1. Установленный в работе механизм формирования наноструктуры — от стенки поры к ее центру — позволяет получать различные типы наноструктур в зависимости от параметров пористой структуры матриц анодного оксида алюминия.

2. Параметры локальной атомной структуры нанокомпозитов Ge, GaAs, ZnSe и ZnS, сформированных с использованием матриц пористого оксида алюминия, ближе к кристаллографическим значениям по сравнению с пленками на гладких подложках.

3. Величины оптической ширины запрещенной зоны и интенсивность фотолюминесценции нанокомпозитов Ge, ZnSe и ZnS определяются их микроструктурой, задаваемой параметрами пористой матрицы оксида алюминия.

4. Формирование сульфидов и хлоридов меди и марганца в нанокомпозитах сульфида цинка, легированных медью, марганцем и солегированных хлором, приводит к сдвигам длины волны фото- и электролюминесценции в «зеленую» и «красную» области длин волн для меди и марганца, соответственно.

5. Методика двухстадийного анодирования алюминия с использованием электрохимических ячеек «прижимного» типа для получения пористого оксида алюминия с упорядоченным расположением пор, является масштабируемой.

6. Интенсивность излучения электролюминесцентных светоизлучающих устройств, созданных на базе нанокомпозитов ZnS:Cu в матрицах пористого оксида алюминия, возрастает с увеличением напряжения и частоты возбуждающего электрического поля в диапазонах 100 -510 В и 40 - 28000 Гц, соответственно.

Достоверность и обоснованность полученных результатов

Достоверность результатов подтверждается высокой степенью воспроизводимости структуры и характеристик полученных образцов, исследованных с использованием современных методов исследования: рентгеновской дифракции, EXAFS, XANES, РФЭС СЭМ, АСМ, УФ/ВИД и люминесцентной спектроскопии, методов электрохимических исследований. Исследования методом спектроскопии рентгеновского поглощения выполнялись на установках «Мегасайенс»: Сибирский источник синхротронного излучения и Курчатовский центр синхротронного излучения. Полученные экспериментальные данные согласуются с

результатами моделирования методами молекулярной динамики. Сформулированные научные положения, выводы и практические рекомендации основаны на фактически полученных данных, проиллюстрированных в приведенных в тексте таблицах и рисунках. Результаты работы, опубликованные в ведущих изданиях, рекомендованных ВАК РФ, проходили научную экспертизу, обсуждались на российских и международных конференциях.

Личный вклад автора

В диссертации представлены результаты исследований, выполненных лично автором или под его непосредственным руководством в период с 2008 г. по 2024 г. в Физико-техническом институте УрО РАН, а после реорганизации — Физико-техническом институте Удмуртского федерального исследовательского центра УрО РАН. Личный вклад автора в настоящую работу состоит в постановке цели и задач, разработке экспериментальных методик, создании и модернизации напылительных установок, непосредственном проведении экспериментов по синтезу матриц-подложек пористого оксида алюминия, напылению образцов, обработке, анализе и обобщении полученных результатов. Часть экспериментов выполнена в рамках дипломных работ студентов Удмуртского государственного университета под руководством автора, кандидатских диссертаций А. Н. Бельтюкова и А. И. Чукавина, руководителем которых являлся автор. Напыление арсенида галлия на ПОА, части образцов сульфида и селенида цинка проводилось на кафедре физики твердого тела УдГУ В. М. Кобзиевым и Э. А. Романовым по заданию и при непосредственном участии автора настоящей работы. В работе активно принимали участие сотрудники Факультета наук о материалах МГУ им. М. В. Ломоносова — А. А. Елисеев, Д. И. Петухов, К. С. Напольский - в части проведения исследований с использованием оборудования ЦКП ФНМ, методической помощи при проведении работ по синтезу матриц-подложек ПОА. Спектры EXAFS и XANES были получены совместно с В. В. Кривенцовым (Институт катализа СО РАН) и А. Л. Тригубом (Курчатовский центр СИ), также являвшимися исполнителями работ в рамках исследовательских проектов под руководством автора диссертационной работы. Моделирование процессов осаждения методами молекулярной динамики проводилось совместно с сотрудниками Отдела моделирования и синтеза технологических структур Института механики УдмФИЦ УрО РАН профессором А. В. Вахрушевым, А. Ю. Федотовым, А. В. Северюхиным в рамках работ по гранту РНФ, руководителем которого также являлся автор данной работы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Структура и свойства нанокомпозитов Ge, GaAs, ZnSe, ZnS:(Cu,Mn,Cl) в матрицах пористого оксида алюминия»

Апробация работы

Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на 30 конференциях всероссийского и международного уровня: 14th International Conference on II-VI compounds (II-VI-2009) (Санкт-Петербург), Третьей Всероссийской конференции по наноматериалам (НАНО2009) (Екатеринбург), VII и VIII Национальной конференции по применению

рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и ллектронов «РСНЭ-НБИК» (Москва, 2009, 2011), XX Всероссийской конференции «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» (Новосибирск, 2010), XIV Национальной конференции по росту кристаллов (Москва), The European Materials Research Society 2011 Spring meeting (E-MRS 2011 Spring Meeting) (Ницца, Франция), XXI Всероссийской конференции «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» (Новосибирск, 2013), XII international conference on Nanostructured Materials (NANO 2014) (Москва), XX Национальной конференции СИ-2014 (Новосибирск, 2014), Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника-2015» (Новосибирск), 4th International Conference on the Physics of Optical Materials and Devices (Будва, Черногория, 2015), III Всероссийской научной молодежной конференции «Актуальные проблемы нано- и микроэлектроники» (Уфа, 2015), International Conference «Synchrotron and Free electron laser Radiation: generation and application (SFR)» (Новосибирск, 2016, 2018, 2022), BIT's 2nd Annual World Congress of Smart Materials-2016 (Сингапур), Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2016), XXII Всероссийской конференции «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» (Владивосток, 2016), L-LIV Школы ПИЯФ по физике конденсированного состояния «ФКС» (Санкт-Петербург 2016-2020), The European Materials Research Society 2017 Fall meeting (E-MRS 2017 Fall MEETING) (Варшава, Польша), Международной конференции «Синхротронное излучение и лазеры на свободных электронах (СИ и ЛСЭ - 2024)» (Новосибирск, 2024).

Публикации

Основное содержание диссертации изложено в 28 статьях в российских и зарубежных рецензируемых изданиях, рекомендованных ВАК для публикации результатов диссертационных работ [A1-A28]. Из них в журналах, индексируемых в Белом списке — 14 работ первого уровня и 3 работы — второго. Опубликовано 1 учебное пособие, 1 монография и 2 главы в коллективных монографиях [А29-А32], 2 статьи в прочих рецензируемых изданиях [А33-А34], 30 тезисов докладов в сборниках трудов научных конференций, проведённых в России и за рубежом [A35-A64], получено 3 патента РФ [A65-A67].

Соответствие диссертации паспорту специальности 1.3.8 - Физика конденсированного состояния

Диссертационная работа соответствует пункту 1 «Теоретическое и экспериментальное изучение физической природы и свойств неорганических и органических соединений как в кристаллическом (моно- и поликристаллы), так и в аморфном состоянии, в том числе композитов и гетероструктур, в зависимости от их химического, изотопного состава, температуры и давления», пункту 2 «Теоретическое и экспериментальное исследование

физических свойств упорядоченных и неупорядоченных неорганических и органических систем, включая классические и квантовые жидкости, стекла различной природы, дисперсные и квантовые системы, системы пониженной размерности» и пункту 6 «Разработка экспериментальных методов изучения физических свойств и создание физических основ промышленной технологии получения материалов с определёнными свойствами» паспорта специальности 1.3.8 - Физика конденсированного состояния.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка литературы. Объем диссертации составляет 244 страницы, включая 184 рисунка и 30 таблиц. Список литературы содержит 298 наименований.

Во введении дано обоснование актуальности работы, определены объекты и методология исследования, сформулированы цель и задачи диссертационного исследования, перечислены положения, выносимые на защиту, сформулированы научная новизна, достоверность и практическая значимость полученных результатов. В первой главе представлен литературный обзор структурных, физических и функциональных свойств полупроводниковых и металлических наноструктур на основе материалов, исследованных в данной работе, а именно, Ge, GaAs, ZnSe, ZnS, ZnS:(Cu,Mn,Cl); приведены сведения о методах их получения, направлениях их применения в науке и технике. Во второй главе описаны экспериментальные установки, разработанные и модернизированные с целью получения объектов исследований, представленных в настоящей работе. В частности, для напыления германия методом сверхвысоковакуумного напыления на базе многофункциональной установки LAS-2000

5 7

(RIBER, Франция) была разработана и создана камера сверхвысоковакуумного (10-10-7 Па) напыления. Для вакуумно-термического осаждения бинарных и легированных полупроводников на основе сульфида цинка разработана сверхвысоковакуумная установка на базе системы УСУ-4, в которой испарение материалов производится из трех испарительных ячеек Кнудсена косвенного нагрева (МПЭ-типа) с тиглями из нитрида бора (ВК). Также приводится краткое описание методов, использованных для получения результатов исследований кристаллической, локальной атомной и электронной структуры образцов, электрофизических и оптических свойств. В третьей главе приводятся общие сведения о методах получения и параметрах структуры пористого оксида алюминия; способах, требованиях к оборудованию и материалам, необходимых для синтеза пленок пористого оксида алюминия с заданной пористой структурой; условия, необходимые для их использования в качестве матриц для получения наноструктур и покрытий. В частности, проведено описание подходов, обеспечивающих получение пленок пористого оксида алюминия с гексагонально-упорядоченным расположением пор методами одностадийного («hard-anodiszation») и

двухстадийного окисления. Приведены результаты экспериментальных работ по исследованию морфологии пленок на различных стадиях (зарождение пор ^ упорядочение пор ^ полноценный рост пленки). Показано, что изменение размеров области анодирования в электрохимических ячейках прижимного типа не влияет на параметры пористой структуры, что говорит о масштабируемости метода. Исследованы пленки пористого оксида алюминия, синтезированные на подложках из стекла методом одностадийного анодирования. Как и для пластин алюминия, размеры пор и расстояние между ними зависят от анодного напряжения. При этом влияния концентрации раствора на параметры пористой структуры не выявлено. Исследования методом рентгеновской дифракции показали, что синтезированный на стеклянной подложке пористый оксид алюминия имеет аморфную структуру, исследования люминесцентных свойств показали, что с увеличением длины волны возбуждения до 330 нм растет интенсивность люминесценции, затем интенсивность уменьшается, что связано с возбуждением центров люминесценции, связанных с кислородными вакансиями. Наличие пористого оксида алюминия на стеклянной подложке увеличивает поглощение оптического излучения, при этом на спектрах наблюдаются осцилляции, связанные с переотражением на границе раздела пористая пленка/стекло. Коэффициент поглощения пористого оксида алюминия, синтезированного при разных анодных напряжениях, существенно не меняется, что обусловлено примерно одинаковой толщиной пористого слоя, задаваемой толщиной исходной пленки алюминия. Четверая глава описывает результаты исследований структуры, электрофизических и оптических свойств образцов на основе полупроводников Ge, GaAs, ZnSe и ZnS. Установлена корреляция между параметрами пористой структуры матриц и морфологией, составом, структурой, в том числе локальной атомной и химической, функциональными (оптическое поглощение, ширина запрещенной зоны, фото- и электролюминесценция) свойствами. Показано, что применение в качестве подложек пористого оксида алюминия приводит к существенным изменениям структурного состояния, но химический состав при этом остается прежним. Тем не менее, нанокомпозиты имеют более выраженный дальний порядок. Это связано с экспериментально установленным фактом, что атомы осаждаемого вещества, частично залетая в поры матрицы-подложки, имеют меньшую вероятность реиспарения обратно в объем вакуумной камеры, формируя структурные элементы по механизму роста от стенки поры к центру, постепенно её заполняя и формируя на поверхности ПОА сплошную пленку материала. Моделирование процессов осаждения сульфида цинка на поверхность пористого оксида алюминия методом молекулярной динамики подтвердило данный механизм. Определены условия осаждения и параметры пористой структуры матриц, позволяющие получать наноструктуры материалов с различной морфологией: наностержни, нанокольца и наноточки. Установлено, что интенсивность

фотолюминесценции заметно выше у образцов, осажденных на матрицы-подложки с большим диаметром пор, значительный вклад вносят процессы рассеяния света на нанопористой среде матриц и их кислородные вакансии и F+-центры излучения). В пятой главе обсуждаются особенности формирования, структура, состав и функциональные характеристики композитных структур ZnS, легированных ионами меди и марганца, а также солегированных ионами хлора. Установлено, что нанокомпозиты ZnS, содержащие в качестве легирующего элемента независимо от способа их вакуумно-термического получения, материала и пористой структры подложки, имеют двухфазный (кубическая и гексагональная структуры) состав поликристаллического сульфида цинка с присутствием меди в соединении ^^ и CuS, при этом поверхностный слой образующейся на поверхности подложек пленки обогащен медью из-за его сегрегации из объема с образованием Си^, а в более глубоких слоях образуется CuS. При легировании атомами Мп, ZnS кристаллизуется исключительно в кубической фазе, а повышение содержания Мп приводит к уменьшению межплоскостных расстояний, что объясняется замещением цинка марганцем. Проведен анализ оптических спектров поглощения, который показал смещение максимума поглощения в длинноволновую область и его уширение у образцов, полученных с использованием матриц с порами диаметром 80 нм, ширина запрещенной зоны уменьшается при увеличении диаметра пор и концентрации примесей. Также проанализированы спектры люминесценции образцов, что позволило построить энергетические схемы появления излучения. Шестая глава содержит результаты исследования электролюминесцентных свойств прототипов светоизлучающих устройств, созданных на базе разработанных в работе нанокомпозитных электролюминофоров. В заключении приводится обобщение основных полученных результатов и сформулированы выводы по диссертационной работе.

Связь с выполненными научно-исследовательскими работами

Научные исследования по теме диссертации проводились как в рамках базового бюджетного финансирования в рамках научной темы отдела физики и химии поверхности Физико-технического института УрО РАН (после реорганизации - Физико-технического института Удмуртского федерального исследовательского центра УрО РАН) (№№ Госрегистрации 0120.0603317, 01201157502, АААА-А17-117022250040-0, 121030100002-0), так и в рамках различных проектов научных фондов и программ РАН, перечень которых представлен ниже.

В 2009-2018 годах автор настоящей работы являлся руководителем и исполнителем проектов Программ Президимума РАН и Уральского отделения РАН:

1. Программа Президиума РАН Проект № 09-П-2-1026 «Структура и топография поверхности композитных пленок, созданных на основе нанокристаллических элементарных

полупроводников и полупроводниковых соединений с пространственно-коррелированным/упорядоченным расположением активных элементов заданного размера в диэлектрических и полупроводниковых матрицах», 2009-2011 гг., руководитель.

2. Молодежный инновационный проект УрО РАН «Создание высокоэффективных светоизлучающих устройств на основе полупроводниковых наноструктур ZnSe и ZnS с упорядоченным расположением активных элементов в диэлектрической матрице Al2O3», 2010 г., руководитель.

3. Программа Президиума РАН, Проект № 12-П-2-1038 «Электрофизические свойства пленок Ge/ZnSSe/Ge и нитевидных гетероструктур на их основе в матрицах пористого Al2O3», 2012-2014 гг., руководитель.

4. Программа фундаментальных исследований, выполняемых организациями УрО РАН совместно с организациями СО РАН на 2012-2014 гг. Проект № 12-С-2-1024 «Синтез и исследование структуры и свойств нанокомпозитов Ge, GaAs, ZnSe и ZnS в нанопористых матрицах Al2O3», руководитель.

5. Конкурс инновационных проектов молодых ученых УрО РАН. Проект № 11-2-ИП-197 «Разработка детекторов оптического излучения с нанометровым площадным разрешением на базе полупроводниковых наноструктур в матрице пористого анодного оксида алюминия», 2011 г., руководитель.

6. Программа фундаментальных исследований, выполняемых организациями УрО РАН, Проект № 18-10-2-25 «Химическая связь, атомная структура и свойства металлических, металл-углеродных наноструктур и ионно-модифицированных поверхностных слоев сплавов 3d-металлов», 2018-2019 г., ответственный исполнитель

7. Грант Президента РФ Проект № МК-369.2010.2 «Разработка фундаментальных основ создания светоизлучающих устройств на базе полупроводниковых наноструктур А^^ и исследование их характеристик», 2010-2011 гг., руководитель.

8. ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы», контракт № 02.740.11.0543, проект «Разработка основ технологических процессов формирования пространственно-упорядоченных массивов полупроводниковых наноструктур контролируемого состава для высокоэффективных источников света, элементов солнечных батарей и детекторов излучения со сверхвысоким пространственным разрешением», 2010-2012 гг. руководитель.

9. ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научнотехнологического комплекса России на 2007—2013 годы», контракт № 16.513.11.3043, проект «Формирование пространственно-упорядоченных/коррелированных массивов полупроводниковых наногетероструктур на основе германия и соединений его изоэлектронного

ряда с контролируемой шириной запрещенной зоны для перспективных элементов наноэлектроники и нанофотоники», 2011-2012 гг., руководитель.

10. Грант РНФ № 15-19-10002 «Разработка светоизлучающих композитов на основе легированного сульфида цинка в пористых мембранах оксида алюминия», 2015-2017 гг., руководитель.

11. Грант РФФИ № 16-48-180303 «Разработка, создание и исследование фундаментальных свойств генерации оптического излучения прозрачных светоизлучающих устройств на базе наноструктур легированного различными элементами ZnS в диэлектрических матрицах», 20162018 гг., ответственный исполнитель.

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ 1.1. Полупроводники изоэлектронного ряда германия

Германий и соединения его изоэлектронного ряда (GaAs, ZnSe и др.), а также сульфид цинка (ZnS), традиционно используются в различных областях техники, а в последнее время все шире применяются и наноструктуры на их основе, для чего успешно развиваются методики (прежде всего, эпитаксиальные), позволяющие получать различные нанообъекты. Наилучшим примером таких объектов являются квантовые точки германия на поверхности монокристаллических подложек кремния, арсенида галлия и других полупроводниковых материалов [1-3]. Следует отметить, что формирующаяся при этом граница раздела полупроводников позволяет достроить внешнюю поверхность квантовой точки и предотвращает появление низкоэнергетических дефектов, что позволяет избежать рекомбинации экситонов на поверхности нанокристалла.

В связи с этим все больший интерес привлекают нанокомпозиты на основе полупроводников в диэлектрической матрице, матрицах широкозонного или узкозонного полупроводника [4-6]. Такие структуры позволяют не только избежать переноса заряда между отдельными квантовыми точками с помощью пространственного разделения элементов, но и защитить наноструктуры от внешних воздействий. Использование матричной изоляции и формирование «оболочки» полупроводника с большой шириной запрещенной зоны вокруг нанокристаллического ядра дает возможность значительно снизить эффективность рекомбинации экситона на поверхностных дефектах, и, следовательно, повысить квантовый выход люминесценции нанокомпозитов в случае использования их в фотовольтаических (светопоглощающих и светоизлучающих) устройствах. Кроме того, наличие матрицы дает возможность значительно снизить эффективность рекомбинации электрон-дырочных пар на дефектах полупроводника, что открывает широкие перспективы дизайна элементов наноэлектроники (диодов и переключателей нового поколения) на основе таких систем.

Миниатюрные и сверхминиатюрные (микронного и нанометрового размера) источники когерентного и некогерентного излучения представляют особый интерес для развития ряда актуальных направлений современной электроники, таких как разработка компьютеров нового поколения на оптической элементной базе, создание дисплеев со сверхвысоким разрешением и малым временем отклика, разработка высокоскоростных устройств ультраплотной оптической записи информации и др. [7]. На данный момент перспективы развития оптических материалов во многом связаны с высокоэффективными источниками люминесценции на основе полупроводниковых наночастиц широкозонных полупроводников, обладающих уникальными электронными свойствами [8, 9]. Особое внимание уделяется разработке и созданию

экономичных источников излучения в ультрафиолетовой (УФ) и видимой до ближней инфракрасной (ИК) областях спектра, что в первую очередь определяется потребностями современной оптоэлектроники и фотоники. Одним из наиболее интенсивно развивающихся направлений является разработка высокоэффективных твердотельных источников белого света с малым потреблением энергии, а также новых эффективных когерентных источников излучения на основе широкозонных соединений AIIBVI. В частности, именно с этой группой полупроводников связаны последние достижения в области УФ, голубых и зеленых лазеров, а также светоизлучающих диодов [10-15].

В полупроводниковых квантовых точках обнаружено проявление размерных эффектов, в частности влияние квантово-размерного ограничения на энергетический спектр экситонов, оптическая бистабильность, чувствительность оптических свойств к электрическому полю и т.д. Имеются обширные данные по таким структурам А1У, А^""11, АПВ"П, полученным в объемах оксидных матриц.

Будущее развитие материалов, упомянутых выше, напрямую связано как с увеличением их стабильности, упрощением методов синтеза, так и с разработкой новых методов получения наноструктур с заданными электрофизическими, оптическими свойствами. В то же время возможность контроля функциональных свойств наноматериалов напрямую зависит от следующих основных факторов: размер, структура, форма и дисперсность наночастиц, количество структурных дефектов, их однородность по размеру и химическому составу. Например, даже незначительное отклонение размера частиц полупроводников приводит к заметному изменению ширины электронных и дырочных зон и росту общей энергии оптических переходов (синий и красный сдвиги края полосы поглощения) [16]. Формирование квантовых точек с узким распределением по размерам предшествует множеству технологических применений материалов на их основе [17-19].

Наноструктуры на основе германия

Германий, наряду с кремнием, нашел свое применение в электронике еще в 50-х годах XX века, когда начали появляться первые массовые выпуски полупроводниковых приборов, таких как диоды и транзисторы. За созданием транзистора последовал необычайный расцвет науки и техники. Был дан толчок исследованиям в области выращивания кристаллов, диффузии в твердом теле, физики поверхности и во многих других областях. Были разработаны разные типы транзисторов, среди которых можно назвать точечный германиевый и кремниевый с выращенными переходами, полевой транзистор (ПТ) и транзистор со структурой металл -оксид - полупроводник (МОП-транзистор). На их основе создаются микросхемы с большим количеством транзисторов, число которых на данный момент превышает 1010, что невозможно было бы достичь без разработки новейших технологий, позволивших уменьшить размеры

базового элемента до нанометрового размера. Например, ведущие производители процессоров, такие как Intel и AMD, в 2010 году для производства процессоров используют 45-нм технологию, которая ограничена минимальным размером маски в процессах литографии. Но дальнейшее применение литографических методов весьма затруднительно в связи с ограничениями, вводимыми длинами волн существующих источников, материалами фоторезистов.

В связи с этим получили развитие новые методы формирования материалов для наноэлектроники, связанные с подходами самоорганизации. Касательно германиевых структур, наибольший интерес представляют методы и подходы, позволяющие получать квантовые точки германия, которые могут найти применение в будущем в устройствах квантовой электроники и оптоэлектроники [20-24]. Осаждение германия на подложку кремния с ориентацией (100) при температуре 600-700 °С приводит к росту на поверхности подложки 4-5 монослоев. Вследствие критической толщины пленки и наличия небольшой разницы в параметрах решетки возникает сила, стремящаяся разорвать пленку германия на отдельные островки размером 10-20 нм,

3 5 «-»

состоящих из 10 3-105 атомов (ростовый режим Странского-Крастанова) [25, 26]. Основным методом осаждения монослоев германия является метод молекулярно-лучевой эпитаксии, который позволяет не только выращивать сверхтонкие пленки с совершенной кристаллической структурой, но и контролировать их структуру и химический состав в процессе роста [27].

6 nm

Рисунок 1.1 - Изображение поперечного среза слоя КТ Ge в Si [26]

На Рисунке 1.1 представлено изображение поперечного среза слоя квантовых точек (КТ) Ge в Si, полученное методом просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения [26]. Видно, что характерный размер одной квантовой точки, полученной авторами, составляет 6-7 нм, что приводит к упругому отражению оптических фононов на гетерогранице Ge/Si граней и основания КТ, образуя резонатор [28], и как следствие, появлению уникальных оптических свойств.

Рисунок 1.2 - СТМ изображение квантовой точки Ge на поверхности монокристалла

Si (111) [29]

На Рисунке 1.2 представлено изображение квантовой наноструктуры Ge, полученное с атомным разрешением на сканирующем туннельном микроскопе [29]. Наблюдается рассогласование положения атомов германия и кремния, что и приводит к образованию квантовых точек полупроводников.

Кроме квантовых точек, исследуются такие объекты на основе германия, как нанокристаллические тонкие пленки. В работе Катсунори с соавторами методом плазмохимического осаждения были получены тонкие пленки гидрогинезированного германия (Ge:H) толщиной 41, 91 и 98 нм [30]. Показано, что площадная вольт-амперная характеристика пленок зависит от их толщины, которая, в свою очередь, определяется количеством наночастиц в слое. Это позволяет сделать вывод о том, что, синтезируя пленки переменной толщины, можно контролируемо менять электропроводность пленки по площади (Рисунок 1.3).

Рисунок 1.3 - АСМ-изображения топографии поверхности и соответствующие им изображения в режиме регистрации тока при различных напряжениях смещения [30]

Следует заметить, что наряду с получением наноструктур полупроводника в матрице

другого полупроводника, один из примеров которого описан выше (квантовые точки Ое в

ставятся задачи по получению наноструктур в диэлектрической матрице, чему, собственно,

посвящена настоящая работа. В качестве примера можно привести работу Лу с соавторами, в

которой предложен подход к получению наноразмерных структур германия в кварце [31]. Он

основан на использовании метода высокодозовой низкоэнергетической ионой имплантации.

Были получены образцы с дозами имплантированных ионов Ое и Ое2+ 10, 10, 5-10 и 10 -2

см .

Авторами работы [31] показано, что доза облучения существенно влияет на структуру наночастиц: при малой дозе наночастицы находятся преимущественно в аморфном состоянии, с увеличением дозы наночастицы становятся кристаллическими (Рисунок 1.4). Также были исследованы спектры люминесценции образцов, представленные на Рисунке 1.5.

1Е16 1Е17 5Е17 1Е18

Рисунок 1.4 - Изображения наночастиц Ge в матрице SiO2, полученные просвечивающей

микроскопии высокого разрешения [31]

300 400 500 600

У¥а¥е1епд1Мпт

Рисунок 1.5 - Спектры люминесценции образцов при облучении УФ-излучением с длиной

волны 240 нм [31]

Пик с длиной волны 510 нм представляет собой рассеяние на источнике излучения и не представляет интереса. Но ФЛ-пики с длинами волн 295, 400 и 575 нм представляют интерес, поскольку их интенсивность растет с увеличение дозы имплантированного в кварц германия. При этом пики с длинами волн 295 и 400 нм связаны с дефектами на границе раздела Ge-SiO2, а пик с длиной волны 575 нм связан с излучением нк-Ge [32].

Подобным описанному выше методом Димитракисом с соавторами были получены наночастицы германия, имплантированные в матрицы Al2Oз толщиной 5 и 7 нм [33]. Изображение поперечного сечения, иллюстрирующие полученные авторами результаты представлены на Рисунке 1.6. Использованы следующие режимы имплантации: энергия пучка Ge - 1 кэВ, доза - 0,5-1 1016 см-2. Показано, что достаточно высокая эффективность сохранения заряда на данных наноструктурах достигается в небольших электрических полях, что оказалось возможным благодаря высокой плотности пространственного размещения наноструктур. Предложенные авторами наноструктуры могут найти применение в ячейках энергонезависимой памяти.

Список литературы диссертационного исследования доктор наук Валеев Ришат Галеевич, 2026 год

Список цитируемой литературы

1. Шегай, О. А. Фотосопротивление Si/Ge/Si-структур сквантовыми точками германия / О.А. Шегай, К.С. Журавлев, В.А. Марков, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков // Физика и техника полупроводников. - 2000. - Т. 34. - Вып. 11. - С. 1363-1367.

2. Гриняев, С.Н. Глубокие уровни кластеров изатомов галлия в GaAs / С.Н. Гриняев, В.А. Чалдышев // Физика и техника полупроводников. - 2001. - Т. 35. - Вып. 1. - С. 84-88.

3. Прыкина, Е.Н. Колебательные спектры напряженных (001) сверхрешеток ZnSe/ZnS, ZnSe/ZnTe, ZnS/ZnTe в модели Китинга / Е.Н. Прыкина, Ю.И. Полыгалов, А.В. Копытов // Физика и техника полупроводников. - 2001. - Т. 35. - Вып. 1. - С. 89-91.

4. Днепровский, В.С. Линейное и нелинейное поглощение экситонов в полупроводниковых квантовых нитях, кристаллизованных в диэлектрической матрице / В.С. Днепровский, Е.А. Жуков, Е.А. Муляров, С.Г. Тиходеев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 1998. - Т. 114. - № 2. - С. 700-710.

5. Неизвестный, И.Г. Квантовые точки Ge в ненапряженной гетеросистеме GaAs/ZnSe/Ge/ZnSe / И.Г. Неизвестный, С.П. Супрун, А.Б. Талочкин, В.Н. Шумский, А.В. Ефанов // Физика и техника полупроводников. - 2005. - Т. 39. - № 9. - С. 1100-1105.

6. Двуреченский, А.В. Квантовые точки 2 типа в системе Ge/Si / А.В. Двуреченский, А.И. Якимов // Физика и техника полупроводников. - 2001. - Т. 35. - Вып. 9. - С. 1143-1153.

7. Itoh, S. Current status and future prospects of ZnSe-based light-emitting devices / S. Itoh, K. Nakano, A. Ishibashi // Journal of Crystal Growth. - 2000. - V. 214-215. - P. 1029-1034.

8. Kurtz, E. Formation and properties of self-organized II-VI quantum islands / E. Kurtz, J. Shen, M. Schmidt, M. Grun, S.K. Hong, D. Litvinov, D. Gerthsen, T. Oka, T. Yao, C. Klingshirn // Thin Solid Films. - 2000. - V. 367. - P. 68-74.

9. Lee, S. Self-organized growth, ripening, and optical properties of wide-bandgap II-VI quantum dots / S. Lee, J.L. Merz, J.K. Furdyna // Journal of Crystal Growth. - 1998. - V. 184-185. -P. 228-236.

10. Jeong, M.-C. Electroluminescence from ZnO nanowires in n-ZnO film/ZnO nanowire array/p-GaN film heterojunction light-emitting diodes / M.-C. Jeong, B.-Y. Oh, M.-H. Ham, J.-M. Myoung // Applied Physics Letters. - 2006. - V. 88. - 202105.

11. Bao, J. ZnO single-nanowire light-emitting diode / J. Bao, M.A. Zimmler, F. Capasso, X. Wang, Z.F. Ren Broadband // Nano Letters. - 2006. - V. 6. - P. 1719 -1722.

12. Hwang, D.-K. p-ZnO/n-GaN heterostructure ZnO light-emitting diodes / D.-K. Hwang, S.-H. Kang, J.-H. Lim, E.-J. Yang, J.-Y. Oh, J.-H. Yang, S.-J. Park // Applied Physics Letters. - 2005. - V. 86. - 222101.

13. Ryu, Y.R. ZnO devices: Photodiodes and p-type field-effect transistors / Y.R. Ryu, T.S. Lee , J.A. Lubguban, H.W. White, Y.S. Park ,C.J. Youn // Applied Physics Letters. - 2005. - V. 87. -153504.

14. White, H. ZnO-based LEDs begin to show full-color potential / H. White, Y. Ryu // Compound Semiconductor. - 2006. - V. 12. - P. 16-18.

15. Yuen, C. Design and fabrication of ZnO light-emitting devices using filtered cathodic vacuum arc technique / C. Yuen, S.F. Yu, S.P. Lau, G.C.K. Chen // Journal of Crystal Growth. - 2006.

- V. 287. - P. 204-212.

16. Efros, A.L. The electronic structure of semiconductor nanocrystals / A.L. Efros, M. Rosen // Annual Review of Materials Science. - 2000. - V. 30. - P. 475-521.

17. Mattoussi, H. Self-assembly of CdSe-ZnS quantum dot bioconjugates using an engineered recombinant protein / H. Mattoussi, J. M. Mauro, E.R. Goldman, G.P. Anderson, V.C. Sundar, F.V. Mikulec, M.G. Bavendi // Journal of the American Chemical Society. - 2000. - V. 122. - P. 1214212150.

18. Yang, H. Enhancing luminescence of QD thin films, polymer composite films and LED devices by nanostructures / H. Yang, J. Hao, M. Sun, Y. Song, K. Wang, X.W. Sun, W. Zhang //The Innovation. - 2025. - P. 101121.

19. Malko, A.V. From amplified spontaneous emission to microring lasing using nanocrystal quantum dot solids / A.V. Malko, A.A. Mikhailovsky, M.A. Petruska, J.A. Hollingsworth, H. Htoon, M.G. Bawendi // Applied Physics Letters. - 2002. - V. 81. - P. 1303-1305.

20. Sunamura, H. Island formation during growth of Ge on Si(100): A study using photoluminescence spectroscopy / H. Sunamura, N. Usami, Y. Shiraki, S. Fukatsu // Applied Physics Letters. - 1995. - V. 66. - P. 3024-3026.

21. Peng, C.S. Optical properties of Ge self-organized quantum dots in Si / C.S. Peng, Q.Huang, W.Q. Cheng, J.M. Zhou, Y.H. Zhang, T T. Sheng, C.H. Tung // Physical Review B. - 1998. - V. 57. -P. 8805-8809.

22. Wan, J. Effects of interdiffusion on the band alignment of GeSi dots / J. Wan, Y.H. Luo, Z.M. Jiang, G. Jin, J.L. Liu, K.L. Wang, X.Z. Liao, J. Zou // Applied Physics Letters. - 2001. - V. 79.

- P. 1980-1982.

23. Vescan, L. Size distribution and electroluminescence of self-assembled Ge dots / L. Vescan, T. Stoica, O. Chretien, M. Goryll, E. Mateeva, A. Mu ck // Journal of Applied Physics. - 2000. - V. 87. - P. 7275-7282.

24. Lee, S.W. Improved growth of Ge quantum dots in Ge/Si stacked layers by pre-intermixing treatments / S.W. Lee, L.J. Chen, P.S. Chen, M.-J. Tsai, C.W. Liu, W.Y. Chen, T.M. Hsu // Applied Surface Science. - 2004. - V. 224. - P. 152-155.

25. Кульбачинский, В.А. Полупроводниковые квантовые точки / В.А. Кульбачинский // Соросовский образовательный журнал. - 2001. - Т. 7. - № 4. - С. 98-104.

26. Милехин, А.Г. Резонансное комбинационное рассеяние света напряженными и срелаксированными Ge-квантовыми точками / А.Г. Милехин, А.И. Никифоров, М.Ю. Ладанов, О.П. Пчеляков, Ш. Шульце, Д.Р.Т. Цан // Физика твердого тела. - 2004. - Т. 46. - Вып. 1. - С. 9497.

27. Shen, X. Progress and challenges of bandgap engineering in one-dimensional semiconductor materials / X. Shen, P. Guo // Coatings. - 2025. - V. 16. - №. 1. - 36.

28. Талочкин, А.Б. Спектр оптических фононов в германиевых квантовых точках / А.Б. Талочкин, В.А. Марков, А.И. Никифоров, С.А. Тийс // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 1999. - Т. 70. - Вып. 4. - С. 279-283.

29. Pchelyakov, O.P. MBE growth of ultra small coherent Ge quantum dots in silicon for applications in nanoelectronics / O.P. Pchelyakov, A.I. Nikiforov, B.Z. Olshanetsky, S.A. Teys, A.I. Yakimov, S.I. Chikichev // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 2008. - V. 69. - P. 669-672.

30. Makihara, K. Characterization of germanium nanocrystallites grown on SiO2 by a conductive AFM probe technique / K. Makihara, Y. Okamoto, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki // IEICE Transactions on Electronics. - 2005. - V. 88. - P. 705-708.

31. Lu, T. Ge nano-layer fabricated by high-fluence low-energy ion implantation / T. Lu, S. Dun, Q. Hu, S. Zhang, Z. An, Y. Duan, S. Zhu, Q. Wei, L. Wang // Nuclear instruments ans methods B. -

2006. -V. 250. - P. 183-187.

32. Bonafos, C. An electron microscopy study of the growth of Ge nanoparticles in SiO2 / C. Bonafos, B. Garrido, M. Lopez, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, Y. Kihn, G. Ben Assayag, A. Claverie // Applied Physics Letters. - 2000. - V. 76. - P. 3962-3964.

33. Dimitrakis, P. Ultra-low-energy ion-beam-synthesis of Ge nanocrystals in thin ALD Al2O3 layers for memory applications / P. Dimitrakis, A. Mouti, C. Bonafos, S. Schamm, G. Ben Assayag, V. Ioannou-Sougleridis, B. Schmidt, J. Becker, P. Normand // Microelectronic Engineering. - 2009. - V. 86. - P. 1838-1841.

34. Lee, J. High-quality heteroepitaxial Ge growth on nano-patterned Si templates using diblock copolymer patterning / J. Lee, K.L. Wang, H.-T. Chen, L.-J. Chen // Journal of Crystal Growth. -

2007. - V. 301-302. - P. 330-334.

35. Pal, U. Raman and infrared spectroscopy of Ge nanoparticles embedded in ZnO matrix / U. Pal, J. Garci a Serrano // Applied Surface Science. - 2005. - V. 246. - P. 23-29.

36. Sun, Z. Short-range order structures of self-assembled Ge quantum dots probed by multiple-scattering extended x-ray absorption fine structure / Z. Sun, S. Wei, A.V. Kolobov, H. Oyanagi, K. Brunner // Physical Review B. - 2005. - V. 71. - 245334.

37. Little, W. Structural origin of light emission in germanium quantum dots / W. Little, A. Karatutlu, D. Bolmatov, K. Trachenko, A.V. Sapelkin, G. Cibin, R. Taylor, F. Mosselmans, A.J. Dent, G. Mountjoy // Scientific Reports. - 2014. - V. 4. - 7372.

38. Zhang, Y. Local structure of Ge quantum dots determined by combined numerical analysis of EXAFS and XANES data / Y. Zhang, O. Ersoy, A. Karatutlu, W. Little, A. Sapelkin // Journal of Synchrotron Radiation. -2016. - V. 23. - P. 253-259.

39. Backman, M. Amorphization of Ge and Si nanocrystals embedded in amorphous SiO2 by ion irradiation / M. Backman, F. Djurabekova, K. Nordlund, L.L. Araujo, M.C. Ridgway // Physical Review B. - 2009. - V. 80. - 144109.

40. Рудь, В.Ю. Фоточувствительные гетеропереходы Ox/GaAs: создание и свойства / В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, Ушакова Т.Н. // Физика и техника полупроводников. - 2012. -Т.46. - № 6. - С.802-804.

41. Gurwitz, R. Bandgap and band discontinuity in wurtzite/zincblende GaAs homomaterial heterostructure / R. Gurwitz, A. Tavor, L. Karpeles, I. Shalish, W. Yi, G. Seryogin, V. Narayanamurti // Applied Physics Letters. - 2012. - V. 100. - 191602.

42. Hartmann, F. GaAs/AlGaAs resonant tunneling diodes with a GaInNAs absorption layer for telecommunication light sensing / F. Hartmann, F. Langer, D. Bisping, A. Musterer, S. Höfling, M.Kamp, A. Forchel, L. Worschech // // Applied Physics Letters. - 2012. - V. 100. - 172113.

43. Han, C. Optimization of diode-pumped passively Q-switched mode-locked c-cut Nd:GdVO4 laser with a GaAs saturable absorber / C. Han, S. Zhao, D. Li, G. Li, K. Yang, G. Zhang, K. Cheng // Optics and laser technology. - 2012. - V. 44. - № 3. - P. 696-700.

44. Madduri, S. Performance study of a 980 nm GaAs based laser diode chip in a moisture condensing environment / S. Madduri, B.G. Sammakia, W. Infantolino, S.C. Chaparala, L.C. Hughes, J.M. Harris // Journal of electronic packaging. - 2012. - V. 134. - № 1. - 011008.

45. Nelson, E.C. Epitaxial growth of three-dimensionally architectured optoelectronic devices / E C. Nelson, N.L. Dias, K.P. Bassett, S.N. Dunham, V. Verma, M. Miyake, P. Wiltzius, J.A. Rogers, J.J. Coleman, X. Li, P.V. Braun // Nature Materials. - 2011. - V.10. - P. 676-681.

46. Jiang, P. Single-crystal colloidal multilayers of controlled thickness / P. Jiang, J.F. Bertone, K.S. Hwang, V.L. Colvin // Chemistry of Materials. - 1999. - V. 11. - P. 2132-2140.

47. Srivastava, V. Understanding and curing structural defects in colloidal GaAs nanocrystals / V. Srivastava, W. Liu, E.M. Janke, V. Kamysbayev, A.S. Filatov, C.-J. Sun, B. Lee, T. Rajh, R.D. Schaller, D.V. Talapin // Nano Letters. - 2017. - V. 17. - № 3. - P. 2094-2101.

48. Ahmed, S.I. Local vibrational properties of GaAs studied by extended X-ray absorption fine structure / S.I. Ahmed, G. Aquilanti, N. Novello, L. Olivi, R. Grisenti, P. Fornasini // The Journal of Chemical Physics. - 2013. - V. 139. - 164512.

49. Sun, Z. Local structures of GaAs semiconductor in high shells studied by multiple-scattering extended x-ray absorption fine structure / Z. Sun, S. Wei // Physica Scripta. - 2005. - V 249-251.

50. Boscherini, F. X-ray absorption fine structure in the study of semiconductor heterostructures and nanostructures / F. Boscherini // Characterization of Semiconductor Heterostructures and Nanostructures. Ed. C. Lamberti / Elsevier, Amsterdam, Netherlands, - 2008. - P. 289-330.

51. Sharma, R.P. Crystalline to amorphous transformation in GaAs during Kr ion bombardment: A study of elastic behavior / R.P. Sharma, R. Bhadra, L.E. Rehn, P.M. Baldo, M.J. Grimsditch // Journal of Applied Physics. - 1989. - V. 66. - P. 152-155.

52. Jones, A.C. Developments in metalorganic precursors for semiconductor growth from the vapour phase / A.C. Jones // Chemical Society Reviews. - 1997. - V. 26. - P. 101-110.

53. Gant, T.A. Raman study of low growth temperature GaAs / T.A. Gant, H. Shen, J.R. Flemish, L. Fotiadis, M. Dutta // Applied Physics Letters. - 1992. - V. 60. - P. 1453-1455.

54. Harmon, E.S. Carrier lifetime versus anneal in low temperature growth GaAs / E.S. Harmon, M R. Melloch, J.M. Woodall, D.D. Nolte, N. Otsuka, C.L. Chang // Applied physics letters. - 1993. -V. 63. - P. 2248-2250.

55. Kaminska, M. Stoichiometry-related defects in GaAs grown by molecular-beam epitaxy at low temperatures / M. Kaminska, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, R. Leon, Z.U. Rek // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena. - 1989. - V. 7. - P. 710-713.

56. Joseph, M. p-Type electrical conduction in ZnO thin films by Ga and N codoping / M. Joseph, H. Tabata, T. Kawai // Japanese journal of Applied Physics. - 1999. - V. 38. - P. L1205-L1207;

57. Trallero-Giner C. Optical vibrons in CdSe dots: Frequency and Lineshapes / C. Trallero-Giner, A. Debernardi, M. Cardona, E. Menndez-Proupn, A.I. Ekimov // Physical Review B. - 1998. -V. 57. - P. 4664-4669.

58. Nanda, K.K. Raman spectroscopy of CdS nanocrystalline semiconductors / K.K. Nanda, S.N. Sarangi, S.N. Sahu, S.K. Deb, S.N. Behera // Physica B: Condensed Matter. - 1999. - V. 262. - P. 3139.

59. Nanda, K.K. Study of CdS nanocrystallites by AFM and Raman scattering spectroscopy / K.K. Nanda, S.N. Sahu // Applied Surface Science, - 1997. - V. 119. - P. 50-54.

60. de Paula, A.M. Quantum confinement effects on the optical phonons of CdTe quantum dots / A.M. de Paula, L.C. Barbosa, C.H.B. Cruz, O.L. Alves, J.A. Sanjurjo, C.L. Cesar // Superlattices and Microstructures. - 1998. -V. 23. - P. 1104-1106.

61. Xiao, Q. Synthesis and photoluminescence of water-soluble Mn -doped ZnS quantum dots / Q. Xiao, C. Xiao // Applied Surface Science. - 2008. - V. 254. - P. 6432-6435.

62. Qi, L. Synthesis and characterization of ZnS:Cu,Al phosphor prepared by a chemical solution method / L. Qi, B.I. Lee, J.M. Kim, J.E. Jang, J.Y. Choe // Journal of Luminescence. - 2003. - V. 104. - P. 261-266.

63. Tang, T.-P. Photoluminescence of ZnS:Tb phosphors fritted with different fluxes / T.-P. Tang // Ceramics International. - 2007. - V. 33. - P. 1251-1254.

64. Ozawa, L. Eradication of oxygen contamination in production of ZnS:Ag:Cl blue phosphor powder / L. Ozawa, M. Makimura, M. Itoh // Materials Chemistry and Physics. - 2006. - V. 96. - P. 511-516.

65. Yano Y., New RGB phosphors for full color inorganic EL display / Y. Yano, Т. Oike, K. Nagano // Extended abstracts of the 11th international workshop on inorganic and organic electroluminescence, Academia Press, - 2002. - P.225-230.

66. Власенко, H.A. Электролюминесцентные устройства отображения информации / H.A. Власенко. Киев: Общество "Знание" Украины, 1991. - 24 с.

67. Соколов, В.И. Исследование колебаний решетки полупроводников II-VI, легированных 3d элементами, методом комбинационного рассеяния света / В.И. Соколов, F. Fillaux, F. Romain, P. Lemmens, Н.Б. Груздев // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47. - Вып. 8. -С. 1507-1509.

68. Xiao, Q. Synthesis and photoluminescence of water-soluble Mn:ZnS/ZnS core/shell quantum dots using nucleation-doping strategy / Q. Xiao, C. Xiao // Optical Materials. - 2008. - V. 31. - P. 455-460.

69. Liu, X. A solvothermal route to semiconductor ZnS micrometer hollow spheres with strong photoluminescence properties / X. Liu, J. Cui, L. Zhang, W. Yu, F. Guo, Y. Qian // Materials Letters. -2006. - V. 60. - P. 2465-2469.

70. J. Du, J. A solvothermal method to novel metastable ZnSe nanoflakes / J. Du, L. Xu, G. Zou, L. Chai, Y. Qian // Materials Chemistry and Physics. - 2007. - V. 103. - P. 441-445.

71. Guo, C. Preparation of 3D ZnSe novel structure / C. Guo, C.H. Choy, D. Huang, Y. Fang // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 2006. - V. 67. - P. 818-821.

72. Zhai, T. Size-tunable synthesis of tetrapod-like ZnS nanopods by seed-epitaxial metal-organic chemical vapor deposition / T. Zhai, Y. Dong, Y. Wang, Z. Cao, Y. Ma, H. Fu, J. Yao // Journal of Solid State Chemistry. - 2008. - V. 181. - P. 950-956.

73. Drews, D. Raman scattering characterization of the crystalline qualities of ZnSe films grown on S-passivated GaAs(100) substrates / D. Drews, J. Wang, X.H. Liu, Z.S. Li, R.Z. Xu, Z. Ling, W.Z. Cai, X.Y. Hou, W. Xun // Applied Physics Letters. - 1995. - V. 67. - P. 2043-2045.

74. Schneider, A. Raman monitoring of selenium decapping and subsequent antimony deposition on MBE-grown ZnSe(100) / A. Schneider, D.R.T. Zahn, D. Wolfframm, D A. Evans // Applied Surface Science. - 1996. - V. 104-105. - P. 485-489.

75. Ganguli, T. Raman and photoluminescence investigations of disorder in ZnSe films deposited on n-GaAs / T. Ganguli, A. Ingale // Phys. Rev. B. - 1999. - V. 60. - P. 11618-11623.

76. Rizzo, A. Structural and optical properties of zinc selenide thin films deposited by RF magnetron sputtering / A. Rizzo, L. Caneve, S. Scaglione, M.A. Tagliente // Proceedings of the SPIE -The International Society for Optical Engineering. - 1999. - V. 3738. - P. 40-47.

77. A. Rizzo, A. The influence of the momentum transfer on the structural and optical properties of ZnSe thin films prepared by r.f. magnetron sputtering / A. Rizzo, M.A. Tagliente, L. Caneve, S. Scaglione // Thin Solid Films. - 2000. - V. 368. - P. 8-14.

78. Kathalingam, A. Optical and structural study of electrodeposited zinc selenide thin films / A. Kathalingam, T. Mahalingam, C. Sanjeeviraja // Materials Chemistry and Physics. - 2007. - V. 106. -P. 215-221.

79. Taghavinia, N. ZnS nanocrystals embedded in SiO2 matrix / N. Taghavinia, T. Yao // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. - 2004. - V. 21. - P. 96-102.

80. Kim, G.-S. Microstructure and mechanical properties of a ZnS-SiO2 composite prepared by ball-milling and spark plasma sintering / G.-S. Kim, D.H. Shin, Y.I. Seo, Y.D. Kim // Materials Characterization. - 2008. - V. 59. - P. 1201-1205.

81. Berlier, G. Synthesis and characterisation of small ZnS particles / G. Berlier, F. Meneau, G. Sankar, C.R. A. Catlow, J.M. Thomas, B. Spliethoff, F. Schuth, S. Coluccia // Research on Chemical Intermediates. - 2006. - V.32. - P. 683-693.

82. Sendja, B.T. Low-range thermal investigation of zincblende-type ZnS by combined extended X-ray absorption fine structure and X-ray diffraction techniques / B.T. Sendja, D.T. Kamgne, G. Aquilanti, L. Olivi, J.R. Plaisier // Physica B: Condensed Matter. - 2018. - V. 545. - № 15. - P. 481490.

83. Fornasini, P. Extended x-ray-absorption fine-structure measurements of copper: Local dynamics, anharmonicity, and thermal expansion / P. Fornasini, S. a Beccara, G. Dalba, R. Grisenti, A. Sanson, M. Vaccari, F. Rocca // Phys. Rev. B. - 2004. - V. 70. - 174301.

84. Dalba, G. Sensitivity of Extended X-Ray-absorption fine structure to thermal expansion // G. Dalba, P. Fornasini, R. Grisenti, J. Purans // Phys. Rev. Lett. - 1999. - V. 82. - 4240.

85. Tchuigoua, B.H. EXAFS study of the temperature dependence of the Debye-Waller factor in ZnSe zincblende compound / B.H. Tchuigoua, B. Thiodjio Sendja, J.M. Mane, G. Aquilanti, J.R. Plaisier // Physica Scripta - 2020. - V. 95. - 045704.

86. Abd el All, N. Negative thermal expansion in crystals with the zincblende structure: an EXAFS study of CdTe / N. Abd el All, G. Dalba, D. Diop, P. Fornasini, R. Grisenti, O. Mathon, F. Rocca, B. Thiodjio Sendja, M. Vaccari // J. Phys.: Condens. Matter. - 2012. - V. 24. - 115403.

87. Abd el All, N. Accuracy evaluation in temperature-dependent EXAFS measurements of CdTe // N. Abd el All, B. Thiodjio Sendja, R. Grisenti, F. Rocca, D. Diop, O. Mathon, S. Pascarelli, P. Fornasini // J. Synchrotron Rad. - 2013. - V. 20. - P. 603-613.

88. Vaccari, M. Negative thermal expansion in CuCl: An extended x-ray absorption fine structure study / M. Vaccari, R. Grisenti, P. Fornasini, F. Rocca, A. Sanson // Phys. Rev. B. - 2007. -V. 75. - 184307.

89. Yen, W.M. Phosphor Handbook: 2nd Edition. Ed. W.M. Yen, S. Shionoya, H. Yamamoto / CRC Press, Taylor & Francis Group, Boca Raton FL - 2007. - 1080 p.

90. Fischer, A.G. Electroluminescent lines in ZnS powder particles / A.G. Fischer // Journal of The Electrochemical Society. - 1963. - V. 110. - P. 733-748.

91. Destriau, G. Experimental studies on the action of an electric field on phosphorescent sulfides / G. Destriau // J. Chem. Phys. - 1963. - V.33. - P. 620-626.

92. Прикладная электролюминесценция / Под ред. М.В. Фока. М.: Советское радио, 1974, - 416 c.

93. Гуторов, М.М. Основы светотехники и источники света. Учеб. пособие для вузов. - 2-е изд., доп. и перераб. — Москва: Энергоатомиздат, 1983. — 384 с.

94. Верещагин И.К., Ковалев Б.А., Косяченко Л.А., Кокин С.М. Электролюминесцентные источники света, М.: Энергоатомиздат, 1990. -168 с.

95. Suzuki, Ch. Thin film EL displays / Ch. Suzuki, Т. Inoguchr, S. Mito // J. Inform. Display. -1977. - V. 13. - P. 14-19.

96. Sheats, J.R. Organic electroluminescent devices / J.R. Sheats, H. Antoniadis, M. Hueschen, W. Leonard, J. Miller, R. Moon, D. Roitman, A. Stocking // Science. - 1996. - V. 273. - P. 884-888.

97. Chen, S. Constructing high-performance blue, yellow and red electroluminescent devices based on a class of multifunctional organic materials / S. Chen, J. Wei, K. Wang, C. Wang, D. Chen, Y. Liu, Y. Wang // J. Mater. Chem. C. -2013. - V. 1. - P. 6594-6602.

98. Rahman, N.H.A. Review on electroluminescence behaviour of organic light emitting diode / N.H.A. Rahman, A. Manut, M. Rusop // Advanced Materials Research. - 2014. - V. 832. - P. 455459.

99. Ummartyotin, S. Synthesis and luminescence properties of ZnS and metal (Mn, Cu)-doped-ZnS ceramic powder / S. Ummartyotin, N. Bunnak, J. Juntaro, M. Sain, H. Manuspiya // Solid State Sciences. - 2012. - V. 14. - P. 299-304.

100. Li, Y. Luminescence properties of Br-doped ZnS nanoparticles synthesized by a low temperature solid-state reaction method / Y. Li, S. Zhou, Z. Chen, Y. Yang, N. Chen, G. Du // Ceramics International. - 2013. - V. 39. - P. 5521-5525.

101. Adachi, D. Excitation mechanism of luminescence centers in nanostructured ZnS:Tb,F thin-film electroluminescent devices / D. Adachi, K. Takei, T. Toyama, H. Okamoto // Jpn. J. Appl. Phys. -2007. - V. 47. - P. 83-86.

102. Chan, W. Crystal field, phonon coupling and emission shift of Mn in ZnS:Mn nanoparticles / W. Chan, R. Sammynaiken, Y. Huang, J.O. Malm, R. Wallenberg, J.O. Bovin // J. Appl. Phys. - 2001. - V. 89. - P. 1120-1129.

103. Технология тонких пленок. Справочник. Т1/ Под ред. Л. Майсела, Р. Гленга. М.: Сов. радио, 1977,- 664 с.

104. Fang, X. ZnS nanostructures: From synthesis to applications / X. Fang, T. Zhai, U.K. Gautam, L. Li, L. Wu, Y. Bando, D. Goldberg // Progress in Materials Science. - 2011. - V. 56. - P. 175-287.

105. Toyama, T. An electroluminescence device for printable electronics using coprecipitated ZnS:Mn nanocrystal ink / T. Toyama, T. Hama, D. Adachi, Y. Nakashizu, H. Okamoto // Nanotechnology. - 2009. - V. 20. - 055203.

106. Bhargava, R.N. Optical properties of manganese-doped nanocrystals of ZnS / R.N. Bhargava, D. Gallagher, X. Hong, A.J. Nurmikko // Physical Review Letters. - 1994. - V. 72. - P. 416-419.

2+ 9+

107. Bol, A.A. Long-lived Mn emission in nanocrystalline ZnS:Mn / A.A. Bol, A. Meijerink // Physical Review B. - 1998. - V. 58. - №. 24. - P. R15997-R16000.

108. Wood, V. Alternating current driven electroluminescence from ZnSe/ZnS:Mn/ZnS nanocrystals / V. Wood, J.E. Halpert, M.J. Panzer, M.G. Bawendi, V. Bulovic // Nano. Lett. - 2009. -V.9. - P. 2367-2371.

109. Mishra, R.K. Luminescence from ZnS: Bulk Vs Nano / R.K. Mishra, S. Kamal, D.K. Patel, K. Ramachandra Rao, V. Sudarsan, R.K.Vatsa // AIP Conf. Proc. - 2015. - V. 1665. - 050154.

110. Yang, Y. Preparation, characterization and electroluminescence of ZnS nanocrystals in a polymer matrix / Y. Yang, J. Huang, S. Liu, J. Shen // Journal of Materials Chemistry. - 1997. - V. 7. - P.131-133.

111. Diode Laser Arrays / Ed. Botez, D. Scifres D.R. - Cambridge University Press, 2005, - 468

p.

112. Medling, S. Understanding and improving electroluminescence in mill-ground ZnS:Cu, Cl phosphors // S. Medling, C. France, B. Balaban, M. Kozina, Y. Jiang, F. Bridges, S.A. Carter // J. of Physics D: Appl. Phys. - 2011. - V. 44. - 205402.

113. Warkentin, M. Electroluminescence materials ZnS:Cu,Cl and ZnS:Cu,Mn,Cl studied by EXAFS spectroscopy / M. Warkentin, F. Bridges, S.A. Carter, M. Anderson // Phys.Rev. B. - 2007. -V. 75. - 075301.

114. Liu, S. Fabrication and application of nanoporous anodic aluminum oxide: a review / S.Liu, J.Tian, W.Zhang // Nanotechnology. - 2021. - V. 32. - 222001.

115. Thompson, G.E. Porous anodic alumina: fabrication, characterization and applications / G.E. Thompson // Thin Solid Films. - 1997. - V. 297. - P. 192-201.

116. Zhu, X.F. The study on oxygen bubbles of anodic alumina based on high purity aluminum / X.F. Zhu, D.D. Li, Y. Song, Y.H. Xiao // Materials Letters. - 2005. - V.59. - P. 3160-3163.

117. Takahashi, H. Effect of pH on the distribution of anions in anodic oxide films formed on aluminum in phosphate solutions / H. Takahashi, K. Fujimoto, M. Nagayama // Journal of the Electrochemical Society. - 1988. - V. 135. - N. 6. - P. 1349-1353.

118. Li, A.P. Hexagonal pore arrays with a 50-420 nm interpore distance formed by self-organization in anodic alumina / A.P. Li, F. Muller, A. Birner, K. Nielsch, U. Gosele // Journal of Applied Physics. - 1998. - V. 84. - N. 11. - P. 6023-6026.

119. Masuda, H. Ordered metal nanohole arrays made by a two-step replication of honeycomb structures of anodic alumina / H. Masuda, K. Fukuda // Science. - 1995. - V. 268. - N. 5216. - P. 14661468.

120. Chu, S.Z. Synthesis and characterization of titania nanostructures on glass by Al anodization and Sol-Gel process / S.Z. Chu, K. Wada, S. Inoue, S.I. Todoroki // Chem.Mater. -2002. -V. 14. - N. 1. - P. 266-272.

121. Young, L. Anodic oxide films / Academic Press, New York, 1961. - 377 p.

122. Ono, S. Self-ordering of anodic porous alumina formed in organic acid electrolytes / S. Ono, M. Saito, H. Asoh // Electrochimica Acta. - 2005. - V. 51. - N. 5. - P. 827-833.

123. Surganov, V. Study of the initial-stage of aluminum anodization in malonic-acid solution / V. Surganov, P. Morgen, J.G. Nielsen, G. Gorokh, A. Mozalev // Electrochimica Acta. - 1987. - V. 32. - N. 7. - P. 1125-1127.

124. Surganov, V.F. Atomic-emission plasma spectrometry applied to the initial-stages of aluminum anodization in malonic-acid / V.F. Surganov, G.G. Gorokh, A.A. Poznyak, A.M. Mozalev // Journal of Applied Chemistry of the Ussr. - 1988. - V. 61. - N. 9. - P. 1820-1822.

125. Chu, S.Z. Large-scale fabrication of ordered nanoporous alumina films with arbitrary pore intervals by critical-potential anodization / S.Z. Chu, K. Wada, S. Inoue, M. Isogai, Y. Katsuta, A. Yasumori // Journal of the Electrochemical Society. - 2006. - V. 153. - N. 9. - P. B384-B391.

126. Surganov, V.F. Anodic oxide cellular structure formation on aluminum films in tartaric acid electrolyte / V.F. Surganov, G.G. Gorokh // Materials Letters. - 1993. - V. 17. - N. 3-4. - P. 121-124.

127. Mozalev, A. Anodic process for forming nanostructured metal-oxide coatings for large-value precise microfilm resistor fabrication / A. Mozalev, A. Surganov, S. Magaino // Electrochimica Acta. - 1999. - V. 44. - N. 21-22. - P. 3891-3898.

128. Ono, S. Controlling factor of self-ordering of anodic porous alumina / S. Ono, M. Saito, M. Ishiguro, H. Asoh // Journal of the Electrochemical Society. - 2004. - V. 151. - N. 8. - P. B473-B478.

129. Diggle, J.W.Anodic oxide films on aluminium / J.W. Diggle, T.C. Downie, C.W. Coulding // Chemical Reviews. - 1969. - V. 69. - P.365-405.

130. Lee, W. Fast fabrication of long-range ordered porous alumina membranes by hard anodization / W. Lee, R. Ji, U. Gosele, K. Nielsch // Nature Materials. - 2006. - V. 5. - N. 9. - P. 741747.

131. Vanderlinden, B. Investigation of anodic aluminum-oxide layers by electrochemical impedance spectroscopy // B. Vanderlinden, H. Terryn, J. Vereecken // Journal of Applied Electrochemistry. - 1990. - V. 20. - N. 5. - P. 798-803.

132. Osulliva, J.P. Morphology and mechanism of formation of porous anodic films on aluminium / J.P. Osulliva, G.C. Wood // Proceedings of the Royal Society of London Series A-Mathematical and Physical Sciences. - 1970. - V. 317. - N. 1531. - P. 511-543.

133. Gabe, D.R. The role of modifying additives in AC anodizing / D.R. Gabe // Transactions of the Institute of Metal Finishing. - 1987. - V. 65. - P. 152-155.

134. Nielsch, K. Self-ordering regimes of porous alumina: The 10% porosity rule / K. Nielsch, J. Choi, K. Schwirn, R.B. Wehrspohn, U. Gosele // Nano Letters. - 2002. - V. 2. - N. 7. - P. 677-680.

135. Hillebrand, R. Quantitative analysis of the grain morphology in self-assembled hexagonal lattices / R. Hillebrand, F. Muller, K. Schwirn, W. Lee, M. Steinhart // Acs Nano. - 2008. - V. 2. - N. 5.

- P. 913-920.

136. Napolskii, K.S. Long-range ordering in anodic alumina films: a microradian X-ray diffraction study / K.S. Napolskii, I.V. Roslyakov, A.A. Eliseev, A.V. Petukhov, D.V. Byelov, N.A.Grigoryeva, W.G. Bouwman, A.V. Lukashin, K.O. Kvashnina, A.P. Chumakov, S.V. Grigoriev // Journal of Applied Crystallography. - 2010. - V. 43. - P. 531-538.

137. Waheed, A. Small-angle X-ray scattering (SAXS) study of porous anodic alumina-A new approach / A. Waheed, M. Mehmood, R. Benfield, J. Ahmad, H. Amenitsch, M. Aslam, A. Rauf, M. Hassan // Materials Chemistry and Physics. - 2011. - V. 131. - N. 1-2. - P. 362-369.

138. Petukhov, D.I. Mechanically stable flat anodic titania membranes for gas transport applications / D.I. Petukhov, A.A. Eliseev, I.V. Kolesnik, K.S. Napolskii, A.V. Lukashin, A.V. Garshev, Y.D. Tretyakov, D. Chernyshov, W. Bras, S.F. Chen, C.P. Liu // Journal of Porous Materials.

- 2012. - V. 19. - N. 1. - P.71-77.

139. Dore, J.C. Structural studies of mesoporous alumina membranes by small angle X-ray scattering / J.C. Dore, R.E. Benfield, D. Grandjean, G. Schmid, M. Kroll, D. Le Bolloc'h // Studies in Surface Science and Catalysis. - 2002. - V. 144. - P. 163-170.

140. Turkevych, I. Studies of self-organization processes in nanoporous alumina membranes by small-angle neutron scattering / I. Turkevych, V. Ryukhtin, V. Garamus, S. Kato, T. Takamasu, G. Kido, M. Kondo // Nanotechnology. - 2012. - V. 23. - N.32. - 325606

141. Grigor'ev, S.V. Two-dimensional spatially ordered Al2O3 systems: Small-angle neutron scattering investigation / S.V. Grigor'ev, N.A. Grigor'eva, A.V. Syromyatnikov, K.S. Napol'skii, A.A. Eliseev, A.V. Lukashin, YD. Tret'yakov, H. Eckerlebe // Jetp Letters. - 2007. - V. 85. - N. 9. - P. 449453.

142. Napolskii, K.S. The Kinetics and Mechanism of Long-Range Pore Ordering in Anodic Films on Aluminum / K.S. Napolskii, I.V. Roslyakov, A.A. Eliseev, D.V. Byelov, A.V. Petukhov, N.A. Grigoryeva, W.G. Bouwman, A.V. Lukashin, A.P. Chumakov, S.V. Grigoriev // Journal of Physical Chemistry C. - 2011. - V. 115. - N. 48. - P. 23726-23731.

143. Zaraska, L. Porous anodic alumina formed by anodization of aluminum alloy (AA1050) and high purity aluminum / L. Zaraska, G.D. Sulka, J. Szeremeta, M. Jaskula // Electrochimica Acta. -2010. - V. 55. - N. 14. - P. 4377-4386.

144. Belwalkar, A. Effect of processing parameters on pore structure and thickness of anodic aluminum oxide (AAO) tubular membranes / A. Belwalkar, E. Grasing, W. Van Geertruyden, Z. Huang, W.Z. Misiolek // Journal of Membrane Science. - 2008. - V. 319. - N. 1-2. - P. 192-198.

145. Ersching, K. Surface and interface characterization of nanoporous alumina templates produced in oxalic acid and submitted to etching procedures / K. Ersching, E. Dorico, R.C. da Silva, V.C. Zoldan, E.A. Isoppo, A.D.C. Viegas, A.A. Pasa // Materials Chemistry and Physics. - 2012. - V. 137. - N. 1. - P. 140-146.

146. Zaraska, L. Anodic alumina membranes with defined pore diameters and thicknesses obtained by adjusting the anodizing duration and pore opening/widening time / L. Zaraska, G.D. Sulka, M. Jaskula // Journal of Solid State Electrochemistry. - 2011. - V. 15. - N. 11-12. - P. 24272436.

147. Losic, D. Preparation of Porous Anodic Alumina with Periodically Perforated Pores / D. Losic, D. Losic jr. // Langmuir. - 2009. - V. 25. - N. 10. - P. 5426-5431.

148. Zhou, F. Volume Expansion Factor and Growth Efficiency of Anodic Alumina Formed in Sulphuric Acid / F. Zhou, A.K.M. Al-Zenati, A. Baron-Wiechec, M. Curioni, S.J. Garcia-Vergara, H. Habazaki, P. Skeldon, G.E. Thompson // Journal of the Electrochemical Society. - 2011. - V. 158. - N. 6. - P. C202-C214.

149. Shawaqfeh, A.T. Growth kinetics and morphology of porous anodic alumina films formed using phosphoric acid / A.T. Shawaqfeh, R.E. Baltus // Journal of the Electrochemical Society. - 1998.

- V. 145. - N. 8. - P. 2699-2706.

150. Garcia-Vergara, S.J. Formation of porous anodic alumina at high current efficiency / S.J. Garcia-Vergara, H. Habazaki, P. Skeldon, G.E. Thompson // Nanotechnology. - 2007. - V. 18. - N. 41.

- 415605.

151. Santos, A. Structural engineering of nanoporous anodic alumina funnels with high aspect ratio / A. Santos, P. Formentin, J. Pallares, J. Ferre-Borrull, L.F. Marsal // Journal of Electroanalytical Chemistry. - 2011. - V. 655. - N. 1. - P. 73-78.

152. Masuda, H. Long-range-ordered anodic porous alumina with reduced hole interval formed in highly concentrated sulfuric acid solution / H. Masuda, M. Nagae, T. Morikawa, K. Nishio // Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters & Express Letters. - 2006. - V. 45. - N. 12-16. - P. L406-L408.

153. Jessensky, O. Self-organized formation of hexagonal pore structures in anodic alumina / O. Jessensky, F. Muller, U. Gosele // Journal of the Electrochemical Society. - 1998. - V. 145. - N. 11. -P. 3735-3740.

154. Chu, S.Z. Fabrication of ideally ordered nanoporous alumina films and integrated alumina nanotubule arrays by high-field anodization / S.Z. Chu, K. Wada, S. Inoue, M. Isogai, A. Yasumori // Advanced Materials. - 2005. - V. 17. - N. 17. - P. 2115-2119.

155. Su, Z.X. Investigation of the pore formation in anodic aluminium oxide / Z.X. Su, G. Hahner, W.Z. Zhou // Journal of Materials Chemistry. - 2008. - V. 18. - N. 47. - P. 5787-5795.

156. Masuda, H. Fabrication of gold nanodot array using anodic porous alumina as an evaporation mask / H. Masuda, M. Satoh // Jpn. J. Appl. Phys. - 1996. - V. 35. - P. L126-L129.

157. Lei, Y. Highly ordered nanostructures with tunable size, shape and properties: A new way to surface nano-patterning using ultra-thin alumina masks / Y. Lei, W. Cai, G. Wilde // Prog. Mater. Sci. - 2007. - V. 52. - P. 465-539.

158. Sulka, G.D. Anodic porous alumina as a template for nanofabrication / G.D. Sulka, L. Zaraska, W.J. St^pniowski / Encylopedia of nanoscience and nanotechnology, 2nd ed. Ed. H.S. Nalwa / American Scientific Publishers, Califonia, USA, - 2011. - V. 11. - P. 261-349.

159. Meng, G. Facile and scalable patterning of sublithographic scale uniform nanowires by ultra-thin AAO free-standing membrane / G. Meng, T. Yanagida, K. Nagashima, T. Yanagishita, M. Kanai, K. Oka, A. Klamchuen, S. Rohong, M. Horprathum, B. Xu, F. Zhuge, Y. He, H. Masuda, T. Kawai // RSC Adv. - 2012. - V. 2. - P. 10618-10623.

160. Lee, W. Porous anodic aluminum oxide: anodization and templated synthesis of functional nanostructures / W. Lee, S.-J. Park //. Chem. Rev. - 2014. - V. 114. - №. 15. - P. 7487-7556.

161. Mei, X. Molecular-beam epitaxial growth of GaAs and InGaAs/GaAs nanodot arrays using anodic nanohole array template masks / X. Mei, D. Kim, H.E. Ruda, Q.X. Guo // Appl. Phys. Lett. -2002. - V. 81. - P. 361-363.

162. Lei, Y. Shape and size control of regularly arrayed nanodots fabricated using ultrathin alumina masks / Y. Lei, W.-K. Chim // Chem. Mater. - 2005. - V. 17. - P. 580-585.

163. Lei, Y. Highly ordered CdS nanoparticle arrays on silicon substrates and photoluminescence properties / Y. Lei, W.K. Chim, H.P. Sun, G. Wilde // Appl. Phys. Lett. - 2005. -V. 86. - 103106.

164. Cloutier, S.G. Phonon localization in periodic uniaxially nanostructured silicon / S.G. Cloutier, R S. Guico, J.M. Xu // Appl. Phys. Lett. - 2005. - V. 87. - 222104.

165. Mei, X. Molecular beam epitaxial growth studies of ordered GaAs nanodot arrays using anodic alumina masks // X. Mei, M. Blumin, D. Kim, Z. Wu, H.E. Ruda // J. Cryst. Growth. - 2003. -V. 251. - P. 253-257.

166. Jung, M. Fabrication of the uniform CdTe quantum dot array on GaAs substrate utilizing nanoporous alumina masks / M. Jung, H.S. Lee, H.L. Park, H. Lim, S.-il Mho // Curr. Appl. Phys. -2006. - V. 6. - P. 1016-1019.

167. Mei, X. Highly-ordered GaAs/AlGaAs quantum-dot arrays on GaAs (001) substrates grown by molecular-beam epitaxy using nanochannel alumina masks / X. Mei, M. Blumin, M. Sun, D. Kim, Z.H. Wu, H.E. Ruda, Q.X. Guo // Appl. Phys. Lett. - 2003. - V. 82. - P. 967-969.

168. Chen, Z. Synthesis of germanium nanodots on silicon using an anodic alumina membrane mask / Z. Chen, Y. Lei, H.G. Chew, L.W. Teo, W.K. Choi, W.K. Chim // J. Cryst. Growth. - 2004. -V. 268. - P. 560-563.

169. Xu, W.L. Fabrication and optical properties of highly ordered ZnO nanodot arrays. W.L. Xu, M.J. Zheng, G.Q. Ding, W.Z. Shen // Chem. Phys. Lett. - 2005. - V. 411. - P. 37-42.

170. Guo, Q. Fabrication of indium nitride nanodots using anodic alumina templates / Q. Guo, X. Mei, H. Ruda, T. Tanaka, M. Nishio, H. Ogawa // Jpn. J. Appl. Phys. - 2003. - V. 42. - P. L508-L510.

171. Kossyrev, P.A. Electric field tuning of plasmonic response of nanodot array in liquid crystal matrix / P.A. Kossyrev, A. Yin, S.G. Cloutier, D.A. Cardimona, D. Huang, P.M. Alsing, J.M. Xu // Nano Lett. - 2005. -V. 5. - P. 1978-1981.

172. Liang, J. Two-dimensional lateral superlattices of nanostructures: Nonlithographic formation by anodic membrane template / J. Liang, H. Chik, A. Yin, J. Xu // J. Appl. Phys. - 2002. -V. 91. - P. 2544-2546.

173. Lei, Y. Highly ordered arrays of metal/semiconductor core-shell nanoparticles with tunable nanostructures and photoluminescence / Y. Lei, W.-K.J. Chim // Am. Chem. Soc. - 2005. - V. 127. -P. 1487-1492.

174. Gao, X. High-density periodically ordered magnetic cobalt ferrite nanodot arrays by template-assisted pulsed laser deposition // X. Gao, L. Liu, B. Birajdar, M. Ziese, W. Lee, M. Alexe, D. Hesse // Adv. Funct. Mater. - 2009. - V. 19. - P. 3450-3455.

175. Lee, W. Individually addressable epitaxial ferroelectric nanocapacitor arrays with near Tb inch-2 density / W. Lee, H. Han, A. Lotnyk, M.A. Schubert, S. Senz, M. Alexe, D. Hesse, S. Baik, U. Gosele // Nat. Nanotechnol. - 2008. - V. 3. - P. 402-407.

176. Rodriguez, B.J. Vortex polarization states in nanoscale ferroelectric arrays / B.J. Rodriguez, X.S. Gao, L.F. Liu, W. Lee, I.I. Naumov, A.M. Bratkovsky, D. Hesse, M. Alexe // Nano Lett. - 2009.

- V. 9. - P. 1127-1131.

177. Kim, Y. Non-Kolmogorov-Avrami-Ishibashi switching dynamics in nanoscale ferroelectric capacitors / Y. Kim, H. Han, W. Lee, S. Baik, D. Hesse, M. Alexe // Nano Lett. - 2010. -V. 10. - P. 1266-1270.

178. Han, H. Domain structures and piezoelectric properties of Pb(Zr0.2Ti08)O3 nanocapacitors / H. Han, Y.J. Park, S. Baik, W. Lee, M. Alexe, D. Hesse, U. Gosele // J. Appl. Phys. - 2010. - V. 108.

- 044102.

179. Han, H. Nanostructured Ferroelectrics: Fabrication and Structure-Property Relations / H. Han, Y. Kim, M. Alexe, D. Hesse, W. Lee // Adv. Mater. - 2011. - V. 23. - P. 4599-4613.

180. Cheng, G.S. Large-scale synthesis of single crystalline gallium nitride nanowires / G.S. Cheng, L.D. Zhang, Y. Zhu, G.T. Fei, L. Li, C M. Mo, Y.Q. Mao // Appl. Phys. Lett. - 1999. - V. 75.

- P. 2455-2457.

181. Zhang, J. Fabrication and photoluminescence of ordered GaN nanowire arrays / J. Zhang, L.D. Zhang, X.F. Wang, C.H. Liang, X.S. Peng, Y.W. Wang // J. Appl. Phys. - 2001. - V. 115. - P. 5714-5717.

182. Jung, W.-G. Fabrication of GaN nanotubular material using MOCVD with an aluminium oxide membrane / W.-G. Jung, S.-H. Jung, P. Kung, M. Razeghi // Nanotechnology. - 2006. - V. 17. -P. 54-59.

183. Li, X. Controlled synthesis of germanium nanowires and nanotubes with variable morphologies and sizes / X. Li, G. Meng, Q. Xu, M. Kong, X. Zhu, Z. Chu, A.-P. Li // Nano Lett. -2011. - V. 11. - P. 1704-1709.

184. Shen, X.-P. Template-based CVD synthesis of ZnS nanotube arrays / X.-P. Shen, M. Han, J.-M. Hong, Z. Xue, Z. Xu // Chem. Vap. Deposition. - 2005. - V. 11. - P. 250-253.

185. Bae, C. Multisegmented nanotubes by surface-selective atomic layer deposition / C. Bae, R. Zierold, J.M. Montero Moreno, H. Kim, H. Shin, J. Bachmann, K.J. Nielsch // Mater. Chem. C. -2013. - V. 1. - P. 621-625.

186. Кондратов, А.В. Термическое испарение в вакууме при производстве изделий радиоэлектроники / А.В. Кондратов. - М: Радио и связь, 1986. - 77 с.

187. Гаврилов, Р.А. Основы физики полупроводников / Р.А. Гаврилов, А.М. Скворцов. -М: Машиностроение, 1966. - 288 с.

188. Никитин, М.М. Технология и оборудование вакуумного напыления / М.М. Никитин. -М: Металлургия, 1992. - 112 с.

189. Белый, А.В. Структура и методы формирования износостойких поверхностных слоев / А.В. Белый, Г.Д. Карпенко, Н.К. Мышкин. - М: Машиностроение, 1991. - 208 с.

190. Валеев, Р.Г. Модернизация камеры подготовки образцов установки Riber LAS - 2000 для сверхвысоковакуумного напыления тонких полупроводниковых пленок / Р.Г. Валеев, А.Н. Бельтюков, В.М. Ветошкин, Д.В. Сурнин, О.Р. Бакиева, С.В. Хоряков // Вакуумная техника и технология. - 2010. - Т. 20. - №4. - С.235-240.

191. Bragg, W.L. The diffraction of short electromagnetic waves by a crystal / W.L. Bragg // Proceedings of the Cambridge Philosophical Society. - 1914. - V. 17. - P. 43-57.

192. Казанкин, О.Н. Химия и технология люминофоров / О.Н. Казанкин, Ф.М. Пекерман, Л.Н. Петошина // Сб. статей ГИПХ. - 1960. - №43. - C. 46-50.

193. Уманский, Я.С. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия / Я.С. Уманский, Ю.А. Скаков, А.Н. Иванов, Л.Н. Расторгуев. - М.: Металлургия, 1982. - 632 с.

194. Болдырев, В. В. Дифрактометрия с использованием синхротронного излучения / В.В. Болдырев, Н.3. Ляхов, Б.П. Толочко. - Новосибирск: Наука, 1989. - 145 с.

195. Chernyshov, A.A. Structural Materials Science end-station at the Kurchatov Synchrotron Radiation Source: Recent instrumentation upgrades and experimental results / A.A. Chernyshov, A.A. Veligzhanin, Y.V. Zubavichus // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. - 2009. - V. 603. - №. 1-2. - P. 95-98.

196. Тригуб, А.Л. Исследование локальной атомной и электронной структуры комплексов переходных металлов с порфиринами и их аналогами методами рентгеноабсорбционной спектроскопии: дисс. ...канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Тригуб Александр Леонидович. -Москва, 2014. - 141 с.

197. Lamberti, C. The use of synchrotron radiation techniques in the characterization of strained semiconductor heterostructures and thin films / C. Lamberti // Surf. Sci. Rep. - 2004. - V. 53. - P. 1197.

198. Кочубей, Д.И. Рентгеноспектральный метод изучения структуры аморфных тел: EXAFS-спектроскопия / Д.И. Кочубей, Ю.А. Бабанов, К.И. Замараев, Р.В. Ведринский, В.Л.

Крайзман, Г.П. Кулипанов, Л.Н. Мазалов, А.Н. Скринский, В.К. Федоров, Б.Ю. Хельмер, А. Т. Шуваев. - Новосибирск: Наука, 1988. - 306 с.

199. Валеев, Р.Г. / Нанокомпозитные пленки германия и арсенида галлия: методика получения, локальная атомная структура, электрофизические и фотоэлектрические свойства: дисс. ...канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Валеев Ришат Галеевич. - Ижевск, 2003. - 138 с.

200. Бойко, М.Е. Исследование атомной, кристаллической, доменной структуры материалов на основе анализа дифракционных и абсорбционных рентгеновских данных / М.Е. Бойко, М.Д. Шарков, А.М. Бойко, С.Г. Конников, А.В. Бобыль, Н.С. Будкина // Журнал технической физики. - 2015. - Т. 85. - Вып. 11. - C. 1-29.

201. Stern, E.A. Theory of extended X-ray absorption fine structure / E.A. Stern // Phys. Rev. B.

- 1974. - V. 10. - № 8. - P. 3027-3037.

202. Bunker, G. Application of the ratio method of EXAFS analysis to disordered systems / G. Bunker // Nucl. Instr. Meth. - 1983. - V. 207. - № 3. - P. 437-444.

203. Sayers, D. New technique for investigation noncrystalline structures: Fourier analysis of the extended X-ray absorption fine structure / D. Sayers, E. Stern, F. Lytle // Phys. Rev. Letters. - 1971. -V. 27. - P. 1204-1207.

204. Тихонов, А.Н. Методы решения некорректно поставленных задач / А.Н. Тихонов, В.Я. Арсенин. - М: Наука, 1979. -285 с.

205. Kuzmin, A. EDA: EXAFS data analysis software package / A. Kuzmin // Physica B. - 1995.

- V. 208-209. - P. 175-176.

206. Фетисов, Г.В. Синхротронное излучение. Методы исследования структуры веществ / Г.В. Фетисов. Под ред. Л.А. Асланова. - М: ФИЗМАТЛИТ, 2007. - 672 с.

207. Золотарев, К.В. Работы с использованием синхротронного излучения в Новосибирском научном центре / К.В. Золотарев, А.И. Анчаров, З.С. Винокуров, Б.Г. Гольденберг, Ф.А. Дарьин, В.В. Кривенцов, Г.Н. Кулипанов, К.Э. Купер, А.А. Легкодымов, Г.А. Любас, А.Д. Николенко, К.А. Тен, Б.П. Толочко, М.Р. Шарафутдинов, А.Н. Шмаков, Е. Б. Левичев, П. А. Пиминов, А.Н. Журавлев // Известия РАН. Серия физическая. - 2023. - T. 87. - № 5.-C. 614-626.

208. Шалимова, К.В. Физика полупроводников / К.В. Шалимова. - М: Энергия, 1976. - 416

с.

209. Бриггс, Д. Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Д. Бриггс, М.П. Сих. Пер. с англ. - М: Мир, 1987. - 600 с.

210. Праттон, М. Введение в физику поверхности / М. Праттон. - Ижевск: «Регулярная и хаотическая динамика», 2000. - 256 с.

211. Tougaard, S. Universal inelastic electron scattering cross-sections / S. Tougaard // Surface and Interface Analysis. - 1997. - V. 25. - P. 137-154.

212. Jo, M. Direct simultaneous determination of XPS background and inelastic differential cross section using Tougaard's algorithm / M. Jo // Surface Science. -1994. - V. 320. - P. 191-200.

213. Захватова, М.В. Учет фоновой составляющей в рентгеновской фотоэлектронной и Оже-электронной спектроскопии / М.В. Захватова, Ф.З. Гильмутдинов, Д.В. Сурнин // Физика металлов и металловедение. - 2007. - Т. 104. - №2. - C. 166-171.

214. Валеев, Р.Г. Методы фотоэлектронной спектроскопии для анализа состава и электронной структуры материалов / Р.Г. Валеев // Молодежная школа по физике конденсированного состояния (Школа ФКС-2024): сб. тез. докл. / НИЦ "Курчатовский институт" - ПИЯФ. Гатчина, 2024. - С. 18.

215. Fairley, N. Systematic and collaborative approach to problem solving using X-ray Photoelectron Spectroscopy / N. Fairley, V. Fernandez, M. Richard-Plouet, C. Guillot-Deudon, J. Walton, E. Smith, D. Flahaut, M. Greiner, M. Biesinger, S. Tougaard, D. Morgan, J. Baltrusaitis // Applied Surface Science Advances. - 2021. - V. 5. - 100112.

216. Aleksandrovich, E.V. Effect of Ge concentration on optical properties of films synthesized by vacuum-thermal evaporation of glassy Ge-Se alloys // E.V. Aleksandrovich, A.N. Aleksandrovich, K G. Mikheev, G.M. Mikheev // Journal of Non-Crystalline Solids - 2023. - V. 616. - 122479.

217. Thompson, G.E. Nucleation and growth of porous anodic films on aluminum / G.E. Thompson, R.C. Furneaux, G.C. Wood, J.A. Richardson, J.S. Goode // Nature. - 1978. - V. 272. - N. 5652. - P. 433-435.

218. Sulka, G.D. Highly ordered anodic porous alumina formation by self-organized anodizing / G.D. Sulka // Nanostructured Materials in Electrochemistry. Ed. A. Eftekhari / Wiley-VCH, Wienheim, Austria, - 2008. - P. 1-116.

219. Петухов, Д. И. Пористые анодные оксиды алюминия и титана: структура, свойства, синтез: учебное пособие / Д.И. Петухов, Р.Г. Валеев, С.М. Решетников - Ижевск: Издательский центр «Удмуртский университет», 2018. - 121 с.

220. Wu, J. Ultra-slow growth rate: Accurate control of the thickness of porous anodic aluminum oxide films / J. Wu, Y. Li, Z. Li, S. Li, L. Shen, X. Hu, Z. Ling // Electrochemistry Communications. -2019. - V. 109. - 106602.

221. Md Jani, A.M. Nanoporous anodic aluminium oxide: Advances in surface engineering and emerging applications / A. M. Md Jani, D. Losic, N.H. Voelcker // Progress in Materials Science. -2013. - V. 58. - N. 5. - P. 636-704.

222. Manzoor, S. Recent progress of fabrication, characterization, and applications of anodic aluminum oxide (AAO) membrane: a review / S. Manzoor, M. Waseem Ashraf, S. Tayyaba, M. Imran

Tariq, M. Khalid Hossain // Computer Modeling in Engineering & Sciences. - 2023. - V. 135. - N. 2. -P. 1007-1052.

223. Петухов, Д.И. Влияние микроструктуры на процессы массопереноса в мембранах анодного оксида алюминия: дисс. канд. хим. наук: 02.00.21 / Петухов Дмитрий Игоревич. -Москва, 2013. - 176 с.

224. Valeev, R. Nanostructured semiconductors in porous alumina matrices: modeling, synthesis, and properties / R. Valeev, A. Vakhrushev, A. Fedotov, D. Petukhov - Oakville, Canada: Apple Academic Press, 2019. 284 p.

225. Schneider, C. A. NIH Image to ImageJ: 25 years of image analysis / C.A. Schneider, W.S. Rasband, K.W. Eliceiri // Nature Methods. - 2012. - V. 9. - P. 671-675.

226. Sack, J.R. Handbook of computational geometry / J.R. Sack, J. Urrutia - Amsterdam, the Netherlands: Elsevier science B.V., 1999. 1075 p.

227. Borba, J.R. Quantitative characterization of hexagonal packings in nanoporous alumina arrays: a case study / J.R. Borba, C. Brito, P. Migowski, T.B. Vale, D.A. Stariolo, S.R. Teixeira, A.F. Feil // Journal of Physical Chemistry C. - 2012. - V. 117. - P. 246-251.

228. Roslyakov, I.V. Growth of porous anodic alumina on low-index surfaces of Al single crystals / I.V. Roslyakov, D.S. Koshkodaev, A.A. Eliseev, D. Hermida-Merino, V.K. Ivanov, A.V. Petukhov, K.S. Napolskii // Journal of Physical Chemistry C. - 2017. - V. 121. - P. 27511-27520.

229. Kushnir, S.E. Mosaic of anodic alumina inherited from anodizing of polycrystalline substrate in oxalic acid / S.E. Kushnir, M.E. Kuznetsov, I.V. Roslyakov, N.V. Lyskov, K.S. Napolskii // Nanomaterials. - 2022. - V. 12. - №. 24. - 4406.

230. Садыков, А.И. Кинетика формирования и растворения анодного оксида алюминия в электролитах на основе серной и селеновой кислот / А.И. Садыков, А.П. Леонтьев, С.Е. Кушнир, А.В. Лукашин, К.С. Напольский // Журнал неорганической химии. - 2021. - T. 66. - № 2. - С. 265-273.

231. Valeev, R.G. Structure and magnetic properties of iron coatings deposited on porous aluminum oxide by the magnetron method / R.G. Valeev, A.I. Chukavin, A.N. Beltyukov, A.A. Petkov // X International scientific conference "Actual problems of solid state physics": Book of abstracts / SSPA «SPMRC of NAS of Belarus», Minsk, Belarus, 2023. - P. 519.

232. Osulliva, J.P. Morphology and mechanism of formation of porous anodic films on aluminium / J.P. Osulliva, G.C. Wood // Proceedings of the Royal Society of London Series A-Mathematical and Physical Sciences. - 1970. - V. 317. - №. 1531. - P. 511-543.

233. Petukhov, D.I. Comparative study of structure and permeability of porous oxide films on aluminum obtained by single- and two-step anodization / D.I. Petukhov, K.S. Napolskii, M.V.

Berekchiyan, AG. Lebedev, A.A. Eliseev // ACS Appl. Mater. Interfaces. - 2013. - V. 5. - P. 78197824.

234. Yang, K.S. Microfluidic chip with porous anodic alumina integrated with PDMS/glass substrate for immuno-diagnosis / K.S. Yang, H.J. Kim, J.K. Ahn, D.H. Kim // Current Applied Physics. - 2009. - V. 9. - P. e60-e65.

235. Liu, S. Fast anodization fabrication of AAO and barrier perforation process on ITO glass / S. Liu, Z. Xiong, C. Zhu, M. Li, M. Zheng, W. Shen // Nanoscale Research Letters. - 2014. - V. 9. -159 (8p.).

236. Rabin, O. Formation of thick porous anodic alumina films and nanowire arrays on silicon wafers and glass / O. Rabin, P.R. Herz, Y.-M. Lin, A.I. Akinwande, S.B. Cronin, M.S. Dresselhaus // Adv. Funct. Mater. - 2003. - V. 13. - № 8. - P. 631-638.

237. Kubelka, P. Ein beitrag zur optik der farbanstriche / P. Kubelka, F. Munk // Z. fur techn. Phys. - 1931. - V. 12. - P. 593-601.

238. Napolskii, K.S. Origin of long-range orientational pore ordering in anodic films on aluminium / K.S. Napolskii, I.V. Roslyakov, A.Yu. Romanchuk, O.O. Kapitanova, A.S. Mankevich, V.A. Lebedeva, A.A. Eliseev // J. Mater. Chem. - 2012. - V. 22. - P. 11922-11926.

239. Zaghdoudi, W. Microstructural and optical properties of porous alumina elaborated on glass substrate // W. Zaghdoudi, M. Gaidi, R. Chtourou // Journal of Materials Engineering and Performance. - 2013. - V. 22. - P. 869-874.

240. Huang, G.S. Strong blue emission from anodic alumina membranes with ordered nanopore array / G.S. Huang, X L. Wu, Y.F. Mei, X.F. Shao, G.G. Siu // J. Appl. Phys. - 2003. - V. 93. - P. 582585.

241. Бельтюков, А.Н. Формирование, структура и оптические свойства нанокомпозитных систем «Ge в пористой матрице Al2O3: дисс. канд. техн. наук: 01.04.07 / Бельтюков Артемий Николаевич. - Ижевск, 2015. - 119 с.

242. Kang, H.-S. Effect of oxygen species on the positive flat-band voltage shift in Al2O3/GaN metal-insulator-semiconductor capacitors with post-deposition annealing / H.-S. Kang, M.S.P. Reddy, D.-S. Kim, K.-W. Kim, J.-B. Ha, Y.S. Lee, H.-C. Choi, J.-H. Lee // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2013. -V. 46. - 155101

243. Hayashi, R. Preparation and properties of Ge microcrystals embedded in SiO2 glass films / R. Hayashi, M. Yamamoto, K. Tsunetomo, K. Kohno, Y. Osaka, H. Nasu // Jpn. J. Appl. Phys. - 1990. - V. 29. №. 4. - P. 756-759.

244. Williams, G.M. Crystallization and diffusion in progressively annealed a-Ge/SiOx Superlattices / G.M. Williams, A.Bittar, H.J. Trodahl // J. AppL Phys. - 1990. - V. 67. - P. 1874-1878.

245. Милехин, А.Г. Комбинационное рассеяние света лазерно-модифицированными структурами с квантовыми точками Ge/Si / А.Г. Милехин, В.В. Варавин, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков, Д.Е. Маев, N. Vogel, D.R.T. Zahn // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48. - Вып. 11. -С. 2063-2066.

246. Зограф, Г.П. / Спектроскопия усиленного и термочувствительного комбинационного рассеяния оптически резонансных полупроводниковых наночастиц: дисс. ...канд. физ.-мат. наук: 01.04.05 / Зограф Георгий Петрович. - Санкт-Петербург, 2020. - 200 с.

247. Валеев, Р.Г. ^тез и исследование структуры упорядоченных массивов нанонитей германия / Р.Г. Валеев, Д.В. Сурнин, А.Н. Бельтюков, В.М. Ветошкин, В.В. Кривенцов, Я.В. Зубавичус, А.А. Елисеев, Н.А. Мезенцев // Журнал структурной химии. - 2010. - Т. 51 (Приложение). - С. 135-139.

248. Klementiev, K.V. VIPER for Windows / K.V. Klementiev // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2001. - V.34. - P. 209-217.

249. Ankudinov, A.L. Real space multiple scattering calculation and interpretation of X-ray Absorption Near Edge Structure / A.L. Ankudinov, B. Ravel, J.J. Rehr, S.D. Conradson // Phys. Rev. B. - 1998. - V. 58. - P. 7565-7576.

250. Ряжкин, А.В. Определение функции распределения неоднородностей по толщине образца по рентгеновским спектрам поглощения / А.В. Ряжкин, Ю.А. Бабанов, А.Н. Деев, Р.Г. Валеев, Т. Райх, X. Функе // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2003. - № 11. - С. 99-103.

251. Takahashi, O. XANES spectra of forsterite in crystal, surface, and amorphous states / O. Takahashi, Y. Tamenori, T. Suenaga, T. Ikeda-Fukazawa, J. Matsuno, A. Tsuchiyama // AIP Advances. - 2018. - V. 8. - 025107.

252. Nyrow, A. Structural changes in amorphous Ge(x)SiO(y) on the way to nanocrystal formation / A. Nyrow, C. Sternemann, Ch.J. Sahle, A. Hohl, M. Zschintzsch-Dias, A. Schwamberger, K. Mende, I. Brinkmann, M. Moretti Sala, R. Wagner, A. Meier, F. V olklein, M. Tolan // Nanotechnology. - 2013. - V. 24. - 165701 (8pp).

253. Tomlin, S.G. The optical properties of amorphous and crystalline germanium / S.G. Tomlin, E. Khawaja, G.K.M. Thutupalli // Journal of Physics C: Solid State Physics. - 1976. - V. 9. - P. 43354347.

254. Панков, Ж. Оптические процессы в полупроводниках / Ж. Панков - М: МИР, 1973. -

456 с.

255. Гусев, О.Б. Термоиндуцированная дефектная отолюминесценция гидрогенизированного аморфного кремния / О.Б. Гусев, Е.И. Теруков, Ю.К. Ундалов, К.Д. Цэндин // Физика твердого тела. - 2011. T. 53. - Вып. 2. - С. 240-246.

256. Maeda, Y. Visible photoluminescence of Ge microcrystals embedded in SiO2 glassy matrices / Y. Maeda, N. Tsukamoto, Y. Yazawa // Appl. Phys. Lett. - 1991. - V. 59. - P.3168-3170.

257. Paine, D.C. Visible photoluminescence fro nanocrystalline Ge formed by Hz reduction of Si0,6Ge0,4O2 / D.C. Paine, C. Caragianis, T.Y. Kim, Y. Shigesato, T. Ishahara // Appl. Phys. Lett. -1993. - V. 62. - P. 2842-2844.

258. Zacharias, M. Blue luminescence in films containing Ge and GeO2 nanocrystals: The role of defects / M. Zacharias, P.M. Fauchet // Appl. Phys. Lett. - 1997. - V. 71. - P. 380-382.

259. Das, S. Optical and electrical properties of undoped and doped Ge nanocrystals / S. Das, R. Aluguri, S. Manna, R. Singha, A. Dhar, L. Pavesi, S. Ray // Nanoscale Res. Lett. - 2012. - V. 7. - P. 143-153.

260. Валеев, Р.Г. Люминесценция наноструктур Ge в пористом Al2O3 / Р.Г. Валеев, А.Н. Бельтюков, Д.В. Сурнин, Р.М. Закирова, В.М. Ветошкин // Химическая физика и мезоскопия. -2014. - Т. 16. - № 1. - С. 115-118.

261. Мухуров, Н.И. Фотолюминесценция F-центров в пленках анодного оксида алюминия / Н.И. Мухуров, С.П. Жвавый, И.В. Гасенкова, С.Н. Терехов, П.П. Першукевич, В. А. Орлович // Журнал прикладной спектроскопии. - 2010. - Т. 77. - № 4. - С.591-597.

262. Фролова, Е.В. Природа люминесценции в Ge-содержащих оксидных системах / Е.В. Фролова, С.В. Ващенко, Е.А. Тявловская, Ю.В. Бокщиц, Г.П. Шевченко, С.К. Рахманов // Известия национальной академии наук Белоруси. Серия химических наук. - 2011. - № 1. - С. 3640.

263. Валеев, Р.Г. Локальная атомная структура нанокристаллического GaAs по данным EXAFS-исследований / Р.Г. Валеев, А.Н. Деев, Ю.В. Рац, Ю.А. Бабанов, П.Н. Крылов, В.Ф. Кобзиев, С.Ф. Ломаева // ФТП. - 2001. - Т. 35. - № 6. - С. 655-657.

264. Grepstad, J.K. As capping of MBE-grown compound semiconductors; novel opportunities to interface science and device fabrication / J.K. Grepstad, H. Husby, A. Borg, B.-O. Fimland, R.W. Bernstein, R. Nyholm // Phys. Scr. - 1994. - V. T54. - P. 216-225.

265. Чукавин, А.И. Локальная атомная структура и оптические свойства наноструктур на основе твердых растворов ZnSxSe1-x в матрицах пористого Al2O3: дисс. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Чукавин Андрей Игоревич. - Ижевск, 2018. - 117 с.

266. Валеев, Р.Г. Локальное атомное строение и характер химических связей наноструктур сульфида и селенида цинка в матрицах пористого оксида алюминия / Р.Г. Валеев, А.Н. Бельтюков, В.В. Кривенцов, Н.А. Мезенцев, А.И. Чукавин // Известия РАН. Серия физическая. - 2015. - Т. 79. - № 9. - С. 1340-1344.

267. Романов, Э.А. Нанокристаллические пленки сульфида и селенида цинка для тонкопленочных электролюминесцентных источников: дисс. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Романов Эдуард Аркадьевич. - Ижевск, 2011. - 151 с.

268. Okada, H. Study on the ZnSe phase diagram by differential thermal analysis / H. Okada, T. Kawanaka, S. Ohmoto // Journal of Crystal Growth. - 1996. - V. 165. - P. 31-36.

269. Крылов, П.Н. Нанокристаллические пленки ZnS и ZnSe: синтез и структура / Крылов П.Н., Романов Э.А., Федотова И.В. // Материаловедение. - 2011. - № 7. - С. 45-49.

270. Patterson, A.L. The Scherrer formula for X-Ray particle size determination / A.L. Patterson. // Phys. Rev. - 1939. - V. 56. - P. 978-982.

271. https://spectra-base.com/zizinc-sspectra-znse-single-crystal/?noamp=available (дата обращения 26.12.2025).

272. Ozta§, M. Effect of Zn:Se ratio on the properties of sprayed ZnSe thin films / M. Ozta§, M. Bedir, O F. Bakkaloglu, R. Ormanci // Acta Physica Polonica Series A. - 2005. - V. 107. - P. 525534.

273. Ravel, B. ATHENA, ARTEMIS, HEPHAESTUS: data analysis for X-ray absorption spectroscopy using IFEFFIT / B. Ravel, M. Newville // Journal of Synchrotron Radiation. - 2005. - V. 12. - P. 537-541.

274. Бовина, Л.А. Физика соединений AIIBVI / Л.А. Бовина, М.С. Бродин, М.Я. Валах, А.Н. Георгобиани, В.С. Днепровский. - М: Наука, 1986. - 319 с.

275. Korotcenkov, G. ZnSe-based photodetectors / G. Korotcenkov // Handbook of II-VI Semiconductor-Based Sensors and Radiation Detectors. Ed. G. Korotcenkov / Springer Cham, Switzerland, - 2023. - P. 301-332.

276. Swanepoel, R. Determination of surface roughness and optical constants of inhomogeneous amorphous silicon films / R. Swanepoel // Journal of Physics E: Scientific Instruments. - 1984. - V. 17. - P. 896-903.

277. Swanepoel, R. Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon / R. Swanepoel // Journal of Physics E: Scientific Instruments. - 1983. - V. 16. - № 12. - Р. 1214-1222.

278. Imran, M. Amorphous to crystalline phase transformation and band gap refinement in ZnSe thin films / M. Imran, A. Saleem, N.A. Khan, A.A. Khurram, N. Mehmood // Thin Solid Films. - 2018. - V. 648. -P. 31-38.

279. Subbaiah, Y.P.V. Structural, electrical and optical properties of ZnS films deposited by close-spaced evaporation / Y.P.V. Subbaiah, P. Prathap, K.T.R. Reddy // Applied Surface Science. -2006. - V. 253. - P. 2409-2415.

280. Вахрушев, А.В. Исследование процессов осаждения нанопленок на подложку из пористого оксида алюминия методами математического моделирования / А.В. Вахрушев, А.В.

Северюхин, А.Ю. Федотов, Р.Г. Валеев // Вычислительная механика сплошных сред. - 2016. -Т. 9. - № 1. - С. 59-72.

281. Lennard-Jones, J.E. On the determination of molecular fields. II. From the equation of state of a gas / J.E. Lennard-Jones // Proc. Roy. Soc. A. - 1924. - V. 106. - P. 463-477.

282. Tersoff, J. New empirical approach for the structure and energy of covalent systems / J. Tersoff // Phys. Rev. B. - 1988. - V. 37. - № 12. - P. 6991-7000.

283. Sakthinathan, S. A Review of Thin-Film Growth, Properties, Applications, and Future Prospects / S. Sakthinathan, G.A. Meenakshi, S. Vinothini, C.-L. Yu, C.-L. Chen, T.-W. Chiu, N. Vittayakorn // Processes - 2025. - V. 13. - 587.

284. Ummartyotin, S. A comprehensive review on ZnS: From synthesis to an approach on solar cell / S. Ummartyotin, Y. Infahsaeng // Renewable and Sustainable Energy Reviews. - 2016. - V. 55. -P. 17-24.

285. Huang, Z. Smart mechanoluminescent phosphors: A review of zinc sulfide-based materials for advanced mechano-optical applications / Z. Huang, X. Li, T. Liang, B. Ren, X. Zhang, Y. Zheng, Q. Zhang, Z. Fang, M. Wu, M. Zulfiqar, L. Jing, S. Qu, B. Chen, J. Gan, D. Peng // Responsive Mater. - 2024. - V. 2. -e20240019.

286. Valeev, R.G. Structure and properties of ZnSxSe1-x thin films deposited by thermal evaporation of ZnS and ZnSe powder mixtures / R.G. Valeev, E.A. Romanov, V.L. Vorobiev, V.V. Mukhgalin, V.V. Kriventsov, A.I. Chukavin, B.V. Robouch // Mater. Res. Express. - 2015. - V. 2. -025006

287. Nawwar, M. Impact of strain engineering and Sn content on GeSn heterostructured nanomaterials for nanoelectronics and photonic devices / M. Nawwar, M.S. Abo Ghazala, L.M. Sharaf El-Deen, Abd El-hady B. Kashyout // RSC Adv. - 2022. - V. 12. - 24518.

288. Hubbard, C.R. The reference intensity ratio for computer simulated powder patterns / C.R. Hubbard, E.H. Evans, D.K. Smith // J. Appl. Cryst. - 1976. - V. 9. - P. 169-174.

289. Нефедов, В.И. Рентгеноэлектронная спектроскопия химических соединений. В.И. Нефедов / Справ. - М: Химия, 1984. 150 c.

290. Валеев, Р.Г. XAFS- и РФЭС-исследования нанокомпозитов на основе ZnS:Cu, осажденного в матрицы пористого анодного Al2O3 / Р.Г. Валеев, А.Л. Тригуб, Я.В. Зубавичус, Ф.З. Гильмутдинов, И.А. Елькин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2017. - №8 - С. 103-108.

291. Valeev, R. The influence of the porous structure of anodic alumina on the formation and properties of Germanium nanostructures / R. Valeev, A. Beltiukov, V. Mukhgalin, R. Zakirova // Mater. Res. Express. - 2016. - V. 3. - 015902.

292. Valeev, R. Structure and luminescence characteristics of ZnS nanodot array in porous anodic aluminum oxide / R. Valeev, E. Romanov, A. Beltukov, V. Mukhgalin, I. Roslyakov, A. Eliseev // Physica Status Solidi C. - 2012. - V.9. - № 6. - P. 1462-1465.

293. Napolskii, K.S. Fabrication of artificial opals by electric-field-assisted vertical deposition / K.S. Napolskii, N.A. Sapoletova, D.F. Gorozhankin, A.A. Eliseev, D.Yu. Chernyshov, D.V. Byelov, N.A. Grigoryeva, A.A. Mistonov, W.G. Bouwman, K.O. Kvashnina, A.V. Lukashin, A.A. Snigirev, A.V. Vassilieva, S.V. Grigoriev, A.V. Petukhov // Langmuir. - 2010. - V. 26. - P. 2346-2351.

294. Lutich, A.A. Anisotropic light scattering in nanoporous materials: a photon density of states effect / A.A. Lutich, S.V. Gaponenko, N.V. Gaponenko, I.S. Molchan, V.A. Sokol, V. Parkhutik // Nano Letters. - 2004. - V. 4. - №. 9. - P. 1755-1758.

295. Valeev, R.G. Structure and optical properties of thin porous anodic alumina films synthesized on a glass surface / R.G. Valeev, D.I. Petukhov, V.V. Kriventsov // Physics Procedia. -2016. - V. 84C. - P. 415-420.

296. Y.-T. Niena, Copper concentration dependence of structure, morphology and optical properties of ZnS:Cu,Cl phosphor powder / Y.-T. Niena, I.-G. Chena, C.-S. Hwanga, S.-Y. Chu // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 2008. - V. 69. - P. 366-371.

297. Валеев, Р.Г. Электролюминесцентные слои на основе ZnS:Cu, осажденного в матрицы пористого анодного Al2O3 / Р.Г. Валеев, Д.И. Петухов, А.И. Чукавин, А.Н. Бельтюков // Письма в Журнал технической физики. - 2016. -Т. 42. - Вып. 3. - C. 23-28.

298. Валеев, Р.Г. Электролюминесцентное светоизлучающее устройство / Р.Г. Валеев, А.Н. Бельтюков, А.И. Чукавин, Д.И. Петухов. Патент на полезную модель № 177746, опубликован в бюлл. №8 от 12.03.2018.