Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Келбиханов, Руслан Келбиханович

• Келбиханов, Руслан Келбиханович
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Келбиханов, Руслан Келбиханович

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУРЫ

ПЛЕНОК ТЕЛЛУРА И ИХ СВОЙСТВА.

1.1 .Рост и структура пленок теллура.

1.2.Электрофизические свойства и термо-эдс пленок теллура.

1.3.Влияние примесей на свойства пленок теллура.

1.4.Влияние электрического и электромагнитного полей на процессы конденсации.

Выводы.

Глава 2. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ ПЛЕНОК.

2.1.Методы получения пленок теллура.

2.1.1."Квазизамкнутый метод" получения пленок теллура в вакууме.

2.1.2.Метод получения пленок в электрическом поле.

2.2.Условия реализации методов получения пленок.

2.3.Методы оценки параметров и исследование осаждаемых слоев пленок теллура.

2.4.Методика получения пленок теллура и измерений их свойств.

2.4.1.Методика проведения эксперимента.

2.4.2.Измерение электрофизических свойств пленок теллура.

2.4.3.Исследование диэлектрических свойств пленок теллура.

2.4 АИзмерение эффекта поля и термо-эдс пленок теллура.

Выводы.

ГЛАВА 3. ВЫРАЩИВАНИЕ СОВЕРШЕННЫХ ПЛЕНОК

ТЕЛЛУРА "КВАЗИЗАМКНУТЫМ МЕТОДОМ".

3.1 .Особенности роста пленок теллура, конденсированных квазизамкнутым методом".

3.1.1.Морфологические особенности роста пленок теллура.

3.1.2.3ависимость скорости роста и электрофизических свойств пленок теллура от условий получения.

3.1.3.Изменение электрофизических параметров пленок теллура в процессе длительного хранения на воздухе при комнатной температуре.

3.2.0пределение оптимальных условий получения пленок теллура совершенной структуры.

Выводы.

Глава 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛЕНОК, ПОЛУЧЕННЫХ

В ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ.

4.1.Влияние электрического поля и температуры подложки на рост и электрофизические свойства пленок теллура.

4.2.Температурная зависимость электрофизических свойств пленок теллура, полученных при комнатной температуре.

4.3.Термо-эдс пленок теллура, выращенных в электрических полях.

4.4.Диэлектрическое поведение пленок теллура, выращенных в электрических полях.

4.5.Эффект поля в пленках теллура, выращенных в электрических полях.

4.6.Особенности роста пленок теллура в электрических полях.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля»

Актуальность темы. Разработка и получение полупроводниковых тонкопленочных материалов с заданными структурой и свойствами - одна из важнейших проблем современной физики и техники полупроводников. Поэтому большой научный интерес представляет получение монокристаллических пленок теллура и исследование их свойств. Тонкие пленки широко используются в микроэлектронике и в других областях новой техники. Их отличительной особенностью является конечность толщины, которая может играть решающую роль во многих физических процессах. По своей структуре и свойствам тонкие пленки отличаются от массивных образцов. На рост тонких пленок большое влияние оказывают как технология нанесения, так и материал и структура подложки.

Теллур известен как полупроводниковый материал с узкой запрещенной зоной и привлекает к себе внимание особой чувствительностью к механическим и электрическим воздействиям. Интерес к этому материалу связан с тем, что он, в отличие от широко используемых в электронной технике полупроводников германия и кремния, анизотропен, а проводимость его исключительно р-типа.

Работы по совершенствованию технологии получения достаточно однородных монокристаллов теллура, а также бинарных и тройных его соединений на его основе направлены на решение проблемы создания высокоэффективных фотодиодов, инфракрасных фильтров, лазеров и /ьветвей высокочувствительных пленочных термобатарей. Высокая фоточувствительность теллура к излучению в инфракрасной области спектра определяет практическую значимость теллура и соединений на его основе и создание приемников ///^-излучения и фотосопротивлений. Кроме того, в перспективе эти материалы могут быть использованы для разработки высокоэффективных генераторов Ганна.

В зависимости от условий осаждения структура пленок теллура и соединений на его основе может меняться от сильно разупорядоченной (например, в аморфизированных пленках) до высокоупорядоченной (например, в эпитаксиальных пленках на монокристаллических подложках). Рост пленок с соответствующей структурой в вакууме определяется рядом факторов — способом напыления, температурой подложки, глубиной вакуума, составом остаточных и рабочих газов, скоростью напыления, геометрией вакуумной камеры, наличием электрического и магнитного полей.

Цель работы: оптимизация условий получения пленок теллура совершенной структуры методом квазизамкнутого объема и под действием постоянного электрического поля, а также установление закономерностей формирования структуры и электрофизических свойств пленок теллура.

Для достижения этой цели решались следующие задачи:

1. Установление оптимальных условий получения монокристаллических пленок теллура в вакуумном реакторе "квазизамкнутым методом" с применением диафрагм с отверстиями разного диаметра.

2. Реконструкция вакуумного реактора для получения пленок теллура в постоянном электрическом поле и без него в одних и тех же технологических условиях.

3. Выбор оптимальных режимов получения монокристаллических слоев теллура "квазизамкнутым методом", а также получение совершенных пленок теллура в постоянном электрическом поле и без поля. Определение морфологии и структуры полученных пленок.

4. Проведение комплекса исследований: толщины, скорости роста, анизотропии электросопротивления, значений термо-эдс (до и после отжига) пленок теллура, конденсированных в интервале температур 300-482 К в постоянном электрическом поле и без поля в единых технологических условиях.

5. Исследование температурных зависимостей удельного сопротивления, подвижности и концентрации носителей пленок, конденсированных при комнатных температурах с приложением поля и без поля, а также частичным приложением поля в единых технологических условиях.

6. Изготовление структур металл-теллур-металл для исследования температурных зависимостей электроемкости и тангенса угла диэлектрических потерь, а также структур медь-слюда-теллур для исследования временных характеристик относительных сопротивлений пленок теллура приложением импульсного и постоянного электрического поля, выращенных в постоянном электрическом поле и без поля.

Научная новизна состоит в том, что впервые:

- определены оптимальные условия получения монокристаллических пленок теллура в "квазизамкнутом объеме" в вакууме, разделенном диафрагмой с отверстием диаметра 1,5 мм;

- определена характеристическая температура источника испарения теллура (Гц = 633К), выше которой рост пластинчатых кристаллов заменяется ростом столбчатых кристалликов;

- установлено, что влияние постоянного электрического поля на рост и структуру получаемых пленок теллура начинается со значения напряженности электрического поля, равного 66 В/см; наиболее эффективное влияние величины напряженности электрического поля наблюдается при 1 кВ/см; при величине 2 кВ/см и выше происходит ухудшение структуры образцов;

- выявлено, что у образцов теллура, полученных в электрическом поле при 300^482 К, значения скорости роста, толщины и анизотропии электросопротивления существенно отличаются и значительно стабильнее при Тп = 337-438 К, чем у образцов, полученных без поля. Пленки теллура, полученные при температуре подложки 382 К, как в постоянном электрическом поле, так и без поля, имеют максимальные значения термо-эдс. Для образцов, выращенных в поле, после их отжига наблюдается относительная стабилизация при Тп = 337-438 К;

- установлено, что у образцов теллура, полученных в электрическом поле при комнатной температуре, значения удельного сопротивления и концентрация носителей заряда меньше, а их подвижность больше, чем в пленках, выращенных без поля, во всем исследованном температурном интервале 77,4-300 К;

- показано, что диэлектрические характеристики — емкость и тангенс угла диэлектрических потерь теллура в структуре А1-Те-А1, полученной в электрическом поле, значительно лучше, чем аналогичные характеристики в этой структуре, полученной без поля;

Практическая ценность полученных результатов определяется следующим:

- разработана технология получения монокристаллических пленок теллура в вакуумном "квазизамкнутом объеме", разделенном на две части диафрагмой с отверстием диаметром в 1,5 мм. Установлены оптимальные значения температуры подложки и источника, величины вакуума и скорости роста пленок, позволяющие получать пленки совершенной структуры на ориентирующих подложках. Пленки монокристаллического теллура могут быть использованы для получения компонентов электронной техники;

- разработан метод получения пленок в электрическом поле со стабильными электрофизическими свойствами и значениями термо-эдс, которые могут быть использованы в качестве р-ветви термоэлектрического преобразователя.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Оптимальными режимами, позволяющими методом квазизамкнутого объема получать монокристаллические пленки Те высокого совершенства, являются следующие: а) для температур источника Ти = 633 693 К и подложки Тп = 290 + 310 К расстояние от подложки до диафрагмы 2 мм; б) для температур источника Ти = 759 763 К и подложки Тп = 298 303 К расстояние от подложки до диафрагмы 25 мм.

Диаметр отверстия диафрагмы в обоих режимах — 1,5 мм.

2. Применение постоянного электрического поля напряженностью 1 кВ/см с изменением температуры подложки в пределах 300-482 К при выращивании ориентированных пленок Те дает возможность управлять процессом роста пленок, а именно: а) осуществлять рост пленок с постоянной скоростью и получать пленки постоянной толщины; б) стабилизировать величину анизотропии электросопротивления пленок; в) стабилизировать термо-эдс пленок теллура; г) понижать плотность поверхностных состояний, что позволяет получать структурно совершенные пленки Те.

3. Постоянное электрическое поле напряженностью / кВ/см при выращивании ориентированных пленок Те при комнатной температуре влияет на электрофизические свойства пленок: а) уменьшает удельное сопротивление р пленок; б) уменьшает концентрацию п носителей пленок; в) уменьшает термо-эдс а пленок; б) увеличивает подвижность // носителей, что делает возможным управление свойствами пленок Те с помощью электрического поля.

4. Структуры AI-Te-Al, полученные в электрическом поле, имеют значения емкости и тангенса угла диэлектрических потерь, характерные для высококачественных конденсаторов (tg д <0,1 %).

Апробация работы. Основные результаты исследования докладывались на: научных сессиях и конференциях преподавателей и сотрудников ДГПИ (ДГПУ) (Махачкала, 1984, 1987, 1988, 1991, 1996-2004); Научной сессии Дагестанского ФАН СССР, посвященной итогам фундаментальных и прикладных исследований (Махачкала, Дагестанский ФАН СССР, 1988); Международной конференции "Фазовые переходы и критические явления в конденсированных средах" и на III международном семинаре "Магнитные фазовые переходы", посвященном памяти академика А.С.Боровика-Романова (Махачкала, ДНЦ РАН, 1998); Международной конференции "Достижения и современные проблемы развития науки в Дагестане", посвященной 275-летию РАН и 50-летию ДНЦ РАН (Махачкала, ДНЦ РАН, 1999); Международной конференции "Фазовые переходы и нелинейные явления в конденсированных средах", посвященной памяти академика Б.Б. Кадомцева, и на IV международном семинаре "Физика магнитных фазовых переходов", посвященном 90-летию академика С.В.Вонсовского (Махачкала, ДНЦ РАН, 2000); Международной конференции "Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах" pi на V Международном семинаре "Магнитные фазовые переходы", посвященном памяти К.П. Белова (Махачкала, ДНЦ РАН, 2002); Всероссийской научной конференции "Физика полупроводников и полуметаллов" (Санкт-Петербург, РГПУ им. Герцена, 2002); Международной конференции "Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах" (Махачкала, ДНЦ РАН, 2004); Межвузовской конференции аспирантов "Естественные науки" (Махачкала, ДГПУ, 2006); IV Всероссийской конференции по физической электронике (Махачкала, ДГУ, 2006); научных семинарах кафедры общей и экспериментальной физики РГПУ им. А.И. Герцена

Санкт-Петербург, 1991-1992); научных семинарах кафедры общей и экспериментальной физики, кафедры теоретической физики и технических дисциплин физического факультета ДГПИ (ДГПУ) (Махачкала, 1989, 19921998, 2002-2004, 2006).

Публикации. Материалы по диссертационной работе опубликованы в 28 статьях, из них 15 изданы в центральной и республиканской печати и 13 тезисов докладов и выступлений на региональных конференциях и семинарах. Одна статья опубликована в журнале «Известия АН СССР. Неорганические материалы», 1 статья в журнале «Физика и химия обработки материалов», 3 статьи депонированы в ВИНИТИ, и 10 статей — в материалах Международных и Всероссийских конференций.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 4 глав, выводов. Общий объем — 147 страниц, в том числе 50 рисунков, 4 таблицы. Список цитированной литературы содержит 172 наименования.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Келбиханов, Руслан Келбиханович

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ

1. На основании анализа и обобщения результатов многочисленных экспериментов установлены два оптимальных режима выращивания монокристаллических пленок теллура с зеркальной поверхностью методом квазизамкнутого объема: а) для температур источника Ти = 633+693 К и подложки Тп = 290+310 К расстояние от подложки до диафрагмы 2 мм; б) для температур источника Ти = 759+763 К и подложки Тп = 298+303 К расстояние от подложки до диафрагмы 25 мм.

Диаметр диафрагмы в обоих режимах 1,5 мм.

2. Влияние постоянного электрического поля на рост и структуру конденсируемых образцов начинается со значения напряженности электрического поля, равной 66 В/см, наиболее заметное влияние электрического поля наблюдается при напряженности 1 кВ/см. Поля с напряженностью 2 кВ/см и выше приводят к ухудшению структуры образцов.

3. Экспериментально показано, что с помощью электрического поля можно управлять процессами роста ориентированных пленок Те\ а) в электрическом поле напряженностью 1 кВ/см при температуре подложки (337-438) К достигнута практически постоянная скорость роста пленок Те, вследствие чего получены пленки Те постоянной толщины; б) в электрическом поле напряженностью 1 кВ/см при температурах подложки во всем исследованном интервале температур (325-482) К стабилизирована величина анизотропии электросопротивления AR пленок Те, что говорит о получении более совершенных пленок; в) влияние электрического поля напряженностью 1 кВ/см на рост пленок Те в сочетании с отжигом полученных пленок позволило еще более улучшить структуру пленок, о чем свидетельствует относительная стабилизация термо-эдс при температурах подложки (360-425) К; г) о повышении структурного совершенства пленок Те, выращенных в электрическом поле, говорит и понижение плотности поверхностных со

8 2 0 2 стояний: Ns — 4-10 см' — в ПЭП, Ns — 2-10 см' - без воздействия поля.

4. Установлено влияние постоянного электрического поля напряженностью 1 кВ/см на электрофизические свойства пленок Те, выращенных при комнатной температуре. Это влияние выражается в уменьшении удельного сопротивления р, концентрации носителей заряда п (исследованы в температурном интервале (77,4-300) К) и термо-эдс а (исследована при 288-425 К); в увеличении подвижности носителей ju (исследована при температурах 77,4300 К) по сравнению со значениями тех же физических величин для пленок, выращенных без воздействия поля. Эти данные подтверждают возможность управления свойствами и структурой пленок Те с помощью электрического поля, что в конечном итоге позволяет получать ориентированные пленки Те высокого структурного совершенства.

5. Установлено, что для структур А1-Те-А1, полученных в электрическом поле, характеристики диэлектрических свойств - электрическая емкость С и тангенс угла потерь tgS, исследованные в температурном интервале 288-450 К, лучше и сохраняют стабильность в течение длительного времени (наблюдение в течение пяти лет), по сравнению с такими характеристиками для тех же структур, но полученных без воздействия поля.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Келбиханов, Руслан Келбиханович, 2008 год

1. Dinno M.A., Schwartz M., Giammara B. Structural dependence of electrical conductivity of thin tellurium films. //J. Appl. Phys. 1974. V.45, P^328-3331.

2. Вигдорович B.H., Ухлинов Г.А., Чиботару Н.И. О термической ширине запрещенной зоны в тонких пленках теллура. //ФТП. 1978. Т.12, №9. С.1816-1820.

3. Шалимова К.В., Солдатов B.C., Смотраков А.А., Титов В.Б., Сапожникова О.В. Влияние поверхностного рассеяния на подвижность дырок в тонких пленках теллура. //ФТП. 1973. Т.7, №8. С.1457-1460.

4. Виноградов В.Е., Бойко Б.Т. Влияние состояния поверхности на электропроводность пленок теллура. //ЖФХ. 1973. Т.47, №1. С.206-207.

5. Славнов А.Г. Влияние контактов на электропроводность пленок теллура. //Известия высших учебных заведений. Физика. 1967. №3. С.128-130.

6. Ю.Сандулова А.В., Гортынская И.Д., Носенко А.Е., Гончаров А.Д. Оптические и фотоэлектрические свойства тонких слоев теллура, полученных давлением расплава. //ФТП. 1972. Т.6, № 5. С.976-977.

7. П.Гончаров В.Д., Мальнев А.Ф., Примаченко И.А. Влияние сегнето-электрической подложки на проводимость пленок теллура. //ФТП. 1969. Т.З, №1. С. 102-104.

8. Иванкин Л.И., Соляник З.В. Влияние электронной бомбардировки на электрические свойства пленок теллура. //ФТТ. 1968. Т. 10, №3. С.911-913.

9. З.Бондарчук Н.Ф., Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А. Поверхностные явления и размерные эффекты в конденсированных пленках теллура. //Изв. АН Молдавской ССР. Серия физико-технических и математических наук. 1988. №2. С.61-63.

10. Бондарчук Н.Ф., Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А. Эффект поля в конденсированных пленках теллура. //Известия АН Молдавской ССР. Серия физико-технических и математических наук. 1988. №3. С.21-25.

11. Wiedmann Е., Anderson I. Structure and growth of oriented tellurium thin films. //Thin Solid Films. 1971. V.7, №3-4. P.265-276.

12. Покровский Я.Е. Влияние поверхностных уровней на электрические свойства мелкозернистых пленок германия, кремния и теллура. //Журнал технической физики. 1954. Т.24, №7. С. 1229-1243.

13. Ши-дуань Инь, Регель А.Р. О влиянии дефектности пленок теллура на величину отношения подвижности электронов и дырок. //ФТТ. 1961. Т.З, №6. С.1683-1687.

14. Ши-дуань Инь, Регель А.Р. Некоторые особенности электрических свойств пленок теллура с примесью селена. //ФТТ. 1961. Т.З, №6. С.1688-1690.

15. Kubovy A., Janda M. Temperature dependence of hole mobilities in Те thin films. //Phys. stat. sol.(a). 1976. V.36, №1. P.101-105.

16. Kubovy A., Landa M. Transport properties of tellurium thin films. //Phys. status solidi (a). 1976. V.35, №2. P.471.

17. Szaro L., Struzik M., Klincewisz J. Influence of atmosphere composition on electrical surface properties of tellurium thin films. //Acta Universitatis. Wra-tislaviensis. 1977. №380. P.l 15-120.

18. Вигдорович B.H., Ухлинов Г.А., Жеребов В.Ю., Лахно И.Г. Изменение электрических свойств пленок полуметаллов и полупроводников в процессе конденсации металлов на их поверхность. //Доклады АН СССР. Техническая физика. 1987. Т.292, №4. С.845-848.

19. Eid А.Н., Mahmoud S., Elmfhharawy W. Semi-conducting properties of ori-entedsthin tellurium films. //Acta phys. Acad. Sci. hung. 1979. T.46 (4). P.253.

20. De Vos A., Van Dhelson D. The temperature dependence of the electrical properties of thin tellurium films. //Rev. Phys. Appl. 1979. V.14, №9. P.815-820.

21. Колосницын B.C., Троян Е.Ф., Мозалаев A.M. Структурные особенности и электропроводность тонких пленок теллура. //Неорганические материалы. 1991. Т.27, № 9. С.1820-1825.

22. Wilson Н. L., Gutierrez W.A. Tellurium TFTS Exceed 100-MHz and One-Watt Capabilities. //Proc. IEEE. 1967. V.55, № 3. P.415-416.

23. Okuyama K., Yamashita Т., Chiba M., Kumagai Y. Annealing effect in tellurium films. //Japanesse journal of applied physics. 1977. V.16, № 9. P. 15711575.

24. Kubovy A., Janda M. Effects of annealing on some transport properties of tellurium thin films. //Phys. Stat. Sol. (b). 1976. V.37, №2. P. 127-129.

25. Chaudhuri S., Chakrabarti В., Pal A.K. Thermoelectric power of tellurium films. //Thin solid films. 1981. V.82, №3. P.217-223.

26. Silbermann R., Landwehr G., Kohler H. Field effect in tellurium. //Solid state communications. 1971. V.9, №13. P.949-951.

27. Athwal I.S., Kaur J., Bedi R.K. Transport properties of tellurium films prepared by hot wall epitaxy. //Thin solid films. 1988. V.162". P.l-6.

28. Fischer G., Hedgcock F.T. Magnetic susceptibility and galvanomagnetic effects in pure and p-type tellurium. //J. phys. chem. solids pergamon press. 1961. V.17, №3/4. P.246-253.

29. Takita K., Hagiwara Т., Tanaka S. Galvanomagnetic effects in p-type tellurium at low temperatures. //Journal of the physical society of Japan. 1971. V.31, №5. P. 1469-1478.

30. Чижиков Д.М., Счастливый В.П. Теллур и теллуриды. М.: Наука, 1966. 280 с.

31. Albers C., Link R. Electrical transport properties of polycrystalline tellurium films deposited on mica. //Phys. stat. sol.(a). 1972. V.12, №1. P.80-84.

32. Balasubramaniam Т., Narayandass Sa.K., Balasubramaniam C., Mangalaraj D. Dielectric behaviour of tellurium thin films. //Proc. Solid State Phys. Symp. Varanasi, Dec.21-24, 1991. Vol.34 c. Delhi., 1991. C.245.1. V

33. Yasuoka Y., Hirayama H., Miyata T. Tellurium thin-film field-effect transistor deposited on TGS crystal. //Japanese journal of applied physics. 1977. V.16, № 7. P.l 195-1201.

34. Weimer P.K. Ap-type tellurium thin-film transistor. //Proc. IEEE. 1964. V.52, №5. P.608-609.

35. Kaichi U., Kazunori M., Keiichiro K., Sonosuke Y. The electrical properties of tellurium thin bilm transistor. //Repts Univ. Electro-Communs. 1973. V.24, №1. P.9-16

36. Вигдорович B.H., Ко ледова Т.Н., Ухлинов Г. А. Технология, оборудование, производство и организация. //Электронная техника. 1986. Серия 7. Вып.4.(137). С.69-74.

37. Джамбулатов И.Д. Исследование механизмов роста и электрических свойств нитевидных кристаллов теллура: Дис. .канд. физ.-мат. наук. Ленинград, 1986. 121 с.

38. Гиваргизов Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. М.: Наука, 1977. 303с.

39. Дворянкина Г.Г., Пинскер З.Г. Исследование структуры фаз системы Ni-Te в тонких слоях. //Кристаллография. 1962. Т.7, №3. С.458-461.

40. Mathur P.C., Dawar A.L., Taneja O.P. Electrical transport properties of cop-perdoped tellurium films. //Thin Solid Films. 1980. V.60, №3. P.281-285.

41. Ланге B.H., Регель A.P. Некоторые свойства системы теллур-сера и теллур-селен. //Ученые записки (кафедра общей физики). Ленинградский государственный педагогический институт им. А.И. Герцена, 1961. Т.207. С.5-11.

42. Ланге В.Н., Ланге Т.И. Температурная зависимость подвижности носителей тока в системах теллур-селен и теллур-сера. //Известия АН Молдавской ССР. 1962. №5. С. 113-116.

43. Ланге В.Н., Регель А.Р. Особенности зависимости ширины запретной зоны и подвижности носителей тока от состава твердых растворов теллур-селен, теллур-сера. //ФТТ. 1960. Т.2, №10. С.2439-2445.

44. Кручинкина В.И., Дажаев П.Ш., Кацнельсон А.А., Попова И.И. Упорядочение в твердых сплавах Se-Te. //ФТТ. 1976. Т.18, №11. С.3210-3213.

45. Багдуев Г.Б. Влияние примесей на физические свойства теллура. //В кн.: Физические свойства теллура. Махачкала: Дагучпедгиз, 1969. С.5-45.

46. Абакаров С.А., Азизханов А.А., Багдуев Г.Б. Электрические свойства легированного теллура. //В кн.: Физические свойства теллура. Махачкала: Дагучпедгиз, 1969. С.46-53.

47. Аджимурадов З.А., Банюлис Е.Ю., Идрисова P.M., Полихрониди Н.Г. Влияние примесей сурьмы на решетку теллура на его свойства. //Известия высших учебных заведений. Физика. 1969. №9. С. 127-128.

48. Аджимурадов З.А., Банюлис Е.Ю., Идрисова P.M., Полихрониди Н.Г. Аномалии некоторых свойств теллура, легированного сурьмой. //В кн.: Физические свойства теллура. Махачкала: Дагучпедгиз, 1969. С.23 6-243.

49. Полихрониди Н.Г., Багдуев Г.Б. Теплопроводность теллура, легированного сурьмой. //ФТП. 1968. Т.2, №10. С.1659-1661.

50. Багдуев Г.Б., Абакаров С.А. Электрические свойства теллура с примесями йода. //ФТТ. 1966. Т.8, №12. С.2234-2237.

51. Абакаров С.А., Ахмедова З.А., Багдуев Г.Б. Влияние примесей олова и железа на электрические свойства теллура. //В кн.: Физические свойства теллура. Махачкала: Дагучпедгиз, 1969. С.54-63.

52. Абакаров С.А., Азизханов А.А., Багдуев Г.Б. Электрические свойства легированного теллура. //В кн.: Физические свойства теллура. Махачкала: Дагучпедгиз, 1969. С.46-53.

53. Багдуев Г.Б., Абакаров С.А. Исследование электропроводности и эффекта Холла в теллуре с примесями йода. //В сб.: Труды педагогических вузов Северного Кавказа. Исследование по физике полупроводников и по геофизике. Орджоникидзе: РТР, 1968. С.3-9.

54. Багдуев Г.Б., Нурмагомедов А.С. Анизотропия термоэлектродвижущей силы теллура, легированного сурьмой и йодом. //В сб.: Труды педагогических вузов Северного Кавказа. Исследования по физике полупроводников и по геофизике. Орджоникидзе: ИР, 1968. С.21-28.

55. Степуренко А.А., Алиев К.М., Абакаров Н.С. Нелинейности вольтампер-ной характеристики монокристалла теллура в условиях электротемпературного эффекта. //ФТП. 1989. Т.23, №9. С. 1584-1588.

56. Березовец В.А., Смирнов А.О., Фарбштейн И.И. Обнаружение магнитного пробоя в двумерном слое на поверхности (1010) теллура. //ФТТ. 1988. Т.30, №7. С.2218-2221.

57. Горлей П.Н. О температурной зависимости зонных параметров дырок в теллуре. //ФТП. 1988. Т.22, №3. С.504-506.

58. Аверкиев Н.С., Пикус Г.Е. Слабая локализация носителей тока на поверхности 1010. теллура. //ФТТ. 1997. Т.39, №9. С.1659-1664.

59. Виноградов Е.А., Демишев С.В., Косичкин Ю.В., Поляков Ю.А. Фотомагнитный эффект в теллуре при низких температурах. //ФТП. 1985. Т. 19, №6. С.1131-1133.

60. Кроктус А., Мартупас 3., Шяткус А. Электропроводность теплых дырок в дислокационном теллуре. //ФТП. 1986. Т.20, №3. С.481-485.

61. Абакаров С.А., Амирова Р.А., Багдуев Г.Б. Ориентационная зависимость электрических свойств деформированных и отожженных образцов теллура. //ФТТ. 1978. Т.20, №3. С.649-653.

62. Аджимурадов З.А., Багдуев Г.Б. Поглощение на свободных носителях в теллуре при высоких температурах. //ФТП. 1969. Т.З, №9. С.1338-1340.

63. Багдуев Г.Б., Банюлис Е.Ю., Иванов Г.А., Полихрониди Н.Г. Электрические свойства поверхностных слоев монокристаллического теллура. //ФТТ. 1971. Т.13, №11. С.3303-3305.

64. Багдуев Г.Б., Аридова К.М., Идрисова P.M., Чернобай В.И. Микротвердость теллура. //В сб.: Труды педагогических вузов Северного Кавказа. Исследование по физике полупроводников и по геофизике. Орджоникидзе: ИР, 1968. С. 10-20.

65. Абакаров С.А., Амирова Р.А., Багдуев Г.Б., Магдиев A.M. Влияние одноосных деформаций на электрические свойства теллура. //ФТТ. 1974. Т.16, №9. С.2817-2818.

66. Сегаль Р.Б. Длина пробега медленных вторичных электронов в теллуре, свинце, германии. //ФТТ. 1961. Т.З, №8. С.2413-2416.

67. Горлей П.Н., Радченко B.C., Шендеровский В.А. Процессы переноса в теллуре. Киев: Наукова думка, 1987. 280 с.

68. Гавалешко Н.П., Горлей П.Н., Шендеровский В.А. Узкозонные полупроводники: Получение и физические свойства. Киев: Наукова думка, 1984. 288 с.

69. Солончук JI.C. Некоторые особенности электрических и фотоэлектрических свойств монокристаллов теллура: Автореф. дис. .канд. физ.-мат. наук. Черновцы, 1977. 19 с.

70. Хадсон Р. Инфракрасные системы. М.: Мир, 1972. 534 с.

71. Grubin H.L., Shaw М.Р., Solomon P.R. On the form and stabilitybof electric field profiles within a negative differential mobility. //IEEE Trans. 1973. V.20, №1. P.63-78.

72. Wlodarski W., Rybinski J. Piezoresistance of tellurium thin films. //Electron. Technol. 1978. V. 11, №4. C. 93-99.

73. Chakrabarti В., Chaudhuri S., Malhotra G.L., Pal A.K. Microstructure of tellurium films. //J. Appl. Phys. 1980. V.51, №8. P.4111-4114.

74. Nandi R.K., Sen Gupta S.P. An X-ray Fourier line shape analysis of hexagonal tellurium films vacuum-evaporated under normal uncidence. //Thin Solid Films. 1979. V.59, №3. P.295-311.

75. Lee Wen-Yaung, Geiss R.H. Degradation of thin tellurium films. //J. Appl. Phys. 1983. V.54, №3. P.1351-1357.

76. Комник Ю.Ф. Характерные температуры конденсации тонких пленок. //ФТТ. 1964. Т.6, №10. С.2897-2908.

77. Сидоров Ю.Г., Сабинина И.В., Гаврилова Т.А. Рост пленок Pbo,sSo,2 Те в квазизамкнутом объеме. //Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1978. Т. 14, №1. С.62-64.

78. ЮЗ.Фреик Д.М., Масляк Н.Т., Солоничий Я.В., Грушин З.Н., Шперун В.М. Получение пленок халькогенидов металлов IV подгруппы в двойном квазизамкнутом объеме. //Приборы и техника эксперимента. 1978. №2. С.245-246.

79. Бубнов Ю.З., Лурье М.С., Старое Ф.Г., Филоретов Г.А. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объеме. М.: Сов.радио, 1975. 161 с.

80. Аленберг В.Б., Дрозд И.А., Гаврилова Т.А., Криворотов Е.А. Особенности структуры пленок Pbt.x Sx Те, полученых методом молекулярно-лучевой эпитаксии. //Известия АН СССР. Неорганические Материалы. 1981. Т.17, №9. С.1591-1594.

81. Юб.Комаров В.А. Исследование кинетических свойств пленок висмута на различных подложках: Дис. .канд. физ.-мат. наук. Ленинград, 1989. 117 с.

82. Комник Ю.Ф., Пилипенко В.В. Эпитаксия висмута на слюде. //Кристаллография. 1971. Т. 16, №2. С.428-431.

83. Бунтарь А.Г., Тхоривский A.M. Кинетика кристаллизации тонких пленок сурьмы. //ФТТ. 1971. Т. 13, №12. С.3481-3487.

84. Соболев В.В., Широков A.M. Электронная структура халькогенов: сера, селен, теллур. М.: Наука, 1988. 224 с.

85. ПО.Голдобин А.Н., Лежейко Л.В., Шарнопольская Е.Т. Об эффекте пьезо-сопротивления в теллуре. //ФТТ. 1961. Т.З, №10. С.3247-3249.

86. Wiedmann Е., Anderson I. Thin film nucleation on ferroelectric substrates. //Thin Solid Films. 1971. V.7, № 1. P. 27-39.

87. Ухлинов Г.А., Косаковская З.Я. Ориентационно-статистическая модель текстурированных образцов металлов с одноосной симметрией. //Физика металлов и металловедение. 1980. Т.49, В.4. С.798-803.

88. ПЗ.Абакаров ДА. Влияние термических дефектов на кинетические эффекты: Дис. .канд. физ.-мат. наук. Ленинград, 1974. 128 с.

89. И.Парфеньев Р.В., Погарский A.M., Фарбштейн ИИ., Шалыт С.С. Влияние отжига на анизотропию гальваномагнитных свойств теллура. //ФТТ. 1961. Т.З, №8. С.2501-2504.

90. Бурчакова В.И., Козловский М.И. Влияние постоянного электрического поля на структуру пленок висмута. //Кристаллография. 1971. Т.16, №2. С.408-410.

91. Пб.Сокол А.А. Влияние электрического поля на процессы декорирования. //ФТТ. 1971. Т.13, №12. С.3692-3695.

92. Косевич В.М., Сокол А.А., Колоколов Е.И. Влияние электрического поля и ионизации молекулярного пучка на процессы конденсации. //Известия АН СССР. Серия физическая. 1974. Т.38, №11. С.2357-2362.

93. Chopra K.L., Bahl S.K. Amorphous versus crystalline GeTe films. 1. Growth and structural behavior. //Journal of Applied Physics. 1969. V.40, №10. P.4171-4178.

94. Motoc C., Badea M. Surface effecms of electric fields. //Rev. Roum. Phys. 1975. V.20, №5. P.483-493.

95. Rogass H., Lauckner J., Finke J. On the influence of an electric field on the condensation of selenium layers. //Phys. status sol.(a). 1976. V.36, №1. P.9-11.

96. Шенгуров В.Г., Шабанов B.H. Эпитаксиальные слои, полученные сублимацией кремния в электрическом поле. //Высокочис. Вещества. 1995. №2. С. 52-55.

97. Chopra K.L. Influence of electric field on growth of thin metal films. //J. Appl. Phys. 1966. V.37, №6. P.2249-2254.

98. Chopra K.L. Growth of thin metal films under applied electric field. //Appl. Phys. Letters. 1965. V.7, №5. P. 140-142.

99. Yu L., Harper J., Cuomo J., Smith D. Control of thin orientation by glancing ion bombardment during growth. //J. Vac. Sci. Technol. A. 1986. V.4, №3. P.443-447.

100. Васильева Н.П., Грановский А.Б., Касаткин С.И., Муравьев А.И. Запоминающие элементы на основе магниторезистивных тонкопленочных многослойных структур. //Зарубежная электронная техника. 1995. №1. С.32.

101. Feng J.Y., Zhand F.W., Zheng Y., Fan Y.D. Formation of Те clusters in ionized cluster feam deposition technique. //Nud.instrum.and Meth.Phys.Res. B. 1995. V.95, №1. P.50-54.

102. Dhanasekaran R., Ramasamy P. Effect of an extarnal electrie field on two-dimensional nucleation. //"Nuovo cim" 1986. A7, №4. P.506-512.

103. Тихомирова Н.А., Стишов С.М. Кривая плавления теллура до 23000 кг/см2. //Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1962. Т.43, №6(12). С.2321.

104. Стишов С.М., Тихомирова Н.А. Фазовая диаграмма теллура. //Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1965. Т.49, №2(8). С.618-620.

105. Абдурагимов Г.А., Качабеков М.М. Электрические свойства пленок РвТе, выращенных в различных средах. //Известия Высших учебных заведений. Физика. 1984. №2. С. 107-109.

106. Абдурагимов Г.А., Качабеков М.М., Курбанов К.Р. Влияние водорода на рост и электрофизические свойства пленок РвТе. //Известия АН СССР. Неорганические Материалы. 1978. Т. 17, №8. С.1378-1381.

107. Кудрявцев А.А. Химия и технология селена и теллура. М.: Высшая школа, 1961. 286 с.

108. Качабеков М.М. Расчет изменения температуры кристаллизации в процессе роста пленок РЪТе в вакууме. //Изв. АН СССР. Неорганические Материалы. 1988. Т.24, №4. С.574-578.

109. Качабеков М.М. Влияние примесей водорода, аргона, кислорода, азота на рост, структуру, электрические и люминесцентные свойства пленок PbTe, SnTe и Pb1.xSnxTe\ Дис. .канд. физ.-мат. наук. Москва, 1988. 231 с.

110. Van der Pauw L.Y. A method of measuring specific resistivity and Hall effect of discs of arbitrary shape. //Phil. Res. Rep. 1968. V.13, №1. P.l-9.

111. Кригер Э.Д. К вопросу о методике измерения термо-эдс в эпитаксиаль-ных пленках. //Физика и техника полупроводников. Сборник научных работ: Новосибирск, 1974. С.35-37.

112. Yicai S., Oswin F., Jiirgen W., Herbert R. Defermination of the oreas of a square sample suitable to the resistance mea surement by Van der Pauw's method. //Rev.Sci.Instrum. 1992. V.63, №7. P.3757-3762.

113. Павлов JT.П. Метод Ван-дер-Пау и двухкомбинационный четырехзондо-вый метод. //В кн.: Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1987. С.37-42.

114. Батавин В.В. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев. М.: Сов. Радио, 1976. 93 с.

115. Van der Pauw L.Y. A method of measuring the resistivity and Hall coefficient on lamellae of arbitrary shape. //Phil. Techn. Rev. 1958-1959. V.20, №8. P.220-224.

116. Чопра К.Л. Электрические явления в тонких пленках. М.: Мир, 1972. 436 с.

117. НЗ.Келбиханов Р.К., Качабеков М.М., Иванов Г.А. Влияние электрического поля на рост и электрофизические свойства пленок теллура. //Физика и химия обработки материалов. 2000. №6. С.54-56.

118. Cristea P. The anisotropy of the electrical conductivity in tellurium thin films obliquely deposited.//Rev. roum. phys. 1975. V.20, №5. P.527.

119. Dinno M.A., Schwartz M., Giammara B. Structural dependence of electrical conductivity of thin tellurium films. //"Proc. 3/st Annu. Meet. Electron Mi-crosc. Soc. Amer., New Orleans, La, 1973". Baton Rouge. 1973. P.52-53.

120. Вигдорович B.H., Ухлинов Г.А., Марков Ф.В. Пленочные термоэлектрические преобразователи для измерительной техники и приборостроения. //Электрон, промышленность. 1985. В.2 (140). С. 10-13.

121. Гольцман Б.М., Дашевский З.М., Кайданов В.И., Коломоец Н.В. Пленочные термоэлементы. М.: Наука, 1985. 229 с.

122. Тимченко И.Н., Шалыт С.С. Влияние увлечения носителей тока фоно-нами на термоэлектродвижущую силу теллура. //ФТТ. 1959. Т.1, №8. С.1302-1304.

123. Дубинская J1.C., Галецкая А.Д., Фарбштейн И.И. Оптическое просветление в теллуре. //ФТТ. 1982. Т.24, №9. С.2709-2718.

124. Келбиханов Р.К. Диэлектрическое поведение пленок теллура, выращенных в электрических полях. //Депонировано в ВИНИТИ, 27.02.01. №507-В2001. 5 с.

125. Келбиханов Р.К. Диэлектрическое поведение структур алюминий-теллур-алюминий. //В сб.: Труды Международной конференции "Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах". Махачкала, 2004. С.444 446.

126. Дэвисон С., Левин Дж. Поверхностные (таммовские) состояния. М.: Мир, 1973. 221 с.

127. Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972. 320 с.

128. Пинскер З.Г. Монокристаллические пленки. М.: Мир, 1966. 388 с.

129. Абакаров Д.А., Банюлис Е.Ю., Багдуев Г.Б., Иванов Г.А, Полихрониди Н.Г., Чернобай В.И. Дислокации источник акцепторов в чистом теллуре. //ФТП. 1973. Т.7, №3. С.579-585.

130. Чернобай В.И. О выявлении дислокаций в теллуре. //В кн.: Физические свойства теллура. Махачкала: Дагучпедгиз, 1969. С.171-179.

131. Чернобай В.И., Багдуев Г.Б. О дислокационной структуре кристаллов теллура. //В кн.: Физические свойства теллура. Махачкала: Дагучпедгиз, 1969. С.180-199.

132. Багдуев Г.Б., Чернобай В.И. О дислокациях в теллуре. //В сб.: Труды педагогических вузов Северного Кавказа. Исследование по физике полупроводников и по геофизике. Орджоникидзе: ИР, 1968. С.29-43.

133. Келбиханов Р.К. Особенности роста пленок теллура в электрических полях. //Депонировано в ВИНИТИ, 19.04.2000. №1065-В00. 11 с.

134. Палатник JI.C., Сорокин В.К. Материаловедение в микроэлектронике. М.: Энергия, 1978. 277 с.

135. Матвеев А.Н. Электродинамика. М.: Высшая школа, 1980. С.137.

136. Блейкмор Дж. Физика твердого тела. М.: Мир, 1988. С.508.

137. Комник Ю.В. Физика металлических пленок. М.: Атомиздат, 1979.264 с.

138. Цидильковский И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. Энергетический спектр и динамика. М.: Наука, 1972. С.ЗЗО.

139. Reichelt К. Nucleation and growth of thin films. //Yacuum. 1988. V.38, №12. P.1083-1099.