Термо- и фотостимулированные изменения фазовых состояний напыленных слоев желтого мышьяка тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, Родионов, Александр Николаевич

• Родионов, Александр Николаевич
• 1984

Оглавление диссертации Родионов, Александр Николаевич

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. АЛЛОТРОПНШ МОДИФИКАЦИИ МЫЛШКА

ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)

1.1. Полиморфизм пниктидов.

1.2. Кристаллические моди^кации мышьяка.

I.2.I. Химические связи в кристаллических модификациях As

1.3. Аморфный мышьяк

1.3.1. Получение

1.3.2. Кристаллизация а-Аа

1.3.3. Структура и физические свойства.

1.4. Газовая фаза мышьяка.

1.5. Желтый мышьяк

1.6. Дефектные состояния мышьяка.

1.6.1. Дефекты в аморфном мышьяке

1.6.2. Термически генерируемые парамагнитные состояния

1.6.3. Оптически индуцированные параматитные состояния.

1.7. Фотоструктурные изменения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Термо- и фотостимулированные изменения фазовых состояний напыленных слоев желтого мышьяка»

Создание систем регистрации и хранения информации на основе фотоиндуцированных фазовых переходов является одной из важных научных и прикладных проблем. Такие системы должны удовлетворять следующим важным требованиям детектирования излучений: чувствительностью к излучениям в широком спектральном диапазоне; большим коэффициентом усиления; исключением рада операций процесса усиления (характерных для серебряных фоточувствительных материалов) и т.д.

С этой точки зрения перспективны неорганические материалы, имеющие в своем аллотропном ряду несколько модификаций с различными показателями преломления, коэффициентами пропускания и отражения, плотностями, электропроводностью и т.д. Фазовые переходы из метастабильного состояния в стабильное, стга/улированные светом или другим видом излучения, сопровоздаются резкими изменениями соответствующих свойств. Все эти обстоятельства позволяют наблюдать на таких системах фотографический эффект.Наличие метастабильного исходного состояния должно обеспечить возможность усиления скрытого изображения непосредственно в процессе экспонирования за счет избытка свободной энерши системы.

Среди фоточувствительных материалов с прямым почернением своими полезными свойствами вьщеляются системы, в которых конечным состоянием являются стеклообразные или аморфные фазы. Как правило, такие системы обладают высокой разрешающей способностью. К числу таких систем принадлежат некоторые элементарные материалы У группы периодической системы. По крайней мере фосфор,мышьяк и, возможно, сурьма имеют низкотемпературные метастабильные модификации, так называемый белый фосфор, желтый мышьяк и гипотетическая желтая сурьма,которые под действием излучения переходят в одну из более устойчивых форм. Имея в своем аллотропном ряду аморфную полупроводниковую модификацию, эти элементы представляют собой, с другой стороны, модельный объект исследования ^язики неупорядоченных твердых тел.

Из всех элементов У группы,в которых наблюдаются аллотропные превращения,наибольший интерес для изучения фотографических и радиографических свойств и возможного практического применения представляет мышьяк. Сочетание высокого уровня светочувствительности, относительно широкого температурного диапазона устойчивости и большого времени жизни светочувствительных модификаций позволило выделить мышьяк в качестве модельной системы для изучения фотоиндуцированных фазовых превращений. Кроме того,аморфное состояние мышьяка в настоящее время интенсивно исследуется.

Фотографический процесс состоит, как правило, из трех этапов: сенсибилизации, экспонирования и последующего усиления скрытого или первичного изображения. Для мышьяка этап сенсибилизации сводится к способу получения метастабильной модификации - желтому мышьяку (ж-As ), а этап усиления осуществляется в процессе фазового перехода.

Желтый мышьяк практически не исследован. Само понятие "желтый мышьяк" относится к нескольким метастабильным фазам молекулярного мышьяка, сведения о числе, области существования и условияхполучения которых были весьма противоречивы. Фазовые превращения и их фотостимуляция сопровождается радикальной перестройкой структуры желтого мышьяка. В этом процессе особое значение имеет появление и изменение структурных дефектов, в частности, парамагнитных дефектов, структура и свойства которых в молекулярном мышьяке также не изучены.

Исследование структурных изменений в процессе фотовозбуждения и свойств дефектов в желтом мышьяке позволяет уточнить механизм фотоиндуцированного зароладения новой фазы и дает также новые данные в изучение аморфного состояния вещества.

Целью настоящей диссертационной работы являлось исследование термо- и фотостиадулировэнного изменения фазового состояния напыленных слоев желтого мышьяка. Были поставлены следующие конкретные задачи.

1. Разработка и создание прибора ДТА для регистрации малых тепловых эффектов, сопровождающих фазовые превращения в напыленных слоях желтого мышьяка.

2. Изучение влияния условий приготовления на свойства кон1 денсированного материала.

3. Выяснение влияния освещения в области края оптического поглощения и в области щелевых состояний на низкотемпературные фазовые переходы в желтом мышьяке.

4. Исследование фотоструктурных изменений с использованием в качестве зонда парамагнитных дефектов в желтом мышьяке.

5. Выяснение механизма образования центров первичного изображения.

Объектами исследования служили напыленные слои желтого мышьяка. Выбор объекта связан с возможностью использования светочувствительных слоев в качестве модельной фоторегистрирующей среды с памятью. Кроме того, желтый мышьяк интересен из-за своего соседствующего положения с аморфным мышьяком, являющимся объектом пристального внимания физики некристаллических полупроводников.

Изменения фазового состояния желтого мышьяка при термо- и фотостимуляции исследованы прямым методом дифференциального термического анализа. Изучение свойств дефектов и их изменения при фазовых переходах было осуществлено методом электронного парамагнитного резонанса.

На основании результатов проведенных исследований выдвинуты следующие положения, отражающие основное содержание диссертационной работы.

1. Существуют три молекулярные модификации мышьяка, образование которых однозначно, определяет температура конденсации.

2. Обнаруженные парамагнитные дефекты в желтом мышьяке представляют собой оборванные связи с неспаренными спинами, принадлежащие молекулярным остаткам.

3. Модель, объясняющая термо- и фотостимулированные превращения в слоях желтого мышьяка.

Диссертация состоит из введения, шести глав и выводов.

Заключение диссертации по теме «Другие cпециальности», Родионов, Александр Николаевич

ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ВЫВОДЫ

В настоящей работе проведены исследования низкотемпературных фазовых переходов в напыленных слоях желтого мышьяка и свойства отдельных модификаций молекулярного мышьяка. В ходе исследования получены следующие основные результаты.

1. Установлено существование трех форм молекулярного мышьяка, структурными элементами которых являются четырехатомные молекулы

2. Парамагнитные центры желтого мышьяка по своему локальному окружению различаются на два типа: принадлежащие молекулярным остаткам и фрагментам сетки аморфного мышьяка, и представляют собой двухкратно координированные атомы, орбитали которых имеют слабую sp - гибридизацию.

3. В отличии от термостимулированных превращений, при воздействии света в слоях желтого мышьяка могут происходить переключения связей между реагирующими молекулами из их заряженных состояний.

Более частные выводы работы можно свести к следующему.

1. Появление вращения молекул As^ при фазовом переходе Ац(П)-» As^I) является свидетельством пластичности модификации Аь/,(1).

2. Изменение энтальпии экзотермического фазового превращения, равное -(7,1 ± 0,5) кДж/моль, отвечает энергии деформации связей в молекуле As^.

3. Расчеты методом ППДП/БУ различных молекулярных упаковок, возможных в желтом мышьяке, показали сильное влияние взаимной ориентации молекул на их электронное строение. Энергия связи молекул наименьшая в конфигурации "грань к грани" и наибольшая в конфигурации "вершина к грани". В этом же порядке убывает степень валентного межмолекулярного связывания, что хорошо объясняет как последовательное увеличение высоты потенциального барьера, препятствующего перестройке структуры в трех модификациях желтого мышьяка, так и связанное с ним увеличение степени стабильности этих модификаций.

4. На основании расчетов электронной структуры молекул As^ предсказан профиль валентной зоны ж-As , который состоит из трех полос связывающих электронных состояний. Полоса, примыкающая к потолку валентной зоны, является преимущественно 4р-типа, тогда как две глубокие полосы образованы состояниями преимущественно 45-типа. Взаимодействие молекул As^ в конденсированной фазе приводит к увеличению примеси ь-состояния в р-зоне.

5. Во время термо- и фотостимулированного фазового перехода в спектрах ЭПР появляется разрешенная сверхтонкая структура, позволившая оценить величину вклада s-состояния As в орбиталь парамагнитного электрона, равную 4%, Появление сверхтонкой структуры свидетельствует, что во время перехода возникает большое число оборванных связей с неспаренными спинами, находящихся в приблизительно одинаковом локальном окружении.

6. Предположено, что реакция полимеризации энергетически наиболее благоприятна при атаке молекул из конфигурации "грань к грани". При атаке из других конфигураций молекул As^ появляются дополнительные степени свободы, что может приводить к неполному переключению связей и, как следствие, к более рыхлой структуре, насыщенной концевыми радикалами.

7. Предельно облученный желтый мышьяк представляет собой одно из состояний аморфного мышьяка с сеткообразной структурой.

8. Различие в кинетике превращения облученного и необлученного желтого мышьяка позволяет использовать фазовый переход As^d) ■>.£ - As как способ усиления изображения.

В ходе выполнения настоящей диссертации возникли также проблемы, решение которых требуют дальнейших исследований.

В работе было предположено, что различия в структуре обнаруженных модификаций желтого мышьяка в первую очередь обусловлены особенностями упаковки тетраэдрических молекул Аь^. Проверка этих предположений требует структурных исследований. Однако црямые измерения крайне затруднены из-за высокой чувствительности слоев желтого мышьяка к излучениям. Трудности эти могут быть преодолены измерениями на молекулярных аналогах As^ -элементах У группы Периодической системы (Р^, возможно, ЬЬ^), а.также на конденсированном метане, четыреххлористом углероде и твд. Эта проблема, вообще говоря, важна для тетраэдрических молекул, обладающих примечательной способностью образовывать многообразие аллотропных форм. Тот или иной способ сочетания молекул должен определять также различие в их физико-химических свойствах. В свою очередь, свойства материала, появившегося в результате термо- или фотостимулированных превращений, сильно зависят от того, какая молекулярная форма выбрана для испытания

Другой нерешенной проблемой работы является увеличение термоустойчивости слоев желтого мышьяка, используемых в качестве фоторегистрирующей среды с памятью. Это ухудшает эксплуатационные характеристики материала и препятствует его практическому применению. В данной работе была проверена возможность увеличения термоустойчивости путем введения в напыляемые слои серы с концентрацией, не превышающей I ат %, Полученная бинарная система обладает высокой светочувствительностью, имеет экзотермический переход, сдвинутый на 30° в сторону высоких температур. Возможно, что добавление других халькогенов (Se, Те ) окажется способом эффективного расширения температурных границ существования этого светочувствительного материала.

Полученные результаты и выводы из проделанной работы могут быть использованы в качестве рекомендаций для практического применения светочувствительных слоев желтого мышьяка как системы регистрации изображения с прямым почернением.

В заключении автор выражает свою благодарность Ю.Р.Закису за научное руководство и постоянный интерес к работе. Автор благодарит Я.А.Эйдуса, доцента кафедры экспериментальной физики, Р.И.Календарева и А.В.Шендрика, сотрудников НИИ ФТТ ЛГУ им.П.Сту-чки, за содействие в работе и обсуждение ее результатов.

Список литературы диссертационного исследования Родионов, Александр Николаевич, 1984 год

1. Корбридж Д. Фосфор. Основы химии, биохимии, технологии.-М.: Мир, 1982. - 680 с.

2. Кребс Г. Основы кристаллохимии неорганических соединений. М.: Мир, 1971. - 304 с.

3. Gmelin's Handbuch der anorgan. Chem., 8 Aufl. , Bd. 17, As, 119, Verlag Ghemie G.m.b.H., Weincheim, 1952.

4. Greaves G.H., Elliott S.R., Davis E.A. Amorphous arsenic. Adv. phys., 1979, vol.28, p.49-141.

5. Krebs H., Holz W., Worms K. Eine neue rhombische Arsen-modifikation und ihre Mischkristallbildung mit schwarzen Phosphor. Chem. Бег., 1957 , 90. S.10 31-1037.

6. StShr H. Beitrage zur Kentnisse der Allotropisch des Arsens. Z. anorg. allg. Chem., 1939, 24-2, S. 138-144.

7. Smith P.M., Leadbetter A.J., Appling A.J. The structure of orthorombic and vitreous arsenic . Phil.Mag., 1975, vol.31, p.57-64.

8. Паулинг JI. Природа химических связей.-М.;Госхимиздат, 1947. 440 с.

9. Полинг Л. Общая химия. М.: Мир, 1974. - 846 с.

10. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в кристаллических веществах. М.: Мир, Т.1-2, 1982, - 662 с.

11. Bostanjoglo 0. New phase transitions in arsenic films.-Phys.stat.sol.(a), 1981, vol.65, p.595-600.

12. Ley L., Pollak R.Q., Kowalezyk S., McFeely R., Shiley D. Evidence for covalent bonding in crystalline and amorphous As, Sb and Bi from valence-band photoelectron spectra. Phys.Rev.B8, 1973, p.641-646.

13. Raisin С., Leveque G., Robin-Kandare S. Etat Electro-nique de l'arsenic amorphe. J.Biys.C: Solid State Phys., 1976, vol.9, p.2887-2897.14. baimin J.S. Raman scattering properties of amorphous As and Sb. Phys.Rev.Б, 1977, vol.17, p.3863-3871.

14. Shevchic IT.J. Computer-generated structures of amorphous Ge. Phys.stat.sol.(b), 1973, vol.58, p.111-120.

15. Greaves G.N., Davis E.A., Bordas J., Kelly M.J., Bullett D.W. Electronic structure of amorphous arsenic.

16. В кн.: Труды б-й Междунар.конф. по аморфным и жидким полупроводникам, Ленинград, 1975 г. Структура и свойства некристаллических полупроводников.-Л.:Наука, 1976, с.264-268.

17. Knights J.С., Machan J.E. Optical and electrical properties of amorphous arsenic. Solid.St. Commun., 1977, vol.21, N 10, p.983-986.

18. Simeckova M., Hruby A. A study on the crystallization of amorphous arsenic. Mat.Res.Bull., 1977, vol.12,p.65-72.

19. Marseglia E.A. Kinetic theory of crystallization of amorphous materials. J. of Non-Cryst.Solids, 1980, vol.41, p.31-36.

20. Greaves G.N., Knights J.C., Davis E.A. Electronics properties of amorphous arsenic. In: Proc. of the 5-th Intern. Conf. on amorphous and liquid semicond. Taylor and Francis, London, 1974, p.369-374.

21. Greaves G.N., Davis E.A. A continous random network model with three-fold coorgination. Philos.Mag., 1974, vol.29, p. 1201-120 6.

22. Davis E., Greaves G. Amorphous arsenic properties and a structural model. -В кн.: Труды 6-й Междунар. конф. поаморфным и жидким полупроводникам. Ленинград, 1975 г. Структура и свойства некристаллических п/п.-Л.: Наука, 1976, с.212-220.

23. Роусон Г. Неорганические стеклообразующие системы.-М.: Мир, 1970. 312 с.

24. Krebs Н., Steffen R. Neubestimmung der Haheordnung im glassigen Selen, im explosiven Antimon und Arsen.

25. Z. anorg. allg. Chem., 1964, vol.327, S.224-237.

26. Bellisent R., Tourand G. Local order in amorphous arsenic. В кн.: Труды 6-й Междунар. конф. по аморфным и жидким полупроводникам. Ленинград, 1975 г. Структура и свойства некристаллических и/и, - Л.: Наука, 1976, с. 160-163.

27. Wu С., Luo Н. Pressure effect on vapour-deposited amorphous materials. J.Non-Cryst.Solids, 197 5, vol.18, p.21-28.

28. Lucovsky G., Knights J. Infrared absorbtions in bulc amoiphous As. Phys.Rev., BIO, 1974, p.4324-4330.

29. Lannin J. Vibrational properties of amorphous arsenic and antymony. In: Proc. of the Conf. on structure and excitations in amorphous solids, ed. by G.Lucovsky, and F.Galee-ner, N.-Y., 1976, p.123-127.

30. Greaves G.N., Davis E.A., Bordas J. Optical properties of amorphous As. Philos Mag., 1976, vol.34p.265-290.

31. Kelly M.J., Bullett D.W. Calculation of the electronic structure of crystalline and amorphous arsenic. Sol.st. commun., 1976, vol.18, p.593-595.

32. Pollard W.B.,Joannopoulos J.D. Electronic structure of defects in amorphous arsenic. Phys. Rev. В., 1979,vol.19, N 8, p.4217-4223»

33. Pollard W.B., Jounnopoulos J.D. Vibrational excitations at defects sites in amorphous tetrahedral and pnic-tide semiconductors. J. of Non-Cryst.Solids, 35/36, 1980, p.1179-1184.

34. O'Reilly E.P. A theoretical study of defects in amorphous arsenic. Philos.Mag. B, 1981, vol.43» N 3, p. 579-595.

35. O'Reilly E.P., Eelly M.J. A theoretical study of defects in amorphous group-Y semiconductors. J.Phys.C: Solid State Phys., 1981, vol.14, p.3880-3895.

36. Knights J. Localized state in amorphous arsenic. -Solid St. Commun., 1975, vol.16, p.515-519.

37. Moss T. Infrared photoconductivity in layers of tellurium and arsenic. Proc.phys.soc., 1949, vol. 62,p.264.

38. Rosenblatt G., Lee P.K. Rate of vaporization of arsenic single crystals and the vaporization coefficient of arsenic. J. Chem.Phys., I968, vol.49, p.2995-3006.

39. Hulltman C., Rosenblatt G. Vaporization of solids: evidence for a zipper mechanism in the refarded vaporization of arsenic. Science, 1975, 188, p.145-147.

40. Trinquier G., Malrieu J.P., Daudey J.P. Ab initio study of the regular polyhedral molecules P^, As^, Hg, Pg and As8. Chem. Phys. Letters, 1981, vol.80, N 3, p.552-557.

41. Гиллеспи P. Геометрия молекул. M.: Мир, 1975.-278 с.

42. Коулсон Ч. Валентность. М.: Мир, 1965. - 426 с.

43. Глазов В.М., Лазарев В.Б., Жаров В.В. Фазовые диаграммы простых веществ. М.: Наука, 1980. - 272 с.

44. Manzel K., Schulze W., WBlfel V., Minkwitz R. Raman-matrix spectrum von As^. Z. Naturforsch., J2 1982,1. S. 1127-1128.

45. Brumbach S., Rosenblatt G. In-ca-yity laser Ramanspectroscopy of vapours at elevated temperatures As^ and

46. As.O . J.Chem.Phys., 1972, vol.56, p.3110-3117. 6

47. Erdmann H., Uhruh M. Tiber gelbes Arsen. Z.anorg. Chem., 1902, Bd.22, s.432-437.

48. Linck G. Uber heteromorphen (allotropen) Modifika-tionen des Phosphors und des Arsens, sowie des Einfachschwe-teleisens. Ber., 1899, Bd.32, S.881-897.

49. Daniel M.P., Leadbetter A.J. The stucture of vapour-deposited films of molecular arsenic (As^). Philos. Mag., 1981, vol.44, p.509-529.

50. Morino Y., Ukayi Т., Itо Т. Molecular structure determination by gas electron difraction at hight temperatures.

51. Arsenic. Bull, chem. soc. Jap., 1966, vol.39, N 1,p.64-71.

52. Календарев P.И., Олыивангер Б.А., Эццус Я.А. Фотографический эффект в мышьяке. Успехи научной фотографии, 1980, т.20, с.71-76.

53. Закис Ю.Р. Основы физики неупорядоченных твердых тел.-Рига, 1977. 84 с.

54. Закис Ю.Р. Простейшие термические дефекты в стеклах. -В межвуз. сб. научн.тр.: Физика и химия стеклообразующих систем. Рига, 1980, с.3-36.

55. Mott N.P., Davis Е.А., Street R.A. States in the gap and recombination in amorphous semiconductors. Phil. Mag.,1975, vol.32, N 5, P.961-996.

56. Street R.A., Mott N.F. States in the gap in glassy semiconductors. Phys. Rev. Lett., 1975, vol. 35, N 19, p.1293-1296.

57. Street R.A. Luminescence in amorphous semiconductors.-Adv. Phys., 1976, vol.25, p.397-454.

58. Biegelsen D.K., Street R.A. Photoindused defects in chalcogenide glasses. Phys. Rev. Lett., 1980, vol.44, N 12, p.80 3-806.

59. Kastner M. Bonding bands, lone-pair bonds, and impurity states in chalcogenide semiconductors. Phys.Rev.Lett., 1972, vol.28, H 6, p.355-357.

60. Kastner M., Adler D., Fritzsche H. Valence-alternation model for localized gap states in lone-pair semiconductors. Phys. Rev. Lett., 1976, vol.37, N 22, p.1504-1507.

61. Kastner M., Fritzsche H. Defect chemistry of lone-pair semiconductors. Phil. Mag. В., 1978, vol.37, p.199-216.

62. Kastner M. Defects in lone-pair semiconductors: the valence-alternation model and new directions. J.of Non-Cryst. Solids, 1980, 35/36, p.807-817.

63. Elliott S.R., Davis E.A. Defect states in group-V amorphous semiconductors. -J.Phys.C: Solid St. Phys., 1979» vol.12, p.2577-2587.

64. Elliott S.R., Davis E.A. Trends in defect-controlled electronic properties of group V amorphous semiconductors.

65. J. of Non-Cryst. Solids, 1980, 35/36, p.849-854.

66. Elliott S.R. Defect pairing and the effect on a.e. conductivity in chalcogenide glasses. J. of Non-Cryst. Solids, 1980, 35/36, p.855-858.

67. Дэвис Э. Состояния в запрещенной зоне и дефекты в аморфных полупроводниках. В кн.: Аморфные полупроводники.-М.: Мир, 1982, с. 55-96.

68. Адлер Д. Приборы на аморфных полупроводниках. -УШ, 1978, т. 125, вып. 4, с. 707-739.

69. Adler D. Defects in amorphous semiconductors. J. о f N on— Cry st. Solids, 1980, 35/36, p.819-824.

70. Adler D. Electronic structure of amorphous semiconductors. J. of Hon-Cryst.Solids,1980,42, p.315-334.

71. Shimizu T. Defects states in chalcogenide glasses.-Jap. J. of Applied Phys., 1978, vol.17, К 3, p.463-465.

72. Rao K.J., Mohan R. Chemical bond approach to determining conductivity band gaps in amorphous chalcogenides and pnictides. Solid St. Commun., 1981, vol.39, р.10б5-Юб8.

73. Vanderbilt D., Joannopoulos J.D. Theory of defect states in glassy selenium. Phys. Rev. В., 1980, vol. 22, IT 6, p. 2927-2939.

74. Joannopoulos J.D. Theoretical calculations of defects states in amorphous semiconductors. J. of Hon-Cryst. Solids, 1980, 35/36, p. 781-792.

75. Bishop S.G., Strom U., Taylor P.C. Optically induced localized paramagnetic states in amorphous As. Solid St. Commun., 1976, vol. 18, p. 573-576.

76. Bishop S.G., Strom U., Taylor P.С. Optically induced metastabile paramagnetic states in amorphous semiconductors. Phys. Rev. В., 1977, vol. 15, N 4, p. 2278-2294.

77. Taylor P.C., Priebele E.J., Bishop S.G. Thermally generated paramagnetism in amorphous arsenic. Solid St. Commun., 1978, vol. 28, p. 247-250.

78. Taylor P.O., Strom U., Bishop S.G. Paramagnetic states induced in amorphous As, Se and ASgSe^ by electron bombardment at 77 K, Phys. Rev. В., 1978, vol.18, N 1, p.511-515.

79. Nemanich R.J., Locovsky G., Pollard W., Joanno-poulos J.D. Spectroscopic evidence for bonding coordination defects in amorphous As. Solid St. Commun., 1978, vol.26, p.137-139.

80. Попов H.A. Новая модель дефектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Письма в ЖЭТФ, 1980,т.31, вып.8, с.437-440.

81. Попов Н.А. Квазимолекулярные дефекты в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. ФТП, 1981, т.15, вып.2, с.369-374.

82. Robertson J. Со -ordinations of the ground state and of negative TJ defects in heteropolar glasses. J. of Uon-Cryst. Solids, 1980, 35/36, p.843-848.

83. Tanaka K. Photo-induced dynamical chanhes in amorphous ASgS-j films. Solid St.Commun. ,1980 ,vol.34,p.201-204.

84. Аверьянов В.Л., Колобов А.В., Коломиец Б.Т., Любин В.Н. Термооптические переходы при фотоструктурных превращениях в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Письма в ЖЭТФ, 1979, т.ЗО, вып.9, с.621-624.

85. Kolomiets Б.Т., Lyubin V.M. Reversible photoinduced chenges in the properties of chalcogenide vitreous semiconductors. Mat. Res. Bull., 1978, vol.13, P.1343.1350.

86. Zhdanov V.G., Kolomiets B.T., Lyubin V.M., Malinov-skii V.K. Photoinduced optical anisotropy in chalcogenide vitreous semiconducting films. Phys. Stat. Sol.(a), 1979,vol.52, p.621-627.

87. Averianov V.L., Kolobov A.V., Kolomiets B.T.,Lyubin V.M. Thermal and optical bleaching in darkened films of chalcogenide vitreous semiconductors. -Phys. Stat. Sol. (a), 1980, vol. 57, p.81-88.

88. Любин B.M. Изменения в структуре и свойства халькоге-нидных стеклообразных полупроводников, стимулированных внешним воздействием. Труды Международной конференции по аморфным полупроводникам. Пардубице, 1978, с.20-27.

89. Любин В.М., Федоров В.А. Реверсивный эффект фотопросветления в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников системы As-S. ФТТ, 1981, т.23, вып.8, с.2315-2336.

90. Коломиец Б.Т. Современные тенденции в исследовании халькогенидных стеклообразных полупроводников. Труды Межд. конференции оп аморфным полупроводникам. Пардубице, 1978, с.3-12.

91. Андриеш A.M., Иову М.С., Циуляну Д.Ч., Шутов С.Д. Стеклообразный сульфид мышьяка и его сплавы (физические свойства и применение). Кишинев: Штиинца, 1981. 212 с.

92. Tanaka К. Evidence for reversible photostructural change in local order of amorphous ASgS^ film. Sol. St. Commun., 1974, vol.15, p.1521-1524.

93. Ruske E. Photoexpansion of amorphous As2S3 films. -Phys.Stat.Sol.(a), 1976, vol.35, P.477-480.

94. Cernogora J., Mollot P., Benoit C., Jouanne M. Variation of Raman spectrum after optical excitation in amorphous ASgSe^ at 1,6 K. Sol. St. Commun., 1976, vol.19, p.465-469.

95. Hamanaka H., Tanaka K., Iizima S. Reversible photo-structural changes in melt-quenched ASgS^ glass. Sol. St. Commun., 1977, vol.23, p.66-69.

96. Iijima M., Mita Y. Reversible photostructural change in chalcogenide glass films observed in infrared absorption spectra. Sol. St. Commun., 1977, vol.24, p.665-667.

97. Daniel M.F., Leadbetter A.J., Wright A.C., Sinclair R.N. The structure of vapour-deposited arsenic sulphides. -J. of Non-Cryst. Solids, 1979, 32, p.271-293.

98. DeNeufville J.P., Moss S.C., Ovshinsky S.R. Photostructural transformations in amorphous ASgS^ and ASgSe^ films.

99. J. of Hon-Cryst. Solids, 1973/1974, vol.13, N 2, p.191-223.

100. Ю0. Strom U., Martin T.P. Photo-induced changes in the infrared vibrational spectrum of evaporated ASgSу Sol. St. Commun., 1979, vol.29, p.527-530.

101. Ваковский Ю.А., Герасименко B.C., Миронов A.B. и др. Фотоиндуцированные структурные превращения в сложных халькоге-нидных стеклах. ШиПФиК, 1983, т.28, вып.2, с.108-115.

102. Берча Д.М., Кикинеши А.А., Марьян М.И. Анизотропные элементы структуры и индуцированные деформации в халькогенидном стекле. Укр. физ. журнал, 1981, т.26, №6, с.978-981.

103. Берча Д.М., Марьян М.И. Индуцированные переходы в халькогенидном стекле. Укр.<|из.журнал, 1982, т.27, № 2, с.235-239.

104. Tanaka К., Ohtsuka Y. Photo-induced optical changes in amorphous As-S films. Thin Solid Films, 1978, vol.48,p.17-26.

105. Doubrava P., Zavetova M. Photo-induced changes in the infrafed vibrational spectra of As-Se films. Phys. Stat. Sol.(a), 1979, vol.53, К 211.

106. Костышин М.Т., Касярум О.П. Связь дисперсионных и фотоструктурных изменений в пленках трехсернистого мышьяка. -Укр. физ.журнал, 1982, т.27, вып.2, с.297-299.

107. Dresner J., Stringfellow G.B. Electronic processes in the photo-crystallization of vitreous selenium*. J. Phys.

108. Chem. Solids, 1968, vol.29, p.303-311.

109. Feinleib J., DeNeufville J., Moss S.C., Ovshinsky S.R. Rapid reversible light-induced crystallization of amorphous semiconductors. Appl.Phys.Lett.,1971,vol.18, N 6, p.254-257.

110. ПО. Михайловский С.С., Виноградов М.С. 0 механизме образования "памяти" в амор<|ных халькогенидных переключателях. -ФТП, 1980, т.14, вып.9, с.1720-1723.

111. I. Кальве Э., Прат А. Микрокалориметрия.-М.:ИЛ, 1963.521 с.

112. Rau P., Wenzl H. Messung der gespeicherten Energie und spezifischen W&rme Neutronenbestrahlter Metalle mit einem differentiellen Warmeflussmikrokalorimeter. Z.angew.Phys., 1969, Bd.27, H.6, S.346-354.

113. ИЗ. Галюк O.C., Кукушкин В.И., Фирюлин К.Н. Измерительные ячейки для калориметров Кальве. ПТЭ, 1973, № 6,с Л79-182.

114. Вертц Дж., Болтон Дж. Теория и практические приложения метода ЭПР. М.: Мир, 1975. - 548 с.

115. Китайгородский А.И. Молекулярные кристаллы. М.: Наука, 1971. - 424 с.

116. Силинып Э.А. Электронные состояния органических молекулярных кристаллов. Рига: Зинатне, 1978. - 344 с.

117. ГУрвич Л.В., Караченцев Г.В. и др. Энергии разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сроство к электрону. М.: Наука, 1974. - 351 с.

118. Boyd R.J., Whitehead M.A. An SCP-MO-CNDO study of equilibrium geometries, force constants and bonding energies: CNDO/BW. J. Chem. Soc. D., 1971, vol.78, p.73-87.

119. Boyd R.J., Whitehead M.A. An SCF-MO-CNDO study of ionization potentials and orbital energies by the GNDO/BW theory. J. Chem. Soc. A., 1971, p.3579-3589.

120. Sichel J.M., Whitehead M.A. Atomic parameter for semi-empirical SCP-LCAO-MO calculations. Theor.Chem.Acta, 1967, vol.7, p.32-40.

121. Insn Chen. Molecular-Orbital studies of ASgS^ and As2Se3. Phys. Rev. В., 1973, vol. 8, N 4, p. 1440-1444.

122. Родионов A.H., Календарев P.И., Чикваидзе Г.В. Низкотемпературные аллотропные фазовые переходы в конденсированных пленках мышьяка. Изв. АН ЛатвССР. Сер.<|из. и техн.наук, 1979, № б, с.49-52.

123. Rodionov A.N., Kalendarev R.I., Tchi vaidze G.V., Eiduss J.A. A new phase in solid state arsenic. Nature, 1979, vol.281, p. 60.

124. Уббелоде А. Плавление и кристаллическая структура.-М.: Мир, 1969. 420 с.

125. Ван Везер. Фосфор и его соединения. М.: ИД, 1962.687 с.

126. Календарев Р.И., Сазонов А.И., Родионов А.Н., Чикваидзе Г.В., Э^цуссЯ.А. Влияние температуры конденсации на устойчивость желтого мышьяка. Изв.АН СССР. Неорг.материалы, 1984, т.20, № 4, с.557-560.

127. Родионов А.Н., Календарев Р.И. Калориметрическое исследование молекулярных слоев желтого мышьяка. Изв.АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн.наук, 1983, № I, c.III-114.

128. Уэндландт У. Термические методы анализа. М.: Мир, 1978. - 526 с.

129. Герцберг Г. Колебательные и вращательные спектры многоатомных молекул. М.: ИЛ, 1949. - 647 с.

130. Pollard W.B., Jounnopoulos J.D, Excitations in amorphous pyramidally bonded solids. II. Phonons. Phys. Rev. В., 1978, vol.17, U 4, p.1778-1784.

131. The plastically crystalline state (orientationally disordered crystals). / Edited Ъу J.N.Sherwood. John WilBy and sons, Chichester, 1979, p.383.

132. Дяткина M.E. Основы теории молекулярных орбиталей. -М.: Наука, 1975. 190 с.

133. Nishikawa К., Tohji К., Murata Y. The intermolecular arrangement in the plastic crystal (phase la) of carbon tetrachloride studied by x-iay difraction. J.Chem.Phys., 1981, vol.74, Л Ю, p.5817-5824.

134. Chowdhury M.R., Dore J.C. The structure of amorphous carbon tetrachloride by neutron difraction.-J. of Non-Cryst. Solids, 1981, vol.49, P.343-360.

135. Clarke J.H., Dore J.C., Granada J.R., Reed J.,

136. Welford G. Neutron diffraction studies of liquid phosphorus. I. Reactor and pulsed neutron measurement at 50 °C. Mol.Phys., 1981, vol.24, N 4, p.861-874.

137. Granada J.R., Dore J.C. Neutron diffraction studies of phosphorus. II. The supercooled liguid and plastic crystal phases.-Mol.Phys.,1982, vol.46, N 4, p.757-768.

138. Harten A.H., Danford M.D., Levy H.A. Structure and intermolecular potential of liquid carbon tetrachloride derived from x-ray diffraction data. J. Chem. Phys., 1967, vol.46,1. N 12, p.4875-4880.

139. Свелин P.А. Термодинамика твердого состояния. M.: Металлургия, 1968. - 314 с.

140. Радцигер А.А., Смирнов Б.М. Справочник по атомной и молекулярной физике. М.: Атомиздат, 1980. - 240 с.

141. Полуэмпирические методы расчета электронной структуры. /Под ред. Дж.Сигал. М.: Мир, 1980, т.1, 327 с.;т.2,371с.

142. Goodman N.B., Ley L., Bullett D.W. Valence-band structure of phosphorus allotxopes. Phys. Rev. В., 1983, vol. 27,1. N 12, p.7440-7450.

143. Brundle C.R., Kuebler N.A., Robin M.B., Basch H. Ionization potentials of the tetraphosphorus molecule. Inorg. Ghem., 1972, vol.11, К 1, p.20-25.

144. Захаров В.П., Герасименко B.C. Структурные особенности полупроводников в аморфном состоянии. Киев: Наукова думка, 1976. - 280 с.

145. Rodionov A.N., Kalendarev R.I., Shendric A.V. Paramagnetic states of yellow arsenic. Phys.Stat.sol.(a), 1982, vol.74, К 155.

146. Москальонов А.В., Шендрик А.В. Термически индуцированные парамагнитные центры в стеклах As2s^ и As2sву- В сб.: Структура, физико-химические свойства и применения некристаллических полупроводников. Кишинев, 1980, с.188.

147. Клява Я.Г., Пуранс Ю.Я. Неупорядоченность структуры2+стекла: исследования ЭПР bin в стеклах. В Межвуз.сб.научн. тр.: Физика и химия стеклообразующих систем. Рига, 1980, с.37-55,

148. Hillson P.J., Ridgway М.А. A developable photographic sistem based on arsenic.-J.photogr.Sci.,1980,vol.28,H3,p.H9-120.

149. Кристиан Дж.У. Фазовые превращения. В кн.: Физическое металловедение, т.2. / Под ред. Р.Кана. - М.: Мир, 1968,с.227-346.

150. Кривоглаз М.А. Состояние электронов вблизи точки фа-, зового перехода и в неупорядоченных системах. ФТТ, 1969, т.II, вып.8, с.2230-2240.

151. Ролов Б.Н. Размытые фазовые переходы. Рига: Зинатне, 1972. - 311 с.

152. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. Л.: Наука, 1975. - 592 с.

153. Галашин А.Е., Галашин Е.А., Низовьев В.В., Яковлев В.Б. Фотоиндуцированные фазовые переходы й процессы усиления в светочувствительных материалах. Успехи научной фотографии, 1978, т.19, с.239-254.

154. Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики-полупроводники. -М.: Наука, 1976. 408 с.

155. Rodionov A.N., Kalendarev R.I,, Shendric A.V., Zakis Yu.R. Photoinduced paramagnetic states of yellow arsenic. Phys.Stat,.Sol. (a), 1983, vol.79, К 151.

156. Эткинс П., Саймоне М. Спектры ЭПР и строение неорганических радикалов. М.: Мир, 1970. - 310 с.

157. Pontuschka W.M., Taylor P.O. ESR in X-irradiated As203 glass. Solid St. Commun., 1981, vol,33, p.573-577.

158. Календарев Р.И., Родионов A.H., Сазонов А.И. Усиление изображения при фазовом переходе As(i) — As(Ii).I

159. Всесоюзная конф. по процессам усиления в фотографических системах регистрации информации, Минск, 1981, с.95-96.

160. Алфимов М.В., Якушева О.Б. Фотохимическая стадия бессеребреных фотографических процессов. Успехи научной фотографии, 1978, т.19, с.152-168.

161. Knights J, С., Davis Е.А. Photo gene rat ion of charge carriers in amorphous selenium. J. Phys. Chem, Solids, 1974, vol.35, p.543-554.

162. Силинып Э.А., Колесников В.А., Музиканте И.Я., Балоде Д.Р., Гайлес А.К. 0 механизме фотогенерации носителей заряда в органических молекулярных кристаллах. Известия АН ЛатвССР. Сер.физ .-и техн.наук, 1981, №5, с.14-28.

163. Вудворт Р., Хоффман Р. Сохранение орбитальной симметрии. М.: Мир, 1971. - 207 с.