Валентная зона при сильных анизотропных деформациях и деформационные потенциалы у висмута и сплавов висмут-сурьма тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, Лавренюк, Михаил Юрьевич

  • Лавренюк, Михаил Юрьевич
  • 1983, Москва
  • Специальность ВАК РФ00.00.00
  • Количество страниц 171
Лавренюк, Михаил Юрьевич. Валентная зона при сильных анизотропных деформациях и деформационные потенциалы у висмута и сплавов висмут-сурьма: дис. : 00.00.00 - Другие cпециальности. Москва. 1983. 171 с.

Оглавление диссертации Лавренюк, Михаил Юрьевич

ВВЕДЕНИЕ.

Гл. Г. ДЕФОВ1АЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ У ВИСМУТА И СПЛАВОВ

ВИСМУТ - СУРЬМА.

§1. Энергетический; спектр висмута и сплавов висмут-сурьма

§2. Изменение энергетического спектра висмута и сплавов висмут-сурьма при всестороннем сжатии.

§3. Способы анизотропного деформирования монокристаллов.

§4. Известные данные об изменении энергетического спектра висмута и сплавов висмут-сурьма при анизотропных деформациях.

Гл. ГГ. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ДЕФОРМАЦИЙ В СИСТЕМЕ

ОБРАЗЕЦ - КОЛЬЦО" С ПОМОЩЬЮ ДИФРАКЦИЙ РЕНТГЕНОВСКИХ

ЛУЧЕЙ.

§Т. Результаты расчета компонент, тензора деформаций

§2. Кристаллическая решетка тсщрга. и основные принципы рентгенографического определения деформации монокристаллов

§3. Низкотемпературные приставки к рентгеновскому дифрактометру ДРОН-2 / ДВЭН-1,5 /.

§4. Методика определения деформации рентгенографическим способом.

§'5. Результаты измерений.

Гл.ПГ. ИССЛЕДОВАНИЕ ВАЛЕНТНОЙ ЗОНЫ У ВИСМУТА И СПЛАВОВ

ВИСМУТ-СУРЬМА ПРИ АНИЗОТРОПНЫХ ДЕФОИЩИЯХ

§1. Методика исследования Ш веществ с помощью квантовых осцилляции сопротивления.

§2. Исследование анизотропии дырок в Т при деформациях

§3. Исследование ПФ дырок в у Bi-t-0,05ат°/о Sn, при деформациях.

§4. Исследование ПФ дырок в т. L у сплавов р-типа при деформации

§5. Смещение электронных термов Lq у сплавов Bi0^S60(o при деформациях.III

§6. Влияние одноосной деформации на величину энергетической щели Е gL, .ГГ

§7. Исследование перехода полупроводник - полуметалл при деформации у сплава BL^SB^ (Х~0,2) . 125 Гл.1У. ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОМПОНЕНТ ТЕНЗОРА ДЕФОБЛАЦИОННОГО

ПОТЕНЦИАЛА У ВИСМУТА И СПЛАВОВ ВИСМУТ-СУРЬМА

§1. Понятие деформационного потенциала.

§2. Расчет "относительных" КТДП термов LQ и Ls у висмута и у сплава bt 09^0,1.

§3. Сравнение величин смещения термов при анизотропном деформировании и при всестороннем сжатии

§4. Возможность описания перестройки спектра висмута при деформировании с помощью определенных КТДП

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Другие cпециальности», 00.00.00 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Валентная зона при сильных анизотропных деформациях и деформационные потенциалы у висмута и сплавов висмут-сурьма»

Анизотропное деформирование является сложным воздействием на кристаллическую решетку, дающим богатую информацию о параметрах энергетического спектра исследуемых материалов. Изучение зонной структуры материалов, находящихся под воздействием упругих напряжений, позволяет получить зависимости характерных энергий спектра от деформации и определить компоненты тензора деформационного потенциала /КТДП/, знание которого дает возможность описать изменение энергетического спектра изучаемых веществ при любом напряженном состояний. Изучение влияния сильных, анизотропных деформаций на спектр носителей тока у висмута и твердых растворов замещения висмут-сурьма, используемых в твердотельной электронике, например, при изготовлении приемников излучения в инфракрасном диапазоне и твердотельных микрохолодильников, имеет конкретный практический интерес, поскольку эффективность применения этих материалов может быть существенно расширена при использовании ряда эффектов, наблюдаемых в этих веществах при деформировании.

Получение данных о зависимости параметров энергетического спектра от деформации на основе непосредственного изучения поверхностей Ферми /Ш/ в одноосно деформированных монокристаллах затруднено малостью пределов1 упругости при прямом нагружении свободного образца. Упругие деформации, массивных образцов не превышают сотых долей: процента; вследствие этот наблюдаемые эффекты также чрезвычайно малы Д - 7/.

Характерная особенность деформирования свободного) образца заключается в том, что: боковые грани образца остаются свободными; при: этом малость предела упругости обусловлена процессами двойни-кования и скольжения, легко) развивающимися в достаточно) несовершенных реальных кристаллах. Разработанная в последние годы методика деформирования образцов в форме диска, жестка закрепленных в кольцевых обоймах, подвергающихся растяжению вдоль выбранного направления /8, 9/, затрудняет возникновение пластических эффектов и позволяет, таким образом, получать большие значения деформаций и, соответственно, значительные деформационные эффекты. С помощью этого метода исследовано влияние деформаций на зону проводимости у висмута и сплавов висмут-сурьма /10 - 20/, а также изменение поверхности Ферми у сурьмы /21, 22/. Однако, количественные выводы о перестройке энергетического: спектра этих веществ при анизотропных деформациях /и, в частности, вычисление деформационных потенциалов/ до настоящего времени не были сделаны по. двум причинам: во-первых, отсутствовали данные о перестройке валентной зоны, и поэтому величина прямой щели Е^ , входящая во все модели; для описания спектра висмута и сплавов висмут-сурьма, оставалась для деформированного состояния неопределенной; во-вторых, до сих пор не были экспериментально определены значения всех компонент тензора деформации в используемой системе. Попытки измерения деформаций с помощью тензодатчиков различного типа не дали положительных результатов в связи с малыми размерами образцов /диски диаметром 3 мм/, низкой, температурой эксперимента и сложным характером деформированного состояния.

В настоящей работе поставлена задача определения компонент тензора деформации в образце, растягиваемом при; температуре жидкого азота, с помощью дифракции: рентгеновских лучей.

Целью настоящей работы является экспериментальное определение деформации в используемой системе, изучение перестройки валентной зоны у висмута и сплавов висмут-сурьма при анизотропных деформациях и вычисление КТДП этих веществ при температуре жидкого гелия.

Для достижения этой основной цели необходимо^ решить ряд задач:

I/ разработать методику рентгенографического определения всех компонент: тензора деформации у монокристаллов висмута и сплавов висмут-сурьма, анизотропно деформированных посредством растяжения в стальной кольцеобразной обойме при температере жидкого азота; сконструировать низкотемпературную приставку к рентгеновскому дифрактометру, провести измерения и рассчитать деформации и напряжения в этой системе;

2/ смещая легированием акцепторной примесью (Sn) уровень Ферми в запрещенную или в валентную зону дырок в L , провести подробное изучение Ш> в анизотропно деформированных монокристаллах висмута и сплавов Bl (О <Х<0,2) при температуре жидкого гелия; исследовать изменение анизотропии Ш, углов наклона, экстремальных сечений с деформацией; с помощью принятых теоретических моделей расчитать относительное смещение экстремумов, лежащих вблизи уровня Ферми и определить величину запрещенной зоны Е в деформированных материалах;

3/ на основе экспериментальных данных об изменении характерных энергий в спектре висмута и сплавов BL (Х=0,08 + 0,Г) при анизотропных деформациях и цри всестороннем сжатии, с использованием значений деформаций, полученных в настоящей работе, провести расчет компонент тензора деформационного потенциала для этих веществ.

Похожие диссертационные работы по специальности «Другие cпециальности», 00.00.00 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Другие cпециальности», Лавренюк, Михаил Юрьевич

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

1. Созданы низкотемпературные приставки двух типов к рентгеновским дифрактометрам ДРОН-1,5 и ДРОН-2, позволяющие измерять изменение межплоскостных расстояний в монокристаллах при растяжении в направлениях как перпендикулярных, так и параллельных плоскости гониометра при температуре жидкого азота.

2. Для образцов Б1 и (0^X^0,1) при растяжении в кольце из сплава 40ХНЮ определена зависимость межплоскостных расстояний от величины приложенного растягивающею усилия для серии кристаллографических плоскостей, наклоненных под различными углами к оси растяжения. Из экспериментальных данных рассчитаны значения всех компонент тензора деформации для обеих исследуемых ориентаций образцов в кольцах.

3. С помощью эффекта Шубникова-де Гааза при растяжении образцов в кольце вдоль бинарной и биссекторной осей при температуре жидкого гелия исследовано изменение валентной зоны у сплавов Bl+0,03aT$Sn и BL+0,05aT$Sn , для которых легирование B>L акцепторной примесью сместило уровень Ферми в запрещенную и валентную зону соответственно. При деформировании указанного типа проведено также исследование сплавов Biq 92^0 08 и ^0,9^0,1

Установлен характер изменения объёма, анизотропии и углов наклона к базисной плоскости дырочных ПФ в точках L и Т и определены скорости изменения их сечений.

4.С использованием модели Макклюра рассчитаны относительные скорости смещения с деформацией L -термов при растяжении. Проведено сравнение скоростей движения термов Lq и L»s как для инверсного (Bt) , так и для прямого (ВС o,9SB 0,l) спектРа*

Показано, что с точностью до 10*20$ скорости смещения соответствующих термов Lq и bs относительно терма в Т совпадают, откуда следует вывод о неизменности /или слабой зависимости/ щелей Eji от деформации.

5.Исследован эффект Шубникова-де Гааза у полупроводникового сплава Вцх5бх (Х«0,2) при растяжении вдоль осей Ср и С2. Впервые у сплавов висмут-сурьма с большой концентрацией сурьмы наблюдался переход полупроводник-полуметалл, индуцированный деформацией решетки , с образованием одной / F II С2/ и двух / FII Cj/ электронных изоэнергетических поверхностей Ферми в точках L .

6. Вычислены компоненты тензора деформационного потенциала у BL и сплава BIq^SSq j . Показано, что в пределах экспериментальной точности соответствующие компоненты у висмута и у сплава совпадают. Впервые компоненты тензора деформационного потенциала определены не из ультразвуковых измерений, а из прямого изучения зонной структуры деформированного материала.

7. Показана возможность расчета изменения энергетического спектра висмута при его деформировании в некоторой произвольной ориентации F II Cg, бдо II Ст /Ст- некоторое нерациональное направление/ на основе полученных компонент тензора деформационного потенциала. х х х

В заключение приношу глубокую благодарность моему научному руководителю кандидату физико-математических наук, ст. научному сотруднику Н.Я.Мининой за предоставление интересной теш работы, постоянное внимание и практическую помощь.

Выражаю также признательность всему коллективу кафедры физики низких температур физического факультета МГУ, в деловой и дружеской атмосфере которой было приятно работать.

Список литературы диссертационного исследования Лавренюк, Михаил Юрьевич, 1983 год

1. Allen М. The effect of tension on the electrical resistance of single bismuth crystals. Phys. Rev., 1932, 12, N 6, p.848-857.

2. Bate R.T., Einspruch li.C. Evidence for band deformation in uniaxially stressecjfeismuth. Phys. letters, 1965, 16, IT 1, p. 11-12.

3. Ertl M.E., Rahman I.U. Effect of uniaxial compression on the thermomagnetic effects in Bismuth. Phys.Status. Solidi (Ъ), 1971, 45, N 1, p. 85-90.

4. Jain A.L., Jaggi R. Piezo-galvanomagnetic effects in bismuth.-Phys.Rev., 1964, 135, H ЗА, p.708-710.

5. Беккерман. Ф.И., Гицу Д.В. Пьезогальваномагнитные эффекты в полуметаллах типа висмута.- В сб.:"Полупроводники с узкой запрещенной . зоной и полуметаллы", ч.З, Львов, 1975, с.74-76.

6. Бёккерман Ф.И., Гицу Д.В., Кернер Я.И. Пьезокинетические эффекты в сплавах висмута с S6 , Sn и Те .-В сб.: "Термоэлектрические материалы и пленки". Л., 1976, с.156-160.

7. Брандт Е.Б., Кульбачинский В.А., Минина Н.Я., Широких В.Д. Способ создания сильных одноосных растяжений у монокристаллов.-ПТЭ, 1979, 6, с.137-140.

8. Брандт Е.Б., Кульбачинский В. А., Минина Е.Я., Широких В. Д. Изменение зонной структуры и электронные фазовые переходы у Biи сплавов B'l SB-^ при деформациях типа одноосного растяжения.-ЖЭТФ, 1980, 78, В 3, с.Ш4-П30.

9. Брандт Е.Б., Кульбачинский В. А., Минина Н.Я. Влияние растяжения на поверхность Ферми у висмута.- Письма в ЖЭТФ, 1977 , 26, $ 3, с.173-176.

10. П. Брандт IT.Б., Кульбачинский В.А., Минина Е.Я. Фазовые переходы Й.М.Лифшица у сплава BL q 924 q 076 ,г~типа ДРИ" растяжении.-Письма в ЖЭТФ, 1977, 26, № 9, с.637-641.

11. Брандт П. Б., Кульбачинский В. А., Минина Н.Я. Электронный фазовый переход 2,5 рода у Bi при: растяжении. Физ. низких температур, 1978, 4, В 4, с.527-530.

12. Брандт Е.Б., Колосов В. П., Кульбачинский В. А., Минина Е.Я. Переход полупроводник-полуметалл в сплаве &L q 925 S6q 075 при растяжении.- Ш", 1979 , 21, В 7, с.1971-1973.

13. Кульбачинский В.А., Минина Е.Я. Переходы полупроводник-полуметалл в сплавах BL при одноосных деформациях.- В кн.: Тезисы докладов ХИ Всесоюзного совещания по физике низких температур. Харьков, 1980, ч.Ш, с.7-8.

14. Брандт П.Б., Гёрманн Р., Йовчик В.А., Краак В., Кульбачинский В.А., Минина Е.Я. Электронные топологические переходы у

15. В1 о о I р-типа при одноосном растяжении.- ФТТ, 198Г, 23, В 8, с.2237-2241.

16. Брандт Е.Б., Кульбачинский В.А., Минина Н.Я. Исследование валентной зоны у BL и сплавов Ы S6 ^ при деформациях типа одноосного сжатия.- В кн.:Тезисы докладов XXI Всесоюзного совещания по физике низких температур.Харьков, 1980, ч.Ш, с.5-6.

17. Г8. Брандт Е.Б., Кульбачинский В.А., Минина Е.Я. Электронные фазовые переходы у BL и сплавов &L» индуцированные одноосной деформацией кристалла.- В кн.: Тезисы докладов

18. У Всесоюзного симпозиума по полупроводникам с узкой запрещенной зоной: и полуметаллам. Львов, 1980, ч.Ш, с.232-233.

19. Пожера Р.Ю., Толутис Р.Б. Об анизотропии электропроводности сплавов BISB при одноосном растяжении.- ФТТ, 1981, 23,1. Ж ГГ, с. 3366-337Г.

20. Пожера Р.Ю., ТЬлутис Р.Б. Влияние одноосного растяжения на подвижность электронов в полупроводниковых сплавах Bi ФТП, 1983, Г7, В 8, с.1467-1469.

21. Брандт П.Б., Богданов Е.В., Минина Е.Я. Влияние растяжения на поверхность Ферми у сурьмы.- Физ. низких температур, 1978, 4, В 4, с.489-496.

22. Brandt И .В., Bogdanov E.Y., Kulbachinsky V.A., Minina N.Ya. Variation of the energy spectrum of bismuth, antimony and theiralloys under strong uniaxial tension. J.de Phys. (Colloqua C-6,supplement au I 8), 1978, 21* р.0б-1108-C6-1109.

23. Пинес Б.Я. Лекции по структурному анализу. Изд-во Харьковского Университета, 1957.

24. Пиррсон Б. Кристаллохимия и физика металлов и сплавов.- М., Металлургиздат, 1964.

25. Golin S. Band structure of bismuth: Pseudopotential approach. -Phys. Rev., 1968, 166, IT 3, p.643-651 .

26. Lax В., Mavroides J.G., Zeiger U.J., Keyes R.J. infrared mag-netoreflection in bismuth. 1. High fields. Phys.Rev.Lett,1960, 5, N 6, p.241-243.

27. Cohen M.H. Energy bands in the bismuth structure. 1. A nonelli-psoidal model for electrons in Bi.-Phys.Rev, 1961, 121, M 2,p.387-395.

28. Абрикосов А.А., Фальковский Л.А. Теория электронного энергетического спектра, металлов с решеткой висмута.- ФЭТФ, 1962,43, В 3 (9), с.1089-1100.

29. Abrikosov A.A. Gapless state of bismuth-type seminetals.

30. J.Low.Temp.Phys., 1972, 8, Ы 3/4, p.315-338.

31. Эдельман B.C. Свойства электронов в висмуте.- УФН, 1977,123, В 2, с.257-287.

32. ЗЗ.Эдельман B.C. Форма электронной поверхности Ферми висмута.

33. ЖЭТФ, 1973, 64, В 5, с.1734-1745.34 •Takaoka S., Kawamura Н., Murase К., Takano S. Electron band model of bismuth by magnetic surface resonance.- Phys.Hev.I3., 1976, 12, N 4, p.1428-1433.

34. Брандт Н.Б., Мюллер P., Пономарев Я.Г. Исследование закона дисперсии носителей в висмуте, легированном примесями акцепторного типа.- ЖЭТФ, 1976, 71, В 6 (18), с.2268-2277.

35. Брандт П. Б., Мюллер Р., Пономарев Я.Г. Исследование закона дисперсии носителей тока у BL Тезисы докладов XIX Всесоюзного совещания по физике низких температур, Минск, 1976,с.263-264.

36. Брандт П.Б., Девяткова Л.И., Мюллер Р»„ Пономарев Я.Г. Энергетический спектр носителей, в BL , легированном акцепторной примесью. Тезисы докладов XX Всесоюзного совещания по физике низких температур, Москва, 1979, ч.Г, с.108-109.

37. Эдельман B.C. Исследование висмута в квантующем поле.- ЖЭТФ, 1975, 68, В Г, с.257-272.

38. Брандт Н.Б., Гёрманн Р., Голышева Г. И., Девяткова Л. И., Кусник Д., Пономарев Я. Г. Электронная поверхность Ферми у полуметаллических сплавов BI (0,23^X^0,56).-ЖЭТФ, 1982, 83, № 6 (12), с.2152-2169.

39. Golin S. Band model for bismuth antimony alloys. - Phys.Rev., 1968, Г76, N 3, p.830-832.

40. Зуянова Е.П., Евсеев В.В., Иванов Г.А., Миронова Г.А., Пономарев Я.Г. Определение параметров закона дисперсии носителей у полупроводниковых, сплавов B>LjxS8x п.- типа.- ФТТ, 1978, 20, В 7, с.1937-1946.

41. Миронова Г. А., Пономарев Я. Г. О законе дисперсии носителей тока у сплавов BL £ при 0<Х*?0,12.- Физ. низких температур, 1979, 5, № 5, с.542-546.

42. Миронова Г. А., Судакова М.В., Пономарев Я.Г. Закон дисперсии носителей в сплавах Bi- i-x^X'" 1980, 22, № 12,с.3628-3634.

43. Tichovolsky Е., Ivlavroides J.G. Magnet or ef lection studies on the band structure of bismuth antimony alloys.- Solid State

44. Communs, 1969, Ц, N 13, p.927-934.

45. Oelgart G., Schneider G., Kraak W., Hermann R. The semiconduc-tur-semimetal transition in Bi sb, alloys.- Phys.St. Sol. (b), 1976, 74, p.K75-K78.

46. Oelgart G., Herrmann R. Cyclotron masses in semiconducting Bi Sb,r alloys.- Phys.St.Sol. (b), 1976, 75, p.189-196.

47. Jain A.L. Temperature dependence of the electrical properties of bismuth-antimony alloys. Phys.Rev., 1959, Ц4, ЬГ 6,p.1518-1528.

48. Kim R.S., Kim D.S., Karita S. Par-infrared magneto-absorption in alloys • ~ Physics of narrow gap semiconducturs.

49. Proc.of the з-rd Int.Conf; Warshawa, 1977, ШЫ, 1978, p.233-238.49# Schneider D., Kruse R., Neubauer H. Magnetowiderstand und

50. Bandverschiebungen an halbleitenden Wismut-Antimon Legierun-gen unter hohem hydrostatischem Druck. - Z.Haturforsh., 1975, 30a, s.95-103.

51. Brown D.M., Heumann P.K. Growth of bismuth antimony single-crystal alloys. - J.Appl.Phys., 1964, 35, U 6, p.1947-1951.

52. Brown D.M., Silverman S.J. Electrons in Bi Sb alloys. -Phys.Rev, 1964, 136, И 1A, p.A290-A299

53. Bugue M. Proprietes electrigues des solutions solids bismuth -antimoine. Phys.St.sol. (b), 1965, Ц, И 3, p.149-158.

54. Smith G.E. Experimental determination of effective masses in bismuth antimony alloy. - Phys.Rev.Lett., 1962, p.487-489.

55. Oelgart G., Hermann R. Cyclotron resonance of n-type semiconducting Bi Sb alloys. Phys.St.Sol. (b), 1973, 58,1.""-.X. ./Ip.181-187.

56. Брандт Н.Б., Германн P., Кусник Д., Краак В., Голышева Г. И., Зарубина О.А., Пономарев Я.Г. Исследование поверхности Ферми у полуметаллических сплавов Bl (0,2^X^0,4).

57. Б сб.:Тезисы докладов Ш Всесоюзного совещания по физике низких температур. Харьков, 1980, с.9.

58. Родионов Н'.А., Редько Е.А., Иванов Г. А. Кинетические явления в сплаве BL о 88^0 12 с малым содержанием дырок зоны Ls.-ФТТ, 1979, 21, № 9, с.2556-2562.

59. Родионов Н.А., Иванов Г.А., Редько П.А. Аномальное поведение температурной зависимости термоэдс дырок в полупроводниковых сплавах BL tys&y'- 1981» 23» № 7» с.2П0-2П5.

60. Грязнов О.С., Иванов Г.А., Мойжес Б.Я., Шумов В.Е., Нем-чинский В.А., Родионов Ж.А., Редько; Е.А. Влияние межзонного механизма рассеяния на кинетические явления в р- ^i-X^X'" ФТТ, 1982, 24, В 8, с.2335-2343.

61. V/indmuller L.R. De Haas-van Alphen effect and Fermi surfacein antimony. Phys.Rev., 1966, 14£, К 2, p.472-484.

62. Harte G.A., Priestley M.G. Vnillemin J.J. The de Haas-van Alphen effect in Sb (Sn) and Sb (Те) alloys. Journ.Low Temp.

63. Phys., 1978, H, N 516, p.897-909.

64. Гиду Д. В., Мунтяну Ф.М., Ону М.И. Эффект Шубникова де Гааза в сплавах S&i-x^X (О4X^0,25).- Физ. низких температур, 1977, 3, В 9, c.II49-II52.

65. Брандт Н.Б., Чудинов С.М., Караваев В.Г. Исследование бесщелевого состояния, индуцированного магнитным полем, в сплавах висмут-сурьма.- ЖЭТФ, 1976, 70, № 6, с.2296-2313.

66. Ицкевич Е.С., Фишер Л.М. Изменение параметров энергетического спектра электронов в висмуте под давлением.- ЖЭТФ, 1967, 53, В 6 (12), с.1885-1890.

67. Брандт Е.Б., Ицкевич Е.С., Минина Е.Я. Влияние давления на поверхность Ферми металлов.- УФЕ, 1971, 104. ВЗ, с.459-488.

68. Jain A.L., Jaggi R., Weibel L. Pressure dependence of the galvanomagnetic effects in bismuth. Phys.Lett., 1963, 7, p.181-184.

69. Балла Д., Брандт Е.Б. Исследование влияния всестороннегосжатия на температурную зависимость электропроводности висмута.- ЖЭТФ, 1964, 47, № 5 (II), с.1653-1663.

70. Брандт Е.Б., Зигель М., Пономарев Я. Г., Энгерт И. Электронные переходы 2,5 рода переходы И.М.Лифшица у сплавов

71. BL х-Х^Х* ^ I-Х^Х под Давлением.- Сб.:Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы, Львов, I960, ч.2, с. 231.

72. Брандт Е.Б., Ястребова В.А., Пономарев Я.Г. Электронные фазовые переходы И.М.Лифшица у висмута.- ФТТ, 1974, 16,1. В I, с.102-109.

73. Брандт Е.Б., Чан Тки Кгок Бик, Пономарев Я. Г. Изменение анизотропии поверхности Ферми у полупроводникового сплава BL q gS8 q х р-типа при переходе в бесщелевое состояние под действием давления.- ЖЭТФ, 1977, 72, № 3, с.989-1000.

74. Пономарев Я.Г. Энергетический спектр носителей заряда в узкощелевых полупроводниках и полуметаллах.- Докт. дисс., Москва, МГУ, 1984.

75. Веркин Б.И., Диитриенко И.М. Влияние одноосных упругих деформаций на магнитные свойства кристаллов цинка при низких температурах.- ЖЭТФ, 1958, 35, № 1(7), с.291-293.

76. Shoenberg D., V/atts B.R. The effect of tension on the Permi surface of the noble metals.- Phil.Hag., 1967, J5, 138, c. 1275-1288.

77. Roman R.J., Evold A.\7. Stress-induced band gap and related phenomena in grey tin.- Phys.Rev. 1972, B5, И 10, p.39143932.

78. Hasegav/a II. Theory of Cyclotron Resonance in Strained Silicon Crzstals.- Phys.Rev., 1963, 12£, Ь 3, p.1029-1040.

79. Seiler D.G., Hathcox K.L. Shubnikov-de Haas effect under stress: a new tool for determining deformation potentials and band-structure information.- Phys .Rev .Lett■ 1972, i; 10, p.647650.

80. Angadi Ы.А., Pawcett E., Rasolt Mark. Effect of stress on high-field magnetoresistance anisotropy due to ppen orbits in iron.- Phys.Rev.Lett., 1974, 32, И 11, p.613-616.

81. Брандт ВТ.Б., Кептя В.Ф., Кульбачинский Б.А., Минина Н.Я. Устройство для сильного одноосного сжатия монокристаллических образцов при низких температурах.- ПТЭ, 1977, 2, с.205-207.

82. Кептя В.Ф. Новый метод создания сильных анизотропных упругих деформаций монокристаллов и его применение для исследования энергетического спектра висмута. Канд. дисс., М., МГУ, 1973.

83. Брандт Н.Б., Кувшинников С. В., Скипетров Е.П., Минина Н.Я. Способ повышения гидростатичности сжатия при низких температурах в бомбах фиксированного давления.- ПТЭ, 1973, $ 6, с.160-163.

84. Кульбачинский В.А. Изменение энергетического спектра у висмута и сплавов висмут-сурьма при сильных деформациях типа одноосного сжатия и растяжения.- Канд. дисс., М., МГУ, 1978.

85. Keyes R.W. Piezoresistance in bismuth.- Phys.^ev., 1956, 104,1. Ж 3, p.665-666.

86. Aron D.R., Chandrasekhar B.S. Oscillatory magnetostriction and deformation potentials in bismuth.- Phys.Status Solidiъ), 1971, и 1, р.85-90.

87. Гайдуков Ю.П., Данилова Н.П, Щербина-Самойлова М.Б. Прочность и электрические свойства нитевидных кристаллов висмута.- Физ. низких температур, 1978, 4, № 2, с.250-255.

88. Щербина-Самойлова М.Б. Влияние растяжения на магнитосопро-тивление нитевидных кристаллов висмута и цинка. Канд. дисс., Москва, МГУ, 1979, 143с.

89. Гайдуков Ю.П., Данилова Н.П., Щербина-Самойлова М.Б. Электронный переход 2,5 рода в висмуте при простом растяжении.-ЖЭТФ, 1979, 77, * 5 II , с.2125-2141.

90. Брандт Н.Б., Кульбачинский В.А., Минина Н.Я. Изменение энергетического спектра при сильном одноосном сжатии.- ФТТ, 1976, 18, № 7, с.1829-1833.

91. Широких В.Д. Расчет зонной структуры висмута методом эмпирического псевдопотенциала при сильных деформациях типа одноосного растяжения. Канд. дисс., М.,МГУ, 1980.

92. Расе N.G., Saunders G.A. Elastic wave propagation in tlie group VB semimetalsJ.Phys.Chern.Solids, 1971, 32, Ж 8, p.1581-1601.

93. Джумиго H.M. Исследование акустических и упругих свойств полуметаллов висмут-сурьма.- Канд. дисс., Ленинград, 1980.

94. Barrett G.S. The structure of bismuth at low temperatures.-Australian J.of Physics, 1960, ГЗ, H 2 (A), p.209-222.

95. Васильев Д.М. Дифракционные методы исследования структур.-М., Металлургия, 1977, 248с.

96. Godijk J., Nannenberg S., Willemse P.P. A goniometer for measurment of stress in single crystals and coarsegrained speciments.- J.Appl.Crystallogr., 1980, JJ, li 2, p.128-131.

97. Baumgart H., Marlcev/itz G., Hartmann W. A novel high-temperature tensile stage for live X-ray topography.- J.Appl. Crystallogr., 1980, ЦЗ, N 6, p.601-604.

98. Козлов B.A.,Дийц Б.А. Камера для рентгенографического исследования деформации нитевидных кристаллов.- Вестник Львовск.политехи, института, 1977, № НО, с.108-110,144.

99. Донде А. Л., Фоменко Н.С., Хоткевич В.И. Криостат для рентге-ноструктурных исследований деформированных металлов при низких температурах.- В сб. Аппаратура и методы ренгеновск. анализа, вып. I, Л., ЛГУ, 1967, с.173-175.

100. King Hubert Е., Finger Lp;rry V/. Difracted beam crystal centering and it's application to high-pressure crystallography.- J.Appl.Crystallogr., 1979, Ц, И 4, p. 374 378.

101. Berger H., Christ В., Troschke J. Lattice parameter study in the Bi Sbr solid solution system.- Crystal res. and tech-nol., 1982, 12, H 10, p.1233-1239.

102. Егоров B.C., Лавренюк М.Ю., Минина Н.Я., Савин A.M. Особенности Лифшица в термоэдс при переходе 2,5 рода под действием анизотропной деформации у монокристалловl0.9S^ 0.1 ^сьма в ЖЭТФ, 1984, 40, в.1, с.16-20.

103. Adams Е.Н., Holstein Т.D. Quantum theory of transverse galvanomagnetic phenomena.- J.Phys.Chem.Soleds, 1959, Ю,1. H 4, p.254-276.

104. Миронова Г.А. Исследование закона дисперсии носителей токау полупроводниковых сплавов Ы SB х { 0,08 < X < 0,12) .

105. Канд. дисс., М., МГУ, 1979.

106. Smith G.E., Baraff G.A., Rowell J.M. Effective g-factor of electrons and holes in bismuth.- Phys.Rev., 135, 4,1. P.A1118- A1120.

107. Брандт Н.Б., Германн Р., Кульбачинский В.А, Лавренюк М.Ю., Минина Н.Я., Шнайдер Г. Исследование валентной зоны у Biи сплавов ВЦхв6х при деформациях типа одноосного растяжения.- ФТТ, 1982, 24, вып.7, с.1966-1972.

108. Лившиц И.М. Об аномалиях электронных характеристик металлав области больших давлений.- ЖЭТФ, I960, 38, № 5,0.1569-1576.

109. Schirber J.E., О»Sullivan V/.J. The effect of hydrostatic pressure on the Fermi surface of Sb.- Solid State Communs.1969, 7, N 9, p.709-711.

110. Колосов B.H., Лавренюк М.Ю. Электронный переход И.М.Лифшица и зонная структура у сплавов BL^SS^ при деформациях растяжения до 0,7%,- Материалы ХУП Всесоюзной научной студенческой конференции. Физика, Новосибирск, НГУ, 1979, с.115-121.

111. Брандт Н.Б., Лавренюк М.Ю., Минина Н.Я. Возникновение металлического состояния у сплавов Bl0$S6O2 при растяжении.- Физика низких температур, 1983, т.2, № 4, с.392-397.

112. ПО. Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.,Наука, 1972, 561с.

113. Ланг И.Г., Павлов С.Т. Деформационное взаимодействие электронов проводимости с ультразвуковой волной.- ФТТ,1970, 12, #8, с. 2412-2420.

114. Конторович В.М. Динамические уравнения теории упругости в металлах.- УФН, 1984,142,вып.2, с.265-307.

115. ИЗ. Королюк А.П., Оболенский М.А., Фалько В.Л.Дисперсия скорости звука в металлах в наклонном магнитном поле.- ЖЭТФ,1971, 60, № I, с.269-276.

116. Hoshino S., Kuinashizo Y., Takano S. Power spectrum analysis of quantum oscillation of the velocity of sound in antimony.- J.Phys.Soc.Japan, 1981, 50, II 2, p.476-481.

117. Walther K. Anisotropy of magnetoacoustic attenuation and deformation potential in bismuth.- Phys.Rev., 1968, 174,1. В 3, p.782-793.

118. KatsukiS. Calculation of deformation potentials in bismuth.-J.Phys.Soc.Japan, 1969, 26, p.696-699.

119. Брандт Н.Б., Лавренюк М.Ю., Минина Н.Я. -Эффект Шубникова-де Гааза у bi при анизотропной деформации в тригонально-бинарной и тригонально- биссекторной плоскостях.- ФТТ, 1984, 26, вып.I, с,187-192.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.