Влияние кинетических эффектов на электрические и гальваномагнитные свойства тонких проводящих пленок и проволок тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.02, кандидат наук Савенко, Олег Владиславович

• Савенко, Олег Владиславович
• кандидат наук
• 2018

Оглавление диссертации кандидат наук Савенко, Олег Владиславович

Введение...........................................................................................................................3

Глава 1. Расчет высокочастотной электропроводности тонкой проводящей проволоки с учетом граничных условий Соффера....................................................23

1.1. Постановка задачи..................................................................................................24

1.2. Метод решения и математические расчеты........................................................27

1.3. Предельные случаи................................................................................................32

1.4. Анализ результатов................................................................................................36

Глава 2. Расчет высокочастотной электропроводности тонкой проводящей проволоки в продольном магнитном поле с учетом диффузно-зеркальных граничных условий.......................................................................................................51

2.1. Постановка задачи..................................................................................................52

2.2. Метод решения и математические расчеты........................................................53

2.3. Предельные случаи................................................................................................59

2.4. Анализ результатов................................................................................................61

Глава 3. Исследование электрических и гальваномагнитных свойств тонкой проводящей пленки.......................................................................................................74

3.1. Постановка задачи..................................................................................................75

3.2. Метод решения и математические расчеты........................................................77

3.3. Предельные случаи................................................................................................86

3.4. Анализ результатов................................................................................................90

Заключение..................................................................................................................119

Список сокращений и условных обозначений.........................................................121

Список литературы.....................................................................................................126

Введение

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние кинетических эффектов на электрические и гальваномагнитные свойства тонких проводящих пленок и проволок»

Актуальность работы и анализ современного состояния проблемы.

Электрические, гальваномагнитные и др. свойства низкоразмерных проводящих объектов существенно отличаются от свойств «массивных образцов» [1]. Одной из причин, обуславливающих это отличие, является увеличение вклада поверхностных эффектов в кинетику носителей заряда в образце. В том случае, когда характерный размер образца сравним с длиной свободного пробега носителей заряда или меньше её, связь между электрическим током, протекающим в образце и полями, вызывающими этот ток, становится нелокальной. В результате чего появляется нетривиальная зависимость электрических характеристик от соотношения между характерным размером образца и длиной свободного пробега носителей заряда.

Отметим, что во многих типичных металлах при комнатной температуре длина свободного пробега носителей заряда лежит в диапазоне 10 - 100 нм, а в полупроводниках - 50 - 1000 нм [2 - 5]. Длина волны де Бройля электрона в металлах составляет порядка межатомного расстояния, а в полупроводниках -порядка 10 нм [2 - 5]. Современные технологии позволяют создавать низкоразмерные структуры с характерным размером порядка нанометров. Таким образом, на сегодняшний день реализуется ситуация, когда характерный размер исследуемого объекта сопоставим с длиной свободного пробега носителей заряда, но много больше длины волны де Бройля электрона.

Тонкие проводящие пленки и проволоки находят применение в различных областях науки и техники. Ведется множество исследований по применению тонких слоев в областях оптоэлектроники, фотоники и нанофотоники [6 - 8], СВЧ-электроники [9 - 11] и т. д. Пленки с развитой формой поверхности могут служить в качестве обкладок суперконденсаторов большой емкости [12]. Гальваномагнитные свойства тонких пленок находят приложение в качестве датчиков Холла [13], в магнитометрах [14] и т. д.

При определенных условиях металлические покрытия способны эффективно поглощать и отражать радиоволны в широком диапазоне частот. Моделирование отражающих свойств металлических пленок находит приложение в военной технике для снижения радиолокационной заметности объектов (так называемые «стелс»-технологии) [15]. Рассеивающие свойства металлических предметов используются в различных областях радиолокации и радионавигации [16].

Спектр применения тонких проволок также весьма большой [17 - 23]. В связи с растущей потребностью использования тонких проволок в различных областях науки и техники особый интерес у исследователей вызывает их способы выращивания. Одними из первых, кто нашел закономерности роста нитевидных кристаллов, были Вагнер и Эллис [18]. Они объяснили механизм роста кремниевых вискеров методом «пар-жидкость-кристалл» (ПЖК). Если на кремниевую подложку кристаллографической ориентации [111] поместить частицу металла и нагреть до температуры, соответствующей точки эвтектики системы «металл-кремний», под металлом образуется жидкая фаза, представляющая собой раствор кремния в металле. Если к этой системе пропускать газовую смесь SiCl4 + H2, реакция с выделением кремния при не слишком высоких температурах протекает на поверхности жидкой фазы. Выделившийся кремний осаждается под жидким раствором. В результате наблюдается эпитаксиальный рост кремниевых нитевидных кристаллов. Если методом фотолитографии на кремниевую пленку нанести упорядоченную систему частиц металла, то можно вырастить систему из нитевидных кристаллов. Данный метод можно эффективно использовать в производстве интегральных схем с вертикальными транзисторами.

Поскольку в настоящее время характерный размер традиционных тонкопленочных элементов интегральных схем фактически достиг минимального предела, ведутся поиски других методов увеличения плотности упаковки интегральных схем. Один из них - как раз использование вертикальных транзисторов, основу которых составляют нанопроволоки [18]. Исследованием и

разработкой данных транзисторов занимаются крупнейшие научные институты в разных странах мира. Так, имеются работы швейцарского отделения фирмы IBM, германского института Макса Планка и Калифорнийского университета в Беркли, посвященные созданию вертикального кремниевого транзистора [19]. Нанопроволоки из кремния n-типа проводимости выращиваются на подложке из кремния p-типа методом, предложенным Вагнером и Эллисом [18]. Канал транзистора представляет собой сама нанопроволока, истоком и стоком являются соответственно частица металла (золота) на вершине нанопроволоки и контакт, подсоединенный к подложке. В качестве затвора выступает осажденная на боковой поверхности нанопроволоки алюминиевая пленка. Отмечается, что в отличие от планарных MOSFET-транзисторов транзисторы на основе нанопроволок обладают на два порядка большим отношением тока к напряжению. Имеются аналогичные работы по изготовлению транзисторов на основе нанопроволоки оксида цинка [20].

Ведутся также исследования по применению нанопроволок в качестве лазеров [21, 22]. Особый интерес у ученых вызвали нанопроволоки из оксида цинка [21], поскольку экситонная рекомбинация, являющаяся наиболее эффективным с точки зрения выхода излучения процессом, может проявляться в этом материале при комнатной температуре. Нанопроволоки обладают таким свойством, как квантовое ограничение носителей заряда в двух направлениях, в результате чего исчезает необходимость в использовании зеркал для резонансной накачки. в роли таких зеркал выступают хорошо ограненные боковые поверхности нанопроволок. Поэтому лазеры из нанопроволок обладают низким критическим порогом генерации. Имеются аналогичные исследования по использованию лазеров из нитрида галлия [22] и других материалов.

Нанопроволоки являются потенциальными компонентами высокочувствительных устройств химической сенсорики [23]. Например, сенсоры на основе наностержней оксида цинка с осажденными на их поверхности частицами палладия показали высокую чувствительность к водороду

(чувствительность сенсора может достигать до нескольких молекул водорода на 10 млн молекул газа) [23].

Активно ведутся исследования по применению тонких проводящих пленок и проволок в области солнечной энергетики [24 - 29], что позволяет увеличить КПД солнечных батарей и их энергоэффективность. Так, в работе [24] исследовались солнечные элементы, основу которых составляет подложка с выращенными на ней тонкими проволоками круглого и треугольного поперечного сечения. Было показано, что основные характеристики солнечных элементов существенно зависят от материала, из которого состоят нанопроволоки. В [25] предложен метод повышения КПД солнечных элементов каскадного типа при помощи специальных материалов (концентраторов), определенным образом фокусирующих солнечное излучение на активные области элементов. В отличие от солнечных элементов с одним р-п переходом, где поглощается излучение определенного спектра, каскадные солнечные элементы используют более широкую область спектра за счет р-п переходов с разной шириной запрещенной зоны. В работе [27] показано, что применение наноразмерных слоев диоксида олова позволяет повысить эффективность солнечных элементов на основе CdS/CdTe до 11,4%.

Размерные эффекты, происходящие в тонких пленках и проволоках, привлекают исследователей уже достаточно длительное время. Имеется немало пособий и монографий, посвященных данной тематике [30 - 39]. Еще в XIX веке Фарадеем было установлено, что электропроводность тонкой металлической пленки меньше электропроводности макроскопического образца.

Первая попытка теоретически обосновать явления, наблюдаемые в тонких металлических пленках, принадлежит Томсону [40]. Согласно [40], средняя длина свободного пробега носителя заряда в пленке рассчитывается усреднением по всем направлениям движения носителя. Предполагая, что удельная электропроводность образца пропорциональна длине свободного пробега, Томсон получил выражение для отношения проводимостей пленки к проводимости

макроскопического образца. Таким образом, Томсон теоретически показал уменьшение проводимости пленки с уменьшением её толщины.

Фукс в работе [41] отметил недостатки теории, предложенной Томсоном. Во-первых, усреднение длины свободного пробега производилось только для одного электрона, во-вторых, не учитывался случай, когда электрон начинал свое движение от поверхности образца, т.е. в пределе малой толщины почти все носители заряда движутся между последовательными соударениями с поверхностями пленки, в-третьих, длина свободного пробега «массивного» образца предполагалась постоянной, т.е. не учитывалось статистическое распределение носителей заряда по длинам свободного пробега. Также отметим, что формула Томсона справедлива только для тонких пленок. При больших толщинах пленки выражение для проводимости, полученное Томсоном, не переходит к классическому результату для макроскопического образца.

Фукс решил задачу о статической проводимости тонкой металлической пленки с помощью кинетического уравнения Больцмана [41]. В качестве граничных условий им была предложена модель, согласно которой одна часть носителей заряда отражается от поверхностей пленки диффузно, при этом их функция распределения становится равновесной, а другая - зеркально. Здесь впервые вводится понятие коэффициента зеркальности поверхности, характеризующего относительное число носителей заряда, отражающихся от поверхности зеркально. Значения коэффициента зеркальности варьируются в диапазоне от нуля до единицы. Коэффициент зеркальности, равный нулю, характеризует полностью диффузное отражение, а коэффициент зеркальности, равный единицы - чисто зеркальное отражение.

В литературе есть много экспериментальных работ [34, 42 - 47], где поведение размерных зависимостей удельной электропроводности и сопротивления материалов совпадает с моделью Фукса. В некоторых работах [34, 43, 46, 47] проиллюстрирован метод определения коэффициента зеркальности поверхностей пленки по зависимости их электрических свойств от толщины, в частности авторы этих работ определили, что коэффициенты зеркальности для

алюминия и меди примерно равны 0,5, а для вольфрама - 0,1. Теория Фукса подтверждается и для аморфных металлических пленок в [48, 49], хотя аморфность структуры пленок оказывает существенное влияние на их проводящие свойства. В частности, проводимость аморфных пленок в отсутствие размерного эффекта много меньше проводимости монокристаллических материалов.

В следующих работах [50 - 56] рассматриваются более сложные задачи, основанные на модели диффузно-зеркальных граничных условий Фукса. Так, в работе [50] задача Фукса обобщается Лукасом на случай различных коэффициентов зеркальности поверхностей. Причем на уравнение Больцмана накладываются два граничных условия, определяющие рассеяние носителей заряда на верхней и нижней поверхности. Журечке в работе [51] предпринял попытку описать данную задачу одними граничными условиями при помощи введения понятия «эффективного» коэффициента зеркальности, выражающегося через коэффициенты зеркальности верхней и нижней границы пленки поверхностей. Недостатком идеи, описанной в [51] можно отметить зависимость «эффективного» коэффициента зеркальности от толщины пленки.

Попытка обойти этот недостаток была предпринята Котти в следующей представленной им модели [52]. Пленка заменяется на макроскопический образец, состоящий из слоев, толщина которых равна толщине пленки. В этой модели траектория зеркально отражающихся электронов, которые определяют проводимость пленки, будет представлять себе прямую линию, проходящую через границы слоев. Вероятность пройти электрону без диффузного рассеяния некоторое расстояние I выражается следующей формулой:

Н = ^|о°8б,|/л = ехр(-/ / А,), где в - угол падения носителя заряда на границу слоя,

й - расстояние между слоями, А, - средняя длина свободного пробега носителя, обусловленная рассеянием на границах между слоями. Из вышеупомянутого выражения находится А, и проводимость пленки. Котти показал, что рассеяние носителей заряда в пленке с различными коэффициентами зеркальности можно

описывать «эффективным» коэффициентом зеркальности , который связан с коэффициентами зеркальности верхней и нижней Ц2 поверхностей следующим

соотношением: = л]. В отличие от Журечке [51], «эффективный»

коэффициент зеркальности уже не зависит от толщины пленки, а определяется только свойствами поверхностей образца.

В работе [53] Зондгеймером решена задача о статической проводимости тонкой металлической пленки в перпендикулярном магнитном поле, где впервые обнаружены осцилляции зависимостей проводимости от индукции магнитного поля. В этой работе был применен особый и существенно упрощающий задачу метод решения, основанный на представлении плоскости пленки в качестве комплексной плоскости, действительная ось которой параллельна протекающему в пленке току, а мнимая ось - перпендикулярна направлению тока. Позднее этот метод решения был признан классическим и работа [53] была переиздана в более позднюю версию [54]. В работе [55] было показано, что осцилляции зависимостей проводимости от величины магнитного поля наблюдаются и при произвольном направлении магнитного поля по отношению к плоскости пленки.

Осцилляции зависимостей проводимости от индукции магнитного поля, обнаруженные Зондгеймером, исследованы в экспериментальной работе [56] на примере тонких пленок вольфрама. При этом авторы предварительно обобщили задачу Зондгеймера на случай различных коэффициентов зеркальности поверхностей и на несферическую форму изоэнергетической поверхности Ферми, имеющую осевую симметрию относительно направления магнитного поля. Показано, что магнетосопротивление пленок вольфрама зависит от индукции магнитного поля по квадратичному закону с небольшими осцилляциями. Авторы установили, что период осцилляций магнетосопротивления является постоянной величиной и не зависит от индукции магнитного поля (для вольфрама период осцилляций составляет 0,492 A-1 [56]).

По осциллирующей зависимости проводимости от индукции магнитного поля авторами работ [55, 56] были предложены различные методы определения

кинетических параметров, характеризующих свойства материалов. Так, в работе [56] были получены формулы для расчета коэффициентов зеркальности поверхностей и длины свободного пробега электронов, как функций монотонной части и Фурье-гармоник осциллирующей части магнетосопротивления. Для чистой поверхности вольфрама коэффициент зеркальности получился равным 0,7, а для поверхности, напыленной примесью до насыщения, - 0,3. В работе [55] авторы предложили способ определения формы изоэнергетической поверхности металла по амплитуде и периоду осцилляций.

Модель Фукса использовалась в работе [57], где решена задача о проводимости тонкой металлической пленки в продольном и поперечном магнитном поле. Показано, что по зависимостям продольного и поперечного магнетосопротивлений от напряженности магнитного поля можно также найти кинетические параметры материала (длину свободного пробега, время релаксации и скорость Ферми).

В научных работах встречаются и другие задачи, где применяется модель диффузно-зеркальных граничных условий. Например, в работах [58 - 59] были построены теории рассеяния носителей заряда на границах зерен в поликристаллических образцах. Одними из первых, кто начали заниматься данной задачей, были Маядас и Шацкес [58], решившие задачу о проводимости поликристаллических пленок с учетом зеркального поверхностного рассеяния носителей заряда. В рамках данной модели энергетический спектр носителей представляет собой систему, состоящую из потенциальных барьеров, находящихся на одинаковых расстояниях друг от друга, равных среднему размеру зерна. Для решения этой задачи использовалось уравнение Больцмана, интеграл столкновений которого представлялся в виде суммы двух слагаемых. Первое слагаемое учитывало рассеяние носителей заряда на примесях и ионах кристаллической решетки, а второе - рассеяние на границах зерен. В этой модели границы зерен характеризуются таким эмпирическим параметром, как коэффициент зеркальности, определяющий относительное число зеркально отраженных от границы носителей заряда.

В работе [59] авторы обобщили данную модель на случай диффузно-зеркального отражения носителей заряда от границ пленки. Было установлено, что в общем случае рассеяние на границах зерен и поверхностное рассеяние не являются независимыми друг от друга. Два вышеупомянутых механизма рассеяния можно считать независимыми только при больших толщинах пленки.

Проблема применения одновременно двух моделей рассеяния носителей заряда на поверхности пленки и на границах зерен остается пока открытой. В некоторых работах [60, 61] утверждалось, что увеличение сопротивления пленки с уменьшением толщины объясняется не поверхностным рассеянием, а рассеянием на границах зерен. Такие выводы делались на основе того, что температурная зависимость удельного сопротивления пленки выглядела бы иначе, чем у макроскопического образца.

Тем не менее, имеются некоторые работы, где применялись обе модели для объяснения экспериментальных результатов. Так, в [62, 63] исследовались зависимости тангенса угла Холла [62] и постоянной Холла [63] зернистых пленок золота от индукции магнитного поля при температурах 4 - 50 К. Наблюдалось схожее поведение теоретических и экспериментальных зависимостей тангенса угла Холла от индукции магнитного поля: эти зависимости линейные и тангенс угла Холла увеличивается с увеличением толщины пленки и индукции магнитного поля. Но поведение зависимостей постоянной Холла от толщины пленки находится в противоречии с теоретическими результатами: с увеличением толщины постоянная Холла растет, а не уменьшается.

Однако теоретическое описание размерных эффектов, возникающих на границах зерен, таит в себе некоторые проблемы. Как показано в работе [64], модель Маядаса-Шацкеса работает только при слабом рассеянии электронов на границах зерен. В других случаях рассеяние носителей заряда на колебаниях кристаллической решетки и на границах зерен нельзя считать независимыми друг от друга. Поэтому для решения данной задачи невозможно ввести понятия «эффективной» времени релаксации, обусловливающей сразу два вышеупомянутых механизма рассеяния носителей заряда.

Несмотря на то, что теория Фукса во многих случаях согласуется с экспериментальными результатами, эта модель диффузно-зеркальных граничных условий не дает подробного представления о взаимодействии носителей заряда с поверхностью образца. Более того, до середины XX века считалось, что отражение носителей заряда от поверхности металлических образцов происходит практически диффузно [65], поскольку длина волны де Бройля электрона в металлах составляет порядка межатомного расстояния, а характерный размер неровности поверхности много больше длины волны де Бройля носителя. Во второй половине XX века проведен ряд экспериментов, показывающих, что в некоторых случаях отражение носителей заряда не является диффузным. Так, Хайкин впервые обнаружил осцилляции поверхностного импеданса металла в слабых магнитных полях [66]. Эти осцилляции можно объяснить зеркальным отражением электронов, ответственных за появление осцилляций, от поверхности образца [67]. В работах [68, 69] были проведены эксперименты по определению поверхностного сопротивления тонких пленок в слабом магнитном поле методом циклотронного резонанса. Резонанс поверхностного сопротивления наблюдается при совпадении времени свободного пролёта электронов с периодом внешнего поля. Показано, что электроны проводимости отражаются от поверхности пленки зеркально с вероятностью 0,5 - 1. Имеются также экспериментальные работы, подтверждающие зависимость коэффициента зеркального отражения носителей заряда от температуры. Так, в работе [70] установлено, что при низких температурах происходит зеркальное отражение носителей заряда от поверхности цинка и кадмия. При температуре порядка 30 К отражение электронов от поверхности образцов становится практически диффузным. Полный обзор теоретических и экспериментальных результатов теории взаимодействия электронов проводимости с поверхностью металлов приведен в [65, 71].

В работах [52, 72 - 78] исследователями была предпринята попытка теоретически обосновать проблему взаимодействия носителей заряда с поверхностью образца. В частности, обсуждался вопрос о физической интерпретации процесса диффузного рассеяния носителей заряда.

Шриффер в работе [72] показал, что диффузное рассеяние появляется благодаря наличию поверхностных ловушек. Он выделил три причины их возникновения: наличие дефектов в кристаллической структуре вблизи поверхности, что является причиной появления поверхностного потенциала, наличие ионов примеси и хемосорбция, т.е. перенос заряда с химически осажденных на поверхность образца элементов.

Под сомнение также было поставлено утверждение о том, что коэффициент зеркальности, введенный Фуксом, полностью определяется свойствами поверхности образца. Некоторые работы указывают на зависимость коэффициента зеркальности от угла падения носителя заряда на поверхность образца [52, 73 - 75, 78].

Котти в своей модели [52] утверждал, что поверхность состоит из дефектов и «ловушек», где могут задерживаться носители заряда. Энергетический спектр поверхности может быть представлен в виде совокупности потенциальных ям. Электроны движущиеся перпендикулярно поверхности, задерживаются потенциальными ямами и, как следствие, отражение таких носителей заряда будет преимущественно диффузным. Почти скользящие вдоль поверхности носители заряда должны соответственно отражаться зеркально.

В другой работе [73] авторы, основываясь на оптической аналогии, предположили, что коэффициент зеркальности поверхности почти равен единицы для носителей заряда, падающих на поверхность под углами, большими некоторого критического угла. При углах падения, меньших критического, отражение будет диффузным.

Интересные явления, указывающие на ограниченную область применения модели Фукса, наблюдаются в случае, когда изоэнергетическая поверхность материала не имеет сферической симметрии. Так, Хэм и Меттис отметили на примере германия и кремния, что уменьшение проводимости образца с уменьшением его характерного размера наблюдается даже при полностью зеркальном поверхностном отражении носителей заряда [74]. При этом проводимость не уменьшается до нуля, а стремится к некоторому предельному

значению. Пэррот теоретически объяснил данное явление зависимостью коэффициента зеркальности поверхности от волнового вектора электрона [74].

Фальковский из полученной им связи между распределением фазовой функции рассеяния электронов и распределением неровностей поверхности, установил линейную зависимость коэффициента зеркальности поверхности и угла падения носителей заряда на поверхность образца [75].

Грином в работе [76] предпринята попытка сформулировать граничные условия, основанные на более фундаментальных предположениях, чем в модели Фукса. Из рассмотрения задачи о взаимодействии потока электронов с поверхностью образца, он вводит понятие «кинетического» коэффициента зеркальности, определяющего вероятность того, что носитель заряда, падающий под некоторым углом, зеркально отразится от поверхности под тем же углом. «Кинетический» коэффициент зеркальности отличается от коэффициента зеркальности, введенного Фуксом и определяется только степенью обработки поверхности (не зависит от угла падения носителя заряда). Но в случае изотропного рассеяния носителей заряда от границы образца, наблюдающееся при диффузном отражении, «кинетический» коэффициент зеркальности совпадает с коэффициентом зеркальности в модели Фукса.

В другой работе [77] Займан рассматривает поверхностное рассеяние носителей заряда, как отражение электронной волны от поверхности, предположив, что распределение неровностей поверхности подчиняется распределению Гаусса. Он установил, что коэффициент зеркального отражения носителей заряда зависит от отношения среднеквадратичной высоты поверхностного рельефа к длине волны де Бройля носителя заряда. В случае, когда это отношение мало, электронная волна почти не рассеивается, отражаясь от поверхности, и отражение будет почти зеркальным. Если это отношение становится порядка единицы, электронная волна отражается от поверхности с разными фазами и хаотично рассеивается. В этом случае отражение от границы образца будет диффузным.

Соффер в [78] продолжил строить теоретическую модель Займана, обобщив задачу на случай произвольного угла падения носителей заряда на поверхность образца. Он допустил более строгое физическое допущение: сохранение плотности потока электронной волны в момент её отражения от поверхности. Как у Займана, распределение неровностей поверхности подчиняется случайному распределению Гаусса. Таким образом, построена модель, где коэффициент зеркальности зависит от двух параметров: шероховатость поверхности и угол падения носителей заряда на внутреннюю поверхность образца.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Савенко, Олег Владиславович, 2018 год

Список литературы

1. Морохов И. Д. Структура и свойства малых металлических частиц / И. Д. Морохов, В. И. Петинов, Л. И. Трусов // УФН. - 1981. - Т. 133. - Вып. 1. -С. 653-692.

2. Ансельм А. И. Введение в теорию полупроводников / А. И. Ансельм. - М.: Наука, 1978. - 616 с.

3. Лифшиц И. М. Электронная теория металлов / И. М. Лифшиц, М. Я. Азбель, М. И. Каганов. - М.: Наука, 1971. - 415 с.

4. Яровой Г. П. Основы полупроводниковой электроники: Учебное пособие / Г. П. Яровой, П. В. Тяпухин, В. М. Трещев. - Самара: Самарский университет, 2003. - 155 с.

5. Борисенко В. Е. Наноэлектроника: теория и практика / В. Е. Борисенко, А. И. Воробьева, А. Л. Данилюк. - М.: БИНОМ, 2013. - 366 с.

6. Усанов Д. А. Волноводный фотонный кристалл, выполненный в виде диэлектрических матриц с воздушными включениями / Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, М. К. Мерданов // ЖТФ. - 2016. - Т. 86. - Вып. 2. - С. 65-70.

7. Грузинцев А. Н. Изменение отражения света от поверхности монокристаллов 6Н^Ю под действием ультрафиолетового излучения (фотонный транзистор) / А. Н. Грузинцев // ФТТ. - 2012. - Т. 54. - Вып. 12. - С. 2334-2339.

8. Чернега Н. В. Нелинейно-оптические свойства фотонных кристаллов / Н. В. Чернега, А. Д. Кудрявцева // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования - 2009. - № 7. - С. 23-29.

9. Вдовичев С. Н. Керметы как искусственный многофункциональный материал для создания охлаждаемых микроболометров СВЧ-диапазона / С. Н. Вдовичев, В. Ф. Вдовин, А. Ю. Климов // Поверхность. - 2016. - № 4. -С. 100-102.

10. Мастеров Д. В. Полосовые СВЧ-фильтры на пленках высокотемпературного сверхпроводника YBCO / Д. В. Мастеров, С. А. Павлов, А. Е. Парафин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. -2012. - № 6. - С. 40-42.

11. Касаткин Л. В. Полупроводниковые устройства диапазона миллиметровых волн / Л. В. Касаткин / Под ред. Тараненко В. П., Ракитина С. П. -Севастополь: Вебер, 2006. - 319 с.

12. Учайкин В. В. Эффекты памяти и нелинейного транспорта в процессах зарядки-разрядки суперконденсатора / В. В. Учайкин, А. С. Амброзевич, Р. Т. Сибатов // ЖТФ. - 2016. - Т. 86. - Вып. 2. - С. 95-104.

13. Трэвис Б. Интегральные датчики Холла / Б. Трэвис // Инженерная микроэлектроника. - 1998. - № 1. - С. 39-44.

14. Чечерников В. И. Магнитные измерения / В. И. Чечерников / Под ред. Кондорского Е. И. - М.: МГУ. - 1969. - 389 с.

15. Лагарьков А. Н. Фундаментальные и прикладные проблемы стелс-технологий / А. Н. Лагарьков, М. А. Погосян // Вестник РАН. - 2003. - Т. 73. - № 9. - С. 779-787.

16. Траскин К. А. Радиолокационная техника и её применение / К. А. Траскин / Под ред. Берга А. И. - М.: Госэнергоиздат, 1951. - 96 с.

17. Пул Ч. Нанотехнологии / Ч. Пул, Ф. Оуенс. - М.: Техносфера, 2007. - 376 с.

18. Гиваргизов Е. И. Выращивание монокристаллических нанопроволок полупроводников и их потенциальное применение / Е. И. Гиваргизов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. -2007. - № 9. - С. 89-94.

19. Schmidt V. Realization of a silicon nanowire vertical surround-gate field-effect transistor / V. Schmidt, H. Riel, S. Senz // Small. - 2006. - V. 2. - № 1. - P. 85-88.

20. Ng H. T. Single crystal nanowire vertical surround-gate field-effect transistor / H. T. Ng, J. Han, T. Yamada // Nano Lett. - 2004. - V. 4. - № 7. - P. 1247-1252.

21. Huang M. H. Room-temperature ultraviolet nanowire nanolasers / M. H. Huang, S. Mao, H. Feick // Science. - 2001. - V. 292. - P. 1897-1899.

22. Choi H. J. Self-organized GaN quantum wire UV lasers / H. J. Choi, J. C. Jonson, R. He // J. Phys. Chem. B. - 2003. - V. 107. - № 34. - P. 8721-8725.

23. Боченков В. Е. Наноматериалы для сенсоров / В. Е. Боченков, Г. Б. Сергеев // Успехи химии. - 2007. - Т. 76. - Вып. 11. - С. 1084-1093.

24. Pekoz R. First-principles design of efficient solar cells using two-dimensional arrays of core-shell and layered SiGe nanowires / R. Pekoz, O. B. Malcioglu, J. Y. Raty // Phys. Rev. B. - 2011. - V. 83. - P. 035317-1-6.

25. Андреев В. М. Концентраторные модули нового поколения на основе каскадных солнечных элементов: конструкция, оптические и температурные свойства / В. М. Андреев, Н. Ю. Давидюк, Д. А. Малевски // ЖТФ. - 2014. -Т. 84. - Вып. 11. - С. 72-79.

26. Бетекбаев А. А. Сравнение характеристик солнечных элементов, изготовленных из мультикристаллического кремния, и кремния, полученного по технологии moonlike / А. А. Бетекбаев, Б. Н. Мукашев, L. Pelissier // ФТП. - 2016. - Т. 50. - Вып. 8. - С. 1106-1112.

27. Хрипунов Г. С. Влияние наноразмерных слоев диоксида олова на эффективность пленочных солнечных элементов на основе CdS/CdTe / Г. С. Хрипунов, А. В. Пирогов, Т. А. Горстка // ФТП. - 2015. - Т. 49. - Вып. 3. -С. 406-412.

28. Саченко А. В. Особенности фотопреобразования в высокоэффективных кремниевых солнечных элементах / А. В. Саченко, А. И. Шкребтий, Р. М. Коркишко // ФТП. - 2015. - Т. 49. - Вып. 2. - С. 271-277.

29. Аболмасов С. Н. Гетероструктурные солнечные элементы на основе монокристаллического кремния с контактной сеткой, напечатанной на принтере методом струйной печати / С. Н. Аболмасов, А. С. Абрамов, Г. А. Иванов // ПЖТФ. - 2017. - Т. 43. - Вып. 1. - С. 74-79.

30. Чопра К. Л. Электрические явления в тонких плёнках / К. Л. Чопра / Под ред. Шермергора Т. Д. - М.: Мир, 1972. - 424 с.

31. Абелес Ф. Оптические свойства металлических пленок. Физика тонких пленок / Ф. Абелес / Под ред. Франкомба М. К. и Гофмана Р. У. - Т. 2. - М.: Мир, 1973. - 392 с.

32. Tellier C. R. Size effects in thin films / C. R. Tellier, A. J. Tosser. - Amsterdam; Oxford; New-York: Elsevier Sci. Publ. Com., 1982. - 310 p.

33. Кравченко А. Ф. Явления переноса в полупроводниковых плёнках / А. Ф. Кравченко, В. В. Митин, Э. М. Скок. - Новосиб.: Наука, Сиб. отд., 1979. -256 с.

34. Ларсон Д. К. Размерные эффекты в электропроводности тонких металлических плёнок и проволок. В кн.: Физика тонких плёнок / Д. К. Ларсон. - Т. 6. - М.: Мир, 1973. - C. 97-170.

35. Суху Р. Магнитные тонкие пленки / Р. Суху. - М.: Мир, 1967. - 423 с.

36. Хасс Г. Физика тонких пленок / Г. Хасс. - Т. 2. - М.: Мир, 1967. - 343 с.

37. Мансуров Г. Н. Электрохимия тонких металлических плёнок. Монография / Г. Н. Мансуров, О. А. Петрий. - М.: МГОУ, 2011. - 351 с.

38. Аскеров Б. М. Электронные явления переноса в полупроводниках / Б. М. Аскеров. - М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1985. - 320 с.

39. Комник Ю. Ф. Физика металлических пленок. Размерные и структурные эффекты / Ю. Ф. Комник. - М.: Атомиздат, 1979. - 264 с.

40. Thomson J. J. On the theory of electric conduction through thin metallic films / J. J. Thomson // Proc. Cambridge Philos. Soc. - 1901. - V. 11. - № 1. -P. 120-123.

41. Fuchs K. The conductivity of thin metallic films according to the electron theory of metals / K. Fuchs // Proc. Cambridge Phil. Soc. - 1938. - V. 34. - № 1. -P. 100-108.

42. Choi D. Electron mean free path of tungsten and the electrical resistivity of epitaxial (110) tungsten films / D. Choi, C. S. Kim, D. Naveh // Phys. Rev. B. -2012. - V. 86. - P. 045432-1-5.

43. Kästle G. Size effect of the resistivity of thin epitaxial gold films / G. Kästle, H. G. Boyen, A. Schröder // Phys. Rev. B. - 2004. - V. 70. - P. 165414-1-6.

44. Luo E. Z. Surface roughness and conductivity of thin Ag films / E. Z. Luo, S. Heun, M. Kennedy // Phys. rev. B. - 1994. - V. 49. - P. 4858-4865.

45. Рогачёва Е. И. Размерные эффекты в тонких плёнках PbSe / Е. И. Рогачёва, О. Н. Нащекина, С. И. Ольховская // Термоэлектричество. - 2012. - № 4. -С. 27-35.

46. Chawla J. S. Epitaxial TiN(001) wetting layer for growth of thin single-crystal Cu(001) / J. S. Chawla, X. Y. Zhang, D. Gall // J. of Appl. Phys. - 2011. - V. 110.

- P. 043714-1-5.

47. Shusterman Y. V. Ultra-thin epitaxial Al and Cu films on CaF2/Si(111) / Y. V. Shusterman, N. L. Yakovlev, L. J. Schowalter // Appl. Surf. Sc. - 2001. - V. 175.

- P. 27-32.

48. Антонец И. В. Особенности наноструктуры и удельной проводимости тонких пленок различных металлов / И. В. Антонец, Л. Н. Котов, С. В. Некипелов // ЖТФ. - 2004. - Т. 74. - Вып. 3. - С. 24-27.

49. Антонец И. В. Проводящие и отражающие свойства тонких металлических пленок / И. В. Антонец, Л. Н. Котов, С. В. Некипелов // ЖТФ. - 2004. - Т. 74.

- Вып. 11. - С. 102-106.

50. Lucas M. S. P. Electrical conductivity of thin metallic films with unlike surfaces / M. S. P. Lucas // J. Appl. Phys. - 1965. - V. 36. - P. 1632-1635.

51. Juretschke H. J. Electrical conductivity of thin metallic films with unlike surfaces / H. J. Juretschke // J. Appl. Phys. - 1966. - V. 37. - № 1. - P. 435.

52. Cottey A. A. The electrical conductivity of thin metal films with very smooth surfaces / A. A. Cottey // Thin Solid Films. - 1968. - V. 1. - № 4. - P. 297-307.

53. Sondheimer E. H. The influence of a transverse magnetic field on the conductivity of thin metallic films / E. H. Sondheimer // Phys. Rev. - 1950. - V. 80. -P. 401406.

54. Sondheimer E. H. The mean free path of electrons in metals / E. H. Sondheimer // Adv. in Phys. - 2001. - V. 50. - № 6. - P. 499-537.

55. Гуревич В. Л. Осцилляции проводимости металлических пленок в магнитном поле / В. Л. Гуревич // ЖЭТФ. - 1958. - Т. 35. - Вып. 3. - С. 668677.

56. Гришин А. М. Кратные осцилляции Зондгеймера в пластинах вольфрама с атомно чистыми поверхностями / А. М. Гришин, П. П. Луцишин, Ю. С. Остроухов // ЖЭТФ. - 1979. - Т. 76. - № 4. - С. 1325-1341.

57. Полников В. Г. Гальваномагнитные явления в тонких проводящих слоях / В. Г. Полников, В. А. Рябошапко // ЖЭТФ. - 1974. - Т. 67. - Р. 712-721.

58. Mayadas A. F. Electrical resistivity model for polycrystalline films: the case of specular reflection at external surfaces / A. F. Mayadas, M. Shatzkes, J. F. Janak // Appl. Phys. Lett. - 1969. - V. 14. - № 11. - P. 345-347.

59. Mayadas A. F. Electrical resistivity model for polycrystalline films: the case of arbitrary reflection at external surfaces / A. F. Mayadas, M. Shatzkes // Phys. Rev. B. - 1970. - V. 1. - № 4. - P. 1382-1389.

60. Steinhögl W. Size-dependent resistivity of metallic wires in the mesoscopic range / W. Steinhögl, G. Schindler, G. Steinlesberger // Phys. Rev. B. - 2002. -V. 66. - № 7. - P. 1-4.

61. Marom H. The contribution of grain boundary scattering versus surface scattering to the resistivity of thin polycrystalline films / H. Marom, M. Ritterband, M. Eizenberg // Thin Solid Films. - 2006. - V. 510. - № 1-2. - P. 62-67.

62. Munoz R. C. Size effects under a strong magnetic field: Hall effect induced by electron-surface scattering on thin gold films deposited onto mica substrates under high vacuum / R. C. Munoz, J. P. Garcia, R. Henriquez // Phys. Rev. Lett. - 2006. - V. 96. - P. 206803-1-4.

63. Henriquez R. Size effects on the Hall constant in thin gold films / R. Henriquez, S. Oyarzun, M. Flores // J. Appl. Phys. - 2010. - V. 108. - P. 123704-1-6.

64. Vancea J. Mean-free-path concept in polycrystalline metals / J. Vancea, G. Reiss, H. Hoffmann // Phys. Rev. B. - 1986. - V. 35. - № 12. - P. 6435-6437.

65. Андреев А. Ф. Взаимодействие проводящих электронов с поверхностью металла / А. Ф. Андреев // УФН. - 1971. - Т. 105. - С. 113-124.

66. Хайкин М. С. Осцилляторная зависимость поверхностного сопротивления металла от слабого магнитного поля / М. С. Хайкин // ЖЭТФ. - 1960. - Т. 39. - С. 212-214.

67. Nee T. W. Quantum spectroskopy of the low field oscillations of the surface impedance / T. W. Nee, R. E. Prange // Phys. Rev. Lett. - 1967. - V. 25A. - P. 582.

68. Хайкин М. С. Магнитные поверхностные уровни / М. С. Хайкин // УФН. -1968. - Т. 96. - № 3. - С. 409-440.

69. Prange R. E. Quantum spectroscopy of the low-field oscillations in the surface impedance / R. E. Prange, T. W. Nee // Phys. Rev. - 1968. - V. 168. - № 3. -P. 779-786.

70. Гайдуков Ю. П. Температурная зависимость коэффициента зеркального отражения электронов проводимости от поверхности цинка и кадмия / Ю. П. Гайдуков, Я. Кадлецова // ЖЭТФ. - 1970. - Т. 59. - № 3. - С. 700-711.

71. Гайдуков Ю. П. Электронные свойства вискеров / Ю. П. Гайдуков // УФН. -1984. - Т. 142. - Вып. 4. - С. 571-597.

72. Schrieffer J. R. Effective carrier mobility in surface-space charge layers / J. R. Schrieffer // Phys. Rev. - 1955. - V. 97. - № 3. - P. 641-646.

73. Brandli G. Calculations of charge transport in thin films / G. Brandli, P. Cotti // Helv. Phys. Acta. - 1965. - V. 38. - P. 801.

74. Parrott J. E. A new theory of the size effect in electrical conduction / J. E. Parrott // Proc. Phys. Soc. - 1965. - V. 85. - № 6. - P. 1143-1155.

75. Falkovsky L. A. Transport phenomena at metal surfaces / L. A. Falkovsky // Adv. in Phys. - 1983. - V. 32. - № 5. - P. 753-789.

76. Greene R. F. Boundary conditions for electron distributions at crystal surfaces / R. F. Greene // Phys. Rev. - 1966. - V. 141. - № 2. - P. 687-689.

77. Займан Дж. Электроны и фононы / Дж. Займан. - М.: ИЛ, 1962. - 488 с.

78. Soffer S. B. Statistical Model for the Size Effect in Electrical Conduction / S. B. Soffer // J. Appl. Phys. - 1967. - V. 38. - № 4. - P. 1710-1715.

79. Sambles J. R. The resistivity of thin metal films - some critical remarks / J. R. Sambles // Thin Solid Films. - 1983. - V. 106. - P. 321-331.

80. Chambers R. G. The conductivity of thin wires in a magnetic field / R. G. Chambers // Proc. Roy. Soc. London. - A. 1950. - V. 202. - P. 378-394.

81. Lacy F. Developing a theoretical relationship between electrical resistivity, temperature, and film thickness for conductors / F. Lacy // Nanoscale Research Letters. - 2011. - № 6. - P. 636-1-14.

82. Way Y. S. Longitudinal magnetoresistance of thin metallic films with partially specular boundary scattering / Y. S. Way, Y. H. Kao // Phys. Rev. B. - 1972. -V. 5. - № 6. - P. 2039-2046.

83. Munoz R. C. Longitudinal magnetoresistance of thin gold films deposited on mica arising from electron-surface scattering / R. C. Munoz, M. A. Suarez, S. Oyarzun // Phys. Rev. B. - 2010. - V. 81. - 165408-1-6.

84. Namba Y. Resistivity and temperature coefficient of thin metal films with rough surface / Y. Namba // Jap. J. Appl. Phys. - 1970. - V. 9. - № 11. - P. 1316-1317.

85. Завитаев Э. В. Высокочастотная проводимость тонкой прямоугольной проволоки из металла / Э. В. Завитаев, А. А. Юшканов // ЖЭТФ. - 2006. Т. 129. - Вып. 5. - С. 938-944.

86. Завитаев Э. В. Высокочастотная проводимость тонкой цилиндрической проволоки из металла / Э. В. Завитаев, А. А. Юшканов // Микроэлектроника. - 2008. - Т. 37. - № 6. - С. 429-438.

87. Кузнецова И. А. Высокочастотная проводимость тонкой полупроводниковой цилиндрической проволоки / И. А. Кузнецова, А. А. Юшканов, Р. Р. Хадчукаев // Микроэлектроника. - 2008. - Т. 37. - № 4. - С. 270-277.

88. Кузнецова И. А. Влияние поверхностного рассеяния носителей заряда на высокочастотную проводимость тонкой полупроводниковой проволоки / И. А. Кузнецова, Р. Р. Хадчукаев, А. А. Юшканов // ФТТ. - 2009. - Т. 51. -Вып. 10. - С. 2022-2027.

89. Кузнецова И. А. Высокочастотная проводимость тонкой полупроводниковой цилиндрической проволоки при произвольной температуре / И. А. Кузнецова, А. А. Юшканов, Р. Р. Хадчукаев // ФТП. - 2009. - Т. 43. - Вып. 5. - С. 645650.

90. Кузнецова И. А. Кинетическое описание электрических свойств тонких проводящих цилиндрических проволок и мелких частиц / И. А. Кузнецова, Р. Р. Хадчукаев // Вестник Академии наук Чеченской Республики. - 2013. -№ 3 (20). - С. 11-18.

91. Кузнецова И. А. Влияние механизма поверхностного рассеяния электронов на высокочастотную проводимость тонкой металлической проволоки / И. А. Кузнецова, А. В. Чапкин, А. А. Юшканов // Микроэлектроника. - 2011. -Т. 40. - № 1. - С. 45-51.

92. Завитаев Э. В. Электрическая проводимость тонкой цилиндрической проволоки в продольном магнитном поле / Э. В. Завитаев, А. А. Юшканов // ЖТФ. - 2007. - Т. 77. - № 6. - С. 139-142.

93. Завитаев Э. В. Зависимость электрической проводимости тонкой цилиндрической проволоки в продольном магнитном поле от характера отражения электронов / Э. В. Завитаев, А. А. Юшканов // ЖЭТФ. - 2006. -Т. 130. - № 5. - С. 887-895.

94. Завитаев Э. В. К вопросу о применении моментного метода для расчёта электрической проводимости тонкой цилиндрической проволоки из металла / Э. В. Завитаев, О. В. Русаков, А. А. Юшканов // Вестник МГОУ. Серия: Физика-Математика. - 2011. - № 3. - С. 83-89.

95. Завитаев Э. В. Скин-эффект в тонкой цилиндрической проволоке из металла / Э. В. Завитаев, О. В. Русаков, А. А. Юшканов // ФТТ. - 2012. - Т. 54. - Вып. 6.

- С. 1041-1047.

96. Завитаев Э. В. К вопросу об отклонении от закона Видемана-Франца в тонкой цилиндрической проволоке из металла / Э. В. Завитаев, О. В. Русаков, А. А. Юшканов // Вестник МГОУ. Серия: Физика-Математика. - 2012. - № 2.

- С. 122-131.

97. Латышев А. В. Плазма в слое металла во внешнем высокочастотном электрическом поле / А. В. Латышев, А. А. Юшканов // ЖТФ. - 2008. - Т. 78.

- № 5. - С. 29-37.

98. Березкина С. В. Поведение электронной плазмы в тонкой металлической пластине в переменном электрическом поле / С. В. Березкина, И. А. Кузнецова, А. А. Юшканов // ЖТФ. - 2006. - Т. 76. - № 5. - С. 1-7.

99. Уткин А. И. Распределение электрического тока в тонком металлическом слое под действием переменного электрического поля / А. И. Уткин // Вестник Московского государственного областного университета. Серия: Физика-математика. - 2014. - № 3. - С. 38-45.

100. Уткин А. И. Распределение электрического тока в тонком металлическом слое при различных коэффициентах зеркальности на поверхностях / А. И. Уткин, А. А. Юшканов // ЖТФ. - 2016. - Т. 86. - № 10. - С. 15-19.

101. Уткин А. И. Расчет электрической проводимости тонкого металлического слоя в случае различных коэффициентов зеркальности его поверхностей / А. И. Уткин, Э. В. Завитаев, А. А. Юшканов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2016. - № 9. - С. 85-91.

102. Уткин А. И. Влияние коэффициентов зеркальности на проводимость тонкого металлического слоя в случае неоднородного, периодического по времени электрического поля / А. И. Уткин, А. А. Юшканов // Микроэлектроника. -2016. - Т. 45. - № 5. - С. 386-395.

103. Уткин А. И. Влияние коэффициентов зеркальности на взаимодействие Н-волны с тонкой металлической пленкой / А. И. Уткин, А. А. Юшканов // Оптика и спектроскопия. - 2014. - Т. 117. - № 4. - С. 650-654.

104. Мирошниченко В. И. Влияние смешанного отражения электронов от границы на отражение наклонной электромагнитной волны в условиях аномального скин-эффекта / В. И. Мирошниченко, Остроушко В. Н. // Электромагнитные явления. - 2001. - Т. 2. - №3(7). - С. 324-330.

105. Курант Р. Уравнения с частными производными / Р. Курант. - М.: Мир, 1964. - 830 с.

106. Ландау Л. Д. Теоретическая физика / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. - Т.8. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2005. - 656 с.

107. Bid A. Temperature dependence of the resistance of metallic nanowires of diameter D > 15 nm: applicability of Bloch-Gruneisen theorem / A. Bid, A. Bora, A. K. Raychaudhuri // Phys. Rev. B. - 2006. - V. 74. - P. 035426-1-8.

108. Kuckhermann V. Influence of the real Fermi surface on the longitudinal magnetoresistance size effect of single crystal copper whiskers / V. Kuckhermann, G. Thummes, H. H. Mende // Phys. Stat. Sol. (a). - 1982. - V. 73. - P. 439-445.

109. Малков М. П. Справочник по физико-техническим основам криогеники / М. П. Малков, И. Б. Данилов, А. Г. Зельдович. - М.: Энергоатомиздат, 1985. -432 с.

110. MacDonald D. K. C. The magneto-resistance of the alkali metals / D. K. C. MacDonald // Proc. Phys. Soc. A. - 1950. - V. 63. - № 3. - P. 290-291.

111. Brandt T. Temperature- and frequency-dependent optical properties of ultrathin Au films / T. Brandt, M. Novel, B. Gompf // Phys. Rev. B. - 2008. - V. 78. -P. 205409-1-7.

112. Кикоин И. К. Таблицы физических величин / И. К. Кикоин. - М.: Атомиздат, 1976. - 1008 с.

Публикации автора по теме диссертации.

Статьи в ведущих журналах, включенных в перечень ВАК:

113. Кузнецова И. А. Влияние граничных условий на электропроводность тонкой цилиндрической проволоки / И. А. Кузнецова, О. В. Савенко, А. А. Юшканов // Микроэлектроника. - 2016. - Т. 45. - № 2. - С. 126-134.

114. Савенко О. В. Расчет высокочастотной электропроводности и постоянной Холла для тонкой металлической пленки / О. В. Савенко // Вестник МГОУ. Серия: Физика-Математика. - 2016. - № 4. - С. 43-55.

115. Кузнецова И. А. Расчёт высокочастотной электропроводности тонкого полупроводникового слоя в случае различных коэффициентов зеркальности его поверхностей / И. А. Кузнецова, Д. Н. Романов, О. В. Савенко // Микроэлектроника. - 2017. - Т. 46. - № 4. - С. 275-283.

116. Кузнецова И. А. Влияние граничных условий на электрические и гальваномагнитные свойства тонкой металлической пленки / И. А. Кузнецова, О. В. Савенко, А. А. Юшканов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2017. - № 11. - С. 52-60.

Другие публикации:

117. Savenco O. V. The high-frequency conductivity of a thin semiconductor wire in the longitudinal magnetic field / O. V. Savenco, I. A. Kuznetsova, A. A. Yushkanov // Journal of Physics: Conference Series. - 2015. - V. 643. - P. 120901-6.

118. Savenco O. V. The conductivity of a thin semiconductor wire in the longitudinal magnetic field / O. V. Savenco, I. A. Kuznetsova. - «Saint-Petersburg OPEN 2015». 2nd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Book of abstracts / Ed. by Alferov Zh. I., Zhukov A. E., Korenev V. V. - 2015. - P. 261-262.

119. Романов Д. Н. Расчет высокочастотной электропроводности тонкого полупроводникового слоя в случае различных коэффициентов зеркальности его поверхностей / Д. Н. Романов, О. В. Савенко. - Материалы 23-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2016». - М.: МИЭТ, 2016. -С. 143.

120. Романов Д. Н. Расчет высокочастотной электропроводности тонкого полупроводникового слоя в случае различных коэффициентов зеркальности его поверхностей / Д. Н. Романов, О. В. Савенко, И. А. Кузнецова. -«Микроэлектроника и информатика - 2016», материалы научно-технической конференции. - М.: МИЭТ, 2016. - С. 52-57.

121. Кузнецова И. А. Влияние размерных эффектов на высокочастотную проводимость и постоянную Холла для тонкой металлической пленки / И. А. Кузнецова, О. В. Савенко, А. А. Юшканов. - «Физические свойства материалов и дисперсных сред для элементов информационных систем,

наноэлектронных приборов и экологичных технологий»: сборник тезисов Международной конференции (14 и 21 апреля 2016 г.) / Под ред. Беляева В. В. - М: ИИУ МГОУ, 2016. - С. 23-26.

122. Савенко О. В. Расчёт высокочастотной проводимости и постоянной Холла для тонкой металлической плёнки с учётом диффузно-зеркальных граничных условий / О. В. Савенко. - Путь в науку: физика. Материалы международной молодежной научно-практической конференции / Под ред. Зимина С. П. -Ярославль: ЯрГУ, 2016. - С. 26.

123. Savenko O. V. Calculation of the high-frequency conductivity and the Hall constant of a thin semiconductor film / O. V. Savenko, D. N. Romanov, I. A. Kuznetsova. - Micro- and Nanoelectronics - 2016: Proceedings of the International Conference (October 3 - 7, 2016, Zvenigorod, Russia): Book of Abstracts / Ed. by Lukichev V. F., Rudenko K. V. - M.: MAKS Press, 2016. - P. 148.

124. Savenko O. V. Calculation of the high-frequency conductivity and the Hall constant of a thin semiconductor film / O. V. Savenko, D. N. Romanov, I. A. Kuznetsova // Proceedings of SPIE 10224, International Conference on Micro- and Nanoelectronics 2016. - 2016. - V. 10224. - P. 1022413-1-13.

125. Савенко О. В. Расчет высокочастотной электропроводности и постоянной холла для тонкого проводящего слоя с учетом различных коэффициентов зеркальности его поверхностей. / О. В. Савенко, И. А. Кузнецова, А. А. Юшканов. - «Физические свойства материалов и дисперсных сред для элементов информационных систем, наноэлектронных приборов и экологичных технологий»: сборник тезисов Международной конференции (18 и 20 апреля 2017 г.) / Под ред. Беляева В. В. - М.: ИИУ МГОУ, 2018. С.