Влияние поверхностно-чувствительных воздействий на оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdS и CdSe тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Сумьянова, Елена Владимировна

• Сумьянова, Елена Владимировна
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Сумьянова, Елена Владимировна

Введение

Глава 1 ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

П.1 Оптические и фотоэлектрические свойства прямозонных полупроводников в области края фундаментального поглощения

П.2 Приповерхностные радиационные дефекты и оптические спектры экситонов в полупроводниках

П.З Влияние поверхностно-чувствительных воздействий на фотоэлектрические спектры полупроводниковых кристаллов

П.4 Примесные максимумы фотопроводимости

ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ

Глава 2 МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА П. 1 Экспериментальные установки

П.1.1 Экспериментальная установка измерения оптических спектров

П. 1.2 Экспериментальная установка для измерения спектров ФП

П.2 Особенности использованных методик

П.2.1 Электронная бомбардировка.

П.2.2 Эффект поля.

П.2.3 Лазерное облучение

Стр. 35 Стр.

Стр.48 Стр.

Стр. 53 Стр.65 Стр.

Глава 3 ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ БОМБАРДИРОВКИ И ОТЖИГА

НА ОПТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ КРИСТАЛЛОВ CdS И CdS п. 3.1.1 Влияние ЭБ на оптические экситонные спектры кристаллов CdSe и Сё8(экспериментальные результаты) Стр. п. 3.1.2. Радиационная стойкость и спектры связанных экситонов кристаллов CdS и CdSe (Обсуждение результатов) Стр. п. 3.2.1 Люминесценция связанных экситонов в кристаллах CdS и CdSe, подвергнутых высокодозовому облучению электронами. экспериментальные результаты) Стр. п. 3.2.2. Природа коротковолнового хвоста линии связанных экситонов, индуцированных электронной бомбардировкой (обсуждение результатов) Стр.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние поверхностно-чувствительных воздействий на оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdS и CdSe»

Изучение влияния поверхности и приповерхностной области на оптические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых кристаллов представляет собой актуальную проблему. Актуальность этой проблемы связана, в первую очередь, с потребностями современной микро- и оптоэлектроники. Она связана также с необходимостью дальнейшего развития новых перспективных методов исследования поверхности и границ раздела в полупроводниках и полупроводниковых гомо- и гетероструктурах, играющих исключительно важную роль в современной науке и технике.

Особое место среди этих методов занимает оптическая и фотоэлектрическая экситонная спектроскопия поверхности и приповерхностной области полупроводника. Высокая чувствительность и неразрушающий характер метода, его информативность и экспрессность делают этот метод уникальным для научных и практических целей. Вместе с тем, широкое применение метода экситонной спектроскопии в научных и практических целях сдерживается все еще недостаточной разработкой фундаментальных вопросов о механизмах взаимодействия экситонов с поверхностью и приповерхностной областью полупроводника, а также вопросов, связанных с формированием особенностей в экситонных спектрах, обусловленных этими механизмами.

Все вышесказанное определяет актуальность настоящей диссертационной работы, посвященной исследованию влияния поверхностно-чувствительных воздействий на оптические спектры и спектры фотопроводимости (ФП) полупроводниковых кристаллов CdS и CdSe в области края поглощения.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Генерация и преобразование дефектов в кристаллах CdS и CdSe при ЭБ низкоэнергетическими электронами и последующем термическом отжиге определяются исходным набором дефектов.

2. Процесс радиационного дефектообразования в кристаллах CdS и CdSe можно контролировать по спектрам связанных экситонов.

3. Приповерхностное электрическое поле может определять тип ТС спектров ФП полупроводника.

4. ТС низкотемпературных спектров ФП является высокочувствительным инструментом исследования зарядово-дефектного состояния приповерхностного слоя полупроводниковых кристаллов типа CdS.

5. Облучение кристалла CdS в воде собственным светом приводит к «легированию» приповерхностного слоя дефектами структуры и формированию приповерхностного флуктуационного потенциала.

Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения, изложенных на 178 страницах машинописного текста, из них 37 рисунков и 20- списка литературы из 155 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Сумьянова, Елена Владимировна

Основные результаты и выводы

1. Исследовано влияние излучения He-Cd лазера на кристаллы CdS в присутствии воды. Показано, что в результате такого воздействия

A) изменяется тонкая структура спектров ФП;

B) возникает дополнительный максимум фототока (ДМ2) в спектральной области 525-530 нм;

C) Возникает новая полоса в спектрах ФЛ при Т=4.2 К в области 485-510 нм (LSj-полоса).

2. Проведены спектрально-временные, температурные исследования LSp полосы ФЛ, изучено влияние интенсивности возбуждения на ее проявление в спектре. Было обнаружено, что

1)полоса имеет асимметричную форму с протяженным длинноволновым хвостом,

2)излучение в полосе преимущественно поляризовано в плоскости ELC, при этом степень поляризации излучения монотонно уменьшается от 90% в коротковолновой области полосы до 15% - 20% в длинноволновой,

3) с повышением температуры от 4.2 К до 60 К полоса уменьшается по интенсивности, а её максимум смещается в длинноволновую сторону относительно линий 12 и 1з; при Т>60 К полоса в спектре ФЛ не наблюдается,

4) с увеличением интенсивности возбуждающего света максимум полосы смещается в коротковолновую сторону,

5) кинетика послесвечения в полосе существенно неэкспоненциальна,

6) с увеличением времени задержки т максимум полосы смещается в длинноволновую сторону,

7) для полосы характерен широкий интервал времен затухания послесвечения, простирающийся от нано - до миллисекунд,

8) полоса практически не чувствительна к внешнему поперечному электрическому полю

3. Изменение оптических и фотоэлектрических спектров носит локальный характер, т.е. проявляется только при возбуждении участка образца, подвергнутого облучению.

4. Предполагается, что облучение CdS в воде собственным светом приводит к заряжению поверхности и «легированию» приповерхностного слоя дефектами структуры. Этим может быть объяснено изменение типа ТС в спектре ФП.

5. Предложена модель, объясняющая свойства спектральных особенностей LSi и ДМ2. В рамках этой модели

- LSj- полоса ФЛ формируется, в основном, излучательными переходами между приповерхностными «хвостами» зон, возникающими в результате лазерного «легирования» приповерхностного слоя заряженными дефектами.

- максимум фототока ДМ2 обусловлен фотодеионизацией акцепторных состояний, возникающих при облучении кристалла He-Cd лазером в присутствии воды. В качестве акцепторов могут выступать собственные дефекты (атомы междоузельной серы и вакансии кадмия).

ЗАКЛЮЧЕНИЕ Основные результаты и выводы

I. В кристаллах CdS и CdSe исследовано влияние ЭБ низкоэнергетическими электронами при температуре Т=4.2К, а также последующего отжига кристалла при комнатной температуре на оптические спектры ЭПК. В результате:

1) обнаружены характерные изменения оптических спектров ЭПК на нейтральных донорах, обусловленные ростом концентрации собственно-дефектных донорных центров;

2) установлена четкая корреляция между устойчивостью (неустойчивостью) кристалла к воздействию ЭБ и наличием (отсутствием) в экситонных спектрах линии ЭПК на нейтральном акцепторе (S;, Sej), что позволяет использовать спектры ЭПК для оценки радиационной стойкости кристалла;

3) предложена модель, объясняющая различие в радиационной стойкости двух групп кристаллов различием в них условий миграции радиационных дефектов: подавление миграции последних приводит к повышению степени устойчивости кристалла к дефектообразующей радиации;

4) показано, что спектры ЭПК в кристаллах CdS и CdSe являются чувствительным инструментом для изучения процессов образования и миграции радиационных дефектов, а также эффектов перестройки энергетического спектра примесно-дефектных состояний вблизи поверхности полупроводника.

II. Исследовано влияние ПЭП и ЭБ электронами с энергией 4 кэВ на спектры низкотемпературной(77К) краевой ФП кристаллов CdS. В результате:

1) впервые экспериментально доказана важная роль приповерхностного изгиба зон в формировании ТС в спектре ФП полупроводника;

2) показано, что эффекты приповерхностного изгиба зон в спектрах ФП обусловлены его влиянием на скорость поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда, а, следовательно, и на их время жизни;

3) установлено, что межзонные фототермические переходы через уровни приповерхностных собственно-дефектных донорных центров могут создавать фотоактивный фон, приводящий к сглаживанию ТС спектра ФП;

4) показано, что трансформация спектров ФП под воздействием ЭБ обусловлена эффектами радиационно-стимулированной десорбции и радиационного дефектообразования. ТС спектра ФП является чувствительным индикатором зарядово-дефектного состояния приповерхностного слоя полупроводника.

III. Исследованы низкотемпературные спектры ФП и ФЛ кристаллов CdS, подвергнутых облучению в воде излучением He-Cd лазера. В результате:

1) установлено, что лазерное воздействие в присутствии воды приводит к радикальным изменениям спектров ФЛ и ФП, обусловленным эффектом лазерного «легирования» приповерхностного слоя полупроводника дефектами структуры;

2) показано, что приповерхностные структурные дефекты, возмущая энергетический спектр полупроводника, могут приводить к ярким спектральным особенностям в виде интенсивных краевых полос ФЛ и фототока.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Сумьянова, Елена Владимировна, 2006 год

1. Френкель- .Phys.Rev., 51,191,(1937)

2. Mott N.F. Energy levels in real and ideal crystals.- Proc.Royal Soc., v. 167, №930,(1938), p.473-480/

3. Wannier G.H. The structure of electronic excitation levels in insoluting crystals- Phys.Rev., v.52, №3 (1937), p.191-197.

4. Криволапчук B.B., Пермогоров C.A., Травников B.B. Зависимость времени жизни и длины диффузии свободных экситонов от интенсивности возбуждающего света. ФТТ. 1981, т.23, №2, с.606-609.

5. Гросс Е.Ф., Каррыев Н.А. Поглощение света кристаллом закиси меди в инфракрасной и видимой части спектра -ДАН СССР, 1952, т.84, №2, с.261-266

6. Гросс Е.Ф., Якобсон М.А. Сложная структура края основного поглощения кристалла сернистого кадмия.- ДАН СССР, 1955, т. 102, с.485-490.

7. Thomas D.G. The exciton spectrum of ZnO. J. Phys.Chem.Solids, 1960, v.15, N1, p.86-96

8. Гросс Е.Ф., Соболев B.B. Спектры поглощения и излучения экситонов в кристалле селенистого кадмия- ЖТФ, 1956, т.26 с. 1622-1624

9. Гросс Е.Ф., Суслина Л.Г. Монокристаллы ZnS и спектр их края поглощения при низких температурах. Опт. и Спектр., 1959, т.6, с. 115-117

10. Ю.Агранович В.М. Теория экситонов. М., «Наука», 1968

11. П.Гросс Е.Ф., Пермогоров С.А., Разбирин Б.С. Аннигиляция экситонов и экситон-фононное взаимодействие.- УФН, 1971, т. 103, с.431-446

12. Федосеев В.Г., Хижняков В.В. К теории непрямых переходов в экси-тонной люминесценции.- Изв.АН ЭССР, сер.физ-мат., 1970, т. 19, №1, с.34-43

13. Батырев А.С., Джамбинов В.В., Чередниченко А.Е. Особенности контуров экситонного отражения света кристаллов GaAs ФТТ, 1997, т.39, №4, с.610-612

14. Hopfield J.J., Thomas D.G. Theoretical and Experimental Effects of Spatial Dispersion on the Optical Properties of Crystals. Phys.Rev. 1963, v. 132, p.563-572

15. Lambert M.A. Mobil and immobile effective-mass-particle complexes in non-metallic solids -Phys.Rev.Lett. 1958,v.l, p.450-453/

16. Hopfleld J.J. The quantum chemistry of bound exciton complexes Proc. Of 7th Int. Conf. On Phys. Of Semic.Paris.l964.P.725-734.

17. Гросс Е.Ф., Пермогоров С.А., Резницкий A.H., Усаров Е.Н. Экситон-ные спектры сильно легированных монокристаллов CdS. -ФТП. 1973.Т.7, с.1255-1262.

18. Gross E.F., Razbirin B.S., Fedorov V.B. and Naumov Yu.P. Bound exciton complexes in CdSe crystals. Phys.Stat.Sol., 1968, v.30, p.485-494.

19. Рашба Э.И., Гургеншвили Г.Э. К теории краевого поглощения в полупроводниках. ФТТ , 1962, т.4, с. 1029-1031

20. Тимофеев В.Б., Яловец Т.Н. Аномальная интенсивность экситонно-примесного поглощения в кристаллах CdS.- ФТТ, 1972, т. 14, с.481-485

21. Гросс Е.Ф., Каплянский А.А., Новиков Б.В. Фотопроводимость, излучение и поглощение света в кристаллах CdS.- ЖТФ, 1956, т.26, с.697-700.

22. Voigt J. and Ost E. On the dynamical behavior of excitons in CdS single crystals. Phys.Stat.Sol., 33(1969), p.381-389

23. Бьюб P. Фотопроводимость твердых тел. M., Изд.ин.лит., 1962, 558с

24. Lashkarev V.E., Salkov Е.А. and Khvostov V.A.- Proc.3-rd Int.Conf.Photoconductivity, Stanford, 1969, p. 111-115

25. Батырев А.С., Чередниченко А.Е., Лиджиев Б.С. Спектральные кривые фотоотклика GaAs на границе с металлом в области экситонного поглощения света Вестник СпбГу, сер.4, 1999, вып.1 №4, стр.92-95

26. Бродин М.С., Страшникова М.И. Оптические характеристики монокристаллов CdS в глубине собственного поглощения и структура энергетических зон ФТТ, т.8, №3 (1966), с.684-687.

27. Киселев В.А., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников, СПб., Изд. СПбГУ, 2003, 244с.

28. Бенеманская Г.В., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Влияние приповерхностного слоя на аномалии в спектре экситонного отражения монокристаллов CdS при Т=4.2К. Письма ЖЭТФ, 1975, т.21,с.650-652.

29. Батырев А.С., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Влияние приповерхностного электрического поля на экситонные спектры отражения монокристаллов CdSe. ФТТ. 1981.Т.23, в. 10. с. 2989-2997.

30. Батырев А.С., Новиков Б.В., Селькин А.В. Формирование спектров экситонного отражения света кристаллов CdSe, подвергнутых облучению низкоэнергетическими электронами.- Письма в ЖЭТФ, 1995. том 61, вып. 10, стр.791-795

31. Бенеманская Г.В., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Влияние состояния поверхности на аномалии в экситонных спектрах монокристаллов CdS при Т=4.2К- ФТТ. 1977. Т.19, вып.5. С.1389-1394.

32. Kiselev V.A., Novikov B.V., Batyrev A.S., Ubushiev E.A., Cherednichenko А.Е. Localization of excitons in space-charge-layer. -Phys.St.Sol.(b), 1986,vol.135, N2, p.597-604.

33. Киселев B.A., Новиков Б.В., Убушиев E.A., Утнасунов С.С., Чередниченко А.Е. Поверхностные экситоны с дыркой, локализованной вквантовом инверсионном слое. Письма в ЖЭТФ, 1986, т.43, №8, с.371-374.

34. Киселев В.А., Новиков Б.В., Утнасунов С.С., Чередниченко А.Е. Приповерхностная флуктуация в твердых растворах Cd(Se, S) с малым содержанием серы и аномальные спектры экситонного отражения. ФТТ, 1986, т.28, №10, с.2946-2949.

35. Новиков Б.В., Роппишер Г., Талалаев В.Г. Управление толщиной без-экситонного приповерхностного слоя в кристаллах ZnSe. ФТТ, 1979, т.21,с.817-822.

36. Акопян И.Х., Разбирин Б.С. Спектры излучения, поглощения и отражения экситонов высокой плотности в кристаллах CdSe.- ФТТ, 1974, т.15, вып.1,с.1787-1791.

37. Lehery R.F. Shah J., Chiang G.C. Exciton contribution to the reflection spectrum at high excitation intensities in CdS Sol.Stat.Com., 1978, vol.25, N9, p.621-624.

38. Пермогоров C.A., Травников B.B., Селькин A.B. Эффекты пространственной дисперсии в спектрах отражения кристаллов при наклонном падении света на границу кристалла. ФТТ, 1972, т. 14, вып. 12, с.3642-3649.

39. Kiselev V.A., Novikov B.V., Cherednichenko А.Е., Ubushiev E.A. Effect of thin space-charge layers on exciton reflectance. Phys.Stat.Sol. (b), 1986, v 133, N2, p.573-581.

40. Бродин М.С., Крицкий А.В., Мясников Э.Н., Страшникова М.И., Шля-хова JLA. Влияние состояния поверхности на спектры отражения и люминесценции кристаллов CdS.- УФЖ, 1973, т. 18, №5, с.828-833.

41. Гросс Е.Ф., Разбирин Б.С. Спектр краевого поглощения кристаллов сульфида кадмия и его связь с поверхностью и деформациями кристаллов. ЖТФ, 1957, т.27, с.2173.2176.

42. Haynes J.R. Experimental proof of the existence of a new electronic complex in silicon. Phys. Rev. Lett., 1960, v.4, p.361-363.

43. Батырев A.C., Новиков Б.В., Чередниченко A.E. Влияние приповерхностного электрического поля на спектры экситонной люминесценции монокристаллов CdSe. ФТТ, 1981, т.23, вып. 10, с.2982-2988.

44. Бенеманская Г.В., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Связанные эксито-ны в приповерхностной области монокристаллов CdS.- ФТТ, 1978, т.20, вып.6, с. 1803-1806.

45. Thomas D.J., Hopfield J.J. Optical properties of bound exciton complexes in CdS. Phys.Rev., 1962, vol.128, N5, p.2135-2148.

46. Лысенко В.Г., Тимофеев В.Б. Биэкситон в спектрах «ультрачистых» кристаллов CdS? Излучение экситонно-примесных комплексов. ФТТ, 1976, т. 18, вып.4.с.1030 -1033.

47. Травников В.В. Приповерхностное и объемное излучение экситонов в спектрах люминесценции кристаллов CdS. Письма в ЖЭТФ, 1984, т.40, вып. 12, с.3642-3649.

48. Батырев А.С. Взаимодействие экситонов с поверхностью в монокристаллах CdSe: Автореф.канд.дис. Л., 1980. 16с.

49. Зуев В.А., Корбутяк Д.В., Курик М.В., Литовченко В.Г., Рожко А.Х., Скубенко П.Н. Наблюдение экситонов в тонких приповерхностных слоях CdS. Письма в ЖЭТФ, 1977, т.26, вып.6, с.459-461.

50. Травников В.В. Экситонные спектры чистых и окисленных поверхностей кристаллов CdS. Письма в ЖЭТФ, 1985, т.42, вып.7, с. 1977-1985.

51. Новиков Б.В., Бенеманская Г.В., Вестхофф А., Чередниченко А.Е. Роль поверхности монокристаллов CdS в экситонных спектрах фотолюминесценции при Т=4.2 К. ФТТ, 1975, т.17, вып.7, с.2186-2188.

52. Gross E.F., Novikov BV. The fine structure of the spectral curves of photoconductivity. J.Phys.Chem.Sol. 1961. v.22. P. 87-100

53. Гросс Е.Ф., Новиков Б.В. Влияние механической обработки поверхности на вид тонкой структуры спектральных кривых фотопроводимости в кристаллах сернистого кадмия. ФТТ, 1959, т.1, вып. 12, с. 1882-1885.

54. Grigoriev R.V., Novikov B.V., Cherednichenko A.E. Influence of Oxygen Adsorption on the Fine Structure of the Spectral Distribution of Photoconductivity in CdS Crystals.- Phys.Stat.Sol., 1968, v.28, p.K85-K88.

55. Weber E.H. Surface Photoconductivity in CdS Influenced by Chemisorption and Desorption of Oxygen. Phys.Stat.Sol., 1968, v.28, p.649-662.

56. Wright C., Boer K.W. Transition between class 1 and class 2 CdS crystals. -Phys.Stat.Sol., 1970, v.38, p.K51-K54.

57. Mark P. Photo-induced chemisorption on insulating CdS crystals. -J.Phys.Chem.Sol. 1964. Vol.25, N9. P.911-920.

58. Bragagnolo J.A., Wright C., Boer K.W. Thermally Stimulated Desorption from Class 1 CdS Crystals and it's Effect on Their Electrical Properties. -Phys.Stat.Sol (a), 1974, v.24, p.147-158.

59. Волькенштейн Ф.Ф., Карпенко И.В. О знаке фотоадсорбционного эффекта на полупроводниках при экситонном механизме поглощения света.- ФТТ, 9, 62, 403, 1967.

60. Colbow К., Imaeff A., Yuen К. Field effect and the role of excitons in the photoconductivity in CdS. -Canad.J.Phys., 1070, v.48, p.57-61.

61. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Жукова Н.В., Новиков Б.В., Читыров Э.И. Фоторезистивный эффект поля и поверхностные электронные состояния в кристаллах CdS -Тр.межд.конф. «Оптика, оптоэлектроника и технологии». Ульяновск (2002), с.56.

62. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Жукова Н.В., Новиков Б.В., Читырев Э.И. Спектральный фоторезистивный эффект поля в кристаллах CdS при низких температурах ФТТ, 2003, т.45, вып.11, с. 1961-1967.

63. Ильинский А.В., Новиков Б.В., Сутулова С.И. Роль г -центров в формировании экситонной структуры спектров фотопроводимости кристаллов CdS ФТТ, 1974, т. 16, №10, с.3029-3033.

64. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Батырев Э.Д., Новиков Б.В., Анбушинов B.C. Влияние подсветки инфракрасным светом на спектры фототока кристаллов CdS- ФТТ. 1999,т.41, вып.7. С.1181-1184

65. Батырев А.С., Карасенко Н.В., Новиков Б.В. Влияние светового воздействия на спектральное распределение фототока кристаллов CdS. Вестник СпбГУ, сер.4, 1994, вып.1 (№4), с.28-33.

66. Шейнкман М.К., Корсунская Н.Е. Фотохимические реакции в полупроводниках типа А2В6. В кн. Физика соединений А2В6. М., Наука, 1986, с.109-145.

67. Пуцейко Е.К. Фотоэлектрическая чувствительность и оптическое поглощение сернистого кадмия. Изв. АН СССР. 1951, т. 15, в.6, с 707711.

68. Gobrecht H., Bortschat A. Uberdie optischen und electrischen eigenfchaften von cadmium sulfid einkristallen. -Zs. F. Phys., 1953, Bd.136, 224-233.

69. Новиков Б.В., Чередниченко A.E., Шляхтенко П.Г. Спектральное исследование собственных и примесных уровней монокристаллов CdS методом автоэмиссии. ФТП. 1971, т.5, в.9, с.1747-1753.

70. Новиков Б.В., Убушиев Е.А., Чередниченко А.Е. Влияние засветки на формирование спектров фотопроводимости в монокристаллах CdS и роль мелких доноров в этом процессе. ФТП, 1985, т.19, в.4, с.753-756.

71. Reed С.Е., Scott C.G. The photoconductivity of CdS in the vicinity of the absorption edge. Brit. J. Appl. Phys. (d), 1968, vol.1, ser.2, p.l 125-1131.

72. Дякин B.B., Сальков E.A., Хвостов B.A Межпримесные дырочные переходы в сульфиде кадмия ФТП, 1975, т.9, в.9, с. 1812-1815.

73. Дякин В.В., Сальков Е.А., Хвостов В.А., Шейнкман М.К. Оже-механизм взаимодействия центров люминесценции с ДА парами в сульфиде кадмия. ФТП, 1976, т. 10, в. 12, с.2288-2292.

74. Давидюк Г.Е., Оксюта В.А., Манжара B.C. Электрические, оптические и фотоэлектрические свойства легированных индием монокристаллов CdS, облученных электронами. ФТТ, 2002, т.44, №1, с.57-60

75. Uchida Ichizo Photoconductivity of pure cadmium sulfide single crystal near the band edge. J. Phys. Soc. Jap., 1967, v.22, N3, p.770-778.

76. Lashkarev V.E., Salkov E.A., Khvostov B.A. Proc. IX Intern. Conf. Phys.Sem. Moscow, 1968. Vol.2.P.1223.

77. Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Полностью компенсированный кристаллический полупроводник как модель аморфного полупроводника. Журн. Экспер. и теор. физ., 1972. Т.62, вып.З. С.1156-1165.

78. Wheeler R.G., Banish J.O. Exciton structure and Zeeman effects in cadmium selenide. Phys.Rev. 1962, v. 125, p. 1805-1815.

79. Voigt J., Spiegelberg F., Senoner M. Band parameters of CdS and CdSe single crystals determined from optical exciton spectra. Phys.Stat.Sol. (b), 1979, v.91, N1, p.189-199.

80. Григорьев C.P. Спектрально-временные характеристики оптических процессов в области контакта полупроводник- электролит кристаллов CdS при низких температурах. Канд. диссертация, СПб, 1993.

81. Шульман А.Р., Фридрихов С.А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела, М., «Наука», 1977, 551с.

82. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования имиграции дефектов в полупроводниках. М., «Наука», 1981, 368с

83. Bethe Н.А.- Handbuch der Physic. 1933, Bd.24, p.491.

84. Spencer L.V. The energy dissipation by fast electrons. Natl. Bur. Stan. Washington, 1959, p.l.

85. Anderson W.W. Electron Beam Excitation in Laser Crystals. Appl. Opt. 1966, v.5, N.l, p.167-168.

86. Роках А.Г., Смоляр В.А. Расчет тормозной способности сернистого кадмия для киловольттовых электронов в кн.: Физика полупроводников и полупроводниковая электроника. Саратов, 1970, в.З, с.42.

87. Matsukawa Т., Shimizu R., Harada К., Kato Т. Investigation of kilovolt electron energy dissipation in solids. J. Appl. Phys., 1974, v.45, N2, p.733-740

88. Norris C.B., Barnes C.E. and W. Beezhold. Depth resolved cathodoluminescence in undamaged and ion -implanted GaAs, ZnS and CdS - J.Appl. Phys. 1974, v.44, N7, p.3209-3221.

89. Коваленко В.Ф. О расчете глубины проникновения электронов. -«Электронная техника, серия 1, Электроника СВЧ», 1972, в.1, с.З

90. Fassbender- Zs. Phys. 145, 30 (1956).

91. Стародубцев, Ниязова. Радиационные эффекты в CdS. Ташкент, ФАН, 1963.

92. Варли Д.В кн.: Центры окраски. ИЛ, М., 1958, с.305

93. Бродин М.С., Давыдова А.С., Шаблий И.Ю. Действие лазерного излучения на оптические спектры монокристаллов CdS ФТП, 1976, в. 10, №4, с.625-630.

94. Seitz F. On the disordering of solids by the action of fast particles. Disc. Farad. Soc., 1949, N5, p.271-282.

95. Стародубцев C.B., Кив А.Е. Об ионизационном механизме возникновения структурных нарушений в кристаллах ДАН СССР, 1963, т.151, в.З, с.550-551

96. Канеев М.А., Ниязова О.Р., Ниязов Х.Р. в кн. «Радиационно-стимулированные процессы в твердых телах.» Ташкент, ФАН, 1969, с.41-63.

97. Лидер К.Ф., Новиков Б.В., Пермогоров С.А., Разбирин Б.С. -Спектры связанных экситонов и радиационные дефекты в соединениях А2В6-ЖПС, 1969, т. 10, с 985-991.

98. Menzel D. Electron Stimulated Desorption: principles and recent developments. Surface Sci. 1975, v.47, N1, p.370-383.

99. Leek J.H., Stimpson B.P. Desorption from GaS covered surfaces by electron impact: a review of the Subject. J. Vac. Sci. Tech., 1972, v.9, N1, p. 293-30

100. Имаи E. Влияние электронной бомбардировки на пленку напыленной окиси бария. В кн.: Эффективные термокатоды. Вып.1, М., Госэнергоиздат, 1958, с. 196.

101. Бенеманская Г.В., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Криостат для облучения кристаллов электронами и оптических исследований.-ПТЭД976, т.2, с.216-217.

102. Гросс Е.Ф., Федоров Д.Д., Шехмаметьев Р.И. Влияние одноосной деформации на спектр поглощения кристаллов иодистого висмут. -ФТТ, 1972, т.14, с.3252-3255.

103. Schockley W., Pearson G.L. Modulation of conductance of thin films of Semi-Conductors by surface change- Phys.Rev., 1948, v.74, N2, p.232-233.

104. Лашкарев B.E., Ляшенко В.И., Сборник, поев. 70-летию ак. Иоффе А.Ф., 1950, с.535.

105. Тягай В.А., Бондаренко В.Н., Снитко О.В. Определение параметров поверхности монокристаллов CdS на измерениях эффекта поля- ФТТ, 1966, т.8, в.10, с.3114-3116.

106. Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. ИЛ, М., 1961.

107. Garret C.G., Brattain W.H. Physical theory of semiconductors surfaces.-Phys. Rev., 1955, v.99, №2, p.367-387.

108. ИЗ. Пека Г.П. Инверсный слой на поверхности закиси меди- ФТТ, 1962, т.4, в.4, с.1058-1060.

109. Ермолович И.Б., Пека Г.П., Шейнкман М.К.- ФТТ, 1969, т. 11, в.10, с.3002-3005.

110. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Моин М.Д., Танатар М.А., Шаблий И.Ю. Образование дефектов решетки в кристаллах CdS поддействием излучения азотного лазера. ФТТ. 1982. т.24, в.11, с.3223-3228.

111. Игнатков В.Д., Камуз A.M., Орешко Е.В., Пендюр С.А., Таленский О.Н. Изменение состава приповерхностной области монокристаллов CdS под действием слабоинтенсивного излучения He-Cd лазера -УФЖ, 1987, т.32, с 95-97.

112. Камуз A.M., Олексенко П.Ф., Орешко Е.В. Изменение оптических характеристик приповерхностной области сульфида кадмия под действием излучения He-Cd лазера УФЖ, 1988, т.ЗЗ, №11, с.1640-1644.

113. Орешко Е.В. Влияние слабоинтенсивного лазерного излучения на экситонные спектры люминесценции сульфида кадмия. ФТТ, 1990, т.32, №4, с. 1222-1224.

114. Батырев А.С., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Спектры связанных экситонов и радиационная стойкость кристаллов CdS и CdSe// -ФТТ. 1992.Т.34. №6. С.1770-1777.

115. Батырев А.С., Чередниченко А.Е., Киселев В.А. Оптическое проявление связывания экситонов центрами приповерхностного дефектного слоя в кристаллах.-ФТТ. 1987.Т.29. №7.С.2126-2130.

116. Lieder K.F., Novikov B.V., Permogorov S.A. Application of bound-exc: optical spectra in the study of radiation damage in crystals.- Phys.Stat.Sol.19 V.18. P.K1-K4

117. Разбирин Б.С., Уральцев И.Н. Возбужденные состояния связанных экситонных комплексов в кристалле селениде кадмия. ФТТ, 1971, т. 13, с.605-607.

118. Handelman Е.Т., Thomas D.G. The effect of low temperature heat treatments on the conductivity and photoluminescence of CdS-J.Phys.Chem.Sol. 1965. V.26.P.1261-1267.

119. Калюжная Г.А., Киселева K.B. Проблемы стехиометрии полупроводниках переменного состава типа А2Вб и А3В5 -Тр.ФИАН.1987, т. 177, с.5-84.

120. Акимова И.В., Козловский В.И., Коростелин Ю.В. и др. Влияние стехиометрии в монокристаллических соединениях А2Вб на характеристики полупроводникового лазера с накачкой электронным пучком Тр. ФИАН. 1987, т. 177, с. 142-171.

121. Атомная диффузия в полупроводниках под ред. Д. Шоу: Мир, 1975. 684с.; Абдуллаев Г.В., Джафаров Т.Д. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах. М.: Атомиздат, 1980.280с.

122. Титов В.В. Тр. II сов. -амер. семинара по ионной имплантации. Пущино, 1979. С.319-334.

123. Стоунхэм A.M. Теория дефектов в твердых телах. Т.2.М.: Мир, 1978. С.357.

124. Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Озеров Ю.В., Тигиняну И.М. -Тр. ФИАН. 1985. Т.163. С.39-100

125. S. Satpathy Eigenstates of Wannier excitons near a semiconductor surface. -J.Phys.Rev.B. 1983. V.28.N8.P.4585-4591.

126. Травников В.В. Поверхностная экситонная люминесценция кристаллов CdS.- Изв. АН СССР, сер.физ. 1988. Т.52. №4. С. 758- 764.

127. Рашба Э.И. Гигантские силы осцилляторов, связанные с экситонными комплексами ФТП. 1974. Т.8. В.7. С.1241-1256.

128. Lashkarev V.E., Salkov Е.А., Khvostov В.A. Proc. IX Intern. Conf. Phys. Sem. Moscow, 1968. Vol.33 P.381.

129. Гросс Е.Ф., Новиков Б.В. Структура спектральных кривых фотопроводимости в кристаллах сернистого кадмия -ФТТ, 1959, т.1, №3, с.357-362.

130. Boyn R. Optical absorption due to intrinsic defects in CdS single crystals. Phys.Stat.Sol (a), 1968, v.29. P.307-321.

131. Шкловский Б.И., A.JI. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука., М., 1979. с.416.

132. Насибов А.С., Печенов А.Н., Решетов В.И. Исследование деградации лазерных элементов, излучающих в видимой области. -Тр.ФИАН, т.202, (1991), с.68-88.

133. Holmstrom R.P., Lagowski, Н.С. Gatos. Electron beam stimulation and electrical properties of CdS surfaces.- Surf.Sci. 1980.v.100, L467-L471.

134. Эланго M.A. Элементарные неупругие радиационные процессы. Наука., М., 1988. с. 151.

135. Григорьев С.Р., Новиков Б.В. Спектрально-временные исследования поверхностной флуктуационной люминесценции в кристаллах CdS. -ФТТ, 1992, т.34, №2, с.433-439.

136. Григорьев Р.В., Григорьев С.Р., Калмыкова И.П., Новиков Б.В. Поверхностная флуктуационная люминесценция полупроводников -Оптика и спектроскопия, 1990, т.68, в.4, с.889-892.

137. Травников В.В. Поверхностная донорно-акцепторная люминесценция ФТТ, 1989, т.31, в.5, с. 173-186.

138. Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в широкозонных полупроводниках. Физические основы полупроводниковой электроники.-Киев, Наук.Думка, 1985, с. 113-124.

139. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. М., Мир, 1980,488с.

140. Клингер М.И., Лущик Ч.Б., Машовец Т.В. и др. Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений.- УФН, 1985, т. 147, вып.З, с.523-558.

141. Вавилов С.Е., Левандовский В.Г., Чайка Г.Е. Дефектообразование в неметаллических кристаллах, вызванное неравновесными экситонами. ФТТ, 1992, т.34, №9, с.2690-2693

142. Chaika G.E., Vinetckii V.L. New mechanism of electric field influence on defect creation in non-metallic crystals. Phys.Stat.Sol.(b), 1980, v.98, p.727-734.

143. Винецкий В.Л., Чайка Г.Е. Теория рекомбинационно-стимулированных атомных скачков в неметаллических кристаллах -ФТТ, 1986, т.28, №11, с.3389-3395.

144. Винецкий В.Л., Чайка Г.Е. Рекомбинационно-стимулированные атомные скачки в кристаллах. Случай Оже- рекомбинации. ФТТ, 1988, т.ЗО, №3, с.780-783.

145. Винецкий В.Л., Чайка Г.Е. Диффузия атомов в неметаллических кристаллах, стимулированная рекомбинация носителей тока. ФТТ, 1982, т.24, №7, с.2170-2175.

146. Леванюк А.П., Осипов В.В. Краевая люминесценция прямозонных полупроводников. -УФН, 1981, т.133, в.З, с.427-477.

147. Бонч-Бруевич В.Д., Звягин И.П., Кайпер Р.и др. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. М., «Наука», Гл. редакция физико-математической литературы, 1981. 384с.

148. Tsang С., Street R.A. Recombination in plasma deposited amorphous Si:H Luminescence decay.- Phys.Rev.B, 1979, v.19, N6, p.3127-3140.

149. В заключении хочу выразить глубокую признательность и благодарность моим научным руководителям:

150. Доктору физико-математических наук профессору Новикову Борису Владимировичу ' и кандидату физико-математических наук Батыреву Александру Сергеевичу.

151. Список опубликованных статей автора по теме диссертаций

152. Батырев А.С., Б.В. Новиков, Е.В. Сумьянова, А.Е. Чередниченко. Исследование радиационной стойкости кристаллов CdS и CdSe по спектрам связанных экситонов. Труды Всесоюзной конференции по люминесценции им. Вавилова, 1991, 4.1

153. Батырев А.С., Б.В. Новиков, Е.В. Сумьянова. Исследование радиационной стойкости кристаллов сульфида и селенида кадмия по спектрам связанных экситонов. ЖПС, 1992,т.56, №2, с.264-267.

154. А.С. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, О.Э. Ботов, Н.В. Карасенко, Б.В. Новиков, Е.В. Сумьянова. Исследование экситонной структуры в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS. ФТТ, 1998, т.40, №5, с.941-943.

155. А.С. Батырев, Н.В. Карасенко, Б.В. Новиков, Е.В. Сумьянова. Особенности длинноволнового спада спектральных кривых фотопроводимости в кристаллах CdS. Вестник СпбГУ, 1992, сер.4, вып.4, №25, с.26-29.

156. A.S. Batyrev, S.R. Grigoriev, N.V. Karasenko, E.V. Sumyanova. The surface fluctuation luminescence of CdS crystals. -5 International Conference on hopping and related phenomena, Glasgow, Scotland, 1993, p.48.

157. A.C. Батырев, Б.В. Новиков, Е.В. Сумьянова. Люминесценция экситонов, локализованных на приповерхностных центрах в кристаллах CdS и CdSe. Труды межд. Конференции «Оптика полупроводников», г. Ульяновск, 1998г., с.34-35

158. А.С. Батырев, Б.В. Новиков, Е.В. Сумьянова. Влияние лазерного воздействия на спектры люминесценции кристаллов CdS. Труды межд. Конференции «Оптика полупроводников», г. Ульяновск, 1998г., с.53.

159. Лиджиев Б.С., Сумьянова, Е.В. Чугунова О. «Длинноволновые особенности в спектрах фотопроводимости кристаллов CdSe». Труды Сев.-Кавказской региональной научной конференции «Перспектива -99», г. Нальчик, 1999г., с.204.