Дефекты и проводимость ионно-имплантированного аморфного кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Рязанцев, Иван Александрович

• Рязанцев, Иван Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 1984

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Рязанцев, Иван Александрович

ВВЕДЕНИЕ V

ГЛАВА I. ПОВЕДЕНИЕ ДЕФЕКТОВ И ПРИМЕСИ В АМОРФНОМ КРЕМНИИ литературный обзор)

§1.1 Основные определения, структура аморфного кремния.

§1.2 Парамагнитные дефекты в ct-S>i

§ 1.3 Свойства CL-& , насыщенного водородом.

§ 1.4 Локализованные состояния в некристалических полупроводниках. Явления переноса

§1.5 Возможность легирования, насыщенных водородом слоев аморфного кремния а) Осаждение и легирование гидрированного a-Si из газовой б) Имплантация ионов в аморфные полупроводники

ГЛАВА II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТОВ

§2.1 Материал и приготовление образцов а) Получение CL-Ql с помощью ионной бомбардировки б) Напыление a- Si методом электронно-лучевого испарения в) Приготовление a-Si методом пиролиза моносилана

§ 2.2 Облучение образцов ионами

§2.3 Измерения методом ЭПР

§2.4 Определение электрофизических параметров cl

§ 2.5 Послойное удаление материала

§ 2.6 Обработка образцов а) Термический отжиг б) Гидрирование аморфного кремния в) Электронный отжиг

ГЛАВА III. ДЕФЕКТЫ В АМ0РФИ30ВАННЫХ ИОНАМИ СЛОЯХ КРЕМНИЯ

§ 3.1 Накопление дефектов в cl-$l при облучении его большими дозами ионов Si и ионов инертных газов

§3.2 Температурная зависимость сигнала ЭПР в аморфном кремнии, насыщенном газом

§3.3 Природа обратного отжига дефектов в CL-Sc.

§ 3.4 Расширение слоя аморфного St- при облучении кремния большими дозами ионов

Выводы по главе Ш

ГЛАВА 1У. СНИЖЕНИЕ ПЛОТНОСТИ ЛОКАЛИЗОВАННЫХ СОСТОЯНИЙ

В ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННОМ АМОРФНОМ КРЕМНИИ

§4.1 Имплантация водорода в напыленные пленки

§4.2 Внедрение ионов водорода в пленки в процессе их конденсации

§ 4.3 Диффузия водорода в аморфном кремнии

§4.4 Электронно-стимулированный отжиг дефектов в слоях аморфного Si » содержащих фосфор и мышьяк

Выводы по главе 1У

ГЛАВА У. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИОННО-ЛЕГИРОВАННОГО

АМОРФНОГО КРЕМНИЯ

§5.1 Ионная имплантация примесей Ш и У групп в a-Si •• а) Получение низкоомных слоев п-типа проводимости б) Термическая стабильность ионно-легированных слоев аморфного кремния в) Приготовление слоев a-St. с дырочной проводимостью г) 0 поведении примеси и дефектных состояний при легировании аморфной фазы.

§ 5.2 Имплантация ионов марганца в ol-Sc а) Исследование электрофизических характеристик слоев a-Si<Mn>.

-6стр. б) Термообработка CL-Si<.Mn>. в) Модель комплекса дефект-примесь

Выводы по главе У

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Дефекты и проводимость ионно-имплантированного аморфного кремния»

В последние годы наблюдается повышенный интерес к некристаллическим твердым телам как в области фундаментальных, так и прикладных исследований. Их изучение открывает широкие возможности для обнаружения новых явлений, обусловленных метастабильным состоянием фазы. Так в аморфных полупроводниках обнаружен ряд таких уникальных явлений как эффекты переключения, световой и электрической памяти.

Среди материалов с неупорядоченной структурой особый интерес представляет аморфный кремний ). Важное его преимущество -высокий коэффициент поглощения, который на порядок величины больше, чем в кристаллическом би, и возможность слоевого нанесения материала на гибкие подложки. Это позволяет изготавливать тонкопленочные фотопреобразователи солнечной энергии из которые согласно расчетам являются дешевыми при массовом производстве. В решениях ХХУТ съезда КПСС отмечено, что важная научно-техническая задача на сегодняшний день состоит в увеличении масштабов использования в народном хозяйстве возобновляемых источников энергии (шщровлической, солнечной, ветровой и геотермальной).

Кроме того ct-Si - это материал для электрофотографии, фоточувствительных слоев видиконов. На его основе можно изготавливать приборные структуры транзисторного типа и сильноточные диоды, фотодетекторы пикосекундных импульсов и фотоприемники для видимой области спектра.

Основная трудность внедрения аморфных полупроводников в крупномасштабное производство связана прежде всего с разработкой методов контролируемого управления их физико-химическими свойствами. Отсутствие дальнего порядка в структуре аморфной фазы Sl с одной стороны и существование большой концентрации оборванных связей с другой, приводит к появлению высокой плотности локализованных сось тояний в запрещенной зоне. В работах последних десяти лет установлена корреляция электронных и оптических свойств a-$ic плотностью и энергетическим распределением этих состояний.

Большой сигнал ЭПР , прыжковая проводимость, процессы оптического поглощения в области малых энергий фотонов обусловлены электрически активными состояниями, лежащими в псевдозапрещенной зоне или "щели" подвижности. Высокая плотность локализованных состояний одна из причин которая приводит к нечувствительности материала к легирующим добавкам; уровень Ферми практически не смещается при введении в a-5i примесей донорного или акцепторного типа.

Исходя из вышеизложенного первая и основная проблема в легировании аморфных полупроводников состоит в устранении или компенсации дефектных состояний. Водород оказался первым элементом таблицы Менделеева с помощью которого удалось понизить плотность таких состояний и тем самым снять основное ограничение, препятствующее контролируемому изменению свойств аморфной фазы. Роль водорода сводится к химическому взаимодействию с оборванными связями, вследствие чего энергетический уровень исчезает в щели подвижности. Вторая проблема заключается во ведении ъа-% элементов Ш и У групп таблицы Менделеева, как легирующей примеси, дающей акцепторные и донорные уровни. Губановым было выдвинуто предположение, что примесь, помещенная в структуру некристаллического тела, может реализовать свои валентности, т.е. все валентные электроны могут использованы в образовании химических связей. Из этого следует, что доля замещающей компоненты - примесей Ш и У групп, имеющих тетраэдрическую координацию, будет значительно меньше в по сравнению с кристаллическим материалом.

В 1975 году английскими исследователями на сплавах с во«-дородом была продемонстрирована возможность легирования пленок a-Si при введении в них в процессе роста бора и фосфора из газовой фазы. Насыщенные Н слои аморфного ifl-Sc'H) имеют хорошую фотопроводимость, фото- и электролюминесценцию. Однако, такой материал , полученный газофазным методом - разложением моносилана в плазме высокочастотного разряда, имеет низкую термостабильность: при Т>300°С водород начинает выходить из пленок, что приводит к сильной деградации их свойств. Отсюда возникает еще одна проблема -термостабильность электрофизических свойств

Первое сообщение о возможности легирования беспримесных (не содержащих Н) слоев ct-$L с помощью ионной имплантации появилось в печати в 1976 году (ИФП СО АН СССР), Однако был обнаружен только эффект, но не было проведено его систематического исследования. Ионная имплантация наряду с введением в образец электрически активных примесей, дает также возможность контролируемо изменять степень дефектности материала. Этот момент является важным, например, при изучении процессов примесно-дефектного взаимодействия, имеющих место в разупорядоченном материале. Кроме того, сочетание метода ЭДР и техники ионного внедрения позволяет проводить исследования явлений, имеющих место в сильно дефектных системах твердого тела, которые формируются, например, при бомбардировке сверхбольшими дозами ионов инертных газов.

Как показали проведенные в ®П СО АН исследования введение в a-Si элементов переходного ряда (CrtMn) способствует эффективному снижению плотности локализованных состояний, регистрируемых методом ЭПР. Это происходит в результате взаимодействия примесей с такими структурными несовершенствами, как разорванные связи. Поешь-ку переходные элементы имеют незаполненную cf~ оболочку, то они должны влиять и на электрические свойства С(-$1, поэтому применение их в качестве легирующих добавок представляет особый интерес.

В связи с вышеизложенным, целью настоящей диссертационной ра боты являлось исследование дефектов и проводимости ионно-имплан-тированного Q-Si» Для достижения указанной цели в работе были поставлены следующие основные задачи:

1. Исследовать процессы дефектообразования и примесно-дефек-тного взаимодействия в слоях a-Si , облученных большими дозами ионов, когда концентрация внедренной примеси сравнима или превышает концентрацию дефектов,

2. Изучить поведение дефектов, локализованных состояний и проводимости при различных термообработках a-$i и при имплантации в него водорода. Определить параметры диффузии водорода в аморфных слоях Su.

3. Провести исследование возможных изменений проводимости и фотопроводимости пленок a-$L при ионном внедрении в них примесей Ш и У групп и некоторых элементов переходного ряда.

Научная новизна работы,

1. Обнаружен и исследован новый парамагнитный центр в слоях а-$1 , облученных большими дозами ионов инертных газов,

2. Выявлена определяющая роль инертного газа в увеличении концентрации нескомпенсированных спинов выше предельной (2-Ю^см"^) в ионно-имплантированных слоях a-Si,

3. Установлена природа возрастания количества дефектов (W-центров) в а-$с в области температур отжига - 550+650°С.

4. Развит метод получения слоев rf-й'// с низкой плотностью состояний в щели подвижности с помощью ионного внедрения водорода в процессе осавдения

5. Определены значения коэффициентов диффузии водорода в интервале температур 500*700 К в слоях аморфного кремния, приготовленных различными способами.

6. Обнаружен стабулированный электронным облучением отжиг дэфектов в слоях cl-Sl, содержащих фосфор и мышьяк.

7. Установлено, что ионная имплантация примесей Ш (В , У (Р) групп и некоторых элементов переходного ряда (Мл) в позволяет менять тип и величину его проводимости в интервале 10"® * I (Ом.см)"*.

8. Предложены две модели комплексов дефект-примесь для которые включают в себя трех- или пятивалентный атом легирующей примеси и дефект с ненасыщенной связью.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Рязанцев, Иван Александрович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Обнаружен и исследован парамагнитный центр ( С8 -центр) со спином S = I ( ty - 2,0046) в d-Si , формирующемся при облучении $1 большими дозами (Ф> Ю1^ см""2) ионов инертных газов. Температурная зависимость интенсивности резонансного поглощения С8- центров описана на основе диаграммы энергетических уровней, в которой термически возбужденное триплетное состояние лежит выше синглетного по энергии на 0,05 эВ.

Появление С8- центров и увеличение концентрации W- центров выше предельной (> 2.102^см"3) в cc-Si обусловлено наличием в облучаемом слое высокой концентрации инертного газа.

2. Показано, что увеличение количества оборванных связей в области температур 500 $ 600 °С - обратный отжиг ( 00 ) дефектов - происходит после внедрения в SI газовых примесей (Jj-jr» е , » А^ начиная с доз (4 * 5) .Ю^см"2. В образцах Si , облученных ионами Bl , стадия 00 дефектов отсутствует

ТС Т7 о вовсем исследованном интервале доз ( 10х * 10х см ). Предпологается, что при термообработках, когда материал становится пластичным, в результате перестройки газовых пузырьков происходит генерация оборванных связей и распад обменно-связан-ных пар ( С8- центров ). Этот процесс и приводит к появлению 00 дефектов в аморфных полупроводниках.

3. Обнаружено , что толщина аморфного слоя после бомбардировки Si ионами fit* и Дг в области больших доз ( Ф = I0*6*

Т7

6.10х') существенно превышает значения, ожидаемые из данных по потерям энергии внедряемых ионов на упругие столкновения. Расширение аморфной области связывается с диффузией подвижных дефектов в глубь кристалла. Проведены оценки коэффициентов диффузии вакансий Т) и междоузельных атомов в аморфном кремнии: Я)„ = 2.1СГ14 см2 и Фс = ТО"13 см2/с.

4. Установлено, что ионное внедрение водорода средних энергий ( ~ 20кэВ) в аморфным кремний с последующим отжигом позволяло ет понизить в нем плотность локализованных состояний с 10" до I018 эВ^см"3. Гидрированные таким способом слои ot-jSc термостабильны при нагреве до 450°С. Показано, что имплантация низко-энергетичных ( ^ I кэВ) ионов водорода в пленки Cf-Sc в процессе их роста снижает плотность состояний в щели подвижности до ТО17 эВ^см""3.

5. Предложен метод для определения коэффициентов диффузии водорода 3)н в a-St с помощью ЭПР-спектроскопии. По изменениям профилей \/|/-центров до и после обработки в водородной плазме определены значения в интервале температур 500*700 К в слоях аморфного кремния, приготовленных различными методам!. Предэкспоненциальный множитель $)0 и энергия активации диффузии водорода А В составляют:

GL-Sl- в аморфизованном ионным облучением Sc • = 3.I0"3 см2/с, 0,6 эВ;

- в a-Si , напыленном методом испарения: 3)а - I0"3 см2/с , Л £ = 1,4 эВ;

- в a-St , приготовленном пиролизом моносилана: 2.I0"4 см2/с, Af =1,2 эВ.

Предполагается, что диффузия Н в a-St , полученном бомбардировкой ионами, контролируется захватом на ненасыщенные связи. В пленках О,-Si, напыленных в вакууме и осажденных при термическом разложении моносилана, доминирующим является процесс захвата водорода в поры. б. Обнаружено, что в аморфизованных ионами Si и Дг- ■ слоях Sc имеет место отжиг 1/1/-центров, стимулированный электронным облучением. Температура образцов, при которой отжиг заметно проявлялся, составляла I50*I80°C, тогда как обычная термообработка приводит к подобным изменениям только при 450-г500°С.

7. Показано, что ионное внедрение примесей III (В, /!£) и 7(Р) групп дает возможность контролируемого изменения типа и величины проводимости аморфного Si в интервале (Ом.смГ^ причем верхнее значение 6> сильно зависит-от плотности ионного тока. Последующее введение водорода расширяет область изменения о т э от 6.10 до I (Ом.см) . Полученные слои термически стабильны вплоть до 500°С.

8. Обнаружена высокая эффективность легирования a-Si марганцем. Показано, что проводимость возрастает с увеличением дозы легирования примеси и достигает наибольшего значения 0,3 (Ом.см)"^. В температурной зависимости проводимости слоев аморфного Si легированных марганцем в области температур 300*500 К обнаружен линейный участок с наклоном, характеризующимся энергией активации ^ 0,15 эВ, который связывается с появлением в щели подвижности состояний марганца, термостабильность проводимости CL-Si с марганцем повышается с увеличением дозы внедренной примеси.

9. Предложены для a.-Si две модели комплексов дефект-примесь, содержащие трех или пятивалентный атом и дефект с оборванной связью. Согласно первой модели - примесь занимает положение атома Si , на котором локализован неспаренный электрон, согласно второй - она замещает ближайший к оборванной связи атом Si . С помощью этих моделей объясняется уменьшение плотности состояний при введении в Ct-Sc легирующей примеси, а также высокая эффективность легирования при внедрении в d-Si марганца.

ШЖОЯШИЕ I. I. Компенсация дефектов в CL-S>L и его легирование, методом одновременного испарения кремния и фосфора /158,160/.

С целью исследования возможности компенсации дефектов примесью замещения в ct-Si и последующего его легирования нами были предприняты дополнительные эксперименты. Их основная идея заключалась во введении атомов фосфора в пленку cl-Sl в процессе её роста. Для этого в напылительнуто камеру помещался контейнер с красным фосфором (рис. 9), подогрев которого приводил к появлению вблизи подложки паров Р при одновременном испарении Si .• В отдельных случаях для сравнения результатов осуществлялась также конденсация сх-Si при напуске в камеру молекулярного водорода. Напыленные в вакууме слои Cf-Si имели ~ 2. 1СГ° (Ом.см)""^ и ^ 5*6.10-1-9 см""3. При введении паров фосфора в процессе осаждения кремния наблюдается вначале уменьшение б" и полное исчезновение парамагнитных центров уже при давлении Рр=8.10""4 Па (рис. 51). Ход температурной зависимости проводимости на таких образцах свидетельствует об уменьшении вклада локализованных состояний в низкотемпературную проводимость с ростом (рис.52,а). о

Поскольку при Рр = 10 Па нагл не удалось зафиксировать проводимость по дефектным состояниям, мы провели сравнение хода температурных зависимостей б" (Т) CL-Si-'P и ct-Sc:H , полученного методом разложения моносилана в тлеющем ВЧ-разряде. Такое сравнение позволяет сделать вывод, что полученные нал® слои cl-Sl -р имеют низкую плотность локализованных состояний, не выше 10^ см"~3эВ""^. Близкое значение А/р в cl-Sl:P дает оценка из данных ЭПР, проведенная как и в § 4.2.

Дополнительный аргумент в пользу низкой плотности состояний в Ct-Si'P получен также из экспериментов по гидрированию этих

4*? vo iOS~ 0

Ю'

Ю5 0* Ю3 Ю'? рПа го Ю

Ю*

Рис. 51. Изменение темновой проводимости б (I, 3), фотопроводимости б<р (2) и концентрации парамагнитных центров П3 (4) от давления паров фосфора (I, 2) и водорода (3, 4). слоев в водородной плазме при 500°С. Мы не обнаружили изменения проводимости в a-Sc-P после такой обработки, хотя этот способ приводит к снижению плотности состояний в cl-Sc по данным ЭП? до ТО17 см"3 /60/.

Эти результаты указывают на то, что фосфор, захваченный в процессе роста пленки OL-Si эффективно компенсирует глубоколежа-щие уровни в a-Su При взаимодействии с дефектами Р может быть трех- и пятивалентным (см., например, рис. 43, 50).

Дальнейшее увеличение давления паров фосфора при выращивании cl~~Sl 'Р дает изменение типа проводимости (от дырочного к о т электронному) и возрастание СГ до 10 (Ом.см) (рис. 51). Уровень Ферми при этом приближается к зоне проводимости и фиксируется в положении Ес - 0,2 эВ (рис. 52,6). Полученная величина проводимости и энергетический зазор Ес - EF несколько уступают аналогичным значениям, наблюдаемым при легировании а из газовой фазы в методе разложения моносилана в тлеющем ВЧ-разря-де /55/ или при ионной имплантации (§ 5.1), хотя концентрация захваченного в a-Si фосфора в настоящем методе менялась в достаточно широких пределах: от I019 см"3 при PD = 10"^ Па до

22 о р

3.10 см при 10" -Па (рис. 53). Тем не менее описанные слои CL-Sc.'P представляют практический интерес. Так, вследствие низкой плотности состояний эти слои характеризуются значением фотопроводимости 6ip(5+6).I0"6 (0м.см)"1 (при Р £ ТО"3 Па, рис.51), которое соответствует t измеряемой в Ct-SC'F:H /157/ при освещении излучением лазера с -такими ;ке параметрами, как в нашем случае. Кроме того, слои ct-$£'P обладают существенно лучшей термостабильностью: величина 6" не менялась при прогреве до 500°С.

Мы провели также эксперименты по введению водорода в ct-3l путем напуска газа в вакуумный объем в процессе осаждения кремspo xo

Рис. 52. а) Температурная зависимость проводимости пленок Ci'Si напыленных в вакууме F = 7.I0"5 Па и при разных давлениях фосфора Рр и водорода Рн (Па): Fp = ЗЛО"4 (2), 8.1СГ4 (3), 2.1СГ3 (4); Р„ = IAICT3 (5). Кривая 6 - слои CL-Si>'H , п. полученные разложением моносилана з тлеющем ВЧ-разряде, б) Изменение уровня Ферми от давления ларов фосфора. V о22

1021 S

10

20

10 fS

10'

J8

Ю0 № m

Номер канала

Рис. 53. Профили распределения по глубине фосфора в a-Si'-P Р , Па: I - 1СГ4; 2 - 3.I0"3; 3 - 5.КГ3; 4 - 8.10-3. ния. С увеличением давления водорода рн происходит уменьшение проводимости и плотности парамагнитных дефектов (рис. 51). Однако, даже при самых высоких значениях Рн~( Па) нам не удалось полностью пассивировать парамагнитные дефекты (рис.51) и, следовательно, подавить их вклад в проводимость в области низких температур (рис. 52). Величина фотопроводимости также

А Т оказалась невысокой: 10 D (Ом.см)' .

2. Изготовление диода на основе аморфного 5с

Учитывая вышеприведенные результаты по легированию а- $с' в процессе осаждения мы попытались в едином технологическом цикле изготовить макет диода с барьером Шоттки на & -Si . В качестве подложки и нижнего омического контакта использовался кристаллический кремний (КЭФ-0,02), который перед нанесением ct-Si. очищался путем отжига при Ю00°С в течение 10 мин. в высоком вакууме . Затем проводилось осаждение слоя CI~JSC>P (п-тип, 6* "ТО"3 (Ом.см)"1) толщиной ~ 0,1 мкм, слоя CL-Sl:H {б ~ (Ом.смГ^ мкм) и пленки золота ( 0,1 мкм). Приготовленная структура отжигалась при Т = 260°С в тлеющем разряде в атмосфере водорода. Анализ ВАХ меза-структур CL-Si'-P-Cl-Sc-H ~-Аи показал, что диодный фактор качества £ диода с барьером Шоттки равен 3,3; коэффициент выпрямления О при U = 2 В составляет

О /

10 (рис. 54, кривые 2 и 2). Отсутствие подлегиругощего п-слоя ( a-Sc-'P ) приводит к снижению 9 до 50. Уменьшение температуры обработки в водородной плазме (до 200°С) также ухудшает t

ВАХ (рис. 54, кривые I и I). Плотность тока в прямом направлении достигает ^3 А/см2.

10 A

10 r2

10

-з

10 4

V / / / / / / / / * / / / s / / / / / 1 ! I is г/

If x

10"

0 115 a v(B)

5"

1 -

-1 0

Д758

Щ-H i 2 U(5) 5

Рис. 54. Темновая вольт-амперная характеристика (ВАХ) барьера Шоттки на аморфном кремнии. Верхний рисунок - то же самое, но в полулогарифмических координатах.

Зам.директора НПО "Квант" "j / С.В/Рябиков j /б./Jf'j

•отшв о научно-исследовательской работе "Разработка ч технолопы получения р-п-переходов на аморфном кремнии и изготовление макетов диодов".

Институтом физики полупроводников СОАН СССР в ходе выполнения плановой НИР по исследованию легирования аморфных полупровод1{и-нов было осуществлено контролируемое изменение значений и типа проводимости аморфного кремния,положенного испарением в вакууме. Полученные значения проводимости превышают известные в мире достижения в этой области.

Успешное выполение проведенных исследований позволило создать макет диода с использованием аморфного кремния.Результаты испытаний показали,что параметры разработанного диода удовлетворяют техническому значению.Использование диодов на основе аморфного кремния является перспективным для солнечных фотопреобразователей энергии.Таким образом,разработанный ИФП СОАН СССР макет диода на аморфном кремнии является образцом новой техники и может быть принят душ использования в технологии изготовления солнечных фотопреобразователей энергии.

Зав. отделом

Д.С.Стребков i

• Нач. лаборатории Б.А.Холев

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Работа проводилась в отделе Радиационной физики и технологии полупроводников руководимом проф. Л.С.Смирновым в секторе с.н.с. А.В.Двуреченского в рамках комплексной научно-технической программы 0.01.08 ( постановление ГКНТ, Госплана СССР и Президиума АН СССР №516/272/174 от 29.12.81). Постановка задач диссетации и обсуждение результатов осуществлялось с профессором Л.С.Смирновым и с.н.с. А.В.Двуреченским. Содержание диссертации отражено в 20 публикациях: 47, 122, 133-138, 140, 143, 146, 147, 152-154, 158, 159-162.

Результаты диссертационной работы были представлены и обсуждены на Международных конференциях по ионной модификации материалов (Бу -дапешт, 1978; Гренобль, 1982), на Первой Всесоюзной конференции "Пути использования солнечной энергии" (Черноголовка, 1981), на Шестой конференции по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск), 1982), на Седьмом симпозиуме по электронным процессам на поверхности полупроводников (Новосибирск, 1980), на Международной конференции по ионной имплантации (Вильнюс, 1983), а также на ежегодных Всесоюзных семинарах "Радиационная физика полупроводников" (Новосибирск , 1979-1982).

В заключении считаю своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность научному руководителю проф. д.ф.-м.н. Л.С.Смирнову и А.В.Двуреченскому - за руководство и постоянную помощь в работе. Автор также признателен Р.Н.Ловягину за помощь в создании установки вакуумного напыления, С.И.Романову и Ф.Л.Эдельману за электронно-микроскопический контроль структуры исследуемых образцов, Ю.М.Ли-масову за облучение образцов ионами. С благодарностью много приняты замечания В.В.Болотова, согласившегося прочесть диссертацию. Творческая обстановка в лаборатории радиационной физики и дружественные замечания её сотрудников во многом способствовали выполнению данной работы.

- 1В2

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Рязанцев, Иван Александрович, 1984 год

1. Jonscher А.К., Walley P.A. Electrical Conduction in Non-Metallic Amorphous Films. - J.Vac.Sci.Technol., 1969, v. 6, No. 4, p. 662-669.

2. Zachariasen W.H. The Atomic Arrangement in Glass. J.Amer.

3. Chem.Soc•, 1932, v. 54, No. 10, p. 3841-3851.

4. Займан Дж. Модели беспорядка. М.: Мир, 1982. 2- 592 с.

5. Губанов А.И. Квантово-электронная теория аморфных полупровод4 •ников.-М.-Л.:Изд-во АН СССР, 1963. 252 с.

6. Donovan Т.М., Spicer W.E., Bennett J.M., Ashley E.J. Optical Properties of Amorphous Germanium Pilms. Phys. Rev., 1970, c. 28, No. 2, p. 397-412.

7. Moss S.G., Graczyk J.P. Evidence of Voids Within the As-Deposited Structure of Glassy Silicon. Phys.Rev.Lett., 1969, v. 23, No. 20, p. 1167-1171.

8. Moss S.G., Gracsyk J.P. Structure of Amorphous Silicon. -In: Proceedings of the 10th International Conference on Physics of Semiconductors. Cambridge, Mass. (U.S.Atomic Energy Commission Oak Ridge, Tenn.), 1970.

9. Richer H., Breitling G. Struktur des Amorphen Germaniums und Siliciums. Zeitschrift fur Naturforschung, 1958, v. 13A, No. 7, p. 988-996.

10. Grigorovici R. Short-Range Order in Amorphous Semiconductors. J.Non-Cryst.Sol., 1969, v. 1, No. 4, p. 303-325.

11. Grigorovici R., Manaila R. Structural Model for Amorphous Germanium Layers. Thin Sol.Films, 1968, v. 1, Ho. 5,p. 343-352.

12. Cbleman M.V., Thomas D.J.D. The Structure of Amorphous Silicon Nitride Films. Phys.Stat.Sol., 1968, v. 25, No. 1, p. 241-252.

13. Corbett J.W., Karins J.P., Tan T.J. Ion-Induced Defects in Semiconductors. Nucl.Instr.Methods, 1981, v. 182-183,p. 457-476.

14. Павлов П.В. Структура ближнего порядка аморфного германия, полученного ионной бомбардировкой. В кн.: Материалы Всесоюзной конф.: Физические основы ионно-лучевого легирования. -Горький, ГИФТИ, 1972, с.100-103.

15. Breitling G. Solid Amorphous Ge and As as Examples of Lattice-Like Amorphous Substances, J.Vac.Sci.Technol., 1969, v. 6, No. 4, p. 628-631.

16. Polk D.E. Structural Model for Amorphous Silicon and Germanium, J.Non-Cryst.Sol., 1971, v. 5, No. 5, p. 365-375.

17. Chittick R.C. Properties of Glow-Discharge Deposited Amorphous Germanium and Silicon. J.Non-Cryst.Sol., 1970, v. 3, No. 3, p. 255-270.

18. Spear W.E. Doped Amorphous Semiconductors. Advances in Physics, 1977, v. 26, No. 6, p. 811-845.

19. Revesz A.G. The So-Called Amorphous Silicon a Sil^ Polymer Film. - Thin Sol.Films, 1978, v. 50, complete, p. L29-L33.

20. Peersey P.S. Hydrogen in Amorphous Silicon. Nucl.Instr. Methods, 1981, v. 182/183, p. 337-349.

21. Brodsky M.H., Kaplan D. Hydrogenation and the Density of Defect States in Amorphous Silicon. J.Non.Cryst.Sol., 1979, v. 32, No. 1-3, p. 431-435.

22. Phillips J.C. Structure of Amorphous (Ge,Si). Y Alloys.- Phys.Rev.Lett., 1979, v. 42, No. 17, p. 1151-1154.

23. Corbett J.W., Watkins G.D. Production of Divacancies and Vacamcies by Electron Irradiation of Silicon. Phys.Rev., 1965, v. 138A, No. 2, p. A555-560.

24. Brodsky M.H., Title R.S. Electron Spin Resonance in Amorphous Silicon, Germanium and Silicon Carbide. Phys.Rev.Lett., 1969, v. 23, No. 1, p. 581-585.

25. Brodsky M.H., Title R.S., Weiser K., Pettit G.D. Structural, Optical and Electrical Properties of Amorphous Silicon Films,- Phys.Rev., 1970, v. 1B, No. 6, p. 2632-2641.

26. Герасименко H.H., Двуреченский А.В., Смирнов Л.С.^Исследование дефектообразования в облученном ионами кремнии методом ЭПР.-Физ.Техн.Полупр., 1971, т.5, вып.9, с.1700- 1705.

27. Герасименко Н.Н., Двуреченский А.В., Смирнов Л.С. О парамагнитных центрах, образующихся при облучении кремния ионами.

28. Физ.Техн.Полупр., 1972, т.6, вып.6, c.IIII -III4.

29. Knights J.С., Biegelsen D.K., Solomon I. Optically Induced Electron Spin Resonance in Doped Amorphous Silicon. Sol. State Commun., 1977, v. 22, No. 2, p. 133-139.

30. Connell G.A.N., Pawlik J.R. Use of Hydrogenation in Structural and Electronic Studies of Gap States in Amorphous Germain. Phys.Rev., 1976, v. 13B, No. 2, p. 787-804.

31. Kubler L., Jaigle A., Koulman J.J. The Effect of Oxygen on the Properties of Evaporated Amorphous Silicon. ESR Studies. Phys.Stat.Sol., 1979, v. 95, No. 1, p. 307-315.

32. Shimizzu Т., Kummeda M., Watanabe I., Kamono K. Influence of Oxygen and Deposition Conditions on RF-Sputtered Amorphous Si Films. Japan.J.Appl.Phys., 1979, v. 18, No. 10, p. 1923-1929.

33. Brodsky M.H. Relation Between Structure, Optical and Electrical Properties of Amorphous Si and Ge Films. J.Vac.Sci. Technol., 1971, v. 8, No. 2, p. 125-134.

34. Friedrich A., Kaplan D. Light-Induced ESR in Amorphous Silicon. J.Electr.Mater., 1979, v. 8, No. 2, p. 79-85.

35. Hasegawa S., Kasajima Т., Shimizu T. ESR in Doped CVD Amorphous Silicon Films. Phil.Mag., 1981, v. 43B, No. 1, p. 143-156.

36. Антоненко A.X., Двуреченский А.В., Дравин В.А., Спицин А.В. Образование и распад дефектов в кремнии, облученном ионами хрома. Физ.Техн.Полупр., 1979, т.13, вып.2, с. 281 - 284.44» Dvurechensky A.V., Smirnov L.S. Localized States and

37. Conductivity in Silicon Amorphized by Ion Implantation. -Phys.Stat.Sol., 1979, v. 56a, No. 2, p. 647-662.

38. Булгаков Ю.В. Коломенская Т.Н., Савельева JI.M. Термическая устойчивость нарушений в кремнии, вызванных легкими ионами. -В кн.: Материалы Всесоюзной конф.: Физические основы ионно-лучевого легироаания. Горький, ГИФТИ, 1972, с. 84 87.

39. Хохлов А.Ф., Машин А.И. Отжиг радиационных дефектов в кремнии,облученном большими дозами ионов инертных газов. В кн.: Всесоюзная конф. "Радиационные эффекты в твердых телах" (Сб. тезисов). Ашхабад, 1977, с. 154 - 155.

40. Dvurechensky A.V., Ryazantsev I.A. On the Nature of the Defect Reverse Annealing in Ion-Implanted Silicon. -Radiation Effects, 1980, v. 46, No. 1-2, p. 129-132.

41. Вихрев Б.И., Герасименко Н.Н., Двуреченский А.В., Смирнов Л.С, Взаимодействие в кремнии атомов водорода с дефектами,введенными ионной бомбардировкой. Физ.Техн.Полупр., 1974, т.8, вып. 7, с. 1345 - 1348.

42. Brodsky M.H., Frisch M.A., Ziegler J.F., Landford W.A. Quantitative Analysis of Hydrogen in Glow Discharge Amorphous Silicon. Appl.Phys.Lett., 1977, v. 30, No. 11, p. 561-563.

43. Milleville M., Fuhs W., Demond F.J., Mannsperger H., Muller G., Kalbitzer S. The Influence of Preparation Conditions on the Hydrogen Content of Amorphous Glow-Discharge Silicon. -Appl.Phys.Lett., 1979, v. 34, No. 2, p. 173-174.

44. Freeman E.C., Paul W. Optical Constant of RF-Sputtered Amorphous Si. Phys.Rev., 1979, v. 20, No. 2, p. 716-728.

45. Spear W.E., Le Comber P.G. Electronic Properties of Substitutional^ Doped Amorphous Si and Ge, Phil.Mag., 1976,v. 33, No. 4, p. 935-949.

46. Brodsky M.H., Cardona M., Cuomo J.J. Infrared and Raman Spectra of the Silicon-Hydrogen Bonds in Amorphous Silicon Prepared by Glow Discharge and Sputtering. Phys.Rev., 1977, v. 16B, No. 8, p. 3556-3571.

47. Paul W., Lewis A.J., Connell G.A.N., Moustakas T.D. Doping, Schottky Barrier and p-n Junction Formation in Amorphous Germanium and Silicon by RF-Sputtering. Sol.State Commun., 1976, v. 20, No. 8, p. 969-975.

48. Malhorta A.K., Nuedeck G.W. Effect of Hydrogen Contamination on the States in Amorphous Silicon. Appl.Phys.Lett., 1976, v. 28, No. 1, p. 47-49.

49. Kaplan D., Sol N., Velasco G., Thomas Р.Л. Hydrogenation of Evaporated Amorphous Silicon Pilms by Plasma Treatment. -Appl.Phys.Lett., 1978, v. 23, No. 5, p. 440-442.

50. Priederich A., Kaplan D. Doping Effects in CVD Deposited Amorphous Silicon: A Study by Light-Induced ESR. J.Phys. Soc.Japan, 1980, v. 49, suppl. A, p. 1233-1236.

51. Staebler D.L., Wronski C.R. Reversible Conductivity Changes in Discharge-Produced Amorphous Si. Appl.Phys.Lett., 1977, v. 31, No. 4, p. 292-294.

52. Tong B.Y., John Р.к., Wong S.K., Chik K.P. Highly Stable Photosensitive Evaporated Amorphous Silicon Pilms. Appl. Phys.Lett., 1981, v. 38, No. 10, p. 789-790.

53. Knights J.C., Lujan R.A. Microstructure of Plasma-Deposited a-Si:H Pilms. Appl.Phys.Lett., 1979, v. 35, No. 3, p. 244-246.

54. Imura Т., Ushita K., Hir&kI;,A. Spontaneous Inclusion of Oxygen in Sputter-Deposited Amorphous Silicon During and After Fabrication. Japan.J.Appl.Phys., 1980, v. 19, No. 2,p. L65-L68.

55. Zellama K., Germain P., Squelard S., Monge J. Exodiffusion of Hydrogen in Amorphous Si. J.Non-Cryst.Sol., 1980,v. 35-36, p. 225-230.

56. Fritsche H. Localized States and Doping in Amorphous Semiconductors. In: Proceedings of the 7th International Conference on the Amorphous and Liquid Semiconductors, Edinburgh, 1977, p. 5-15.

57. Staebler D.L., Crandall R.S., Williams R. Stability of n-i-p Amorphous Solar Cells. Appl.Phys.Lett., 1981, v. 39, No. 9, p. 733-735.

58. Clark G.J., White O.W., Allred D.D., Magee C.W., Carlson D.E. The Use of Nuclear Reactions and SIMS for Quantitative Depth Profiling of Hydrogen in a-Si. Appl.Phys.Lett., 1977,v. 31, No. 9, p. 582-585.

59. Moustakas T.D. Sputtered Hydrogenation Amorphous Silicon. -J.Electr.Mater., 1979, v. 8, No. 3, p. 391-435.

60. Ioffe A.F., Regel A.R. Non-Crystalline Amorphous and Liquid Electronic Semiconductors. Progr.Semicond., 1960, v. 4, p. 237-291.

61. Мотт H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. /Пер. с англ. под ред Б.Т.Коломийца. М.: Мир, 1974, - 472 с.

62. Singh J. Influence of Disorder on the Electronic Structure of Amorphous Silicon. Phys.Rev., 1981, v. 23B, No. 8,p. 4156-4167.

63. Xill R'vM. On the Observation of Variable Rangu Hopping.

64. Phys.Stat.Sol., 1976, v. 35a, No. 1, p. K29-K34. 76e Забродский А.Г., Прыжковая проводимость и ход плотности локализованных состояний в окрестности уровня Ферми. Физ. Техн.Полупр., 1977, т.II, вып. 3, с. 595 - 595

65. Шкловский Б.И. Прыжковая проводимость полупроводников в сильном • электрическом поле. Физ.Техн.Полупр., 1972, т. 6, вып. 12,с. 2335-2340.

66. Kolomiets В.Т. Vitreous Semiconductors. Phys.Stat.Sol., 1964, v. 7, No. 2, 3, p. 359-372.

67. Vass R.W., Meininger M.A., Anderson R.M. Amorphous Bismuth-Germanium Thin Films. I. Structural and Electrical Properties. J.Appl.Phys., 1974, v. 45, No. 2, p. 843-854.

68. Luby S. EPR and the Ageing Process in Amorphous Germain. -Thin Sol.Films, 1971, v.8, No. 5, p. 333-336.

69. Hauser J.J. Localized and Nonlocalized Impurity States in Amorphous Germanium. Sol.State Commun., 1973, v. 13, No. 9, p. 1451-1454.

70. Spear V/.E., Le Comber P.G. Substitutional Doping of Amorphous Silicon. Sol.State Commun., 1975, v. 17, No. 9, p. 1193-1196.

71. Knights J.C. Substitutional Doping in Amorphous Semiconductors. The As-Si System. Phil.Mag., 1976, v. 34, No. 4, p. 663-667.

72. Madan A., Ovshinsky S.R., Benn E. Electrical and Optical Properties of Amorphous Si:F:H Alloys. Phil.Mag., 1979, v. 40B, No. 4, p. 259-277.

73. Matsuda A., Yamasaki S., Nakagawa K., Okushi H., Tanaka K«, Iizzima S., Matsumura M., Yamamoto H, Electrical and Structural Properties of Phosphorus-Doped Glow-Discharge Si:F:Hand Si:H Films. Japan.J.Appl.Phys., 1980, v. 19, No. 6, p. L305-L308.

74. Sol N., Kaplan D., Diemegard D., Dubreiul D. Post-Hydrogen-ation of CVD Depositee, a-Si Films. J.Non-Cryst.Sol., 1980, v. 35-36, p. 291-296.

75. Brower K.L., Beezhold W. Electron Paramagnetic Resonanceof the Lattice Damage in Oxygen-Implanted Silicon. J.Appl.

76. Phys., 1972, v.43, No. 8, p. 3499-3506.

77. Физические процессы в облученных полупроводниках /под ред. Л.С.Смирнова/. Новосибирск: Наука, 1977. - 256 с.

78. Morehead F.F., Crowder B.L. Model for the Formation of Amorphous Si by Ion Bombardment. Radiat. Effects, 1970, v. 6, No. 1-2, p. 27-32.

79. Vook F.L. Radiation Damage During Ion Implantation. In: Radiation Damage and Defects in Semiconductors. London

80. Bristol, Institute of Physics, 1972, p. 60 71.

81. Павлов П.В., Зорин Е.И., Тетельбаум Ф.И., Попов Ю.С. О глубине проникновения и распределении повреждений при бомбардировке германия ионами аргона и азота. Физ. Твер. Тела, 1964, т. 6, вып. II, с. 3222-3226.

82. Придачин Н.Б., Смирнов Л.С. Осооенности накопления радиационных дефектов при бомоардировке кристаллов ионами. Физ. Техн. Полупр., 1971, т. 5 , вып. I, с. 166-168.

83. Гаштольд В.Н., Герасименко Н.Н., Двуреченский А.В., Смирнов Л.С. Профили дефектов при имплантации ионов в кремнии. -Физ.Техн.Полупр., 1975, т. 9, вып. 5, с. 835-839.

84. Аброян И.А., Титов а.И., Хлебалкин А.В. Образование приповерхностного пика структурных нарушении при ионном облучении. -Физ.Техн.Полупр., 1977, т. II, вып. 6, с. 1204-1206.

85. Smith J.E., Brodsky М.Н., Crowder B.L., Nathan M.I., Pinczuk A. Raman Spectra of Amorphous Si and Related Tetra-hedrally Bonded Semiconductors. Phys. Rev. Lett., 1971, v. 26, No. 11, p. 642-643.

86. Crowder B.L., Title R.S., Brodsky M.H., Pettit G.D.

87. ESR and Optical Studies of IOn Implanted Silicon. Appl.

88. Phys. Lett., 1970, v.16, N0.5, p. 205-208. 97* Baranova E.C., Gusev Y.M., Martynenko Yu. V., Starinin C.V.,

89. Советское радио, 1974, 158 с.

90. Krautle Н. Study of the annealing behavior of high dose in Si and Ge crystals. Radiation Effects, 1975, v. 24,1. No. 3-4, p., 255-262.

91. Баранов А.И., Герасименко H.H., Двуреченский A.B., Смирнов

92. JI.С. Отжиг крупных вакансионных кластеров. Физ.Техн.Полупр. 1974, т.II, вып. I, с. 94-99.

93. Болотов В.В., Васильев А.В., Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Придачин Н.Б., СмирновЛ.С., Стась В.Ф. Вопросы радиационной технологии полупроводников. Новосибирск: Наука, 1980. - 296 с.

94. Герасименко Н.Н., Двуреченский А.В., Романов С.И., Смирнов Л.С. Взаимодействие дефектов и примесей при внедрении ионов в кремний. Физ.Техн.Полупр., 1972, т.6, вып. 10, с. I978-I98I.102.10J.

95. Dvurecheneky A.V., Gerasimenko N.N., Romanov S.I., Smirnov L.S. High Dose Effects in Ion Implantation. Radiation

96. Effects, 1976,.v. 30, No. 2, p. 69-71.

97. Хохлов А.Ф. Ионное легирование аморфного кремния. -К.Техн.Физ, т. 49, с. 2444 2446 .

98. Kalbitzer S., Muller G., Le Comber P.G., Spear W.E. The Effects of Ion Implantation on the Electrical Properties of Amorphous Silicon. Phil.Mag., 1980, v. 41B, No. 4, p. 439-456.

99. Muller G., Kalbitzer S. Doping of Amorphous Silicon in the Hopping Transport Regime. Phil.Mag., 1978, v. 38B, No. 3, p. 241-254.

100. Sekhar P., Joshi M.C., Narasimhan K.L., Guha S. Ion Implantation in Amorphous Germanium and Silicon. Sol.State Commun., 1978, v. 26, p. 933-936.

101. Anderson G.W., Davey J.E., Comas J., Saks N.S., Lucke V/.H. Optical and Electrical Properties of Boron-Implanted Amorphous Germanium Thin Films. J.Appl.Phys., 1974, v. 45, No. 10, p. 4529-4533.

102. Beyer W. Doping in Evapprated Amorphous Silicon Films. -Sol.State Commun., 1979, v. 29, p. 291-294.

103. Pchiai Y., Uematsu K., Takita K., Masuda K. In-situ electrical Measurement in Ion Implanted Amorphous Silicon Films.- Phys.Lett., 1981, v. 81A, No. 9, p. 519-521.

104. Пленочные диэлектрические материалы для оптических покрытий. Б кн.: Физика тонких пленок./Под общ.ред. Г.Хасс и др. -М.: Мир, 1978, т. 8, 359 с.

105. Пранявичус JI., Дудонис Ю. Модификация свойств твердых тел ионными пучками. Вильнюс : Мокслас, 1980. - 242 с.

106. Данилин А.Б., Самсонов Е.С., Тимофеев П.А. Нагрев кремниевой подложки ионным лучом в процессе имплантации. Электронная техника, сер.З, Микроэлект., 1979, вып.2, с. 84-89.

107. ПУЛ Техника ЭПР спектроскопии /Пер. с англ. Л.Декабруна. -М.: Мир, 1970, - 557 с.

108. ДвуреченскиЙ А.В., Серяпин В.Г. Анодное окисление кремния. Новосибирск, 1975. -25 с. (Препринт ИФП СО АН СССР).

109. Основы технологии кремниевых интегральных схем : окисление, диффузия, эпитаксия / Под ред. Р.Бургера и Р.Донована. М.: Мир, 1969, -425 с.

110. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. -791 с.

111. Энергия разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону / Под ред. В.Н.Кондратьева. М.: Наука, 1974, - 351 с.

112. Вертц Дв., Болтон Дж.,Теория и практические приложения метода ЭПР. /Пер. с англ. М.Г.Гольдфельда, Л.А.Блюменфельда. М.: Мир, 1975, - 548 с.

113. Ishii N., Kumeda М., Shimizu Т. The ^ values of Defects in Amorphous C, Si and Ge. - Japan.J.Appl.Phys., 1981,v. 20, No. 9, p. L673-L676.

114. Arizumi Т., Yoshida A., Saji K. ESR Studies of Amorphous Geimanium. In: Proceedings of the 5th International Conference on Amorphous Semiconductors. Garmich-Partenkirchen, 1973, p. 1065-Ю72.

115. Gullis A.G., Seidel Т.Е., Meek R.L. Comparative Study of Annealed Neon-, Argon-, and Krypton-Ion Implantation Damage in Silicon. J.Appl.Phys., 1978, v. 49, No. 10, p. 5188-5198.

116. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев: Наукова Думка, 1975, -704 с.

117. Revesz P., Wittmer М., Roth J., Mayer J.W. Epitaxial Regrowth of Ar-Implanted Amorphous Silicon. J.Appl.Phys., 1978, v. 49, No. 10, p. 5199-5212.

118. Badawi M.H., Anand K.V. A Study of Silicpn Oxides by Oxygen Implantation into Silicon. J.Phys; D: Appl.Phys., 1977, v. 10, p. 1931-1942.

119. Magee C.W., Bean J.C., Foti G., Poate J.M. Observation of Gas Absorption in Evaporated Amorphous Silicon Films Using Secondary Ion Mass Spectrometry. Thin Sol.Films, 1981, v. 81, No. 1, p. 1-6.

120. Brice D.K. Spatial Distribution of Energy Deposited into Atomic Processes in Ion-Implanted Silicon. Radiation Effects, 1970, v. 6, p. 77-87.

121. Кумахов M.A., Муралев В.А. Пространственное распределение дефектов в кремнии, облученном ионами бора и фосфора. -Физ.Техн.Полупр., 1972, т.б, вып.8, с. 1564-1570.

122. Зельдович Я.Б., Мышкис А.Д. Элементы математической физики. М.: Наука, 1973, - 350 с.

123. ДвуреченскиЙ А.В., Рязанцев И.А. Диффузионное расширение аморфного слоя при внедрении ионов в Si,- Физ.Техн.Полупр., 1980, т.14, вып. 7, с. 92-95.

124. ДвуреченскиЙ А.В., Рязанцев И.А. Ионное легирование аморфного кремния, полученного методом испарения. Физ.Техн.Полупр., 1982, т. 16, вып. 7, с. 1384-1389.

125. Dvurechensky A.V., Ryazantsev I.A. Substitutional Doping of Vacuum-Evaporated Amorphous Silicon by Ion Implantation. -Phys.Stat.Sol., 1982, v. 69a, Wo. 1, p. K117-K120.

126. ДвуреченскиЙ А.В., Рязанцев И.А., Смирнов JI.С. Диффузия водорода в аморфном кремнии. Физ.Техн.Полупр., 1982, т. 16, вып. 4, с.621-624.

127. Гиновкер А.С., ДвуреченскиЙ А.В., Рязанцев И.А., Эдельман Ф.Л. Фазовая неоднородность пленок Si-Ox. Электронная техника. Материалы, 1981, вып. 8(157), с. 52-54.

128. Dvurechensky A.V., Edelman F.L., Ryazantsev I.A. The Phase Composition SiO Films. Thin Sol.Films, 1982, v. 91,A1. No. 1, p. L55-57.

129. Абдулаев Г.Б., Тагиев Б.Г., Мустафаева б.Н.,Проводимость аморфных пленок GaSe в сильных электрических полях. Физ. Техн.Полупр., 1977, т. II, вып. 10, с. 1972-1975.

130. ДвуреченскиЙ А.В., Рязанцев И.А., Болотов В.В., Шилова Б7П. Имплантация водорода в процессе осаждения пленок аморфного кремния. В кн.: Международная конференция "Ионная имплантация в полупроводниках и других материалах". Вильнюс, 1983,с. 317-318.

131. Болотов В.В., Васильев А.В., Смирнов Л.С. Реакции в крисаллах как фактор, определяющий процессы диффузии. -Физ.Техн.Полупр., 1974, т. 8, вып. 6, с. II75-II8I.

132. Tu K.N., Chaudhari P., Lai К., Crowdег B.L., Tan S.I. X-Ray Topographic Determination of the Absence of Lateral Strains in Ion-Implanted Silicon. J.Appl.Phys., 1972, v. 43, No. 10, p. 4262-4263.

133. ДвуреченскиЙ А.В.,Рязанцев И.А., Смирнов Л.С. Взаимодействие дефектов и примеси, стимулированное наведенной ионизациейв имплантированных слоях кремния. Физ.Техн.Полупр., 1979, т. 13, вып. 3, с. 452-455.

134. Логинов Ю.Ю., Рязанцев И.А. Роль плотности тока при вторичном дефектообразовании в кремнии. В кн.: Физика и технология перспективных материалов техники. Красноярск, КрасГУ, 1980,с. 46-49.

135. Машин А.И., Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Проводимость аморфного кремния, легированного имплантацией фосфора. Физ.Техн.Полупр., 1982, т. 16, вып. 3, с. 558-559.

136. Spear W.E., Allan О., Le Comber P.G., Ghaith A. The Interpretation of Transport Results in Amorphous Silicon. J.Non-Cryst.Sol., 1980, v. 35-36, p. 357-362.

137. Hirose M., Taniquechi M., Nakashita Т., Osaka Y., Suzuki Т., Hasegawa S., Shimizu T. Defect Compensation in Doped CVD Amorphous Silicon. J.Non-Cryst.Sol., 1980, v. 35-36,p. 297-302.

138. Людвиг Дж., Вудбери F. Электронный спиновый резнанс в полупроводниках. М.: Мир, 1964, - 380 с.

139. V Двуреченский А.В., Рязанцев И.А., Дравин В.А. Легирование аморфного кремния внедрением ионов марганца. Физ.Техн. Полупр., 1982, т.16, вып.И, с. 1969-1973.

140. Dvurechensky A.V., Ryazantsev I.A., Dravin V.A. Doping of Amorphous Silicon by Manganese Ion Implantation. Phys. Stat.Sol., 1982, v. 71a, No. 2, p. К133-К136., ,

141. Коттон Ф., Уилкинсон Дж. Основы неорганической химии. М.: Мир, 1970, - 370 с.

142. Dvurechensky A.V., Ryazantsev I.A., Smirnov L.S. Amorphous Silicon-Phosphorus Layers. Phys.Stat.Sol., 1983, v. 83, p. 83-86.

143. Antonenko A.H., Dvurechensky A.V., Ryazantsev I.A., Dravin V.A. Ion Beam Modification of Amorphous Silicon. In: Proceedings of the 5th International Conference on Ion

144. Beam Modification. Grenoble, 1982, ,p. 123.

145. Двуреченский А.В., Рязанцев И.А. Получение легированныхпленок Ci-Si методом испарения. В кн.: Тезисы У1 Всесоюзной конференции по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1982, с. 292-293.

146. Двуреченский А.В., Рязанцев И.А., Потапова Л.П.у Смирнов Л.С. Легирование пленок аморфного кремния для солнечных преобразователей. В кн.: Тезисы I Всесоюзной конференции " Пути использования солнечной энергии". Черноголовка, 1981, с.27-29.

147. Dvurechensky A.V., Ryazantsev I.A., Smirnov L.S. Defect and Impurities Interaction Enhanced by Ionization in Ion-Implanted Silicon. In: Proceedings of International

148. Conference on Ion Beam Modification of Materials» Budapest, 4-8 September 1978, p# Ю49-1058.- ш

149. Жерздев А.В., Косарев А.И., Андреев А.А., Родина А.А., Уткин-Эдин Д.П. Исследование края поглощения аморфного кремния. Физ.Техн.Полупр., 1981, т.15, вып. 7, с. 1405-1408.

150. Андреев А.А., Голикова О.А., Казанин М.М., Мездрогина М.М. Проводимость аморфного кремния в зависимости от электрического поля и температуры.- Физ.Техн.Полупр., 1980, т. 14, вып. 9, с. I859-I86I.