Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства модифицированных пленок a-Si:H тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Нальгиева, Мадина Алихановна

• Нальгиева, Мадина Алихановна
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Нальгиева, Мадина Алихановна

Введение.

Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1 Влияние термического отжига на электрические свойства нелегированных и легированных пленок a-Si:H.

1.2 Фотопроводимость и механизмы рекомбинации в пленках a-Si:H.

1.3 Изменение оптической ширины запрещенной зоны и оптических параметров пленок a-Si:H в результате их термического отжига.

Глава 2. ИССЛЕДОВАННЫЕ ОБРАЗЦЫ, МЕТОДИКИ

ИЗМЕРЕНИЙ И ОБРАБОТКИ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ.

2.1 Исследованные образцы.

2.2 Методика определения концентрации водорода в пленках a-Si:H.

2.3 Измерительная установка, методы измерений.

2.4 Измерение электрических и фотоэлектрических характеристик пленок a-Si:H.

2.5 Определение оптических параметров и оптической ширины запрещенной зоны пленок a-Si:H.

Глава 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ОТЖИГА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННЫХ БОРОМ ПЛЕНОК a-Si:H.

3.1 Результаты эксперимента и их обсуждение.

3.2 Основные результаты главы 3.

Глава 4. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК a-Si:H, ПОДВЕРГНУТЫХ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМУ

ОТЖИГУ.

4.1 Результаты эксперимента и их обсуждение.

4.2 Основные результаты главы 4.

Глава 5. ВЛИЯНИЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ОТЖИГА НА

ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННЫХ БОРОМ ПЛЕНОК a-Si:H.

5.1 Результаты эксперимента и их обсуждение.

5.2 Основные результаты главы 5.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства модифицированных пленок a-Si:H»

Одним из самых интересных с научной точки зрения и перспективных для практического применения аморфных материалов, является аморфный гидрированный кремний. Аморфный гидрированный кремний отличается высокой фотопроводимостью, большим коэффициентом поглощения и возможностью эффективного легирования, что определяет использование широкого круга методов для его научного исследования, а также его практическое применение. Большой практический интерес к a-Si:H, связан также с дешевизной и высокой технологичностью этого материала, обусловленных, в частности, возможностью получения пленок различных толщин, на больших площадях, при невысоких температурах.

На основе a-Si:H созданы: солнечные элементы с к.п.д до 13%; фотоприемники, фотоэлементы, видиконы; полевые транзисторы для адресации жидкокристаллических дисплеев; элементы памяти, запоминающие устройства; элементы интегральных схем; приборы для электрографии и т.д.

Для изготовления полупроводниковых приборов необходимы материалы с различными свойствами. Особенностью пленок а-Si:H, является возможность модифицировать их свойства внешними воздействиями, в частности, термическим отжигом. Установление природы этих модификаций, является важным научным направлением, позволяющим понять физику этого материала и новые возможности его практического применения.

Изменение свойств пленок a-Si:H, под влиянием термического отжига, исследовалось во многих работах. Наиболее исследованы нелегированные пленки. Было установлено, что при температурах отжига Та, меньших температуры их получения Г, изменения параметров нелегированных пленок незначительны и связаны с несовершенством изготовленных пленок, например, с неоднородностью распределения водорода.

При температурах отжига Та >Г (Г - температура, соответствующая максимальной скорости выхода водорода из пленок), происходят существенные изменения электрических, фотоэлектрических и оптических свойств пленок. Эти изменения обусловлены структурной перестройкой водородных связей и интенсивным образованием оборванных связей кремния (ОС). Имеются литературные данные и о таких структурных перестройках, как образование в a-Si:H микрокристаллической фазы, или цепочечных структур кремния - силицина.

В легированных бором, отожженных пленках a-Si:H существенные изменения электрических, фотоэлектрических и оптических свойств наблюдались и при температурах отжига, ниже Г (Г < Г). Увеличение темновой проводимости и фотопроводимости было обусловлено увеличением концентрации электрически активных атомов примеси бора. При отжиге этих пленок при Та > Г, в результате эффузии водорода, происходило интенсивное образование оборванных связей кремния на фоне, которого более слабый процесс увеличения концентрации электрически активных атомов примеси, не проявлялся.

Надо отметить, что исследования проводились в основном для пленок, отожженных в вакууме и только до температур отжига ниже 520°С. После отжига в вакууме при такой высокой температуре, из-за интенсивной эффузии водорода, наблюдались механические повреждения пленок. Это мешало проведению исследований их электрических, фотоэлектрических и оптических свойств.

В настоящей работе проводился отжиг пленок a-Si:H при температурах выше 520°С. Отжиг проводился в потоке водорода, что уменьшало скорость эффузии водорода и существенно предотвращало механические повреждения пленок.

Целью настоящей работы было установление изменения электрических, фотоэлектрических и оптических свойств нелегированных и легированных бором пленок a-Si:H, после высокотемпературного отжига их в потоке водорода и установление влияния примеси бора на эти изменения.

Научная новизна работы состоит в следующем.

1.Обнаружено, что в отожженных пленках a-Si:H р-типа, в области низких температур (Т< 150К), наблюдается прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка по состояниям оборванных связей кремния (D+, D°).

2. Обнаружено, что в отожженных пленках a-Si:H р-типа, в области промежуточных температур, наблюдается прыжковая

2 -проводимость по состояниям хвоста валентной зоны.

3. Определен размер области неэкспоненциального спада плотности локализованных состояний хвоста валентной зоны в отожженных, сильно легированных бором пленках a-Si:H.

4. Установлено уменьшение оптической ширины запрещенной зоны Е и увеличение длинноволнового показателя преломления и0 нелегированных и легированных бором пленок a-Si:H, в результате высокотемпературного отжига их, в потоке водорода. Показано, что эти изменения, связанные с уменьшением концентрации водорода, не зависят от начального содержания водорода и примеси бора в пленках.

Практическая ценность работы. Данные, полученные в работе об изменении электрических, фотоэлектрических и оптических свойств пленок a-Si:H в результате высокотемпературного отжига могут быть использованы при создании на основе a-Si:H материалов, с заданными параметрами.

Основные результаты и положения, выносимые на защиту.

1. Обнаружено, что темновая проводимость отожженных, сильно легированных бором пленок a-Si:H (Св =4-10"см*3) имеет неактивационную температурную зависимость и определяется суммой зонной проводимости, прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка, по состояниям оборванных связей кремния (D+, Щ и прыжковой £2-проводимости, по состояниям хвоста валентной зоны. Возникновение прыжковой s 2 проводимости связано с увеличением концентрации электрически активных атомов бора и смещением уровня Ферми к потолку валентной зоны.

2. Определен размер области неэкспоненциального спада плотности локализованных состояний хвоста валентной зоны в отожженных, сильно легированных бором пленках a-Si:H, как разность энергий активации зонной проводимости и прыжковой £2 - проводимости.

3. Установлено, что в результате высокотемпературного отжига в потоке водорода нелегированных и легированных бором пленок a-Si:H, происходит уменьшение оптической ширины запрещенной зоны Е и увеличение длинноволнового показателя преломления п0. Показано, что эти изменения связаны с уменьшением концентрации водорода в пленках и не зависят от начального содержания водорода и примеси бора в них.

Апробация работы и публикации.

Основные результаты диссертационной работы докладывались на следующих семинарах и конференциях: IV Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (С-Петербург, 2004 г.), третья Российская школа ученых и молодых специалистов "Кремний. Школа-2005" (Москва, 2005г.), научная конференция "Ломоносовские чтения" (Москва, 2005г.), VII Российская конференция "Полупроводники 2005" (Звенигород, 2005г.), научная сессия "МИФИ - 2006" (Москва, 200бг).

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Нальгиева, Мадина Алихановна

Выводы.

Исследованы электрические, фотоэлектрические и оптические свойства нелегированных и легированных бором пленок a-Si:H, модифицированных методом высокотемпературного отжига в потоке водорода.

1. Установлено, что темновые проводимости отожженных, нелегированных и легированных бором пленок a-Si:H п- и р-типа, в исследованной области температур (80 К -480 К), имеют неактивационный характер, что обусловлено, наличием в этой области температур нескольких механизмов транспорта носителей заряда. Темновые проводимости нелегированных и слабо легированных пленок (п-типа), определяются суммой зонной проводимости и прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка по состояниям оборванных связей кремния (D-, D0). В сильно легированных пленках (р-типа), кроме зонной проводимости и прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка по состояниям оборванных связей кремния (D+, D°), обнаружена прыжковая е2 -проводимость по состояниям хвоста валентной зоны.

2. Установлено, что наличие прыжковой £2-проводимости связано со смещением уровня Ферми к потолку валентной зоны, что возможно, обусловлено увеличением концентрации электрически активных атомов бора.

3. Определен размер области неэкспоненциального спада плотности локализованных состояний хвоста валентной зоны в отожженных, сильно легированных бором пленках a-Si:H, как разность энергий активации зонной проводимости и прыжковой е2 - проводимости.

4. Установлено, что в отожженных пленках a-Si:H п- и р-типа, в области температур от 87 К до 360 К, наблюдается слабая фотопроводимость

А. Фотопроводимость в области высоких температур (Т> 150 К), увеличивается с увеличением температуры, а показатель степени люксамперных характеристик у изменяется слабо и лежит в интервале величин у = 0.8 -г-0.86. Предположено, что в этой области температур фотопроводимость зонная, а рекомбинация свободных носителей осуществляется путем захвата их из зоны на оборванные связи кремния. В области низких температур (Т< 125 К), фотопроводимость отожженных пленок п- и р-типа слабо уменьшается с температурой, стремясь к насыщению, а значения показателя люксамперных характеристик у увеличиваются, приближаясь к у «1. Предположено, что эти температурные изменения оРн и у обусловлены проявлением в этой области температур прыжковой фотопроводимости неравновесных носителей по состояниям хвостов зон и увеличением ее вклада с уменьшением температуры.

5. Установлено, что в результате высокотемпературного отжига нелегированных и легированных бором пленок а-Si:H происходит уменьшение оптической ширины запрещенной зоны Ед и увеличение длинноволнового показателя преломления по. Эти изменения связаны с уменьшением концентрации водорода в пленках и не зависят от начального содержания водорода и примеси бора в них

В заключение автор выражает глубокую благодарность своему научному руководителю Иде Александровне Куровой за внимательное отношение, руководство работой и обсуждение полученных результатов, Наталье Николаевне Ормонт за доброе отношение и помощь в работе, Игорю Петровичу Звягину за консультации по теоретическим вопросам, Андрею Георгиевичу Казанскому за участие и помощь при измерениях оптических свойств.

Автор благодарен сотрудникам кафедры физики полупроводников за теплое, доброжелательное отношение.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Нальгиева, Мадина Алихановна, 2006 год

1. Zellama К., Germain P., Squelard S., Monge J., Ligeon E. //Effects of annealing in plasma gas on photo-conduction in sputtered amorphous Si.// J. Non-Cryst. Solids, 1980, v. 35 -36, p. 225.

2. Dai P., Zhang Y., Sarachik M. P. //Phys. Rev. Lett., 1992, v. 69, p. 1804.

3. Kumeda M., Shimizu T. //Solid State Comm., 1986, v. 58, p. 55.

4. Sakka Т., Toyoda K., Iwasaki M. //Evolutions of hydrogen from plasma-deposited amorphous silicon films preparated from a-Si:H4/H2 mixture.// Appl. Phys. Lett., 1989, v. 55, p.1068.

5. Biegelsen D. K., Street R. A., Tsai C.C. //Hydrogen evolution and defect creation in amorphous Si:H alloys.// Phys. Rev. B, 1979, v. 20, p.4839.

6. Yang S. H., Lee C. //Phil. Mag. B, 1986, v. 53, p. 293.

7. Staebler D. L., Pankove J. I. //Conductivity changes in dehydrogenated and rehydrogenated discharge-produced a-Si:H.// Appl. Phys. Lett., 1980, v. 37, p. 609.

8. Wu Z.Y., Equer B. //A-Si:H structure relaxation and boron reactivation.// J. Non-Cryst. Solids, 1991, v. 137&138, p. 179.

9. Курова И.А., Лупачева A. H., Мелешко H. В., Ларина Э.В. / /Влияние теплового отжига на фотоэлектрические свойства легированных бором пленок a-Si:H.// ФТП, 1994, в. 28, №6, с. 1092 1096.

10. Deng X.-M. //Irreversible changes in doping efficiency and hydrogen bonding in the equilibrium state of a-Si:H. //Phys. Rev. B, 1991, v. 43, p. 4820.

11. Курова И. А., Мелешко H. В., Ларина Э.В., Хлебникова О.П., Громадин А. Л. //Влияние высокотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические свойства пленок а-Si:H, легированных фосфором.// ФТП, 1996, в. 30, № 1, с. 12-16.

12. Bianconi М., Fonseca F. J., Summonte С., Fortunato G. //A study on excimer laser amorphous silicon film crystallization.// J. Non-Ciyst. Solids, 1991, v. 137 & 138, p. 725 728.

13. Lubianiker Y., David Cohen J. //Effect of embedded microcrystallites on the light-induced degradation of hydrogenated silicon.// Phys. Rev., 1999, v. 60, № 7, p. 4434- 4437.

14. Toshiro Kamei, Paul Stradins, Akihisa Matsuda. //Effect of embedded crystallites in amorphous silicon on light-induced defect creation.// Appl. Phys. Lett., 1999, v. 74, Nq 12, p. 1707 1709.

15. Машин А. И., Хохлов А. Ф. //Новые аллотропные формы кремния: получение и свойства.// ФТП, 1999, в. 33, р. 1434.

16. Mitra S., Gleason К. К., Jia Н., Shinar. //Effects of annealing on hydrogen microstructure in boron doped and undoped rf- sputter -deposited amorphous silicon.// J. Phys. Rev. B, 1993, v. 48, № 4, p. 2175 2182.

17. Pollak M., Shklovski B. //Hopping transport in solids.// North-Holland, 1991, v. 16, p. 323.

18. Massey L. G., Lee M.// Phys. Rev. Lett., 1995, v. 75, p. 4266.

19. Butko Yu., DiTesa J. F., Adams P. W. //Uber den Mechanismus der elektrischen Leitfahigkeit des Silicium-Carbids.// Pys. Rev. Lett., 2000, v. 84, p. 1543.

20. Mott N. F. //Conduction in glasses containing transition metal ions.// J. Non-Cryst. Solids, 1968, v. 1, p. 1.

21. Brodsky M. H., Gambino R. J. //Electrical conduction in evaporated amorphous silicon films.// J. Non-Cryst. Solids, 1972, v. 8-10, p. 739.

22. Stesmans A., Wu Y. //Anomalous Change of d. c. conductivity with ambient conditions in slowly deposited sputtered a-Si and a-Si:H.// Sol. State Phys., 1987, v. 62, № 6, p. 435 -439.

23. Viscor P. & Yoffe A.D. //Amorphous germanium prepared in ultra nigh vacuum and measured in situ: the D. C. electrical conductivity.// J. Non-Cryst. Solids, 1980, v. 36, № 3, p. 409.

24. Szpilka A. M. & Viscor P. //Temperature and thickness dependence of low temperature transport in amorphous silicon thin film comparison to amorphous silicon.// Phil. Mag. B, 1982, v. 45, p. 485.

25. Thomas P. & Flacket J. C. //J. Phys. C4, 1981, p.151.

26. Ortuna M. & Pollak M. //Phil. Mag. B, 1983, v. 47, p. 293.

27. Knotek M.I. //Temperature and thickness dependence of low temperature transport amorphous silicon thin films a comparison to amorphous germanium.// Solid State Communic., 1975, v. 17, p. 1431 -1433.

28. Lustig N., Howard W. E. //Variable range hopping conductivity in hydrogenated amorphous silicon thin filmstransistors.// Solid State Communic., 1989, v. 72, № 1, p. 59-61.

29. Chik By. K.P., Koon К. C. //Evidence for nearest-neighbour hopping in amorphous silicon.// J. Phil. Mag. B, 1986, v. 53, № 5, p. 399 405.

30. Zvyagin I.P., Kurova I.A., Ormont N.N. //Variable range hopping in giow-discharge hydrogenated amorphous silicon.// Phys. Stat. Solid., 2003.

31. Курова И.А., Ормонт H.H., Теруков Е.И., Трапезников И.Н., Афанасьев В.П., ГУдовских А. С. //Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H и влияние на них термического отжига.// ФТП, 2001, том 35, вып. 3.

32. Yamanouchi С. //Hall coefficient and resistivity in the intermediate impurity conduction of n-type germanium.// J. Phys. Soc. Japan, 1965, v. 20, p. 1029.

33. Nishimura H. //Impurity conduction in the intermediate concentration range.// Phys. Rev., 1965, v. 138A, p. 815.

34. Гершензон E. M., Гольцман Г. H., Мельников А.П. //Об энергии связи носителя заряда с нейтральным примесным атомом в германии.// Письма в ЖЭТФ, 1975, т. 14, с.281.

35. Кузнецов С.В. //Рекомбинация в a-Si:H п- и р-типа.// Труды Международной конференции "Оптика полупроводников", 2000, Ульяновск, стр. 116.

36. Zhou J.-H, Elliott S.R. //Tunneling recombination and the photoconductivity of amorphous silicon in the temperature region around 100 K.// J. Phys. Rev. B, 1993, v.48, № 3, 1505.

37. Vomvas A., Fritzsche H. //The temperature dependence of the photoconductivity of n-type a-Si:H and the effect of Staebler -Wronski defects.// J. Non- Crystalline Solids, 1987, v. 97&98, p. 823.

38. Zhou J.-H, Elliott S.R. //Phil. Mag. B, 1992, v. 66, p. 801.

39. Dersch H., Schweitzer L., Stuke S. //Recombination processes in a-Si:H: Spin-dependent photoconductivity.// Phys. Rev. B, 1983, v. 28, № 8, p. 4678 4684.

40. Vanier P.E., Delahoy A.E., Griffith R.W. //New features of the temperature dependence of photoconductivity in plasma-deposited hydrogenated amorphous silicon alloys.// J. Appl. Phys. 1981, v. 52, p. 5235.

41. Fritzsche H., Tran M.Q., Yoon B.-G., Chi D.-Z. //The sign of photocarriers and thermal quenching of photoconductivity in a-Si;H.// J. Non-Ciyst. Solids, 1991, v. 137&138, p. 467.

42. Балагуров Л. А., Кютте Я. Я. и др. //Особенности рекомбинации в аморфном гидрогенизированном кремнии.// ФТП, 1985, т. 19, вып. 6, р. 1046.

43. Стыс Л.Е., Фойгель М.Г. //Особенности донорно-акцепторной рекомбинации в слабо легированных компенсированных полупроводниках.// ФТП, 1985, т. 19, в. 2, с. 217 223.

44. Smail Т., Mohammed-Brahim. //Philos. Mag. В, 1991, v. 64, p. 675.

45. Bube R.H., Redfield D. //Variation of photoconductivity with doping and optical degradation in hydrogenation amorphous silicon.// J. Appl. Phys. 1989, v. 66, No 7, p. 3074 3081.

46. Кузнецов С. В. //Влияние хвостов зон a-Si:H на заполнение состояний оборванных связей и величинуфотопроводимости.// Тезисы докладов II Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", 2000, Санк-Петербург, стр. 22.

47. Street R. A. //Hydrogenated Amorphous Silicon.// Cambridge University Press, Cambridge, 1991.

48. Hoheisel M., Fuhs W. //Drift mobility in n- and p-conducting a-Si:H.// Phil. Mag. B, 1988, v. 57, № 3, p. 411 419.

49. Kuznetsov S. V. //New feature of the photoconductivity in p -type a-Si:H films on doping level and defect concentration.// Abstract book of E MRS Spring Meeting, 2000, Strasbourg, France, О - P - 36.

50. Searle Т. M., //Philos. Mag. Lett., 1990, v. 61, p.251.

51. Kocka J., Nebel С. E., Abel C. D. //Phil. Mag. В., 1991, v. 63, №1, p. 221.

52. Vaillant F., Jousse D. / /Recombination at dangling bonds and steady-state photoconductivity in a-Si:H.// Phys. Rev. B, 1986, v. 34, № 6, p. 4088.

53. Shen D. S., Wagner S. //Numerical modeling of the dependence of the steady-state photoconductivity inhydrogenated amorphous silicon on the rate of carrier generation.// J. Appl. Phys., 1995, v. 78, № 1, p. 278.

54. Vaillant F., Jousse D., Bruyer J. C. //Recombination at dangling bonds and band tails: Temperature dependence of photoconductivity in hydrogenated amorphous silicon.// Phill. Mag. B, 1988, v. 57, № 5, p. 649 662.

55. Kruzelecky R. V., Racansky D., Zukotynski S. //Dependence of optical gap in a-Si:H on bonded hydrogen concentration.// J. Non-Cryst. Solids, 1988, v. 99, p. 89 96.

56. Kruzelecky R. V., Ukan C., Racansky D., Zukotynski S., Perz J. M. //Interband optical absorption in amorphous silicon.// J., Non-Crystal. Solids, 1988, v. 103, p. 234 249.

57. Swanepoel R. //Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon.// J. Phys. E : Instrum., 1983, v. 16, № 12, p. 1214- 1222.

58. Myburg G., Swanepoel R. //The influence of substrate temperature on the deposition rate and optical properties of a-Si:H thin films prepared by RF-glow discharge.// Non-Holland Physics Publishing Division, 1987, v. 96, p. 14 23.

59. Demichelis F., Minetti Mezzetti E., Tagliaferro A., Treesso E., Rava P., Ravindra N. M. //Optical properties of hydrogenated amorphous silicon.// J. Appl. Phys., 1986, v. 59, № 2, p. 611 -618.

60. Meiling H., Lenling W., Bezemer J., Wan Der Weg F. //Phil. Mag. B. 1990, v.62, p. 19.

61. Koltun M. M. //Selective optical surfaces for energy converters.// Allerton, New York, 1981, p. 14.

62. Swart P. L., Abaroni and Lacquet В. M. //Nucl. Instr. and Meth. B, 1985, v. 6, p. 365.

63. Sakata I., Hayashi Y., Yamanaka M., Karasawa H. //A new characterization parameter for hydrogenated amorphous silicon: В (the square of the gradient of the (a-hw)1/2 versus hw plot).// J. Appl. Phys., 1981, v. 52, p. 4334.

64. Yamaguchi M., Morigaki K. //Effect of hydrogen dilution on the optical properties of hydrogenated amorphous silicon prepared by plasma deposition.// Phil. Mag. B, 1999, v. 79, No 3, p. 387 407.

65. Klazes R. H., Bezemer J., Radelaar S. //Phil. Mag. B, 1982, v. 25, p. 377.

66. Kawase M., Masuda Т., Nagashima M., Maki Т., Miyamoto Y., Hashimoto К. // Jap. J. App. Phys., 1994, v.33, p. 3830.

67. Mireshighi A., Lee H.-K., Hong W.-S., Drewery J. S., Jing Т., Kaplan S. N., Perez- Mendez V., // Jap. J. App. Phys., 1995, v. 34, p. 3012.

68. Rocaicabarrocas P. //J. Non-Crystalline Solids, 1993, v. 37, p. 164 166.

69. Bruyere J. C., Deneuville A., Mini A., Fontenille J., Danielou R. //Influence of hydrogen on optical properties of a-Si:H.// J. App. Phys. 1984, v. 51, p. 2199.

70. Williamson D. L. //Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1995, v. 377, p. 251.

71. Zanzucchi C. R., Wronski C. R., Carlson D. E. //Optical and photoconductive properties of discharge-produced amorphous silicon.// J. App. Phys., 1977, v. 48, p. 5227.

72. Hayashi Т., Takagi Т., Ganguly G., Kondo M., Matsuda A. //Extended Abstracts Seminar on Amorphous Semiconductors, 1997, p. 183.

73. Курова И. А., Белогорохова Л. И., Белогорохов А. И. //Особенности оптических спектров аморфного гидрированного кремния, легированного бором, в инфракрасной области спектра.// ФТП, 1998, том 32, №5, стр. 631 -633.

74. Kong G.L., Zhang D. L., Zhao J. P., Liao X. B. //Sol. St. Phenomena, 1995, v. 677, p. 44 46.

75. Solomon I., Drevillon В., Shirai H., Layadi N. //J. Phys., Paris, 1993, v. 42, p. 257.

76. Xu X., Yang J., Guha S. //J. Non-Crystalline Solids, 1996, v. 60, p.198 200.

77. Fritzsche H., Tran M. Q., Yoon B.-G., Chi D.-Z. //Non-Cryst. Solids, 1991, v. 137&138, p.467.

78. Beyer W., Fischer R. //App. Phys. Lett., 1978, v. 21, p. 890 -892.

79. Yamasaki S., Hata N., Yoshida Т., Oheda H., Matsuda A., Okushi H., Tanaka K. //J. Phys. C, 4, 1981, v. 42, p. 297.

80. Tanaka K., Yamasaki S., Nakagawa K., Matsuda A., Okushi H., Matsumura M., Iizima S. //The role of argon involved in plasma- deposited amorphous Si:H films.// J. Non-Cryst. Solids, 1980, v. 35/36, p. 475.

81. Biegelsen D. K., Street R. A., Tsai С. C., Knights J. C. //Defect creation and hydrogen evolution in amorphous Si:H.// Non-Cryst. Solids, 1980, v. 35/36, p. 285.

82. Deneuville A., Mini A., Bruyere J. C. //J. Phys. C, 1981, v. 14, p. 4531.

83. Лей А. //Фотоэмиссия и оптические свойства//. В кн Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Вып.2.

84. Под ред. Джоунопулоса Дж. И Лкжовски Дж. М.:Мир, 1998, с 171.

85. Казанский А. Г., Миличевич Е. П. //Дефектообразование в a-Si:H при дегидрогенизации и оптической деградации.// ФТП, 1989, т. 23, в. 11, с. 2027.

86. Fritzshe Н. //Characterization of glow discharge deposited a-Si:H.// Sol. Energy. Mat., 1980, v. 3, № 4, p. 447 - 501.

87. Cardona M. //Vibrations in amorphous silicon and its alloys.// J. of Molecular Structure, 1986, v. 141, p. 93 107.

88. Street R.A. //Hydrogenated Amorphous Silicon.// Cambridge University Press, 1991.90 ред. Бродски. //Аморфные полупроводники.// М.:Мир, 1982, с. 324.

89. Звягин И. П. //Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках.// Изд-во МГУ, 1984.

90. Гершензон Е.М., Мельников А.П., Рабинович Р. И., Серебрякова Н. А. //УФН, 1980, т. 132, с.353.

91. Mott N.F., Davies J.H. //Phil. Mag. В, 1980, v. 42, p 859.

92. Zabrodski G. //Phil. Mag. B, 2001, v. 81, p. 1153.

93. Забродский А. Г. / /ФТП, 1977, в. 11, с. 595.

94. Swanepoel R. //Determination of surface roughness and optical constants of inhomogeneous amorphous silicon films.// J. Phys. E: Sci. Instrum. Vd, 1984, v. 17, p. 896.

95. Валеев A.C. //Определение оптических постоянных тонких слабо поглощающих слоев.// Оптика и спектроскопия, 1963, вып. 4, т. 15.

96. Tauc J. //Optical property of Solids ed F. Abeles.// North -Holland, Amsterdam, 1972, p. 279.

97. Overhof H., Beyer W. //Electronic transport in hydrogenated amorphous silicon.// Phil. Mag. B, 1983, v. 47, No 4, p. 377 -392.

98. Morgado E. //Phil. Mag. B, 1991, v. 63, p. 529.

99. Звягин И. П., Курова И. А., Нальгиева М. А., Ормонт Н. Н. //Прыжковая £2 проводимость легированных бором пленок a-Si:H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водороде.// ФТП, 2006, т. 40, вып. 1, стр. 112116.

100. Курова И. А., Нальгиева М. А., Ормонт Н. Н. / / Электрические и фотоэлектрические свойства пленок а-Si:H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водороде.// Вестник МГУ, серия 3, Физика. Астрономия, 2005, №4, стр. 54-57.

101. Курова И. А., Нальгиева М. А. //Влияние высокотемпературного отжига в водороде на оптические свойства легированных бором пленок a-Si:H.// Сборник научных трудов научной сессии "МИФИ 2006", 2006, т.4, стр. 188-190.

102. Курова И. А., Нальгиева М. А. //Влияние высокотемпературного отжига в водороде на оптические свойства легированных бором пленок a-Si:H.// Вестник МГУ, серия 3, Физика. Астрономия, 2006, №4, с. 39.