Формирование функциональных слоев на полупроводниках парофазным химическим осаждением из элементоорганических соединений тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.01, доктор химических наук Пономарева, Наталия Ивановна

• Пономарева, Наталия Ивановна
• доктор химических наук
• 2004

Оглавление диссертации доктор химических наук Пономарева, Наталия Ивановна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ПАРОФАЗНОЕ ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ - МЕТОД ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОК ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ (Обзор литературы).

§ 1. Важнейшие аспекты ПФХО покрытий для электроники.

§2. Фундаментальные основы метода ПФХО с использованием металлооргани-ческих соединений (МОС).—

2.1. Особенности термораспада МОС.

2.2. Специфика гетерогенных реакций распада МОС.

2.3. Кинетические особенности процесса ПФХО с участием МОС.

§3. ПФХО покрытий для электроники.

3.1. Получение пленок оксидов методом ПФХО из МОС.

3.2. Формирование слоев оксинитрида кремния в процессе деструкции КОС в присутствии азотсодержащих соединений.

3.2.1. Термическое ПФХО пленок оксинитрида кремния.

3.2.2. Плазменное осаждение пленок оксинитрида кремния.

3.2.3. Оксидирование кремния в среде N20.

3.2.4. Термическое азотирование пленок Si02.

3.3. ПФХО тонких пленок металлов и силицидов металлов.

3.3.1. Основные аспекты процессов получения силицидов.

3.3.2. ПФХО пленок вольфрама и силицида вольфрама.

3.3.3. Получение пленок молибдена и силицида молибдена.

3.3.4. Осаждение металлических и силицидных пленок титана и циркония.

3.3.5. ПФХО пленок никеля и силицида никеля.

3.3.6. Получение пленок силицидов разложением соединений со связями кремний- металл.

§4. Направление исследований и постановка задачи.

ГЛАВА II. ОСАЖДЕНИЕ ОКСИДНЫХ ПЛЕНОК НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ МЕТОДОМ ПФХО С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МОС.

§1. Методика осаждения оксидных пленок пиролизом МОС и методы их исследования.

§2. Получение оксидных слоев ПФХО с использованием ацетилацетонатов алюминия, галлия, индия.

2.1. Осаждение оксидных пленок пиролизом ацетилацетонатов алюминия, галлия и индия на воздухе однозонным методом.

2.2. Получение оксидных покрытий из ацетилацетонатов алюминия, галлия и индия двухзонным способом.

2.3. Влияние температуры на МО CVD-процесс получения пленок при термодеструкции ацетилацетоната индия

2.4. Влияние природы окислителя на процесс роста пленок при термораспаде ацетилацетоната индия.

§3. ПФХО оксидных пленок пиролизом алкильных производных галлия и сурьмы.

3.1. Осаждение пленок оксида галлия при пиролизе эфирата триметилгал-лия.

3.2. ПФХО слоев оксида сурьмы из алкилов сурьмы.

§4. ПФХО оксидных покрытий с использованием алкоксидов сурьмы и висмута.

§5. Формирование оксидных покрытий на полупроводниках методом МО

CVD с использованием алкилгалогенидов алюминия, галлия и индия.

§6. Электрофизические свойства оксидных пленок, полученных методом МО CVD.

§7. Кинетика и механизм процесса формирования оксидных МО CVDслоев.

ГЛАВА Ш. ФОРМИРОВАНИЕ ОКСИНИТРИДНЫХ ПЛЕНОК МЕТОДОМ

ПФХО С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКИХ И МЕТАЛЛО-ОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ В ПРИСУТСТВИИ АЗОТСОДЕРЖАЩИХ

ПРИМЕСЕЙ.

§1. Методика формирования диэлектрических покрытий пиролизом КОС и аце-тилацетоната алюминия в присутствии азотсодержащих соединений и методы исследования их состава и свойств.

§2. Влияние оксида азота (1) и аммиака на процесс осаждения пленок на кремнии при термо деструкции гексаметилдисилазана.

§3. Особенности ПФХО пленок оксинитрида кремния на кремнии при пиролизе гексаметилдисилокеана в присутствии оксидов азота (1) и (П) или диэтилами

§4. Формирование пленок на кремнии при термодеструкции триметилхлорси-лана в присутствии оксида азота (1) и аммиака.

§5. ПФХО пленок пиролизом трис-ацетилацетоната алюминия в присутствии диэтиламина.

§6. Электрофизические свойства оксинитридных слоев.

§7. Закономерности влияния азотсодержащих добавок на CVD-процесс формирования слоев оксинитрида кремния.

ГЛАВА 1У. НОВЫЕ ПРОЦЕССЫ ОСАЖДЕНИЯ ПРОВОДЯЩИХ ПЛЕНОК НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ МЕТОДОМ CVD ПРИ ТЕРМОДЕСТРУКЦИИ мое И КОС.:.

§1. Методика осаждения и исследования проводящих слоев.

§2. Формирование проводящих слоев на кремнии методом ПФХО при термораспаде карбонилов хрома, молибдена, вольфрама.

§3. Получение проводящих покрытий при пиролизе карбонилов хрома, молибдена и вольфрама в присутствии кремнийорганических соединений.

§4. Формирование пленок силицида никеля при совместном пиролизе ацетилацетоната никеля и КОС.

§5. ПФХО проводящих пленок при термодеструкции бисциклопентадиенилдихлоридов титана и циркония.

§6. ПФХО проводящих пленок на подложках Si, GaAs, InP и InAs при деструкции карбонила молибдена в тлеющем разряде.

§7. Формирование проводящих пленок при термораспаде кремнийсодержащих ферроценовых соединений.

§8. Влияние природы МОС, температуры процесса и материала подложки на процесс формирования проводящих пленок из МОС.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Формирование функциональных слоев на полупроводниках парофазным химическим осаждением из элементоорганических соединений»

Актуальность работы. Актуальной задачей химии является синтез соединений с заданными свойствами. Совершенствование неорганических материалов привело к возникновению научного направления, связанного с созданием из них пленок различной толщины и функционального назначения. С этой целью проводится поиск и разработка эффективных, воспроизводимых и легко регулируемых процессов формирования слоев с заданными свойствами. Преимущества процессов химического осаждения из газовой фазы CVD (Chemical Vapor Deposition) - низкие температуры, большие возможности моделирования состава и структуры путем подбора и контроля состава газовой фазы - дают возможность получать широкий круг пленок неорганических соединений, твердых растворов и сплавов. CVD-процессы особенно важны для технологии полупроводниковых устройств, где требуются тонкие пленки диэлектриков, полупроводников и проводников высокой степени чистоты, строго контролируемого состава, с необходимыми свойствами.

При химическом осаждении из газовой фазы образование твердой фазы происходит в результате реакций на поверхности подложки, поэтому актуальны как выбор исходных соединений, так и изучение влияния материала подложки на процесс синтеза пленок. Разнообразие и благоприятные физико-химические свойства металлоорганических соединений (МОС), выгодно отличающихся от галогенидов металлов низкими температурами испарения и разложения, отсутствием в продуктах деструкции агрессивных газов, делают возможным применение их в качестве исходных соединений для CVD-формирования функциональных слоев (МО CVD - процессы).

МО CVD-процесс является многостадийным процессом, включающим стадии массо- и теплопереноса, адсорбции и хемосорбции, реакции термодеструкции, формирования твердой фазы. Представляет несомненный научный интерес установление закономерностей, регулирующих взаимосвязь этих стадий. Характер же стадий зависит от строения исходных МОС, физических (энергетическое воздействие) и химических (введение добавок) условий проведения процесса, материала подложки, поэтому установление корреляции «природа МОС и подложки - воздействие - структура - свойства» актуально как с научной, так и прикладной точек зрения. Актуальность выбранного направления исследований подтверждается активным патентованием ; научных разработок в нашей стране и за рубежом. Однако, несмотря на большое количество публикаций в мировой научной печати, где основное внимание уделяется прикладным аспектам проблемы, общие физико-химические закономерности процессов ускользают от внимания исследователей. Исследования новых CVD-процессов формирования оксидных, оксинитридных и силицидных пленок из МОС и кремнийорганических соединений (КОС), позволяют создать модели этих процессов, прогнозировать условия направленного синтеза пленок с заданными функциональными свойствами и решать задачу формирования основных компонентов интегральных схем (ИС) - диэлектрических и проводящих слоев - в едином цикле, когда возможно применение одной установки и однотипного процесса, только с заменой соединений.

Работа выполнена в соответствии с тематическим планом НИР Воронежского госуниверситета, финансируемых из средств республиканского бюджета по единому заказ-наряду - «Разработка физико-химических моделей формирования тонких неорганических пленок при инициированной деструкции метал-лоорганических соединений (шифр 1.37.93) и «Разработка новых низкотемпературных процессов формирования пленочных материалов на основе металло-органических соединений (МОС) (шифр 1.87.93) и поддержано грантами МНФ Дж. Сороса (№ NZN000+ NZN300, 1994 - 1996 г.г.) и НТП «Научные исследования высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники» по теме 01.01 .004 «Создание функциональных диэлектрических и проводящих слоев на GaAs и 1пР».

Цель работы: Установление физико-химических закономерностей формирования функциональных слоев и разработка низкотемпературных способов их направленного синтеза из элементоорганических соединений на поверхности полупроводников.

Для достижения этой цели решались следующие задачи:

• Целевой выбор и синтез МОС и КОС для создания диэлектрических и проводящих слоев;

• Синтез диэлектрических (оксидных и оксинитридных) и проводящих (металлических и силицидных) CVD-слоев на поверхности полупроводников из МОС и КОС;

• Установление корреляционных связей между условиями получения, природой МОС и КОС, материалом подложки, с одной стороны, и составом и свойствами формируемых слоев - с другой;

• Поиск путей управления процессами формирования функциональных слоев целенаправленным химическим и физическим воздействием;

• Комплексное исследование кинетики роста, состава и свойств пленок современными физическими и химическими методами и развитие на этой основе представлений о механизме процессов;

• Разработка новых методов CVD-синтеза функциональных неорганических пленок на полупроводниках.

Научная новизна.

Установлены закономерности формирования тонкопленочных слоев в МО CVD-процессах, которые служат научной основой для установления общих физико-химических принципов синтеза функциональных пленок с варьируемыми свойствами на поверхности полупроводников.

• Из анализа полученных закономерностей влияния условий процесса, типа МОС и полупроводника на кинетику роста, состав и свойства оксидных диэлектрических пленок установлен механизм их формирования. Процесс формирования оксидных МО CVD-слоев включает стадии: диссоциативная хемо-сорбция МОС с реиспарением не содержащих металл компонентов продуктов распада; термораспад МОС с образованием соответствующего слоя пиролити-ческого оксида на поверхности подложки; аномально низкотемпературное термическое оксидирование компонентов подложки и образование собственного оксидного слоя на внутренней границе раздела.

• Установлены основные закономерности формирования оксинитрид-ных слоев из новых КОС, объясняющие влияние добавок азотсодержащих соединений. Оксиды азота (N2O и N0) облегчают деструкцию КОС, образуя либо комплекс по донорно-акцепторному механизму, либо диазониевую соль (N2O с различными КОС), либо воздействуя по радикальному механизму (NO). Обоснована целесообразность использования азотсодержащих добавок (NH3, (C2H5)2NH), связывающих свободные радикалы и выводящих углерод в виде летучих продуктов из пленок, для улучшения диэлектрических свойств и снижения температуры процесса.

• Показано, что в исследованных процессах формирования металлических проводящих слоев состав пленкообразующих продуктов термораспада зависит от природы МОС, а от температуры и материала подложки - дальнейшие твердофазные взаимодействия в структуре пиролитическая пленка - подложка. Побочные продукты термораспада МОС взаимодействуют с металлом и кремнием с образованием углерода, карбидов и оксидов и наблюдается включение последних в состав пиролитической пленки.

• Исследованиями процессов роста силицидных пленок при одновременном введении МОС и КОС установлено, что происходит распад менее термостойких МОС с образованием металла и высоко реакционноспособных частиц (радикалы, неустойчивые продукты распада) инициирующих термодеструкцию КОС. Образующиеся кремнийорганические фрагменты включаются в растущее металлическое покрытие, формируя металлсодержащую кремнийор-ганическую пленку, дальнейшая деструкция которой приводит к образованию слоя силицида металла без дополнительного высокотемпературного отжига и на любых подложках.

• Показано направленное воздействие тлеющего разряда на процесс формирования проводящих пленок при отрицательном потенциале на подложке, обусловливающее бомбардировку ионами металла последней с разрывом связей Si-Si и последующим образованием силицида металла. При положительном потенциале на подложке происходит осаждение слоя; металла химически не связанного с подложкой и силицидообразование не наблюдается.

Практическая значимость результатов определяется следующим.

Результаты исследования CVD-процессов осаждения и дальнейших твердофазных взаимодействий в пленках, их химических и электрофизических свойств позволяют оптимизировать процессы формирования функциональных слоев.

Обнаруженное положительное влияние материала подложки на состав и свойства оксидных слоев использовано для совершенствования электронных приборов и ИС на полупроводниках АШВУ и позволило разработать новые эффективные технологии получения оксидных слоев с высокими скоростями роста при низких температурах и с улучшенными электрофизическими свойствами.

Установленное влияние природы КОС и азотсодержащих добавок на состав и свойства пленок позволили дать рекомендации по технологии синтеза радиационностойких оксинитридных покрытий (целенаправленный выбор исходных КОС и азотсодержащих добавок, технологических режимов проведения процесса, путей улучшения диэлектрических свойств).

Предложен принципиально новый процесс формирования силицидных слоев из газовой фазы, содержащей одновременно МОС и КОС, который позволяет существенно снизить температуру формирования пленок силицидов металлов.

Результаты по получению оксидных, оксинитридных и силицидных пленок деструкцией МОС и КОС могут быть применены в микроэлектронике при создании диэлектрических, пассивирующих, маскирующих и проводящих покрытий, а также в практике научно-исследовательских работ.

Разработаны новые низкотемпературные способы формирования функциональных покрытий, которые защищены 4 авторскими свидетельствами СССР.

На защиту выносятся: • Механизм формирования оксидных слоев, включающий диссоциативную хемосорбцию МОС с реиспарением не содержащих металл компонентов продуктов распада; образование соответствующего пиролитического оксидного слоя на поверхности подложки в результате дальнейшего термостимулирован-ного распада МОС и десорбции продуктов распада; инициирование продуктами распада МОС процесса оксидирования компонентов подложки и образование собственного оксидного слоя на внутренней границе раздела.

• Закономерности формирования оксинитридных слоев из новых КОС в присутствии азотсодержащих соединений, обусловленные механизмом взаимодействия азотсодержащих добавок с КОС (донорно-акцепторным или радикальным) и превращениями самих азотсодержащих добавок при высоких температурах.

• Инициирующее воздействие продуктов распада МОС на деструкцию КОС, нивелирующее несовпадение их интервалов термораспада и приводящее к образованию силицидных слоев на любых подложках.

• Определяющее влияние тлеющего разряда на механизм роста проводящих слоев и закономерности управления процессами формирования проводящих пленок в тлеющем разряде: наличие катодной поляризации является необходимым условием образования силицида металла, анодной поляризации- металла.

• Новые низкотемпературные способы формирования диэлектрических (оксидных и оксинитридных) и проводящих (металлических и силицидных) CVD-пленок из МОС и КОС.

Публикации и апробация работы. По материалам диссертации опубликовано 44 работы (статьи и тезисы научных конференций), получены 4 авторских свидетельства СССР.

Основные результаты работы доложены и обсуждены на региональных, республиканских, Всесоюзных и международных конференциях, в том числе на: научно-технической конференции «Технология, организация производства и оборудование», (Рязань. 1983), Ш Всесоюзной конференции «Неорганические стекловидные материалы и пленки на их поверхности»,. (Москва. 1983), У Всесоюзном совещании «Применение МОС для получения неорганических покрытий и материалов», (Горький. 1987), Ш Всесоюзной конференции «Физика, и технология тонких пленок», (Ивано-Франковск. 1990), Всесоюзной конференции «Состояние и перспективы развития гибридной технологии и гибридных интегральных схем в приборостроении» (Ярославль. 1991), Ш Всесоюзной конференции «Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов» (Кишинев. 1991), международной конференции «Физика и технология тонких пленок» (Ивано-Франковск. 1993, 1997, 1999, 2001г.г.), международной конференции «Применение металлоорганических соединений для получения неорганических покрытий и материалов» (Нижний Новгород. 1995), всероссийской конференции «Новые материалы и технологии» (Москва. 1998), Всероссийских научных чтениях с международным участием, посвященных 70-летию со дня рождения члена - корреспондента АН СССР М.В. Мохосоева (Улан-Удэ.2002), УШ Всероссийском совещании по высокотемпературной химии силикатов и оксидов (Санкт-Петербург. 2002), международной конференции «Химия твердого тела и современные микро-и нанотехнологии» (Кисловодск. 2002), 1У Международной научно-технической конференции «Электроника и информатика 2002» (Зеленоград. 2002).

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, обзора литературы, четырех глав с изложением результатов теоретических и экспериментальных исследований, общих выводов; содержит 268 страниц машинописного текста, включая 33 таблицы, 83 рисунка, библиографический список из 191 наименований цитируемой литературы.

Заключение диссертации по теме «Неорганическая химия», Пономарева, Наталия Ивановна

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

Главным итогом диссертационной работы является решение актуальной научной проблемы: определение характера воздействия дополнительно вводимых в газовую фазу компонентов, а также внешних факторов на механизм осаждения оксидных, оксинитридных и силицидных слоев, их состав, структуру и свойства и управление реальными процессами формирования неорганической твердой фазы с заданными свойствами из элементоорганиче-ских соединений (ЭОС).

1. Механизм процессов формирования оксидных слоев при термораспаде МОС определяется разной лимитирующей стадией: адсорбция или хе-мосорбция (ацетилацетонаты, бутоксид сурьмы) или массоперенос в газовой фазе ( алкильные производные, этоксид висмута). Для одного и того же МОС с ростом температуры имеет место смена лимитирующей стадии с физадсорбции на хемосорбцию (для ацетилацетонатов и эфирата триметилгаллия - при 300 и 250 °С соответственно).

2. Формирование оксидных слоев происходит за счет двух основных процессов: окислительного термораспада МОС с осаждением соответствующего пиролитического оксида и аномально низкотемпературного оксидирования подложки, инициированного активными частицами, образующимися в результате распада МОС. В результате протекания второго процесса на внутренней границе раздела формируется буферный собственно оксидный слой, состав которого определяется природой подложки. Между собственно буферным и пиролитическим оксидом возникает переходный слой с градиентом концентраций компонентов подложки. Наличие такой многослойной переходной области на границе пленка-подложка обеспечивает высокую адгезию и улучшение электрофизических свойств.

3. Осаждение диэлектрических пленок из КОС в присутствии азотсодержащих добавок определяется механизмом взаимодействия последних с КОС (донорно-акцепторным или радикальным), и зависит от превращений самих добавок. Взаимодействие азотсодержащих добавок с КОС определяется строением КОС: увеличение полярности связи в ряду SiN (гексаметилдисилазан) , Si-O (гексаметилдисилоксан), Si-Cl (триме-тилхлорсилан) приводит к образованию КОС с азотсодержащими добавками диазониевой соли в случае триметилхлорсилана, в отличие от первых двух КОС, где формируются комплексы по донорно-акцепторному механизму. Различная степень ослабления связей Si-N, Si-O и Si-Cl в образованных с КОС соли и комплексах с переносом заряда обусловливает различия скорости роста пленок в зависимости от типа КОС. При высоких температурах (выше 650 °С) изменяется механизм взаимодействия КОС с оксидом азота (I) с донорно-акцепторного на радикальный вследствие диспропорционирования оксида азота (I). Введенные одновременно в газовую фазу оксид азота (I) и аммиак вступают в реакцию между собой с образованием молекул азота и воды, последняя взаимодействует с нитридом кремния, формируя оксид кремния. В результате в пленках, сформированных в присутствии аммиака, отсутствует азот и наблюдается снижение скорости их роста.

4. При формировании на кремнии металлических МО CVD- пленок их состав и свойства определяются взаимодействием побочных продуктов термораспада МОС с металлом с образованием углерода, карбидов и оксидов и протеканием процессов с участием подложки (диффузия кремния в пленку или элементов пленки в подложку). Силицидообра-зование без дополнительного высокотемпературного отжига не наблюдается (исключение составляет процесс с ацетилацетонатом никеля).

5. При совместном введении МОС и КОС в газовую фазу обнаружено инициирующее воздействие продуктов распада МОС на деструкцию КОС, приводящее к совпадению их интервалов термораспада и образованию силицидных слоев на любых подложках. В этом случае стадия твердофазных взаимодействия пленкообразующих фрагментов, содержащих металл и кремний, реализуется непосредственно в процессе осаждения, а не при отжиге.

6. Показана эффективность воздействия тлеющего разряда при целенаправленном синтезе проводящих слоев методами МО CVD. При подаче отрицательного потенциала на кремниевую подложку последняя подвергается бомбардировке ускоренными электрическим полем высоко-энергетичными ионами металла, что создает условия для образования силицида при низких температурах. При положительном потенциале на подложке, а также на подложках Si/Si02 ПРИ любой поляризации имеет место не формирование силицида, а осаждение пленки металла.

7. Снижение температуры формирования силицидных слоев и постоянное соотношение M:Si достигается при использовании МОС, содержащих связь металл - кремний. Хемосорбция ферроценовых соединений протекает с частичной их деструкцией, фрагменты распада исходной молекулы включаются в состав пленки, а дальнейшее их разложение происходит в ее верхних слоях с образованием силицидов определенного состава (FeSi2, Fe5Si3, FeSi) и эмиссией в газовую фазу летучих продуктов реакции.

8. На основе проведенных экспериментальных исследований и полученных из них физико-химических закономерностей формирования функциональных слоев; разработаны новые методы их синтеза, отличающиеся низкими температурами, воспроизводимостью параметров и производительностью, позволяющие получать покрытия на подложках любой площади и со сложным рельефом.

Список литературы диссертационного исследования доктор химических наук Пономарева, Наталия Ивановна, 2004 год

1. Барыбин А. А. Физико-технологические основы электроники /

2. A.А.Барыбин, В .Г.Сидоров. СПб.: Лань, 2001. - 268 с.

3. Werner К. Chemical vapor deposition / К. Werner // Microelectronic materials and processes: Proc. NATO Adv. Study Inst., Castelvecchio Pascoli, June 30 — July 11,1986. Dordrecht ctc, 1989. - P. 203-246.

4. Металлоорганические соединения в электронике / Г.А. Разуваев, Б.Н. Грибов, Г.А. Домрачев и др. М.: Наука, 1972. - 479 с.

5. Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений / Г.А. Разуваев, Б.Н. Грибов, Г.А. Домрачев и др. М.: Наука, 1981.-322 с.

6. Сыркин В.Г. Химия и технология карбонильных материалов / В.Г. Сыркин. М.: Химия, 1972. - 232 с.

7. Erbil К. Fundamental aspects of MOCVD / К. Erbil, Y. Kim, Y.H. Han // J. Electron. Mater. 1994. - V.23, № 7. - p. Д40.

8. Сыркин В.Г. CVD-метод: Химическая парофазная металлизация: /

9. B.Г.Сыркин. М.: Наука, 2000. - 496 с.

10. Термодинамика металлоорганических соединений / И.Б. Рабинович, В.П. Нистратов, В.И. Тельной и др. Н.Новгород: Изд-во Нижегород. ун-та, 1996. - 298с.

11. Применение металлорганических соединений для получения неорганических покрытий и материалов / Под ред. Г.А.Разуваева. М.: Наука, 1986. - 256 с.

12. Металлорганические соединения и радикалы / Под ред. М.И.Кабанчика. -М.: Наука, 1985. -286с.

13. Пасынков В.В. Материалы электронной техники / В.В. Пасынков. СПб.: Лань, 2001.-366 с.

14. Травкин Н.Н. Диэлектрические пленки из металлорганических соединений / Н.Н. Травкин // Оборонный комплекс научно-техническому прогрессу России. 2000. - № 3. - С. 54-60.

15. Цыганова Е.И. Реакционная способность Р-дикетонатов металлов в реакции термораспада / Е.И, Цыганова, JI.M. Дягилева // Успехи химии. 1996. - Т. 65, №2-С. 334-349.

16. Спицын В.И. Проблемы химии и применения Р-дикетонатов металлов / В.И.Спицин. М.: Наука,1982. - 364 с.

17. Рябова JI.A. Получение пиролитических пленок из газовой фазы / JI.A. Рябова, Е.А. Герасимова, Я.С. Савицкая // Журн. прикладн. химии. 1965. -Т. 38,№4-С. 1862-1863.

18. Рябова JI.A. Структурные свойства пленок 1п203, полученных из газовой фазы / JI.A. Рябова, Я.С. Савицкая, Р.Н. Шефтель // Журн. прикладн. химии. -1965. Т.38, № 4 - С. 1863-1864.

19. Яровой А.А. Свойства А120з, осажденного пиролизом ацетилацетоната алюминия / А.А. Яровой, Г.Е. Ревзин II 2 Всесоюзное совещание по металлоорганическим соединениям для получения металлических и окисных покрытий. -М., 1977. С. 89.

20. Шитова Е.В. Получение пленок окиси алюминия в ВЧ-разряде / Е.В. Шитова, В.Ю. Водзинский, Н.В. Федосеева // 2 Всесоюзное совещание по металлоорганическим соединениям для получения металлических и окисных покрытий. М., 1977. - С. 82.

21. Корзо В.Ф. Получение тонких слоев окиси алюминия пироактивационным разложением органических соединений / В.Ф. Корзо // Журн. прикладн. химии. 1976. - Т.49, № 1. . с. 74-77.

22. Корзо В.Ф. Оптические и электрические свойства некристаллических пленок / В.Ф. Корзо // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. материалы. 1976. - Т. 12, № 7. - С. 1224-1229.

23. Cape I.A. Lateral ас flow model for metal semiconductor - insulator capacitors / LA. Cape, W.E Tennaf, L.G Hale // J. Vac. Sci and Technol. - 1977. -V. 14, № 4. -P. 921.

24. Кулешов В.Г. О характере углеродсодержащих продуктов в покрытиях, полученных термораспадом ацетилацетоната алюминия из паровой фазы /

25. В.Г. Кулешов, В.К. Хамылов // Применение металлоорганических соединений для получения неорганических покрытий и материалов: Тез.докл. У1 Всесоюз. совещ., Н. Новгород, 16-18 сент. 1991г. Н.Новгород, 1991.-С.116.

26. Zhao Yu.-Wen Aluminium oxide thin films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition / Yu.-Wen Zhao, H.Suhr // Appl. Phys. A. 1992. -V.55,№2.-P. 176-179.

27. Вишняков Б.А. Свойства пленок AI2O3, полученных под воздействием электронной бомбардировки / Б.А. Вишняков, З.П. Вишнякова, 3.В. Павлова // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1972. - Т. 8, № 11. - С. 185-186.

28. Шитова Э.В. Пленки окиси алюминия, осажденные при пиролизе триметилалюминия / Э.В. Шитова, В.Ю. Водзинский, Н.А. Генкина // Электрон, техника. Сер.6, Материалы. -1975. № 10. - С. 88-91

29. Шитова Н.В. Свойства А1203, полученного пиролизом триметилалюминия / Н.В. Шитова, В.А.Генкина // Нитевидные кристаллы и тонкие пленки. -Воронеж, 1975. Ч. 2. - С. 315.

30. Зайцев Н.А. Влияние исходного продукта изопропилата алюминия на свойства пленок окиси алюминия / Н.А. Зайцев, Ю.Н. Мисюрев, С.П. Павлов // Электрон, техника. Сер. 6, Материалы. 1976. - № 8. - С. 102-104.

31. Барыбин А.А. Установка для получения тонких пленок А1203 / А.А. Барыбин,

32. B.И. Томилин, В.А. Кемпель// Приборы и техника эксперимента. 1975. - № 3. - С. 238-239.

33. Барыбин А.А. Слои А120з, полученные пиролизом изопропилата алюминия / А.А. Барыбин, В.И.Томилин // Журн. прикладн. химии. 1976. - Т. 49, № 8.1. C. 1699-1702.

34. Growth characterization of А12Оз insulator gate on p-InP and p-Si by metallorganic chemical vapor deposition at low temperatures / T.V. Kim, H. Lim, Y.D. Zheng et all. // J. Mater. Sci. 1992. - V. 27, № 20. - P. 5531-5535.

35. Koiper А.Е.Т. Decomposition and composition of silicon oxynitride films / A.E.T. Koiper, S.W. Koo, F.H.P.M. Habraken // Insul. Films semicond: Proc.Jnt. -Amsterdam, 1983.-P. 121-125.

36. Пат. 62160732 Япония, МКИ3 H01L 21/318. Способ получения пленок оксинитрида кремния / С. Кодзи (Япония) № 61-1459; Заявлено 09.01.86; Опубликовано 03.01.87.

37. Watanabe J. Photochemical vapor deposition of silicon oxynitride films by deuterium lamp / J. Watanabe, M. Hakabusa // J. Mater. Res. 1989. - V. 4, № 4. -P. 882-885.

38. Habraken F.H.P.M. The chemical composition of LPCVD silicon oxynitride films with emphasis on the hydrogen content / F.Y.P.M. Habraken, E.J. Eners, G.A.P. Engebertink // Insul. Films semicond:. Proc.Jnt. Amsterdam, 1983. - P. 121-125.

39. Chu T.Z. Films of silicon oxynitride films silicon dioxide mixtures / T.Z. Chu, J.R., Szedon, C.H. Zie // J. Electrochem.Soc. Solid State Science. - 1968. - V. 115, №3.-P. 318-322.

40. Dry etching of the HMDC-LPCVD films /1. Kleps, G. Banoiu, A. Paunescu et all. // Pap. 9th Int. Colloq. Plasma Processes, June, 6-11. 1993 Atibes-Suan-Les-Pins, 1993. - Cip. 93. - P. 174-176.

41. Davazoglou D. Silicon oxynitride thin films deposited by LPCVD from SiCl2H2-NH3-N20 mixtures of variable composition / D. Davazolou, A. Illades // Abstr. Mater. Res. Cos.Foll. Meet. Boston (Mass.), 1995. - Е.Ё. 5.5.

42. Redhouane H. Characterization of chemical vapor deposition of silicon oxynitride films from disilane and ammonia / H. Redhouane H., L. Labri, E. Scheid // Jap. J. Appl. Phys. Pt. 2. 1995. - V.34, № 4A. - P. L437-L439.

43. Rostaing J.C. Quantitative infrared characterization of plasma enhanced CVD silicon oxynitride films / J.C. Rostaing, Y. Cros, S.C. Gajrathi // J. Non. Cryst. Solids. 1987. - V. 97-98, Pt. 2. - P. 1051-1054.

44. Пат. 5352026 США, МКИ {6} В 05 D 3/06. Plasma CVD of silicon nitride thin films on large area glass substrates at high deposition rates / S. Law Kam, R. Robertson, P. Lou, M. Kollrack, A. Lee, D. Maydan (США).

45. Pereyra I High quality low temperature DRECVD silicon dioxide /1. Pereyra, M.I. Alayo // J. Non-Cryst. Solids, 1997. - V. 212, № 2-3. - P. 225-231.

46. Takashi H. Properties of silicon oxynitride films prepared by ESR plasma CVD method / HJ Takashi, S. Kentavo, K. Masatashi // Jap. J. Appl. Phys. 1988. - Pt. 2. -V. 27, № 1. - P. L21 - L23.

47. Cavallari С Plasma processing for silicon oxynitride films / C. Cavallari, F. Gualanris // Ji Electrochem. Soc. 1987. - V. 134, № 5. - P. 1265-1270.

48. Nichailos J. Influence of helium dilution on Physicochemical and defects properties of PECVD silicon oxynitride films / J. Nichailos, Y. Cros // Appl. Surface Sci. 1989. - V. 39, № 1-4. - P. 16-24.

49. Taylor S. Oxynitride films produced by low temperature inductive by coupled RF plasma / S. Taylor, G.P. Kennedy // ICPNF NEWS LETT. 1994. V. 20, № 4. -P.293. (Abstr. 11th Int. Symp. Plasma Chem., Loughborough, Aug. 22-27, 1993).

50. Bhat M Growth kinetics of oxides during furnace oxidation of Si in N20 ambient / M. Dhat, H.H. Jia, D.L. Kwong // J. Appl. Phys. 1995. - V. 78, № 4. - P. 27672774.

51. Carr E.C.N depth profiles in thin Si02 grown or processed in N20: the role of atomic oxygen / E.C. Carr, K.A. Ellis, R.A. Buhrman // Appl. Phys. Lett. 1995. -V. 66,№ 12.-P. 1492-1494.

52. Furnace formation of silicon oxynitride thin dielectrics in nitrous oxide (N20): the role of nitric oxide (NO) / P.F. Tobin, S.A. Okada, S.A Ajuria et all. // J. Appl. Phys. 1994. - V. 77, № 3. - P.1811-1818.

53. Comparison of ultrathin Si02 films grown by thermal oxidation in an N20 ambient with those in a 33% 02/N2 ambient / S.B. Kang, S.O. Kim, T.S. Byun et all. // Appl. Phys. Lett. 1994. - V. 64, № 19. - P. 2448-2450.

54. Growth and structure of rapid thermal silicon oxides and nitroxides studied by spectroellipsometry and auger electron spectroscopy / N. Gonon, A. Gagnaire, D. Barbier et all.// J. Appl. Phys. 1994. - V. 77, № 9. - P. 5242-5248.

55. Nitrogen content of oxynitride films on Si (100) / H.T. Tang, W.N. Lennard, M. Zinke-Allmany et all. // Appl. Phys. Lett. 1994. - V. 64, № 25. - P. 3473-3478.

56. Superior damage immunity of thin oxides thermally grown on reactive -ion-etched silicon surface in N20 ambient / S.Y. Ueng, T.S. Chao, P.T. Wang et all // Ieee Trans.on El. Dev. - 1994. - V. 41, № 5. - p. 850-851.

57. Yoriume Y. Distribution of nitrogen in thermally nitrided Si02 / Y. Yoriume // J. Vac. Sci. Technol. B. 1983. - V. 1, № 1. - P.67-71.

58. Novkovski N. Characterization of very thin Si oxynitride films produced by rapid thermal processing / N. Novkovski, J. Aizenberg, E. Coinet // Appl. Phys. Lett. -1989. V. 54, № 24. - P. 2408-2410.

59. Menendez J. Thermal nitridation of silicon dioxide films / J. Menendez, M. Fernandez, J.Z. Sacedon // J. Vac. Sci. fnd Technol. 1988. - V. B6, № 1. - p. 4547.

60. Пат. № 59-18677 Япония, МКИ3 H01L 29/78. Способ изготовления полупроводникового прибора с изолированным затвором / О. Хирои (Япония). № 57-127928; Заявл. 22.07.82; Опубл. 04.01.84.

61. Нал T. Electrical and physical characteristics of thin nitrided oxides prepared by rapid thermal nitridation / T. Hari, H. Iwasaki,.Y. Naito // IEEE Trans. Electron Devices. 1987. - V. ED 34, №11.- P. 2238-2245.

62. Ramesh K. Electron trapping and detrapping in thermally nitrided silicon dioxide / K. Ramesh, W. Chandorkat, I.J. Vasi // J. Appl. Phys. 1989. - V. 65, № 10. - P. 3958-3962.

63. Singh R. Rapid isothermal processing (RIP) of dielectrics / R. Singh, F. Radponr // Proc. Soc. Photo.-opt. Instrum. Eng. 1988. - V. 945. - P.72-83.

64. Shih D.K. Mechanism of rapid thermal nitridation of thin oxides / D.K. Shin, A.B. Joshi, D.L. Kwong // J. Appl. Phys. 1990. - V. 68, № 11. - P. 5851-5655.

65. Henscheid D.R. Rapid thermal nitridation of thin Si02 films / D.R. Henscheid, M.N. Karicki // J. Electron. Mater. 1989. - V. 18, № 2. - P. 99404,

66. Denisse C.M.M. Oxidation of plasma enhanced chemical vapor deposited silicon nitride and oxynitride films / C.M.M. Denisse, H.E. Smulders, F.H.P.M. Habraken. // Appl. Surface Sci. 1989. - V. 39, № 1-4. - P. 25-32.

67. Sollimani H.R. Formation of ultrathin nitrided oxides by direct nitrogen implantation in to silicon / H.R. Sollimani, B.S. Doyle, A. Philipossian // J. Electrochem. Soc. -1995. V. 142,№ 8. - P. 132-134.

68. Bhat M. Effects of NH3 nitridation oxides grown in pure N20 ambient / M. Bhat, G.W. Yoon, T. Kim // Appl. Phys. Lett. 1994. - V. 64, № 6. - P.2116-2118.

69. Okada Y. Ercaluation of interfacial nitrogen concentration of RTP oxynitrides of reoxidation / Y. Okada, P.J. Tobin, V. Lakhotia // J. Electrochem. Soc. 1993. - V. 140,№6.-P. L87-L89.

70. Vasguez R.P. X-ray photoelectron spectroscopy study of the chemical structure of thermally nitrided Si02 / R.P. Vasguez, M.N. Hecht, F.J. Grunthaner // Appl. Phys. Lett. 1984. - V. 44, № 8. - P. 969.

71. Mosleni M.M. Compositional studies of thermally nitrided silicon dioxide (nitrooxide) / M.M. Moslem, C.J. Han, K.C. Saraswat // J. Electrochem. Soc. -1985. V. 132, № 7. - P.2189.

72. Vasguez R.P. Kinetic model for thermal nitridation of Si02/Si / R.P. Vasguez, A.A. Madnukar // J. Appl. Phys. 1986. - V. 60, №2. - P.234.

73. Naito Y. Effects of nitrogen distribution in nitrided oxide prepared by rapid thermal annealing on its electrical characteristics / Y. Naito, H. Iwasaki, H. Esaki // J. Vac. Sci. and Technol. 1987. - V. 85, № 3. - P. 633-637.

74. Saoudi R. Etude physicochemiqul et d'oxynitrures de Silicium thermincer formel par traitemment thermique rapide / R. Saoudi, G. Hollinger // J. Phys. Sec. 1995.- V. 5, № 5. P. 557-573.

75. Fukuda H. Highly reliable thin nitrided Si02 films formed by rapid thermal processing in an N20 ambient / H. Fukuda, T. Arakwa, S. Ohno // Appl. Phys. Lett.- 1990. V. 29, № 12. - P. L2333-L2335.

76. Electrical properties of composite gate oxides formed by rapid thermal processing / V.Misra, W.K. Henson, E.M. Vogel et all. // IEEE Trans. Electron Devices 4. -1996. V. 43, № 4. - P. 636-646.

77. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС / Ш. Мьюрарка. М.: Мир, 1986. - 176 с.

78. Kaloyeros А.Е. Method for the preparation of protective coatings deposition (MOCVD) / A.E. Koloyeros, W.S. Williams, G. Constant // Rev. Sci. Instrum. -1988. V. 59, № 7. - P. 1209-1214.

79. Dowben P.A. Deposition of thin metal and metal silicide films from the decomposition of organometallic compounds / P.A. Dowben, J.T. Spenser, G.T. Stauf // Mater. Sience and Engineering. 1989. - V. B2, № 4. - P. 297-393.

80. Баев A.K. Структура и энергетика карбонилов металлов / А.К. Баев. Минск: Вышэйш.шк.,1986. -144 с.

81. Gross M.E. Organometallic chemical vapor deposition of cobalt and formation of cobalt disilicide / M.E. Gross, K.S. Kranz, D. Brasen // J. Vac. Sci. and Technol. -1988. V. 86, № 5. - P. 1548-1552.

82. Carlton H.E. Fundamental considerations of carbonyl metallurgy / H.E. Carlton, W.M. Goldberger // J. of Metals. 1965. - № 6. - P. 611-615.

83. Murarka S.P. Refractory silicides for integrated circuits / S.P. Murarka // J. Vac. Sci. and Technol. 1980. - V. 17, № 4. - P. 775-792.

84. Aylett B.J. Chemical vapor deposition of metal silicides from organometallic compounds with silicon-metal bonds / B.J.Aylett, A.A. Tannahill // Vacuum. -1985. V. 35, № Ю/11. - P. 435-439.

85. Ottaviani G. Metallurgical aspects of the formation of silicides / G. Ottaviani // Thin Solid Films. 1986. - V. 140. - P. 3-21.

86. Lifshitz B. Nature of the self-limiting effect in the low-pressure chemical vapour deposition of tungsten / B. Lifshiz // Appl. Phys. Lett. 1987. - V. 51, № 13. -P.967-969.

87. Первов B.C. Осаждение покрытий вольфрама из газовой фазы гексафторида вольфрама / B.C. Первов, Ю.В. Ракитин, В.Н. Новотроцев // Журн. неорган.-химии. 1980. - Т. 25, № 12. - С. 2327-2330.

88. Investigation of chemical interction on the interface W/Si(100) during the deposition of W thin films by various techniques / S.V. Pluscheva, L.G. Shabelnikov, I.V. Malikov et all. // Vide: Sci., tech. Et appl. 283. 1997. - V. 53. -P. 178-179.

89. Kaplan L.H. The deposition of molybdenum and tungsten filmsfrom vapor decomposition of carbonyls / L.H. Kaplan, F.M. d' Heurle // J. Electrochem. Soc. -1970. V. 117, № 5. - P. 693-700.

90. Дavazoglou D. Structure and optical properties of tungsten thin films deposited by pyrolisis of W(CO)6 at various temperatures / D. Davazoglou, G. Pallis // Appl. Phys. 1995. - V. 77, № 11. - P. 6070-6072.

91. Cros A. Properties of tungsten and tungsten disilicide layers on Si (100) substrates / A. Cros, R. Pierrisnard // Appl. Surf. Science. 1989. - V. 38. - P. 148-155.

92. Ohba Т. Selective CVD tungsten silicide for V1SI applications / T. Ohba, S.I. Inoue, M. Maeda // Int. Electron Devices Meet., Washington, D.C. Dec. 6-9, 1987. Techn.-Dig. N.Y., 1987. - P. 213-216.

93. Nava F. Metastable phase formation in tungsten -silicon thin films / F. Nava, G. Riontino, E. Galli // J. Non-Crystall. Solids. 1988. - V. 104. - P. 195-202.

94. Toshi R.V. Effect of excess silicon on behavior of LPCVD WSix films on silicon / R.V. Toshi, Y.H. Kim, I.T. Wetzel // Thin Solid Films. 1988. - V. 163. - P. 267272.

95. Грибов Б.Г. Осаждение тонких пленок молибдена из карбонила молибдена в плазме тлеющего разряда / Б.Г. Грибов, В.В.Гусев // Электрон, техника. -1971. Т. 16, № 3. - С. 1312-1315.

96. Свечников В.Н. Диаграммы состояния молибден-кремний / В.Н. Свечников, Ю.А. Кочержинский, JI.M. Юпко // Докл. АН СССР. Сер. А. 1970. - № 6. -С. 553-559.

97. Shibata К. Crystalline structure changes of molybdenum silicide films deposited by sputtering and by со evaporation after isochronal annealing / K. Shibata, S. Shima, M. Koshiwagi // J. Electrochem. Soc. 1982. - V. 129, № 7. - P. 15271531.

98. Wakita A.S. Oxidation kinetics of laser formed MoSi2 on polycrystalline silicon / A.S. Wakita, T.W. Sigmon // J. Appl. Phys. 1983. - V. 54, № 5. - P. 2711-2716.

99. Schutz R.L Thin films Mo-Si interaction / R.I. Schutz, L.R. Testardi // Appl. Phys. Lett. 1979. - V. 34, № 11. p. 797-798.

100. Co sputtered molybdenum silicides on thermal Si02 / S.P.Murarka, D.B. Fraser, K.T. Retajczy et all. // Appl. Phys. 1980. - V. 51, № 10. - P. 5380-5385.

101. Reynolds G.I. Selective titanium disilicide by low pressure chemical vapor deposition / G.I. Reynolds, G.B. Cooper // Appl. Phys. 1988. - V. 65, № 8. - P. 3212-3218.

102. Пат. № 59-156574 Япония, МКИ3 C23C 11/11. Способ формирования пленок силицида титана / Сиоргани Йоссми, Маэда Мори (Япония). № 57166105; Заявл. 24.09.82; Опубл. 02.04.84.

103. Drem V. Optimized deposition parameters for low pressure chemical vapor deposited titanium silicide / V. Drem, R. Zert // J. Electrochem. Soc. 1988. - V. 135,№ 10.-P. 2590-2594.

104. Kanamori I. Chemical vapor deposition of titanium disilicide. /1. Kanamori, K. Takeraras // Techn. Rept. G.S. News. 1987. - № 2. - P. 21-25.

105. Шаволгин Ю.Г. Химическое осаждение дисилицида титана из газовой фазы при низком давлении / Ю.Г. Шаволгин, А.К. Семенов // Селективность роста: Тез. докл. 9 Всесоюз. симп., Новосибирск, 15-17 июля 1988 г. -Новосибирск, 1988. С. 15-16.

106. Formation and properties of TiSi2 films / A. Guidon , V. Schiller V., A. Steffen A. et all. // Thin Solid Films. 1983. - V. 100, № 1. - P. 1-7.

107. Memanich R.I. Initial reactions and silicide formation of titanium on silicon studied byraman spectroscopy / R.I. Memanich, R.T. Fulks // J. Vac. Sci. and Technol. 1985. - V. A3, № 3. - P. 938-941.

108. Steffen A. Comparison of TiSi2 films prepared by diffusion and: by coevaporation / A. Steffen, I. Korec, P. Balk // Thin Solid Films. 1986. - V. 138, №2.-P. 235-243.

109. Topor L. Standard enthalpies of formation of TiSi2 and VSi2 by high temperature colorimetry / L. Topor, O. Kleppa // Metallurgical Transactions. -1986. V. 17A, № 7. - P. 1217-1220.

110. Morgan A.E. Material characterization of plasma enhanced chemical vapor deposited titanium silicide / A.E. Morgan, W.T. Stacy // J. Vac. Sci. and Technol. -1986. V. B4, № 3. - P. 723-731.

111. Zsoldos E. X-ray investigation of Ti-Si thin films prepared by solid phase reaction / E. Zsoldos, G. Peto, V. Schiller // Thin Solid Films. 1986. - V. 137, № 2. - P. 243-249.

112. Santiago I.I. Fast radiative processing of titanium silicides under vacuum / I.I. Santiago, C.S. Wei // Materials Lett. 1984. - V. 2, № 6. - P. 477-482.

113. Becht М. Morfology analysis of nickel thin films grown by MOCVD / M. Becht, F. Atammy, A. Beiker // Surface Sci. 1997. - V. 371, № 2-3. - P. 399-408.

114. Foil Н. Transmission electron microscopy of the formation of nickel silicides / H. Foil, P.S. Ho , K.N. Tu // Philosophical Magazine A. 1982. - V. 45, № 1. - P. 31-47.

115. Gordon R. Chemical vapor deposition of coatings on glass / R. Gordon // J. Non-Cryst. Solids. 1977. - V. 218, № 2. - P. 81-91.

116. Третьяков Ю.Д. Фундаментальные физико-химические принципы в неорганическом материаловедении / Ю.Д. Третьяков // Журн. Всесоюз. хим. о-ва им. Д.И. Менделеева. 1991. - № 3. - С. 265-269

117. Interface formation of deposited insulator layers on GaAs and InP / C.W. Wilmsen , R.W. Kee, J.F. Wager et all. // Thin. Solid films. 1979. - V. 64, № 1. -P. 49-55.

118. Кочешков K.A. Методы элементоорганической химии / K.A. Кочешков, А.П. Сколдинов, И.Н. Землянский. М.: Наука, 1976. - 483 с.

119. Получение пленок диэлектрика на арсениде галлия при пиролизе ацетилацетоната галлия / О.Н. Миттов, Н.И. Пономарева, Г.А. Числова и др. // Электрон, техника. Сер. Микроэлектроника. 1984. - Вып. 6 (191). - С. 5154.

120. Миттов О.Н. О механизме и кинетике осаждения пленок оксида индия / О.Н. Миттов, Н.И. Пономарева,. Г.А. Числова, // Применение МОС для получения неорганических покрытий и материалов: Материалы У Всесоюз. совещ. М., 1987. - С. 186-187.

121. Миттов О.Н. Осаждение оксидных пленок на полупроводниковых подложках методом МО CVD / О.Н. Миттов, Н.И. Пономарева, И.Я. Миттова // Конденсированные среды и межфазные границы. 2001. - Т. 3, № 4, - С. 327-338.

122. А.с. № Ю29792 СССР, МКИ3 HOIL 21/316. Способ создания диэлектрической изоляции на арсениде галлия / О.Н. Миттов, Н.И. Пономарева, И .Я. Миттова, Я. А. Угай, В.З. Анохин, Г.А. Числова.

123. Рост пиролитических пленок при термодеструкции трисацетилацетоната индия в окислительной среде / О.Н. Миттов, Н.И. Пономарева, Г.А. Числова и др.// Электрон, техника. Сер. 6, Материалы. 1989. - Вып. 5. - С. 40-33. -(ДСП).

124. Осаждение оксидных пленок при пиролизе металлоорганических соединений алюминия, галлия, индия / О.Н. Миттов, Н.И. Пономарева, Г.А. Числова и др. // Металлоорган. химия. 1988. - Т. 1, № 3. - С. 610-615.

125. Самсонов Г.В. Физико-химические свойства окислов: Справочник / Г.В. Самсонов. М.: Наука, 1969. - 455 с.

126. Получение пленок при термическом разложении трис-ацетилацетоната индия в аргоне / О.Н. Миттов, Н.И. Пономарева, С.В. Фетисова и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1990. -Т. 26, № 5. - С. 996-1001.

127. Миттов О.Н. Влияние окислителей на процесс роста пленок при термораспаде ацетилацетоната индия / О.Н. Миттов, Н.И. Пономарева, И .Я. Миттова // Неорган, материалы. 2002. - Т. 38, № 3. - С. 265-269.

128. Миттов О.Н. Влияние окислителей на процесс роста пленок при термораспаде ацетилацетоната индия / О.Н. Миттов, Н.И. Пономарева, И .Я. Миттова // Неорган, материалы. 2002. - Т. 38, № 3. - С. 265-269.

129. Накамото К. ИК-спектры и спектры КР неорганических и координационных соединений / К. Накамото. М.: Мир, 1991. - 492 с.

130. Моисеев В.В. Новые акцепторы свободных радикалов: Дис. канд. хим. наук / В.В. Моисеев. Воронеж, 1966. - 158 с.

131. Формирование диэлектрических пленок на подложках из арсенида галлия при пиролитическом разложении эфирата триметилгаллия / О.Н. Миттов, Н.И. Пономарева, И.Я. Миттова и др. // Электрон, техника. Сер. 6, Материалы. 1983. - Вып. 1(174). - С. 32-33.

132. А.с. № 1025289 СССР, МКИ3 H01L 21/316. Способ выращивания диэлектрических слоев на арсениде галлия / О.Н. Миттов, Н.И. Пономарева, И.Я. Миттова, Я.А. Угай, В.З. Анохин, Г.А. Числова.

133. Миттов О.Н. Осаждение пленок оксида сурьмы на полупроводниковые подложки методом МО CVD / О.Н. Миттов, Н.И. Пономарева, И.Я. Миттова // Неорган, материалы. 2002. - Т. 38, № 6. - С. 700-705 .

134. Получение оксидных пленок на арсениде галлия при пиролитическом разложении аммиаката три-н-пропилалюминия и р-аминоэтоксида сурьмы /

135. О.Н. Миттов, Н.И. Пономарева, Г.А. Числова и др. // Теория и практика физико-химических процессов в микроэлектронике. Воронеж, 1986. - С. 108-110.

136. А.с. № 1190866 СССР, МКИ3 HOIL 21/314. Способ получения диэлектрических пленок на пластинах арсенида галлия / О.Н. Миттов, Н.И. Пономарева, Г.А. Числова, А.Е. Селезнев.

137. Миттова И.Я. Термическое окисление GaAs в присутствии SbCl3 и BiCl3 / И.Я. Миттова, Н.И. Пономарева, Т.С. Малыхина // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1986. - Т. 22, № 6. - С. 893-896.

138. Миттов О.Н. Формирование оксидных покрытий на полупроводниках методом МО CVD с использованием алкилгалогенидов алюминия, галлия, индия / О.Н. Миттов, Н.И. Пономарева, И.Я. Миттова // Неорган, материалы. 2002. - Т. 38, № 5. - С. 539-545 .

139. А.с. № 1277841 СССР, МКИ3 HOIL 21/31. Способ получения диэлектрических покрытий на арсениде галлия / О.Н. Миттов, Н.И. Пономарева, Е.Д. Новикова, Т.А. Гадебская, М.Н. Безрядин.

140. Карякин Ю.В. Чистые химические вещества. Руководство по приготовлению химических реактивов и препаратов в лабораторных условиях / Ю.В. Карякин, И.И. Ангелов. М.: Химия, 1974. - 408 с.

141. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела / С. Моррисон: Пер. с англ. А.Я. Шульмана; Под ред. Ф.Ф. Волькенштейна. М.: Мир. - 1980.-481 с.

142. Пономарева Н.И. Оже-спектроскопическое исследование пленок оксинитрида кремния / Н.И. Пономарева // Химия твердого тела и современные микро-и нанотехнологии: Тез. докл. междунар. конф., Кисловодск, 13-18 окт. 2002 г. Кисловодск, 2002. - С. 95.

143. Формирование пленок оксида кремния на кремнии при термодеструкции триметилхлорсилана в присутствии оксида азота (1) и аммиака / О.Н. Миттов, Н.И. Пономарева, И.Я. Миттова и др. // Изв. ВУЗов. Материалы электрон, техники. 2001. - № 2. - С. 48-51.

144. Миттов О.Н. Осаждение силицидов тугоплавких металлов для СБИС / О.Н. Миттов, Н.И. Пономарева, Г.А. Числова // Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов: Материалы ТТТ Всесоюз. конф. Кишинев, 1991. - С. 45.

145. Миттов О.Н. Формирование проводящих слоев на кремниевых подложках при термораспаде карбонилов / О.Н. Миттов, Н.И. Пономарева // Конденсированные среды и межфазные границы. 1999. - Т. 1, № 3. - С. 260266.

146. Миттов О.Н. Получение проводящих пленок на кремнии при пиролизе карбонильных и кремнийорганических соединений / О.Н. Миттов, Н.И.

147. Пономарева, И.Я. Миттова // Поверхность. Рентген., синхротрон, и нейтрон, исслед. 2001. - № 12. - С. 58-62. ,

148. Особенности формирования пленок силицида никеля при пиролизе ацетилацетоната никеля в присутствии кремнийорганических соединений / О.Н. Миттов, Н.И. Пономарева, И.Я. Миттова и др. // Неорган, материалы. -2001. Т. 37, № 9. - С. 1108-1113.

149. Получение покрытий на; кремнии, германии и структурах Si-Si02 пиролизом циклопентадиенильных соединений титана и циркония / О.Н. Миттов, Н.И. Пономарева, И.Я. Миттова и др. // Неорган, материалы. 2002. - Т. 38, № 1.-С. 42-47.

150. Осаждение проводящих пленок на подложках из полупроводников при деструкции карбонила молибдена в тлеющем разряде / О.Н. Миттов, Н.И. Пономарева, И.Я. Миттова и др.// Неорган, материалы. 2001. - Т. 37, № 2. — С. 211-216.

151. Lile D.L. Interfacial constraints on Ш-У compound MIS dew ices / D.L. Lile // Phys. and Chem. Ш-У Semicond. Interfacial. N.Y.; L., 1985. - P. 328.

152. Угай Я.А. Неорганическая химия / Я.А.Угай. М.: Высш. шк., 1989. - 463 с.

153. Основы технологии кремниевых интегральных схем / Под ред. Р.Бургера. -М.: Мир, 1969.-356 с.

154. Плазменная технология в производстве СБИС / Под ред. Н.Айнспрука. -М.: Мир, 1987. 472 с.

155. Туренко Е.А. Фазовые превращения при ионно-плазменном синтезе тонкопленочных силицидов меди /Е.А. Туренко, О.Б. Яценко // Конденсированные среды и межфазные границы. 2000. - Т. 2, № 3. - С. 218222.

156. Закуражнов А.А. Парофазная гомогенная реакция двух МОС / А.А. Закуражнов, Б.В. Жук, В.К. Хамылов // Применение МОС для получения неорганических покрытий и материалов: Материалы У Всесоюз. совещ. М., 1987.-С. 16-17.

157. Эммануэль Н.М. Химическая физика молекулярного разрушения и стабилизации полимеров / Н.М. Эмануэль, А.Л. Бучаченко. М.: Наука, 1988. - 367 с.

158. Крылов О.В. Неравновесные процессы в катализе / О.В.Крылов. М.: Высш. шк., 1990. - 263 с.

159. Барре П. Кинетика гетерогенных процессов / П. Барре. М.: Мир, 1976. -300 с.