Кинетика начальной стадии роста эпитаксиальных слоев фосфида галлия из растворов фосфора в расплаве галлия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Шуников, Евгений Анатольевич

• Шуников, Евгений Анатольевич
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Шуников, Евгений Анатольевич

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1 Структура поверхности кристаллизации полупроводников

1.1.1 Поверхностные конфигурации атомов

1.1.2 Адсорбционный слой

1.1.3 Шероховатость поверхности кристаллизации

1.2 Теоретические методы исследования физических свойств поверхности кристаллизации. Потенциалы взаимодействия

1.2.1 Метод молекулярной динамики

1.2.2 Метод Монте-Карло

1.2.3 Потенциалы парного взаимодействия

1.3 Использование метода молекулярной динамики при моделировании роста слоев из газовой и жидкой фаз

1.3.1 Моделирование поверхности

1.3.2 Прилипание, аккомодация, адсорбция, рассеяние

1.3.3 Поверхностная диффузия

1.3.4 Взаимодействие кластеров с поверхностью кристалла 39 ВЫВОДЫ К ПЕРВОЙ ГЛАВЕ

ГЛАВА 2. МОДЕЛИРОВАНИЕ КИНЕТИКИ ПРОЦЕССА МАССОПЕРЕНОСА В ДВУХФАЗНОЙ СИСТЕМЕ ЖИДКОСТЬ -КРИСТАЛЛ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ

2.1 Реализация метода молекулярной динамики на двухфазной системе вида кристалл - раствор вещества кристалла

2.2 Выбор временного шага

2.3 Вычисление параметров парных потенциалов взаимодействия компонентов соединений А3В

2.4 Оптимизация метода молекулярной динамики

2.5 Модель установления фазового равновесия в системе кристалл

А3В5 - раствор элемента В5 в расплаве А

2.6 Реализация метода молекулярной динамики

2.7 Обсуждение результатов моделирования 68 2.7.1. Исследования фазового равновесия при температуре ликвидуса

2.7.2 Исследования фазового равновесия при температурах отличных от температуры ликвидуса

ВЫВОДЫ К ВТОРОЙ ГЛАВЕ

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ РОСТА КРИСТАЛЛА А3В

ПРИ ТЕМПЕРАТУРАХ БЛИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРЕ ЛИКВИДУСА

3.1 Описание модели

3.2 Обсуждение результатов моделирования 80 3.2.1 Кинетика процессов роста слоя и растворения подложки при равенстве температур кристалла и раствора при t=t

3.2.2 Кинетика процессов роста слоев GaP из пересыщенного раствора-расплава

ВЫВОДЫ К ТРЕТЬЕЙ ГЛАВЕ

ГЛАВА 4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ

АТОМОВ С УЧЕТОМ ТЕПЛОТЫ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА

4.1 Модель кинетики роста кристалла при переменной температуре

4.2 Обсуждение результатов моделирования 94 ВЫВОДЫ К ЧЕТВЕРТОЙ ГЛАВЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Кинетика начальной стадии роста эпитаксиальных слоев фосфида галлия из растворов фосфора в расплаве галлия»

Актуальность темы. Современные представления о морфологическом строении и структуре межфазной поверхности, а также кинетических процессов, протекающих на границе раздела фаз жидкость-кристалл, становятся все более необходимыми для объяснения многих явлений, связанных с кристаллизацией. В современной твердотельной электронике предъявляются высокие требования к получению материалов с точно заданным составом, незначительные изменения в содержании компонента могут резко повлиять на свойства материала. Это определяет повышенные требования к контролю технологических операций, что требует глубокого изучения закономерностей А протекания отдельных процессов, включая их математическое описание. В частности, в таких основных технологических операциях производства полупроводниковых приборов, как молекулярно-лучевая эпитаксия, жидкофазная эпитаксия широко используются процессы с присутствием явления межфазного массопереноса. Необходимо иметь точные модели, позволяющие описать всю совокупность протекающих процессов.

Особый интерес для физики процесса кристаллизации представляет кинетика явлений на межфазной поверхности кристалл-раствор за время (to % +10"12) - (to +10*7) секунд после контакта кристалла с раствором в момент времени to. Очевидно, что экспериментальное исследование подобных явлений весьма затруднительно. Применение методов микроскопического моделирования при исследовании процессов кристаллизации дает возможность получения новой информации о механизме транспортировки «единиц роста» и структуры переходного слоя, величине потенциального барьера на границе раздела фаз. Кинетика межфазного массопереноса будет определяться структурой и свойствами пограничного слоя расплава и приповерхностной области кристалла. При макроскопическом описании оперируют усредненными величинами, поэтому исследование процессов в переходной области между фазами в рамках этого подхода затруднительно. Микроскопические методы моделирования, такие как метод молекулярной динамики или метод Монте-Карло, позволяют моделировать термодинамические и структурные свойства 1 веществ в различных агрегатных состояниях. Для корректно определенной модельной системы эти данные эквивалентны экспериментальным результатам. Такой подход к исследованию процессов, протекающих в гетеро-фазных системах, более глубок и позволяет раскрыть основные качественные и количественные особенности процессов, как в газовой, так и в конденсированной фазах.

Следует отметить, что знание точного вида потенциала, описывающего взаимодействия атомов в системе раствор-расплав - кристалл, позволяет получить адекватные данные по кинетике процессов протекающих на границе •fc раздела фаз, однако для реальных систем он в большинстве случаев не известен. Поэтому необходимо проводить численные эксперименты по выявлению характера взаимодействия поверхностных атомов кристалла с атомами, составляющими раствор-расплав.

Таким образом, с учетом вышесказанного, можно считать тему диссертации, посвященную исследованию кинетических процессов в гетерофазных системах кристалл - конденсированная фаза, актуальной.

Цель работы; Установить закономерности протекания кинетических t процессов на границе раздела фаз раствор фосфора в расплаве галлия - кри

12 7 сталл фосфида галлия за время 10" -10" с после контакта двух фаз. Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Разработать и исследовать микроскопические модели процесса взаимодействия двухкомпонентного раствора-расплава с кристаллом фосфида галлия.

2. Разработать методику молекулярно-динамического моделирования

12 7 системы раствор-расплав - монокристалл фосфида галлия за время 10* -10' с после контакта двух фаз. Определить потенциалы взаимодействия компо

1> нент системы и их параметры.

3. На основании результатов численного моделирования провести исследование кинетики процессов в системе раствор-расплав - кристалл фосфида галлия. t Научная новизна диссертации состоит в следующем:

1. Предложены двумерные осесимметричные потенциалы взаимодействия атомов кристалла с атомами раствора.

2. Разработана методика молекулярно-динамического моделирования системы раствор-расплав - кристалл полупроводника за время 10"12-10"7 с после контакта двух фаз.

3. Разработана новая микроскопическая модель строения слоя раствора-расплава (8 - слоя) на межфазной поверхности жидкая фаза - кристалл полупроводника.

1 4. Вычислены основные параметры динамики кластерообразования в 8слое у поверхности кристалла, в том числе распределение кластеров по толщине слоя раствора.

5. Выявлена зависимость времени установления равновесия в системе жидкая фаза - кристалл от параметров модели.

6. Определены характерные значения времени адсорбции атомов фосфора из раствора в расплаве галлия на поверхности кристалла GaP.

7. Разработана методика учета при кристаллизации теплоты фазового пе

I* рехода, основанная на перекрестной перенормировке скоростей атомов.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту:

1. Предложен новый потенциал взаимодействия атомов раствора с подложкой, обладающий осевой симметрией.

2. Предложена новая молекулярно-динамическая модель кинетики роста эпитаксиальных слоев GaP из раствора фосфора в расплаве галлия. Модель учитывает теплоту кристаллизации.

3. Разработана новая микроскопическая модель строения слоя раствора-расплава (8 - слоя), расположенного у межфазной поверхности кристалл-раствор.

4. Показано, что время адсорбции атомов фосфора из растворао расплава на подложку GaP при температуре 1377 К составляет 3*10" с.

5. Показано, что время установления равновесия в системе кристалл GaP - раствор фосфора в расплаве галлия при температуре 1375 К составляет менее 10"12 с и с уменьшением температуры это время тоже уменьшается.

Научная и практическая значимость диссертации. Полученные в работе данные дают более полное представление о кинетике процессов, протекающих на поверхности раздела фаз кристалл GaP - раствор фосфора в расплаве галлия, а также в аналогичных полупроводниковых системах за время 10"12-10"17 с после контакта кристалла с раствором. Расчет с помощью микроскопической модели позволяет получить такие данные о кинетических процессах в 5 - слое раствора-расплава, как потоки адсорбированных и де-сорбированных атомов у поверхности кристалла, коэффициенты диффузии атомов, время установления равновесия в системе. Исследование массопере-носа в гетерофазной двухкомпонентной системе с помощью молекулярно-динамического моделирования позволяет получить данные о величине потенциальных барьеров на границе раздела фаз, механизме транспортировки и структуре переходного слоя. Разработанная методика молекулярно-динамического моделирования может быть использована для дальнейшего

5 3 исследования подобных систем вида - раствор В в расплаве А - кристалл А3В5.

Апробация работы. Результаты исследований доложены на 6 международных и национальных конференциях:

Fifth international conference «Single crystal growth and heat & mass transfer», Obninsk, Russia, 2003, Харьковская научная ассамблея, Харьков, Украина, 2003, 6th International Conference on Intermolecular Interactions in Matter -Gdansk, Poland, 2001, Международная конференция «Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов», Воронеж 2003, 7th International Conference on Intermolecular and Magnetic Interactions in Matter -Gdansk, Poland, 2003, 10-ая национальная конференция по росту кристаллов, Москва 2002

Публикации, По теме диссертации опубликовано 12 работ в виде 5 статей и 7 тезисов докладов.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, 4 глав и заключения. Общий объем диссертации составляет 115 страниц, включая оглавление, 33 рисунка, 5 таблиц и список литературы из 77 источников.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Шуников, Евгений Анатольевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Проведенные в работе исследования по моделированию кинетики процессов, протекающих на границе раствор-расплав полупроводника - кристалл, позволяют сформулировать следующие выводы.

1. Разработан новый потенциал взаимодействия атомов раствора с подложкой, обладающий осевой симметрией.

2. Предложена новая молекулярно-динамическая модель кинетики роста эпитаксиальных слоев GaP из раствора фосфора в расплаве галлия. Модель учитывает теплоту кристаллизации.

3. Разработана новая микроскопическая модель строения слоя раствора-расплава (б - слоя), расположенного у межфазной поверхности кристалл-раствор.

4. Показано, что время адсорбции атомов фосфора из растворао расплава на подложку GaP при температуре 1377 К составляет 3*10" с.

5. Показано, что время установления равновесия в системе кристалл GaP - раствор фосфора в расплаве галлия при температуре 1375 К составило менее 10"12 с и с уменьшением температуры это время тоже уменьшается.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Шуников, Евгений Анатольевич, 2005 год

1. В.М. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов под ред. Ж.И. Алферова, М.: Сов. Радио, 1975, 328 с.

2. М. Праттон, Введение в физику поверхности. Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2000.

3. Современная кристаллография. Чернов А.А., Гиваргизов Е.И. и др. М: Наука, 1980. т. 3.

4. В.В. Крапухин, И.А. Соколов, Г.Д. Кузнецов Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1982.

5. Тимофеева В.А. Рост кристаллов из растворов расплавов. М.: Наука, 1978.

6. С.А. Кукушкин, В.В. Слезов Дисперсные системы на поверхности твердых тел. Механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход). СПб.: Наука. 1996.

7. Уфимцев В.Б., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофаз- ной эпитаксии. М.: Металлургия, 1983. 224 с.

8. Abraham F.F. Computer simulations of surfaces, interfaces, and phy-sisorbed films // Journal of Vacuum Science and Technology, 1984, p. 534 549.

9. A.A. Валуев, A.C. Каклюгии, Г.Э. Норман, Молекулярное моделирования химического взаимодействия атомов и молекул с поверхностью // Успехи Химии 64 (7) 1995,643-671.

10. X. Гулд, Я. Тобочник. Компьютерное моделирование в физике: В 2-х частях. Часть 1: Пер. С англ. М: Мир, 1990, с. 143 - 180.

11. Д.В. Хеерман, Методы компьютерного эксперимента в теоретической физике. Наука, Москва, 1990.

12. Г.В. Халдеев, С.Н. Петров, Компьютерное моделирование электрохимических процессов на межфазиой границе // Успехи Химии 67 (2) 1998, 107124.

13. Alder B.J., Wainwriglit Т.Е. // J. Chem. Phys. 1960. V. 33. P. 1439 Machlup S. and Onsager L. Fluctuations and irreversible process. II Systems with kinetic energy//Phys. Rev. 1953. V.91. P. 1512-1515.

14. B.B. Жаховский, СИ. Анисимов, Численное моделирование испарения жидкости методом молекулярной динамики//'ЖЭТФ, 1997, 111, вып. 4, 13281346.

15. Abraham F.F. Computer simulations of surfaces and physisorbed films // J. Vacuum science and technology. 1984. V. 2. P. 534-549.

16. Н.П. Бусленко, Д.И. Голенко, И.М. Соболь, В.Г. Срагович, Ю.А. трейдер Метод статистических испытаний (метод Мопте-Карло) М.: Физ-матгиз, 1962, 332 с.

17. В. Экштайн, Компьютерное моделирование взаимодействия частиц с поверхностью твердого тела. М.: Мир, 1995.

18. Термодинамические и теплофизические свойства продуктов сгорания. Справочник в 5 томах. Том 1. Методы расчета. М.: 1971.

19. Гиршфельд Дж., Кертисс И., Берд Р., Молекулярная теория газов и жидкостей. М.: Изд. ин. лит., 1961, 929с.

20. М. Ichimura Stillinger-Weber potentials for III-V compound semiconductors and their application to the critical thickness calculation for InAs/GaAs // Physica Status Solidi A, 1996, 153, p. 431-437.

21. S. Roy, R.Y. Jin, V. Chaudhary, W.L. Hase, Parallel molecular dynamics simulations of alkane/hydroxylated a-aluminum oxide interfaces // Computer Physics Communications 128 (2000) 210-218.

22. Rajiv K. Kalia, Timothy J. Campbell, Alok Chatterjee, Multiresolution algorithms for massively parallel molecular dynamics simulations of nanostruc- tured materials // Computer Physics Communications 128 (2000) 245-259.

23. Fredrik Hedman, Aatto Laaksonen, Parallel aspects of quantum molecular dynamics simulations of liquids // Computer Physics Communications 128 (2000) 284-294.

24. C.F. Cornwell, L.T. Wille, Parallel molecular dynamics simulations forshort-ranged many-body potentials // Computer Physics Communications 128 (2000)477-491.

25. Luciano Colombo, Tight-binding molecular dynamics simulations // Computational Materials Science, 12 (1998), 278-287.

26. Jose Ortega, First-principles methods for tight-binding molecular dynamics //Computational Materials Science, 12(1998), 192-209.

27. G. Galli, Tight-binding molecular dynamics for carbon system: Fullere- nes on syrfaces // Computational Materials Science, 12 (1998), 242-258.

28. A.A. Валуев, Г.Э. Норман, В.Ю. Подлипчук, Метод молекулярной динамики: теория и приложения. В кн. Математическое моделирование. Физико-химические процессы. (Под ред. А.А. Самарского). Наука, Москва, 1989, 5-40.

29. G.H. Gilmer, Hanchen Huang, Christopher Roland, Thin film deposition: fundamentals and modeling // Computational Materials Science 12 (1998) 354380.

30. Пярнпуу A.A. Взаимодействие молекул газа с поверхностями. М.: Наука, 1974.

31. Жанкадамова A.M., Инсепов, З.А. Расчет методом молекулярной динамики коэффициента прилипания газов к поверхности // Поверхность, 1988, №4, 140-141.

32. А.А.Валуев.// Журн. физ. химии, т. 69, № 271, 1995.

33. Chu-Chun Fu, Mariana Weissmann, Andress Saul, Diffusion pathways fo Si ad-dimers on Si(001): a high temperature molecular dynamics study // Surface Science 481 (2001)97-104.

34. Т.Е. Karakasidis, D.G. Papageorgiou, G.A. Evangelakis, Cation adatom diffusion on the NiO(OOl) surface by molecular dynamics simulation // Surface Science 486 (2001) 46-54.

35. Желудков СВ., Инсепов З.А. Моделирование кинетики двумерного за-родышеобразования методом молекулярной динамики // Поверхность, 1988, №9, 48-49.

36. F.J. Resende, B.V.Costa, Molecular dynamics study of the cupper cluster deposition on s Cu(010) surface // Surface Science 481 (2001) 54-66.

37. И.В. Савельев "Курс общей физики" т. 1 М.: "Наука", 1982, 354 с.

38. Panish М.В. A thermodynamic evalution of the simple solution treatment of the GaP, InP and GaAs systems // J. Crystal Growth, v. 27, 1974, p. 6-20.

39. Маделупг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. М.: Мир, 1967. 477 с.

40. Хилсум К., Роуз-Инс А. Полупроводники типа АгаВу.- М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1963. 323 с.

41. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир. 1984. 456 с.

42. М.М. Соболев, В.Г. Никитин, Высокотемпературный диод на основе эпитаксальных слоев GaP // Письма в ЖТФ, 1998, том 4, вып. 9, 1-7.

43. Андреев В.М., Долгинов JI.M., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитак- сия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975. 328 с.

44. Физика простых жидкостей под ред. Г. Темперели, Дж. Роулинсона, Дж. Рашбрука, М.: Мир, 1971, 308 с.

45. Рязанов Д.В., Скрипников В.А. Взаимодействие атомов фосфора и галлия в молекулах Р2 и GaP // Вестник ВГТУ. 1998. Вып. 1.3. с.41-44.

46. M.J.Regan, H.Tostmann, P.S.Pershan, O.M.Magnussen, E.DiMasi, B.M.Ocko, M.Deutsch X-ray study of the oxidation of liquid-gallium surfaces // Physical Review B, 1997, v. 55, p. 10786-10791.

47. Щупиков E.A., Котов C.B., Севостьяиова A.P., Хухрянский Ю.П. Моделирование процессов роста кристалла полупроводникового соединения типа А3В5 из раствора-расплава // Сб. трудов Харьковской научной ассамблеи. 2003, с. 127-129.

48. Шуников Е.А., Котов С.В., Севостьянова А.Р., Хухрянский Ю.П. Исследование кинетики роста кристалла полупроводникового соединения типа3 5

49. А В из раствора-расплава // Материалы международной конференции «Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов», Воронеж 2003, с. 164-167.

50. Yu.P. Khukhryansky , E.A. Shunikov, V.V. Emelyanov. Study of cluster•J Сforming at growth of А В semiconductor compounds from liquid phase // Journal of Crystal Growth. 2004. V.269. No 2-4. P. 292-297.

51. Kotov S.V., Khukhryanskiy Yu.P. Molecular dynamics calculation of equilibrium a crystal liquid. // Proceedings of Fourth international conference «Single crystal growth and heat & mass transfer», Obninsk, Russia, vol. 4, page 940-944, 2002.

52. G.-P. Ostermeyer, B. JI. Попов, Описание перехода твердое тело-жидкость в методе частиц //' Письма в ЖТФ, 2000, том 26, вып. 6, 59-66.

53. Khukhryanskiy U. P., Shunikov Е. A. Modeling of transitive boundary layer in system a liquid-vacuum // Book of abstract 6th International Conference on In-termolecular Interactions in Matter Gdansk, Poland - 2001.

54. Шуников E.A., Котов C.B., Севостьянова A.P., Хухрянский Ю.П. Влияние на процесс кристаллизации полупроводника из расплава явления Стокса // Тезисы кристаллов 10-ой национальной конференции по росту кристаллов, Москва 2002 с. 414.

55. Шуников Е.А., Котов С.В., Севостьянова А.Р., Хухрянский Ю.П. Моделирование кинетики установления равновесия в системе расплав кристалл полупроводника // Тезисы кристаллов 10-ой национальной конференции по росту кристаллов, Москва 2002 с. 432.

56. Bennema P. Crystal Growth from Solution Theory and Experiment. - J. Crystal Growth, 1974, v. 24/25, p. 76-83.

57. Котов СВ., Хухрянский Ю.П., Шуников Е.А. Моделирование границы роста пленки из раствора-расплава. // Сборник тезисов 12-й Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике», Харьков, Украина, стр. 191-193,2002.

58. Г.В. Дедков, А.А. Кясов, Флуктуационно-электромагнитное взаимодействие движущихся частиц с плоской поверхностью // Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 1, 169-176.

59. В.Б. Бондаренко, М.В. Кузьмин, М.А. Митцев, Кинетика десорбции из адсорбированных слоев, образованных двумерными островками и двумерным газом // Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 6, 1129-1134.

60. В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, Динамика роста однокомпонентной кристаллической тонкой пленки // Журнал технической физики, 1997, том 67, вып. 11, 136-138.

61. В.Г. Дейбук, Ю.Г. Королюк, Молекулярно-динамическое моделирование структурных свойств твердых растворов замещения Geix Snx // Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 3, 298-300.

62. В.М. Глазов, В.Д. Щеликов, Термическое расширение и характеристики прочности межатомной связи в расплавах соединений AmBv (AlSb, InSb, GaSb, InAs, GaAs) // Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №4, 429-431.

63. Ilegems М., Panish М. В., Arthur J. R. Phase Equilibria and Vapor Pressures in the Ga+P system-J. Chem. Thermodynamics, 1974, v.6, p. 157-177.

64. Thurmond C. D. Phase Equilibria in the GaAs and the GaP Systems. J. Phys. Chem. Solids, 1965, v.26, №5, p. 785-802.

65. Kaneko K. Ayabe M., Dosen M., Mirizane K., Usui S, Watanabe N, Diffusion of phosphorus in gallium melt // J. Electrochem. Soc, 1974. v. 121, № 4, p.556.558.

66. Е. А. Шуников, Ю. П. Хухрянский, И. Н. Арсентьев. Моделирование микрокинетики роста кристалла полупроводника из жидкой фазы // Изв. ВУЗ. Материалы электронной техники. 2005. № 1. С. 58-61.

67. Е.А. Шуников, Ю.П. Хухрянский, И.Н. Арсентьев Применение потенциала с осевой симметрией при моделировании роста кристаллов из жидкой фазы//Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 4. С.83-87.

68. Е. А. Шуников, Ю. П. Хухрянский, И. Н. Арсентьев Моделирование процесса роста слоев А*В~ при жидкофазной эпитаксии //' Полупроводниковые гетероструктуры. Сб. науч. трудов. Вор. гос. технол. академия: Воронеж, 2005, с. 49-54.

69. Л.И. Марина, А .Я. нашельский, Л.И, Колесников Полупроводниковые фосфиды А В" и твердые растворы на их растворе М.: Металлургия, 1974, 326 с.

70. С.С. Стрельченко, В.В. Лебедев Соединения А3В5, М.: Металлургия, 1984, 144 с.

71. Френкель Я.И. Введение в теорию металлов. Л.: Наука, 1972; 424 с.

72. P. Jewsbury, S. Holloway The interaction of As4 and Ga beams on a GaAs (100) surface //J. Phys. C.: Solid State Phys. vol. 9, 1976, p. 3205-3215.

73. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры под ред. Л. Ченга и К. Плога-М.: Мир, 1989, 584 с.

74. Б.С. Бокштейн Диффузия в металлах М.: Металлургия, 1978, стр. 248.

75. Основы технологий кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия. -М.: Мир, 1969, 451 с.