Конструкторско-технологические основы создания пассивной части высоконадежных микрополосковых СВЧ-устройств дециметрового диапазона с повышенным уровнем мощности тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.12.07, доктор технических наук Крючатов, Владимир Иванович

• Крючатов, Владимир Иванович
• доктор технических наук
• 2011

Оглавление диссертации доктор технических наук Крючатов, Владимир Иванович

Условные обозначения и сокращения.

Введение.

Глава 1. Анализ путей повышения качества конструкции и технологии изготовления пассивной части СВЧ-устройств: актуальность, обзор, проблемы, постановка задачи.

1.1. Анализ состояния вопросов и перспективы развития технологии пассивной части СВЧ-устройств.

1.1.1. Анализ существующих маршрутов изготовления микрополосковых плат.

1.1.2. Классификация маршрутов изготовления микрополосковых плат и пути их совершенствования.

1.2. Надежность пассивной части СВЧ-устройств и пути ее повышения

1.2.1. Влияние конструктивно-технологических факторов на надежность и коэффициент выхода годных тонкопленочных микрополосковых плат с резистивными структурами.

1.2.2. Надежность микрополосковых плат при импульсном режиме работы.

1.2.2.1. Предельная импульсная мощность микрополосковых линий.

1.2.2.2. Проектирование мощных пленочных резистивных нагрузок.

1.2.3. Обеспечение временной и температурной стабильности работы прецизионных тонкопленочных резисторов.

1.2.3.1. Электрическое сопротивление контакта.

1.2.3.2. Способы подгонки, обеспечивающие стабильность тонкопленочных резисторов.

1.2.4. Надежность проводников МПЛ с многослойными структурами.

1.3. Проблемы уменьшения потерь энергии в структурах многослойных микрополосковых линий.".:.

1.3.1. Расчет коэффициента затухания однослойной несимметричной полосковой линии.

1.3.2. Исследование коэффициента затухания в структурах многослойных микрополосковых линий.

1.3.2.1. Влияние шероховатости поверхности подложки и неровности края полоски.

1.3.2.2. Влияние адгезионного слоя на коэффициент затухания.

1.3.2.3. Влияние антикоррозионного покрытия на величину коэффициента затухания.

1.3.2.4. Влияние толщин и технологии изготовления слоев на величину и разброс коэффициента затухания.

1.3.2.5. Влияние формы поперечного сечения проводника.

1.4. Об использовании тестовых структур и математических моделей для автоматизации процессов проектирования, контроля качества и регулирования технологических процессов изготовления элементов интегральных схем.

1.4.1. Тестовые структуры для анализа конструктивнотехнологических решений.

1.4.2.Классификациями области применения моделей:.791.4.3. Математические модели тонкопленочных резистивных структур и методы расчета тонкопленочных резисторов.

1.4.4. Математические модели для статистического контроля качества и регулирования технологических процессов изготовления элементов интегральных схем .".

1.4.5. Автоматизация статистического контроля качества, анализа и регулирования технологических процессов изготовления пленочных элементов интегральных схем.

1.5. Выводы.

Глава 2. Исследование потерь энергии в многослойных микроиолосковых линиях.

2.1. Постановка задачи.

2.2. Экспериментальное исследование потерь энергии в многослойных микрополосковых линиях.

2.2.1. Постановка эксперимента.

2.2.2. Влияние материала и толщины адгезионного слоя на коэффициент затухания.

2.2.3; Влияние технологии изготовления слоя меди.

2.2.4. Влияние микропрофиля полосковых линий на величину коэффициента затухания.

2.2.5. Влияние толщины и технологии изготовления слоя никеля

2.2.6. Влияние толщины меди, золота и технологии золочения на величину коэффициента затухания-.

2.2.7. Влияние резистивного слоя на величину коэффициента затухания.

2.3. Описание изобретенного способа изготовления микрополосковых СВЧ интегральных схем с малыми потерями энергии.

2.4. Выводы.

Глава 3: Исследование импульсного режима работы тонкопленочных, резистивных нагрузок в СВЧ-устройствах.

3.1. Теоретический анализ теплового режима работы резисторов при импульсной нагрузке.

3.2. Экспериментальное исследование предельной импульсной мощности рассеяния резистивных пленок на подложках СВЧ-устройств.

3.2.1. Постановка эксперимента.

3.2.2. Исследование предельной импульсной мощности рассеяния резисторов на поликоровых подложках без защитных покрытий.

3.2.3. Исследование предельной импульсной мощности рассеяния резисторов, покрытых диэлектрической пленкой

3.3. Описание изобретенных конструкций микрополосковых аттенюаторов и нагрузок, работающих при воздействии-, импульсной СВЧ мощности .:.

3.3.1. Резистор с повышенной импульсной мощностью рассеяния

3.3.2. Полосковая нагрузка, полосковый аттенюатор. 140^

3.4. Выводы

Глава 4. Технология изготовления пассивной части СВЧ-устройств с резистивными элементами

4.1. Унификация размещения микрополосковых плат и тестовых элементов на подложке.

4.2. Разработка маршрута изготовления многослойной микрополосковой линии.

4.2.1. Классификация маршрутов изготовления микрополосковых плат.

4.2.2. Обоснование выбора технологии формирования многослойной структуры микрополосковых линий.

4.2.3. Разработка маршрута изготовления микрополосковых линий методом гальванического осаждения слоев по подслою в зазоре

4.2.4. Разработка маршрута изготовления микрополосковых линий методом гальванического осаждения слоев с использованием тонкопленочных технологических перемычек.

4.3. Разработка маршрута изготовления микрополосковых резистивных нагрузок, работающих при воздействии импульсной СВЧ мощности.

4.4. Разработка технологии гальванического золочения и контроля качества золотого покрытия.

4.5. Исследование влияния технологии и материалов контактов на величину удельного переходного сопротивления.

4.6. Исследование адгезии проводников МПЛ к подложке.

4.7. Исследование влияния лазерной подгонки на стабильность тонкопленочных резисторов с защитным диэлектрическим слоем.

4.8. Исследование термостабильности толстопленочных резисторов, подгоняемых лазерным способом.

4.9. Исследование надежности пассивной части СВЧ-устройств, изготовленных по разработанной конструкции и технологии

4.10. Выводы.

Глава 5. Разработка автоматизированных систем технологического обеспечения качества при серийном изготовлении пассивной части СВЧ-устройств.;.

5.1. Обоснование необходимости учета контактных сопротивлений при контроле качества изготовления и расчете тонкопленочных резисторов СВЧ-устройств

5.2. Вывод уравнений для определения производственных погрешностей ТГТР, включая контактные сопротивления.

5.2.1. Анализ технологических процессов изготовления пассивной части СВЧ-устройств с резистивными структурами.

5.2.2. Разработка тестовой резистивной структуры и математических моделей, устанавливающих взаимосвязь погрешностей сопротивлений тонкопленочных резисторов с погрешностями КТП, включая контактные сопротивления.

5.2.3. Математические модели для определения производственных погрешностей КТП резисторов по математическим ожиданиям и среднеквадратическим отклонениям сопротивлений резисторов тестовых структур.

5.2.4. Сравнительный анализ математических моделей.

5.2.5. Методики расчета производственных погрешностей КТП тонкопленочных резисторов, включая контактные сопротивления.

5.3. Экспериментальное исследование производственных погрешностей резистивных элементов интегральных схем.

5.3.1. Технология проведения экспериментальных исследований для получения экспериментальных данных по погрешностям КТП в генеральной совокупности резистивных элементов.

5.3.2. Экспериментальная проверка методики косвенного определения«производственных погрешностей КТП при изготовлении резистивных элементов МПП.

5.3.3. Методика определения оценок статистических характеристик резисторов для генеральной совокупности.

5.3.4. Результаты экспериментального исследования производственных погрешностей резистивных элементов и анализ полученных экспериментальных данных.

5.4. Автоматизация статистического контроля, анализа и регулирования технологических процессов изготовления MIHI с резистивными элементами.

5.4.1. Принципы построения АСК и СРТП при учете контактных сопротивлений.

5.4.2. Организация автоматизированного статистического контроля, анализа и регулирования ТП изготовления МПП с резистивными элементами в производстве.

5.4.3. Результаты внедрения автоматизированных систем АСК и СРТП в серийное производство МПП.

5.5. Расчет погрешностей ТПР и вероятности выхода годных резистивных элементов МПП при внедрении автоматизированных систем проектирования, АСК и СРТП.

5.6. Выводы.

Глава 6. Проектирование элементов пассивной части

СВЧ-устройств.

6.1. Проектирование резисторов, используемых в качестве схемных

СВЧ элементов.

6.1.1. Вывод основных формул для учета погрешностей КТП при расчете тонкопленочных резисторов.

6.1.2. Методика расчета конструкции тонкопленочных резисторов с учетом производствснных погрешностей, включая контактные сопротивления.

6.1.3. Применение персонального компьютера для расчета тонкопленочных резисторов с учетом производственных погрешностей и контактных сопротивлений*.

6.2. Проектирование резисторов, используемых в качестве оконечных нагрузок при воздействии импульсной СВЧ мощности.

6.2.1. Основные соотношения и положения для проектирования согласованных резистивных нагрузок»при воздействии импульсной СВЧ мощности.

6.2.2. Методика инженерного расчета согласованных тонкопленочных резистивных нагрузок.

6.3 Методика расчета погонного коэффициента затухания в многослойной микрополосковой линии.

6.4. Описание изобретенных конструкций резистивных элементов для источников питания СВЧ-устройств.

6.4.1. Пленочный резистор.

6.4.2. Толстопленочный резистор.

6.5. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Конструкторско-технологические основы создания пассивной части высоконадежных микрополосковых СВЧ-устройств дециметрового диапазона с повышенным уровнем мощности»

Объектом исследования является пассивная часть микрополосковых СВЧ4 устройств, содержащая тонкопленочные многослойные микрополосковые линии передачи, тонкопленочные резистивные нагрузки и резистивные элементы схемы.

Актуальность темы. Микрополосковые СВЧ-устройства, изготавливаемые по тонкопленочной технологии, широко»используются в радиоэлектронике для создания приемопередающих и антенно-фидерных микроэлектронных устройств. Применение МП СВЧ-устройств в радиоэлектронных системах позволяет существенно улучшить параметры аппаратуры и открыть долговременную перспективу ее поэтапного совершенствования.

Быстрое развитие и широкое применение СВЧ-устройств на основе Ml ill и t технологии их изготовления обусловлено высокой надежностью, снижением массы и габаритов при обеспечении высоких электрических характеристик, возможностью автоматизации, как конструирования, так и производства. Внедрение технологии МП СВЧ-устройств привело к существенному уменьшению объема СВЧ аппаратуры (в 5-10 раз) по сравнению с аналогами в волноводном и коаксиальном исполнении. Технология МП СВЧ-устройств сравнительно' проста и не требует больших затрат на оборудование, помещения и подсобные службы. Это позволяет на основе технологии тонкопленочных СВЧ-устройств создавать так называемые нетиповые, нестандартные радиоэлектронные изделия и аппаратуру.

В связи с актуальностью применения радиотехнических систем опознавания с дальностью действия до 300 км большое значение приобретает задача создания высоконадежных малогабаритных импульсных СВЧ-устройств, с импульсной мощностью до 5-10 кВт, работающих на.частотах дециметрового диапазона.

Современные радиотехнические системы опознавания являются устройствами большой функциональной сложности. Например, приемо-передающие интегральные модули СВЧ состоят из десятков или даже сотен отдельных функциональных узлов: делителей, фильтров, усилителей, направленных ответвите-лей, сумматоров и т. д.

Основной частью конструкции МП СВЧ-устройства является Ml 111, представляющая подложку, на поверхности которой формируют элементы с распределенными и сосредоточенными параметрами: МПЛ, резисторы, конденсаторы, индуктивности. От конструкции и технологии изготовления элементов MIHI существенно зависят надежность и технические характеристики как пассивных, так и активных СВЧ; микроэлектронных устройств. Поэтому улучшение эксплуатационных и технических характеристик Ml III путем совершенствования конструкции, методов? проектирования и технологии изготовления МПП является актуальной проблемой.

При переводе СВЧ-устройств радиотехнических систем опознавания дециметрового диапазона, использующих волноводную технику, в микроэлектронное исполнение, в частности при разработке МПП с: резистивными элементами, возникло много новых проблем, требующих незамедлительного решения.

С ростом функциональной сложности радиотехнических систем опознавания существенно возросли требования к надежности, точности и воспроизводимости электрических параметров; элементов приемо-передаюгцих и антенно-фидерных СВЧ-устройств в условиях серийного производства. Миниатюризация СВЧ-устройств потребовала разработки миниатюрных согласованных ТРИ, надежно работающих при воздействии импульсного СВЧ сигнала с мощностью до 2-5 кВт. Требования высокой надежности привело к необходимости применения многослойной МПЛ. со структурой слоев V-Cu-Ni-Au, вследствие чего возникли проблемы снижения потерь энергии, а переход для снижения потерь энергии на технологию раздельного формирования резистивных и проводящих слоев привело к проблеме обеспечения малых переходных сопротивлений контактов и необходимости их учета. Поэтому, первые микроэлектронные СВЧ--устройства часто отказывали уже при включении из-за перегорания ТРН и не обеспечивали заданные электрические и массогабаритные характеристики вследствие больших потерь энергии в МПЛ. Решение этих проблем потребовало комплексного рассмотрения схемотехнических, конструкторских и технологических вопросов,, необходимых для обеспечения качества и надежности импульсных СВЧ-устройств.

При создании ПЧ СВЧ-устройств радиотехнических систем опознавания дециметрового диапазона возникла необходимость в значительной степени переосмыслить основные принципы конструирования базовых элементов с учетом технологических аспектов их производства.

Таким образом, задача.совершенствования конструкции, методов проектирования и технологии серийного производства ПЧ СВЧ-устройств дециметрового диапазона и создания образцов высоконадежных импульсных СВЧ-устройств с повышенным уровнем мощности, полностью удовлетворяющих всем требованиям, предъявляемым к современным СВЧ-устройствам для радиотехнических систем опознавания дециметрового диапазона, является' актуальной и составляет одну из важных проблем современной СВЧ техники.

Краткая история развития полосковых СВЧ-устройств. Микроэлектронная СВЧ техника является относительно новой, перспективной и до сих пор недостаточно изученной. Разработки и исследования СВЧ микроэлектронных устройств начались примерно в середине 60-х годов. Некоторое отставание внедрения микроэлектронной СВЧ техники от СВЧ техники с использованием коаксиальных и объемных волноводов было связано с трудностью создания твердотельных СВЧ активных приборов. На первых этапах развития техники полосковых линий СВЧ-устройства выполнялись на пластинах из фольгиро-ванного диэлектрика. Однако существенно уменьшить размеры СВЧ-устройств и повысить их надежность удалось в начале 80-х годов после появления керамических подложек с высокой диэлектрической проницаемостью и новых активных приборов, работающих в СВЧ диапазоне [1,2].

Именно в начале 80-х годов в Казанском научно-исследовательском институте радиоэлектроники (КНИИРЭ) начались работы по созданию радиотехнических систем специального назначения на основе МП СВЧ-устройств. Автор диссертационной работы является одним из участников по созданию микропо-лосковой СВЧ техники в части проектирования и технологии Ml 111.

В настоящее время в Росси и за рубежом ведутся работы по совершенствованию СВЧ-устройств путем оптимизации структуры отдельных элементов конструкции и подбора совокупности применяемых материалов, а также оптимизации технологии для улучшения характеристик, повышения надежности и эффективности серийного производства [3].

Большой вклад в разработку теории и конструкторско-технологических основ проектирования и практическую реализацию СВЧ-устройств и их компонентов внесли отечественные ученые, среди которых можно отметить Бахарева С.И., Бушминского И.П., Вольмана В.И., Высоцкого Б.Ф:, Иовдальского В.А., Климачева И.И., Ковалева И.С., Коледова J1.A., Коробова А.И., Малорацкого Л.Г., Морозова Г.В., Неганова В.А., Орлова О.С., Радионова A.A., Раевского С.Б., Славинского O.K., Ярового Г.П. и др., а также ученых Казанского авиационного института (КАИ, ныне - КГТУ им. А.Н. Туполева). Здесь основы теории СВЧ-устройств и их компонентов заложены работами Поповкина В.И., Воробьева Н.Г., Даутова О.Ш., Дымского В.Н., Морозова Г.А., Радцига Ю.Ю., Седель-никова Ю.Е., Чони Ю.И. и др. Вопросы конструирования, технологии и практического применения СВЧ-устройств на основе микрополосковых линий (МГО1) разработаны учениками Ермолаева Ю.И. Тюхтиным М.Ф:, Романенко Ю:И., Кузнецовым Д.И., Кузьминым А.Н. и др.

Заметный вклад в разработку теории и( вопросов технологии полосковых СВЧ-устройств,внесли зарубежные ученые Goal.E., Horton R., Caulton M., Cohn S.B:, Meinel H., Pu'cel R., Kaupp H., Kretzchmar. J.G., Schneider M:V., Silvester P., Sobol H., Wheeler H.A., Wolff J., и др.

Современное состояние. Конструкторско-технологическое проектирование изделий электронной техники СВЧ-диапазона с использованием СВЧ-устройств на базе гибридных СВЧ интегральных схем (ГИС СВЧ) и микросборок (МСБ), основу которых составляют Ml 111, по-прежнему остается важнейшим этапом создания современной радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) поскольку от уровня их параметров и характеристик зависят параметры и характеристики РЭА.

Важными аспектами, определяющими научно-технический уровень разработки современных МП СВЧ-устройств для специальной РЭА и их серийно-способность, являются: высокая надежность при малых габаритах и весе, невысокая себестоимость, малые потери энергии в проводниках Ml Ш, высокая стабильность ТРЭ, высокая импульсная мощность рассеяния миниатюрных согласованных ТРН, возможность автоматизации процессов проектирования и технологии их изготовления.

Высокая стабильность ТРЭ в значительной степени связана с переходными сопротивлениями контактов и применяемыми способами доводки резисторов до номинального значения.

В микрополосковой технике СВЧ большие успехи достигнуты в области построения теоретических основ, разработке инженерных методов анализа и синтеза МП устройств и технологической базы для их изготовления [3, 12, 2, 45]. Значительный прогресс в этой области достигнут благодаря применению современного программного пакета AWR Microwave Office. По мере освоения серийного производства разработаны принципы и методы проектирования микроэлектронных устройств СВЧ по критерию минимальных производственных затрат при учете конструктивно-технологических погрешностей микрополосковых линий передач [2]. В.этой монографии, а также в работе [46] большое внимание уделяется конструкторско-технологическим проблемам проектирования МПЛ для обеспечения заданных основных параметров при серийном изготовI лении. Рассматривается точность получения электрических параметров полосковых элементов ГИС СВЧ при наличии методической, производственной и эксплуатационной погрешностей. При расчете МПЛ учитываются погрешности геометрических размеров и в том числе дефекты края проводника, непрямо-угольность поперечного сечения полоскового проводника, а также погрешности параметров материала подложек. В монографии И. И. Климачева и В. А. Иовдальского [3] изложены перспективные конструкторско-технологические решения, позволяющие улучшить электрические, тепловые, массогабаритные характеристики и надежность ГИС СВЧ для диапазона частот 2,7-11,4 ГТц.

Конструкторско-технологические основы проектирования резистивных элементов интегральных схем (ИС), изложенные в последних монографиях [19, 47], не содержат сведений по исследованию статистических характеристик переходных сопротивлений контактов, статистическому контролю качества, анализу и регулированию ТП изготовления резистивных элементов ИС при учете контактных сопротивлений для обеспечения заданных полей допусков.

В технической литературе и нормативной документации отсутствуют современные автоматизированные методики проектирования резистивных элементов.

В-последних работах отечественных и зарубежных специалистов уделяется большое внимание конструированию и технологии изготовления Ml ill СВЧ-устройств, так как MLШ является основой конструкции современных ГИС СВЧ и в значительной степени определяет их характеристики [3].

Вопросам повышения надежности ГИС СВЧ, потерям энергии в проводниках Ml 111, имеющим многослойную структуру пленочных проводников и маршрутам их изготовления посвящены многочисленные исследования отечественных и зарубежных авторов. Так, в работах [3-10] рассмотрены вопросы выбора слоев пленочных проводников с точки зрения обеспечения стабильности пленочной структуры из-за диффузного взаимодействия металлических слоев. В работе [3] проведено экспериментальное исследование коэффициента затухания в многослойных микрополосковых структурах в диапазоне частот от 2,7 до 11,4 ГГц. Работы [3, 11-14] посвящены разработке основных маршрутов изготовления МПП ГИС СВЧ. Вопросам конструирования и технологии изготовления тонкопленочных прецизионных резисторов также посвящено большое количество работ, например, [15-20]. Работы авторов [19, 21-39] посвящены исследованию и определению величин переходных сопротивлений контактов резисторов ИС и способам подгонки для обеспечения изготовления высокостабильных прецизионных тонкопленочных резисторов (ТПР).

По вопросам исследования и создания миниатюрных согласованных тонкопленочных СВЧ нагрузок с повышенной импульсной мощностью рассеяния до настоящего времени публикации практически отсутствуют. Некоторые конструктивно-технологические вопросы проектирования пленочных СВЧ нагрузок с повышенной мощностью для импульсного режима работы, рассмотрены лишь в работах [40-42].

Работы авторов [43, 44] посвящены разработке и использованию автоматизированных систем контроля качества (АСК), анализа и регулирования технологическими процессами (СРТП) изготовления тонкопленочных плат микроэлектронной аппаратуры при напылении резистивных и проводящих слоев в одном цикле. При этом не учитываются переходные сопротивления контактов.

Однако большинство работ по конструированию и технологии ПЧ СВЧ-устройств выполнено для диапазона частот от 2,7 до 12,5 ГГц. Исследования конструкторско-технологических проблем создания МП СВЧ-устройств для серийного производства специальной РЭА, работающей в длинноволновой области СВЧ диапазона, не носили системного характера. В частности, для этой области частот отсутствуют рекомендации по выбору толщин и технологии изготовления многослойных МПЛ для обеспечения высокой надежности и приемлемых потерь энергии, нет рекомендаций по проектированию миниатюрных согласованных ТРИ при импульсной мощности до 2-5 кВт. Рекомендуемые научно-технической литературой, отраслевыми стандартами и стандартами предприятий конструкции и технологии изготовления М1Ш имеют десятки вариантов исполнения, а методики расчета резистивных элементов не обеспечивают высокое качество и процент выхода годных при их серийном изготовлении. Во всех работах, посвященных проектированию и технологии СВЧ-устройств, основное внимание уделяется улучшению характеристик элементов на основе полосковых линий, и отсутствуют сведения по исследованию потерь энергии в МПЛ для дециметрового диапазона, импульсного режима работы резистивных нагрузок и методам их расчета. Также не рассмотрены конструктивно-технологические особенности проектирования резистивных элементов СВЧ-устройств при раздельном формировании резистивных и проводящих слоев.

Тем не менее, при серийном изготовлении Ml III выход годных плат с ТПР существенно меньше выхода годных плат, которые содержат только МПЛ.

Кроме того, требуют дальнейшего развития теоретические положения по созданию систем автоматизированного проектирования (САПР), систем АСК и

СРТП при серийном изготовления МПП с резистивными элементами при учете контактных сопротивлений, оказывающих существенное влияние на качество СВЧ-устройств. .

Недостатки объекта исследования. Разработка^макетов и опытных образцов первых МП СВЧ-устройств для радиотехнических систем опознавания проводилась в 80-х годах на основе литературного анализа современного состояния конструкторско-технологических основ их проектирования и технологического обеспечения! качества, а также требований нормативной документации.^

Однако перед разработчиками и технологами РЭА на этапе эскизно-технического проекта возникло множество конструкторско-технологических проблем. Эти проблемы возникли при первом изготовлении сложных МИ СВЧ-устройств: антенных модулей СВЧ, приемных и мощных передающих устройств. Пассивная часть СВЧ-устройств изготавливалась по технологии с раздельным формированием резистивного и проводникового слоев, а микрополос-ковые линии выполнялись в виде- многослойной структуры: .Сг-Сив-Сиг-№г-Аиг. В процессе изготовления, настройки и испытаний первых макетов СВЧ-устройств обнаружились следующие основные недостатки:

- потери энергии в МПЛ СВЧ-устройств на частоте 1,5 ГГц достигали 4 дБ/м;

- оконечные СВЧ ТРН выгорали при воздействии импульсной СВЧ мощности 1-2,5 кВт уже при первом включении передатчика;.

-возникали недопустимо большие контактные сопротивления при изготовлении прецизионных ТПР:

В существующей технической литературе и нормативной документации отсутствовали рекомендации по проектированию и технологии изготовления; этих элементов, которые позволили бы устранить эти недостатки.

Это сделало невозможным создание серийноспособных, высоконадежных импульсных СВЧ-устройств с повышенным уровнем мощности на основе МПП с приемлемыми электрическими и массогабаритными характеристиками для радиотехнических систем государственного опознавания, работающих в длинноволновой области СВЧ диапазона.

Предметом исследования являются конструкции и технологии изготовления тонкопленочных микрополосковых и резистивных элементов пассивной части СВЧ-устройств, модели, методы и алгоритмы для автоматизированного проектирования ТПР, статистического контроля качества, анализа и регулирования технологическими процессами серийного производства.

Диссертационная работа направлена на повышение надежности, эффективности производства и улучшение основных электрических характеристик, при минимальных габаритах и массе, МП СВЧ-устройств с тонкопленочными элементами, работающих при воздействии импульсной СВЧ мощности до 2-5 кВт.

Следует особо подчеркнуть, что в настоящее время, как в стране, так и за рубежом не разработаны и не выпускаются миниатюрные согласованные рези-стивные нагрузки на импульсную мощность до 5 кВт при обеспечении их конструктивно-технологической совместимости с тонкопленочными интегральными схемами СВЧ.

Целью диссертационной работы является улучшение эксплуатационных и электрических характеристик пассивной части микрополосковых СВЧ-устройств дециметрового диапазона: повышение надежности, предельной импульсной мощности тонкопленочных резистивных нагрузок, стабильности тонкопленочных резистивных элементов, снижение потерь энергии в МПЛ путем разработки новых конструкций, технологий изготовления, методов автоматизированного проектирования и автоматизированных систем технологического обеспечения качества в процессе серийного производства.

Научная проблема заключается в разработке и развитии теоретических и методологических основ конструкторско-технологического проектирования и серийного производства пассивной части высоконадежных микрополосковых СВЧ-устройств дециметрового диапазона с повышенным уровнем мощности и улучшенными эксплуатационными и электрическими характеристиками для радиотехнических систем государственного опознавания, имеющих большое значение для повышения обороноспособности страны.

Для достижения поставленной цели и решения научной проблемы необходимо решить следующие основные задачи:

1. Выполнить системный анализ современного состояния конструкторско-технологических основ проектирования и систем контроля качества в процессе серийного производства тонкопленочных элементов ПЧ высоконадежных МП СВЧ-устройств с повышенным уровнем мощности, выявить нерешенные проблемы и сформулировать основные направления исследований.

2. Провести теоретическую оценку коэффициента затухания однослойной МПЛ из меди на частотах дециметрового диапазона и исследовать влияние конструктивно-технологических факторов на потери в многослойной МПЛ со структурой слоев У^г^-Сиц-Си, -№г-Аиг. На основе этих исследований установить причины аномально больших потерь в многослойной структуре и разработать рекомендации по проектированию и технологии изготовления МПЛ с коэффициентом затухания на частоте 1,5 ГГц не более 1,45 дБ/м.

3. Провести теоретический анализ температурного режима работы ТПР при воздействии коротких прямоугольных импульсов большой мощности и исследование предельной мощности рассеяния согласованных ТРН при воздействии на них импульсного СВЧ сигнала. На основе проведенных исследований, определить основные причины отказов и разработать конструкцию, технологию изготовления и рекомендации по проектированию миниатюрных согласованных ТРН, надежно работающих при воздействии импульсной СВЧ мощности до 5 кВт.

4. Исследовать влияние технологии изготовления и материалов на величину переходного сопротивления контактов ТПР при раздельном формировании рези-стивных и проводящих слоев, провести оптимизацию технологии изготовления резистивно-проводящих элементов с малым переходным сопротивлением.

5. Исследовать влияние лазерной подгонки на температурную и временную стабильность ТПР. По результатам исследований разработать и внедрить в производство ТП подгонки, не ухудшающий стабильность резисторов.

6. На основе проведенных теоретических и экспериментальных исследований разработать конструкцию и технологию серийного изготовления пассивной части СВЧ-устройств, обеспечивающие малые потери на СВЧ и высокую надежность при воздействии внешних факторов и большой импульсной мощности.

7. Разработать тестовую структуру, математические модели, методы и алгоритмы для автоматизированного проектирования ТРЭ и создания автоматизированных систем АСК и СРТП при серийном изготовлении МПП с резистивными элементами.

8. Разработать принципы построения автоматизированных систем АСК и СРТП при серийном изготовлении МПП с тонкопленочными резисторами при учете контактных сопротивлений.

9. Провести экспериментальное исследование производственных погрешностей и контактных сопротивлений, возникающих при серийном изготовлении МПП с тонкопленочными резисторами с целью получения данных для конструктивного расчета резисторов и автоматизированных систем АСК и СРТП.

10. Разработать методики конструктивного расчета элементов ПЧ микро-полосковых СВЧ-устройств с учетом экспериментальных данных по потерям энергии в MTTJI, предельной импульсной мощности рассеяния резистивных материалов и производственным погрешностям ТПР.

11. Провести экспериментальное исследование надежности ПЧ СВЧ-, устройств, спроектированной и изготовленной по разработанным методикам и технологиям изготовления; а также испытания в реальных условиях эксплуатации.

12. Внедрить полученные результаты в проектно-конструкторскую деятельность и серийное производство.

Методы исследований. Для решения поставленных задач использовались экспериментальные и'теоретические методы исследования: системный анализ, разделы, математического анализа, теории вероятностей, математической статистики, теории теплообмена,- методы планирования экспериментов и обработки данных, методы программирования в среде DELPHI-7.

Разработанные теоретические положения и новые технические решения опробованы экспериментально. Экспериментальные исследования метрологически обеспечены и проводились на экспериментальной базе предприятия' ФГУП «ФНПЦ «Радиоэлектроника» им. В.И. Шимко.

Поставленные задачи решались путем теоретического анализа с последующим изготовлением тестовых структур элементов ПЧ СВЧ-устройств. После проведения экспериментальных исследований тестовых структур разрабатывались и изготавливались опытные образцы СВЧ-устройств на основе Ml 111. Лабораторные и натурные испытания СВЧ-устройств проводились в составе изделий.

Научная,новизна результатов исследований:

1. Экспериментально установлено, что в МПЛ, имеющих структуру V-CuB--Cur-Nir-Aur, необходимо учитывать скин-эффект не только на границе между полоской и подложкой, но и на границе между полоской и окружающей газовой средой, вследствие большой плотности поверхностного тока на краях полоски. Поэтому на потери энергии существенно влияет толщина и технология изготовления защитного слоя. Предложен состав и технология золочения, позволяющие до трех раз снизить потери энергии при осаждении золота толщиной более одного скин-слоя в золоте.

2. Установлено, что при воздействии импульсной СВЧ мощности основной причиной выхода из строя ТРН на поликоровых подложках является СВЧ коронный разряд, возникающий на микроостриях резистивной пленки. Показано, что на величину предельной импульсной мощности рассеяния ТРН существенно влияют три основных фактора: качество поверхности подложки, температура плавления резистивной пленки и покрытие поверхности и краев резистивной пленки диэлектрической пленкой. Показано, что покрытие ТРН пленкой 813Ы4 позволяет на порядок увеличить предельную удельную импульсную мощность.

3. Предложены материалы контактных пленочных соединений и разработана технология изготовления ТПР при раздельном формировании резистивных и проводящих слоев для получения малых удельных переходных сопротивлений

О О Г) контактов с величиной тРк в пределах 5-10" -26-10" Ом-мм , что на один-два порядка меньше чем в известных технологиях.

4. Экспериментально установлено, что при лазерной доводке ТПР на ухудшение температурной и временной стабильности резисторов существенно влияет осаждение продуктов испарения на резистивную пленку в зоне реза. Показано, что предварительное покрытие резистивной пленки диэлектрической пленкой позволяет практически сохранить стабильность резисторов за счет исключения осаждения продуктов испарения на резистивный слой в зоне реза.

5. Разработаны два новых способа изготовления МПП. Способ гальванического осаждения проводящих слоев по подслою в зазоре. Способ гальванического осаждения проводящих слоев с использованием тонких пленочных технологических перемычек. Предложенные способы позволяют в 3-5 раз повысить коррозионную стойкость МПЛ при воздействии окружающей среды за счет практически полной защиты меди слоями №г-Аиг.

6. Предложены математические модели ТПР, на основе которых получены формулы, а также разработана методика и программные модули автоматизированного расчета резисторов МПП с учетом систематических и случайных составляющих производственных погрешностей конструктивно-технологических параметров (КТП), включая погрешности контактных сопротивлений. Методика позволяет обеспечивать заданные поля допусков на сопротивления резисторов с теоретической вероятностью 0,9973 и необходимый уровень надежности.

7. Предложены тестовые резистивные структуры, для которых разработаны математические модели, устанавливающие взаимосвязь сопротивлений ТПР с производственными погрешностями их КТП, включая контактные сопротивления. Предложенные модели позволяют дополнительно определять систематические и случайные составляющие контактных сопротивлений и существенно повысить точность определения погрешностей удельного поверхностного сопротивления, длины и ширины. На основе этих моделей разработаны принципы построения, методики и алгоритмы для создания автоматизированных систем АСК и СРТП при изготовлении элементов ПЧ СВЧ-устройств, что, в конечном итоге, позволяет обеспечивать качество и существенно уменьшить брак при производстве изделий.

Достоверность и обоснованность научных результатов обеспечивается использованием известных теоретических положений СВЧ техники, технологии микроэлектроники, теории теплообмена- и математического моделирования, подтверждается адекватностью разработанных математических моделей. Для обеспечения достоверности результатов проводился большой объем идентичных измерений с применением апробированных экспериментальных методов.

Подтверждением достоверности полученных результатов является также успешная апробация и использование разработанных конструкций, технологий, методов проектирования и методик контроля качества при серийном производстве и эксплуатации изделий в течение более 20 лет.

Практическую ценность имеют:

1. Разработанные новые конструкции и технологии изготовления элементов ПЧ СВЧ-устройств, позволяющие существенно повысить качество проектирования и надежность СВЧ-устройств. В том числе до трех раз снизить потери энергии в МПЛ, в 5-10 раз повысить предельную импульсную мощность рассеяния ТРН, в 3-5 раз повысить коррозионную стойкость проводников МПЛ и на порядок повысить стабильность ТРЭ.

2. Рекомендации по проектированию многослойной МПЛ с малыми потерями энергии. Эмпирическая формула для расчета коэффициента затухания в многослойной МПЛ для разработанной конструкции и технологии изготовления на частотах дециметрового диапазона.

3. Разработанная методика расчета согласованных ТРН при воздействии импульсной СВЧ мощности, позволяющая исключить отказы ТРН при эксплуатации СВЧ-устройств.

4. Разработанные методика и программные модули для автоматизированного расчета ТПР с учетом полученных экспериментальных данных по величинам производственных погрешностей их КТП, включая статистические характеристики контактных сопротивлений. Это позволяет закладывать качество ТПР уже на этапе проектирования и в десятки раз сократить время вычислений.

5. Предложенные принципы построения автоматизированных систем АСК и СРТП при изготовлении тонкопленочных МПП с ТПР, позволяющие существенно снизить себестоимость МПП за счет увеличения процента выхода годных с 40 до 70% и снижения трудоемкости их изготовления.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 38 работ, из них 9 статей в научных журналах, рекомендованных ВАК для> опубликования результатов докторских диссертаций, 9 статей в сборниках трудов, 9 патентов на изобретения и 2 авторских свидетельства, 8 тезисов докладов на всесоюзных, межреспубликанских и научно-практических отраслевых конференциях и 1 учебное пособие. Кроме того, материалы исследований, связанные с диссертацией представлены в отчете по ОКР «Отработка конструктивно-технологических решений и внедрение в серийное производство технологических процессов изготовления микросборок изделия 40».

Апробация работы. Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на научных конференциях КАИ, КГТУ им. А.Н. Туполева, г. Казань, 2000-2009 г.г.; IX Всесоюзной конференции по микроэлектронике, г. Казань, 1980 г.; Всесоюзной НТК по интегральной электронике СВЧ, г. Новосибирск, 1988 г.; Межреспубликанской НТК «Состояние и перспективы развития основных направлений радиотехнологии и спецмашиностроения», г. Казань, 1988 г.; Всесоюзной НТК «Актуальные проблемы технологии композиционных материалов и радиокомпонентов в микроэлектронных информационных системах», г. Ялта, 1990 г.; Всероссийской НТК «Датчики и детекторы для авиационной техники «ДДАТ-2003», г. Пенза, 2003 г.; Научно-практической конференции «Пути развития государственного опознавания», г. Казань, 2008 г.

Патенты № 2332741 «Способ изготовления тонкопленочных резисторов» и № 2339103 «Резистор с повышенной мощностью рассеяния и способ его изготовления» вошли в число лучших изобретений 2009 г.; патент № 2341048 «Способ-изготовления микрополосковых СВЧ интегральных схем» вошел в число пяти лучших изобретений 2010 г. на VI республиканском конкурсе 50 лучших инновационных идей Республики Татарстан.

Реализация результатов работы. Результаты диссертационной работы используются в проектно-конструкторской деятельности и внедрены в серийное производство следующих организаций:

ФГУП «ФНПЦ «Радиоэлектроника» им. В.И. Шнмко (до 2007 г. - Казанский научно-исследовательский институт радиоэлектроники) - в виде технологической и конструкторской документации на МПП, тонкопленочные платы и СВЧ-устройства; технических предложений в руководящие указания по конструированию интегральных приемо-передающих узлов и модулей СВЧ; конструкторско-технологических требований и ограничений на разработку топологии микрополосковых и тонкопленочных плат; методики и программных средств автоматизированного конструктивного-расчета ТПР; методики определения производственных погрешностей ТПР тонкопленочных и микрополосковых плат.

ФГУП «КПКБ» (Федеральное государственное унитарное предприятие -«Казанское приборостроительное конструкторское бюро») - в виде технологической и конструкторской документации на тонкопленочные платы; методики и программных средств автоматизированного конструктивного расчета ТПР; методики определения производственных погрешностей ТПР тонкопленочных плат.

ОАО «КОМЗ» (Казанский оптико-механический завод) - в виде методики и ' программных средств автоматизированного конструктивного расчета ТПР; методики определения производственных погрешностей ТПР тонкопленочных плат.

КГТУ им А. Н. Туполева (Казанский государственный технический университет им. А.Н. Туполева) — в виде учебного пособия: «Технология и конструирование высокостабильных прецизионных резистивных элементов тонкопленочных гибридных интегральных схем с учетом контактных сопротивлений», которое используется в учебном процессе при проведении лекционных и практических занятий, а также при выполнении курсовых работ по специальностям 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств», 210202 «Проектирование и технология электронно-вычислительных средств».

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Результаты системного анализа существующих конструкций, технологий изготовления, методов проектирования и систем контроля качества в процессе серийного производства тонкопленочных элементов ПЧ высоконадежных МП СВЧ-устройств с повышенным уровнем мощности. Разработанные классификации маршрутов изготовления Ml 111 и пути повышения их качества.

2. Результаты теоретического и экспериментального исследования влияния конструктивно-технологических факторов на потери в многослойных МПЛ, имеющих структуру слоев V(Cr)-CuB-Cur-Nir-Au, на частотах дециметрового диапазона, позволившие установить основные причины, существенно влияющие на увеличение потерь энергии многослойной МПЛ.

3. Результаты экспериментального исследования, а также анализа физики отказов ТРН при воздействии импульсной СВЧ мощности, показывающие существенное влияние на предельную импульсную мощность рассеянияТРНтрех основных факторов: качества поверхности подложки, температуры плавления-резистивной пленки и покрытия, поверхности и краев резистивной пленки диэлектрической- пленкой. Методика конструктивного расчета согласованных ТРН при воздействии импульсной СВЧ мощности.

4. Математические модели, методика и алгоритмы,для автоматизированного проектирования ТРЭ СВЧ-устройств, которые, совместно с предложенными автоматизированными системами технологического обеспечения качества, позволяют существенно увеличить процент выхода годных Mi lid за счет учета систематических и случайных составляющих производственных погрешностей КТП, возникающих при установившемся серийном производстве изделий.

5. Тестовая резистивная структура, математическая модель, методика и алгоритм для создания автоматизированных систем АСК и СРТП при серийном изготовлении ПЧ СВЧ-устройств. Результаты экспериментальных исследований погрешностей КТП резисторов, включая контактные сопротивления, при серийном изготовлении МПП с ТПР.

6. Новые конструкции, способы изготовления и способ управления* ТП изготовления элементов ПЧ'СВЧ-устройств, позволяющие существенно повысить их надежность и улучшить электрические и массогабаритные характеристики: снизить потери энергии в МПЛ и повысить их коррозионную стойкость; повысить предельную импульсную мощность рассеяния ТРН при сохранении габаритов; обеспечить высокую стабильность ТРЭ и автоматизировать процессы управления качеством при серийном изготовлении.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 6 глав, заключения, списка литературы, включающего 160 наименований и четырех приложений. Основная часть работы изложена на 304 страницах текста, содержит 53 рисунка, и 46 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Антенны, СВЧ устройства и их технологии», Крючатов, Владимир Иванович

Основные результаты технологических исследований и разработок могут быть использованы при проектировании ТП изготовления тонкопленочных плат с резистивными элементами низкочастотного диапазона и МПП с резисторами СВЧ-устройств на более высоких частотах, включая сантиметровый и миллиметровый диапазоны.

Предложенные системы технологического обеспечения качества при серийном производстве ИС с резистивными элементами с учетом контактных сопротивлений, могут найти широкое применение при изготовлении тонкопленочных ИС низкочастотного диапазона, ИС сантиметрового и миллиметрового диапазонов, а также полупроводниковых ИС в рамках применимости плоской одномерной модели контактов.

Предложенная методика конструктивного расчета резистивных элементов может быть использована при работе ИС на постоянном токе и на более высоких частотах, при размерах элементов меньше чем 0,1 Яс.

Методика конструктивного расчета согласованных резистивных нагрузок может быть рекомендована для других диапазонов частот при наличии экспериментальных данных по предельной импульсной мощности резистивных материалов в этих диапазонах.

Акты о внедрении результатов диссертационной работы на различных предприятиях и в организациях приведены в приложении 4.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате проведенных исследований и разработок осуществлено решение комплекса конструкторско-технологических проблем по улучшению электрических и массогабаритных характеристик, повышению надежности и контролю качества пассивной части микрополосковых СВЧ-устройств с повышенным уровнем мощности, необходимых для создания и серийного изготовления современных радиотехнических систем государственного опознавания дециметрового диапазона для наземной, корабельной и самолетной техники. Внедрение результатов работы в проектно-конструкторскую деятельность и серийное производство позволяет существенно повысить экономическую эффективность производства и вносит значительный вклад в развитие СВЧ техники для радиотехнических систем опознавания, необходимых для повышения обороноспособности страны.

При решении данных проблем получены следующие основные результаты:

1. Проведен системный анализ современного состояния в области проектирования, технологии изготовления и создания автоматизированных систем технологического обеспечения качества МПП при серийном производстве высоконадежных МП СВЧ-устройств дециметрового диапазона с повышенным уровнем мощности. Показано, что при проектировании и изготовлении МПП актуальными конструкторско-технологическими проблемами являются: обеспечение малых потерь энергии и высокой коррозионной стойкости МПЛ; повышение надежности согласованных ТРН при воздействии большой импульсной СВЧ мощности; обеспечение высокой стабильности и выхода годных ТРЭ; автоматизация контроля качества и управления основными ТП их изготовления. На основе этого анализа предложена классификация маршрутов изготовления МПП и разработаны новые технологии изготовления элементов МПП с повышенной надежностью.

2. Экспериментально установлено, что в МПЛ, имеющих структуру У-Сив--Сиг-№г-Аиг, необходимо учитывать скин-эффект не только на границе между полоской и подложкой, но и на границе между полоской и окружающей газовой средой, вследствие большой плотности поверхностного тока на краях полоски. Поэтому на потери энергии существенно влияет толщина и технология изготовления защитного слоя. Предложен состав и технология золочения, позволяющие до трех раз снизить потери энергии при осаждении золота толщиной более одного скин-слоя в золоте. Разработаны рекомендации по проектированию многослойной МПЛ с малыми потерями энергии.

3. Установлено, что при воздействии импульсной СВЧ мощности основной причиной выхода из строя ТРН на поликоровых подложках является СВЧ коронный разряд, возникающий на микроостриях резистивной пленки. Показано, что на величину предельной импульсной мощности рассеяния ТРН существенно влияют три основных фактора: качество поверхности подложки, температура плавления' резистивной пленки и покрытие поверхности и краев резистивной пленки диэлектрической пленкой. Показано, что покрытие ТРН пленкой Si3N4 позволяет на порядок увеличить предельную удельную-импульсную мощность.

Разработаны конструкция, способ изготовления и методика расчета согласованных ТРН при воздействии импульсной СВЧ мощности, позволяющие исключить отказы ТРН при эксплуатации СВЧ-устройств.

4. Предложены материалы контактных пленочных соединений и разработана технология изготовления ТПР при раздельном формировании резистивных и проводящих слоев для получения малых удельных переходных сопротивлений контактов с величиной тРк в пределах 5-10" -26-10" Ом-мм", что на один-два порядка меньше чем в известной технологии без съема вакуума после напыления резистивного слоя.

5. Экспериментально установлено, что при лазерной доводке ТПР на ухудшение температурной и временной стабильности резисторов существенно влияет осаждение продуктов испарения на резистивную пленку в зоне реза. Показано, что предварительное покрытие резистивной пленки диэлектрической пленкой позволяет практически сохранить стабильность резисторов за счет исключения осаждения продуктов испарения на резистивный слой в зоне реза.

6. Предложены математические модели ТПР, на основе которых получены формулы, а также разработана методика и программные модули автоматизированного расчета резисторов Ml ill с учетом систематических и случайных составляющих производственных погрешностей конструктивно-технологических параметров, включая погрешности контактных сопротивлений. Методика позволяет обеспечивать заданные поля допусков на сопротивления резисторов с теоретической вероятностью 0,9973, повысить надежность ТПР и в десятки раз сократить время вычислений.

7. Предложены тестовые резистивные структуры, для которых разработаны математические модели, устанавливающие взаимосвязь сопротивлений ТПР с производственными погрешностями их КТП, включая контактные сопротивления. Предложенные модели позволяют дополнительно определять систематические и случайные составляющие контактных сопротивлений и существенно повысить точность определения погрешностей удельного поверхностного сопротивления, длины и ширины. На основе этих моделей разработаны принципы построения, методики и алгоритмы для создания автоматизированных систем АСК и СРТП при изготовлении элементов ПЧ СВЧ-устройств, что, в конечном итоге, позволяет обеспечивать качество и существенно уменьшить брак при производстве изделий.

8. Получены экспериментальные данные по величинам производственных погрешностей КТП ТПР пассивной части СВЧ-устройств, включая контактные сопротивления для генеральных характеристик. Получена эмпирическая формула для расчета среднеквадратического отклонения контактных сопротивлений в зависимости от ширины резисторов. Эти данные и формула позволяют производить конструктивный расчет резисторов для обеспечения заданной точности, а также оценивать точность ТП в процессе производства с помощью автоматизированных систем АСК и СРТП.

9. Разработанные конструкции, способы изготовления, модели, методики и программные модули расчета ТПР пассивной части СВЧ-устройств внедрены на предприятии ФГУП «ФНПЦ «Радиоэлектроника» и используются при проектировании и серийном изготовлении специзделий. Результаты работы внедрялись при выполнении ОКР по теме: «Отработка конструктивно-технологических решений и внедрение в серийное производство базовых технологических процессов изготовления МСБ изделия 40». Внедрение результатов работы позволило существенно повысить качество и надежность СВЧ-устройств, снизить себестоимость их разработки и изготовления. В том числе до трех раз снизить потери энергии в МПЛ, в 5-10 раз повысить импульсную СВЧ-мощность ТРН, в 3-5 раз повысить коррозионную стойкость проводников МПЛ и на порядок повысить стабильность ТРЭ. Внедрение методики автоматизированного конструктивного расчета ТПР и автоматизированных систем АСК и СРТП при серийном производстве ПЧ СВЧ-устройств на предприятии ФГУП «ФНПЦ «Радиоэлектроника», а также методик автоматизированного конструктивного расчета ТПР и определения производственных погрешностей ТПР на предприятиях ФГУП «КПКБ» и ОАО «КОМЗ» позволило существенно повысить экономическую эффективность производства.

Подтверждением высокой надежности МПП является успешное проведение периодических и натурных испытаний плат в составе изделий, а также опыт эксплуатации изделий на объектах в течение более чем двадцати последних лет.

Новизна предложенных технических решений подтверждена девятью патентами и двумя авторскими свидетельствами на изобретения.

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Крючатов, Владимир Иванович, 2011 год

1. Алексенко А.Г., Бадулин С.С., Барулин Л.Г. и др. Основы проектирования микроэлектронной аппаратуры / Под ред. Б.Ф. Высоцкого. М.: Сов. радио, 1978.352 с.

2. Бушминский И.П., Гудков А.Г., Дергачев В.Ф.и др. Конструкторско-технологические основы проектирования полосковых микросхем / Под ред. И.П. Бушминского. М.: Радио и связь, 1987. 272 с.

3. Климачев И.И., Иовдальский В.А. СВЧ ГИС. Основы технологии и конструирования. М.: Техносфера, 2006. 352 с.

4. Pitter J., Vrubell W., Masarik W. Sab M-. Die Kupbirddifusion in Goldiibertuge bnihkum temper ration // Metalloberlache. 1979. V. 33. № 20. Pp. 415-419.

5. Pinnel M.K., Bennet J.E. Observation on interdi ffusion in planar copper (tinnickel) gold tricouples // Met. Hans., 1980. № 4. Pp. 587-595.

6. Tum J., Owen. Metallic diffusion barriers for copper // Electrodes Gold System Plating., 1974. V. 61. №11. Pp. 1015-1018.

7. Мирский Л.М. Процессы диффузии в сплавах. М.: Оборонгиз, 1959. 122 с.

8. Криштал М.А., Щербаков Л.Н., и др. К вопросу о параметрах объемной и граничной диффузии в системе медь-никель // ФММ., 1970. Т. 29. № 2. С. 305-307.

9. Lefakis Н., Cain T.F., Но P.S. Low temperature interdiffusion in Cu/Ni thin films //Thin Solid Films. 1983. V. 101. Pp. 207-218.

10. Belt T. G. et al. The diffusion of platinum and gold in nickel measured by Rutherford backscattering spectrometry // Thin Solid Films. 1973. V. 109. Pp. 1-10.

11. Климачев И.И. Разработка конструкции и технологии микрополосковых плат для бесфлюсовой сборки ГИС СВЧ с высокой воспроизводимостью параметров и надежностью изделий / Автореф. дис. . канд. техн. наук. Фрязино, 2005.

12. Бахарев С.И. и др. Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств / С.И. Бахарев, В.И. Вольман, Ю.М. Либ и др.; Под ред. В.И. Вольмана. М.: Радио и связь, 1982. 382 с.

13. Каултон М. Пленочная технология и СВЧ интегральные схемы. Технология толстых и тонких пленок / Под ред. А. Ресмана, К. Роуза. М.: Радио и связь, 1972. 130 с.

14. A.C. № 1228770 СССР, МПК Н 05К 3/08. Способ изготовления микросхем / И.И Климачев, Н.В. Потапов, 1982.

15. Коледов Л.А., Волков В.А. и др. Конструирование и технология микросхем / Под ред. Л.А. Коледова. М.: Высшая школа, 1984. 232 с.

16. Конструирование и расчет контактов в интегральных схемах: Учебное пособие / Ю.П. Ермолаев, О.Г. Эльстинг, Ф.Г. Каримова, Г.П. Анфимов. Казань, 1967. 46 с.

17. Готра З.Ю. и др. Технологические основы гибридных интегральных схем. Львов: Вища школа, 1977. 167с.

18. Ермолаев Ю.П., Пономарев М.Ф., Крюков Ю.Г. Конструкция и технология микросхем (ГИС и БГИС). М.: Советское радио, 1980. 254 с.

19. Лугин А.Н. Конструкторско-технологические основы проектирования тонкопленочных прецизионных резисторов: монография. Пенза: Информационно-издательский центр Пенз. ГУ, 2008. 288 с.

20. Мартюшов К.И., Зайцев Ю.В., Тихонов А.И. Методы расчета резисторов. М.: Энергия, 1971. С. 207.

21. Пат. № 2231237. Российская Федерация, С2, 7Н05К 1/02, НОЮ 17/24. Способ изготовления контактной площадки тонкопленочной микросхемы / Лугин А.Н., Власов Т.С., ЛугинаВ.В.; заявл. 17.06.2002; опубл. 20.06.2004, Бюл. №17.

22. А. С. № 1167995 СССР, HOIC 17/22. Способ подгонки тонкопленочных резисторов / В.В Дубровский, А.Н. Лугин, Т.Н. Чаадаев,1985.

23. Пат. № 2232441. Российская Федерация, 7Н01С 17/24. Способ лазерной подгонки пленочных элементов интегральных схем / Лугин А.Н., Власов Г.С., ЛугинаВ.В.; заявл. 18.10.2002; опубл. 10.07.2004, Бюл. № 19.

24. Готра З.Ю., Хомяк И .Я., Войтехов А.Н. Подгонка пленочных резисторов микросхем // Зарубежная электронная техника. Сборник обзоров, № 1(284). М.: ЦНИИ «Электроника», 1985. С. 30-74.

25. U.S. Patent Cl. 428/335. Process of film resistor laser trimming and composition of removable coating used therein / Headley R.C. № 4146673. 27.03.1979.

26. Ермолаев Ю.П., Каримова Ф.Г. Исследование переходных контактов между проводящими и резистивными пленками // Обмен опытом в радиоэлектронной промышленности. 1965. № 4. С. 15-17.

27. Кайнов C.B., Алексеева Э.А. Исследование условий получения надежного пленочного контакта // Электронная техника. Сер. 9. Радиокомпоненты, 1967. Вып. 5.

28. Lohetal W.M. Modeling and Measurement of Contact Résistances // IEEE Transactions on Electron Devices. 1987. V. ED-34. № 3. Pp. 512-524.

29. A. C. № 1538703 СССР, G01R 27/00. Способ определения переходного сопротивления контакта к тонкопленочным резисторам с электродами / Г.Ф. Жуков, В.К. Смолин; опубл. 10.12.95, Бюл. № 34.

30. Спирин В.Г. Оценка влияния сопротивления электродов на погрешность тонкопленочного резистора // Вестник МВВО. Вып. 1(9). 2003. С. 11-14.

31. Ермолаев Ю.П. Переходное сопротивление фигурных контактов между проводящими и резистивными пленками // Известия вузов. 1966. 9 т. №4. С. 553-557.

32. Смирнов В.И., Мата Ф.Ю. Теория конструкций контактов в электронной аппаратуре. М.: Советское радио, 1974. 174 с.

33. Мартюшов К.И., Тихонов А.И., Зайцев Ю.В. Прецизионные непроволочные резисторы. М.: Энергия, 1979. 192 с.

34. Колесников Д.П. и др. Электрические характеристики контактов в пленочных микросхемах // Электронная техника. Сер. 6. Микроэлектроника, 1968. Вып. 4. С. 59-63.

35. Бессонов В.А., Зигдорович В.Н. Метод измерения переходного сопротивления контакта «резистивная пленка-проводящая пленка» // ПТО (производственно-технический опыт). 1985. №3.

36. Пат. № 2312365 Российская Федерация, Cl, G01R 27/00. Способ измерения переходного сопротивления' контакта к тонкопленочным резисторам с электродами / Власов Г.С.; заявл. 19.12.2005; опубл. 27.06.2007, Бюл. № 19.

37. Спирин В.Г. Контактное сопротивление тонкопленочного резистора // Нано-и микросистемная техника. 2007. № 10. С. 56-60.

38. Кузьмин А.Н., Насыров И.К. Конструктивно-технологические вопросы проектирования мощных пленочных диссипативных элементов СВЧ диапазона // Электронное приборостроение. Казань, 1997. Вып. 3. С. 32-39.

39. А. С. № 1552266 СССР, Н01Р 1/26. Микрополосковая нагрузка / И.Х. Исхаков, А.Н. Кузьмин, В.П. Варнин и др.; опубл. 23.03. 90, Бюл. №11.

40. Власов В.Е., Захаров В.П., Коробов А.И. Системы технологического обеспечения качества компонентов микроэлектронной аппаратуры // Под ред. А. И. Коробова. М.: Радио и связь, 1987. 157с.

41. Неганов В.А., Яровой Т.П. Теория и применение устройств СВЧ // Под ред. Неганова В.А. М.: Радио и связь, 2006.

42. Бушминский И.П., Морозов Г.В. Технология гибридных интегральных схем СВЧ: Учебное пособие. М.: Высшая школа, 1980. 285 с.

43. Спирин В.Г. Проектирование и технология тонкопленочных микросборок с топологическими размерами 10-50 мкм: Монография. Арзамас: АГПИ, 2005. 146 с.

44. Отмахова Н.Г. Повышение надежности ВЧ и СВЧ микросборок в процессе их производства // Обзоры по электронной технике. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование. М.: ЦНИИ «Электроника», 1987. Вып. 7 (1280). 54 с.

45. Отмахова Н.Г., Цыкин A.A., Бейль В.И. и др. Исследование выделения газообразных продуктов из образцов, паянных с флюсами и без флюсов // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ, 1985. Вып. 5 (377). С. 49-52.

46. Сапрынский В.В., Эфрос В.Я. Метод исследования эксплуатационной надежности ИЭТ СВЧ по статистике рекламаций // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ, 1987. Вып. 5 (399). С. 50-53.

47. Райцин Л.Г. Электрическая* прочность СВЧ-устройств. М.: Сов. радио, 1977. 276 с.

48. Малорацкий Л.Г., Явич Л'.Р! Проектирование и расчет СВЧ элементов на полосковых линиях. М.: Сов. Радио, 1972. 232 с.

49. Мерзляков И.Н., Моругин С.Л., Славинский O.K. Мощные полосковые нагрузки и их согласование // Труды радиотехнического института, 1981. № 43. С. 135.

50. Кресин О.М., Харинский А.Л. Математический анализ тонкопленочного контакта // Вопросы радиоэлектроники. Детали и компоненты аппаратуры, 1964. Вып. 5. С. 15-21.

51. Кресин О.М., Рогинский И.М., Харинский А.Х. Экспериментальное исследование пленочного контакта (на моделях) // Электронная техника. Сер. 6. Микроэлектроника, 1967. Вып. 5. С. 96-100.

52. Голубенко P.A. Исследование прочностных свойств контактных соединений в тонкопленочных микросхемах // Обмен опытом в радиоэлектронной промышленности, 1968: № 1. С. 8-10.

53. Заде В.В., Зайцева А.К. Измерение переходного сопротивление контакта металл-полупроводник// Приборы и техника эксперимента, 1969. № 4. С. 191-192.

54. Гильмутдинов А.Х., Ермолаев Ю.П. Модели оценки сопротивления-пленочных контактов и резисторов с распределенными параметрами. Казань: ЗАО «Новое знание», 2005. 76 с.

55. Лугин А.Н. Наноразмерные эффекты пространственной неоднородности распределения тока и мощности рассеяния в тонкопленочном контакте // Нано-и микросистемная техника. 2009. № 1. С. 13-16.

56. МьюраркаШ. Силициды для СБИС. М.: Мир, 1986. С. 176.

57. Майсел Л., Глэнг Р. Технология тонких пленок. Т. 2. Ml: Советское радио, 1977. С. 538.

58. Козиков Л.В., Кузнецов Л.А., Орлов О.С. и др. Погонное затухание в многослойных микрополосковых структурах // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ, 1985. Вып. 3 (375). С. 12-14.

59. Крючатов В.И. Оптимизация технологии изготовления резистивно-проводящих элементов с малым переходным контактным сопротивлением // Электронное приборостроение. Казань, 1997. Вып. 3. С. 40-44.

60. А. С. № 1314847 СССР, Н 01С 7/00. Толстопленочный резистор / В.И. Крючатов, Ю.П. Конов, М.З. Валеев.; опубл. 01.02.87.

61. А. С. № 1316453 СССР, Н 01С 7/00. Пленочный резистор / В.И. Крючатов, Ю.П. Конов, М.З. Валеев.; опубл. 08.02.87.

62. Крючатов В.И. Подгонка, тонкопленочных резисторов, защищенных фоторезистивным слоем // Обмен производственно техническим опытом. М.: НИИЭИР, 1990.

63. Крючатов В.И., Конов Ю.П. Подгонка сопротивления пленочных резисторов с помощью лазера // Обмен производственно техническим опытом. М.: НИИ ЭИР, 1989.

64. Крючатов В.И. Исследование термостабильности толстопленочных резисторов, подгоняемых лазерным способом // Электронное приборостроение. Казань, 1997. Вып. 2. С. 39-43.

65. Крючатов В.И. Исследование влияния лазерной подгонки на стабильность тонкопленочных резисторов с защитным фоторезистивным слоем // Электронное приборостроение. Казань, 1997. Вып. 2. С. 44-49.

66. Водеватов Ф.Ф. и др. Лазеры в технологии. М.: Энергия, 1975. 216 с.

67. Воженин И.Н., Блинов Г.А. и др. Микроэлектронная аппаратура на бескорпусных интегральных микросхемах. М.: Радио и связь, 1985. 264 с.

68. Алексанян И.Т. и др. Диффузионные процессы в двухслойных пленочных системах Au-Al, Ti-Au, Cr-Au, V-Au, Cr-Cu, V-Cu, Ti-Cu // Электронная техника. Сер. Материалы, 1976. Вып. 7. С. 21-25.

69. Sobol Н., Caulton М. The technology of microwave integrated Circuits // Advances in microwaves. 1974. V. 8. Pp. 12-66.

70. Schneider M. V. Dielectric loss in integrated microwave circuits // IEEE Transactions on Electron Devices. 1970. V. 48. № 7. Pp. 2325-2332.

71. Kompa G. S-matrix computation of micros trip discontinuities with a planar waveguide model. AEU. 1976. Bd. 30, № 2. Pp. 58-70.

72. Pucel R., Masse D, Hartwwig C. Losses in microstrip // IEEE. Transactions on Electron Devices. 1968. V. MTT-16. № 6. Pp. 342-350.

73. Pucel R., Masse D., Hartwwig C. Correction to «Losses in microstrip» // IEEE. Transactions on Electron Devices. 1968. V. MTT-16. № 12. Pp. 1064.

74. Лебедев A.T., Рябиков Ю.А., Золотарев A.C. Окисление и погонные потери в пленках меди // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ, 1985. Вып. 9 (381). С. 6-9.

75. Крючатов В.И. Исследование влияния структуры микрополосковых линий и технологии их изготовления на погонные потери // Электронное приборостроение. Казань, 1997. Вып. 4. С. 41-43.

76. Выморков Н.В., Климачев И.И. и др. Анализ вклада различных участков сечения проводников микрополосковой линии на величину коэффициента затухания // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ, 1987. Вып. 3 (397). С. 40-46.

77. Бушминский И.П., Морозов Г.В. Конструирование и технология пленочных СВЧ микросхем. М.: Сов. радио, 1978. 142 с.

78. Выморков Н.В., Климачев И.И. и др. Влияние формы проводника по-лосковой линии на коэффициент затухания // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ, 1988. Вып. 4 (408). С. 6-9.

79. Тюхтин М.Ф., Крючатов В.И. Исследование точности изготовления тонкопленочных элементов ГИС СВС на поликоре // Тез. докл. Всесоюзной конф. «Интегральная электроника СВЧ». Новосибирск, 1988.

80. Козиков JI.B., Кузнецов JI.A., Орлов О.С. и др. Погонное затухание в многослойных микрополосковых структурах // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ, 1985. Вып. 3 (375). С. 12-14.

81. Богданович О.О. Влияние низкотемпературной диффузии на электрофизические свойства структур Gu-Cr-поликор // Известия ВУЗов. Сер. Физика, 1983. Вып. 1. С 73-77.

82. Рекшинский В.А., Кузнецов JI.A., Усков В.А. Влияние антикоррозионного покрытия на погонное затухание в микрополосковых линиях // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ, 1986. Вып. 5 (389). С. 66-67.

83. Бушминский И.П. Изготовление элементов конструкций СВЧ. М.: Сов. радио, 1974. 304 с.

84. Meinel Н., Rembold В., Weisbeck Н. Optimization of thin thick film technology for hybrid microwave circuits // Electro component Science and Technology. 1977. V. 4. Pp. 143-146.

85. Малорацкий Jl.Г. Микроминиатюризация элементов и узлов СВЧ. М.: Сов. радио, 1976. 216 с.

86. Овчаренко В.И., Севастьянов В.Е. Методы анализа качества микросхем при их производстве // Обзоры по электронной технике. Сер. 3. Микроэлектроника.,М.: ЦНИИ «Электроника», 1982. Вып. 1.

87. Карамзинский А.И. Морфология тестовых структур для исследования интегральных схем на МДП-транзисторах / Под ред. A.A. Васенкова // Микроэлектроника. М.: Сов. радио, 1974. 121 с.

88. Ермолаев Ю.П. Методы косвенного экспериментального определения погрешностей конструкторско-технологических параметров элементов аппаратуры при групповой технологии // Электронное приборостроение. Казань, 1997. Вып. 3. С. 7-17.

89. Глудкин О.П., Гуров А.И. и др. Управление качеством электронных средств. М.: Высшая школа, 1994. 414 с.

90. Коледов JI.A., Волков В.А., Докучаев Н.И. и др. Конструирование и технология микросхем // Под ред. J1. А. Коледова. М.: Высшая школа, 1984. 232 с.

91. Спирин В.Г. Математические модели сопротивления тонкопленочного резистора с размерами 50 мкм // Технология и конструирование в радиоэлектронной аппаратуре. 2004. № 2. С. 14-16.

92. Спирин В.Г. Сопротивление электродов тонкопленочного резистора // Нано-и микросистемная техника. 2008. № 7. С. 19-24.

93. Гимпельсон В. Д., Родионов Ю.А. Тонко пленочные микросхемы для приборостроения и вычислительной техники. М.: Машиностроение, 1976. 169 с.

94. Клименко Б.И., Сидорова И.А. Совершенствование технологии изготовления тонкопленочных резисторов из сплава РС-3710 // Технология авиационного приборо-и агрегатостроения. 1987. Вып. 3. С. 36-38.

95. Спирин В.Г. Методы определения коэффициента формы тонкопленочных резисторов при проектировании и изготовлении гибридных интегральных схем // Технология авиационного приборо и агрегатостроения. 1990. Вып. 2. С. 66-68.

96. Крючатов В.И. Расчет тонкопленочных резисторов с учетом переходного сопротивления контакта // Вестник КГТУ им. А.Н. Туполева. Казань, 1998. № 1.С. 42-45.

97. Матей Д.Л., Янг Л., Джонс Е.М. Фильтры СВЧ, согласующие цепи и цепи связи. Т. 2. М.: Связь, 1982. С.124-126.

98. Груев И.Д., Матвеев Н.И., Сергеева Н.Г. Электрохимические покрытия изделий радиоэлектронной аппаратуры: Справочник. М.: Радио и связь, 1988. С. 199-201.

99. Пат. № 2341048 Российская Федерация, CI, Н05К 3/18. Способ изготовления микрополосковых СВЧ-интегральных схем / Крючатов В.И.; заявл. 28.06.2007; опубл. 10.12.2008, Бюл. №34.

100. Глудкин О.П., Обичкин Ю.Г., Блохин В.Г. Статистические методы в технологии производства радиоэлектронной аппаратуры. М.: Энергия, 1977. С. 46-48.

101. РД 107. 460. 084. 200-88. Микросборки. Общие требования и нормы конструирования. М.: Издательство стандартов, 1988.

102. РД 11. 073. 026-74. Микросхемы интегральные гибридные. Конструирование. Обеспечение тепловых режимов. М.: Издательство стандартов, 1975.

103. Дульнев Г.Н., Семяшкин Э.М. Теплообмен в радиоэлектронных аппаратах. М.: Энергия, 1968. С. 100-104, 245-249.

104. Розбери Ф. Справочник по вакуумной технике и технологии // Под ред. P.A. Нилендера. М.: Энергия, 1972. 456 с.

105. Физический энциклопедический словарь / Гл. редактор Б. А. Введенский. Т. 5. М.: Советская Энциклопедия. 1966. 576 с.

106. ГОСТ 22025-76 Сплавы кремниевые резистивные. Технические условия. М.: Издательство стандартов, 1988.

107. Физический энциклопедический словарь / Гл. редактор Б. А. Введенский. Т. 1. М.: Советская Энциклопедия. 1966. 576 с.

108. Крючатов В.И., Насыров И.К. Исследование предельной импульсной мощности рассеяния резистивных пленок на подложках СВЧ интегральных схем // Вестник КГТУ им. А. Н. Туполева. Казань, 1998. № 2. С. 19-22.

109. Физический энциклопедический словарь / Гл. редактор Б. А. Введенский. Т. 2. М.: Советская Энциклопедия. 1966. 608 с.

110. Пат. № 2339103 Российская Федерация, Cl, HOIC 1/032. Резистор с повышенной мощностью рассеяния и способ его изготовления / Крючатов В.И.; заявл. 17.07.2007; опубл. 20.11.2008, Бюл. № 32.

111. Пат. № 2308127 Российская Федерация, Cl, Н01Р 1/26. Полосковая нагрузка / Крючатов В. И., Кузнецов Д. И.; заявл. 12.12.2005; опубл. 10.10.2007, Бюл. № 28.

112. Пат. № 2309489 Российская Федерация, С2, Н01Р 1/22. Полосковый аттенюатор / Крючатов В. И., Кузнецов Д. И.; заявл. 12.12.2005; опубл. 27.10.2007, Бюл. № 30.

113. Шварц М., Берри Р.У. Физика тонких пленок. Т.2. М.: Мир, 1972. С. 338.

114. Малорацкий Л.Г. Микроминиатюризация элементов и устройств. М.: Сов. Радио, 1976.216 с.

115. Гонский Н.Г., Клименков A.C., Пивоваров И.И. Согласованная нагрузка для гибридных интегральных схем СВЧ диапазона // Электронная техника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства, 1980. Вып. 3. С. 31-34.

116. Черкин В.И., Пивоваров И.И., Клименков A.C. Расчет пленочных СВЧ нагрузок // Электронная техника. Сер. 11. Комплексная миниатюризация радиоэлектронных устройств и систем, 1976. Вып. 1. С. 15-18.

117. Тишер Ф. Техника измерений на сверхвысоких частотах. Справочное руководство // пер. с нем. под ред. В.Н. Сретенского. М.: Физматгиз, 1963. С. 171-172.

118. Гальперин Б.С. Непроволочные резисторы. Л.: Энергия, 1968. С. 75.

119. Мушкаренко Ю.Н. Высокотеплопроводные материалы в электронике

120. СВЧ // Обзоры по электронной технике. Сер. 6. Материалы. М.: ЦНИИ «Электроника», 1988. Вып. 4 (1349).

121. ОСТ 4Г0.010.224-82. Модули СВЧ интегральные. Конструирование.

122. ОСТ 4Г0.010.202-75. Микросборки СВЧ-диапазона. Конструирование.

123. Пат. № 2338341 Российская Федерация, С2, Н05К 3/02, Н05К 3/06. Способ изготовления полосковой платы на диэлектрической подложке / Крючатов В .И.; заявл. 28.12.2006; опубл. 10.11.2008, Бюл. №31.

124. Пат. № 2342812 Российская Федерация, С2, Н05К 3/02, Н05К 3/06. Способ изготовления плат гибридных интегральных схем Крючатова В.И. / Крючатов В .И.; заявл. 24.01.2007; опубл. 27.12.2008, Бюл. №36.

125. Коледов Л.А., Ильина Л.М. Микроэлектроника. Гибридные интегральные схемы. М.: Высшая школа, 1984.

126. Воженин И.Н., Блинов Г.А., Коледов Л.А., Коробов А.И. и др. Микроэлектронная аппаратура на бескорпусных интегральных микросхемах. М.: Радио и связь, 1985. С. 85-86.

127. Бершадская М.Д., Аветинов В.Г. и др. Нитрид алюминия новый высокотеплопроводный диэлектрик // Электронная техника. Сер. 6. Материалы, 1984. Вып. 6 (191). С. 54-57.

128. Волкова И.А., Клокова O.A., Иапенко Л.А. Влияние защитных покрытий на стабильность тонкопленочных резисторов из нихрома // Обмен опытом в радиоэлектронной промышленности, 1983. № 2. С. 7-9.

129. Ермолаев Ю.П., Сатаров И. К. Функциональная подгонка выходных параметров электронных устройств с применением интегральных, технологий. Казань: КГТУ им. А. Н. Туполева, 2002. с. 184.

130. Пат. № 2339104 Российская Федерация, С1, НО 1С 17/24. Способ изготовления пленочных резисторов / Крючатов В.И.; заявл. 16.03.2007; опубл. 20.11.2008, Бюл. №32.

131. Пат. № 2332741 Российская Федерация, С1, НО 1С 17/075. Способ изготовления тонкопленочных резисторов / Крючатов В.И.; заявл. 16.04.2007; опубл. 27.08.2008, Бюл. №24.

132. Топфер М. Микроэлектроника толстых пленок. М.: Мйр, 1973.

133. Хамер Д., Биггерс Дж. Технология толстопленочных гибридных интегральных схем. М.: Мир, 1975.

134. Ивченко B.C., Дышель Д.Е. Электрохимический метод подгонки толстопленочных резисторов на основе серебро-палладиевых паст // Техника средств связи. Сер. 8. 1981. Вып. 2 (6).

135. Кущенко Е.И. Автоматизированная система контроля и токовой подгонки резисторов толстопленочных ГИС // Электронная промышленность. 1981. Вып. 3 (99).

136. Вейко В.П., Либенсон М.Н. и др. Лазерная технология // Обзоры по электронной технике. Сер. 3. Микроэлектроника. М.: ЦНИИ «Электроника», 1970. Вып. 68 (137).

137. Груев И.Д., Матвеев Н. И., Сергеева Н. Г. Гальваническое золочение, серебрение и палладирование в производстве радиоэлектронной аппаратуры. М.: Радио и связь, 1981. с. 144.

138. Крючатов В.И. Технология изготовления микрополосковых линий СВЧ ГИС с повышенной надежностью // Вестник КГТУ им. А. Н. Туполева. Казань, 2009. № 2. С. 34-36.

139. Крючатов В.И. Математическая модель для исследования погрешностей сопротивлений резисторов интегральных схем // Нелинейный мир. 2009. Т.7. № 5. С. 70-75.

140. Крючатов В.И. Математическая модель тонкопленочного резистора, включая переходные сопротивления контактов // Вестник КГТУ им. А. Н.,Туполева. Казань, 2009. № 4. С. 43-48.

141. Минько A.A. Функции в Excel. Справочник пользователя. М.: Издательство «ЭКСМО», 2007. с.512.

142. Крючатов В.И: Автоматизированные-системы технологического обеспечения качества тонкопленочных резисторов при учете1 контактных сопротивлений // Вестник КГТУ им. А. Н. Туполева. Казань, 2010. №-2. С. 53-58.

143. Пат. № 2403649*Российская Федерация, С1<, Н01Ь 21/66. Способ-управления групповыми технологическими процессами изготовления резистивных компонентов интегральных схем / Крючатов В.И.; заявл.17.08.2009; опубл. 10.11.2010, Бюл. №31.

144. Крючатов В.И., Карамов Ф.А. Проектирование высокостабильных прецизионных резистивных элементов тонкопленочных ГИС с учетом контактных сопротивлений // Электронное приборостроение. Казань, 2002. Вып. 7. С. 93-107.

145. Крючатов В.И:, Карамов Ф.А. Разработка методики и программных модулей расчета прецизионных тонкопленочных резисторов с учетом контактных сопротивлений // Электронное приборостроение. Казань, 2004. Вып. 7. С. 40-58.

146. Крючатов В.И. Применение персонального компьютера для расчета прецизионных резистивных элементов интегральных схем по методике, учитывающей контактные сопротивления // Вестник КГТУ им. А. Н. Туполева. Казань, 2007. № 1. С. 33-37.

147. Крючатов В. И. Методика автоматизированного конструктивного расчета тонкопленочных резисторов с учетом производственных погрешностей // Вестник КГТУ им. А. Н. Туполева. Казань, 2009. № 3. С. 53-59.

148. Крючатов В.И., Карамов Ф.А. Конструктивно-технологические вопросы проектирования тонкопленочных резистивных нагрузок ГИС СВЧ диапазона при воздействии импульсной СВЧ мощности // Электронное приборостроение. Казань, 2002. Вып. 5. С. 108-116.