Магнитопластический эффект: основные свойства и физические механизмы тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Даринская, Елена Владимировна

• Даринская, Елена Владимировна
• доктор физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Даринская, Елена Владимировна

Введение.

Глава 1. Влияние магнитного поля на механические свойства кристаллов.

§1.1. Влияние магнитного поля на свойства дефектов решетки.

§1.2. Первые исследования влияния магнитного поля на механические свойства немагнитных кристаллов.

§1.3. Движение дислокаций в коротко-импульсном магнитном поле. а) История обнаружения магнитопластического эффекта. б) Движение дислокаций при комбинированном воздействии механических и электромагнитных импульсов, создаваемых электронным пучком.

§1.4. Макропластичность немагнитных материалов в магнитном поле. а) Влияние магнитного поля на механические характеристики пластичности кристаллов. б) Внутреннее трение немагнитных материалов в магнитном поле. в) Особенности двойникования кристаллов в магнитном поле г) Макропластичность кристаллов при совместном действии электрического и магнитного полей.

§1.5. Магнитная "память" немагнитных кристаллов. а) Влияние предварительной "магнитной обработки" кристаллов на подвижность дислокаций. б) Влияние магнитного поля на микротвердость кристаллов в) Влияние предварительной "магнитной обработки" на макропластичность кристаллов. г) Пластичность кристаллов в условиях электронного парамагнитного резонанса.

§1.6. Влияние магнитного поля на подвижность дислокаций, пластичность и дефектную структуру полупроводниковых кристаллов. а) Влияние постоянного магнитного поля на подвижность дислокаций и активную деформацию полупроводников. б) Импульсное магнитное воздействие на полупроводниковые кристалла.

Глава 2. Объекты и методика эксперимента.

§ 2.1. Объекты исследования.

§2.2. Приготовление образцов.

§2.3. Избирательное травление.

§2.4. Изучаемые величины.

§2.5. Эксперименты в постоянном и переменном магнитных полях а) При комнатной температуре. б) При низких температурах.

§2.6. Эксперименты в магнитном поле с дополнительным внешним воздействием. а) Предварительное рентгеновское облучение. б) Совместное действие электрического и магнитного полей в) Одноосное сжатие в постоянном магнитном поле.

Глава 3. Зависимость МПЭ от магнитной индукции, времени "намагничивания", температуры, типа и концентрации примесей и др. факторов.

§3.1. Предварительные результаты первых наблюдений.

§3.2. Зависимость пробега дислокаций от времени, ориентации магнитного поля и плотности дислокаций.

§3.3. Зависимость пробега дислокаций от величины магнитной индукции, типа и концентрации примеси.

§3.4. Влияние температуры на движение дислокаций в магнитном поле.

Глава 4. Движение дислокаций в магнитном поле в режиме непрерывного травления и во вращающихся образцах.

§4.1. Реальное время и эстафетный характер движения дислокаций а) "In-situ" изучение движения дислокаций в магнитном поле б) Сравнение экспериментальных и теоретических характеристик движения дислокаций.

§4.2. Кинематическая схема эффекта и гипотеза о его спиновой природе.

§4.3. Движение дислокаций в переменном по направлению магнитном поле.

Глава 5. Влияние предварительного рентгеновского облучения на

МПЭ в кристаллах NaCl и LiF.'.

§5.1. Влияние облучения на МПЭ в переменном по направлению магнитном поле.

§5.2. Исследование кинетики разрушения радиационных дефектов

§5.3. Кинематическая схема движения дислокаций в облученных кристаллах, вращающихся в магнитном поле.

§5.4. Характеристика стопоров, возникающих под облучением

§5.5. Некоторые итоговые замечания.

Глава 6. Движение дислокаций при совместном действии электрического и магнитного полей.

§6.1. Влияние электрического поля на подвижность дислокаций в магнитном поле в кристаллах NaCl и LiF.

§6.2. Влияние электрического тока на движение дислокаций в магнитном поле в кристаллах А1. а) Методика эксперимента. б) Экспериментальные результаты. в) Анализ возможных механизмов влияния электрического тока на дислокационную подвижность.

Глава 7. Движение дислокаций в кристаллах NaCl при импульсной деформации в магнитном поле.

§7.1. Особенности движения дислокаций под действием механического импульса.

§7.2. Кинематическая схема квазистатического движения дислокаций в потенциальном рельефе внутренних напряжений с переменным внешним напряжением.

§7.3. Движение дислокаций в магнитном поле под действием механического импульса.

§7.4. Отрицательный магнитопластический эффект. а) Особенности методики эксперимента. б) Упрочнение кристаллов NaCl-3(Pb) в магнитном поле.

Глава 8. Условия существования и экспериментальный выбор спинового механизма магнитопластического эффекта.

§8.1. Магнитный порог магнитопластического эффекта.

§8.2. Влияние концентрации примеси Са на магнитный порог

МПЭ в кристаллах NaCl.

§8.3. Модель магнитоиндуцированного открепления дислокаций от локальных дефектов.

§8.4. Выбор спинового механизма магнитопластического эффекта а) Магнитное поле насыщения МПЭ. б) Релаксационный спиновый механизм. в) Продольная релаксация спинов как основной механизм МПЭ

§8.5. Интепретация некоторых необъясненных ранее данных. а) Зависимость критической частоты vc вращения кристалла от величины магнитной индукции. б) Второй способ определения величины магнитного поля насыщения. в) О зависимости критической частоты dc вращения кристалла в магнитном поле от концентрации примеси.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Магнитопластический эффект: основные свойства и физические механизмы»

Движение дислокаций, будучи основным микроскопическим процессом пластической деформации весьма чувствительным к дефектной структуре кристалла, остро реагирует на различного рода воздействия на кристалл: не только механические, но и тепловые, радиационные, электрические, а также, как оказалось, и слабые магнитные. В 1985 г. в нашей группе было обнаружено новое явление, названное магнитопластическим эффектом ( МПЭ ), заключающееся в перемещении индивидуальных дислокаций в кристаллах ЫаС1 на макроскопические расстояния ~ 100 мкм в поле постоянного магнита В ~ 0.2 - 1 Тл в отсутствие каких-либо иных, кроме магнитного, воздействий, включая механическое нагружение. Парадоксальность наблюдаемого явления связана с тем, что слишком мала дополнительная энергия магнитного поля ~ 1 Тл для силового открепления дислокаций от стопоров ~ Ю"3 кТ, где цв- магнетон Бора, к- постоянная Больцмана, Т- температура). Разгадка этого парадокса заключается в том, что обнаруженный нами эффект относится к кругу спин-зависимых явлений, определяющих магниточувствительность взаимодействия между дефектами решетки, в первую очередь между дислокациями и парамагнитными примесными центрами. Магнитное поле порождает эволюцию спинового состояния в системе дислокация - парамагнитный центр, завершающуюся снятием квантового запрета на определенный электронный переход, который радикально меняет конфигурацию системы, приводя к откреплению дислокации от точечного дефекта. При этом полная энергия в системе практически не меняется, хотя энергия взаимодействия может даже изменить знак. Подобная идеология лежит в основе физической интерпретации [1] магнитного влияния на целый ряд процессов, включая скорость химических реакций [2 - 4], электропроводность и фотопроводимость полупроводников [5 - 10], вязкость аморфных сплавов [11-15] и др.

Как показали исследования, в обнаруженном явлении роль магнитного поля сводится к спин-зависимому откреплению дислокаций от локальных дефектов, а дальнейшее их движение происходит под действием внутренних полей напряжений кристалла. Перемещение дислокаций наблюдалось исключительно в магнитном поле. После выключения поля процесс движения прекращался. Основная масса исследований выполнена на щелочно-галоидных кристаллах №01, ЫИ и Сз1, а также на металлических монокристаллах 2п и А1.

Полученные нами экспериментальные данные инициировали параллельные исследования влияния магнитного поля на микро- и макропластичность немагнитных кристаллов более, чем в десяти независимых научных группах.

Целью настоящей диссертационной работы является подведение итогов и систематизация результатов многолетних исследований магнитопластического эффекта, выполненных в нашей группе со времени его открытия. Как будет показано, в настоящий момент уровень понимания наблюдаемых нами процессов уже позволяет обсуждать конкретные микроскопические механизмы спиновой эволюции, лимитирующие кинетику магнитопластичности.

Актуальность исследования определяется и чисто научным интересом к выявлению физических механизмов нового явления, и открывающимися перспективами его практического использования.

Основные результаты работы заключаются в следующем:

1. Обнаружен магнитопластический эффект, проявляющийся в перемещении дислокаций в немагнитных кристаллах, помещенных в постоянное магнитное поле при отсутствии механической нагрузки.

2. Измерены зависимости среднего пробега дислокаций / и плотности подвижных дислокаций рт от времени "намагничивания", величины и ориентации магнитной индукции, концентрации примеси, температуры и др. факторов.

3. Экспериментально установлено существование критической частоты ус вращения образцов в магнитном поле, выше которой средний пробег дислокаций 1(у) резко спадает до нуля. Показано, что частота ус слабо зависит от температуры и концентрации примеси и примерно линейна по В2.

4. Обнаружена аномальная чувствительность магнитопластического эффекта к слабым дозам рентгеновского облучения образцов, проявляющаяся в появлении второй ступеньки на зависимости /(v).

5. При испытаниях образцов в магнитном поле аналогичное радикальное повышение чувствительности подвижности дислокаций наблюдается к одновременному действию слабых электрических полей, а также механических напряжений.

6. Показано существование магнитного порога В с, ниже которого магнитопластический эффект не проявляется, а также характерного поля Во, выше которого наблюдается насыщение дислокационных пробегов. Изучены зависимости Вс и Во от температуры, концентрации примеси и рентгеновского облучения.

7. Обнаружен отрицательный магнитопластический эффект в кристаллах №С1(РЬ), где магнитное поле приводит не к пластификации, а к упрочнению образцов.

8. Показано, что вся совокупность экспериментальных данных свидетельствует о спиновой природе магнитопластического эффекта. По нашим данным наиболее вероятным механизмом спиновой эволюции в системе дислокация - примесь является продольная релаксация спинов в магнитном поле.

По своей структуре диссертация состоит из введения, восьми глав, заключения и выводов.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Даринская, Елена Владимировна

Выводы.

1. Обнаружено новое явление - движение дислокаций в постоянном магнитном поле в немагнитных кристаллах в отсутствие механической нагрузки (магнитопластический эффект).

2. Определены следующие основные свойства МПЭ:

- инверсия знака индукции магнитного поля не меняет направления движения дислокаций;

- средний пробег I дислокаций линейно зависит от времени t пребывания образца в магнитном поле при относительно небольших значениях / (/ ос /);

- средний пробег I дислокаций прямо пропорционален квадрату величины магнитной индукции В при В«Во(1ссВ );

- при больших временах / и/или высоких значениях В зависимость пробегов I (В2{) выходит на насыщение, уровень которого соответствует среднему расстоянию между дислокациями 1Л/р;

- средний пробег / дислокаций зависит от типа примеси в кристалле и обратно пропорционален квадратному корню из концентрации С парамагнитной примеси (/ ос 1ЙС) [на примере кристаллов ЫаС1-3(Са)];

- эффект анизотропен: средний пробег 1 зависит от взаимной ориентации дислокаций, их векторов Бюргерса Ь и вектора магнитной индукции В; магнитное поле параллельное дислокации не вызывает ее движения;

- эффект атермичен в интервале температур 4.2 - 77 К и лишь незначительно усиливается (на 20 - 30%) при повышении температуры до комнатной.

3. Установлено, что магнитное поле создает условия открепления дислокаций от локальных дефектов, а их движение обусловлено дальнодействующими полями внутренних напряжений в кристалле.

Эксперименты "¡п-эки" показали, что это движение имеет эстафетный характер. Найдено соотношение между реальной скоростью движения дислокаций и временем выдержки образца в магнитном поле. Предложена кинематическая схема движения дислокаций в магнитном поле, в основе

249 которой лежит полученный из экспериментальных данных факт, что время открепления Тф дислокации от локального дефекта должно быть обратно пропорциональным квадрату индукции магнитного поля (Tdp ос В'1). Выдвинута гипотеза о спиновой природе открепления дислокаций от парамагнитных центров в магнитном поле.

4. Показано, что движение дислокаций в переменном по направлению магнитном поле, создаваемом вращением кристалла в постоянном магните, имеет ступенеобразный характер: при низких частотах v « vc ~ ат^*1, средний пробег I не зависит от частоты v, при частотах выше критической vc пробег I резко убывает. Величина vc прямо пропорциональна квадрату магнитной индукции (vc ос В2), не зависит от температуры и слабо чувствительна к концентрации примеси, однако, существенно зависит от типа примеси в кристалле. Существование критической частоты vc и характер ее зависимости от физических параметров подтверждает гипотезу о спиновой природе открепления дислокаций от парамагнитных центров в магнитном поле.

5. Обнаружена уникальная чувствительность магнитопластического эффекта к малым (< 100 рад) дозам рентгеновского облучения: частотная зависимость средних пробегов краевых дислокаций в предварительно облученных кристаллах NaCl и LiF из одноступенчатой превращается в двухступенчатую, что свидетельствует об образовании под облучением двух типов магниточувствительных стопоров. Первая критическая частота vci во всех исследованных кристаллах, кроме NaCl-2(Ni), увеличивается с дозой облучения, приближаясь ко второй, пока зависимость /(v) вновь не становится одноступенчатой. Вторая критическая частота vC2 не чувствительна к дозе облучения. Концентрация примеси кальция в облученных кристаллах NaCl-2 и NaCl-3(Ca) не влияет на положение обеих ступенек, однако, наличие примеси Ni в NaCl-2(Ni) существенно изменяет зависимость Z(v). Выдвинута гипотеза о природе радиационных дефектов обоих типов. Винтовые дислокации в кристаллах LiF не чувствительны к радиационным дефектам второго типа. Предложен новый метод исследования спектра точечных дефектов в кристаллах, облученных рентгеном малой дозы.

6. Обнаружено резкое (на два - три порядка) увеличение чувствительности подвижности краевых дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах к электрическому полю при одновременном действии магнитного поля. Показано, что электрическое поле играет роль дополнительной силы, действующей на краевые дислокации, и не влияет на элементарный акт открепления дислокаций от парамагнитных примесных центров в магнитном поле. Экспериментально показано, что увеличение подвижности дислокаций в магнитном поле при пропускании через образец А1 электрического тока обусловлено откреплением дислокаций от поверхностных дефектов вследствие возможной электромиграции этих дефектов.

7. Изучение подвижности дислокаций при импульсной деформации кристаллов ЫаС1-2 в магнитном поле показало, что в поле появляется движение дислокаций на плато постоянной нагрузки трапецеидального импульса, которого в отсутствие поля не наблюдалось. Такое поведение дислокаций связано с тем, что магнитное поле создает условия для открепления дислокаций от локальных парамагнитных дефектов, а трапецеидальный импульс вместе с внутренними напряжениями кристалла обуславливает их движение.

8. Обнаружено магнитобтимулированное упрочнение кристаллов НаС1-3(РЬ), проявляющееся как уменьшение среднего пробега дислокаций при импульсной деформации образцов в магнитном поле. Показано, что именно наличие примеси свинца в кристаллах ЫаС1-3(РЬ) обуславливает отрицательный магнитопластический эффект.

9. Обнаружено проговое магнитное поле ВС) ниже которого магнитопластический эффект не наблюдается. Существование порогового поля Вс связывается с тем, что при В < Вс время спин-решеточной релаксации т51 в системе дислокация - парамагнитный центр оказывается

251 меньше времени, необходимого для спиновой эволюции в этой системе в магнитном поле, приводящей к снятию спинового запрета на электронный переход, "выключающий" взаимодействие дислокации со стопором. Уменьшение величины Вс при понижении температуры и появление двух значений Вс в предварительно облученных кристаллах свидетельствует о справедливости высказанного утверждения. Обнаруженное увеличение значения Вс с ростом концентрации примеси кальция в кристаллах NaCl-3(Са) с тенденцией к насыщению связывается с представлением о том, что с ростом концентрации примеси возрастает средний размер примесных комплексов и соответственно изменяется локальная атомная конфигурация вокруг примесных атомов, что приводит к увеличению амплитуды тепловых колебаний атомов кальция. Предполагается, что наблюдаемое явление физически аналогично по своим микромеханизмам увеличению Вс с ростом температуры. На основе полученных данных предложена новая методика измерения времени спин-решеточной релаксации в парамагнитных центрах на дислокациях.

10. Обнаружен переход линейной зависимости среднего пробега дислокаций / от квадрата магнитной индукции В (/ ос В2) к насыщению / = const при относительно высоких полях. Установлено, что насыщение зависимости 1{В) не связано с релаксацией дислокационной структуры кристалла в магнитном поле. Показано, что экспериментальные точки достаточно хорошо описываются теоретической зависимостью / ос [(В0/В)2 +1]"1, типичной для механизма продольной релаксации спинов в системе радикальных пар, которые образуются в процессе взаимодействия дислокационных ядер с парамагнитными примесными центрами. Для кристаллов LiF и NaCl-3(Ca) определены экспериментальные значения В0. Предсказанное и экспериментально полученное увеличение значений В0 при увеличении концентрации дефектов в кристаллах является дополнительным свидетельством определяющей роли механизма продольной релаксации спинов в процессе открепления дислокаций от локальных дефектов в магнитном поле.

252

Результаты опубликованы в работах [50 - 72, 74, 77 - 80, 83, 84, 191]. ч

В заключении выражаю искреннюю благодарность научному консультанту В.И.Альшицу за постоянное обсуждение результатов, ценные советы и замечания, разработку теоретических представлений, способствующих лучшему пониманию экспериментальных данных; В.А.Морозову и его сотрудникам, в совместных экспериментах с которыми в 1985 г. впервые зародилось подозрение о существовании магнитопластичности;

В.Л.Инденбому|, [Б.Н.Гречушникову|, [А.А.Урусовской}, Т.М.Перекалиной, В.Б.Тимофееву, А.Л.Бучаченко, В. Л.Берлинскому, А.И.Шушину, В.М.Каневскому за полезное обсуждение, важные советы и ценную информацию; моим соавторам Е.А.Петржик, О.Л.Казаковой, Е.Ю.Михиной, М.В.Колдаевой, а также Сытину В.Н., с которыми работала на разных этапах исследования; Л.М. Сойферу за предоставленные кристаллы ЫБ; И.В.Гектиной и Ф.Ф.Лаврентьеву за предоставленные кисталлы В.П. Киселю, В.М.Чернову, А.В.Баженову, Е.Б.Рудневой, А.Е.Волошину и А.И.Баранову за методическую помощь в работе; всем сотрудникам лаборатории механических свойств кристаллов и Института кристаллографии за обсуждение и помощь в работе; Исследовательскому институту физики твердого тела и оптики ВАН за предоставление уникально чистых кристаллов №С1 с дозированным содержанием примесей кальция, свинца и марганца.

Работа выполнена при частичной финансовой поддержки Международного научного фойда (грант М19300), Российского фонда фундаментальных исследований (гранты 95-02-03920-а, 97-02-16327, 0302-17021) и гранта Российской Академии Наук (6-ой конкурс научных проектов молодых ученых РАН), которым выражаю свою признательность.

Заключение

Полученные экспериментальные данные и их анализ показал, что в щелочно-галоидных и металлических кристаллах в постоянном магнитном поле происходит спин-зависимое открепление дислокаций от локальных парамагнитных дефектов и последующая их релаксация под действием внутренних дальнодействующих полей напряжений кристалла. Оказалось возможным выбрать конкретный микроскопический механизм, лежащий в основе обнаруженного явления. Это - продольная релаксация спинов, впервые предложенная в теории Броклехурста [238], для описания химических процессов в магнитном поле. Именно в следствие своей медленности, а также благодаря специфической зависимости от магнитного поля, этот механизм хорошо описывает экспериментально обнаруженные разнообразные качественные и количественные закономерности магнитопластического эффекта.

Как и всякое новое явление, МПЭ открывает принципиально новые возможности в различных направлениях. Например, как было показано, с его помощью можно измерять время спин-решеточной релаксации дефектов на дислокации. Вряд ли найдется альтернативный метод, позволяющий отделить при таких измерениях дефекты на дислокациях от дефектов в объеме кристалла.

Пользуясь уникальной чувствительностью МПЭ к малым дозам облучения, можно помечтать об использовании МПЭ в дозиметрии. И вполне реальной выглядит идея создания на его основе новой спектроскопии для анализа радиационных дефектов в кристаллах после их слабого облучения. Для этого необходимо продолжение исследований с более комплексным использованием различных методик.

Обнаруженное усиление обратного эффекта Степанова на 2-3 порядка открывает новые возможности регулирования реальной структуры кристаллов с помощью комбинации электромагнитных воздействий. Мы уже реально применяем для. наших методических нужд выдерживание кристаллов в магнитном поле для стабилизации в нем дислокационной структуры и понижения внутренних напряжений. Экспериментально доказано, что "магнитная обработка" кристаллов для понижения в них внутренних напряжений вполне конкурентноспособна по сравнению с использованием обычного механического вибронагружения.

Обнаружение отрицательного магнитопластического эффекта показывает перспективность использования целенаправленного легирования для повышения прочности материалов, предназначенных для работы в высоких магнитных полях. Очень обещающими представляются возможности, связанные с оптимизацией процессов обработки материалов на основе регулирования их пластичности с помощью внешних магнитных полей.

Из полученных данных о влиянии магнитного поля на длину пробегов дислокаций и число подвижных дислокаций однозначно следует, что существует эффект влияния магнитного поля на макроскопические характеристики пластической деформации, такие как предел текучести, поскольку пластический сдвиг определяется произведением средней длины пробега дислокаций на число подвижных дислокаций. Как было показано в гл. 1, уже экспериментально установлено, что при достаточно медленном деформировании предел текучести материала в магнитном поле 0.5 Тл может понижаться в несколько раз.

Конечно, приведенные примеры не исчерпывают возможные направления практического .использования магнитопластичности и магнитоупрочнения. Однако, возвращаясь к физике, необходимо отметить важный урок, преподнесенный природой в виде магниточувствительности пластичности. Традиционно при описании микропроцессов на дислокационном уровне господствовали механистические модели, в которых примесные центры отождествлялись с шариками (дилатационными центрами), не подходящими по размеру к полости, для них предназначенной, а потому распирающими решетку и создающими внутренние напряжения в кристалле. Именно через эти напряжения было принято оценивать энергию связи примеси с дислокацией. В такой модели нет места тонким спиновым эффектам. Однако, исследуя объекты атомного масштаба, необходимо помнить, что речь идет о сложных конгломератах частиц, которыми управляет не классическая, а квантовая механика, с ее правилами отбора, принципом Паули и т.д.

Наконец, хотелось бы отметить, что с течением времени изучение влияния магнитного поля на механические свойства кристаллов и даже кинетику их роста приобретает все большую популярность. Сейчас в этой области активно работают порядка пятнадцати независимых научных групп в России и за рубежом. Так что постепенно возникает целое новое научное направление.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Даринская, Елена Владимировна, 2004 год

1. Зельдович Я.Б., Бучаченко А.Л., Франкевич Е.Л. Магнитно-спиновые эффекты в химии и молекулярной физике // Успехи физических наук. 1988. т. 155, 1, с. 3-45.

2. Бучаченко A.J7., Сагдеев Р.Э., Салихов K.M. Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях // "Наука", Новосибирск. 1978. с. 497.

3. Salikhov K.M.; Molin Yu.N.; Sagdeev R.Z.; Buchachenco A.b. Spin Polarization and Magnetic Effect in Radical Reactions and magnetic Effects in Radical Reactions // Elsevier. Amsterdam. 1984. P. 415.

4. Бучаченко A.JI. Химия на рубеже веков: свершения и прогнозы // Успехи химии. 1999.T. 68,2, с. 19-117.

5. Франкевич E.JI., Балабанов Е.И. Новый эффект увеличения фотопроводимости органических полупроводников в слабом магнитном поле // Письма в Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1965. т. 1,6, с. 33-37.

6. Франкевич Е.Л. О природе нового эффекта изменения фотопроводимости органических полупроводников в магнитном поле // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1966. т. 50, 5, с. 1226-1234.

7. Кведер В.В., Осипъян Ю.А., Шалынин А.И. Спин-зависимая рекомбинация на дислокационых оборванных связях в кремнии // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1982. т. 83,2, с. 699-714.

8. Электронные свойства дислокаций в полупроводниках. Под редакцией академика Осипьяна Ю.А. "Эдиториал УРСС", Москва. 2000. 320 с.

9. Гражулис В.А., Кведер В.В., Осипъян Ю.А. Влияние спинового состояния дислокаций на проводимость кристаллов кремния // Письма в Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1975. т. 21, 12, с. 708-711.

10. Бердинский B.JI. Эффекты спин-селективного захвата поляризованных электронов на дислокационные оборванные связи в полупроводниках // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1986. т. 91, 6, с. 2120-2131.

11. Дембровский СЛ., Вихров С.П., Ампгтогов В.H., Чечеткина Е.А. Влияние слабого магнитного поля на электрическое переключение в хальклгенидных стеклообразных полупроводниках // Письма в Журнал Технической Физики. 1985. т. 11, 20, с. 1267-1271.

12. Дембровский СЛ., Чечеткина ЕЛ., Козюхин СЛ. Аномальное влияние слабых магнитных полей на диамагнитные стеклообразные полупроводники // Письма в Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1985. т. 41, 2, с. 74-76.

13. Блинов JI.H., Юшка Г., Арласкаус К., Гутенев М.С. О влиянии магнитного поля на свойства жидкого и стеклообразного селена // Физика и химия стекла. 1983. т. 9, 6, с. 748-751.

14. Савранский С.Д. Влияние магнитных полей на стеклование халькогенидных расплавов // Физика и химия стекла. 1986. т. 12, 4, с. 483485.

15. Савранский С.Д. Зарядовая кинетика при стекловании // Физика и химия стекла. 1987. т. 13, 5, с. 659-666.

16. Загоруйко Н.В. Действие постоянного электрического и импульсного магнитного полей на движение дислокаций в хлористом натрии // Кристаллография. 1965. т. 10, 1, с. 81-86.

17. Sharp E.J. and Avery D.A. Magnetic Polarizations at Dislocations in Alkali Halides//Physical ReviewB. 1967. v. 158, 2, p. 511-514.

18. Косевич A.M., Шкловский В. А. Дислокационная модель ферромагнетизма в немагнитных кристаллах // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1968. т. 55, 3(9), с. 11311141.

19. Дерягин А.И., Павлов В.А., Власов КБ., Грубова С.П. Влияние пластической деформации на парамагнитную восприимчивость монокристаллов молибдена // Физика Металлов и Металловедение. 1971. т. 32, б, с. 1231-1236.

20. Власов КВ., Дерягин А.И., Павлов В.А. Дислокационный парамагнетизм в переходных парамагнитных металлах // Физика Металлов и Металловедение. 1977. т. 44, 6, с. 1206-1211.

21. Дерягин А.И., Павлов В.А., Власов КБ. Влияние пластической деформации на парамагнитную восприимчивость монокристаллов ниобия // Физика Металлов и Металловедение. 1972. т. 34, 2, с. 279-282.

22. Дерягин А.И., Павлов В.А., Власов КБ., Шишминцев В.Ф. Влияние пластической деформации на парамагнитную восприимчивость некоторых переходных металлов // Физика Металлов и Металловедение. 1976. т. 41, 4, с. 1101-1103.

23. Tsmots V.M., Shakhovtsov V.I., Shindich V.L., Shpinar L.I., Shubak M.I., Stym V.S., and Yaskovets /./. Magnetism of plactically deformd Ge and Si crystals // Solid State Communication. 1987. v. 63, 1, p. 1-3.

24. Лазаренко В.И., Перепелкин A.B., Лагикарев Г.В., Фирстов С.А. К вопросу о дислокационном магнетизме в переходных парамагнитных металлов// Металлофиз.новейшие технол. 1999. т. 21, 8, с. 10-14.

25. Дистлер Г.И., Каневский В.М., Москвин В.В., Постников С.Н., Рябинин Л.А., Сидоров В.П., Шнырев ГД. О влиянии слабого импульсного магнитного поля/ на реальную структуру твердых тел // Доклады Академии Наук СССР. 1983. т. 268, 3, с. 591-593.

26. Кукушкин И.В., Постников С.Н., Герман Ю.А., Кедяркин В.М. Изменение упругонапряженного состояния структур Si-Si02 подвоздействием импульсного магнитного поля // Журнал технической физики. 1985. т. 55, 10, с. 2083-2084.

27. Давыдов В.Н., Лоскутова Е.А., Найден Е.П. Запаздывающие структурные изменения в полупроводниках, стимулированные магнитным полем // Физика и техника полупроводников. 1989. т. 23, 9, с. 1596-1600.

28. Болыиуткип Д.Н., Веркин Б.И., Денисенко В.А., Ильичев В.Я., Медведев Е.Н. Низкотемпературная пластическая деформация меди и алюминия в магнитных полях до 27 кЭ // Физика Низких Температур. 1975. т. 1, 11, с. 1413-1419.

29. Болъшуткин Д.Н., Десненко В.А., Ильичев В.Я. Магнитопластический эффект и нагрев вихревыми токами // Физика Низких Температур. 1976. т. 2, 11, с. 599-602.

30. Galligan J.M., Lin Т.Н., and Cang C.S. Electron-dislocation interaction in copper // Physical Review Letters. 1977. v. 38, 8, p. 405-407.

31. Galligan J.M. and Pang C.S. The electron drag on mobile dislocations in copper and aluminimum at low temperatures. Strain rate, temperature and field dependence // Journal Applied Physics. 1979. v. 50, 10, p. 6253-6256.

32. Гостищев В.И., Глинник P.А., Петровский H.JI., Хазов В.Н. Влияние магнитного поля на пластическую деформацию алюминия при 4.2 К // Письма в Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1979. т. 30, 2, с. 102-106.

33. Крыловский B.C., Лебедев В.П., Хоткевич В.И. Влияние магнитного поля до 67 кЭ на предел текучести алюминия // Физика Низких Температур. 1981. т. 7, 12, с. 1550-1557.

34. Лебедев В.П. Крыловский B.C. Электронное торможение дислокаций в алюминии в магнитном поле // Физика Твердого Тела. 1985. т. 27, 5, с. 1285-1290.

35. Абраимов В.В. Влияние магнитного поля на низкотемпературную пластическую деформацию некоторых нормальных ГЦК металлов // Физика Низких Температур. 1980. т. 6, 10, с. 1334-1345.

36. Батаронов И.Л. Рощупкин A.M. О влиянии электрического тока и магнитного поля на взаимодействие дислокаций с точечными дефектами в металлах//ФизикаТвердого Тела. 1988. т. 30, 11, с. 3311-3318.

37. Павлов В.А., Перетурина И.А., Печеркина И.Л. Влияние постоянного магнитного поля на механические свойства и дислокационную структуру ниобия и молибдена // Физика Металлов и Металловедение. 1979. т. 47, 1, с. 171-179.

38. Pavlov V.A., Pereturina I.A., and Pecherkina Î.L. The effect of constant magnetic field on mechanical properties and dislocation structure of Nb and Mo // Physic State Solidy (a). 1980. v. 57, c. 449-456.

39. Лебедев В.П., Крыловский B.C. Влияние магнитного поля на формирование дефектной структуры при низкотемпературной деформации алюминия // Письма в Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1982. т. 36, 1,с. 3-5.

40. Лебедев В.П., Крыловский B.C. Деформирующее напряжение алюминия, свинца и индия в сильном магнитном поле // Физика Металлов и Металловедение. 1984. т. 58, 4; с. 827-829.

41. Лебедев В.П., Крыловский B.C. Электронное торможение дислокаций в тонкой пластине алюминия во внешнем магнитном поле // Физика Твердого Тела. 1990. т. 32, 2, с. 544-547.

42. Кравченко В.Я. О влиянии магнитного поля на электронное торможение дислокаций // Письма в Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1970. т. 12, 12, с. 240-249.

43. Нацик В.Д., Потемина Л.Г. Торможение дислокаций электронами в металлах в сильных магнитных полях // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1974. т. 67, 1, с. 240-249.

44. Болыиуткин Д.Н., Денисенко В.А. Об изменении деформирующих напряжений нормальных металлов при наложении и снятии магнитного поля // Физика Низких Температур. 1981. т. 7, 10, с. 652-657.

45. Гришин М.М., Канер Е.А., Фельдман Е.Р. Электронное торможение дислокаций в магнитном поле. // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1976. т. 70,4, с. 1445-1462.

46. Даринская Е.В., Макаревич И.А., Мещеряков Ю.И., Морозов В.А., Урусовская A.A. Исследование подвижности краевых дислокаций в кристаллах NaCl и LiF при импульсном нагружении электронным пучком // Физика Твердого Тела. 1982. т. 24, 5, с. 1564-1566.

47. Даринская Е.В., Урусовская A.A., Алыииц В.И., Мещеряков Ю.И., Алехин В.А., Воска Р. Исследование подвижности "быстрых" дислокаций при ударном нагружении кристаллов NaCl с различным содержанием примеси // Физика Твердого Тела. 1983. т. 25, с. 3636-3641.

48. Алыииц В.И., Даринская Е.В., Перекалина Т.М. , Урусовская A.A. О движении дислокаций в кристаллах NaCl под действием постоянного магнитного поля // Физика Твердого Тела. 1987. т. 29, 2, с. 467-471.

49. Алъшиц В.И., Даринская Е.В., Петржик Е.А. Микропластичность диамагнитных кристаллов в постоянном магнитном поле // Известия вузов.Черная металлургия. 1990.' № 10, с. 85-87.

50. Алъшиц В.И., Даринская Е.В., Петржик Е.А. "In situ" изучение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl методом непрерывного травления // Физика Твердого Тела. 1991. т. 33, 10, с. 3001-3010.

51. Алъшиц В.И., Даринская Е.В., Гектина И.В., Лаврентьев Ф.Ф. Исследование магнитопластического эффекта в монокристаллах цинка // Кристаллография. 1990. т. 35, 4, с. 1014-1016.

52. Алыииц В.И., Даринская Е.В., Петржик Е.А. Магнитопластический эффект в кристаллах алюминия // Физика Твердого Тела. 1992. т. 34, 1, с. 155-158.

53. Алыииц В.И., Даринская Е.В., Петржик Е.А. О влиянии содержания и концентрации примеси на магнитопластический эффект // 1992. В кн. "Дефекты кристаллической решетки и свойства металлов и сплавов", с. 57.

54. Алыииц В.И., Воска Р., Даринская Е.В., Петржик Е.А. Магнитопластический эффект в кристаллах NaCl, LiF и А1 в переменном магнитном поле // Физика Твердого Тела. 1993. т. 35, 1, с. 70-72.

55. Алыииц В.И., Даринская Е.В., Петржик Е.А. Магнитопластический эффект в кристаллах Csl и LiF // Физика Твердого Тела. 1993. т. 35, 2, с. 320-322.

56. Алъшиц В.И., Даринская Е.В., Мкхина Е.Ю., Петржик Е.А. О влиянии электрического поля на магнитопластический эффект в кристаллах NaCl // Физика Твердого Тела. 1993. т. 35, 5, с. 1397-1399.

57. Alshits V.I., Darinskaya E.V., and PetrzhikE.A. Effects of magnetic fields on the dislocation unlocing from paramagnetic centers in non-magnetic crystals // Materials Science and Engineering. 1993. v. A, 164, p. 322-326.

58. Алъшиц В.И., Даринская E.B., Казакова O.JI., Михина Е.Ю., Петржик Е.А. Магнитопластический эффект: релаксация дислокационной структуры в немагнитных кристаллах под действием магнитного поля // Известия РАН.Серия физическая. 1993. т. 57, 11, с. 2-11.

59. Alshits V.I., Darinskaya E.V., Kazakova O.L., Mikhina E.Yu., and Petrzhik E.A. Magnetoplastic effect in non-magnetic crystals and internal friction // Journal of Alloys and Compaunds. 1994. v. 211 , /212, p. 548-553.

60. Алыииц В.И., Даринская Е.В., Казакова O.JI. Влияние рентгеновского облучения на магнитопластический эффект в кристаллах NaCl // Письма в Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1995. v. 62, 4, с. 352-357.

61. Алъшиц В.И., Даринская Е.В., Михина Е.Ю., Петржик Е.А. Влияние электрического поля на подвижность дислокаций в магнитном поле // Физика Твердого Тела. 1996. т. 38, 8, с. 2426-2430.

62. Алъшиц В.К, Даринская Е.В., Казакова O.JI. Магнитопластический эффект в облученных кристаллах NaCl и LiF // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1997. т. 111 , 2, с. 615-626.

63. Alshits V.I., Darinskaya E.V., Kazakova O.L., Mikhina E.Yu., and Petrzhik E.A. Magnetoplastic effect in nonmagnetic crystals // Materials Science and Engineering. 1997. v. A, 234-236, p. 617-620.

64. Алъшиц В.И., Даринская E.B., Казакова O.JI. Влияние концентрации примеси Са на магнитный порог магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl // Физика Твердого Тела. 1998. т. 40, 1, с. 81-84.

65. Алъшиц В.И., Даринская Е.В., Михина Е.Ю., Петржик Е.А. О природе влияния электрического тока на магнитостимулированную микропластичность монокристаллов А1. Письма в ЖЭТФ, 1998, т.67, с. 788-792.

66. Колдаева М.В., Даринская E.B, Алыииц В.И. Влияние формы импульса одноосного сжатия на подвижность дислокаций в кристаллах NaCl в постоянном магнитном поле // Вестник Тамбовского Государственного Университета. 1998. т. 3, 3, с. 247-249.

67. Alshits V.l.; Darinskaya E.V.; Kazakova O.L.; Koldaeva M.V.; Mikhina E.Yu.; Petrzhik E.A. Magnetoinduced microplasticity of non-magnetic crystals // In Trends in Continuum Physics (TRECOP'88). "World Scientific", Singapore. 1999. P. 14-27.

68. Даринская Е.В. Колдаева М.В. Магнитостимулированное упрочнение кристаллов NaCl(Pb) // Письма в Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1999. т. 70, 3, с. 226-228.

69. Даринская Е.В., Петржик Е.А., Ерофеева С.А. , Кисель В.П. Магнитопластический эффект в InSb // Письма в Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1999. т. 70, 4, с. 298-302.

70. Darinskaya E.V., Petrzhik Е.А., Erofeeva S.A., and Kisel VP. Magnetoplastic effect in compound semiconductors // Solid State Phenom. 1999. v. 69, 70, p. 503-506.

71. Алыииц В.И. Даринская E.B. Магнитопластический эффект в кристаллах LiF и продольная релаксация спинов // Письма в Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1999. т. 70, 11, с. 749-753.

72. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Казакова O.JI., Колдаева М.В., Михина Е.Ю., Петржик Е.А. Магнитостимулированная подвижность дислокаций в немагнитных кристаллах // Материаловедение. 1999. № 12, с. 2-8.

73. Колдаева М.В., Даринская Е.В., Альшиц В.И. Релаксация дислокационной структуры в кристаллах NaCl при совместном действиимагнитного поля и механической нагрузки // Конденсированные среды и межфазные границы. 2000. т. 2, 3, с. 229-232.

74. Алыииц В.И., Даринская Е.В., Колдаева М.В. Особенности дислокационной динамики при импульсном нагружении кристаллов NaCl // Физика Твердого Тела. 2001. т. 43, 9, с. 1635-1642.

75. Darinskaya E.V., Petrzhik Е.А., and Erofeeva S.A. Dislocation motion in InSb crystals under a magnetic field I I J.Phys.Condens.Matter. 2002. v. 14, ?, p. 12883-12886.

76. Петржик E.A., Даринская E.B., Ерофеева C.A. , Раухман M.P. Влияние легирования и предварительной обработки на магнитостимулированную подвижность дислокаций в монокристаллах InSb // Физика Твердого Тела. 2003. т. 45, 2, с. 254-256.

77. Даринская Е.В. Хартманн Е. О влиянии концентрации точечных дефектов в кристаллах NaCl и LiF на поле насыщения магнитопластического эффекта // Физика Твердого Тела. 2003. т. 45, 11, с. 2013-2016.

78. Алыииц В.И., Даринская Е.В., Колдаева М.В. , Петржик Е.А. Магнитопластический эффект в немагнитных кристаллах: основные свойства и физические механизмы // Кристаллография. 2003. т. 48, 5, с. 826-854.

79. Урусовская A.A., Алыииц В.И., Смирнов А.Е., Беккауер H.H. Эффекты магнитного воздействия на механические свойства и реальную структуру немагнитных кристаллов // Кристаллография. 2003. т. 48, 5, с. 855-872.

80. Головин Ю.И. Магнитопластичность твердых тел // 2003. Москва, Издательство Машиностроение-1, с. 108.

81. Головин Ю.И. Магнитопластичность твердых тел // ФТТ, 2004, т. 46, 5, с. 769-803.

82. Моргунов Р.Б. Спиновая микромеханика в физике пластичности // УФН, 2004, т. 174,2.

83. Головин Ю.И., Казакова О.Л. , Моргунов Р.Б. Подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl в постоянном магнитном поле // Физика Твердого Тела. 1993. т. 35, 5, с. 1384-1386.

84. Гершензон Н.И., Зилпимиани Д.О., Манджгаладзе П.В., Похотелов O.A. Влияние магнитного поля на процессы разрушения монокристаллов LiF // Физика Твердого Тела. 1986. т. 28, 3, с. 708-712.

85. Гершензон Н.И., Зилпимиани Д.О., Манджгаладзе П.В., Похотелов O.A. Упрочнение монокристаллов LiF в постоянном магнитном поле // Физика Твердого Тела. 1988. т. 30, 7, с. 2209-2211.

86. БиаджиИ. Ф., Гершензон Н.И., Зилпимиани Д. О., Манджгаладзе П.В., ПохотеловО.А., СгринъяВ.,ЧелидзеЗ.Т. Влияние магнитного поля на механические свойства ионных кристаллов в процессе их деформирования //Фтт,1990,т. 32, 8, с. 2328-2331.

87. Головин Ю.И. Моргунов Р.Б. Влияние постоянного магнитного поля на скорость макропластического течения монокристаллов NaCl:Ca // Физика Твердого Тела. 1995. т. 37, 7, с. 2118-2121.

88. Головин Ю.И. Моргунов Р.Б. Влияние постоянного магнитного поля на скорость макропластического течения ионных кристаллов // Письма в Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1995. т. 61, 7, с. 583-586.

89. Головин Ю.И. Моргунов Р.Б. Влияние слабого магнитного поля на состояние неравновесных дефектов и пластичность ионных кристаллов // Вестник Тамбовского Государственного Университета. 1997. т. 2, 3, с. 243-253.

90. Урусовская A.A., Смирнов А.Е., Беккауер H.H. Макроскопический магнитопластический эффект в кристаллах NaCl и LiF // Известия РАН.Серия физическая. 1997. т. 61, 5, с. 937-940.

91. Урусовская A.A., Алыииц В.И., Смирнов А.Е., Беккауер H.H. О влиянии магнитного поля на предел текучести и кинетику макропластичности кристаллов LiF // Письма в Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1997. т. 65, 6, с. 470-474.

92. Алыииц В.К, Беккауер H.H., Смирнов А.Е., Урусовская A.A. Влияние магнитного поля на предел текучести кристаллов NaCl // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1999. т. 115, 3, с. 951-958.

93. Урусовская A.A., Алыииц В.И., Смирнов А.Е., Беккауер H.H. Деформация щелочно-галоидных кристаллов в магнитном поле // Известия РАН.Серия физическая. 2000. т. 64, 9, с. 1781-1785.

94. Алъшиц В.И., Урусовская A.A., Смирнов А.Е., Беккауер H.H. Деформация кристаллов LiF в постоянном магнитном поле // Физика Твердого Тела. 2000. т. 42, 2, с. 270-273.

95. Альшиц В.И., Беккауер H.H., Смирнов А.Е., Урусовская A.A. Магнитопластический эффект при макродеформации кристаллов PbS и NaCl // Изв. РАН, сер. физ., 2003, т. 67, 6, с. 775-777.

96. Смирнов А.Е., Беккауер H.H. СадчиковВ.В. Влияние предварительной термомагнитной обработки на предел текучести кристаллов NaChNi // Кристаллография, 2003, т. 48, 6, с. 1040-1041.

97. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. , Жуликов С.Е. Влияние постоянного магнитного поля на преодоление дислокациями короткодействующих препятствий в монокристаллах LiF // Физика Твердого Тела. 1997. т. 39, 3, с. 459-460.

98. Смирнов Б.И., Песчанская H.H., Николаев В.И. Магнитопластический эффект в сегнетоэлектрических кристаллах NaNC>2 // Физика Твердого Тела. 2001. т. 43, 12, с. 31-33.

99. Смирнов Б.И., Шпейзман B.B. , Песчанская H.H., Николаев Р.К. Влияние магнитного поля на скорость микропластической деформации монокристаллов Сбо // Физика Твердого Тела. 2002. т. 44, 10, с. 1915-1918.

100. Морозов В.А. Пластификация кристаллов NaCl при комбинированном воздействии коротких механических и магнитных импульсов // Физика Твердого Тела. 2003. т. 45, 10, с. 1839-1841.

101. Белозерова Э.П., Светамов A.A., Красников B.JI. Влияние магнитного поля на амплитудную зависимости внутреннего трения щелочно-галоидных кристаллов // Известия РАН.Серия физическая. 1997. т. 61, 2, с. 291-297.

102. Светашов A.A., Красников B.JI., Белозерова Э.П. Особенности размножения дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах при совместном действии магнитного и ультразвукового полей // Кристаллография. 1997. т. 42, 3, с. 493-498.

103. Тяпунина H.A., Красников B.JI., Белозерова Э.П. Влияние магнитного поля на неупругие свойства кристаллов KCl // Вестник Тамбовского Государственного Университета. 2002. т. 3, 3, с. 216-218.

104. Тяпунина H.A., Красников B.JI., Белозерова Э.П. Влияние магнитного поля на неупругие свойства щелочно-галоидных кристаллов // Известия РАН.Серия физическая. 2000. т. 64, 9, с. 1776-1780.

105. Тяпунина H.A., Красников B.JI., Белозерова Э.П. Влияние магнитного поля на неупругие свойства кристаллов LiF // Физика Твердого Тела. 1999. т. 41, 6, с. 1035-1040.

106. Тяпунина H.A., Белозерова Э.П., Красников B.JI. Влияние магнитного поля на дислокационную неупругость щелочно-галоидных кристаллов.

107. Часть II. Влияние магнитного поля на дислокационную структуру // Материаловедение. 2000. т. №, 2, с. 29-32.

108. Тяпунина H.A., Белозерова Э.П., Красников В.Л., Виноградов В.Н. Влияние магнитного поля на внутреннее трение и пластичность щелочногалоидных кристаллов // Вестник Тамбовского Государственного Университета. 2000. т. 5, 2-3, с. 345-347.

109. Тяпунина H.A., Красников В.Л., Белозерова Э.П. Влияние магнитного поля на неупругие свойства кристаллов КВг // Кристаллография. 2000. т. 45, 1, с. 156-159.

110. Тяпунина H.A., Красников В.Л., Белозерова Э.П., Виноградов В.Н. Влияние магнитного поля на дислокационную неупругость и пластичность кристаллов LiF с различными примесями // Физика Твердого Тела. 2003. т. 45, 1, с. 95-100.

111. Наими Е.К. Измерение внутреннего трения, дефекта модуля Юнга и стартовых напряжений дислокаций методом вольт-амперных характеристик составного вибратора // Деп.в ВИНИТИ. 1985. т. № 258985, с. 17.

112. Гранато А., Люке К. Дислокационная теория поглощения // In Ультразвуковые методы исследования дислокаций. "Иностранная литература", Москва. 1963. С. 27-57.

113. Дацко О.И., Алексеенко В.И. Внутреннее трение в магнитообработанном материале с дислокациями // Физика Твердого Тела. 1997. т. 38, 7, с. 1234-1236.

114. Дацко О.И., Алексеенко В.И. , Брусова А.Л. Влияние импульсного магнитного поля на неупругие свойства азотосодержащей стали // Журнал технической физики. 1999. т. 69, 8, с. 122-123.268

115. Дацко О.И. Дислокационное внутреннее трение материала с вакансиями в импульсах слабого магнитного поля // ФТТ т.44, N 2 2002 с.289-290.

116. Пинчук А.К, Шаврей С Д. Магнитопластический эффект в случае двойникования висмута под воздействием сосредоточенной нагрузки // Физика Твердого Тела. 2001. т. 43, 1, с. 39-41.

117. Урусовская A.A., Алыииц В.И., Беккауер H.H. , Смирнов А.Е. Деформация кристаллов NaCl в условиях совместного действия магнитного и электрического полей // Физика Твердого Тела. 2000. т. 42, 2, с. 267-269.

118. Пинчук А.И., Шаврей С.Д. Влияние постоянного магнитного поля и импульсного электрического тока на среднюю линейную плотность двойникующих дислокаций // Физика Твердого Тела. 2001. т. 43, 8, с. 1416-1417.

119. Головин Ю.И. Моргунов Р.Б. Магнитная память дислокаций в монокристаллах NaCl // Письма в Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1993. т. 58, 3, с. 189-192.

120. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Магнитная память монокристаллов NaCl с дислокациями // Физика Твердого Тела. 1993. т. 35, 9, с. 2582-2585.

121. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Влияние отжига в магнитном поле на подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl // Физика Твердого Тела. 1995. т. 37, 4, с. 1239-1241.

122. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Влияние постоянного магнитного поля на подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl // Физика Твердого Тела. 1995. т. 37, 5, с. 1352-1361.

123. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. , Жуликов С.Е. Кинетические особенности движения дислокаций в ионных кристаллах, стимулированного импульсом магнитного поля // Известия РАН. Серия физическая. 1997. т. 61, 5, с. 965-971.

124. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. , Жуликов С.Е., Киперман В.А. Дислокационное зондирование состояния дефектов решетки,269возбужденных импульсом магнитного поля в ионных кристаллах // Физика Твердого Тела. 1997. т. 39, 4, с. 634-639.

125. Головин Ю.И. Моргунов Р.Б. О роли обменных сил в формировании пластических свойств диамагнитных кристаллов // Доклады Академии Наук СССР. 1997. т. 354, 5, с. 632-634.

126. Головин Ю.И,, Моргунов Р.Б. , Жуликов С.Е. Роль внутренних механических напряжений в магнитостимулированном движении дислокаций // Кристаллография. 1998. т. 43, 4, с. 689-693.

127. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. , Бадылевич М.В., Шмурак С.З. Оптическое гашение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl // Физика Твердого Тела. 1997. т. 39, 8, с. 1389-1391.

128. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. , Жуликов С.Е., Иволгин В.И. Фотовозбуждение магниточувствительных точечных дефектов в ионных кристаллах // Кристаллография. 1998. т. 43, 5, с. 912-916.

129. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. , Дмитриевский A.A., Шмурак С.З. Влияние света на магнитостимулированную релаксацию внутренних напряжений в ионных кристаллах // Известия РАН.Серия физическая. 1998. т. 62, 7, с. 1296-1302.

130. Головин Ю.И Моргунов Р.Б. Влияние слабого магнитного поля на состояние структурных дефектов и пластичность ионных кристаллов // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1999. т. 115, 2, с. 605-623.

131. Головин Ю.И. Моргунов Р.Б. Влияние магнитного поля на структурно-чувствительные свойства реальных диамагнитных кристаллов // Материаловедение. 2000. № 3, с. 2-9; № 4, с. 2-7; № 5, с. 2-5; № 6, с. 2-9.

132. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. , Дмитриевский A.A., Шмурак С.З. Анизотропия оптического гашения магнитопластического эффекта в монокристаллах NaCl // Кристаллография. 2000. т. 45, 1, с. 154-155.

133. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. , Иванов В.Е., Жуликов С.Е., Лопатин Д.В. Релаксационные процессы, стимулированные слабым магнитнымполем в подсистеме точечных дефектов в ионных кристаллах // Кристаллография. 1999. т. 44, 5, с. 886-889.

134. Смирнов А.Е., Урусовская A.A. Влияние предварительной магнитной обработки на микротвердость кристаллов LiF:Ni // Физика Твердого Тела. 1987. т. 29, 3, с. 852-854.

135. Golovin Yu.L, MorgunovR.B., Lopatin D.V., andBaskakovA.A. Influence of a Strong Magnetic Field Pulse on NaCl Crystal Microhardness // Physic State Solidy. 1997. v. a, 160,p.R3-R4.

136. Моргунов P.Б., Баскаков A.A. Магниточувствительные промежуточные состояния комплексов точечных дефектов, возникающие после закаливания монокристаллов NaChEu // Физика Твердого Тела. 2001. т. 43, 9, с. 1632-1633.

137. Моргунов Р.Б., Баскаков A.A. Корреляция между возникновением магнитопластического эффекта и изменениями спектров электронного парамагнитного резонанса после закаливания монокристаллов NaChEu // Физика Твердого Тела. 2003. т. 45, 1, с. 91-94.

138. Осипъян Ю.А., Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Николаев Р.К., Пушнин И.A., and Шмурак С.З. Влияние импульсного магнитного поля на микротвердость монокристаллов Сбо // Письма в Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1999. т. 69, 2, с. 110-113.

139. Осипъян Ю.А., Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Николаев Р.К., Пушнин H.A., Шмурак С.З. Инверсия знака магнитопластического эффекта в монокристаллах С6о при фазовом переходе sc-fcc II Физика Твердого Тела. 2001. т. 43, 7, с. 1333-1335.

140. Головин Ю.И., Дмитриевский A.A., Николаев Р.К., Пушнин И.А. Влияние ульраслабого ионизирующего облучения на магнитопластический эффект в монокристаллах фуллерита Сбо Н Физика Твердого Тела. 2003. т. 45, 1, с. 187-190.

141. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Новый тип магнитопластических эффектов в линейных аморфных полимерах // Физика Твердого Тела. 2001. т. 43, 5, с. 827-832.

142. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. , Иванов В.Е. Термодинамические и кинетические аспекты разупрочнения ионных кристаллов импульсным магнитным полем // Физика Твердого Тела. 1997. т. 39, 11, с. 2016-2018.

143. Дацко О.И., Алексеенко В.И. , Шахова Л Д. Релаксационные процессы в структуре оловянной бронзы, обработанной импульсами слабого магнитного поля // Физика Твердого Тела. 1996. т. 38, 6, с. 17991804.

144. Закревский В.А., Пахотин В.А., Шулъдинер А.В. О возможном влиянии магнитного поля на разрыв механически нагруженных ковалентных химических связей // Физика Твердого Тела. 2002. т. 44, 11, с. 1990-1993.

145. Моргунов Р.Б. Квантовые явления в подсистеме структурных дефектов при пластической деформации диамагнитных кристаллов в магнитном поле // Афтореферат докт. дис. Воронежский Государственный Технический Университет. 2000. 32 с.

146. Lepine D.J. Spin-dependendent Recombination on Silicon Surface // Phys.Rev. 1972. v. 6, n. 2, p. 436-441.

147. Neubert D., Hoffmann K„ Xeichmann H., and Schlief R. Spin dependent recombination at dislocations in silicon // Solid State Electronics. 1978. v. 21, p. 1445-1450.

148. Wosinski T. and Figielski T. Spindependent recombination at exchangecoupled dislocation centeres in silicon // Physic State Solidy (b). 1977. v. 83, p. 93-98.

149. Wosinski T. and Figielski T. Spindependent recombination at dislocations in silicon I I Physic State Solidy (b). 1975. v. 71, p. 73-76.

150. Мима JI.C., Третьяк О.В. Спин-зависимая рекомбинация в полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 1981. т. 15, 9, с.

151. Мима Л.С., Стриха О.В., Третьяк О.В. Спин-зависимая рекомбинация в пластически деформированном кремнии // Физика и техника полупроводников. 1980. т. 14, 11, с. 2242-2246.

152. Street R.A. Recombination in a-Si:H: Spin-dependent effect // Physical Review B. 1982. v. 26, n. 7, p. 3588-3605.

153. Коломиец И.А., Мима Л.С., Стриха О.В., Третьяк О.В. Спин-зависимый перенос тока в пластически деформированном кремнии // Физика и техника полупроводников. 1979. т. 13, 3, с. 427-434.

154. Solomon /., Biegelsen D., and Knights J.С. Spin-dependent photoconductivity in n-type and p-type amorphous silicon // Solid State Communication. 1977. v. 22, n. 7, p. 505-508.

155. Brodsky M.H. and Title R.S. Electron spin resonanc in amorphous silicon, germanium, and silicone carbide // Physical Review Letters. 1969. v. 23, n. 11, p. 581-585.

156. Anderson P.W. Model for electronic structure of amorphous semiconductors //Physical Review Letters. 1975. v. 34, n. 15, p. 953-955.

157. White R.M. and Gouyet J.F. Theory of open-dependent effects in silicon // Physucal Review B. 1977. v. 16, 8, p. 3596-3602.

158. Львов B.C., Мима Л.С., Третьяк О.В. Исследование спин-зависимой рекомбинации в полупроводниках // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1982. т.'83, 4, с. 1557-1566.

159. Haberkorn R. and Dietz W. Theory of spin-dependent recombination in semiconductors // Solid State Communication. 1980. v. 35, p. 505-508.1984. т. 26, 1, c. 114-119.

160. Орлов A.M., Скворцов А.А., Гончар Л.И. Магнитостимулированное изменение подвижности дислокаций в пластически деформированном кремнии n-типа// Физика Твердого Тела. 2001. т. 43, 7, с. 1207-1210.

161. Скворцов A.A., Орлов A.M., Фролов В.А., Гончар Л.И., Литвиненко О.В. Влияние магнитного поля на акустическую эмиссию в дислокационном кремнии при токовых воздействиях // Физика Твердого Тела. 2000. т. 42, 10, с. 1814-1817.

162. Макара В.А., Стебленко Л.П., Горидько Н.Я., Кравченко В.М., Коломиец А.Н. О влиянии постоянного магнитного поля на электропластический эффект в кристаллах кремния // Физика Твердого Тела. 2001. т. 43, 3, с. 462-465.

163. Макара В.А., Стебленко Л.П., Обуховский В.В., Робур Е.Г. Влияние электрического тока на скорость движения дислокаций в кристаллическом кремнии // Физика Твердого Тела. 1994. т. 36, 9, с. 2618-2623.

164. Скворцов A.A., Орлов A.M., Гончар Л.И. Влияние слабого магнитного поля на подвижность дислокаций с примесями // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 2001. т. 120 , 1, с. 134-138.

165. Орлов A.M., Скворцов A.A., Соловьев A.A. Динамика поверхностных дислокационных ансамблей в кремнии при наличии механических и магнитных возмущений // Физика Твердого Тела. 2003. т. 45, 4, с. 613-617.

166. Скворцов A.A., Гончар Л.И., Орлов A.M. Электростимулированный транспорт дислокаций в постоянном магнитном поле // Физика Твердого Тела. 2003. т. 45,9, с. 1603-1607.

167. ОсипъянЮ.А., МоргуновР.Б., БаскаковА.А., Орлов А.М, Скворцов А.А, и др. Магниторезонансное упрочнение монокристаллов кремния // Письма в ЖЭТФ, 2004, 2, с.854-864. /

168. Бадылевич М.В., Иунин Ю.Л., Кведер В.В., Орлов В.И., Осипъян Ю.А. Влияние магнитного поля на стартовые напряжения и подвижность индивидуальных дислокаций в кремнии // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 2003. т. 124, 3(9), с. 664-669.

169. Урусовская A.A., Смирнов А.Е., Беккауер H.H. Деформация кристаллов PbS в магнитном поле // Вест. Тамбовского университета, Сер. естественные и технические науки, 2000, т. 5, 2-3, с. 389-390.

170. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. , Баскаков А.А., Бадылевич М.В., Шмурак С.З. Влияние магнитного поля на пластичность, фото- и электролюминесценцию монокристаллов ZnS // Письма в Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1999. т. 69, 2, с. 114-118.

171. Левин М.Н. Зон Б.А. Воздействие импульсных магнитных полей на кристаллы Cr-Si // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 2004. т. 111, 4, с. 1373-1397.

172. Левин М.Н., Семенова Г.В., Сушкова Т.П., Долгополова Э.А., Постников В.В. Воздействие импульсных магнитных полей на реальную структуру арсенида индия // Письма в Журнал Технической Физики. 2002. т. 28, 19, с. 50-55.

173. Urusovskaya A.A., Darinskaya E.V., Vosha R. and Jansky J. Defect Structure and Nature of The Obstackles for Dislocation in NaCl(Ca) Crystals // Cryst. Res. and Techn. 1981. v. 16, 5, p. 597-601.

174. Клявин O.B., Чернов Ю.М., Правдина H.H., Рыкова И.И. Особенности дислокационной структуры кристаллов LiF, деформированных в контакте с жидким гелием // ФТТ. 1978. т. 20, с. 31003105.

175. СтреттДВ. Теория звука // И. 1955. т. 2.

176. Brandt R.C., Adams К.Н. and Vreeland Т. Jr. Etching of High Purity Zinc. J. Appl. Phys. 1963, v.34, 3, p. 587-590.

177. Пшеничное Ю.И Выявление точной структуры кристаллов // М., Металлургия, Москва. 1974. с. 3.47-350.

178. Sangval К. and Urusovskaya A.A. Selective Etching Studies in Cesium Iodide Crystals//J. Crystal Growth. 1977. v. 4, p. 216-218.

179. Johnston W.G. and Gilman J.J. Dislocation Velocities, Dislocation Densities, and Plastic Flow in Lithium Fluoride Crystals // Journal of Applied Physics. 1959. v. 30, 2, p. 129-144.

180. Даринская E.B. Исследование динамики индивидуальных дислокаций и особенностей деформации при импульсном нагружениикристаллов Csl, NaCl и LiF в интервале температур 77 293К // Дисс. . к. ф.-м. н., Москва. 1983. 171с.

181. Рожанский В.Н., Степанова В.М. Скачкообразное перемещение дислокаций в кристаллах NaCI // Доклады АН СССР. 1960. т. 133, в. 4, с. 804-806.

182. Колдаева М.В., Даринская Е.В., Сытин В.Н. Установка для одноосного сжатия в магнитном поле // Приборы и техника эксперимента. 1998. №3, с. 151-154.

183. Парийский В.Б., Ландау А.И., Старцев В.И. О скачкообразном движении дислокаций в монокристаллах LiF // ФТТ. 1963. т. 5, в. 5, с. 1377-1385.

184. Предводителев А.А., Рожанский В.Н., Степанова В.М. Дислокационная структура, возникающая в кристаллах NaCI при деформации их сосредоточенной нагрузкой // Кристаллография. 1962. т. 7, в. 3, с. 418-424.

185. Голосовский М.А., Осипьян Ю.А., Сойфер Я.М. Фотопластический эффект в AgCl // ФТТ. 1982. т. 24, в. 2, с. 602-604.

186. Осипьян Ю.А., Савченко Н.Б. Экспериментальное наблюдение влияния света на пластическую деформацию CdS // Письма в ЖЭТФ. 1968. т. 7, в. 4, с. 130-133.

187. Iktea. М. Neutral Manganese Centers at the Anion Site in NaCI // Phys. Stat. Sol.(b). 1973. v. 51, p. 407-414.

188. Лущик Ч.Б., Лущик А.Ч. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах // "Наука", Москва. 1989.

189. Mollenauer L.F., Pan S. and Winnacker К. Measurement of Hiperfine Structure in the Relaxed-Excited State of the F-Centre in KC1 by Optical Triple Resonance // Phys. Rev. Lett. 1971. v. 26, p. 1643-1647.

190. Soifer Ya.M. Mechanism of Dislocation Pinning in y-irradiated NaCI Crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1971. v. 4, p. 333-338.

191. Ермаков Г.А., Коровин У.В., Сойфер Я.М. Кинетика фотопластического эффекта в окрашенных кристаллах NaCl // ФТТ. 1974. т. 16, с. 697-701.

192. Ермаков Г.А., Коровин Е.В., Сойфер Я.М. Исследование Фотопластического эффекта в у-облученных кристаллах NaCl // ФТТ. 1974. т. 16, с. 1756-1760.

193. Голосовский М.А. Фотодемпфирование дислокаций в ионных кристаллах. Дисс. . к. ф.-м. н., Черноголовка. 1983. 146с.

194. Radhakrishna S. and Crowdari В. V.R. Z-Centers in Impurity- Doped Alkali Halides // Phys. Stat. Sol.(a). 1972. v. 14, p. 11-39.

195. Crawford J.H. and Nelson С. M. Detected Interection in Irradiated Calcium Doped Potassium Chloride // Phys. Rev. Lett. 1960. v. 5, p. 314-315.

196. Haeys W. Effects of Ionizing Radiations on Alkali Halides Containing Divalent Impurities // J. Appl. Phys. 1962. v. 33, p. 329-331.

197. Haeys W. and Wilkens J. An Investiganion of the Ni~- ion in Irradiated LiF and NaF // Proc. of Royal Society. A. 1964. v. 281, 1386, p. 340-365.

198. Кац M.JI. Люминисценция и электронно-дырочные процессы в фотохимически окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений // Изд-во Саратовского Университета, Саратов. 1960. 109 с.

199. Кац M.JI., Семенов В.З. Исследование спектров поглощения и люминесценции щелочно-галоидных кристаллов, активированных никелем // Опт. и спектр. 1958. т. 4, в. 5, с. 637-642.

200. Парфианович И.А. Об активаторных уровнях захвата электронов в NaCl-Ni-фосфоре // Опт. и спектр. 1959. т. 6, с. 189-193.

201. Парфианович И.А. Люминисценция NaCl-Ni, NaCl-Cu, NaCl-Ag-фосфоов, возбужденных рентгеновскими лучами // ЖЭТФ. 1949. т. 19, 7, с. 603-605.

202. Stepanow A. W. Uber den Mechanismus der Plastischen Deformation // Phys. Zs. Sowjetunion. 1933. Bd. 4, p. 609-627.

203. Stepanow A. W. Uber den Mechanismus der Plastischen Deformation // Phys. Zs. Sowjetunion. 1933. Bd. 81, p. 560-564.277

204. Урусовская A.A. Электрические явления, связанные с пластической деформацией ионных кристаллов // УФЫ. 1968. т. 96, с. 39-83.

205. Тяпунина H.A., Белозерова Э.П. Заряженные дислокации и свойства щелочно-галоидных кристаллов //УФЫ. 1988. т. 156, с. 683-718.

206. Троицкий O.A. Электромеханический эффект в металлах // Письма в ЖЭТФ. 1969. т. 10, с. 18-22.

207. Троицкий O.A., Калымбетов П.У. Зависимость электронно-пластического эффекта в цинке от длительности отдельных импульсов // ФММ. 1981. т. 51, в. 5, с. 1056-1059.

208. Stachenko V.l., Troitskii O.A. and Spitsyn V.l. Action of Current Pulses on Zinc Single Crystals During Creep //Phys. Stat. Sol.(a). 1983. v. 79, p. 549-557.

209. Троицкий O.A., Моисеенко M.M., Спицын В.И. Влияние серий электрических импульсов на пластическую деформацию металла // ДАН СССР. 1984. т. 274, с. 587-590.

210. Троицкий O.A., Рощупкин A.M., Сташенко В.К, Моисеенко М.М., Калымбетов П. У. Развитие представлений о прямом физическом действии тока в электронно-пластическом эффекте // ФММ. 1986. т. 61, в. 5, с. 990995.

211. Кравченко В.Я. Воздействие направленного потока электронов на движущиеся дислокации // ЖЭТФ. 1966. т. 51, с. 1676-1688.

212. ФиксВ.Б. //ЖЭТФ. 1981. т. 80, с. 2313

213. Вдовин Е.Е., Касумов А.Ю. Прямое наблюдение электропереноса ислокаций в металле. // ФТТ. 1988. т.30, с. 311.

214. Алехин В.П. Физика прочности ипластичности поверхностных слоев материалов // Наука, Москва. 1983.

215. Никифоров A.B., Швецова В.А., Клявин О.В., Лихачев В.А. О пробегах дислокаций в кристаллах NaCl // Физика Твердого Тела. 1976. т. 18, 7, с. 3152-3153.

216. Ермолаев Г.Н., Ниненко С.И. , Урусовская A.A. Атермическая подвижность дислокаций в KCl при низких напряжениях // Физика Твердого Тела. 1989. т. 31, 4, с. 277-278.

217. Ермолаев Г.Н. Атермическое движение дислокаций в кристаллах NaCl при низких импульсных напряжениях // Физика Твердого Тела. 1996. т. 38, 11, с. 3375-3380.

218. Стратан КВ., Предводителев A.A., Степанова В.М. Движение отдельных дислокаций в дислокационном ансамбле // Физика Твердого Тела. 1970. т. 12, 3, с. 767-773.

219. Стратан КВ., Предводителев A.A. Моделирование процесса движения дислокации в дислокационном ансамбле // Физика Твердого Тела. 1970. т. 12, 6, с. 1729-1733.

220. Alshits V.l. and Indenbom V.L. Mechanisms of dislocation drag. In: "Dislocations in Crystals", Ed. F.R.N.Nabarro, North-Holland, Amsterdam. 1986. V. 7, p. 43-111.

221. Даринская E.B., Урусовская A.A., Альшиц В.И., Мещеряков Ю.И., Алехин В.А., Воска Р. Исследование подвижности "быстрых" дислокаций при ударном нагружении кристаллов NaCl с различным содержанием примеси // ФТТ. 1983. т. 25, в. 12, с. 3636-3641.

222. Гутманас Э.Ю., Надгорный Э.М., Степанов A.B. Изучение движения дислокаций в кристаллах хлористого натрия // Физика Твердого Тела. 1963. т. 5, 4, с. 1021-1026.

223. Парийский В.Б., Лубенец C.B., Старцев В.И. Подвижность дислокаций в монокристаллах бромистого калия // Физика Твердого Тела. 1966. т. 8,4, с. 1227-1237.

224. Лубенец C.B., Старцев В.И. Подвижность и взаимодействие дислокаций с примесью в кристаллах КС1:Ва2+. // ФТТ. 1968. т. 10, с. 22.

225. Ермаков Г.А., Надгорный Э.М. Подвижность дислокаций в Гамма-облученных кристаллах хлористого натрия. Область больших скоростей. // ФТТ. 1971. т. 13, с. 513.

226. Надгорный Э.М. // В сб. "Несовершенства кристаллического строения и мартенситные превращения", "Наука", Москва. 1972, С.151.

227. Brocklehurst В. Formation of Exited States by Recombining Organic ions //Nature. 1969. v. 221, p. 921-923.

228. Молоцкий М.И. Отрицательный магнитопластический эффект // Физика Твердого Тела. 1993. т. 35, 1, с. 11-14.

229. Осипъян Ю.А., Савченко И.Б. Экспериментальное наблюдение влияния света на пластическую деформацию сульфида кадмия // Письма в ЖЭТФ, 1968, т.7, с. 130-133.

230. Осипъян Ю.А., Шахсаидов М.Ш., Отрицательный фотопластический эффект в сульфиде кадмия ФТТ, 1973, т.15, с.3711-3712.

231. Schnegg Р.А., Jaccard С. and Aegerter М. Luminescence and Opnically Detected EPR of Close F-Cente Pairs in KC1// Phys. Stat. Sol.(b). 1974. v. 63, p. 587-598.

232. Мавлоназаров И.О., Микушев B.M. Измерение ядерной спин-решеточной релаксации в монокристаллах хлористого натрия в присутствии ультразвука// ФТТ. 1992. т.34, с. 2257-2260.

233. Молоцкий М.И. Возможный механизм магнитопластического эффекта// ФТТ. 1991, т.ЗЗ, с. 3112-3114.