Моделирование диффузионных процессов изотермической жидкофазной эпитаксии полупроводников тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Савченко, Владислав Анатольевич

• Савченко, Владислав Анатольевич
• кандидат технических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат технических наук Савченко, Владислав Анатольевич

Введение.

Глава 1. Анализ теоретических вопросов получения полупроводников методом жидкофазной эпитаксии и моделей для оценки их электрофизических свойств. Цель и задачи исследования.

1.1. Анализ теорий и моделей процессов получения полупроводников методом жидкофазной эпитаксии.

1.2. Анализ моделей диффузионных процессов жидкофазной эпитаксии полупроводников.

1.3. Обоснование цели и задач диссертационного исследования.

Выводы к главе 1.

Глава 2. Модели диффузионных процессов жидкофазной эпитаксии полупроводников при пересыщении раствора - расплава за счет его предварительного охлаждения .!. -.].^.

2.1. Скорость роста эпитаксиального слоя.

2.2. Распределение легирующей примеси по толщине слоя.

2.3. Режим предварительного охлаждения раствора-расплава.

2.4. Режим равномерного предварительного охлаждения раствора-расплава

2.5. Режим неравномерного предварительного охлаждения раствора-расплава

2.6. Модельный случай пересыщения, возникающий при смешивании растворов-расплавов.

2.7. Кинетика осаждения: кинетический и диффузионный режимы.

Выводы к главе 2.

Глава 3. Жидкофазная эпитаксия полупроводников при пересыщении раствора-расплава за счет поглощения летучего компонента кристаллизующегося вещества из газовой фазы. Модель процесса.

3.1. Предположения и допущения при моделировании процесса.

3.2. Модель процесса.

3.3. Модельные соотношения для скорости роста, толщины слоя и распределения примеси.

Выводы к главе 3.

Глава 4. Некоторые вопросы численного моделирования диффузионных процессов изотермической жидкофазной эпитаксии и предложения по использованию результатов исследований при получении полупроводников.

4.1. Разработка алгоритма численного моделирования диффузионных процессов изотермической жидкофазной эпитаксии полупроводников.

4.2. Исследование точности и сходимости результатов численного моделирования диффузионных процессов изотермической жидкофазной эпитаксии полупроводников.

4.3. Предложения по использованию результатов исследования при получении полупроводников методом изотермической жидкофазной эпитаксии.

Выводы к главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Моделирование диффузионных процессов изотермической жидкофазной эпитаксии полупроводников»

Актуальность темы. Одним из наиболее широко используемых в полупроводниковой оптоэлектронике способов получения эпитаксиальных слоев и многослойных эпитаксиальных композиций является их кристаллизация из растворов-расплавов, называемая жидкофазной эпитаксией (ЖФЭ). При его осуществлении под раствором-расплавом понимают слабый раствор кристаллизуемого компонента (или компонентов) в легкоплавком, чаще всего металлическом, растворителе. Растворитель может быть расплавом одного из основных компонентов кристаллизующегося соединения и твердого раствора, например, расплав галлия при получении эпитаксиальных слоев ОаАв. Им может служить также расплав легкоплавкого легирующего элемента, например, расплав олова при получении легированных оловом эпитаксиальных слоев ОаАэ.

Метод ЖФЭ привлекает к себе внимание технологов по полупроводниковым материалами с тех пор, как в 1963 г. было опубликовано первое сообщение о получении таким способом автоэпитаксиальных слоев германия и арсенида галлия, использованных для изготовления туннельных диодов. За истекшие почти 40 лет развития метода ЖФЭ установлено, что кристаллизация из раствора полупроводника в расплавленном металле имеет ряд преимуществ перед другими способами получения эпитаксиальных слоев, в частности, молекуляр-но-лучевой и парофазной эпитаксией (ПФЭ). Основные из этих преимуществ заключаются в следующем: кристаллизацию можно проводить при весьма низких температурах в зависимости от состава расплава, что позволяет получать полупроводниковые материалы с низкой концентрацией точечных дефектов; непосредственно перед кристаллизацией в том же расплаве происходит полирующее травление поверхности подложки, при этом снимается тонкий слой вместе с поверхностными загрязнениями; отсутствуют повышенные требования к защитной атмосфере, если подложка полностью погружена в расплав; легирование осуществляется добавлением в расплав соответствующего легирующего элемента; в некоторых случаях могут быть получены различные стехиометрические составы пленок, поскольку выбор состава ростового раствора для ЖФЭ шире, чем для ПФЭ; процесс ЖФЭ может применяется для получения монокристаллических слоев с высокой температурой плавления, например, монокристаллы сапфира, имеющего температуру плавления 2320° по Кельвину (К), выращивают из растворов-расплавов в оксидах при температуре 1400 К; оборудование для ЖФЭ проще и дешевле оборудования для ПФЭ; более высокая производительность процесса ЖФЭ достигается при наращивании эпитаксиальных слоев за меньшие интервалы времени.

Особенно привлекательными в практическом плане в настоящее время являются процессы ЖФЭ полупроводников, протекающие при постоянной температуре, то есть в изотермических условиях, в которых обеспечивается возможность получения однородных по составу эпитаксиальных слоев субмикронной толщины. Методы изотермической ЖФЭ характеризуются очень широким диапазоном скоростей наращивания пленок, а их реализация в технологических процессах проще по той причине, что управлять температурой ростовой системы путем ее поддержания на заданном уровне значительно легче, чем ее изменять по определенному закону.

Несмотря на весьма продолжительную историю развития способов решения теоретических и прикладных задач выращивания полупроводников методом изотермической ЖФЭ, многие из них остаются, как показывает анализ имеющейся литературы, все еще не решенными. К числу таких задач прежде всего относится прогнозирование электрофизических свойств полупроводников, получаемых методом изотермической ЖФЭ. Такими свойствами в первую очередь являются толщина эпитаксиальных слоев и распределение легирующей примеси по толщине, формирующееся в случае ее испарения. Процесс изотермической ЖФЭ за счет создания избыточного давления пара элемента пятой группы над ростовым раствором-расплавом при эпитаксии соединений А3В5, как один из диффузионных процессов получения полупроводниковых слоев с требуемыми электрофизическими свойствами, в настоящее время не только не прогнозируется, но и малоисследован. Следствием этого является то обстоятельство, что существующие модели, методы и алгоритмы решения соответствующих задач не позволяют в достаточной мере удовлетворить потребности практики и поэтому нуждаются в совершенствовании.

Одним из перспективных направлений такого совершенствования является разработка кинетических моделей диффузионных процессов изотермической ЖФЭ, обеспечивающих возможность математически корректно и достоверно оценивать названные основные электрофизические свойства получаемых в этих условиях эпитаксиальных слоев полупроводников, а также скорость кристаллизации в процессе их роста. В связи с изложенным, исследования в этом направлении представляются безусловно актуальными.

Диссертационная работа выполнена в рамках проводимой в ВГТУ госбюджетной темы ГБ 96.23 «Синтез, структура и свойства перспективных материалов электроники и вычислительной техники», регистрационный № 01960005765. Исследования по разработке кинетической модели нахождения распределения примеси по толщине эпитаксиального слоя выполнены по гранту "Математическое моделирование изотермических способов жидкофазной эпитаксии полупроводников, основанных на взаимодействии раствора-расплава с газовой фазой", выигранному д.ф.-м.н. проф. Ю.П. Хухрянским на конкурсе грантов по фундаментальным проблемам металлургии. Конкурс проводился Московским государственным институтом стали и сплавов на основании приказа № 436 от 17 мая 1994 года Госкомвуза (Министерства общего и профессионального образования). Работа по гранту выполнялась в соответствии с договором № 20/2 от 5 января 1996 года между ВГТУ и МИСиС в период с 1 января по 31 декабря 1996 года.

Цель работы заключается в разработке кинетических моделей роста полупроводниковых эпитаксальных пленок, получаемых методом изотермической ЖФЭ.

Для достижения этой цели в работе решены следующие основные задачи исследования:

1. Проанализированы и констатированы ограниченные возможности прогнозирования электрофизических свойств полупроводниковых слоев, получаемых при пересыщении раствора-расплава за счет его предварительного переохлаждения и за счет поглощения летучего компонента кристаллизующегося вещества из газовой фазы, с использованием известных математических моделей изотермической ЖФЭ.

2. Разработаны кинетические модели диффузионных процессов изотермической ЖФЭ полупроводников, получаемых при пересыщении раствора-расплава за счет его предварительного переохлаждения, а также модель для прогнозирования распределения легирующей примеси по толщине выращиваемых в этих условиях эпитаксиальных слоев.

3. Разработана кинетическая модель диффузионного процесса изотермической ЖФЭ полупроводников, получаемых при пересыщении раствора-расплава за счет поглощения летучего компонента кристаллизующегося вещества из газовой фазы.

4. С использованием разработанного численного алгоритма и программы проведены исследования указанных диффузионных процессов изотермической ЖФЭ полупроводников методом математического моделирования и обоснованы практические рекомендации по использованию их результатов при прогнозировании электрофизических свойств эпитаксиальных слоев, получаемых при осуществлении новых технологических процессов.

При решении этих задач использовались методы математического моделирования, алгоритмизации, вычислительной математики, численного анализа, теории погрешностей, теории разностных схем, теории дифференциальных уравнений, а также основные физические положения теории роста кристаллов из раствора.

Научная новизна основных результатов диссертационной работы заключаются в следующем:

1. Разработаны новые математические модели диффузионных процессов получения полупроводниковых эпитаксиальных слоев методом изотермической ЖФЭ при пересыщении раствора-расплава за счет его предварительного охлаждения. Модели могут быть использованы для исследования процесса ЖФЭ в случае смешивания в изотермических условиях двух растворов-расплавов различного состава.

2. Разработана кинетическая модель диффузионного процесса массопере-носа изотермической ЖФЭ полупроводников, получаемых при пересыщении раствора-расплава за счет поглощения летучего компонента кристаллизующегося вещества из газовой фазы.

3. Впервые разработана математическая модель диффузионного процесса распределения легирующей примеси по толщине эпитаксиального слоя, полуI чаемого в условиях изотермической ЖФЭ. Модель учитывает возможность испарения примеси в виде отдельных атомов и двухатомных молекул.

4. С использованием разработанных математических моделей, алгоритма и программы получены зависимости скорости роста, массы кристаллизующегося вещества, толщины эпитаксиальных слоев и распределения примеси по толщине от безразмерных параметров, определяющих исследуемые состояния моделируемых диффузионных процессов, что позволяет прогнозировать их развитие и электрофизические свойства полупроводников и на этой основе управлять изотермической ЖФЭ с целью получения материалов с требуемыми характеристиками.

Практическое значение основных результатов.

Разработанные в диссертации кинетические модели процесса ЖФЭ полупроводников при пересыщении раствора-расплава за счет его предварительного охлаждения, включающие случаи равномерного и неравномерного охлаждения, а также случай пересыщения за счет смешивания растворов-расплавов и, кроме того, модель процесса ЖФЭ при пересыщении раствора-расплава за счет поглощения летучего компонента кристаллизующегося вещества из газовой фазы, позволяют прогнозировать течение роста слоев и оптимизировать управление технологическими процессами синтеза и выращивания монокристаллов, в частности, полупроводниковых соединений А3В5, а также наращивания тонких эпи-таксиальных пленок указанных бинарных соединений для изготовления приборов оптоэлектроники.

На защиту выносятся следующие основные результаты работы:

1. Кинетические модели диффузионных процессов получения полупроводниковых эпитаксйальных слоев методом изотермической ЖФЭ при пересыщении раствора-расплава как за счет его предварительного охлаждения, так и за счет поглощения летучего компонента кристаллизующегося вещества из газовой фазы.

2. Закономерности скорости роста, массы кристаллизующегося вещества, толщины слоев и распределения примеси по толщине от безразмерных параметров в условиях изотермической ЖФЭ полупроводниковых слоев.

3. Критерий определения областей безразмерного параметра L системы диффузионного и кинетического режимов осаждения полупроводникового слоя методом изотермической ЖФЭ.

4. Элементы алгоритма решения задачи о распределении примеси по толщине полупроводникового слоя, полученного методом ЖФЭ в изотермических условиях.

Апробация работы. Результаты диссертационных исследований докладывались и обсуждались на IV Международной конференции "Межмолекулярное взаимодействие в материалах" (Гданьск, 1997); Международной конференции "Электромеханика и электротехнологии" (Клязьма, 1998); Международной конференции "Твердотельные кристаллы - наука о материалах и приложения" (Закопанэ, 1998); V Международной конференции "Межмолекулярное взаимодействие в материалах" (Люблин, 1999); III Международной конференции "Рост кристаллов, проблемы прочности и тепло- и массоперенос" (Обнинск, 1999); III Международной конференции "Электротехнические материалы и компоненты" (Клязьма, 1999); Второй Всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Электроника и информатика-97"

Зеленоград, 1997); V научно-технической конференции с участием зарубежных специалистов "Вакуумная наука и техника" (Симферополь, 1998); Втором Российском симпозиуме "Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкоплёночных структур" (Обнинск, 1997); IV Межвузовской научно-технической конференции (Воронеж, 1997); VI Российской научной студенческой конференции (Томск, 1998); 35, 36, 37, 38, 39, 40 научных конференциях профессорско-преподавательского состава, научных работников, аспирантов и студентов ВГТУ (Воронеж, 1995 - 2000).

Публикации. По теме диссертационной работы опубликовано 5 научных статей и 12 тезисов докладов.

Личный вклад автора в совместных публикациях.

Научным руководителем д.ф.-м.н. проф. Хухрянским определены цели и поставлены задачи исследования. Автору принадлежит разработка ряда математических моделей, их алгоритмизация и программирование, проведение вычислительных экспериментов и расчетов, а также интерпретация результатов моделирования, разработка методов решения поставленных задач, обсуждение результатов экспериментов и расчетов, а также разработка предложений по их использованию при прогнозировании электрофизических свойств полупроводников. В обсуждении результатов вычислительных экспериментов по оценке распределений примесей принимал участие к.ф.-м.н., доц. Сысоев О.И.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, приложения и списка литературы из 91 наименований. Работа содержит 135 страниц, включая 31 рисунок и 2 таблицы.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Савченко, Владислав Анатольевич

Основные результаты диссертации состоят в следующем:

1. Разработаны новые, основанные на уравнении диффузии, кинетические модели процессов изотермической ЖФЭ полупроводников в условиях предварительного охлаждения, смешивания растворов-расплавов, создания избыточного давления кристаллизующегося вещества над поверхностью жидкой фазы, а также распределения легирующей примеси при ее испарении из раствора-расплава.

2. Предложен критерий определения областей безразмерного параметра Ь системы диффузионного и кинетического режимов осаждения пленок полупроводников методом изотермической ЖФЭ.

3. Разработаны новые элементы алгоритма решения задачи о распределении примеси по толщине эпитаксиального слоя, полученного методом ЖФЭ.

4. Разработанные модели процесса ЖФЭ предусматривают испарение примеси как в виде отдельных атомов, так и в виде двухатомных молекул легирующего вещества.

5. Выявлены закономерности скорости роста, массы кристаллизующегося вещества, уровня легирования от времени процесса в изотермических условиях ЖФЭ полупроводников.

6. Установлено хорошее соответствие полученных результатов исследования с экспериментальными данными, что свидетельствует о высокой адекватности моделей реальным процессам.

7. Предложенные модели, алгоритм и программа позволяют изучать развитие изотермической ЖФЭ полупроводников во времени в зависимости от начальных условий, что позволяет их применять при прогнозировании электрофизических свойств полупроводниковых слоев и оптимизации процессов их получения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Савченко, Владислав Анатольевич, 2000 год

1. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Технология материалов электронной техники. Теория процессов полупроводниковой технологии. Учебник для вузов. 2-е изд. перераб. и доп. -М.: МИСИС, 1995. - 493 с.

2. Уфимцев В.Б., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофаз-ной эпитаксии. -М.: Металлургия, 1983. -222с.

3. Андреев В.М., Долгинов Л.М., Трётьянов Д.Н. Жидкостная эпитак-сия в технологии полупроводниковых приборов. -М.: Сов. радио, 1975. -238с.

4. Тимофеева В.А. Рост кристаллов из растворов-расплавов. -М.: Наука, 1978. -268с.

5. Чернов А.А., Гиваргизов Е.Н., Багдасаров Х.С. и др. Современная кристаллография: В 4 т. Образование кристаллов. Т.З. -М.: Наука, 1980. -470с.

6. Хухрянский Ю.П. Эпитаксия пленок из многокомпонентных растворов-расплавов при изотермическом испарении растворителя. // Кристаллография. 1992. Т.37. №5. С. 1275.

7. F.C. Frank, Discussions Faraday Soc. 5 (1949) 48.

8. P. Hartman and W.G. Perdok, Acta Cryst. 8 (1955) 49.

9. P. Hartman and W.G. Perdok, Acta Cryst. 8 (1955) 521.

10. P. Hartman and W.G. Perdok, Acta Cryst. 8 (1955) 525.

11. P. Hartman and W.G. Perdok, Am. Mineralogist 41 (1956) 449.

12. A. Carlson, Growth and Perfection of Crystals (Wiley, New York, 1958)259.

13. K.A. Jackson, Liquid Metals and Solidification (American Society for Metals, Cleveland, 1958).

14. B. Mutaftschiev, Adsorption et Croissance Cristalline (CNRS, Paris, 1965) p.231.

15. L. Onsager, Phis. Rev. 65 (1944) 117.

16. W.K. Burton, N. Cabrera and F.C. Frank, Phil. Trans. Roy. London 243 (1951)299.

17. H. Nelson, RCA Rev. 24 (1963) 603.

18. P. Hartman, Z.Krist 119 (1963) 65.

19. P. Hartman, Cryst. Growth, Ed. P. Hartman (North-Holland, Amsterdam, 1973) ch. 14.

20. D.E. Temkin, Crystallization Processes (Consultants Bureau, New York, 1966) p. 15.

21. J.H. Hammersley and D.C.Handscomb, Monte Carlo Methods (Methuem, London, 1967).

22. H.J. Leamy and K.A. Jackson, J. Appl. Phys. 43 (1971) 2121.

23. G.H. Gilmer and P.Bennema, J. Cryst. Growth 43 (1972) 1347.

24. G.A. Mihram, Simulation Statistical Foundation and Methodology (Academic Press, New York, 1972).

25. C. Van Leeuwen, J. Cryst. Growth 19 (1973) 133.

26. J. Carside and J.W. Mullin, Trans. Inst. Chem. Engrs. 46 (1968) 11.

27. P.Bennema, J. Cryst. Growth 1 (1967) 278.

28. P.Bennema, J. Cryst. Growth 1 (1967) 287.

29. B.M. Smythe, Australian J. Chem. 20 (1967) 1087.

30. P.Bennema, Phys. Status Solidi 17 (1966) 563.

31. P.Bennema and H.B. Klein Haneveld, J. Cryst. Growth 1 (1967) 232.

32. J.W. Mullin and J.Carside, Trans. Inst. Chem. Engrs. 45 (1967) 285.

33. W.A. Tiller, J. Cryst. Growth 2 (1968) 69.

34. W.A.Tiller and C.Kang, J. Cryst. Growth 2 (1968) 345.

35. P.Bennema, J. Cryst. Growth 5 (1969) 29.

36. J.C. Brice, J.Cryst. Growth 2 (1967) 218.

37. A.A. Bergh, R.H. Saul and C.R. Paola, J. Electrochem. Soc. 120 (1973) 1558.

38. Henry T. Minden, J. Cryst. Growth 6 (1970) 228.

39. M.B. Small and J.F. Barnes, J. Cryst. Growth 5 (1969) 9.

40. I. Crossley and M.B. Small, J. Cryst. Growth 15 (1972) 275.

41. R. Chez, J. Cryst. Growth 19 (1973) 153.

42. R. Chez, J. Cryst. Growth 20 (1973) 273.

43. G.H. Gilmer, R. Chez and N. Cabrera, J. Cryst. Growth 8 (1971) 79.

44. P. Bennema, J. Boon, C. van Leeuwen and G.H. Gilmer, Kristall und Technik 8 (1973) 659.

45. J. Bryskiewicz, M.A. Herman, Kristall and Tecknik 9,7 (1974) 771.

46. I. Crossley and M.B. Small, J. Cryst. Crowth 11 (1971) 157.

47. J.M. Blum and K.K.Shih, Proc. IEEE 59 (1971) 1498.

48. G.H. Gilmer and P. Bennema, J. Cryst. Crowth 13/14 (1972) 148.

49. H.F. Lockwood and M. Ettenberg, J. Cryst. Growth 15 (1972) 81.

50. I. Crossley and M.B. Small, J. Cryst. Crowth 15 (1972) 268.

51. P. Bennema, J.Cryst. Growth 24/25 (1974) 76.

52. K.A. Jackson, J. Cryst. Growth 24/25 (1974) 130.

53. R.L. Moon, J. Cryst. Growth 27 (1974) 62.

54. R. Janssen-van Rosmalen, P. Bennema, J. Carside, J. Cryst. Growth 29 (1975)342.

55. R. Janssen-van Rosmalen, P. Bennema, j. Carside, J. Cryst. Growth 29 (1975)353.

56. Y. Inatomi and K. Kuribayashi, J.Cryst.Growth 114 (1991) 380.

57. H. Nelson, J. Cryst. Growth 27 (1974) 1.

58. H. Ijuin and S. Gonda, J. Cryst. Growth 33 (1976) 33.

59. A. Doi, T. Asano and M. Migitaka, J. Appl. Phys. vol. 47, 6 (1976) 1589.

60. J. Penndorf and G. Kuhn, Krist and Tecknik 15,3 (1980) 277.

61. V. Emelianov, V. Savchencko, Yu. Khukhrianskii, О. Sysoev Modeling Of The Kinetics Of A Volatile Substance Evaporation Into A Stream Of IndifferenttV»

62. Gas Process. 4 International Conference on Intermolecular Interactions in Matter. Programme abstracts. Gdansk, Poland, 1997. p.69.

63. Хухрянский Ю.П., Савченко В.А. Моделирование процесса жидко-фазной эпитаксии полупроводников из переохлажденного раствора-расплава // Известия ВУЗов. Серия "Материалы электронной техники". -1999. -№1. -С.49-52.

64. Хухрянский Ю.П., Савченко В.А., Крылова JI.B., Сысоев О.И.

65. Распределение легирующей примеси в эпитаксиальных слоях полупроводников, полученных методом жидкофазной эпитаксии в изотермических условиях // Известия ВУЗов. Серия "Материалы электронной техники". -1998. -№4. -С.47-49.

66. Хухрянский Ю.П., Веремьянина JI.H., Крылова JI.B., Сысоев О.И.

67. Кинетика испарения мышьяка с открытой поверхности галлиевых растворов // ЖФХ. -1996. -т.70. -в.7. -С. 1340.

68. Кейси X., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. В 2 т. -М.: МИР, 1981.-Т. 2. -364с.

69. Yu. Khukhryansky, V. Savchenko Regularities of solution-melt overcooling under isothermal liquid phase epitaxy of semiconductors. Journal of Materials Processing Technology. In press.

70. Репников В.Д., Хухрянский Ю.П., Бордаков E.B. О некоторых функциональных рядах, содержащих корни трансцендентного уравнения // Дифференциальные уравнения. -1996. -Т.32. -№4. -С.568.

71. Yu. Khukhryanskii, У. Savchencko Isothermal Liquid Phase Epitaxy (LPE) Of Elementary Semiconductors In Vacuum. International Conference on Solid State Crystals Materials Science and Applications. Programme abstracts. Zakopane, Poland, 1998. p.70.

72. Хухрянский Ю.П., Савченко В.А. Изотермическая жидкофазная эпитаксия элементарных полупроводников в вакууме // Вестник ВГТУ. Серия "Материаловедение". Воронеж, -1998. -№1.3. -С.37-40.

73. Хухрянский Ю.П., Ермилин В.Н. Молекулярная структура растворов фосфора в индии // Известия АН СССР. Неорганические материалы. -1980. -Т. 16. -№3. -С.380.

74. Хухрянский Ю.П., Ермилин В.Н., Тулинова М.С. Давление пара над нестехиометрическими растворами As в Ga // Известия АН СССР. Неорганические материалы. -1981. -Т.17. -№10. -С.1733.

75. С.Т. Foxon, В.А. Joyce, R.F.C. Farrow, J Phys.D: Appl. Phys. 7 (1974) 2422.

76. C.T. Foxon, L.A. Harvey, B.A. Joyce, J Phys.Chem.Solids. 34 (1973) 1693.

77. Горбов С.И. Термодинамика полупроводниковых соединений А3В5. Итоги науки и техники. Серия "Химическая термодинамика и равновесия" -М.: ВИНИТИ. -1975. -Т.З. -149с.

78. Хухрянский Ю.П., Савченко В.А., Емельянов В.В., Ермилин В.Н. Изотермическая жидкофазная эпитаксия соединений А В при избыточном давлении пара компонента кристаллизующегося вещества // Кристаллография. -2000. -Т.45. -№1. -С.163-166.

79. Yu. Khukhrianskii, У. Savchencko Isothermal Technique Of Liquid1 с

80. Phase Epitaxy Of Binary А В Combinations. International Conference on Electromechanics and Electrotechnology. Abstracts. Kliazma, Russia, 1998. p.69.

81. Савченко В.А. Моделирование изотермической жидкофазной эпитак1. Л ссии соединений А В при избыточном давлении пара элемента пятой группы // VI Российская научная студенческая конференция. Тез. докл. -Томск, -1998. -С.90

82. Турчак Л.И. Основы численных методов: Учеб. пособие. М.: Наука. Гл. ред. физ. - мат. лит. -1987. -320с.

83. C.D. Thurmond, J.Phys.Chem.Solids. 26 (1965) р.785.

84. Хухрянский Ю.П., Веремьянина Л.Н., Комбарова И.В., Никишина И.В., Сысоев О.И. Кинетика ленгмюровского испарения компонентов из фосфида и арсенида индия // ЖФХ. -1997. -Т.71. -№5. -С.870.

85. Акчурин Р.Х., Берлинер Л.Б. Информационно-расчетная система для компьютерного моделирования процессов жидкофазной эпитаксии // Известия ВУЗов. Серия "Материалы электронной техники". -1998. -№2. -С.51-56.

86. Ветрова Т.И., Цахман Г., Яковлев Н.В. Быстрый, эффективный контроль качества производства полупроводников с помощью приборов фирмы BRUKER // Известия ВУЗов. Серия "Материалы электронной техники". -1998. -№4. -С.69-73.