Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка в ИК-области спектра тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Кочура, Алексей Вячеславович

• Кочура, Алексей Вячеславович
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Кочура, Алексей Вячеславович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. Cd3As2 и Zn3As2 и твердые растворы на их основе.

1.1 Физико - химические свойства Cd3As2 и Zn3As2 и их 9 кристаллическая структура.

1.2 Синтез и получение кристаллов Cd3As2, Zn3As2 и твердых 14 растворов на их основе.

1.3. Зонная структура арсенидов кадмия и цинка.

1.4. Электрические, гальваномагнитные, термомагнитные и оптиче- 21 ские свойства арсенида кадмия.

1.5. Электрические, гальваномагнитные, термомагнитные и оптиче- 25 ские свойства арсенида цинка.

1.6. Электрические свойства твердых растворов Cd3xZnxAs2 и явле- 27 ния переноса в них.

1.7. Оптические свойства твердых растворов Cd3.xZnxAs2.

ГЛАВА II. Рост и характеристики монокристаллов и тонких пленок 36 твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка.

2.1 Выращивание монокристаллов твердых растворов арсенид кад- 36 мия - арсенид цинка. Подготовка образцов для исследования.

2.2. Рост пленок твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка 39 конденсацией из паровой фазы.

2.3. Методика измерения спектров отражения с помощью Фурье - 49 спектрометра IFS 113v.

2.4 Методика исследования фотоэлектрических свойств 56 р- Cd3xZnxAs2:Se

ГЛАВА III. Спектры отражения твердых растворов арсенид кадмия - 59 арсенид цинка в инфракрасной области.

3.1 Экспериментальные спектры отражения.

3.2. Методика обработки спектров отражения.

3.3. Общий алгоритм вычисления оптических функций.

3.4. Анализ экспериментальных результатов.

ГЛАВА IV. Фотопроводимость и остаточная проводимость твердых 92 растворов арсенид кадмия - арсенид цинка, легированных селеном.

4.1 Изготовление контактов к образцам твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка.

4.2. Фотопроводимость монокристаллов и пленок Сё3.х2пхА82:8е.

4.3. Остаточная проводимость в твердых растворах Сёз.х2пхА82.

4.4. Теоретическая модель остаточной проводимости.

4.5. Анализ экспериментальных результатов исследования остаточной проводимости.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка в ИК-области спектра»

Актуальность темы. Современные производственные технологии предъявляют все более жесткие требования к свойствам используемых полупроводниковых материалов. Удовлетворить их можно как с помощью дальнейшего углубленного изучения известных веществ, так и исследованием новых полупроводниковых соединений. Одними из них являются соединения типа А"В1, к которым относятся арсениды и фосфиды кадмия и цинка, а также твердые растворы на их основе.

Среди большого числа соединений А"В\ в последние годы большое внимание привлек к себе 2п3Р2, как материал пригодный для использования в преобразователях солнечной энергии. Он имеет крутой край полосы поглощения вблизи 1.5 эВ и достаточную диффузионную длину (~10 мкм) неосновных носителей заряда, что обуславливает относительно высокий КПД (7.6%), полученный для Мё/2п3Р2 барьеров Шоттки. Для контактов металл - 2п3Р2 был обнаружен отчетливый фотодихроизм, который нашел применение в индикаторе поляризации света. Так же на основе пленок 2п3Р2 были изготовлены ультрафиолетовые детекторы /1 /.

Изучение люминесценции и лазерного излучения в кристаллах Сё3Р2 показало, что это вещество перспективно в качестве полупроводникового материала для когерентного инфракрасного источника излучения с рабочей длиной волны 2.1 мкм. Применение твердого раствора СёзА8хР2-х позволяет увеличить длину волны излучения до 2.45 мкм /1/.

Особый интерес представляет арсенид кадмия как узкозонный полупроводниковый материал с тетрагональной кристаллической структурой и инверсным расположением зон /2/. Он обладает одним из самых больших, наблюдаемых в тетрагональных полупроводниковых материалах, значением подвижногу сти основных носителей заряда (до 4.6 м /(В-с) при 15 К) /3/ и приемлемым коэффициентом диффузии, поэтому в настоящее время обсуждается возможность использования Сс13А82 в качестве материала для термоэлементов /4, 5/. В /6/ сообщается о создании датчика Холла на основе арсенида кадмия.

2п3А82 является типичным полупроводниковым веществом с шириной запрещенной зоны около 1 эВ /7/. Он предлагается для замены полупроводников типа II-VI, применяемых при росте пленок арсенида галлия и фосфида индия в качестве подложек, из-за того что сверхрешетка Аб в практически идентична сверхрешетке кристаллов III-V /8/.

Некоторые из свойств твердых растворов Сёз^пхАз2 в последние десятилетия привлекли внимание к этим соединениям, в частности, характер изменения ширины запрещенной зоны у них подобен наблюдаемому в Н^Те-СсГГе /9/, что позволяет при получении сплавов СёзАэг - варьировать ширину запрещенной зоны при комнатной температуре в пределах от -0.1 до 1 эВ /10/. Преобладание Сс^Аэг в Сёз.х2пхАз2 обуславливает наличие п-типа проводимости в данном сплаве, а с увеличением содержания Тщк.^ п-тип сменяется р-типом проводимости в узком интервале составов х=1.35 - 1.5 /11/. Селен, будучи введенным в р- Сё3х2пхА82, является донорной примесью, что позволяет снизить концентрацию основных носителей заряда /10/. Эти особенности Сс1зх2пхА82 позволяют считать, что при получении совершенных кристаллов и пленок с низкой концентрацией основных носителей заряда их можно будет использовать в длинноволновых фотоприемных устройствах /1/.

В связи с перспективой применения этих полупроводниковых материалов возникает необходимость детального изучения их параметров и свойств.

Цель работы.

1. Исследовать спектры отражения монокристаллов Сё3.х2пхА82 в области оптических колебаний кристаллической решетки и выполнить их полный анализ.

2. Разработать технологию роста пленок Сё3.х2пхА82, легированных селеном.

3. Исследовать фотоэлектрические свойства кристаллов и пленок р -Сё3х7пхАз2, легированных селеном.

Научная новизна.

1. Выполнено исследование ИК - спектров отражения (40 - 800 см"1) монокристаллов Сё3х2пхА82. Определены параметры оптических фононов кристаллической решетки Сё3х2пхУ 4 к. - 1,2- 2,55), вычислены основные оптические функции. Исследовано влияние количества примеси селена на динамику оптических колебаний кристаллической решетки Сё3х2пхА82.

2. Выбраны режимы роста и выращены пленки Сс1о,452п2;55А82, легированные селеном.

3. По измеренным спектрам фотопроводимости определена величина температурного коэффициента изменения запрещенной зоны р что позволило установить закон изменения ширины запрещенной зоны Сс13.х2пхА82 от состава и температуры.

4. Исследована остаточная проводимость в кристаллах Сс13.хЕпхА82, легированных селеном, состава х > 1,4. Предложено объяснение ее появления, связанное с крупноблочным строением образцов.

Практическая ценность работы. Полученные в работе данные о структуре оптических колебаний кристаллической решетки Сё3.х2пхА82 и основные оптические функции (40 - 800 см"1) могут быть использованы в теоретических расчетах, при обработке экспериментальных данных и проектировании приборов на их основе.

Установлены технологические условия, позволяющие получать аморфные и кристаллические пленки нелегированных и легированных селеном сплавов Сс13.х2пхА82. Легированные пленки обладают фоточувствительностью. Сплавы р - Сс13.х2пхА82, фоточувствительные в ближней ИК - области спектра, могут быть применены в устройствах ИК-техники.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Инфракрасные спектры отражения сплавов Сс1з.^пхА52 имеют структуру сходную со структурой спектров 2п3Р2.

2. Количество основных оптических колебаний кристаллической решетки Сс1зх2пхА82 изменяется от 22 до 28 в зависимости от состава. Наблюдается малое отличие частот соответствующих ЬО- и ТО- фононов.

3. Значения статической ео и высокочастотной диэлектрической проницаемости в области составов 1.2 - 2.55 нелегированных сплавов Сд3.х2пхА82 изменяются, соответственно, 10 - 13и25-34 при Т-300 К.

4. Предложенная технология позволяет получать вакуумным термическим напылением нелегированные и легированные селеном пленки р

С<13.хгпхА82.

5. В р - Сс^^п^АБг^е наблюдается фотопроводимость, связанная с зона - зонными переходами с максимумом фоточувствительности при Т«140 К. Ширина запрещенной зоны р - Сс^^п^Аз^е равна (0,540 ± 0,004) эВ при 0 К, термический коэффициент ее расширения (0,39±0,03) эВ/К. Закон изменения ширины запрещенной зоны от состава и темепратуры (70 - 200 К) описывается уравнением: Её(х,Т) = -0,1 + 0,39-х - (0,33 + 0,04-х)-10"3-Т (эВ).

6. В кристаллах р - Сёз.х2пхАз2:8е, выращенных расплавными методами, наблюдается остаточная проводимость. Высоты барьеров, образующихся на границах кристаллитов и ответственных за образование остаточной проводимости в р - Сёз.х2пхА82 равны: рекомбинационного 0.1 эВ, дрейфового от 0.003 до 0.08 эВ. Высота дрейфового барьера зависит от состава, мощности засветки, качества поверхности образцов.

Апробация работы: Основные результаты работы докладывались на III Всероссийской научно - технической конференции "Методы и средства измерений физических величин" (Нижний Новгород, 1998 г.), Международной конференции по росту и физике кристаллов, посвященной памяти 8

М.П.Шаскольской (Москва, 1998 г.), Международной конференции "Оптико-электронные приборы и устройства в системах распознавания образов, обработки изображений и символьной информации "Распознавание - 99" " (Курск, 1999 г.), Всероссийской молодежной научной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (С. - Петербург, 1999 г.).

Публикации: По результатам диссертации опубликовано 8 научных работ.

Объем работы: Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка цитируемой литературы. Работа изложена на 134 страницах, включающих 54 рисунка и 15 таблиц. Список литературы содержит 139 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Кочура, Алексей Вячеславович

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ:

1. Впервые проведено исследование ИК - спектров отражения монокристаллов твердых растворов Сс13х2пхА82 нелегированных и легированных селеном до 0,1 и до 1% вес., составов х = 1,2 - 2,55 при Т = 80 и 300 К в области волновых чисел 40 - 800 см"1 с ошибкой в измерении длины волны не более 0.2 см"1. Вид полученных спектров имеет сходство со спектрами соединения 2п3Р2. Смещение спектров вдоль оси волновых чисел с изменением состава «10 см"1.

2. Методом дисперсионного анализа с предварительной оценкой методом, основанном на применении интеграла Крамерса - Кронига, определены основные параметры оптических фононов (частоты и затухания их ЬО- и ТО- составляющих). Построена зависимость частоты наиболее сильных фононов от состава. Вычислены значения высокочастотной и статической диэлектрических прони-цаемостей. Они изменяются в пределах 10,1 - 13,0 и 25,6 - 34,1, соответственно, при комнатной температуре для исследуемого диапазона составов. Излом на зависимости 8о(х) при х = 1,5 - 1,8, очевидно, соответствует фазовому переходу ос'"—их". Спектры, измеренные при Т = 80 К, отличаются от спектров при Т = 300 К уменьшением амплитуды основных пиков и, соответственно, снижением значений в«, и 80. Они смещены в высокоэнергетическую область на величину порядка 2 см"1. Для измеренных спектров отражения методом обобщенного исследовательского анализа восстановлен вид основных оптических функций (п, к, Вь в2 и др.) в исследуемом диапазоне волновых чисел.

3. Анализ колебательных спектров отражения легированных селеном сплавов Сё3.хгпхА82 показывает, что при повышении концентрации 8е от 0,1 до 1% вес. кристаллическая упорядоченность образцов уменьшается и верхний предел содержания примеси 8е в твердых растворах Сё3.х2пхАз2, при котором полученное соединение будет представлять однофазный материал, интересный для проведения электрических и фотоэлектрических исследовани, следует ограничить 1 % вес.

4. Отработан технологический режим выращивания нелегированных и легированных селеном пленок Cd3.xZnxAs2 (х>1,8) вакуумным термическим напылением. При температуре подложки, равной комнатной, наиболее близкие по составу с исходным порошком пленки выращиваются при температурах нагревателя Т„ ~ 850 К. С увеличением Тн относительное содержание As в них увеличивается (от 42 % при Тн ~ 850 К до величины более 52 % при Тн ~ 1000 К), что приводит к быстрому окислению пленок на поверхности. Последующий отжиг в течение 10 - 20 ч. в атмосфере аргона при Т = 470 - 520 К приводит к повышению степени кристалличности пленок. Поверхность легированных селеном пленок, напыленных при тех же режимах, что и нелегированных отличается от последних наличием неоднородностей. Предварительный расчет плотности потока испарения и конденсации сплавов Cd3.xZnxAs2, выполняемый с применением известных уравнений для давлений насыщенного пара арсенида цинка и арсенида кадмия, удовлетворительно согласуется с экспериментальными значениями.

5. Исследованы спектры стационарной фотопроводимости твердых растворов Cdi.23Zni.77As2:Se в области температур 80 - 170 К. По длинноволновому спаду определены значения ширины запрещенной зоны при 0 К и температурного коэффициента ее изменения: Eg = 0.540 ± 0.004 эВ, ß = 0.39±0.03 мэВ/К, соответственно. С использованием литературных данных получен закон изменения Eg от состава и температуры в области от 80 до 200 К: Eg(x,T) = -0.1 + 0.39-х - (0.33 ■+ 0.04-х)-10"3-Т. Пленки Cd0,45Zn2,55As2:Se так же обладают фоточувствительностью.

6. Исследовано явление остаточной проводимости. На основе двубарьерной модели вычислены коэффициенты кинетики остаточной проводимости (а и у) и величины барьеров, ответственных за ее образование. Появление остаточной проводимости связывается с крупноблочным строением исследуемых соединений, выращенных расплавивши методами.

В заключении автор выражает искреннюю и глубокую благодарность доктору физико-математических наук, профессору И.С.Захарову и кандидату физико-математических наук А.Ф.Князеву за руководство работой, большое внимание и постоянную поддержку.

Автор считает своим приятным долгом выразить глубокую признательность кандидату физико-математических наук А.И.Белогорохову (ГНЦ, "Ги-редмет") за большую помощь и участие, оказанные при исследовании оптических свойств, доктору физико-математических наук, профессору Д.Р.Хохлову (кафедра низких температур МГУ им. М.В.Ломоносова) за содействие исследованиям фотопроводимости и техническую поддержку, оказанную при изучении спектров отражения, доктору химических наук, профессору С.Ф.Маренкину (ИОНХ РАН, г. Москва) за предоставление возможности роста пленок и многочисленные полезные консультации.

Автор благодарит всех сотрудников кафедры конструирования и технологии вычислительных средств КГТУ за доброжелательное отношение во многом способствовавшее выполнению этой работы.

Основное содержание диссертации отражено в следующих работах.

1. Захаров И.С., Князев А.Ф., Спирин Е.А., Кочура A.B., Ржаных С.А. Установка для исследования фотопроводимости.// Тезисы докладов III Всероссийской научно - технической конференции "Методы и средства измерений физических величин". Часть IV. Нижний Новгород, 1998. С. 10.

2. Князев А.Ф., Кочура A.B. Остаточная проводимость в кристаллах твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка.// Тезисы докладов Между

123 народной конференции по росту и физике кристаллов, посвященной памяти М.П.Шаскольской. М. 1998. С. 132.

3. Захаров И.С., Князев А.Ф., Кочура A.B. Оптические колебания кристаллической решетки полупроводниковых соединений Cd3xZnxAs2.// Сборник материалов 4-ой международной конференции "Распознавание - 99". Курск, 1999. С. 81-83.

4. Кочура A.B., Морозов Р.И. Спектры отражения твердых растворов Cd3xZnxAs2 в средней и дальней ИК-областях.// Тезисы докладов Всероссийской молодежной научной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. С.-Петербург. 1999. С. 26.

5. Белогорохов А.И., Захаров И.С., Князев А.Ф., Кочура A.B. Спектры отражения твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка в инфракрасной области.// КГТУ. 1999. 38 с. Рук. деп. в ВИНИТИ № 3864-В99 от 28.12.99 г.

6. Белогорохов А.И., Захаров И.С., Князев А.Ф., Кочура A.B. Фотоэлектрические явления в кристаллах Cdi>23Zni;77As2, легированных селеном.// Известия РАН. Неорганические материалы. 2000. Т.36. №7. С. 1 - 4.

7. Белогорохов А.И., Захаров И.С., Князев А.Ф., Кочура A.B. Оптические свойства твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка в инфракрасной области.// Изв. КГТУ. 2000. №4. С. 153 - 160.

8. Belogorokhov A.I., Zakharov I.S., Knjazev A.F., Kochura A.V. Far - Infrared Reflectivity of Cd3.xZnxAs2 Monocrystals.// Appl. Phys. Lett. In progress.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Кочура, Алексей Вячеславович, 2000 год

1. Arushanov Е.К. II3V2 Compounds and Alloys // Prog. Cryst. Growth Charact. 1992. V.25.P. 131-201.

2. Жданович В. Структура и свойства соеднений АПВУ // В. кн.: Физико-химия твердого тела. М. 1972 С. 72-116.

3. Houde D., Jandl S., Banville M., Aubin M. The Infrared Spectrum of Cd3As2 // Solid State Commun. 1986. V. 57. № 4. P. 247 248.

4. Kierski A. Termomagnetic effects in II V narrow - gap semiconducting compounds // Acta Phys. Pol. 1988. A73. № 2. P. 311 - 313.

5. Chakravarti A.N., Ghatak K.P., Ghosh K.K., Ghosh S. and Mukherjee H.M. Effect of Size Quantization on the Einstein Relation in Ultrathin Films of n Cd3As2 // Phys. Stat. Sol. (b). 1981. V. 108. № 2. P. 609 - 615.

6. Жалилов H.C. Получение и свойства тонких пленок полупроводниковых соединений А"Вуг И Автореф. Дис. на соиск. уч. степени канд. физ. мат. наук. Москва. 1993. 21 С.

7. Kolodka В., Misiewicz J. and Pawlikowski J.M. Optical Transitions in Zn3As2 Thin Films and Singl Crystals // Acta. Phys. Polon. 1982. A62. № 1 -2. P. 63 81.

8. Chelluri В., Chang T.Y., Ourmazd A., Dayem A.N., Zyskind J.L. and Srivastava A.// Appl.Phys.Lett. 49. 1665(1986).

9. Демиденко А.Ф., Даниленко Г.Н., Даниленко В.Е. и др. Теплоемкость и термодинамические свойства соединий А3В2// Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1977. Т. 13. №2. С. 214 -216.

10. Bartkowski К., Pompe G., Hegenbarth Е. Specific Heat of Single Crystalline Cd3As2, Cd3P2, and Zn3P2 at Low temperatures // Phys. Stat. Sol. 1989. (a). V. 111. № 2. P. kl65 kl69.

11. Cisowski J. Semimagnetic Semicondactors Based on II V Compounds // Phys. Stat. Sol. (b). 1997. V.200. №2. P. 311-350.

12. Несмеянов А.А., Иофе Б.З., Фирсов В.Г. Измерение давления насыщеного пара твердых сплавов методом радиоактивных индикаторов // Журнал физической химии. 1956. Т.ЗО. № 6. С. 1250-1257.

13. Wistmore J.B., Mann К.Н., Tickner A.W. Mass Spectrometric Study of the Nonstoichiometric Vaporization of Cadmium Arsenide // J. Phys. Chem. 1964. V.68. №3. P. 606-612.

14. Калевич E.C., Маренкин С.Ф., Пономарев В.Ф., Шевченко В.Я. Термическая диссоциация Cd3As2 // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1978. Т. 14. №11. С.1983-1985.

15. Лазарев В.Б., Шевченко В.Я., Гринберг Я.Х. и др. Полупроводниковые соединения AnBv // М. Наука. 1978. 256 С.

16. Pietraszko A., Lukaszewicz К. Thermal Expansion and Phase Transitions of Cd3As2 and Zn3As2 // Phys. Stat. Sol. (a). 1973. V.18. №2. P.723 -730.

17. Trzebiatowski W., Krolicki F., Zdanowicz W. Dilatometric Studies in the Semiconductor System Cd3As2 Zn3As2 // Bull. Acad. Polon. Sci. Ser. Sci. Chem. 1968. V.16. №7. P.343-346.

18. Zdanowicz W., Lukaszewicz K., Trzebiatowski W. Crystall Structure of the Semiconducting System Cd3As2 Zn3As2 // Bull. Acad. Polon. Sci. 1964. V.12. №3. P. 169-176.

19. Castellion G.A., Beegle. The Preparation and Properties of Cd3As2 and Zn3As2 Alloys// J. Phys. Chem. Sol. 1965. V.26. №4. P.767-773.

20. Naake H.J., Belcher C.S. Solid Solutions in the System Cd3As2 Zn3As2 // J. Appl. Phys. 1964. V.35. №10. p. 3064 - 3065.

21. Weglowski S., Lukaszewicz K. Phase Transitions of Cd3As2 and Zn3As2 // Bull. Acad. Polon. Sci. Ser. Sci. Chem. 1968. V.16. №4. P. 177-182.

22. Pietraszko A., Lukaszewicz K. The Crystall Structure of Zinc Arsenide Polimor-phic Modifications a Zn3As2 and a' - Zn3As2 // Bull. Acad. Polon. Sci. Ser. Sci. Chem. 1976. V.24. №6. P. 459-464.

23. Steigmann G.A., Goodvear J. The Crystall Structure of Cd3As2 // Acta Crystallographies 1968. B24. P. 1062-1067.

24. Глазов B.M., Касымова M. Плотность арсенидов цинка и кадмия в твердом и жидком состоянии и объемные изменения при их плавлении // Докл. АН СССР. 1968. Т. 183. №1. С. 141-143.

25. Якимович В.Н., Рубцов В.А., Трухан В.М. Фазовые равновесия в системе Zn-P-As-Cd // Известия РАН. Неорганические материалы. 1996. Т. 32. № 7.С. 799803.

26. Козлов С.Е., Лазарев В.Б., Максимова С.Е.и др. Исследование морфологии роста из газовой фазы монокристаллов МПХУ // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1977. Т.13. №10. С. 1729-1732.

27. Hupfer A., Hirsch D. Electron spectroscopic investigations (UPS, RELS, XPS, AES) of semicondutors // Acta. Univratise. Mat. fiz., astron., 1986. № 47. P. 153-161.

28. Silvey G.A. Zn3As2, a Semiconducting Intermtallic Compound // J. Appl. Phys. 1958. v29. №2. P. 226-227.

29. Угай Я.А., Зюбина T.A. Получение и исследование некоторых электрических свойств монокристаллов арсенида цинка // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1966. Т.2. №1. С. 9 -16.

30. Шевченко В.Я., Маренкин С.Ф., Пономарев В.Ф. Рост монокристаллов Zn3As2 из газовой фазы // Изв. АН СССР Неорганические материалы. 1977. Т.13.№10.С. 1898- 1899.

31. Kolodka В., Misiewicz J. and Pawlikowski J.M. Optical Transitions in Zn3As2 Thin Films and Singl Crystals. // Acta. Phys. Polon. 1982. A62. №1-2. P. 63 81.

32. Pigon K. Semiconducting Properties of Zinc Arsenide // Bull. Acad. Polon. Sci. Ser. Sci. Chem. 1961. V. 9. №11. P. 751 760.

33. Turner W.J., Fischler A.S., Reese W.E. Physical Properties of Several II V Semiconductors. Phys. Rev. 1961. V. 121. №3. P. 759 - 767.

34. Чуйко Г.П. Получение и исследование кинетических свойств арснида кадмия // Дис. На соиск. учен, степени к. ф. м. н. Кишинев. 1974. - 130 С.

35. Радауцан С.И., Арушанов Э.К., Натепров А.Н. Арсенид и фосфид кадмия // Кишинев: Штиинца. 1976. 112 С.

36. Угай Я.А., Зюбина Т.А. Получение и электрические свойства полупроводниковых поли- и монокристаллов CdAs2 и Cd3As2 // Изв. АН СССР Неорганические материалы. 1965. Т. 1. №6. С. 860 867.

37. Swiggard Е.М. Liquid Encapsulation Zone Refining (LEZOR) // J. Electrochem. Soc. 1967. V.114. №9. P. 976-977.

38. Hryby A., Petova J. Preparation of Cd3As2 and CdAs2 Crystals by Transport Reaction in Vapour Phase // Czech. J. Phys. 1971. 21B. №8. P. 890 895.

39. Rosemn J. Effect Shubnikov De Haas Dans Cd3As2: Forme de la Surface de Fermi et Modele non Paraboliquie de la Bande de Conduction // J. Phys. Chem. Sol. 1969. V. 30. №6. P. 1385 1402.

40. Weszka, Renucci M., Zwick A. Some Aspects of Raman Scattering in Cd3As2 Single Crystals // Phys. Stat. Sol. 1986. (b). V. 133. № 1. P. 57 64.

41. Арушанов Э.К., Лукьянова JT.H,, Маркус M.M. и др. Получение и свойства монокристаллов фосфида и арсенида кадмия // В кн.: Физика и химия сложных полупроводников. Кишинев. 1975. С. 18 38.

42. Lovett D. The Growth and Electrical Properties of Single Crystal Cd2As2 Platelets // J. Mat. Sei. 1972. №7. P. 388 392.

43. Арушанов Э.К., Князев А.Ф., Натепров A.H., Радауцан С.И. Явления переноса в арсениде кадмия, легированном элементами I и VI групп // ФТП. 1981. Т.15.Ж7.С. 1433 1436.

44. Bodnar J. Energy Band Structure of Cd3As2 Near k=0 on the Basis of Shubnikov-de Haas and Haas-van-Alphen Effects // Proc. Ill Int. Conf. Phys. Narrow Gap Semicond. Warsaw 1977. (Polish Scientific Publ. Warshaw 1978) P. 311 -316.

45. Rogers L.M., Jenkins R.M., Croker A.J. Transport and Optical Properties of the Cd3.xZnxAs2 Alloy System // J. Phys. D: Appl. Phys. 1974. V.4. P. 793 809.

46. Ito Т., Wada M., Iwami M. and Kawbe K. Two-Band and Impurity-Band Conduction in the Cd3.xZnxAs2 Alloy Crystals // J. Phys. Soc. Jap. 1977. V.43. №5. P. 1672- 1678.

47. Князев А.Ф. Явления переноса в р Cd3xZnxAs2 // Изв. Акад. Наук МССР. 1984. №2. С. 31-35.

48. Lubczynski J., Cisowski J. and Portal J.C. Shubnikov de Haas Effect in Cd3xZnxAs2 Alloys // Phys. Stat. Sol. 1990. (a). V. 120. № 2. P. 525 - 529.

49. Угай Я.А., Зюбина Т.А., Малыгин Е.А. Электрические параметры монокристаллов твердых растворов Cd3xZnxAs2 // Изв. Ан СССР. Неорганические материалы. 1966. Т.2. № 1. С. 17-20.

50. Лашкул В., Цисовски Я., Арушанов Э.К., Князев А.Ф. Влияние гидростатического давления на концентрацию и подвижность электронов в Cd3xZnxAs2 // ФТП. 1989. Т.23. №8. С. 1406-1410.

51. Радауцан С.И., Князев А.Ф., Маркус М.М., Натепров А. Н. Зонные параметры тведых растворов арсенид кадмия арсенид цинка // V Всес. Координационное совещание по полупроводниковым соединениям АПВУ. Душанбе. 1982. М. 1982. С. 14.

52. Blom F.A.P., Gelten M.J. Electrical Transport Properies of Cadmium Arsenide with Low Concentrations // Proc. Int. Conf. Phys. Narrow-GapSemicond. Warsaw. 1977 (Polish Scientific Publ. Warsaw. 1978). P. 257 262.

53. Lin-Chung P.J. Energy Band Structures of Cd3As2 and Zn3As2 // Phys. Rev. 1969. V. 188. №3. P. 1272- 1280.

54. Bodnar J. Energy Band Structure of Cd3As2 Near k=0 on the Basis of Shubnikov-de Haas and Haas-van-Alphen Effects // Proc. Ill Int. Conf. Phys. Narrow Gap Semicond. Warsaw 1977 (Polish Scientific Publ. Warshaw 1978). P. 311-316.

55. Полыгалов Ю.И., Журавлева JI.B. Зонная структура Cd3As2 // Ред. ж. Изв. Вузов. Физ. Томск. 1997. деп. в ВИНИТИ 07.05.97. №1491 В97.

56. Szatkowski J., Sieranski K. Electronic Energy Levels of an Ideal Vacancy in II3V2 compounds // Solid St. Comm. 1995. V. 93. №7. P. 595-598.

57. Sieranski K., Szatkowski J., and Misiewicz J. Semiempirical tight-binding band structure of II3V2 Semiconductors: Cd3P2, Zn3P2, Cd3As2 and Zn3As2 // Phys. Rev. B. 1994. V.50. №11. P. 7331-7337.

58. Шевченко В.Я., Дворянкин В.Ф., Гончаренко Г.И. и др. Эффект Холла при высоких температурах в Cd3As2 // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1969. Т.5. №11. С. 2015-2017.

59. Nasledov D.N., Shevchenko V.Ya. Semiconducting AnBv Compounds // Phys. Stat. Sol. (a). 1973. V.15. №1. P. 3-38.

60. Zdanowicz W., Zdanowicz L. Semiconducting Compounds AnBv Group -Propeties and Applications // Ann. Rev. Mat. Sei. 1975. №5. P. 301 323.

61. Lovett D.R. Semimetals and Narrow Band Semiconductors // London. Pion Limited. 1977. 256 P.

62. Turner W.J., Fischer A.S., Reese W.E. Electrical and Optical Propeties of the II-V Compounds //J.Appl. Phys. Suppl. 1961. V.32. №10. P. 2241-2245.

63. Blom F.A.P., Scharama J.T. On the Conduction Band Structure and Scattering Mechanism in Cd3As2 // Phys. Let. 1969. V.30A. №4. P.245 246.

64. Aubin M.J., Caron L.G., Jay-Gerin J.-P. Band Structure of Cadmium Arsenide at Room Temperature // Phys. Rev. B. 1977. V.15. №18. P.3872 3878.

65. Caron L.G., Jay-Gerin J.-P., Aubin M.J. Energy Band Structure of Cd3As2 at Low Temperature and Dependence of the Direct Gap on Temperature and Pressure // Phys. Rev. B. 1977. V.15. №18. P.3879 3887.

66. Radautsan S.I., Arushanov E.K., Chuiko G.P. The Conduction Band of Cadmium Arsenide // Phys. Stat. Sol. (a). 1973. V.20. P. 221 226.

67. Blom F.A.P. Anisotropy of the Fermi Surface of Cadmium Arsenide // Proc. I Int. Conf. Phys. Chem. II-V Compounds. Mogilany. 26-30 September. 1980. Eindhoven. 1980.P.51-57.

68. Aubin M.J., Truong A.T. Scattering in High-mobility Cd2,8Zn0;2As2 // Phys. Stat. Sol. (a). 1972. V.13. №1. P.217-222.

69. Арушанов Э.К., Князев А.Ф., Натепров A.H., Радауцан С.И. Зонные параметры арсенида кадмия // ФТП. Т.15. №9. С.1839-1841.

70. Gelten M.J., van Es С.М., Blom F.A.P, Jongeneelen J.W.F. Optical Verification of the Valence Band Structure of Cadmium Arsenide // Solid St. Comm. 1980. v.33. P.833 836.

71. Haidemenakis E.D., Mavrodies J.G., Dresselhaus M.S., Kolesar D.E. Observation of Interband Transitions in Cd3As2 // Solid St. Comm. 1966. V.4. №1. P. 65 68.

72. Bhola V.P. Thermoelectance Spectra of Cd3As2 // J. Phys. Chem. Sol. 1977. V.38. №11. P.1237 1238.

73. Doi H., Fukuroi Т., Fukase Т., Muto V. et al. The Haas van Alphen Effect in n-Type Cd3As2 // Sci. Rep. Inst. Tokyo Univ. 1960. A20. P. 190 - 200.

74. Лукьянова JI.H. Получение и исследование твердых растворов арсенид кадмия фосфид кадмия // Дис. на соиск. уч. степени канд. физ. - мат. наук. Кишинев. 1981. -132 С.

75. Арушанов Э.К. и др. Влияние гидростатического давления на электрические свойства твердых растворов арсенид кадмия фосфид кадмия // Изв. АН МССР. Сер. физ - техн. и мат. н. 1989. №3. С. 63 - 64.

76. Aubin M.J., Rambo A. Shubnikov de Haas Type Oscillations in the Optical Transmission of higly doped Cd3As2 // Solid State Commun. 1979. V. 30. № 5. P. 297-300.

77. Chakravarti N., Ghatak K.P., Ghosh K.K., Ghosh S. and Mukherjee H.M. Effect of Size Quantization on the Einstein Relation in Ultrathin Films of n Cd3As2 // Phys. Stat. Sol. (b). 1981. V. 108. № 2. P. 609 - 615.

78. Singh, Leotin J., Wallace P.R. Theory of the Diffusivity Mobility Ratio in Cadmium Arsenide//Phys. Stat. Sol. (b). 1983. V. 115. № 1. P. 105 - 113.

79. Ghatak P., Chattopadhyay N., Mondal M. The Einstein Relation in Kane type semiconductors // J. Appl. Phys. 1988. V. 63. № 9. P. 4536.

80. Соболев B.B., Козлов А.И., Князев А.Ф. и др. Спектры отражения Cd3As2, Zn3As2, Cd3P2, Zn3P2 // V Всес. Координационное совещание по полупроводниковым соединениям AnBv. Душанбе. 1982. М. 1982. С. 111.

81. Gelten M.J., van Es С.М. Far Infrared Optical Properties of Cd3P2 and Cd3As2 // Proc. 4th Int. Conf. Phys. Narrow Gap Semicond. Linz. 1981. P.211-215.

82. Weszka J., Renucci M., Zwick A. Raman Scttering in cadmium Arsenide Thin Films // Acta Phys. Polon. 1986. V. A69. № 5. P. 881 883.

83. Jandl S., Desgreniers S., Carlone C., Aubin MJ. The Raman Spectrum of Cd3As2 // J. Raman. Spectrosc. 1984. V. 15. № 2. P. 137 139.

84. Hupfer A., Hirsch D., Schulce S. Photoemission on А "в У Semiconductor Material: Cd3As2, Zn3As2, Cd3P2, Zn3P2 Crystals and Thin Films // Phys. Stat. Sol. (b). 1989. V.152. №2. P. 505 517.

85. Schulze S., Hupfer A., Hirsch D., Zdanovicz L. Photoemission Studies (UPS, XPS) of Ultra High Vcuum Deposited Cd3As2 and Zn3P2 Thin Films // Acta Phys. Polon. V. A75. № 5. P. 667 - 673.

86. Hupfer A., Schulze S., Hirsch D., Zdanovicz L. Surface Preparation of AljBj semiconductors (Cd3As2, Zn3As2, Cd3P2, Zn3P2) under ultra high vacuum conditions // Cryst. Res. And Technol. 1987. V. 22. №7. P. 911 - 922.

87. Varga B.B. Coupling of Plasmons to Polar Phonons in Degenerate Semiconductors//Phys.Rev.A. 1965. V.137. P. 1896-1902.

88. Pigon K. Semiconducting Properties of Zinc Arsenide // Bull. Acad. Polon. Sci. Ser. Sci. Chem. 1961. V. 9. №11. P. 751 760.

89. Pawlikowski J.M., Misiewicz J., Sujak-Cyrul B. and Wrobel J. Absorption Edge of Zn3As2 at 5,8 and 300 К // Phys. Stat. Sol. (b). 1979. V. 92. №3. kl23 kl25.

90. Misiewicz J. and Pawlikowski J.M. Optical Band-Gap of Zn3As2 I I Solid St. Comm. 1979. V. 32. №8. P.687-690.

91. Маренкин С.Ф., Жалилов H.C., Мудрый A.B., Патук А.И., Шакин А.И. Оптические свойства монокристаллов и пленок полупроводникового соединения Zn3As2 // Изв.АН СССР. Неорганические материалы. 1992. Т.28. №10. С.2045-2047.

92. Pangilinan G., Sooryakumar R., Chelluri В., Chang T.Y. New Long Range Atomic Order and Hteroepitaxy of Single Crystal Zn3As2 // Phys. Rev. Lett. 1989. V. 62. №5. P. 551 - 554.

93. Weszka J., Zwick A., Renucci M. Raman Scattering in a Zn3As2 Crystals // Acta. Phys. Polon. 1990 V. A77. № 1. P. 363 - 365.

94. Chelluri В., Chang T.Y., Ourmazd A., Dayem A.H., Zyskind J.L., Srivastava A. // J. Cryst. Growth. 81. 530 (1987).

95. Aubin M.J., Portal J.C. Shubnikov-de Haas Oscillations in Cd3.xZnxAs2 Alloys // Solid St. Comm.l981.V.38. P.695-702.

96. Cisowski J., Zdanowicz W. Pressure and Temperature Dependence of the Holl Coefficient in Cd3.xZnxAs2 Solid Solutions // Phys. Stat. Sol. (a). 1977. V.41. №1. P. K59-K62.

97. Арушанов Э.К., Натепров A.H., Князев А.Ф., Мощалков В.В. Эффект Шуб-никова де Гааза в твердых растворах Cd3xZnxAs2 // в кн: "Многокомпонентные полупроводниковые материалы" (ред. С.И.Радауцан). Штиинца. Кишинев. 1985. С. 10-15.

98. Caron L.G., Aubin M J. and Jay-Geren J.-P. Electron Mobility in Cd3.xZnxAs2 alloys // Sol. State Com. 1977. V. 23. №7. P. 493 498.

99. Арушанов Э.К., Губанова A.A., Князев А.Ф., Лашкул A.B., Лисунов К.Г., Сологуб В.В.//ФТП. 22. 338 (1985).

100. Пб.Князев А.Ф., Натепров А.Н. Температурная зависимость фотопроводимости в Cd3.xZnxAs2 // Изв. АН МССР. № 3. 1993. С. 42 44.

101. Князев А.Ф. Фотопроводимость твердых растворов арсенид кадмия арсе-нид цинка // в сб. "Ультразвук и термодинамические свойства вещества". Курск. 1993. С. 42 - 44.

102. Aubin M.J., Cloutier J.P. La thermore'flectance des alliages Cd3xZnxAs2 // Can. J.Phys. 1975. v.53.№ 17. P. 1642-1645.

103. Князев А.Ф. Долговременная релаксация фотопроводимости в Cd3.xZnxAs2 // в сб. «Проблемы и прикладные вопросы физики». Саранск. 1993. С. 69.

104. Крискунов Л.З. Справочник по основам инфракрасной техники // М. Сов. Радио. 1979. 400 С.

105. Виноградов Е.А., Хаммадов И.И. Спектроскопия объемных и поверхностных фононов кристаллов // Ташкент. "ФАН" Узбекской ССР. 1989. 168 С.

106. Ж.Физ.Хим. 61 (1987) 2319.

107. Неорг. Матер. 33 (1987) 1423.

108. Нипан Г.Д., Гринберг Я.Х., Лазарев В.Б. Тензиметрические исследования сублимации Cd3As2 // Ж. Физ. Химии. 1989. Т. 63. №2. С. 325 328.

109. Глазов В.М., Лазарев В.Б., Жаров В.В. Фазовая диаграмма простых веществ //М. Наука. 1980. 276 С.

110. Misiewiz J., Wrobel J.M., Clayman B.P. Lattice Modes of Zn3P2 // Solid State Commun. 1988. V. 66. № 7. P. 747 750.

111. Тауц Я. Оптические свойства полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра // М. Мир. 1967. 73 С.

112. Bowlden H.J., Wilmshurst J.K. Evaluation of the One-Angle Reflection Technique for the Determination of Optical Constants // J.Opt.Soc.Am. 1963. V. 53. P. 1073-1078.

113. Gottlieb M. Optical properties of Lithium Fluoride in the Infrared // J.Opt.Soc.Am. 1960. V.50. P. 343 349.

114. Jahoda F,C. Fundamental Absorption of Barium Oxide from its Reflectivity Spectrum // Phys. Rev. 1957. V. 10. P. 1261 1265.

115. Thomas D.G., Hopfield J.J. Exition Spectrum of Cadmium Sulfide // Phys. Rev. 1959. V. 116. P. 573 -582.

116. Белоусов M.B., Погарев Д.Е. Дисперсионный анализ сложных спектров отражения // Оптика и спектроскопия. 1975. Т. 38. С. 1018 1020.

117. Виноградов Е.А., Водопьянов JI.K. Силы осцилляторов в смешанных кристаллах полупроводниковых соединений AnBv // ФТТ. 1975. Т. 17. С. 3161 -3166.

118. Князев А.Ф. Получение и исследование твердых растворов арсенид кадмия арсенид цинка // Автореф. Дис. на соиск. уч. степени канд. физ. - мат. наук. Кишинев. 1982. 16 с.

119. Нипан Г.Д., Гринберг Я.Х., Лазарев В.Б. и др. // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1989. Т. 25. №12. С. 1947 1953.

120. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках // М. Физмат-гиз. 1963.

121. Сандомирский В.Б., Ждан А.Г., Мессерер М.А., Гуляев И.Б. Механизм замороженной (остаточной) проводимости полупроводников // ФТП. 1973. Т. 7. № 7. С 1314-1321.

122. Шейнкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость // ФТП. 1976. Т. 10. №. 2. С. 209-233.

123. Maksimov М.Н., Vassilev L.V., Besedin Yu.G., and Dyakov T. Deep levels and persistent conductivity effects in undoped p-type PbTe films // Infrared Phys. 1991. V.31. №2. P. 199-205.