Разработка и исследование микромощных электронных регуляторов для систем телекоммуникаций тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.12.13, кандидат технических наук Воробьева, Светлана Владимировна

• Воробьева, Светлана Владимировна
• кандидат технических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат технических наук Воробьева, Светлана Владимировна

Введение

1. Состояние и перспективы разработок микромощных функциональных узлов для ТКС

1.1 Микромощный режим в схемах электронной аппаратуры \ \

1.2 Требования к функциональным узлам аналоговых и цифровых систем iз

1.3 Классификация электронных регуляторов

1.4 Особенности работы биполярных (БТ) и полевых (ПТ) транзисторов в микромощном режиме 1 ^

1.5 Основные направления в исследованиях элементной базы

1.6 Обзор программных средств разработки и исследования электронных устройств

1.7 Анализ моделей полевых транзисторов

1.7.1 Анализ электрических моделей 3 \

1.7.2 Анализ математических моделей

§

Обзор научных и учебных работ, посвященный вопросам ^ микромощной электроники

1.9 Выводы и постановка вопросов дальнейших исследований

2. Анализ свойств полевых транзисторов в микромощном режиме

2.1 Постановка задач исследований

2.2 Сравнение теоретических и экспериментальных характеристик ПТ

2.3 Методика определения значений смодулированных сопротивлений

2.4 Анализ нелинейных свойств ПТ

2.5 Исследование частотных свойств ПТ

2.6 Исследование температурной стабильности параметров ПТ

2.7 Уточнение шумовых свойств ПТ

2.8 Анализ быстродействия ПТ

2.9 Выводы по главе

3 Анализ микромощных электронных регуляторов

3.1 Электронные регуляторы коэффициента усиления

3.1.1 Постановка задач исследований

3.1.2 Особенности регулировки коэффициента передачи изменением проводимости канала ПТ в крутой области ВАХ

3.1.3 Анализ нелинейных искажений микромощных электронных ^ регуляторов

3.1.4 Метод снижения нелинейных искажений, вносимых ПТ, в области, gg близкой отсечке

3.2 Исследование устройств с регулируемыми параметрами АЧХ

3.2.1 Общие замечания

3.2.2 Сравнительный анализ элементов перестройки ARC-цепей

3.2.3 Повышение идентичности характеристик управления

3.3 Исследование управляемых устройств генерации

3.4 Программируемые цифровые АРУ iqq

3.5 Исследование микромощных аналоговых и цифровых ключей jq3 3.5.1 Анализ показателей качества ключей на ПТ Ю

3.6 Выводы по главе i ю

4 Анализ оригинальных схемотехнических решений узлов и устройств ^^ с регулируемыми параметрами

4.1 Электронный регулятор с термостабильным коэффициентом ^^ передачи

4.2 Перестраиваемый активный фильтр

4.3 Функциональный перемножитель на ПТ

4.4 Выводы по главе

5 Проектирование функциональных узлов и устройств на ПТ

5.1 Общие замечания

5.2 Машинный анализ ФУ систем телекоммуникаций

5.3 Методики расчета характеристик и элементов микромощных ^9 электронных регуляторов

5-4 Расчет амплитудной характеристики электронного регулятора ^^ методом Монте-Карло

5.5 Алгоритмы расчета компандерной системы

5.6 Выводы по главе

Рекомендации по применению электронных регуляторов на основе ^^ полевых транзисторов для ТКС

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка и исследование микромощных электронных регуляторов для систем телекоммуникаций»

В электронных устройствах телекоммуникационных систем (ТКС) часто возникает необходимость в регулировках коэффициента передачи, частоты и других параметров. Электронные регуляторы являются основным узлом во многих аналоговых устройствах. Они позволяют осуществлять дистанционную электронную регулировку коэффициента передачи усилителей, электронную регулировку частот среза фильтров, электронную коррекцию частотных характеристик, электронную перестройку частоты генератора, амплитудную и частотную модуляцию генератора и т.п. В цифровой технике распространены логические элементы на основе ключей, которые можно рассматривать как частный случай электронных регуляторов, у которых коэффициент передачи принимает только два значения: максимальный и минимальный. Так как основными качественными показателями электронных регуляторов являются динамический диапазон, линейность вольт-амперных характеристик (ВАХ), величина частотных и нелинейных искажений, быстродействие, то важной задачей исследований является улучшение этих показателей.

Большой объем передаваемой информации и высокие скорости передачи предъявляют новые требования к качеству телекоммуникационных систем. Важнейшими показателями, определяющими качество аппаратуры являются потребляемая мощность, масса, объем, стоимость. Все данные показатели являются функциями уровня миниатюризации. Уменьшение каждого из этих показателей соответствует повышению качества аппаратуры.

Аппаратура ТКС отличается сложностью и разнообразием функций и состоит из большого количества взаимодействующих элементов. Проблема микроминиатюризации находится в прямой зависимости от решения вопросов снижения потребляемых и рассеиваемых мощностей радиоэлектронными схемами. Полная мощность, подводимая к кристаллу больших интегральных микросхем (БИС), определяется мощностью, потребляемой одним элементом, и числом элементов, расположенных на этом кристалле. Характеристики же электронных устройств ТКС определяются прежде всего характеристиками составляющих их элементов, т.е. элементной базой.

Увеличение функциональной плотности аппаратуры связано с решением как чисто технологических задач по микроминиатюриазации аппаратуры, так и с решением вопросов по созданию схем, способных работать при значительно более низких уровнях мощности.

Современное схемотехническое проектирование уже невозможно без машинного расчета и проектирования электронных схем. Преодоление полупроводниковой технологией 0,18-микрометрового рубежа предъявляет новые требования к системам моделирования ИМС. Теперь даже при моделировании цифровых ИМС требуются Spice-подобные программы детального схемотехнического моделирования с применением точных моделей полупроводниковых приборов. Экстракция Spice-параметров моделей является важным этапом в получении адекватных и достоверных моделей полупроводниковых приборов, функциональных узлов. Основным противоречием, которое преодолевается при разработке модели, является противоречие между точностью и сложностью.

На решение перечисленных выше задач направлено диссертационное исследование.

Цель работы

Цель диссертационной работы состоит в решении важной научно-технической проблемы по улучшению технических характеристик телекоммуникационных систем путем разработки и исследования новых схемотехнических решений электронных регуляторов.

Задачи исследований:

1. Проведение сравнительного анализа элементной базы различного типа для синтеза электронных регуляторов.

2. Исследование факторов, влияющих на основные характеристики и параметры микромощных электронных регуляторов.

3. Разработка схемотехнических решений широко применяемых функциональных узлов (ФУ) с регулируемыми параметрами, с улучшенными техническими характеристиками и исследование их свойств.

4. Разработка методик расчета предложенных аналоговых и цифровых узлов и устройств для ТКС.

5. Разработка рекомендаций по применению результатов работы при проектировании аппаратуры телекоммуникаций.

Методы исследования:

В работе используются методы теории линейных электрических цепей, математической статистики, моделирования.

Научная новизна:

- уточнены элементы теории электронных регуляторов на полевых транзисторах (ПТ), предложено учитывать смодулированные сопротивления ПТ; разработана методика определения значений этих сопротивлений, позволяющая повысить точность расчета регулировочных характеристик электронных регуляторов;

- уточнена теория микромощных усилителей: предложены аналитические выражения для расчета коэффициентов нелинейных искажений по различным гармоникам, а также для расчета Y-параметров на высоких частотах и тепловых шумов канала полевых транзисторов, учитывающие смодулированные сопротивления и позволяющие повысить точность математического описания устройств и узлов для телекоммуникационных систем;

- предложен метод уменьшения нелинейных искажений, вносимых полевыми транзисторами в области вольт-амперной характеристики (ВАХ), близкой к отсечке, обеспечивающий существенное снижение коэффициента гармоник электронных регуляторов. и нелинейных компьютерного

Практическая ценность:

1. Предложены новые схемотехнические решения широко применяемых функциональных узлов с регулируемыми коэффициентом передачи и квазирезонансной частотой, имеющие улучшенные технические характеристики по сравнению с аналогами, защищенные патентами на полезную модель и изобретение.

2. Получены математические модели микромощных функциональных узлов ТКС на основе полевых транзисторов в режиме управляемого сопротивления, позволяющие повысить точность расчетов основных характеристик аналоговых и цифровых схем телекоммуникаций.

3. Сформулированы рекомендации по применению микромощных устройств и узлов на основе полевых транзисторов для телекоммуникационных систем.

Результаты диссертационной работы включены в госбюджетные НИР по темам «Математическое моделирование полевых транзисторов для микросхем ультравысокой и гигантской степени интеграции», «Исследование микромощных функциональных узлов для телекоммуникационных систем», хоздоговорной НИР «Разработка и исследование электрически регулируемого усилителя напряжения для датчиков электрических и неэлектрических величин», а также внедрены метод термостабилизации передаточных характеристик в электронных регуляторах (НИИ Автоматики и Силовой Электроники), методы учета параметров полевых транзисторов в электрически регулируемом усилителе напряжения при расчете и проектировании датчиков электрических и неэлектрических величин (ОАО "Силовая электроника Сибири"); в учебный процесс при изучении дисциплин «Электроника», «Схемотехника аналоговых устройств» в форме лабораторных работ, а также в учебные пособия «Микросхемотехника и наноэлектроника» ч.1, «Классическая электроника и наноэлектроника», получившие гриф УМО по образованию в области телекоммуникаций по направлению подготовки дипломированных специалистов 210400-«Телекоммуникации».

Апробация работы:

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на:

1. Международных и Российских научно - технических конференциях «Информатика и проблемы телекоммуникаций» (Новосибирск, 2003, 2004, 2005, 2006, 2007 г.г.).

2. Международных научно-технических конференциях «Перспективы развития современных средств связи и систем телекоммуникаций» (Томск,2003 г., Иркутск, 2004 г., 2006 г., Екатеринбург, 2005 г.)

3. Международной научно-практической конференции «Электронные средства и системы управления» (Томск, 2005 г.)

4. Международных научно-технических конференциях EDM (Эрлагол, 2004,2005, 2006 гг), «Проблемы современной электротехники» (Киев, 2008 г)

5. Научных семинарах кафедры технической электроники СибГУТИ, Новосибирск, 2003-2008 г.г.

Публикации

По материалам диссертации опубликовано 23 печатные работы, в том числе патент на полезную модель и патент на изобретение, результаты работы отражены в отчетах по госбюджетным и хоздоговорным НИР.

Объем работы

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы и приложений. Диссертационная работа содержит 172 страницы, в том числе 65 рисунков, 6 таблиц, 12 страниц списка литературы, включающего 138 наименования и 6 страниц приложений.

Заключение диссертации по теме «Системы, сети и устройства телекоммуникаций», Воробьева, Светлана Владимировна

Основные результаты, изложенные в диссертационной работе, получены автором лично. В печатных работах, выполненных в соавторстве, соискателю принадлежат следующие результаты:

- в [108,114] разработана методика определения значений немодулированных сопротивлений полевого транзистора; в [99,100,103,110,112,116,118,135,138] предложены оригинальные схемотехнические решения микромощных функциональных устройств для телекоммуникационных систем на полевых транзисторах и проведено их экспериментальное исследование;

- в [101,105,109,108,113,115] проведены экспериментальные исследования нелинейных искажений, частотных характеристик и температурных свойств ПТ и устройств на их основе; предложены уточненные аналитические выражения для их определения и методы улучшения технико-экономических показателей.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Воробьева, Светлана Владимировна, 2008 год

1. Современная электроника, №2, 2006 www.soel.ru

2. D.L.Critchlow, "MOSFET Scaling-The Driver of VLSI Technology"/ Proceedings of the IEEE, April 1999.-Vol.87, N0.4, P.659 3.. H.-C.P.Wong, DJ.Frank et al., "Nanoscale CMOSTProceedings of the IEEE, April 1999.-Vol.87,NO,4,P.537

3. B.Davari, R.H.Dennard, and G.G.Shahidi/'CMOS scalling. The next ten years," /Proc.IEEE, 1995.-Vol.83,P.595.

4. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов: в 2-хч. Ч.1.-М.: Техносфера, 2002-240 с.

5. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов: В 2-хч. Ч.2.-М.: Техносфера, 2004-267 с.

6. Игумнов Д.В. Основы микромощной электроники: учеб. пособие, МИРЭА, 1974.

7. Микромощная электроника / под ред. Е.И. Гальперина. М.:Советское радио, 1967.

8. Валиев К.А., Дягилев В.Н., Лебедева В.И., Лубашевский. А.В. Микромощные интегральные схемы. М.: Сов.радио, 1975.

9. Игумнов Д.В., Терехов В.А., Фролов В.Н. МОП-транзистор - функциональный микромощный прибор // Известия вузов: серия Приборостроение.- 1976.- Т. 19, N12.- 82 - 84. II. Игумнов Д.В., Николаевский И.Ф. Транзисторы в микрорежиме. М.: Сов. радио, 1968.

10. Агаханян Т.М. Зависимость тока рекомбинации-генерации и коэффициента инжекции электронно-дырочного перехода от напряжения прямого смещения // Радиотехника и электроника- 1966- Т.11, № 2 - 291

11. Алексенко А.Г. Основы микросхемотехники. М.: Сов.радио, 1971.

12. Лебедев В.И. Особенности транзисторных схем в микрорежиме. //Радиотехника и электроника, 1965- Т.Х, № 5 - 903

13. Лебедев В.И. Запас помехоустойчивости интегральных микросхем // В кн.: Применение полупроводниковых приборов в технике электросвязи/, под ред. И.Ф.Николаевского.-М.: Связь, 1970.-Вып.5.

14. Ильин В.Н., Сонин М.С. МОП-транзисторы и их применение в импульсных схемах //В кн.: Полупрводниковые приборы и их применение/ под ред. Я.А.Федотова. М - Сов. Радио, 1967.-Вып.18.

15. Карамзинский А.Н. Линейные резисторы на основе МДП-транзисторов для интегральных схем // В кн.: Микроэлектроника/ под ред. В.Ф. Лукина. М — Сов.радио, 1968.-Вып.2.

16. MicroSim Pspice A/D. Circuit Analysis References Vanual. Ver.6.2. MicroSim Corporation. California, 1995-43 lp.

17. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования и проектирования печатных плат Design Center PSpice.-M.: СК Пресс, 1996.

18. Архангельский А.Я. PSpice и Design Center 4.1. Схемотехническое моделирование. -М.:МИФИ, 1996.

19. Архангельский А.Я. PSpice и Design Center. 4.2. Модели цифровых и аналого- цифровых устройств. Идентификация параметров моделей. Графические редакторы. -М.:МИФИ, 1996.

20. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования и проектирования печатных плат Design Center (PSpice).-M.:CK Пресс, 1996.

21. Разевиг В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств Design Lab 8.0-М.: Солон, 1999. - 698с.

22. Shokley W. A unipolar field-effect transistor // Proc. IRE.- 1952.- V.40, nov. P.1365-1376.

23. Попов B.H. Формальная аппроксимация вольт-амперных характеристик полевых транзисторов // Радиотехника и электроника- 1966- Т. 11.- 2628.

24. Кобболд Р. Теория и применение полевых транзисторов/ пер.с англ. В.В. Макарова.-Л.:Энергия, 1975.

25. Кроуфорд Р. Схемные применения МДП-транзисторов.-М.: Мир, 1970.

26. Antognetti P., Massobrio G. Semiconductor devise modeling wits SPICE. McGraw-Hill, Inc.New York, 1988.

27. Curtice W.R. GaAs MESFET Modeling and Nonlinear CAD//IEEE Transistors on Microwave theory and techniques.- 1988.-V.36, №2.- P.220-230.

28. Curtice W.R. A MESFET model for use in the design of GaAs integrated circuit //IEEE Transistors on Microwave theory and techniques- 1980.- MTT-28-P.448-456.

29. Greenfield J.D. Practical transistors and linear integrated circuits.- New York et al: Wiley, 1998.-XIV.-686p.

30. Shihman H, Hodges D.A. Modeling and Simulation of insulated-gate field-effect transistors switching circuits// IEEE journal of solid-state circuits. Sept. 1968 — V.SC-3.-P.285.

31. Pierret J.R. A MOS parameter extraction program for the BSIM model. Memorandum № M84/99 and M84/100. University of California, Berkeley, November 1984.

32. Дьяконов В. П., Максимчук А. А., Ремнев А. М., Смердов В. Ю. Энциклопедия устройств на полевых транзисторах.-М.:Солон-Р, 2002

33. Севин Л.Д. Полевые транзисторы / пер. с англ. под ред. Е.З. Мазеля -М.: Сов. Радио, 1967.

34. Ричман П. Физические основы полевых транзисторов с изолированным затвором / пер. с англ. под ред. Г.Г. Смолко- М.: Сов. Радио, 1971

35. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Радио и связь, 1990. - 264 с.

36. Гозлинг В. Применение полевых транзисторов, пер. с англ.-М.: Энергия, 1970.

37. Гуртов В.Н. Полевые транзисторы со структурой МДП.-М.: Радио и связь, • 1984.

38. Бладовский Р. Свойства и применение МОП транзисторов: ГПНТБ: науч.- техн. пер. 343/344-Новосибирск, 1968.

39. Рындин Е. А, Коноплев Б. Г. Субмикронные интегральные схемы: элементная база и проектирование- Таганрог: Изд.-тво ТРТУ, 2 0 0 1 - 147 с.

40. Абрамов И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. I. Основные положения // Нано- и микросистемная техника- 2006- № 8 - 34—37.

41. Абрамов И. И., Харитонов В. В. Проблемы моделирования элементов кремниевых интегральных схем //Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника-1991.-Вып. 5.-С. 3—9.

42. Денисенко В.В. Моделирование МОП транзисторов. Методологический аспект //Компоненты и технологии- 2004- №8.

43. Cheng Y., Ни MOSFET modeling & BSIM3 user guide // Kluwer Academic Publishers.- 1999.-461 p.

44. Liu S. A unified CAD model for MOSFETs // ERL Memorandum N6. UCB/ERL M81/31, University of California, Berkeley.

45. Chua L. O., Deng A. Canonical piecewise linear modeling // IEEE Transactions on Circuits and Systems.- 1986.-Vol. 33, N 5.- P. 511-525.

46. Chua L. O., Deng A. Canonical piecewise linear representation // IEEE Transactions on Circuits and Systems.- 1988.- Vol. 35, N 1.- P. 101-111.

47. Angelov I., Rorsman N., Stenarson J., Garcia M., Zirath H. An Empirical Table- Based FET Model // IEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. December 1999.-Vol. 47, N 12.-P.2350-2357.

48. Acar E., Dartu F., Pileggi L. Т. TETA: Transistor-level vawe-form evaluation for timing analysis // IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems: May, 2002.- Vol. 21, N 5.- P. 605-616.

49. Денисенко В. В. Проблемы схемотехнического моделирования КМОП СБИС//Компоненты и технологии.-2002.-№ 3.- 74-78; 2002.- №4.- 100-107.

50. Полевые транзисторы. Физика, технология и применение / пер. с англ. под ред. А.Майорова. - М.: Сов. радио, 1971. - 376 с.

51. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем.- 4-е изд. Перераб. и доп. - М.: Энергия, 1977. - 672 с.

52. Шур М.Физика полупроводниковых приборов: в 2-х кн. М.: Мир, 1992

53. Зи Физика полупроводниковых приборов: в 2-х кн. Кн.1. пер. с англ.- 2-е изд. перераб. и доп. - М.:Мир, 1984.

54. Зи Физика полупроводниковых приборов: в 2-х кн. Кн.2. пер. с англ.- 2-е изд. перераб. и доп.-М.:Мир, 1984

55. Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. - М.: Советское радио, 1970.-592 с.

56. Горохов В.А., Качала Н.Н. Полупроводниковые приборы и их применение- М.: 1969.-вып. 22.-С.260-275.

57. Игумнов Д.В., Громов И.С. Эксплуатационные параметры и особенности применения полевых транзисторов- М: Радио и связь, 1981.

58. Игнатов А.Н. Полевые транзисторы и их применение- М.: Радио и связь, 1984.

59. Игнатов А. Н. Микроэлектронные устройства связи и радиовещания — Томск: Радио и связь, 1990.

60. P.Ko,"I(V) characteristics of submicron MOSFETs," ch. 1 in Advanced MOS Device Physics, N.G. Einspruch, E d - N e w York, Academic Press, 1989.

61. C.M.Osburn, K.R.Bellur,"Low parasitic resistance contaets for scaled ULSI devices", Thin Solid Films.- 1998.- V.332 - p.428-436.

62. Бачурин В.В., Бельков А.К., Политанский Л.Ф. Оценка распределенного сопротивления областей истока в мощном ЦМОП-транзисторе // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. Вып. 5(178), 1985.-с. 3

63. Huang C.J., Thorbjomsen A.R. A SPICE modeling technigue for GaAs MESFET 1С s // IEEE Trans. On Electron. Dev.-1985.- Vol.ED-32, №5.-P.996.

64. Банди Б. Методы оптимизации(вводный курс).- М.:Радио и связь, 1988.-37 с.

65. Fukui Н. Determination of the basic device parameters of the GaAs MESFET//B.S.TJ. - 1979. - V.58, № 3. - P.771-797.

66. Фадеева Н.Е. Уточненные модели полевых транзисторов и определение их параметров // труды 5 междунар. конф. «Актуальные проблемы электронного приборостроения» АПЭП-2000: Новосибирск, 2000-Т.2.

67. Фадеева Н.Е. Проектирование устройств телекоммуникаций на основе уточненных моделей полевых транзисторов // Информатика и проблемы телекоммуникаций: тез. докл. на рос. НТК — Новосибирск, 2000.

68. Лачин В.И., Савелов И.С Электроника: учеб. пособие- 4-е изд. - Ростов на Дону: Феникс, 2004 - 576 с.

69. Носов Ю.Р. и др. Математические модели элементов интегральной электроники. - М.:Советское радио, 1976- 304 с.

70. Валиев К.А., Кармазинский А.Н., Королев М.А. Цифровые интегральные схемы наМДП- транзисторах-М.: Советское радио, 1971 -384 с.

71. Моделирование и оптимизация на ЭВМ радиоэлектронных устройств /З.М.Бененсон, М.Р. Елистратов, Л.К. Ильин и др., под ред. З.М. Бененсона-М.:Радио и связь, 1981 - 274 с.

72. Проектирование радиоэлектронных устройств на интегральных микросхемах / под ред. СЯ. Шаца-М.:Советское радио, 1976.

73. Горон И.Е. Радиовещание: учебник для вузов - М.:Связь,1979.

74. Глухов А.Л. Основы звукового вещания: учеб. пособие для вузов связи- М.:Связь, 1977.

75. Шафер Д.В. Расчет, настройка и испытания транзисторных усилителей с автоматической регулировкой усиления. -М.:Связь, 1974.

76. Агаханян Г.М. Электронные ключи и нелинейные импульсные усилители. — М.:Советское радио, 1966.

77. Ибрагим К.Ф. Основы электронной техники: элементы, схемы, системы. пер.с англ.- 2-е изд.- М.: Мир, 2001.

78. Бакалов В. П., Игнатов А.Н., Крук Б.И. Основы теории электрических цепей и электроники: учебник для вузов.-М.: Радио и связь, 1989.

79. Игнатов А.Н., Воробьева С В . Синтез ЭКП на основе интегральных мультиплексоров // Информатика и проблемы телекоммуникаций: тез.докл. междунар. науч.-техн. конф. - Новосибирск, 2 0 0 3 - 86.

80. Игнатов А.Н., Воробьева СВ., Карпец М.П. Анализ математических моделей полевых транзисторов // Информатика и проблемы телекоммуникаций: тез.докл. междунар. науч.-техн. конф. — Новосибирск, 2003.-С 86-87

81. Vorobiova S.V., Ignatov A.N., Fadeeva N.E.. SPECIFICATION of the THEORY of FIELD TRANSISTORS. // IEEE international Siberian workshop and tutorials on electron devices and materials proceedings. 5 annual. Erlagol-2004- P. 123-125.

82. Игнатов А.Н., Воробьева СВ. Исследование функциональных узлов на полевых транзисторах, работающих в режиме управляемого сопротивления. // Информатика и проблемы телекоммуникаций: тез.докл. Рос.-кой науч.-техн. конф. - Новосибирск, 2004- С 91-92

83. Игнатов А.Н., Воробьева СВ., Красильников И.И. Уточнение теории устройств на полевых транзисторах, работающих в режиме усиления. // Информатика и проблемы телекоммуникаций: тез. докл. Рос.-кой науч. — техн. конф- Новосибирск, 2004- 91

84. Калинин СВ., Воробьева СВ., Игнатов А.Н. Наноэлектронные приборы для ТКС // Сб. тр. междунар. науч.-техн. конф. "Перспективы развития современных средств связи и систем телекоммуникаций".- Екатеринбург, 2005.-С. 130-134.

85. Игнатов А.Н., Воробьева СВ., Ширяев А.С, Карпец М.П. Разработка измерительной микропроцессорной установки // Сб. тр. междунар. науч.-практ. конф. «Электронные средства и системы управления»-Томск, 2 0 0 5 -С 265-269.

86. Игнатов А.Н., Воробьева СВ, Савиных В.Л., Шауэрман А.А. Методики определения немодулированных параметров полевого транзистора для САПР // Информатика и проблемы телекоммуникаций: тез. докл. Рос.-кой науч.-техн. конф.-Новосибирск, 2005- С 101-102

87. Воробьева СВ., Вайспапир В.Я. Повышение надежности изделий ТКС за счет интеграции элементной базы // Информатика и проблемы телекоммуникаций: тез. докл. Рос.-кой науч.-техн. конф. - Новосибирск, 2005.-С. 100-101

88. Воробьева СВ., Игнатов А.Н. Микромощные устройства для телекоммуникационных систем // Сб. тр. междунар. науч.-техн. конф. «Перспективы развития современных средств связи и систем телекоммуникаций».-Иркутск, 2006-С. 102-106

89. Воробьева СВ., Савиных В.Л.Методика определения немодулированных сопротивлений полевого транзистора // Сиб. Гос. Ун-т телекоммун, и информат.— Новосибирск, 2006- (Рукопись деп. в ВИНИТИ 15.03.2006, № 261-В2006).

90. Воробьева СВ., Игнатов А.Н. Исследование нелинейных искажений электронных регуляторов // Информатика и проблемы телекоммуникаций: тез. докл. Рос.-кой науч.- техн. конф. - Новосибирск, 2006 - С 111-113

91. Воробьева СВ., Игнатов А.Н. Микромощные функциональные узлы на основе полевых транзисторов. //Тр. учеб. заведений связи / СПбГУТ. СПб— 2006.-№175.-С 242-249.

92. Воробьева СВ., Игнатов А.Н., Савиных В.Л. Электронные регуляторы на ПТ с термостабильным коэффициентом передачи. // Информатика и проблемы телекоммуникаций: тез. докл. Рос-кой науч.-техн. к о н ф -Новосибирск, 2007.-Т.1.- С 297

93. Патент на полезную модель №70732 РФ, НОЗН 7/12 Перестраиваемый активный полосовой фильтр / Воробьева СВ., Савиных В.Л., Игнатов А.Н.-№2007137757; Заявл. 11.10.2007; Опубл. 10.02.2008 - Бюл. №4.

94. Фогель. Нелинейные искажения и процесс смешения в полевых транзисторах //ТИИЭР.- 1967.- Т.55, №12.- 42-49.

95. Фишер В. Эквивалентная схема и коэффициент усиления полевых МОП- транзисторов//Зарубежная электроника- 1 9 6 7 - № 4 - С . 12-15.

96. Хьюлсман Л.П., Ален Ф.Е.Введение в теорию и расчет активных фильтров: пер. с англ.-М.: Радио и связь, 1984- 273 с.

97. Кононенко В.И., Подольский Л.З. Синтез высокодобротных активных фильтров с резистивными корректирующими цепями // Радиотехника-1983.-№8.-С91.

98. Дулин В.И. Электронные приборы: учебник для вузов.- М.: Энергия, 1977- 672 с.

99. Расчет и проектирование линейных аналоговых ARC-устройств: пособие по курсовому и дипломному проектированию /под ред. проф. А.А. Ланнэ.-ВАС, 1980.-1-232 с.

100. Галямичев Ю.П., Ланнэ А.А., Лундин В.З., Петраков В.А. Синтез активных RC-цепей. Современное состояние и проблемы /под ред. А.А.Ланнэ. М.: Связь, 1975.

101. Зарубежные микросхемы, транзисторы, диоды 0...9: Новейший справ, /сост. Корякин-Черняк Л.-СПб.: Наука и техника, 2 0 0 1 - 688с.

102. Петухов В.М. Зарубежные транзисторы и их аналоги Т.1, 2.-1998.

103. Петухов В.М. Полевые и высокочастотные биполярные транзисторы средней и большой мощности и их зарубежные аналоги: справочник — М.:Кубка, 1997.-672с.

104. Современные зарубежные транзисторы: справочник— 3 изд., перераб. и доп.-М.: Солон-Р, 2000.- 768 с.

105. Турута Е.Ф. Зарубежные транзисторы: справочник—М.: Горячая линия- Телеком, 2002.-756 с.

106. Ван дер Зил.А. Шум (источники, описание, измерение) /пер.с англ. под ред. А.К. Нарышкина-М.: Сов. радио, 1973.

107. Startz Н., Newman P., Smith I.W., Pucel R.A., Haus H.A. GaAsFET device and circuit simulation in SPICE//IEEE transistors on electron devices- 1987-ED-34. -P.160-169.

108. Sussman-Fort S.E., Narasimhan S., Mayaran R. A complete GaAs MESFET computer model for SPICE// IEEE Tansistors on Microwave theory and techniques. 1984. MTT-32.P.471 -473.

109. Свирид В.Л. Метод термокоррекции характеристик полевых транзисторов// Техника средств связи. Сер.ТРПА.-1982.-Вып.З.-С.28-36.

110. Харкевич А.А. Умножающие схемы//Радиотехника-1954—№3.

111. Савиных В. Л. Функциональный перемножитель на интегральных микросхемах //Механизация и автоматизация управления- Киев, 1973-№1.-С.90-91