Разработка методики увеличения зоны равномерного отражения оптических деталей большой кривизны тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.11.07, кандидат наук Хоанг Тхань Лонг

  • Хоанг Тхань Лонг
  • кандидат науккандидат наук
  • 2019, ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики»
  • Специальность ВАК РФ05.11.07
  • Количество страниц 152
Хоанг Тхань Лонг. Разработка методики увеличения зоны равномерного отражения оптических деталей большой кривизны: дис. кандидат наук: 05.11.07 - Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы. ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики». 2019. 152 с.

Оглавление диссертации кандидат наук Хоанг Тхань Лонг

Обозначения и сокращения

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. АНАЛИЗ ХАРАКТЕРИСТИК ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫХ АНТИОТРАЖАЮЩИХ ПОКРЫТИЙ

1.1. Интерференционные просветляющие покрытия

1.1.1. Структуры и спектральные характеристики просветляющих покрытий

1.1.2. Методы получения интерференционных покрытий

1.2. Эмиссионные характеристики термических испарителей

1.2.1. Эмиссионные характеристики точечных и поверхностных испарителей

1.2.2. Эмиссионные характеристики протяженных испарителей

1.2.3. Эмиссионные характеристики электронно-лучевых испарителей

1.2.4. Методы получения равнотолщинных слоёв термическим методом формирования интерференционных слоёв

1.2.5. Методы получения слоев с заданной зависимостью толщины слоя получаемого способом термического испарения, от координаты точки на поверхности оптической детали

1.3. Общее положение теоретического расчета коэффициента отражения на оптической поверхности большой кривизны

1.3.1. Теоретический расчет коэффициента отражения

1.3.2. Увеличение размера зоны просветления оптической детали большой кривизны

1.4. Выводы

ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЙ С ЗАДАННЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ ТОЛЩИНЫ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННОГО СЛОЯ НА СФЕРИЧЕСКИХ ОПТИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТЯХ БОЛЬШОЙ КРИВИЗНЫ

2.1. Формирование слоев при одинарном вращении подложки, расположенной в центре вращения подложкодержателя (г = 0)

2.2. Формирование интерференционных слоев с использованием диафрагмы при одинарном вращении подложки

2.3. Формирование слоев с использованием экрана при одинарном вращении подложки

2.4. Формирование слоев на оптической детали, расположенной на некоторое расстояние от центра вращения подложкодержателя (г # 0)

2.5. Принцип увеличения зоны просветления

2.6. Выводы

ГЛАВА 3. АНАЛИЗ ПОЛУЧЕНИЯ ЗАДАННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ НА СФЕРИЧЕСКОЙ ПОВЕРХНОСТИ

3.1. Влияние размера зоны заданного распределения геометрической толщины

3.2. Влияние зоны постоянной толщины слоя на величину зоны просветления

3.3. Влияние структуры антиотражающего покрытия на размер зоны просветления

3.4. Факторы, оказывающие влияние на профиль толщины покрытия при нанесении комбинированного слоя

3.5. Выводы

ГЛАВА 4. МЕТОДЫ УВЕЛИЧЕНИЯ ЗОНЫ ПРОСВЕТЛЕНИЯ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТЯХ БОЛЬШОЙ КРИВИЗНЫ

4.1. Распределение относительной толщины слоя на цилиндрической поверхности

4.2 Увеличение зоны просветления на поверхности цилиндрической линзы

4.3. Выводы

127

ГЛАВА 5. ИЗГОТОВЛЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ РАЗРАБОТАННЫХ ПРОСВЕТЛЯЮЩИХ ПОКРЫТИЙ

5.1. Вакуумная установка для нанесения покрытия

5.2. Расчет параметров технологической оснастки

5.3. Схема измерения коэффициента отражения на поверхности оптической детали сферической формы

5.4. Экспериментальное изготовление комбинированного слоя просветляющего покрытия

5.4.1. Нанесение пленкообразующего материала фторида магния (MgF2)

5.4.2. Нанесение пленкообразующего материала диоксида кремния (SiÜ2)

5.5. Выводы

Заключение

Список литературы

143

Обозначения и сокращения

g - плотность испаряемого вещества (г/см3)

N - количество оборотов вращения

в - коэффициент конденсации

р - радиальная координата

и - скорость испарения вещества (г/с)

ВУ - вакуумная установка

ГТ - геометрическая толщина

ЗП - зона просветления

ЗРТ - заданное распределение толщины

ИП - интерференционное покрытие

КО - коэффициент отражения

ОД - оптическая деталь

ОТ - относительная толщина

ПИП - просветляющее интерференционное покрытие ПОМ - пленкообразующий материал

ВВЕДЕНИЕ

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы», 05.11.07 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка методики увеличения зоны равномерного отражения оптических деталей большой кривизны»

Актуальность работы

Используемые в настоящее время тонкослойные оптические покрытия, в частности просветляющие покрытия, нанесенные на поверхности подложки (ОД), должны иметь заданные характеристики, причем они должны быть зависимы (не зависимы) от координаты точки на поверхности. Энергетические характеристики тонкослойных покрытий, в том числе просветляющих, являются функцией ряда параметров. К этим параметрам относятся: толщина слоев, которые формируют покрытие, и оптические характеристики материалов, из которых слои изготавливаются. На распределение толщины формируемого слоя, который входит в состав многослойных покрытий, по поверхности ОД влияют расположение испарителя и поверхности, на которой формируется слой, диаграмма направленности испарителя и форма преломляющей поверхности ОД [1, 2].

Оптические детали, имеющие преломляющие поверхности большой кривизны, такие как полусферические или цилиндрические линзы, всегда являются важным элементом оптической системы. Эти элементы работают как фокусирующие и коллимирующие линзы [3-6]. Для улучшения эффективности работы этих деталей на их поверхности обычно наносятся интерференционные просветляющие покрытия. Наиболее распространённым методом формирования покрытий является их нанесение в вакуумной установке (ВУ). Если используется обычная система испарения для изготовления покрытия на оптические элементы, имеющие поверхность сферической формы большой кривизны, которая характеризуется отношением габарита к радиусу приемной поверхности (D/R) в интервале от 1 до 2, толщина слоев на поверхности будет уменьшаться от центра к краю оптических элементов. Цилиндрические детали будут имеют большую кривизну, когда отношение габарита сегментарного сечения к радиусу этого сечения лежит в указанном выше интервале. В этом случае энергетический КО просветляющих диэлектрических покрытий значительно возрастает при удалении от оптической оси оптической детали.

Для корректирования распределения энергетического КО в области, где коэффициент отражения превышает этот коэффициент в центре, на поверхность ОДБК следует наносить ПИП, сформированное из слоев с заданным распределением толщины. Требования к характеру распределения толщины слоя по поверхности ОД формируется исходя из того, чтобы снижение коэффициента отражения реализовалось не только в области, расположенной рядом с оптической осью, но и на краю оптического элемента, что позволяет увеличивать пропускания таких элементов. Создание систем интерференционных покрытий, позволяющих получить равномерное отражение (пропускание) на всей поверхности оптических деталей большой кривизны является актуальной задачей.

Объект исследования - оптические элементы большой кривизны с нанесёнными на них просветляющими интерференционными покрытиями, входящие в оптические системы различного назначения.

Предмет исследования - особенности формирования интерференционных слоёв с заданным распределением толщины на оптических элементах большой кривизны.

Цель работы

Увеличение зоны оптического элемента большой кривизны, в которой коэффициент отражения постоянен.

Задачи исследования:

1. Определить функции распределения фазовой и геометрической толщин слоёв, входящих в состав ПИП, от радиальной координаты по поверхности ОДБК, позволяющие обеспечить повышение ЗП.

2. Определить метод получения слоя с ЗРТ по поверхности ОДБК.

3. Определить величины, оказывающие влияние характер распределения ГТ слоя на поверхности ОДБК при нанесении на нем тонкопленочных покрытий методом термического испарения ПОМ.

4. Разработать схему измерения КО по выпуклой поверхности ОДБК, как сферической и цилиндрической формы.

Научная новизна работы

1. Проведен математический анализ распределения геометрической толщины слоя интерференционного покрытия, формируемого в вакуумной установке, в зависимости от координаты на поверхности оптической детали большой кривизны.

2. Показана возможность получения слоев, входящих в состав интерференционных покрытий, с заданным распределением как в системе одинарного вращения, так и в системе двойного вращения.

3. Разработаны методы, позволяющие увеличивать зоны равномерного отражения ОДБК, за счёт формирования на поверхности ОДБК комбинированного слоя.

4. Проведено математическое моделирование траектории движения произвольной точки на поверхности ОДБК, которое позволяет рассчитать функцию ОТ слоя, входящего в состав интерференционного покрытия при планетарном вращении оптического элемента.

5. Проведён анализ параметров вакуумной камеры, определяющих характер распределения геометрической толщины ИП по поверхности ОДБК при формировании на ней слоя с использованием простейшей диафрагмы.

6. Предложена схема измерения распределения энергетического КО по выпуклой поверхности ОДБК, радиус которой лежит в интервале от 5 мм до 28 мм, с разработанным покрытием.

Теоретическая и практическая значимости работы

1. Математический анализ распределения геометрической толщины слоя интерференционного покрытия, формируемого в вакуумной установке, в зависимости от координаты поверхности оптической детали большой кривизны позволяет определить условия получения слоёв с заданным распределением толщины.

2. Предложены методы, позволяющие увеличивать зоны равномерного отражения ОДБК, за счёт формирования на поверхности оптического элемента комбинированного слоя.

3. Определена возможность получения слоев, входящих в состав интерференционных покрытий, с заданным распределением толщины как в системе одинарного вращения, так и в системе двойного вращения.

4. Проведено математическое моделирование траектории движения произвольной точки на сферической поверхности ОДБК, которое позволяет рассчитать функцию ОТ слоя, входящего в состав ИП при планетарном вращении подложки.

5. Установлено влияние параметров ВУ, определяющих характер распределения ГТ слоя по поверхности ОДБК при формировании на ней слоя с использованием простейшей диафрагмы.

6. Разработана схемы измерения коэффициента отражения по выпуклой поверхности ОДБК, как сферической и цилиндрической формы.

Разработанный метод получения равномерного КО на поверхности ОДБК может быть применяться в:

1. Волоконно-оптических системах связи и оптических системах светодиодных модулей и передачи лазерного излучения.

2. Объективах эндоскопов и микроскопов, широкоугольных объективах;

3. Лазерных системах для коллимирования, фокусировки лучей и информационно-электронных системах.

Методы исследования

Для решения поставленных задач были использованы основные положения теоретических моделей, которые определяют распределение толщины и энергетических характеристик тонкопленочных систем, формирующих покрытия на поверхности ОДБК. Проанализировано влияние положения, размера и формы маски, используемой для корректировки эмиссионной характеристики испарителя, на характер распределения толщины нанесённого покрытия.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Применение метода определения оптимальной зависимости фазовой толщины интерференционного слоя от координаты поверхности оптического

элемента позволяет увеличить зону равномерного распределения энергетического коэффициента отражения поверхности оптического элемента большой кривизны.

2. Использование метода выбора оптимальной зависимости геометрической толщины интерференционного слоя от координаты поверхности обеспечивает увеличение зоны равномерного распределения энергетического коэффициента отражения поверхности оптического элемента большой кривизны.

3. Разработанный метод формирования слоя, толщина которого зависит от координаты сферической поверхности оптического элемента, позволяет увеличивать зону равномерного коэффициента отражения покрываемой площади до 60%. Метод основан на включении в состав покрытия комбинированных слоёв, изготавливаемых способом термического испарения в вакуумной установке, с использованием круглой диафрагмы.

4. Полученный метод формирования заданного распределения толщины слоя на оптических цилиндрических поверхностях позволяет увеличивать зону равномерного коэффициента отражения по сегментарному сечению до 60%. Метод основан на включении в состав покрытия комбинированных слоёв, изготавливаемых способом термического испарения с использованием прямоугольного экрана.

Достоверность результатов работы основана на корректном применении используемых методов, а также на соответствии результатов математического моделирования и экспериментальных исследований опытного образца, и совпадением с расчетными результатами.

Практическая реализация результатов работы: практическая значимость проведённых исследований подтверждена актом использования результатов диссертации. В частности, практический результат нанесения покрытия с заданным распределением толщины использован на факультете Фотоники и Оптоинформатики.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих научных конференциях: Международная конференция «Прикладная оптика 2016»,

«Прикладная оптика 2018», Санкт-Петербург 2016-2018 гг.; IX Международная конференция «Фундаментальные проблемы оптики», Санкт-Петербург 2016 г.; V, VI, VII Всероссийский конгресс молодых ученых, Санкт-Петербург 2016 - 2018 гг.; XLVI, XLVII Научная и учебно-методическая конференция Университета ИТМО, Санкт-Петербург 2017 - 2018 гг.; X Международная конференция молодых ученых и специалистов «0птика-2017», Санкт-Петербург 2017 г.

Публикации

Материалы диссертации опубликованы в 13 печатных работах, в том числе 4 статьи в рецензируемых журналах из перечня ВАК, 1 статья в изданиях, включенных в систему цитирования Scopus, 8 публикаций в других изданиях.

Личный вклад автора. В работе изложены результаты исследований, выполненные лично автором или в соавторстве. Все результаты, составляющие научную новизну диссертации и выносимые на защиту получены при непосредственном участии автора.

Структура и объем работы

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы. Общий объем работы составляет 152 страниц, включая 93 рисунка и 7 таблиц.

ГЛАВА 1. АНАЛИЗ ХАРАКТЕРИСТИК ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫХ АНТИОТРАЖАЮЩИХ ПОКРЫТИЙ

1.1. Интерференционные просветляющие покрытия

1.1.1. Структуры и спектральные характеристики просветляющих покрытий

Оптические детали (элементы) большинства приборов, которые работают со световым излучением, изготавливаются из различных оптических материалов. Для корректировки их физико-механических свойств на их преломляющие и отражающие поверхности наносят разные типы интерференционных покрытий. Одна из важнейших целей этих покрытий заключается в изменении энергетических характеристик оптических деталей [7].

Оптические детали, работающие в видимой области спектра, обычно изготовляются из оптического материала, показатели преломления которого примерно от 1.45 (кварц) до 2.2 (кроны и тяжёлые флинты) [8,9]. На каждой границе раздела двух сред отражается от 3.4% до 14% при нормальном падении потока излучения. Следовательно, для оптических систем, в состав которых входят конструкции, состоящие из более двух компонент, потери при пропускании света могут быть значительными. При падании отраженных лучей на приемник наблюдается изменение четкости изображения предмета. Для уменьшения искажения применяют антибликовые (AR-антиотражающее (просветляющее) покрытие, в иностранной литературе anti-reflectюncoatmg) покрытия. Основная задача просветляющих покрытий [10] - увеличение диапазона минимально остаточного энергетического коэффициента отражения, и его величина. Решение этой задачи при разработке конструкций покрытий, работающих в заданном диапазоне спектра, в состав которого входят УФ, ВО и ближняя ИК области спектра, усугубляется тем, что на остаточный энергетический коэффициент отражения оказывает влияние не только структура слоев, но и материал оптической детали, на поверхность которой наносятся ИП [11-13].

Оптические покрытия [14], впервые изготовленные из материалов, имеющих показатель преломления, величина которого лежит в «промежутке» между значениями показателей преломления воздуха и стекла. Например, для оптического материала, имеющий показатель преломления 1.45 ^Ю2 - кварц), показатель преломления ПОМ должен быть около 1.20, но такие пригодные ПОМ для формирования покрытия, недоступны. Самым распространённым материалом покрытия является фтористый магний с показателем преломления 1.38 (длина волны 550 нм). Этот материал обладает многими достоинствами: относительная дешевизна материала, высокая механическая прочность при нанесении слоя на нагретое стекло (температура около 3000С), легкость изготовления интерференционных слоев.

30 25 20

V?

.. 15 10 5 0

0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6

и \Ь'2

п Лп 0«ш)

Рисунок 1.1.1. Зависимость коэффициента отражения четвертьволнового однослойного покрытия от соотношения П1/(ПоПт)05 [15]

Принцип действия антиотражающих покрытий, состоящих из одного интерференционного слоя, сформированного из специальных оптически прозрачных материалов, заключается в том, что одна граница раздела воздух-стекло заменяется двумя границами: воздух - слой и слой - стекло. Показатель преломления ПОМ и оптическая толщина выбираются так, чтобы обеспечить минимальное значение КО на поверхности подложки [15].

Проведенный в работе [16,17] анализ конструкции однослойного ПИП показал, что коэффициент отражения стремится к минимуму, если выполняется два следующих условия: во-первых, фазовая толщина слоя ф1 = 2л-щёг Х-1 должна быть

равна я/2 и, во-вторых, показатель преломления должен быть определён следующим образом П12 = поИш. Второе условие не всегда выполнено, так как набор пленкообразующего материала органичен. Значение энергетического коэффициента отражения Я в минимуме определяется тем, насколько величина И12 отличается от произведения поИш. Рисунок 1.1.1 иллюстрирует влияние рассогласование раннее рассмотренных величин на значение коэффициента отражения.

100 500 600 700 еоо

Л, нм

Рисунок 1.1.2. Спектральная зависимость энергетического КО однослойного покрытия (п1 = 1.38) на стекле (пш = 1.51) для углов падения 0, 30, 40, 50 и 600. Эффективная оптическая толщина Х0/4,

Хо = 500 нм [18]

При падении излучения на плоскую границу двух не поглощающих сред под неким углом энергетического КО быстро увеличивается с увеличением значения угла падения [18]. На рисунке 1.1.2 представлено распределение энергетического КО на ОД (пш = 151), на поверхности которой нанесено покрытие пленкообразующего материала (п = 1.38), от длины волны. В этом случае ОТ слоя подбирается так, что для любого угла падения излучения фазовая толщина ф = 2п-пё-Х-1-соз0 остаётся постоянной и удовлетворяет условию просветления, т. е. ф = я/2. На графике показано, что при нормальном падении излучения минимальное значение энергетического КО составляет примерно 1.33%, а при угле падения, равном 600, составляет 4.90%. То есть, чем больше угла падения излучения, тем больше коэффициент отражения.

Более сложная ситуация наблюдается в случае, когда излучение падает параллельно оптической оси на поверхности оптических деталей большой кривизны, так как при этом угол падения будет увеличиваться по мере увеличения расстояния (р) от точки падения до оптической оси детали. При этом в каждой точке падения, расположенной по поверхности элемента, энергетический КО увеличивается по мере увеличения расстояния (р) (увеличение угла падения излучения) [19] (рисунок 1.1.3).

Рисунок 1.1.3. Схема прохождения света через однослойное покрытие, расположенное на поверхности ОДБК

5 4

Q2 1 О

О 2 4 6 8 10 Рисунок 1.1.4. Распределение энергетического КО по поверхности

подложки разного радиуса, no = 1.0, n = 1.35, nm = 1.52, n1d1 = Л0 /4, X = Хо

нм [19]

На рисунке 1.1.4. представлена зависимость энергетического КО от координаты поверхности подложки покрытия, сформированного из одного слоя и обеспечивающего эффект просветления для ОД, имеющих разный радиус

кривизны (R от 2 мм до 10 мм). Из графика видно, что энергетический коэффициент отражения в зоне, в которой соотношение p/R превышает 50%, существенно увеличивается.

Достоинство однослойного антиотражающего покрытия заключается в простоте его изготовления. Энергетический коэффициент отражения, характеризующий такую систему, будет меньше, чем энергетический КО материала, из которого изготовлена ОД в случае, когда показатель преломления этого материала больше показатель преломления материала, из которого изготовлен слоя ПОМ. Недостатками такой системы является: не значительная ширина участков минимального значения энергетического КО; невозможность подбора материал для изготовления покрытий, удовлетворяющих оптимальным требованиям; сильную зависимость оптических свойств от угла падения излучения. Антиотражающее покрытие, состоящее из одного слоя, не решают ряд задач, возникающих при разработке просветляющих структур.

Однослойные диэлектрические покрытия наряду со многими существенными достоинствами, обладают крупными недостатками. Пути преодоления выше названных недостатков естественно следует искать не в отказе от самого принципа использования тонкослойных покрытий, а в усложнении последних и увеличении числа параметров, доступных для варьирования. Это может быть осуществлено либо путем создания пленок, свойства которых изменяются согласно некоторому требованию по толщине, либо путем замены одного слоя покрытием, состоящем из нескольких слоев известно толщины, изготовленных из материалов с заданным показателем преломления. Любой слой, имеющий неоднородность по толщине, можно рассматривать как набор тончайших слоев с постепенно меняющимися параметрами, очевидно, принципиального различия между обоими способами не существует. Однако технологические различия и различия в методах трактовки существенны и заставляют пока отдавать предпочтение многослойным покрытиям [20].

Для снижения коэффициента отражение в широкой области спектра применяют многослойные просветляющие покрытия, в состав которых входит

более двух слоёв. За счет большого количество слоев в составе просветляющего покрытия энергетический КО от линзы можно уменьшать до величины менее 1% в широком спектральном диапазоне [14,21].

Достоинством многослойных просветляющих покрытий, равномерных по толщине, является то, что можно выбрать соотношение между показателями преломления плёнкообразующих материалов, из которых слои формируются, обеспечивающего минимальный коэффициент отражения. Недостаток заключается в том, что коэффициент отражения в области минимального коэффициента значения отражения существенно увеличивается, особенно при параллельном падении пучка изучения на оптическую детали большой кривизны.

Поскольку равномерные по толщине многослойные покрытия обладают указанными недостатками не целесообразно наносить их на поверхности оптического элемента большой кривизны, так как при этом коэффициент отражения быстро увеличивается из-за возрастания значения углов падения по поверхности детали и наряду с этим зона просветления (ЗП), определенная как отношение радиальной координаты к радиусу, определяющему форму детали (зона минимального коэффициента отражения), уменьшается. С целью увеличения зоны просветления следует изменить фазовые толщины слоёв в составе ИП. Один из эффективных подходов - формирование слоев, толщина которых является функцией радиальной координаты по поверхности оптического элемента.

1.1.2. Методы получения интерференционных покрытий

Для изготовления тонкопленочных элементов разного назначения, в частности интерференционных оптических покрытий и изделий электронной техники, в настоящее время используются различные методы, такие как вакуумные и химические методы нанесения [22]. К вакуумным способам относятся конденсационные методы, использующие термическое испарение и катодное распыление материалов в вакууме [23, 24], а также многочисленные разновидности этих основных способов. К химическим методам можно отнести

электролитическое анодирование, то есть формирование пленки окисла [25, 26] или нанесение металлических покрытий; осаждение пленок из газовой фазы [27]; формирование из золь-геля [28, 29].

Для изготовления сложных ИП, состав которых входят два и более слоев [3032], на ОД, особенно на деталях большой кривизны большой кривизны, можно использовать разные методы формирования покрытий, но в этом разделе ограничимся рассмотрением вакуумных методов, таких как термическое испарение (резистивное, электронно-лучевое испарение и лазерный метод), ионно-плазменный метод. В настоящее время эти методы нанесения покрытий получили массовое распространение, поскольку они обладают хорошей воспроизводимостью результатов, технологичностью и надежным контролем параметров непосредственно в ходе процесса изготовления. При изготовлении многослойных интерференционных покрытий на оптических деталях контроль процесса и связанные с ним проблемы воспроизводимости и устойчивости технологии были и являются определяющим факторами качества и экономичности производства. Наиболее актуально эти вопросы при производстве ОД крупными сериям изделий.

К настоящему времени проведены обширные исследования, определившие оптимальные значения параметров плёнкообразующих материалов, из которых формируются покрытия [33-36], требуемого для изготовления покрытия оборудование [37], которое обеспечивает создание покрытий, имеющих заданную равномерность [38, 39] на поверхности подложки.

Термическое испарение может быть реализовано одним из трёх методов (резистивным, электронно-лучевым и лазерном испарениями) [40-43]: самом широко распространенным методом формирования интерференционных покрытий является термическое испарение плёнкообразующих материалов в высоком вакууме, которое используется для получения покрытий в диапазоне спектра 0.2 -20 мкм. Схема установки, изображенная на рисунке 1.1.5 поясняет принцип работы метода термического испарения ПОМ.

остаточные газы

— испаритель электропитание

Рисунок 1.1.5. Схема установки термического испарения

Метод термического испарения ПОМ, для получения интерференционных слоев заключается в нагреве его в вакууме до температуры, соответствующей его испарения и обеспечивающей его конденсацию на поверхности подложки. Весь процесс термического напыления можно разбить на три основные стадии: переход ПОМ в газ - перенос ПОМ к поверхности ОД - конденсация ПОМ на поверхности ОД [44].

Достоинствам термического метода испарения ПОМ [45] является высокая чистота получаемой пленки (процесс реализуется в условиях высокого и сверхвысокого вакуума), возможность формировать пленки как из металлов, так и сплавов, а также полупроводников и диэлектриков, простота дешевизна реализации данного метода. Незначительная и не постоянная энергия осаждаемых молекул, которые трудно регулировать.

Сложностью является процесс нагрева испаряемого вещества [46] до температур, при которых начинается процесс интенсивного испарения, может быть осуществлено электронным лучом, с помощью резистивных нагревателей или лазерным способом.

Резистивное испарение - традиционный метод испарения материалов, основанный на нагреве ПОМ за счёт контактирования с металлом, из которого изготовлен испаритель, путем пропускания через его ток по закону Джоуля -Ленца. Резистивные испарители нагреваются до высоких температур за счет высокого сопротивления материалов, из которых они изготовлены, проходящему через них электрическому току. Обычно используется переменный ток.

Испарители могут быть представлены в виде нитевидных, поверхностных, проволочных, тигельных нагревателей. Для изготовления испарителей используются материалы с высокой температурой плавления, к которым относятся как металлы, так и кварц, графит и ряд керамических материалов (нитрида бора, оксида алюминия корунда) (рис 1.1.6), максимально допустимая температура зависит от используемых материалов. Процесс может производиться в высоком вакууме, что позволяет увеличить длину свободного пробега атома и уменьшить тем самым возможность загрязнения пленки, температура испарения до 18000 [47].

Достоинства резистивного нагрева заключаются в том, что это самый дешевый метод испарения вещества в вакуумной установке, обладает высоким КПД, безопасен в работе и имеет малые габаритные размеры; позволяет формировать пленки из разных материалов (металлов, диэлектриков, полупроводников); обладает относительно высокой скоростью испарения, которая может регулироваться в допустимых пределах от 1 - 20 А/с, может быть реализован с использованием простых устройств. Однако данной технологии присущ ряд недостатков, таких как высокая инерционность процесса, сложность при управлении потоком атомов, сложность получения покрытия из тугоплавких материалов, вероятность загрязнения наносимой пленки материалом нагревателя, а также невысокий ресурс работы из-за разрушения нагревателя за время использования, что требует его периодической замены.

Электронно-лучевым методом нанесения тонких пленок обеспечивается нагрев плёнкообразующих материалов до температуры 3000°С, высокая скорость

Похожие диссертационные работы по специальности «Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы», 05.11.07 шифр ВАК

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Хоанг Тхань Лонг, 2019 год

Список литературы

1. Путилин, Э.С. Оптические покрытия: Учебник / Э.С. Путилин, Л.А. Губанова. - СПб: Издательство «Лань», 2016. - 268 с.

2. Piegari, A. Optical thin films and coatings: From materials to applications. 2nd ed. / A. Piegari, F. Flory. - Woodhead Publishing, 2018. - 860 p.

3. Herzig, H.P. Micro-optics: elements, systems and applications / H.P. Herzig. -London, Philadelphia: Taylor & Francis, 1997. - 370 р.

4. Yang, S.W. Wide-angle lens design / S.W. Yang, K.L. Huang, C.Y. Chen, R.S. Chang // Classical Optics 2014, OSA Technical Digest (online). - 2014. - JTu5A.27.

5. Guo, C. Optimization of the spectral performance of an antireflection coating on a micro-spherical substrate / C. Guo, M. Kong, W. He // Chinese Optics Letters. - 2016. -Vol. 14, - Issue 9. - 093101.

6. Yamamoto, Yamamoto, K. Application of anti-reflection structures on curved surfaces / K. Yamamoto, T. Yamamoto, T. Takaoka, M. Seigo, S. Kitagawa // Proceedings of SPIE. - 2012. - Vol. 8255. - 82551R.

7. Grunwald, R. Thin film micro-optics: new frontiers of spatio-temporal beam shaping / R. Grunwald. - Elsevier Science, 2007. - 306 p.

8. Путилин, Э. С. Оптические покрытия. Учебное пособие / Э. С. Путилин. -СПб: СПбГУ ИТМО, 2010. - 227 с.

9. Справочник технолога-оптика / М.А. Окатов, С.М. Кузнецов. - 2-е изд., перераб. и доп. - СПб: Политехника, 2004. - 679 с.

10. Гребенщиков, И.В. Просветление оптики / И.В. Гребенщиков, А.Г. Власов, Б.С. Непорент, Н.В. Суйковская. - Л., Гостехиздат, 1946.

11. Суйковская, Н.В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок / Н.В. Суйковская. - М.: Химия, Ленингр. отд-ние, 1971. - 200 с.

12. Tracton, A.A. Coatings Technology: Fundamentals, Testing, and Processing Techniques / A.A. Tracton. CRC Press, 2006. - 408 p.

13. Furman, Sh.A. Basics of optics of multilayer systems, Editions Frontiers / Sh.A. Furman, A.V. Tikhonravov. - Gif-sur Yvette, 1992. - 242 p.

14. Розенберг, Г.В. Оптика тонкослойных покрытий / Г. В. Розенберг. - М.: Гос. изд-во физ.-мат. лит., 1958. - 570 с.

15. Ершов, А. В. Многослойные оптические покрытия. Проектирование, материалы, особенности технологии получения методом электроннолучевого испарения / А.В. Ершов, А.И. Машин. - Нижний Новгород, 2006. - 99 с.

16. Stenzel, O. The Physics of Thin Film Optical Spectra / O. Stenzel. Springer International Publishing, 2016. - 352 p.

17. Хасс, Г. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения / Г. Хасс, Р.Э. Тун. - пер. с англ. - Москва: Мир, 1967. -Т.2. - 396 с.

18. Хасс, Г. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения / Г. Хасс, Р.Э. Тун. - пер. с англ. - Москва: Мир, 1968. -Т.3. - 331 с.

19. Губанова, Л.А. Исследование распределения коэффициента отражения просветляющих покрытий на оптических деталях малого радиуса / Л.А. Губанова, Т.Л. Хоанг, Д.Т. Тай // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. - 2015. - Т. 15. - №. 2. - С. 234-240.

20. Халед, М. Неоднородные оптические покрытия: Исследование возможностей метода совместного осаждения диэлектрических пленок при вакуумном испарении: дис... канди. тех. наук: 05.11.07 / Х. Майа. - СПб., 1999. - 134 с.: ил. Оптические и оптико-электронные приборы.

21. Macleod, H. A. Thin-film optical filters, Fourth Edition / H.A. Macleod. - Boca Raton, FL: CRC Press, 2010. - 800 p.

22. Холлэнд, Л. Нанесение тонких пленок в вакууме / Л. Холлэнд. - М., Госэнергоиздат, 1963. - 606 с.

23. Данилин, Б.С. Вакуумное нанесение тонких пленок / Б.С. Данилин. - М., Энергия, 1967. - 32 с.

24. Плешивцев, Н.В. Катодное распыление / Н.В. Плешивцев. - М., Атомиздат, 1968. - 343 с.

25. Черненко, В. И. получение покрытия анодно-искровым электролизом / В.И. Черненко, Л.А. Снежко, И.И. Папанова. - Л., Химия, 1991. - 127 с.

26. Юнг, Л. Анодные оксидные пленки / Л. Юнг. - пер. с англ. Л. Н. Закгейм, Л. Л. Одынец. - Л.: Энергия, 1967. - 232 с.

27. Грибов, Б.Г. Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений / Б.Г. Грибов, Г.А. Домрачев, Б.В. Жук и др. -М., Наука, 1981. - 322 с.

28. Суйковская, Н.В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок / Н.В. Суйковская. - Л.: Химия, 1971. - 199 с.

29. Григорьев, Ф.И. Плазмохимическое и ионно-химическое травление в технологии микроэлектроники. Учебное пособие / Ф.И. Григорьев. - М.: 2003.

30. Котликов, Е.Н. Проектирование, изготовление и исследование интерференционных покрытий: Учебное пособие / Е.Н. Котликов, Г.А. Варфоломеев, Н.П. Лавровская, др. - СПб.: ГУАП, 2009. - 188 с.

31. Гайнутдинов, И.С. Свойства и методы получения интерференционных покрытий для оптического приборостроения / И.С. Гайнутдинов, Е.А. Несмелов, А.В. Михайлов, и др. - изд. ФЭН, Казань, 2003. - 424 с.

32. Губанова, Л.А.. Наноразмерные покрытия для формирования энергетических и волновых фронтов оптического излучения / Л.А. Губанова, Э.С. Путилин. - СПб: Университет ИТМО, 2015. - 260 с.

33. Гайнутдинов, И.С. Разработка и создание оптических интерференционных покрытий различного назначения с прогнозируемыми свойствами / И.С. Гайнутдинов. Автореф. дис... док. тех. наук. - Казань, 1998. - 29 с.

34. Кутолин, С.А. Пленочное материаловедение редкоземельных соединений / С.А. Кутолин, Д.И. Чернобровки. - М.: Металлургия, 1981. - 177 с.

35. Самсонов, Г.В. Конфигурационная модель вещества / Г.В. Самсонов, и др. -Киев, Наукова думка, 1971. - 230 с.

36. Тетерин, Г.А. Кинетика взаимодействия оксидов в смесях / Г.А. Тетерин, И.С. Гайнутдинов // Украинский химический журнал. - 1986. - Т. 52, №. 7. - С. 696.

37. Ковалев, JI.K. Вакуумное оборудование для производства тонкопленочных структур квантовой электроники / JI.K. Ковалев // Обзор по электронной техники.

- Серия 11, - вып. 2. - 1982. - С. 83.

38. Сабиров, Р.С. Отражающие покрытия из тугоплавких окислов на крупногабаритных элементах мощных лазерных систем. Дис... канд. техн. наук / Р.С. Сабиров. - Казань, 1985.

39. Марциновский, В.А. Теоретические и экспериментальные исследования условия формирования, оптических свойств и структуры кольцевых перестраиваемых фильтров. Дис. канд. техн. наук / В.А. Марциновский. 1985.

40. Котликов Е.Н. Оптические пленкообразующие материалы для инфракрасной области спектра / Е.Н. Котликов, Ю.Н. Кузнецов, Н.П. Лавровская, А.Н. Тропин // Научное приборостроение. - 2008. - Т. 18, - № 3. - С. 32-37.

41. Руководство пользователя. Зондовая нанолаборатория «Интегра», СЗМ «NanoEducator». - М.: (Зеленоград). ЗАО «Нанотех-нология - МДТ», 2007. - 410 с.

42. Майссел, Л. Технология тонких пленок. Справочник. в 2-х т./ Л. Майссел, Р. Глэнг. Под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга. - М.: Сов. радио, 1977. - 662 с. - т.1.

43. Chopra, K.L. Thin Film Phenomena / K.L. Chopra. - McGraw-Hill, New York: McGraw-Hill Book Company, 1969.

44. Антоненко, С.В. Технология тонких пленок: Учебное пособие / С.В. Антоненко. - М.: МИФИ, 2008. - 104 с.

45. Панфилов, Ю. Нанесение тонких пленок в вакууме / Ю. Панфилов // Технологии в электронной промышленности. - 2007. - №3. - С. 76-80.

46. Нанотехнологии в электронике / Ю.А. Чаплыгин. Под ред. Ю. А. Чаплыгина.

- М.: Техносфера, 2005. - 448 с.

47. Андреев, С.В. Оптические покрытия. Учебное пособие по курсу «Оптические покрытия» / С.В. Андреев, Л.А. Губанова, Э.С. Путилин. - СПб: СПб ГУ ИТМО, 2006. - 151 с.

48. Петухов, В. Ю. Ионно-лучевые методы получения тонких пленок. Учебно-методическое пособие для студентов физического факультета / В.Ю. Петухов, Г.Г. Гумаров. - Казань, 2010. - 87 с. Издание 2-е, исправленное и дополненное.

49. Менушенков, А.П. Лазерная технология. Часть I / А.П. Менушенков, В.Н. Неволин. - М.: МИФИ, 1992. - 160 с.

50. Борисенко, В.Е., Воробьева А. И. Наноэлектроника. Часть 2 / В.Е. Борисенко, А.И. Воробьева. - Минск.: БГУИР, 2003. - 77 с.

51. Holland, L., Vacuum Deposition of Thin-Films / L. Holland. - Chapman and Hall, London, 1966.

52. Smith, H.M. Vacuum Deposited Thin Films Using a Ruby Laser / H.M. Smith, A.F. Turner // Appl. Opt. - Vol. 4, No. 1. - P. 147-148.

53. Samson, J.A. Reflectance and Relative Transmittance of Laser-Deposited Iridium in the Vacuum Ultraviolet / J.A. Samson, J.P. Padur, A. Sharma // Opt. Sue. Amer. -Vol. 57, Issue 7. - P. 966-966.

54. Groh, G. Vacuum Deposition of Thin Films by Means of a CO2 Laser / G. Groh // Appl. Phys. - No. 39, - P. 5804-5805.

55. Панфилов Ю. Нанесение тонких пленок в вакууме / Ю. Панфилов // Технологии в электронной промышленности. - 2007. - №3. - С. 76-80.

56. Черезова, Л.А. Ионно-лучевые методы в оптической технологии / Л.А. Черезова. - СПб: СПб ГУИТМО, 2007. - 151 с.

57. Григорьев, Ф.И. Плазмохимическое и ионно-химическое травление в технологии микроэлектроники. Учеб. Пособие / Ф.И Григорьев. -М.: Изд-во Московского государственного института электроники и математики, - 2003. - 48 с

58. Ohring, M. The Materials Science of Thin Films / M. Ohring. - San Diego, CA: Academic Press, - 1992. - 704 p.

59. Розанов Л.Н. Вакуумная техника. Учебник для вузов по спец. "Вакуумная техника" / Л.Н. Розанов. 2.е изд., перераб. и доп. - М., Высш. шк., 1990. - 320 с.: ил.

60. Knudsen, M. Die molekularstromung der gase durch offnungen und die effusion / M. Knudsen // Annalen der Physik. - 1909. - Т. 333, - №. 5. - С. 999-1016.

61. Mayer, H., Z. Physik, 52, 235 (1929).

62. Baumeister, P.W. Optical Coating Technology / P.W. Baumeister. - SPIE Press monograph, 2004. - 840 c.

63. Милованов, Н.П. Формирование неравнотолщинные тонкоплёночных покрытий на сферической подложке из наклонного испарителя / Н.П. Милованов // ОМП. - 1987. - №5. - С.27-30.

64. Болыпанин, А.Ф.Способ получения асферических поверхностей / А.Ф. Болыпанин, Е.Н. Казаков, Э.С. Путилин // Положительное решение по заявке 39386Г2/31 -33/111645 от 9.12.86. от 21.02.83.

65. Болыпанин, А.Ф. Формирование асферических тонких слоев на плоской подложке / А.Ф. Болыпанин, Э.С. Путилин // сб. Прогрессивные методы изготовления и контроля современных оптических и оптоэлектронных приборов. Межвузовский сборник/ Новосибирск, НИИГА и К. - 1982. - С. 30-34

66. Depisch, G. Schichtdickengleichmäßigkeit von aufgedampften schichten in theorie und praxis / G. Depisch // Vak. Tech. -1981, - №3, - С. 67-77. (In German)

67. Ohring, M. Materials Science of Thin Films: Deposition and Structure, 2nd ed. / M. Ohring. -Elsevier: San Diego, CA, 2002. - 794 p.

68. Pulker, H.K. Film thickness. In Coatings on Glass, 1st ed. / H.K. Pulker. -Elsevier: Amsterdam, The Netherlands, 1999. - 466 p.

69. Bonet-Maury, P. La volatilisation du polonium / P. Bonet-Maury // Annales de Physique. - 1929. - Т. 10. - С. 253-341.

70. Preuss, L.E. A Study of the Propagation Mode for Metallic Vapors in Shadow-Casting by Vacuum Evaporation of Au198 and Cr51 / L.E. Preuss //Journal of Applied Physics. - 1953. - Т. 24, №. 11. - С. 1401-1409.

71. Villa, F. Emission pattern of real vapor sources in high vacuum: An overview / F. Villa, O. Pompa //Applied optics. - 1999. - Т. 38, №. 4. - С. 695-703.

72. Holland, L. Vacuum manual / L. Holland, W. Steckelmacher, J. Yarwood. -London, Spon, 1974. - 425 p.

73. Szilagyi, M. Model for Describing Emission Characteristics of Electron-Beam Evaporation Sources / M. Szilagyi // Active and Passive Electronic Components. - 1979. - Т. 6, №. 1. - С. 9-12.

74. Губанова, Л.А. Градиентные интерференционные системы: дис. док-ра техн. наук: 05.11.07 / Губанова Людмила Александровна. - СПб.: СПбИТМО, 2008. - 243 с.

75. Balakrishnan, J. Carlo simulation of vapor transport in physical vapor deposition of titanium / J. Balakrishnan, I.D. Boyd, D.G. Braun // Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. - 2000. - Т. 18, №. 3. - С. 907-916.

76. Kim, C.C. Emission characteristics of electron-beam evaporators / C.C. Kim, E.S. Putilin // Journal of Optical Technology. - 2000. - Vol. 76, No. 4. - С. 386-388.

77. Чжон, С.К. Формирование толщины слоев вакуумным испарителем / С.К. Чжон, Э.С. Путилин // Оптический журнал. - 1998. - Т. 65, №.10. - С. 108-112.

78. Котликов, Е.Н. Равномерность толщины пленок, осажденных на вращающиеся подложки / Е.Н. Котликов, [и др.]. // Оптический журнал. - 2009. -Т. 76, № 2. - С. 58-62.

79. Ван, А. Увеличение зоны равномерности покрытий при термическом испарении диэлектриков в вакууме / А. Ван, Л.А. Губанова, Э.С. Путилин // Оптический журнал. - 2006. - Т. 73, № 8. - С.73-77.

80. Ramprasad, B.S. Uniformity of Film Thickness on Rotating Planetary Planar Substrates / B.S. Ramprasad, T.S. Radha // Thin Solid Films. - 1973. - Vol. 15, No. 1. -P. 55- 64.

81. Oliver, J.B. Optimization of deposition uniformity for large-aperture National Ignition Facility substrates in a planetary rotation system / J.B. Oliver, D. Talbot // Applied Optics. - 2006. - Vol. 45, No. 13. - P. 3097-3105.

82. Tomofuji, T. A new coating technique for lenses which have steep curved surface / T. Tomofuji, N. Okada, S. Hiraki, A. Murakami, J. Nagatsuka // Optical Interference Coatings, OSA Technical Digest Series. - 2001. - MD2.

83. Sun, J. Optimization of thickness uniformity of coatings on spherical substrates using shadow masks in a planetary rotation system / J. Sun, [et al.] // Chinese Optics Letters. - 2014. - Vol. 14, No. 5. - P. 053101.

84. Liu, C. Theoretical design of shadowing masks for uniform coatings on spherical substrates in planetary rotation systems / C. Liu, [et al.] // Optics Express. - 2012. - Vol. 20, No. 21. - P. 23790 -23797.

85. Bauer, H.H., Heller M., Kaiser N. Optical coatings for UV photolithography systems / H.H. Bauer, M. Heller, N. Kaiser // Developments in Optical Component Coatings. - 1996. Т. 2776. - С. 353-366.

86. Zhang. L. Uniformity masks design method based on the shadow matrix for coating materials with different condensation characteristics / L. Zhang, X. Cai // The Scientific World Journal. - 2013. - Т. 2013. - P. 160792.

87. Gharghi, M. Design of Anti-Reflection Coating for Spherical Silicon Photovoltaic Devices / M. Gharghi, S. Sivoththaman // Photovoltaic Cell and Module Technologies II. - International Society for Optics and Photonics. - 2008. - Vol. 7045, - P. 704509.

88. Chang, S.P. Transformation of Gaussian to coherent uniform beams by inverse Gaussian transmittive filters / S.P. Chang, [et al.] // Appl. Opt., - 1998. - Vol. 37, №4. -P. 747-752.

89. Брик, Е.Б. Неравнотолщинные просветляющие покрытия из фторида магния и оксида титана / Е.Б. Брик, В.И. Тюрникова, Н.Ю. Тюрникова // ОМП, - 1987. -№11. - С. 35-39.

90. Губанова, Л.А. Формирование градиентных слоев с помощью круглых диафрагм и экранов / Л.А. Губанова, В.Л. Дмитренко, Э.С. Путилин // Оптический журнал. - 2003. - Т. 70, № 3. - С. 50-53.

91. Губанова, Л.А. Формирование градиентных слоев на сферических подложках / Л.А. Губанова, Э.С. Путилин // Оптический журнал. - 2008. - Т. 75, № 4. - С. 8791.

92. Милованов, Н.П. Формирование неравнотолщинных тонкопленочных покрытий на сферической подложке напылением из наклонного испарителя // ОМП. - 1987. - № 5, - С. 27-30.

93. Ким Чжон Суп. Моделирование процесса осаждения и разработка методов контроля градиентных пленок в процессе осаждения: Дис. канд. техн. наук: 05.11.07. - СПб., - 1998. - 115 с.: ил.

94. Dobrowolski, J.A. Waldorf Investigation of the evaporation process conditions on the optical constants of zirconia films / J.A. Dobrowolski, P.D. Grant, R. Simpson, A.J. Waldorf // Applied Optics. - 1989. - Vol. 28, № 18. - P. 3997-4005.

95. Губанова, Л.А. Увеличение зоны просветления оптического элемента малого радиуса путем нанесения покрытий с заданным распределением толщины / Л.А. Губанова, Т.Л. Хоанг // Известия высших учебных заведений. Приборостроение. -2016. - Т. 59, № 10. - С. 860-866.

96. Arthur, A. Coatings Technology: Fundamentals, Testing, and Processing Techniques / A. Arthur. - Boca Raton: CRC Press, 2007. - 370 p.

97. Ibach, H. Physics of Surfaces and Interfaces / H. Ibach. - Berlin: Springer, 2006. -646 p.

98. Oliver, J.B. Impact of a counter-rotating planetary rotation system on thin-film thickness and uniformity / J.B. Oliver // Applied Optics. - 2017. - Vol. 56, Issue 18. - P. 5121-5124.

99. Хоанг Т.Л. Увеличение зоны просветления оптических деталей большой кривизны / Т.Л. Хоанг, Л.А. Губанова, В.Б. Нгуен // Компьютерная оптика. - 2017. - Т. 41, № 6. - С. 856-863.

100. Хоанг Т.Л. Условие получения постоянного коэффициента отражения от сферических поверхностей большой кривизны / Т.Л. Хоанг, Л.А. Губанова, В.Б. Нгуен // Известия высших учебных заведений. Приборостроение. - 2017. - Т. 60, № 12. - С. 1177-1183.

101. Seshan, K. Handbook of Thin Film Deposition Techniques, Processes, and Technologies. 3rd Edition / K. Seshan. - William Andrew, 2012. - 408 p.

102. Хоанг, Т.Л. Методика измерения распределения коэффициента отражения по сферической выпуклой поверхности большой кривизны / Т.Л. Хоанг, Л.А. Губанова, В.К. Кирилловский, И.Б. Терещенко, Д.Т. Нгуен // Оптический журнал. - 2019. - Т. 86, - № 4. - C. 17-21.

103. Дмитренко, В.А. Технология получения тонкопленочных покрытий с переменным отражением: дисс... канд. техн. наук: 05.11.07 / В.А. Дмитренко. -СПб, 2003. - 153 с.

104. Сапожников, Р.А. Теоретическая фотометрия / Р.А. Сапожников. - Л.: Энергия, 1977. - 268 с.

105. Shenghao, W. Apparatus for measuring the uniformity of the optical transmittance of a semispherical surface at normal incidence / W. Shenghao, L. Shijie, S. Jianda, [et al.]. // Applied optics. - 2018. - Т. 57, №. 13. - С. 3395-3400.

106. Ландсберг, Г.С. Оптика. Учеб. пособие: для вузов / Г.С Ландсберг. - 6-е изд., стереот. -М.: Физматлит, 2003. - 848 с.

107. Никифоров, С.Г. Измерительная лаборатория для комплексного исследования характеристик светодиодов, применяемых в системах отображения информации / С.Г. Никифоров // Компоненты и технологии. -2007. - №. 72. - C.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.