Синтез тонких пленок оксида цинка методом магнетронного распыления при высоких скоростях роста тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат физико-математических наук Аль-Тхуаели Садек Али Мохаммед

• Аль-Тхуаели Садек Али Мохаммед
• кандидат физико-математических наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Аль-Тхуаели Садек Али Мохаммед

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. Литературный обзор

1.1. Общая характеристика оксида цинка

1.2. Методы получения кристаллов и пленок оксида цинка

1.2.1. Методы получения монокристаллов оксида цинка

1.2.2. Методы получения тонких пленок оксида цинка

1.3. Получение ориентированных и эпитаксиальных пленок ZnO методом магнетронного распыления. Скорости роста пленок

1.4. Модификация поверхности мишени при ионном распылении

1.5. Эмиссия микрочастиц при распылении и их влияние на ростовые процессы формирования пленок

1.6. Учет кристаллохимической особенности оксида цинка в процессах кристаллизации. Постановка задачи исследования

ГЛАВА II. Методика эксперимента

2.1. Физика и техника магнетронного распыления

2.2. Описание установки магнетронного распыления

2.3. Методика подготовки подложек и изготовления мишеней ZnO

2.4. Электронографический метод оценки структурного совершенства поверхности подложек и пленок

2.5. Исследование морфологии поверхности мишени и пленок

2.6. Измерение плавающего потенциала, снятие осциллограммы зонда и питающего напряжения

2.7. Методика снятия спектров катодолюминесценции

ГЛАВА III. Закономерности формирования морфологии распыляемой мишени и эпитаксиальных пленок ZnO в условиях сильноточного магнетронного разряда

3.1. Особенности и техника эксперимента при больших токах магнетронного разряда

3.2. Закономерности формирования морфологии поверхности

мишени ZnO при высоких плотностях разрядного тока

3.3. Механизм формирования эпитаксиальных пленок ZnO

на сапфире при высоких скоростях роста

3.3.1. Микрометровые частицы ZnO на ростовой поверхности

3.3.2. Процессы самоорганизация микрочастиц ZnO на

ростовой поверхности

3.3.3. Выбор подложки для эпитаксиального роста ZnO

3.3.4. Механизм роста эпитаксиальных пленок ZnO по схеме «жидкость-кристалл»

3.4. Выводы к главе 3

ГЛАВА IV. Некоторые свойства эпитаксиальных пленок

оксида цинка

4.1. Термостимулированная проводимость в эпитаксиальных

пленках ZnO

4.2. Температурная зависимость электропроводности пленок

оксида цинка в вакууме и на воздухе

4.3. Катодолюминесценция эпитаксиальных пленок ZnO

4.3.1. Влияние отжига в атмосфере кислорода на спектры катодолюминесценции слоев ZnO

4.3.2. Влияние отжига в атмосфере водорода на спектры катодолюминесценции слоев ZnO

4.4. Выводы к главе 4

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Синтез тонких пленок оксида цинка методом магнетронного распыления при высоких скоростях роста»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. В семействе широкозонных полупроводников оксид цинка (ZnO) является перспективным полупроводником в связи с возможностью его применения при создании различных компонентов электронной техники. Он является признанным материалом для создания высокоэффективных источников и приемников света, работающих в голубом и ультрафиолетовом диапазоне спектра, солнечных элементов, прозрачных контактов, сверхбыстрых сцинтилляторов, газовых сенсоров и др. Считается, что ZnO - материал, наиболее подходящий (из-за высокой энергии связи эксито-нов Е=60 мэВ) для изготовления лазера, работающего в ультрафиолетовом диапазоне при комнатной температуре. Однако, практическая реализация потенциальных возможностей ZnO задерживается из-за технологических проблем синтеза данного материала с необходимыми и воспроизводимыми свойствами.

Среди способов получения тонких пленок ZnO метод магнетронного распыления относится к одному из часто используемых методов. Процесс осаждения с использованием магнетронных распылительных систем (MPC) включает ряд стадий: образование ионов рабочего газа, бомбардировка мишени (процессы на поверхности мишени и в приповерхностном слое, сопровождающиеся различными видами эмиссии), массоперенос распыленных частиц через плазму, конденсация распыленных частиц на подложке, сопровождающаяся бомбардировкой ионами, нейтральными атомами, электронами и облучением светом (излучением) разряда. Из-за сложного характера такого процесса рассчитать его заранее невозможно. К примеру, в процессе распыления мишень при определенных условиях может подвергаться существенной модификации, а это в свою очередь, скажется на угловом, массовом, зарядовом, энергетическом распределении эмитируемых частиц. Указанные распределения существенно будут влиять на ростовые процессы формирования конденсата на подложке.

При синтезе тонких пленок ZnO методом магнетронного распьшения были достигнуты скорости роста пленок: ~3 нм/с - для текстурированных и поликристаллических пленок; ~ 0,3 нм/с - для эпитаксиальных. Нами показано, что далеко еще не исчерпаны возможности повышения значений этих скоростей при получении пленок на основе ZnO с заданными и воспроизводимыми свойствами. Настоящая работа посвящена исследованиям по синтезу эпитаксиальных пленок ZnO со скоростями роста до 15 нм/с.

Цель работы - установление механизмов формирования эпитаксиальных пленок ZnO в условиях сильноточного магнетронного разряда, обеспечивающего скорости роста до 15 нм/с, исследования морфологии поверхности мишени и пленок ZnO, а так же оптических и фотоэлектрических характеристик пленок при различных режимах отжига.

Для достижения поставленной цели были решены следующие задачи:

1. Обеспечение стабильного горения магнетронного разряда без разрушения мишени при высоких значениях разрядного тока.

2. Исследование процессов модификации поверхности мишени ZnO при высоких мощностях разрядного тока.

3. Получение эпитаксиальных пленок ZnO и исследование механизмов их роста.

4. Исследование оптических, фотоэлектрических свойств полученных пленок.

Научная новизна результатов, полученных в ходе выполнения диссертационной работы, состоит в следующем:

1. Впервые установлено, что не припаянная к поверхности магнетрона мишень ZnO, при распылении в режиме высокого тока нагревается до высоких температур (зона эрозии до -900 °С) и подвергается существенной модификации. В зоне распыления (эрозии) происходят значительные измене-

ния рельефа поверхности, а в областях, примыкающих к ней (край и центр мишени), формируются характерные кристаллические структуры.

2. Впервые, установлено, что модифицированная мишень является источником микрометровых частиц, которые, попадая на ростовую поверхность, играют основную роль в процессах формирования эпитаксиальных пленок ZnO.

3. Впервые в методе магнетронного распыления реализован механизм формирования эпитаксиальных пленок ZnO по схеме «жидкость—»кристалл».

4. Впервые достигнуты высокие скорости осаждения эпитаксиальных пленок ZnO -15 нм/с классическим вариантом метода магнетронного распыления керамической мишени ZnO на постоянном токе в атмосфере кислорода.

Практическая значимость работы заключается в разработке и реализации сильноточного режима магнетронного распыления мишени ZnO, обеспечивающего осаждение эпитаксиальных пленок ZnO с высокими скоростями роста. Из-за специфического механизма формирования осадка с участием микрометровых частиц, поперечный размер кристаллитов осаждаемой пленки составляет 1-3 мкм, в то время как, характерный размер кристаллитов «магнетронных» пленок ZnO, формируемых из атомарного потока, составляет 50-100 нм. Поскольку размер кристаллита пленки определяет основные ее свойства, то разработанная методика позволяет получать пленки со свойствами, характерными для объемных кристаллов ZnO, т.е. существенно снизить роль межкристаллитных границ. Это подтверждается наличием у пленок ZnO катодолюминесценции: узкая коротковолновая полоса с максимумом 400 нм и широкая длинноволновая полоса слабой интенсивности (450-1000 нм, А™=650 нм). Дальнейший отжиг пленок на воздухе в течение 1 часа при температуре 800 °С приводит к активации зеленной люминесценции с максимумом при 520 нм. Последующий отжиг в водороде приводит к переключению энергии излучения из видимой области спектра в коротковолновую с максимумом при 392 нм. Эффективность излучения образцов достаточна для раз-

работки и изготовления на их основе электро- и катодолюминесцентных экранов, детекторов ионизирующего излучения, светодиодов, лазеров в коротковолновой области спектра, работающих при комнатной температуре и выше.

Основные положения, выносимые на защиту

1. При плотностях разрядного тока, превышающих 3=60 мА/см2, поверхность мишени ZnO подвергается существенной модификации. В зоне распыления (эрозии) происходят значительные изменения рельефа поверхности, а в областях (край и центр мишени) примыкающих к ней наблюдается формирование характерных кристаллических структур.

2. Эмитируемые модифицированной мишенью микрометровые частицы ZnO, попадая на ростовую поверхность, плавятся и, объединяясь, образуют жидкоподобные шестигранные островки, которые, в свою очередь, формируют очередной слой эпитаксиальной пленки. Формирование конденсата идет по схеме «жидкость—»кристалл», в отличие от характерной для газофазных методов схемы «пар—>кристалл».

3. При отжиге пленок на воздухе при 800°С происходит трансформация широкой видимо-инфракрасной полосы люминесценции (ДА,=309 нм) в интенсивную зеленую полосу с максимумом при Хт= 522нм и полушириной АХ= 125 нм.

4. Последующий отжиг образцов в водороде при 600 °С приводит к гашению интенсивности зеленной полосы люминесценции и переключению свечения на коротковолновую область с максимумом при А^ = 394 нм и полушириной ДА, = 17 нм. Уменьшение интенсивности зеленной полосы связано со значительным снижением концентрации вакансий кислорода У0 в объеме пленки из-за образования безызлучательных комплексов типа (Уо+ -Н) и (О-Н). Значительное увеличение интенсивности краевой люминесценции связано с акцепторными дефектами (вакансиями цинка Угп), роль которых в рекомбинационных процессах возрастает в условиях уменьшения вакансий кислорода в решетке.

Достоверность полученных и представленных в диссертации результатов обеспечивается использованием стандартных физических методик, непротиворечивостью результатов экспериментов и сделанных выводов с общепринятыми утверждениями в данной области.

Личный вклад автора. Модернизация установки для работы в режиме сильноточного распыления проведена при непосредственно участии соискателя. Все эксперименты по диссертационной работе (изготовление мишеней, чистка и модификация поверхности подложек, синтез пленок) и обработка первичных экспериментальных данных выполнены соискателем самостоятельно. Исследование фотоэлектрических и люминесцентных свойств образцов проведены совместно с соавторами и сотрудниками лаборатории. Постановка задач, их корректировка, интерпретация и обсуждение результатов эксперимента выполнены совместно с научным руководителем.

Апробация результатов работы. Материалы диссертационной работы докладывались на следующих конференциях: Всеукраинская международная конференция молодых ученых «Химия, физика и технология поверхности» (Киев, 2012); VII Всероссийская конференция по физической электронике "ФЭ-2012" (Махачкала, 2012); III Всероссийская научно-техническая конференция «Состояние и перспективы развития полупроводниковой техники» (Махачкала, 2013); Ежегодные конференциях профессорско-преподавательского состава физического факультета Даггосуниверситета 2008-2012 гг.

Публикации. Основное содержание диссертационной работы отражено в 9 научных работах, в числе которых 3 статьи в изданиях, рекомендованных ВАК для публикации основных результатов диссертации.

Структура и объём диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Материал работы изложен на 169 страницах, включающих 56 рисунков, 4 таблиц. Список цитируемой литературы содержит 198 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Аль-Тхуаели Садек Али Мохаммед

4.4. Выводы к главе 4.

1. На основе исследований эпитаксиальных пленок методом тер-мостимулированной проводимости можно сделать вывод о том, что им характерно наличие центров прилипания электронов глубиной = (0,09 — 0,16) эВ, одна из которых локализована в межкристаллитных границах, создающими потенциальный барьер (р = 0,55 эВ.

2. Исследованием температурной зависимости проводимости поликристаллических пленок оксида цинка при нагревании их в вакууме выявлены различные формы адсорбции кислорода. Определены энергии активации процессов адсорбции в различных температурных интервалах. Нагрев пленок в вакууме приводит к дегазации поверхности и межкристаллитных областей и исчезновению МКПБ. При последующем прогреве образцов на воздухе барьеры восстанавливаются, что указывает на обратимость процесса адсорбции 02 на ZnO при температурах < 700 К.

3. Исходные эпитаксиальные пленки ZnO обладают широкой длинноволновой бесструктурной полосой люминесценции и узкой краевой полосой с максимумом при 400 нм. Широкая полоса обусловлена не только собственными дефектами кристаллической решетки ZnO (вакансиями кислорода, атомами цинка и кислорода в междузлиях), но и их ассоциатами и комплексами, т.е. является суперпозицией нескольких элементарных полос. Краевая полоса с полушириной 24 нм, наблюдаемая при 300К, обусловлена рекомбинацией свободных электронов с акцепторами - вакансиями цинка У2п.

4.Экситонное излучение при комнатной температуре подавлено и появляется при азотных температурах в виде очень узкой (ЛА~8 нм) интенсивной полосы с максимумом при 367 нм и фононных повторений, которые свидетельствуют о высоком структурном совершенстве пленок. Основной максимум УФ полосы при 376 нм (3,3 эВ) должен отвечать первому фононному повторению свободного экситона А1-ЬО, а два эквидистантных пика при 385 нм (3,22 эВ) и 395 нм (3,14 эВ), отстоящие друг от друга по энергии на расстоянии ~ 80 мэВ, отвечают второму и третьему фононным повторениям.

5. При отжиге пленок ЪпО на воздухе ниже ~700°С (1час) преобладает процесс выделения атомов цинка из кристаллической решетки, который приводит к избытку кислорода в решетке. При этом наблюдается рост электросопротивления пленок и интенсивности люминесценции в красной области спектра. При отжиге пленок выше ~700°С преобладает процесс выделения кислорода из решетки, который приводит к генерации доноров - вакансий кислорода и междоузельного цинка. Отжиг на воздухе при 800°С приводит к качественным изменениям в спектре КЛ: широкая (АЛ = 309 нм) видимо-инфракрасная полоса трансформируется в интенсивную зеленую полосу с максимумом при Лт = 522нм (3,375эВ) и полушириной АЛ = 125 нм.

6. Отжиг пленок 2п0 в атмосфере водорода (р = 1,5 атм., Т = 600°С, 20 мин) приводит к гашению интенсивности видимой полосы люминесценции и переключению свечения на коротковолновую область полосы (Ат = 394 нм (3,15 эВ), полуширина АЛ = 17 нм), что указывает на значительное уменьшение концентрации вакансий кислорода У+ в объеме пленки из-за образования безызлучательных комплексов типа (У0+ — Н) и (О — Н). Значительное увеличение интенсивности краевой люминесценции связано с акцепторными дефектами (вакансиями цинка Угп), роль которых в рекомбинаци-онных процессах возрастает в условиях уменьшения вакансий кислорода в решетке О. л

7. Повышение интегральной интенсивности краевой полосы при охлаждение пленки до 8 О К, её симметричное уширение и выявление её тонкой структуры связано с суперпозицией экситонной полосы и её реплики с фиолетовой полосой и переключением энергии излучения из видимой области спектра в коротковолновую.

8. После соответствующей термообработки эффективность излучения эпитаксиальных пленок 7,пО достаточна для разработки и изготовления на их основе электро- и катодолюминесцентных экранов, детекторов ионизирующего излучения, источников видимого света, лазеров в коротковолновой области спектра, работающие при комнатной температуре и выше.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. При больших плотностях разрядного тока (J > 60 мА/см2) поверхность мишени ZnO подвергается существенной модификации. В зоне распыления (эрозии) происходят значительные изменения рельефа поверхности, а в областях (край и центр мишени) примыкающих к ней наблюдается формирование характерных кристаллических структур.

2. Эмитируемые модифицированной мишенью микрометровые частицы ZnO, попадая на ростовую поверхность, плавятся и объединяясь образуют жидкоподобные шестигранные островки, которые, в свою очередь, формируют очередной слой эпитаксиальной пленки. Формирование конденсата идет по схеме «жидкость-жристалл», в отличие от характерной для газофазных методов схемы «пар->кристалл».

3. Исходные эпитаксиальные пленки ZnO обладают широкой длинноволновой бесструктурной полосой люминесценции и узкой краевой полосой с максимумом при 400 нм. Широкая полоса обусловлена не только собственными дефектами кристаллической решетки ZnO (вакансиями кислорода, атомами цинка и кислорода в междузлиях), но и их ассоциатами и комплексами, т.е. является суперпозицией нескольких элементарных полос. Краевая полоса с полушириной 24 нм, наблюдаемая при 300К, обусловлена рекомбинацией свободных электронов с акцепторами - вакансиями цинка VZn.

4. При отжиге образцов на воздухе при 800°С происходит трансформация широкой видимо-инфракрасной полосы люминесценции (АЛ = 309 нм) в интенсивную зеленую полосу с максимумом при Лт = 522нм (3,375эВ) и полушириной АХ — 125 нм.

5. Последующий отжиг образцов в водороде при 600°С приводит к гашению интенсивности зеленной полосы люминесценции и переключению свечения на коротковолновую область с максимумом при Ят = 394 нм = (ЗД5 эВ) и полушириной АЛ = 17 нм. Уменьшение зеленной полосы связано со значительным уменьшением концентрации вакансий кислорода V0 в объеме пленки из-за образования безызлучательных комплексов типа (У0+ — Н) и (О — Н). Значительное увеличение интенсивности краевой люминесценции связано с акцепторными дефектами (вакансиями цинка У2п), роль которых в рекомбинационных процессах возрастает в условиях с уменьшением вакансий кислорода в решетке.

6. Повышение интегральной интенсивности краевой полосы при охлаждение пленки до 80К, её симметричное уширение и выявление её тонкой структуры связано с суперпозицией экситонной полосы и её реплики с фиолетовой полосой и переключением энергии излучения из видимой области спектра в коротковолновую.

7. После соответствующей термообработки эффективность излучения эпитаксиальных пленок ЪпО достаточна для разработки и изготовления на их основе электро- и катодолюминесцентных экранов, детекторов ионизирующего излучения, источников видимого света, лазеров в коротковолновой области спектра, работающие при комнатной температуре и выше.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Аль-Тхуаели Садек Али Мохаммед, 2013 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. - М., 1961, - С. 371-374.

2. Шаскольская М.П. Кристаллография: учеб. для втузов. - М.: «Высш. школа», 1976,-391 с.

3. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. - М.: «Наука», 1978, -790 с.

4. Рабаданов Р.А. Получение, реальная структура, некоторые объемные и поверхностные свойства монокристаллического оксида цинка. Дис. ... докт. физ.-мат. наук. - Махачкала, 1997, - 358 с.

5. Bates С.Н., White W.B., and Roy R., New high pressure polymorph of zinc oxide, Science, 1962, -V.137, -P.993.

6. Соколов П.С., Баранов A.H., Доброхотова Ж.В., Соложенко В.Л. Синтез и термическая стабильность кубического ZnO в солевых нанокомпози-тах // Известия РАН: Серия Химическая, 2010, - Т.59, - №2, - С.318-321.

7. Solozhenko V.L., Baranov A.N., and Turkevich V.Z., High-pressure formation of MgxZnl-xO solid solution with rock salt structure, Solid State Communications, 2006, - V. 138, -pp.534-537.

8. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. M.: «Наука», 1979, - С. 49-50.

9. Dietl T., Ohno H., Matsukura F. et al., Science, 2000, -V.287, - P.1019.

10. Кытин В.Г., Кульбачинский В.A., Глебов Д.С., Бурова Л.И., Кауль А.Р., Реукова О.В. Электропроводность и магнитные свойства тонких пленок оксида цинка, легированного кобальтом // Физика и техника полупроводников, 2010, 44, 2,-С. 164-169.

11. Ueda К., Tabata H., Kawai Т. Magnetic and electric properties of transition metal doped ZnO films, Appl. Phys. Lett., 2001, - V.79, - pp.988-990.

12. Дубинин С.Ф., Соколов В.И., Пархоменко В.Д. и др. Влияние легирования ионами никеля на структурное состояние кристалла оксида цинка // Физика твердого тела, 2009, - Т.51, - вып. 10, - С. 1905-1908.

13. Страумал Б.Б., Мятиев А.А., Страумал П.Б. и др. Зернограничные прослойки в нанокристаллическом ферромагнитном оксиде цинка // Письма в ЖЭТФ, 2010, - Т.92, - вып. 6, - С.438-443.

14. Straumal В.В., Mazilkin А.А., Protasova S.G. at al., Phys. Rev., 2009, - B79

- pp.205-206.

15. Hirschwald W., Bonasewicz P., Ernst L. et al. Zinc oxide: Properties and behavior of bulk, the solid (vacuum and solid) gas interface //Curr. Top. Mater. Sci., 1981, -V.7, - pp.143-482.

16. Heiland G., Mollwo E., Stockhmann E. Electronic processes in zinc oxide //Solid State Phys., 1959, - V.8, - pp. 191-323.

17. Георгобиани A.H. Широкозонные полупроводники A2B6 и перспективы их применения // Успехи физ. наук., 1974, - Т.113, - С.129-155.

18. Кузьмина И.П., Никитенко В.Н. Окись цинка. Получение и оптические свойства. - М.: Наука, 1984, - 166 с.

19. Hutson A.R. Hall effect of doped zinc oxide single crystals //Phys. Rev., 1957, -V. 108, -pp.222-230.

20. Minegishi K., Kowai Y., Kikuchi Y., Yano K., Kasuga M., Shimizu A. //Jap. J. Appl.Phys., 1997, - V.36, L1453, -pp.198-203.

21. Yamamoto Т., Katayama-Yoshida H. //Jap. J. Appl. Phys., 1999, - V.38, L166 -pp.158-162.

22. Joseph M., Tabata H., Kawai T.// Jap. J. Appl. Phys., 1999, - V.38, L1205 -pp. 142-143.

23. Wang Zhao at al. Electroluminescence of the p-ZnO:As/n-ZnO LEDs grown on ITO glass coated with GaAs interlayer //Applied Surface Science, 2011, — V.257, - Issue 10, -pp.4685-4688.

24. Sun J.C. at al. Ultraviolet electroluminescence from n-ZnO:Ga/p-ZnO:N ho-moj unction device on sapphire substrate with p-type ZnO:N layer formed by annealing in N2O plasma ambient // Chemical Physics Letters, 2008, - V.460,

- Issues 4-6, - pp.548-551.

25. Рогозин И. В., Георгобиани А. Н., Котляревский М. Б. и др. р-переход в ZnO при имплантации элементами V группы // Неорганические материалы, 2010, - Т.46, - № 9, - С. 1059-1064.

26. Паршина JI. С. Импульсное лазерное напыление эпитаксиальных пленок ZnO п- и р- типа при легировании элементами III и V группы: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 05.27.03 / Паршина Любовь Сергеевна. -Шатура, 2011.- 19 с.

27. Мездрогина М.М., Криволапчук В.В., Феоктистов Н.А. и др. Спектры фотолюминесценции гетероструктур n-ZnO/p-GaN<Er+Zn> и р-AlGaN<Er+Zn> // Физика и техника полупроводников, 2008, - Т.42, -вып.7, - С.782-787.

28. Yang Т.Р. at al. Room temperature electroluminescence from the n-ZnO/p-GaN heterojunction device grown by MOCVD // Materials Research Bulletin, 2008, - V.43, - Issue 12, - pp.3614-3620.

29. Hao Zheng at al. Fabrication and characterization of high quality n-ZnO/p-GaN heterojunction light emission diodes // Thin Solid Films, 2011, - V.520, - Issue 1, - pp.445-447.

30. Патент RU, №2198250, C30B7/10, опубл. 10.02.2003.

31. Патент RU, №2320787, C30B7/10, опубл. 27.03.2008.

32. Dem'yanetsa L.N., Lyutin V.I. Status of hydrothermal growth of bulk ZnO: Latest issues and advantages // Journal of Crystal Growth, 2008, - V.310, -P.993-999.

33. Chang-Long Zhang at. al. Hydrothermal growth and characterization of ZnO crystals // Journal of Crystal Growth, 2008, - V.310, - P.1819-1822.

34. Невьянцева P.P., Кидярова Б.И., Строителев C.A., Николаев И.В. Выращивание затравочных кристаллов цинкита из раствора в расплаве // Неорганические Материалы, 1969, - Т.12, - С. 2119-2122.

35. Wanklyn В.М. The growth of ZnO crystals from phosphate and vanadate fluxes //Journal of crystal growth, 1970, - V.7, - P.107-108.

36. Oka K., Shibata H., Kashiwaya S. Crystal growth of ZnO // Journal of crystal growth, 2002, - V.237, -P.509- 513.

37. Заявка на изобретение RU, №2009138235 А, опубл. 27.04.2011.

38. Патент US № 2010/0107967 А1, опубл. 06.05. 2010.

39. Klimm D. at al. The growth of ZnO crystals from the melt // Journal of Crystal Growth. 2008,-Vol. 310,-P.3009-3013.

40. Hong S.H. at al. Growth of high-quality ZnO single crystals by seeded CVT using the newly designed ampoule // Journal of Crystal Growth. 2009, -V.311,- P.3 609-3612.

41. Terasako T. at al. Optical properties of ZnO films grown by atmospheric-pressure chemical vapor deposition using Zn and H20 as source materials // Thin Solid Films. 2007, - V.516, - P. 159-164.

42. URL: www.mtixtl.com/znosubstrates-cplate.aspx.

43. Гусев А.И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. - М.: Физ-матлит, 2007,-416 с.

44. Yun Zhang B.S. High quality ZnO epitaxial grown by plasma assisted molecular beam epitaxy // A thesis submitted in partial fulfillment of the requirements for the degree of Master of Science in Electrical Engineering at Virginia Commonwealth University. Tsinghua University, 2001.

45. S.-J. Anl at al. Laser-MBE growth of high-quality ZnO thin films on Al203(0001) and Si02/Si(100) using the third harmonics of a Nd:YAG laser // Appl. Phys. 2002, - A.74, - P.509-512.

46. H. Suzuki at al. Surfactant-Mediated Molecular Beam Epitaxy of ZnO// Journal of the Korean Physical Society, 2006, -V.49, - № 3, - P.1266-1270.

47. Shao-Ying Ting at al. Crystallinity Improvement of ZnO Thin Film on Different Buffer Layers Grown by MBE // Journal of Nanomaterials, 2012, - V.52, - pp. 1-7.

48. URL: www.thesaurus.rusnano.com/wiki/article867.

49. Новодворский О. А., Горбатенко JI. С., Панченко В. Я. и др. Оптические и структурные характеристики пленок оксида цинка, легированных галлием // Физика и техника полупроводников. 2009, - Т.43, - вып.4, - С.439-444.

50. Лотин А.А. Квантоворазмерные эффекты в двумерных гетероструктурах на основе ZnO, полученных методом импульсного лазерного напыления:

автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 05.27.03 / Лотин Андрей Анатольевич. - Шатура, 2011. -19 с.

51. Жерихин А.Н., Худобенко А.И., Вилльямс Р.Т. и др. Напыление пленок ZnO на кремниевые и сапфировые подложки //Квантовая электроника, 2003, - т. 33, - №11, - с.975-980.

52. Хайдуков Е.В. Диагностика капельной и ионной компонент лазерного эрозионного факела при напылении тонких пленок: диссертация ... кандидата физико-математических наук: 05.27.03 / Хайдуков Евгений Валерьевич; [Место защиты: Ин-т проблем лазер, и информ. технологии РАН]. - Шатура, 2010,-160 с.

53. URL: www.thesaurus.rusnano.com/wiki/articlel949.

54. Киреев В.Ю., Столяров А.А. Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы. - М.: Техносфера, 2006, - 192 с.

55. Бурова Л.И. Химическое осаждение из газовой фазы, структура и свойства тонких пленок ZnO, Zn0(Ga203) и ZnO(CoO): диссертация ... кандидата физико-математических наук : 02.00.21 / Бурова Лидия Игоревна; [Место защиты: МГУ]. - Москва, 2011, - 120 с.

56. Remashan К., Choi Y. S., Park S. J., and Jang J. H. Enhanced Performance of MOCVD ZnO TFTs on Glass Substrates with Nitrogen-Rich Silicon Nitride Gate Dielectric// Journal of The Electrochemical Society, 2010, -V.157(l), -P. 60-64.

57. Gary S. Tompa, S. Sun, L. G. Provost, Dan Mentel, D. Sugrim, Philip Chan, Keny Tong, Raymond Wong, and A. Lee. Large Area Multi-Wafer MOCVD of Transparent and Conducting ZnO Films // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2007. -V.957.

58. Sallet V., Thiandoume C., Rommeluere J.F., Lusson A., Riviere A., Riviere J.P., Gorochov O., Tribouleta R., Munoz-Sanjose V. // Some aspects of the MOCVD growth of ZnO on sapphire using tert-butanol. Materials Letters, 2002,-V. 53,-P. 126-131.

59. Naoki Nishimoto. Growth of ZnO Thin Films by Using MOCVD with a High-Speed Rotating Disk Reactor. // Journal of the Korean Physical Society, 2008. -V.53, -№5, -P.2951-2954.

60. Sandana V. E., Rogers D. J. and Hosseini Teherani F., McClintock R., Bay-ram C., and Razeghi M., Sallet V. Comparison of ZnO nanostructures grown using pulsed laser deposition, metal organic chemical vapor deposition, and physical vapor transport // J. Vac. Sci. Technol, 2009, -V.27, - pp.1678-1683.

61. URL: www.thesaurus.rusnano.com/wiki/article847.

62. Liu Z., Jin Z., Li W., Qiu J. Preparation of ZnO porous thin films by sol-gel method using PEG template // Materials Letters, 2005, - V. 59, - P.3620-3625.

63. Малютина-Бронская B.B., Поликанин A.M., Залесский В.Б., Семченко A.B., Сидский В.В., Гайшун В.Е. Получение гетероструктур SlOa/ZnO/Si золь-гель методом // Проблемы физики, математики и техники, 2011, -Т.8, - №3, - С.24-27.

64. Takashi Y., Yasuhiro О., Mitsuru S. Epitaxial Growth of ZnO by Sol-Gel Method // Journal of the Korean Physical Society, 2008, -V.53, - № 5, -pp.2921-2924.

65. Редькин A. H. Контролируемый газофазный синтез наноструктур для наноэлектроники, фотоники и микросистемной техники: диссертация ... доктора физико-математических наук : 05.27.01/ Редькин Аркадий Николаевич; [Место защиты: ИПТМ РАН]. - Черноголовка, 2011, - с.325.

66. Ozgur U., Alivov Ya. I., Liu С. at al. A comprehensive review of ZnO materials and devices//J. Appl. Phys., 2005, - V. 98,-pp.4101-4103.

67. Tsivion D., M. Schvartzman, R. Popovitz-Biro, E. Joselevich. Guided Growth of Horizontal ZnO Nanowires with Controlled Orientations on Flat and Faceted Sapphire Surfaces //V.6, -№7, - P. 6433-6445.

68. David T. at al. Guided Growth of Horizontal ZnO Nanowires with Controlled Orientations on Flat and Faceted Sapphire Surfaces // ACS Nano., 2012, -V. 6 (7), - P.6433-6445.

69. G. Kenanakis at. al. Growth of c-axis oriented ZnO nanowires from aqueous solution: The decisive role of a seed layer for controlling the wires diameter // Journal of Crystal Growth. 2009. Vol. 311. P. 4799-4804.

70. Peidong Yang at. al. Controlled Growth of ZnO Nanowires and Their Optical Properties // Adv. Funct. Mater. 2002, - V. 12, - №5. - P.323-331.

71. Шермегор Т.Д., Стрельцова H.H. Пленочные пьезоэлектрики. - М.: Радио и связь., 1986. -137 с.

72. Александров К.С. Эффективные пьезоэлектрические кристаллы для аку-стоэлектроники, пьезотехники и сенсоров. - Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2007,-501с.

73. Бунарев В.И., Мочалов Б.Ф., Стрельцова Н.Н. и др. Экспериментальное исследование структурных свойств пленок ZnO, полученных магнетронным методом //Электронная техника., 1981, - №5(29) - С.35-38.

74. К. Tominaga, S. Iwamura, I. Fujita et al. Influence of Bombardment by Energetic Atoms on c-Axis Orientation of ZnO Films //Jap. J. Appl. Phys. -1982, - V.21, №7, -P.999-1002.

75. Miura M. Ciystallographic Character of ZnO Thin Films Formed at Low Sputtering Gas Pressure //Jap. J. Appl. Phys, 1982, - V.21, - №2, - pp.264-271.

76. Гранкин И.М., Кальная Г.И., Гришина H.M. Высокоориентированные пленки оксида цинка // Неорганические материалы, 1982, - Т. 18, -№5, -С.820-824.

77. Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. М.: Энергоатомиздат, 1989, - 328 с.

78. Кузмичьев А.И. Магнетронные распылительные системы. Кн. 1. Введение в физику и технику магнетронного распыления. - К.: Аверс, 2008, -244 с.

79. Jin-yong Oh, Jae-hongLim, Dae-kue Hwang. Growth of Buffer-Free High-Quality ZnO Epilayer on Sapphire (0001) Using Radio-Frequency Magnetron Sputtering // Electrochemical Society, 2004, - V. 151, - P.623-626.

80. Luis M., Angelat, Maharaj S., Tomar Oscar Perales-Perez . Effect of growth condition on the properties of ZnO thin films grown by RF-magnetron sputtering // CONAMET/SAM, 2008.

81. R. Subba Reddy at al. Effect of film thickness on the structural morphological and optical properties of nanocrystalline ZnO films formed by RF magnetron sputtering //Adv. Mat. Lett., 2012, -V.3(3), -P.239-245.

82. J. Daugela at al. Deposition of ZnO Layers Using Planar Reactive Magnetron System // Elektronika ir Elektrotechnika, Mikroelektronika, 2005, - V.171, -№7(63), - P.70-73.

83. Banerjee, D. Wolf, J. Yang, S. Guha. High-rate (50A/s) deposition of ZnO films for amorphous silicon alloy solar cell backreflector application // J. Appl. Phys., 1991,-V.70,-№ 3,-P. 1692-1694.

84. Jun-ichi Nomoto at al. Preparation of Al-doped ZnO transparent electrodes suitable for thin-film solar cell applications by various types of magnetron sputtering depositions // Thin Solid Films, 2011, - V.520,- P.1400-1406.

85. Т.К. Subramanyam at al. Effect of substrate temperature on the physical properties of DC reactive magnetron sputtered ZnO films // Optical Materials, 1999, - V.13, -P.239-247.

86. H. Hirasawa et al. ZnO:Ga conducting-"lms grown by DC arc-discharge ion-plating //Solar Energy Materials & Solar Cells, 2001, - V.67, - P.231-236.

87. Исмаилов A.M. Совершенство структуры и свойства пленок оксида цинка получаемых ионным распылением. Канд. Дисс. На соискание уч. степени, Махачкала, 2000.

88. New Sputtering System for Manufacturing ZnO Thin-film SAW Devices / k. Chji, O. Yamazaki, K. Wasa et al.-J. Vac. Sci. Tech., 1978, - V.15, -№ 4, - P. 1601-1604.

89. Shiosaki T. High-speed fabrication of high-quality sputtered ZnO thin-films for bulk and surface wave applications // Ultrasonic symposium proceedings IEEE., 1978, -P.100-110.

90. Maniv S., Westwood W.D., Colombini E. Pressure and angle of incident effects in reactive planar magnetron sputtered ZnO layers // Journal of Vacuum Science and Technology. 1982, - V.20, -№2, - P. 162-170.

91. Lee С. Т., su Y.k., Wang H.M. Effect of RF sputtering parameters on ZnO films deposited onto GaAs substrates // Thin Solids Films, 1987, - V. 150, -P.283-289.

92. Panwar B.S., Bhattacharyya A.B., Nagpal K.C., Mall R.P. Growth and characterizations of ZnO films deposited on monolithic Si3N4-Si02-Si configuration // Thin Solid Films, 1989, - V.168, - P.291-305.

93. Андреев А. С., Анисимкин В. И., Котелянский И. М. и др. Возбуждение поверхностных акустических волн в непьезоэлектриках встречно-штыревыми преобразователями с пленками ZnO // Микроэлектроника, 1980, - Т.9, - №3, - с.277-279.

94. Т. Shiosaki, S. Ohnishi, Y. Muzakami et al. High Rate Epitaxial Growth of ZnO Films on Sapphire by Planar Magnetron RF sputtering System// J. Ciyst. Growth, 1978, - V.45, - P.345-349.

95. Yamamoto Т., Shiosaki Т., Kawabata A. Characterization of ZnO Layer // J. Vas Sci. Tech., 1979, - V.86, -P.300-307.

96. Maniv S., Westwood W. D., Colombini E. Pressure and Angle of Incidence Effects in React ive Planar Magnetron Sputtered ZnO Layer // J. Vac. Sci. Tech., 1982, - V.20, -№2, - P. 162-170.

97. Wasa K., Hayakawa S. Special Features of Thin Compound Films Prepared by Magnetron Sputtering// Surface Science, 1979, - V.86, - P. 300-307.

98. Бунарев В. И., Мочалов Б. Ф., Стрельцова Н. Н. и др. Экспериментальное исследование структурных свойств пленок ZnO, полученных магнетрон-ным методом//Электронная техника, 1981,-сер. 10,-№5 (29),-С.35-38.

99. Wang J.S., Lakin К. N. М. c-Axis Inclined ZnO Piezoelectric Shear Wave Films.-Appl. Phys. Letts., 1982, - V.42, -№4, -P.352-352.

100. Hata Т., Minamikava Т., Marimoto O., Hada T. DC reactive magnetron sputtering ZnO film // Journal of crystal growth., 1979, - V.47. - P. 171 -176.

101. Wang J. S., Lakin K.M. Sputtered C-axis inclined ZnO films for shear wave resonators // Ultrasonic Symposium, 1982, - P.480-483.

102. Yamamoto T, Shiosaki T, Kawabata A. Characterisation of ZnO piezoelectric films prepared by RF planar-magnetron sputtering // J.Appl. Phis., 1980, -V.51(6),-P.3113-3120.

103. Kushida K, Takeushi H. Crystlline properties of RF-sputtered ZnO film on gold film on fused quartz // J. Appl. Phis., 1984, -V. 56 (4), - P.l 133-1135.

104. Hickernel F. S. ZnO proceeding for bulk and surface-wave devices // Ultrasonic Symposium, 1980, -P.785-794.

105. Jung-Hyeok Bae, Han-Kim. Characteristics of A1 doped ZnO co-sputtered InZnO anode films prepared by direct current magnetron sputtering for organic light-emitting diodes //Thin Solid Films, 2008, - V.516, -P.7866-7870.

106. A.M.K. Dagamseh. ZnO:Al films prepared by RF magnetron sputtering applied as back reflectors in thin-film silicon solar cells // Thin Solid Films, 2008,-V.516,-P.7844-7850.

107. L. Wang et al. Structure and optical properties of ZnO:V thin films with different doping concentrations //Thin Solid Films, 2009, -V.517, - P.3721-3725.

108. Liu K.W. et al. Ultraviolet photoconductive detector with high visible rejection and fast photoresponse based on ZnO thin film //Solid-State Electronics,

2007, -V.51, - P.757-761.

109. Wu C. C. at al. Effects of Growth Conditions on Structural Properties of ZnO Nanostructures on Sapphire Substrate by Metal - Organic Chemical Vapor Deposition //Nanoscale Res Lett, 2009, - P.377-384.

110. Zhang P. et al. Effects of disk rotation rate on the growth of ZnO films by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition Thin Solid Films 516,

2008, - V.516, - P.925-928.

111. Bang K.-H. et al. Effects of growth temperature on the properties of ZnO/GaAs prepared by metalorganic chemical vapor deposition Journal of Crystal Growth, 2003, - V.250, - P.437-443.

112. J-L. Zhao et al. Highly (002)-oriented ZnO film grown by ultrasonic spray pyrolysis on ZnO-seeded Si (100) substrate //J. Mater. Res, 2006, -V.21, - №9, - P. 145-149.

113. Bae S.H. et al. Pulsed laser deposition of ZnO thin films for applications of light emission // Applied Surface Science, 2000, - V.154-155, - P.458-461.

114. Choi J.H. et al. Initial preferred growth in zinc oxide thin films on Si and amorphous substrates by a pulsed laser deposition Journal of Crystal Growth, 2001, - V.226, - P.493-500.

115. Lin M.-Z. et al. High-Quality ZnO Thin Films Grown by Fast Pulsed Laser Deposition without a Buffer Layer // Japanese Journal of Applied Physics,

2005, - V.44, -№31, -P.995-997.

116. Saji K. J. at al. Growth of zinc oxide thin films for optoelectronic application by pulsed laser deposition// Proc. of SPIE Vol. 6286 62860D 1-12. Advances in Thin-Film Coatings for Optical Applications III, edited by Michael J. Ellison, Proc. of SPIE Vol. 6286, 62860D, (2006) • 0277-786X/06/$15 • doi: 10.1117/12.680477.

117. K. Zhao, A. Shen. Increasing ZnO Growth Rate by Modifying Oxygen Plasma Conditions in Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy // World Journal of Condensed Matter Physics, 2012, 2, 160-164.

118. Heo Y.W. et al. Growth of ZnO thin films on c-plane A1203 by molecular beam epitaxy using ozone as an oxygen source// Applied Surface Science,

2006, - V.252, - P.7442-7448.

119. Kim J-G. et al. Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy of ZnO Films on (0001)Al2O3: Effects of the MgO Bu_er Layer Thickness // Journal of the Korean Physical Society, 2008, - V.53, - №1, - pp. 271-275.

120. Ayouchi R. et al.. Growth of pure ZnO thin films prepared by chemical spray pyrolysis on silicon // Journal of Crystal Growth, 2003, -V.247, - P.497-504.

121. Vigil O. et al. Spray pyrolysis deposition of cadmium-zinc oxide thin films // Thin Solid Films, 2000, - V.361-362, - P.53-55.

122. Бериша Р. и Виттмака К. Распыление под действием бомбардировки частицами. Вып. III. Характеристики распыленных частиц, применения в технике: Пер. с англ./ Под ред.- М.: Мир, 1998, - 551 с.

123. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Вып. II. Распыление сплавов и соединений, распыление под действием электронов и нейтронов, рельеф поверхности: Пер. с англ./ Под ред. Р. Бериша. - М.: Мир, 1986, - 488 с.

124. Беграмбеков Л.Б. Модификация поверхности твердых тел при ионном и плазменном воздействии. Учебное пособие. М: МИФИ, 2001,-34 с.

125. Беграмбеков Л.Б. Эрозия и трансформация поверхности при ионной бомбардировке. Итоги науки и техники, сер. Пучки заряженных частиц, 1993,-Т.7,-стр. 4-57.

126. Omata Т., Kita М., Okada Н., Otsuka-Yao-Matsuo S. Effects of Са Doping on Nodule Formation of onlTO Target during DC Magnetron Sputter-ing//Thin Solid Films, 2006, - V.503, - P.22.

127. Cho S-H. at al. Nodule Formation on Magnetron Sputtering Targets//Phys. Soc., 2009, - V.54, - P. 13-15.

128. Gehman B. L., Jonsson S., Rudolph Т., Scherer M., Werner R. Thin Solid Films, 1992, - V.220, - P.333.

129. Utsumi K., Iigusa H., Tokumaru R., Song P.K., Shigesato Y. Transmission Electron Microscopy Observation on the Early Stages of Sn-Doped 1П2О3 Film Growth Deposited on Amorphous Carbon Films by DC Magnetron Sputtering //Thin Solid Films, 2003, - V.445, - P.229.

130. Lippens P., Segers A., Haemers J., De Gryse R. Growth and characterization of AlAsySbj-y and InAsySbj-y thin films on GaAs and InAs substrates // Thin Solid Films, 1998, - V.317, - P.405.

131. M. Schlott, M. Kutzner, B.L. Gehman, N. Reger, F.J. Stadermann. Nodule Formation on Magnetron Sputtering Targets //SID 96 DIGEST, 1997, - 1.

132. Reger N., Stadermann F.J. and Ortner H.M. Comment on The 'infinite velocity method': a means of concentration calibration in secondary ion mass spec-trometry//Surface Science Letters. Surf. Sci., 1999, - V.429. -P.84.

133. S-H Cho at al. Effects of Ca Doping on Nodule Formation of on ITO Target during DC Magnetron Sputtering // Journal of the Korean Physical Society,

2009,-V.54,-№3.-pp.1315-1319

134. T.B. Семикина, B.H. Комащенко, JI.H. Шмырева. Оксидная электроника как одно из направлений прозрачной электроники //Электроника и связь,

2010,-Вып. 3, — с.20-28.

135. Wang Xing-ming et al. Preparation of Al-doped ZnO sputter target by hot pressing // Trans. Nonferrous Met. Soc. China, 2011, -V.21, - P. 1550-1556.

136. Берлин E.B., Сейдман JI.A. Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии. М.: «Техносфера», 2010, - 528 с.

137. Распыление под дествием бомабардировки частицами. Вып. III. Характеристики распыленных частиц, применения в технике: Пер. с англ. / Под. Ред. Р. Бериша и К. Виттмака. - М.: Мир, 1998. - 551 с.

138. Bizyukov А.А., Kashaba A.Y., Romaschenko E.V. et al. Features of high-current pulsed regimes in magnetron sputtering systems // Problems of Atomic Science and Technology. Series: Plasma Physics. 2005, - №2 (11), - P.167-169.

139. Bizyukov A.A., Kashaba A.Y., Tarasov I.K. et al. Pulsed magnetron sputtering system. Abstracts of Eight International Conference on Plasma Surface Engineering. Garmisch-Partenkirchen. 2002, - WePPU2, -P.367.

140. Kimblin C.W. Erosion and ionization in the cathode spot region of vacuum arcs // J. Appl. Phys.1973, - V.44, -№7, -p.3074-3081.

141.Daalder J.E. Components of cathode erosion in vacuum arcs //J. Phys. D: Appl. Phys., 1976, - V.9, -№11. -P.2379-2395.

142. Бизюков А.А. и др. Испарение макрочастиц в плазме сильноточного импульсного дугового разряда низкого давления // Вопросы атомной науки и техники, серия: плазменная электроника и новые методы ускорения. 2006,-№5, -С.136-141.

143. Кузьмина И.П., Никитенко В.Н. Окись цинка. Получение и оптические свойства. - М.: Наука, 1984, - 166 с.

144. Зенгуил Э. Физика поверхности. - М.: Мир, 1990, - С.126-130.

145. Миркин JI.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. - М.: Физматгиз, 1961, - 683 с.

146. Горелик С.С., Скаков Ю.А., Расторгуев Л.Н. Рентгенографический и электронно-оптический анализ.: Учеб. Пособие для вузов. - 4-е изд. доп. и перераб. - М.: МИСИС, 2002. - 360 с.

147. Эндрюс К., Дайсон Д., Киоун С. Электронограммы и их интерпретация. -М.: Мир, 1971,-256 с.

148. Хирш П., Хови А., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов. - М.: Мир, 1968, - 574 с.

149. Аль-Тхуаели С.А. Условия, регулирующие получение тонких пленок ZnO в разрядных системах // Известия Дагестанского государственного университета. Естественные и точные науки. 2012, - №1, - с.5-9.

150. Иванцев Ю.В., Суляев Ю.С. Магнетрон самокалящимся катодом // Материалы конференции «Физика плазмы и плазменные технологии», Минск, 1997, - Т.4, - с.748-751.

151. Laurikaitis М., Cyviene J., Dudonis J. Deposition of Zr-ZrOx and YYxOy fims by reactive magnetron sputtering//Vacuum, 2005, -V.78, - P.395-399.

152. Cyviene J. and all. Synthesis of Zr02/Y203 by combined arc and magnetron sputtering technique // Surface and Coatings Technology, 2004, -V.180-181, -P.53-58.

153. Kelly P.J. and all. Reactive pulsed magnetron sputtering process for alumina films// J. Vac. Sci. Technol. A, 2000, - V.18, - №6, - P.2890-2896.

154. Steenbeck K. The abrasion of hot silicon targets by reactive sputtering in Ar-02.-Thin Solid Films, 1985, -V.123, - P.239-244.

155. Billard A. and all. Lnfluence of the target temperature on a reactive sputtering process // Surface and Coatings Technology, 1999, - V. 116-119, - P.721- 726.

156. Mercs D., perry F., Billard A. Hot target sputtering: A new way for high -rate deposition of stoichiometric ceramic films// Surface & Coatings Technology, 2006,-V.201, -P.2276- 2281.

157. Аль-Тхуаели С.А., Рабаданов P.A., Исмаилов A.M., Рабаданов М.Х., Алиев И.Ш., Джабраилова Х.Р. Микроморфология поверхности мишени ZnO, сформированная в условиях сильноточного магнетронного распыления // Материалы VII Всероссийской конференции ФЭ-2012, Махачкала, 2012.

158. Барченко В.Т., Быстров Ю.А., Колгин Е.А. Ионно-плазменные технологии в электронном производстве. - СПб.: Энергоатомиздат, 2000, - 332с.

159. Аль-Тхуаели С.А., Рабаданов М.Х., Рабаданов P.A., Исмаилов А.М., Алиев ИШ. Синтез эпитаксиальных пленок ZnO методом магнетронного распыления при высоких скоростях роста// ФЭН-НАУКА. - Бугульма, 2012, - №5(8), - С.4-6.

160. Аль-Тхуаели С.А., Рабаданов P.A., Исмаилов A.M., Алиев И.Ш. Синтез эпитаксиальных пленок оксида цинка методом магнетронного распыления в условиях воздействия потока микрочастиц на ростовую поверхность // Вестник ДГУ. Естественные науки. - Махачкала, 2012, - вып.1, - с.34-37.

161. Чопра К. JL. Электрические явления в тонких пленках. - М.: Мир, 1972, -426с.

162. Исмаилов A.M., Магомедов М.А. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ / №2011611244, 2011.

163. Исмаилов A.M., Рабаданов М.Р., Рабаданов P.A. Структурные особенности роста буферных слоев оксидов тугоплавких металлов на сапфире// IV Национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов. - Москва, 2003, - с.240.

164. Дубровский В.Г. Теория формирования эпитаксиальных наноструктур. -М.: «Физматлит», 2009. - 352с.

165. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. - М.: Мир, 1977,-562с.

166. Антонов-Романовский В.В. О рекомбинационной фосфоресценции.// Изв. АН СССР. сер. физ., 1946, - Т. 10, -№5-6, - С.477-487.

167. Garlic G.F.T., Gibson A.F. The electron traps mechanism of luminescence in sylphide and selenide phosphore.// Proc. Phys. Soc., 1948, - V.A60, - №342, - P.574-590.

168. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. - М.: Высшая школа, 1971, - 336с.

169. Вертопрахов В.Н., Сальман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах.// Новосибирск: Наука, 1979, - 333с.

170. Ризаханов М.А. Об одной возможности определения сечения захвата электрона ловушками.// Изв. ВУЗов, физика, 1971, -№1, - С. 153-154.

171. Зобов Е.М., Ризаханов М.А., Хамидов М.М., Магомедов Н.М. Эффект расширения в зону сечения захвата электрона ловушкой в порошках промышленных люминофоров К-83, К-96. //Тезисы международной конф. «Оптика полупроводников». - Ульяновск, 2000, - С.84.

172. Обвинцева JI.A. Полупроводниковые металооксидные сенсоры для определения химически активных газовых примесей в воздушной среде // Журнал Рос. хим. об-ва, им. Д.И. Менделеева, 2008, - Т. LH, - №2, - С. 113-121.

173. Caballero A.C. at al. Bulk grain resistivity of ZnO-based varistors // Journal of Electroceramics, 2004, - T. 13, - № 1-3, - C.759-763.

174. Рабаданов M.X, Аль-Тхуаели С.А., Рабаданов P.A., Исмаилов A.M., Алиев И.Ш. Температурная зависимость электропроводности тонких пленок оксида цинка в вакууме // Естественные и технические науки. — М.: изд. «Спутник +», 2012 -№2(58), - с.56-60.

175. Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применения: Пер. с англ./Под ред. Г. Харбеке. - М.: Мир, 1989, - 344с.

176. П. Кофстад. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов. - М.: Мир, 1975. - 369с.

177. В.Ф. Киселев, О.В. Крылов. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках. - М.: Наука, 1979. - 314с.

178. С. Моррисон. Химическая физика поверхности твердого тела. Пер. с англ. - М.: Мир, 1980, - 488 с.

179. Bagnall D.M., Chen Y.F., Shen M.Y., Zhu Z., Goto Т., Yao T. Room temperature excitonic stimulated emission from zinc oxide epilayers

grown by plasma-assisted MBE//J. Cryst. Gowth., 1998, -V. 184/185, -P.605-609.

180.Qiu Z., Wong K.S., Wu M., Lin W., Xu H. Microcavity lasing behavior of oriented hexagonal ZnO nanowhiskers grown by hydrothermal oxidation//Appl. Phys. Lett., - 2004, - V.84, - P.2739-2741.

181.Lin В., Fu Z., Jia Y. Green luminescent center in undoped zinc oxide films deposited on silicon substrate//Appl. Phys. Lett. - 2001. - Vol. 79. - P. 943-945.

182.Sekiguchi Т., Miyashita S., Obara K., Shishido Т., Sakagami N. Hydrothermal growth of ZnO single crystals and their optical characterization //J. Cryst. Growth., 2000, - V.214-215, -P.72-76.

183.Monteiro Т., Boemax C., Soares M.J., Rita E., Alves E. Photoluminescence and damage recovery studies in Fe-implanted ZnO single crystals //J. Appl. Phys., 2003, - V.93, - P.8995-9000.

184.Грузинцев A.H., Волков В.Т., Якимов Е .Е. Фотоэлектрические свойства пленок ZnO, легированных акцепторными примесями меди и серебра//ФТП., 2003, -Т.37, -Вып.З, -С.275-278.

185.Чукичев М.В., Атаев Б.М., Мамедов В.В., Аливов Я.И., Ходос И.И. Катод олюминесценция гетероэпитаксиальных структур ZnO/GaWa-АЬОз, полученных методом химического транспорта // ФТП., 2002, — Т.36,— Вып.9, - С.1052-1055.

186.Чубенко Е.Б., Бондаренко В.П., Balucani М. Видимая фотолюминесценция пленок ZnO, сформированных электрохимическим методом на кремниевых подложках// Письма в ЖТФ., — 2009, - Т.35, - Вып.24, - С.74-80.

187. Грузинцев А.Н., Волков В.Т. Модификация электрических и оптических свойств пленок ZnO под действием ультрафиолетового излучения // ФТП., 2011, -Т.45,-Вып.И,-С. 1476-1480.

188.Бутхузи Т. В., Георгобиани А. Н., Зада-Улы Е., Эльтазаров Б. Т., Хулор-дава Т. Г. Люминесценция монокристаллических слоев окиси цинка п- и р- типа проводимости // Труды ФИАН., 1987, - Т.182, - С. 140-187.

189. Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Волков В.Т., Воробьев М.О. Влияние отжига в радикалах кислорода на люминесценцию и электропроводность пленок ZnO.N //ФТП, 2002, - Т.36, - Вып.З, - С.284-288.

190. Георгобиани, А.Н. Спонтанная и стимулированная ультрафиолетовая люминесценция ZnO:N/ А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев, Е.Е. Якимов, С. Bartyou, P. Benalloul // ФТП., 2005, - Т.39, - Вып.6, - С.692-696.

191. Chris G. Hydrogen as a Cause of Doping in Zinc Oxide / G. Chris, Van de Walle //Phys. Rev. Lett., 2005,-V.85,-№.5,-P.1012-1015.

192. Mollwo E. Die Wirkung von Wasserstoff auf die Leitfähigkeit und Lumineszenz von Zinkoxydkristallen // Zeitschrift für Physik, 1954, - V. 138, -P.478-488.

193. Thomas D. G. Hydrogen as a donor in zinc oxide / D. G. Thomas, J. J. Lander//! Chem. Phys.,1956, - V.25, - P.l 136-1142.

194. Hutson A.R. Hall Effect Studies of Doped Zinc Oxide Single Crystals //Phys. Rev., 1957, - V.108(2), -P.222-230.

195. Minegishi, K. Growth of p-type zinc oxide films by chemical vapor deposition / K. Minegishi, Y. Koiwai, Y. Kikuchi, K. Yano, M. Kasuga and A. Shimizu //Jpn. J. Appl. Phys.,1997, - V.38, - №2, - P.1453-1456.

196. Крёгер Ф.А. Химия несовершенных кристаллов. - М.: Мир, 1969, - 654с.

197. Рогозин И. В., Георгобиани А. Н, Котляревский М. Б., Мараховский А. В. Механизм компенсации дырочной проводимости пленок ZnO // Неорганические материалы, 2009, - Т.45, - №4, - С.440-448.

198. Zeng Y.J, Ye Z.Z., Xu W.Z. et.al. p-Tupe Behavior in Nominally Undoped ZnO Thin Films bu Oxygen Plasma Growth //Appl. Phys. Lett., 2006, - V.88, -P.262103(3).