Получение твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x методом магнетронного распыления и исследование их свойств тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Гусейнов, Марат Керимханович

• Гусейнов, Марат Керимханович
• кандидат физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Гусейнов, Марат Керимханович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЙ ШИРОКОЗОННЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (81С),.Х(А11Ч)Х.

1.1. Кристаллическая структура и свойства карбида кремния и нитрида алюминия.

1.2. Критерии образования твердых растворов.

1.3 Термодинамический анализ критериев образования твердых растворов в системе БЮ-АМ.

1.4 Полупроводниковые твердые растворы (81С)1.Х(А1Ы)Х и структуры на их основе.

ГЛАВА II. ПОЛУЧЕНИЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (SiC)bx(AlN)x МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ.

2.1 Важнейшие параметры магнетронных сиситем распыления.

2.2. Расчет границы зоны термализации.

2.3.Оценка положения анода в плазме MPC.

2.4. Экспериментальная установка и технология получения пленок твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x.

2.4.1 Методика подготовки подложек.

2.4.2. Зависимость скорости распыления поликристаллических мишеней SiC-AIN от мощности возбуждения разряда.

2 .4.3. Влияние температуры подложки на скорость роста пленок (SiC)i.x(AlN)x.

ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ, СОСТАВА И

МОРФОЛОГИИ ПЛЕНОК (81С)ьх(АШ)х.

3.1.Исследование структуры пленок (81С)1.Х(АШ)Х методом рентгеновской дифракции.

3.2.Исследование структуры пленок (81С)1-Х(АШ)Х методом дифракции быстрых электронов на отражение.

3.3. Исследование морфологии поверхности пленок.

3.4. Изучение однородности пленок (81С)1.Х(АШ)Х.

ГЛАВА IV. ОПТИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ^СЭь^АШ)*.

4.1.Основные оптические характеристики полупроводниковых пленок.

4.2. Исследование оптических свойств пленок (8Ю)1Х(АШ)Х.

4.3. Катодолюминесценция пленок (81С)1.Х(АШ)Х.

4.4.Электропроводность пленок (8Ю)1.Х(А1М)Х.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x методом магнетронного распыления и исследование их свойств»

Актуальность темы. Развитие полупроводниковой электроники требует исследований различных полупроводниковых материалов практически по всем направлениям. В настоящее время существует потребность в полупроводниковых приборах стойких к воздействию высокой температуры, радиации, в приборах, работающих в коротковолновой области оптического диапазона. Это связано с различными применениями данных приборов в микроэлектронике, медицине, военной технике и пр. Такие приборы не могут быть созданы на основе широко используемых в твердотельной электронике классических полупроводниковых материалов О /С

8^0е,А В ,А В ) из-за недостаточной тепловой, барической и радиационной стойкости. Важное значение в этой связи приобретает использование карбида кремния и твердых растворов на его основе, т.к. в силу удачного сочетания полупроводниковых и физико-химических свойств, приборы на их основе обеспечивают высокую надежность и стабильность параметров при экспериментальных условиях эксплуатации.

Наиболее перспективными в этом отношении являются твердые растворы карбида кремния с нитридом алюминия (8Ю)1.Х(А1Ы)Х[1]. Благодаря большой ширине запрещенной зоны (3<Её<6,2эВ) твердые растворы (81С)1.Х(А1]М)Х найдут применение особенно в тех областях, где требуется анализ ультрафиолетового (УФ) излучения при наличии мощного видимого или инфракрасного фона. Среди возможных применений можно назвать: датчики пламени и нагрева, приборы для измерения биодоз УФ (мониторы загара), диагностики плазмы, детектирования следов от двигателей ракет и т.д.

Псевдобинарные твердые растворы (81С)1.Х(А1Ы)Х позволяют существенно расширять диапазон важнейших электрофизических свойств 81С, открывают большие возможности при создании новых оптоэлектронных и высокотемпературных приборов[1,2]. В них путем изменения состава возможно в широких пределах управлять оптическими и электрическими свойствами. Следовательно, актуальными является решение таких задач, как:

- разработка управляемой технологии получения твердых растворов (81С)1.Х(АШ)Х с заданным составом и свойствами;

- исследование влияния технологических параметров синтеза твердых растворов (81С)1.Х(АШ)Х на их структурные и электрофизические свойства.

В настоящее время для получения твердых растворов (81С)ьх(А1К)х, в основном, применяют методы сублимации и жидкофазной эпитаксии[3-6]. Однако эти методы не позволяют пока получать однородные слои толщиной порядка десятков-тысяч ангстрем и ограничены возможностями управления уровнем легирования по толщине выращиваемых слоев (81С)1Х(АГМ)Х. В этой связи, разработка метода получения твердых растворов (81С)1Х(АШ)Х лишенных недостатков, присущих сублимационному и жидкофазному методам имеет важное практическое значение.

Данная диссертация посвящена проблемам получения твердых растворов (81С)1.Х(А1Ы)Х методом ионно-плазменного (магнетронного) распыления поликристаллических мишеней 81С-А1Ы и исследованию их свойств.

Цель работы:

Получение полупроводниковых твердых растворов (81С)1Х(А1М)Х методом магнетронного распыления поликристаллических мишеней 8Ю-АШ и исследование их структурных, электрических и оптических свойств в зависимости от условий осаждения.

Для достижения этой цели решены следующие задачи: 1. Определены физические и технологические условия образования твердых растворов (81С)1.Х(А1Ы)Х.

2. Изучены механизмы распыления поликристаллических мишеней БЮ-АШ и транспорта распыленных частиц в пространстве дрейфа мишень-подложка.

3. Получены пленки твердых растворов (81С)1.Х(А1>Т)Х методом магнетронного распыления.

4. Исследованы структура, состав, электрические и оптические свойства пленок (81С)1.Х(АМ)Х.

5. Установлена связь между свойствами пленок (8Ю)1.Х(А1М)Х и условиями осаждения.

Научная новизна заключается в том, что впервые:

1. Методом магнетронного распыления поликристаллических мишеней БЮ-АГЫ получены монокристаллические пленки (81С)1.Х(АШ)Х в атмосфере аргона. Рассчитаны и экспериментально установлены оптимальные технологические параметры осаждения пленок (8Ю)1Х(А1М)Х

2. Методами рентгеновской дифракции и электронографии установлены зависимости степени кристаллического совершенства и параметра решетки с монокристаллических пленок (81С)1.Х(А1Ы)Х от химического состава и температуры осаждения.

3. Из оптических исследований пленок (8Ю)1.Х(А11<Г)Х установлено, что с увеличением содержания нитрида алюминия от х=0,3 до х=0,46 наблюдается сдвиг края поглощения в коротковолновую область от 360 до 325 пт.

4. Исследована зависимость электрофизических свойств пленок (81С)1Х(АШ)Х от технологических условий получения и структуры. Показано, что повышение температуры осаждения пленок (81С)1.Х(А1Ы)Х от 800 до 1300К приводит к увеличению удельной электропроводности на 5-6 порядков, а энергия активации электропроводности пленок уменьшается при этом от 0,49 до 0,18 эВ.

5. Установлено влияние температуры осаждения на морфологию пленок

81С)1.Х(А1Ы)Х. Показано, что повышение температуры подложки приводит к изменениям поверхности роста и структуры пленок.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Способ получения пленок твердых растворов (81С)1.Х(А1Ы)Х методом магнетронного распыления поликристаллических мишеней 81С-А1Ы на подложках 8Ю, А^Оз в диапазоне температур от 800 до 1300 К.

2. Зависимости скорости роста, совершенства структуры и электропроводности пленок (8Ю)1.Х(А1Ы)Х от температуры подложки.

3. Аддитивное изменение параметра решетки с при увеличении содержания нитрида алюминия в пленках, подтверждающее образование непрерывного ряда твердых растворов (81С)1Х(А1М)Х.

4. Коротковолновый сдвиг края поглощения пленок (81С)1Х(А1Ы)Х с увеличением содержания нитрида алюминия, обусловленный изменением ширины запрещенной зоны (81С)1.Х(А1Ы)Х.

Практическая ценность:

Разработан способ низкотемпературного (Т=800-^-1300К) синтеза пленок твердых растворов (8Ю)1.Х(А1М)Х методом магнетронного распыления поликристаллических мишеней 81С-АШ на постоянном токе в атмосфере аргона с широкой возможностью управления процессом формирования пленок.

Установлена взаимосвязь между технологическими условиями осаждения, структурой и физическими свойствами пленок (81С)1.Х(АШ)Х, которая может быть использована для воспроизводимого получения

8Ю)1.Х(А11<Г)Х с заданными характеристиками в широком диапазоне изменения свойств.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на III Всероссийской конференции по Физической электронике (Махачкала,2003г.), на IV международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2004г.), на международной конференции новые перспективные материалы «НПМ-2004» (Волгоград, 2004), на III международной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Ставрополь, 2003г.), на V Всероссийской конференции «Керамика и композиционные материалы» (Сыктывкар, 2004г), на международной конференции «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах» (Махачкала, 2004г), Результаты работ также докладывались на ежегодных конференциях профессорско-преподавательского состава физического факультета Даггосуниверситета (Махачкала, 2002-2004гг.).

Публикации: Материалы диссертации опубликованы в 7 научных работах. Подана заявка на изобретение (приоритет №2004109865), получено одно свидетельство РИП (№ 73200400091 от 13.05. 2004 г.).

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Гусейнов, Марат Керимханович

Выводы к главе 4:

1. Установлено, что с увеличением содержания A1N в пленках (SiC)i.x(AlN)x спектры оптического пропускания смещаются в коротковолновую область. Наблюдаемый сдвиг края поглощения в сторону коротких волн по мере увеличения A1N в пленке связано с ростом ширины запрещенной зоны твердого раствора (SiC)i.x(AlN)x и свидетельствует об образовании твердого раствора в системе SiC-AlN.

2. Показано, что спектры катодолюминесценции состоят из двух полос излучения. Длинноволновая полоса, вероятно, обусловлена рекомбинацией на дефектах, в то время как коротковолновая полоса связана с донорно-акцепторных парах N-A1 . Интенсивность этих полос по разному зависит от температуры: интенсивность длинноволновой полосы в два раза уменьшается, а интенсивность коротковолновой полосы уменьшается в три раза с понижением температуры от ЗООК до 77К.

3. Установлено влияние температуры осаждения на удельную электропроводность полученных пленок. Пленки полученные при высоких температурах имеют относительно высокую проводимость. В диапазоне изменения температур от 800 до 1300К удельная электропроводность пленок увеличивается на 5-6 порядков.

4. Увеличение электропроводности с повышением температуры связано с изменением совершенства структуры пленок (81С)1.Х(АШ)Х и, возможно, с возрастанием концентрации электрически активных дефектов при высоких температурах.

Заключение.

В итоге проделанной работы получены следующие основные результаты:

1. Разработан способ синтеза твердых растворов (81С)1Х(А1М)Х на подложках БЮ, А120з методом магнетронного распыления, который позволяет получить твердые растворы (81С)1.Х(А1Н)Х при относительно низких температурах, улучшить качество пленок и уменьшить энергетические затраты.

2. Впервые методом магнетронного распыления поликристаллических мишеней БЮ-АШ в атмосфере аргона получены монокристаллические пленки (81С)1.Х(А1>0Х. Рассчитаны и экспериментально установлены оптимальные технологические параметры осаждения пленок (81С),.х(А1М)х

3. Методами рентгеновской дифрактометрии и электронной микроскопии исследованы структура, состав и морфология поверхности пленок (8Ю)IХ(А1Ы)Х. Установлено, что пленки (81С)1.Х(А1Н)Х, полученные методом магнетронного распыления достаточно однородны по площади и объему, а состав пленок близок составу поликристаллической мишени 81С-АМ.

4. Показано, что путем изменения параметров процесса распыления возможно управлять совершенством структуры пленок (81С)1.Х(А1М)Х от аморфной фазы до монокристаллической.

5. Рассчитан параметр решетки с монокристаллических пленок (SiC)i.x(AlN)x по рентгеновским дифрактограммам. Установлено, что с увеличением содержания нитрида алюминия в пленках параметр с уменьшается по линейному закону.

6. По рентгеновским кривым качания установлено, что структурное совершенство пленок с х<0.3, выращенных на подложках карбида кремния при Т~1300 К, сравнимо с совершенством подложки.

7. Изучены процессы транспорта распыленных частиц в пространстве дрейфа мишень-подложка. Рассчитаны зависимости протяженности зоны термализации распыленных атомов мишени SiC-AIN от давления рабочего газа в диапазоне 1-И2 Па. Определена зависимость скорости распыления мишеней SiC-AIN от удельной мощности разрядного тока и состава мишеней. Установлено, что скорость распыления поликристаллических мишеней SiC-AIN уменьшается с увеличением содержания A1N в них.

8. Показано, что скорость роста пленок (SiC)i.x(AlN)x уменьшается с повышением температуры осаждения. В диапазоне изменения температур от 800 до 1300 К скорость роста пленок уменьшается в 5-6 раз.

9. Установлена связь удельной электропроводности пленок с температурой их осаждения. Пленки, полученные при высоких температурах, имеют относительно высокую проводимость во всем исследованном температурном диапазоне. С ростом температуры осаждения от 800 до 1300 К удельная электропроводность пленок увеличивается на 5-6 порядков, что связано с изменением совершенства структуры пленок.

10.Установлено, что с увеличением содержания A1N в пленках спектры оптического пропускания смещаются в коротковолновую область. Сдвиг края поглощения в сторону коротких волн свидетельствует об образовании твердых растворов в системе SiC-AIN и связан с ростом ширины запрещенной зоны.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Гусейнов, Марат Керимханович, 2004 год

1. Сафаралиев Г.К. Закономерности формирования и физические свойства полупроводниковых твердых растворов на основе карбида кремния //Докт. диссертация, -Баку, 1988.

2. Янков P.A., Фельсков М., Крайссиг У. и др. Высокотемпературная имплантация ионов N + и AI + в 6H-SiC при высоких дозах // Письма в ЖТФ. 1997. Т.23. В.16. С. 6-14.

3. Нурмагомедов Ш. А., Сафаралиев Г. К., Пихтин А. Н., Разбегаев В. Н., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Получение и исследования эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов (SiC)i-x (A1N)X,// Письма в ЖТФ. 1986, т. 12, в. 17, стр. 1043-1045

4. Дмитриев В. А., Ефимов И. 10., Челноков В. Е., Чернов М. А. и др. Твердые растворы SiC-AlN, выращенных методом бесконтейнерной жидкофазной эпитаксии. // Письма в ЖТФ. 1991, т.17, в.6, стр.50-53.

5. Сафаралиев Г.К., Офицерова Н.В., Курбанов М.К., Таиров Ю.М., Влияние параметров роста на электропроводность твердых растворов (SiC)i.x (A1N)X. // Изв. РАН. Неорганические материалы. 1995, т. 6, стр. 1-4.

6. Курбанов М.К., Билалов Б.А. Сафаралиев Г.К., Нурмагомедов Ш.А., Исследование гетероструктур SiC/(SiC)i.x(AlN)x методом вольт-фарадных характеристик // 2001.ФТП. Т.35. В 2. С. 216-218.

7. Жданов Г. С. Физика твердого тела. Изд. МГУ. М., 1982, стр. 170-181, 335-338, 357-359.

8. Баровский Н. В., Добрынин А. В. и др. Осаждение эпитаксиальных слоев нитрида алюминия и его свойства // Сер. ТПО. Техника средств связи. 1987, № 1, стр. 25-28.

9. Сафаралиев Г. К., Суханек Г. К., Таиров Ю. М., Цветков В. Ф., Критерии образования твердых растворов на основе карбида кремния// Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1986, т. 22, в. 11, стр. 1839-1841.

10. Соболев B.C., Соболева О.С.физико-химическая трактовка изоморфизма.-Научн.зап. Львов. Унив-та, сер. хим., 1948. В.1. с.5

11. П.Ормонт Б.Ф. Термодинамика соединений переменного состава.-В кн.: Со соединение переменного состава. Гл.2.-Л, Химия, 1969.

12. Сирота Н.Н. Физико-химическая природа фаз переменного состава.-Минск: Наука и техника, 1970.

13. Киркинский В.А. Влияние температуры на границы изоморфной смесимости.- Геохимия, 1965, №4.

14. Киркинский В.А., Ярошевский А.А. Физико-химический аспект изоморфизма.- Зап. Всесоюзн. Мин. О-ва, 1967, 96, вып.5.

15. Ярошевский А.А. Термодинамическая интерпретация основных понятий изоморфизма.- В кн.: Проблема изоморфных замещений атомов в кристаллах.- М.: Наука, !971, с.48.

16. Киркинский В.А. Соотношение геометрического и энергетического факторов при изоморфизме.- В кн.: Материалы по генетической и экспериментальной минералогии, т.7- Новосибирск: Наука, 1972, с. 150.

17. Wasastjema I.A. On the theory of the heat of formation of solid solutions.-Soc. Sci. Fenn., Comment, phys.- math., 1949, 15, № 3.

18. Hietala J.Alkali, Halide Solid Solutions. I. Properties of pure components.-Ann. Acad. Sci. Fenn., 1963, AVI, №121.

19. Hietala J.Alkali, Halide Solid Solutions 2. Heat of formation of the Sodium chloride type.- Ann. Acad. Sci. Fenn., 1963, AVI, №122.

20. Урусов B.C. Теория изоморфной смесимости.- М.:Наука, 1972, с.251.

21. Таиров.Ю.М. Прогресс в технологии карбида кремния: современное состояние разработок и направления дальнейших исследований. В кн.: Широкозонные полупроводники Махачкала, 1988 , С.4 .

22. Таиров Ю.М.,Цветков В.Ф. Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников: Сб. ЛИЯФ. Ленинград, 1979. С. 122.

23. Van-Vechten J.A. Quantum dielectric theory of electronegayivity in covalent system. Parts 1-111. Phys. Rev. 1969 v. 187.,1007; Phys. Rev.B. V.7,N4, p.1479-1507.

24. Cutler I.B., Miller P.D., Rafaniello W., Thompson D.P., Jack H.K. New materials in the Si-C-Al-O -N and releted systems. Nature ( London), 1978, v.275, p. 434-435.

25. Rutz R.F. Epitaxial crystal fabrication of SiC-AlN. US pat. 4382837, 1983.

26. Суханек Г., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Письма в ЖТФ. 1983.Т.9. В. 12. С.737.

27. Rafaniello W., Plichta M.R., Vircar A.V., Investigation of phasa stabiliti in the SiC- A1N J. Amer. Ceram. Soc., 1983, v. 66, N4, p. 272 -276.

28. Ervin G., Jr. Silicon carbide- aluminum nitride refractory composite. US pat. 3492153, North American Rockwell Corp., Jan. 27, 1970.

29. Cutler I.B., Miller P.D. Solid solution and process for production a solid solution. US pat. 4141740, Feb. 27, 1979.

30. Rafaniello W., Cho K., Virkar A.V. Fabrication and chracterization of SiC-A1N alloys. J. Mater. Sci., 1981, v. 16, N 12, p. 3470-3488.

31. Ruh R. and Zangvil A. Composition and propeties of hot-pressed SiC-AlN solid solutions. J. Am. Ceram. Soc., 1982, v.65, N 2, p. 260-265.

32. Zangvil A., Ruh R. Phase relatiohoships in the silicon carbide-aluminum nitride system. J. Amer. Ceram. Soc., 1988, v. 71, N10, p. 884-890.

33. Czekaj C.L., Hackeney M.L.J., Hurley W. J., Jr., Interrante L.V., Sidel G.A., Scheilds P.J., Slack G.A. Preparation of silicon carbide/ aluminum nitrideceramics using organometallic precursors. J. Am. Ceram. Soc., 1990, v.73, N 2 p. 352-357.

34. Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Шабанов Ш.Ш., Пащук Е.Г., Офицерова Н.В. Авров Д.Д., Садыков С. А. Получение и свойства поликристаллических твердых растворов SiC-AlN. ФТПД993, Т,27, Вып.З, С. 402-408.

35. Нурмагомедов Ш.А., Сорокин Н.Д., Сафаралиев Г.К. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Особенности получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SIC)i.x(ALN)x . Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1986, Т.22, Вып. 10, С. 1872-1874.

36. Нурмагомедов Ш.А., Пихтин А.Н., Разбегаев В.Н., Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Получение и исследование эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов (SlC)ix(AlN)x. Письма в ЖТФ, 1986, т. 12, вып 17, с. 1043-1045.

37. Офицерова Н.В. Курбанов М.К., Никитина И.П., Сорокин Н.Д. Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Особенности получения гетероэпитаксиальных структур на основе твердых растворов (SIC). x(A1N)x . Изв. РАН, Неогр. мат., 1992, т. 28, N9, с.2011-2012.

38. Дмитриев В.А., Ефимов Л.Б., Линьков И.Ю., Морозенко Я.В., Никитина И.П., Челноков В.Е., Черенков А.Е., Чернов М. А., Твердые растворы SiC-AlN, выращенные методом бесконтейнерной жидкофазной эпитаксии. Письма ЖТФ, т. 17, вып. 6, 1991, с. 50-53

39. Kern R.S., Rowland L.B., Tanaka S., Davis R.F., Solid Solution of A1N and SiC grown by plasma-assisted, gas-sourse molecular beam epitaxy J. Mater. Res., 1983, v. 8, N7, p. 1477-1480.

40. Царегородцев A.M., Лебедев A.O. Термодинамический анализ процесса осаждения из газовой фазы твердых растворов (SiC)ix(AlN) х, Неорг. мат-лы, 1995, т.31, № 6, с. 748-753.

41. Офицерова H.B., Курбанов M.K., Сафаралиев Г.К. Влияние условий получения на состав и электропроводность твердых растворов (SiC)j. X(A1N)X .В сб. статей (Естественно-технические науки), Издательство ДГУ, 1992г. с. 109-110.

42. Сафаралиев Г.К., Курбанов М.К., Офицерова Н.В., Таиров Ю.М. Влияние параметров роста на электропроводность твердых растворов (SIC),.X(A1N)X . Изв. РАН, Неорг. мат-лы, т.6, 1995, с. 1-4.

43. Абдуев А.Х., Атаев Б.М., Ашурбеков С.А., Курбанов М.К., Нурмагомедов Ш.А., Сафаралиев Г.К., Управляемое изменение люминесцентных свойств твердых растворов на основе SiC. Письма в ЖТФ, т. 14, в.12, 1988, с. 1095-1098.

44. Safaraliev G.K, Kurbanov М.К, Ofitcerova N.V. Luminescence of heterojunctions (SIC).X(A1N)X / SIC.// Trans. International Amorphous and Crystalline Silicon Carbide, Santa-Clara, USA, 1991, p. 114-119.

45. Safaraliev G., Kurbanov M., Isabecova Т., Magomedov A., Ofitcerova N. The growth and electrical properties of heteroepitaxial layers (SiC)i.

46. X(A1N)X.// Trans. 3-th International High Temperature Electronic Conference, Albuquerque, USA, 1996,v.2,p.251-256

47. Сафаралиев Г.К., Разбегаев B.H., Курбанов M.K. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Влияние состава слоев на электролюминесценцию гетероструктур (SiC)i.AlN)x/(SIC). Электронная техника. Сер. Материалы, вып. 4 (258), 1991, с. 22-24.

48. Safaraliev G.K, Kurbanov M.K, Nurmagomedov Sh.A., Ofitcerova N.V. Heteroj unctions on basis wide-gap solid solutions (SiC)ix(AlN)x. // 2-nd European High Temperature Electronic Conference, Manchester (England), 1997

49. Дмитриев А.П., Евлахов H.B., Фурман. A.C., Расчет зонной структуры твердых растворов SiC-AIN методом псевдопотенциала. ФТП, т.30, в. 1, 1996, с. 106-116.

50. S. Tungasmita, Р. О. A. Persson, Т. Seppanen, L. Hultman, and J. Birch The Growth of (SiC)x (A1N),.X Epitaxial Thin Films on 6H-SiC, by lon-assisted Dual Magnetron Sputter Deposition// Materials Sciece Forum Vols. 389-393 (2002) pp. 1481-1484.

51. Francis F. Chen. Industrial applications of low temperatures plasma physics. Phys. Plasmas vol. 2, n. 6, June 1995, pp. 2164 - 2175.

52. Плазменные ускорители/Под общей редакцией JI. А Арцимовича. М.: Машиностроение, 1973.

53. Данилин Б. С., Неволин В. К., Сырчин В. К. Исследование магнетронных систем ионного распыления материалов. Электронная техника. Сер. Микроэлектронника, 1977, вып. 3 (69), с. 37 - 44.

54. J. G. Kirk, D. J. Galloway. The evolution of a test particle distribution in a strongly magnetized plasma. PI. Phys., vol. 24. n. 4, 1982, pp. 339 359.

55. L. Vriens. Energy balance in low pressure gas discharges. J. Appl. Phys. vol. 44, n. 9, September 1973, pp. 3980 - 3989.

56. F. A. S. Ligthart, R. A. J. Keijser. Two electron group model and electron energy balance in low - pressure gas discharges. J. Appl. Phys. vol. 51, n. 10, October 1980, pp. 5295 - 5299.

57. K. Kuwahara, H. Fujiyama. Application of the Child Langmuir Law to Magnetron Discharge Plasmas. IEEE Trans. Plasma. Sci., vol. 22, n. 4, August 1994, pp. 442 - 448.

58. Suzuki M., Enomoto Y., Murakami T. // J. Appl. Phys. 1982. Vol. 53. P. 1622-1629.

59. Suzuki M., Murakami T. //J. Appl. Phys. 1984 Vol. 56.P. 2330-2339.

60. Gras-Marti A., Valles-Abarca J.A. // J. Appl. Phys. 1983. Vol. 54. N 2. P. 1071-1078.

61. Valles-Abarca J.A., Gras-Marti A. // J. Appl. Phys. 1984. Vol. 55. N 5. P. 1370-1379.

62. Westwood W.D. //J. Vac .Sci. Technol. 1978. Vol. 15. N 1. P. 1-9.

63. Robinson R.S. // J. Vac. Sci. Technol. 1979. Vol. 16. N2. P. 185-188.

64. Sputtering by Particle Bombardment.//Ind. R. Behrisch. Berlin, Heidelbeg, New York: Springer-Verlag, 1981. P. 336.

65. B.A. Вольпяс, E.K. Гольман, M.A. Цукерман // ЖТФ. T.66. B.4. 1996.

66. Keller J.H., Simmons R.G. // IBM. J. Res. Develop. 1979. Vol. 23. N 1. P. 24-37.

67. Данилин Б. С., Сыргин В. Н. Магнетронные распылительные системы. М.: Радио и связь, 1982. 72с.

68. Ландау Л.Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика. Т. 2. Теория поля. М.: Наука, 1967. 460с.

69. Технология тонких пленок. Справочник. Т.1/ Под ред. Л. Майссела,

70. Р. Глэнга. М.: Сов. Радио, 1997. 664 с.

71. А.Ф. Хохлова //Физика твердого тела, лабораторный практикум- Н.Н.: 2000. с.310

72. Matsui S., Misuki S., Yamato Т., Aritome H., Namba S. Reactive ion-beametching of Silicon Carbide, -Jpn. J. Appl.Phys., 1981,v.20,Nl, p.L38-L40

73. Попов И.В., Сыркин А.Л., Челноков B.E. Реактивное ионно-плазменное травление карбида кремния. Письма в ЖТФ, т. 12,вып.4,с.240-243

74. Гудков В.А., Крысов Г.А. Плазменное травление карбида кремния. Электронная техника, сер.1, Электроника СВЧ, 1984,вып.7(367), с.60-61

75. Winters H.F.,Cjburn J.W., Chuang T.J. Surface processes in plasma assisted eatching environments. — J.Vac. Sci. and Technol. B,1983,v.l,Nl, p.469-480

76. Ponce F.A., Van de Walfe C.G., Northrup G.E. Atomic arrangment at the AIN/SiC interface.// Physical Review B, v.53.,№l 1, 7473-7478,1996.

77. Данилин Б.С., Киреев В.Ю., Назаров Д.А. Реактивное ионное травление. -Обзоры по электронной технике, сер.З, Микроэлектроника, 1984, вып.1 (1010),71с.

78. Технология сверхбольших интегральных схем/ под ред.С.Зи. М.: Мир, 1986.-Т. 1.-404 с.

79. Вайнштейн Б.К. К теории метода радиального распределения //Кристаллография. 1957. Т.2. Вып. 1.С. 29-37.

80. Франк Каменецкий В.А. Руководство по рентгеновскому исследованию минералов . Ленинград, из-во "Недра", 1975г

81. Cutler I.B., Miller P.D. Solid solution and process for production a solid solution. US pat. 4141740, Feb. 27, 1979.

82. Rafaniello W., Cho K., Virkar A.V. Fabrication and chracterization of SiC-A1N alloys. J. Mater. Sci., 1981, v.16, N 12, p. 3470-3488.

83. Ruh R. and Zangvil A. Composition and propeties of hot-pressed SiC-AIN solid solutions. J. Am. Ceram. Soc., 1982, v.65, N 2, p. 260-265.

84. Zangvil A., Ruh R. Phase relatiohoships in the silicon carbide-aluminum nitride system. J. Amer. Ceram. Soc., 1988, v. 71, N10, p. 884-890.

85. Czekaj C.L., Hackeney M.L.J., Hurley W. J., Jr., Interrante L.V., Sidel G.A., Scheilds P.J., Slack G.A. Preparation of silicon carbide/ aluminum nitride ceramics using organometallic precursors. J. Am. Ceram. Soc., 1990, v.73, N2 p. 352-357

86. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. М: Ф-М. .Л, 1961, 863с

87. Эндрюс К. , Дайсон Д., Киоун С. Электронограммы и их интерпретация . перевод с англ. языка из-во Мир, Москва, 1971г.

88. А.Ф. Хохлова //Физика твердого тела, лабораторный практикум- Н.Н.: 2000. с.265.

89. Бонч-Бруевич В.М., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М: Наука, 1977. 700с.

90. Рембеза С.И., Синельников Б.М., Рембеза Е.С. Физические методы исследования материалов твердотельной электроники.- Ставрополь.: СевКавГТУ, 2002.-141с.

91. Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. Лабораторный практикум. Физичекие свойства твердых тел. Изд.П. М. Высшая школа 2001.

92. Курбанов М.К. Гетеропереходы на основе твердых растворов (SiC)i. X(A1N)X.// Диссерт. на соиск. уч.степени канд. физ.-мат. наук,-Махачкала,1998.

93. James J.F. On the use of aphotomultiplier as aphoton counter. Mot.Not R.Astor Soc. 1967, v. 137, p.15.

94. Totnill A.A., W. Measurement of very low spectral intensities. EMI. Ltd. Document. Ref. R/P029Z70.

95. Нурмагомедов Ш.А. Твердые растворы нитрид алюминия карбид кремния.: Диссерт. на соиск. уч.степени канд. физ.-мат. наук - Л., ЛЭТИ, 1986.

96. Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Офицерова Н.В., Морозенко Я.В., Абилова H.A.// Физика и техника полупроводников, 1996, Т. 30, В.З, с. 493-496.

97. Дмитриев В.А.,.Иванов П.А, Морозенко Я.В., Попов И.В., Челноков

98. B.Е. Письма в ЖТФ, 11, 246 (1985).

99. Аникин М.М., Стрельчук A.M., Сыркин А.Л. // ФТП.1994. Т.22.В.2.1. C.284-289.

100. Вадков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов E.H. // Сб. статьей: Широкозонные полупроводники. Махачкала, 1988. С. 169

101. Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1987.-239 с.

102. Батвин В.В. Коцевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радиои связь, 1985.284 с.

103. Батвин В.В. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев. М.: Советское радио, 1976.-104 с.

104. Справочник по электротехническим материалам. Под ред. Корицкого Ю.В., Пасынкова В.В., Тареева Б.М. Т.З, Л., Энергоатомиздат. 1988. 726 с.

105. Tamm I. Е. Uber eine Möglich Art der Elektronenbindungen an Kristalloberflachen.- «Physikal. Zeitschr. Der Sowjetunion», 1932, В 1, H. 6, S. 733-746.

106. Hume Rothery W„ Mabort 1 G. W., Chamel - Evans К .M.- Ph 11. Trans . Roy . Soc ., А 223 , 1, 1934.

107. Pauling L., J. Am.Chem. Soc., 54, 570, 1932.