Свойства высокотемпературных омических контактов к гетероструктурам 3C-SiC/Si тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Колесникова, Анна Алексеевна

• Колесникова, Анна Алексеевна
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Колесникова, Анна Алексеевна

ВВЕДЕНИЕ.

1 МОДЕЛЬ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК.

1.1 Физическая модель контакта металла с полупроводником.

1.2 Роль поверхностных состояний. Реальные переходы металл -полупроводник.

1.3 Модель омического контакта металл - полупроводник.

1.4 Методы измерения удельного переходного сопротивления омических контактов.

1.4.1 Удельное переходное сопротивление омического контакта.

1.4.2 Методы измерения удельного переходного сопротивления омических контактов.

1.5 Анализ омических контактов к карбиду кремния.

Выводы к разделу 1.

2 ХАРАКТЕРИСТИКА ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ 3C-SIC/SIИ ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА КОНТАКТНУЮ СИСТЕМУ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНЖ.

2.1 Диффузионная технология создания гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si с использованием твердофазного кремния и углерода.

2.2 Морфология поверхности гетероэпитаксиальных пленок 3C-SiC/Si.

2.3 Рентгеноструктурный анализ гетероэпитаксиальных пленок 3C-SiC/Si.

2.4 Электронографические исследования гетероэпитаксиальных пленок ЗС-SiC/Si.

2.5 Химический анализ состава гетероэпитаксиальных слоев 3C-SiC/Si.

2.5.1 Методика проведения количественного анализа состава.

2.5.2 Количественный анализ состава гетероэпитаксиальных пленок 3C-SiC/Si.

2.6 Гетеропереходы в системе карбид кремния.

2.6.1 Расчет параметров энергетической диаграммы анизотипного гетероперехода n-SiC/p-Si.

2.6.2 Расчет параметров энергетической диаграммы анизотипного гетероперехода p-SiC/n-Si.

2.6.3 Электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-Si.

Выводы к разделу 2.

3 СТРУКТУРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ СИСТЕМЫ КОНТАКТ-ГЕТЕРОСТРУКТУРА B-SIC-SI.

3.1 Технологические операции формирования топологии контактных площадок к гетероструктурам SiC/Si.

3.1.1 Магнетронное распыление.

3.1.2 Фотолитография по металлу.

3.2 Анализ контактных систем Ni, Ni-Si, используемых для контактов к гетероструктурам (З-n-SiC/p-Si.

3.2.1 Влияние морфологии поверхности на поведение В АХ.

Выводы к разделу 3.

4 МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ КОНТАКТНЫХ СИСТЕМ NI, NI-SI К В-N-SIC/P-SI И АНАЛИЗ РЕЗУЛЬТАТОВ.

4.1 Омические контакты к гетероструктурам p-n-SiC/p-Si.

4.1.1 Исследование зависимости удельного переходного сопротивления от различных параметров.

4.1.2 Зависимость морфологии контакта от термообработки.

4.1.3 Температурные ВАХ контактных систем Ni, (Ni-Si)-p-n-SiC/p-Si.

4.2 Расчетно-статистический метод измерения сопротивления омических контактов к SiC.

4.3 Исследование стабильности свойств омических контактов к SiC.

Выводы к разделу 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Свойства высокотемпературных омических контактов к гетероструктурам 3C-SiC/Si»

Актуальность темы.

Современная полупроводниковая электроника в значительной степени базируется на использовании гетеропереходов[ 1,2,3], как более общего типа переходов в полупроводниках. Это связано с возможностью управления в полупроводниковых приборах шириной запрещенной зоны и другими свойствами полупроводника. Применение гетеропереходов позволяет существенно улучшить основные параметры полупроводниковых приборов: такие как мощность, чувствительность, КПД, рабочие частоты и т.д. В ряде случаев, использование гетеропереходов дает возможность создания новых типов приборов. Естественно, что создание новых элементов с более высокими параметрами открывает новые возможности для микроэлектроники.

Высокотемпературная и радиационно-устойчивая полупроводниковая микроэлектроника становится самостоятельной ветвью развития твердотельной электроники, востребованной атомно-энергетическим комплексом, а именно, в датчиках автоматизированных систем управления. Одним из немногих материалов, способных надежно работать в экстремальных условиях является полупроводниковый карбид кремния в силу своих уникальных электрофизических свойств. Кроме того, можно достичь существенного расширения круга материалов электронной техники, создавая на их основе гетероэпитаксиальные структуры типа: кремний - карбид кремния[4-16].

Технологические подходы к получению полупроводниковых структур на основе монокристаллических подложек SiC и на основе гетероструктур на кремниевых подложках разнообразны. Кроме того, технологический фактор определяющим образом влияет на возможности разработки определенного класса приборов, а также на электрофизические характеристики омических контактов для функциональных элементов этих приборов. Основная причина и проблема заключается в том, что технология определяет физический механизм роста, а последний влияет на дефектообразование. Известны аналогичные исследования, выполненные для структур и гетероструктур, полученных соответственно методом сублимации и CVD - методом, но особенности данного процесса делают исследования актуальными как в теоретическом, так и в прикладном плане.

Большой интерес к исследованию свойств омических контактов к структурам на основе карбида кремния обусловлен как возможностью создания на их основе высокотемпературных, радиационно-устойчивых приборов электронной техники различного назначения[17,18], так и тем, что они позволяют изучать свойства и другие характеристики полупроводниковых структур.

Целью работы является исследование свойств омических контактов к эпитаксиальным пленкам 3C-SiC, полученных на кремниевых подложках химическим газотранспортным методом.

В соответствии с поставленной целью определены основные задачи исследования:

1. Определить атомно-кристаллическую, морфологическую структуры и количественный состав гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния как составной части системы контакт-полупроводник;

2. Выбор модели и расчет энергетической зонной диаграммы для анизотипных гетеропеходов;

3. Исследовать особенности электрофизических свойств гетеропереходов ЗС-п-SiC/p-Si, полученных диффузионным методом из неограниченного источника;

4. Разработать методику формирования омических контактов к гетероструктурам (З-n-SiC/p-Si, работоспособных при высоких при высоких температурах (до 550 °С);

5. Изготовить и исследовать свойства контактных систем Ni, (Ni-Si) к (3-n-SiC/p-Si.

Научная новизна работы заключается в том, что в ней:

В представленной работе впервые проведен комплексный анализ свойств гетероэпитаксиальной структуры p-n-SiC/p-Si. Установлено, что морфология поверхности влияет на контактное сопротивление. Высокое значение шероховатости поверхности увеличивает область контакта, что приводит к уменьшению контактного сопротивления.

Получены омические контакты к гетероструктурам 3C-n-SiC/p-Si с низким контактным сопротивлением (для системы Ni-n-SiC рс=7-10"4 Ом-см2), работающие вплоть до температуры 5 50°С

Разработана технология изготовления омических контактов на основе № к эпитаксиальным пленкам 3C-n-SiC. Проведены структурные исследования контактных систем Ni, Ni-Si к эпитаксиальным пленкам 3C-n-SiC. Показано, что после отжига образцов при температуре 800 °С в контактном слое формируются две различные фазы силицида никеля NiSi и NiSi2-Зависимость удельного контактного сопротивления от температуры термообработки для контактов к 3C-n-SiC/p-Si обладает явно выраженным минимумом при температуре термообработки 1200°С.

Исследования термостойкости контактов показали, что контактная система (Si-Ni)-n-SiC/p-Si является стабильной.

Практическая ценность работы. Полученные данные о параметрах и свойствам омических контактов к гетероэпитаксиальным структурам ЗС-п-SiC/p-Si могут использоваться как при разработке высокотемпературных, радиационно-устойчивых приборов электронной техники различного назначения, так и при изучении свойств и других характеристик полупроводниковых структур.

Экспериментальные исследования электрофизических свойств контактной системы показали, что при отжига до 750 С В АХ имеет нелинейный вид, обусловленный наличием барьера Шоттки на границе раздела металл-полупроводник. После термообработки при температуре выше 750 С В АХ имеет линейный вид. Это необходимо учитывать при выборе типа контакта.

Анализ состава по толщине контакта никеля к SiC после напыления и отжига показал, что при отжиге происходит взаимное проникновение никеля и карбида кремния. Никель взаимодействует с кремнием с образованием силицидов вида Ni2Si. Образование Ni2Si играет важную роль в формировании омического контакта n-типу SiC. При образовании силицида по реакции 2Ni +Si=Ni2Si из-за отклонения от стехиометрического состава на поверхности выделяется свободный углерод, который ухудшает адгезию.

Исследована зависимость удельного переходного сопротивления омических контактов от температуры в интервале 20°С - 550°С, которая показала, что заметных изменений их свойств не наблюдается.

На защиту выносятся следующие положения и результаты:

1. Гетероэпитаксиальные пленки 3C-n-SiC на Si, полученные диффузионным методом из неограниченного источника, являются монокристаллическими, морфология поверхности пленок зеркальная, состав гетероэпитаксиальных пленок SiC по толщине близок к стехиометрическому. Концентрация примесей в пленках составляет

1А18 -3

10 см .

2. Применение зонной диаграммы гетероструктур p-SiC/Si, рассчитанной с использованием экспериментально определенных значений концентраций примесей исследуемых пленок SiC для случая резкого р-п-перехода и в отсутствии состояний на границе раздела полупроводников, для моделирования электрофизических параметров гетероструктуры.

3. Образование двух фаз силицида никеля NiSi и NiSi2 в контактном слое (Ni-Si)-p-n-SiC/p-Si после отжига при температуре 1000 °С, которые способствуют оптимизации удельного переходного сопротивления.

4. Стабильность омических контактов на основе системы (Si-Ni) к гетероструктуре 3C-n-SiC/p-Si в области температур до 550 °С.

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: Международной конференции «Кремний-2003» (Москва, 2003 г.), V международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (Ульяновск, 2003 г.), V Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2003), III International interdisciplinary scientific conference NBATT-21 (Петрозаводск, 2004 г.), V международной многопрофильной конференции молодых ученых и студентов «Актуальные проблемы современной науки» (Самара, 2004 г.), международной научно-практической конференции «Составляющие научно-технического прогресса (Components of scientific and technical progress)» (Тамбов, 2005 г.), международной научно-технической конференции «Датчики и системы-2005» (Пенза, 2005 г.), Первом международном форуме «Актуальные проблемы современной науки» (Самара, 2005 г.), V Международной научно-технической конференции «Электроника и информатика - 2005» (Москва, 2005 г.), IV межрегиональной научной школе «Материалы нано-, микро- и оптоэлектроники: физические свойства и применение» (Саранск, 2005 г.), VIII международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (Ульяновск, 2006 г.)

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 20 печатных работ, в том числе 5 статей, 15 докладов на научно-технических конференциях и семинарах. 1 патент на полезную модель.

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, списка используемой литературы из 152 наименований, содержит 45 рисунков, 6 таблиц. Общий объем диссертации составляет 133 стр.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Колесникова, Анна Алексеевна

Выводы к разделу 4

1. Исследованы зависимости электрофизических свойств металлических контактов из Ni, Ni-Si, к n-3C-SiC/Si и А1 к p-SiC/Si от различных технологических режимов получения. Омические контакты к эпитаксиальным пленкам 3C-SiC образуются в результате термообработки при оптимальных режимах.

2. Показано, что зависимость удельного переходного сопротивления контактов Me-3C-SiC/Si от температуры термообработки имеет явно выраженный минимум при Тотж = 1000 °С. Среди них наименьшее контактное сопротивление и хорошую адгезию имеет контактная система (Ni-Si)-n-3C-SiC/Si (рс=104 Ом см2).

3. Установлено, что экспериментально измеренные и теоретически рассчитанные значения р и рс омических контактов Ni, (Ni-Si) к n-SiC хорошо согласуются.

4. Исследование свойств омических контактов к 3C-SiC/Si при различных температурах и режимов больших плотностей показало, что для всех исследованных контактов не происходит существенного изменения их свойств. Наиболее стабильной по свойствам является система (Ni-Si)-n-3C-SiC/Si.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. С помощью рентгеновского и электронографического методов установлено, что полученные гетероэпитаксиальные пленки 3C-SiC имеют монокристаллическую структуру. Установлено, что морфология поверхности гетероэпитаксиальных пленок SiC зеркальная. Методом Оже-спектроскопии показано, что состав фазы (З-SiC отвечает стехиометрическому. Выполнена оценка концентрации легирующей примеси, исходя из ВФХ. Концентрации легирующей примеси составила 1018 см"3.

2. Определены параметры энергетических диаграмм идеальных гетеропереходов SiC/Si с использованием экспериментально определенных значений концентраций примесей исследуемых пленок карбида кремния. Расчеты проведены для случая резкого р-п-перехода и в отсутствии состояний на границе раздела полупроводников.

3. Структурное исследование и оже-спектроскопия контактной системы показали, что отжиг с целью стабилизации свойств приводит к формированию промежуточной фазы силицида никеля, обладающего высокотемпературной стабильностью физико-химических свойств и удовлетворяющего основным требованиям к омическому контакту.

4. Получены омические контакты на основе контактной системы (Ni-Si) к гетероструктурам p-n-SiC/p-Si, изготовленным диффузионным методом из неограниченного источника, с контактным сопротивлением рс=10"4 Ом см Показано, что стабилизация электрофизических свойств контактных систем Ni и (Ni-Si) к монокристаллической гетероструктуре (3-n-SiC/p-Si достигается отжигом при температуре не ниже 750 °С в течении 10 минут.

5. Зависимость удельного переходного сопротивления контактов Me-3C-SiC/Si от температуры термообработки имеет явно выраженный минимум при Та1Ж= 1000 °С. Среди них наименьшее контактное сопротивление и хорошую адгезию имеет контактная система (Ni-Si)-n-3C-SiC/p-Si (рс=104 Ом см2).

6. Концентрация носителей заряда под контактом для образцов,

18 19 3 прошедших термообработку при 1000°С составляет 510-10 см .

7. Исследованы температурные вольт-амперные характеристики омических контактов. Показано, что до температуры 550 °С зависимость носит линейный характер.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Колесникова, Анна Алексеевна, 2006 год

1. Милне, А. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник /А. Милне, Д. Фойхт ; М.: Мир, 1975. 462 с.

2. Шарма, Б.Л. Полупроводниковые гетеропереходы /Б. JI. Шарма, Р. К. Пурохит ; М.: Советское радио, 1979. 232 с.

3. Зубрилов, А.С. Электрические свойства гетеропереходов 3C-SiC/Si /А. С. Зубрилов // ФТП. 1994. Т.28. Вып. 10. - С. 1742-1749.

4. Mtiller, St. G. Sublimation-Grown Semi-Insulating SiC for High Frequency Devices /St. G. Mtiller, M. F. Brady , W. H. Brixius , R. C. Glass, H.McD. Hobgood, J.R. Jenny , R.T. Leonard , D. P. Malta , A. R Powell, V. F. Tsvetkov ,

5. T. Allen, J. W. Palmour, С. H. Carter// Silicon Carbide and Related Materials, ISBN=0-87849-920-2. 2002. - pp. 216-219.

6. Аш, Ж. Датчики измерительных систем /Ж. Аш ; М.: Мир, 1992. -Кн.1 432 с.

7. Matsunami, Н. SiC Epitaxy on Non-Standard Surfaces /Н. Matsunami, T. Kimoto // Silicon Carbide and Related Materials. 2002. - pp. 765-768.

8. Ferro, G. Growth at High Rates and Characterization of Bulk 3C-SiC Material/ Gabriel Ferro , Carole Balloud, Sandrine Juillaguet , Patrice Vicente, Jean Camassel, Yves Monteil // Silicon Carbide and Related Materials. 2002. -pp.831-834.

9. Иванов, П. А. Полупроводниковый карбид кремния технология и приборы /П. А. Иванов, В. Е. Челноков // ФТП.- 1995. - Т.29. Вып.11. -С. 1921-1942.

10. Хениш, У. Р. Карбид кремния /У. Р. Хениш, Р. М. Рой; М.: Мир, 1972. 3 86 с.

11. Nagasawa, Н. Properties of Free-Standing 3C-SiC Monocrystals Grown on Undulant-Si(OOl) Substrate /Н. Nagasawa, K. Yagi, T. Kawahara , Naoki Hatta // Silicon Carbide and Related Materials, ISBN=0-87849-920-2. 2002. - pp. 177181.

12. Oliver, James D. Temperature Effects in SiC Epitaxial Growth/James D.Oliver// Silicon Carbide and Related Materials. 2002. - pp. 753-756.

13. Renzi, V. De Thin Film SiC Epitaxy on Si(lll) from Acetylene Precursor /V. De Renzi, R. Biagi, U. Del Pennino // Silicon Carbide and Related Materials. -2002.-pp. 631-634.

14. Alexander Lindquist, O.P. Infrared Optical Properties of ЗС, 4H and 6H Silicon Carbide /О.Р. Alexander Lindquist, H. Arwin, A. Henry, K. Jarrendahl// Silicon Carbide and Related Materials. 2002. - pp. 91-94.

15. Muto, H. Preparation of SiC/Si(l 11) Hetero-Epitaxial Junctions by PLD and Crystallographic and 1-V Characterization /Н. Muto, T. Asano, T. Kusumori // Silicon Carbide and Related Materials. -2002. -pp. 131-134.

16. Song, G.H. Co-Formation of Gate Electrode and Ohmic Contacts in SiC Power MOSFETs /G. H. Song , W. Bahng, N. K. Kim, S. C. Kim, K. S. Seo, E. D. Kim // Silicon Carbide and Related Materials. 2002. - pp. 313-314.

17. Стриха, В. И. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник /В. И.Стриха ; Киев: Наукова думка, 1974. 264 с.

18. Бузанева, Е. В. Об образовании поверхностного заряда на границе раздела металл- полупроводник /Е. В.Бузанева, В. И. Стриха, Г. Е Чайка //Укр.ФЖ/ 1983. - 28(4). - С. 575-581.

19. Као, К. Перенос электронов в твердых телах. /К.Као, В.Хуанг; М.:Мир. -1984. Т.1.-246 с.

20. Векилов, Ю. X. Электронная структура контакта металл -полупроводник /Ю. X. Векилов, В. Д. Вернер, Т. И. Егорова // Поверхн., Физика, химия, мех. 1985. - №12. - С. 103-110.

21. Вяткин, А. П. Поверхностно барьерные переходы в GaAs и роль таммовских состояний в их образовании /А. П. Вяткин, Н. К. Максимова, А. С. Поплавский, и др.// ФТПю - 1970. - 4(5). - С. 915-922.

22. Безрядин, С.Н., Векилов Ю.Х., Вернер В.Д., Егорова Т.П. Электронная структура контакта Al-Si /С. Н. Безрядин, Ю. X. Векилов, В. Д. Вернер, Т. И. Егорова // Поверхность. Физика, химия, мех. 1984. - №11. - С. 138-142.

23. Викилов, Ю. X. Теоретические модели контакта металл -полупроводник /Ю. X. Векилов, В. Д. Вернер, Т. И. Егорова // Поверхность. Физика, химия, мех. 1984. - в. 12. - С. 15-25.

24. Эйдукас, Д.Ю. Расчет ВАХ контакта металл полупроводник с сильнолегированном приповерхностном слое /Д. Ю. Эйдукас, Г. Б. Скоробогатас, А. К. Девейкис // Научн. тр. вузов Лит. ССР, Радиоэлектроника. - 1984. - 20(3). - С.102-113.

25. Ильиченко, В. В. Влияние сил изображения на вольт- амперную характеристику контакта металл альфа -Si /В. В. Ильиченко, В. И. Стриха // Изв.вузов, Физика - 1985. - №2. - С. 88-92.

26. Гусаков, В.Е. К расчету потенциальных диффузионного барьера пространственно ограниченной структуры металл- полупроводник /В. Е. Гусаков // Электр.техн., сер.2 Полупров.приборы. 1983. - в.4. - С. 6-10.

27. Векилов, Ю. К. Электронные состояния, локализованные на контакте металл-полупроводник / Ю. X. Векилов, В. Д. Вернер, Т. И. Егорова // Изв. вузов, Физика, 1989. №1.-С. 112-114.

28. Rideout, S, Crowell С. R. // Solid State Electron. 1970. - 13. -p. 933.

29. Crowell, C. R. Curent Transport in Metal-Semiconductor Barriers /С. R. Crowell, S. M. Sze // Solid State Electron. 1966. - 9. - p. 1035.

30. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов: Т.1 /С. Зи ; М.: Мир, 1984

31. Chang, С. Y. Specific Contact Resistance of Metal-Semiconductor Barriers /С. Y. Chang, Y. K. Fang, S. M. Sze // Solid State Electron. 1971. - 14. -p. 541.

32. Yu, A. Y. Tunneling and Contact Resistance of Metal-Silicon Contact Barriers /А. Y. Yu et al // Solid State Electron. 1970. - V.14. - p. 239.

33. Нисков, В. Я. Измерение переходного сопротивления омических контактов к тонким слоям полупроводников /В. Я. Нисков // ПТЭ. 1971. -№1. - С. 235.

34. Reeves, G.K. Specific Contact Resistance using a Circular Transmission Line Model /G. К Reeves // Solid State Electron. 1980. - V.23. - p. 487.

35. Boberg, G. Contact Resistance Measurement of platinum-silicide and chromium contacts to highly doped n- and p-silicon /G. Boberg, L. Stolt, et al // Physica Scripta. 1981. - V.24. - p. 405.

36. Mak, L.R. Specific Contact Resistance Measurement on Semiconductor /L. R. Mak et al // J.Phys.E:Sei.Instrum. 1989. - V.22. - p. 317.

37. Rastegaev, V.P. Models for High Temperature SiC-metal Contact Resistance Investigation N. P. Rastegaev, S. Reshanov, et al // Trans.of the Third Intern. High Tempera! Conf. USA, 1996. p. 149.

38. Андреев, A.H. К вопросу об учете растекания тока в полупроводнике при определении переходного сопротивления омических контактов /А. Н.

39. Андреев, М. Г. Растегаева, В. П. Растегаев, С. Решанов // ФТП. 1998. - Т.32. В.7.-С. 832-837.

40. Колесникова, А.А. Бифункциональный преобразователь давления и температуры на основе структуры SiC/Si. /А. А. Колесникова, А. В Щербак // ВНКСФ-9. сб. научн. тр. Красноярск. - 2003. - С. 246-248.

41. Комов, А.Н. Технология датчиков физических величин на карбиде кремния. /А. Н. Комов, А. А. Колесникова, В. И. Чепурнов, А. В. Щербак // Оптика. Оптоэлектроника. Технология, сб. научн. тр. / Ульяновский гос. ун-т. Ульяновск. - 2003. - С. 175.

42. Колесникова, А.А. Пленки карбида кремния и датчики на их основе /А. А. Колесникова, А. В Щербак // Нано-, микро- и оптоэлектроника: физические свойства и применение, сб. научн. тр./Мордовский гос. ун-т им. Огарева. -Саранск. 2003. - С.88.

43. Колесникова, А.А. Применение гетероструктур SiC/Si в области СВЧ диапазона /А. Н. Комов, А. А. Колесникова // International interdisciplinary scientific conference NBATT-21. сб. научн. тр. Петрозаводск. - 2004. - С.57-58.

44. Комов, А.Н. Экспериментальные характеристики датчиков СВЧ мощности на основе гетероструктур SiC/Si /А. Н. Комов, А. А. Колесникова, В. И. Чепурнов, А. В. Щербак // Вест, тамбовского гос. ун-та. Тамбов. - 2005. -В.6.-С. 143-145.

45. Колесникова, А.А. Технология изготовления экспериментальных образцов преобразователей СВЧ мощности /А. А. Колесникова, А. В Щербак // ВНКСФ-11. сб. научн. тр. Екатеринбург. - 2005. - С. 110.

46. Яровой, Т.П. Безынерционные датчики СВЧ сигналов больших уровней мощности /Г. П.Яровой, А. А. Колесникова, В. И. Чепурнов и др. // Международной научно-техническая конференция «Датчики и системы-2005». сб. научн. тр. Пенза, 2005. - С.40.

47. Чепурнов, В. И. Высокотемпературные полупроводниковые датчики деформации, температуры /В. И. Чепурнов, А. Н. Комов, и др.//

48. Международной научно-техническая конференция «Датчики и системы-2005». сб. научн. тр. Пенза. - 2005. - С. 39.

49. Комов, А.Н. Полупроводниковые преобразователи больших уровней свч -мощности /А. Н. Комов и др.// Нано-, микро- и оптоэлектроника: физические свойства и применение, сб. научн. тр./Мордовский гос. ун-т им. Огарева. Саранск. - 2005. - С. 93.

50. Ustin, S. A. Supersonic Jet Epitaxy of Silicon Carbide on Silicon using methylsilane /S. A. Ustin, C. Long, W. Ho // Solid-State Electronics. 1998. - V.42. No. 12.-pp. 2321-2327.

51. Brander, R. Silicon Carbide Electrol Devices. /R. Brander// Electrol Record. -1969.-Vol 16.-pp. 329-333.

52. Дмитриев, B.A., Иванов, П.А., Коркин, И.В., Морозенко, Я.В., Попов, И.В., Сидорова, Т.А., Стрельчук, A.M., Челноков, В.Е. // ЖТФ. 1985. - 11. -С. 238.

53. Бритун, В.Ф., Дмитриев, В.А., Емельянова, И.В., Иванова, Н.Г., Попон, И.В., Чернов, М.А., Циунелис, В.Г. // ЖТФ. 1986. - 56. - С. 214.

54. Дмитриев В.А., Иванов П.А., Коркин И.В. и др. Карбидкремниевые р-п-структуры, полученные жидкостной эиитаксией/ //Письма в ЖТФ. T.l 1. В.4. -1985. - С.238-241.

55. Dmitnev, V.A. et al.//USSR Autlior Certificate N1726571, December 15.1991

56. Muench, W. Silicon Carbide Bipolar Transistor /W. Muench, P. Hoeck // Solid State Electron. 1978. - V.21. - pp. 479-480.

57. Shibahara, H. Fabrication of p-n-junction diodes using homoepitaxiellygrown 6H-SiC at low temperature by CVD /Н. Shibahara, N. Kuroda, H. Nishina, H. Matsunami // Spn.J.Appl.Phys. 1987. - V.26. - pp. 1815-1817.

58. Muench, W. Epitaxial deposition of silicon carbide from SiCl4 and C6H8 /W. Muench, J. Pfaffender // Thm.Sol.Films. 1976. - №31. - p. 39.

59. Campbell, R. Epitaxial grown of SiC by the termal Reduction Teclinique /R Campbell, T. Chy // J.Electr.Soc. 1966. - №8. - pp.825-828.

60. Suzuki, A. Epitaxial growth of SiC-single crystals by succesiv two-step CVD /А. Suzuki, K. Purukaeva, Y. Higashigaki //J.Crystgrowth. 1984. - №70. -pp. 287-290.

61. Nishino, S. Epitaxial growth and electric characteristics of cubic SiC on silicon IS. Nishino, H. Suhara, H. Ono, H. Matsunami //J.Appl.Phys. 1987. -V.61. - pp. 4889-4893.

62. Чепурнов, В.И. Способ получения карбида кремния / АС СССР №1436544 от 08.07.1988.

63. Комов, А.Н., Кочежов В.Ю., Чепурнов В.И. / АС СССР №223477 от 24.10.1984.

64. Tairov, Yu. M. Investigation of kinetic and thermal conditions of silicon carbide epitaxial layers growth from the vapor phase /Yu. M Tairov, Tsvetkov // Cryst Growth. 1979. - V.46. - pp. 403-409.

65. Barrett, D.L., McHugh, J.P, Hobgood, H.M., Hopkins, R.H., McMullin, P.G., Clarke, R.C. // J. Cryst. Growth. 1993. - 128. -C. 358.

66. Аникин, М. М. Технология полупроводниковых приборов. /М. М. Аникин, И. В. Попов, В. Е. Челноков ; Таллин: Валгус, 1984. С. 177-181

67. Miyarava, Т. Summary Abstract: Growth of 3C-SiC on silicon by molecular and ion beam epitaxy /Т. Miyarava, S. Yoshida, S. Misava, S. Gonda // Vac.Sci.Technol. -1985. V.3. - pp. 730-731.

68. Miyarawa, T. Molecular and ion beam epitaxy of 3C-SiC /Т. Miyarawa, S. Yoshida, S. Misava, S. Gonda // J.Appl.Phys.Lett. 1984. - V.45.- pp. 380382.

69. Kaneda, S. The growth of single crystal of 3C-SiC on Si substrate by МВБ method using multi electron beam heating /S. Kaneda, Y. Sakamoto, C. Nishi, M. Kanaya, S. Hannai //J.Appl.Phys. 1986. - V.25. - pp. 1307-1311.

70. Kaneda, S. MBE growth of 3C-SiC/6H-SiC and electric properties of its p-n-junction /S. Kaneda, Y. Sakamoto, T. Mihara, T. Tanaka // J.CrystGrowth. 1987. -V.81. - pp. 536-542.

71. Shobahara, R. 3C-SiC MOSFET devices /R. Shobahara, T. Saito, S. Noshino, H. Matsunami //Ext.Abstr.of the 18-th Intern.Conf. on Solid State Devices and Materials. Tokyo.- 1986.-pp.717-718

72. Sheridan, David C. Design of single and multiple zone junction termination extension structures for SiC power devices /David C. Sheridan et al // Solid-State Electronics.-2001 -№45.-pp. 1659-1664.

73. Gonzales, T. Physical models of ohmic contact for Monte Carlo device simulation /Т. Gonzales et al // Solid-State Electronics. 1996. - Vol. 39, No. 4. -pp. 555-562.

74. Iliadis, A.A. Ohmic metallization technology for wide band-gap semiconductors /А. A. Iliadis et al // Thin Solid Films. 2002. - 420-421. - pp. 478486.

75. Андреев, А.Н. Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-SiC-6H./A. Н. Андреев, А. А. Лебедев, М. Г. Растегаева и др. // ФТП. -1995. -Т.29. В. 10.-С. 1833-1843.

76. Wu Kuen-Hsien. A novel SiC/Si heterojunction diode with high-temperature bidirectional N-shaped negative-differential-resistances for high-temperature applications /Wu Kuen-Hsien et al // Solid-State Electronics. -1999. № 43. - pp. 1215-1217.

77. Пихтин, A. H. Омические контакты к полупроводникам, полученные с помощью Лазера/А. Н. Пихтин, В. А. Попов//ФТП. -1969. Т.З В. 11. - С. 1646-1648.

78. Пихтин, А.Н. Получение омических контактов к полупроводникам /А. Н. Пихтин, В. А. Попов и др // ПТЭ. 1970. - №2. - С. 238-239.

79. Васильев, И. Г. Омические контакты к широкозонным полупроводникам -арсениду галлия, фосфиду галлия и карбиду кремния /И. Г. Васильев, Г. Г. Боева // Обзоры по электронной технике. Сер.Технол. и орг. Производства. 1970. -В.19. - С. 212.

80. Наумов, А.В. Ni и Au-Та контакты к n-SiC(6H) /А. В. Наумов, С. В. Никитин, А. Г. Остроумов, Ю. А. Водаков // ФТП. 1987. - Т.21. В.2. - С. 377-378.

81. Eichfeld, С.М. Ta-Ru-N diffusion barriers for high-temperature contacts to p-type SiC /С. M. Eichfeld et al // Thin Solid Films. 2005. - 485. - pp. 207-211.

82. Luo, B. Comparison of contact properties on n-GaN/p-SiC and n-AlGaN/p-SiC heterojunctions /В. Luo et al // Solid-State Electronics. 2002. - № 46. - pp. 1345-1349.

83. Crofton, J. Finding the optimum Al-Ti alloy composition for use as an ohmic contact to p-type SiC /J. Crofton et al // Solid-State Electronics. 2002. - № 46.-pp. 109-113.

84. Lee, S.-K. Low resistivity ohmic titanium carbide contacts to n- and p-type 4H-silicon carbide /S.-К. Lee et al // Solid-State Electronics. 2000. - № 44. - pp. 1179-1186.

85. Anikin, M. Ohmic contacts to silicon carbide devises /М. Anikin, M. Rastegaeva, et al. //Abstr.of 3-rd Int.Conf. of Amorph. and Crystalline SiC. USA. Washington. 1990. -p.53.

86. Anikin, M. Ohmic contacts to silicon carbide devises /М. Anikin, M. Rastegaeva, et al. //Proc.of 3-rd Int.Conf. of Amorph. and Crystalline SiC, ed.by G.L.Harris et al, Spnnger-Verlag. Berlin. 1992. pp. 183-189.

87. Baud, L. Low contact resistivity W ohmic contacts to n-type 6H-SiC /L. Baud, T. Billon, et al. // Silicon Carbide and Related Mat. Conf. Kyoto Japan. Ser. 1996.-№142.-p.597.

88. Arnodo, C. Nickel and molibdenum ohmic contacts on silicon carbide /С. Arnodo, S. Tyc, et al. // Silicon Carbide and Related Mat. Conf. Kyoto Japan. Ser. 1996. -№142.- P.577.5 2

89. Chaddha, A.K. Termally stable, low specific resistance (1,3-10" Ohm cm ) TiC Ohmic contacts to n-type 6H-SiC /А. K. Chaddha, J. D. Parsons, G. B. Kruavul //Appl.Phys.Lett. 1995. - V.66. - p. 760.

90. Uemoto, T. Reduction of Ohmic Contact Resistance on n-type 6H-SiC by Heavy Doping /Т. Uemoto //Jap.j.Appl.Phys. 1995. - V.34. - pp.L7-L9.

91. Crofton, J. Specific contact resistance as function of doping for n-type 4H and 6H-SiC /J. Crofton, E. D. Luckowski, et al. // Silicon Carbide and Related Mat. Conf. Kyoto Japan. Ser. 1996. - №142. - p. 569.

92. Maronova, Ts. Nickel-based ohmic contacts on SiC /Ts. Maronova, V. Krastev, R. Kakanakov, et al. // Materials Science and Engineering B. 1997. -V.46. - p. 223.

93. Konishi, Ryohei Development of Ni/Al and Ni/Ti/Al ohmic contact materials for p-type 4H-SiC /Ryohei Konishi et al // Materials Science and Engineering. 2003. - B.98. - pp. 286-293.

94. Mohney, S.E. Morphological study of the Al-Ti ohmic contact to p-type SiC /S. E. Mohney et al // Solid-State Electronics. 2002. - 46. - pp. 689-693.

95. Nakamura, Tomonori Schottky barrier height of a new ohmic contact NiSi2 to n-type 6H-SiC /Tomonori Nakamura et al // Solid-State Electronics. 2002. - № 46.-pp. 2063-2067.

96. Crofton, J. Contact resistance measurements on p-type 6H-SiC /J. Crofton,

97. J. R. Williams et al //Apl.Phys.Lett. 1993. - V.7. - p. 384.

98. Gao, Y. Improved ohmic contact on 4H-SiC Gao Y.and etc. // Solid-State Electronics. 2000. - № 44. - pp. 1875-1878.

99. Cho, Nam-Ihn. Improved ohmic contact to the n-type 4H~SiC semiconductor using cobalt silicides /Cho Nam-Ihn et al // Semiconductor Science and Technology. 2004. - 19. - pp. 306-310.

100. Chahg, Shu-Cheng. Investigation of Au/Ti/Al ohmic contact to N-type 4H-SiC /Chahg Shu-Cheng et al // Solid-State Electronics. 2005. - № 49. - pp. 1937-1941.

101. Lu, Weijie. Ohmic contact properties of Ni/C film on 4H-SiC /Lu Weijie et al // Solid-State Electronics. 2003. - № 47. - pp. 2001-2010.

102. Guy, O.J. Creating room temperature Ohmic contact to 4H-SiC: studied by specific contact resistance measurements and X-ray photoelectron spectroscopy /О. J. Guy et al // Surface Science. 2004. - 573. - pp. 253-263.

103. Василевский, K.B. Электрические характеристики и структурные свойства омических контактов к эпитаксиальным слоям 4H-SiC с дырочной проводимостью /К. В. Василевский и др. // ФТП. 1999. - Т. 33, Вып. 11. - С. 1334-1339.

104. Casady, J.B. Status of silicon carbide (SiC) as a wide-bandgap semiconductor for high-temperature applications: a review /J. B. Casady et al // Solid-State Electronics. 1996. - Vol. 39, № 10. - pp. 1409-1422.

105. Afanas'ev, V. V. Proton trapping in Si02 layers thermally grown on Si and SiC /V. V. Afanas'ev et al // Solid-State Electronics. 2002. - № 46. - pp. 1815-1823.

106. Roy, S. Ohmic contacts to 3C-SiC for Schottky diode gas sensors /S. Roy et al // Solid-State Electronics. 2003. - № 47. - pp. 2035-2041.

107. Noh, Jae II Effect of surface preparation on Ni Ohmic contact to 3C-SiC /Jae II Noh et al // Solid-State Electronics. 2002. - № 46. - pp. 2273-2279.

108. Via, F. La. Structural and electrical characterization of titanium and nickel silicide contacts on silicon carbide /Via F. La et al // Microelectronic Engineering. -2002. 60. - pp. 269-282.

109. Profeta, G. Energetics and bonding properties of the Ni/p-SiC interfase: Anab initio study /G Profeta et al // Physical review B. Vol. 64, 045303.

110. Na, Hoon Joo Effect of annealing on electrical properties of Pt/p-SiC contact /Na Hoon Joo et al // Solid-State Electronics. 2001. - № 45. - pp. 1565-1570.

111. Кашарина, JI.A. Проблемы формирования омических контактов к тонким пленкам аморфного карбида кремния /Л. А. Кашарина, М. А. Оспшцев и др. //XXXTV научно-техническая конференция. Ставрополь. - 2004. - С. 113-115.

112. Jacob, С. High temperature ohmic contact to 3C-silicon carbide films /C. Jacob et al // Solid-State Electronics. 1998. - Vol. 42, №. 12. - pp. 2329-2334.

113. Wan, Jianwei Formation of low resistivity ohmic contact to n-type 3C-SiC /Wan Jianwei et al // Solid-State Electronics. 2002. - № 46. - pp. 1227-1230.

114. Ricciardi, C. Microstructure analysis on poly crystalline 3C-SiC thin films /С. Ricciardi et al // Diamond & Related Materials. 2005. - 14. - pp. 1134-1137.

115. Sousa, J.M. Optical phonons dispersion relation in Si/3C-SiC heterostructures /J. M. Sousa et al // Physica E. 2003. - 17. - pp. 270-271.

116. Halac, E. Static and dynamical properties of SiC polytypes /Е. Halac et al // Physical Review. 2002. - V.65. - pp. 125202-1 - 125202-7.

117. Iwami, M. Silicon Carbide: fundamentals /М. Iwami // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. 2001. pp. 406-411.

118. Иванов, П.А. Мощные биполярные приборы на основе карбида кремния. Обзор /П. А. Иванов, М. Е. Левиншгейн и др. // ФТП. 2005. - Т.39.вып.8. - С. 897913.

119. Бланк, Т.В. Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи для ультрафиолетовой области спектра. Обзор /Т. В. Бланк, Ю. А. Гольдберг // ФТП. -2003. Т.37.вып.9. — С. 1025-1055.

120. Лебедев, А. А. Широкозонные полупроводники для силовой электроники /А. А. Лебедев, В. Е. Челноков // ФТП. -1999. Т.ЗЗ.вып.9. - С. 1096-1099.

121. Burk, A.A. SiC and GaN wide bandgap semiconductor materials and devices /А. A. Burketal//Solid-State Electronics. 1999. - № 43 -pp. 1459-1464.

122. Борн, M. Основы оптики / М.Борн, Э.Вольф ; М.: Наука, 1973.

123. Руска, Э. Развитие электронного микроскопа и электронной микроскопии — Нобелевские лекции по физике /Э.Руска // УФН. 1996. - т. 154(1988), вып.2. -С. 243.

124. Г.Биннинг, Г.Рорер. Сканирующая туннельная микроскопия от рождения к юности - Нобелевские лекции по физике /Г.Биннинг, Г.Рорер// УФН. - 1996ю - т. 154 (1988), вып.2. - С. 261.

125. Ono, Н. Epitaxial growth and electrical characteristics of cubic SiC on silicon /S. Nishino, H. Suhara, H. Ono, H. Matsunami // J.Appl.Phys. 1987. -V.61. №10. - pp. 4889-4893.

126. Эндрюс, К.А. Электронограммы и их интерпретация /К. А. Эндрюс ; М.: Мир, 1971.-256 с.

127. Розанов, JI.H. Вакуумная техника /Л.Н. Розанов; М.: Советское радио, 1982.

128. Shar, J.S. Laser-assisted photoelecrtochemical etching of n-type beta-SiC /J.S.Shar, X.G. Zhang, R.M. Osgood // J.Electrochem.Soc. 1992. - V.139. №4. -pp.1213-1216.

129. Комов, A.H. Электрофизические свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии в области сверхвысоких частот. /А. Н. Комов, А. А. Колесникова, А. В. Щербак // «Кремний-2003» сб. научн. тр.- Москва. 2003. - С.227-229.

130. Чепурнов, В.И. Дефектообразование при эндотаксии p-SiC на Si-подложках для датчиков физических величин /А.А.Колесникова, Чепурнов В.И. //Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии. сб. научн. тр. Кисловодск. - 2006. - С

131. Higasi, G.S. /G.S. Higasi, Y.J. Chabal, G.W. Trucks, Krishnan Raghavachari // Appl. Phys. Lett. 56 ,1990. p. 656.

132. Watanabe, S./S. Watanabe, M. Shigeno, N. Nakayama, T. Ito // Jpn. J. Appl.

133. Чепурнов, В.И., Комов A.H., Смыслов В.И., Блатов В.Г., Соколова А.А. / АС СССР №179902 от 10.10.1982.

134. Комов, А.Н., Чепурнов В.И. Способ получения эпитаксиальных пленок карбида кремния / АС СССР №731113 от 21.08.1980.

135. Комов, А.Н. Гетероструктуры p-SiC/Si для высокотемпературной электроники /А.Н. Комов, В.И. Чепурнов, Т.П. Фридман // Карбид кремния и сопутствующие материалы, сб. научн. тр.- Н. Новгород, 2000. С. 86-88.

136. Комов, А.Н. Термопреобразователи на прямосмещенном барьере структуры (З-SiC/Si /А.Н.Комов, В.И. Чепурнов, Т.П. Фридман // ISSCRM-2000 Карбид кремния и родственные материалы, сб. научн. тр. Великий Новгород, 2000.-С. 106-107.

137. Исмаилова, Н.П. Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)l-x (AlN)x : Дис. . канд. физ.-мат. наук : 01.04.10. Махачкала, 2003. - 179 с.

138. Колесникова, А.А. Гетероструктуры кубического карбида кремния на кремнии /А. А. Колесникова, В. И. Чепурнов // Проблемы фундаментальной физики XXI века. сб. научн. тр./Самарский гос. ун-т. Самара, 2005. - С. 45.