Упорядочение радиационных точечных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Рокосей, Вероника Александровна

• Рокосей, Вероника Александровна
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Рокосей, Вероника Александровна

Введение

Глава I. Литературный обзор

1.1. Радиационные дефекты в щелочно-галоидных кристаллах

1.2. Механизмы радиационного дефектообразования в щелочно-галоидных кристаллах

1.3. Моделирование процессов радиационного дефектообразования

1.4. Упругие напряжения в твердых телах и радиационные дефекты

1.5. Постановка задачи

Глава II. Методы математического исследования нелинейных процессов радиационного дефектообразования

2.1.Концепция развития концентрационно-деформационно-тепловых неустойчивостей

2.1.1.Общая математическая модель развития концентрационно-деформационно-тепловых неустойчивостей для случая изотропного твердого тела

2.1.2.Модель развития деформационно-диффузионных неустойчивостей для случая упругоанизотропной пленки на субстрате

2.2. Малые возмущения и линейный анализ устойчивости

Глава III. Моделирование, расчет и анализ упорядоченных структур радиационных дефектов

3.1. Противоположно заряженные области радиационных дефектов

3.1.1.Расчет расстояний между противоположно заряженными областями дефектов

3.1.2.Сравнение теоретических и экспериментальных результатов

3.2. Одномерные и двумерные структуры радиационных дефектов

3.2.1 .Одномерные упорядоченные структуры

3.2.2.Скопления одномерных и двумерные структуры дефек- 80 тов

3.3. Выводы по главе III

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Упорядочение радиационных точечных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах»

Актуальность темы:

В наше время щелочно-галоидные кристаллы активно применяются при создании приборов твердотельной электроники, оптики. Так кристаллы хлорида натрия и калия используются для изготовления линз, призм, плоскопараллельных пластин, входящих в состав лазерных систем. Фторид лития среди щелочно-галоидных кристаллов наиболее широко используется для получения активных лазерных сред на центрах окраски. Широкая область оптической прозрачности кристаллов данного класса и возможность получения в них центров окраски с широкими полосами люминесценции и -высоким квантовым выходом делают возможным использование этих сред в качестве пассивных лазерных затворов неодимовых лазеров и активных элементов перестраиваемых лазеров. При этом высокая устойчивость этих кристаллов к воздействию мощного лазерного излучения и возможность большого срока хранения при комнатной температуре еще более обостряет интерес к ним [1]. Формирование центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах осуществляется с помощью облучения их частицами высоких энергий. Процессы, происходящие при взаимодействии ионизирующего излучения с данными кристаллами, изучены не полностью.

При взаимодействии внешних потоков энергии большой мощности с веществом твердого тела его состояние становится далеким от термодинамического равновесия, в частности, вследствие образования в нем большого числа точечных дефектов. В таких открытых системах могут возникать флуктуации плотности радиационных дефектов и других параметров системы, приводящие к формированию упорядоченных структур дефектов, что является главным атрибутом происходящих в системе процессов самоорганизации.

На сегодня остается открытым вопрос, каким образом располагаются радиационные точечные дефекты в щелочно-галоидных кристаллах, поскольку при их создании кристаллы данного типа находятся в условиях, когда могут происходить процессы самоорганизации и образовываться различные упорядоченные структуры радиационных дефектов. В свою очередь наличие таких структур будет влиять на оптические, механические свойства кристаллов. Поэтому теоретический расчет параметров, при которых наблюдается формирование упорядоченных структур в щелочно-галоидных кристаллах, является актуальным. При этом рассматриваемая модель этих процессов позволяет предсказать условия, при которых формируется определенная дефектная структура кристалла.

Цели и задачи работы:

Исследование механизмов самоорганизации радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах с целью создания математической модели.

Для достижения поставленной цели необходимо решение следующих задач:

1. Анализ процесса радиационного дефектообразования в щелочно-галоидных кристаллах, определение управляющих параметров самоорганизации и условий возникновения неустойчивых состояний при нелинейных процессах.

2. Расчет периодов упорядоченных структур радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах.

3. Математическое моделирование процесса радиационного дефектообразования в щелочно-галоидных кристаллах с точки зрения теории самоорганизации.

Методы исследования:

Математическое моделирование нелинейных процессов, линейный анализ устойчивости решений дифференциальных уравнений, описывающих нелинейные процессы, по отношению к их малым возмущениям.

Научная новизна;

1. Впервые рассчитан управляющий параметр самоорганизации (критическая концентрация) радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах.

2. Рассмотрены механизмы возникновения противоположно заряженных областей радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах с точки зрения развития концентрационно-деформационно-тепловых не-устойчивостей.

3. Предложен способ определения типов радиационных дефектов из картин декорирования щелочно-галоидных кристаллов по периоду упорядоченной структуры и длине взаимодействия дефекта с ионами кристалла.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. В щелочно-галоидных кристаллах под действием потока моноэнергетических электронов при концентрациях радиационных дефектов 10,6-1017см"3 происходят процессы самоорганизации, проявляющиеся в упорядочении радиационных дефектов в виде одномерных и двумерных структур и чередующихся противоположно заряженных областей скоплений дефектов.

2. Образование противоположно заряженных областей скоплений радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах адекватно описывается математической моделью развития концентрационно-деформационно-тепловых неустойчивостей для изотропного твердого тела.

3. Процессы образования нанометровых упорядоченных структур радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах адекватно описываются математической моделью формирования нанометровых диффузионно-деформационных структур.

Практическая значимость:

Рассчитанные параметры упорядочения могут быть использованы при создании радиационно-модифицированных щелочно-галоидных кристаллов, работающих в лазерах на центрах окраски.

Исследованные механизмы возникновения упорядоченных структур радиационных дефектов и противоположно заряженных областей скоплений дефектов в щелочно-галоидных кристаллах позволяют прогнозировать свойства лазерных кристаллов.

Достоверность полученных результатов:

Работа выполнена с использованием математических методов синергетики для исследования образования неустойчивых состояний систем, приводящих к возникновению упорядоченных структур для случая диффузионных процессов. Полученные в работе результаты согласуются с экспериментальными данными.

Апробация работы:

Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на:

1. Региональной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по физике (Владивосток, 2005);

2. Международном симпозиуме «Принципы и процессы создания неорганических материалов» (Третьи Самсоновские чтения, Хабаровск, 2006);

3. VII региональной межвузовской научно-практической конференции «Молодежь XXI века: шаг в будущее» (Благовещенск, 2006);

4. Конференция «Дни науки АмГУ» (Благовещенск, 2006.);

5. Региональной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по физике (Владивосток, 2006);

6. VI региональной научной конференции «Физика: Фундаментальные и прикладные исследования, образование» (Благовещенск, 2006).

Публикации:

По теме диссертации опубликованы 7 статей, из них 1 из перечня ВАК, а также 2 тезисов конференций.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Рокосей, Вероника Александровна

3.5. Выводы по главе 1П

Таким образом, на основе всего вышеизложенного можно сделать следующие выводы:

1. Процессы радиационного дефектообразования в щелочно-галоидных кристаллах при определенных критических параметрах, характеризующих состояние системы, являются самоорганизующимися. Поскольку в результате самосогласованного поведения радиационных точечных дефектов, обусловленного их взаимодействием через поля упругих деформаций, образуются различные диссипативные структуры, а именно противоположные заряженные области радиационных дефектов и одномерные и двумерные нанометровые упорядоченные структуры.

2. Определив теоретически параметры (концентрации радиационных дефектов), характеризующие появление упорядоченных структур, можно при облучении образцов щелочно-галоидных кристаллов создавать условия, при которых будет возможно получать необходимые значения характеристических параметров.

86

Заключение

1. В щелочно-галоидных кристаллах при взаимодействии с ионизирующим излучением происходят процессы самоорганизации с образованием противоположно заряженных областей скоплений дефектов и упорядоченных структур радиационных дефектов.

2. Для щелочно-галоидных кристаллов на основе модели образования на-нометровых упорядоченных деформационно-диффузионных структур дефектов определен характерный масштабный параметр 1а/10 = 2,28, характеризующий период образуемых периодических структур.

3. Предложен способ определения типа дефектов, составляющих упорядоченную структуру, по ее периоду и известной длине взаимодействия дефектов с ионами кристалла.

4. Рассчитанные расстояния между одноименно заряженными областями однотипных дефектов на основе общей модели концентрационно-деформационно-тепловых неустойчивостей хорошо согласуются с литературными экспериментальными данными.

5. Для щелочно-галоидных кристаллов определено значение характеристического параметра п0/п*= 10, при котором рассчитанные расстояния между заряженными областями радиационных дефектов близки к получен ным в экспериментальных исследованиях.

6. Предварительный расчет концентраций дефектов, при которых возможно получение упорядоченных структур, позволяет прогнозировать дефектные свойства кристаллов.

Автор выражает глубокую искреннюю благодарность своему научному руководителю кандидату физико-математических наук Ваниной Елене Александровне за поддержку, внимание и интерес к работе.

А также автор считает приятным долгом поблагодарить доктора физико-математических наук Астапову Елену Степановну, профессора Баранова Александра Федоровича, кандидата физико-математических наук Верхотуро-ву Ирину Владимировну, инженера кафедры ФМиЛТ АмГУ Шумейко Елену Викторовну за поддержку и обсуждение результатов работы.

88

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Рокосей, Вероника Александровна, 2007 год

1. Трушин Ю.В. Физическое материаловедение. СПб.: Наука, 2000. -286с.

2. Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. М.: Высш.шк., 2000. -494с.

3. Конюшкин В.А. Технология создания радиационно-окрашенных лазерных кристаллов LiF с агрегированными центрами окраски. Диссертация на соискание уч. ст. к.т.н. Москва, 2005.

4. Пратт П.Л. Точечные дефекты и механические свойства ионных кристаллов// Вакансии и другие точечные дефекты в металлах и сплавах. -Сб. под ред. В.М. Розенберга М.: Металлургиздат, 1961. - 305с.

5. Song K.S., Williams R.T. Self-Trapped Excitons. Springer, Berlin, 1993. -404p.

6. Иоффе А.Ф. Избранные труды. Т.1. Механические и электрические свойства кристаллов. Л.: Наука, 1974, с.209 232.

7. Лущик Ч.Б., Лущик АЛ. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. М.: Наука, 1989. - 263с.

8. Келли А., Гровс Г. Кристаллография и дефекты в кристаллах. М.: Мир, 1974.-496с.

9. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Физматгиз, 1963. -696с.

10. М. В. Классен-Неклюдова, А. А. Урусовская Центры окраски Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.booksite.ru/fiilltext/1 /001008/024/770.htm. 20.02.07.

11. Непомнящих А.И., Раджабов Е.А., Егранов А.В. Центры окраски и люминесценция кристаллов LiF. Новосибирск: Наука, 1984. - 105 с.

12. З.Адуев Б.П., Вайсбурд Д.И. Образование Р2-центров в кристаллах LiF при импульсном облучении плотными пучками электронов// Физика твердого тела, Т.23, №6,1981, с. 1796-1797.

13. Мартынович Е.Ф., Григоров В.А. Оптические свойства F2" центров в монокристаллах фторида лития// Физика твердого тела, Т.22, №5,1980, с.1543-1545.

14. Адуев Б.П., Вайсбурд Д.И. Создание и разрушение Р2+-центров в кристаллах LiF при импульсном облучении плотными пучками электронов// Физика твердого тела, Т.23, №6,1981, с.1869-1871.

15. Baltateanu N., Spanulescu I., Jurba M., Stefanescu D. Formation of F2" color centers in LiF monocrystals by electron irradiation //Bucharest, Romania, Hyperion Research and Development Institute, p. 2436-2438.

16. Стоунхэм A.M. Теория дефектов в твердых телах.Т.2. М.: Мир, 1978. -359с.

17. Дистлер Г.И., Москвин В.В. Упорядоченное расположение сложных активных центров в щелочно-галоидных кристаллах// Известия академии наук СССР, сер.физическая, Т.44, № 6,1980, с. 1232-1234.

18. Гречкина Т.В. Релаксация первичной радиационной дефектности в кристаллах фторидов лития и магния. Диссертация на соискание уч. ст. к.ф.-м.н. Томск, 2004.

19. Александров Ю.М., Лущик Ч.Б., Махов В.Н., Сырейщиков Т.И., Якименко М.Н. Использование синхротронного излучения для исследования механизма образования Р2-центров окраски LiF// Физика твердого тела, Т.24, №6,1982, с.1696-1699.

20. Тамм И.Е. Собрание научных трудов. М.: Наука, Т.1,1975.

21. Пайнс Д. Элементарные возбуждения в твердых телах. М.: Мир, 1965.

22. Брандт Н.Б., Кульбачинский В.А. Квазичастицы в физике конденсированного состояния. М.: Физматлит, 2005. - 632с.

23. Seitz F. Colour centers in alkali halide crystals. II. Rev. Mod. Phys., 1954, 26, № l,p. 7-94.

24. Castner T.G., Kanzig W.J. Phys. and Chem. Solid., 1957, 3, №3-4, p. 178195.

25. Будылин Б.В., Воробьев A.A. Действие излучений на ионные структуры. М.: Госатомиздат, 1962. - 168с.27.3еленский В.Ф., Неклюдов И.М., Черняева Т.П. Киев: Наук, думка, 1988.-296с.

26. Кирсанов В.В. ЭВМ-эксперимент в атомном материаловедении. М.: Энергоатомиздат, 1990.-304с.

27. Матковский А.О., Сугак С.Б., Убизский С.Б., Шпотюк Е.А., Черный Е.А., Вакив Н.М., Мокрицкий В.А. Воздействие ионизирующих излучений на материалы электронной техники./Под ред. проф. А.О. Мат-ковского. Львов: Свгг, 1994. - 212с.

28. Радиационная физика твердого тела: Тексты лекций/ А.П. Яловец; Че-ляб.гос.ун-т. 1999.-83с.

29. Маклецов А.А., Улманис У.А., Шлихта Р.А. Расчеты эффективного сечения образования смещенных атомов ударным механизмом при электронном, нейтронном и гамма-облучении. Саласпилс, 1984. - 33с.

30. Иванов В.И. Взаимодействие высокоинтенсивных ионизирующих излучений с твердым телом: Учебное пособие/ Моск.гос. ин-т радиотехники, электроники и автоматики. М.: 1994. - 64с.

31. Дине Дж., Виньярд Дж. Радиационные эффекты в твердых телах. М.: ИЛ, 1960.-244с.

32. Мотт Н., Месси Г. Теория атомных столкновений/ Под ред. Никитиной Е. М.: Мир, 1969, с. 756.

33. Мурзина Е. А. Взаимодействие излучений высокой энергии с веществом: Учебное пособие. -М.: изд-во Моск. Ун-та, 1990. 82с.

34. Пикаев А.К. Современная радиационная химия. Основные положения. Экспериментальная техника. М.: Наука, 1985. - 37с.

35. Экспериментальная ядерная физика. Т.1/ Под ред. Э.Сегре. - М.: Изд-во иностранной литературы, 1956. - 662с.

36. Радиационная дозиметрия/ Под ред. Дж.Хайна, Т. Браунелла. М.: Изд-во иностранной литературы, 1958. - 758с.

37. Sachs D.C., Richardson J.R. The Absolute Energy Loss of 186 Mev Protons in Various Materials// Phys. Rev/ -1951. - V.83. №4. - p.834-837.

38. Сироткин Ю.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики. М.: Наука, 1975. - 680с.

39. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теория упругости. М.: Наука, 1965. -204с.

40. Дейвис P.M. Волны напряжений в твердых телах. М.: Изд-во иностранной литературы, 1961. - 104 с.

41. Маделунг О. Физика твердого тела. Локализованные состояния. М.: Наука, 1985.-184с.

42. Хмелевская B.C. Процессы самоорганизации в твердом теле// Соров-ский образовательный журнал, Т.6, № 6,2000, с.85-91.

43. Николис Г., Пригожин И. Самоорганизация в неравновесных системах. -М.: Мир, 1979.-512с.

44. Емельянов В.И. Известия РАН.Сер.физич., № 56,1992, с.76.

45. Емельянов В.И., Шлыков Ю.Г. Известия РАН.Сер.физич., № 57, 1993, с.18.

46. Emel'yanov V.I. Laser Physics, 6,1966, p.423.

47. Emel'yanov V.I. In: Relaxations of excited states and photo-induced phase transitions// Springer Series in Solid-State Sciences, v.124,1997, p. 124.

48. Emel'yanov V.I., Panin I.M. In: Proc. Of Int.Symp. «Nanostructures: Physics and Technology 97» (St.Petersburg, 1997, p.304).

49. Емельянов В.И. // Труды VI Всероссийской школы семинара «Волновые явления в неоднородных средах», 1998, с.26.

50. Емельянов В.И. Волна генерации точечных дефектов, сверхбыстрая нуклеация кластеров и лазерное повреждение прозрачных диэлектриков// Квантовая электроника, Т.22, № 2,1995, с.99-100.

51. Емельянов В.И., Еремин К.И. Самоорганизация связанных температур-но-деформационных полей на поверхности твердых тел, облучаемых лазером//Квантовая электроника, Т.31, № 2,2001, с.154-158.

52. Емельянов В.И., Рогачева В.А. Зажигание и распространение уединенной волны образования точечных дефектов при интенсивной лазерной генерации электрон-дырочных пар в полупроводниках и диэлектриках// Квантовая электроника, Т. 25, № 11,1998, с.1017-1022.

53. Емельянов В.И., Панин И.М. Образование нанометровых упорядоченных дефектно-деформационных структур в твердых телах при воздействии на них потоков энергии// ФТТ, Т.39, № 11,1997, с.2029-2035.

54. Емельянов В.И., Мирзоев Ф.Х., Шелепин JI.A. О механизмах образования упорядоченных структур дефектов при воздействии концентрационных потоков энергии// Квантовая электроника, Т.21, № 8, 1994, с.769-772.

55. Мирзоев Ф.Х. Деформационная неустойчивость и генерация поверхностных упорядоченных структур при лазерном воздействии// Квантовая электроника, Т.23, №9,1996, с.827-830.

56. Мирзоев Ф.Х., Шелепин JI.A. Уединенные концентрационные волны точечных дефектов при импульсном лазерном воздействии// Письма в ЖТФ, Т.25, № 16,1999, с.90-94.

57. Мирзоев Ф.Х. Волна переключения плотности дефектов в кристаллах при импульсном лазерном воздействии// ЖТФ, Т.68, № 8,1998, с.74-77.

58. Мирзоев Ф.Х. Кинетика нуклеации кластеров и формирование наноструктур в конденсированных системах// Сборник трудов ИПЛИТ РАН, с.62-77, www.laser.ru, сайт РАН, Институт проблем лазерных и информационных технологий.

59. Мирзоев Ф.Х., Панченко В.Я., Шелепин J1.A. Лазерное управление процессами в твердом теле// УФН, Т. 166, № 1,1996, с.3-32.

60. Емельянов В.И. Самоорганизация упорядоченных дефектно-деформационных микро- и наноструктур на поверхности твердых тел под действием лазерного излучения// Квантовая электроника, Т.28, №1, 1999, с.2-18.

61. Емельянов В.И. Дефектно-деформационная самоорганизация поверхностных упорядоченных структур при ионном и лазерном воздействии// Известия РАН, сер. физическая, Т.70, № 6, 2006, с.779-785.

62. Банишев А.Ф. Лазерно-стимулированные микроструктурные процессы в конденсированных средах Диссертация на соискание уч. ст. д.ф.-м.н. -Москва, 2005.

63. HakenH. Synergetics (N.Y., Springer-Verlag, 1983).

64. Носкпеу R.W., Jesshope C.R. Parallel computers (Hilger, Bristol, 1981).

65. Kohonen T. Self-organization of associative memory (N.Y., Springer-Verlag, 1987).

66. Benkert C., Anderson D.Z. Phys.Rev A, 44, 1991, p.4633.

67. Haken H. Laser theory. Handbuch der physik (Berlin, Springer-Verlag, v. XXV/2C, 1970).

68. Анищенко B.C. Динамические системы// Соровский образовательный журнал, № 11,1997, с.77-84.

69. Анищенко B.C. Устойчивость, бифуркации, катастрофы// Соровский образовательный журнал, Т.6, № 6,2000, с. 105-109.

70. Анищенко B.C. Знакомство с нелинейной динамикой. М., Ижевск: изд-во Института компьютерных исследований, 2002. - 144с.

71. Гилмор Р. Прикладная теория катастроф. Т.1. -М.: Наука,1984. 349с.74.3аславский Г.М., Сагдеев Р.З. Введение в нелинейную физику: от маятника до турбулентности и хаоса. М.: Наука, 1988. - 368с.

72. Лоскутов А.Ю., Михайлов А.С. Введение в синергетику. М.: Науку, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1990. - 272 с.

73. Карлов Н.В., Кириченко Н.А. Колебания, волны, структуры. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2003. - 496 с.

74. Табор М. Хаос и интегрируемость в нелинейной динамике. М.: Еди-ториал УРСС, 2001.-318с.

75. Холодниок М., Клич А., Кубичек М., Марек М. Методы анализа нелинейных динамических моделей. М.: Мир, 1991. - 365с.

76. Мирзаде Ф.Х. Самоорганизация в ансамбле нестабильных частиц и образование упорядоченных структур в конденсированных средах при воздействии внешних потоков энергии. Диссертация на соискание уч. ст. д.ф.-м.н. Москва, 2003.

77. Рокосей В.А., Ванина Е.А. Расчет параметров упорядоченной структуры скоплений дефектов// Вестник Амурского Государственного университета, №35,2006, с.22-24.

78. Рокосей В.А., Ванина Е.А. Моделирование процесса обработки изотропных тел ионизирующим излучением// Материалы VI региональной научной конференции «Физика фундаментальные и прикладные исследования, образование». Благовещенск, 2006, с. 19-20.

79. Ванина Е.А., Рокосей В.А. Моделирование образования упорядоченной структуры радиационных дефектов// Известия ВУЗов.Физика, г. Томск, № 8,2006, с.92-95.

80. Vanina Е. A., Rokosei V. A. Modelling of the formation of an ordered structure of radiation-induced defects// Russian Physics Journal, V.49, №8, 2006, p. 898-901.

81. Рокосей B.A., Ванина Е.А. Моделирование процессов радиационного дефектообразования в неорганических кристаллах // Тезисы докладов региональной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по физике, Владивосток, 2005г., с. 40-41.

82. Ванина Е.А., Рокосей В.А. Моделирование упругих волн точечных дефектов в неорганических кристаллах.//Материалы Международногосимпозиума «Принципы и процессы создания неорганических материалов» (Третьи Самсоновские чтения), Хабаровск, 2006, с. 271-273.

83. Рокосей В.А., Ванина Е.А. Моделирование упорядоченной структуры мелких скоплений точечных дефектов // Материалы VII региональной межвузовской научно-практической конференции «Молодежь XXI века: шаг в будущее», Благовещенск, 2006, с. 189.

84. Ванина Е.А., Баранов А.Ф., Рокосей В.А. Моделирование упорядоченной структуры скоплений радиационных дефектов// Информатика и системы управления. 2006. № 1(11), с. 27-31.

85. Рокосей В.А., Ванина Е.А. Расчет плотности радиационных дефектов на поверхности фторида лития// Тезисы региональной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по физике, Владивосток, 2006, с.54-55.

86. Каталог оптических материалов Электронный ресурс. -http://www.optotechnolab.ru/MatRus.htm. -1.02.07.

87. Каталог «Электростекло» Электронный ресурс. http://www.elektro steklo.ru/Materials rus/materials rus.htm. -1.02.07.

88. Астапова Е.С., Ванина Е.А., Гопиенко И.В. Расчет концентрации дефектов по модели упругого взаимодействия// Информатика и системы управления, № 1(9), 2005, с. 23-26.

89. Дистлер Г.И., Дарюсина С.А., Герасимов Ю.М.// ДАН СССР, № 154, 1964, с.1328.

90. Дистлер Г.И., Константинова В.П., Герасимов Ю.М., Толмачева Г.А.// Письма ЖЭТФ, №6,1967, с. 868.

91. Дистлер Г.И., Лебедева В.Н., Москвин В.В.// Физика твердого тела, №10,1968, с.3489.

92. Косевич В.М., Палатник Л.С., Сокол А.А., Архипов П.П.// ДАН СССР, №180,1968, с.586.

93. Корнфельд М.И. ФТТ, № 10,1968, с.2422.

94. Дистлер Г.И., Власов В.П. Избирательная кристаллизация на элементах электрической структуры поверхности кристаллов LiF// ФТТ, Т.11, №8, 1969, с.2226-2229.

95. Дистлер Г.И., Лебедева В.Н., Москвин В.В. Исследование центров окраски щелочно-галоидных кристаллов на электронно-микроскопическом уровне// Кристаллография, Т.14, №4, 1969, с.664-671.

96. Анненков Ю.М. Дефектообразование и массоперенос в ионных структурах при интенсивном облучении ионизирующей радиацией. Автореферат на соискание уч.ст. д.ф.-м.н., Томск, 2002.

97. Дистлер Г.И., Москвин В.В. Решетка точечных дефектов в щелочногалоидных кристаллах и ее влияние на активность и хрупкое разрушениеэтих кристаллов// Физика твердого тела, Т.20, №4,1978, с.1252-1254.

98. Дистлер Г.И., Москвин В.В.// Письма ЖЭТФ, №20, 1974, с.551.