Высокотемпературные атомные процессы на границе раздела кремний-вакуум при сублимации, эпитаксии, термическом травлении кислородом и осаждении золота тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, доктор наук Косолобов Сергей Сергеевич

• Косолобов Сергей Сергеевич
• доктор наук
• 2023

Оглавление диссертации доктор наук Косолобов Сергей Сергеевич

1.2.2. Атомно-силовая микроскопия

1.2.3. Сканирующая электронная микроскопия

1.2.4. Метод фокусированного ионного пучка

1.3. Методики препарирования образцов

1.3.1. Препарирование образцов для ОЭМ-исследований

1.3.2. Препарирование образцов для ФИП

1.3.3. Препарирование образцов для создания широких террас

1.4. Заключение к главе

ГЛАВА 2. Поверхностные вакансии в процессах термического травления

кремния кислородом

2.1. Введение

2.2. Термическое травление ступенчатой поверхности кремния

2.3. Коалесценция поверхностных вакансий на широких террасах

2.4. Теория зарождения двумерного островка на широкой террасе

2.5. Критический размер террасы для зарождения двумерного отрицательного островка

2.6. Заключение к главе

ГЛАВА 3. Атомные процессы при сублимации и закалке от высоких температур

3.1. Введение

3.2. Движение атомных ступеней на поверхности кремния при сублимации

3.3. Морфология высокоориентированной поверхности кремния (111)

при быстром охлаждении

3.4. Поверхностная плотность адвакансий

3.5. Заключение к главе

ГЛАВА 4. Высокотемпературные эпитаксиальные процессы на поверхности кремния (111)

4.1. Введение

4.2. Атомные ступени на поверхности кремния (111) при высокотемпературном осаждении кремния

4.3. Электромиграция адатомов на поверхности кремния (111)

4.4. Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном осаждении кремния

4.5. Заключение к главе

ГЛАВА 5. Субмонослойное осаждение золота на поверхность кремния

(111) при высоких температурах

5.1. Введение

5.2. Нестабильность морфологии поверхности кремния при осаждении золота

5.3. Теоретический анализ атомных процессов диффузии золота в кремнии

5.4. Атомные механизмы массопереноса на поверхности кремния при осаждении золота

5.5. Заключение к главе

ГЛАВА 6. Подповерхностная диффузия и эффект прозрачности поверхно-

сти кристалла

6.1. Введение

6.2. Диффузия точечных дефектов в объеме кремния

6.3. Диффузия адатомов, адвакансий, междоузельных атомов и вакансий вблизи границы раздела кристалл-вакуум

6.4. Анализ связи объемных и поверхностных диффузионных процессов в кристалле

6.5. Заключение к главе

Заключение

Список сокращений и условных обозначений

Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Высокотемпературные атомные процессы на границе раздела кремний-вакуум при сублимации, эпитаксии, термическом травлении кислородом и осаждении золота»

ВВЕДЕНИЕ

С развитием физики твердого тела и технологий наноструктурирования материалов все более значимым является детальное понимание и контроль атомных процессов, протекающих как на поверхностях, так и на границах раздела твердотельных структур в различных экспериментальных условиях Адсорбция и десорбция атомов на границе раздела твердое тело - пар, генерация и рекомбинация точечных дефектов на поверхности, границах раздела и в объеме кристаллов, взаимодействие точечных дефектов с атомными ступенями и другими дефектами поверхности, химические реакции на поверхности кристаллов определяют процессы формирования и физические свойства твердотельных наноструктур в современных полупроводниковых технологиях. Понимание физических механизмов, лежащих в основе этих процессов, важно не только с фундаментальной точки зрения, но также необходимо для дальнейшего развития технологий низкоразмерных систем и элементной базы нового поколения полупроводниковой интегральной электроники и оптоэлектроники.

Успехи в развитии полупроводниковых технологий связаны с возможностями тщательного контроля электрических свойств полупроводниковых материалов. Хорошо установлено влияние искусственно внедренных примесей на концентрации носителей заряда в полупроводниках, что обеспечило создание устройств с заданными характеристиками. Одним из критических факторов, влияющих на работу полупроводниковых устройств является наличие неконтролируемых примесей и структурных дефектов, формирующихся как в объеме, так и на поверхности функциональных слоев. В современных полупроводниковых технологиях используется ограниченный, но вместе с тем довольно широкий набор различных материалов: металлы для формирования контактных площадок и межсоединений, «Ыgh-k» диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью для создания диэлектрических слоев, нит-

риды и карбиды кремния и металлов, используемые в качестве стоп-слоев, препятствующих диффузионному растеканию, силициды, ферроэлектрики и другие материалы. Ряд технологических процессов, таких как осаждение, эпитаксиальный рост, диффузионное вжигание, планаризация слоев и др., сопровождаются высокотемпературными отжигами, приводящими к диффузии этих материалов в соседние области кристалла.

Диффузия в твердых телах является одним из ключевых процессов в современных полупроводниковых технологиях, влияющих на электрофизические свойства создаваемых структур. Диффузионные процессы определяют кинетику микро- и наноструктурных изменений, неизбежно происходящих в процессах препарирования, процессинга, и температурных обработок. Кинетика зародышеобразования, кристаллизации, фазовых трансформаций, взаимного растворения, преципитации, оксидирования, легирования, высокотемпературных отжигов определяется диффузией и реакциями взаимодействия как в объеме, так и на границах раздела материалов. Примерами процессов, в которых реакции взаимодействия и диффузия играют ключевую роль являются процесс оксидирования кремния, широко используемый в современных полупроводниковых технологиях, а также осаждение на поверхность кремния золота - базового материала для формирования контактов в микроэлектронике. Повышенный интерес к этим процессам обусловлен их широким использованием в современной микро- наноэлектронике и фотонике. Например, золото используется в качестве катализатора для выращивания нанопроволок на поверхности кремния [1,2] и других материалов [3,4].

Система золото-кремний является модельной системой для анализа процессов диффузии в объеме кремния [5]. Атомные механизмы диффузии в твердом теле тесно связаны с точечными дефектами. Распределение точечных дефектов и примесей замещения в полупроводниках имеет огромное значение для устройств фотовольтаики, фотокатализа, микро- и наноэлек-троники. На этапах изготовления этих устройств, сопровождающихся терми-

ческими прогревами возможны перераспределение собственных и примесных точечных дефектов, их сегрегация и преципитация, обусловленные возникновением упругих напряжений, дрейфом в электростатических полях, градиентом химического потенциала и другими процессами. Последовательное уменьшение размеров структур и повышение плотности их распределения на поверхности кристаллов также сопровождается возрастанием тепловыделения и увеличением рабочих температур полупроводниковых устройств. Это приводит к ужесточению требований к изготавливаемым структурам и необходимости тщательного контроля качества поверхностей и границ раздела с учетом высокотемпературных обработок. Все эти факторы указывают на необходимость анализа на атомном уровне процессов дефектообразования, диффузии и взаимодействия точечных дефектов с поверхностями и границами раздела полупроводниковых структур и материалов, используемых в современных полупроводниковых технологиях.

Для достижения заданных физических характеристик функциональных слоев, входящих в состав полупроводниковых наноструктур и устройств, необходимо учитывать процессы диффузионного массопереноса как в объеме кристалла, так и на его поверхности. Впервые диффузия атомов и вакансий в твердом теле была рассмотрена в работе Я.И. Френкеля «Тепловое движение в твердых и жидких телах и теория плавления» [6]. В этой работе были введены первые представления о диффундирующих точечных дефектах - вакансиях и междоузельных атомах. Перемещение атомов в твердых телах наглядно иллюстрируется, например, в экспериментах по исследованию явления взаимной диффузии при соприкосновении двух кристаллических тел. Атомные механизмы, описывающие этот процесс, включают как обмен местами двух соседних атомов, так и формирование междоузельных атомов и вакансий (пары Френкеля). Концепция «внутреннего испарения», заключающаяся в перемещении атома из узлового положения в междоузельное с образованием вакансии, получила название «френкелевское разупорядоче-

ние». Образовавшиеся точечные дефекты могут иметь зарядовые состояния, что объясняет, например, возникновение проводимости в ионных кристаллах. Позднее, В. Шоттки [7] дополнил теоретическое описание диффузии в твердых телах возможностью формирования вакансий без образования меж-доузельных атомов. Однако возможные атомные механизмы такого процесса рассмотрены не были.

Одним из источников объемных вакансий в процессе дефектообразования может являться поверхность кристалла [6]. В этом случае происходит увеличение объема кристалла за счет «проникновения» вакансий внутрь кристалла. Аналогично, междоузельные атомы так же могут формироваться независимо от объемных вакансий путем перемещения одного из поверхностных атомов из равновесного положения в узле кристаллической решетки в ближайшее междоузельное положение. Объемная концентрация вакансий и меж-доузельных атомов, сформированных таким образом, возрастает с увеличением температуры кристалла. Дальнейшее распространение точечных дефектов определяется процессами объёмной диффузии и рекомбинации. Контроль диффузионных процессов позволяет не только анализировать распределение примеси в объеме кристалла, но также предсказать развитие морфологии поверхности кристалла в процессах гомо- и гетероэпитаксиального роста, сублимации, термического травления, фазовых превращений и осаждения инородных атомов.

Я.И.Френкель впервые рассмотрел существование слоя адсорбированных на поверхности кристалла атомов в 1944 году в работе «О поверхностном ползании частиц у кристаллов и естественной шероховатости кристаллических граней» [8,9]. В этой статье модель Косселя-Странского [10-12] была дополнена формированием изломов на атомных ступенях, образующихся за счет термических флуктуаций. Были введены понятия одномерного и двумерного газа адсорбированных атомов, диффузия и взаимодействие которых с атомными ступенями приводит к изменению морфологии поверхности.

Позднее эти идеи были развиты В. Бартоном, Н. Кабрерой и Ф.Франком в работе [13], в которой представлена детальная теория эволюции равновесной структуры поверхности кристалла в процессах эпитаксиального роста. В этой работе сформулированы ключевые концепции зарождения кристаллов, образования фасеток, атомных ступеней, изломов и проанализирована их роль в процессах роста кристаллов.

Атомные ступени на поверхности кристалла обычно рассматривают в качестве эффективных стоков и источников для точечных дефектов, активно участвующих в поверхностных диффузионных процессах. В последнее время появляются работы, демонстрирующие эффекты влияния атомных ступеней на процессы, протекающие в объеме кристаллов, в частности, на формирование стехиометрического состава и объемной структуры кристалла. В работе [14], например, проанализировано в расчетах и показано экспериментально с помощью in situ высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии влияние перемещения атомных ступеней на формирование антифазных границ в подповерхностных слоях кристалла, зарождающихся вблизи ступеней и распространяющихся глубь тонкой кристаллической пленки CuAu. Полученные результаты демонстрируют влияние поверхности на структуру подповерхностных слоев кристалла. Это может быть использовано, например, для модификации состава и структуры сплавов.

Влияние собственных точечных дефектов на морфологию поверхности металлических кристаллов продемонстрировано в работах [15, 16]. Показано, что изменение температуры кристаллов AlNi и Pt приводит к существенным трансформациям поверхности благодаря высокой концентрации объемных вакансий, их диффузии и взаимодействию с поверхностью кристалла. В то же время атомным механизмам взаимодействия собственных точечных дефектов с поверхностью кристаллов полупроводников уделяется не так много внимания. Это связано, по-видимому, с малыми объемными концентрациями собственных точечных дефектов в полупроводниках, что затрудняет визуа-

лизацию изменений морфологии поверхности существующими микроскопическими методами.

Поведение вакансий, собственных и примесных междоузельных атомов в объеме монокристаллического кремния широко исследовано, поскольку имеет важнейшее значение для практических применений [17]. Однако детали диффузионных механизмов и атомных реакций собственных точеных дефектов вблизи поверхности исследованы в недостаточном объеме. Одним из обстоятельств, которое необходимо учитывать при анализе диффузионных процессов, протекающих в объёме полупроводников вблизи поверхности кристалла, является способность кристаллических поверхностей не только генерировать точечные дефекты, но также и поглощать их избыток [18].

В соответствии с расчетами атомы и точечные дефекты вблизи поверхности могут иметь отличные от объемных физические характеристики [19,20]. Несмотря на многолетний опыт исследований формирования и диффузии точечных дефектов в кремнии, возникают существенные противоречия при интерпретации экспериментальных результатов. Например, в работах [21,22] авторы представили экспериментальные результаты исследования поведения точечных дефектов в кристалле кремния, выращенного методом Чохральско-го в различных температурных режимах. Показано, что уменьшение скорости вытягивания кристалла из расплава влияет на концентрации точечных дефектов. Интерпретация экспериментальных результатов подразумевает генерацию на границе раздела кристалл-расплав вакансий. В то же время, предполагается, что междоузельные атомы формируются уже в самом кристалле, благодаря наличию термических напряжений. Полученные данные не согласуются с ранее предложенной моделью роста кристалла [23,24].

Основную трудность для проведения подобного анализа представляет расчёт распределения собственных точечных дефектов вблизи поверхности, а также учет реакций генерации-рекомбинации точечных дефектов на границе кристалла. Поскольку на данный момент нет экспериментальной методики,

позволяющей анализировать положение и диффузию отдельных междоузель-ных атомов и вакансий в кристалле, детали атомных механизмов диффузии и реакций вблизи стоков и истоков остаются неисследованными. Следует отметить, что несмотря на большой объем работ, посвященных исследованию распределения и диффузии как собственных точечных дефектов, так и примесей в кристаллах, на данный момент нет законченной модели, которая связывала бы поверхностные процессы с диффузионными процессами, протекающими в объеме кристалла. Поверхность и объем зачастую рассматриваются как две отдельные области, несомненно влияющие друг на друга, но, тем не менее, изолированные.

Цель данной работы заключалась в установлении закономерностей и определении атомных механизмов процессов, протекающих на границе раздела монокристаллический кремний-вакуум в высокотемпературных процессах сублимации, термического травления молекулярным кислородом, гомо-эпитаксиального роста и осаждения золота с учетом влияния диффузионных процессов, протекающих в объеме кристалла.

Для достижения поставленной цели в настоящей работе решались следующие основные задачи:

• Разработка методов генерации адвакансий, осаждения кремния и металлов на поверхность кремния (111) для проведения in situ экспериментов методом отражательной электронной микроскопии при высоких температурах;

• Разработка методов формирования и структурирования атомно-гладких высокоориентированных поверхностей монокристаллического кремния с низкой плотностью атомных ступеней для проведения in situ экспериментов;

• Установление атомного механизма массопереноса на поверхности кремния (111) в условиях генерации адвакансий, формирующихся в высокотемпературных процессах сублимации и термического травления крем-

ния молекулярным кислородом;

• Определение энергетических параметров, характеризующих кинетику атомных ступеней и процессы двумерного зарождения на поверхности кремния (111) при высоких температурах;

• Определение условий стабильности морфологии поверхности кремния (111) при высокотемпературном осаждении золота;

• Установление атомного механизма массопереноса и определение энергетических параметров, характеризующих кинетику атомных ступеней и процессы двумерного зарождения на поверхности кремния (111), в условиях диффузионного обмена точечными дефектами между поверхностью и объемом кристалла при высоких температурах;

• Разработка обобщённой теоретической модели, описывающей процессы генерации, рекомбинации и диффузии собственных точечных дефектов на границе раздела кристалл-вакуум при сублимации, эпитаксиальном росте и в условиях взаимодействия с газами.

Научная новизна работы заключается в создании нового направления в области физики поверхности, открывающего принципиально новые возможности для наноструктурирования поверхности кремния с использованием высокотемпературных процессов самоорганизации и определяющего подходы к установлению механизмов, лежащих в их основе. В диссертационной работе впервые осуществлено следующее:

• Показано, что при температурах выше 1180 °С при сублимации и термическом травлении молекулярным кислородом, на поверхности кремния (111) реализуется вакансионный механизм массопереноса, лимитированный взаимодействием адвакансий с атомными ступенями. Определены энергетические параметры, характеризующие процессы зароды-шеобразования и взаимодействия адвакансий с атомными ступенями.

• Экспериментально установлен нелинейный характер зависимости скорости смещения атомных ступеней по поверхности кремния (111) от

размера прилегающих террас в условиях высокотемпературной сублимации. Определен энергетический барьер, характеризующий процесс растворения адвакансии с поверхности в объем кристалла.

• Показано, что атомный механизм массопереноса на поверхности кремния (111) в условиях высокотемпературного гомоэпитаксиального роста при температурах подложки 900-1180 °С лимитируется диффузией ада-томов кремния. Определены энергетические параметры, характеризующие процесс зародышеобразования при высокотемпературном гомоэпи-таксиальном росте.

• Экспериментально обнаружено и теоретически обосновано увеличение концентрации адатомов кремния на поверхности кристалла при субмо-нослойном осаждении золота на поверхность кремния (111) при повышенных температурах. Установлено, что объемная диффузия золота в приповерхностной области кремния проходит по механизму вытеснения атомов кремния из узлов кристаллической решетки ("кюк-оиГмеханизм).

• Экспериментально обнаружено и теоретически обосновано увеличение концентрации адатомов кремния на поверхности кристалла при суб-монослойном осаждении золота на ступенчатую поверхность кремния (111) при повышенных температурах. Установлено, что объемная диффузия золота в приповерхностной области кремния проходит по механизму вытеснения атомов кремния из узлов кристаллической решетки ("кюк-оиГмеханизм), сопровождающемуся формированием междоузель-ных атомов кремния, даже в присутствии источников и стоков для точечных дефектов.

• Предложен и реализован метод наноструктурирования поверхности монокристаллического кремния с использованием высокотемпературного субмонослойного осаждения металлов.

• Предложен новый атомный механизм, описывающий процессы генерации и рекомбинации собственных точечных дефектов на границе раздела кристалл-вакуум, включающий подповерхностный диффузионный слой.

• Разработана теоретическая модель, описывающая взаимосвязь диффузионных процессов на поверхности и в объеме кристалла с учётом «прозрачности» поверхности, обеспечивающей обмен точечными дефектами между поверхностью и объемом кристалла.

Научная и практическая значимость работы заключается в развитии нового комплексного подхода к анализу атомных процессов, протекающих на вицинальных и сингулярных поверхностях кристаллов, что открывает принципиально новые возможности для управления процессами формирования морфологии поверхности кристаллов на субмонослойном уровне и создания наноразмерных структур для современной полупроводниковой нано- и опто-электроники.

Среди результатов работы, имеющих важное практическое значение, следует отметить следующие принципиально важные пункты:

• Разработан способ формирования наноразмерных островков на поверхности кремния (111), покрытых сверхструктурной реконструкцией 81(111)-(5х2)-Ли. Созданные образцы использовались для калибровки астигматизма в методе сканирующей электронной микроскопии.

• Получены данные о формировании антиэшелонов атомных ступеней на поверхности кремния (111) в условиях близких к термодинамическому равновесию, что создает предпосылки к разработке технологии изготовления калибровочных стандартов, содержащих заданное количество хорошо визуализируемых атомных ступеней для сканирующей зондовой микроскопии.

• Предложен метод наноструктурирования поверхности кристалла кремния в процессах высокотемпературного термического травления кислородом и субмонослойного осаждения золота.

Структура и объем диссертационной работы

Диссертационная работа состоит из введения, шести глав с выводами, заключения с общими выводами и списка литературы из 369 наименований. Общий объем диссертации 316 страниц, включая 50 рисунков и две таблицы.

В первой главе приведено описание основных экспериментальных методов, используемых в данной работе. Базовой методикой, на основе которой проведены ключевые экспериментальные исследования, является разработанный в Институте физики полупроводников СО РАН уникальный метод in situ Сверхвысоковакуумной Отражательной Электронной Микроскопии (СВВ ОЭМ). Дооснащение метода СВВ-ОЭМ системой напуска газов позволило расширить его возможности для проведения экспериментальных исследований процессов термического травления поверхности кремния молекулярным кислородом в широком диапазоне температур подложки.

Для проведения экспериментов по высокотемпературному осаждению кремния существенной проблемой является необходимость регулирования пересыщения адатомов на поверхности исследуемого образца. Необходимо создать поток атомов кремния из внешнего источника, достаточный для компенсации уменьшения поверхностной плотности адатомов вследствие высокой скорости десорбции адатомов кремния за счет сублимации. Задача осложняется необходимостью размещения такого источника в довольно малом объеме сверхвысоковакуумной камеры микроскопа и ограничением тепловыделения источника, поскольку для реализации сверхвысоковакуумных условий в камере используются, в том числе, и азотные ловушки. Для решения обозначенной проблемы был разработано и изготовлено малогабаритное устройство для высокотемпературного эпитаксиального роста, позволяющего проводить in situ анализ морфологических трансформаций поверхности образцов при различных скоростях осаждения кремния в широком диапазоне температур от комнатной до температуры плавления кремния. Дооснаще-ние электронного микроскопа этим устройством позволило впервые провести

исследования начальных стадий двумерного зарождения при высокотемпературном гомоэпитаксиальном росте. Это также позволило проанализировать морфологические трансформации поверхности кремния как при сублимации, так и при проведении высокотемпературного гомоэпитаксиального роста в одном эксперименте без извлечения образцов на атмосферу или замены испарителей.

Отдельное внимание в работе уделялось проблеме контролируемой генерации междоузельных атомов кремния в объеме кристалла кремния при повышенных температурах. Для изменения концентрации точечных дефектов в кремнии было предложено использовать высокотемпературное осаждение золота, которое диффундирует в кремнии по непрямым механизмам, сопровождающимся генерацией или поглощением собственных точечных дефектов [18,225]. Для этой цели был разработан и изготовлен малогабаритный испаритель, позволяющий проводить осаждение металлов на исследуемый образец при температурах до 1260 °С. С использованием устройства для высокотемпературного осаждения металлов впервые были проведены детальные исследования осаждения золота на поверхность кремния, что позволило не только проанализировать атомные механизмы диффузии золота в приповерхностной области кремния, но также использовалось для разработки методов наноструктурирования поверхности кремния. Контроль структуры и морфологии поверхности проводился непосредственно в процессе проведения экспериментов в электронном микроскопе.

Дооснащение метода СВВ-ОЭМ описанными выше устройствами, а также усовершенствование откачной системы микроскопа и системы ввода жидкого азота позволили существенно расширить возможности метода для проведения in situ экспериментов при высоких температурах. Это единственный из известных на данный момент сверхвысоковакуумных электронных микроскопов, оборудованный таким набором устройств, позволяющим подготавливать атомно-чистые поверхности кремния и в реальном времени анализировать

процессы высокотемпературной сублимации, гомо- и гетероэпитаксиального роста, осаждения металлов и напуска газов.

Приведено детальное описание методов сканирующей атомно-силовой (АСМ) и электронной микроскопии (СЭМ). С помощью этих методов проведены исследования морфологических особенностей формирующихся на поверхности кремния сверхструктурных доменов и двумерных островков после высокотемпературных отжигов, субмонослойного осаждения металлов и быстрого охлаждения (закалки) образцов до комнатной температуры. Использование разработанных при проведении данной работы калибровочных образцов позволило получать воспроизводимые высокоточные измерения вертикальных размеров анализируемых структур. Приведено детальное описание методик препарирования образцов для формирования на поверхности кремния широких террас сингулярных участков кремния, ограниченных атомными ступенями. Для исследования кинетики замкнутых атомных ступеней, ограничивающих сингулярные террасы, предварительное структурирование образцов проводилось методами оптической литографии и последующего плазмохимического и ионно-лучевого травления. Часть образцов обрабатывались пучком ускоренных ионов галлия в установке фокусированного ионного пучка, описание которой приведено в данной главе.

Во второй главе представлены результаты исследований ансамбля адва-кансий на процессы формирования морфологии поверхности кремния (111). Для генерации адвакансий на поверхности кремния была предложена и реализована методика высокотемпературного термического травления поверхности кремния молекулярным кислородом в сверхвысоковакуумной камере электронного микроскопа. В этой методике используется химическая реакция, в результате которой молекулярный кислород взаимодействуя с атомно-чистой поверхностью кремния образует летучее соединение монооксида кремния. При повышенных температурах подложки и малых парциальных давлениях газа десорбция молекулы монооксида кремния с поверхности кристалла

Список литературы диссертационного исследования доктор наук Косолобов Сергей Сергеевич, 2023 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Dynamics of Gold Droplet Formation on SiO2/Si (111) Surface / Hadi Hijazi, Frederic Leroy, Guillaume Monier [и др.] // The Journal of Physical Chemistry C. 2020. Т. 124, № 22. С. 11946-11951.

2. Low-Temperature Growth of Au-Catalyzed InAs Nanowires: Experiment and Theory / Vladimir G Dubrovskii, Rodion R Reznik, Igor V Ilkiv [и др.] // physica status solidi (RRL)-Rapid Research Letters. 2022. Т. 16, № 1. С. 2100401.

3. Record pure zincblende phase in GaAs nanowires down to 5 nm in radius / Evelyne Gil, Vladimir G Dubrovskii, Geoffrey Avit [и др.] // Nano letters. 2014. Т. 14, № 7. С. 3938-3944.

4. Length distributions of Au-catalyzed and In-catalyzed InAs nanowires / VG Dubrovskii, NV Sibirev, Y Berdnikov [и др.] // Nanotechnology. 2016. Т. 27, № 37. С. 375602.

5. Bracht H. Self-and foreign-atom diffusion in semiconductor isotope heterostructures. I. Continuum theoretical calculations // Physical Review B. 2007. Т. 75, № 3. С. 035210.

6. Френкель Я. Тепловое движение в твердых и жидких телах и теория плавления // Успехи Физических Наук. 1936. Т. 16, № 7. С. 955-976.

7. Schottky W. Theorie der thermisehen Fehlordnung in Kristallen // Naturwissenschaften. 1935. Т. 23. С. 656-657.

8. Френкель Я.И. О поверхностном ползании частиц у кристаллов и естественной шероховатости кристаллических граней. // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1946. Т. 16, № 1. С. 39.

9. Френкель Я.И. Собрание избранных трудов, Том II. 1958.

10. Stranski I.N. Über das Wachsen der Kristalle // Ann. Univ. Sofia. 1927. Т. 24. С. 297.

11. Stranski I.N. Zur Theorie des Kristallwachstums // Z. Physik, Chem. 1928. T. 136, № 259.

12. Kossel W. Zur Energetik von Oberflachenvorgangen // Nachrichten der Gesellschaft der Wissenschaften Gottingen, Mathematisch-Physikalische Klasse. 1927. T. Band 135.

13. Burton W.K., Cabrera N., Frank F.C. The growth of crystals and the equilibrium structure of their surfaces // Philosophical Transactions of the Royal Society of London A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences. 1951. T. 243, № 866. C. 299-358.

14. Effect of surface steps on chemical ordering in the subsurface of Cu (Au) solid solutions. / Kuo Liu, Siming Zhang, Dongxiang Wu [h gp.] // Physical Review B. 2021. T. 103. C. 035401.

15. McCarty KF, Nobel JA, Bartelt NC. Vacancies in solids and the stability of surface morphology // Nature. 2001. T. 412, № 6847. C. 622-625.

16. Bulk-surface vacancy exchange on Pt (111) / Bene Poelsema, JB Hannon, NC Bartelt [h ¿p.] // Applied physics letters. 2004. T. 84, № 14. C. 25512553. URL: http://dx.doi.org/10.1063/U695434.

17. Pichler Peter. Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon / nog peg. S. Selberherr. Springer, Vienna., 2004. C. 77-227.

18. Fahey Paul Martin, Griffin PB, Plummer JD. Point defects and dopant diffusion in silicon // Reviews of modern physics. 1989. T. 61, № 2. C. 289.

19. Properties of Intrinsic Point Defects in Si and Ge Assessed by Density Functional Theory / Koji Sueoka, Eiji Kamiyama, Piotr Spiewak [h gp.] // ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2016. T. 5, № 4. C. P3176-P3195.

20. Kamiyama E., Sueoka K. First principles analysis on interaction between vacancy near surface and dimer structure of silicon crystal // Journal of Applied Physics. 2012. T. 111, № 1. C. 013521.

21. Abe T., Takahashi T., Shirai K. Observations of secondary defects and vacancies in CZ silicon crystals detached from melt using four different types of characterization technique // Journal of Crystal Growth. 2016. T. 436. C. 23-33.

22. Abe T. NAD Takahashi T., Shirai K., Zhang X.W. Investigations of interstitial generations near growth interface depending on crystal pulling rates during CZ silicon growth by detaching from the melt // Journal of Crystal Growth. 2016. T. 434. C. 128-137.

23. Voronkov V.V. The mechanism of swirl defects formation in silicon // Journal of Crystal Growth. 1982. T. 59, № 3. C. 625-643.

24. Voronkov V.V., Falster R. Vacancy and self-interstitial concentration incorporated into growing silicon crystals // Journal of Applied Physics. 1999. T. 11, № 86. C. 5975-5982.

25. Etching of the Si (001) surface with molecular oxygen / JB Hannon, MC Bartelt, NC Bartelt [h gp.] // Physical Review Letters. 1998. T. 81, № 21. C. 4676.

26. Evolution of surface morphology of Si (100)-(2x 1) during oxygen adsorption at elevated temperatures / K Wurm, R Kliese, Y Hong [h gp.] // Physical Review B. 1994. T. 50, № 3. C. 1567.

27. Markov Ivan V. Crystal Growth for Beginners. Fundamentals of Nucleation, Crystal Growth and Epitaxy. 3rd H3g. World Scientific Publishing, 2017.

28. Bales G. S., Zangwill A. Self-consistent rate theory of submonolayer homoepitaxy with attachment/detachment kinetics // Physical Review B. 1997. T. 55. C. R1973-R1976.

29. Island formation during deposition or etching / M.C. Bartelt, J.B. Hannon, A.K. Schmid [h gp.] // Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects. 2000. T. 1, № 3. C. 373-403.

30. Misbah C, Pierre-Louis O, Pimpinelli A. Advacancy-induced step bunching on vicinal surfaces // Physical Review B. 1995. T. 51, № 23. C. 17283.

31. Kahata Hisatoshi, Yagi Katumichi. The effect of surface anisotropy of Si (001) 2x 1 on hollow formation in the initial stage of oxidation as studied by reflection electron microscopy // Surface Science. 1989. T. 220, № 1. C. 131-136.

32. On the vacancy formation and diffusion on the Si (111) 7x 7 surfaces under exposures of low oxygen pressure studied by in situ reflection electron microscopy / N Shimizu, Y Tanishiro, K Takayanagi [h gp.] // Surface science. 1987. T. 191, № 1-2. C. 28-44.

33. Ruska Ernst. The development of the electron microscope and of electron microscopy // Reviews of modern physics. 1987. T. 59, № 3. C. 627.

34. Ruska E. Die elektronenmikroskopische abbildung elektronenbestrahlter oberflachen // Zeitschrift fur Physik A Hadrons and Nuclei. 1933. T. 83, № 7. C. 492-497.

35. Yagi K. Reflection electron microscopy // Journal of applied crystallography. 1987. T. 20, № 3. C. 147-160.

36. System for reflection electron microscopy and electron diffraction at intermediate energies / JM Cowley, JL Albain, GG Hembree [h gp.] // Review of Scientific Instruments. 1975. T. 46, № 7. C. 826-829.

37. Nielsen PE Hojlund, Cowley JM. Surface imaging using diffracted electrons // Surface Science. 1976. T. 54, № 2. C. 340-354.

38. Cowley John M, Nielsen PE Hojlund. Magnification variations in reflection electron microscopy using diffracted beams // Ultramicroscopy. 1975. T. 1, № 2. C. 145-150.

39. Hawkes Peter W. The beginnings of electron microscopy. Academic Press, 2013. T. 16.

40. Latyshev A.V., Krasilnikov A.B., Aseev A.L. Application of ultrahigh vacuum reflection electron microscopy for the study of clean silicon surfaces in sublimation, epitaxy, and phase transitions // Microscopy research and technique. 1992. Т. 20, № 4. С. 341-351.

41. Устройство для дифференциальной сверхвысоковакуумной откачки электронного микроскопа / АА Крошков, ЭА Баранова, ОА Якушен-ко [и др.] // Приборы и техника эксперимента. 1985. № 1. С. 199-202.

42. Cowley JM, Peng Lianmao. The image contrast of surface steps in reflection electron microscopy // Ultramicroscopy. 1985. Т. 16, № 1. С. 59-67.

43. Латышев А.В. Асеев А.Л. Моноатомные ступени на поверхности кремния. СО РАН, 2006.

44. Binnig Gerd, Rohrer Heinrich. Scanning tunneling microscopy - from birth to adolescence // Reviews of modern physics. 1987. Т. 59, № 3. С. 615.

45. Bykov V.A. Scanning probe microscopy and nanotechnology // Molecular Manufacturing. Springer, 1996. С. 67-76.

46. Ducker William A, Cook Robert F, Clarke David R. Force measurement using an AC atomic force microscope // Journal of applied physics. 1990. Т. 67, № 9. С. 4045-4052.

47. Atomically resolved InP (110) surface observed with noncontact ultrahigh vacuum atomic force microscope / Hitoshi Ueyama, Masahiro Ohta, Yasuhiro Sugawara [и др.] // Japanese Journal of Applied Physics. 1995. Т. 34, № 8B. С. L1086.

48. Bykov VA, Fedirko VA. Scanning Probe Microscopy Application for Biological Objects Investigation // Spectroscopy of Biological Molecules. Springer, 1995. С. 471-472.

49. Oatley Charles W. The early history of the scanning electron microscope // Journal of Applied Physics. 1982. Т. 53, № 2. С. R1-R13.

50. Busch Hans. Berechnung der Bahn von Kathodenstrahlen im axialsymmetrischen elektromagnetischen Felde // Annalen der Physik. 1926. T. 386, № 25. C. 974-993.

51. Zworykin Vladimir K. The scanning electron microscope // Scientific American. 1942. T. 167. C. 111-113.

52. McMullan D. Scanning electron microscopy 1928-1965 // Scanning. 1995. T. 17, № 3. C. 175-185.

53. Von Ardenne Manfred. Das elektronen-rastermikroskop. Praktische ausfuhrung // Zeitschrift für technische Physik. 1938. T. 19, № 11. C. 407-416.

54. Everhart Thomas E, Thornley RFM. Wide-band detector for micromicroampere low-energy electron currents // Journal of scientific instruments. 1960. T. 37, № 7. C. 246.

55. Krohn VE. Liquid metal droplets for heavy particle propulsion // Progress in Astronautics and Rocketry. 1961. T. 5. C. 73-80.

56. Gnauck Peter, Hoffrogge Peter, Greiser Jens. New crossbeam inspection tool combining an ultrahigh-resolution field emission SEM and a high-resolution FIB // Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XVI / International Society for Optics and Photonics. T. 4689. 2002. C. 833-841.

57. Room temperature operational single electron transistor fabricated by focused ion beam deposition / P Santosh Kumar Karre, Paul L Bergstrom, Govind Mallick [h gp.] // Journal of Applied Physics. 2007. T. 102, № 2. C. 024316.

58. Focused ion beam gallium implantation into silicon / M Tamura, S Shukuri, M Moniwa [h gp.] // Applied Physics A. 1986. T. 39, № 3. C. 183-190.

59. Yao Nan, Wang Zhong Lin. Handbook of microscopy for nanotechnology. Springer, 2005.

60. Stevie FA, Giannuzzi LA, Prenitzer BI. The focused ion beam instrument // Introduction to Focused Ion Beams. Springer, 2005. C. 112.

61. Reyntjens Steve, Puers Robert. A review of focused ion beam applications in microsystem technology // Journal of micromechanics and microengineering. 2001. T. 11, № 4. C. 287.

62. Ion beams in silicon processing and characterization / E Chason, ST Picraux, JM Poate [h gp.] // Journal of applied physics. 1997. T. 81, № 10. C. 6513-6561.

63. Origin of the difference in the resistivity of as-grown focused-ion-and focused-electron-beam-induced Pt nanodeposits / JM De Teresa, R Cordoba, A Fernandez-Pacheco [h gp.] // Journal of Nanomaterials. 2009. T. 2009. C. 10.

64. Fundamentals of focused ion beam nanostructural processing: Below, at, and above the surface / Warren J MoberlyChan, David P Adams, Michael J Aziz [h gp.] // MRS bulletin. 2007. T. 32, № 5. C. 424-432.

65. High-quality sample preparation by low kV FIB thinning for analytical TEM measurements / Sara Bals, Wim Tirry, Remco Geurts [h gp.] // Microscopy and Microanalysis. 2007. T. 13, № 2. C. 80-86.

66. Lander JJ. Chemisorption and ordered surface structures // Surface Science. 1964. T. 1, № 2. C. 125-164.

67. Real-time observation of the Si (111):(7x 7)-(1x 1) phase transition by scanning tunneling microscopy / K Miki, Y Morita, H Tokumoto [h gp.] // Ultramicroscopy. 1992. T. 42. C. 851-857.

68. Kato Naoko I. Reducing focused ion beam damage to transmission electron microscopy samples // Journal of electron microscopy. 2004. T. 53, № 5. C. 451-458.

69. Improvements in performance of focused ion beam cross-sectioning: aspects of ion-sample interaction / Tohru Ishitani, Kaoru Umemura, Tsuyoshi Ohnishi [и др.] // Microscopy. 2004. Т. 53, № 5. С. 443449.

70. In situ REM and ex situ SPM studies of silicon (111) surface / A.L. Aseev, S.S. Kosolobov, A.V. Latyshev [и др.] // Physica Status Solidi (a). 2005. Т. 202, № 12. С. 2344-2354.

71. Atomic force microscopy of silicon stepped surface / S.S. Kosolobov, D.A. Nasimov, D.V. Sheglov [и др.] // Physics of Low-Dimensional Structures. 2002. № 5/6. С. 231-238.

72. Sitnikov Sergey, Kosolobov Sergey, Latyshev Alexander. Attachment-detachment limited kinetics on ultra-flat Si (111) surface under etching with molecular oxygen at elevated temperatures // Surface Science. 2015. Т. 633. С. L1-L5.

73. Atomic Processes on the Silicon Surface / A.V. Latyshev, L.I. Fedina, S.S. Kosolobov [и др.] // Advances in Semiconductor Nanostructures. Elsevier, 2017. С. 189-221.

74. Атомные процессы на поверхности кремния / А.В. Латышев, С.С. Косо-лобов, Д.А.Насимов [и др.] // Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (19642014). Новосибирск: Параллель., 2014. С. 176-197.

75. Косолобов СС, Асеев АЛ, Латышев АВ. In situ исследование взаимодействия кислорода с поверхностью кремния (111) методом сверхвы-соковакуумной отражательной электронной микроскопии // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, № 9. С. 1084-1091.

76. Косолобов СС, Латышев АВ. влияние вакансий на распределение атомных ступеней на поверхности кремния (111) // Вестник Новосибирского государственного университета. Серия: Физика. 2007. Т. 2, № 2. С. 40-50.

77. Misbah Chaouqi, Pierre-Louis Olivier, Saito Yukio. Crystal surfaces in and out of equilibrium: A modern view // Reviews of Modern Physics. 2010. T. 82, № 1. C. 981.

78. Jeong Hyeong-Chai, Williams Ellen D. Steps on surfaces: experiment and theory // Surface Science Reports. 1999. T. 34, № 6. C. 171-294.

79. Evans JW, Thiel PA, Bartelt Maria C. Morphological evolution during epitaxial thin film growth: Formation of 2D islands and 3D mounds // Surface Science Reports. 2006. T. 61, № 1. C. 1-128.

80. Finnie Paul, Homma Yoshikazu. Epitaxy: the motion picture // Surface science. 2002. T. 500, № 1. C. 437-457.

81. Hervieu Yu Yu, Markov Ivan. Kinetics of second layer nucleation with permeable steps // Surface Science. 2014. T. 628. C. 76-81.

82. Venables JA, Spiller GDT, Hanbucken M. Nucleation and growth of thin films // Reports on Progress in Physics. 1984. T. 47, № 4. C. 399.

83. Man KL, Pang AB, Altman MS. Kinetic length and step permeability on the Si (111)(1x 1) surface // Surface science. 2007. T. 601, № 20. C. 4669-4674.

84. Transformations on clean Si (111) stepped surface during sublimation / A.V. Latyshev, A.L. Aseev, A.B. Krasilnikov [h gp.] // Surface science. 1989. T. 213, № 1. C. 157-169.

85. Finnie Paul, Homma Y. Motion of atomic steps on ultraflat Si (111): Constructive collisions // Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 2000. T. 18, № 4. C. 1941-1945.

86. Decay kinetics of two-dimensional islands and holes on Si(111) studied by low-energy electron microscopy / H. Hibino, C.-W. Hu, T. Ogino [h gp.] // Physical Review B. 2001. May. T. 63. C. 245402.

87. Reflection electron microscopy study of clean Si(111) surface reconstruction during the (7x7)-(1x1) phase transition / A.V. Latyshev,

A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev [и др.] // Surface Science. 1991. Т. 254, № 1-3. С. 90 - 96.

88. Yang Y-N, Williams ED. High atom density in the 1x1 phase and origin of the metastable reconstructions on Si (111) // Physical Review Letters. 1994. Т. 72, № 12. С. 1862.

89. Step line tension and step morphological evolution on the Si(111) (1 x 1) surface / A. B. Pang, K. L. Man, M. S. Altman [и др.] // Physical Review

B. 2008. Mar. Т. 77. С. 115424.

90. Я.И.Френкель. Собрание избранных трудов, том III / под ред. А.В.Смирнова И.В.Барковский. Ленинградское отделение Издательства АН СССР, Ленинград, 1959.

91. Kahata Hisatoshi, Yagi Katsumichi. Preferential diffusion of vacancies perpendicular to the dimers on Si (001) 2x 1 surfaces studied by UHV REM // Japanese Journal of Applied Physics. 1989. Т. 28, № 6A.

C. L1042.

92. A new technique to produce clean and thin silicon films in situ in a UHV electron microscope for TEM-TED studies of surfaces / Soh-ichiro Ozawa, Akira Yamanaka, Kunio Kobayashi [и др.] // Japanese Journal of Applied Physics. 1990. Т. 29, № 4A. С. L655.

93. Murooka Ken-ichi, Tanishiro Yasumasa, Takayanagi Kunio. Dynamic observation of oxygen-induced step movement on the Si (111) 7x 7 surface by high-resolution reflection electron microscopy // Surface science. 1992. Т. 275, № 1-2. С. 26-30.

94. Fukaya Y, Shigeta Y. New Phase and Surface Melting of Si (111) at High Temperature above the (7x 7)-(1x 1) Phase Transition // Physical Review Letters. 2000. Т. 85, № 24. С. 5150.

95. Sublimation of the Si (111) surface in ultrahigh vacuum / Yoshikazu Homma, Hiroki Hibino, Toshio Ogino [и др.] // Physical Review B. 1997. Т. 55, № 16. С. R10237.

96. Fukaya Y, Shigeta Y. Precursor to surface melting of Si (111) at high temperature // Physical Review B. 2002. T. 65, № 19. C. 195415.

97. Pimpinelli Alberto, Villain Jacques. What does an evaporating surface look like? // Physica A: Statistical Mechanics and its Applications. 1994. T. 204, № 1-4. C. 521-542.

98. Engel Thomas. The interaction of molecular and atomic oxygen with Si(100) and Si(111) // Surface Science Reports. 1993. T. 18, № 4. C. 93 - 144.

99. Site-Specific Evolution of Surface Stress during the Room-Temperature Oxidation of the Si(111)-(7x7) Surface / N. T. Kinahan, D. E. Meehan, T. Narushima [h gp.] // Physical Review Letters. 2010. T. 104. C. 146101.

100. Deal B. E., Grove A. S. General Relationship for the Thermal Oxidation of Silicon // J. Appl. Phys. 1965. T. 36, № 12. C. 3770-3778.

101. Kinetics of Initial Layer-by-Layer Oxidation of Si(001) Surfaces / Heiji Watanabe, Koichi Kato, Tsuyoshi Uda [h gp.] // Physical Review Letters. 1998. Jan. T. 80. C. 345-348.

102. Lander JJ, Morrison J. Low voltage electron diffraction study of the oxidation and reduction of silicon // Journal of Applied Physics. 1962. T. 33, № 6. C. 2089-2092.

103. Smith FW, Ghidini G. Reaction of oxygen with Si (111) and (100): critical conditions for the growth of SiO2 // Journal of the Electrochemical Society. 1982. T. 129, № 6. C. 1300-1306.

104. Schlier RE, Farnsworth HE. Structure and adsorption characteristics of clean surfaces of germanium and silicon // The Journal of Chemical Physics. 1959. T. 30, № 4. C. 917-926.

105. Hagstrum Homer D. Oxygen adsorption on silicon and germanium // Journal of Applied Physics. 1961. T. 32, № 6. C. 1020-1022.

106. Wagner Carl. Passivity during the oxidation of silicon at elevated temperatures // Journal of Applied Physics. 1958. T. 29, № 9. C. 12951297.

107. Cahill David G, Avouris Ph. Si ejection and regrowth during the initial stages of Si (001) oxidation // Applied physics letters. 1992. T. 60, № 3. C. 326-328.

108. Hojo Daisuke, Tokuda Norio, Yamabe Kikuo. Direct observation of two-dimensional growth at SiO2/Si (111) interface // Thin Solid Films. 2007. T. 515, № 20-21. C. 7892-7898.

109. Williams Ellen D. Nanoscale structures: Lability, length scales, and fluctuations // MRS bulletin. 2004. T. 29, № 9. C. 621-629.

110. Johnson KE, Engel T. Direct measurement of reaction kinetics for the decomposition of ultrathin oxide on Si (001) using scanning tunneling microscopy // Physical Review Letters. 1992. T. 69, № 2. C. 339.

111. The reaction of atomic oxygen with Si (100) and Si (111): I. Oxide decomposition, active oxidation and the transition to passive oxidation / JR Engstrom, DJ Bonser, MM Nelson [h gp.] // Surface science. 1991. T. 256, № 3. C. 317-343.

112. Observation of 1-nm-high structures on a Si (001) surface using a differential interference optical microscope / Takahisa Doi, Akitoshi Ishizaka, Masakazu Ichikawa [h gp.] // Japanese Journal of Applied Physics. 1995. T. 34, № 6R. C. 2986.

113. Gas phase etching of Si (111)-(7x 7) surfaces by oxygen observed by scanning tunneling microscopy / F Donig, A Feltz, M Kulakov [h gp.] // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena. 1993. T. 11, № 6. C. 1955-1961.

114. Oxidation of spatially controlled atomically flat Si(001) surface / Atsushi Ando, Kunihiro Sakamoto, Kazushi Miki [h gp.] // Appl. Surf. Sci. 1998. T. 130, № 0. C. 197 - 201.

115. Reflection electron microscope study of the initial stages of oxidation of Si (111)-7x 7 surfaces / N Shimizu, Y Tanishiro, K Kobayashi [h gp.] // Ultramicroscopy. 1985. T. 18, № 1-4. C. 453-461.

116. Bedrossian P, Klitsner T. Anisotropic vacancy kinetics and single-domain stabilization on Si (100)-2x1 // Physical Review Letters. 1992. T. 68, № 5. C. 646.

117. Why Si (100) steps are rougher after etching / FJ Williams, CM Aldao, Y Gong [h gp.] // Physical Review B. 1997. T. 55, № 20. C. 13829.

118. Itchkawitz BS, McEllistrem MT, Boland John J. Equivalent Step Structures along Inequivalent Crystallographic Directions on Halogen-Terminated Si (111)-(1x 1) Surfaces // Physical Review Letters. 1997. T. 78, № 1. C. 98.

119. Atomic Steps on a Single-Crystal Surface Studied With in Situ Uhv Reflection-Electron Microscopy / A.V. Latyshev, S.S. Kosolobov, D.A. Nasimov [h gp.] // Atomistic Aspects of Epitaxial Growth. 2002. C. 281-299.

120. In situ REM studies of a Si (111) stepped surface during gold adsorption and oxygen treatments / A.V. Latyshev, D.A. Nasimov, V.N. Savenko [h gp.] // Microscopy of Semiconducting Materials 2001. CRC Press, 2018. C. 153-162.

121. Yang Y-N, Fu Elain S, Williams Ellen D. An STM study of current-induced step bunching on Si (111) // Surface science. 1996. T. 356, № 1-3. C. 101-111.

122. Homma Yoshikazu, Suzuki Mineharu, Hibino Hiroki. Step band structures on vicinal Si (111) surfaces created by DC resistive heating // Applied surface science. 1992. T. 60. C. 479-484.

123. Heating-current-induced step motion on Si (111) surface by scanning tunneling microscopy / H Tokumoto, K Miki, H Murakami [и др.] // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena. 1991. Т. 9, № 2. С. 699-702.

124. Schwoebel Richard L, Shipsey Edward J. Step motion on crystal surfaces // Journal of Applied Physics. 1966. Т. 37, № 10. С. 3682-3686.

125. Litvin L.V., Krasilnikov A.B., Latyshev A.V. Transformations of the stepped Si (001) surface structure induced by heating the specimen by a current // Surface science. 1991. Т. 244, № 3. С. L121-L124.

126. Gibbons BJ, Noffsinger J, Pelz JP. Influence of Si deposition on the electromigration induced step bunching instability on Si (1 1 1) // Surface science. 2005. Т. 575, № 1-2. С. L51-L56.

127. Косолобов С.С., Асеев А.Л., Латышев А.В. In situ исследование взаимодействия кислорода с поверхностью кремния (111) методом сверхвы-соковакуумной отражательной электронной микроскопии // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, № 9. С. 1084-1091.

128. Sonnveld Jerry Slocum Dic. The 15 puzzle: how it drove the world crazy. The Slocum Puzzle Goundation, 2006.

129. Chung WF, Altman Michael Scott. Kinetic length, step permeability, and kinetic coefficient asymmetry on the Si (111)(7x 7) surface // Physical Review B. 2002. Т. 66, № 7. С. 075338.

130. Ландау ЛД, Лифшиц ЕМ. Теоретическая физика. Том V. Статистическая физика: Часть 1. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1976.

131. McPherson JW, Reddy VK, Mogul HC. Field-enhanced Si-Si bond-breakage mechanism for time-dependent dielectric breakdown in thin-film SiO 2 dielectrics // Applied physics letters. 1997. Т. 71, № 8. С. 11011103.

132. Farid Behnam, Godby RW. Cohesive energies of crystals // Physical Review B. 1991. Т. 43, № 17. С. 14248.

133. Kitamura N, Lagally MG, Webb MB. Real-time observations of vacancy diffusion on Si (001)-(2x 1) by scanning tunneling microscopy // Physical Review Letters. 1993. Т. 71, № 13. С. 2082.

134. Ситников Сергей Васильевич, Косолобов Сергей Сергеевич, Латышев Александр Васильевич. Формирование двумерных отрицательных островков при быстром охлаждении ультраплоской поверхности Si(111) // Вестник Новосибирского государственного университета. Серия: Физика. 2016. Т. 11, № 1. С. 94-99.

135. AFM and STM studies of quenched Si (111) surface / D.A. Nasimov, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina [и др.] // Physics of Low-Dimensional Structures. 2003. Т. 3. С. 157-166.

136. The interface between silicon and a high-k oxide / Clemens J Forst, Christopher R Ashman, Karlheinz Schwarz [и др.] // Nature. 2004. Т. 427, № 6969. С. 53.

137. Ultrasmooth patterned metals for plasmonics and metamaterials / Prashant Nagpal, Nathan C Lindquist, Sang-Hyun Oh [и др.] // Science. 2009. Т. 325, № 5940. С. 594-597.

138. Malureanu Radu, Lavrinenko Andrei. Ultra-thin films for plasmonics: a technology overview // Nanotechnology Reviews. 2015. Т. 4, № 3. С. 259-275.

139. Ultrafine and smooth full metal nanostructures for plasmonics / Xinli Zhu, Yang Zhang, Jiasen Zhang [и др.] // Advanced Materials. 2010. Т. 22, № 39. С. 4345-4349.

140. Holst B., Allison W. An atom-focusing mirror. // Nature. 1997. Т. 390 (6657). С. 244.

141. Bhushan Bharat, Israelachvili Jacob N, Landman Uzi. Nanotribology: friction, wear and lubrication at the atomic scale // Nature. 1995. T. 374, № 6523. C. 607.

142. The nonlinear nature of friction / Michael Urbakh, Joseph Klafter, Delphine Gourdon [h gp.] // Nature. 2004. T. 430, № 6999. C. 525.

143. Effect of surface roughness and electrostatic surface potentials on forces between dissimilar surfaces in aqueous solution / Markus Valtiner, Kai Kristiansen, George W Greene [h gp.] // Advanced Materials. 2011. T. 23, № 20. C. 2294-2299.

o

144. Effects of sub-Angstrom (pico-scale) structure of surfaces on adhesion, friction, and bulk mechanical properties / Jacob Israelachvili, Nobuo Maeda, Kenneth J Rosenberg [h gp.] // Journal of materials research. 2005. T. 20, № 8. C. 1952-1972.

145. Bloemhof E. E. Absolute surface metrology by differencing spatially shifted maps from a phase-shifting interferometer. // Optics letters. 2010. T. 35(14). C. 2346-2348.

146. High-precision nanoscale length measurement. / D. V. Sheglov, S. S. Kosolobov, L. I. Fedina [h gp.] // Nanotechnologies in Russia. 2013. T. 8(7-8). C. 518-531.

147. Pietsch GJ, Chabal YJ, Higashi GS. The atomic-scale removal mechanism during chemo-mechanical polishing of Si (100) and Si (111) // Surface Science. 1995. T. 331. C. 395-401.

148. Large area smoothing of surfaces by ion bombardment: fundamentals and applications / F Frost, R Fechner, B Ziberi [h gp.] // Journal of Physics: Condensed Matter. 2009. T. 21, № 22. C. 224026.

149. Comparison of Si (111) surfaces prepared using aqueous solutions of NH4F versus HF / GS Higashi, RS Becker, YJ Chabal [h gp.] // Applied physics letters. 1991. T. 58, № 15. C. 1656-1658.

150. Wet treatment for preparing atomically smooth Si (1 0 0) wafer surface / Hiroyuki Sakaue, Yutaka Taniguchi, Yosuke Okamura [h gp.] // Applied surface science. 2004. T. 234, № 1-4. C. 439-444.

151. Krugener Jan, Osten H Jorg, Fissel Andreas. Morphology of mesa surfaces on Si (111) prepared by molecular beam epitaxy at temperatures around the (7x 7)-"1x 1" surface phase transition // Surface Science. 2013. T. 618. C. 27-35.

152. Fissel Andreas, Krugener Jan, Osten H Jorg. Preparation of large stepfree mesas on Si (111) by molecular beam epitaxy // physica status solidi (c). 2012. T. 9, № 10-11. C. 2050-2053.

153. Lee Doohan, Blakely Jack. Formation and stability of large step-free areas on Si (001) and Si (111) // Surface science. 2000. T. 445, № 1. C. 32-40.

154. Homma Yoshikazu, Aizawa Noriyuki, Ogino Toshio. Ultra-large-scale step-free terraces formed at the bottom of craters on vicinal Si (111) surfaces // Japanese Journal of Applied Physics. 1996. T. 35, № 2B. C. L241.

155. Grozea D., Bengu E., Marks L.D. Surface phase diagrams for the Ag-Ge(111) and Au-Si(111) systems // Surface Science. 2000. T. 461, № 1-3. C. 23 - 30.

156. Nucleation and evolution of the Au-induced 5x 2 structure on vicinal Si (111) / JD O'Mahony, JF McGilp, CFJ Flipse [h gp.] // Physical Review B. 1994. T. 49, № 4. C. 2527.

157. REM studies of adsorption-induced phase transitions and faceting in the Si (111)-Au system / Koyu Aoki, Hiroki Minoda, Yasumasa Tanishiro [h gp.] // Surface Review and Letters. 1998. T. 5, № 03n04. C. 653-663.

158. Initial stages of silicon homoepitaxy studied by in situ reflection electron microscopy / A.V. Latyshev, A.L. Aseev, A.B. Krasilnikov [h gp.] // Physica Status Solidi (a). 1989. T. 113, № 2. C. 421-430.

159. Reflection electron microscopy study of structural transformations on a clean silicon surface in sublimation, phase transition and homoepitaxy / A.V. Latyshev, A.L. Aseev, A.B. Krasilnikov [и др.] // Surface Science. 1990. Т. 227, № 1-2. С. 24-34.

160. Киттель Ч. Введение в физику твёрдого тела/Ч. Китель. 1978.

161. Intrinsic point defects in crystalline silicon: Tight-binding molecular dynamics studiesof self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and formation volumes / Meijie Tang, L Colombo, Jing Zhu [и др.] // Physical Review B. 1997. Т. 55, № 21. С. 14279.

162. Antoniadis DA, Moskowitz I. Diffusion of substitutional impurities in silicon at short oxidation times: An insight into point defect kinetics // Journal of Applied Physics. 1982. Т. 53, № 10. С. 6788-6796.

163. Formation and migration energies of a vacancy and an interstitial in a high-purity Si crystal determined by detecting complexes of point defects and hydrogen: Evaluation of activation energies of self-diffusion / Masashi Suezawa, Naoki Fukata, Yoshiaki Iijima [и др.] // Japanese Journal of Applied Physics. 2014. Т. 53, № 9. С. 091302.

164. Contributions of vacancies and self-interstitials to self-diffusion in silicon under thermal equilibrium and nonequilibrium conditions / R. Kube, H. Bracht, E. Huger [и др.] // Physical Review B. 2013. Aug. Т. 88. С. 085206.

165. Y Homma, P Finnie, M Uwaha. Morphological instability of atomic steps observed on Si (111) surfaces // Surface science. 2001. Т. 492, № 1. С. 125-136.

166. Woodruff D. P. How does your crystal grow? A commentary on Burton, Cabrera and Frank (1951)'The growth of crystals and the equilibrium structure of their surfaces' // Philosophical Transactions of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences. 2015. Т. 373, № 2039. С. 20140230.

167. Disordering of Si(111) at high temperatures / H. Hibino, K. Sumitomo, T. Fukuda [и др.] // Physical Review B. 1998. Т. 58. С. 12587.

168. Latyshev A.V., Krasilnikov A.B., Aseev A.L. In situ REM study of monatomic step behaviour on Si (111) surface during sublimation // Ultramicroscopy. 1993. Т. 48, № 4. С. 377-380.

169. Honig Richard E. Sublimation studies of silicon in the mass spectrometer // The Journal of Chemical Physics. 1954. Т. 22, № 9. С. 1610-1611.

170. Komeda Tadahiro, Nishioka Yasushiro. Layer-by-Layer Etching of Si(111) Surface by Oxygen at Elevated Temperature // Japanese Journal of Applied Physics. 1997. Т. 36, № 3S. С. 1582.

171. SiO Desorption Kineticsof Si(111) Surface Oxidation Studied byReal-Time Photoelectron Spectroscopy / J. Tang, K. Nishimoto, Sh. Ogawa [и др.] // E-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 2013. Т. 11. С. 116121.

172. Surface engineering with ion beams: from self-organized nanostructures to ultra-smooth surfaces / F. Frost, B. Ziberi, A. Schindler [и др.] // Applied Physics A. 2008. Т. 91. С. 551-559.

173. Родякина Екатерина Евгеньевна, Косолобов Сергей Сергеевич, Латышев Александр Васильевич. Дрейф адатомов на поверхности кремния (111) в условиях электромиграции // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2011. Т. 94, № 2. С. 151-156.

174. Родякина Е.Е., Косолобов С.С., Латышев А.В. Электромиграция адатомов кремния на поверхности кремния (111) // Вестник Новосибирского государственного университета. Серия: Физика. 2011. Т. 6, № 2. С. 65-76.

175. Si (1 1 1) step fluctuations in reflection electron microscopy at 1100°C: anomalous step-step repulsion / Robert D Schroll, Saul D Cohen, TL Einstein [и др.] // Applied surface science. 2003. Т. 212. С. 219-223.

176. Metois JJ, Stoyanov S. Impact of the growth on the stability-instability transition at Si (111) during step bunching induced by electromigration // Surface science. 1999. T. 440, № 3. C. 407-419.

177. Pandey KC. Reconstruction of semiconductor surfaces: Buckling, ionicity, and n-bonded chains // Physical Review Letters. 1982. T. 49, № 3. C. 223.

178. The effective charge in surface electromigration / Elain S Fu, D-J Liu, MD Johnson [h gp.] // Surface science. 1997. T. 385, № 2-3. C. 259269.

179. Direct-current-induced drift direction of silicon adatoms on Si (111)-(1x 1) surfaces / Masashi Degawa, Hiroki Minoda, Yasumasa Tanishiro [h gp.] // Surface science. 2000. T. 461, № 1-3. C. L528-L536.

180. Metois J-J, Audiffren M. An experimental study of step dynamics under the influence of electromigration: Si (111) // International Journal of Modern Physics B. 1997. T. 11, № 31. C. 3691-3702.

181. Latyshev A.V., Krasilnikov A.B., Aseev A.L. UHV REM study of the antiband structure on the vicinal Si (111) surface under heating by a direct electric current // Surface Science. 1994. T. 311, № 3. C. 395-403.

182. Antiband instability on vicinal Si (111) under the condition of diffusion-limited sublimation / V Usov, S Stoyanov, CO Coileain [h gp.] // Physical Review B. 2012. T. 86, № 19. C. 195317.

183. Scaling properties of step bunches induced by sublimation and related mechanisms / Joachim Krug, Vesselin Tonchev, Stoyan Stoyanov [h gp.] // Physical Review B. 2005. T. 71, № 4. C. 045412.

184. Onset of step antibanding instability due to surface electromigration / Konrad Thurmer, Da-Jiang Liu, Ellen D Williams [h gp.] // Physical Review Letters. 1999. T. 83, № 26. C. 5531.

185. Aseev A.L., Latyshev A.V., Krasilnikov A.B. Direct observation of monoatomic step behaviour in MBE on Si by reflection electron microscopy // Journal of crystal growth. 1991. Т. 115, № 1-4. С. 393397.

186. Altman MS, Chung WF, Franz T. LEEM determination of critical terrace widths for Si/Si (111) step flow growth // Surface Review and Letters. 1998. Т. 5, № 01. С. 27-30.

187. Tu King-Ning. Solder joint technology. Springer, 2007. Т. 117.

188. Tu King-Ning. Recent advances on electromigration in very-large-scale-integration of interconnects // Journal of applied physics. 2003. Т. 94, № 9. С. 5451-5473.

189. Ceric Hajdin, Selberherr Siegfried. Electromigration in submicron interconnect features of integrated circuits // Materials Science and Engineering: R: Reports. 2011. Т. 71, № 5-6. С. 53-86.

190. Stoyanov Stoyan Stoyanov Stoyan. Electromigration induced step bunching on Si surfaces-how does it depend on the temperature and heating current direction? // Japanese journal of applied physics. 1991. Т. 30, № 1R. С. 1.

191. Homma Yoshikazu, Hibino Hiroki [и др.]. DC-resistive-heating-induced step bunching on vicinal Si (111) // Japanese journal of applied physics. 1990. Т. 29, № 12A. С. L2254.

192. Measurement of the anisotropy ratio during current-induced step bunching / Ellen D Williams, Elain Fu, Y-N Yang [и др.] // Surface Science. 1995. Т. 336, № 1-2. С. L746-L752.

193. Black James R. Electromigration—A brief survey and some recent results // IEEE transactions on Electron devices. 1969. Т. 16, № 4. С. 338-347.

194. Болтакс Борис Иосифович. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. "Наука"Ленингр. отд-ние, 1972.

195. Adatom effective charge in morphology evolution on Si (111) surface / A.V. Latyshev, H. Minoda, Y. Tanishiro [и др.] // Applied surface science. 1998. Т. 130. С. 60-66.

196. Step bunching with both directions of the current: Vicinal W (110) surfaces versus atomistic-scale model / Olzat Toktarbaiuly, Victor Usov, Cormac O Coileain [и др.] // Physical Review B. 2018. Т. 97, № 3. С. 035436.

197. Revealing electromigration on dielectrics and metals through the step-bunching instability / Victor Usov, Cormac O Coileain, Alexander N Chaika [и др.] // Physical Review B. 2020. Т. 102, № 3. С. 035407.

198. Critical field behavior and antiband instability under controlled surface electromigration on Si (111) / CO Coileain, V Usov, IV Shvets [и др.] // Physical Review B. 2011. Т. 84, № 7. С. 075318.

199. Usov V, Coileain CO, Shvets IV. Experimental quantitative study into the effects of electromigration field moderation on step bunching instability development on Si (111) // Physical Review B. 2011. Т. 83, № 15. С. 155321.

200. Fujita Ken, Ichikawa Masakazu, Stoyanov Stoyan S. Size-scaling exponents of current-induced step bunching on silicon surfaces // Physical Review B. 1999. Т. 60, № 23. С. 16006.

201. Stoyanov S, Tonchev V. Properties and dynamic interaction of step density waves at a crystal surface during electromigration affected sublimation // Physical Review B. 1998. Т. 58, № 3. С. 1590.

202. Stoyanov S. New type of step bunching instability at vicinal surfaces in crystal evaporation affected by electromigration // Surface science. 1998. Т. 416, № 1-2. С. 200-213.

203. Kandel Daniel, Kaxiras Efthimios. Microscopic theory of electromigration on semiconductor surfaces // Physical Review Letters. 1996. T. 76, № 7. C. 1114.

204. Arthur John R. Molecular beam epitaxy // Surface science. 2002. T. 500, № 1-3. C. 189-217.

205. Voigtlander Bert, Kastner Martin, Smilauer Pavel. Magic islands in Si/Si (111) homoepitaxy // Physical Review Letters. 1998. T. 81, № 4. C. 858.

206. Hamers RJ, Köhler UK, Demuth JE. Nucleation and growth of epitaxial silicon on Si (001) and Si (111) surfaces by scanning tunneling microscopy // Ultramicroscopy. 1989. T. 31, № 1. C. 10-19.

207. Voigtlander Bert. Fundamental processes in Si/Si and Ge/Si epitaxy studied by scanning tunneling microscopy during growth // Surface Science Reports. 2001. T. 43, № 5-8. C. 127-254.

208. Step wandering induced by homoepitaxy on Si (111) during "1x 1"-7x 7 phase transition / H Hibino, Y Homma, M Uwaha [h gp.j // Surface Science. 2003. T. 527, № 1-3. C. L222-L228.

209. Horn-von Hoegen Michael, Pietsch Holger. Homoepitaxy of Si (111) is surface defect mediated // Surface Science. 1994. T. 321, № 1-2. C. L129-L136.

210. Horn M, Henzler M. LEED studies of Si molecular beam epitaxy onto Si (111) // Journal of Crystal Growth. 1987. T. 81, № 1-4. C. 428-433.

211. Fukaya Y, Shigeta Y, Maki K. Dynamic change in the surface and layer structures during epitaxial growth of Si on a Si (111)- 7x 7 surface // Physical Review B. 2000. T. 61, № 19. C. 13000.

212. Zinke-Allmang Martin, Feldman Leonard C, Grabow Marcia H. Clustering on surfaces // Surface Science Reports. 1992. T. 16, № 8. C. 377-463.

213. Latyshev AV, Krasilnikov AB, Aseev AL. Self-diffusion on Si (111) surfaces // Physical Review B. 1996. T. 54, № 4. C. 2586.

214. Latyshev A.V., Krasilnikov A.B., Aseev A.L. Direct REM observation of structural processes on clean silicon surfaces during sublimation, phase transition and epitaxy // Applied surface science. 1992. Т. 60. С. 397404.

215. A growth method for creating arrays of atomically flat mesas on silicon / Doohan Lee, Jack M Blakely, Todd W Schroeder [и др.] // Applied Physics Letters. 2001. Т. 78, № 10. С. 1349-1351.

216. Ситников СВ, Косолобов СС, Латышев АВ. Зарождение двумерных островков на Si (111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте // Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51, № 2. С. 212-215.

217. Ranguelov Bogdan, Altman Michael Scott, Markov Ivan. Critical terrace width for step flow growth: Effect of attachment-detachment asymmetry and step permeability // Physical Review B. 2007. Т. 75, № 24. С. 245419.

218. Ostwald Wilhelm. Über die vermeintliche Isomerie des roten und gelben Quecksilberoxyds und die Oberflachenspannung fester Körper // Zeitschrift fur physikalische Chemie. 1900. Т. 34, № 1. С. 495-503.

219. Лифшиц ИМ, Слезов ВВ. К теории коалесценции твердых растворов // ФТТ. 1959. Т. 1, № 9. С. 1401.

220. Wagner Carl. Theorie der alterung von niederschlagen durch umlosen (Ostwald-reifung) // Zeitschrift fur Elektrochemie, Berichte der Bunsengesellschaft für physikalische Chemie. 1961. Т. 65, № 7-8. С. 581591.

221. Gibbons BJ, Schaepe S, Pelz JP. Evidence for diffusion-limited kinetics during electromigration-induced step bunching on Si (1 1 1) // Surface science. 2006. Т. 600, № 12. С. 2417-2424.

222. Bracht Hartmut. Self-and Dopant Diffusion in Silicon, Germanium, and Their Alloys // Silicon, Germanium, and Their Alloys: Growth, Defects, Impurities, and Nanocrystals / под ред. Sergio Pizzini Gudrun Kissinger. CRC Press, 2014. С. 159-216.

223. Extended Point Defects in Crystalline Materials: Ge and Si / N. E. B. Cowern, S. Simdyankin, C. Ahn [h gp.] // Physical Review Letters. 2013. Apr. T. 110. C. 155501.

224. Sudkamp Tobias, Bracht Hartmut. Self-diffusion in crystalline silicon: A single diffusion activation enthalpy down to 755C // Physical Review B. 2016. Sep. T. 94. C. 125208.

225. Bracht Hartmut. Diffusion Mechanisms and Intrinsic Point-Defect Properties in Silicon // MRS Bulletin. New York, USA, 2000. 006. T. 25, № 6. C. 22-27.

226. Direct Observation of Dopant Atom Diffusion in a Bulk Semiconductor Crystal Enhanced by a Large Size Mismatch / Ryo Ishikawa, Rohan Mishra, Andrew R. Lupini [h gp.] // Physical Review Letters. 2014. Oct. T. 113. C. 155501.

227. Holmberg Vincent C., Collier Katharine A., Korgel Brian A. Real-Time Observation of Impurity Diffusion in Silicon Nanowires // Nano Letters. 2011. T. 11, № 9. C. 3803-3808. PMID: 21786784.

228. Strain- and Defect-Mediated Thermal Conductivity in Silicon Nanowires / Kathryn F. Murphy, Brian Piccione, Mehdi B. Zanjani [h gp.] // Nano Letters. 2014. T. 14, № 7. C. 3785-3792. PMID: 24885097.

229. The influence of the surface migration of gold on the growth of silicon nanowires / JB Hannon, S Kodambaka, FM Ross [h gp.] // Nature. 2006. T. 440, № 7080. C. 69-71.

230. Atomic gold-enabled three-dimensional lithography for silicon mesostructures / Zhiqiang Luo, Yuanwen Jiang, Benjamin D. Myers [h gp.] // Science. 2015. T. 348, № 6242. C. 1451-1455.

231. Plass Richard, Marks Laurence D. Submonolayer Au on Si (111) phase diagram // Surface science. 1997. T. 380, № 2-3. C. 497-506.

232. Macroscopic one-dimensional faceting of Si (100) upon Au adsorption / M Horn-von Hoegen, H Minoda, K Yagi [h gp.] // Surface science. 1998. T. 402. C. 464-469.

233. Au-induced giant faceting of vicinal Si (001) / M Horn-von Hoegen, F-J Meyer zu Heringdorf, R Hild [h gp.] // Surface science. 1999. T. 433. C. 475-480.

234. Gold-induced facetting of Si (111) / L Seehofer, S Huhs, G Falkenberg [h gp.] // Surface Science. 1995. T. 329, № 3. C. 157-166.

235. Kinetics of Au induced faceting of vicinal Si (111) / R Hild, C Seifert, M Kammler [h gp.] // Surface science. 2002. T. 512, № 1-2. C. 117127.

236. Krasilnikov A.B., Latyshev A.V., Aseev A.L. Transformation of a Si (111) stepped surface during the formation of a Si (3x 1) Ca superstructure // Surface Science. 1993. T. 290, № 3. C. 232-238.

237. Monoatomic step clustering during superstructural transitions on Si (111) surface / A.B. Krasilnikov, A.V. Latyshev, A.L. Seev [h gp.] // Journal of Crystal Growth. 1992. T. 116, № 1-2. C. 178-184.

238. In situ reflection electron microscopy study of Cu-induced step bunching on Si (111) vicinal surfaces / H Minoda, Y Takahashi, Y Tanishiro [h gp.] // Surface science. 1999. T. 438, № 1-3. C. 68-75.

239. Minoda Hiroki, Yagi Katsumichi. Dynamics of Au-adsorption-induced step bunching on a Si (001) vicinal surface studied by reflection electron microscopy // Physical Review B. 1999. T. 60, № 4. C. 2715.

240. Scanning tunneling microscopy studies of structural disorder and steps on Si surfaces / B_S Swartzentruber, Y-W Mo, MB Webb [h gp.] // Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 1989. T. 7, № 4. C. 2901-2905.

241. Minoda Hiroki. Periodic step density wave on Si (111) vicinal surfaces studied by reflection electron microscopy // Physical Review B. 2001. T. 64, № 23. C. 233305.

242. Cu induced step bunching on a Si (111) vicinal surface studied by reflection electron microscopy / Y Takahashi, H Minoda, Y Tanishiro [h gp.] // Surface science. 1999. T. 433. C. 512-516.

243. Ranguelov Bogdan, Stoyanov Stoyan. Instabilities at vicinal crystal surfaces: competition between electromigration of adatoms and kinetic memory effect // Physical Review B. 2008. T. 77, № 20. C. 205406.

244. Sato Masahide, Uwaha Makio. Growth of step bunches formed by the drift of adatoms // Surface science. 1999. T. 442, № 2. C. 318-328.

245. Natori Akiko. Step structure transformation induced by DC on vicinal Si (111) // Japanese Journal of Applied Physics. 1994. T. 33, № 6R. C. 3538.

246. Kandel Daniel, Weeks John D. Step motion, patterns, and kinetic instabilities on crystal surfaces // Physical Review Letters. 1994. T. 72, № 11. C. 1678.

247. Electromigration and gold-induced step bunching on the Si (111) surface / A.V. Latyshev, H. Minoda, Y. Tanishiro [h gp.] // Surface science. 1998. T. 401, № 1. C. 22-33.

248. Minoda Hiroki. Study of step instability on Si surfaces // Thin solid films. 2003. T. 424, № 1. C. 40-44.

249. Alfonso C, Heyraud JC, Metois JJ. About the sublimation of Si surfaces vicinal of {111} // Surface Science Letters. 1993. T. 291, № 1-2. C. L745-L749.

250. Sato Masahide, Uwaha Makio, Saito Yukio. Instabilities of steps induced by the drift of adatoms and effect of the step permeability // Physical Review B. 2000. T. 62, № 12. C. 8452.

251. Novel transition mechanism of surface electromigration induced step structure on vicinal Si (111) surfaces / Nobuo Suga, Junya Kimpara, Nan-Jian Wu [и др.] // Japanese Journal of Applied Physics. 2000. Т. 39, № 7S. С. 4412.

252. Diffusion of gold in dislocation-free or highly dislocated silicon measured by the spreading-resistance technique / NA Stolwijk, J Holzl, W Frank [и др.] // Applied Physics A. 1986. Т. 39, № 1. С. 37-48.

253. Sitnikov S.V., Latyshev A.V., Kosolobov S.S. Advacancy-mediated atomic steps kinetics and two-dimensional negative island nucleation on ultra-flat Si (111) surface // Journal of Crystal Growth. 2017. Т. 457. С. 196-201.

254. Дубровский ВГ, Цырлин ГЭ. Кинетика роста тонких пленок при зародышевом механизме формирования слоев // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39, № 11. С. 1312-1319.

255. Instability of the distribution of atomic steps on Si (111) upon submonolayer gold adsorption at high temperatures / S.S. Kosolobov, S.A. Song, L.I. Fedina [и др.] // Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters. 2005. Т. 81, № 3. С. 117-121.

256. Dubrovskii Vladimir G. Nucleation theory and growth of nanostructures. Springer, 2014.

257. Yagi Katsumichi. Reflection electron microscopy: studies of surface structures and surface dynamic processes // Surface Science Reports. 1993. Т. 17, № 6. С. 307-362.

258. Frank F. C., Turnbull D. Mechanism of Diffusion of Copper in Germanium // Phys. Rev. 1956. Nov. Т. 104. С. 617-618.

259. G.D.Watkins // Radiation Damage in Semiconductors / под ред. P. Baruch. Dunod, Paris, 1965. С. 97.

260. Van Vechten J. A., Schmid U., Zhang Q.-S. Surface treatment effects on atomic diffusion in Si explained without self interstitials // Journal of Electronic Materials. 1991. Т. 20, № 6. С. 431-439.

261. Gosele U, Frank W, Seeger A. Mechanism and kinetics of the diffusion of gold in silicon // Applied physics. 1980. T. 23, № 4. C. 361-368.

262. Comment on "Gold, self-, and dopant diffusion in silicon" / T. K. Monson, J. A. Van Vechten, Zhang Q. S. [h gp.] // Physical Review B. 1994. Jan. T. 49. C. 2972-2976.

263. Mathiot Daniel. Gold, self-, and dopant diffusion in silicon // Physical Review B. 1992. Jun. T. 45. C. 13345-13355.

264. Control of gold concentration profiles in silicon by ion implantation / S Coffa, L Calcagno, SU Campisano [h gp.] // Journal of applied physics. 1991. T. 69, № 3. C. 1350-1354.

265. Lerch W, Stolwijk NA. Diffusion of gold in silicon during rapid thermal annealing: Effectiveness of the surface as a sink for self-interstitials // Journal of applied physics. 1998. T. 83, № 3. C. 1312-1320.

266. U-and W-shaped diffusion profiles of gold in silicon / J Hauber, NA Stolwijk, L Tapfer [h gp.] // Journal of Physics C: Solid State Physics. 1986. T. 19, № 29. C. 5817.

267. Le Lay G, Manneville M, Kern R. Isothermal desorption spectroscopy for the study of two-dimensional condensed phases: Investigation of the Au (deposit)/Si (111)(substrate) system; application to the Xe/(0001) graphite system // Surface Science. 1977. T. 65, № 1. C. 261-276.

268. Bales GS, Zangwill A. Morphological instability of a terrace edge during step-flow growth // Physical Review B. 1990. T. 41, № 9. C. 5500.

269. Yeager Hal R, Dutton Robert W. An approach to solving multiparticle diffusion exhibiting nonlinear stiff coupling // IEEE Transactions on Electron Devices. 1985. T. 32, № 10. C. 1964-1976.

270. Bartelt NC, Theis W, Tromp RM. Ostwald ripening of two-dimensional islands on Si (001) // Physical Review B. 1996. T. 54, № 16. C. 11741.

271. Stoyanov S, Michailov M. Non-steady state effects in MBE: Oscillations of the step density at the crystal surface // Surface science. 1988. T. 202, № 1-2. C. 109-124.

272. First-principles evaluation of penetration energy of metal atom into Si substrate / Tomoki Hiramatsu, Takashi Yamauchi, Moon Young Yang [h gp.] // Japanese Journal of Applied Physics. 2014. T. 53, № 5. C. 058006.

273. Scanning tunneling microscopy investigation at high temperatures of islands and holes on Si (1 1 1) 7x 7 in real time: evidence for diffusion-limited decay / S Hildebrandt, A Kraus, R Kulla [h gp.] // Surface science. 2001. T. 486, № 1-2. C. 24-32.

274. Decay of silicon mounds: Scaling laws and description with continuum step parameters / A Ichimiya, K Hayashi, ED Williams [h gp.] // Physical Review Letters. 2000. T. 84, № 16. C. 3662.

275. Critical terrace width for two-dimensional nucleation during Si growth on Si (111)-(7x 7) surface / D.I. Rogilo, L.I. Fedina, S.S. Kosolobov [h gp.] // Physical Review Letters. 2013. T. 111, № 3. C. 036105.

276. Step permeability and the relaxation of biperiodic gratings on Si (001) / S Tanaka, NC Bartelt, CC Umbach [h gp.] // Physical Review Letters. 1997. T. 78, № 17. C. 3342.

277. Decay of isolated surface features driven by the Gibbs-Thomson effect in an analytic model and a simulation / James G. McLean, B. Krishnamachari, D. R. Peale [h gp.] // Physical Review B. 1997. Jan. T. 55. C. 1811-1823.

278. Stoyanov Stoyan. Current-induced step bunching at vicinal surfaces during crystal sublimation // Surface science. 1997. T. 370, № 2-3. C. 345-354.

279. Sitnikov S.V., Kosolobov S.S., Latyshev A.V. Nucleation of two-dimensional islands on Si (111) during high-temperature epitaxial growth // Semiconductors. 2017. T. 51, № 2. C. 203-206.

280. Kandel Daniel. Initial stages of thin film growth in the presence of island-edge barriers // Physical Review Letters. 1997. Т. 78, № 3. С. 499.

281. 2D Si island nucleation on the Si (111) surface at initial and late growth stages: On the role of step permeability in pyramidlike growth / D.I. Rogilo, L.I. Fedina, S.S. Kosolobov [и др.] // Journal of Crystal Growth. 2017. Т. 457. С. 188-195.

282. On the role of mobile nanoclusters in 2D island nucleation on Si (111)-(7x 7) surface / D.I. Rogilo, L.I. Fedina, S.S. Kosolobov [и др.] // Surface Science. 2018. Т. 667. С. 1-7.

283. Surfactants in epitaxial growth / M. Copel, M.C. Reuter, E. Kaxiras [и др.] // Physical Review Letters. 1989. Т. 63, № 6. С. 632.

284. Sato Masahide. Effect of step permeability on step instabilities due to alternation of kinetic coefficients on a growing vicinal face // The European Physical Journal B. 2007. Т. 59, № 3. С. 311-318.

285. J.Frenkel. Über die Warmebewegung im festen und Aussigen Körpern // Zeitschrift fur Physik. 1926. Т. 35. С. 652-669.

286. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкости. Наука, Ленинградское отделение, Л., 1975.

287. Boltaks B. Diffuzia i tochechnie defekty v poluprovodnikah. Leningrad, Nauka, 1972.

288. Mehrer Helmut. Diffusion in Solids: Fundamentals, Methods, Materials, Diffusion-Controlled Processes (Springer Series in Solid-State Sciences). 2007.

289. Chernov Alexander A. Modern crystallography III: crystal growth. Springer Science & Business Media, 2012. Т. 36.

290. Schottky Walter. Über den Mechanismus der Ionenbewegung in festen Elektrolyten // Zeitschrift fur Physikalische Chemie. 1935. Т. 29, № 1. С. 335-355.

291. Role of subsurface diffusion and Ostwald ripening in catalyst formation for single-walled carbon nanotube forest growth / Shunsuke Sakurai, Hidekazu Nishino, Don N Futaba [h gp.] // Journal of the American Chemical Society. 2012. T. 134, № 4. C. 2148-2153.

292. Evolution in catalyst morphology leads to carbon nanotube growth termination / Seung Min Kim, Cary L Pint, Placidus B Amama [h gp.] // The Journal of Physical Chemistry Letters. 2010. T. 1, № 6. C. 918-922.

293. Voorhees Peter W. The theory of Ostwald ripening // Journal of Statistical Physics. 1985. T. 38, № 1. C. 231-252.

294. Diffusion of Ge below the Si (100) surface: Theory and experiment / Blas P Uberuaga, Michael Leskovar, Arthur P Smith [h gp.] // Physical Review Letters. 2000. T. 84, № 11. C. 2441.

295. Investigations by SIMS of the bulk impurity diffusion of Ge in Si / P Dorner, W Gust, B Predel [h gp.] // Philosophical Magazine A. 1984. T. 49, № 4. C. 557-571.

296. Hettich G, Mehrer H, Maier K. Defects and Radiation Effects in Semiconductors, 1978 // Inst. Phys. Conf. Ser. T. 46. 1979. C. 500.

297. Zhu Xiao Yan, Lee Young Hee. Defect-induced Si/Ge intermixing on the Ge/Si (100) surface // Physical Review B. 1999. T. 59, № 15. C. 9764.

298. Mechanisms for catalytic carbon nanofiber growth studied by ab initio density functional theory calculations / Frank Abild-Pedersen, Jens K Norskov, Jens R Rostrup-Nielsen [h gp.] // Physical Review B. 2006. T. 73, № 11. C. 115419.

299. Alstrup I. A new model explaining carbon filament growth on nickel, iron, and Ni-Cu alloy catalysts // Journal of Catalysis. 1988. T. 109, № 2. C. 241-251.

300. Snoeck J-W, Froment GF, Fowles M. Filamentous carbon formation and gasification: thermodynamics, driving force, nucleation, and steady-state growth // Journal of Catalysis. 1997. T. 169, № 1. C. 240-249.

301. Johnson Donald F, Carter Emily A. Hydrogen in tungsten: Absorption, diffusion, vacancy trapping, and decohesion // Journal of Materials Research. 2010. T. 25, № 2. C. 315-327.

302. Li Wei-Xue, Stampfl Catherine, Scheffler Matthias. Subsurface oxygen and surface oxide formation at Ag (111): A density-functional theory investigation // Physical Review B. 2003. T. 67, № 4. C. 045408.

303. Structure and stability of a high-coverage (1x1) oxygen phase on Ru (0001) / Catherine Stampfl, S Schwegmann, Herbert Over [h gp.] // Physical Review Letters. 1996. T. 77, № 16. C. 3371.

304. Challenges in predictive calculations of processes at surfaces:. surface thermodynamics and catalytic reactions / Catherine Stampfl, HJ Kreuzer, SH Payne [h gp.] // Applied Physics A. 1999. T. 69, № 5. C. 471-480.

305. Ganduglia-Pirovano M Veronica, Reuter Karsten, Scheffler Matthias. Stability of subsurface oxygen at Rh (111) // Physical Review B. 2002. T. 65, № 24. C. 245426.

306. Lozovoi Alexander Y, Alavi Ali, Finnis Michael W. Surface stoichiometry and the initial oxidation of NiAl (110) // Physical Review Letters. 2000. T. 85, № 3. C. 610.

307. Neyman Konstantin M, Schauermann Swetlana. Hydrogen diffusion into palladium nanoparticles: pivotal promotion by carbon // Angewandte Chemie International Edition. 2010. T. 49, № 28. C. 4743-4746.

308. Jung Sung Chul, Han Young-Kyu. Facet-dependent lithium intercalation into Si crystals: Si (100) vs. Si (111) // Physical Chemistry Chemical Physics. 2011. T. 13, № 48. C. 21282-21287.

309. Kosolobov Sergey. Subsurface diffusion in crystals and effect of surface permeability on the atomic step motion. // Scientific Reports. 2019.

310. Hu SM. Nonequilibrium point defects and diffusion in silicon // Materials Science and Engineering: R: Reports. 1994. T. 13, № 3. C. 105-192.

311. Seeger A, Chik K.P. Diffusion mechanisms and point defects in silicon and germanium // Physica Status Solidi (b). 1968. T. 29, № 2. C. 455-542.

312. Hu SM. Formation of stacking faults and enhanced diffusion in the oxidation of silicon // Journal of Applied Physics. 1974. T. 45, № 4. C. 1567-1573.

313. Wills G.N. The orientation dependent diffusion of boron in silicon under oxidizing conditions // Solid-State Electronics. 1969. T. 12, № 2. C. 133 - 134.

314. Bean Kenneth E, Gleim Paul S. The influence of crystal orientation on silicon semiconductor processing // Proceedings of the IEEE. 1969. T. 57, № 9. C. 1469-1476.

315. Watkins GD, Corbett JW. Defects in irradiated silicon: Electron paramagnetic resonance and electron-nuclear double resonance of the Si-E center // Physical Review. 1964. T. 134, № 5A. C. A1359.

316. Seeger A. Investigation of point defects in silicon and germanium by nonirradiation techniques // Radiation Effects. 1971. T. 9, № 1-2. C. 15-24.

317. Watkins GD, Troxell JR, Chatterjee AP. Vacancies and interstitials in silicon // Defects and radiation effects in semiconductors, 1978. 1979.

318. Sugino Osamu, Oshiyama Atsushi. Microscopic mechanism of atomic diffusion in Si under pressure // Physical Review B. 1992. T. 46, № 19. C. 12335.

319. First-principles calculations of self-diffusion constants in silicon / Peter E Blochl, Enrico Smargiassi, Roberto Car [h gp.] // Physical Review Letters. 1993. T. 70, № 16. C. 2435.

320. Seong Hyangsuk, Lewis Laurent J. First-principles study of the structure and energetics of neutral divacancies in silicon // Physical Review B. 1996. T. 53, № 15. C. 9791.

321. Convergence of supercell calculations for point defects in semiconductors: Vacancy in silicon / Martti J Puska, S Poykko, M Pesola [h gp.] // Physical review B. 1998. T. 58, № 3. C. 1318.

322. Antonelli A, Kaxiras Efthimios, Chadi DJ. Vacancy in silicon revisited: Structure and pressure effects // Physical Review Letters. 1998. T. 81, № 10. C. 2088.

323. Xie Jianjun, Chen SP. Diffusion and clustering in heavily arsenic-doped silicon: discrepancies and explanation // Physical Review Letters. 1999. T. 83, № 9. C. 1795.

324. Kumeda Yuko, Wales David J, Munro Lindsey J. Transition states and rearrangement mechanisms from hybrid eigenvector-following and density functional theory.: application to C10H10 and defect migration in crystalline silicon // Chemical physics letters. 2001. T. 341, № 1-2. C. 185-194.

325. Goedecker Stefan, Deutsch Thierry, Billard Luc. A fourfold coordinated point defect in silicon // Physical Review Letters. 2002. T. 88, № 23. C. 235501.

326. Radiation Enhanced Silicon Self-Diffusion and the Silicon Vacancy at High Temperatures / H. Bracht, J. Fage Pedersen, N. Zangenberg [h gp.] // Physical Review Letters. 2003. Dec. T. 91. C. 245502.

327. Probert MIJ, Payne MC. Improving the convergence of defect calculations in supercells: An ab initio study of the neutral silicon vacancy // Physical Review B. 2003. T. 67, № 7. C. 075204.

328. Lento Juha, Nieminen Risto M. Non-local screened-exchange calculations for defects in semiconductors: vacancy in silicon // Journal of Physics: Condensed Matter. 2003. T. 15, № 25. C. 4387.

329. The effect of impurities on the grown-in defects in Cz-Si crystals,(B, C, N, O, Sb, As, P) / Kozo Nakamura, Ryota Suewaka, Toshiaki Saishoji

[h gp.] // Proceedings of the Forum on the Science and Technology of Silicon Materials. 2003. C. 161.

330. Mueller D Christoph, Alonso Eduardo, Fichtner Wolfgang. Arsenic deactivation in Si: Electronic structure and charge states of vacancy-impurity clusters // Physical Review B. 2003. T. 68, № 4. C. 045208.

331. First-principles study of phosphorus diffusion in silicon: Interstitial-and vacancy-mediated diffusion mechanisms / Xiang-Yang Liu, Wolfgang Windl, Keith M Beardmore [h gp.] // Applied physics letters.

2003. T. 82, № 12. C. 1839-1841.

332. Ranki V, Saarinen K. Formation of thermal vacancies in highly As and P doped Si // Physical Review Letters. 2004. T. 93, № 25. C. 255502.

333. El-Mellouhi Fedwa, Mousseau Normand, Ordejon Pablo. Sampling the diffusion paths of a neutral vacancy in silicon with quantum mechanical calculations // Physical Review B. 2004. T. 70, № 20. C. 205202.

334. Lopez Giorgia M, Fiorentini Vincenzo. Structure, energetics, and extrinsic levels of small self-interstitial clusters in silicon // Physical Review B.

2004. T. 69, № 15. C. 155206.

335. Calculations of effect of anisotropic stress/strain on dopant diffusion in silicon under equilibrium and nonequilibrium conditions / Scott T Dunham, Milan Diebel, Chihak Ahn [h gp.] // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena. 2006. T. 24, № 1. C. 456461.

336. Lerner L, Stolwijk NA. Vacancy concentrations in silicon determined by the indiffusion of iridium // Applied Physics Letters. 2005. T. 86, № 1. C. 011901.

337. First-principles calculation of intrinsic defect formation volumes in silicon / Scott A Centoni, Babak Sadigh, George H Gilmer [h gp.] // Physical Review B. 2005. T. 72, № 19. C. 195206.

338. Voronkov VV, Falster R. Properties of vacancies and self-interstitials in silicon deduced from crystal growth, wafer processing, self-diffusion and metal diffusion // Materials Science and Engineering: B. 2006. T. 134, № 2-3. C. 227-232.

339. Sinno Talid. A bottom-up multiscale view of point-defect aggregation in silicon // Journal of crystal growth. 2007. T. 303, № 1. C. 5-11.

340. Watkins George D. The vacancy in silicon: Identical diffusion properties at cryogenic and elevated temperatures // Journal of Applied Physics. 2008. T. 103. C. 106106.

341. Kulkarni Milind S. Lateral incorporation of vacancies in Czochralski silicon crystals // Journal of crystal growth. 2008. T. 310, № 13. C. 3183-3191.

342. Shimizu Yasuo, Uematsu Masashi, Itoh Kohei M. Experimental Evidence of the Vacancy-Mediated Silicon Self-Diffusion in Single-Crystalline Silicon // Physical Review Letters. 2007. Mar. T. 98. C. 095901.

343. Determination of physical properties for point defects during Cz silicon crystal growth by high-precision thermal simulations / Manabu Nishimoto, Kozo Nakamura, Masataka Hourai [n gp.] // Journal of the Japan Institute of Metals. 2011. T. 75, № 12. C. 657-664.

344. Corsetti Fabiano, Mostofi Arash A. System-size convergence of point defect properties: The case of the silicon vacancy // Physical Review B. 2011. T. 84, № 3. C. 035209.

345. Voronkov Vladimir V. Trap-Limited Vacancy Diffusion in Silicon at High Temperatures // physica status solidi (a). 2019. T. 216, № 20. C. 1900130.

346. Parr Robert G. Density functional theory of atoms and molecules // Horizons of Quantum Chemistry. Springer, 1980. C. 5-15.

347. Vanhellemont Jan, Simoen E. Brother silicon, sister germanium // journal of the electrochemical society. 2007. T. 154, № 7. C. H572-H583.

348. Nakamura K, Saishoji T, Tomioka J. Semiconductor Silicon 2002 // The Electrochemical Society Proceedings Series, edited by HR Huffetal (Pennington, NJ, 2002). 2002. C. 554.

349. Wright A.F., Modine N.A. Comparison of two methods for circumventing the Coulomb divergence in supercell calculations for charged point defects // Physical Review B. 2006. T. 74, № 23. C. 235209.

350. Puchala B. Modeling defect mediated dopant diffusion in silicon. Ph.D. thesis: The University of Michigan. 2009.

351. Carvalho Alexandra, Jones Robert. Self-Interstitials in Silicon and Germanium // Silicon, Germanium, and Their Alloys / nog peg. Gudrun Kissinger, Sergio Pizzini. CRC Press, 2014. C. 87-118.

352. Ab initio pseudopotential calculations of B diffusion and pairing in Si / Jing Zhu, Tomas Diaz Dela Rubia, LH Yang [h gp.] // Physical Review

B. 1996. T. 54, № 7. C. 4741.

353. Calculations of silicon self-interstitial defects / W-K Leung, RJ Needs, G Rajagopal [h gp.] // Physical Review Letters. 1999. T. 83, № 12.

C. 2351.

354. Theoretical study of B diffusion with charged defects in strained Si / L Lin, T Kirichenko, BR Sahu [h gp.] // Physical Review B. 2005. T. 72, № 20. C. 205206.

355. Nakamura Kozo, Suewaka Ryota, Ko Bonggyun. Experimental study of the impact of stress on the point defect incorporation during silicon growth // ECS Solid State Letters. 2014. T. 3, № 3. C. N5-N7.

356. Kamiyama Eiji, Sueoka Koji, Vanhellemont Jan. Formation energy of intrinsic point defects in Si and Ge and implications for Ge crystal growth // ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2013. T. 2, № 3. C. P104-P109.

357. Kamiyama Eiji, Sueoka Koji, Vanhellemont Jan. Surface-induced charge at a Ge (100) dimer surface and its interaction with vacancies and self-interstitials // Journal of Applied Physics. 2013. T. 113, № 9. C. 093503.

358. Kamiyama Eiji, Sueoka Koji, Vanhellemont Jan. Ab initio analysis of a vacancy and a self-interstitial near single crystal silicon surfaces: Implications for intrinsic point defect incorporation during crystal growth from a melt // Physica Status Solidi (a). 2012. T. 209, № 10. C. 18801883.

359. Bracht Hartmut. Diffusion and defect reactions in isotopically controlled semiconductors // Diffusion Fundamentals. 2008. T. 8. C. 1-1.

360. Posselt M., Gao F., Zwicker D. Atomistic study of the migration of di-and tri-interstitials in silicon // Physical Review B. 2005. Jun. T. 71. C. 245202.

361. Posselt M., Gao F., Bracht H. Correlation between self-diffusion in Si and the migration mechanisms of vacancies and self-interstitials: An atomistic study // Physical Review B. 2008. Jul. T. 78. C. 035208.

362. Bracht H., Stolwijk N. A., Mehrer H. Properties of intrinsic point defects in silicon determined by zinc diffusion experiments under nonequilibrium conditions // Physical Review B. 1995. Dec. T. 52. C. 16542-16560.

363. Adatom kinetics on and below the surface: The existence of a new diffusion channel / Jorg Neugebauer, Tosja K Zywietz, Matthias Scheffler [h gp.] // Physical Review Letters. 2003. T. 90, № 5. C. 056101.

364. Christmann Klaus. Interaction of hydrogen with solid surfaces // Surface Science Reports. 1988. T. 9, № 1-3. C. 1-163.

365. Herrmann Cari F, Boland John J. Vacancy dynamics and reorganization on bromine-etched si (100)-(2x 1) surfaces // Physical Review Letters. 2001. T. 87, № 11. C. 115503.

366. Winters Harold F, Coburn Jack W. Surface science aspects of etching reactions // Surface Science Reports. 1992. T. 14, № 4-6. C. 162-269.

367. Kinetics of divacancy annealing and divacancy-oxygen formation in oxygen-enriched high-purity silicon / M. Mikelsen, E. V. Monakhov, G. Alfieri [и др.] // Physical Review B. 2005. Nov. Т. 72. С. 195207.

368. Kissinger Gudrun, Dabrowski Jarek, Kot Dawid. Simulation of vacancy agglomeration based on ab initio calculations and comparison with experimental results // Japanese Journal of Applied Physics. 2014. apr. Т. 53, № 5S1. С. 05FJ06.

369. Чернов АА. Слоисто-спиральный рост кристаллов // Успехи Физических Наук. 1961. Т. 73, № 2. С. 277-331.