Темы диссертаций и авторефератов по специальности ВАК РФ 01.04.10 Физика полупроводников

Тема диссертации	Автор	Год
Низкочастотный шум в светодиодах на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур	Шабунина, Евгения Игоревна	2011
Получение и исследование оптических свойств нитевидных полупроводниковых оксидов SnO2 и In2O3	Номери Мохамед Абасс Хадия	2011
Получение и исследование электрофизических свойств объемных и пленочных материалов в тройной системе Co-Ge-Te	Иман Абдель-Монем Эль-Сайед Махди	2011
Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге: расслоение на стадии Оствальдовского созревания	Феклистов, Константин Викторович	2011
Разработка физических основ исследования моноатомного слоя поверхности полупроводников ионами низких и гипертермальных энергий	Саблин, Виктор Александрович	2011
Разработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и ВТСП соединений	Мамутин, Владимир Васильевич	2011
Свойства осаждённых из лазерной плазмы разбавленных магнитных полупроводников на основе GaSb, Si и Ge, легированных Mn или Fe	Левчук, Сергей Александрович	2011
Создание и исследование оптоэлектронных приборов в средней инфракрасной области спектра на основе узкозонных гетероструктур A3B5	Серебренникова, Ольга Юрьевна	2011
Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN	Кучерова, Ольга Владимировна	2011
Структурные и оптические исследования легированных эпитаксиальных гетероструктур на основе A3B5	Глотов, Антон Валерьевич	2011
Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия	Пономарев, Иван Викторович	2011
Формирование и оптические свойства наноструктур на основе IN-содержащих полупроводниковых соединений А3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами	Усикова, Анна Александровна	2011
Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя	Тимошнев, Сергей Николаевич	2011
Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge	Блошкин, Алексей Александрович	2011
Электронные состояния в квантово-размерных и дефектных полупроводниковых структурах	Гриняев, Сергей Николаевич	2011
Электронный транспорт в наноструктурах с резкими потенциальными границами на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs	Козлов, Дмитрий Андреевич	2011
Электрофизические и оптические свойства различных наноформ оксида олова	Рябцев, Станислав Викторович	2011
Электрофизические свойства нитрида индия и твердых растворов на его основе	Комиссарова, Татьяна Александровна	2011
Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge	Кириенко, Виктор Владимирович	2011
Взаимодействие атомов Ge с поверхностными реконструкциями в системе Me/Si(111)	Чубенко, Дмитрий Николаевич	2010