Темы диссертаций и авторефератов по специальности ВАК РФ 01.04.10 Физика полупроводников

Тема диссертации	Автор	Год
Кинетические коэффициенты прыжкового переноса и плотность электронных состояний в неупорядоченных системах с сильной локализацией носителей заряда	Потапова, Дарья Александровна	2001
Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза	Боженов, Александр Вячеславович	2001
Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами	Кудряшов, Владимир Евгеньевич	2001
Многослойные полупроводниковые структуры с неоднородно распределенными параметрами	Бормонтов, Евгений Николаевич	2001
Моделирование и экспериментальное исследование преципитации кислорода в кремнии	Приходько, Олег Владимирович	2001
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота: Применение для p-легирования ZnSe и роста GaN	Жмерик, Валентин Николаевич	2001
Морфология гетерограниц и транспорт дырок в сверхрешетках GaAs/AlAs(311)А	Воробьёв, Александр Борисович	2001
Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: Разработка и применение	Вилисов, Анатолий Александрович	2001
Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs	Титков, Илья Евгеньевич	2001
Оптические свойства структур с квантовыми точками в системе (In, Ga, Al)As	Воловик, Борис Владимирович	2001
Особенности формирования фазовых неоднородностей в гетероэпитаксиальных слоях InP и InGaAs	Субач, Сергей Владимирович	2001
Планарная неоднородность фоточувствительности кремниевых фотоэлектрических преобразователей	Юрченко, Алексей Васильевич	2001
Полевые и биполярные приборы на основе карбида кремния	Иванов, Павел Анатольевич	2001
Полупроводники с модифицированной поверхностью - регулярный микрорельеф и квантово-размерные нанокристаллиты	Сресели, Ольга Михайловна	2001
Полупроводниковые силициды хрома, железа и магния на Si(111)	Галкин, Николай Геннадьевич	2001
Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии	Сорокин, Сергей Валерьевич	2001
Структурная модификация свойств пленок аморфного углерода	Воронцов, Владимир Анатольевич	2001
Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs: Разработка технологии и исследование свойств	Солдатенков, Федор Юрьевич	2001
Термодинамика образования дефектов в полупроводниках с учетом кластеризации в жидкой и газовой фазах	Львов, Павел Евгеньевич	2001
Точечные дефекты и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур Cd x Hg1-x Te, выращенных методами парофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии	Варавин, Василий Семенович	2001