| Тема диссертации |
Автор |
Год |
|
|
Механизмы токопереноса в поверхностно-допированных полупроводниковых газовых сенсорах
|
Рябцев, Станислав Викторович |
2000 |
|
|
Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой
|
Смирнов, Валерий Михайлович |
2000 |
|
|
Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности
|
Новиков, Павел Леонидович |
2000 |
|
|
Моделирование физических явлений в инноимплантированных приборных структурах на основе соединений A III B U
|
Диденко, Сергей Иванович |
2000 |
|
|
Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных лазерных InGaAs/AlGaAs гетероструктур
|
Токранов, Вадим Ефимович |
2000 |
|
|
Нелинейные эффекты при распаде полупроводниковых твердых растворов в эпитаксиальных пленках
|
Стародубцев, Артем Николаевич |
2000 |
|
|
Неравновесные процессы в диэлектриках и полупроводниках при импульсном электронном возбуждении
|
Штанько, Виктор Федорович |
2000 |
|
|
Неравновесные распределения и дальнее инфракрасное излучение горячих носителей заряда в одноосно деформированном германии и в электронно-дырочной плазме кремния
|
Мусаев, Ахмед Магомедович |
2000 |
|
|
Определение неоднородностей проводимости и фотопроводимости полупроводниковых пластин по взаимодействию с миллиметровыми и субмиллиметровыми волнами
|
Гусева, Елена Анатольевна |
2000 |
|
|
Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка в ИК-области спектра
|
Кочура, Алексей Вячеславович |
2000 |
|
|
Оптические свойства наноструктур полупроводник-диэлектрик
|
Черноуцан, Кирилл Алексеевич |
2000 |
|
|
Оптические свойства слоев и гетероструктур на основе нитридов III группы
|
Сахаров, Алексей Валентинович |
2000 |
|
|
Оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах, связанные с неравновесными свободными носителями заряда
|
Фирсов, Дмитрий Анатольевич |
2000 |
|
|
Оптоэлектронные свойства светоизлучающих кремниевых структур
|
Каменев, Борис Владимирович |
2000 |
|
|
Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия
|
Комарницкая, Елена Александровна |
2000 |
|
|
Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs
|
Кудряшов, Игорь Вениаминович |
2000 |
|
|
Особенности распространения поверхностных и оттекающих акустических волн в монокристаллах и слоистых средах
|
Диденко, Ирина Сергеевна |
2000 |
|
|
Особенности рассеяния быстрых электронов на тепловых колебаниях при прохождении через тонкие кристаллы
|
Карасев, Платон Александрович |
2000 |
|
|
Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных соединений A2 B6: Основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
|
Иванов, Сергей Викторович |
2000 |
|
|
Получение и исследование полуизолирующего монокристаллического карбида кремния
|
Решанов, Сергей Александрович |
2000 |
|
