Атомно-силовая микроскопия для задач субангстремной диагностики и модификации поверхности полупроводников тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, доктор наук Щеглов Дмитрий Владимирович

• Щеглов Дмитрий Владимирович
• доктор наук
• 2026

Оглавление диссертации доктор наук Щеглов Дмитрий Владимирович

Оглавление

Список основных обозначений и сокращений

Введение

Глава 1. Современное состояние АСМ диагностики в нанометровом диапазоне: метрологические проблемы и концепция ступенчатых поверхностей-мер для перехода к субангстремной точности измерений

1.1. Факторы, предопределяющие необходимость субангстремной диагностики

1.2. Актуальность проведения измерений в нанометровом диапазоне размеров в различных приложениях

1.3. Проблемы создания мер дальнего и ближнего нанометрового диапазона

1.4. Субнанометровые меры

1.5. Микроинтерферометрия как метод прослеживания к эталону метра

1.6. Создание кремниевых поверхностей-мер в диапазоне длин 0,1-30нм на основе вицинальной поверхности Si (111)

1.6.1. Комплект мер нанометрового размера «ИФП-СТЕ1111-1», внесенный в государственный реестр средств измерений

1.7. Естественный оксид на поверхности Si (111) и его влияние на измерение высоты моноатомной ступени в АСМ

1.8. Влияние шероховатости сингулярных террас, покрытых бислоем оксида, на измерение высоты моноатомной ступени в АСМ

Результаты и выводы по Главе

Глава 2. Двухуровневые экстраширокие сингулярные террасы Si (111) для оптических измерений

2.1. Создание экстрашироких сингулярных террас Si (111) и макроступеней со счетным числом атомных ступеней для оптических измерений

2.2. Проблемы оптических измерений рельефа поверхности в нанометровом и субнанометровом диапазоне размеров

2.3. Интерферометр с опорным атомно-гладким зеркалом

2.3.1. Вычитание искажений волнового фронта (аберраций), вносимых оптическим плечом микроинтерферометра

2.3.2. Оптические измерения высоты атомной ступени на макроступени сформированной в структуре «лунка в лунке»

Результаты и выводы по Главе

Глава 3. Сканирующая зондовая микроскопия в развитии нанотехнологий

3.1. Профилометрия и туннельная микроскопия

3.2. Потенциал Леннарда-Джонса

3.3. Кантилевер и схема измерений

3.4. Режимы сканирования

3.5. Моды сканирования

3.6. Регистрация сдвига фазы колебаний

3.7 Экспериментальные условия

3.8. Потери энергии зонда АСМ на трение: модель и эксперимент

3.9. Кинетический контраст и трение

Результаты и выводы по Главе

Глава 4. Начальные стадии локального анодного окисления поверхности зондом АСМ

4.1. Атомно-силовая микроскопия и модификация поверхности

4.2. Методы модификации поверхности зондом

4.3. Локальное анодное окисление зондом

4.4. Особенности геометрии и измерений локального анодного окисления зондом

4.5. Физический механизм ЛАО - дрейф ионов в зону реакции

4.6. Ограничение тока пространственным зарядом и туннелирование

4.7 Шероховатость и ошибки измерений

4.8 Начальные стадии ЛАО

4.9. Влияние механических напряжений

Результаты и выводы по Главе

Глава 5. Локальное анодное окисление поверхности зондом АСМ: влияние поля и

влажности

5.1. Электрическое поле в ячейке реакции

5.2. Влияние остроты зонда

5.3. Влияние влажности

5.4. Экспериментальные условия

5.5. Зонд АСМ и пленка воды на поверхности

5.6 Процесс ЛАО поверхности Si (111) в условиях изменения влажности и электрического

поля

Результаты и выводы по Главе

Глава 6. Расширение пределов применимости модификации поверхности зондом АСМ

6.1. Пределы применимости ЛАО

6.2 Локальное анодное окисление различных материалов в стандартных условиях

6.3. Оптимизация глубины окисления под зондом АСМ - интервалы сил взаимодействия зонда с поверхностью для стабильного окисления

6.4. Окисление при повышенных потенциалах

6.5. Механическая модификация поверхности зондом АСМ

6.6. Одновременная механическая и электрохимическая модификация поверхности иглой АСМ

6.7. Униформность и воспроизводимость точек ЛАО

6.8. Баллистический электронный интерферометр, созданный методом ЛАО

6.9 Создание проводящих структур полевым испарением с зонда АСМ

6.10 Обратимое воздействие зонда АСМ на поверхность, изменяющее ее проводимость

Результаты и выводы по Главе

Заключение

Публикации

Библиографический список

€!писок основных обозначений и сокращений

АСМ — атомно-силовая микроскопия (атомно-силовой микроскоп, разновидность СЗМ) КТ — квантовая точка КЯ — квантовая яма СС — смачивающий слой

СЗМ — сканирующая зондовая микроскопия (сканирующий зондовый микроскоп)

СЭМ — сканирующая электронная микроскопия

ПЭМ — просвечивающая электронная микроскопия

ВРЭМ — высокоразрешающая электронная микроскопия

СИ — международная система измерений

СТМ — сканирующая туннельная микроскопия (сканирующий туннельный микроскоп, разновидность СЗМ)

ВАК — высшая аттестационная комиссия КНИ — кремний-на-изоляторе

ЛАО — локальное анодное окисление с использованием метода атомно-силовой микроскопии

СТО — специальная теория относительности

°C, К — градусы температуры Цельсия или Кельвина

Ra — модульная шероховатость поверхности

Rq, Wrms — среднеквадратичная шероховатость поверхности (по умолчанию, шероховатость поверхности)

R — радиус кривизны сферы, вписываемой в кончик АСМ зонда для описания его «остроты»

N — количество перебираемых (суммируемых) элементов, точек, независимых измерений HOPG — высоко-ориентированный пиролитический графит Т — температура

Si (111) — обозначение вицинальной поверхности кристалла кремния с направлением ориентации нормали, соответствующим индексам Миллера 111 РСИ — рабочие средства измерений hstep — высота единичной моноатомной ступени

h — высота точки поверхности или оксидной линии, полученной ЛАО hc — длина, которая характеризуется энергией электрона при ЛАО t — время окисления в точке ЛАО tc — пороговое время для окисления

аш — параметр кристаллической решетки в заданном направлении

U — электрическое напряжение, приложенное к зонду АСМ относительно поверхности при ЛАО

d — характеристическая ширина террасы (расстояние между соседними моноатомными ступенями) в выделенном направлении

МИИ — микроинтерферометрический измерительный микроскоп СВВ-ОЭМ — сверхвысоковакуумный отражательный электронный микроскоп Я — паспортное значение средней длины волны источника света ДЯ — разность Я и фактической средней длины волны источника света Д<р(х,у) — систематическая ошибка, определяемая искажениями волнового фронта в оптической системе интерферометра и неоднородностью свойств поверхности образца

8<р — случайная ошибка (независимая от x и у), связанная с суммарным шумом всего инструментального плеча измерений, вычислительными алгоритмами и шероховатостью поверхности эталонного (опорного) зеркала и образца LED - светодиод

F — сила взаимодействия игла-поверхность Q — относительная влажность окружающей среды при ЛАО

Ecr — минимальное пороговое электрическое поле у иглы АСМ, при достижении которого инициируется процесс ЛАО

dKT — плотность квантовых точек на единицу площади поверхности NIST — Национальный институт стандартов и технологии США NMIJ — Национальный метрологический институт Японии PTB — Физико-технологический государственный институт Германии НИЦПВ — Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума

CODATA — Комитет по данным для науки и техники — междисциплинарный комитет Международного совета по науке при Парижской палате мер и весов СО РАН — Сибирское отделение Российской академии наук ДНК - дезоксирибонуклеиновая кислота

z — ось (нормальная к плоскости поверхности) или вертикальная координата на этой оси х, у — латеральные ортогональные друг другу оси, лежащие в плоскости поверхности, или соответствующие координаты на этих осях

Введение Актуальность темы исследования

Развитие атомно-силовой микроскопии и технологий на ее основе напрямую связано с текущими проблемами в нанотехнологиях, ключевыми из которых являются повышение точности измерений и анализа в наномасштабе, обеспечение воспроизводимости и однородности наноматериалов и устройств, разработка функциональных устройств с новыми свойствами. Развитие АСМ технологий необходимо для преодоления ограничений метрологии и литографии за счет повышения скорости и качества анализа данных, получения изображений с высоким разрешением, высокой производительности и использования гибридной литографии для создания локальных более мелких и сложных наномасштабных структур. Научно-технический прогресс, обеспечивший технологическую революцию последних десятилетий, был неразрывно связан с развитием литографических технологий и диагностических методов атомно-молекулярного уровня. Широкое освоение этих методов для дальнейшего развития фундаментальных представлений о новых явлениях, структуре и свойствах функциональных материалов и квантовых систем является залогом появления новых технологий и связанных с ними направлений науки, техники и производства.

Успехи в структурной диагностике низкоразмерных систем достигнуты, в том числе, благодаря развитию и широкому применению методов сканирующей зондовой микроскопии: сканирующей туннельной микроскопии и атомно-силовой микроскопии. Эти методы, основанные на эффектах взаимодействия заострённой иглы с исследуемой поверхностью, в кратчайшие сроки стали основными инструментами исследований поверхности на субмикронном уровне в физике, геологии, химии, биологии, медицине. Относительная простота интерпретации получаемых изображений при высокой разрешающей способности, стабильности и прецизионности измерений позволяет решать многочисленные задачи, которые невозможно решить другими методами [1]. С использованием синхротронного рентгеновского излучения и зонда СТМ недавно продемонстрирована возможность характеризации одиночного атома [2]. Достоинством методов СЗМ является возможность получения трёхмерных (3D) изображений рельефа поверхности и карт распределений по поверхности ряда параметров, таких как потенциал, кулоновский заряд, электрическая ёмкость, намагниченность, твёрдость, оптические характеристики и других. Эти методы интенсивно развиваются, превращаясь, в частности для АСМ, в инструмент многосторонней диагностики процессов на сингулярной атомно-гладкой поверхности кристалла в атмосферных условиях, включая визуализацию жидкого слоя и точечных дефектов на поверхности под слоем жидкости [3, 4].

В 2019 году Международной Системой Измерений (СИ) моноатомная ступень на поверхности Si (111) была принята в качестве реализации вторичного эталона метра, с необходимостью измерения ее высоты в АСМ с субангстремной точностью (10 пм на воздухе и 2 пм в вакууме) [5, 6]. Поэтому дальнейшее развитие АСМ-диагностики подразумевает улучшение разрешающей способности до субангстремных величин. В этих условиях задача характеризации исходной поверхности и созданных на ней структурных элементов требует учета всех факторов, связанных как с физическими особенностями взаимодействия иглы с поверхностью, так и с фундаментальными измерительными ограничениями. Поиск и разработка способов повышения точности измерений в методе АСМ и возможности осуществления калибровки измерений АСМ на основе привязки к эталону метра представляют особую актуальность для развития не только АСМ-диагностики, но всех АСМ-технологий в целом. Это в свою очередь диктует необходимость создания измерительных стандартов высоты на основе атомных ступеней во всем нанодиапазоне размеров от 0,1 до 100 нм.

К неоспоримому превосходству СЗМ относится точное позиционирование острозаточенного зонда на поверхности исследуемого образца. Это открывает возможности применения зондовой микроскопии не только для диагностики, но и для создания гибридных структур с предельно малыми размерами в точно заданном месте на поверхности образца или структуры. В качестве примера можно привести работы по переносу на острие зонда СТМ и укладыванию на поверхности единичных атомов, что, фактически, является предельным разрешением литографии [7]. Однако применение СТМ для литографии ограничивается необходимостью работы с проводящими поверхностями в сверхвысоком вакууме. Поэтому наибольшие усилия по реализации зондовой нанолитографии для создания отдельных функциональных наноустройств в исследовательских целях были направлены на АСМ, где за счет работы во влажных атмосферных условиях возможно осуществление локального анодного окисления (ЛАО) поверхности под зондом при приложении к нему отрицательного потенциала. Такая АСМ-литография обладает универсальностью для широкого спектра материалов, включая металлы, полупроводники, полимеры и биологические молекулы в различных средах [8], но глубина анодного окисления в стандартном (полуконтактном) режиме работы АСМ не превышает нескольких нанометров [9,10] при воспроизводимости ~20%. Большим преимуществом АСМ-модификации поверхности по сравнению классической литографией является возможность проведения в едином цикле и диагностики поверхности и её модификации. Такая возможность становится все более востребованной в условиях непрерывного уменьшения размеров функциональных электронных элементов и технологической нормы их изготовления. Применение же АСМ-литографии для полупроводниковых систем с двумерным электронным газом является предпочтительным, поскольку использование других методов литографии

сравнимого разрешения приводит к деградации двумерного электронного газа, например, при воздействии электронным пучком или плазмой при экспонировании или травлении. Это предопределяет необходимость развития АСМ-литографии для создания гибридных электронных наноустройств, функционирующих на новых физических принципах, примеры которых уже имеются в литературе (например, квантовые кольца с размером 480 нм и квантовый точечный контакт [11,12]).

К настоящему моменту проведено большое количество исследований, посвященных локальному анодному окислению поверхности под зондом АСМ. Однако несмотря на обилие имеющейся информации и технологическую востребованность, полного понимания механизма локального анодного окисления под зондом АСМ и управляемого способа увеличения глубины модификации к началу работ автора диссертации не было. Низкую глубину воздействия и слабую воспроизводимость АСМ-литографии подтверждает и тот факт, что возможности серийного производства наноразмерных объектов и устройств с помощью АСМ ограничились разработкой компанией «IBM» технологии «Millepede» [13], примененной в основном для записи информации.

Исходя из вышесказанного, актуальным является проведение комплексного анализа физических механизмов взаимодействия иглы (твердотельного зонда) АСМ с поверхностью в различных условиях (калибровка, диагностика, окисление, металлизация и пр.) с целью воспроизводимого создания полупроводниковых наноустройств. Настоящая работа направлена на развитие физических основ АСМ-технологий для решения задач субангстремной диагностики и управляемой наномодификации поверхности полупроводников.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Атомно-силовая микроскопия для задач субангстремной диагностики и модификации поверхности полупроводников»

Цель работы

Несмотря на широкое применение атомно-силовой микроскопии и многочисленные исследования, ее возможности для диагностики и модификации поверхности на нанометровом и субнанометровом уровне не реализованы в полной мере. Требуется комплексный анализ физических закономерностей взаимодействия иглы АСМ с исследуемой поверхностью с целью совершенствования методов АСМ, повышения точности измерений и развития на этой основе АСМ-технологий.

Целью работы является развитие физических основ АСМ-технологий для субангстремной диагностики и модификации полупроводниковых поверхностей.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи.

• Определить влияние геометрических факторов поверхности Si (111), ширины сингулярных террас, их шероховатости, уровня горизонтальности и наличия естественного оксида на точность АСМ-измерений в нанометровом и субнанометровом диапазоне линейных размеров.

• Разработать подходы и методы калибровки АСМ для обеспечения субангстремной точности измерений во всем нанометровом диапазоне длин от 0,1 до 100 нм.

• Обобщить и апробировать применение эффекта кинетической нестабильности (самоорганизации) атомных ступеней на плоских вицинальных поверхностях Si (111) и в цилиндрических углублениях с целью создания одно- и двухуровневых экстрашироких сингулярных террас с минимальной шероховатостью, разделенных счетным в АСМ числом атомных ступеней (от 1 до 300), и калибровочных мер на их основе.

• Разработать метод диагностики рельефа поверхности с использованием колебательно-резонансной моды сканирования АСМ для реализации фазового контраста с повышенной разрешающей способностью, необходимой для визуализации плотных массивов атомных ступеней (с размером террас до 20 нм) и примесных фаз.

• Определить механизм локального анодного окисления под зондом АСМ.

• Определить физические факторы, ограничивающие воспроизводимость, пространственное разрешение и глубину локального анодного окисления поверхности иглой АСМ.

• Детально исследовать интенсивность процесса локального анодного окисления различных материалов в зависимости от потенциала, механического давления зондом и влажности для разработки технологии глубокого (до 50 нм) и высокоаспектного локального окисления поверхности с целью создания гибридных электронных наноустройств.

• Разработать физические подходы и метод создания высокопроводящих нитевидных элементов на поверхности с использованием зонда АСМ.

Научная новизна работы

Научная новизна работы состоит в разработке физических основ АСМ-технологий на поверхности полупроводников на новом уровне измерений рельефа с субангстремной точностью для преодоления проблем метрологии и диагностики в наномасштабе и воспроизводимой наномодификации иглой АСМ, - глубокого локального анодного окисления и эффективного полевого испарения металла для создания электронных наноустройств.

• На основе обобщения эффекта кинетической нестабильности вицинальной поверхности Si (111) показана возможность создания широких сингулярных террас (5^20 мкм), разделенных заданным счетным (1^100) количеством атомных ступеней, обеспечивающих калибровку АСМ с субангстремной точностью в диапазоне длин от 0,1 до 30 нм. Идеальная по определению кристаллографическая плоскостность сингулярных террас при больших размерах обеспечивает большую статистику набора координат их точек с предельно малой дисперсией и, соответственно, субангстремную точность измерений высоты ступеней, разделяющих террасы, -10 пм для одиночной моноатомной ступени и 1пм для ее высоты в пакете ступеней при использовании алгоритма выравнивания уровня горизонтальности террас.

• Методом высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии доказано, что естественный бислой оксида с толщиной ~ 0,7 нм, возникающий на атомно-чистой поверхности Si (111) с широкими террасами в атмосферных условиях, с точностью ~ 0,1% воспроизводит её шероховатость и высоту моноатомной ступени (межплоскостное расстояние (111) в кристалле) в виде соответствующей высоты на поверхности оксида.

• Показано, что стенка цилиндрического углубления, разделяющего две сверхширокие (более 50 мкм) сингулярные террасы Si (111), при последующем высокотемпературном прогреве постоянным током в условиях квазиравновесия (компенсации сублимации внешним потоком кремния) трансформируется в асимметричную 3D-меру, - с пологой частью и счетным в АСМ числом атомных ступеней (до 300) с одной стороны и вертикальной частью с другой стороны, пригодной для оптических измерений с рекордной точностью 0,4 пм.

• Показано, что высокая субмонослойная шероховатость (не менее 70 пм) любых сингулярных террас Si (111), обнаруженная при измерении зондом АСМ с радиусом 2нм, связана с существованием фундаментального перехода (1х1)-(7х7) при охлаждении поверхности ниже 868оС в процессе приготовления и усиливается на сверхшироких террасах из-за невозможности стока адатомов в ступени и формирования кластеров. Однако такая шероховатость, вследствие ее эквивалентности для соседних террас, ограничивающих моноатомную ступень, не влияет на субангстремную точность (10 пм) измерений её высоты в АСМ на воздухе при использовании алгоритма выравнивания горизонтали террас.

• Разработан новый метод регистрации сдвига фазы колебаний зонда АСМ в полуконтактной моде, связанный с увеличением скорости движении зонда по поверхности при его достаточно «жестком» контакте с поверхностью (~10-7Н), обеспечивающем появление трения. В результате формируется кинетический фазовый контраст АСМ, кардинально улучшающий визуализацию нанорельефа поверхности и структурных фаз на недостижимом в

режиме топографии уровне. Это обеспечило подсчет атомных ступеней в плотных массивах при расстоянии между ними до 20 нм.

• Сравнительный АСМ анализ (зонд 10нм) шероховатости естественных оксидов на различных поверхностях показал, что минимальная субмонослойная по высоте шероховатость естественного оксида ~0,6 А достигается только на широкой (>5мкм) сингулярной террасе Si (111). Для вицинальной»epi-ready»поверхности GaAs (001) с шириной террас 200нм шероховатость возрастает в два раза, оставаясь в пределах субмонослойной (0,129нм), а для произвольно выбранной вицинальной поверхности Si в структуре КНИ увеличивается в 6 раз до 0,384нм. То есть, с уменьшением ширины террас (<100нм) атомные ступени дают основной вклад в шероховатость естественного оксида, которая затем наследуется при окислении зондом АСМ. Поэтому для точного измерения высот линий локального анодного окисления, созданных под зондом АСМ, следует использовать поверхности с шероховатостью менее 1 А.

• Благодаря на порядок лучшей точности (~1%) измерения высоты точек ЛАО, созданных на широких сингулярных террасах Si (111) в мягком (10-9Н) полуконтактном режиме, по сравнению с вицинальной поверхностью, впервые выявлен ступенчато-слоевой механизм роста оксида кремния под зондом АСМ в зависимости от приложенного потенциала (3^12В) с величиной ступени 0,7±0,1 нм, равной толщине бислоя оксида, формирующегося из одного бислоя Si на поверхности (111). При этом рост следующего бислоя оксида требует повышения потенциала на ~3 В, необходимого для туннелирования электрона через потенциальный барьер на границе раздела Si-SiOx и обеспечения компенсации заряда, связанного с накоплением кислородных вакансий в нестехиометричном SiOx. Это подтверждает квантово-химический механизм Мотта анодного окисления Si и независимость слоевого роста оксида от способа его выращивания. Для окисления под зондом АСМ особая важность этого результата состоит в том, что при субмонослойной шероховатости поверхности возможен контроль процесса её окисления с послойной точностью, обеспечивающей создание атомно-гладких границ раздела оксид-кристалл.

• Кинетика ЛАО поверхностей Ti, Si и GaAs под зондом АСМ в «мягком» полуконтактном режиме (сила взаимодействия игла-поверхность ~10-9Н) характеризуется одинаковым наклоном логарифмических зависимостей высоты оксида от времени в диапазоне 0,1^10000мс и демонстрирует определяющую роль сильного электрического поля (109 В/см) при окислении под зондом АСМ независимо от типа материала в соответствии с моделью Мотта для анодного окисления массивных поверхностей. Близость кинетических зависимостей окисления GaAs и Si предполагает единообразие механизмов их окисления.

• Разработана технология глубокого окисления зондом АСМ, сочетающая одновременное давление зонда на поверхность в широком диапазоне прилагаемых сил (10"7^10"

9Н) и повышение потенциала (до -40В) на зонде, которая расширяет возможности модификации поверхности полупроводника в АСМ до 50 нм. Оптимизированный метод глубокого ЛАО-А+ (повышенный потенциал при минимальном давлении зонда 10-9 Н) в АСМ, при котором реализуется режим послойного окисления, является перспективным для воспроизводимого создания наноструктур с точки зрения увеличения высоты/глубины окисления при сохранении минимальных латеральных размеров.

• С использованием оптимизированного метода ЛАО-А+ (потенциал -40В, прижим зонда 10-9Н, влажность 65%) для гетероструктуры GaAs/InGaAs с двумерным электронным газом разработана технология создания электронных интерферометров рекордно малого размера (90нм), демонстрирующих осцилляции Ааронова-Бома.

• Показано, что в условиях сканирования поверхности иглой АСМ в полуконтактном режиме полевое (холодное) испарение нанесенного на зонд АСМ 1п реализуется при положительном электрическом потенциале на зонде относительно поверхности, превышающем критическое значение +5В. Получаемые в результате такого испарения с зонда АСМ 1п нанопроволоки обладают сопротивлением в 106 раз меньшим, что 1п нанопроволоки, получаемые посредством переноса горячего расплава 1п с зонда при пропускании тока игла-поверхность.

Теоретическая и практическая ценность работы

Разработанные высокоточные ступенчатые меры для измерений вертикальных размеров, обеспечивают прослеживаемость эталона длины к вещественному эталону — высоте атомной ступени (параметру решетки Si) при показанной аддитивности, линейности и взаимной компарированности этих размеров в диапазоне 0,31-100 нм. Комплект высокоточных мер вертикальных размеров «СТЕПП-ИФП-1» после проведения государственных испытаний внесён в государственный реестр средств измерений, как тип средства измерений №48115-11 (Приказ Росстандарта № 6290 от 31.10.2011 г.). Образцы, содержащие выверенное количество моноатомных ступеней и атомно-гладких участков поверхности включены в состав Государственного вторичного эталона 2J.ZZA.0034.2015 ФГУП «ВНИИОФИ» в качестве меры высоты ангстремного диапазона (МВА). Комплекты мер серийно производятся и поставляются производителям атомно-силовых микроскопов (НТ-МДТ). Технические показатели качества серийно выпускаемых в ИФП СО РАН функциональных образцов соответствуют требованиям к Государственным вторичным эталонам и соответствующим Государственным поверочным схемам.

Разработанные «атомно-гладкие» зеркала (сингулярные террасы Si (111)) в виде образцов, содержащих сингулярные участки поверхности (более 100 мкм) включены в состав

Государственного вторичного эталона 2.1.ZZA.0034.2015 ФГУП «ВНИИОФИ» в качестве меры плоскостности ангстремного диапазона (МПА). Подтверждено, что их технические характеристики превышают параметры известных существующих отечественных и иностранных аналогов.

Использование «атомно-гладких» зеркал в качестве опорных зеркал в интерферометрических микроскопах (серийно производится КТИ НП СО РАН) приводит к уменьшению систематической ошибки измерения истинной координаты высоты с 5 до 0,12 нм и позволяет визуализировать моноатомные ступени высотой 136 пм на поверхности Si (001). Эти результаты открывают возможности для использования оптической интерферометрии в качестве прямого метрологического метода измерения высоты в субнанометровом диапазоне длин.

Разработанные физические основы ЛАО и технология оптимальной глубокой модификации поверхности с помощью ЛАО (до 30 нм) могут быть использованы для создания низкоразмерных функциональных систем для наноэлектроники и твердотельной нанофотоники (например, кольцевого интерферометра, демонстрирующего квантовые осцилляции Ааронова-Бома).

Новый метод регистрации сдвига фазы колебаний зонда АСМ, связанный с его быстрым движением (~20 мкм/с) при сканировании поверхности, названный кинетическим фазовым контрастом АСМ, может использоваться для получения дополнительной информации об атомном строении поверхности под слоем естественного оксида.

Разработанный на основе физических подходов метод локального холодного испарения металла (на примере In) с зонда АСМ на поверхность позволяет создавать высокопроводящие нитевидные элементы с наноразмерной точностью в заданных участках поверхности.

Экспериментальные результаты измерений интенсивности локального анодного окисления зондом АСМ в зависимости от времени и приложенного потенциала для Ti, GaAs и Si подтверждают для этих поверхностей классическую теорию окисления Кабреры-Мотта, предсказывающую, что туннелирование электронов (дырок) в объем оксида является главным фактором, определяющим (лимитирующим) окисление на начальных стадиях.

Методология и методы исследования

Методологическая основа настоящей диссертационной работы включает комплексный подход, объединяющий теоретический анализ и углубленные экспериментальные исследования методов атомной силовой микроскопии для улучшения точности измерений на субангстремном уровне. Исследования включают детальное изучение физических аспектов взаимодействия зонда АСМ с поверхностью образца, разработку новых методик визуализации и анализа структурно-морфологических особенностей поверхности на субангстремном уровне, а также внедрение

новых подходов в калибровке, диагностике и наномодификации поверхности иглой АСМ, предопределяющих развитие АСМ технологий в целом.

Из представленных в работе методов исследования следует отметить детальный анализ и критический обзор существующих физических моделей взаимодействия зонд-поверхность, как с учетом влияния шероховатости поверхности и наличия адсорбированного слоя влаги в атмосферных условиях, так и включая действие ван-дер-ваальсовских сил, в том числе, в резонансных (колебательных) режимах взаимодействия. В результате разработаны новые модели для описания физики взаимодействия зонда с поверхностью, учитывающие её шероховатость и позволяющие измерение силы трения в полуконтактной моде АСМ.

Экспериментальные методики, примененные в исследованиях, основывались на специально разработанных подходах и методах калибровки, что позволило осуществлять подсчет каждой моноатомной ступени ступеней в плотных массивах моноатомных ступеней (макроступенях), разделяющих экстраширокие сингулярные террасы, и достижение субангстремной точности измерений вертикальных размеров линий и точек локального анодного окисления поверхности зондом АСМ в полуконтактном режиме работы.

Применение разработанной техники одновременного приложения на зонд АСМ механического и электрического напряжения вместе с управлением зоной реакции окисления в области смачивания мениском влаги иглы АСМ позволило достигнуть рекордных значений глубины модификации поверхности этим способом.

Компьютерное моделирование: построена модель поверхности с анизотропией шероховатости и выполнены численные расчеты поведения зонда при взаимодействии с такой поверхностью, подтвердившие измеряемые характеристики применительно к различным условиям эксперимента.

Статистическая обработка результатов: применялись современные статистические методы обработки данных, такие как метод наименьших квадратов и корреляционный анализ, позволяющие выявить закономерности изменения измеряемой координаты сингулярной поверхности в зависимости от ширины террас и количества моноатомных ступеней, разделяющих такие террасы.

Таким образом, комплексное использование указанных методов позволило существенно расширить возможности АСМ-диагностики и литографии, обеспечив качественно новый уровень исследований физических процессов взаимодействия иглы АСМ с поверхностью. Это позволило значительно улучшить разрешение атомно-силовой микроскопии в диагностике рельефа и

расширить пределы применимости АСМ-модификации поверхности для создания наноструктурных объектов.

Апробация работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: IV, V и VI Российские конференции по физике полупроводников, 1999, Новосибирск, 2001, Нижний Новгород и 2003, Санкт-Петербург; Scanning Probe Microscopy-2001, 2002, 2003 International Workshop, Nizhny Novgorod; 8-я российская конференция "GaAs и полупроводниковые соединения группы III-V", Томск, 2002; 5-th Russia-Japan seminar on semiconductor surfaces issue, Vladivostok, B-2, 2002; Международное рабочее совещание «Кремний-2002», Новосибирск, 2002; Tenth APAM topical seminar and third conference "Materials of Siberia" "NANOSCIENCE AND TECHNOLOGY", Novosibirsk, 2003; 11th International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, St Petersburg, 2003; 12th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy Eindhoven, Netherlands (STM'03); III Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе, Кремний 2003, Москва, VII Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники-2005", Москва, 18-23 сентября 2005, Forum: Ultimate Lithography and Nanofabrication for Electronics and Life Science, Marseille, France, 26-30 июня, 2006, 14th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St.Petersburg, Russia, 26-30 June, 2006, VIII Российская конференция по физике полупроводников., Екатеринбург, 30 сентября - 5 октября 2007, 17th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems and 13 th Modulated Semiconductor Structures, Genova, Italy, July 15-20, 2007, 15th International symposium Nanostructures: physics and technology, Новосибирск, Россия, 25-29 июня, 2007, XXII Российская Конференция по электронной микроскопии (РКЭМ-2008), Черноголовка, Россия, 2-6 июня, 2008, XII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, Россия, 10-14 марта, 2008, 16th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", Vladivostok, Russia, 14-18 Jule, 2008, 17th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", Minsk, Belarus, 22-26 June, 2009, XIV симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 15-19 марта, 2010, XV международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, Россия , 14-18 марта, 2011, 4-ая Школа "Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии. Функциональные наноматериалы", Новосибирск, Россия, 25-29 апреля, 2011, XV International Conference "Opto-, Nanoelectronics. Nanotechnology, and Microsystems", Ulyanovsk, 4-7 September, 2012, Asia-Pacific Academy of Materials topical Seminar "Films and Structures for Innovative Applications", Novosibirsk, 27 August

- 1 September, 2012, Second Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT 2013), Владивосток, 20-27 августа, 2013, Materials Integration International Center of Education and Research and Japan-Russian workshop on advanced materials synthesis process and nanostructure, г. Сендай, 7-9 марта, 2013, 6-я Школа «Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии», Екатеринбург, 4-7 июня, 2013, 3-я Международная школа-семинар «Фотоника нано- и микроструктур» (ФНМС 2015), Томск, 7-11 сентября, 2015, 4th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures "Saint-Petersburg OPEN 2017", Санкт-Петербург, 3-6 апреля, 2017, XXII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 2-15 марта 2018, 2018, Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (АППН 2022), Новосибирск, 12-13 декабря , 2022 , Кузнецовские чтения - 2022. Шестой семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы, Новосибирск, 11-13 июля, 2022, XIV Международная конференция и XIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ 2022», Новосибирск, 26-30 сентября, 2022, РОССИЙСКИЙ ФОРУМ МИКРОЭЛЕКТРОНИКА 2023 9-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули», Парк науки и искусства «Сириус», 9-14 октября, 2023 и др.

Изготовленные калибровочные меры поставляются для калибровки АСМ микроскопов различным научным группам в том числе производителю атомно-силовых микроскопов под маркой «НТ-МДТ».

Изготовленные атомно-гладкие зеркала используются для разработки и создания микроинтерферометрических микроскопов нового поколения.

Изготовленные посредством глубокого ЛАО электронные интерферометры рекордно малых размеров на основе А3В5 материалов демонстрируют осцилляции Ааронова-Бома.

Основные научные положения, выносимые на защиту:

1. Точность определения высоты 10пм в АСМ для одиночной моноатомной ступени и 1пм для её высоты в пакете ступеней в диапазоне линейных размеров 0,3-30нм обеспечивается за счет формирования широких (5-15 мкм) сингулярных террас, разделенных счетным числом атомных ступеней (1-100) в результате самоорганизации вицинальной поверхности Si (111).

2. Естественный бислой оксида с толщиной ~0,7 нм, возникающий на ступенчатой поверхности Si (111) в нормальных условиях, с точностью ~0,1% воспроизводит рельеф

поверхности и высоту моноатомной ступени (межплоскостное расстояние в кристалле) в виде соответствующей высоты ступени на поверхности оксида.

3. Субпикометровая точность оптических измерений с помощью интерферометра (0,4 пм) и пикометровая точность определения высоты для АСМ достижимы во всем нанометровом диапазоне размеров (0,1-100нм) при использовании сингулярных экстрашироких (более 50 мкм) террас Si (111), разделенных асимметричными макроступенями-мерами, полученными разнонаправленной самоорганизацией моноатомных ступеней за счет эффекта электромиграции адатомов.

4. Высокоразрешающие изображения особенностей нанорельефа, недостижимые в режиме АСМ-топографии, реализуются за счет регистрации связанного с диссипацией колебательной энергии сдвига фазы колебаний зонда при его достаточно сильном (~10'7Н) прижиме к поверхности и высокой скорости сканирования (до 20 мкм/с).

5. На начальных стадиях локального анодного окисления зондом АСМ сингулярных террас Si (111) зависимость высоты оксида от разности потенциалов является ступенчатой, соответствующей последовательному окислению бислоев кремния 0,7±0,1 нм, при этом окисление каждого последующего бислоя кремния требует увеличения инициирующей окисление разности потенциалов на ~3 В, что обеспечивает туннелирование электронов для компенсации пространственного заряда, ограничивающего ток ионов в зону реакции.

6. Латеральный размер зоны локального анодного окисления поверхности под зондом АСМ в условиях приложения взаимной разности потенциалов и оптимальной силы воздействия зонда на поверхность (не более 10-8Н) определяется меньшим из двух параметров: эффективным размером (площади) мостика/мениска воды под зондом или размером зоны активации, где электрическое поле вокруг зонда еще превышает критическое, необходимое для активации реакции окисления.

7. Контроль значений механической силы и электрического потенциала при их

одновременном приложении к зонду АСМ относительно поверхности в процессе локального анодного окисления позволяет расширить диапазон глубин АСМ-модификации поверхности до

50 нм для больших сил (до 10'7Н) и потенциалов (до -40В) и реализовывать режим послойного окисления поверхности для относительно малых сил прижима (до 10'9Н) в интервале

потенциалов от -6 до -40 В, что открывает возможности создания квантовых наноустройств (электронных интерферометров) рекордно малых размеров (~90нм).

8. Режим полевого (холодного) испарения In, нанесенного на зонд АСМ, реализующийся при положительном, превышающем пороговое значение +5 В, электрическом потенциале на зонде, позволяет создавать на поверхности под зондом АСМ нанопроволоки In с удельным сопротивлением ~10'2 Ом*см, что на несколько порядков лучше, чем иные известные способы создания проводящих нанопроволок с использованием иглы АСМ.

Структура и объём диссертации

Диссертационная работа состоит из введения, шести основных глав с частными выводами и заключения с общими выводами, списка литературы из 378 наименований. Основное содержание диссертации изложено на 268 страницах, содержит 55 формул и 82 рисунка.

Научная обоснованность и достоверность результатов, представленных в работе, обусловлена применением комплекса современных аналитических методов, который, наряду с разработанными и запатентованными автором новыми методами, включал анализ атомной структуры полученных наносистем и компьютерное моделирование их электронных свойств. Результаты получены при необходимой метрологической поддержке, - автором разработаны технология и методология обеспечения единства средств измерений и метрологического контроля в диапазоне размеров 0,3-30 нм с точностью 50 пм. При использовании алгоритма выравнивания горизонтальности террас, - дополнительного коммерческого программного пакета управления в АСМ, точность измерения высоты атомной ступени составляет 10пм на воздухе. Высокая точность измерений обеспечила воспроизводимость и достоверность полученных результатов, а также позволила не только определить параметры и механизмы процессов, происходящих при взаимодействии иглы АСМ с поверхностью, но и впервые выявить некоторые особенности ЛАО, принципиально подтверждающие физические механизмы окисления.

Список литературы диссертационного исследования доктор наук Щеглов Дмитрий Владимирович, 2026 год

Библиографический список

1. Hinterdorfer, P. Detection and localization of single molecular recognition events using atomic force microscopy / Peter Hinterdorfer, Yves F. Dufrêne // Nat. Methods. — 2006. — Vol. 3, No. 5. — PP. 347-355.

2. Ajayi, T. M. Characterization of just one atom using synchrotron X-rays / Tolulope M. Ajayi, Nozomi Shirato, Tomas Rojas, et al. // Nature. — 2023. — Vol. 618, No. 7963. — PP. 69-73.

3. Martin-Jimenez, D. Atomically resolved three-dimensional structures of electrolyte aqueous solutions near a solid surface / Daniel Martin-Jimenez, Enrique Chacon, Pedro Tarazona, Ricardo Garcia // Nat. Commun. — 2016. — Vol. 7, No. 1. — P. 12164.

4. Reischl, B. Can Point Defects in Surfaces in Solution be Atomically Resolved by Atomic Force Microscopy? / Bernhard Reischl, Paolo Raiteri, Julian D. Gale, Andrew L. Rohl // Phys. Rev. Lett. — 2016. — Vol. 117, No. 22. — P. 226101.

5. Yacoot, A. The lattice parameter of silicon: a secondary realisation of the metre / Andrew Yacoot, Harald Bosse, Ron Dixson // Meas. Sci. Technol. — 2020. — Vol. 31, No. 12. — P. 121001.

6. Recommendation of CCL/WG-N on: Realization of the SI metre using silicon lattice parameter and x-ray interferometry for nanometre and sub-nanometre scale applications in dimensional nanometrology / Version 1.1 / ed. by A. Yacoot (NPL), U. Kuetgens (PTB) a [Electronic resource].

7. Eigler, D. M. Positioning single atoms with a scanning tunnelling microscope / D. M. Eigler, E. K. Schweizer // Nature. — 1990. — Vol. 344, No. 6266. — PP. 524-526.

8. Lorenzoni, M. Conductive Atomic Force Microscopy for Nanolithography Based on Local Anodic Oxidation / Matteo Lorenzoni, Francesc Pérez-Murano // Conduct. At. Force Microsc. Appl. Nanomater. Ed. by M. Lanza. — Wiley, 2017. — PP. 211-223.

9. Avouris, P. Atomic force microscope tip-induced local oxidation of silicon: kinetics, mechanism, and nanofabrication / Phaedon Avouris, Tobias Hertel, Richard Martel // Appl. Phys. Lett. — 1997. — Vol. 71, No. 2. — PP. 285-287.

10. Stiévenard, D. Nanooxidation using a scanning probe microscope: An analytical model based on field induced oxidation / D. Stiévenard, P. A. Fontaine, E. Dubois // Appl. Phys. Lett. — 1997. — Vol. 70, No. 24. — PP. 3272-3274.

11. Fuhrer, A. Energy spectra of quantum rings. / A. Fuhrer, S. Luscher, T. Ihn, T. Heinzel, K. Ensslin, W. Wegscheider, M. Bichler // Nature. — 2001. — Vol. 413, No. 6858. — PP. 822-825.

12. Mori, G. Magnetic field and temperature dependence of an atomic force microscope-defined quantum point contact / G. Mori, M. Lazzarino, D. Ercolani, G. Biasiol, L. Sorba // J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct. Process. Meas. Phenom. — 2004. — Vol. 22, No. 2.

— PP. 570-573.

13. Durig, U. "Millipede" - an AFM data storage system at the frontier of nanotribology / U. Durig, G. Cross, M. Despont, et al. // Tribol. Lett. — 2000. — Vol. 9, No. 1. — PP. 25-32.

14. Latyshev, A. V. Transformations on clean Si (111) stepped surface during sublimation / A. V. Latyshev, A. L. Aseev, A. B. Krasilnikov, S. I. Stenin // Surf. Sci. — 1989. — Vol. 213, No. 1.

— PP. 157-169.

15. Garnœs, J. Algorithms for using silicon steps for scanning probe microscope evaluation / J. Garnœs, D. Necas, L. Nielsen, M. H Madsen, A. Torras-Rosell, G. Zeng, P. Klapetek, A. Yacoot // Metrologia. — 2020. — Vol. 57, No. 6. — P. 064002.

16. Latyshev, A. V. Reflection electron microscopy study of clean Si (111) surface reconstruction during the (7 x 7) - (1 x 1) phase transition / A. V. Latyshev, A. B. Krasilnikov, A. L. Aseev, L. V. Sokolov, S. I. Stenin // Surf. Sci. — 1991. — Vol. 254, No. 1-3. — PP. 90-96.

17. Sitnikov, S. V. Advacancy-mediated atomic steps kinetics and two-dimensional negative island nucleation on ultra-flat Si (111) surface / S. V. Sitnikov, A. V. Latyshev, S. S. Kosolobov // J. Cryst. Growth. — 2017. — Vol. 457. — PP. 196-201.

18. Sheglov, D. V. Bottom-Up Generated Height Gauges for Silicon-Based Nanometrology / Dmitry V. Sheglov, Dmitry I. Rogilo, Liudmila I. Fedina, Sergey V. Sitnikov, Evgeny V. Sysoev, Alexander V. Latyshev // ACS Appl. Mater. Interfaces. — 2023. — Vol. 15, No. 9. — PP. 1251112523.

19. Ситников, С. Способ изготовления ступенчатого высотного калибровочного эталона и ступенчатый высотный калибровочный эталон : pat. RU 2649058 C1 / С. Ситников, С. Косолобов, А. Латышев.

20. Latyshev, A. . Electromigration and gold-induced step bunching on the Si (111) surface / A. .. Latyshev, H. Minoda, Y. Tanishiro, K. Yagi // Surf. Sci. — 1998. — Vol. 401, No. 1. — PP. 2233.

21. Latyshev, A. V. Reflection electron microscopy study of structural transformations on a clean silicon surface in sublimation, phase transition and homoepitaxy / A. V. Latyshev, A. L. Aseev, A. B. Krasilnikov, S. I. Stenin // Surf. Sci. — 1990. — Vol. 227, No. 1-2. — PP. 24-34.

22. Latyshev, A. V. Application of ultrahigh vacuum reflection electron microscopy for the study of clean silicon surfaces in sublimation, epitaxy, and phase transitions / A. V. Latyshev, A. B. Krasilnikov, A. L. Aseev // Microsc. Res. Tech. — 1992. — Vol. 20, No. 4. — PP. 341-351.

23. Mortensen, K. Frustration in the Si (111) '"pseudo 5x5"' Cu structure directly observed by scanning tunneling microscopy / K. Mortensen // Phys. Rev. Lett. — 1991. — Vol. 66, No. 4. — PP.461-464.

24. Morita, M. Growth of native oxide on a silicon surface / M. Morita, T. Ohmi, E. Hasegawa, M.

25

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

36

37

38

Kawakami, M. Ohwada // J. Appl. Phys. — 1990. — Vol. 68, No. 3. — PP. 1272-1281. Milekhin, I. A. Near-field infrared spectroscopy of SiOx nanowires / I. A. Milekhin, A. S. Kozhukhov, D. V. Sheglov, L. I. Fedina, A. G. Milekhin, A. V. Latyshev, D. R. T. Zahn // Appl. Surf. Sci. — 2022. — Vol. 584. — P. 152583.

Boero, M. E' Centers in silicon dioxide: first-principles molecular dynamics studies / Mauro Boero, Atsushi Oshiyama, Pier Luigi Silvestrelli // Mod. Phys. Lett. B. — 2004. — Vol. 18, No. 15. — PP. 707-724.

Mott Navill Mechanisms for the oxidation of silicon and the formation of charged defects / Mott Navill // Proc. R. Soc. London. A. Math. Phys. Sci. — 1981. — Vol. 376, No. 1765. — PP. 207215.

Mott, N. F. A theory of the formation of protective oxide films on metals / N. F. Mott // Trans. Faraday Soc. — 1939. — Vol. 35. — PP. 1175-1177.

Mott, N. F. The theory of the formation of protective oxide films on metals, II / N. F. Mott // Trans. Faraday Soc. — 1940. — Vol. 35. — PP. 472-483.

Mott, N. F. The theory of the formation of protective oxide films on metals.—III / N. F. Mott // Trans. Faraday Soc. — 1947. — Vol. 43. — PP. 429-434.

Lazzarino, M. Chemistry and formation process of Ga(Al)As oxide during local anodic oxidation nanolithography / M. Lazzarino, G. Mori, L. Sorba, D. Ercolani, G. Biasiol, S. Heun, A. Locatelli // Surf. Sci. — 2006. — Vol. 600, No. 18. — PP. 3739-3743.

Zhang, Y. High-mobility wide bandgap amorphous gallium oxide thin-film transistors for NMOS inverters / Yong Zhang, Chi-Hsin Huang, Kenji Nomura // Appl. Phys. Rev. — 2024. — Vol. 11, No. 1.

Tkachenko, V. A. Aharonov-Bohm oscillation amplitude in small ballistic interferometers / V. A. Tkachenko, Z. D. Kvon, D. V. Sheglov, A. V. Latyshev, A. I. Toropov, O. A. Tkachenko, D. G. Baksheyev, A. L. Aseev // J. Exp. Theor. Phys. Lett. — 2004. — Vol. 79, No. 3. — PP. 136-140. приведенные ранее, здесь и ниже единицы измерений утверждены в Российской Федерации посредством ГОСТа 8.417-2002.

Jennings, D. A. Direct frequency measurement of the I_2-stabilized He-Ne 473-THz (633-nm) laser / D. A. Jennings, J. L. Hall, H. P. Layer, C. R. Pollock, F. R. Petersen, R. E. Drullinger, K. M. Evenson, J. S. Wells // Opt. Lett. — 1983. — Vol. 8, No. 3. — P. 136. Quinn, T. J. Mise en Pratique of the Definition of the Metre (1992) / T. J. Quinn // Metrologia. — 1994. — Vol. 30, No. 5. — PP. 523-541.

Recommendation CCL1 (BIPM Com. Cons. Long.), 9th Meeting, 1997 [Electronic resource]. Orji, N. G. Metrology for the next generation of semiconductor devices / N. G. Orji, M. Badaroglu, B. M. Barnes, et al. // Nat. Electron. — 2018. — Vol. 1, No. 10. — PP. 532-547.

39. Yacoot, A. The lattice parameter of silicon: a secondary realisation of the metre / Andrew Yacoot, Harald Bosse, Ron Dixson // Meas. Sci. Technol. — 2020. — Vol. 31, No. 12. — P. 121001.

40. Recommendation of CCL/WG-N on: Realization of SI metre using height of monoatomic steps of crystalline silicon surfaces/ Version 1. 1 /ed. by Ludger Koenders (PTB), Ingo Busch (PTB), J0rgen Garnes (DFM), Andrew Yacoot (NPL) [Electronic resource].

41. Recommendation of CCL/WG-N on: Realization of SI metre using silicon lattice and Transmission Electron Microscopy for Dimensional Nanometrology / Version 1.1 / ed. by R. Dixson (NIST) [Electronic resource].

42. Yacoot, A. Recent developments in dimensional nanometrology using AFMs / Andrew Yacoot, Ludger Koenders // Meas. Sci. Technol. — 2011. — Vol. 22, No. 12. — P. 122001.

43. Wastl, D. S. Atomically Resolved Graphitic Surfaces in Air by Atomic Force Microscopy / Daniel S. Wastl, Alfred J. Weymouth, Franz J. Giessibl // ACS Nano. — 2014. — Vol. 8, No. 5. — PP. 5233-5239.

44. Nguyen, G. D. Atomically Precise PdSe 2 Pentagonal Nanoribbons / Giang D. Nguyen, Akinola D. Oyedele, Amanda Haglund, Wonhee Ko, Liangbo Liang, Alexander A. Puretzky, David Mandrus, Kai Xiao, An-Ping Li // ACS Nano. — 2020. — Vol. 14, No. 2. — PP. 1951-1957.

45. Andreas, B. Counting the atoms in a 28 Si crystal for a new kilogram definition / B. Andreas, Y. Azuma, G. Bartl, et al. // Metrologia. — 2011. — Vol. 48, No. 2. — PP. S1-S13.

46. Hill, T. P. Towards a better definition of the kilogram / Theodore P. Hill, Jack Miller, Albert C. Censullo // Metrologia. — 2011. — Vol. 48, No. 3. — PP. 83-86.

47. Steiner, R. L. Towards an electronic kilogram: an improved measurement of the Planck constant and electron mass / Richard L. Steiner, Edwin R. Williams, David B. Newell, Ruimin Liu // Metrologia. — 2005. — Vol. 42, No. 5. — PP. 431-441.

48. Robinson, I. A. Towards the redefinition of the kilogram: a measurement of the Planck constant using the NPL Mark II watt balance / I. A. Robinson // Metrologia. — 2012. — Vol. 49, No. 1. — PP. 113-156.

49. Bukhtiyarov, A. V. An XPS and STM study of the size effect in NO adsorption on gold nanoparticles / A. V. Bukhtiyarov, R. I. Kvon, A. V. Nartova, V. I. Bukhtiyarov // Russ. Chem. Bull. — 2011. — Vol. 60, No. 10. — PP. 1977-1984.

50. Бухтияров, А. В. Адсорбция оксида азота на модельных золотых катализаторах / А. В. Бухтияров, С. С. Косолобов, А. В. Нартова, Р. И. Квон // Вестник НГУ. Специальный Выпуск. — 2009. — Vol. 2. — PP. 14-17.

51. Medvedeva, D. A. Novel Cholesterol-Based Cationic Lipids for Gene Delivery / Darya A. Medvedeva, Mikhail A. Maslov, Roman N. Serikov, Nina G. Morozova, Galina A. Serebrenikova, Dmitry V. Sheglov, Alexander V. Latyshev, Valentin V. Vlassov, Marina A.

Zenkova // J. Med. Chem. — 2009. — Vol. 52, No. 21. — PP. 6558-6568.

52. Chepurov, A. A. Nanosculptures on round surfaces of natural diamonds / A. A. Chepurov, S. S. Kosolobov, D. V. Shcheglov, V. M. Sonin, A. I. Chepurov, A. V. Latyshev // Geol. Ore Depos.

— 2017. — Vol. 59, No. 3. — PP. 256-264.

53. Chepurov, A. A highly porous surface of synthetic monocrystalline diamond: Effect of etching by Fe nanoparticles in hydrogen atmosphere / Aleksei Chepurov, Valery Sonin, Dmitry Shcheglov, Alexander Latyshev, Evgeny Filatov, Alexander Yelisseyev // Int. J. Refract. Met. Hard Mater. — 2018. — Vol. 76. — PP. 12-15.

54. Алфимов, М. В. Имитационное моделирование процессов самоорганизации наночастиц / М. В. Алфимов, Р. М. Кадушников, Н. А. Штуркин, В. М. Алиевский, П. В. Лебедев-Степанов // Российские нанотехнологии. — 2006. — Vol. 1, No. 1-2. — PP. 127-133.

55. Лебедев-Степанов, П. В. Моделирование самосборки ансамблей микро- и наночастиц в испаряющейся микрокапле раствора / П. В. Лебедев-Степанов, Р. М. Кадушников, С. П. Молчанов, Н. И. Рубин, Н. А. Штуркин, М. В. Алфимов // Российские нанотехнологии. —

2011. — Vol. 6, No. 1-2. — PP. 83-88.

56. Surovtseva, M. A. Titanium oxide- and oxynitride-coated nitinol: Effects of surface structure and composition on interactions with endothelial cells / Maria A. Surovtseva, Olga V. Poveschenko, Oleg S. Kuzmin, et al. // Appl. Surf. Sci. — 2022. — Vol. 578. — P. 152059.

57. Manske, E. Recent developments and challenges of nanopositioning and nanomeasuring technology / Eberhard Manske, Gerd Jäger, Tino Hausotte, Roland Füßl // Meas. Sci. Technol. —

2012. — Vol. 23, No. 7. — P. 074001.

58. Тодуа, П. . Метрология в нанотехнологии / П. .. Тодуа // Российские нанотехнологии. — 2007. — Vol. 2, No. 1-2. — PP. 61-69.

59. Тодуа, П. А. Метрологическое обеспечение измерений длины в микрометровом и нанометровом диапазонах и их внедрение в микроэлектронику и нанотехнологию. Ч. I / П. А. Тодуа, В. А. Быков, Ч. П. Волк, et al. // Микросистемная техника. — 2004. — No. 1.

— PP. 38-44.

60. Тодуа, П. А. Метрологическое обеспечение измерений длины в микрометровом и нанометровом диапазонах и их внедрение в микроэлектронику и нанотехнологию. Ч. II / П. А. Тодуа, В. А. Быков, Ч. П. Волк, et al. // Микросистемная техника. — 2004. — No. 2.

— PP. 24-39.

61. Тодуа, П. А. Метрологическое обеспечение измерений длины в микрометровом и нанометровом диапазонах и их внедрение в микроэлектронику и нанотехнологию. Ч. III / П. А. Тодуа, В. А. Быков, Ч. П. Волк, et al. // Микросистемная техника. — 2004. — No. 3.

— PP. 25-32.

62. Тодуа, П. . Метрология и стандартизация в нанотехнологиях / П. .. Тодуа // фотоника. — 2010. — No. 1(19). — PP. 2-9.

63. Hrabina, J. Multidimensional interferometric tool for the local probe microscopy nanometrology / Jan Hrabina, Josef Lazar, Petr Klapetek, Ondrej Cip // Meas. Sci. Technol. — 2011. — Vol. 22, No. 9. — P. 094030.

64. Guo, T. Development of a Hybrid Atomic Force Microscopic Measurement System Combined with White Light Scanning Interferometry / Tong Guo, Siming Wang, Dante J. Dorantes-Gonzalez, Jinping Chen, Xing Fu, Xiaotang Hu // Sensors. — 2011. — Vol. 12, No. 1. — PP. 175-188.

65. Ducourtieux, S. Development of a metrological atomic force microscope with minimized Abbe error and differential interferometer-based real-time position control / Sebastien Ducourtieux, Benoit Poyet // Meas. Sci. Technol. — 2011. — Vol. 22, No. 9. — P. 094010.

66. Korpelainen, V. Measurement strategies and uncertainty estimations for pitch and step height calibrations by metrological atomic force microscope / Virpi Korpelainen // J. Micro/Nanolithography, MEMS, MOEMS. — 2012. — Vol. 11, No. 1. — P. 011002.

67. Dai, G. Metrological AFMs and its application for versatile nano-dimensional metrology tasks / Gaoliang Dai, T. Dziomba, F. Pohlenz, H. U. Danzebrink, L. Koenders. — 2010. — P. 754446.

68. Cresswell, M. W. Comparison of SEM and HRTEM CD Measurements Extracted From Test Structures Having Feature Linewidths From 40 to 240 nm / Michael W. Cresswell, Richard A. Allen, William F. Guthrie, Christine E. Murabito, Ronald G. Dixson, Amy Hunt // IEEE Trans. Instrum. Meas. — 2008. — Vol. 57, No. 1. — PP. 100-109.

69. Toth, M. Nanostructure Fabrication by Ultra-High-Resolution Environmental Scanning Electron Microscopy / Milos Toth, Charlene J. Lobo, W. Ralph Knowles, Matthew R. Phillips, Michael T. Postek, Andras E. Vladar // Nano Lett. — 2007. — Vol. 7, No. 2. — PP. 525-530.

70. Данилова, М. А. Tecr-объект с шириной линии менее 10 нм для растровой электронной микроскопии / М. А. Данилова, В. Б. Митюхляев, Ю. А. Новиков, Ю. В. Озерин, А. В. Раков, П. А. Тодуа // Измерительная техника. — 2008. — No. 8. — PP. 20-23.

71. Meli, F. International comparison in the field of nanometrology: pitch of 1D gratings (Nano4) / F. Meli // 2nd Euspen (European Society for Precision Engineering) International Conference. — Turin, Italy, 2001. — PP. 358-361.

72. Misumi, I. Final report on Supplementary Comparison APMP.L-S2: Bilateral comparison on pitch measurements of nanometric lateral scales (50 nm and 100 nm) between NMIJ/AIST (Japan) and PTB (Germany) / I. Misumi, G. Dai, G. S. Peng // Metrologia. — 2007. — Vol. 44. — P. 04006.

73. Misumi, I. Bilateral comparison of 25 nm pitch nanometric lateral scales for metrological

scanning probe microscopes / Ichiko Misumi, Gaoliang Dai, Mingzi Lu, Osamu Sato, Kentaro Sugawara, Satoshi Gonda, Toshiyuki Takatsuji, Hans-Ulrich Danzebrink, Ludger Koenders // Meas. Sci. Technol. — 2010. — Vol. 21, No. 3. — P. 035105.

74. Dixson, R. G. Multilaboratory comparison of traceable atomic force microscope measurements of a 70-nm grating pitch standard / Ronald G. Dixson, Donald A. Chernoff, Shihua Wang, Theodore V. Vorburger, Siew-Leng Tan, Ndubuisi G. Orji, Joseph Fu // J. Micro/Nanolithography, MEMS, MOEMS. — 2011. — Vol. 10, No. 1. — P. 013015.

75. Garnaes, J. Nanometre scale transfer standards / J. Garnaes, N. Kofod, J. F. Jorgensen, et al. // Precis. Eng. Nanotechnol. — 1999. — Vol. 2. — PP. 134-137.

76. rOCPEECTP CH № 33598-06.

77. Novikov, Y. A. Method for linear measurements in the nanometre range / Yu A. Novikov, Yu V Ozerin, A. V Rakov, P. A. Todua // Meas. Sci. Technol. — 2007. — Vol. 18, No. 2. — PP. 367374.

78. Novikov, Y. A. Test objects with right-angled and trapezoidal profiles of the relief elements / Yu. A. Novikov, V. P. Gavrilenko, A. V. Rakov, P. A. Todua / ed. by M. T. Postek, J. A. Allgair. — 2008. — P. 704208.

79. Gavrilenko, V. P. Test objects for calibration of SEMs and AFMs operating at the nanoscale / V. P. Gavrilenko, Yu A. Novikov, A. V. Rakov, P. A. Todua / ed. by C. Gorecki, A. K. Asundi, W. Osten. — 2010. — P. 77180Y.

80. rOCPEECTP CH № 41678-09.

81. Datta, A. Quantum metrology without quantum entanglement / A. Datta, A. Shaji // Mod. Phys. Lett. B. — 2012. — Vol. 26, No. 18. — P. 1230010.

82. Junk, V. Cosmic microwave background bispectrum from the lensing-Rees-Sciama correlation reexamined: Effects of nonlinear matter clustering / Veronika Junk, Eiichiro Komatsu // Phys. Rev. D. — 2012. — Vol. 85, No. 12. — P. 123524.

83. Binnig, G. Surface Studies by Scanning Tunneling Microscopy / G. Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber, E. Weibel // Phys. Rev. Lett. — 1982. — Vol. 49, No. 1. — PP. 57-61.

84. Binnig, G. Atomic Force Microscope / G. Binnig, C. F. Quate, Ch. Gerber // Phys. Rev. Lett. — 1986. — Vol. 56, No. 9. — PP. 930-933.

85. Atamny, F. On the imaging mechanism of monatomic steps in graphite / F. Atamny, T. F. Fässler, A. Baiker, R. Schlögl // Appl. Phys. A Mater. Sci. Process. — 2000. — Vol. 71, No. 4. — PP. 441-447.

86. Fujii, T. Atomic force microscope for direct comparison measurement of step height and crystalline lattice spacing / Toru Fujii, Katsuhiko Imabori, Hideki Kawakatsu, Shunji Watanabe, Hannes Bleuler // Nanotechnology. — 1999. — Vol. 10, No. 4. — PP. 380-384.

87. Suzuki, M. Standardized procedure for calibrating height scales in atomic force microscopy on the order of 1 nm / M. Suzuki, S. Aoyama, T. Futatsuki, et al. // J. Vac. Sci. Technol. A Vacuum, Surfaces, Film. — 1996. — Vol. 14, No. 3. — PP. 1228-1232.

88. Wolf, Н. F. Silicon semiconductor data / Н. F. Wolf. — New York : Pergamon Press, 1969. — 648 p.

89. Tsai, V. W. The study of silicon stepped surfaces as atomic force microscope calibration standards with a calibrated AFM at NIST / V. W. Tsai, T. Vorburger, R. Dixson, J. Fu, R. Koning, R. Silver, E. D. Williams // The 1998 international conference on characterization and metrology for ULSI technology. — ASCE, 1998. — PP. 839-842.

90. Dixson, R. G. Silicon single atom steps as AFM height standards / Ronald G. Dixson, Ndubuisi G. Orji, Joseph Fu, et al. / ed. by N. T. Sullivan. — 2001. — P. 157.

91. Orji, N. G. Traceable pico-meter level step height metrology / Ndubuisi G. Orji, Ronald G. Dixson, Joseph Fu, Theodore V. Vorburger // Wear. — 2004. — Vol. 257, No. 12. — PP. 12641269.

92. http://www.ntmdt-tips.com/catalog/golden.html.

93. Линник, В. П. Прибор для интерференционного исследования отражающих объектов под микроскопом ("микроинтерферометр") / В. П. Линник // ДАН СССР. — 1933. — No. 1. — PP.18-23.

94. Michelson, A. A. The Relative Motion of the Earth and the Luminiferous Ether (Nobel Prize 1907) / Albert A. Michelson // Am. J. Sci. — 1881. — Vol. 22, No. 128. — PP. 120-129.

95. http://www.mikroskope.ru/lomo_micro_mii4m.html.

96. Apostol, D. Nanometrology of microsystems: Interferometry / D. Apostol, V. Damian, P. C. Logofatu // Rom. Reports Phys. — 2008. — Vol. 60, No. 3. — PP. 815-828.

97. Noguchi, M. Interferometer for the measurement of surface profile which introduces a spatial carrier by tilting the reference mirror : pat. US5432606A / Masato Noguchi, Masahiro Oono. — 1995.

98. Cohen, D. K. Rough surface profiler and method : pat. US5355221A / Donald K. Cohen, Paul J. Caber, Chris P. Brophy. — 1993.

99. Сысоев, Е. В. Способ измерения профиля поверхности : pat. RU2245515C2 / Е. В. Сысоев, И. В. Голубев. — 2003.

100. Ландсберг, Г. С. Оптика, 5 изд. (Общий курс физики) / Г. С. Ландсберг. — Москва : Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1976. — 928 p.

101. Захарьевский, А. Н. Интерферометры / Александр Николаевич Захарьевский / ed. by С. И. Фрейберга. — Москва : Оборонгиз, 1952. — 296 p.

102. Малышев, В. И. Введение в экспериментальную спектроскопию [Учеб. пособие для физ.

спец. вузов] / В. И. Малышев. — Москва : Наука, 1979. — 478 p.

103. Крылов, К. И. Применение лазеров в машиностроении и приборостроении / К. И. Крылов, В. Т. Прокопенко, А. .. Митрофанов. — Ленинград : Машиностроение. Ленингр. отд-ние, 1978. — 335 p.

104. Физическая энциклопедия т.2 / ed. by А. М. Прохорова. — Москва : Советская энциклопедия, 1988. — 171 p.

105. https://www.ligo.org/.

106. Bergamin, A. Lattice parameter and thermal expansion of monocrystalline silicon / A. Bergamin, G. Cavagnero, G. Mana, G. Zosi // J. Appl. Phys. — 1997. — Vol. 82, No. 11. — PP. 5396-5400.

107. Stoyanov, S. Heating Current Induced Conversion between 2*1 and 1*2 Domains at Vicinal (001) Si Surfaces-Can it be Explained by Electromigration of Si Adatoms? / S. Stoyanov // Jpn. J. Appl. Phys. — 1990. — Vol. 29, No. 4. — PP. L659-L662.

108. Natori, A. Step structure transformation of Si (001) surface induced by current / Akiko Natori, Hiroki Fujimura, Hitoshi Yasunaga // Jpn. J. Appl. Phys. — 1992. — Vol. 31. — PP. 1164-1169.

109. Khare, S. V. Dynamics of step doubling: simulations for a simple model and comparison with experiment / S. V. Khare, T. L. Einstein, N. C. Bartelt // Surf. Sci. — 1995. — Vol. 339, No. 3. — PP.353-362.

110. Kandel, D. Step motion, patterns, and kinetic instabilities on crystal surfaces / Daniel Kandel, John D. Weeks // Phys. Rev. Lett. — 1994. — Vol. 72, No. 11. — PP. 1678-1681.

111. Latyshev, A. V. Adatom effective charge in morphology evolution on Si (111) surface / A. V. Latyshev, H. Minoda, Y. Tanishiro, K. Yagi // Appl. Surf. Sci. — 1998. — Vol. 130-132. — PP. 60-66.

112. Косолобов, С. С. Атомные ступени на поверхности кремния (111) при субмонослойной адсорбции золота / С. С. Косолобов, А. В. Латышев // Известия РАН. Серия физическая. — 2008. — Vol. 72. — P. 193.

113. Kosolobov, S. S. Instability of the distribution of atomic steps on Si (111) upon submonolayer gold adsorption at high temperatures / S. S. Kosolobov, S. A. Song, L. I. Fedina, A. K. Gutakovskii, A. V. Latyshev // J. Exp. Theor. Phys. Lett. — 2005. — Vol. 81, No. 3. — PP. 117121.

114. Kosolobov, S. S. In situ study of the interaction of oxygen with the Si (111) surface by ultrahigh-vacuum reflection electron microscopy / S. S. Kosolobov, A. L. Aseev, A. V. Latyshev // Semiconductors. — 2001. — Vol. 35, No. 9. — PP. 1038-1044.

115. Latyshev, A. V. Peculiarities of step bunching on Si (001) surface induced by DC heating / A. V. Latyshev, L. V. Litvin, A. L. Aseev // Appl. Surf. Sci. — 1998. — Vol. 130-132. — PP. 139145.

116. Щеглов, Д. В. Способ изготовления ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии : pat. Патент РФ № RU2371674 (опубликован 2009.10.27), бюл.№30 / Д. В. Щеглов, С. С. Косолобов, Е. Е. Родякина, А. В. Латышев. — 2009. — P. 28.

117. Sheglov, D. Applications of Atomic Force Microscopy in Epitaxial Nanotechnology / D. Sheglov, S. Kosolobov, E. Rodyakina, A. Latyshev // Microsc. Anal. — 2005. — Vol. 19, No. 5. — PP. 911.

118. Д.В. Щеглов, ЛИ, Федина, А. В. Л. КРЕМНИЕВАЯ МЕТРОЛОГИЯ В РАЗВИТИИ НАНОТЕХНОЛОГИЙ / А. В. Латышев Д.В. Щеглов, Л И, Федина. — Новосибирск : Параллель, 2018. — 184 p.

119. Латышев, А. В. Поведение моноатомных ступеней на поверхности кремния (111) при сублимации в условиях нагрева электрическим током / А. В. Латышев, А. Л. Асеев, А. Б. Красильников, А. В. Ржанов, С. И. Стенин // Доклады Академии наук СССР. — 1988. — Vol. 300, No. 1. — PP. 84-88.

120. Уизем, Д. Линейные и нелинейные волны / Дж. Уизем. — Москва : "Мир," 1973. — 554 p.

121. Щеглов Д.В., Косолобов С.С., Федина Л.И., Родякина Е.Е., Гутаковский А.К., Ситников С.В., Кожухов А.С., Загарских С.А., Копытов В.В., Евграфов В.И., Шувалов Г.В., Матвейчук В.Ф., Л. А. В. ВЫСОКОТОЧНЫЕ МЕРЫ ЛИНЕЙНЫХ РАЗМЕРОВ В НАНОДИАПАЗОНЕ / Латышев А. В. Щеглов Д.В., Косолобов С.С., Федина Л.И., Родякина Е.Е., Гутаковский А.К., Ситников С.В., Кожухов А.С., Загарских С.А., Копытов В.В., Евграфов В.И., Шувалов Г.В., Матвейчук В.Ф. // Российские нанотехнологии. — 2013. — Vol. 8, No. 7-8. — PP. 84-94.

122. Насимов Д.А., Щеглов Д.В., Л. А. В. Атомные ступени на поверхности кремния как тест-объект высоты в атомно-силовой микроскопии / Латышев А. В. Насимов Д.А., Щеглов Д.В. // Вестник Новосибирского государственного университета. Серия: Физика. — 2009. — Vol. 4, No. 1. — P. 47.

123. Родякина, Е. Е. Электромиграция атомов кремния на поверхности кремния (111) / Е. Е. Родякина, С. С. Косолобов, А. В. Латышев // Вестник НГУ. — 2011. — Vol. 6, No. 2. — PP. 65-76.

124. Федина, Л. И. Прецизионные измерения параметров наноструктур / Л. И. Федина, Д. В. Щеглов, А. К. Гутаковский, С. С. Косолобов, А. В. Латышев // Автометрия. — 2010. — Vol. 46, No. 4. — PP. 5-18.

125. Fedina, L. I. Precise surface measurements at the nanoscale / L. I. Fedina, D. V. Sheglov, S. S. Kosolobov, A. K. Gutakovskii, A. V. Latyshev // Meas. Sci. Technol. — 2010. — Vol. 21, No. 5. — P. 054004.

126. Родякина, Е. Е. Способ изготовления ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии : pat. Патент РФ № RU2540000 (опубликован 27.01.2015), / Е. Е. Родякина, Д. В. Щеглов, С. С. Косолобов, А. В. Латышев.

— 2015. — P. 46.

127. Watanabe, H. Reflection high-energy electron diffraction intensity oscillation during layer-by-layer oxidation of Si (001) surfaces / Heiji Watanabe, Toshio Baba, Masakazu Ichikawa // Appl. Phys. Lett. — 1999. — Vol. 74, No. 22. — PP. 3284-3286.

128. Hasunuma, R. Interface states of SiO2/Si (111) observed by an atomic force microscope / Ryu Hasunuma, Yasushiro Nishioka, Atsushi Ando, Kazushi Miki // Surf. Sci. — 1999. — Vol. 443, No. 3. — PP. L1055-L1058.

129. Ando, A. Characterization of ultrathin SiOx layers formed on a spatially controlled atomic-step-free Si (001) surface / Atsushi Ando, Kunihiro Sakamoto, Kazushi Miki, Kazuhiko Matsumoto, Tsunenori Sakamoto // Appl. Surf. Sci. — 1999. — Vol. 144-145. — PP. 589-592.

130. Kosolobov, S. S. Atomic Force Microscopy of Silicon Stepped Surface / S. S. Kosolobov, D. A. Nasimov, D. V. Sheglov, E. E. Rodyakina, A. V. Latyshev // Phys. Low-Dim. Struct. — 2002. — Vol. 5-6. — PP. 231-238.

131. Nasimov, D. A. AFM and STM Studies of Quenched Si (111) Surface Nasimov Sheglov Rodyakina Kosolobov Fedina Teys Latyshev.pdf / D. A. Nasimov, D. V. Sheglov, E. E. Rodyakina, S. S. Kosolobov, L. I. Fedina, S. A. Teys, A. V. Latyshev // Phys. Low-Dim. Struct.

— 2003. — Vol. 3-4. — PP. 157-166.

132. Chida, M. Growth mechanism of 7*7 domains from the '1*1' phase on a quenched Si (111) surface studied by high temperature STM / Mitsuru Chida, Yasumasa Tanishiro, Hiroki Minoda, Katsumichi Yagi // Surf. Sci. — 1999. — Vol. 423, No. 1. — PP. L236-L243.

133. Alperovich, V. L. Surface passivation and morphology of GaAs(1 0 0) treated in HCl-isopropanol solution / V. L. Alperovich, O. E. Tereshchenko, N. S. Rudaya, D. V. Sheglov, A. V. Latyshev, A. S. Terekhov // Appl. Surf. Sci. — 2004. — Vol. 235, No. 3. — PP. 249-259.

134. Huang, P. Y. Quantitative Atomic-resolution Imaging and Spectroscopy of a 2D Silica Glass / P. Y. Huang, R. Hovden, Q. Mao, et al. // Microsc. Microanal. — 2012. — Vol. 18, No. S2. — PP. 340-341.

135. Petrov, A. S. 2D island nucleation controlled by nanocluster diffusion during Si and Ge epitaxy on Si(1 1 1)-(7 * 7) surface at elevated temperatures / A. S. Petrov, D. I. Rogilo, D. V. Sheglov, A. V. Latyshev // J. Cryst. Growth. — 2020. — Vol. 531. — P. 125347.

136. Rogilo, D. I. Adatom concentration distribution on an extrawide Si (111) terrace during sublimation / D. I. Rogilo, N. E. Rybin, L. I. Fedina, A. V. Latyshev // Optoelectron. Instrum. Data Process. — 2016. — Vol. 52, No. 5. — PP. 501-507.

137. Yang, Y. N. Metastable Reconstructions on Si (111) / Y. N. Yang, E. D. Williams // Scanning Microsc. — 1994. — Vol. 8, No. 4. — PP. 781-794.

138. Homma, Y. Ultra-Large-Scale Step-Free Terraces Formed at the Bottom of Craters on Vicinal Si (111) Surfaces / Yoshikazu Homma, Noriyuki Aizawa, Toshio Ogino // Jpn. J. Appl. Phys. — 1996. — Vol. 35, No. 2B. — P. L241.

139. Yang, Y.-N. High atom density in the "'1* 1"' phase and origin of the metastable reconstructions on Si (111) / Y. N. Yang, E. D. Williams // Phys. Rev. Lett. — 1994. — Vol. 72, No. 12. — PP. 1862-1865.

140. Ong, W. J. Real time dynamics of Si magic clusters mediating phase transformation: Si (111)-(1 * 1) to (7 * 7) reconstruction revisited / Wei Jie Ong, Eng Soon Tok // Surf. Sci. — 2012. — Vol. 606, No. 13-14. — PP. 1037-1044.

141. Leibsle, F. M. Oxidation of Si (111)-(7*7) as studied by scanning tunneling microscopy / F. M. Leibsle, A. Samsavar, T. C. Chiang // Phys. Rev. B. — 1988. — Vol. 38, No. 8. — PP. 57805783.

142. Onoda, J. Initial and secondary oxidation products on the Si (111)-(7 * 7) surface identified by atomic force microscopy and first principles calculations / Jo Onoda, Martin Ondrâcek, Ayhan Yurtsever, Pavel Jelinek, Yoshiaki Sugimoto // Appl. Phys. Lett. — 2014. — Vol. 104, No. 13.

143. Takayanagi, K. Structure analysis of Si (111)-7 * 7 reconstructed surface by transmission electron diffraction / Kunio Takayanagi, Yasumasa Tanishiro, Shigeki Takahashi, Masaetsu Takahashi // Surf. Sci. — 1985. — Vol. 164, No. 2-3. — PP. 367-392.

144. Becker, R. S. Tunneling Images of Atomic Steps on the Si (111)7*7 Surface / R. S. Becker, J. A. Golovchenko, E. G. McRae, B. S. Swartzentruber // Phys. Rev. Lett. — 1985. — Vol. 55, No. 19. — PP. 2028-2031.

145. Monig, H. Submolecular Imaging by Noncontact Atomic Force Microscopy with an Oxygen Atom Rigidly Connected to a Metallic Probe / Harry Monig, Diego R. Hermoso, Oscar Diaz Arado, Milica Todorovic, Alexander Timmer, Simon Schuer, Gernot Langewisch, Rubén Pérez, Harald Fuchs // ACS Nano. — 2016. — Vol. 10, No. 1. — PP. 1201-1209.

146. Lee, H. On-Demand 3D Printing of Nanowire Probes for High-Aspect-Ratio Atomic Force Microscopy Imaging / Heekwon Lee, Zhuofei Gan, Mojun Chen, et al. // ACS Appl. Mater. Interfaces. — 2020. — Vol. 12, No. 41. — PP. 46571-46577.

147. Massa, E. The lattice parameter of the 28 Si spheres in the determination of the Avogadro constant / E. Massa, G. Mana, L. Ferroglio, E. G. Kessler, D. Schiel, S. Zakel // Metrologia. — 2011. — Vol. 48, No. 2. — PP. S44-S49.

148. Zhang, F. Large Scale Anomalous Patterns of Muscovite Mica Discovered by Atomic Force Microscopy / Feng Zhang, Ping Zhang, Jiahua Hou, Xiaoling Yun, Wanrong Li, Qiqige Du,

Youjun Chen // ACS Appl. Mater. Interfaces. — 2015. — Vol. 7, No. 16. — PP. 8699-8705.

149. Щеглов, Д. В. Способ изготовления ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии : pat. Патент РФ № RU2407101 (опубликован 20.12.2010), бюл. №35 / Д. В. Щеглов, С. С. Косолобов, Е. Е. Родякина, А. В. Латышев. — 2010. — P. 49.

150. Homma, Y. Sublimation of the Si (111) surface in ultrahigh vacuum / Yoshikazu Homma, Hiroki Hibino, Toshio Ogino, Noriyuki Aizawa // Phys. Rev. B. — 1997. — Vol. 55, No. 16. — PP. R10237-R10240.

151. Hibino, H. Structural and morphological changes on surfaces with multiple phases studied by low-energy electron microscopy / H. Hibino, Y. Homma, C. W. Hu, M. Uwaha, T. Ogino, I. S. T. Tsong // Appl. Surf. Sci. — 2004. — Vol. 237, No. 1-4. — PP. 51-57.

152. Homma, Y. Morphological instability of atomic steps observed on Si (111) surfaces / Y. Homma, P. Finnie, M. Uwaha // Surf. Sci. — 2001. — Vol. 492, No. 1-2. — PP. 125-136.

153. Finnie, P. Stability-Instability Transitions in Silicon Crystal Growth / P. Finnie, Y. Homma // Phys. Rev. Lett. — 2000. — Vol. 85, No. 15. — PP. 3237-3240.

154. Homma, Y. Sublimation of a heavily boron-doped Si (111) surface / Yoshikazu Homma, Hiroki Hibino, Toshio Ogino, Noriyuki Aizawa // Phys. Rev. B. — 1998. — Vol. 58, No. 19. — PP.13146-13150.

155. Ситников, С. В. Способ формирования плоских гладких поверхностей твердотельных материалов : pat. Патент РФ № RU 2453874, Бюл. №17 / С. В. Ситников, С. С. Косолобов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев. — 2012. — P. 33.

156. Sheglov, D. V. From Self-Organization of Monoatomic Steps on the Silicon Surface to Subnanometer Metrology / D. V. Sheglov, S. V. Sitnikov, L. I. Fedina, D. I. Rogilo, A. S. Kozhukhov, A. V. Latyshev // Optoelectron. Instrum. Data Process. — 2020. — Vol. 56, No. 5.

— PP. 533-544.

157. Burton, W. K. The growth of crystals and the equilibrium structure of their surfaces / W. K. Burton, N. Cabrera, F. C. Frank // Philos. Trans. R. Soc. London A Math. Phys. Eng. Sci. — 1951.

— Vol. 243. — PP. 299-358.

158. Degawa, M. New phase diagram of step instabilities on Si (111) vicinal surfaces induced by DC annealing / Masashi Degawa, Hiroki Minoda, Yasumasa Tanishiro, Katumichi Yagi // J. Phys. Soc. Japan. — 2001. — Vol. 70, No. 4. — PP. 1026-1034.

159. Вишняков, Г. Н. Интерференционная микроскопия субнанометрового разрешения по глубине. Экспериментальные исследования / Г. Н. Вишняков, Г. Г. Левин, В. Л. Минаев, И. Ю. Цельмина // Оптика и спектроскопия. — 2013. — Vol. 116, No. 1. — P. 170.

160. Минаев, В. Л. Измерение профиля поверхности моноатомной многослойной

наноструктуры кремния интерференционным методом / В. Л. Минаев, Г. Г. Левин, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев // Измерительная техника. — 2017. — Vol. 11. — PP. 12-14.

161. Sheglov, D. V. High-precision nanoscale length measurement / D. V. Sheglov, S. S. Kosolobov, L. I. Fedina, et al. // Nanotechnologies Russ. — 2013. — Vol. 8, No. 7-8. — PP. 518-531.

162. Щеглов, Д. В. Разработка и аттестация комплекта мер степп-ифп-1 для обеспечения единства измерений в нанометровом диапазоне / Д. В. Щеглов, С. С. Косолобов, А. В. Латышев, В. Ф. Матвейчук, В. В. Копытов, В. И. Евграфов, Г. В. Шувалов, С. А. Загарских, К. В. Тукмачев // Датчики и системы. — 2012. — Vol. 6, No. 157. — PP. 21-23.

163. Шувалов, Г. В. Метрологическое обеспечения измерений параметров нанопорошков металлов, используемых в топливо-смазочных материалах / Г. В. Шувалов, А. П. Ильин, И. В. Клековкин, В. Ф. Матвейчук, А. В. Латышев, Д. В. Щеглов // Научные проблемы транспорта Сибири и Дальнего Востока. — 2012. — Vol. 2. — PP. 213-216.

164. Gao, F. Surface measurement errors using commercial scanning white light interferometers / F. Gao, R. K. Leach, J. Petzing, J. M. Coupland // Meas. Sci. Technol. — 2008. — Vol. 19, No. 1.

— P. 015303.

165. Sysoev, E. Interferometric Surface Relief Measurements with Subnano/Picometer Height Resolution / Evgeny Sysoev, Sergey Kosolobov, Rodion Kulikov, Alexander Latyshev, Sergey Sitnikov, Ignat Vykhristyuk // Meas. Sci. Rev. — 2017. — Vol. 17, No. 5. — PP. 213-218.

166. Выхристюк, И. А. Повышение достоверности интерфереционных измерений при использовании нескольких длин волн / И. А. Выхристюк, Р. В. Куликов, Е. В. Сысоев // Автометрия. — 2018. — Vol. 5. — PP. 64-72.

167. Сысоев, Е. В. Измерение межатомного расстояния в кристаллической решётке кремния с использованием оптического сканирующего интерферометра / Е. В. Сысоев, А. В. Латышев // Автометрия. — 2021. — Vol. 57, No. 6. — PP. 3-11.

168. Butt, H.-J. Force measurements with the atomic force microscope: Technique, interpretation and applications / Hans-Jürgen Butt, Brunero Cappella, Michael Kappl // Surf. Sci. Rep. — 2005. — Vol. 59, No. 1-6. — PP. 1-152.

169. Chen, X. Scanning Tunneling Microscopy Studies of Topological Insulators Grown by Molecular Beam Epitaxy / Xi Chen, Ke He, Xucun Ma, Qikun Xue // EPJ Web Conf. — 2012. — Vol. 23.

— P. 00020.

170. Young, R. Observation of Metal-Vacuum-Metal Tunneling, Field Emission, and the Transition Region / Russell Young, John Ward, Fred Scire // Phys. Rev. Lett. — 1971. — Vol. 27, No. 14.

— PP. 922-924.

171. Young, R. D. Surface microtopography / Russell D. Young // Phys. Today. — 1971. — Vol. 24, No. 11. — PP. 42-49.

172. Young, R. The Topografiner: An Instrument for Measuring Surface Microtopography / Russell Young, John Ward, Fredric Scire // Rev. Sci. Instrum. — 1972. — Vol. 43, No. 7. — PP. 9991011.

173. Binnig, G. Tunneling through a controllable vacuum gap / G. Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber, E. Weibel // Appl. Phys. Lett. — 1982. — Vol. 40, No. 2. — PP. 178-180.

174. Binnig, G. 7 * 7 Reconstruction on Si (111) Resolved in Real Space / G. Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber, E. Weibel // Phys. Rev. Lett. — 1983. — Vol. 50, No. 2. — PP. 120-123.

175. Itaya, K. I n s i t u scanning tunneling microscopy of platinum (111) surface with the observation of monatomic steps / K. Itaya, S. Sugawara, K. Sashikata, N. Furuya // J. Vac. Sci. Technol. A Vacuum, Surfaces, Film. — 1990. — Vol. 8, No. 1. — PP. 515-519.

176. Sashikata, K. I n s i t u electrochemical scanning tunneling microscopy of single-crystal surfaces of Pt(111), Rh(111), and Pd(111) in aqueous sulfuric acid solution / Kenji Sashikata, Nagakazu Furuya, Kingo Itaya // J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct. Process. Meas. Phenom. — 1991. — Vol. 9, No. 2. — PP. 457-464.

177. Manne, S. Electrochemistry on a gold surface observed with the atomic force microscope / S. Manne, J. Massie, V. B. Elings, P. K. Hansma, A. A. Gewirth // J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct. Process. Meas. Phenom. — 1991. — Vol. 9, No. 2. — PP. 950954.

178. Tao, N. J. Observations of the 22*V3 reconstruction of Au(111) under aqueous solutions using scanning tunneling microscopy / N. J. Tao, S. M. Lindsay // J. Appl. Phys. — 1991. — Vol. 70, No. 9. — PP. 5141-5143.

179. Быков, В. А. Микромеханика для сканирующей зондовой микроскопии и нанотехнологии / В. А. Быков // Микросистемная техника. — 2000. — No. 17.

180. Ankudinov, A. V. Nanorelief of an oxidized cleaved surface of a grid of alternating Ga0.7Al0.3As and GaAs heterolayers / A. V. Ankudinov, V. P. Evtikhiev, V. E. Tokranov, V. P. Ulin, A. N. Titkov // Semiconductors. — 1999. — Vol. 33, No. 5. — PP. 555-558.

181. Ankudinov, A. V. Kelvin probe force and surface photovoltage microscopy observation of minority holes leaked from active region of working InGaAs/AlGaAs/GaAs laser diode / A. V. Ankudinov, V. P. Evtikhiev, K. S. Ladutenko, M. G. Rastegaeva, A. N. Titkov, R. Laiho // J. Appl. Phys. — 2007. — Vol. 101, No. 2. — P. 024504.

182. Dunaevskiy, M. S. Kelvin probe force gradient microscopy of charge dissipation in nano thin dielectric layers / M. S. Dunaevskiy, P. A. Alekseev, P. Girard, E. Lahderanta, A. Lashkul, A. N. Titkov // J. Appl. Phys. — 2011. — Vol. 110, No. 8.

183. Mironov, V. L. Effect of the probe field in a magnetic force microscope on the magnetization distribution in samples / V. L. Mironov, A. A. Fraerman, O. L. Ermolaeva // Bull. Russ. Acad.

Sci. Phys. — 2008. — Vol. 72, No. 11. — PP. 1475-1478.

184. Bolshakova, A. V. Microbial Surfaces Investigated Using Atomic Force Microscopy / A. V. Bolshakova, O. I. Kiselyova, I. V. Yaminsky // Biotechnol. Prog. — 2004. — Vol. 20, No. 6. — PP.1615-1622.

185. Golovan, L. A. AFM investigation of nanoparticles formed on silicon surface by femtosecond laser pulses / L. A. Golovan, I. O. Djun, A. E. Dokukina, et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. — 2009. — Vol. 73, No. 1. — PP. 39-41.

186. Bukharaev, A. A. AFM investigation of selective etching mechanism of nanostructured silica / A. A. Bukharaev, N. I. Nurgazizov, A. A. Mozhanova, D. V. Ovchinnikov // Surf. Sci. — 2001.

— Vol. 482-485. — PP. 1319-1324.

187. Карбань, О. В. Применение современных методов исследования для изучения оксидных нанокерамик / О. В. Карбань, О. М. Канунникова, Е. И. Саламатов, Е. Н. Хазанов, С. И. Леесмент, О. И. Гончаров // Химическая физика и мезоскопия. — 2009. — Vol. 11, No. 4.

— PP. 499-511.

188. Tolstikhina, A. L. Particular artifacts of topographic images of dielectrics in atomic-force microscopy / A. L. Tolstikhina, R. V. Gaînutdinov, M. L. Zanaveskin, K. L. Sorokina, N. V. Belugina, Yu. V. Grishchenko // Crystallogr. Reports. — 2007. — Vol. 52, No. 5. — PP. 894900.

189. Bozhkov, V. G. Study of the properties of the surface of gallium arsenide by scanning atomic force microscopy / V. G. Bozhkov, N. A. Torkhov, I. V. Ivonin, V. A. Novikov // Semiconductors. — 2008. — Vol. 42, No. 5. — PP. 531-539.

190. Torkhov, N. A. AFM methods for studying the morphology and micromechanical properties of the membrane of human buccal epithelium cell / N. A. Torkhov, V. A. Buchelnikova, A. A. Mosunov, I. V. Ivonin // Sci. Rep. — 2023. — Vol. 13, No. 1. — P. 10917.

191. Panin, A. Fractal analysis of electromigration-induced changes of surface topography in Au conductor lines / Alexey Panin, Artur Shugurov, Juergen Schreiber // Surf. Sci. — 2003. — Vol. 524, No. 1-3. — PP. 191-198.

192. Ефимов, А. А. Определение эффективного радиуса острия зонда атомно-силового микроскопа с использованием монодисперсных наночастиц оксида кремния / А. А. Ефимов, В. В. Иванов, И. А. Волков, С. В. Лизунова, А.А., Лисовский, М. А. Ермакова // Метрология. — 2013. — No. 10. — PP. 32-37.

193. Sarid, D. Scanning Force Microscopy: With Applications to Electric, Magnetic, and Atomic Forces. Oxford Series in Optical and Imaging Sciences (Том 5) / Dror Sarid. — Oxford : Oxford University Press, 1994. — 284 p.

194. Lennard-Jones, J. E. On the determination of molecular fields. —II. From the equation of state of

a gas / J. E. Lennard-Jones // Proc. R. Soc. London. Ser. A, Contain. Pap. a Math. Phys. Character. — 1924. — Vol. 106, No. 738. — PP. 463-477.

195. Marinello, F. Error Sources in Atomic Force Microscopy for Dimensional Measurements: Taxonomy and Modeling / F. Marinello, S. Carmignato, A. Voltan, E. Savio, L. De Chiffre // J. Manuf. Sci. Eng. — 2010. — Vol. 132, No. 3.

196. Зайцев Б.П., Дурыманов А.Г., Бакулина Л.Ф., Генералов В.М. Исследование взаимодействия эритроцитов и вирусных частиц методом атомно-силовой микроскопии // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2003. - № 7. -С. 34-38. - EDN OOYBZV.

197. Ducker, W. A. Force measurement using an ac atomic force microscope / William A. Ducker, Robert F. Cook, David R. Clarke // J. Appl. Phys. — 1990. — Vol. 67, No. 9. — PP. 4045-4052.

198. Ueyama, H. Atomically Resolved InP(110) Surface Observed with Noncontact Ultrahigh Vacuum Atomic Force Microscope / Hitoshi Ueyama, Masahiro Ohta, Yasuhiro Sugawara, Seizo Morita Seizo Morita // Jpn. J. Appl. Phys. — 1995. — Vol. 34, No. 8B. — PP. L1086-L1088.

199. Bykov, V. A. Scanning Probe Microscopy Application for Biological Objects Investigation / V. A. Bykov, V. A. Fedirko // Spectrosc. Biol. Mol. / ed. by S. T. and J. P. H. J.C. Merlin. — Dordrecht : Springer Netherlands, 1995. — PP. 471-472.

200. Whangbo, M.-H. Tip-sample force interactions and surface stiffness in scanning probe microscopy / M. H. Whangbo, S. N. Magonov, H. Bengel // Probe Microsc. — 1997. — Vol. 1, No. 1. — PP. 23-42.

201. Tamayo, J. Effects of elastic and inelastic interactions on phase contrast images in tapping-mode scanning force microscopy / Javier Tamayo, Ricardo García // Appl. Phys. Lett. — 1997. — Vol. 71, No. 16. — PP. 2394-2396.

202. Martínez, N. F. Measuring phase shifts and energy dissipation with amplitude modulation atomic force microscopy / Nicolás F. Martínez, Ricardo García // Nanotechnology. — 2006. — Vol. 17, No. 7. — PP. S167-S172.

203. Tamayo, J. Relationship between phase shift and energy dissipation in tapping-mode scanning force microscopy / Javier Tamayo, Ricardo García // Appl. Phys. Lett. — 1998. — Vol. 73, No. 20. — PP. 2926-2928.

204. Anczykowski, B. How to measure energy dissipation in dynamic mode atomic force microscopy / B. Anczykowski, B. Gotsmann, H. Fuchs, J. P. Cleveland, V. B. Elings // Appl. Surf. Sci. — 1999. — Vol. 140, No. 3-4. — PP. 376-382.

205. Dubourg, F. Probing viscosity of a polymer melt at the nanometre scale with an oscillating nanotip / F. Dubourg, J. P. Aimé, S. Marsaudon, R. Boisgard, P. Leclère // Eur. Phys. J. E. — 2001. — Vol. 6, No. 1. — PP. 49-55.

206. Tamayo, J. Deformation, Contact Time, and Phase Contrast in Tapping Mode Scanning Force Microscopy / J. Tamayo, R. Garcia // Langmuir. — 1996. — Vol. 12, No. 18. — PP. 4430-4435.

207. Garcia, R. Phase contrast and surface energy hysteresis in tapping mode scanning force microsopy / Ricardo Garcia, Javier Tamayo, Alvaro San Paulo // Surf. Interface Anal. — 1999. — Vol. 27, No. 5-6. — PP. 312-316.

208. Hoffmann, P. M. Energy Dissipation in Atomic Force Microscopy and Atomic Loss Processes / Peter M. Hoffmann, Steve Jeffery, John B. Pethica, H. Özgür Özer, Ahmet Oral // Phys. Rev. Lett. — 2001. — Vol. 87, No. 26. — P. 265502.

209. Magonov, S. N. Characterization of Polymer Surfaces with Atomic Force Microscopy / Sergei N. Magonov, Darrell H. Reneker // Annu. Rev. Mater. Sci. — 1997. — Vol. 27, No. 1. — PP. 175222.

210. Sheglov, D. V. The deepness enhancing of an AFM-tip induced surface nanomodification / D. V. Sheglov, A. V. Latyshev, A. L. Aseev // Appl. Surf. Sci. — 2005. — Vol. 243, No. 1-4. — PP. 138-142.

211. Nunes, V. B. Cantilever's behavior in the AC mode of an AFM / V. B. Nunes, S. I. Zanette, A. O. Caride, R. Prioli, A. M. F. Rivas // Mater. Charact. — 2003. — Vol. 50, No. 2-3. — PP. 173177.

212. Magonov, S. N. Phase imaging and stiffness in tapping-mode atomic force microscopy / S. N. Magonov, V. Elings, M. H. Whangbo // Surf. Sci. — 1997. — Vol. 375, No. 2-3. — PP. L385-L391.

213. Spatz, J. P. Forces affecting the substrate in resonant tapping force microscopy / J. P. Spatz, S. Sheiko, M. Moller, R. G. Winkler, P. Reineker, O. Marti // Nanotechnology. — 1995. — Vol. 6, No. 2. — PP. 40-44.

214. Berquand, A. Influence of volume and surface properties on phase contrast in tapping mode atomic force microscopy / Alexandre Berquand, Pierre-Emmanuel Mazeran, Jean-Marc Laval // Surf. Sci. — 2003. — Vol. 523, No. 1-2. — PP. 125-130.

215. Basnar, B. Analytical evaluation of tapping mode atomic force microscopy for chemical imaging of surfaces / Bernhard Basnar, Gernot Friedbacher, Helmut Brunner, Thomas Vallant, Ulrich Mayer, Helmuth Hoffmann // Appl. Surf. Sci. — 2001. — Vol. 171, No. 3-4. — PP. 213-225.

216. Nguyen, T. Characterization of Coating System Interphases With Phase Imaging AFM / T. Nguyen, X. Gu, M. VanLandingham, M. Giraud, R. Dutruc-Rosset, R. Ryntz, D. Nguyen // 24th Annual Meeting of the Adhesion Society / ed. by J. A. Emerson. — Williamsburg, Blacksburg : The Adhesion Society, 2001. — PP. 68-70.

217. Mate, C. M. Atomic-Scale Friction of a Tungsten Tip on a Graphite Surface / C. Mathew Mate, Gary M. McClelland, Ragnar Erlandsson, Shirley Chiang // Phys. Rev. Lett. — 1987. — Vol. 59,

No. 17. — PP. 1942-1945.

218. Sheglov, D. V. Kinetic contrast in atomic force microscopy / D. V. Sheglov, A. V. Latyshev // J. Exp. Theor. Phys. — 2008. — Vol. 106, No. 2. — PP. 228-234.

219. Ren, N. The Effects of Surface Roughness and Topography on the Contact Behavior of Elastic Bodies / Ning Ren, Si C. Lee // J. Tribol. — 1994. — Vol. 116, No. 4. — PP. 804-810.

220. Bowden, F. P. The friction and lubrication of solids, Part. I / F. P. Bowden, D. Tabor. — Oxford : Clarendon Press, 1950. — 337 p.

221. Bowden, F. P. The Friction and Lubrication of Solids, Part. II / F. P. Bowden, D. Tabor. — Oxford : Clarendon Press, 1964. — 544 p.

222. Latyshev, A. V. Direct UHV REM observation of the behaviour of monatomic steps on the silicon (111) surface / A. V. Latyshev, A. B. Krasilnikov, A. L. Aseev // Phys. Status Solidi. — 1994. — Vol. 146, No. 1. — PP. 251-257.

223. Krasilnikov, A. B. Monoatomic step clustering during superstructural transitions on Si (111) surface / A. B. Krasilnikov, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, S. I. Stenin // J. Cryst. Growth. — 1992.

— Vol. 116, No. 1-2. — PP. 178-184.

224. De Santis, M. Electronic and atomic structure of the Cu/Si (111) 'quasi-5x5' overlayer / M. De Santis, M. Muntwiler, J. Osterwalder, G. Rossi, F. Sirotti, A. Stuck, L. Schlapbach // Surf. Sci.

— 2001. — Vol. 477, No. 2-3. — PP. 179-190.

225. Zegenhagen, J. Microscopic structure, discommensurations, and tiling of Si (111)/Cu-'"5x5"' / J. Zegenhagen, E. Fontes, F. Grey, J. R. Patel // Phys. Rev. B. — 1992. — Vol. 46, No. 3. — PP.1860-1863.

226. Rogilo, D. I. The structure and morphology of Si (111) surface at the initial stages of high temperature copper deposition / Dmitry I. Rogilo, Sergey S. Kosolobov, Ludmila I. Fedina, Alexander V. Latyshev // 2009 International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. — IEEE, 2009. — PP. 48-50.

227. Gruznev, D. V. Diffusion and clustering of adatoms on discommensurate surface template: Ge atoms on Si(1 1 1)"5 x 5"-Cu reconstruction / D. V. Gruznev, D. A. Olyanich, D. N. Chubenko, I. V. Gvozd, E. N. Chukurov, Yu. V. Luniakov, I. A. Kuyanov, A. V. Zotov, A. A. Saranin // Surf. Sci. — 2010. — Vol. 604, No. 7-8. — PP. 666-673.

228. Collins, I. R. Angle-resolved photoemission from an unusual quasi-one-dimensional metallic system: a single domain Au-induced 5 x 2 reconstruction of Si (111) / I. R. Collins, J. T. Moran, P. T. Andrews, R. Cosso, J. D. O'Mahony, J. F. McGilp, G. Margaritondo // Surf. Sci. — 1995.

— Vol. 325, No. 1-2. — PP. 45-49.

229. Marks, L. D. Atomic Structure of Si (111)-(5x2)-Au from High Resolution Electron Microscopy and Heavy-Atom Holography / L. D. Marks, R. Plass // Phys. Rev. Lett. — 1995. — Vol. 75,

No. 11. — PP. 2172-2175.

230. Riikonen, S. First-principles study of the atomic and electronic structure of the Si (111)-(5x2)Au / Sampsa Riikonen, Daniel Sánchez-Portal // Phys. Rev. B. — 2005. — Vol. 71, No. 23. — P.235423.

231. Tambe, N. S. Friction model for the velocity dependence of nanoscale friction / Nikhil S. Tambe, Bharat Bhushan // Nanotechnology. — 2005. — Vol. 16, No. 10. — PP. 2309-2324.

232. Alternative Lithography / ed. by C. M. Sotomayor Torres. — Boston, MA : Springer US, 2003.

233. Notargiacomo, A. Atomic force microscopy lithography as a nanodevice development technique / A. Notargiacomo, V. Foglietti, E. Cianci, G. Capellinik, M. Adami, P. Faraci, F. Evangelisti, C. Nicolini // Nanotechnology. — 1999. — Vol. 10. — PP. 458-463.

234. Crommie, M. F. Confinement of Electrons to Quantum Corrals on a Metal Surface / M. F. Crommie, C. P. Lutz, D. M. Eigler // Science (80-. ). — 1993. — Vol. 262, No. 5131. — PP. 218220.

235. Lyding, J. W. UHV STM nanofabrication: progress, technology spin-offs, and challenges / J. W. Lyding // Proc. IEEE. — 1997. — Vol. 85, No. 4. — PP. 589-600.

236. van Loenen, E. J. Direct writing in Si with a scanning tunneling microscope / E. J. van Loenen, D. Dijkkamp, A. J. Hoeven, J. M. Lenssinck, J. Dieleman // Appl. Phys. Lett. — 1989. — Vol. 55, No. 13. — PP. 1312-1314.

237. Mamin, H. J. Atomic emission from a gold scanning-tunneling-microscope tip / H. J. Mamin, P. H. Guethner, D. Rugar // Phys. Rev. Lett. — 1990. — Vol. 65, No. 19. — PP. 2418-2421.

238. Heyvaert, I. Etching of screw dislocations in YBa2Cu3O7 films with a scanning tunneling microscope / I. Heyvaert, E. Osquiguil, C. Van Haesendonck, Y. Bruynseraede // Appl. Phys. Lett. — 1992. — Vol. 61, No. 1. — PP. 111-113.

239. McCord, M. A. Exposure of calcium fluoride resist with the scanning tunneling microscope / M. A. McCord, R. F. W. Pease // J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Process. Phenom. — 1987. — Vol. 5, No. 1. — PP. 430-433.

240. Wilder, K. Electron beam and scanning probe lithography: A comparison / Kathryn Wilder, Calvin F. Quate, Bhanwar Singh, David F. Kyser // J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct. Process. Meas. Phenom. — 1998. — Vol. 16, No. 6. — PP. 3864-3873.

241. Stockman, L. Submicrometer lithographic patterning of thin gold films with a scanning tunneling microscope / L. Stockman, G. Neuttiens, C. Van Haesendonck, Y. Bruynseraede // Appl. Phys. Lett. — 1993. — Vol. 62, No. 23. — PP. 2935-2937.

242. Park, S. W. Nanometer scale lithography at high scanning speeds with the atomic force microscope using spin on glass / S. W. Park, H. T. Soh, C. F. Quate, S. I. Park // Appl. Phys. Lett. — 1995. — Vol. 67, No. 16. — PP. 2415-2417.

243. Sohn, L. L. Fabrication of nanostructures using atomic-force-microscope-based lithography / L. L. Sohn, R. L. Willett // Appl. Phys. Lett. — 1995. — Vol. 67, No. 11. — PP. 1552-1554.

244. Dagata, J. A. Modification of hydrogen-passivated silicon by a scanning tunneling microscope operating in air / J. A. Dagata, J. Schneir, H. H. Harary, C. J. Evans, M. T. Postek, J. Bennett // Appl. Phys. Lett. — 1990. — Vol. 56, No. 20. — PP. 2001-2003.

245. Tabata, O. Anisotropic etching of silicon in TMAH solutions / Osamu Tabata, Ryouji Asahi, Hirofumi Funabashi, Keiichi Shimaoka, Susumu Sugiyama // Sensors Actuators A Phys. — 1992.

— Vol. 34, No. 1. — PP. 51-57.

246. Day, H. C. Selective area oxidation of silicon with a scanning force microscope / H. C. Day, D. R. Allee // Appl. Phys. Lett. — 1993. — Vol. 62, No. 21. — PP. 2691-2693.

247. Kramer, N. Fabrication of metallic nanowires with a scanning tunneling microscope / N. Kramer, H. Birk, J. Jorritsma, C. Schonenberger // Appl. Phys. Lett. — 1995. — Vol. 66, No. 11. — PP. 1325-1327.

248. Sugimura, H. Tip-induced anodization of titanium surfaces by scanning tunneling microscopy: A humidity effect on nanolithography / Hiroyuki Sugimura, Tatsuya Uchida, Noboru Kitamura, Hiroshi Masuhara // Appl. Phys. Lett. — 1993. — Vol. 63, No. 9. — PP. 1288-1290.

249. Vullers, R. J. M. Nanolithographic patterning of silicon wafers with a scanning probe microscope / R. J. M. Vullers, C. Van Haesendonck // BVM-SBM Lett. — 1997. — Vol. 2. — PP. 13-14.

250. Alperovich, V. L. Step-terraced morphology of GaAs (001) substrates prepared at quasiequilibrium conditions / V. L. Alperovich, I. O. Akhundov, N. S. Rudaya, D. V. Sheglov, E. E. Rodyakina, A. V. Latyshev, A. S. Terekhov // Appl. Phys. Lett. — 2009. — Vol. 94, No. 10.

251. Vullers, R. J. . Titanium nanostructures made by local oxidation with the atomic force microscope / R. J. .. Vullers, M. Ahlskog, C. Van Haesendonck // Appl. Surf. Sci. — 1999. — Vol. 144-145.

— PP. 584-588.

252. Vullers, R. J. M. Field induced local oxidation of Ti and Ti/Au structures by an atomic force microscope with diamond coated tips / R. J. M. Vullers, M. Ahlskog, M. Cannaerts, C. Van Haesendonck // J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct. Process. Meas. Phenom.

— 1999. — Vol. 17, No. 6. — PP. 2417-2422.

253. Held, R. Nanolithography by local anodic oxidation of metal films using an atomic force microscope / R. Held, T. Heinzel, P. Studerus, K. Ensslin // Phys. E Low-dimensional Syst. Nanostructures. — 1998. — Vol. 2, No. 1-4. — PP. 748-752.

254. Thundat, T. Modification of tantalum surfaces by scanning tunneling microscopy in an electrochemical cell / T. Thundat, L. A. Nagahara, P. I. Oden, S. M. Lindsay, M. A. George, W. S. Glaunsinger // J. Vac. Sci. Technol. A Vacuum, Surfaces, Film. — 1990. — Vol. 8, No. 4. — PP. 3537-3541.

255. Snow, E. S. AFM Fabrication of Sub-10-Nanometer Metal-Oxide Devices with in Situ Control of Electrical Properties / E. S. Snow, P. M. Campbell // Science (80-. ). — 1995. — Vol. 270, No. 5242. — PP. 1639-1641.

256. Sheglov, D. V. Peculiarities of nanooxidation on flat surface / D. V. Sheglov, A. V. Prozorov,

D. A. Nasimov, A. V. Latyshev, A. L. Aseev // Phys. Low-Dimensional Struct. — 2002. — Vol. 5/6. — PP. 239-247.

257. Szekeres, A. AFM surface imaging of thermally oxidized hydrogenated crystalline silicon / A. Szekeres, P. Lytvyn, S. Alexandrova // Appl. Surf. Sci. — 2002. — Vol. 191, No. 1-4. — PP.148-152.

258. Rolland, L. Roughness and chemistry of silicon and polysilicon surfaces etched in high-density plasma: XPS, AFM and ellipsometry analysis / Laëtitia Rolland, Christophe Vallée, Marie-Claude Peignon, Christophe Cardinaud // Appl. Surf. Sci. — 2000. — Vol. 164, No. 1-4. — PP. 147155.

259. Lee, S. . Growth of Ti and TiSi2 films on Si (111) by low energy Ti+ beam deposition / S. .. Lee,

E. .. Ada, H. Lee, J. Kulik, J. .. Rabalais // Surf. Sci. — 2000. — Vol. 453, No. 1-3. — PP. 159170.

260. Sheu, J. T. Single-electron transistor structures based on silicon-on-insulator silicon nanowire fabrication by scanning probe lithography and wet etching / J. T. Sheu, K. S. You, C. H. Wu, K. M. Chang // J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct. Process. Meas. Phenom. — 2002. — Vol. 20, No. 6. — PP. 2824-2828.

261. Соколов, Д. В. Механизм нанооксидирования n-In0.53Ga0.47As с помощью атомно-силового микроскопа / Д. В. Соколов // Журнал технической физики. — 2002. — Vol. 72, No. 1. — PP. 60-65.

262. Ma, Y.-R. Tip-induced local anodic oxidation on the native SiO2 layer of Si (111) using an atomic force microscope / Y. R. Ma, C. Yu, Y. D. Yao, Y. Liou, S. F. Lee // Phys. Rev. B. — 2001. — Vol. 64, No. 19. — P. 195324.

263. Wagner, C. Beitrag zur Theorie des Anlaufvorgangs / Carl Wagner // Zeitschrift für Phys. Chemie. — 1933. — Vol. 21B, No. 1. — PP. 25-41.

264. Wagner, C. Beitrag zur Theorie des Anlaufvorganges. II. / Carl Wagner // Zeitschrift für Phys. Chemie. — 1936. — Vol. 32B, No. 1. — PP. 447-462.

265. Репинский, С. М. Процессы окисления полупроводников и строение границ раздела / С. М. Репинский // Физика и техника полупроводников. — 2001. — Vol. 35, No. 9. — PP. 10501062.

266. Tammann, G. Über Anlauffarben von Metallen / G. Tammann // Zeitschrift für Anorg. und Allg. Chemie. — 1920. — Vol. 111, No. 1. — PP. 78-89.

267

268

269

270

271

272

273

274

275

276

277

278

279

280

Pilling, N. B. The Oxidation of Metals at High Temperatures / N. B. Pilling, R. E. Bedworth // J. Inst. Met. — 1923. — Vol. 29. — PP. 529-534.

Cabrera, N. Theory of the oxidation of metals / N. Cabrera, N. F. Mott // Reports Prog. Phys. — 1949. — Vol. 12, No. 1. — PP. 163-184.

Dagata, J. A. Role of space charge in scanned probe oxidation / J. A. Dagata, T. Inoue, J. Itoh, K. Matsumoto, H. Yokoyama // J. Appl. Phys. — 1998. — Vol. 84, No. 12. — PP. 6891-6900. Fromhold, A. T. Oxides and oxide films (The Anodic behavior of metals and semiconductors series) / A. T. Fromhold / ed. by J. W. Diggle, A. K. Vijh. — New York : Marsel Dekker, Inc., 1976. — 333 p.

Fromhold, A. T. Theory of Metal Oxidation, Vol. 1: Fundamental (Defects in Crystalline Solids) / A. T. Fromhold. — Amsterdam : North Holland Publishing Company, 1976. — 547 p. Campbell, P. M. AFM-based fabrication of Si nanostructures / P. M. Campbell, E. S. Snow, P. J. McMarr // Phys. B Condens. Matter. — 1996. — Vol. 227, No. 1-4. — PP. 315-317. Alternative Lithography: Unleashing the Potentials of Nanotechnology / ed. by C. M. Sotomayor Torres. — Boston, MA : Springer US, 2003.

Allwood, D. . Characterization of oxide layers on GaAs substrates / D. .. Allwood, R. .. Carline, N. .. Mason, C. Pickering, B. .. Tanner, P. .. Walker // Thin Solid Films. — 2000. — Vol. 364, No. 1-2. — PP. 33-39.

Feng, L. Characterization study of native oxides on GaAs(100) surface by XPS / Liu Feng, Liandong Zhang, Hui Liu, Xiang Gao, Zhuang Miao, Hong-chang Cheng, Long Wang, Sen Niu / ed. by B. Chang, H. Guo. — 2013. — P. 89120N.

Ghita, R. V. Evolution of surface oxides on GaAs / R. V. Ghita // J. Optoelectron. Adv. Mater. — 2015. — Vol. 17, No. 11-12. — PP. 1703-1709.

Blasco, X. Topographic characterization of AFM-grown SiO 2 on Si / X. Blasco, D. Hill, M. Porti, M. Nafria, X. Aymerich // Nanotechnology. — 2001. — Vol. 12, No. 2. — PP. 110-112. Akhundov, I. O. Local monitoring of atomic steps on GaAs (001) surface under oxidation, wet removal of oxides and thermal smoothing / I. O. Akhundov, D. M. Kazantsev, V. L. Alperovich, D. V. Sheglov, A. S. Kozhukhov, A. V. Latyshev // Appl. Surf. Sci. — 2017. — Vol. 406. — PP. 307-311.

Latyshev, A. V. Direct REM observation of structural processes on clean silicon surfaces during sublimation, phase transition and epitaxy / A. V. Latyshev, A. B. Krasilnikov, A. L. Aseev // Appl. Surf. Sci. — 1992. — Vol. 60-61. — PP. 397-404.

Латышев, А. В. Моноатомные ступени на поверхности кремния / А. В. Латышев, А. Л. Асеев // Успехи физических наук. — 1998. — Vol. 168, No. 10. — PP. 1117-1127.

281. Ahn, J.-J. Nano-structure fabrication of GaAs using AFM tip-induced local oxidation method: different doping types and plane orientations / Jung-Joon Ahn, Kyoung-Sook Moon, Sang-Mo Koo // Nanoscale Res. Lett. — 2011. — Vol. 6, No. 1. — P. 550.

282. Cervenka, J. Fabrication of nanostructures on Si(100) and GaAs(100) by local anodic oxidation / Jirí Cervenka, Radek Kalousek, Miroslav Bartosík, David Skoda, Ondrej Tomanec, Tomás Sikola // Appl. Surf. Sci. — 2006. — Vol. 253, No. 5. — PP. 2373-2378.

283. Graf, D. Local oxidation of Ga[Al]As heterostructures with modulated tip-sample voltages / D. Graf, M. Frommenwiler, P. Studerus, T. Ihn, K. Ensslin, D. C. Driscoll, A. C. Gossard // J. Appl. Phys. — 2006. — Vol. 99, No. 5.

284. Kozhukhov, A. S. The initial stages of atomic force microscope based local anodic oxidation of silicon / A. S. Kozhukhov, D. V. Scheglov, L. I. Fedina, A. V. Latyshev // AIP Adv. — 2018. — Vol. 8, No. 2.

285. Кожухов, А. С. Модификация свойств поверхности полупроводников при воздействии зондом атомно-силового микроскопа, Диссертация к.ф.-м.н / А. С. Кожухов. — 2021. — 99 p.

286. Reactions of Solid with Gases (Comprehensive Chemical Kinetics Volume 21) / ed. by C. H. Bamford, C. F. H. Tipper. — New York : Elsevier Science & Technology Books, 1984. — 236 p.

287. Alkauskas, A. Band Offsets at Semiconductor-Oxide Interfaces from Hybrid Density-Functional Calculations / Audrius Alkauskas, Peter Broqvist, Fabien Devynck, Alfredo Pasquarello // Phys. Rev. Lett. — 2008. — Vol. 101, No. 10. — P. 106802.

288. Ikeda, H. Local electrical characteristics of ultra-thin SiO2 films formed on Si (001) surfaces / Hiroya Ikeda, Norihiro Kurumado, Kenji Ohmori, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda // Surf. Sci. — 2001. — Vol. 493, No. 1-3. — PP. 653-658.

289. Avouris, P. AFM-tip-induced and current-induced local oxidation of silicon and metals / P. Avouris, R. Martel, T. Hertel, R. Sandstrom // Appl. Phys. A Mater. Sci. Process. — 1998. — Vol. 66, No. 7. — PP. S659-S667.

290. Bradley, I. V. The effects of ion implantation on the interdiffusion coefficients in In x Ga1- x As/GaAs quantum well structures / I. V. Bradley, W. P. Gillin, K. P. Homewood, R. P. Webb // J. Appl. Phys. — 1993. — Vol. 73, No. 4. — PP. 1686-1692.

291. Gillin, W. P. Strain and interdiffusion in semiconductor heterostructures / W. P. Gillin, D. J. Dunstan // Phys. Rev. B. — 1994. — Vol. 50, No. 11. — PP. 7495-7498.

292. Semiconductors / ed. by O. Madelung. — Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1991.

293. Konsek, S. L. Selective surface modifications with a scanning tunneling microscope / S. L. Konsek, R. J. N. Coope, T. P. Pearsall, T. Tiedje // Appl. Phys. Lett. — 1997. — Vol. 70, No. 14. — PP.1846-1848.

294. McFarlane, J. S. Adhesion of solids and the effect of surface films / J. S. McFarlane, David Tabor // Proc. R. Soc. London. Ser. A. Math. Phys. Sci. — 1950. — Vol. 202, No. 1069. — PP. 224243.

295. Adamson, A. W. Physical chemistry of surfaces / Arthur W. Adamson. 5th ed. — New York : Wiley, 1990. — 777 p.

296. Israelachvili, J. N. Intermolecular and surface forces / Jacob N. Israelachvili. 2nd ed. — San Diego : Academic, 1991. — 450 p.

297. Novotny, V. J. Migration of liquid polymers on solid surfaces / V. J. Novotny // J. Chem. Phys.

— 1990. — Vol. 92, No. 5. — PP. 3189-3196.

298. Teletske, G. F. How liquids spread on solids / G. F. Teletske, H. T. Davis, L. E. Scriven // Chem. Eng. Commun. — 1987. — Vol. 55, No. 1-6. — PP. 41-82.

299. Li, Y. Tribology and mechanics of magnetic storage systems / Y. Li, F. E. Talke // STLE-SP29.

— 1990. — PP. 79-84.

300. Garcia, R. Local oxidation of silicon surfaces by dynamic force microscopy: Nanofabrication and water bridge formation / Ricardo Garcia, Montserrat Calleja, Francesc Pérez-Murano // Appl. Phys. Lett. — 1998. — Vol. 72, No. 18. — PP. 2295-2297.

301. Binggeli, M. Influence of water vapor on nanotribology studied by friction force microscopy / M. Binggeli, C. M. Mate // J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct. Process. Meas. Phenom. — 1995. — Vol. 13, No. 3. — PP. 1312-1315.

302. Sugimura, H. Modification of n-Si(100) Surface by Scanning Tunneling Microscope Tip-Induced Anodization under Nitrogen Atmosphere / Hiroyuki Sugimura, Noboru Kitamura, Hiroshi Masuhara Hiroshi Masuhara // Jpn. J. Appl. Phys. — 1994. — Vol. 33, No. 1B. — P. L143.

303. Gordon, A. E. Mechanisms of surface anodization produced by scanning probe microscopes / A. E. Gordon, R. T. Fayfield, D. D. Litfin, T. K. Higman // J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct. Process. Meas. Phenom. — 1995. — Vol. 13, No. 6. — PP. 2805-2808.

304. Marchi, F. Growth of silicon oxide on hydrogenated silicon during lithography with an atomic force microscope / F. Marchi, V. Bouchiat, H. Dallaporta, V. Safarov, D. Tonneau, P. Doppelt // J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct. Process. Meas. Phenom. — 1998. — Vol. 16, No. 6. — PP. 2952-2956.

305. Ryu, Y. K. Advanced oxidation scanning probe lithography / Yu K. Ryu, Ricardo Garcia // Nanotechnology. — 2017. — Vol. 28, No. 14. — P. 142003.

306. Hu, K. Role of electric field distribution in local anodic oxidation / Kexiang Hu, Qingkang Wang, Peihua Wangyang // 2012 International Conference on Manipulation, Manufacturing and Measurement on the Nanoscale (3M-NANO). — IEEE, 2012. — PP. 128-133.

307. Binggeli, M. Influence of water vapor on nanotribology studied by friction force microscopy / M. Binggeli, C. M. Mate // J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct. Process. Meas. Phenom. — 1995. — Vol. 13, No. 3. — PP. 1312-1315.

308. Pakarinen, O. H. Towards an accurate description of the capillary force in nanoparticle-surface interactions / O. H. Pakarinen, A. S. Foster, M. Paajanen, T. Kalinainen, J. Katainen, I. Makkonen, J. Lahtinen, R. M. Nieminen // Model. Simul. Mater. Sci. Eng. — 2005. — Vol. 13, No. 7. — PP. 1175-1186.

309. Cramer, T. Molecular Mechanism of Water Bridge Buildup: Field-Induced Formation of Nanoscale Menisci / Tobias Cramer, Francesco Zerbetto, Ricardo Garcia // Langmuir. — 2008. — Vol. 24, No. 12. — PP. 6116-6120.

310. Garcia, R. Patterning of silicon surfaces with noncontact atomic force microscopy: Field-induced formation of nanometer-size water bridges / Ricardo Garcia, Montserrat Calleja, Heinrich Rohrer // J. Appl. Phys. — 1999. — Vol. 86, No. 4. — PP. 1898-1903.

311. Dubois, E. Kinetics of scanned probe oxidation: Space-charge limited growth / Emmanuel Dubois, Jean-Luc Bubendorff // J. Appl. Phys. — 2000. — Vol. 87, No. 11. — PP. 8148-8154.

312. Garcia, R. Patterning of silicon surfaces with noncontact atomic force microscopy: Field-induced formation of nanometer-size water bridges / Ricardo Garcia, Montserrat Calleja, Heinrich Rohrer // J. Appl. Phys. — 1999. — Vol. 86, No. 4. — PP. 1898-1903.

313. Ley, L. Kinetics of field-induced oxidation of hydrogen-terminated Si (111) / L. Ley, T. Teuschler, K. Mahr, S. Miyazaki, M. Hundhausen // J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct. Process. Meas. Phenom. — 1996. — Vol. 14, No. 4. — PP. 2845-2849.

314. Himpsel, F. J. Microscopic structure of the SiO2/Si interface / F. J. Himpsel, F. R. McFeely, A. Taleb-Ibrahimi, J. A. Yarmoff, G. Hollinger // Phys. Rev. B. — 1988. — Vol. 38, No. 9. — PP. 6084-6096.

315. Kageshima, H. Theoretical study of the band offset at silicon-oxide/silicon interfaces with interfacial defects / Hiroyuki Kageshima, Kenji Shiraishi // Surf. Sci. — 1998. — Vol. 407, No. 1-3. — PP. 133-139.

316. Wang, X. Impact of various parameters on nanostructures fabrication mechanism on silicon surface with AFM tip induced local anodic oxidation / Xuewen Wang, Barayavuga Theogene, Huanhuan Mei, Jianwei Zhang, Chenchen Huang, Xiaoying Ren, Muxun Xu // Ferroelectrics. — 2019. — Vol. 549, No. 1. — PP. 70-77.

317. Chung, T.-H. The fabrication of nanomesas and nanometal contacts by using atomic force microscopy lithography / Tung-Hsun Chung, Wen-Hsuan Liao, Shih-Yen Lin // J. Appl. Phys. — 2010. — Vol. 108, No. 9.

318. Murray, J. L. Phase Diagrams of Binary Titanium Alloys / J. L. Murray, H. A. Wriedt / ed. by

J. L. Murray. — Materials Park, Ohio : ASM International, 1987. — 345 p.

319. Arif, A. F. Highly conductive nano-sized Magnéli phases titanium oxide (TiOx) / Aditya F. Arif, Ratna Balgis, Takashi Ogi, Ferry Iskandar, Akihiro Kinoshita, Keitaro Nakamura, Kikuo Okuyama // Sci. Rep. — 2017. — Vol. 7, No. 1. — P. 3646.

320. Zahoor, F. Resistive Random Access Memory (RRAM): an Overview of Materials, Switching Mechanism, Performance, Multilevel Cell (mlc) Storage, Modeling, and Applications / Furqan Zahoor, Tun Zainal Azni Zulkifli, Farooq Ahmad Khanday // Nanoscale Res. Lett. — 2020. — Vol. 15, No. 1. — P. 90.

321. Lee, T. Structure and Stability of Oxygen Vacancy Aggregates in Reduced Anatase and Rutile TiO 2 / Taehun Lee, Annabella Selloni // J. Phys. Chem. C. — 2023. — Vol. 127, No. 1. — PP. 627-634.

322. Guan, Z. Oxygen Vacancy in Magnéli Phases and Its Effect on Thermoelectric Performances / Zhou Guan, Chuangshi Feng, Hongquan Song, et al. // Nanomaterials. — 2025. — Vol. 15, No. 9. — P. 684.

323. Djurkovic, S. Effects of the electric field shape on nano-scale oxidation / S. Djurkovic, C. B. Clemons, D. Golovaty, G. W. Young // Surf. Sci. — 2007. — Vol. 601, No. 23. — PP. 53405358.

324. Warren, P. D. Characterization of surface damage via contact probes / P. D. Warren, O. V Kolosov, S. G. Roberts, G. A. D. Briggs // Nanotechnology. — 1996. — Vol. 7, No. 3. — PP. 288-294.

325. Bertrand-Lambotte, P. Nano-indentation, scratching and atomic force microscopy for evaluating the mar resistance of automotive clearcoats: study of the ductile scratches / P. Bertrand-Lambotte, J. .. Loubet, C. Verpy, S. Pavan // Thin Solid Films. — 2001. — Vol. 398-399. — PP. 306-312.

326. Allers, W. Nanomechanical investigations and modifications of thin films based on scanning force methods / W. Allers, C. Hahn, M. Löhndorf, S. Lukas, S. Pan, U. D. Schwarz, R. Wiesendanger // Nanotechnology. — 1996. — Vol. 7, No. 4. — PP. 346-350.

327. Wendel, M. Nanolithography with an atomic force microscope for integrated fabrication of quantum electronic devices / M. Wendel, S. Kühn, H. Lorenz, J. P. Kotthaus, M. Holland // Appl. Phys. Lett. — 1994. — Vol. 65, No. 14. — PP. 1775-1777.

328. Востоков, H. Разработка метода атомно-силовой литографии для создания наноразмерных элементов / H. Востоков, Д. Валгунов, В. Ф. Дряхлушин, А. Ю. Клинов, В. В. Рогов, Л. В. Суходоев, В. И. Шашкин // Зондовая микроскопия-99. — Нижний Новгород, 1999. — PP.190-192.

329. Wendel, M. Sharpened electron beam deposited tips for high resolution atomic force microscope lithography and imaging / M. Wendel, H. Lorenz, J. P. Kotthaus // Appl. Phys. Lett. — 1995. —

Vol. 67, No. 25. — PP. 3732-3734.

330. Cortes Rosa, J. Direct patterning of surface quantum wells with an atomic force microscope / J. Cortes Rosa, M. Wendel, H. Lorenz, J. P. Kotthaus, M. Thomas, H. Kroemer // Appl. Phys. Lett.

— 1998. — Vol. 73, No. 18. — PP. 2684-2686.

331. Mamin, H. J. Thermal writing using a heated atomic force microscope tip / H. J. Mamin // Appl. Phys. Lett. — 1996. — Vol. 69, No. 3. — PP. 433-435.

332. Ma, L. P. Data storage with 0.7 nm recording marks on a crystalline organic thin film by a scanning tunneling microscope / L. P. Ma, W. J. Yang, Z. Q. Xue, S. J. Pang // Appl. Phys. Lett.

— 1998. — Vol. 73, No. 6. — PP. 850-852.

333. Engelmann, G. . Electrochemical fabrication of large arrays of metal nanoclusters / G. .. Engelmann, J. .. Ziegler, D. .. Kolb // Surf. Sci. — 1998. — Vol. 401, No. 2. — PP. L420-L424.

334. Maoz, R. Constructive Nanolithography: Site-Defined Silver Self-Assembly on Nanoelectrochemically Patterned Monolayer Templates / R. Maoz, E. Frydman, S. R. Cohen, J. Sagiv // Adv. Mater. — 2000. — Vol. 12, No. 6. — PP. 424-429.

335. Kasumov, A. Y. Proximity-Induced Superconductivity in DNA / A. Yu. Kasumov, M. Kociak, S. Guéron, B. Reulet, V. T. Volkov, D. V. Klinov, H. Bouchiat // Science (80-. ). — 2001. — Vol. 291, No. 5502. — PP. 280-282.

336. Abadal, G. Field induced oxidation of silicon by SPM: study of the mechanism at negative sample voltage by STM, ESTM and AFM / G. Abadal, F. Pérez-Murano, N. Barniol, X. Aymerich // Appl. Phys. A Mater. Sci. Process. — 1998. — Vol. 66, No. 7. — PP. S791-S795.

337. Гайслер, В. А. Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов / В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, А. С. Ярошевич, et al. // Физика и техника полупроводников. — 2015. — Vol. 49, No. 1. — PP. 35-39.

338. Гайслер, А. В. Исследование структурных и оптических характеристик InGaAs квантовых точек для создания миниатюрных неклассических излучателей, Диссертация к.ф.-м.н. /