Формирование нанокластеров кремния в диоксиде кремния под воздействием электронного пучка тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Колесникова, Екатерина Владимировна

• Колесникова, Екатерина Владимировна
• кандидат физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Колесникова, Екатерина Владимировна

Введение.

ГЛАВА 1. МЕТОДЫ РОСТА И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА СИСТЕМЫ 8Ю2/81.И

1.1. Методы формирования структур 8Ю2/81.

1.1.1. Пористый кремний.

1.1.2. Методы осаждения.

1.1.3. Ионно-синтезированные нанокластеры и нанокристаллы

1.2. Люминесцентные свойства системы 8Ю2/81.

1.2.1. Люминесцентные свойства диоксида кремния.

Структура диоксида кремния.

Собственные дефекты в аморфном диоксиде кремния.

1.2.2. Катодолюминесценция аморфного диоксида кремния.

К Л объемного диоксида кремния.

1.2.3. Кремний, люминесценция кремния.

Катодолюминесценция объемного кремния.

1.2.4. Механизмы люминесценции, связанной с нанокристаллами 81 в 8ЮХ.

1.2.5. Люминесценция структур вЮг^.

Пленки диоксида кремния на кремнии.

КЛ пленок диоксида кремния на кремнии.

Люминесценция диоксида кремния с нанокластерами кремнием.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА, ИССЛЕДУЕМЫЕ ОБРАЗЦЫ.

2.1. Используемые методы.

2.1.1. Локальная катодолюминесценция.

Глубина области генерации катодолюминесценции.

Определение количества люминесцирующих центров.

2.1.2. Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ).

2.1.3. Методы определения состава.

РСМА.

Изображения ПЭМ.

2.2. Образцы.

2.3. Определение условий модификации диоксида кремния электронным пучком.

Проведение расчета локальной температуры нагрева объемного аморфного диоксида кремния.

Расчет температуры нагрева для образцов ПЭМ.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 2.

ГЛАВА 3. ВОЗДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА С ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТЬЮ ТОКА НА АМОРФНЫЙ

ДИОКСИД КРЕМНИЯ.

3.1. Облучение пленок диоксида кремния.

3.2. Облучение объемного диоксида кремния.

3.2.1. Изменение катодолюминесценции при облучении электронным пучком.

3.2.2. Аморфный диоксид кремния после длительного облучения электронным пучком.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3.

ГЛАВА 4. ОСОБЕНОСТИ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ ПРИ ВАРЬИРОВАНИИ ПАРАМЕТРОВ ЭКСПЕРИМЕНТА И НАЧАЛЬНОГО СОСТАВА ДИОКСИДА КРЕМНИЯ.

4.1. Исследование влияния плотности тока на процесс формирования нанокластеров кремния.

4.1.1. Низкая плотность тока электронного пучка (То11 < 20°С).

4.1.2. Низкая плотность тока электронного пучка (ТоЬ=50-200°С).

4.1.3. Средняя плотность тока электронного пучка (Тоь=250-800°С).

4.1.4. Высокая плотность тока электронного пучка (То1, >900°С).

4.2. Исследование влияния содержания ОН-групп а диоксиде кремния на процесс формирования нанокластеров кремния.

4.2.1. Низкая плотность тока электронного пучка (Т^ < 20°С).

4.2.2. Средняя плотность тока электронного пучка (Т0и =250°С).

4.2.3. Высокая плотность тока электронного пучка (Т0|, =1000°С).85 4.3. Формирование нанокластеров кремния в диоксиде кремния имплантированном ионами кремния, кислорода и водорода.

4.3.1. Низкая плотность тока электронного пучка (Т0ь =50°С).

4.3.2. Высокая плотность тока электронного пучка (ТоЬ =700°С).

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4.

ГЛАВА 5. ФОРМИРОВАНИЕ НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ

В АМОРФНОМ ДИОКСИДЕ КРЕМНИЯ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА.

5.1. Формирование свободного кислорода в диоксиде кремния.

5.2. Диффузия кислорода.

5.3. Рост нанокластеров.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 5.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Формирование нанокластеров кремния в диоксиде кремния под воздействием электронного пучка»

С начала 60-х годов прошлого столетия и по сегодняшний день кремний остается основным полупроводниковым материалом микроэлектроники. В совершенстве отработаны методы получения, очистки и обработки монокристаллического кремния, а также планарная технология на его основе, используемая в производстве интегральных схем. В настоящее время традиционные полупроводниковые элементы микроэлектроники уже вплотную приблизились к физическим ограничениям по размерам активных элементов. Такой важнейший параметр, как быстродействие интегральных схем, лимитируется задержками, обусловленными сопротивлением и емкостями металлических межсоединений, общая длина которых резко возрастает с ростом степени интеграции. Эта проблема может быть решена путем замены электрических межсоединений оптическими. Соответственно, встает вопрос о возможности применения кремния в изготовлении интегральных схем, реализующих функции генерации, передачи и обработки электрических и оптических сигналов. Одним из способов решения данной проблемы является использование структур на основе наноразмерного кремния. В настоящее время не удается создать структуры с достаточно интенсивной люминесценцией в видимом диапазоне, поэтому необходимы дальнейшие исследования в этой области.

Еще одна не менее важная проблема — это улучшение характеристик (уменьшение размеров, уменьшение рабочего напряжения и повышение надежности) элементов энергонезависимой памяти. Наиболее перспективным в данной области является использование нанокристаллов кремния, погруженных в тонкие диэлектрические слои.

В связи с этим были опробованы различные способы формирования нанокластеров кремния в аморфном диоксиде кремния: ионная имплантация с последующим отжигом, отжиг осажденных 8ЮХ пленок и пр. Основными недостатками метода ионной имплантации являются сложность создания тонких слоев (менее 10 нм) с нанокластерами кремния и дороговизна оборудования. Метод осаждения из газовой фазы позволяет формировать тонкие пленки, но слои выращенные таким методом обладают высокой пористостью и низкой адгезией. В обоих методах для формирования нанокластеров кремния необходим последующий высокотемпературный отжиг. Также эти методы не позволяют изучать рост нанокласторов кремния in situ.

Соответственно, разработка нового метода роста нанокластеров кремния в объеме диоксида кремния и исследование изменения люминесцентных свойств при формировании нанокластеров кремния являются актуальными. Данная работа посвящена изучению формирования нанокластеров кремния в аморфном диоксиде кремния под воздействием электронного пучка. Такой метод позволяет не только создавать нанокластеры кремния в облучаемом микрообъеме, но и контролировать изменения структуры аморфного диоксида кремния и процесс роста нанокластеров кремния методом локальной катодолюминесценции in situ.

Целью диссертационной работы являлось установление основных закономерностей процесса формирования нанокластеров кремния в аморфном диоксиде кремния под воздействием электронного пучка высокой удельной мощности.

Были поставлены следующие основные задачи:

1. Разработка метода формирования нанокластеров кремния в объеме диоксида кремния при облучении электронным пучком и исследование изменения катодолюминесцентных свойств облучаемого объема in situ.

2. Оценка температуры локального нагрева при облучении электронным пучком объемного аморфного диоксида кремния и пленок диоксида кремния.

3. Выявление основных этапов модификации аморфного диоксида кремния электронным пучком с разной удельной мощностью.

4. Исследование влияния количества точечных дефектов и примеси ОН-групп в исходном аморфном диоксиде кремния на процесс его модификации. Научная новизна

• Впервые показана принципиальная возможность формирования нанокластеров кремния в аморфном диоксиде кремния под воздействием электронного пучка. Определены условия формирования нанокластеров кремния при облучении аморфного диоксида кремния электронным пучком. Получены распределения по размерам и структурные параметры нанокластеров кремния.

Впервые проведена оценка температуры объемных стекол и тонких пленок диоксида кремния в области облучения электронным пучком.

Впервые установлены пороговые значения параметров эксперимента. При превышении этих значений характер динамики катодолюминесцентных свойств диоксида кремния под воздействием электронного пучка принципиально изменяется.

Впервые показано влияние ОН-групп в исходном диоксиде кремния на процесс модификации электронным пучком аморфного диоксида кремния.

Впервые предложена модель процесса формирования нанокластеров кремния в диоксиде кремния под воздействием электронного пучка. Научная и практическая значимость работы

Научная значимость данной работы заключается в установлении основных закономерностей роста нанокластеров кремния в аморфном диоксиде кремния под воздействием электронного пучка. Практическая значимость работы определяется возможностью использовать предложенный метод роста нанокластеров кремния при создании элементов энергонезависимой памяти нового поколения и оптоэлектронных элементов. Данный метод роста совместим с современными планарными технологиями. Основные положения, выносимые на защиту

При облучении аморфного диоксида кремния электронным пучком с плотностью тока более 1 А/см" в диоксиде кремния формируются нанокластеры кремния. Нанокластеры кремния представляют собой монокристаллы с тетрагональной Р-Бп структурой со средним размером 2-4 нм.

При плотности тока менее 1 А/см" не происходит изменений в 2 облучаемом объеме; при плотности тока от 1 А/см" до 3,5 А/см — формируются точечные дефекты и нанокластеры кремния малых размеров менее 4 нм); более 3,5 А/см2 - происходит формирование нанокластеров кремния (линейный размер около 4 нм), их рост и затем образование кластеров кремния с линейными размерами более 10 нм. Таким образом, выявлены два пороговых значения мощности облучения диоксида кремния электронным пучком.

3. Высокое содержание ОН-групп (более 1000 ррш) в исходном диоксиде кремния стимулирует формирование точечных дефектов и нанокластеров кремния в объеме диоксида кремния при более низких значениях плотности тока электронного пучка, чем в диоксиде кремния с низким содержанием ОН-групп. Нанокластеры в диоксиде кремния с низким содержанием ОН-групп имеют меньший размер (2 нм) и меньшее отклонение от среднего размера, чем нанокластеры кремния в диоксиде кремния с высоким содержанием ОН-групп.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Колесникова, Екатерина Владимировна

Основные результаты и выводы

1. Определены условия формирования нанокластеров кремния в диоксиде кремния под воздействием электронного пучка.

2. Проведена оценка температуры перегрева аморфного диоксида кремния при облучении электронным пучком высокой удельной мощности для объемных образцов и тонких пленок.

3. Установлены два пороговых значения параметров облучения диоксида кремния электронным пучком. При плотности тока менее 1 А/см не

•у происходит изменений в облучаемом объеме; при плотности тока от 1 А/см л до 3,5 А/см — формируются точечные дефекты и нанокластеры кремния малых размеров; более 3,5 А/см" - происходит формирование нанокластеров кремния (линейный размер около 4 нм), их рост и затем образование крупных кластеров кремния (линейные размеры более 10 нм).

4. Определены распределения по размерам и кристаллическая структура нанокластеров кремния, сформировавшихся при облучении диоксида кремния электронным пучком.

5. Исследовано влияние содержания ОН-групп в исходном диоксиде кремния на процесс модификации электронным пучком. В диоксиде кремния с содержанием ОН-групп около 1000 ррш пороговые значения плотности тока ниже, чем в стекле с содержанием ОН-групп 1-2 ррш.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Колесникова, Екатерина Владимировна, 2009 год

1. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers / L.T. Canham // Appl. Phys. Lett, 1990, Vol.57, №10, P.1046-1048.

2. The structural and luminescence properties of porous silicon / A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott // Appl. Phys. Lett, 1997, Vol.82, №3, P.909-965.

3. Visible photoluminescence from oxidized Si nanometer-sized spheres: Exciton confinement on a spherical shell / Y. Kanemitsu, T. Ogawa, K. Shiraishi, K. Takeda // Phys. Rev. B, 1993. -Vol.48, №7, P.4883-4886.

4. Luminescence properties of nanometer-sized Si crystallites: Core and surface states / Yoshihiko. Kanemitsu // Phys. Rev. B, 1994, Vol.49, №23, P. 1684516848.

5. Photoluminescence spectrum and dynamics in oxidized silicon nanociystals: A nanoscopic disorder system / Yoshihiko Kanemitsu // Phys. Rev. B, 1996, Vol.53, №20, P.13515-13520.

6. Photoluminescence mechanism in surface-oxidized silicon nanocrystals / Y. Kanemitsu, S. Okamoto, M. Otobe, S. Oda // Phys. Rev. B, 1997, Vol.55, №12, P.R7375-R7378.

7. Size, shape, and composition of luminescent species in oxidized Si nanocrystals and Hpassivated porous Si / S. Schuppler et al. // Phys. Rev. B, 1995, Vol.52, №7, P.4910- 4925.

8. Quantum confinement effect in self-assembled, nanometer silicon dots / S.A. Ding, M. Ikeda, M. Fukuda, S. Miyazaki, M. Hirose // Appl. Phys. Lett, 1998, Vol.73, №26, P.3881-3883.

9. Self-trapped excitons in silicon nanocrystals with sizes below 1.5 nm in Si/Si02 multilayers / B.V. Kamenev, A.G. Nassiopoulou // J. Appl. Phys, 2001, Vol.90, №ll,P.5735-5740.

10. Photoluminescence of size-separated silicon nanocrystals: Confirmation of quantum confinement / G. Ledoux, J. Gong, F. Huisken, O. Guillois, C. Reynaud // Appl. Phys. Lett, 2002, Vol.80, №25, P.4834-4836.

11. Changes in the electronic properties of Si nanocrystals as a function of particle size / T. van Buuren, L.N. Dinh, L.L. Chase, W.J. Siekhaus, L.J. Terminello // Phys. Rev. Lett, 1998, Vol.80, №17, P.3803-3806.

12. Photoluminescence of silicon nanoclusters with reduced size dispersion produced by laser ablation / L. Patrone, D. Nelson, V.I. Safarov, M. Sentis, W. Marine, S. Giorgio // J. Appl. Phys.- 2000, Vol.87, №8, P.3829-3837.

13. Кинетика экситонной фотолюминесценции в низкоразмерных структурах кремния /А.В. Саченко, Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, С.В. Свечников // ФТП, 2001, Т.35, №12, С.1445-1451.

14. Optical properties of Si clusters and Si nanocrystallites in high-temperature annealed SiO* films / T. Inokuma, Y. Wakayama, T. Muramoto, R. Aoki, Y. Kurata, S. Hasegawa // J. Appl. Phys, 1998, Vol.83, №4, P.2228-2234.

15. Nucleation and growth of nanociystalline silicon studied by ТЕМ, XPS and ESR / K. Sato, T. Izumi, M. Iwase, Y. Show, H. Morisaki, T. Yaguchi, T. Kamino // Appl. Surf. Sci, 2003, Vol.216, P.376-381.

16. Optical gain in Si/Si02 lattice: Experimental evidence with nanosecond pulses / L. Khriachtchev, M. Rasanen, S. Novikov, J. Sinkkonen // Appl. Phys. Lett,2001, Vol.79, №9. P.1249-1251.

17. Blue photoluminescence and local structure of Si nanostructures embedded in Si02 matrices / Q. Zhang, S.C. Bayliss, D.A. Hutt // Appl. Phys. Lett, 1995, Vol.66, №15. -P. 1977-1979

18. The structural and luminescence properties of porous silicon / A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott // Appl. Phys. Lett, 1997, Vol.82, №3, P.909-965.

19. Influence of light intensity on the photoluminescence of silicon nanostructures / D. Amans, O. Guillois, G. Ledoux, D. Porterat, C. Reynaud // J. Appl. Phys,2002, Vol.91, №8.-P.5334-5340.

20. Visible light emissions and single-electron tunneling from silicon quantum dots embedded in Si-rich Si02 deposited in plasma phase / Keunjoo Kim // Phys. Rev. B, 1998, Vol.57, №20, P.13072-13076.

21. Evidence of light-emitting amorphous silicon clusters confined in a silicon oxide matrix / H. Rinnert, M. Vergnat, A. Burneau // J. Appl. Phys, 2001, Vol.89, №l,P.237-243.

22. Raman scattering and photoluminescence from Si nanoparticles in annealed SiOx thin films / D. Nesheva, C. Raptis, A. Perakis, I. Bineva, Z. Aneva, Z. Levi, S. Alexandrova, H. Hofmeister// J. Appl. Phys, 2002, Vol.92, №8, P.4678-4683.

23. Si rings, Si clusters, and Si nanocrystals, different states of ultrathin SiOx layers / L.X. Yi, J. Heitmann, R. Scholz, M. Zacharias // Appl. Phys. Lett,2002, Vol.81, №22, P.661-663.

24. Nanoprecipitation in transparent matrices using an energetic ion beam / T. Mohanty, A. Pradhan, S. Gupta, D. Kanjilal //Nanotechnology, 2004, Vol.15, P. 1620-1624.

25. Королев, Д.Н. Образование нановыделений при распаде пересыщенных твердых растворов в треках быстрых тяжелых ионов / Д.Н. Королев, А.Е. Волков // ЖТФ, 2004, Т.74, №10, С.64-68.

26. Photoionization of silicon particles in Si02 / V.V. Afanas'ev, A. Stesmans// Phys. Rev. B, 1999, Vol.59, №3, P.2025-2034.

27. Silicon nanocrystal memory devices obtained by ultra-low-energy ion-beam synthesis / P. Dimitrakis et al. // Solid-State Electronics, 2004, Vol.48,1. P.1511-1517.

28. Electroluminescence generated by a metal oxide semiconductor light emitting diode (MOS-LED) with Si nanocrystals embedded in Si02 layers by ion implantation / M. Kulakci, U. Serincan, R. Turan // Semicond. Sci. Technol, 2006, Vol.21, P.1527-1532.

29. Visible photoluminescence in Si+-mplanted silica glass / T. Shimizu-Iwayama, K. Fujita, S. Nakao, K. Saitoh, T. Fujita, N. Itoh // J. Appl. Phys, 1994, Vol.75, №12, P.7779-7783.

30. Characterization of Si nanocrystals grown by annealing Si02 films with uniform concentrations of implanted Si / S. Guha, S.B. Qadri, R.G. Musket, M.A. Wall, T. Shimizu- Iwayama // J. Appl. Phys, 2000, Vol.88, №7, P.3954-3961.

31. Effect of different preparation conditions on light emission from silicon implanted SiC>2 layers / G. Ghislotti, B. Nielsen, P. Asoka-Kumar, K.G. Lynn, A. Gambhir, L.F. Di Mauro, C.E. Bottani // J. Appl. Phys, 1996, Vol.79, №11, P.8660-8663.

32. О формировании нанокристаллов кремния при отжиге слоев SiO?, имплантированных ионами Si / Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, В.А. Володин, В.Г. Кеслер, А.Ф. Лейер, М.-О. Ruault // ФТП, 2002, Т.36, №6, С.685-689.

33. В.И. Гавриленко, A.M. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников// Киев, Наукова думка, 1987, (608стр.)

34. Колобов Н.А. Основы технологии электронных приборов// М. Высшая школа, 1980, (стр.288)

35. В.А. Гриценко Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах// Новосибирск, 1993, (280 стр.)

36. Ближний порядок и микропористость в термических и пиролитических слоях двуокиси кремния.// Репникова Е.А, Алешина Л.А, Гуртов В.А, Фофанов А.Д. -Петрозаводск, 1987-Деп. в ВИНИТИ 12.08.87,№8301-В87

37. Радциг В.А. Парамагнитные центры на поверхности раскола кварца. Взаимодействие с молекулами Н2 и D2 //Кинетика и катализ, 1979, Т.20 №2, стр. 448-455

38. A model for the non-bridging oxygen center in fused silica./ Skuja L.N., Silin A.R. // Phisica Status Solidi (a)., 1982., V. 70, issue 1, pp 43-49

39. H.-J. Fitting, T. Barfels, A.N. Trukhin, B. Schmidt, A. Gulans, A. Von Czarnovski, Journal ofNon-Crystalline Solids 303, p.218-231, (2002)

40. А.Н.Трухин, А.Р.Силинь, Ю.Р.Закис "Собственная люминесценция кристаллов и стекол диоксида кремния" Тарту, 1989, т.63, стр. 93-105

41. A New Intrinsic Defect In Amorphous Si02: Twofold Coordinated Silicon / L.N.Skuja, A.N.Streletsky, A.B.Pakovich // Solid State Communication, 1984, V.50, № 12, p. 106943. Gee C.M, Kastner M, Journal of Non-Crystalline Solids p.557-586 (1980)

42. Бобышев A.A. и Радциг B.A. Физика и химия стекла, Т.14, № 4 стр. 501507 (1988)45. /M.V.Zamoryanskaya, V.I.Sokolov, V.Plotnikov. //Applied Surface Science -2004 V.234,1.1-46- P.214-217

43. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников // М, Наука, 1978, (615стр.)

44. Exciton energy levels in germanium and silicon./ McLean T.P., Loudon R. //J. Phys. Chem. Solids., 1960, V. 13, № 1, pp. 1-9

45. Оптические свойства и структура пленок a-Si, свободных от подложки./ Акимченко И.П., Бармин Ю.В., Вавилов В.С.,Гавриленко В.И., Золотухин И.В., Литовченко В.Г. //ФТП, 1984, Т. 18, № 12, стр. 2138-2141

46. Зависимость ширины оптической щели кремниевых квантовых точек от их размера /В.А. Бурдов // ФТП, 2002, Т.36, №10, С.1233-1236.

47. Т. Theory of quantum confinement effect on excitons in quantum dots of indirect-gap materials / T. Takagahara, K. Takeda // Phys. Rev. B, 1992, Vol.46, №23, P.15578-15581.

48. Theoretical aspects of the luminescence of porous silicon / C. Delerue, G. Allan, M. Lannoo // Phys. Rev. B, 1993, Vol.48, №15, P.l 1024-11036.

49. Nature of luminescent surface states of semiconductor nanocrystallites / G. Allan, C. Delerue, M. Lannoo // Phys. Rev. Lett, 1996, Vol.76, №16, P.2961-2964.

50. Quantum confinement and optical gaps in Si nanocrystals / S. Ogut, J.R. Chelikowsky, S.G. Louie // Phys. Rev. Lett, 1997, Vol.79, №9, P. 1770-1773.

51. The band gap in silicon nanocrystallites / V. Ranjan, M. Kapoor, V.A. Singh // J. Phys.: Condens. Matter, 2002, Vol.14, P.6647-6655.

52. Excitonic and quasiparticle gaps in Si nanocrystals / C. Delerue, M. Lannoo, G. Allan // Phys. Rev. Lett, 2000, Vol.84, №11, P.2457-2460.

53. Photoluminescence of size-separated silicon nanocrystals: Confirmation of quantum confinement / G. Ledoux, J. Gong, F. Huisken, O. Guillois, C. Reynaud // Appl. Phys. Lett. -2002, Vol.80, №25, P.4834-4836.

54. Size-dependent photoluminescence from surface-oxidized Si nanocrystals in a weak confinement regime / S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi // Phys. Rev. B, 2000, Vol.62, №24, P.16820-16825.

55. Absorption and emission of light in nanoscale silicon structures. M.S. Hybertsen//Phys. Rev. Lett, 1994, Vol.72, №10, P. 1514-1517.

56. Electronic states and luminescence in porous silicon quantum dots: The role of oxygen / M.V. Wolkin, J. Jorne, P.M. Fauchet, G. Allan, C. Delerue // Phys. Rev. Lett, 1999, Vol.82, №1, P. 197-200.

57. Surface control of optical properties in silicon nanoclusters / A. Puzder, A.J. Williamson, J.C. Grossman, G. Galli // J. Chem. Phys, 2002, Vol.117, №14, P.6721-6729.

58. Silicon nanostructures for photonics / P. Bettotti, M. Cazzanelli, L. Dal Negro, B. Danese, Z. Gaburro, C.J. Oton, G. Vijaya Prakash, L. Pavesi // J. Phys.: Condens. Matter, 2002, Vol.14, P.8253-8281.

59. Size, shape, and composition of luminescent species in oxidized Si nanocrystals and Hpassivated porous Si / S. Schuppler et al. // Phys. Rev. B, 1995, Vol.52, №7, P.4910-4925.

60. Photoluminescence of size-separated silicon nanocrystals: Confirmation of quantum confinement / G. Ledoux, J. Gong, F. Huisken, O. Guillois, C. Reynaud // Appl. Phys. Lett, 2002, Vol.80, №25, P.4834-4836.

61. Size-controlled highly luminescent silicon nanocrystals: A SiO/SiC>2 superlattice approach / M. Zacharias, J. Heitmann, R. Scholz, U. Kahler, M. Schmidt, J. Biasing // Appl. Phys. Lett, 2002, Vol.80, №4, P.661-663.

62. Resonantly excited photoluminescence from porous silicon: Effects of surface oxidation on resonant luminescence spectra / Y. Kanemitsu, S. Okamoto // Phys. Rev. B, 1997. Vol.56, №4, P.R1696-R1699.

63. Sidebands in nontunable photoluminescence of Si+-implanted Si02 / H.E. Porteanu, E. Lifshitz, Th. Dittrich, V. Petrova-Koch // Phys. Rev. B, 1999, Vol.60, №23, P.15538- 15541.

64. Breakdown of the k-Conservation Rule in Si Nanocrystals / D. Kovalev, H. Heckler, M. Ben-Chorin, G. Polisski, M. Schwartzkopff, F. Koch // Phys. Rev. Lett, 1998, Vol.81, №13. P.2803-2806.

65. Photoluminescent spectrum and dynamics of Si+-ion-implanted and thermally annealed Si02 glasses / Y. Kanemitsu, N. Shimizu, T. Komoda, P.L.F. Hemment, B.J. Sealy // Phys. Rev. B, 1996, Vol.54, №20, P.14329-14332.

66. Simulation of IR and VIS-NIR spectra of Si+ implanted Si02 glass / U.Herrmann, H.H. Dunken, E. Wendler, W. Wesch. //Journal of Non-Crystalline Solids, 1996, vol. 204, n3, pp. 273-281

67. В. Высокочувствительная система для катодолюминисцентных исследований к электронно-зондовому микроанализатору КАМЕБАКС / М. В. Заморянская, С.Г. Конников, А.Н. Заморянский.//Приборы и техника эксперимента, 2004 № 3 - с. 1-8

68. Penetration and energy-loss theory of electrons in solid targets / Kanaya K, Okayama S. // J. Phys. D. 1972. V. 5. № 1. P. 43-58.

69. Saturation effects of cathodoluminescence in rare-earth activated epitaxial Y3AI5O12 layers. / Fan M, der Weg W.F, Fan Tol M.V. //J. Appl.Phys.Lett, 1981, V.63-64, p.333

70. Cathodoluminescence of Si02/Si system. / Zamoryanskaya M.V. // Solid State Phenomena, 2010, vol. 156-158, 487-492

71. Г. Томас, М.Дж. Гориндж. Просвечивающая электронная микроскопия материалов, 1983, стр. 11-64, 120-190, 275-281 (345 стр.)

72. Study of Si Nanocrystals Formed by Electron-Induced Reduction of Si02 at High Temperature / M. Takeguchi, K. Furuya, K. Yoshinara Structure //Jpn. J. Appl. Phys. 1999, 38, 12B, 7140 7143

73. Исследование температурных полей, наводимых в образцах нитрида галлия электронным зондом/ С.К.Обыден, Г.А.Перловский, Г.В.Сапарин, С.И.Попов// Известия Академии Наук СССР, Сер. Физ. 1984, т.48, 12, 2374

74. Palik E.D. Handbook of optical constants of solids.// New York, 1985, P. 280

75. Inelastic collision of kV electrons in solids./ Ding Z.-J. and Shimizu R // Surf. Sci, 222,313-331 (1989)

76. Расчет теплового воздействия электронного зонда на образец нитрида галлия/ Л.А.Бакалейников, Е.В.Галактинов, В.В.Третьяков, Э.А.Тропп // ФТТ, 2001 том 43 - вып.5 - стр. 779-785

77. Crystal data for high-pressure phases of silicon/ Hu Jing Zhu, Merkle Larry D, Memoni C.S, Spain I.L. // Psys. Rev. B, 1986, vol.34, n 7, pp. 4679-4684

78. Куликов П.А. Термическая диссоциация соединений, Металлургия Москва 1969 (573 стр.)

79. Взаимодействие пористого кремния с водой: хемографический эффект/ Тутов Е.А, М.Н. Павленко, И.В. Протасова. В.М. Кашкаров, // Письма ЖТФ, 2002, Т.28, В. 17, стр.45-50

80. Р.Ш. Малкович Математика диффузии в полупроводниках, Санкт-Петербург, 1999, (390 стр.)

81. О кинетике распада пересыщенных твердых растворов / И.М. Лифшиц, В.В. Слезов // ЖЭТФ, 1958, Т.35, вып.2, №8, Р.479-492.

82. Three-dimensional domain growth on the size scale of the capillary length: Effective growth exponent and comparative atomistic and mean-field simulations / M. Strobel, K.-H. Heinig, W. Moller // Phys. Rev. B, 2001, Vol.64, P.245422.

83. Моделирование формирования нанопреципитатов в Si02, содержащем избыточный кремний / А.Ф. Лейер, Л.Н. Сафронов, Г.А. Качурин // ФТП, 1999, Т.ЗЗ, №4, С.З 89-394.

84. Size and location control of Si nanocrystals at ion beam synthesis in thin Si02 films / T. Muller, K.-H. Heinig, W. Moller // Appl. Phys. Lett, 2002, Vol.81, №16, P.3049- 3051.