Микроволновая дисперсия диэлектрической проницаемости водородсвязанных сегнетоэлектриков триглицинсульфата и сегнетовой соли тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат физико-математических наук Коростелева, Юлия Федоровна

• Коростелева, Юлия Федоровна
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Коростелева, Юлия Федоровна

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О МИКРОВОЛНОВОЙ ДИСПЕРСИИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ ВОДОРОДСВЯЗАННЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ

§1.1. Сегнетоэлекгрический фазовый переход и концепция мягкой моды

§1.2. Водородсвязанные сегнетоэлектрики

§1.3. Физические свойства и микроволновая дисперсия водородсвязанных сегнетоэлектриков

1.3.1. Триглицинсульфат

1.3.2. Сегнетова соль

ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕМПЕРАТУРНО-ЧАСТОТНЫХ ЗАВИСИМОСТЕЙ МИКРОВОЛНОВОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ КРИСТАЛЛОВ ТГС

§2.1. Волноводный метод измерения диэлектрической проницаемости

§2.2. Экспериментальная установка для измерения диэлектрической

проницаемости

§2.3. Температурно-частотные зависимости диэлектрической проницаемости

триглицинсульфата

Выводы к главе 2

ГЛАВА 3. МЕХАНИЗМ МИКРОВОЛНОВОЙ ДИСПЕРСИИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ ТРИГЛИЦИНСУЛЬФАТА

§3.1. Обсуждение механизма микроволновой дисперсии триглицинсульфата

§3.2. Механизм поляризации, обусловленный движением свободных носителей

§3.3. Влияние "пролетных эффектов" на высокочастотную проводимость

§3.4. Протонный транспорт и динамическая проводимость кристаллов

триглицинсульфата

Выводы к главе 3

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ДИНАМИКИ РАЗУПОРЯДОЧЕНИЯ ПРОТОННОЙ

ПОДСИСТЕМЫ В ВОДОРОДСВЯЗАННЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ

§4.1. Механизм микроволновой дисперсии сегнетовой соли

§4.2. Диэлектрический отклик разупорядочивающейся подрешетки

§4.3. Влияние температуры на динамические характеристики системы

§4.4. Температурно-частотная трансформация микроволновых диэлектрических

спектров сегнетовой соли

Выводы к главе 4

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Микроволновая дисперсия диэлектрической проницаемости водородсвязанных сегнетоэлектриков триглицинсульфата и сегнетовой соли»

Введение

Сегнетоэлектрики - материалы, обладающие в определенной области температур спонтанной электрической поляризацией, широко используются в различных областях современной техники. Их эффективное применение в устройствах твердотельной электроники обусловлено большими, по сравнению с обычными диэлектриками, величинами пьезоэффекта, электро- и пьезооптических коэффициентов, нелинейной восприимчивости, пироэлектрического эффекта, диэлектрической проницаемости и др.

На основе сильного пироэлектрического эффекта - зависимости величины спонтанной поляризации от температуры сегнетоэлектрика - создан тепловой приемник излучения - пироэлектрический. Сильная зависимость диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков от температуры использована в чувствительных сегнетоэлектрических устройствах - болометрах. Зависимость диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков от напряженности электрического поля позволяет конструировать различные нелинейные диэлектрические элементы радиотехнических устройств, в том числе и СВЧ диапазона, - параметрических усилителей, фазовращателей, детекторов и измерителей мощности, диэлектрических резонаторов и др.

С научной точки зрения изучение механизма сегнетоэлектрических явлений важно для выяснения природы и характера межатомных взаимодействий в кристаллах, для развития теории фазовых переходов, теории диэлектриков и вообще физики твердого тела.

Известно большое число сегнетоэлектрических кристаллов, содержащих в своей структуре водородные связи или молекулы кристаллизационной воды. Довольно слабые, по сравнению с другими типами связей (ионные, ковалентные, металлические), водородные связи легко разрываются под действием ионизирующих излучений, электрического поля или резкого перепада температур. На практике это означает изменение электрических и физических свойств вещества (у кристаллов - вплоть до разрушения), гибель живой клетки.

Вопрос о роли протонной подрешетки в создании сегнетоэлектрического состояния до сих пор остается открытым, т.к. структурные исследования пока не подтверждают непосредственного участия диполей водородных связей в спонтанной поляризации. Считается [1], что водородные связи не дают непосредственного вклада в спонтанную поляризацию кристалла, если они направлены под углом близким к 90° к направлению спонтанной поляризации, вызванной смещениями других ионов. Но упорядочение протонов на водородных связях является как бы "спусковым механизмом" фазового перехода.

Интерес к исследованию механизма сегнетоэлектрического фазового перехода в водородсвязанных сегнетоэлектриках обусловлен также прикладными задачами, поскольку в последнее десятилетие активно обсуждаются вопросы пиро-и сегнетоэлектричества в живой природе [2]. Существуют экспериментальные результаты, подтверждающие факт наличия спонтанной поляризации в отдельных живых системах. Например, живой эпидермис человека, животного и растения представляет собой пироэлектрический сенсор на поверхности живого организма, а нервная клетка обладает спонтанной поляризацией. В работах [3, 4] было высказано предположение о сегнетоэлектрической природе ионных каналов, осуществляющих ионный транспорт через биологические мембраны, и предложена модель работы ионных каналов как фазовый переход сегнетоэлекгрик - суперионный проводник.

При структурных фазовых переходах П рода типа порядок-беспорядок изменение симметрии происходит в результате перераспределения частиц по ранее равновероятным положениям. Как правило сегнетоэлектрические кристаллы с фазовым переходом типа порядок-беспорядок обладают довольно сложной кристаллической структурой. Упорядочение происходит в определенной подрешетке, но вызывает смещение атомов других подрешеток. При этом спонтанная поляризация может определяться смещениями ионов, вовсе не относящихся к упорядочивающейся подрешетке.

Фазовые переходы II рода сопровождаются предпереходными явлениями -аномалиями различных физических свойств. Говоря об аномалиях обычно имеют в виду необычную температурную зависимость или величину той или иной характеристики кристалла: теплоемкости, модулей упругости, диэлектрической

проницаемости, коэффициента теплового расширения и т.д. вблизи точки перехода по сравнению с той, которая имела место вдали от перехода. Особенно важно то, что фазовые переходы II рода часто сопровождаются возникновением нового физического . качества у системы: сверхпроводимости, ферромагнетизма, сегнетоэлектричества, сверхтекучести и т.д., делающего объект исследования привлекательным не только с фундаментально-научной, но и с прикладной точки зрения.

В водородсвязанных сегнетоэлектриках в области фазового перехода отмечается дисперсия диэлектрической проницаемости, которая простирается до микроволнового диапазона. На низких частотах преобладает доменный механизм спонтанной поляризации, который позволяет описать аномальное поведение статической диэлектрической проницаемости в области фазового перехода: диэлектрическая проницаемость кристалла вдоль полярной оси зависит от температуры по закону Кюри-Вейсса - в точке фазового перехода диэлектрическая проницаемость обращается в бесконечность (или обратная диэлектрическая проницаемость обращается в нуль).

В микроволновом диапазоне в окрестности температуры фазового перехода наблюдается аномальное поведение температурных и частотных зависимостей диэлектрической проницаемости водородсвязанных сегнетоэлектриков типа порядок-беспорядок. Так, например, в кристаллах триглицинсульфата (ТГС) [5], сегнетовой соли [6, 7], RbHSCU [8] на температурной зависимости действительная часть диэлектрической проницаемости е' при температуре фазового перехода появляется острый минимум (у ТГС на частоте ~2,5 ГГц [5], у сегнетовой соли на 3 ГГц [6, 7], у RbHS04 - с 3 ГГц [8]).

В настоящее время считается, что высокочастотная сегнетоэлектрическая дисперсия обусловлена мягкой модой - температурно-неустойчивым возбуждением решетки, а сегнетоэлектрический фазовый переход рассматривается как результат неустойчивости кристалла по отношению к мягкой моде. В качестве экспериментальных методов обнаружения мягких мод используют инфракрасную, субмиллиметровую, микроволновую спектроскопию. Но как показали многочисленные исследования, у большинства водородсвязанных

сегнетоэлектриков, в частности, сегнетовой соли и триглицинсульфата, "динамика кристаллической решетки при сегнетоэлектрическом фазовом переходе очень многообразна и по своим проявлениям выходит за рамки традиционных представлений о мягкой моде" [9].

При обсуждении механизма микроволновой дисперсии водородсвязанных сегнетоэлектриков, как правило, не делают акцента на наличие в их структуре водородных связей и не затрагивают вопрос о том, что эта дисперсия может отражать процессы, происходящие в протонной подсистеме кристалла. Но необходимо обратить внимание на следующие факты. Частоты, определяемые характерными временами жизни водородной связи лежат в этом диапазоне. В микроволновом диапазоне находится дисперсия диэлектрической проницаемости воды, молекулы которой связаны в единую трехмерную сетку водородных связей [10]. В данном случае откликом на внешнее воздействие является отклик водородных связей, их поляризация под действием внешнего поля. Согласно [10], среднее время между последовательными разрывами водородной связи в воде составляет 9-10"12 с. Характерные времена движения протонов вдоль цепочек водородных связей имеют порядок 10"12 сек для водородных связей типа 0...Н-0 и на два порядка меньше (Ю"10 сек) для связей типа О...Н-К [11, 12]. Поэтому в микроволновой диэлектрической проницаемости может присутствовать вклад поляризации, связанной с протонным транспортом.

На наш взгляд, идентичность особенностей микроволновых диэлектрических спектров водородсвязанных сегнетоэлектриков приводит к выводу, что их сегнетоэлектрическую дисперсию нужно анализировать с единых позиций, основываясь на общем элементе структуры - водородных связях. В частности, минимум на температурных зависимостях е'(Т) наблюдается на близких частотах, это говорит о том, что процессы, происходящие в этих кристаллах имеют одинаковую природу.

В настоящей работе была исследована микроволновая дисперсия диэлектрической проницаемости водородсвязанных сегнетоэлектриков триглицинсульфата и сегнетовой соли. Данные кристаллы были выбраны по нескольким причинам. Несмотря на очень разную структуру и свойства, эти

кристаллы обнаруживают идентичные особенности в поведении микроволновой сегнетоэлектрической дисперсии. Температуры фазовых переходов этих сегнетоэлектриков близки к комнатной, что значительно облегчает проведение измерений, а. также по сравнению с другими представителями этого класса кристаллов накоплен широкий экспериментальный материал, хотя порой очень спорный.

Целью данной работы явилось изучение роли протонной подрешетки в механизме микроволновой дисперсии диэлектрической проницаемости водородсвязанных сегнетоэлектриков типа порядок-беспорядок на примере двух типичных представителей этого класса кристаллов триглицинсульфата и сегнетовой соли и разработка механизмов, определяющих наблюдаемую дисперсию.

Актуальность поставленных задач обусловлена противоречивостью имеющихся экспериментальных данных о микроволновой дисперсии диэлектрической проницаемости исследуемых сегнетоэлектриков и отсутствием единого мнения о механизме дисперсии.

Научная новизна работы заключается в следующем:

Впервые анализ микроволновой дисперсии водородсвязанных сегнетоэлектриков осуществляется с единых позиций - с точки зрения наличия общего элемента структуры - водородных связей.

Предложен новый механизм микроволновой дисперсии диэлектрической проницаемости водородсвязанных сегнетоэлектриков, основанный на представлении об одновременном присутствии двух процессов: реорганизации протонной подрешетки и скачкообразного движения протонов вдоль реорганизующейся подрешетки.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Экспериментальные результаты, обнаружившие у кристаллов триглицинсульфата в окрестности температуры фазового перехода АТ=±30°С наличие второго дополнительного максимума на частотной зависимости диэлектрических потерь и уменьшение действительной части диэлектрической проницаемости ниже уровня ИК вклада.

2. Новый подход к анализу микроволновой дисперсии диэлектрической проницаемости водородсвязанных сегнетоэлектриков, основанный на наличии общего элемента структуры - водородных связей.

3. Механизм микроволновой дисперсии диэлектрической проницаемости водородсвязанных сегнетоэлектриков, основанный на одновременном присутствии в окрестности температуры фазового перехода двух процессов: реорганизации элементов протонной подрешетки и быстрого транспорта протонов вдоль реорганизующейся структуры.

4. Механизм протонного транспорта, представляющего скачкообразное движение протонов, время прыжка которых соизмеримо с периодом микроволнового излучения.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. В первой главе дан обзор современных представлений о микроволновой дисперсии водородсвязанных сегнетоэлектриков (концепция мягкой моды), особое внимание уделено исследуемым кристаллам триглицинсульфату и сегнетовой соли.

Хотя исследования микроволновых спектров триглицинсульфата начались в 70-е годы, их интерпретация все еще остается вопросом для дискуссий. Одни авторы [13, 14] рассматривают дисперсию как релаксационную, другие [5, 15] считают, что ее можно описать только с учетом резонансного механизма поляризации. Это является следствием больших расхождений в экспериментальных данных о поведении диэлектрической проницаемости ТГС в окрестности фазового перехода. В [14] обнаружено резкое уменьшение действительной части диэлектрической проницаемости s' в окрестности фазового перехода уже на частоте 1 ГГц, в [13] такое уменьшение не отмечается до частот 16 ГГц. Значение s' на этих частотах в [13, 14] не опускалось ниже ИК вклада =5), а в [5, 16] наблюдалось уменьшение s' до отрицательных значений. В [17] показано, что такой разброс в экспериментальных результатах может быть следствием различной степени дефектности исследуемых кристаллов.

Обычно, ввиду технических причин, экспериментально исследуются узкие частотные диапазоны и на основании полученных данных авторы предлагают свой

механизм наблюдаемых ими явлений. Чтобы исследовать механизм сегнетоэлекгрической дисперсии, необходимо иметь представление о поведении диэлектрической проницаемости в широком диапазоне температур и частот. С этой целью нами была воссоздана по литературным данным диэлектрическая дисперсия триглицинсульфата в диапазоне от 0,1 ГТц до 1000 ГГц. Анализ полученных диэлектрических спектров показал, что наиболее характерная дисперсия попадает в частотный интервал от 10 до 50 ГГц.

Во второй главе представлены результаты экспериментального исследования комплексной диэлектрической проницаемости триглицинсульфата в диапазоне частот от 10 до 50 ГГц в температурном интервале от 20 до 100°С (температура фазового перехода ТГС 49°С). Измерения проводились на совершенных и дефектных кристаллах, а также на образцах разной толщины, что меняло степень их структурного совершенства.

В окрестности температуры фазового перехода АТ=±30°С на частотных зависимостях диэлектрических потерь, измеренных на совершенных кристаллах ТГС, обнаружен дополнительный максимум е" на частоте 35 ГТц как в пара- так и в сегнетофазе. В области АТ=±10°С действительная часть диэлектрической проницаемости s' уменьшалась ниже уровня £т на частоте 40 ГГц. (Измерения проводились вдоль сегнетоэлекгрической оси.) Характер полученных частотных зависимостей е' и s" повторяет вид аналогичных зависимостей из работы [15], за исключением разницы в абсолютных значениях и смещения частоты в области, где s' близко к нулю. Это можно объяснить различиями в структуре кристаллов, которые наиболее сильно проявляются в области фазового перехода. В [15] подобное аномальное поведение комплексной диэлектрической проницаемости ТГС объяснялось резонансным механизмом поляризации. В настоящей работе наличие второго максимума на частотной зависимости s" и уменьшение s' ниже уровня sro связывается с появлением в области фазового перехода дополнительного к релаксационному второго механизма поляризации.

Третья глава посвящена обсуждению механизма наблюдаемой микроволновой диэлектрической дисперсии водородсвязанного сегнетоэлектрика триглицинсульфата. Показано, что микроволновая дисперсия в ТГС полностью

определяется динамикой протонной подрешетки и содержит вклады двух механизмов поляризации: одного, связанного со структурной реорганизацией протонной подрешетки, и второго, связанного с быстрым транспортом вдоль реорганизующейся подрешетки. Первый механизм является релаксационным и хорошо описывается дебаевской моделью диполей в вязкой среде. Для второго механизма предложена модель скачкообразного движения протонов, причем время скачка соизмеримо с периодом микроволнового излучения, что приводит к частотно зависимой проводимости системы и дополнительному поглощению энергии микроволнового излучения.

На основе предложенной модели проанализированы частотные диэлектрические спектры триглицинсульфата при разных температурах. Показано, что вклад протонного транспорта в диэлектрическую проницаемость триглицинсульфата проявляется в окрестности температуры фазового перехода ДТ=±30°С.

В четвертой главе исследована дисперсия диэлектрической проницаемости кристаллов сегнетовой соли. Анализ диэлектрических спектров в широком диапазоне частот (от 0,1 до 103 ГГц) и температур (от 5 К до 328 К, фазовые переходы при 255 и 298 К) показал, что наблюдаемая дисперсия может быть связана с поведением склонной к разупорядочению протонной подрешетки, формируемой водородными связями кристаллизационной воды и водородными связями, которые вода за счет гидратации образует с ионами жесткого каркаса. Как и в триглицинсульфате, микроволновая дисперсия сегнетовой соли, определяется двумя механизмами поляризации: релаксационной во всем интервале температур, и связанной с протонной проводимостью в области температур фазовых переходов.

Предложена математическая модель, описывающая процесс разупорядочения подрешетки, заключающийся в постепенном возрастании амплитуд движения ионов и их переходе из локализованных колебательных состояний при низких температурах в состояние диффузионного движения при более высоких температурах. На основании этой модели проанализированы диэлектрические спектры сегнетовой соли. Показано, что осцилляторный отклик при температуре 5К отвечает не "мягкой моде", а "замороженной" протонной подрешетке, которая по

мере роста температуры разупорядочивается, приводя сначала к размытию осцилляторного отклика, а затем к релаксационному отклику за счет реорганизации образующих протонную подрешетку элементов, пока не приводит в окрестности температур фазовых переходов к перемещению протонов, вызывающему изменение структуры жесткого каркаса и симметрии кристалла. Проведенные расчеты позволили оценить энергию активации в низкотемпературной фазе (до 255 К), которая составили ~0,2 эВ, что совпадает с экспериментально определенными при измерении статической проводимости значениями 0,2-0,3 эВ в области 80-235 К.

Научная и практическая ценность работы. Предложенный механизм микроволновой дисперсии водородсвязанных сегнетоэлектриков способствует развитию теоретических представлений о природе сегнетоэлектричества и открывает новые перспективы в исследовании механизмов взаимодействия микроволнового излучения с биологическими объектами.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на научном семинаре кафедры радиофизики физического факультета МГУ им. М.В. Ломоносова, на 8 Международной конференции по сегнетоэлектричеству (Вашингтон, 1993) [18], на Международном симпозиуме по воздействию электромагнитного излучения на окружающую среду (Бордо, 1994) [19], на Всероссийской школе-семинаре "Физика и применение микроволн" (Красновидово, 1997, 1999) [20, 21]. Основные результаты проведенных исследований опубликованы в журналах "Физика твердого тела" [22], "Биофизика" [23], 'ТеггоексМсз" [24] и "Известия Российской Академии Наук" [25].

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Коростелева, Юлия Федоровна

Основные результаты работы можно сформулировать следующим образом:

1. Проведены экспериментальные измерения диэлектрической проницаемости ТГС в диапазоне частот 10-50 ГГц и температурном интервале 20 -100 °С на кристаллах различной толщины и степени совершенства. Обнаружено, что у совершенных кристаллов вблизи фазового перехода действительная часть диэлектрической проницаемости е' достигает отрицательных значений, в то время как у дефектных кристаллов е' не опускается ниже уровня ет.

2. Обнаружено, что частотные зависимости диэлектрических потерь совершенных кристаллов триглицинсульфата имеют дополнительный максимум, а действительная часть диэлектрической проницаемости опускается ниже уровня ИК вклада в окрестности температуры фазового перехода АТ = ±30 °С в частотном диапазоне 35 -40 ГТц.

3. Проведена аппроксимация температурно-частотных диэлектрических спектров сегнетовой соли на основании модели динамической проводимости разупорядочивающейся подрешетки. Показано, что резонансный отклик при гелиевых температурах трансформируется в смешанный отклик демпфированного осциллятора и проводящей системы в окрестности температуры фазового перехода.

4. По температурным зависимостям параметров динамической модели определены энергии активации, которые совпали со значениями, полученными из статической проводимости. Полученные значения энергий активации соотнесены с двумя процессами: реориентацией элементов протонной подрешетки вдали от фазового перехода (Еа ~ 0,2 эВ) и прыжковой проводимостью вблизи фазового перехода (Еа ~ 0,9 эВ).

5. Предложенный механизм микроволновой дисперсии водородсвязанных сегнетоэлектриков, основанный на представлении об одновременном присутствии двух процессов: реорганизации протонной подрешетки и скачкообразного движения протонов вдоль реорганизующейся подрешетки, позволил объяснить экспериментально наблюдаемую микроволновую дисперсию.

6. Предложен механизм прыжковой проводимости протонов, основанный на том, что время скачка соизмеримо с периодом внешнего поля. Показано, что это приводит к частотно зависимой проводимости системы и дополнительному поглощению энергии микроволнового излучения.

Считаю своим приятным долгом выразить огромную благодарность и признательность моим научным руководителям Галине Ивановне Овчинниковой и Александру Николаевичу Сандалову за чуткое руководство и постоянную помощь в работе.

Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Коростелева, Юлия Федоровна, 1999 год

Литература

1. Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. М.: Наука, Физматлит, 1995. - 304 с.

2. Лущейкин Г.А. Полимерные пьезоэлектрики. М.: Химия, 1990. - 175 с.

3. Leuchtag H.R. // Proc. Intern. Sympos. Application of Ferroelectrics. Urbana, Illinois, 1990.

4. Быстрое B.C. Современные модели ионных каналов биологических мембран. // Изв. РАН, сер. физич. - 1997. - Т. 61. - №12. - С. 2421-2430.

5. Переверзева Л.П., Поплавко Ю.М. Дисперсия диэлектрической проницаемости триглицинсульфата в окрестности фазового перехода. // Кристаллография. - 1973. -Т. 18.-Вып. 4.-С. 784-787.

6.Sandy F., Jones R.V. Dielectric relaxation of rochell salt. // Phys. Rev. - 1968. - V. 168. -№2.-P. 481-493.

7. Поплавко Ю.М., Мериакри B.B., Переверзева Л.П., Алешечкин В.Н., Молчанов В.И. Исследование диэлектрических свойств сегнетовой соли на частотах 1 Гц - 300 ГГц. // ФТТ. - 1973. -Т. 15. - №8. - С. 2515-2518.

8. Ozaki Т. // J. Phys. Soc. Jap. - 1980. - V. 49. - P. 234.

9. Волков A.A., Козлов Г.В., Пецелт Я. Новое о мягких модах в классических сегнетоэлектриках. // Изв. АН СССР, сер. физич. - 1987. - т.51. - N12. - С.2202-2207.

10. Яшкичев В.И. Вода, движение молекул, структура, межфазные процессы и отклик на внешнее воздействие. М.: "Агар", 1996. - 86 с.

11. Zundel G., Brzezinski В. Proton Polarizability of Hydrigen Bonded Systems due to Collective Proton Motion. // Proton Transfer in Hydrogen-Bonded Systems / Edited by T.Bountis. - Plenum Press. - 1992. - P. 153-166.

12. Zundel G. Hydrigen-Bonded Systems with Large Proton Polarizability due to Collective Proton Motion as Pathways of Protons in Biological Systems. // Electron and Proton Transfer in Chemistry and Biology. - Elsevier, London, 1992. - P. 313-327.

13. Hill R.M, Ichiki S.K. Polarization Relaxation in Triglycine Sulphate above Curie Temperature. // Phys. Rev. - 1962. - V. 128. - P. 1140-1145.

14. Luther G. Dielectric dispersion of ferroelectric tryglycine sulphate in the microwave range. // Phys. Stat. Sol.(a). - 1973. - V. 20. - P. 227.

15. Огурцов С.В. Особенности дисперсии диэлектрической проницаемости триглицинсульфата в области фазового перехода. // ФТТ. - 1978. - Т. 20. - № 6. - С. 1612-1615.

16. Переверзева Л.П., Поплавко Ю.М., Мериакри В В., Ушаткин Е.Ф., Огурцов С.В., Ящишин П.И. Частотные спектры триглицинсульфата в интервале температур 80380 К. // Укр. физ. журнал. - 1974. - Т. 19. - № 10. - С. 1688-1696.

17. Бойко В.Н., Горохов Ю.В., Девятков М.Н., Дьяконов Г.И., Овчинникова Г.И. СВЧ диэлектрическая проницаемость в совершенных и несовершенных кристаллах триглицинсульфата. // ФТТ. - 1986. - Т. 28. - Вып. 8. - С. 2550-2552.

18. Ovchinnikova G.I., Korosteleva J.F. Hydrogen bonds and ionic conductivity in microwave spectra of ferroelectrics. // Proc. of the IMF8, 1993, Washington.

19. Ovchinnikova G.I., Korosteleva J.F. Ionic conductivity as the mechanism of microwave absorption by biological membranes. // Proc. of the EUROEM, Bordeaux France, 1994.

20. Овчинникова Г.И., Гаврилова Н.Д., JIotohob A.H., Коростелева Ю.Ф. Ионный транспорт в кристаллах сегнетовой соли в микроволновых спектрах и статической проводимости. // VI Всерос. школа-семинар "Физика и применение микроволн", 1997.

21. Овчинникова Г.И., Коростелева Ю.Ф. Новая интерпретация микроволновой дисперсии водородсвязанного сегнетоэлектрика триглицинсульфат. // VIII Всерос. школа-семинар "Физика и применение микроволн", 1999.

22. Овчинникова Г.И., Коростелева Ю.Ф., Сандалов А.Н. Микроволновые диэлектрические спектры триглицинсульфата. // ФТТ. - 1993. - Т. 35. - № 9. - С. 2542-2547.

23. Овчинникова Г.И., Коростелева Ю.Ф. Механизм поглощения микроволнового излучения биологическими мембранами. // Биофизика. - 1994. - Т. 39. - Вып. 3. - С. 485-489.

25. Овчинникова Г.И., Гаврилова Н.Д., JIotohob А.Н., Коростелева Ю.Ф., Сапронова А.В. Ионный транспорт в кристаллах сегнетовой соли в микроволновых спектрах и в статической проводимости. //Изв. РАН, сер. физич. - 1997. - Т. 61. - № 12.-С. 2431-2438.

26. Cochran W. Crystal stability and the theory of ferroelectricity. // Adv. Phys. - 1960. - V. 9.-№33.-P. 387-423.

27. Андерсон П. Качественные соображения относительно статики фазового перехода в сегнетоэлектриках типа ВаТЮз. // Физика диэлектриков. - Изд-во АН СССР, 1960. - С. 290-296.

28. Блинц Р., Жекш Б. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. М.: Мир, 1975. -243 с.

29. Ballantyne J.M. //Phys. Rev. - 1964. - V. 134. - P. 429-433.

30. Barker A.S., Tinkham M. // J. Chem. Phys. - 1963. - V. 38. - P. 2257-2264.

31. Barker A.S. // Proc. NATO advanced study Institute Netherland. - 1968. - P. 214-219.

32. Брилингас А., Григас Й., Калесинкас В. Микроволновая диэлектрическая спектроскопия мягких мод в сегнетоэлектриках. // Изв. АН СССР, сер физич. - 1987. -Т. 51.-№12.-С. 2196-2201.

33. Желудев И.С. Основы сегнетоэлектричества. - М.: Атомиздат, 1973. - 256 с.

34. Мецлер Д. Биохимия. М.: Мир, 1980. - Т. 1. - 408 с.

35. Сонин А.С. Некоторые вопросы кристаллохимии сегнетоэлектриков с водородными связями. Сегнетоэлектрики. - Ростов: РГУ, 1962. - 255 с.

36. Matthias В.Т., Miller С.Е., Remeika J.R. // Phys. Rev. - 1959. - V.104. - P.849-851.

37. Смоленский Г.А. и др. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. - Л.: Наука, 1971.-476 с.

38. Иона Ф., Широне Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. - М.: Мир, 1974. - 452 с.

39. ГавриловаН.Д., НиколайчикВ.Ю., ТихомироваН.А. //Кристаллография. - 1984. - Т. 29. - № 5. - С. 1032-1034.

40. Леванюк А.П., Сигов А.С., Собянин А.А. // Тезисы докладов IX Всесоюзн. совещ. по сегнетоэлектричеству. - Ростов-на-Дону, 24-26 сент. 1979. - Т. 1. - С. 4.

41. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. - М.: Мир, 1981.

42. Lurio A., Stern E. // Journ. Appl. Phys. - I960. - V. 31. - P. 345.

43. Nakamura E., Furuichi M. // Journ. Phys. Soc. Japan. - 1960. - V. 15. - P. 2101-2104.

44. Hill R.M, Ichiki S.K. High-Frequency Behavior of Hydrogen- Bonded Ferroelectrics: Triglycine Sulphate and KD2P04. // Phys. Rev. - 1963. - V. 132. - P. 1603-1611.

45. Дебай П. Избранные труды. - М.: Наука, 1987.

46. Yoshimitsu К., Matsubara Т. // Progr. Theor. Phys. -1967. - V. 37. - P. 637-640.

47. Ishibashi Y„ Sawada A., Takagi V. // J. Phys. Soc. Japan. - 1970. - V. 28. - P. 14881492.

48. Luther G., Muzer H.E. Zum dielektrischen Verhalten von Triglyzinsulfat im Bereich von 0.5 bis 4.5 GHz. //Zeitschrift für Naturforschung. - 1969. - V 24A. - P. 389-392.

49. Luther G., Muzer H.E. Zur Mikrowellendisprsion von Ferroelektrika in unmittelbarer Nahe der Umwandlungspunktes. // Zs. Angew. Phys. - 1970. - V 29. - P. 237-240.

50. Петров B.M. Частотные спектры триглицинсульфата. //Кристаллография. - 1961. - № 6. - С. 632-635.

51. Nakamura Е. Measurement of Microwave Dielectric Constants of Ferroelectrics. Part II. Dielectric Constants and Dielectric Losses of NaNCh and (Glycine)-H2S04. // Journ. Phys. Soc. Japan. - 1962. - V. 17. - P. 961-966.

52. Сонин A.C., Горбач С.С. Диэлектрические потери монокристаллов триглицинсульфата. // Изв. АН СССР, сер. физич. - Т. 29. - 1965. - С. 1996-1999.

53. Поплавко Ю.М., Соломонова Л.П. Диэлектрическая релаксация в кристаллах триглицинсульфата. // ФТТ. - 1966. - № 8. - С. 2455-2459.

54. O'brien E.J., Litovitz Т.А. Ultrasonic Relaxtion near the Curie Temperature of Ferroelectric Triglycine Sulphate. // Journ. Appl. Phys. - 1964. - V. 35. - P. 180-186.

55. Unruh H.G., Wahl H.J. Critical Slowing Down at Ferroelectric Transition. // Phys. status solidi (a). - 1972. - V. 9a. - P. 119-125.

56. Переверзева Л.П., Поплавко Ю.М., Мериакри B.B., Ушаткин Е.Ф., Огурцов С.В., Ящишин П.И. // ФТТ. - 1973. - Т. 15. - С. 1250-1254.

57. Огурцов С.В., Поплавко Ю.М. Динамика глициновых молекул в кристаллах группы ТГС. // Материалы 4-ой Республиканской школы-семинара "Спектроскопия молекул и кристаллов", Черновцы, 1979. - Киев, 1980. - Ч. 2. - С. 18-26.

58. Волков A.A., Козлов Г.В., Лебедев С.П., Чернышев И.М. Субмиллиметровые диэлектрические спектры триглицинсульфата. // Краткие сообщения по физике. -1980. - № 5. - С. 39-45.

59. Волков A.A., Гончаров Ю.Г., Козлов Г.В., Лебедев С.П. Динамические свойства сегнетоэлектриков. // Субмиллиметровая и диэлектрическая спектроскопия твердого тела. Труды ИОФАН. - М: Наука, 1990. - Т. 25. - С. 52-111.

60. Jonscher А.К. Universal relaxtion law. - London, Chelsea Dielectrics Press, 1996. - 412 P-

61. Курчатов И.В. Сегнетоэлектрики. В 2 т. М.: Наука, 1983,- Т. 1. - 340 с.

62. Frazer B.C., McKeown М., Pepinsky R. // Phys. Rev. -1954. - V. 94. - P. 1435-1440.

63. Mazzi F., lona F., Pepinsky R., // Z. Krist. - 1957. - V. 108. - P. 359-364.

64. Переверзева Л.П. Проявление динамических свойств в дисперсии диэлектрической проницаемости водородсодержащих сегнетоэлектриков. // Механизмы релаксационных явлений в твердых телах. Каунасе: Изд-во АН ЛитССР, 1974. - С. 223-227.

65. Jäckle W. HZ. angew. Phys. - 1960. - V. 12. - P. 148-153.

66. Bäumler P., Blum W., Deyda H. // Z. für physik. - 1964. - V. 180. - P. 96-99.

67. Волков A.A., Козлов Г.В., Лебедев С.П. Диэлектрическая релаксация в кристаллах дейтерированной сегнетовой соли. // ФТТ. - 1982. - Т. 24. - № 2. - С. 555561.

68. Переверзева Л.П., Молчанов В.И., Кузнецов Л.М. Диэлектрический спектр сегнетовой соли в окрестности 200 К. // Диэлектрики и полупроводники. Киев: Изд-во Киевского ун-та. - 1987. - Т. 31. - С. 5-8.

69. Волков A.A., Козлов Г.В., Лебедев С.П. Субмиллиметровые диэлектрические спектры сегнетовой соли. // ЖЭТФ. - 1980. - Т. 79. - Вып. 4(10). - С. 1430-1437.

70. Волков A.A., Козлов Г.В., Крюкова Е.Б., Собянин A.A. О динамике фазовых переходов в кристаллах сегнетовой соли. // ФТТ. - 1986. - Т. 28. - С. 797-802.

71. Лебедев ИВ. Техника и приборы СВЧ. В 2 т. - М.: Высшая школа, 1970. - Т.1.

72. Брок А. Метод резонанса короткозамкнутого отрезка линии передачи для СВЧ исследований сегнетоэлектриков. - Рига: Изд-во ЛГУ им. П. Стучки, 1982. - 108 с.

73. Лебедев И.В., Шнитников A.C. Интегральная техника СВЧ. - М.: Московский энергетический институт, 1984. - 84с.

74. Калинин В.И., Герштейнс Г.М. Введение в радиофизику. - М.: Высшая школа, 1957.-С.143-144.

75. Тишер Ф. Техника измерений на сверхвысоких частотах. - М.: Физ. мат. литература, 1963. - 184 с.

76. Стариков В.Д. Методы измерения на СВЧ с применением измерительной линии.

- М.: Сов. радио, 1980. - 183 с.

77. Strukov В.А., Taraskin S.A., Minaeva K.A., Fedorikhin V.A. // Ferroelectrics. -1980. -V. 25. - № 1-4. - P. 399-402.

78. Дьяконов Г.И. Поверхностные и объемные диэлектрические СВЧ характеристики триглицинсульфата: Дис. канд. физ.-мат. наук. - М., 1985. - 159 с.

79. Jonscher А.К. A new understanding of the dielectric relaxation of solids. // J. materials sei. -1981. - V. 16. - P. 2037-2060.

80. Арцимович Л. А., Лукьянов С.Ю. Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях. - М.: Наука, 1978. - 224 с.

81. Арцимович Л.А. Элементарная физика плазмы. - М.: Атомиздат, 1969. - 192 с.

82. Гвоздовер С.Д. Теория электронных приборов СВЧ. - М.: Изд. техн.-теор. литературы, 1954. - 468 с.

83. Лопухин В.М. Возбуждение электромагнитных колебаний и волн электронными потоками. - Гостехиздат, 1953. - 154 с.

84. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. - М.: Наука, 1982.

- 624 с.

85. Набитович И.Д., Цаль H.A., Романюк H.H. Термическая стойкость кристаллов группы триглицинсульфата. // Кристаллография. - 1989. - Т. 34. - Вып. 4. - С. 985988.

86. Funke К. Complex Conductivity of Solid Electrolites in the Microwave Range. // Phys. Lett. - 1975. - V. 53A. - № 3. - P. 215-216.

87. Исаев A.H., Хургин Ю.И. Механизм обмена протонов молекулами воды гидратных оболочек молекул NH3 и HF в процессе образования ими ионной пары. // Изв. АН СССР. Сер. химич. - 1991. - № 4. - С. 817-822.

88. Pomes R., Roux В. Structure and dynamics of a proton wire: a theoretical study of tT translocation along the single-file water chain in the gramicidin A channel. // Biophysical Journal. - 1996.. - V. 71. - P. 19-39.

89. Ovchinnikova G.I., Gavrilova N.D. Ionic transport and microwave spectra of TGS crystals. // Ferroelectrics. - 1995. -V. 167. - P. 129-135.

90. Ovchinnikova G.I., Kutyshenko A.V., Gavrilova N.D. Ferroelectric-superionically conducting phase transition via NMR. // Ferroelectrics. - 1999. - V. 220. - P. 243-248.

91. Baranov A.I., Merinov B.V., Tregubchenko A.V., Khiznichenko V.P., Shuvalov L.A., Schagina N.M. Fast proton transport in crystals with a dynamically disordered hydrogen bond network. // Solid State Ionics. - 1989. - V. 36. - P. 279-282.

92. Baranov A.I., Khiznichenko V.P., Shuvalov L.A. High temperature phase transiton and proton conductivity in some KDP family crystalls. // Ferroelectrics. - 1989. - V. 100. - P. 135-141.

93. Gavrilova N.D., Ovchinnikova G.I. Ionic Transport and Microwave Spectra of TGS Crystals. // International Seminar on Superprotonic Conductors, June, 1993, Dubna.

94. Grigas J. Microwave Dielectric Spectroscopy of Ferroelectrics and Related Materials. // Ferroelectricity and Related Phenomena. - 1996. - V. 9. - 336 p.

95. Colomban Ph. Proton transfer and superionic conductivity in solids and gels. // J. Mol. Structure. - 1988. - V. № 177. - P. 277-308.

96. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Статистическая физика. - М.: Наука, 1976. - 568 с.

97. Takagi Y. Derivation and Characteristics of a Generalized Form of Susceptibility Used in the Analysis of Raman Line Shape for an Overdamped Mode. // J. Phys. Soc. J. - 1979 -V. 47. - № 2. - P. 567-575.

98. Hashizume N. A Statistical Theory of Linear Dissipative Systems. I. // Progr. Theor. Phys. - 1952. - V. 8. - № 4. - P. 461-478.

99. Hashizume N. A Statistical Theory of Linear Dissipative Systems. П. // Progr. Theor. Phys. - 1956. - V. 15. - № 4. - P. 369-413.

100. Silverman B.D. Collision-Broanded Phonon Line Shape in the Overdamped or Hydrodynamic Regime. // Phys. Rev. B. -1974. - V. 9. - № 1. - P. 203-208.

101. Волков A.A., Козлов Г.В., Лебедев С.П., Ракитин A.C. Феноменологическая модель динамической проводимости суперионных проводников. // ФТТ. - 1990. - Т. 32. -№2. - С. 1-9.

102. Angell A.C. Fast Ion Motion in Glassy and Amorphous Materials. // Sol. St. Ionics. -1983. -V. 9-10-P. 3-16.

103. Strom U., Taylor P.C. Contact-Free Conductivity of Layered Materials. // J. Appl. Phys. - 1979. - V. 50. - № 9. . p. 5761.

104. Физика суперионных проводников. Под ред. М.Б.Саламона. - Рига: Зинатне, 1982.-315 с.

105. Чеботин В.Н. Химическая диффузия в твердых телах. - М.: Наука, 1989. - С. 208.

106. Гуревич В.Л. Кинетика фононных систем. - М.: Наука, 1980, С. 107-112.

107. Ракитин A.C. Динамика ионного транспорта в твердых электролитах: Дис. канд. физ.-мат. наук. -М., 1990. - 155 с.

108. Габуда С.П., Лундин А.Г. Внутренняя подвижность в твердом теле. -Новосибирск: Наука, 1986. - 176 с.

109. Габуда С.П., Ржавин А.Ф. Ядерный магнитный резонанс в кристаллогидратах и гидратированных белках. - Новосибирск: Наука, 1978. - 160 с.